KR102053593B1 - Movement method of Lift pin and Substrate process apparatus - Google Patents

Movement method of Lift pin and Substrate process apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR102053593B1
KR102053593B1 KR1020170162250A KR20170162250A KR102053593B1 KR 102053593 B1 KR102053593 B1 KR 102053593B1 KR 1020170162250 A KR1020170162250 A KR 1020170162250A KR 20170162250 A KR20170162250 A KR 20170162250A KR 102053593 B1 KR102053593 B1 KR 102053593B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
lift pin
unit
pin unit
supply
Prior art date
Application number
KR1020170162250A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190063286A (en
Inventor
손홍준
Original Assignee
주식회사 테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테스 filed Critical 주식회사 테스
Priority to KR1020170162250A priority Critical patent/KR102053593B1/en
Priority to TW107141127A priority patent/TWI712103B/en
Priority to CN201811432476.7A priority patent/CN109841544B/en
Publication of KR20190063286A publication Critical patent/KR20190063286A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102053593B1 publication Critical patent/KR102053593B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 리프트핀유닛의 이동방법 및 기판처리장치에 대한 것으로서, 기판에 대한 처리공정 중에 리프트핀 홀(hole)로 인해 기판의 하면 또는 상면에 원하지 않는 홀마크 또는 데드존이 발생하는 것을 방지할 수 있는 리프트핀유닛의 이동방법 및 기판처리장치에 대한 것이다.The present invention relates to a method of moving a lift pin unit and a substrate processing apparatus, and to prevent unwanted hole marks or dead zones from occurring on a lower surface or an upper surface of a substrate due to a lift pin hole during a process of processing a substrate. The present invention relates to a method of moving a lift pin unit and a substrate processing apparatus.

Description

리프트핀유닛의 이동방법 및 기판처리장치 {Movement method of Lift pin and Substrate process apparatus}{Movement method of Lift pin and Substrate process apparatus}

본 발명은 리프트핀유닛의 이동방법 및 기판처리장치에 대한 것으로서, 기판에 대한 처리공정 중에 리프트핀 홀(hole)로 인해 기판의 하면 또는 상면에 원하지 않는 홀마크 또는 데드존 등이 발생하는 것을 방지할 수 있는 리프트핀유닛의 이동방법 및 기판처리장치에 대한 것이다.The present invention relates to a method for moving a lift pin unit and a substrate treating apparatus, and prevents unwanted hole marks or dead zones from occurring on the lower or upper surface of the substrate due to the lift pin holes during the processing of the substrate. The present invention relates to a method of moving a lift pin unit and a substrate processing apparatus.

종래의 기판처리장치는 기판의 일면, 예를 들어 기판의 상면에 소정 두께의 박막을 증착하게 된다. 이 경우, 3d-Nand 디바이스 등과 같이 기판에 박막이 복수의 층으로 적층되는 경우에 기판을 보잉(bowing)시킬 수 있다. 기판의 보잉 현상이 발생하게 되면 후속하는 공정에서 기판이 정확한 위치에서 공정이 수행되는 것을 어렵게 하며, 기판을 척킹(chucking)하는 것을 힘들게 할 수 있다. 특히, 기판 처리 공정은 매우 높은 정밀도를 요구하는 작업으로 이루어지는데 기판의 보잉 현상은 이러한 기판 공정의 정밀도를 떨어뜨릴 수 있다.Conventional substrate processing apparatus is to deposit a thin film of a predetermined thickness on one surface, for example, the upper surface of the substrate. In this case, the substrate can be bowed when a thin film is laminated in a plurality of layers, such as a 3d-Nand device. When the boarding phenomenon occurs, it is difficult to perform the process at the correct position of the substrate in a subsequent process, and it may be difficult to chuck the substrate. In particular, the substrate processing process consists of operations requiring very high precision, and the bowing phenomenon of the substrate may reduce the precision of such a substrate process.

도 14은 기판(W)에 박막이 증착되는 경우에 기판(W)의 보잉(bowing) 현상을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 14 is a diagram for describing a bowing phenomenon of the substrate W when a thin film is deposited on the substrate W. FIG.

도 14의 (a)는 상기 기판(W)의 상면에 소정 두께의 박막(102)이 증착되는 경우에 상기 기판(W)에 인장응력(tensile stress)이 작용하는 경우를 도시하며, 도 14의 (b)는 반대로 상기 기판(W)의 상면에 소정 두께의 박막(102)이 증착되는 경우에 상기 기판(W)에 압축응력(compressive stress)이 작용하는 경우를 도시한다. FIG. 14A illustrates a case in which a tensile stress acts on the substrate W when the thin film 102 having a predetermined thickness is deposited on the upper surface of the substrate W. Conversely, (b) illustrates a case in which a compressive stress acts on the substrate W when the thin film 102 having a predetermined thickness is deposited on the upper surface of the substrate W. FIG.

도 14의 (a)와 같이 상기 기판(W)에 인장응력이 작용하면 도면에 도시된 바와 같이 기판(W)이 아래쪽을 향해 보잉하게 되며, 반면에 도 14의 (b)와 같이 상기 기판(W)에 압축응력이 작용하게 되면 상기 기판(W)이 위쪽을 향해 보잉하게 된다. 이 경우, 기판의 보잉 현상을 제거하기 위하여 도 14의 (c)와 같이 기판(W)의 하면에 소정 두께의 박막(104)을 증착하여 보잉 현상을 완화 또는 제거할 수 있다. When a tensile stress acts on the substrate W as shown in FIG. 14A, the substrate W is bowed downward as shown in the drawing, while the substrate (B) as shown in FIG. When the compressive stress acts on W), the substrate W is bowed upward. In this case, in order to remove the bowing phenomenon of the substrate, as shown in FIG. 14C, a thin film 104 having a predetermined thickness may be deposited on the lower surface of the substrate W to alleviate or eliminate the bowing phenomenon.

그런데, 전술한 바와 같이 기판의 하면에 소정의 박막을 증착하는 경우에 기판의 하부에 공정가스공급부가 위치하여 기판의 하면을 향해 공정가스를 공급하여 증착하게 된다. 이때, 전술한 공정가스공급부에 기판을 로딩 또는 언로딩시키는 리프트핀(lift pin)의 이동을 위한 리프트핀 홀이 위치할 수 있다.However, as described above, in the case of depositing a predetermined thin film on the lower surface of the substrate, the process gas supply unit is positioned below the substrate to supply the process gas toward the lower surface of the substrate and deposit the same. At this time, the lift pin hole for the movement of the lift pin (load pin) for loading or unloading the substrate in the above-described process gas supply unit may be located.

이와 같이 기판의 하부에 리프트핀 홀이 형성되는 경우에 홀이 형성된 위치에 공정가스의 흐름이 원활하지 않게 되어 기판의 하면에 리프트핀 홀이 전사되어 반응이 발생하지 않는 홀마크(hole mark) 또는 데드존 등이 발생할 수 있다. 도 15의 (A)와 (B)는 기판의 하면에 리프트핀 홀에 의한 홀마크 또는 데드존이 형성된 경우를 나타낸 사진이다. 이러한 홀마크 또는 데드존은 기판의 하면 뿐만 아니라 심한 경우에는 기판의 상면에도 발생할 수 있다.As described above, when the lift pin hole is formed at the bottom of the substrate, the flow of the process gas is not smooth at the position where the hole is formed, so that the lift pin hole is transferred to the lower surface of the substrate so that no reaction occurs. Dead zones may occur. 15A and 15B are photographs showing a case where a hole mark or a dead zone is formed by a lift pin hole on a lower surface of a substrate. Such hole marks or dead zones may occur not only on the bottom surface of the substrate, but also on the top surface of the substrate in severe cases.

또한, 기판의 하면에 박막을 증착하는 경우뿐만 아니라 기판의 상면에 박막을 증착하는 경우에도 증착공정을 진행하는 온도가 상대적으로 높은 경우에는 기판의 하부에 리프트핀 홀이 위치하여도 홀 자국으로 인해 기판의 하면 또는 상면에 홀마크 또는 데드존이 발생할 수 있다.In addition, not only when the thin film is deposited on the lower surface of the substrate but also when the thin film is deposited on the upper surface of the substrate, when the deposition process temperature is relatively high, even if the lift pin hole is located under the substrate, Hole marks or dead zones may occur on the bottom or top surfaces of the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판의 하면 또는 상면에 박막을 증착하는 경우에 리프트핀 홀로 인한 홀마크 또는 데드존이 발생하는 것을 방지할 수 있는 리프트핀유닛의 이동방법 및 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention relates to a method of moving a lift pin unit and a substrate treatment capable of preventing occurrence of a hole mark or dead zone due to lift pin holes when a thin film is deposited on a lower surface or an upper surface of a substrate. It is an object to provide a device.

상기와 같은 본 발명의 목적은 기판에 대한 처리공정을 수행하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되어 상기 기판의 가장자리를 지지하는 기판지지링, 상기 기판의 하부에서 상기 기판지지링의 내측에 구비되어 상기 기판을 향해 열 및 상기 처리공정에 필요한 제1 가스 중에 적어도 하나를 공급하는 제1 공급부 및 상기 기판을 상기 기판지지링에 로딩시키거나 상기 기판을 상기 기판지지링에서 언로딩시키는 리프트핀유닛을 구비하고, 상기 리프트핀유닛은 기판을 지지하는 지지핀을 구비하고, 상기 지지핀은 상기 제1 공급부의 반경 방향으로 이동 가능하게 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치에 의해 달성된다.An object of the present invention as described above is provided in the chamber for performing a processing process for a substrate, a substrate support ring provided in the chamber to support the edge of the substrate, the substrate support ring is provided in the lower portion of the substrate inside the And a first supply unit for supplying at least one of heat and a first gas required for the treatment process toward the substrate, and a lift pin unit for loading the substrate into the substrate support ring or unloading the substrate from the substrate support ring. And, the lift pin unit is provided by a substrate processing apparatus, characterized in that provided with a support pin for supporting the substrate, the support pin is provided to be movable in the radial direction of the first supply.

여기서, 상기 제1 공급부에 상기 리프트핀유닛의 이동을 위한 리프트핀홀이 형성되지 않을 수 있다.Here, the lift pin hole for the movement of the lift pin unit may not be formed in the first supply unit.

한편, 상기 리프트핀유닛의 지지핀은 상기 제1 공급부의 반경방향을 따라 이동하여, 상기 기판과 상기 제1 공급부의 상면 사이의 공간에 위치하거나, 또는 상기 기판과 상기 제1 공급부의 상면 사이의 공간에서 벗어날 수 있다.On the other hand, the support pin of the lift pin unit is moved along the radial direction of the first supply portion, located in the space between the substrate and the upper surface of the first supply portion, or between the substrate and the upper surface of the first supply portion You can get out of space.

이때, 상기 리프트핀유닛의 지지핀은 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이의 공간에 배치될 수 있다.In this case, the support pin of the lift pin unit may be disposed in a space between the substrate support ring and the first supply part.

나아가, 상기 리프트핀유닛은 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이의 공간에 대응하여 절곡된 형상을 가질 수 있다.Furthermore, the lift pin unit may have a bent shape corresponding to the space between the substrate support ring and the first supply part.

예를 들어, 상기 리프트핀유닛은 상기 기판을 지지하는 지지핀과, 상기 지지핀에서 수평방향으로 절곡되어 상기 지지핀이 일단부에 형성된 수평바와, 상기 수평바의 타단부에서 수직하게 절곡되어 연장된 수직바를 구비할 수 있다.For example, the lift pin unit includes a support pin for supporting the substrate, a horizontal bar bent in the horizontal direction from the support pin, the support pin being formed at one end, and vertically bent at the other end of the horizontal bar. It can be provided with a vertical bar.

한편, 상기 리프트핀유닛의 지지핀은 상기 기판에 대한 처리공정 시에 상기 기판지지링에 로딩된 상기 기판과 상기 제1 공급부의 상면 사이의 공간에서 벗어나서 위치하며, 상기 기판의 로딩 또는 언로딩 시에 상기 리프트핀유닛의 단부가 상기 기판과 상기 제1 공급부의 상면 사이에 위치할 수 있다.On the other hand, the support pin of the lift pin unit is located away from the space between the substrate loaded on the substrate support ring and the upper surface of the first supply unit during the processing process for the substrate, when loading or unloading the substrate An end portion of the lift pin unit may be positioned between the substrate and an upper surface of the first supply part.

또한, 상기 기판지지링은 상기 기판의 가장자리를 지지하도록 개구부가 형성되고, 상기 리프트핀유닛은 단부에 상기 기판을 지지하는 지지핀을 구비하여, 상기 지지핀이 상기 제1 공급부의 상부에서 상승하는 경우에 상기 기판지지링의 위로 미리 결정된 길이만큼 돌출할 수 있다.In addition, the substrate support ring has an opening formed to support the edge of the substrate, the lift pin unit has a support pin for supporting the substrate at the end, so that the support pin is raised above the first supply portion In this case, the substrate may protrude a predetermined length above the support ring.

한편, 상기 기판에 대한 처리공정 시에 상기 리프트핀유닛은 상기 기판지지링의 측벽과 상기 제1 공급부 사이에서 미리 결정된 길이만큼 하강하여 위치할 수 있다. Meanwhile, the lift pin unit may be lowered and positioned by a predetermined length between the sidewall of the substrate support ring and the first supply part during the processing of the substrate.

또한, 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판과 상기 제1 공급부의 상면 사이의 공간으로 진입하도록 상기 리프트핀유닛이 회전할 수 있다.In addition, the lift pin unit may rotate so that the support pin of the lift pin unit enters the space between the substrate and the upper surface of the first supply unit.

한편, 상기 리프트핀유닛을 상하로 이동시키는 제1 구동부와, 상기 리프트핀유닛을 회전시키는 제2 구동부를 더 구비할 수 있다.On the other hand, the first drive unit for moving the lift pin unit up and down, and the second drive unit for rotating the lift pin unit may be further provided.

