KR102059368B1 - Organic light emitting display device with compensation function - Google Patents

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Abstract

본 발명은 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 정확하고 효율적으로 보상해주는 유기발광표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device that accurately and efficiently compensates for a threshold voltage and mobility of a driving transistor.

Description

보상기능을 갖는 유기발광표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE WITH COMPENSATION FUNCTION}Organic light emitting display device with compensation function {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE WITH COMPENSATION FUNCTION}

본 발명은 보상기능을 갖는 유기발광표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device having a compensation function.

최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 큰 장점이 있다. Recently, an organic light emitting display device, which has been in the spotlight as a display device, has an advantage in that the response speed is high by using an organic light emitting diode (OLED) which emits light by itself, and the luminous efficiency, luminance, and viewing angle are great.

이러한 유기발광 표시장치는 유기발광다이오드가 포함된 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 스캔신호에 의해 선택된 화소들의 밝기를 데이터의 계조에 따라 제어한다. The organic light emitting display device arranges pixels including the organic light emitting diode in a matrix form and controls brightness of pixels selected by the scan signal according to the gray level of the data.

이러한 유기발광표시장치의 각 화소는 유기발광다이오드 이외에도, 서로 교차하는 데이터 라인 및 게이트 라인과 이와 연결 구조를 갖는 트랜지스터 및 스토리지 캐패시터 등으로 이루어져 있다. In addition to the organic light emitting diode, each pixel of the organic light emitting diode display includes data lines and gate lines that cross each other, transistors and storage capacitors having a connection structure therewith.

이러한 유기발광표시장치의 각 화소에 포함된 트랜지스터 중에는 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor)를 포함하는데, 이러한 구동트랜지스터는 문턱전압, 이동도 등의 고유 특성치를 갖는다. The transistor included in each pixel of the organic light emitting diode display includes a driving transistor for driving the organic light emitting diode, and the driving transistor has unique characteristics such as a threshold voltage and mobility.

이러한 구동트랜지스터의 문턱전압, 이동도는, 구동시간에 따라 달라질 수 있으며, 화소 간에도 편차가 발생할 수 있다. 이는, 유기발광표시장치의 화질을 심각하게 떨어뜨릴 수 있다. The threshold voltage and mobility of the driving transistor may vary depending on the driving time, and deviations may occur between pixels. This may seriously degrade the image quality of the organic light emitting display device.

따라서, 이러한 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 정확하고 효율적으로 보상해줄 수 있는 기술이 절실한 실정이다.Therefore, there is an urgent need for a technology capable of accurately and efficiently compensating the threshold voltage and mobility of the driving transistor.

이러한 배경에서, 본 발명의 목적은, 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 정확하고 효율적으로 보상해줄 수 있는 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다. In this background, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device capable of accurately and efficiently compensating the threshold voltage and mobility of a driving transistor.

본 발명의 다른 목적은, 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 실시간으로 내부 보상해줄 수 있는 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device having a pixel structure capable of internally compensating a threshold voltage and mobility of a driving transistor in real time.

본 발명의 또 다른 목적은, 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 정확하고 효율적으로 보상해주면서도 개구율을 높여줄 수 있는 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다. It is still another object of the present invention to provide an organic light emitting display device having a pixel structure that can accurately and efficiently compensate for the threshold voltage and mobility of a driving transistor while increasing the aperture ratio.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은, 제1방향(세로방향)으로 데이터라인이 형성되고 제2방향(가로방향)으로 게이트라인이 형성되어 다수의 화소가 정의된 표시패널; 상기 데이터라인을 통해 데이터전압을 공급하는 데이터 구동부; 상기 게이트라인을 통해 스캔신호를 공급하는 게이트 구동부; 및 상기 데이터 구동부 및 상기 게이트 구동부의 구동 타이밍을 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하되, 상기 다수의 화소 각각은, 유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동트랜지스터와, 상기 스캔신호에 의해 제어되며 기준전압(Vref)이 공급되는 기준전압 공급노드(Nref)와 상기 구동트랜지스터의 제1노드 사이에 연결되는 제1트랜지스터와, 상기 스캔신호에 의해 제어되며 상기 데이터라인과 상기 구동트랜지스터의 제2노드 사이에 연결되는 제2트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 연결되는 스토리지 캐패시터를 포함하고, 상기 기준전압 공급노드로의 기준전압(Vref)의 공급을 스위칭하는 스위칭소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치를 제공한다. To achieve the above object, in one aspect, the present invention provides a display panel in which a data line is formed in a first direction (vertical direction) and a gate line is formed in a second direction (horizontal direction) to define a plurality of pixels. ; A data driver supplying a data voltage through the data line; A gate driver supplying a scan signal through the gate line; And a timing controller for controlling driving timing of the data driver and the gate driver, wherein each of the plurality of pixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, and a scan signal. And a first transistor connected between the reference voltage supply node Nref to which the reference voltage Vref is supplied and the first node of the driving transistor, and the scan signal and controlled by the scan signal and the second of the data line and the driving transistor. A switching element for switching the supply of the reference voltage (Vref) to the reference voltage supply node, including a second transistor connected between the node, a storage capacitor connected between the first node and the second node of the driving transistor It provides an organic light emitting display device further comprising.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 정확하고 효율적으로 보상해줄 수 있는 유기발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, there is an effect of providing an organic light emitting display device capable of accurately and efficiently compensating the threshold voltage and mobility of a driving transistor.

또한, 본 발명에 의하면, 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 실시간으로 내부 보상해줄 수 있는 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, there is an effect of providing an organic light emitting display device having a pixel structure capable of internally compensating the threshold voltage and mobility of the driving transistor in real time.

또한, 본 발명에 의하면, 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 정확하고 효율적으로 보상해주면서도 개구율을 높여줄 수 있는 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, there is an effect of providing an organic light emitting display device having a pixel structure capable of accurately and efficiently compensating the threshold voltage and mobility of a driving transistor and increasing the aperture ratio.

도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 실시예들이 적용되는 화소 구조를 나타낸 도면이다.
도 3은 제1실시예에 따른 화소 구조의 등가회로도이다.
도 4는 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소의 이동도 보상 구동을 위한 타이밍도이다.
도 5는 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소의 문턱전압 및 이동도 보상 구동을 위한 타이밍도이다.
도 6은 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치의 신호라인들에 대한 배치도이다.
도 7은 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치의 신호라인들을 화소 내 소자들과 함께 나타낸 배치도이다.
도 8 및 도 9는 제2실시예에 따른 2가지 화소 구조의 등가회로와 보상부를 나타낸 도면이다.
도 10은 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소의 구동모드 타입을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소가 하이브리드 타입 구동 모드로 동작할 때, 문턱전압 외부 보상 프로세스를 위한 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12 및 도 13은 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소가 하이브리드 타입 구동 모드로 동작할 때, 문턱전압 외부 보상 프로세스를 위한 2가지 문턱전압 센싱 방식을 나타낸 도면이다.
도 14는 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소가 하이브리드 타입 구동 모드로 동작할 때, 이동도 내부 보상 프로세스를 위한 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소가 풀 타입 구동 모드로 동작할 때, 문턱전압 내부 보상 및 이동도 내부 보상 프로세스를 위한 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 실시예들에 따른 문턱전압 센싱 능력을 보여주는 도면이다.
도 17은 실시예들에 따른 이동도 보상 능력을 보여주는 도면이다.
1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display device to which embodiments are applied.
2 is a diagram illustrating a pixel structure to which embodiments are applied.
3 is an equivalent circuit diagram of a pixel structure according to the first embodiment.
4 is a timing diagram for mobility compensation driving of a pixel having a pixel structure according to the first embodiment.
5 is a timing diagram for driving the threshold voltage and mobility compensation of a pixel having a pixel structure according to the first embodiment.
6 is a layout view of signal lines of the organic light emitting diode display having the pixel structure according to the first embodiment.
FIG. 7 is a layout view illustrating signal lines of an organic light emitting display device having a pixel structure according to a first exemplary embodiment together with elements in a pixel.
8 and 9 are diagrams illustrating an equivalent circuit and a compensator of two pixel structures according to the second embodiment.
10 is a diagram for describing a driving mode type of a pixel having a pixel structure according to a second exemplary embodiment.
FIG. 11 is a diagram for describing a driving method for a threshold voltage external compensation process when a pixel having a pixel structure according to a second embodiment operates in a hybrid type driving mode.
12 and 13 illustrate two threshold voltage sensing schemes for the threshold voltage external compensation process when the pixel having the pixel structure according to the second embodiment operates in the hybrid type driving mode.
FIG. 14 is a diagram for describing a driving method for a mobility internal compensation process when a pixel having a pixel structure according to a second embodiment operates in a hybrid type driving mode.
FIG. 15 is a diagram for describing a driving method for a threshold voltage internal compensation and mobility internal compensation process when a pixel having a pixel structure according to a second embodiment operates in a full type driving mode.
16 illustrates a threshold voltage sensing capability according to embodiments.
17 is a diagram illustrating mobility compensation capability according to embodiments.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are shown in different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the component of this invention, terms, such as 1st, 2nd, A, B, (a), (b), can be used. These terms are only to distinguish the components from other components, and the terms are not limited in nature, order, order, or number of the components. If a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, that component may be directly connected to or connected to that other component, but between components It is to be understood that the elements may be "interposed" or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.

도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광표시장치(100)의 시스템 구성도이다.1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display device 100 to which embodiments are applied.

도 1을 참조하면, 실시예들이 적용되는 유기발광표시장치(100)는, 표시패널(110), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130) 및 타이밍 컨트롤러(140) 등을 포함한다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device 100 to which the embodiments are applied includes a display panel 110, a data driver 120, a gate driver 130, a timing controller 140, and the like.

도 1을 참조하면, 표시패널(100)에는 제1방향(예: 세로방향)으로 4M개의 데이터라인(DL1~DL4M)이 형성되고 제2방향(예:가로방향)으로 2N개의 게이트라인(GL1~GL2N)이 형성되어 다수의 화소(P: Pixel)가 정의된다. Referring to FIG. 1, in the display panel 100, 4M data lines DL1 to DL4M are formed in a first direction (for example, a vertical direction) and 2N gate lines GL1 in a second direction (eg, a horizontal direction). GL2N) is formed to define a plurality of pixels (P: Pixel).

데이터 구동부(120)는, 4M개의 데이터라인(DL1~DL4M)을 통해 해당 데이터전압(Vdata)을 공급한다. The data driver 120 supplies corresponding data voltages Vdata through 4M data lines DL1 to DL4M.

게이트 구동부(130)는, 2N개의 게이트라인(GL1~GL2N)을 통해 스캔신호(SCAN)를 순차적으로 공급한다. The gate driver 130 sequentially supplies the scan signal SCAN through the 2N gate lines GL1 to GL2N.

타이밍 컨트롤러(140)는, 각종 제어신호를 출력하여 데이터 구동부(120)와 게이트 구동부(130)의 구동 타이밍을 제어한다. The timing controller 140 outputs various control signals to control the driving timing of the data driver 120 and the gate driver 130.

전술한 게이트 구동부(130)는, 구동 방식에 따라서, 도 1에서와 같이 표시패널(110)의 한 측에만 위치할 수도 있고, 2개로 나누어져 표시패널(110)의 양측에 위치할 수도 있다. The gate driver 130 described above may be located on only one side of the display panel 110 as shown in FIG. 1, or may be divided into two and positioned on both sides of the display panel 110 according to a driving scheme.

또한, 게이트 구동부(130)는, 다수의 게이트 구동 집적회로를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 게이트 구동 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 표시패널(110)에 직접 형성될 수도 있다. In addition, the gate driver 130 may include a plurality of gate driver integrated circuits, and the gate driver integrated circuits may include a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) method. For example, the display panel 110 may be connected to a bonding pad of the display panel 110 or may be implemented as a GIP (Gate In Panel) type to be directly formed on the display panel 110.

또한, 데이터 구동부(120)는 다수의 데이터 구동 집적회로(소스 구동 집적회로라고도 함)를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 데이터 구동 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 표시패널(110)에 직접 형성될 수도 있다. In addition, the data driver 120 may include a plurality of data driving integrated circuits (also referred to as source driving integrated circuits), and the plurality of data driving integrated circuits may include a tape automated bonding (TAB) method or the like. The chip may be connected to a bonding pad of the display panel 110 in a chip on glass (COG) manner or may be directly formed on the display panel 110.

아래에서는, 표시패널(100)에 정의된 다수의 화소 각각의 화소 구조를 도 2를 참조하여 개략적으로 살펴보고, 이렇게 개략적으로 살펴보는 화소 구조의 두 가지 실시예와 그에 맞는 구동 방법에 대하여 이어서 상세하게 설명한다. Hereinafter, the pixel structure of each of the plurality of pixels defined in the display panel 100 will be described with reference to FIG. 2, and two embodiments of the pixel structure and the driving method corresponding thereto will be described in detail. Explain.

도 2는 실시예들이 적용되는 화소 구조를 나타낸 도면이다. 2 is a diagram illustrating a pixel structure to which embodiments are applied.

도 2를 참조하면, 실시예들이 적용되는 표시패널(110) 다수의 화소 각각은, 기본적으로, 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DT), 제1트랜지스터(T1), 제2트랜지스터(T2), 스토리지 캐패시터(Cstg) 등을 포함한다. Referring to FIG. 2, each of the plurality of pixels of the display panel 110 to which the embodiments are applied, basically, an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DT, a first transistor T1, and a second transistor T2. ), And a storage capacitor Cstg.

유기발광다이오드(OLED)는, 제1전극(예: 애노드 또는 캐소드)이 구동트랜지스터(DT)와 연결되고, 제2전극(예: 캐소드 또는 애노드)이 기저전압(VSS)을 공급하는 공급단과 연결될 수 있다. In the organic light emitting diode OLED, a first electrode (for example, an anode or a cathode) is connected to a driving transistor DT, and a second electrode (for example, a cathode or an anode) is connected to a supply terminal for supplying a ground voltage VSS. Can be.

구동트랜지스터(DT)는, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 트랜지스터로서, 게이트 노드인 제2노드(N2)에 인가된 전압에 의해 제어되며, 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)으로부터 구동전압(VDD: Driving Voltage)을 제3노드(N3)로 인가받으며, 유기발광다이오드(OLED)로 전류를 공급해주어 유기발광다이오드(OLED)를 발광시켜줄 수 있다. The driving transistor DT is a transistor for driving the organic light emitting diode OLED, and is controlled by a voltage applied to the second node N2, which is a gate node, and is driven from a driving voltage line DVL. The driving voltage (VDD) is applied to the third node N3, and a current may be supplied to the organic light emitting diode OLED to emit light of the organic light emitting diode OLED.

