KR101794086B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 상세하게는 어닐링, 증착, 식각하는 등 기판에 대하여 소정의 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판처리를 위한 처리공간이 형성된 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되며 평면형상이 실질적으로 직사각형의 형상을 가지는 기판지지대와; 상기 처리공간의 상측에 설치되어 처리공간으로 가스를 분사하며 상기 기판지지대의 평면형상에 대응되어 가스분사면이 실질적으로 직사각형 형상을 가지는 가스분사부와; 상기 가스분사면의 가장자리를 따라서 설치되어 상기 가스분사부에 의하여 분사되는 가스흐름을 가이드하는 주가이드부를 포함하며, 상기 주가이드부는 상기 가스분사면의 꼭지점을 제외한 위치에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs a predetermined processing process on a substrate such as annealing, deposition, or etching.
The present invention provides a process chamber comprising: a process chamber in which a process space for substrate processing is formed; A substrate support installed in the process chamber, the substrate support having a substantially rectangular shape in plan view; A gas spraying part installed on the upper side of the processing space and spraying a gas into the processing space, the gas spraying part corresponding to the planar shape of the substrate support and having a gas spraying surface of a substantially rectangular shape; And a main guide portion provided along an edge of the gas spraying surface and guiding a gas flow injected by the gas spraying portion, wherein the main guide portion is disposed at a position excluding a vertex of the gas spraying surface Device.

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}[0001] Substrate processing apparatus [

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 상세하게는 어닐링, 증착, 식각하는 등 기판에 대하여 소정의 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs a predetermined processing process on a substrate such as annealing, deposition, or etching.

기판처리장치는 일반적으로 밀폐된 처리공간에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 기판지지대에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.A substrate processing apparatus generally refers to an apparatus that performs substrate processing such as depositing and etching a surface of a substrate placed on a substrate support by applying power to an enclosed processing space to form a plasma.

이때 상기 기판처리장치는 서로 결합되어 처리공간을 형성하는 탑리드 및 챔버본체와, 탑리드의 하측에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 가스분사부와,기판처리를 위한 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하여 구성된다.The substrate processing apparatus includes a top lead and a chamber main body coupled to each other to form a process space, a gas spraying unit installed below the top lead to inject gas for substrate processing into the process space, And a substrate support for supporting the substrate.

한편 기판처리장치는 게이트 형성 등에 따른 처리환경의 비대칭성, 직사각형 기판지지대 꼭지점 부분에서의 가스흐름의 왜곡 등으로 인하여 기판지지대의 위치에 따른 기판처리가 균일하지 못한 문제점이 있다.On the other hand, the substrate processing apparatus has a problem in that the substrate processing according to the position of the substrate support is not uniform due to the asymmetry of the processing environment due to gate formation and the distortion of the gas flow at the vertex portion of the rectangular substrate support.

특히 종래의 기판처리장치는 직사각형의 기판지지대의 꼭지점 부근(다른 지점에 비하여 가스가 확산되는 공간이 크며, 배플을 통하여 배기되는 가스의 유량 및 유속이 상대적으로 작음)에서 가스분사부에 의하여 분사되는 가스의 유속 및 유량이 작은데, 이는 기판지지대의 꼭지점에 대응되는 위치에서 다른 위치, 예를 들면 기판지지대의 일변에 비하여 기판처리가 원활하지 않은 원인으로 작용하는 문제점이 있다.Particularly, in the conventional substrate processing apparatus, the gas is injected by the gas ejecting portion in the vicinity of the vertex of the rectangular substrate support (the space where the gas is diffused as compared with other points is large, and the flow rate and the flow rate of the gas exhausted through the baffle are relatively small) The flow rate and flow rate of the gas are small, which causes a problem in that the substrate processing is not smooth as compared with other positions, for example, one side of the substrate support at a position corresponding to the vertex of the substrate support.