또한, 상기 리프트핀유닛을 상하로 이동시키는 제3 구동부와, 상기 리프트핀유닛의 상하 이동을 가이드하며 상기 리프트핀유닛의 상하 이동 시에 상기 리프트핀유닛을 미리 결정된 각도만큼 회전시키도록 가이드하는 가이드부를 더 구비할 수 있다.In addition, a third drive unit for moving the lift pin unit up and down, and a guide for guiding the up and down movement of the lift pin unit and guides to rotate the lift pin unit by a predetermined angle when the lift pin unit moves up and down It may be further provided.

이 경우, 상기 리프트핀유닛은 일측으로 돌출 형성된 가이드바를 더 구비하고 상기 가이드부는 상기 가이드바가 삽입되는 가이드홀을 구비하며, 상기 가이드바가 상기 가이드홀에 삽입되어 상기 리프트핀유닛이 상승 또는 하강하며, 상기 가이드홀의 적어도 일부 구간에서 상기 리프트핀유닛이 회전할 수 있다.In this case, the lift pin unit further includes a guide bar protruding to one side, and the guide part includes a guide hole into which the guide bar is inserted, and the guide bar is inserted into the guide hole so that the lift pin unit is raised or lowered. The lift pin unit may rotate in at least some sections of the guide hole.

여기서, 상기 가이드홀은 상기 리프트핀의 상승 또는 하강 시에 상기 리프트핀유닛을 회전시키는 제1 영역홀과, 상기 제1 영역홀의 상부에 상기 리프트핀유닛의 상승 또는 하강 시에 상기 리프트핀유닛을 회전시키지 않고 이동시키는 제2 영역홀을 구비할 수 있다.Here, the guide hole may include a first region hole for rotating the lift pin unit when the lift pin is raised or lowered, and the lift pin unit when the lift pin unit is raised or lowered on the first region hole. A second area hole can be provided to move without rotating.

또한, 상기 가이드홀은 상기 제1 영역홀의 하부에 상기 리프트핀유닛의 상승 또는 하강 시에 상기 리프트핀유닛을 회전시키지 않고 이동시키는 제3 영역홀을 더 구비할 수 있다.The guide hole may further include a third region hole at the lower portion of the first region hole to move the lift pin unit without rotating the lift pin unit when the lift pin unit is raised or lowered.

한편, 상기 기판의 상부에서 상기 기판을 향해 열 및 상기 처리공정에 필요한 제2 가스 중에 적어도 하나를 공급하는 제2 공급부를 더 구비할 수 있다.On the other hand, the upper portion of the substrate may further include a second supply unit for supplying at least one of heat and the second gas required for the processing step toward the substrate.

한편, 상기와 같은 본 발명의 목적은 챔버 내에 기판의 하면을 향해 열 및 가스 중에 적어도 하나를 공급하는 제1 공급부와 기판을 지지하는 기판지지링을 구비하고, 상기 기판지지링에 기판을 로딩 또는 언로딩하기 위한 리프트핀유닛의 이동방법에 있어서, 상기 리프트핀유닛의 단부에 구비된 지지핀이 상기 제1 공급부의 상부에 배치되는 단계와 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 반경 방향으로 이동하여 상기 기판과 상기 제1 공급부 사이의 공간에서 벗어나는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트핀유닛의 이동방법에 의해 달성된다.On the other hand, an object of the present invention as described above is provided with a first support portion for supplying at least one of heat and gas toward the lower surface of the substrate in the chamber and a substrate support ring for supporting the substrate, loading or loading the substrate in the substrate support ring In the method of moving the lift pin unit for unloading, the support pin provided at the end of the lift pin unit is disposed on the first supply portion and the support pin of the lift pin unit is the radius of the first supply portion And moving away from the space between the substrate and the first supply part.

여기서, 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 상부에 배치되는 단계는 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 외곽에서 상기 제1 공급부의 상부로 진입하는 단계와, 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판지지링에서 미리 결정된 길이만큼 돌출하도록 상승하는 단계와, 상기 리프트핀유닛의 지지핀에 상기 기판이 안착되는 단계와, 상기 리프트핀유닛이 하강하여 상기 기판지지링에 상기 기판을 안착시키는 단계를 포함하고, 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판과 상기 제1 공급부 사이의 공간에서 벗어나는 단계는 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판과 상기 제1 공급부 사이의 공간에서 상기 제1 공급부의 외곽으로 회피하는 단계를 포함할 수 있다.Here, the step of the support pin of the lift pin unit is disposed on the upper portion of the first supply portion is the step of the support pin of the lift pin unit entering the upper portion of the first supply portion from the outside of the first supply portion, the lift The support pin of the pin unit is raised to protrude by a predetermined length from the substrate support ring, the step of mounting the substrate on the support pin of the lift pin unit, and the lift pin unit is lowered to the substrate support ring And mounting the substrate, wherein the supporting pins of the lift pin unit deviate from the space between the substrate and the first supply unit, wherein the support pins of the lift pin unit are spaces between the substrate and the first supply unit. It may include the step of avoiding to the outside of the first supply.

한편, 상기 리프트핀유닛이 상승하는 단계는 상기 기판지지링에 안착되어 처리공정이 종료된 기판이 상기 리프트핀유닛의 지지핀에 안착되어 상승하는 단계를 포함할 수 있다.On the other hand, the step of raising the lift pin unit may include the step of being mounted on the support pin of the lift pin unit is mounted on the substrate support ring is completed, the step of raising the substrate.

또한, 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 상부로 진입하는 단계와 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판과 상기 제1 공급부 사이의 공간에서 상기 제1 공급부의 외곽으로 회피하는 단계에서 상기 리프트핀유닛의 지지핀은 미리 결정된 각도만큼 일방향으로 회전하여 상기 제1 공급부의 상부로 진입하거나, 타방향으로 회전하여 상기 제1 공급부의 외곽으로 회피할 수 있다.In addition, the support pin of the lift pin unit entering the upper portion of the first supply and the support pin of the lift pin unit avoiding the outer space of the first supply in the space between the substrate and the first supply. The support pin of the lift pin unit may be rotated in one direction by a predetermined angle to enter the upper portion of the first supply portion, or may be rotated in the other direction to avoid the outside of the first supply portion.

한편, 상기 리프트핀유닛이 승강하는 중에 적어도 일부 구간에서 상기 리프트핀유닛이 회전할 수 있다.Meanwhile, the lift pin unit may rotate in at least some section while the lift pin unit moves up and down.

또한, 상기 기판지지링은 개구부가 형성되고, 상기 리프트핀유닛이 상승하는 단계에서 상기 리프트핀유닛은 상기 개구부를 관통하여 상승할 수 있다.In addition, an opening is formed in the substrate support ring, and the lift pin unit may rise through the opening at the step of lifting the lift pin unit.

한편, 상기 기판지지링의 내측에 상기 제1 공급부가 위치하고, 상기 기판에 대한 처리공정 중에 상기 리프트핀유닛은 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이에서 대기할 수 있다.The first supply part may be positioned inside the substrate support ring, and the lift pin unit may wait between the substrate support ring and the first supply part during the processing of the substrate.

나아가, 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 외곽으로 회피하는 단계는 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판과 상기 제1 공급부 사이의 공간에서 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이로 이동하는 단계와, 상기 리프트핀유닛이 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이에서 미리 결정된 길이만큼 하강하는 단계를 포함할 수 있다.Further, the step of avoiding the support pin of the lift pin unit to the outside of the first supply portion is the support pin of the lift pin unit between the substrate support ring and the first supply portion in the space between the substrate and the first supply portion And moving the lift pin unit down by a predetermined length between the substrate support ring and the first supply part.

한편, 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 외곽에서 상기 제1 공급부의 상부로 진입하는 단계에 앞서서 상기 리프트핀유닛이 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이에서 미리 결정된 길이만큼 상승하는 단계를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the lift pin unit is raised by a predetermined length between the substrate support ring and the first supply part before the support pin of the lift pin unit enters the upper part of the first supply part from the outside of the first supply part. It may further comprise the step.

전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 기판의 하면 또는 상면에 박막을 증착하는 경우에 기판을 로딩 또는 언로딩시키는 리프트핀유닛의 이동을 위한 홀을 기판의 하부에 형성하지 않게 되어 리프트핀 홀로 인한 홀마크 또는 데드존이 기판의 하면 또는 상면에 발생하는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention having the above-described configuration, when the thin film is deposited on the lower surface or the upper surface of the substrate, a hole for movement of the lift pin unit for loading or unloading the substrate is not formed in the lower portion of the substrate. The hole mark or the dead zone can be prevented from occurring on the lower surface or the upper surface of the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 도시한 단면도,
도 2는 도 1에서 기판의 하부에 위치한 기판지지링, 제1 공급부 및 리프트핀유닛의 구성을 도시한 단면도,
도 3은 도 2의 사시도로서, 상기 리프트핀유닛이 상기 제1 공급부의 상부에서 벗어난 상태를 도시한 도면,
도 4는 도 3의 평면도,
도 5는 상기 리프트핀유닛이 상기 제1 공급부의 상부에 배치된 상태를 도시한 평면도,
도 6 내지 도 9는 상기 리프트핀유닛의 이동을 도시한 도면,
도 10은 상기 리프트핀유닛을 상하로 이동시키는 구동부의 다른 실시예를 도시한 도면,
도 11은 도 10에서 가이드부를 도시한 사시도,
도 12 및 도 13은 본 발명에 따른 리프트핀유닛의 이동방법을 도시한 순서도,
도 14는 종래에 기판에 박막이 증착되는 경우에 기판의 보잉(bowing) 현상을 도시한 도면,
도 15는 기판의 하면에 리프트핀 홀로 인한 홀마크 또는 데드존이 발생한 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the substrate support ring, the first supply unit and the lift pin unit located in the lower portion of the substrate in Figure 1,
FIG. 3 is a perspective view of FIG. 2, in which the lift pin unit deviates from an upper portion of the first supply part.
4 is a plan view of FIG.
5 is a plan view illustrating a state in which the lift pin unit is disposed above the first supply unit;
6 to 9 are views showing the movement of the lift pin unit,
10 is a view showing another embodiment of the driving unit for moving the lift pin unit up and down,
11 is a perspective view of the guide unit in FIG. 10, FIG.
12 and 13 are flowcharts illustrating a method of moving a lift pin unit according to the present invention;
14 is a view showing a bowing phenomenon of a substrate when a thin film is conventionally deposited on the substrate;
15 is a view illustrating a hole mark or a dead zone due to a lift pin hole on a bottom surface of a substrate.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 기판처리장치(1000)에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus 1000 according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1000)를 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1에서 기판(W)의 하부에 위치한 기판지지링(500), 제1 공급부(400) 및 리프트핀유닛(700)의 구성을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a substrate support ring 500 and a first supply unit 400 positioned below the substrate W in FIG. 1. And sectional drawing showing the structure of the lift pin unit 700 is shown.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 기판처리장치(1000)는 기판(W)에 대한 처리공정을 수행하는 처리공간(310)을 제공하는 챔버(200)와, 상기 챔버(200) 내부에 구비되어 상기 기판(W)의 가장자리를 지지하는 기판지지링(500)과, 상기 기판(W)의 하부에서 상기 기판지지링(500)의 내측에 구비되어 상기 기판(W)을 향해 열 및 상기 처리공정에 필요한 제1 가스 중에 적어도 하나를 공급하는 제1 공급부(400)를 구비할 수 있다. 또한, 상기 기판처리장치(1000)는 상기 기판(W)의 상부에서 상기 기판(W)을 향해 열 및 상기 처리공정에 필요한 제2 가스 중에 적어도 하나를 공급하는 제2 공급부(600)를 더 구비할 수 있다.1 and 2, the substrate processing apparatus 1000 includes a chamber 200 which provides a processing space 310 for performing a processing process on a substrate W, and is provided in the chamber 200. And a substrate support ring 500 for supporting an edge of the substrate W, and provided inside the substrate support ring 500 at a lower portion of the substrate W to heat and process the substrate W toward the substrate W. It may be provided with a first supply unit 400 for supplying at least one of the first gas required for the process. In addition, the substrate processing apparatus 1000 further includes a second supply unit 600 supplying at least one of heat and a second gas required for the processing process from the upper portion of the substrate W toward the substrate W. can do.

본 발명에서 설명하는 기판처리장치(1000)는 기판(W)의 상면 또는 하면에 박막을 증착하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(W)의 하면에 박막을 증착하는 경우에 상기 제1 공급부(400)에서 상기 기판(W)의 하면을 향해 처리공정에 필요한 제1 가스를 공급할 수 있다. 이때, 상기 제1 가스는 박막의 증착에 필요한 공정가스로 구성될 수 있다. 또한, 상기 기판(W)의 하면에 박막을 증착하는 경우에 상기 제2 공급부(600)는 상기 기판(W)의 상부에서 상기 기판(W)을 가열하거나, 또는 상기 기판(W)을 향해 불활성 가스로 구성된 퍼지가스를 공급할 수 있다. 이 경우, 상기 제2 공급부(600)에서 공급되는 퍼지가스가 제2 가스에 해당한다.The substrate treating apparatus 1000 described in the present invention may be configured to deposit a thin film on the upper or lower surface of the substrate (W). For example, when the thin film is deposited on the lower surface of the substrate W, the first supply unit 400 may supply the first gas required for the processing process toward the lower surface of the substrate W. In this case, the first gas may be composed of a process gas required for depositing a thin film. In addition, when the thin film is deposited on the lower surface of the substrate W, the second supply unit 600 heats the substrate W on the upper portion of the substrate W or is inactive toward the substrate W. It is possible to supply a purge gas composed of gas. In this case, the purge gas supplied from the second supply unit 600 corresponds to the second gas.