제1트랜지스터(T1)는, 기준전압(Vref: Reference Voltage)이 공급되는 기준전압 공급노드(Nref: Reference Node)와 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 사이에 연결되는 트랜지스터로서, 게이트라인(GL)을 통해 공급된 스캔신호(SCAN)에 의해 제어되며, 기준전압 공급노드(Nref)로 인가된 기준전압(Vref)을 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)에 인가해줄 수 있다. The first transistor T1 is a transistor connected between a reference voltage supply node (Nref: Reference Node) to which a reference voltage (Vref: Reference Voltage) is supplied and a first node (N1) of the driving transistor (DT). Controlled by the scan signal SCAN supplied through the line GL, the reference voltage Vref applied to the reference voltage supply node Nref may be applied to the first node N1 of the driving transistor DT. have.

제2트랜지스터(T2)는, 데이터라인(DL)과 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2) 사이에 연결되는 트랜지스터로서, 제1트랜지스터(T2)의 게이트노드에 인가된 스캔신호(SCAN)를 게이트노드로 함께 인가받아 제어되며, 데이터라인(DL: Data Line)을 통해 공급된 데이터전압(Vdata)을 구동트랜지스터(DT)의 게이트노드인 제2노드(N2)에 공급해준다. The second transistor T2 is a transistor connected between the data line DL and the second node N2 of the driving transistor DT. The scan signal SCAN is applied to the gate node of the first transistor T2. Is controlled by being applied to the gate node, and supplies the data voltage Vdata supplied through the data line to the second node N2 which is the gate node of the driving transistor DT.

스토리지 캐패시터(Cstg)는, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 연결되어, 한 프레임(Frame) 동안 전압을 유지시켜주는 역할을 한다. The storage capacitor Cstg is connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DT to maintain a voltage for one frame.

전술한 바와 같이, 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)는, 하나의 게이트라인(GL)을 통해 스캔신호(SCAN)를 동시에 인가받는다. 따라서, 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)의 게이트노드는 회로적으로 서로 연결되어 있다. As described above, the first transistor T1 and the second transistor T2 receive the scan signal SCAN simultaneously through one gate line GL. Therefore, the gate nodes of the first transistor T1 and the second transistor T2 are circuitly connected to each other.

한편, 본 명세서 및 도면에서는, 모든 트랜지스터를 N 타입으로 예로 들어 설명하고 있으나, 회로 설계 방식에 따라, 모든 트랜지스터 또는 일부 트랜지스터를 P 타입으로 설계될 수도 있다. In the present specification and drawings, all transistors are described as N types, but all transistors or some transistors may be designed as P types according to a circuit design scheme.

한편, 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치(100)의 표시패널(110)에는 각 화소에서 기준전압(Vref)이 공급되는 노드에 해당하는 기준전압 공급노드(Nref)로 기준전압(Vref)의 공급을 스위칭하는 스위칭소자(200)를 더 포함할 수 있다. On the other hand, the display panel 110 of the organic light emitting display device 100 having the pixel structure according to the first embodiment is referred to as a reference voltage supply node Nref corresponding to a node to which a reference voltage Vref is supplied from each pixel. It may further include a switching device 200 for switching the supply of the voltage (Vref).

이러한 스위칭 소자(200)는, 일 예로, 표시패널(100)에서 각 화소마다 하나씩 배치되거나, 하나의 화소 열(Pixel Column) 마다 하나씩 배치되거나, 하나의 화소 열에서 몇 개의 화소마다 하나씩 배치되거나, 하나의 화소 행(Pixel Row) 마다 하나씩 배치되거나, 하나의 화소 행(Pixel Row)에서 몇 개의 화소마다 하나씩 배치될 수도 있다. For example, one switching element 200 may be disposed for each pixel in the display panel 100, one pixel column for one pixel column, one pixel column for one pixel column, or one pixel column for one pixel column. One pixel may be disposed in each pixel row or one pixel may be disposed in several pixels in one pixel row.

전술한 바와 같이, 기준전압 공급노드(Nref)로의 기준전압 공급 유무를 제어하기 위해, 스위칭 소자(200)가 수행하는 스위칭 동작을 구현할 수 있는 화소 구조의 2가지 실시예(제1실시예, 제2실시예)를 아래에서 설명한다. As described above, in order to control whether the reference voltage is supplied to the reference voltage supply node Nref, two embodiments of the pixel structure capable of implementing a switching operation performed by the switching element 200 (first embodiment and first embodiment) are described. Embodiment 2) will be described below.

2가지 실시예를 간단하게 설명하면, 제1실시예는 기준전압 공급노드(Nref)와 기준전압 라인(RVL) 사이에 "제3트랜지스터(T3)"를 추가하여 기준전압 라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)이 기준전압 공급노드(Nref)에 공급되는 것을 제어할 수 있는 실시예이다. 한편, 제2실시예는 기준전압 공급노드(Nref)와 연결된 기준전압 라인(RVL)과 기준전압 공급부 사이에 "스위치(SW)"를 추가하여 이 스위치(SW)의 스위칭 동작에 따라 기준전압 라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)이 기준전압 공급노드(Nref)에 공급되는 것을 제어할 수 있는 실시예이다. Briefly describing the two embodiments, the first embodiment adds " third transistor T3 " between the reference voltage supply node Nref and the reference voltage line RVL, through the reference voltage line RVL. In this embodiment, the reference voltage Vref is controlled to be supplied to the reference voltage supply node Nref. Meanwhile, the second embodiment adds a "switch SW" between the reference voltage line RVL connected to the reference voltage supply node Nref and the reference voltage supply unit, so that the reference voltage line is changed according to the switching operation of the switch SW. In this embodiment, the reference voltage Vref is controlled to be supplied to the reference voltage supply node Nref through RVL.

먼저, 제1실시예에 대하여 설명한다. First, the first embodiment will be described.

도 3은 제1실시예에 따른 화소 구조의 등가회로도이다. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel structure according to the first embodiment.

도 3을 참조하면, 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 각 화소는, 기준제어신호(RCS: Reference Control Signal)에 의해 제어되며, 기준전압(Vref)을 공급하는 기준전압 라인(RVL)과 기준전압 공급노드(Nref) 사이에 제3트랜지스터(T3; Reference Transistor(RT))가 스위칭 소자로서 기준전압 공급노드(Nref)에 연결된다. Referring to FIG. 3, each pixel having a pixel structure according to the first exemplary embodiment is controlled by a reference control signal (RCS) and includes a reference voltage line RVL for supplying a reference voltage Vref. A third transistor T3 is connected between the reference voltage supply node Nref as a switching element and connected to the reference voltage supply node Nref.

한편, 제3트랜지스터(T3)는, 각 화소마다 1개씩 배치되거나, 각 화소 열(Pixel Column)마다 1개씩 배치되거나, 각 화소 열(Pixel Column)에서 둘 이상의 화소마다 1개씩 배치되거나, 또는, 각 화소 행(Pixel Row)마다 1개씩 배치되거나, 각 화소 행(Pixel Row)에서 둘 이상의 화소마다 1개씩 배치될 수도 있다. On the other hand, one third transistor T3 is disposed for each pixel, one pixel for each pixel column, one pixel for each of two or more pixels in each pixel column, or One pixel may be disposed for each pixel row, or one pixel may be disposed for two or more pixels in each pixel row.

한편, 기준전압 공급노드(Nref)로의 기준전압 공급 유무를 제어하기 위하여, 제3트랜지스터(T3)의 온(ON)-오프(OFF)를 제어할 수 있다. 이를 위해, 제3트랜지스터(T3)의 온(ON)-오프(OFF)를 제어하기 위한 기준제어신호(RCS)를 제3트랜지스터(T3)의 게이트 노드에 공급하기 위한 기준제어신호 라인(RCSL: Reference Control Signal Line)이 표시패널(110)에 형성될 수 있다. On the other hand, in order to control the presence or absence of the reference voltage to the reference voltage supply node (Nref), it is possible to control the ON (OFF)-off (OFF) of the third transistor (T3). To this end, the reference control signal line RCSL for supplying the reference control signal RCS for controlling the ON-OFF of the third transistor T3 to the gate node of the third transistor T3: Reference control signal line) may be formed on the display panel 110.

이러한 기준제어신호 라인(RCSL)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2방향(예: 화소 행 방향, 가로방향)으로 형성되어 배치될 수 있다. As shown in FIG. 3, the reference control signal line RCSL may be formed and disposed in a second direction (eg, a pixel row direction and a horizontal direction).

이 경우, 일 예로, 기준제어신호 라인(RCSL)은, 하나의 화소 행(Pixel Row)마다 제2방향(예: 화소 행 방향, 가로방향)으로 1개씩 배치되거나, 둘 이상의 화소 행마다 제2방향으로 1개씩 공통으로 배치될 수 있다. In this case, as an example, one reference control signal line RCSL is disposed in a second direction (for example, a pixel row direction and a horizontal direction) for each pixel row, or for each of two or more pixel rows. It can be arranged in common one by one in the direction.

한편, 기준제어신호 라인(RCSL)은, 제1방향(예: 화소 열 방향, 세로방향)으로도 배치되어 형성될 수 있다. The reference control signal line RCSL may be formed in a first direction (eg, the pixel column direction and the vertical direction).

이 경우, 일 예로, 기준제어신호 라인(RCSL)은, 하나의 화소 열(Pixel Column)마다 제1방향(예: 화소 열 방향, 세로방향)으로 1개씩 배치되거나, 둘 이상의 화소 열마다 제1방향으로 1개씩 공통으로 배치될 수도 있다. In this case, as an example, one reference control signal line RCSL is disposed in a first direction (for example, in a pixel column direction and a vertical direction) for each pixel column, or for each of two or more pixel columns. It may be arranged in common one by one in the direction.

아래에서는, 도 3에 도시된 바와 같은 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소의 구동 방법에 대하여, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. Hereinafter, a driving method of a pixel having a pixel structure according to the first embodiment as shown in FIG. 3 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4를 참조하여서는, 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소의 이동도(Mobility)의 보상 구동 방법을 설명하고, 도 5를 참조하여서는, 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소의 문턱전압(Vth: Threshold Voltage) 및 이동도(Mobility)의 보상 구동 방법을 설명한다. 단, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명하게 되는 이동도 보상과 문턱전압 보상은 화소 외부의 추가적인 구성을 이용하지 않고 실시간으로 이루어질 수 있는 내부 보상 방식이다. Referring to FIG. 4, a driving method for compensating for mobility of a pixel having a pixel structure according to a first embodiment will be described. Referring to FIG. 5, a threshold of a pixel having a pixel structure according to a first embodiment will be described. A method of compensating driving of voltage (Vth: Threshold Voltage) and mobility will be described. However, the mobility compensation and the threshold voltage compensation described with reference to FIGS. 4 and 5 are internal compensation schemes that can be performed in real time without using an additional configuration outside the pixel.

도 4는 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소의 이동도 보상 구동을 위한 타이밍도이다. 4 is a timing diagram for mobility compensation driving of a pixel having a pixel structure according to the first embodiment.

도 4를 참조하면, 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 각 화소는, 이동도 보상을 위해, 초기화 단계(Initial Step, S410), 기록 단계(Writing Step, S420), 이동도 보상 단계(μ Compensation Step, S430) 및 발광 단계(Emission Step, S440) 등으로 이루어진 제1 구동모드로 동작한다. Referring to FIG. 4, each pixel having the pixel structure according to the first embodiment includes an initialization step (S410), a writing step (S420), and a mobility compensation step (μ) for mobility compensation. Compensation step (S430) and the emission step (Emission Step, S440) and the like is operated in the first driving mode.

도 3 및 도 4를 참조하여, 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 각 화소가 제1 구동모드로 동작하는 경우, 이동도 보상 구동을 위한 각 단계에 대하여 상세하게 설명한다. 3 and 4, when each pixel having the pixel structure according to the first embodiment operates in the first driving mode, each step for driving mobility compensation will be described in detail.

도 3 및 도 4를 참조하면, 이동도 보상 구동을 위한 초기화 단계(S410)에서, 기준제어신호 라인(RCSL)을 통해 공급되는 기준제어신호(RCS)는 하이레벨(High Level)이고, 게이트라인(GL)을 통해 공급되는 스캔신호(SCAN)는 하이레벨(High Level)이다. 그리고, 이때, 데이터라인(DL)을 통해 공급되는 데이터전압(Vdata)은 초기화레벨(Initial Level)이다. 여기서, 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)은 초기화전압(Vref)와 동일할 수도 있고, 다를 수도 있다. 3 and 4, in the initialization step S410 for mobility compensation driving, the reference control signal RCS supplied through the reference control signal line RCSL is at a high level and has a gate line. The scan signal SCAN supplied through GL is at a high level. In this case, the data voltage Vdata supplied through the data line DL is an initial level. Here, the data voltage Vdata of the initialization level may be the same as or different from the initialization voltage Vref.

이에 따라, 제1트랜지스터(T1), 제2트랜지스터(T2) 및 제3트랜지스터(T3)은 온(ON) 상태이다. Accordingly, the first transistor T1, the second transistor T2, and the third transistor T3 are in an ON state.

따라서, 기준전압 라인(RVL)에 공급된 기준전압(Vref)은, 온 상태의 제3트랜지스터(T3) 및 제1트랜지스터(T1)를 통해, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)에 인가된다. 또한, 데이터라인(DL)에 공급된 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)은, 온 상태의 제2트랜지스터(T2)를 통해, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)에 인가된다. Therefore, the reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL is connected to the first node N1 of the driving transistor DT through the third transistor T3 and the first transistor T1 in the on state. Is approved. In addition, the data voltage Vdata of the initialization level supplied to the data line DL is applied to the second node N2 of the driving transistor DT through the second transistor T2 in the on state. do.

이에 따라, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)는, 기준전압(Vref) 및 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)으로 각각 초기화된다. Accordingly, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DT are initialized to the data voltage Vdata of the reference voltage Vref and the initialization level, respectively.

즉, 제1 구동모드의 초기화 단계(S410)에서, 기준제어신호(RCS)는 공급되어, 즉, 기준제어신호(RCS)가 하이레벨로 되어, 제3트랜지스터(T3)를 온 시켜 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)를 기준전압(Vref)으로 초기화시킬 수 있다. That is, in the initialization step S410 of the first driving mode, the reference control signal RCS is supplied, that is, the reference control signal RCS is at a high level, so that the third transistor T3 is turned on to drive the transistor. The first node N1 of the DT may be initialized to the reference voltage Vref.

한편, 이러한 초기화 단계(S410)에서, 데이터라인(DL)을 통해 공급되는 데이터전압(Vdata)은 초기화레벨(Initial Level) 보다 높은 레벨(예: 기록레벨)로 공급될 수도 있으며, 이 경우, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)는 초기화레벨보다 높은 레벨의 데이터전압으로 초기화될 수 있다. Meanwhile, in the initialization step S410, the data voltage Vdata supplied through the data line DL may be supplied at a level higher than the initial level (for example, a write level), and in this case, driving The second node N2 of the transistor DT may be initialized to a data voltage of a level higher than the initialization level.