본 발명의 목적은 직사각형 기판지지대의 꼭지점에 대응되는 위치에서 가스흐름을 개선하여 기판지지대의 꼭지점에서의 기판처리의 불균일함을 개선할 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of improving gas flow at a position corresponding to the vertex of a rectangular substrate support to improve the unevenness of the substrate processing at the apex of the substrate support.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 기판처리를 위한 처리공간이 형성된 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되며 평면형상이 실질적으로 직사각형의 형상을 가지는 기판지지대와; 상기 처리공간의 상측에 설치되어 처리공간으로 가스를 분사하며 상기 기판지지대의 평면형상에 대응되어 가스분사면이 실질적으로 직사각형 형상을 가지는 가스분사부와; 상기 가스분사면의 가장자리를 따라서 설치되어 상기 가스분사부를 통해 분사되는 가스의 흐름을 가이드하는 주가이드부를 포함하며, 상기 주가이드부는 상기 가스분사면의 꼭지점을 제외한 위치에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a process chamber, A substrate support installed in the process chamber, the substrate support having a substantially rectangular shape in plan view; A gas spraying part installed on the upper side of the processing space and spraying a gas into the processing space, the gas spraying part corresponding to the planar shape of the substrate support and having a gas spraying surface of a substantially rectangular shape; And a main guide portion provided along an edge of the gas spraying surface and guiding a flow of gas injected through the gas injection portion, wherein the main guide portion is installed at a position excluding a vertex of the gas spraying surface Device.

상기 주가이드부는 상기 처리공간을 향하여 하향 경사지는 가이드면을 포함할 수 있다.The main guide portion may include a guide surface inclined downward toward the processing space.

상기 가스분사면의 꼭지점에 대응되는 위치에 이웃하는 상기 주가이드부들 사이에는 상기 주가이드부의 가이드면보다 경사각이 작은 가이드면을 가지는 코너가이드부가 추가로 설치될 수 있다.A corner guide portion having a guide surface whose inclination angle is smaller than the guide surface of the main guide portion may be additionally provided between the adjacent main guide portions at a position corresponding to the vertex of the gas spraying surface.

상기 가스분사면의 꼭지점에 대응되는 위치에 이웃하는 상기 주가이드부들 사이에는 가이드면이 상기 가스분사면과 실질적으로 동일한 평면을 이루는 코너가이드부가 추가로 설치될 수 있다.A corner guide portion may be additionally provided between the main guide portions adjacent to the vertex of the gas spraying surface, the guide surface of which is substantially flush with the gas spraying surface.

상기 주가이드부는 상기 기판지지대를 향하여 하향 돌출되어 설치되며, 상기 가스분사면의 꼭지점에 대응되는 위치에 이웃하는 상기 주가이드부들 사이에는 상기 주가이드부들을 연결하는 코너가이드부가 추가로 설치되며, 상기 코너가이드부의 돌출높이는 상기 주가이드부의 돌출높이보다 작을 수 있다.A corner guide portion for connecting the main guide portions is additionally provided between neighboring main guide portions at a position corresponding to a vertex of the gas spraying surface, The protrusion height of the corner guide portion may be smaller than the protrusion height of the main guide portion.

상기 주가이드부는 상기 기판지지대를 향하여 하향 돌출되어 설치되며, 상기 가스분사면의 꼭지점에 대응되는 위치에 이웃하는 상기 주가이드부들 사이에는 상기 주가이드부들을 연결하며 가이드면이 상기 가스분사면과 실질적으로 동일한 평면을 형성하는 코너가이드부가 추가로 설치될 수 있다.Wherein the main guide portion is protruded downward toward the substrate support and connects the main guide portions between adjacent main guide portions at a position corresponding to a vertex of the gas injection surface, A corner guide portion for forming the same plane can be additionally provided.

상기 코너가이드부와 상기 주가이드부는 연결되는 부분이 길이방향으로 단차가 형성될 수 있다.A portion where the corner guide portion and the main guide portion are connected may be formed with a step in the longitudinal direction.

본 발명에 따른 기판처리장치는 직사각형 기판지지대의 꼭지점에 대응되어 가스분사부의 가스분사면의 꼭지점을 제외한 위치에서 가스의 흐름을 가이드하는 주가이드부를 설치하여 가스분사면의 꼭지점에 대응되는 위치에서의 가스흐름을 개선함으로써 꼭지점에서의 기판처리의 불균일한 문제점을 해결할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention includes a main guide portion corresponding to a vertex of a rectangular substrate support and guiding a flow of gas at a position excluding a vertex of a gas injection surface of the gas injection portion, There is an advantage that the uneven problem of the substrate processing at the vertex can be solved by improving the gas flow.