반면에, 상기 기판(W)의 상면에 박막을 증착하는 경우에는 상기 제2 공급부(600)에서 공정가스를 공급할 수 있으며, 이 경우 상기 공정가스가 제2 가스에 해당한다. 또한, 상기 기판(W)의 상면에 박막을 증착하는 경우에 상기 제1 공급부(400)는 상기 기판(W)의 하부에서 상기 기판(W)을 가열하거나, 또는 상기 기판(W)의 하부를 향해 불활성 가스로 구성된 퍼지가스를 공급할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 공급부(400)에서 공급되는 퍼지가스가 제1 가스에 해당한다.On the other hand, in the case of depositing a thin film on the upper surface of the substrate (W), the second supply unit 600 may supply a process gas, in which case the process gas corresponds to the second gas. In addition, in the case of depositing a thin film on the upper surface of the substrate W, the first supply unit 400 heats the substrate W at the lower portion of the substrate W, or lowers the lower portion of the substrate W. It is possible to supply a purge gas composed of an inert gas. In this case, the purge gas supplied from the first supply unit 400 corresponds to the first gas.

이하 살펴보는 도면에서는 상기 기판(W)의 하면에 박막을 증착할 수 있는 기판처리장치(1000)로 상정하여 설명한다. 즉, 상기 기판(W)의 하부에 위치한 제1 공급부(400)에서 박막의 증착에 필요한 공정가스를 공급하며, 상기 기판(W)의 상부에 위치한 제2 공급부(600)가 상기 기판(W)을 가열하며, 나아가 퍼지가스를 공급하는 경우를 상정하여 설명한다. In the drawings to be described below, it is assumed that the substrate processing apparatus 1000 capable of depositing a thin film on the lower surface of the substrate W will be described. That is, the process gas required for the deposition of the thin film is supplied from the first supply unit 400 positioned below the substrate W, and the second supply unit 600 positioned above the substrate W provides the substrate W. The case where it heats and further supplies purge gas is demonstrated.

상기 챔버(200)는 챔버몸체(220)와 상기 챔버몸체(220)를 개폐하는 리드(210)를 구비하며, 상기 챔버몸체(220)의 내측에 상기 기판(W)에 대한 증착 공정이 수행되는 수용공간(230)을 구비한다. The chamber 200 includes a chamber body 220 and a lid 210 that opens and closes the chamber body 220, and a deposition process for the substrate W is performed inside the chamber body 220. The accommodation space 230 is provided.

상기 챔버몸체(220)의 일측에는 상기 기판(W)이 상기 수용공간(230)으로 로딩 또는 상기 수용공간(230)에서 언로딩되는 개구부(240)를 구비하고, 상기 개구부(240)에는 도어(미도시)가 구비될 수 있다. 상기 개구부(240)는 상기 챔버몸체(220)의 일측에 형성되거나, 또는 상기 기판(W)의 로딩 및 언로딩을 위한 개구부가 각각 별도로 설치될 수도 있다.One side of the chamber body 220 is provided with an opening 240 for loading or unloading the substrate W into the accommodation space 230, the door 240 in the opening (240) Not shown) may be provided. The opening 240 may be formed at one side of the chamber body 220, or may be separately provided with openings for loading and unloading the substrate W.

상기 리드(210)에는 상기 제2 공급부(600)가 구비될 수 있다. 상기 제2 공급부(600)는 상기 수용공간(230)의 상부에서 상기 기판(W)을 가열하고, 나아가 상기 기판(W)을 향해 퍼지가스를 공급할 수 있다. 이를 위하여 상기 제2 공급부(600)는 상기 기판(W)의 상면을 향해 퍼지가스를 공급하는 제2 가스공급유닛(610)과, 상기 기판(W)을 가열하는 가열유닛(800)을 포함할 수 있다.The lead 210 may be provided with the second supply part 600. The second supply unit 600 may heat the substrate W at an upper portion of the accommodation space 230, and further supply a purge gas toward the substrate W. To this end, the second supply unit 600 may include a second gas supply unit 610 for supplying a purge gas toward the upper surface of the substrate W, and a heating unit 800 for heating the substrate W. Can be.

한편, 상기 제1 공급부(400)는 상기 기판(W)의 하부에서 상기 기판(W)의 하면을 향해 공정가스를 공급하여 상기 기판(W)의 하면에 박막을 증착시키게 된다.On the other hand, the first supply unit 400 supplies a process gas from the lower portion of the substrate (W) toward the lower surface of the substrate (W) to deposit a thin film on the lower surface of the substrate (W).

구체적으로, 상기 제1 공급부(400)는 상기 기판(W)의 하면을 향해 상기 공정가스를 공급하며, 상기 제1 공급부(400)를 둘러싸며 기판(W)을 지지하는 기판지지링(500)이 구비될 수 있다. 즉, 상기 기판지지링(500)에 의해 상기 기판(W)의 가장자리를 지지하며, 상기 기판지지링(500)의 내측에 상기 제1 공급부(400)가 구비될 수 있다. Specifically, the first supply unit 400 supplies the process gas toward the lower surface of the substrate (W) and surrounds the first supply unit (400) and supports the substrate (W) 500. It may be provided. That is, the substrate support ring 500 may support the edge of the substrate W, and the first supply part 400 may be provided inside the substrate support ring 500.

상기 기판지지링(500)은 상기 기판(W)의 가장자리를 지지하는 기판지지부(510)와, 상기 기판지지부(510)에서 아래를 향해 연장되어 상기 제1 공급부(400)를 둘러싸며 상기 제1 공급부(400)와 소정 간격 이격된 측벽(520)을 구비할 수 있다. 상기 측벽부(520)과 상기 제1 공급부(400)의 사이의 여유공간(460)을 통해 잔존가스가 배기될 수 있으며, 나아가 후술하는 바와 같이 상기 여유공간(460)을 통해 리프트핀유닛(700)이 이동할 수 있게 된다. 이에 대해서는 이후에 상세히 살펴보도록 한다.The substrate support ring 500 extends downward from the substrate support part 510 supporting the edge of the substrate W, and surrounds the first supply part 400 so as to surround the first supply part 400. The side wall 520 spaced apart from the supply unit 400 by a predetermined distance may be provided. Residual gas may be exhausted through the free space 460 between the side wall part 520 and the first supply part 400, and further, the lift pin unit 700 through the free space 460 as described below. ) Can be moved. This will be described in detail later.

상기 기판지지부(510)는 상기 기판(W)의 하면의 가장자리를 지지하여 가장자리를 제외한 상기 기판(W)의 하면이 상기 처리공간(310)으로 노출되도록 한다. 이때, 상기 기판지지부(510)는 상기 기판(W)의 하면의 최소한의 영역만을 지지하도록 구성될 수 있다. 상기 기판지지부(510)에 의해 지지되는 영역은 상기 공정가스에 의한 박막 형성이 어려울 수 있으므로, 상기 기판지지부(510)는 최소한의 영역을 지지하도록 구성될 수 있다.The substrate support part 510 supports the edge of the bottom surface of the substrate W so that the bottom surface of the substrate W except the edge is exposed to the processing space 310. In this case, the substrate support 510 may be configured to support only a minimum area of the lower surface of the substrate W. Since the region supported by the substrate support 510 may be difficult to form a thin film by the process gas, the substrate support 510 may be configured to support a minimum region.

한편, 상기 기판지지부(510)에 의해 상기 기판(W)을 지지하는 경우에 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400)의 상면에 의해 형성된 공간이 처리공간(310)을 형성하게 된다. 즉, 상기 기판지지부(510)의 개구부(512)(도 3 참조)에 의해 아래로 노출된 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400)의 상면 사이의 공간이 처리공간(310)에 해당한다. In the meantime, when the substrate W is supported by the substrate support 510, the space formed by the lower surface of the substrate W and the upper surface of the first supply unit 400 forms the processing space 310. do. That is, the space between the lower surface of the substrate W and the upper surface of the first supply part 400 exposed downward by the opening 512 (see FIG. 3) of the substrate support part 510 is the processing space 310. Corresponds to

이때, 상기 제1 공급부(400)를 통해 상기 기판(W)의 하면을 향해 상기 처리공간(310)으로 공급된 공정가스는 상기 기판(W)의 하면에 박막을 형성하고, 잔존가스는 상기 여유공간(460) 및 하부 배기유로(462)를 따라 배출된다.At this time, the process gas supplied to the processing space 310 toward the lower surface of the substrate W through the first supply unit 400 forms a thin film on the lower surface of the substrate W, and the remaining gas is the margin. It is discharged along the space 460 and the lower exhaust passage 462.

이때, 상기 제1 공급부(400)는 상기 공정가스가 공급되는 제1 공급유로(414)가 형성되는 몸체부(410)와, 상기 몸체부(410)에서 공급된 상기 공정가스가 분사되는 다수의 분사홀을 구비하는 샤워헤드 어셈블리(420)를 구비할 수 있다.At this time, the first supply unit 400 is a body portion 410 is formed with a first supply passage 414 is supplied with the process gas, a plurality of the injection of the process gas supplied from the body portion 410 The shower head assembly 420 may include a spray hole.

상기 몸체부(410)는 상기 챔버몸체(220)의 하부를 관통하여 연장되며 내측에 상기 공정가스가 이동하는 제1 공급유로(414)가 형성된다. 상기 제1 공급유로(414)는 상기 몸체부(410)의 대략 중앙부에 형성될 수 있다. 상기 공정가스는 공정가스 저장부(미도시)에서 상기 제1 공급유로(414)를 향해 공급되어 전술한 샤워헤드 어셈블리(420)로 전달된다.The body portion 410 extends through the lower portion of the chamber body 220 and has a first supply passage 414 through which the process gas moves. The first supply passage 414 may be formed at an approximately central portion of the body portion 410. The process gas is supplied toward the first supply passage 414 from a process gas storage unit (not shown) and transferred to the showerhead assembly 420 described above.

한편, 상기 몸체부(410)는 상기 챔버(200)의 하부의 구동부(미도시)에 연결되어 상기 구동부의 구동에 의해 상기 수용공간(230)의 내부에서 상하로 이동 가능하게 구비될 수 있다. 따라서, 상기 기판(W)이 상기 챔버(200)의 외측에서 상기 챔버(200)의 내측으로 로딩되거나, 또는 상기 기판(W)에 대한 처리공정이 종료되어 상기 기판(W)이 상기 챔버(200)의 외측으로 언로딩되는 경우에 상기 제1 공급부(400)는 하부로 이동할 수 있다. On the other hand, the body portion 410 is connected to a drive unit (not shown) of the lower portion of the chamber 200 may be provided to be moved up and down inside the receiving space 230 by the drive of the drive unit. Accordingly, the substrate W is loaded from the outside of the chamber 200 into the chamber 200 or the processing process for the substrate W is terminated, so that the substrate W is the chamber 200. When unloaded to the outside of the), the first supply unit 400 may move downward.

한편, 전술한 제1 공급부(400)에 의해 상기 기판(W)의 하면에 소정 두께의 박막을 증착하기 위하여 공정가스를 공급하는 경우에 상기 공정가스가 상기 기판(W)의 상면을 향해 유입되는 것을 방지하기 위하여 상기 제2 가스공급유닛(610)에 의해 퍼지가스를 공급하게 된다. 즉, 상기 제2 가스공급유닛(610)에 의해 상기 기판(W)의 상면에 퍼지가스를 공급하게 됨으로써, 상기 기판(W)의 하면에서 상기 기판(W)의 상면으로 상기 공정가스가 유입되는 것을 최대한 방지할 수 있다.Meanwhile, when the process gas is supplied by the first supply unit 400 to deposit a thin film having a predetermined thickness on the lower surface of the substrate W, the process gas flows toward the upper surface of the substrate W. In order to prevent the supply of the purge gas by the second gas supply unit 610. That is, the purge gas is supplied to the upper surface of the substrate W by the second gas supply unit 610 so that the process gas flows from the lower surface of the substrate W to the upper surface of the substrate W. Can be prevented as much as possible.

상기 제2 가스공급유닛(610)은 상기 리드(210)를 관통하여 형성된 제2 공급유로(612)와 상기 기판(W)을 향해 퍼지가스를 공급하는 제2 샤워헤드 어셈블리(630)를 구비할 수 있다. 상기 제2 공급유로(612)는 상기 퍼지가스의 저장부(미도시)와 연결되어 상기 퍼지가스를 공급받으며 상기 제2 샤워헤드 어셈블리(630)를 향해 상기 퍼지가스를 공급하게 된다.The second gas supply unit 610 may include a second supply passage 612 formed through the lid 210 and a second shower head assembly 630 for supplying purge gas toward the substrate W. Can be. The second supply passage 612 is connected to the storage unit (not shown) of the purge gas to receive the purge gas and to supply the purge gas toward the second shower head assembly 630.

이때, 상기 제2 샤워헤드 어셈블리(630)를 통해 공급되는 퍼지가스는 상기 기판(W)의 상면에서 가장자리를 향해 유동하게 되며 이를 통해 상기 기판(W)의 하면으로 공급된 공정가스가 상기 기판(W)의 상면으로 유입되는 것을 방지한다.At this time, the purge gas supplied through the second showerhead assembly 630 flows from the upper surface of the substrate W toward the edge, and thus the process gas supplied to the lower surface of the substrate W is transferred to the substrate ( To prevent from entering the upper surface of W).

한편, 상기 퍼지가스를 배기하기 위하여 상기 챔버(200)의 하부에는 배기부(650)를 구비할 수 있다. 상기 배기부(650)의 펌핑에 의해 상기 퍼지가스가 상기 챔버(200)의 하부를 통해 배기된다. 상기 퍼지가스가 상기 챔버(200)의 하부를 향해 유동하게 되므로, 상기 제2 가스공급유닛(610)을 통해 공급된 퍼지가스가 상기 기판(W)의 상부에서 가장자리를 통해 하부를 향해 유동하는 흐름이 강화된다. 따라서, 상기 기판(W)으로 상기 공정가스가 유입되는 것을 최대한 방지할 수 있다.On the other hand, in order to exhaust the purge gas, the lower portion of the chamber 200 may be provided with an exhaust unit 650. The purge gas is exhausted through the lower part of the chamber 200 by the pumping of the exhaust part 650. Since the purge gas flows toward the lower portion of the chamber 200, the purge gas supplied through the second gas supply unit 610 flows downward from the upper portion of the substrate W toward the lower portion. This is reinforced. Therefore, it is possible to prevent the process gas from flowing into the substrate W as much as possible.