도 3 및 도 4를 참조하면, 이동도 보상 구동을 위한 초기화 단계(S410) 이후 진행되는 기록 단계(S420)에서, 기준제어신호(RCS)는 하이레벨(High Level)로 유지되고, 스캔신호(SCAN)는 하이레벨(High Level)로 유지되지만, 데이터전압(Vdata)은 초기화레벨(Initial Level)보다 높은 기록레벨(Writing Level)로 바뀐다. 3 and 4, in the recording step S420 which is performed after the initialization step S410 for mobility compensation driving, the reference control signal RCS is maintained at a high level, and the scan signal ( SCAN is maintained at a high level, but the data voltage Vdata is changed to a writing level higher than the initial level.

따라서, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)에는 변함없이 기준전압(Vref)이 계속 인가되지만, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)에는 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)보다 높은 기록레벨(Writing Level)의 데이터전압(Vdata)이 인가된다. Accordingly, the reference voltage Vref is continuously applied to the first node N1 of the driving transistor DT, but the data voltage of the initial level is applied to the second node N2 of the driving transistor DT. A data voltage Vdata of a writing level higher than Vdata is applied.

도 3 및 도 4를 참조하면, 이동도 보상 구동을 위한 기록 단계(S420) 이후 진행되는 이동도(μ) 보상 단계(S430)에서, 스캔신호(SCAN)는 하이레벨(High Level)로 유지되고, 데이터전압(Vdata)은 기록레벨(Writing Level)로 유지되지만, 기준제어신호(RCS)는 로우레벨(Low Level)로 바뀐다. 3 and 4, in the mobility compensation step S430 that is performed after the recording step S420 for mobility compensation driving, the scan signal SCAN is maintained at a high level. The data voltage Vdata is maintained at the writing level, but the reference control signal RCS is changed to the low level.

따라서, 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)는 온(ON) 상태로 유지되지만, 제3트랜지스터(T3)는 오프(OFF) 상태로 바뀐다. Therefore, while the first transistor T1 and the second transistor T2 are kept in an ON state, the third transistor T3 is turned into an OFF state.

이와 같이, 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)는 온(ON) 상태로 유지되기 때문에, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)에 기록레벨(Writing Level)의 데이터전압(Vdata)이 계속 인가되지만, 제3트랜지스터(T3)가 오프(OFF) 상태로 바뀜에 따라, 기준전압 공급노드(Nref)로 기준전압(Vref)이 공급되지 않아, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)는 플로팅(Floating) 되어, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 기준전압(Vref)에서 상승하기 시작한다. As described above, since the first transistor T1 and the second transistor T2 are kept in an ON state, the data voltage of the writing level at the second node N2 of the driving transistor DT is recorded. Vdata is still applied, but as the third transistor T3 is turned off, the reference voltage Vref is not supplied to the reference voltage supply node Nref, so that the first transistor of the driving transistor DT is not present. The node N1 is floating, and the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT starts to rise from the reference voltage Vref.

이와 같이, 기준전압(Vref)에서 상승하는 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)의 전압(즉, 기록레벨의 데이터전압(Writing Level Vdata))과 문턱전압(Vth)만큼 차이가 나기 이전에, 즉, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)의 전압에서 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 값에 도달하기 이전에, 스캔신호(SCAN)를 로우레벨(Low Level)로 바꿈에 따라, 발광 단계(S440)가 시작된다. As described above, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT rising from the reference voltage Vref is the voltage of the second node N2 of the driving transistor DT (that is, the data voltage writing at the write level). Level Vdata)) and the threshold voltage Vth, that is, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT is driven at the voltage of the second node N2 of the driving transistor DT. Before reaching the value obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the transistor DT, the light emission step S440 is started as the scan signal SCAN is changed to a low level.

여기서, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)를 소스노드(Source Node)라고 하는 경우, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)의 전압에서 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 값에 가까워지도록 상승하는 동작을 "소스 팔로잉(Source Following)" 동작이라고 한다. Here, when the first node N1 of the driving transistor DT is referred to as a source node, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT is the second node of the driving transistor DT. An operation of increasing the voltage of N2) to approach the value obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the driving transistor DT is referred to as a "source following" operation.

한편, 소스 팔로잉 동작에 따른 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압의 상승 기울기(△V/△t, △t: N1의 전압 상승 시간) 또는 상승 폭(△V)은, 구동트랜지스터(DT)의 이동도(μ)의 크기에 따라 달라진다. 즉, 구동트랜지스터(DT)의 이동도(μ)가 클수록, 소스 팔로잉(Source Following) 동작에 따른 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 빨리 상승하거나 많이 상승할 수 있다. Meanwhile, the rising slope (ΔV / Δt, Δt: voltage rise time of N1) or the rising width (ΔV) of the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT according to the source following operation may be It depends on the magnitude of the mobility μ of the driving transistor DT. That is, as the mobility μ of the driving transistor DT increases, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT according to the source following operation may increase or increase much.

한편, 이러한 이동도 보상 단계 이후, 진행되는 발광 단계(S440)에서, 기준제어신호(RCS)는 로우레벨(Low Level)로 유지되지만, 스캔신호(SCAN)는 로우레벨(Low Level)로 바뀌고, 데이터전압(Vdata)은 초기화레벨(Initial Level) 또는 로우레벨(Low Level)로 바뀐다. On the other hand, after the mobility compensation step, in the light emission step S440, the reference control signal RCS is maintained at a low level, but the scan signal SCAN is changed to a low level. The data voltage Vdata is changed to an initial level or a low level.

이에 따라, 제1트랜지스터(T1), 제2트랜지스터(T2) 및 제3트랜지스터(T3)는 모두 오프(OFF) 되어, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)가 모두 플로팅(Floating) 된다. Accordingly, the first transistor T1, the second transistor T2, and the third transistor T3 are all turned off, so that the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DT are turned off. Are all floating.

이에 따라, 유기발광다이오드(OLED)의 캐패시터 성분과 관련된 캐패시터 커플링(Coupling) 현상에 의해, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)의 전압이 전위차를 유지하면서 함께 상승(Boosting)한다. Accordingly, due to the capacitor coupling phenomenon associated with the capacitor component of the organic light emitting diode OLED, the voltages of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DT maintain the potential difference. Boost together.

이러한 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)의 전압이 동반 상승하다가, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 기저전압(VSS)에서 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(OLED Vth)만큼 높은 전압값이 되면, 구동트랜지스터(DT)에서 유기발광다이오드(OLED)로 전류가 흐르게 되어, 유기발광다이오드(OLED)가 발광한다. The voltages of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DT increase together, and the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT is increased at the base voltage VSS. When the voltage becomes as high as the threshold voltage OLED Vth of the diode OLED, a current flows from the driving transistor DT to the organic light emitting diode OLED, and the organic light emitting diode OLED emits light.

도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 각 화소는, 이동도(μ)가 실시간으로 내부 보상될 수 있다. As described with reference to FIG. 4, the mobility μ may be internally compensated in real time for each pixel having the pixel structure according to the first exemplary embodiment.

한편, 아래에서는, 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 각 화소에서, 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 및 이동도(μ)를 보상해줄 수 있는 구동 동작에 대하여, 도 5를 참조하여 설명한다. Meanwhile, referring to FIG. 5, a driving operation capable of compensating the threshold voltage Vth and the mobility μ of the driving transistor DT in each pixel having the pixel structure according to the first embodiment is described below. Will be explained.

도 5는 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 각 화소의 문턱전압 및 이동도 보상 구동을 위한 타이밍도이다. 5 is a timing diagram for threshold voltage and mobility compensation driving of each pixel having the pixel structure according to the first embodiment.

도 5를 참조하면, 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 각 화소는, 초기화 단계(Initial Step, S510), 문턱전압 보상 단계(Vth Compensation Step, S520), 기록 및 이동도 보상 단계(Writing and Mobility Compensation Step, S530) 및 발광 단계(Emission Step, S540)로 이루어진 제2 구동모드로 동작한다. Referring to FIG. 5, each pixel having the pixel structure according to the first embodiment includes an initialization step S510, a threshold voltage compensation step S520, a writing and mobility compensation step Writing and Mobility Compensation Step S530 and Emission Step S540.

아래에서는, 도 3 및 도 5를 참조하여, 다수의 화소 각각이 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 및 이동도(μ)를 보상해줄 수 있는 제2 구동모드에 대하여 상세하게 설명한다. 3 and 5, a second driving mode in which each of the plurality of pixels can compensate for the threshold voltage Vth and the mobility μ of the driving transistor DT will be described in detail.

도 3 및 도 5를 참조하면, 기준제어신호(RCS)는 하이레벨(High Level)이고, 데이터전압(Vdata)은 초기화레벨(Initial Level)이며, 스캔신호(SCAN)는 하이레벨(High Level)이다. 3 and 5, the reference control signal RCS is at a high level, the data voltage Vdata is at an initial level, and the scan signal SCAN is at a high level. to be.

이에 따라, 제1트랜지스터(T1), 제2트랜지스터(T2) 및 제3트랜지스터(T3)은 온(ON) 상태이고, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)에 기준전압(Vref)이 인가되고, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)에 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)이 인가됨으로써, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)가 초기화된다. 여기서, 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)은 초기화전압(Vref)와 동일할 수도 있고, 다를 수도 있다. Accordingly, the first transistor T1, the second transistor T2, and the third transistor T3 are in an ON state, and the reference voltage Vref is applied to the first node N1 of the driving transistor DT. When the data voltage Vdata of the initialization level is applied to the second node N2 of the driving transistor DT, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DT are applied. ) Is initialized. Here, the data voltage Vdata of the initialization level may be the same as or different from the initialization voltage Vref.

이러한 제2 구동모드의 초기화 단계(S510)에서, 기준제어신호(RCS)는 공급되어, 즉, 기준제어신호(RCS)가 하이레벨로 되어, 제3트랜지스터(T3)를 온 시켜 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)를 기준전압(Vref)으로 초기화시킬 수 있다.In the initializing step S510 of the second driving mode, the reference control signal RCS is supplied, that is, the reference control signal RCS becomes high level, thereby turning on the third transistor T3 to drive the drive transistor DT. The first node N1 of) may be initialized to the reference voltage Vref.

도 3 및 도 5를 참조하면, 전술한 초기화 단계(S510) 이후 진행되는 문턱전압 보상 단계(S520)에서, 데이터전압(Vdata)은 초기화레벨(Initial Level)로 유지되고, 스캔신호(SCAN)는 하이레벨(High Level)로 유지되지만, 기준제어신호(RCS)는 로우레벨(Low Level)로 바뀐다. 3 and 5, in the threshold voltage compensation step S520 performed after the initialization step S510 described above, the data voltage Vdata is maintained at an initial level, and the scan signal SCAN is Although maintained at a high level, the reference control signal RCS is changed to a low level.

이에 따라, 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)는 온(ON) 상태를 유지하지만, 제3 트랜지스는 오프(OFF) 상태로 바뀐다. Accordingly, the first transistor T1 and the second transistor T2 remain in the ON state, but the third transistor is turned OFF.

따라서, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)에는 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)이 계속 인가되어 있지만, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)는 플로팅 되어, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 초기화전압(Vref)에서 상승하기 시작한다. Accordingly, although the data voltage Vdata of the initial level is continuously applied to the second node N2 of the driving transistor DT, the first node N1 of the driving transistor DT is floated and driven. The voltage of the first node N1 of the transistor DT starts to rise from the initialization voltage Vref.

이러한 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압 상승은, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)의 전압(Initial Vdata)과 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)의 차이값에 도달할 때까지 상승한다. The voltage rise of the first node N1 of the driving transistor DT is such that the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT is equal to the voltage of the second node N2 of the driving transistor DT. ) And until the difference between the threshold voltage Vth of the driving transistor DT is reached.

한편, 도 5의 타이밍도에서, 데이터전압(Vdata)의 타이밍와 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압 타이밍도는, 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)과 기준전압(Vref)이 다른 전압값인 경우를 나타낸 것이다. 만약, 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)과 기준전압(Vref)을 동일한 전압값으로 설정하여 구동시키는 경우, 문턱전압 보상 단계(S520)에서 데이터전압(Vdata)는, 초기화레벨(Initial Level)보다 높고 기록레벨(Writing Level)보다는 낮은 전압이 되어야 할 것이다. Meanwhile, in the timing diagram of FIG. 5, the timing of the data voltage Vdata and the voltage timing diagram of the first node N1 of the driving transistor DT are the data voltage Vdata and the reference voltage (Initial Level). Vref) shows different voltage values. If the data voltage Vdata and the reference voltage Vref of the initial level are set to the same voltage value, the data voltage Vdata is initialized at the threshold voltage compensation step S520. The voltage should be higher than the level and lower than the writing level.

즉, 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)과 기준전압(Vref)이 다른 경우, 데이터전압(Vdata)은 초기화레벨(Initial Level)과 기록레벨(Writing Level)의 2 레벨로 조절되고, 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)과 기준전압(Vref)이 동일한 경우, 데이터전압(Vdata)은 초기화레벨(Initial Level), 중간레벨(Medium Level), 기록레벨(Writing Level)의 3 레벨로 조절될 수 있다. That is, when the data voltage Vdata and the reference voltage Vref of the initial level are different, the data voltage Vdata is adjusted to two levels of the initial level and the writing level. When the data voltage Vdata and the reference voltage Vref of the initialization level are the same, the data voltage Vdata is equal to 3 of the initial level, the medium level, and the writing level. The level can be adjusted.

도 3 및 도 5를 참조하면, 문턱전압 보상 단계(S520) 이후 진행되는 기록 및 이동도 보상 단계(S530)에서, 기준제어신호(RCS)는 로우레벨(Low Level)로 유지되고, 스캔신호(SCAN)는 하이레벨(High Level)로 유지되지만, 데이터전압(Vdata)은 기록레벨(Writing Level)로 바뀐다. 3 and 5, in the recording and mobility compensation step S530, which is performed after the threshold voltage compensation step S520, the reference control signal RCS is maintained at a low level, and the scan signal ( SCAN is maintained at a high level, but the data voltage Vdata is changed to a writing level.

이에 따라, 제3트랜지스터(T3)는 오프(OFF) 상태를 유지되어, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)는 계속해서 플로팅 되어 있고, 데이터전압(Vdata)이 기록레벨로 높아져, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)의 전압이 기록레벨의 데이터전압(Vdata)로 높아진다. 따라서, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압은 다시 상승한다. As a result, the third transistor T3 is maintained in an OFF state, the first node N1 of the driving transistor DT is continuously floating, and the data voltage Vdata is raised to the write level, thereby driving. The voltage of the second node N2 of the transistor DT is increased to the data voltage Vdata of the write level. Therefore, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT rises again.