즉, 직사각형 기판지지대의 꼭지점에 대응되어 가스분사면의 꼭지점에 가스흐름을 가이드하는 주가이드부를 설치하지 않음으로써, 종래 가스분사면의 꼭지점 부근에서 상대적으로 적은 가스의 흐름을 개선하여 기판처리의 불균일한 문제점을 해결할 수 있는 이점이 있다.That is, since the main guide portion for guiding the gas flow is not provided at the vertex of the gas injection surface corresponding to the vertex of the rectangular substrate support, the flow of relatively small gas is improved near the vertex of the conventional gas injection surface, There is an advantage that one problem can be solved.

본 발명에 따른 기판처리장치는 가스분사면의 가장자리를 따라서, 직사각형 기판지지대의 꼭지점에 대응되어 가스분사면의 꼭지점을 제외한 위치에 주가이드부를 설치하고 가스분사면의 꼭지점 부근에서 주가이드부가 설치된 부분에서의 가스흐름에 비하여 가스흐름의 편차를 유도할 수 있는 코너가이드부를 설치함으로써, 종래의 구성에서 주가이드부가 설치된 부분보다 가스분사면의 꼭지점 부근에서 상대적으로 적은 가스의 흐름을 개선하여 꼭지점에서의 기판처리의 불균일한 문제점을 해결할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention is characterized in that, along the edge of the gas spraying surface, the main guide portion is provided at a position corresponding to the vertex of the rectangular substrate support except for the vertex of the gas spraying surface, It is possible to improve the flow of the gas relatively less near the vertex of the gas injection surface than in the portion where the main guide portion is provided in the conventional structure, There is an advantage that non-uniform problems of the substrate processing can be solved.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치에서 가스분사부를 향하여 본 저면도이다.
도 3a은 도 2에서 A 방향의 단면도이고, 도 3b는 도 2에서 B 방향의 단면도이다.
도 4a는 도 3a의 변형례를 보여주는 단면도이고, 도 4b는 도 3b의 변형례를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a bottom view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 viewed from the gas injection unit.
FIG. 3A is a cross-sectional view taken along the direction A in FIG. 2, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the direction B in FIG.
FIG. 4A is a cross-sectional view showing a modification of FIG. 3A, and FIG. 4B is a cross-sectional view of a modification of FIG. 3B.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판처리를 위한 처리공간(S)이 형성된 공정챔버(100)와; 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(1)이 안착되는 기판지지대(130)와; 처리공간(S)의 상측에 설치되어 처리공간(S)으로 가스를 분사하며 가스분사면(141)이 실질적으로 직사각형 형상을 가지는 가스분사부(140)와; 가스분사면(141)의 가장자리를 따라서 설치되어 가스분사부(140)를 통해 분사되는 가스의 흐름을 가이드하는 주가이드부(210)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 100 in which a process space S for processing a substrate is formed; A substrate support 130 installed in the process chamber 100 and on which the substrate 1 is mounted; A gas spraying part 140 installed on the upper side of the processing space S and injecting gas into the processing space S and having a gas spraying surface 141 having a substantially rectangular shape; And a main guide portion 210 provided along the edge of the gas spraying surface 141 and guiding the flow of gas injected through the gas spraying portion 140.

여기서 기판처리는 증착, 식각 등 다양한 기판처리가 가능하다.Here, substrate processing can be performed on various substrates such as deposition and etching.

기판처리의 대상인 기판(10)은 식각 등 기판처리를 요하는 기판이면 LCD패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등 어떠한 기판도 가능하다.The substrate 10, which is an object of the substrate processing, can be any substrate such as a glass substrate for an LCD panel, a solar cell substrate, or the like, as long as it is a substrate requiring a substrate processing such as etching.

상기 공정챔버(100)는 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 탈착 가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(120) 및 탑리드(110)를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리는 진공상태에서 플라즈마를 형성하여 기판(10)의 표면을 식각하는 식각공정 등이 있다.The process chamber 100 is configured to form a closed process space S for substrate processing. The process chamber 100 may have various configurations according to the substrate process. As shown in FIG. 1, And a chamber body 120 and a top lead 110 which form a space S, as shown in FIG. Here, the substrate processing performed by the substrate processing apparatus according to the present invention includes an etching process for etching a surface of the substrate 10 by forming a plasma in a vacuum state.