또한, 상기 챔버(200)의 수용공간(230)의 상부에는 상기 기판(W)을 가열하는 가열유닛(800)이 구비될 수 있다. 상기 가열유닛(800)은 상기 기판(W)의 상부에서 상기 기판(W)을 가열하게 된다. 상기 가열유닛(800)은 전기 저항성 유닛을 구비한 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 본 실시예에서는 램프 형태로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 가열유닛(800)은 다수의 할로겐 램프(halogen lamp)로 이루어질 수 있다. In addition, a heating unit 800 for heating the substrate W may be provided at an upper portion of the accommodation space 230 of the chamber 200. The heating unit 800 is to heat the substrate (W) in the upper portion of the substrate (W). The heating unit 800 may be implemented in various forms having an electrically resistive unit, and in the present embodiment may be implemented in the form of a lamp. For example, the heating unit 800 may include a plurality of halogen lamps.

한편, 전술한 바와 같이 기판의 하면에 소정의 박막을 증착하는 경우에 종래기술에서는 기판의 하부에서 기판을 로딩 또는 언로딩시키는 리프트핀(lift pin)이 이동하게 되며, 이 경우 상기 기판 하부의 히터 또는 샤워헤드와 같은 구성요소에 리프트핀의 이동을 위한 리프트핀 홀이 형성된다.On the other hand, in the case of depositing a predetermined thin film on the lower surface of the substrate as described above, in the prior art, a lift pin for loading or unloading the substrate moves from the lower portion of the substrate, in which case the heater under the substrate Alternatively, a lift pin hole is formed in the component such as a shower head to move the lift pin.

이와 같이 기판의 하부에 리프트핀 홀이 형성되면, 상기 리프트핀 홀의 위치에서 공정가스의 흐름이 원활하기 않게 되어 기판의 하면에 원하지 않는 홀마크 또는 데드존이 발생할 수 있으며, 이러한 홀마크 또는 데드존은 기판의 하면 뿐만 아니라 심한 경우에는 기판의 상면에도 발생할 수 있다.As such, when the lift pin hole is formed at the lower portion of the substrate, the flow of the process gas may not be smooth at the position of the lift pin hole, which may cause unwanted hole marks or dead zones on the lower surface of the substrate. Silver may occur on the lower surface of the substrate as well as on the upper surface of the substrate in severe cases.

본 발명에 따른 기판처리장치(1000)에서는 전술한 문제점을 해결하기 위하여 상기 기판(W)을 기판지지링(500)에 로딩시키거나 또는 상기 기판지지링(500)에서 기판(W)을 언로딩하는 리프트핀유닛(700)의 이동을 위한 홀이 기판 하부의 구성요소에 형성되지 않도록 한다.In the substrate processing apparatus 1000 according to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, the substrate W is loaded on the substrate support ring 500 or the substrate W is unloaded from the substrate support ring 500. The hole for the movement of the lift pin unit 700 is not formed in the component under the substrate.

즉, 본 실시예의 경우 상기 기판(W) 하부에 위치한 상기 제1 공급부(400)에서 상기 리프트핀유닛(700)의 이동을 위한 리프트핀 홀을 생략하여 기판(W) 하면 또는 상면에 발생할 수 있는 홀마크 또는 데드존을 방지하게 된다. That is, in the present exemplary embodiment, the lift pin hole for the movement of the lift pin unit 700 may be omitted from the first supply part 400 positioned below the substrate W, which may occur on the lower surface or the upper surface of the substrate W. FIG. Hallmark or dead zone will be prevented.

한편, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 기판(W)을 지지하는 지지핀(710)과, 상기 지지핀(710)과 연결된 수평바(720)와, 상기 수평바(720)의 절곡되어 연장된 수직바(730)를 구비할 수 있다. 상기 리프트핀유닛(700)의 구성에 대해서는 이후에 상세히 살펴본다.On the other hand, the lift pin unit 700 is bent and extended by a support pin 710 for supporting the substrate (W), a horizontal bar 720 connected to the support pin 710, and the horizontal bar 720 The vertical bar 730 may be provided. The configuration of the lift pin unit 700 will be described in detail later.

도 3은 전술한 도 2의 사시도로서, 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 상부에서 벗어난 상태를 도시한 도면이고, 도 4는 도 3의 평면도이고, 도 5는 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 상부에 배치된 상태를 도시한 평면도이다. 도 3 및 도 4에서는 상기 기판(W)에 대한 처리공정을 수행하는 중에 상기 리프트핀유닛(700)의 위치를 도시하고 있으며, 편의상 기판(W)을 생략하여 도시하였다.FIG. 3 is a perspective view of FIG. 2 and illustrates a state in which the support pin 710 of the lift pin unit 700 deviates from an upper portion of the first supply part 400, and FIG. 4 is a plan view of FIG. 3. 5 is a plan view illustrating a state in which the support pin 710 of the lift pin unit 700 is disposed above the first supply part 400. 3 and 4 illustrate the position of the lift pin unit 700 during the processing of the substrate W, and the substrate W is omitted for convenience.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 제1 공급부(400)의 반경 방향으로 이동 가능하게 구비될 수 있다. 즉 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)에서 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 기판의 하부에서 가열부 등을 관통하여 수직방향으로 이동하는 것이 아니라 상기 제1 공급부(400)의 반경방향으로 이동 가능하게 구비된다.3 to 5, the support pin 710 of the lift pin unit 700 may be provided to be movable in the radial direction of the first supply unit 400. That is, in the substrate processing apparatus 1000 according to the present invention, the support pin 710 of the lift pin unit 700 does not move in a vertical direction through a heating part or the like under the substrate, but instead moves in the vertical direction. ) Is provided to be movable in the radial direction.

따라서, 본 발명에서 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 제1 공급부(400)의 반경방향을 따라 이동하여, 상기 기판(W)과 상기 제1 공급부(400)의 상면 사이의 공간에 위치하거나, 또는 상기 기판(W)과 상기 제1 공급부(400)의 상면 사이의 공간에서 벗어나게 된다. 따라서, 전술한 종래기술의 문제점, 즉 상기 기판(W)의 하부의 가열부 등에 리프트핀홀이 형성되어 상기 기판의 하면에 원치 않는 반응이 생기는 것을 방지할 수 있다.Therefore, in the present invention, the support pin 710 of the lift pin unit 700 moves along the radial direction of the first supply part 400, and thus, between the substrate W and an upper surface of the first supply part 400. It is located in the space of the, or out of the space between the substrate (W) and the upper surface of the first supply unit 400. Therefore, the above-mentioned problems of the related art, that is, a lift pin hole is formed in a heating part of the lower portion of the substrate W, and thus, an unwanted reaction may be prevented from occurring on the lower surface of the substrate.

이 경우, 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 기판지지링(500)과 상기 제1 공급부 사이(400)의 공간에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 지지핀(710)은 상기 기판지지링(500)과 상기 제1 공급부 사이(400)의 공간에서 상기 제1 공급부(400)의 반경방향으로 이동 가능하게 구성된다.In this case, the support pin 710 of the lift pin unit 700 may be disposed in a space between the substrate support ring 500 and the first supply part 400. Accordingly, the support pin 710 is configured to be movable in the radial direction of the first supply part 400 in the space between the substrate support ring 500 and the first supply part 400.

구체적으로, 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 기판(W)에 대한 처리공정을 수행하는 중에는 상기 기판(W)과 상기 제1 공급부(400)의 외측에 위치하게 된다.Specifically, referring to FIGS. 3 and 4, the lift pin unit 700 is positioned outside the substrate W and the first supply unit 400 while the processing process is performed on the substrate W. FIG. Done.

구체적으로, 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 기판(W)에 대한 증착공정 등의 처리공정이 진행되는 중에 상기 기판지지링(500)에 로딩된 상기 기판(W)과 상기 제1 공급부(400)의 사이에서 벗어나서 상기 기판(W)과 상기 제1 공급부(400)의 외측에서 대기하게 된다. Specifically, the support pin 710 of the lift pin unit 700 and the substrate (W) loaded in the substrate support ring 500 during the process such as the deposition process for the substrate (W) and the like; The substrate is spaced apart from the first supply unit 400 to wait outside of the substrate W and the first supply unit 400.

즉, 상기 기판(W)에 대한 처리공정을 수행하는 중에 상기 기판(W)의 하면을 향해 공급되는 공정가스의 흐름을 방해하지 않도록 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 기판지지링(500)에 로딩된 상기 기판(W)과 상기 제1 공급부(400)의 외측으로 이동하여 위치하게 된다. 따라서, 상기 기판(W) 하부의 공정가스의 흐름이 원활하게 되어 상기 기판(W)의 하면 또는 상면에 원하지 않는 반응 자국이 발생하는 것을 방지할 수 있다.That is, the support pin 710 of the lift pin unit 700 is the substrate so as not to interfere with the flow of the process gas supplied toward the bottom surface of the substrate W during the processing of the substrate W. The substrate W loaded on the support ring 500 is moved out of the first supply part 400 and positioned. Therefore, it is possible to smoothly flow the process gas under the substrate W, thereby preventing unwanted reaction marks from occurring on the lower surface or the upper surface of the substrate W.

한편, 도 5를 참조하면, 상기 기판(W)을 기판지지링(500)에 로딩시키거나 또는 상기 기판지지링(500)에서 기판(W)을 언로딩하는 경우에 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 내측 상부에 위치할 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 5, when the substrate W is loaded onto the substrate support ring 500, or when the substrate W is unloaded from the substrate support ring 500, the lift pin unit 700. The support pin 710 may be located inside the upper portion of the first supply unit 400.

즉, 상기 리프트핀유닛(700)은 그 단부에 상기 기판(W)을 지지하는 지지핀(710)을 구비하며, 상기 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 내측 상부에 위치하여 기판(W)을 상기 지지핀(710)에 안착시키게 된다. That is, the lift pin unit 700 has a support pin 710 for supporting the substrate (W) at the end thereof, the support pin 710 is located on the inner upper portion of the first supply unit 400 The substrate W is mounted on the support pin 710.

도 6 내지 도 9는 상기 기판(W)에 대한 처리공정이 종료되어 상기 기판(W)을 언로딩하고 새로운 기판을 상기 기판지지링(500)에 다시 로딩하는 과정 중에 상기 리프트핀유닛(700)의 이동을 도시한 도면이다.6 to 9 show that the lift pin unit 700 during the process of processing the substrate W is finished to unload the substrate W and reload the new substrate into the substrate support ring 500. Is a diagram illustrating the movement of.

도 6은 상기 기판(W)에 대한 처리공정 중에 상기 리프트핀유닛(700)의 위치를 도시한다. 도 6 및 전술한 도 4에 도시된 바와 같이 상기 기판(W)에 대한 증착공정과 같은 처리공정을 수행하는 중에 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 기판지지링(500)과 상기 제1 공급부(400) 사이에 위치하게 된다. 6 shows the position of the lift pin unit 700 during the processing on the substrate W. As shown in FIG. As shown in FIG. 6 and FIG. 4 described above, the support pin 710 of the lift pin unit 700 is the substrate support ring 500 while performing a processing process such as a deposition process for the substrate W. As shown in FIG. And between the first supply unit 400.

보다 구체적으로 살펴보면, 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 기판지지링(500)에 안착되어 상기 기판지지링(500)의 개구부(512)에 의해 노출된 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400)의 상면 사이의 공간에서 회피하여, 상기 기판지지링(500)의 측벽(520)과 상기 제1 공급부(400) 사이의 여유공간(460)에 위치하게 된다. In more detail, the support pin 710 of the lift pin unit 700 is seated on the substrate support ring 500 and the substrate W exposed by the opening 512 of the substrate support ring 500. Avoids the space between the lower surface of the substrate and the upper surface of the first supply unit 400, and is located in the clearance 460 between the sidewall 520 of the substrate support ring 500 and the first supply unit 400. .

전술한 상태에서 상기 기판(W)에 대한 처리공정이 종료되는 경우에 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간으로 진입하게 된다. 구체적으로 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 리프트핀유닛(700)의 단부에 형성된 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간으로 진입하게 된다.When the process for the substrate W is terminated in the above state, the support pin 710 of the lift pin unit 700 is a space between the lower surface of the substrate W and the first supply unit 400. Will enter. In detail, as shown in FIG. 7, the support pin 710 formed at the end of the lift pin unit 700 enters a space between the lower surface of the substrate W and the first supply part 400.

이 경우, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간으로 진입하도록 미리 정해진 각도로 회전할 수 있다. In this case, the lift pin unit 700 may rotate at a predetermined angle so that the support pin 710 enters the space between the lower surface of the substrate W and the first supply part 400.

즉, 도 6의 상태에서 상기 리프트핀유닛(700)이 미리 정해진 각도로 회전하여 도 7과 같이 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간으로 진입할 수 있다.That is, in the state of FIG. 6, the lift pin unit 700 is rotated at a predetermined angle so that the support pins 710 of the lift pin unit 700 have a lower surface and the first surface of the substrate W as shown in FIG. 7. It may enter the space between the supply unit 400.

이 경우, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 리프트핀유닛(700)을 상하로 이동시키는 제1 구동부(920)와, 상기 리프트핀유닛(700)을 회전시키는 제2 구동부(960)를 구비할 수 있다.In this case, the lift pin unit 700 may include a first drive unit 920 for moving the lift pin unit 700 up and down, and a second drive unit 960 for rotating the lift pin unit 700. Can be.

예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 3개의 리프트핀유닛(700)을 구비하는 경우에 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 기판지지링(500)과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간에 대응하여 절곡된 형상을 가질 수 있다.For example, as shown in FIG. 6, when the lift pin unit 700 includes three lift pin units 700, the lift pin unit 700 is disposed between the substrate support ring 500 and the first supply unit 400. It may have a shape bent corresponding to the space.