한편, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하여 포화(Saturation) 되기 이전에, 제2트랜지스터(T2)를 오프시켜, 즉, 스캔신호(SCAN)를 로우레벨로 바꾸어, 소스 팔로잉 동작을 멈추게 함으로써, 기록 및 이동도 보상 단계(S530)가 완료되고 발광 단계(S540)가 진행된다. On the other hand, before the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT rises and becomes saturated, the second transistor T2 is turned off, that is, the scan signal SCAN is turned low. By stopping the source following operation, the recording and mobility compensating step S530 is completed and the light emitting step S540 proceeds.

도 3 및 도 5를 참조하면, 발광 단계(S540)에서, 기준제어신호(RCS)는 로우레벨(Low Level)로 유지되고, 스캔신호(SCAN)는 로우레벨(Low Level)로 바뀐다. 3 and 5, in the light emitting step S540, the reference control signal RCS is maintained at a low level, and the scan signal SCAN is changed to a low level.

한편, 이러한 발광 단계(S540)에서, 데이터전압(Vdata)은 기록레벨(Writing Level)로 유지될 수도 있고, 기록레벨에서 로우레벨(Low Level) 또는 초기화레벨(Initial Level)로 바뀔 수도 있다. Meanwhile, in the light emitting step S540, the data voltage Vdata may be maintained at the writing level, and may be changed from the writing level to a low level or an initial level.

이에 따라, 제1트랜지스터(T1), 제2트랜지스터(T2) 및 제3트랜지스터(T3)는 모두 오프(OFF) 되어, 전술한 바와 같은 캐패시터 커플링 현상에 의해, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)의 전압이 함께 상승하다가 유기발광다이오드(OLED)가 발광한다. As a result, the first transistor T1, the second transistor T2, and the third transistor T3 are all turned off, and as a result of the capacitor coupling phenomenon described above, the first transistor T1 is driven. The voltages of the node N1 and the second node N2 rise together, and the organic light emitting diode OLED emits light.

한편, 전술한 바와 같이, 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치(100)에서 기준제어신호 라인(RVL)은 제2방향(예: 화소 행 방향, 가로방향)으로 형성되어 배치될 수 있다. 이 경우, 일 예로, 기준제어신호 라인(RCSL)은, 하나의 화소 행(Pixel Row)마다 제2방향(예: 화소 행 방향, 가로방향)으로 1개씩 배치되거나, 둘 이상의 화소 행마다 제2방향으로 1개씩 공통으로 배치될 수 있다. Meanwhile, as described above, in the organic light emitting display device 100 having the pixel structure according to the first embodiment, the reference control signal line RVL is formed in a second direction (for example, the pixel row direction and the horizontal direction). Can be. In this case, as an example, one reference control signal line RCSL is disposed in a second direction (for example, a pixel row direction and a horizontal direction) for each pixel row, or for each of two or more pixel rows. It can be arranged in common one by one in the direction.

한편, 기준제어신호 라인(RCSL)은, 제1방향(예: 화소 열 방향, 세로방향)으로도 배치되어 형성될 수 있다. 이 경우, 일 예로, 기준제어신호 라인(RCSL)은, 하나의 화소 열(Pixel Column)마다 제1방향(예: 화소 열 방향, 세로방향)으로 1개씩 배치되거나, 둘 이상의 화소 열마다 제1방향으로 1개씩 공통으로 배치될 수도 있다. The reference control signal line RCSL may be formed in a first direction (eg, the pixel column direction and the vertical direction). In this case, as an example, one reference control signal line RCSL is disposed in a first direction (for example, in a pixel column direction and a vertical direction) for each pixel column, or for each of two or more pixel columns. It may be arranged in common one by one in the direction.

아래에서는, 기준제어신호 라인(RVL) 제2방향(가로방향)으로 배치되고, 둘 이상의 화소 행마다 1개씩 공통으로 배치되는 경우, 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치(100)의 신호라인 배치를 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. Hereinafter, when the reference control signal line RVL is disposed in the second direction (horizontal direction), and one in common for each of two or more pixel rows, the organic light emitting display device 100 having the pixel structure according to the first embodiment will be described. ) Will be described with reference to FIGS. 6 and 7.

도 6은 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치(100)의 신호라인들에 대한 배치도이다. 도 7은 제1실시예에 따른 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치(100)의 신호라인들을 화소 내 소자들과 함께 나타낸 배치도이다. 6 is a layout view of signal lines of the organic light emitting diode display 100 having the pixel structure according to the first embodiment. FIG. 7 is a layout view illustrating signal lines of an organic light emitting display device 100 having a pixel structure according to a first exemplary embodiment together with elements in a pixel.

도 6 및 도 7을 참조하면, 2n-1 번째 화소 행에는, 2n-1 번째 게이트라인(GL2n-1)으로부터 스캔신호를 공급받을 수 있는 화소(Pr, Pw, Pg, Pb, ...)가 배치된다. 2n 번째 화소 행에는, 2n 번째 게이트라인(GL2n)으로부터 스캔신호를 공급받을 수 있는 화소(Pr', Pw', Pg', Pb', ...)가 배치된다.6 and 7, the pixels Pr, Pw, Pg, Pb, ... that can receive scan signals from the 2n-1th gate line GL2n-1 in the 2n-1th pixel row. Is placed. In the 2n-th pixel row, pixels Pr ', Pw', Pg ', Pb', ... which can receive scan signals from the 2n-th gate line GL2n are disposed.

도 6 및 도 7을 참조하면, 4m-3 번째 화소 열에는 4m-3 번째 데이터라인(DL4m-3)으로부터 데이터전압을 공급받을 수 있는 화소(Pr, Pr', ...)가 배치되고, 4m-2 번째 화소 열에는 4m-2 번째 데이터라인(DL4m-2)으로부터 데이터전압을 공급받을 수 있는 화소(Pw, Pw', ...)가 배치되며, 4m-1 번째 화소 열에는, 4m-1 번째 데이터라인(DL4m-1)으로부터 데이터전압을 공급받을 수 있는 화소(Pg, Pg', ...)가 배치되고, 4m 번째 화소 열에는, 4m 번째 데이터라인(DL4m)으로부터 데이터전압을 공급받을 수 있는 화소(Pb, Pb', ...)가 배치된다.6 and 7, pixels Pr, Pr ′,..., Which can receive a data voltage from the 4m-3rd data line DL4m-3 are disposed in the 4m-3rd pixel column. Pixels Pw, Pw ', ... that can receive data voltages from the 4m-2nd data line DL4m-2 are arranged in the 4m-2nd pixel column, and 4m are arranged in the 4m-1th pixel column. Pixels Pg, Pg ', ... that can receive a data voltage from the -1th data line DL4m-1 are arranged, and the data voltage is applied from the 4mth data line DL4m in the 4mth pixel column. Pixels Pb, Pb ', ... which can be supplied are arranged.

도 6 및 도 7은 표시패널(110)이 R(적색)W(흰색)G(녹색)B(청색) 화소 구조를 갖는 경우를 가정하여, 도시한 것으로서, Pr, Pr'는 적색 화소이고, Pw, Pw'는 흰색 화소이며, Pg, Pg'는 녹색 화소이고, Pb, Pb'는 청색 화소이다. 물론, 표시패널(110)에 정의된 다수의 화소는, 4색 화소 구조 대신, RGB 화소 구조를 가질 수도 있다. 6 and 7 illustrate a case in which the display panel 110 has an R (red) W (white) G (green) B (blue) pixel structure. Pr and Pr 'are red pixels, Pw and Pw 'are white pixels, Pg and Pg' are green pixels, and Pb and Pb 'are blue pixels. Of course, the plurality of pixels defined in the display panel 110 may have an RGB pixel structure instead of the four-color pixel structure.

한편, 도 7에 도시된 바와 같이, 구동전압 라인(DVL)은 4개의 화소 열마다 1개씩 배치될 수 있다. 즉, 4m-3 번째 화소 열, 4m-2 번째 화소 열, 4m-1 번째 화소 열, 4m 번째 화소 열에 있는 모든 화소들은, 하나의 구동전압 라인(DVLm)으로부터 구동전압(VDD)을 함께 공급받을 수 있다. As illustrated in FIG. 7, one driving voltage line DVL may be disposed every four pixel columns. That is, all the pixels in the 4m-3rd pixel column, the 4m-2nd pixel column, the 4m-1th pixel column, and the 4mth pixel column receive the driving voltage VDD together from one driving voltage line DVLm. Can be.

한편, 기준제어신호 라인(RCSLn)은 2n-1 번째 화소 행과 2n 번째 화소 행 사이에 하나가 배치되고, 제3트랜지스터(T3)는 2n-1 번째 화소 행에서 4개 화소(Pr, Pw, Pg, Pb)마다 1개씩 배치되고, 2n 번째 화소 행에서 4개 화소(Pr', Pw', Pg', Pb')마다 1개씩 배치된다. On the other hand, one reference control signal line RCSLn is disposed between the 2n-1st pixel rows and the 2nth pixel rows, and the third transistor T3 has four pixels Pr, Pw, One for each of Pg and Pb, and one for every four pixels Pr ', Pw', Pg ', and Pb' in the 2nth pixel row.

2n-1 번째 화소 행에서 4개 화소(Pr, Pw, Pg, Pb)마다 1개씩 배치된 제3트랜지스터(T3)는, 기준제어신호 라인(RCSLn)으로부터 공급된 기준제어신호(RCS)에 의해 제어되어, 기준전압 라인(RVLm)에서 공급된 기준전압(Vref)을 2n-1 번째 화소 행에서 4개 화소(Pr, Pw, Pg, Pb) 각각에서의 기준전압 공급노드(Nref)로 공급해준다. The third transistor T3 arranged one by one for every four pixels Pr, Pw, Pg, and Pb in the 2n-1th pixel row is controlled by the reference control signal RCS supplied from the reference control signal line RCSLn. It is controlled to supply the reference voltage Vref supplied from the reference voltage line RVLm to the reference voltage supply node Nref in each of the four pixels Pr, Pw, Pg, and Pb in the 2n-1th pixel row. .

2n 번째 화소 행에서 4개 화소(Pr', Pw', Pg', Pb')마다 1개씩 배치된 제3트랜지스터(T3)는, 기준제어신호 라인(RCSLn)으로부터 공급된 기준제어신호(RCS)에 의해 제어되어, 기준전압 라인(RVLm)에서 공급된 기준전압(Vref)을 2n 번째 화소 행에서 4개 화소(Pr', Pw', Pg', Pb') 각각에서의 기준전압 공급노드(Nref)로 공급해준다. The third transistor T3 arranged one by one for every four pixels Pr ', Pw', Pg ', and Pb' in the 2nth pixel row is the reference control signal RCS supplied from the reference control signal line RCSLn. The reference voltage supply node Nref of each of the four pixels Pr ', Pw', Pg ', and Pb' is controlled by the reference voltage line Vref supplied from the reference voltage line RVLm. ).

아래에서는, 도 2의 화소 구조에서의 스위칭 소자(200)가 기준전압 공급노드(Nref)로의 기준전압 공급 유무를 제어하는 스위칭 동작을 구현하기 위한 다른 방안으로서, 기준전압 공급노드(Nref)와 연결된 기준전압 라인(RVL)과 기준전압 공급부 사이에 "스위치(SW)"를 추가하여 이 스위치(SW)의 스위칭 동작에 따라 기준전압 라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 기준전압 공급노드(Nref)에 공급하는 것을 제어하는 제2실시예에 대하여 설명한다. Hereinafter, as another method for implementing a switching operation for controlling whether the switching element 200 in the pixel structure of FIG. 2 controls the presence or absence of a reference voltage to the reference voltage supply node Nref, the switching element 200 is connected to the reference voltage supply node Nref. A "switch SW" is added between the reference voltage line RVL and the reference voltage supply unit to convert the reference voltage Vref through the reference voltage line RVL according to the switching operation of the switch SW. A second embodiment for controlling supply to Nref) will be described.

도 8 및 도 9는 제2실시예에 따른 2가지 화소 구조의 등가회로와 보상부를 나타낸 도면이다. 8 and 9 are diagrams illustrating an equivalent circuit and a compensator of two pixel structures according to the second embodiment.

도 8 및 도 9를 참조하면, 각 화소에서 기준전압(Vref)이 공급되는 기준전압 공급노드(Nref)(Nref)에 기준전압 라인(RVL)이 연결되고, 이 기준전압 라인(RVL)을 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog Digital Converter, 820) 또는 기준전압 공급부(830)와 연결시키는 스위치(SW: Switch, 810)를 스위칭 소자(200)로서 포함한다. 8 and 9, a reference voltage line RVL is connected to a reference voltage supply node Nref Nref to which a reference voltage Vref is supplied from each pixel, and the reference voltage line RVL is analogized. An analog digital converter (ADC) 820 or a switch (SW) 810 connected to the reference voltage supply unit 830 is included as the switching element 200.

여기서, 스위치(810) 및 아날로그 디지털 컨버터(820) 등은, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)를 특정 전압 조건으로 만들어 놓고 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하기 위하여 구성들이다. Here, the switch 810 and the analog-to-digital converter 820 and the like, the threshold voltage of the driving transistor DT with the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DT under a specific voltage condition. Configurations for sensing (Vth).

스위치(810)는, 화소의 발광하기 위해, 또는 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 또는 이동도를 보상하기 위한 특정 조건을 만들어주기 위해, 기준전압 공급노드(Nref)를 통해 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)에 기준전압(Vref)이 공급되어야 하는 경우, 기준전압 공급부(840)와 기준전압 라인(RVL)을 연결해준다. The switch 810 is configured to drive the transistor through the reference voltage supply node Nref in order to emit light of a pixel or to create a specific condition for compensating the threshold voltage Vth or mobility of the driving transistor DT. When the reference voltage Vref is to be supplied to the first node N1 of the DT, the reference voltage supply unit 840 and the reference voltage line RVL are connected to each other.

또한, 스위치(810)는, 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)를 센싱할 수 있는 특정 조건이 되었을 때, 아날로그 디지털 컨버터(820)가 기준전압 라인(RVL)과 연결되도록 해준다. 이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(820)는 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱한다. 이렇게 센싱된 전압으로부터 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)이 확인될 수 있으며, 이러한 센싱된 전압 또는 확인된 문턱전압(Vth)에 대한 정보는 메모리(830)에 저장될 수 있다. In addition, the switch 810 allows the analog-to-digital converter 820 to be connected to the reference voltage line RVL when a specific condition for sensing the threshold voltage Vth of the driving transistor DT is reached. Accordingly, the analog to digital converter 820 senses the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT. The threshold voltage Vth of the driving transistor DT may be checked from the sensed voltage, and information about the sensed voltage or the checked threshold voltage Vth may be stored in the memory 830.

메모리(830)에 저장된 센싱 전압 또는 문턱전압(Vth)에 대한 정보에 근거하여, 해당 화소의 데이터라인(DL)으로 공급될 데이터전압 또는 이 데이터전압이 아날로그 값으로 변환되기 이전의 디지털 데이터가 변경될 수 있다. Based on the information on the sensing voltage or the threshold voltage Vth stored in the memory 830, the data voltage to be supplied to the data line DL of the corresponding pixel or digital data before the data voltage is converted into an analog value is changed. Can be.