상기 챔버본체(120)는 설계 및 디자인에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판(10)이 직접 입출되거나, 기판(10)이 안착된 트레이(30)가 입출될 수 있도록 게이트 밸브에 의하여 개폐되는 적어도 하나의 게이트(170)가 형성될 수 있다.The chamber body 120 may have various configurations according to design and design and may include at least one or more of a plurality of chamber bodies 120 that can be opened or closed by a gate valve so that the substrate 10 can be directly input or output, One gate 170 may be formed.

상기 탑리드(110)는 챔버본체(120)와 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하며, 플레이트 형상, 그릇 형상 등 다양한 형성이 가능하다.The top lead 110 may be formed in various shapes such as a plate shape, a bowl shape, and the like, as a structure for forming a closed processing space S by being coupled with the chamber main body 120.

한편 상기 공정챔버(100)에는 기판(10)이 직접 또는 트레이(30)에 의하여 안착되는 기판지지대(130), 처리공간(S) 내의 압력조절 및 배기를 위한 배기시스템(미도시)과 연결되는 배기관(180) 등 진공처리공정을 수행하기 위한 장치들이 설치될 수 있다.Meanwhile, the process chamber 100 is provided with a substrate support 130 on which the substrate 10 is mounted directly or by the tray 30, an exhaust system (not shown) for pressure regulation and exhaust in the process space S An apparatus for performing a vacuum processing process such as an exhaust pipe 180 may be installed.

상기 기판지지대(130)는 기판(10)이 직접 안착되거나, 기판(10)들이 안착된 트레이(30)가 안착되며, 처리공간(S)에서 플라즈마 형성 등 기판처리를 위한 반응이 일어날 수 있도록 전원이 인가되는 하부전극(미도시)이 설치될 수 있다.The substrate support 130 includes a tray 30 on which the substrate 10 is directly seated or on which the substrates 10 are mounted and a power source (Not shown) may be provided.

특히 상기 기판지지대(130)는 직사각형 형상의 LCD패널용 유리기판, 직사각형 형상의 태양전지기판 또는 직사각형으로 배열된 복수의 태양전지기판들 등의 기판처리를 위하여 그 평면형상이 실질적으로 직사각형의 형상을 가진다.In particular, the substrate support 130 may have a substantially rectangular shape in plan view for processing substrates such as a rectangular glass substrate for a LCD panel, a rectangular solar cell substrate, or a plurality of rectangular solar cell substrates I have.

상기 가스분사부(140)는 소위 샤워헤드로서 처리공간(S)의 상측에 설치되어 외부에 설치된 가스공급장치(미도시)로부터 공급받아 처리공간(S)으로 처리가스를 분사하는 구성으로서 가스의 종류 및 수, 분사방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The gas spraying unit 140 is a so-called showerhead, which is provided above the processing space S and is supplied from a gas supply device (not shown) provided outside and is configured to inject the processing gas into the processing space S, Various configurations are possible depending on the type, number and injection method.

상기 가스분사부(140)는 앞서 설명한 기판지지대(130)의 평면 형상에 대응되어, 직사각형 형상의 LCD패널용 유리기판, 직사각형 형상의 태양전지기판 또는 직사각형으로 배열된 복수의 태양전지기판들 등의 기판처리를 위하여, 기판지지대(130)의 평면 형상에 대응되어 실질적으로 직사각형의 형상을 가지는 가스분사면(141)을 가진다.The gas spraying unit 140 corresponds to the above-described planar shape of the substrate support 130 and includes a rectangular glass substrate for an LCD panel, a rectangular solar cell substrate, or a plurality of rectangular solar cell substrates And has a gas spraying surface 141 having a substantially rectangular shape corresponding to the planar shape of the substrate support 130 for substrate processing.