예를 들어, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 기판(W)을 지지하는 지지핀(710)과, 상기 지지핀(710)에서 수평방향으로 절곡되어 상기 지지핀(710)이 일단부에 형성된 수평바(720)와, 상기 수평바(720)의 타단부에서 수직하게 절곡되어 연장된 수직바(730)를 구비할 수 있다.For example, the lift pin unit 700 is bent in the horizontal direction from the support pin 710 for supporting the substrate (W) and the support pin 710, the support pin 710 is formed at one end A horizontal bar 720 and a vertical bar 730 which is bent and extended vertically at the other end of the horizontal bar 720 may be provided.

이때, 상기 챔버몸체(220)의 베이스(222)를 관통하여 상기 리프트핀유닛(700)이 상하로 이동하게 된다. 이 경우, 상기 리프트핀유닛(700)의 수직바(730)가 상기 베이스(222)를 관통하여 상하로 이동할 수 있도록 배치된다. 또한, 상기 베이스(222)를 관통하여 하부로 연장된 상기 수직바(730)는 상기 챔버(200) 내부의 압력을 유지할 수 있도록 벨로우즈(bellows)(905) 등으로 밀폐될 수 있다.At this time, the lift pin unit 700 moves up and down through the base 222 of the chamber body 220. In this case, the vertical bar 730 of the lift pin unit 700 is disposed to move up and down through the base 222. In addition, the vertical bar 730 extending downward through the base 222 may be sealed by a bellows 905 or the like to maintain the pressure in the chamber 200.

이 경우, 상기 리프트핀유닛(700)의 각 수직바(730)는 수평지지바(740)에 연결될 수 있으며, 상기 수평지지바(740)가 상기 제1 구동부(920)의 구동축(910)에 의해 상하로 이동할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 구동부(920)를 단일 구동부로 구성하게 되면, 리프트핀유닛(700)의 구성을 단순화할 수 있다. 또한, 도면에는 도시되지 않았지만 상기 리프트핀유닛(700)을 각각 상하로 이동시키도록 상기 제1 구동부(920)를 복수개로 구비하는 것도 가능하다. 상기 제1 구동부(920)를 복수개로 구비하는 경우에는 구성 및 제어가 복잡해질 수도 있지만, 상기 리프트핀유닛(700)을 개별적으로 이동시킬 수 있는 장점이 있으며, 또한 보다 정밀한 제어가 가능하게 된다.In this case, each vertical bar 730 of the lift pin unit 700 may be connected to a horizontal support bar 740, the horizontal support bar 740 to the drive shaft 910 of the first drive unit 920. It can move up and down by. In this case, when the first driver 920 is configured as a single driver, the configuration of the lift pin unit 700 can be simplified. In addition, although not shown in the drawing, it is also possible to include a plurality of first driving units 920 to move the lift pin units 700 up and down, respectively. When the plurality of first driving units 920 are provided, the configuration and control may be complicated. However, the lift pin unit 700 may be individually moved, and more precise control is possible.

한편, 상기 리프트핀유닛(700)을 회전시키는 제2 구동부(960)는 도면에 도시된 바와 같이 상기 수평지지바(740)를 통해 각 리프트핀유닛(700)과 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제2 구동부(960)의 구동에 의해 상기 리프트핀유닛(700)이 각각 회전할 수 있다. 이때, 상기 리프트핀유닛(700)의 회전각도는 미리 결정되어 제공되며, 상기 제2 구동부(960)는 미리 결정된 각도만큼 상기 리프트핀유닛(700)을 회전시키도록 구동한다. 또한, 상기 제2 구동부(960)를 단일 구동부로 구성하고, 단일 구동부와 상기 리프트핀유닛(700)을 벨트(belt) 또는 체인(chain) 등으로 모두 연결하여 회전시키는 구성도 가능할 것이다. On the other hand, the second driving unit 960 for rotating the lift pin unit 700 may be connected to each lift pin unit 700 through the horizontal support bar 740, as shown in the figure. Therefore, the lift pin units 700 may be rotated by the driving of the second driver 960, respectively. At this time, the rotation angle of the lift pin unit 700 is provided in advance, the second drive unit 960 is driven to rotate the lift pin unit 700 by a predetermined angle. In addition, the second driving unit 960 may be configured as a single driving unit, and the single driving unit and the lift pin unit 700 may be connected to both a belt or a chain to rotate.

한편, 상기 기판(W)에 대한 처리공정이 종료되는 경우에 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 제2 구동부(960)의 구동에 의해 미리 정해진 각도만큼 일방향으로 회전하여 도 7에 도시된 바와 같이 상기 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간으로 진입하게 된다. On the other hand, when the processing process for the substrate (W) is finished, the lift pin unit 700 is rotated in one direction by a predetermined angle by the drive of the second drive unit 960 as shown in Figure 7 The support pin 710 enters a space between the bottom surface of the substrate W and the first supply part 400.

이어서, 상기 리프트핀유닛(700)은 처리공정이 종료된 기판(W)을 언로딩하기 위하여 도 8에 도시된 바와 같이 상기 제1 구동부(920)의 구동에 의해 상부로 이동하게 된다. 즉, 상기 제1 공급부(400)의 상부의 공간에서 상기 지지핀(710)에 상기 기판을 지지하도록 상기 제1 구동부(920)의 구동에 의해 상기 리프트핀유닛(700)이 미리 결정된 거리만큼 상승하게 된다.Subsequently, the lift pin unit 700 is moved upward by the driving of the first driver 920 as shown in FIG. 8 to unload the substrate W after the processing process is completed. That is, the lift pin unit 700 is raised by a predetermined distance by the driving of the first driver 920 to support the substrate on the support pin 710 in a space above the first supply part 400. Done.

이때, 상기 지지핀(710)에 기판(W)이 안착되도록 상기 지지핀(710)이 상부로 이동하는 경우에 상기 기판지지링(500)의 위로 미리 결정된 길이만큼 돌출하도록 상승하게 된다.In this case, when the support pin 710 moves upward so that the substrate W is seated on the support pin 710, the support pin 710 is raised to protrude above the substrate support ring 500 by a predetermined length.

이 경우, 상기 챔버(200)의 외측에서 로딩암(미도시)이 상기 챔버(200)의 내부로 진입하여 상기 지지핀(710)에 안착된 기판(W)을 인출하고, 새로운 기판(W)을 상기 지지핀(710)의 상부에 안착시키게 된다.In this case, a loading arm (not shown) enters the inside of the chamber 200 from the outside of the chamber 200 to take out the substrate W seated on the support pin 710, and a new substrate W. To be mounted on the upper portion of the support pin 710.

이어서, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 제1 구동부(920)의 구동에 의해 도 8에서 도 7의 상태로 하강하게 된다. 즉, 상기 지지핀(710)이 상기 기판지지링(500)의 기판지지부(510)의 아래에 위치하도록 하강하게 된다. 상기 지지핀(710)이 상기 기판지지링(500)의 아래에 위치하게 되면 상기 지지핀(710)에 의해 지지되던 기판(W)은 상기 기판지지링(500)에 안착된다.Subsequently, the lift pin unit 700 is lowered to the state of FIG. 8 to FIG. 7 by the driving of the first driving unit 920. That is, the support pin 710 is lowered to be positioned below the substrate support 510 of the substrate support ring 500. When the support pin 710 is positioned below the substrate support ring 500, the substrate W supported by the support pin 710 is seated on the substrate support ring 500.

이어서, 상기 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400)의 상면 사이의 공간에서 회피하도록 상기 리프트핀유닛(700)이 회전하게 된다. 즉, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 제2 구동부(960)의 구동에 의해 상기 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 상부의 공간에서 벗어나도록 반대방향으로 회전하여 도 6의 상태에 위치하게 된다.Subsequently, the lift pin unit 700 is rotated so that the support pin 710 avoids the space between the bottom surface of the substrate W and the top surface of the first supply part 400. That is, the lift pin unit 700 is rotated in the opposite direction so that the support pin 710 is out of the space of the upper portion of the first supply unit 400 by the drive of the second drive unit 960 of FIG. Will be placed in the state.

그런데, 도 6의 상태에서 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간에서는 벗어나 있지만, 상기 기판(W)에 인접하여 위치하게 된다. 따라서, 상기 제1 공급부(400)에서 공정가스 등을 공급하여 상기 기판(W)의 하면에 대한 증착공정 등을 수행하는 경우에 상기 기판(W)의 하면에서 상기 공정가스의 흐름이 원활하지 않을 수 있다.By the way, in the state of FIG. 6, the support pin 710 of the lift pin unit 700 is out of the space between the lower surface of the substrate W and the first supply part 400, but is adjacent to the substrate W. Will be located. Therefore, when the process gas or the like is supplied from the first supply unit 400 to perform a deposition process on the lower surface of the substrate W, the flow of the process gas may not be smooth from the lower surface of the substrate W. Can be.

또한, 전술한 도 6의 상태에서 상기 기판지지링(500)의 측벽(520)과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간은 잔존가스가 배기되는 배기유로의 역할을 하게 된다. 이때, 상기 리프트핀유닛(700)이 전술한 배기유로를 따라 상기 기판(W)에 인접하여 위치하게 되면 잔존가스의 배기가 원활하지 않게 되어 처리공정의 효율을 떨어뜨릴 수 있다.In addition, in the above-described state of FIG. 6, the space between the side wall 520 of the substrate support ring 500 and the first supply part 400 serves as an exhaust passage through which residual gas is exhausted. In this case, when the lift pin unit 700 is positioned adjacent to the substrate W along the above-described exhaust passage, the exhaust gas may not be smoothly exhausted, thereby reducing the efficiency of the treatment process.

따라서, 상기 기판(W)에 대한 처리공정을 수행하는 중에 상기 리프트핀유닛(700)은 도 9에 도시된 바와 같이 상기 기판지지링(500)의 측벽(520)과 상기 제1 공급부(400) 사이를 따라 미리 결정된 길이만큼 하강하여 하부에 위치할 수 있다. 이때, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 제1 구동부(920)의 구동에 의해 미리 결정된 길이만큼 하강하게 된다. Therefore, the lift pin unit 700 may perform the processing on the substrate W, and the sidewalls 520 and the first supply unit 400 of the substrate support ring 500 may be formed as shown in FIG. 9. The lower portion may be lowered by a predetermined length along the interval. In this case, the lift pin unit 700 is lowered by a predetermined length by the driving of the first driver 920.

이 경우, 상기 리프트핀유닛(700)이 상기 기판지지링(500)의 측벽(520)과 상기 제1 공급부(400) 사이를 따라 상기 기판(W)에서 멀리 이격되어 위치하게 됨으로써, 상기 기판(W)의 하면에서 상기 공정가스의 흐름이 원활하게 되며, 나아가 잔존가스의 배기가 수월하게 이루어질 수 있다.In this case, the lift pin unit 700 is spaced apart from the substrate W along the sidewall 520 of the substrate support ring 500 and the first supply part 400, thereby allowing the substrate ( At the lower surface of W), the flow of the process gas is smooth, and further, the remaining gas can be easily exhausted.

한편, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 리프트핀유닛(700)의 구조를 도시한 일부 개략도이다. 전술한 실시예의 경우 리프트핀유닛(700)을 상승시키는 구동부와 리프트핀유닛(700)을 회전시키는 구동부를 각각 별개로 구비한다. 이 경우, 각 구동부의 구동에 따른 상하 또는 회전 운동이 확실하게 이루어지지만 구동부의 숫자가 증가함에 따라 구성이 복잡해지며, 제어가 어려워진다는 단점이 있다. 따라서, 도 10에 따른 실시예의 경우 단일 구동부를 구비하여 리프트핀의 상하 이동과 회전 운동을 동시에 수행하는 구성을 제시한다.On the other hand, Figure 10 is a partial schematic view showing the structure of a lift pin unit 700 according to another embodiment of the present invention. In the above-described embodiment, the driving unit for raising the lift pin unit 700 and the driving unit for rotating the lift pin unit 700 are provided separately. In this case, the up and down or rotational movement is surely performed according to the driving of each driving unit, but as the number of the driving units increases, the configuration becomes complicated and the control becomes difficult. Therefore, in the case of the embodiment according to FIG. 10, a configuration for performing vertical movement and rotational movement of the lift pin at the same time is provided with a single driving unit.

도 10을 참조하면, 상기 기판처리장치(1000)는 상기 리프트핀유닛(700)을 상하로 이동시키는 제3 구동부(1920)와, 상기 리프트핀유닛(700)의 상하 이동을 가이드하며 상기 리프트핀유닛(700)의 상하 이동 시에 상기 리프트핀유닛(700)을 미리 결정된 각도만큼 회전시키도록 가이드하는 가이드부(1700)를 구비할 수 있다.Referring to FIG. 10, the substrate processing apparatus 1000 may guide the vertical movement of the lift pin unit 700, the third driving unit 1920 to move the lift pin unit 700 up and down, and the lift pin. A guide part 1700 may be provided to guide the lift pin unit 700 to rotate by a predetermined angle when the unit 700 moves up and down.

구체적으로 상기 챔버몸체(220)의 베이스(222)를 관통하여 상기 리프트핀유닛(700)이 상하로 이동하게 된다. 이 경우, 상기 리프트핀유닛(700)의 수직바(730)가 상기 베이스(222)를 관통하여 상하로 이동할 수 있도록 배치된다. 이때, 상기 베이스(222)를 관통하여 하부로 연장된 상기 수직바(730)는 상기 챔버(200) 내부의 압력을 유지할 수 있도록 벨로우즈(bellows)(1940) 등으로 밀폐될 수 있다.Specifically, the lift pin unit 700 moves up and down through the base 222 of the chamber body 220. In this case, the vertical bar 730 of the lift pin unit 700 is disposed to move up and down through the base 222. In this case, the vertical bar 730 extending downward through the base 222 may be sealed by a bellows 1940 or the like to maintain the pressure in the chamber 200.