즉, 도 8 및 도 9를 참조하면, 메모리(830)에 저장된 센싱 전압 또는 문턱전압(Vth)에 대한 정보에 근거한 데이터 변경은, 타이밍 컨트롤러(140) 또는 데이터 구동부(120)가, 디지털 값의 데이터 소스(850)에 대하여, 메모리(830)에 저장된 문턱전압(Vth)의 디지털 값을 가감처리하는 방식으로서, 디지털 도메인에서 이루어질 수 있다. 이뿐만 아니라, 데이터 구동부(120)가, 아날로그 값의 데이터 소스(850)에 대하여, 메모리(830)에 저장된 문턱전압(Vth)의 아날로그 값을 가감처리하는 방식으로 아날로그 도메인에서 데이터 변경이 이루어질 수도 있다. That is, referring to FIGS. 8 and 9, the data change based on the information about the sensing voltage or the threshold voltage Vth stored in the memory 830 may be performed by the timing controller 140 or the data driver 120. For the data source 850, a digital value of the threshold voltage Vth stored in the memory 830 may be added or subtracted in the digital domain. In addition, the data driver 120 may change the data in the analog domain in such a manner that the data driver 120 adds or subtracts the analog value of the threshold voltage Vth stored in the memory 830 with respect to the analog data source 850. have.

이러한 데이터 변경은, 타이밍 컨트롤러(140) 또는 데이터 구동부(120) 내부에서 이루어질 수도 있고, 타이밍 컨트롤러(140) 및 데이터 구동부(120)의 외부의 다른 구성에 의해서도 이루어질 수도 있다. The data change may be made in the timing controller 140 or the data driver 120, or may be made by other components outside the timing controller 140 and the data driver 120.

이러한 데이터 변경과 관련하여, 기준전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱하기 위한 구성(810, 820)과, 센싱 전압 또는 문턱전압에 대한 정보를 저장하는 메모리(830)와, 데이터 변경 처리를 하는 구성(타이밍 컨트롤러(140) 또는 데이터 구동부(120) 또는 별도의 구성)을 포함하여 보상부(800)라 할 수 있다. In connection with such data change, the configuration 810 and 820 for sensing the voltage of the reference voltage line RVL, that is, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT, and the sensing voltage or threshold voltage. It may be referred to as a compensation unit 800 including a memory 830 for storing information about the information, and a configuration for performing data change processing (the timing controller 140 or the data driver 120 or a separate configuration).

한편, 기준전압 공급부(8401)에서 공급된 기준전압(Vref)이 화소 내 기준전압 공급노드(Nref)로 전달해주는 기준전압 라인(RVL)은, 도 8에서와 같이, 제2방향(가로방향)으로 표시패널(110)에 형성될 수도 있고, 도 9에서와 같이, 제1방향(세로방향)으로 표시패널(110)에 형성될 수도 있다. 단, 이러한 기준전압 라인(RVL)의 형성 방향이 다르더라도, 위에서 설명한 센싱 및 보상 동작 원리는 동일하다. Meanwhile, as shown in FIG. 8, the reference voltage line RVL through which the reference voltage Vref supplied from the reference voltage supply unit 8201 is transferred to the reference voltage supply node Nref in the pixel is the second direction (horizontal direction). As shown in FIG. 9, the display panel 110 may be formed in the display panel 110 in a first direction (vertical direction). However, although the direction in which the reference voltage line RVL is formed is different, the sensing and compensation operation principles described above are the same.

도 10은 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소의 구동모드 타입을 설명하기 위한 도면이다. 10 is a diagram for describing a driving mode type of a pixel having a pixel structure according to a second exemplary embodiment.

도 10을 참조하면, 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소는, 문턱전압은 외부 보상을 하고 이동도는 내부 보상(실시간 보상)을 하는 하이브리드 타입(Hybride Type)과 문턱전압과 이동도 모두를 내부 보상(실시간 보상)을 하는 풀 타입(Full Type) 중 하나의 구동모드로 동작할 수 있다. Referring to FIG. 10, in the pixel having the pixel structure according to the second exemplary embodiment, both the hybrid type and the threshold voltage and the mobility of which the threshold voltage compensates externally and the mobility compensates internally (real time compensation) It can operate in one of the driving modes (Full Type) that performs the internal compensation (real time compensation).

도 10을 참조하면, 화소가 하이브리드 타입 구동모드로 동작하는 경우, 기준전압 라인(RVL)은, 제1방향(세로방향) 또는 제2방향(가로방향)으로 표시패널(110)에 형성되어 있을 수 있다. 이에 비해, 화소가 풀 타입 구동모드로 동작하는 경우, 기준전압 라인(RVL)은 제2방향(가로방향)으로 표시패널(110)에 형성되어 있어야 한다. Referring to FIG. 10, when the pixel operates in the hybrid type driving mode, the reference voltage line RVL may be formed on the display panel 110 in a first direction (vertical direction) or in a second direction (horizontal direction). Can be. In contrast, when the pixel operates in the full type driving mode, the reference voltage line RVL should be formed in the display panel 110 in the second direction (horizontal direction).

따라서, 기준전압 라인(RVL)이, 도 8에서와 같이, 제2방향(가로방향)으로 표시패널(110)에 형성된 경우, 화소는 하이브리드 타입 구동모드 및 풀 타입 구동모드 중 하나의 구동모드로 구동할 수 있다. 하지만, 기준전압 라인(RVL)이, 도 9에서와 같이, 제1방향(세로방향)으로 표시패널(110)에 형성된 경우, 화소는 하이브리드 타입 구동모드로만 구동할 수 있다. Therefore, when the reference voltage line RVL is formed in the display panel 110 in the second direction (horizontal direction) as shown in FIG. 8, the pixel is in one of the hybrid type driving mode and the full type driving mode. I can drive it. However, when the reference voltage line RVL is formed in the display panel 110 in the first direction (vertical direction) as shown in FIG. 9, the pixel may be driven only in the hybrid type driving mode.

한편, 유기발광표시장치(100)의 백 플레인(Backplane)의 이동도에 따라서도 구동모드의 타입을 정할 수 있다. 예를 들어, 유기발광표시장치(100)의 백 플레인의 이동도가 높은 경우, 하이브리드 타입 구동모드, 풀 타입 구동모드 모두 동작 가능하므로 그 어떠한 타입을 정하여도 무방할 수 있다. 반면, 유기발광표시장치(100)의 백 플레인의 이동도가 낮은 경우에는 화소가 하이브리드 타입 구동모드가 보다 유리하므로 구동모드의 타입을 하이브리드 타입으로 정할 수 있다. Meanwhile, the driving mode type may be determined according to the mobility of the backplane of the organic light emitting display device 100. For example, when the mobility of the backplane of the organic light emitting display device 100 is high, both the hybrid type driving mode and the full type driving mode may operate, so that any type may be determined. On the other hand, when the mobility of the backplane of the organic light emitting display device 100 is low, the hybrid type driving mode is more advantageous for the pixel, and thus the driving mode may be set as the hybrid type.

아래에서는, 하이브리드 타입 구동모드에 대하여 도 11 내지 도 14를 참조하여 설명하고, 이어서, 풀 타입 구동모드에 대하여 도 15를 참조하여 설명한다. Hereinafter, the hybrid type driving mode will be described with reference to FIGS. 11 to 14, and the full type driving mode will be described with reference to FIG. 15.

도 11 내지 도 14를 참조하여 하이브리드 타입 구동모드를 상세하게 설명하기에 앞서, 하이브리드 타입 구동 모드에 대하여 간략하게 설명한다. Before describing the hybrid type driving mode in detail with reference to FIGS. 11 to 14, the hybrid type driving mode will be briefly described.

다수의 화소 각각은, 아날로그 디지털 컨버터(820)에 의한 전압 센싱과 전압 센싱 결과에 따른 데이터 변경 처리를 통해 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)이 보상되는 "문턱전압 외부 보상 프로세스"와, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)에 기록레벨(Writing Level)의 데이터전압(Vdata)이 인가될 때, 구동트랜지스터(DT)의 이동도(μ)가 보상되는 "이동도 내부 보상 프로세스"로 이루어지는 하이브리드 타입 구동 모드로 동작한다. Each of the plurality of pixels includes a "threshold voltage external compensation process" in which the threshold voltage Vth of the driving transistor DT is compensated by voltage sensing by the analog-digital converter 820 and data change processing according to the voltage sensing result; When the data voltage Vdata of the writing level is applied to the second node N2 of the driving transistor DT, the mobility internal compensation process is compensated for the mobility μ of the driving transistor DT. It operates in a hybrid type drive mode consisting of ".

이러한 하이브리드 타입 구동 모드의 경우, 기준전압 라인(RVL)은, 제1방향(세로방향) 또는 제2방향(가로방향)으로 표시패널(110)에 형성될 수 있다. In the hybrid type driving mode, the reference voltage line RVL may be formed in the display panel 110 in a first direction (vertical direction) or a second direction (horizontal direction).

아래에서는, 도 11을 참조하면, 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소가 하이브리드 타입 구동 모드로 동작할 때, 문턱전압 외부 보상 프로세스를 위한 구동 방법을 설명한다. Hereinafter, referring to FIG. 11, a driving method for a threshold voltage external compensation process when a pixel having a pixel structure according to the second embodiment operates in a hybrid type driving mode will be described.

도 11은 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소가 하이브리드 타입 구동 모드로 동작할 때, 문턱전압 외부 보상 프로세스를 위한 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 11 is a diagram for describing a driving method for a threshold voltage external compensation process when a pixel having a pixel structure according to a second embodiment operates in a hybrid type driving mode.

도 11의 (a)는 도 8 및 도 9의 화소 구조를 모두 만족하는 화소 구조에 대한 등가회로도이며, 도 11의 (b)는 도 11의 (a)의 화소 구조를 갖는 화소가 하이브리드 타입 구동 모드를 동작할 때, 문턱전압 외부 보상 프로세스를 위한 구동 타이밍도이다. FIG. 11A is an equivalent circuit diagram of a pixel structure satisfying both the pixel structures of FIGS. 8 and 9, and FIG. 11B shows a hybrid type driving of a pixel having the pixel structure of FIG. 11A. The driving timing diagram for the threshold voltage external compensation process when operating the mode.

도 11의 (a) 및 (b)를 참조하면, 하이브리드 타입 구동 모드 동작 시, 문턱전압 외부 보상 프로세스는 초기화 단계(S1110), 문턱전압 센싱 단계(S1120) 등으로 이루어진다. Referring to FIGS. 11A and 11B, in the hybrid type driving mode operation, the threshold voltage external compensation process may include an initialization step S1110, a threshold voltage sensing step S1120, and the like.

도 11의 (a) 및 (b)를 참조하면, 문턱전압 외부 보상 프로세스의 초기화 단계(S1110)에서, 스캔신호(SCAN)가 하이레벨이고, 이에 따라, 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)가 온 상태가 된다. Referring to FIGS. 11A and 11B, in the initialization step S1110 of the threshold voltage external compensation process, the scan signal SCAN is at a high level, and thus, the first transistor T1 and the second transistor are accordingly. (T2) is turned on.

그리고, 스위치(810)가 온 되어 기준전압 공급부(840)와 기준전압 라인(RVL)이 연결되고, 이에 따라, 기준전압 공급부(840)에서 기준전압(Vref)이 기준전압 공급노드(Nref)로 공급되어, 온 상태의 제1트랜지스터(T1)를 통해 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)에 기준전압(Vref)이 인가된다. 이때, 하이레벨의 데이터전압(Vdata)이 온 상태의 제2트랜지스터(T2)를 통해 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)에 인가된다. In addition, the switch 810 is turned on, and the reference voltage supply unit 840 and the reference voltage line RVL are connected. Accordingly, the reference voltage Vref is changed from the reference voltage supply unit 840 to the reference voltage supply node Nref. The reference voltage Vref is applied to the first node N1 of the driving transistor DT through the supplied first transistor T1. In this case, the high level data voltage Vdata is applied to the second node N2 of the driving transistor DT through the second transistor T2 in the on state.

즉, 문턱전압 외부 보상 프로세스의 초기화 단계(S1110)에서는, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)는, 초기화전압(Vref) 및 하이레벨의 데이터전압(Vdata)로 초기화된다. That is, in the initialization step S1110 of the threshold voltage external compensation process, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DT are the initialization voltage Vref and the high level data voltage Vdata. Is initialized to

도 11의 (a) 및 (b)를 참조하면, 이러한 초기화 단계(S1110) 이후 진행되는 문턱전압 센싱 단계(S1120)에서는, 스위치(810)가 오프 되어, 아날로그 디지털 컨버터(820)와 기준전압 라인(RVL)이 연결된다. Referring to FIGS. 11A and 11B, in the threshold voltage sensing step S1120 performed after the initialization step S1110, the switch 810 is turned off, and the analog-to-digital converter 820 and the reference voltage line are turned off. (RVL) is connected.

또한, 스위치(810)가 오프 됨에 따라, 기준전압 공급노드(Nref)에 기준전압이 공급되지 않아, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)가 플로팅(Floating) 된다. 따라서, 위에서도 언급한 소스 팔로잉(Source Following) 현상에 의해, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 기준전압(Vref)에서 상승한다. In addition, as the switch 810 is turned off, the reference voltage is not supplied to the reference voltage supply node Nref, and the first node N1 of the driving transistor DT is floated. Therefore, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT increases from the reference voltage Vref by the above-described source following phenomenon.

구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압은, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)의 전압(Vdata)에서 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 값(Vdata-Vth)이 될 때까지 상승하고, 이후 포화(Saturation)가 된다. The voltage of the first node N1 of the driving transistor DT is a value Vdata obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the driving transistor DT from the voltage Vdata of the second node N2 of the driving transistor DT. Rise until -Vth), and then saturation.

이때, 아날로그 디지털 컨버터(820)는, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱할 수 있다. In this case, the analog-to-digital converter 820 may sense the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT.

이러한 문턱전압 센싱 단계(S1120) 이후, 데이터 변경 처리가 이루어지는 보상 단계(미도시)가 진행된다. 즉, 아날로그 디지털 컨버터(820)에 의해, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 센싱되면, 이렇게 센싱된 전압(Vdata-Vth)과 데이터전압(Vdata) 간의 차이값(△V=Vdata-(Vdata-Vth)=Vth)이 문턱전압(Vth)로서 메모리(830)에 저장된다. 이후, 표시패널(110) 구동 시, 해당 감마 커브(Gamma Curve)에 대한 데이터전압 값에 메모리(830)에 저장된 문턱전압(Vth)이 가산(Add) 처리되어, 문턱전압 보상이 이루어질 수 있다. After the threshold voltage sensing step S1120, a compensation step (not shown) in which data change processing is performed is performed. That is, when the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT is sensed by the analog-to-digital converter 820, the difference value ΔV between the sensed voltages Vdata-Vth and the data voltage Vdata. Vdata- (Vdata-Vth) = Vth) is stored in the memory 830 as the threshold voltage Vth. Subsequently, when the display panel 110 is driven, the threshold voltage Vth stored in the memory 830 is added to the data voltage value of the gamma curve, thereby compensating the threshold voltage.