상기 주가이드부(210)는 가스분사부(140)에 의하여 분사되는 가스의 유동을 기판지지대(130) 상에 원활한 흐름을 형성하기 위한 구성으로서, 가스의 유동을 유도할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The main guide part 210 is a structure for forming a smooth flow on the substrate support 130 by the flow of the gas injected by the gas injection part 140, It is also possible.

일예로서, 상기 주가이드부(210)는 가스분사면(140)과 하향 경사, 즉 공정챔버(100)의 처리공간(S)을 향하여 하향 경사지는 가이드면(211)을 포함할 수 있다.여기서 상기 가이드면(211)이 가스분사면(140)과 이루는 경사각은 기판지지대(130) 상의 가스흐름을 고려하여 결정된다.For example, the main guide 210 may include a gas injection surface 140 and a downwardly inclined guide surface 211 that is inclined downward toward the process space S of the process chamber 100. Here, The angle of inclination between the guide surface 211 and the gas spraying surface 140 is determined in consideration of the gas flow on the substrate support 130.

이때 상기 가이드면(211)은 평면, 곡면 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. At this time, the guide surface 211 may have various shapes such as a flat surface and a curved surface.

또한 상기 가이드면(211)은 가스분사면(141)과 90˚의 각도를 이루어 형성, 즉 기판지지대(130)를 향하여 돌출되어 설치될 수도 있다.The guide surface 211 may be formed at an angle of 90 ° with respect to the gas spraying surface 141, that is, protruding toward the substrate support 130.

또한 상기 주가이드부(210)는 가스분사부(140)의 가장자리를 따라서 설치되며 가스분사면(140)과 일부 중첩되어 설치될 수 있다.The main guide part 210 may be installed along the edge of the gas spray part 140 and partially overlap with the gas spray surface 140.

상기 주가이드부(210)는 RF, LF 등 전원인가에 의하여 기판처리가 수행됨을 고려하여 세라믹 등 플라즈마 등에 강한 재질로 이루어진 하나 이상의 부재가 사용될 수 있다.The main guide 210 may include at least one member made of a material resistant to plasma or the like in consideration of performing a substrate process by power application such as RF and LF.

한편 상기 주가이드부(210)는 가스분사면(141)의 꼭지점에 대응되는 위치에서 가스의 흐름을 개선하기 위하여 도 2, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 가스분사면(141)의 꼭지점을 제외한 위치에서 설치된다.2, 3A, and 3B, the main guide unit 210 is disposed at a position corresponding to the vertex of the gas spraying surface 141, It is installed at the position excluding the vertex.

그리고 상기 가스분사면(140)의 꼭지점에 대응되는 위치에 이웃하는 상기 주가이드부(210)들 사이에는 코너가이드부(220)가 추가로 설치될 수 있다.A corner guide unit 220 may be additionally provided between the main guide units 210 adjacent to the vertex of the gas injection surface 140.

상기 코너가이드부(220)는 주가이드부(210)를 연결하여 설치되어 가스분사면(140)의 꼭지점 부근에서 가스흐름이 상대적으로 적은 문제를 개선하기 위한 구성으로서 주가이드부(210)의 형상과 함께 다양한 실시예가 가능하다. The corner guide part 220 is provided to connect the main guide part 210 to improve the gas flow relatively near the vertex of the gas spraying surface 140. The shape of the main guide part 210 Various embodiments are possible.

여기서 상기 코너가이드부(220)의 재질은 주가이드부(210)의 재질과 동일하거나 유사한 재질을 가질 수 있으며, RF, LF 등 전원인가에 의하여 기판처리가 수행됨을 고려하여 세라믹 등 플라즈마 등에 강한 재질로 이루어진 하나 이상의 부재가 사용될 수 있다.The corner guide part 220 may have the same or similar material as that of the main guide part 210. In order to perform the substrate processing by power application such as RF and LF, May be used.

상기 주가이드부(210) 및 코너가이드부(220) 조합의 예로서, 상기 주가이드부(210)의 가이드면(211)이 가스분사면(140)과 하향 경사를 이루고, 코너가이드부(220) 또한 가이드면(221)이 가스분사면(141)으로부터 하향 경사를 이루어 형성될 수 있다.The guide surface 211 of the main guide 210 may be inclined downward with respect to the gas spray surface 140 and the corner guide 220 may be formed as a combination of the main guide part 210 and the corner guide part 220. [ ) Also, the guide surface 221 may be formed with a downward inclination from the gas spraying surface 141.