이 경우, 상기 수직바(730)의 단부는 상하로 이동하는 볼 스크류(ball screw)(1930)와 연결될 수 있으며, 상기 볼 스크류(1930)는 연결부(1925)를 통해 상기 제3 구동부(1920)와 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제3 구동부(1920)의 구동에 의해 상기 볼 스크류(1930)가 상하로 이동하게 되며 이에 따라 상기 리프트핀유닛(700)이 상하로 함께 이동하게 된다.In this case, an end portion of the vertical bar 730 may be connected to a ball screw 1930 moving up and down, and the ball screw 1930 may be connected to the third driving part 1920 through a connection part 1925. It can be connected with. Therefore, the ball screw 1930 is moved up and down by the driving of the third drive unit 1920, and thus the lift pin unit 700 is moved up and down together.

한편, 상기 리프트핀유닛(700)의 하단부에는 상기 리프트핀유닛(700)의 이동을 가이드하는 가이드부(1700)를 구비할 수 있다. 상기 가이드부(1700)는 상기 리프트핀유닛(700)이 상하로 이동하는 경우에 상하 이동이 수직한 방향으로 이루어지도록 가이드하며, 나아가 상기 리프트핀유닛(700)이 상하로 이동하는 중에 미리 정해진 각도로 상기 리프트핀유닛(700)이 회전하도록 가이드하는 역할을 한다.On the other hand, the lower end of the lift pin unit 700 may be provided with a guide portion 1700 for guiding the movement of the lift pin unit 700. The guide part 1700 guides the vertical movement in a vertical direction when the lift pin unit 700 moves up and down, and further, a predetermined angle while the lift pin unit 700 moves up and down. It serves to guide the lift pin unit 700 to rotate.

구체적으로, 상기 리프트핀유닛(700)은 미리 결정된 길이만큼 돌출 형성된 가이드바(750)를 구비하고 상기 가이드부(1700)는 상기 가이드바(750)가 삽입되어 관통하는 가이드홀(1800)(도 11 참조)을 구비한다. 따라서, 상기 가이드바(750)가 상기 가이드홀(1800)에 삽입된 상태에서 상기 리프트핀유닛(700)이 상승 또는 하강하는 경우에 상기 가이드홀(1800)의 적어도 일부 구간에서 상기 리프트핀유닛(700)이 회전하게 된다.Specifically, the lift pin unit 700 has a guide bar 750 protruding by a predetermined length and the guide portion 1700 is a guide hole 1800 through which the guide bar 750 is inserted (Fig. 11). Therefore, when the lift pin unit 700 is raised or lowered while the guide bar 750 is inserted into the guide hole 1800, the lift pin unit (at least in part of the guide hole 1800). 700 will rotate.

도 11은 상기 가이드부(1700)를 도시한 사시도이다.11 is a perspective view illustrating the guide unit 1700.

도 11을 참조하면, 상기 가이드부(1700)는 상기 리프트핀유닛(700)의 하단부, 즉 상기 수직바(730)의 단부를 감싸도록 원호 형상 또는 곡률진 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 가이드부(1700)의 내측면에 상기 가이드바(750)가 삽입될 수 있는 가이드홀(1800)이 형성된다. 여기서, 상기 가이드홀(1800)은 상기 가이드바(750)가 삽입되는 가이드홈으로 구성되는 것도 물론 가능하다.Referring to FIG. 11, the guide part 1700 may have an arc shape or a curved shape to surround the lower end of the lift pin unit 700, that is, the end of the vertical bar 730. In this case, a guide hole 1800 into which the guide bar 750 can be inserted is formed on an inner side surface of the guide part 1700. Here, of course, the guide hole 1800 may be configured as a guide groove into which the guide bar 750 is inserted.

도 11에 도시된 바와 같이, 상기 가이드홀(1800)은 상기 리프트핀유닛(700)의 상승 또는 하강 시에 상기 리프트핀유닛(700)을 회전시키는 제1 영역홀(1830)과, 상기 제1 영역홀(1830)의 상부에 상기 리프트핀유닛(700)의 상승 또는 하강 시에 상기 리프트핀을 회전시키지 않고 이동시키는 제2 영역홀(1850)을 구비한다. 이 경우, 상기 제2 영역홀(1850)은 상기 가이드부(1700)의 표면에서 수직한 방향으로 따라 형성될 수 있으며, 상기 제1 영역홀(1830)은 상기 제2 영역홀(1850)에서 소정의 각도로 경사져서 연결될 수 있다.As illustrated in FIG. 11, the guide hole 1800 may include a first region hole 1830 for rotating the lift pin unit 700 when the lift pin unit 700 is raised or lowered, and the first hole. A second area hole 1850 is provided on the area hole 1830 to move the lift pin without rotating the lift pin when the lift pin unit 700 is raised or lowered. In this case, the second region hole 1850 may be formed along a direction perpendicular to the surface of the guide part 1700, and the first region hole 1830 may be predetermined in the second region hole 1850. It can be connected by tilting at an angle of.

따라서, 도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 리프트핀유닛(700)이 상기 제3 구동부(1920)에 의해 상승하면서 상기 제1 영역홀(1830)을 지나는 경우에 상기 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400)의 상부의 공간으로 진입하도록 상기 리프트핀유닛(700)이 일방향으로 회전할 수 있다. Therefore, referring to FIGS. 10 and 11, when the lift pin unit 700 passes by the first region hole 1830 while being lifted by the third driving unit 1920, the support pin 710 is moved. The lift pin unit 700 may rotate in one direction to enter a space of a lower surface of the substrate W and an upper portion of the first supply unit 400.

또한, 상기 리프트핀유닛(700)이 상기 제3 구동부(1920)에 의해 하강하면서 상기 제1 영역홀(1830)을 지나는 경우에 상기 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400)의 상부의 공간에서 회피하도록 반대방향으로 회전하게 된다.In addition, when the lift pin unit 700 passes by the first region hole 1830 while being lowered by the third driving unit 1920, the support pin 710 is formed on the lower surface of the substrate W and the first pin. 1 It is rotated in the opposite direction to avoid in the space above the supply unit 400.

한편, 상기 기판(W)의 로딩 또는 언로딩을 위하여 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400)의 상부의 공간에 위치한 경우, 상기 제3 구동부(1920)에 의해 상기 리프트핀유닛(700)이 전술한 도 7에서 도 8의 위치로 상승하거나 또는 반대로 하강하게 된다.On the other hand, when the support pin 710 of the lift pin unit 700 is located in the space of the lower surface of the substrate (W) and the upper portion of the first supply unit 400 for loading or unloading the substrate (W). The lift pin unit 700 is raised or lowered by the third driving unit 1920 to the position of FIG. 8 as described above.

이 경우, 상기 리프트핀유닛(700)이 상기 제2 영역홀(1850)을 따라 이동하는 경우에 상기 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 상부에서 상기 지지핀(710)에 상기 기판(W)을 지지하도록 상기 리프트핀유닛(700)이 미리 결정된 거리만큼 상하로 이동하게 된다. 이때, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 제2 영역홀(1850)을 따라 수직한 방향으로 상하로 이동하게 되어 정확한 방향으로 이동하는 것이 가능해진다.In this case, when the lift pin unit 700 moves along the second area hole 1850, the support pin 710 contacts the support pin 710 on the first supply part 400. The lift pin unit 700 is moved up and down by a predetermined distance to support the substrate W. At this time, the lift pin unit 700 is moved up and down in the vertical direction along the second area hole 1850, it is possible to move in the correct direction.

한편, 도 11에 도시된 바와 같이 상기 가이드부(1700)는 상기 제1 영역홀(1830)의 하부에 상기 리프트핀유닛(700)의 상승 또는 하강 시에 상기 리프트핀유닛(700)을 회전시키지 않고 이동시키는 제3 영역홀(1810)을 더 구비할 수 있다.As illustrated in FIG. 11, the guide unit 1700 does not rotate the lift pin unit 700 when the lift pin unit 700 is raised or lowered under the first area hole 1830. It may be further provided with a third region hole 1810 to move without.

이는 전술한 도 9와 같이 상기 기판(W)에 대한 처리공정을 수행하는 중에 상기 기판지지링(500)의 측벽(520)과 상기 제1 공급부(400) 사이를 따라 상기 리프트핀유닛(700)을 미리 결정된 길이만큼 하강시키는 경우에 그 하강이동을 가이드하기 위함이다. As shown in FIG. 9, the lift pin unit 700 is disposed between the sidewall 520 of the substrate support ring 500 and the first supply unit 400 while the substrate W is processed. This is to guide the downward movement in the case of lowering by a predetermined length.

즉, 상기 기판(W)에 대한 처리공정을 수행하기에 앞서서 상기 리프트핀유닛(700)이 상기 제3 구동부(1920)에 의해 하강하면서 상기 제3 영역홀(1810)을 지나는 경우에 상기 리프트핀유닛(700)이 상기 기판지지링(500)과 상기 제1 공급부(400) 사이에서 미리 결정된 길이만큼 하강하게 된다. 이 경우, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 제3 영역홀(1810)의 가이드에 의해 수직한 방향을 따라 하강하게 된다.That is, when the lift pin unit 700 passes by the third region hole 1810 while the lift pin unit 700 descends by the third driving unit 1920 before performing the processing process on the substrate W, the lift pins. The unit 700 is lowered by a predetermined length between the substrate support ring 500 and the first supply part 400. In this case, the lift pin unit 700 is lowered along the vertical direction by the guide of the third region hole 1810.

반면에, 상기 기판(W)의 로딩 또는 언로딩을 위하여 상기 리프트핀유닛(700)이 상기 제3 구동부(1920)에 의해 상승하면서 상기 제3 영역홀(1810)을 지나는 경우에 상기 리프트핀유닛(700)이 상기 기판지지링(500)과 상기 제1 공급부(400) 사이에서 미리 결정된 길이만큼 상승하게 된다. 이 경우, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 제3 영역홀(1810)의 가이드에 의해 수직한 방향을 따라 상승하게 된다.On the other hand, when the lift pin unit 700 passes by the third region hole 1810 while being lifted by the third driving unit 1920 for loading or unloading the substrate W, the lift pin unit 700 rises by a predetermined length between the substrate support ring 500 and the first supply part 400. In this case, the lift pin unit 700 is raised in the vertical direction by the guide of the third region hole 1810.

이하에서는 전술한 구성을 가지는 기판처리장치(1000)에서 리프트핀유닛(700)의 이동방법에 대해서 살펴보기로 한다. 도 12 및 도 13은 본 발명에 따른 리프트핀유닛의 이동방법을 도시한 순서도이다.Hereinafter, a method of moving the lift pin unit 700 in the substrate processing apparatus 1000 having the above-described configuration will be described. 12 and 13 are flowcharts illustrating a method of moving a lift pin unit according to the present invention.

도 12 및 도 13을 참조하면, 상기 리프트핀유닛의 이동방법은 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 상부에 배치되는 단계(100)와, 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 반경 방향으로 이동하여 상기 기판(W)과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간에서 벗어나는 단계(200)를 포함할 수 있다.12 and 13, in the method of moving the lift pin unit, the support pin 710 of the lift pin unit 700 is disposed on an upper portion of the first supply part 400, and the The support pin 710 of the lift pin unit 700 is moved in the radial direction of the first supply unit 400 to escape from the space between the substrate (W) and the first supply unit 400 (200) can do.

이 때, 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 상부에 배치되는 단계(100)는 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 외곽에서 상기 제1 공급부(400)의 상부로 진입하는 단계(S110), 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 기판지지링(500)에서 미리 결정된 길이만큼 돌출하도록 상승하는 단계(S130), 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)에 상기 기판(W)이 안착되는 단계(S150), 상기 리프트핀유닛(700)이 하강하여 상기 기판지지링(500)에 상기 기판(W)을 안착시키는 단계(S170)를 포함할 수 있다.At this time, in the step 100 in which the support pin 710 of the lift pin unit 700 is disposed above the first supply part 400, the support pin 710 of the lift pin unit 700 is formed of the first pin. 1 entering the upper portion of the first supply unit 400 from the outside of the supply unit 400 (S110), the support pin 710 of the lift pin unit 700 is a predetermined length in the substrate support ring 500 Ascending so as to protrude (S130), the step of mounting the substrate (W) to the support pin 710 of the lift pin unit 700 (S150), the lift pin unit 700 is lowered to support the substrate It may include the step (S170) for mounting the substrate (W) in the ring 500.

또한, 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 반경 방향으로 이동하여 상기 기판(W)과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간에서 벗어나는 단계(200)는 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 기판(W)과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간에서 상기 제1 공급부(400)의 외곽으로 회피하는 단계(S210)를 포함할 수 있다.In addition, the support pin 710 of the lift pin unit 700 is moved in the radial direction of the first supply unit 400 to escape from the space between the substrate (W) and the first supply unit 400 (200) ) Is a step of avoiding the support pin 710 of the lift pin unit 700 to the outside of the first supply unit 400 in the space between the substrate (W) and the first supply unit 400 (S210). It may include.

전술한 도 6 및 도 9에 도시된 바와 같이 상기 리프트핀유닛(700)이 상기 기판지지링(500)의 측벽(520)과 상기 제1 공급부(400) 사이에 위치하는 중에 상기 기판(W)에 대한 처리공정이 종료되면 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간으로 진입하게 된다.As shown in FIGS. 6 and 9, the substrate W is positioned between the sidewalls 520 of the substrate support ring 500 and the first supply part 400. When the process for the end is completed, the support pin 710 of the lift pin unit 700 enters the space between the lower surface of the substrate (W) and the first supply unit (400).

구체적으로 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 리프트핀유닛(700)의 단부에 형성된 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간으로 진입하게 된다. 이 경우, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간으로 진입하도록 미리 정해진 각도로 회전할 수 있다. In detail, as shown in FIG. 7, the support pin 710 formed at the end of the lift pin unit 700 enters a space between the lower surface of the substrate W and the first supply part 400. In this case, the lift pin unit 700 may rotate at a predetermined angle so that the support pin 710 enters the space between the lower surface of the substrate W and the first supply part 400.