한편, 문턱전압 센싱 시간(tsense)은 스위치(810)를 오프 시킨 시점부터 스캔신호(SCAN)가 로우레벨로 떨어지는 시점까지인데, 이러한 문턱전압 센싱 시간(tsense)은 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하여 포화되기에 충분한 시간이어야 한다. Meanwhile, the threshold voltage sensing time tsense is from the time when the switch 810 is turned off to the time when the scan signal SCAN falls to the low level. The threshold voltage sensing time tsense is the first time of the driving transistor DT. It must be sufficient time for the voltage at node N1 to rise and saturate.

따라서, 스위치(810)의 온-오프 타이밍과, 스캔신호(SCAN)의 타이밍이 문턱전압 센싱이 가능하도록 제어되어야 하며, 이는 타이밍 컨트롤러(140)의 제어신호에 따라 이루어질 수 있다. Therefore, the on-off timing of the switch 810 and the timing of the scan signal SCAN should be controlled to enable the threshold voltage sensing, which may be performed according to the control signal of the timing controller 140.

한편, 도 11을 참조하여 설명한 문턱전압 외부 보상 프로세스는, 기준전압 라인(RVL)이 게이트라인(GL)과 평행한 가로방향으로 배치되느냐, 데이터라인(DL)과 평행한 세로방향으로 배치되느냐에 따라, 문턱전압 센싱 방식이 달라질 수 있다. Meanwhile, the threshold voltage external compensation process described with reference to FIG. 11 includes whether the reference voltage line RVL is disposed in the horizontal direction parallel to the gate line GL or in the vertical direction parallel to the data line DL. Accordingly, the threshold voltage sensing scheme may vary.

이러한 기준전압 라인(RVL)의 배치 방향에 따른 문턱전압 센싱 방식에 대항 도 12 및 도 13을 참조하여 설명한다.A threshold voltage sensing method according to the arrangement direction of the reference voltage line RVL will be described with reference to FIGS. 12 and 13.

도 12 및 도 13은 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소가 하이브리드 타입 구동 모드로 동작할 때, 문턱전압 외부 보상 프로세스를 위한 2가지 문턱전압 센싱 방식을 나타낸 도면이다. 12 and 13 illustrate two threshold voltage sensing schemes for the threshold voltage external compensation process when the pixel having the pixel structure according to the second embodiment operates in the hybrid type driving mode.

도 12는 기준전압 라인(RVL1, RVL2, RVL3, ..., RVL2N)이 게이트라인(GL)과 평행한 가로방향으로 배치된 경우이다. 12 illustrates a case in which the reference voltage lines RVL1, RVL2, RVL3,..., RVL2N are arranged in a horizontal direction parallel to the gate line GL.

도 12를 참조하면, 기준전압 라인(RVL1, RVL2, RVL3, ..., RVL2N)이 게이트라인(GL)과 평행한 가로방향으로 배치된 경우, 게이트 구동부(130)는, 모든 게이트라인(GL1~GL2N)으로 스캔신호(SCAN1, SCAN2, ... , SCAN2N)를 출력한다.Referring to FIG. 12, when the reference voltage lines RVL1, RVL2, RVL3,..., RVL2N are arranged in the horizontal direction parallel to the gate line GL, the gate driver 130 may include all the gate lines GL1. Scan signals SCAN1, SCAN2, ..., SCAN2N are outputted as ~ GL2N).

또한, 데이터 구동부(120)는, 1 번째 데이터라인(DL1)으로만 문턱전압 센싱용도의 데이터전압을 출력하고, 나머지 데이터라인(DL2~DL4M)으로는 블랙 데이터전압(즉, 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압보다 낮은 전압)을 출력한다. In addition, the data driver 120 outputs the data voltage for threshold voltage sensing only to the first data line DL1, and the black data voltage (that is, the driving transistor DT) to the remaining data lines DL2 to DL4M. Output voltage lower than the threshold voltage).

이에 따라, 센싱 열(Sensing Column)에 해당하는 1 번째 화소 열(Pixel Column)에 배치된 화소들만이 1 번째 데이터라인(DL1)을 통해 문턱전압 센싱 용도의 데이터전압을 공급받는다. Accordingly, only pixels arranged in the first pixel column corresponding to the sensing column receive the data voltage for the threshold voltage sensing through the first data line DL1.

따라서, 1 번째 화소 열(Pixel Column)에 배치된 화소들 각각에 포함된 모든 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압(Vsen(1), Vsen(2), ... , Vsen(2N))이 동시에 센싱될 수 있으며, 센싱된 전압(Vsen(1), Vsen(2), ... , Vsen(2N))과 데이터전압 간의 차이로부터, 1 번째 화소 열(Pixel Column)에 배치된 화소들 각각에 포함된 모든 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압을 동시에 센싱할 수 있다. Accordingly, the voltages Vsen (1), Vsen (2), ..., Vsen of the first node N1 of all the driving transistors DT included in each of the pixels arranged in the first pixel column. (2N)) can be sensed at the same time, and from the difference between the sensed voltages Vsen (1), Vsen (2), ..., Vsen (2N) and the data voltage, the first pixel column Threshold voltages of all driving transistors DT included in each of the pixels may be simultaneously sensed.

이렇게, 1 번째 화소 열(Pixel Column)에 배치된 화소들 각각에 포함된 모든 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압이 동시에 센싱된 이후, 동일한 방식으로, 2 번째 화소 열(Pixel Column)에 배치된 화소들 각각에 포함된 모든 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱하기 위하여, 게이트 구동부(130)는, 모든 게이트라인(GL1~GL2N)으로 스캔신호(SCAN1, SCAN2, ... , SCAN2N)를 출력하고, 데이터 구동부(120)는, 1 번째 데이터라인(DL2)으로만 문턱전압 센싱용도의 데이터전압을 출력하고, 나머지 데이터라인(DL1, DL3~DL4M)으로는 블랙 데이터전압(즉, 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압보다 낮은 전압)을 출력하여, 2 번째 화소 열(Pixel Column)에 배치된 화소들 각각에 포함된 모든 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압을 동시에 센싱할 수 있다. In this way, after the threshold voltages of all the driving transistors DT included in each of the pixels arranged in the first pixel column are sensed at the same time, the pixels arranged in the second pixel column in the same manner. In order to sense threshold voltages of all driving transistors DT included in each of the gate transistors, the gate driver 130 outputs scan signals SCAN1, SCAN2,..., SCAN2N to all gate lines GL1 to GL2N. The data driver 120 outputs the data voltage for threshold voltage sensing only to the first data line DL2, and the black data voltage (that is, the driving transistor) to the remaining data lines DL1, DL3 to DL4M. A threshold voltage lower than the threshold voltage of DT) may be output to simultaneously sense the threshold voltages of all the driving transistors DT included in each of the pixels arranged in the second pixel column.

이러한 센싱 방식에 따라, 모든 화소열에 배치된 화소들 각각에 포함된 모든 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱할 수 있다. According to this sensing method, the threshold voltages of all the driving transistors DT included in each of the pixels arranged in all the pixel columns may be sensed.

전술한 바와 같이, 기준전압 라인(RVL)이 게이트라인(GL)과 평행한 방향으로 배치된 경우, 문턱전압 센싱은 화소 열 단위별로 이루어진다. 이를 "컬럼 바이 컬럼(Column by Column) 방식"이라고 한다. As described above, when the reference voltage line RVL is disposed in a direction parallel to the gate line GL, threshold voltage sensing is performed for each pixel column. This is called a "column by column method".

한편, 도 13을 참조하면, 기준전압 라인(RVL)이 데이터라인(DL)과 평행한 방향으로 배치된 경우, 스캔신호(SCAN)를 화소 행마다 순차적으로 공급하여, 스캔신호(SCAN)가 공급된 화소 행에 배치된 모든 화소들에 포함된 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압을 동시에 센싱할 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 13, when the reference voltage line RVL is disposed in a direction parallel to the data line DL, the scan signal SCAN is sequentially supplied for each pixel row, so that the scan signal SCAN is supplied. The threshold voltages of the driving transistors DT included in all the pixels arranged in the pixel rows may be sensed at the same time.

즉, 도 13을 참조하면, 게이트 구동부(130)는, 스캔신호(SCAN1)를 1번째 게이트라인(GL1)으로 출력한다. 이에 따라, 센싱 행(Sensing Row)에 해당하는 1 번째 화소 행에 배치된 모든 화소들은 1번째 게이트라인(GL1)을 통해 스캔신호(SCAN1)를 공급받는다. 그리고, 데이터구동부(120)는, 모든 데이터라인(DL1~DL4M)으로 문턱전압 센싱 용도의 데이터전압을 출력한다. That is, referring to FIG. 13, the gate driver 130 outputs the scan signal SCAN1 to the first gate line GL1. Accordingly, all pixels arranged in the first pixel row corresponding to the sensing row receive the scan signal SCAN1 through the first gate line GL1. The data driver 120 outputs a data voltage for threshold voltage sensing to all data lines DL1 to DL4M.

이에 따라, 데이터라인(DL)과 평행한 방향으로 배치된 모든 기준전압 라인(..., RVLi, ... , RVLj, ...)과 각각 연결된 아날로그 디지털 컨버터(820)에 의해, 센싱 행(Sensing Row)에 해당하는 1 번째 화소 행에 배치된 모든 화소들에 포함된 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압(..., Vsen(i), ... , Vsen(j), ...)이 동시에 센싱되어, 문턱전압이 동시에 센싱할 수 있다. Accordingly, the sensing row is performed by the analog-to-digital converter 820 connected to all reference voltage lines (..., RVLi, ..., RVLj, ...) arranged in parallel with the data line DL. The voltages (..., Vsen (i), ..., Vsen (1) of the first node N1 of the driving transistor DT included in all pixels arranged in the first pixel row corresponding to (Sensing Row). j), ...) are sensed at the same time, the threshold voltage can be sensed at the same time.

이후, 2 번째 화소 행을 센싱 행(Sensing Row)으로 하여, 2 번째 화소 행에 배치된 모든 화소들에 포함된 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압을 동시에 센싱할 수 있다. 이러한 방식으로 모든 화소 행에 배치된 모든 화소들에 포함된 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압을 센싱하게 된다. Subsequently, the threshold voltage of the driving transistor DT included in all the pixels arranged in the second pixel row may be simultaneously sensed using the second pixel row as the sensing row. In this manner, the threshold voltages of the driving transistors DT included in all the pixels arranged in all the pixel rows are sensed.

전술한 바와 같이, 기준전압 라인(RVL)이 데이터라인(DL)과 평행한 방향으로 배치된 경우, 문턱전압 센싱은 화소 행(Pixel Row) 단위별로 이루어진다. 이를 "로우 바이 로우(Row by Row) 방식"이라고 한다. As described above, when the reference voltage line RVL is disposed in a direction parallel to the data line DL, the threshold voltage sensing is performed for each pixel row. This is called a "row by row" method.

도 11 내지 도 13을 참조하여 설명한 하이브리드 타입 구동 모드의 문턱전압 외부 보상 프로세스 이후, 이동도 내부 보상 프로세스가 진행될 수 있으며, 이에 대하여 도 14를 참조하여 설명한다. After the threshold voltage external compensation process of the hybrid type driving mode described with reference to FIGS. 11 to 13, the mobility internal compensation process may proceed, which will be described with reference to FIG. 14.

도 14는 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소가 하이브리드 타입 구동 모드로 동작할 때, 이동도 내부 보상 프로세스를 위한 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 14 is a diagram for describing a driving method for a mobility internal compensation process when a pixel having a pixel structure according to a second embodiment operates in a hybrid type driving mode.

도 14의 (a)는 하이브리드 타입 구동 모드의 이동도 내부 보상 프로세스를 설명하기 위해 도 8 및 도 9의 화소 구조의 개념이 모두 적용되는 화소 구조의 등가회로도이고, 도 14의 (b)는 도 14의 (a)의 화소 구조를 갖는 화소의 이동도 내부 보상 프로세스를 위한 구동 타이밍도이다. FIG. 14A is an equivalent circuit diagram of a pixel structure to which the concept of the pixel structure of FIGS. 8 and 9 is applied to explain the mobility internal compensation process of the hybrid type driving mode, and FIG. 14B is a diagram of FIG. The mobility of a pixel having the pixel structure of Fig. 14A is a drive timing diagram for an internal compensation process.

도 14의 (a) 및 (b)를 참조하면, 이동도 내부 보상 프로세스는 초기화 단계(S1410), 기록 단계(S1420), 이동도(μ) 보상 단계(S1430), 발광 단계(S1440) 등으로 이루어진다. Referring to FIGS. 14A and 14B, the mobility internal compensation process may include an initialization step S1410, a recording step S1420, a mobility compensation step S1430, a light emission step S1440, and the like. Is done.

도 14의 (a) 및 (b)를 참조하면, 이동도 내부 보상 프로세스의 초기화 단계(S1410)에서는, 스캔신호(SCAN)의 하이레벨로 인가하여 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)를 온 상태로 만들고, 스위치(810)를 온 시켜, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)를 기준전압(Vref)으로 초기화시키고, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)를 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)으로 초기화시킨다.Referring to (a) and (b) of FIG. 14, in the initialization step S1410 of the mobility internal compensation process, the first transistor T1 and the second transistor T2 are applied to the high level of the scan signal SCAN. ) Is turned on, the switch 810 is turned on, the first node N1 of the driving transistor DT is initialized to the reference voltage Vref, and the second node N2 of the driving transistor DT is reset. Initialize to data voltage Vdata of Initial Level.

여기서, 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)은 기준전압(Vref)와 동일할 수 있다. Here, the data voltage Vdata of the initial level may be equal to the reference voltage Vref.

도 14의 (a) 및 (b)를 참조하면, 이동도 내부 보상 프로세스의 기록 단계(S1420)에서는, 스캔신호(SCAN)는 하이레벨로 유지되고, 데이터전압이 기록 레벨로 높아진다. 이때, 스위치(810)는 기준전압 라인(RVL)과 기준전압 공급부(840)를 연결하는 계속 온 상태이다. Referring to FIGS. 14A and 14B, in the writing step S1420 of the mobility internal compensation process, the scan signal SCAN is maintained at a high level, and the data voltage is raised to the writing level. At this time, the switch 810 is continuously turned on to connect the reference voltage line RVL and the reference voltage supply unit 840.

이에 따라, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)의 전압이 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)에서 기록레벨(Writing Level)의 데이터전압(Vdata)으로 높아진다. 이때, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압은 기준전압(Vref)으로 유지된다. Accordingly, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DT is increased from the data voltage Vdata of the initial level to the data voltage Vdata of the writing level. At this time, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT is maintained as the reference voltage Vref.