이때 상기 코너가이드부(220)의 가이드면(221)은 주가이드부(210)의 가이드면(211)보다 경사각이 작게 형성된다.At this time, the guide surface 221 of the corner guide portion 220 is formed to be smaller in inclination angle than the guide surface 211 of the main guide portion 210.

상기 주가이드부(210) 및 코너가이드부(220) 조합의 다른 예로서, 주가이드부(210)의 가이드면(211)이 가스분사면(140)과 하향경사를 이루고, 코너가이드부(220)의 가이드면(221)은 도 3b에 도시된 바와 같이, 가스분사면(141)과 실질적으로 동일한 평면을 이루어 설치될 수 있다.As another example of the combination of the main guide part 210 and the corner guide part 220, the guide surface 211 of the main guide part 210 forms a downward inclination with respect to the gas spray surface 140, and the corner guide part 220 The guide surface 221 may be provided substantially in the same plane as the gas spraying surface 141, as shown in FIG. 3B.

상기 주가이드부(210) 및 코너가이드부(220) 조합의 또 다른 예로서, 상기 주가이드부(210)는 기판지지대(130)를 향하여 돌출되어 설치되고, 코너가이드부(220)의 가이드면(221)은 기판지지대(130)를 향하여 돌출되어 형성될 수 있다.As another example of the combination of the main guide part 210 and the corner guide part 220, the main guide part 210 is protruded toward the substrate support 130, And the protrusion 221 may protrude toward the substrate support 130.

이때 상기 코너가이드부(220)의 돌출높이는 주가이드부(210)의 돌출높이보다 작게 유지된다.At this time, the protrusion height of the corner guide unit 220 is kept smaller than the protrusion height of the main guide unit 210.

또한, 상기 주가이드부(210) 및 코너가이드부(220)의 또 다른 예로서, 주가이드부(210)는 기판지지대(130)를 향하여 돌출되어 설치되고, 코너가이드부(220)의 가이드면(221)은 가스분사면(141)과 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다.As another example of the main guide portion 210 and the corner guide portion 220, the main guide portion 210 is protruded toward the substrate support 130, (221) may be substantially flush with the gas spraying surface (141).

한편 본 발명에 따른 기판처리장치는 주가이드부(210)를 직사각형 형상의 가스분사면(141)의 꼭지점을 제외한 위치에서 설치, 더 나아가 상기와 같이 주가이드부(210)에 비하여 공정챔버(100)의 측면에 대하여 상대적으로 더 트인 코너가이드부(220)를 설치함으로써 주가이드부(210)가 설치된 부분보다 가스분사면(141)의 꼭지점에서의 가스유동량을 종래에 비하여 상대적으로 크게 할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention is installed at a position other than the vertex of the rectangular gas spraying surface 141 and further includes the main guide unit 210 The gas flow amount at the vertex of the gas spraying surface 141 can be made relatively larger than that of the portion where the main guide portion 210 is provided by providing the corner guide portion 220 that is relatively dented with respect to the side surface of the gas guide surface 141 .

그리고 상기 가스분사면(141)의 꼭지점에서의 가스유동량이 종래에 비하여 상대적으로 커지게 되면 종래의 기판처리가 가지는 문제점인 가스분사면(141)의 꼭지점에서의 가스유동량이 상대적으로 작은 문제점을 개선하여 기판지지대(130)의 평면 위치에 따른 기판처리의 균일도를 향상시킬 수 있다.If the amount of gas flow at the vertex of the gas spraying surface 141 becomes relatively larger than that of the conventional gas spraying surface 141, the problem of the gas flow at the vertex of the gas spraying surface 141, which is a problem with the conventional substrate processing, The uniformity of the substrate processing according to the plane position of the substrate support 130 can be improved.