즉, 도 6의 상태에서 상기 리프트핀유닛(700)이 미리 정해진 각도로 일방향으로 회전하여 도 7과 같이 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간으로 진입할 수 있다.That is, in the state of FIG. 6, the lift pin unit 700 rotates in one direction at a predetermined angle so that the support pins 710 of the lift pin unit 700 are connected to the bottom surface of the substrate W as shown in FIG. 7. It may enter the space between the first supply unit 400.

한편, 상기 리프트핀유닛(700)이 상승하는 단계는 상기 기판지지링(500)에 안착되어 처리공정이 종료된 기판(W)이 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)에 안착되어 상승하는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 상기 처리공정이 종료된 기판(W)은 상기 챔버(200)의 외부로 인출될 수 있다.On the other hand, the step of lifting the lift pin unit 700 is mounted on the support pin 710 of the lift pin unit 700 is the substrate (W) is seated on the substrate support ring 500 and the processing process is completed And ascending. In this case, the substrate W, on which the treatment process is completed, may be drawn out of the chamber 200.

즉, 상기 리프트핀유닛(700)은 처리공정이 종료된 기판(W)을 언로딩하기 위하여 도 8에 도시된 바와 같이 상부로 이동하게 된다. 이때, 상기 지지핀(710)에 처리공정이 종료된 기판(W)을 안착시키기 위하여 상기 기판지지링(500)의 개구부(512)에서 상기 지지핀(710)이 미리 결정된 길이만큼 돌출하도록 상승하게 된다.That is, the lift pin unit 700 is moved upward as shown in FIG. 8 to unload the substrate W where the processing process is completed. At this time, the support pin 710 is raised so as to protrude by a predetermined length from the opening 512 of the substrate support ring 500 in order to seat the substrate (W) after the process is completed on the support pin 710. do.

이어서, 상기 챔버(200)의 외측에서 로딩암(미도시)이 상기 챔버(200)의 내부로 진입하여 상기 지지핀(710)에 안착된 기판(W)을 인출하고, 새로운 기판(W)을 상기 지지핀(710)의 상부에 안착시키게 된다.Subsequently, a loading arm (not shown) enters the inside of the chamber 200 outside the chamber 200 to withdraw the substrate W seated on the support pin 710, and a new substrate W is removed. The support pin 710 is to be seated on the top.

상기 지지핀(710)에 기판(W)이 안착된 다음, 상기 리프트핀유닛(700)은 도 8에서 도 7의 위치로 하강하게 된다. 즉, 상기 지지핀(710)이 상기 기판지지부(510)의 아래에 위치하도록 하강하게 된다. 상기 지지핀(710)이 상기 기판지지링(500)의 아래에 위치하게 되면 상기 지지핀(710)에 의해 지지되던 기판(W)은 상기 기판지지링(500)에 안착된다.After the substrate W is seated on the support pin 710, the lift pin unit 700 is lowered to the position of FIG. That is, the support pin 710 is lowered to be positioned below the substrate support 510. When the support pin 710 is positioned below the substrate support ring 500, the substrate W supported by the support pin 710 is seated on the substrate support ring 500.

이어서, 상기 지지핀(710)이 상기 기판(W)의 하면과 상기 제1 공급부(400)의 상면 사이의 공간에서 회피하도록 상기 리프트핀유닛(700)이 회전하게 된다. 즉, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 상부의 공간에서 벗어나도록 반대방향으로 회전하여 도 6의 상태에 위치하게 된다.Subsequently, the lift pin unit 700 is rotated so that the support pin 710 avoids the space between the bottom surface of the substrate W and the top surface of the first supply part 400. That is, the lift pin unit 700 is positioned in the state of FIG. 6 by rotating in the opposite direction so that the support pin 710 is out of the space of the upper portion of the first supply unit 400.

즉, 상기 기판지지링(500)에 안착된 상기 기판(W)에 대한 처리공정 중에 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 제1 공급부(400)의 외곽으로 회피하여 대기하게 된다. 예를 들어, 상기 기판(W)에 대한 처리공정 중에 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)은 상기 기판지지링(500)과 상기 제1 공급부(400) 사이에서 대기하게 된다.That is, the support pin 710 of the lift pin unit 700 avoids to the outside of the first supply unit 400 to stand by during the processing of the substrate W seated on the substrate support ring 500. do. For example, the support pin 710 of the lift pin unit 700 waits between the substrate support ring 500 and the first supply part 400 during the processing of the substrate W.

한편, 전술한 도 10의 경우 상기 리프트핀유닛(700)이 회전하는 중에 적어도 일부 구간에서 상기 리프트핀유닛(700)이 상승 또는 하강하게 된다. 즉, 상기 리프트핀유닛(700)이 상승 또는 하강하는 동시에 상기 리프트핀유닛(700)이 미리 결정된 각도만큼 회전할 수 있다. 이에 대해서는 도 10에서 상술하였으므로 반복적인 설명은 생략한다.Meanwhile, in the case of FIG. 10, the lift pin unit 700 is raised or lowered in at least some sections while the lift pin unit 700 is being rotated. That is, while the lift pin unit 700 is raised or lowered, the lift pin unit 700 may rotate by a predetermined angle. Since this is described in detail with reference to FIG. 10, repeated description thereof will be omitted.

한편, 상기 기판(W)에 대한 처리공정을 수행하는 중에 상기 리프트핀유닛(700)은 도 9에 도시된 바와 같이 상기 기판지지링(500)의 측벽(520)과 상기 제1 공급부(400) 사이를 따라 미리 결정된 길이만큼 하강하여 하부에 위치할 수 있다. 이때, 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 제1 구동부(920)의 구동에 의해 미리 결정된 길이만큼 하강하게 된다. Meanwhile, as shown in FIG. 9, the lift pin unit 700 performs sidewalls 520 and the first supply unit 400 of the substrate support ring 500 while the substrate W is being processed. It may be lowered down by a predetermined length along the interval. In this case, the lift pin unit 700 is lowered by a predetermined length by the driving of the first driver 920.

따라서, 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 외곽으로 회피하는 단계는 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 기판(W)과 상기 제1 공급부(400) 사이의 공간에서 상기 기판지지링(500)과 상기 제1 공급부(400) 사이로 이동하는 단계와, 상기 리프트핀유닛(700)이 상기 기판지지링(500)과 상기 제1 공급부(400) 사이에서 미리 결정된 길이만큼 하강하는 단계를 포함할 수 있다.Therefore, the step of avoiding the support pin 710 of the lift pin unit 700 to the outside of the first supply unit 400 is that the support pin 710 of the lift pin unit 700 and the substrate (W) Moving between the substrate support ring 500 and the first supply unit 400 in a space between the first supply unit 400, and the lift pin unit 700 moves between the substrate support ring 500 and the first supply unit 400. It may include the step of descending by a predetermined length between the first supply unit 400.

이 때, 상기 기판(W)의 로딩 또는 언로딩을 하기 위해서 상기 리프트핀유닛(700)은 상기 기판지지링(500)과 상기 제1 공급부(400) 사이에서 미리 결정된 길이만큼 상승하고, 이어서 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 외곽에서 상기 제1 공급부(400)의 상부로 진입하게 된다.At this time, in order to load or unload the substrate W, the lift pin unit 700 is raised by a predetermined length between the substrate support ring 500 and the first supply part 400 and then supported. The pin 710 enters the upper portion of the first supply part 400 from the outside of the first supply part 400.

즉, 상기 리프트핀유닛(700)의 지지핀(710)이 상기 제1 공급부(400)의 외곽에서 상기 제1 공급부(400)의 상부로 진입하는 단계에 앞서서 상기 리프트핀유닛(700)이 상기 기판지지링(500)과 상기 제1 공급부(400) 사이에서 미리 결정된 길이만큼 상승하는 단계를 포함할 수 있다.That is, the lift pin unit 700 prior to the step of entering the support pin 710 of the lift pin unit 700 to the upper portion of the first supply unit 400 from the outside of the first supply unit 400 It may include the step of rising between the substrate support ring 500 and the first supply unit 400 by a predetermined length.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art to various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims described below You can do it. Therefore, it should be seen that all modifications included in the technical scope of the present invention are basically included in the scope of the claims of the present invention.

W..기판
200..챔버
400..제1 공급부
500..기판지지링
600..제2 공급부
700..리프트핀유닛W..substrate
200..Chamber
400..First supply
500. Substrate Support Ring
600..2nd supply
700..Lift Pin Unit

Claims (25)