도 14의 (a) 및 (b)를 참조하면, 이동도 내부 보상 프로세스의 이동도 보상 단계(S1430)에서는, 스캔신호(SCAN)는 하이레벨로 유지되고, 데이터전압(Vdata)은 기록레벨로 유지된다. 그리고, 이때, 스위치(810)는 기준전압 라인(RVL)과 아날로그 디지털 컨버터(820)를 연결하는 오프 상태가 된다. Referring to FIGS. 14A and 14B, in the mobility compensation step S1430 of the mobility internal compensation process, the scan signal SCAN is maintained at a high level, and the data voltage Vdata is maintained at a write level. maintain. In this case, the switch 810 is turned off to connect the reference voltage line RVL and the analog-digital converter 820.

이에 따라, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)가 플로팅 되어, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압은, 소스 팔로잉(Source Following) 현상에 의해, 상승한다. Accordingly, the first node N1 of the driving transistor DT is floated, and the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT rises due to a source following phenomenon.

구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하여 포화가 되기 이전에, 스캔신호(SCAN)를 로우 레벨로 떨어뜨려, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)도 플로팅 시킨다. Before the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT rises and becomes saturated, the scan signal SCAN is dropped to a low level, so that the second node N2 of the driving transistor DT is also floated. .

이에 따라, 발광 단계(S1440)가 진행되어, 캐패시터 커플링(Capacitor Coupling) 현상에 의해 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)의 전압이 동시에 상승하고, 이에 따라, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 기저전압(VSS)보다 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(OLED Vth)만큼 높아지게 되면, 그때부터, 유기발광다이오드(OLED)로 전류가 흐리기 시작하여, 유기발광다이오드(OLED)가 발광한다. Accordingly, the light emission step S1440 is performed to increase the voltages of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DT at the same time by a capacitor coupling phenomenon. When the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT becomes higher than the base voltage VSS by the threshold voltage OLED Vth of the organic light emitting diode OLED, from then on, the current is transmitted to the organic light emitting diode OLED. Begins to cloud, and the organic light emitting diode OLED emits light.

아래에서는, 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소가 문턱전압 및 이동도 모두들 내부 보상(실시간 보상)을 하는 풀 타입(Full Type) 구동모드로 동작하는 경우에 대하여 도 15를 참조하여 설명한다. Hereinafter, a case in which the pixel having the pixel structure according to the second embodiment operates in a full type driving mode that performs internal compensation (real time compensation) for both threshold voltage and mobility will be described with reference to FIG. 15. do.

풀 타입 구동모드는, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)에 초기화레벨(Initial Level)의 데이터전압(Vdata)이 인가될 때, 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)이 보상되는 "문턱전압 내부 보상 프로세스"와, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)에 기록레벨(Writing Level)의 데이터전압(Vdata)이 인가될 때, 구동트랜지스터(DT)의 이동도(μ)가 보상되는 "이동도 내부 보상 프로세스"로 이루어진다. In the full type driving mode, when the data voltage Vdata of the initial level is applied to the second node N2 of the driving transistor DT, the threshold voltage Vth of the driving transistor DT is compensated. When the threshold voltage internal compensation process and the data voltage Vdata of the writing level are applied to the second node N2 of the driving transistor DT, the mobility μ of the driving transistor DT is applied. Is made up of a "mobility internal compensation process" in which is compensated.

이러한 풀 타입 구동모드를 위해, 기준전압 라인(RVL)은, 제2방향(가로방향)으로 표시패널(110)에 형성되어 있어야 한다. For this full type driving mode, the reference voltage line RVL should be formed in the display panel 110 in the second direction (horizontal direction).

도 15는 제2실시예에 따른 화소 구조를 갖는 화소가 풀 타입 구동 모드로 동작할 때, 문턱전압 내부 보상 및 이동도 내부 보상 프로세스를 위한 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 15 is a diagram for describing a driving method for a threshold voltage internal compensation and mobility internal compensation process when a pixel having a pixel structure according to a second embodiment operates in a full type driving mode.

도 15의 (a)는, 도 8 및 도 9의 화소 구조가 모두 적용되는 화소 구조의 등가회로도이고, 도 15의 (b)는, 도 15의 (a)의 화소 구조를 갖는 화소가 풀 타입 구동 모드로 동작하는 경우의 구동 타이밍도이다. FIG. 15A is an equivalent circuit diagram of a pixel structure to which both the pixel structures of FIGS. 8 and 9 are applied, and FIG. 15B is a full type pixel having the pixel structure of FIG. It is a drive timing diagram when operating in a drive mode.

도 15의 (a) 및 (b)를 참조하면, 풀 타입 구동모드의 "문턱전압 내부 보상 프로세스"와 "이동도 내부 보상 프로세스"는 데이터전압 인가와 관련되어 실시간으로 함께 진행될 수 있다. 따라서, 아래에서는, 문턱전압 내부 보상 프로세스와 이동도 내부 보상 프로세스 구분없이 설명한다. Referring to FIGS. 15A and 15B, the "threshold voltage internal compensation process" and the "mobility internal compensation process" of the full-type driving mode may be performed together in real time with respect to data voltage application. Therefore, the following description will be given without distinguishing between the threshold voltage internal compensation process and the mobility internal compensation process.

도 15의 (a) 및 (b)를 참조하면, 풀 타입 구동모드는 초기화 단계(S1510), 문턱전압 보상 단계(S1520), 기록 및 이동도 보상 단계(S1530) 및 발광 단계(S1540)로 진행된다. Referring to FIGS. 15A and 15B, the full type driving mode proceeds to an initialization step S1510, a threshold voltage compensation step S1520, a recording and mobility compensation step S1530, and a light emission step S1540. do.

도 15의 (a) 및 (b)를 참조하면, 풀 타입 구동모드의 초기화 단계(S1510)에서, 스캔신호(SCAN)는 하이레벨로 공급되고, 데이터전압(Vdata)는 초기화레벨로 공급된다. 그리고, 이때, 스위치(810)는 온 되어, 기준전압 라인(RVL)과 기준전압 공급부(840)이 연결되어 기준전압 공급노드(Nref)로 기준전압(Vref)이 공급된다. Referring to FIGS. 15A and 15B, in the initialization step S1510 of the full type driving mode, the scan signal SCAN is supplied at a high level, and the data voltage Vdata is supplied at an initialization level. In this case, the switch 810 is turned on, and the reference voltage line RVL and the reference voltage supply unit 840 are connected to supply the reference voltage Vref to the reference voltage supply node Nref.

스캔신호(SCAN)가 하이레벨로 공급됨에 따라, 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)가 온 상태로 되어, 제2트랜지스터(T2)를 통해 초기화레벨의 데이터전압이 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)로 인가된다. As the scan signal SCAN is supplied at a high level, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on, and the data voltage of the initialization level is transferred through the second transistor T2 to the driving transistor DT. Is applied to the second node N2.

또한, 기준전압 공급노드(Nref)로 공급된 기준전압(Vref)은, 온 상태의 제1트랜지스터(T1)를 통해, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)로 인가된다. In addition, the reference voltage Vref supplied to the reference voltage supply node Nref is applied to the first node N1 of the driving transistor DT through the first transistor T1 in the on state.

따라서, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)는, 기준전압(Vref) 및 초기화레벨의 데이터전압(Vdata)로 초기화된다. 기준전압(Vref) 및 초기화레벨의 데이터전압(Vdata)는, 서로 다른 전압 값일 수 있다.Therefore, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DT are initialized with the reference voltage Vref and the data voltage Vdata of the initialization level. The reference voltage Vref and the data voltage Vdata of the initialization level may be different voltage values.

도 15의 (a) 및 (b)를 참조하면, 풀 타입 구동모드의 초기화 단계(S1510) 이후, 문턱전압 보상 단계(S1520)에서, 스캔신호(SCAN)는 하이레벨로 유지되어 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)는 온 상태를 유지한다. 따라서, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)의 전압은, 초기화레벨의 데이터전압으로 유지된다. Referring to FIGS. 15A and 15B, after the initialization step S1510 of the full type driving mode, in the threshold voltage compensation step S1520, the scan signal SCAN is maintained at a high level so that the first transistor T1) and the second transistor T2 remain on. Therefore, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DT is maintained at the data voltage of the initialization level.

하지만, 스위치(810)이 오프 상태로 되어, 기준전압 공급노드(Nref)로 기준전압(Vref)이 공급되지 않아, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)가 플로팅 된다. However, since the switch 810 is turned off and the reference voltage Vref is not supplied to the reference voltage supply node Nref, the first node N1 of the driving transistor DT is floated.

이에 따라, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압은, 소스 팔로잉(Source Following) 현상에 의해 상승한다. Accordingly, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT rises due to a source following phenomenon.

이러한 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압 상승은, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)의 전압에서 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압을 뺀 전압 값까지 이루어지고, 그 이후는 포화 상태가 되어, 문턱전압 보상 동작이 수행된다. The voltage rise of the first node N1 of the driving transistor DT is made up to a voltage value obtained by subtracting the threshold voltage of the driving transistor DT from the voltage of the second node N2 of the driving transistor DT. After that, the saturation state is performed, and the threshold voltage compensation operation is performed.

도 15의 (a) 및 (b)를 참조하면, 풀 타입 구동모드의 문턱전압 보상 단계(S1520) 이후, 기록 및 이동도 보상 단계(S1530)에서는, 스캔신호(SCAN)는 하이레벨로 유지되고, 스위치(810)도 오프 상태로 유지되지만, 데이터전압(Vdata)이 초기화레벨에서 기록레벨로 높아진다. Referring to FIGS. 15A and 15B, after the threshold voltage compensation step S1520 of the full type driving mode, in the recording and mobility compensation step S1530, the scan signal SCAN is maintained at a high level. The switch 810 is also kept off, but the data voltage Vdata is raised from the initialization level to the writing level.

이에 따라, 구동트랜지스터(DT)의 제2노드(N2)의 전압이 초기화레벨의 데이터전압에서 기록레벨의 데이터전압으로 높아지게 되고, 플로팅 되어 있는 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 소스 팔로잉(Source Following) 현상에 의해 상승한다. Accordingly, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DT is increased from the data voltage of the initialization level to the data voltage of the writing level, and the voltage of the first node N1 of the floating driving transistor DT is floated. It rises by this source following phenomenon.

구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하다고 포화 되기 이전에, 스캔신호(SCAN)를 로우베렐로 떨어뜨려, 발광단계(S1540)가 진행되도록 한다. Before the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT rises to saturate, the scan signal SCAN is dropped to the low berel to allow the light emitting step S1540 to proceed.

이와 같은 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압 상승폭(△V)은 구동트랜지스터(DT)의 이동도에 비례하여 커진다. The voltage rising width? V of the first node N1 of the driving transistor DT is increased in proportion to the mobility of the driving transistor DT.

도 15의 (a) 및 (b)를 참조하면, 발광단계(S1540)에서는, 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)가 모두 오프 상태이므로, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)가 모두 플로팅 되어, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)의 전압이 캐패시터 커플링(Capacitor Coupling) 현상에 의해 동반 상승하다가 유기발광다이오드(OLED)가 발광한다. Referring to FIGS. 15A and 15B, since the first transistor T1 and the second transistor T2 are both turned off in the light emitting step S1540, the first node of the driving transistor DT may be formed. N1) and the second node N2 are both floating, so that the voltages of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DT rise together due to the capacitor coupling phenomenon, The light emitting diode OLED emits light.

한편, 제1실시예 및 제2실시예에서 문턱전압 센싱을 위한 문턱전압 센싱 시간(tsense)은, 문턱전압 센싱이 가능한 시간으로서, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)가 플로팅 되어, 구동트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하는 시점에서 전압이 포화 되는 시점까지의 시간(임계시간)보다는 최소한 길어야 한다. Meanwhile, in the first and second embodiments, the threshold voltage sensing time tsense for sensing the threshold voltage is a time at which the threshold voltage is sensed, and the first node N1 of the driving transistor DT is floated. It should be at least longer than the time (critical time) from the time when the voltage of the first node N1 of the driving transistor DT rises to the time when the voltage is saturated.

따라서, 문턱전압 센싱 시간(tsense)이 임계시간보다 짧으면, 정확한 문턱전압이 센싱되지 못하고, 문턱전압 센싱 시간(tsense)이 임계시간보다 길면, 문턱전압을 센싱하는데 불필요할 정도로 시간이 오래 걸리게 된다. Therefore, when the threshold voltage sensing time tsense is shorter than the threshold time, the accurate threshold voltage is not sensed, and when the threshold voltage sensing time tsense is longer than the threshold time, it takes a long time that is unnecessary to sense the threshold voltage.

이에 따라, 문턱전압 센싱 시간(tsense)을 어떻게 조절하느냐에 따라 문턱전압 센싱 및 보상 능력이 달라질 수 있다. Accordingly, the threshold voltage sensing and compensation capability may vary depending on how to adjust the threshold voltage sensing time tsense.

한편, 문턱전압 센싱 시간은, 제1실시예와, 제2실시예의 풀 타입 구동 모드의 경우, 제3트랜지스터(T3)를 오프 상태로 만들기 위해 기준제어신호(RCS)가 로우레벨로 떨어지는 시점 또는 스위치(810)가 오프 되는 시점에서 데이터전압이 기록레벨로 높아지는 시점까지이다. On the other hand, the threshold voltage sensing time is the time when the reference control signal RCS falls to the low level in order to turn off the third transistor T3 in the full type driving mode of the first embodiment and the second embodiment, or From the time when the switch 810 is turned off until the time when the data voltage rises to the write level.

또한, 제2실시예의 하이브리드 타입의 구동 모드의 경우, 문턱전압 센싱 시간은, 스위치(810)가 오프 된 시점부터 스캔신호(SCAN)가 로우레벨로 떨어지는 시점까지이다. In addition, in the hybrid type driving mode of the second embodiment, the threshold voltage sensing time is from the time when the switch 810 is turned off to the time when the scan signal SCAN falls to a low level.

따라서, 문턱전압을 정확하고 빨리 센싱하기 위해서는, 기준제어신호(RCS)의 인가 타이밍(즉, 전압레벨 변경 타이밍) 또는 스위치(810)의 온 오프 타이밍, 스캔신호(SCAN)의 인가 타이밍(즉, 전압 레벨 변경 타이밍)을 효율적으로 제어할 필요가 있다. Accordingly, in order to sense the threshold voltage accurately and quickly, the application timing of the reference control signal RCS (ie, the voltage level change timing) or the on / off timing of the switch 810 and the application timing of the scan signal SCAN (ie, Voltage level change timing).

도 16은 실시예들에 따른 문턱전압 센싱 능력을 보여주는 도면이다. 16 illustrates a threshold voltage sensing capability according to embodiments.

도 16의 그래프에서, x축은 문턱전압 편차의 5가지 경우이고, y축은 실제의 문턱전압에 대하여 실제로 센싱된 문턱전압의 편차를 나타낸다. In the graph of FIG. 16, the x axis represents five cases of threshold voltage deviation, and the y axis represents the deviation of the actually sensed threshold voltage with respect to the actual threshold voltage.

도 16을 참조하면, 본 실시예들에 따라 문턱전압 센싱시간을 충분히 길게 제어하는 경우, 화소 간의 문턱전압 편차(△Vth)를 대략 99% 수준으로 센싱할 수 있다는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 문턱전압 편차 보상도 동시에 99% 수준 이상으로 가능해질 수 있다. Referring to FIG. 16, when the threshold voltage sensing time is sufficiently controlled according to the present embodiments, it can be seen that the threshold voltage deviation ΔVth between pixels can be sensed at approximately 99%. Accordingly, threshold voltage deviation compensation may be enabled at the same time as 99% or more.

도 17은 이동도 보상 능력을 보여주는 도면이다. 17 is a diagram showing mobility compensation capability.

도 17의 그래프에서 x축은 이동도 변동 수치이고, y축은 구동트랜지스터(DT)가 흘리고자 하는 기준전류(2.160μA)에 대하여 실제로 얼마의 전류를 흐르게 하느냐에 대한 전류 편차(%)이다. In the graph of FIG. 17, the x-axis is a mobility variation value, and the y-axis is a current deviation (%) of how much current actually flows with respect to the reference current (2.160 μA) to which the driving transistor DT is to flow.

도 17을 참조하면, 20% 이동도 변동에 대하여, ±3% 이내의 편차로 이동도 보상이 가능해진다는 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 17, it can be seen that mobility compensation can be performed with a variation within ± 3% for a 20% mobility change.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 정확하고 효율적으로 보상해줄 수 있는 유기발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, there is an effect of providing an organic light emitting display device capable of accurately and efficiently compensating the threshold voltage and mobility of a driving transistor.

또한, 본 발명에 의하면, 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 실시간으로 내부 보상해줄 수 있는 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, there is an effect of providing an organic light emitting display device having a pixel structure capable of internally compensating the threshold voltage and mobility of the driving transistor in real time.

또한, 본 발명에 의하면, 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 정확하고 효율적으로 보상해주면서도, 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)의 게이트노드에 스캔신호를 하나의 게이트라인을 통해 공급함으로써, 게이트라인의 개수가 감소하여 그만큼 개구율을 높여줄 수 있는 화소 구조를 갖는 유기발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, the scan signal is applied to the gate nodes of the first transistor T1 and the second transistor T2 through one gate line while compensating the threshold voltage and mobility of the driving transistor accurately and efficiently. By supplying, there is an effect of providing an organic light emitting display device having a pixel structure in which the number of gate lines is reduced and the aperture ratio is increased accordingly.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description and the accompanying drawings are merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may combine the configurations without departing from the essential characteristics of the present invention. Various modifications and variations may be made, including separation, substitution, and alteration. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 유기발광표시장치 110: 표시패널
120: 데이터 구동부 130: 게이트 구동부
140: 타이밍 컨트롤러
100: organic light emitting display device 110: display panel
120: data driver 130: gate driver
140: timing controller

Claims (13)

제1방향으로 데이터라인이 형성되고 제2방향으로 게이트라인이 형성되어 다수의 화소가 정의된 표시패널;
상기 데이터라인을 통해 데이터전압을 공급하는 데이터 구동부;
상기 게이트라인을 통해 스캔신호를 공급하는 게이트 구동부; 및
상기 데이터 구동부 및 상기 게이트 구동부의 구동 타이밍을 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하되,
상기 다수의 화소 각각은, 유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동트랜지스터와, 상기 스캔신호에 의해 제어되며 기준전압이 공급되는 기준전압 공급노드와 상기 구동트랜지스터의 제1노드 사이에 연결되는 제1트랜지스터와, 상기 스캔신호에 의해 제어되며 상기 데이터라인과 상기 구동트랜지스터의 제2노드 사이에 연결되는 제2트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 연결되는 스토리지 캐패시터를 포함하고,
상기 기준전압 공급노드로의 기준전압의 공급을 스위칭하는 스위칭소자를 더 포함하고, 기준제어신호에 의해 제어되며, 상기 기준전압을 공급하는 기준전압 라인과 상기 기준전압 공급노드 사이에 제3트랜지스터가 상기 스위칭 소자로서 상기 기준전압 공급노드에 연결된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
A display panel in which a data line is formed in a first direction and a gate line is formed in a second direction to define a plurality of pixels;
A data driver supplying a data voltage through the data line;
A gate driver supplying a scan signal through the gate line; And
A timing controller configured to control driving timing of the data driver and the gate driver;
Each of the plurality of pixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a reference voltage supply node controlled by the scan signal and supplied with a reference voltage, and a first node of the driving transistor. A first transistor to be connected, a second transistor controlled by the scan signal and connected between the data line and a second node of the driving transistor, and storage connected between the first node and the second node of the driving transistor. Including a capacitor,
A switching device for switching the supply of the reference voltage to the reference voltage supply node, further controlled by a reference control signal, the third transistor between the reference voltage line and the reference voltage supply node for supplying the reference voltage And an organic light emitting display device connected to the reference voltage supply node as the switching element.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제3트랜지스터는,
각 화소마다 1개씩 배치되거나, 각 화소 열마다 1개씩 배치되거나, 각 화소 열에서 2 이상의 화소마다 1개씩 배치되거나, 각 화소 행마다 1개씩 배치되거나, 각 화소 행에서 2 이상의 화소마다 1개씩 배치되는 것 을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
The third transistor,
One for each pixel, one for each pixel column, one for each two or more pixels in each pixel column, one for each pixel row, or one for each two or more pixels in each pixel row An organic light emitting display device, characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 표시패널에는 상기 제3트랜지스터의 게이트 노드에 상기 기준제어신호를 공급하는 기준제어신호 라인이 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
And a reference control signal line for supplying the reference control signal to the gate node of the third transistor.
제4항에 있어서,
상기 기준제어신호 라인은,
하나의 화소 행마다 상기 제2방향으로 1개씩 배치되거나, 둘 이상의 화소 행마다 상기 제2방향으로 1개씩 공통으로 배치되거나, 또는, 하나의 화소 열마다 상기 제1방향으로 1개씩 배치되거나, 둘 이상의 화소 열마다 상기 제1방향으로 1개씩 공통으로 배치되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
The method of claim 4, wherein
The reference control signal line,
One pixel row is disposed one in the second direction, one pixel row is disposed one in the second direction, or one pixel column is disposed one in the first direction, or two The organic light emitting display device of claim 1, wherein one pixel column is disposed in common in the first direction.
제1항에 있어서,
상기 다수의 화소 각각은,
초기화 단계, 기록 단계, 이동도 보상 단계 및 발광 단계로 이루어진 제1 구동모드로 동작하거나, 초기화 단계, 문턱전압 보상 단계, 기록 및 이동도 보상 단계 및 발광 단계로 이루어진 제2 구동모드로 동작하되,
상기 기준제어신호는 상기 제1 구동모드 또는 상기 제2 구동모드의 초기화 단계에서 공급되어 상기 제3트랜지스터를 온 시켜 상기 구동트랜지스터의 제1노드를 상기 기준전압으로 초기화시키는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
Each of the plurality of pixels,
Operate in a first drive mode comprising an initialization step, a recording step, a mobility compensation step, and a light emission step, or operate in a second drive mode including an initialization step, a threshold voltage compensation step, a recording and mobility compensation step, and a light emission step,
The reference control signal is supplied in an initialization step of the first driving mode or the second driving mode to turn on the third transistor to initialize the first node of the driving transistor to the reference voltage. Device.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기준전압 라인은,
상기 제1방향 또는 상기 제2방향으로 상기 표시패널에 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
The reference voltage line,
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the display panel is formed in the display panel in the first direction or the second direction.
제1방향으로 데이터라인이 형성되고 제2방향으로 게이트라인이 형성되어 다수의 화소가 정의된 표시패널;
상기 데이터라인을 통해 데이터전압을 공급하는 데이터 구동부;
상기 게이트라인을 통해 스캔신호를 공급하는 게이트 구동부; 및
상기 데이터 구동부 및 상기 게이트 구동부의 구동 타이밍을 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하되,
상기 다수의 화소 각각은, 유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동트랜지스터와, 상기 스캔신호에 의해 제어되며 기준전압이 공급되는 기준전압 공급노드와 상기 구동트랜지스터의 제1노드 사이에 연결되는 제1트랜지스터와, 상기 스캔신호에 의해 제어되며 상기 데이터라인과 상기 구동트랜지스터의 제2노드 사이에 연결되는 제2트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 연결되는 스토리지 캐패시터를 포함하고,
상기 기준전압 공급노드로의 기준전압의 공급을 스위칭하는 스위칭소자를 더 포함하고,
상기 기준전압 공급노드에 기준전압 라인이 연결되고, 상기 기준전압 라인을 아날로그 디지털 컨버터 또는 기준전압 공급부와 연결시키는 스위치를 상기 스위칭 소자로서 포함하고,
상기 다수의 화소 각각은,
상기 아날로그 디지털 컨버터에 의한 문턱전압 센싱과 상기 전압 센싱 결과에 따른 데이터 변경 처리를 통해 상기 구동트랜지스터의 문턱전압이 보상되는 문턱전압 외부 보상 프로세스와, 상기 구동트랜지스터의 제2노드에 기록레벨의 상기 데이터전압이 인가될 때, 상기 구동트랜지스터의 이동도가 보상되는 이동도 내부 보상 프로세스로 이루어지는 하이브리드 타입 구동 모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
A display panel in which a data line is formed in a first direction and a gate line is formed in a second direction to define a plurality of pixels;
A data driver supplying a data voltage through the data line;
A gate driver supplying a scan signal through the gate line; And
A timing controller configured to control driving timing of the data driver and the gate driver;
Each of the plurality of pixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a reference voltage supply node controlled by the scan signal and supplied with a reference voltage, and a first node of the driving transistor. A first transistor to be connected, a second transistor controlled by the scan signal and connected between the data line and a second node of the driving transistor, and storage connected between the first node and the second node of the driving transistor. Including a capacitor,
Further comprising a switching device for switching the supply of the reference voltage to the reference voltage supply node,
A reference voltage line is connected to the reference voltage supply node, and includes a switch for connecting the reference voltage line with an analog-digital converter or a reference voltage supply unit as the switching element,
Each of the plurality of pixels,
A threshold voltage external compensation process for compensating the threshold voltage of the driving transistor through a threshold voltage sensing by the analog-to-digital converter and a data change process according to the voltage sensing result; And a hybrid type driving mode comprising a mobility internal compensation process in which the mobility of the driving transistor is compensated when a voltage is applied.
제9항에 있어서,
상기 기준전압 라인은,
상기 게이트라인과 평행한 방향으로 배치되거나, 상기 데이터라인과 평행한 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
The method of claim 9,
The reference voltage line,
And an organic light emitting display device disposed in a direction parallel to the gate line or in a direction parallel to the data line.
제10항에 있어서,
상기 기준전압 라인이 상기 게이트라인과 평행한 방향으로 배치된 경우, 문턱전압 센싱은 화소 열 단위별로 순차적으로 이루어지고,
상기 기준전압 라인이 상기 데이터라인과 평행한 방향으로 배치된 경우, 문턱전압 센싱은 화소 행 단위별로 순차적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
The method of claim 10,
When the reference voltage line is disposed in a direction parallel to the gate line, threshold voltage sensing is sequentially performed for each pixel column.
When the reference voltage line is arranged in a direction parallel to the data line, the threshold voltage sensing is sequentially performed for each pixel row unit.
제1방향으로 데이터라인이 형성되고 제2방향으로 게이트라인이 형성되어 다수의 화소가 정의된 표시패널;
상기 데이터라인을 통해 데이터전압을 공급하는 데이터 구동부;
상기 게이트라인을 통해 스캔신호를 공급하는 게이트 구동부; 및
상기 데이터 구동부 및 상기 게이트 구동부의 구동 타이밍을 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하되,
상기 다수의 화소 각각은, 유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동트랜지스터와, 상기 스캔신호에 의해 제어되며 기준전압이 공급되는 기준전압 공급노드와 상기 구동트랜지스터의 제1노드 사이에 연결되는 제1트랜지스터와, 상기 스캔신호에 의해 제어되며 상기 데이터라인과 상기 구동트랜지스터의 제2노드 사이에 연결되는 제2트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 연결되는 스토리지 캐패시터를 포함하고,
상기 기준전압 공급노드로의 기준전압의 공급을 스위칭하는 스위칭소자를 더 포함하고,
상기 기준전압 공급노드에 기준전압 라인이 연결되고, 상기 기준전압 라인을 아날로그 디지털 컨버터 또는 기준전압 공급부와 연결시키는 스위치를 상기 스위칭 소자로서 포함하고,
상기 다수의 화소 각각은,
상기 구동트랜지스터의 제2노드에 초기화레벨의 상기 데이터전압이 인가될 때, 상기 구동트랜지스터의 문턱전압이 보상되는 문턱전압 내부 보상 프로세스와, 상기 구동트랜지스터의 제2노드에 기록레벨의 상기 데이터전압이 인가될 때, 상기 구동트랜지스터의 이동도가 보상되는 이동도 내부 보상 프로세스로 이루어지는 풀 타입 구동 모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
A display panel in which a data line is formed in a first direction and a gate line is formed in a second direction to define a plurality of pixels;
A data driver supplying a data voltage through the data line;
A gate driver supplying a scan signal through the gate line; And
A timing controller configured to control driving timing of the data driver and the gate driver;
Each of the plurality of pixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a reference voltage supply node controlled by the scan signal and supplied with a reference voltage, and a first node of the driving transistor. A first transistor to be connected, a second transistor controlled by the scan signal and connected between the data line and a second node of the driving transistor, and storage connected between the first node and the second node of the driving transistor. Including a capacitor,
Further comprising a switching device for switching the supply of the reference voltage to the reference voltage supply node,
A reference voltage line is connected to the reference voltage supply node, and includes a switch for connecting the reference voltage line with an analog-digital converter or a reference voltage supply unit as the switching element,
Each of the plurality of pixels,
When the data voltage of the initialization level is applied to the second node of the drive transistor, a threshold voltage internal compensation process for compensating the threshold voltage of the drive transistor, and the data voltage of the write level is applied to the second node of the drive transistor. The organic light emitting display device of claim 1, wherein the organic light emitting display device is operated in a full type driving mode including a mobility internal compensation process in which the mobility of the driving transistor is compensated.
제12항에 있어서,
상기 기준전압 라인은,
상기 게이트라인과 평행한 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
The method of claim 12,
The reference voltage line,
And an organic light emitting display device disposed in a direction parallel to the gate line.
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