한편 상기 주가이드부(210)가 가스분사면(141)의 가장자리에 설치되는 길이 및 코너가이드부(220)가 설치되는 길이는 가스분사면(141)의 꼭지점 부근에서의 가스의 흐름 및 유속에 따라서 실험 등을 통하여 최적화되며 예로서, 상기 가스분사면(141)의 한변에서, 주가이드부(210) 및 코너가이드부(220)의 길이비는 1/10~1/4로 설정될 수 있다.
The length of the main guide part 210 provided at the edge of the gas spraying surface 141 and the length of the corner guide part 220 are set so as to correspond to the gas flow near the vertex of the gas spraying surface 141, Therefore, for example, the length ratio of the main guide portion 210 and the corner guide portion 220 on one side of the gas spraying surface 141 may be set to 1/10 to 1/4 .

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

100 : 공정챔버
130 : 기판지지대 140 : 가스분사부
210 : 주가이드부 220 : 코너가이드부100: Process chamber
130: substrate support 140:
210: main guide part 220: corner guide part

Claims (7)

삭제delete 삭제delete 기판처리를 위한 처리공간이 형성된 공정챔버와;
상기 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되며 평면형상이 실질적으로 직사각형의 형상을 가지는 기판지지대와;
상기 처리공간의 상측에 설치되어 처리공간으로 가스를 분사하며 상기 기판지지대의 평면형상에 대응되어 가스분사면이 실질적으로 직사각형 형상을 가지는 가스분사부와;
상기 가스분사면의 가장자리를 따라서 설치되어 상기 가스분사부를 통해 분사되는 가스의 흐름을 가이드하는 주가이드부를 포함하며,
상기 주가이드부는 상기 가스분사면의 꼭지점을 제외한 위치에 설치되며,
상기 주가이드부는 상기 처리공간을 향하여 하향 경사지는 가이드면을 포함하며,
상기 가스분사면의 꼭지점에 대응되는 위치에 이웃하는 상기 주가이드부들 사이에는 상기 주가이드부의 가이드면보다 상기 처리공간을 향하여 하향 경사지는 정도가 작은 가이드면을 가지는 코너가이드부가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber in which a processing space for substrate processing is formed;
A substrate support installed in the process chamber, the substrate support having a substantially rectangular shape in plan view;
A gas spraying part installed on the upper side of the processing space and spraying a gas into the processing space, the gas spraying part corresponding to the planar shape of the substrate support and having a gas spraying surface of a substantially rectangular shape;
And a main guide portion provided along an edge of the gas spraying surface and guiding a flow of gas injected through the gas injection portion,
Wherein the main guide portion is installed at a position other than a vertex of the gas spraying surface,
Wherein the main guide portion includes a guide surface inclined downward toward the processing space,
And a corner guide portion having a guide surface having a small inclination downward toward the processing space than the guide surface of the main guide portion is additionally provided between the main guide portions neighboring the position corresponding to the vertex of the gas spraying surface / RTI > 기판처리를 위한 처리공간이 형성된 공정챔버와;
상기 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되며 평면형상이 실질적으로 직사각형의 형상을 가지는 기판지지대와;
상기 처리공간의 상측에 설치되어 처리공간으로 가스를 분사하며 상기 기판지지대의 평면형상에 대응되어 가스분사면이 실질적으로 직사각형 형상을 가지는 가스분사부와;
상기 가스분사면의 가장자리를 따라서 설치되어 상기 가스분사부를 통해 분사되는 가스의 흐름을 가이드하는 주가이드부를 포함하며,
상기 주가이드부는 상기 가스분사면의 꼭지점을 제외한 위치에 설치되며,
상기 주가이드부는 상기 처리공간을 향하여 하향 경사지는 가이드면을 포함하며,
상기 가스분사면의 꼭지점에 대응되는 위치에 이웃하는 상기 주가이드부들 사이에는 가이드면이 상기 가스분사면과 실질적으로 동일한 평면을 이루는 코너가이드부가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber in which a processing space for substrate processing is formed;
A substrate support installed in the process chamber, the substrate support having a substantially rectangular shape in plan view;
A gas spraying part installed on the upper side of the processing space and spraying a gas into the processing space, the gas spraying part corresponding to the planar shape of the substrate support and having a gas spraying surface of a substantially rectangular shape;
And a main guide portion provided along an edge of the gas spraying surface and guiding a flow of gas injected through the gas injection portion,
Wherein the main guide portion is installed at a position other than a vertex of the gas spraying surface,
Wherein the main guide portion includes a guide surface inclined downward toward the processing space,
Wherein a corner guide portion having a guide surface substantially flush with the gas spraying surface is additionally provided between the main guide portions adjacent to the position corresponding to the vertex of the gas spraying surface. 기판처리를 위한 처리공간이 형성된 공정챔버와;
상기 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되며 평면형상이 실질적으로 직사각형의 형상을 가지는 기판지지대와;
상기 처리공간의 상측에 설치되어 처리공간으로 가스를 분사하며 상기 기판지지대의 평면형상에 대응되어 가스분사면이 실질적으로 직사각형 형상을 가지는 가스분사부와;
상기 가스분사면의 가장자리를 따라서 설치되어 상기 가스분사부를 통해 분사되는 가스의 흐름을 가이드하는 주가이드부를 포함하며,
상기 주가이드부는 상기 가스분사면의 꼭지점을 제외한 위치에 설치되며,
상기 주가이드부는 상기 기판지지대를 향하여 하향 돌출되어 설치되며,
상기 가스분사면의 꼭지점에 대응되는 위치에 이웃하는 상기 주가이드부들 사이에는 상기 주가이드부들을 연결하는 코너가이드부가 추가로 설치되며,
상기 코너가이드부의 돌출높이는 상기 주가이드부의 돌출높이보다 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber in which a processing space for substrate processing is formed;
A substrate support installed in the process chamber, the substrate support having a substantially rectangular shape in plan view;
A gas spraying part installed on the upper side of the processing space and spraying a gas into the processing space, the gas spraying part corresponding to the planar shape of the substrate support and having a gas spraying surface of a substantially rectangular shape;
And a main guide portion provided along an edge of the gas spraying surface and guiding a flow of gas injected through the gas injection portion,
Wherein the main guide portion is installed at a position other than a vertex of the gas spraying surface,
Wherein the main guide portion is protruded downward toward the substrate support,
A corner guide portion for connecting the main guide portions is additionally provided between adjacent main guide portions at a position corresponding to a vertex of the gas spraying surface,
Wherein the projection height of the corner guide portion is smaller than the projection height of the main guide portion. 기판처리를 위한 처리공간이 형성된 공정챔버와;
상기 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되며 평면형상이 실질적으로 직사각형의 형상을 가지는 기판지지대와;
상기 처리공간의 상측에 설치되어 처리공간으로 가스를 분사하며 상기 기판지지대의 평면형상에 대응되어 가스분사면이 실질적으로 직사각형 형상을 가지는 가스분사부와;
상기 가스분사면의 가장자리를 따라서 설치되어 상기 가스분사부를 통해 분사되는 가스의 흐름을 가이드하는 주가이드부를 포함하며,
상기 주가이드부는 상기 가스분사면의 꼭지점을 제외한 위치에 설치되며,
상기 주가이드부는 상기 기판지지대를 향하여 하향 돌출되어 설치되며,
상기 가스분사면의 꼭지점에 대응되는 위치에 이웃하는 상기 주가이드부들 사이에는 상기 주가이드부들을 연결하며 가이드면이 상기 가스분사면과 실질적으로 동일한 평면을 형성하는 코너가이드부가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber in which a processing space for substrate processing is formed;
A substrate support installed in the process chamber, the substrate support having a substantially rectangular shape in plan view;
A gas spraying part installed on the upper side of the processing space and spraying a gas into the processing space, the gas spraying part corresponding to the planar shape of the substrate support and having a gas spraying surface of a substantially rectangular shape;
And a main guide portion provided along an edge of the gas spraying surface and guiding a flow of gas injected through the gas injection portion,
Wherein the main guide portion is installed at a position other than a vertex of the gas spraying surface,
Wherein the main guide portion is protruded downward toward the substrate support,
And a corner guide portion connecting the main guide portions to each other between the adjacent main guide portions at positions corresponding to the vertexes of the gas injection surface and forming a plane substantially coplanar with the gas spray surface, . 청구항 3 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 코너가이드부와 상기 주가이드부는 연결되는 부분이 길이방향으로 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 3 to 6,
Wherein a portion where the corner guide portion and the main guide portion are connected is formed with a step in the longitudinal direction.
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