기판에 대한 처리공정을 수행하는 챔버;
상기 챔버 내부에 구비되어 상기 기판의 가장자리를 지지하는 기판지지링;
상기 기판의 하부에서 상기 기판지지링의 내측에 구비되어 상기 기판을 향해 열 및 상기 처리공정에 필요한 제1 가스 중에 적어도 하나를 공급하는 제1 공급부; 및
상기 기판을 상기 기판지지링에 로딩시키거나 상기 기판을 상기 기판지지링에서 언로딩시키는 리프트핀유닛;을 구비하고,
상기 리프트핀유닛은 상기 기판을 지지하는 지지핀을 구비하고, 상기 리프트핀유닛의 상기 지지핀은 상기 제1 공급부의 반경 방향으로 이동 가능하게 구비되고,
상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이의 공간에 배치되어, 상기 리프트핀유닛의 상기 지지핀은 상기 제1 공급부의 반경방향을 따라 이동하여 상기 기판과 상기 제1 공급부의 상면 사이의 공간에 위치하거나, 또는 상기 기판과 상기 제1 공급부의 상면 사이의 공간에서 벗어나서 상기 기판지지링의 측벽과 상기 제1 공급부 사이에서 미리 결정된 길이만큼 하강하여 위치하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber performing a processing process on the substrate;
A substrate support ring provided in the chamber to support an edge of the substrate;
A first supply part provided inside the substrate support ring at a lower portion of the substrate to supply at least one of heat and a first gas required for the processing step toward the substrate; And
And a lift pin unit configured to load the substrate onto the substrate support ring or to unload the substrate from the substrate support ring.
The lift pin unit has a support pin for supporting the substrate, the support pin of the lift pin unit is provided to be movable in the radial direction of the first supply,
A support pin of the lift pin unit is disposed in a space between the substrate support ring and the first supply part, and the support pin of the lift pin unit moves along a radial direction of the first supply part to move the substrate and the first. Located in the space between the upper surface of the supply portion, or away from the space between the substrate and the upper surface of the first supply portion is positioned between the side wall of the substrate support ring and the first supply portion by a predetermined length. Substrate processing apparatus. 제1항에 있어서,
상기 제1 공급부에 상기 리프트핀유닛의 이동을 위한 리프트핀홀이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
And a lift pin hole for moving the lift pin unit to the first supply unit. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 리프트핀유닛은 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이의 공간에 대응하여 절곡된 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
And the lift pin unit has a bent shape corresponding to the space between the substrate support ring and the first supply part. 제5항에 있어서,
상기 리프트핀유닛은 상기 지지핀에서 수평방향으로 절곡되어 상기 지지핀이 일단부에 형성된 수평바와, 상기 수평바의 타단부에서 수직하게 절곡되어 연장된 수직바를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 5,
And the lift pin unit has a horizontal bar bent in the horizontal direction from the support pin and the support pin is formed at one end thereof, and a vertical bar extended vertically at the other end of the horizontal bar. 제1항에 있어서,
상기 리프트핀유닛은 상기 기판에 대한 처리공정 시에 상기 기판지지링에 로딩된 상기 기판과 상기 제1 공급부의 상면 사이의 공간에서 벗어나서 위치하며, 상기 기판의 로딩 또는 언로딩 시에 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판과 상기 제1 공급부의 상면 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The lift pin unit is located out of a space between the substrate loaded on the substrate support ring and an upper surface of the first supply unit during the processing of the substrate, and the lift pin unit when loading or unloading the substrate. The support pin of the substrate processing apparatus, characterized in that located between the substrate and the upper surface of the first supply. 제7항에 있어서,
상기 기판지지링은 상기 기판의 가장자리를 지지하도록 개구부가 형성되고, 상기 지지핀이 상기 제1 공급부의 상부에서 상승하는 경우에 상기 기판지지링의 위로 미리 결정된 길이만큼 돌출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 7, wherein
The substrate support ring has an opening formed to support an edge of the substrate, and when the support pin is raised from the upper portion of the first supply portion, the substrate support ring protrudes a predetermined length above the substrate support ring. Device. 제7항에 있어서,
상기 기판에 대한 처리공정 시에 상기 리프트핀유닛은 상기 기판지지링의 측벽과 상기 제1 공급부 사이에서 미리 결정된 길이만큼 하강하여 위치하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 7, wherein
And the lift pin unit is lowered and positioned by a predetermined length between the sidewall of the substrate support ring and the first supply part during the processing of the substrate. 제7항에 있어서,
상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판과 상기 제1 공급부의 상면 사이의 공간으로 진입하도록 상기 리프트핀유닛이 회전하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 7, wherein
And the lift pin unit rotates so that the support pin of the lift pin unit enters the space between the substrate and the upper surface of the first supply part. 제7항 내지 제10항 중에 선택된 어느 한 항에 있어서,
상기 리프트핀유닛을 상하로 이동시키는 제1 구동부와, 상기 리프트핀유닛을 회전시키는 제2 구동부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 7 to 10,
And a first driving unit for moving the lift pin unit up and down, and a second driving unit for rotating the lift pin unit. 제7항 내지 제10항 중에 선택된 어느 한 항에 있어서,
상기 리프트핀유닛을 상하로 이동시키는 제3 구동부와, 상기 리프트핀유닛의 상하 이동을 가이드하며 상기 리프트핀유닛의 상하 이동 시에 상기 리프트핀유닛을 미리 결정된 각도만큼 회전시키도록 가이드하는 가이드부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 7 to 10,
A third drive unit for moving the lift pin unit up and down, and a guide unit for guiding the vertical movement of the lift pin unit and guides to rotate the lift pin unit by a predetermined angle during the vertical movement of the lift pin unit Substrate processing apparatus characterized in that it comprises. 제12항에 있어서,
상기 리프트핀유닛은 일측으로 돌출 형성된 가이드바를 더 구비하고 상기 가이드부는 상기 가이드바가 삽입되는 가이드홀을 구비하며,
상기 가이드바가 상기 가이드홀에 삽입되어 상기 리프트핀유닛이 상승 또는 하강하며, 상기 가이드홀의 적어도 일부 구간에서 상기 리프트핀유닛이 회전하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 12,
The lift pin unit further includes a guide bar protruding toward one side, and the guide part includes a guide hole into which the guide bar is inserted.
The guide bar is inserted into the guide hole, the lift pin unit is raised or lowered, the substrate processing apparatus, characterized in that the lift pin unit is rotated in at least a portion of the guide hole. 제13항에 있어서,
상기 가이드홀은
상기 리프트핀유닛의 상승 또는 하강 시에 상기 리프트핀유닛을 회전시키는 제1 영역홀과, 상기 제1 영역홀의 상부에 상기 리프트핀유닛의 상승 또는 하강 시에 상기 리프트핀유닛을 회전시키지 않고 이동시키는 제2 영역홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 13,
The guide hole is
A first region hole for rotating the lift pin unit when the lift pin unit is raised or lowered, and moving the lift pin unit without rotating the lift pin unit when the lift pin unit is raised or lowered on an upper portion of the first region hole; And a second region hole. 제14항에 있어서,
상기 가이드홀은 상기 제1 영역홀의 하부에 상기 리프트핀유닛의 상승 또는 하강 시에 상기 리프트핀유닛을 회전시키지 않고 이동시키는 제3 영역홀을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 14,
And the guide hole further comprises a third region hole at a lower portion of the first region hole to move the lift pin unit without rotating the lift pin unit when the lift pin unit is raised or lowered. 제1항에 있어서,
상기 기판의 상부에서 상기 기판을 향해 열 및 상기 처리공정에 필요한 제2 가스 중에 적어도 하나를 공급하는 제2 공급부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
And a second supply unit for supplying at least one of heat and a second gas required for the processing step from the upper portion of the substrate to the substrate. 챔버 내에 기판의 하면을 향해 열 및 가스 중에 적어도 하나를 공급하는 제1 공급부와 기판을 지지하는 기판지지링을 구비하고, 상기 기판지지링에 기판을 로딩 또는 언로딩하기 위한 리프트핀유닛의 이동방법에 있어서,
상기 리프트핀유닛의 단부에 구비된 지지핀이 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이의 공간에 배치되어, 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 상부에 배치되는 단계와
상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 반경 방향으로 이동하여 상기 기판과 상기 제1 공급부 사이의 공간에서 벗어나서 상기 기판지지링의 측벽과 상기 제1 공급부 사이에서 미리 결정된 길이만큼 하강하여 위치하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트핀유닛의 이동방법.A first supply part for supplying at least one of heat and gas toward the lower surface of the substrate in the chamber and a substrate support ring for supporting the substrate, the method of moving the lift pin unit for loading or unloading the substrate in the substrate support ring To
A support pin provided at an end of the lift pin unit is disposed in a space between the substrate support ring and the first supply unit, and the support pin of the lift pin unit is disposed above the first supply unit;
The support pin of the lift pin unit moves in the radial direction of the first supply part to move away from the space between the substrate and the first supply part and descends by a predetermined length between the sidewall of the substrate support ring and the first supply part. The method of moving a lift pin unit comprising a. 제17항에 있어서,
상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 상부에 배치되는 단계는
상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 외곽에서 상기 제1 공급부의 상부로 진입하는 단계와, 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판지지링에서 미리 결정된 길이만큼 돌출하도록 상승하는 단계와, 상기 리프트핀유닛의 지지핀에 상기 기판이 안착되는 단계와, 상기 리프트핀유닛이 하강하여 상기 기판지지링에 상기 기판을 안착시키는 단계를 포함하고,
상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판과 상기 제1 공급부 사이의 공간에서 벗어나는 단계는 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판과 상기 제1 공급부 사이의 공간에서 상기 제1 공급부의 외곽으로 회피하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트핀유닛의 이동방법.The method of claim 17,
The support pin of the lift pin unit is disposed above the first supply portion
The support pin of the lift pin unit enters an upper portion of the first supply part from the outside of the first supply part, and the support pin of the lift pin unit is raised to protrude by a predetermined length from the substrate support ring; And mounting the substrate on the support pin of the lift pin unit, and mounting the substrate on the substrate support ring by lowering the lift pin unit.
When the support pin of the lift pin unit is out of the space between the substrate and the first supply part, the support pin of the lift pin unit avoids the outside of the first supply part in the space between the substrate and the first supply part. The method of moving a lift pin unit comprising the step. 제18항에 있어서,
상기 리프트핀유닛이 상승하는 단계는
상기 기판지지링에 안착되어 처리공정이 종료된 기판이 상기 리프트핀유닛의 단부에 안착되어 상승하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트핀유닛의 이동방법. The method of claim 18,
Ascending the lift pin unit
And a substrate seated on the substrate support ring and seated at an end of the lift pin unit to be lifted to rise. 제18항에 있어서,
상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 상부로 진입하는 단계와 상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판과 상기 제1 공급부 사이의 공간에서 상기 제1 공급부의 외곽으로 회피하는 단계에서
상기 리프트핀유닛의 지지핀은 미리 결정된 각도만큼 일방향으로 회전하여 상기 제1 공급부의 상부로 진입하거나, 타방향으로 회전하여 상기 제1 공급부의 외곽으로 회피하는 것을 특징으로 하는 리프트핀유닛의 이동방법.The method of claim 18,
In the step of the support pin of the lift pin unit enters the upper portion of the first supply portion and the support pin of the lift pin unit to avoid the outside of the first supply portion in the space between the substrate and the first supply portion
The support pin of the lift pin unit is moved in one direction by a predetermined angle to enter the upper portion of the first supply portion, or rotated in the other direction to move to the outside of the first supply portion lift method . 제20항에 있어서,
상기 리프트핀유닛이 승강하는 중에 적어도 일부 구간에서 상기 리프트핀유닛이 회전하는 것을 특징으로 하는 리프트핀유닛의 이동방법.The method of claim 20,
The lift pin unit moving method, characterized in that the lift pin unit is rotated in at least some section while the lift pin unit is lifting. 제18항에 있어서,
상기 기판지지링은 개구부가 형성되고,
상기 리프트핀유닛이 상승하는 단계에서 상기 리프트핀유닛은 상기 개구부를 관통하여 상승하는 것을 특징으로 하는 리프트핀유닛의 이동방법.The method of claim 18,
The substrate support ring has an opening formed therein,
And the lift pin unit rises through the opening at the step of lifting the lift pin unit. 제18항에 있어서,
상기 기판지지링의 내측에 상기 제1 공급부가 위치하고, 상기 기판에 대한 처리공정 중에 상기 리프트핀유닛은 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이에서 대기하는 것을 특징으로 하는 리프트핀유닛의 이동방법.The method of claim 18,
And the first supply part is located inside the substrate support ring, and the lift pin unit waits between the substrate support ring and the first supply part during a process of processing the substrate. 제23항에 있어서,
상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 외곽으로 회피하는 단계는
상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 기판과 상기 제1 공급부 사이의 공간에서 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이로 이동하는 단계와,
상기 리프트핀유닛이 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이에서 미리 결정된 길이만큼 하강하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트핀유닛의 이동방법.The method of claim 23,
Avoiding the support pin of the lift pin unit to the outside of the first supply portion
Moving the support pin of the lift pin unit between the substrate support ring and the first supply part in a space between the substrate and the first supply part;
And the lift pin unit descending by a predetermined length between the substrate support ring and the first supply part. 제24항에 있어서,
상기 리프트핀유닛의 지지핀이 상기 제1 공급부의 외곽에서 상기 제1 공급부의 상부로 진입하는 단계에 앞서서
상기 리프트핀유닛이 상기 기판지지링과 상기 제1 공급부 사이에서 미리 결정된 길이만큼 상승하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트핀유닛의 이동방법.

The method of claim 24,
Prior to the step of the support pin of the lift pin unit enters the upper portion of the first supply portion from the outside of the first supply portion
The lift pin unit further comprises the step of raising the predetermined length between the substrate support ring and the first supply portion.

KR1020170162250A 2017-11-29 2017-11-29 Movement method of Lift pin and Substrate process apparatus KR102053593B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170162250A KR102053593B1 (en) 2017-11-29 2017-11-29 Movement method of Lift pin and Substrate process apparatus
TW107141127A TWI712103B (en) 2017-11-29 2018-11-20 Method of moving a lift pin unit and a substrate processing apparatus
CN201811432476.7A CN109841544B (en) 2017-11-29 2018-11-28 Method for moving ejector pin unit and substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170162250A KR102053593B1 (en) 2017-11-29 2017-11-29 Movement method of Lift pin and Substrate process apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190063286A KR20190063286A (en) 2019-06-07
KR102053593B1 true KR102053593B1 (en) 2019-12-09

Family

ID=66850166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170162250A KR102053593B1 (en) 2017-11-29 2017-11-29 Movement method of Lift pin and Substrate process apparatus

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102053593B1 (en)
CN (1) CN109841544B (en)
TW (1) TWI712103B (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102288733B1 (en) * 2019-09-25 2021-08-11 (주)에스티아이 Substrate processing apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150359A (en) * 1998-11-18 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd Method and device for substrate thermal process

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3214505B2 (en) * 1991-09-13 2001-10-02 株式会社デンソー Method for manufacturing semiconductor device
US5879128A (en) * 1996-07-24 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Lift pin and support pin apparatus for a processing chamber
US6821912B2 (en) * 2000-07-27 2004-11-23 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6767176B2 (en) * 2001-06-29 2004-07-27 Applied Materials, Inc. Lift pin actuating mechanism for semiconductor processing chamber
JP4111703B2 (en) * 2001-10-19 2008-07-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Wafer lift mechanism
TWI271813B (en) * 2002-05-08 2007-01-21 Jusung Eng Co Ltd Apparatus for manufacturing a semiconductor device
JP3929879B2 (en) * 2002-11-21 2007-06-13 京セラ株式会社 Wafer support member
CN100499059C (en) * 2006-08-22 2009-06-10 资腾科技股份有限公司 Protecting device for horizontal manual mode crystal-boat converter
KR20080058568A (en) * 2006-12-22 2008-06-26 세메스 주식회사 Lift pin, apparatus for processing a substrate having the lift pin, and method of processing a substrate using the apparatus
TWM343237U (en) * 2007-02-01 2008-10-21 Applied Materials Inc Mask etch plasma reactor with cathode lift pin assembly
KR101362814B1 (en) * 2007-04-13 2014-02-21 참엔지니어링(주) Method for plasma-treatment
JP2010238716A (en) * 2009-03-30 2010-10-21 Mitsubishi Electric Corp Substrate heat treating method, method of manufacturing display device using the substrate heat treating method, and substrate heat treating apparatus
CN101964321B (en) * 2009-07-22 2012-09-05 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Substrate processing equipment and ejector pin lifting device
KR100965143B1 (en) * 2009-10-27 2010-06-25 (주)앤피에스 Susceptor unit and apparatus for processing a substrate using it
JP5551420B2 (en) * 2009-12-04 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, method for measuring distance between electrodes thereof, and storage medium for storing program
JP2012087336A (en) * 2010-10-18 2012-05-10 Seiko Epson Corp Substrate processing apparatus, method of cleaning substrate processing chamber, and method of manufacturing electrooptical device
CN102064126B (en) * 2010-11-04 2013-04-17 友达光电股份有限公司 Method for processing base plate conveyance
JP2014011166A (en) * 2012-06-27 2014-01-20 Sharp Corp Substrate processing apparatus
CN103668101B (en) * 2012-09-21 2015-12-16 无锡华润华晶微电子有限公司 Be deposited as the wafer mounting apparatus used in film device
CN104269369A (en) * 2014-08-29 2015-01-07 沈阳拓荆科技有限公司 Device and method for preheating wafers through vacuum loading cavity
CN105779960B (en) * 2014-12-19 2018-09-18 北京北方华创微电子装备有限公司 Deposit subassembly and semiconductor processing equipment
CN204375711U (en) * 2015-03-03 2015-06-03 王玉先 A kind of thimble ejection drive unit
CN106486411B (en) * 2015-09-01 2019-06-11 东京毅力科创株式会社 Substrate board treatment, the position detection of lifter pin, adjusting and method for detecting abnormality
JP6653608B2 (en) * 2016-03-29 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150359A (en) * 1998-11-18 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd Method and device for substrate thermal process

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190063286A (en) 2019-06-07
TW201933531A (en) 2019-08-16
TWI712103B (en) 2020-12-01
CN109841544B (en) 2023-05-09
CN109841544A (en) 2019-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7077912B2 (en) Semiconductor manufacturing system
KR102437343B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate delivery method
KR102489864B1 (en) Substrate processing apparatus and stage
TWI505337B (en) Apparatus for processing substrate
KR102294642B1 (en) Liquid processing apparatus
KR102053593B1 (en) Movement method of Lift pin and Substrate process apparatus
KR20070098025A (en) Apparatus for fabricating semiconductor device
US10036091B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
KR100944379B1 (en) Apparatus for wafer loading, and the method of wafer loading using the same
KR20200079583A (en) Spindle unit and substrate moving method
KR102398454B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102367302B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate transporting method of using the same
KR20200053347A (en) Substrate processing apparatus capable of controlling process temperature
KR20220067365A (en) Substrate processing apparatus
KR100833472B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20180014414A (en) Susceptor
KR20100045072A (en) Apparatus for treatment of plural substrates
KR101651882B1 (en) Substrate processing apparatus
KR100542629B1 (en) Apparatus and method for manufacturing semiconductor devices
KR102258027B1 (en) Substrate treatment apparatus
KR101757821B1 (en) Apparatus and Metod for treating substrate
JP2020178019A (en) Substrate processing apparatus
KR102278083B1 (en) Unit for supporting substrate and Apparatus for treating substrate with the unit
KR102411118B1 (en) Method for processing substrate, apparatus for processing substrate and substrate processing system.
KR101483824B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat panel display

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant