JP4111703B2

JP4111703B2 - Wafer lift mechanism

Info

Publication number: JP4111703B2
Application number: JP2001322364A
Authority: JP
Inventors: 宏行高浜; 晃司太田; 洋佐藤
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2001-10-19
Filing date: 2001-10-19
Publication date: 2008-07-02
Anticipated expiration: 2021-10-19
Also published as: JP2003124297A

Description

【０００１】
【技術分野】
本発明は、半導体製造装置のウエハリフト機構に関し、リフトピンの中間部の径を上部の径より小さくするかまたはヒーターの下面近傍のガイド孔の径をその上部より大きくすることでリフトピンとガイド孔とのクリアランスを設け、ヒーターがゼロでない角度を有しているときにヒーター下面とリフトピンの接触をなくし、リフトピンがなめらかに移動できるウエハリフト機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１を用いて従来技術による半導体製造装置におけるウエハリフト機構を説明する。同図はウエハリフト機構の横断面を表した概念図である。図１Ａはウエハリフト機構の初期位置を表し、リフトピン１１はヒーター１２を上下に貫通する円柱状部材（以下ガイド装置と称する）を貫通し、リフトプレート１３と接触している。リフトプレート１３とリフトチューブ１４は接続しており、たとえばバネ１７によりチャンバー１６からバネ１７によって弾性支持されている。またヒーター１２はヒーター下部のヒータークランプ１５によりリフトチューブ１４およびリフトプレート１３を下に押し下げている。通常該機構はヒーター１２の上面が水平でリフトチューブ１４が鉛直方向になるように設置されるが、ウエハ処理工程などに関連して該機構全体の角度が微調整できる機構（図示しない）が付属しており、状況によっては前記水平および鉛直方向とは若干ずれた角度に設定されることがある。
【０００３】
次に同図Ｂではウエハが搬送用ロボットアーム（以下ロボットアームと称する、またロボットアームは図示しない）によってヒーター上部に運ばれると、ヒーター１２が上方に移動する。このときヒータークランプ１５によって押し下げられているリフトチューブ１４およびリフトプレート１３も、圧縮バネ１７によって共に上方に移動しリフトピン１１によってウエハが持ち上げられ所定の位置で停止する。ロボットアームが格納されるとヒーター１２はさらに上方へ移動する、またリフトプレート１３、リフトチューブ１４はストッパー（図示しない）によって途中で停止しそれに伴いリフトピンも停止する。
【０００４】
同図Ｃはヒーターがウエハおよびリフトピンを持ち上げている状態を示した図である。この状態で主にＣＶＤ処理が行われる。またリフトピンはこのとき該ピンの上端にある「つば」によりヒーターにぶら下がっている状態となる。
【０００５】
同図Ｄにおいて、処理が終了しヒーター１２が下がると最初にリフトピン１１がリフトプレート１３に接触する。さらにヒーター１２が下降し、ヒータークランプ１５がリフトチューブ１４に接触するまではヒーター１２のみが下降する。このときウエハはリフトピン１１のみで支えられている状態となり、ヒーターとの間に間隙が生じ、該間隙にロボットアームが挿入される。
【０００６】
次に同図Ｅにより、ヒーター１２がさらに下降するとヒータークランプ１５がリフトチューブ１４を押し下げ、ゆえにリフトプレート１３、リフトピン１１は共に下降する。よってロボットアームにウエハが残り次の工程に進むことができる。
【０００７】
以上が従来のウエハリフト機構の一連の動作である。またこの動作に関しては本発明においても同様である。
【０００８】
次に従来技術の問題点を示す。図１ＤおよびＥにおいて前記記載の通りリフトピン、リフトプレート、リフトチューブは停止したままヒーターのみ下降する。従ってリフトピンとガイド装置は相対的にスライドする。このときウエハリフト機構が鉛直方向に対して傾いているとき、リフトピンは図２Ａ、Ｂに示したようにガイド孔内で斜めに位置しこの状態でヒーターが下降する。このときガイド孔の下端とリフトピンの側面までの鉛直方向の距離が次第に小さくなりやがては接触する。
【０００９】
通常、半導体製造装置において、ＣＶＤの場合にはチャンバー内は約１×１０^−７Ｔｏｒｒの真空（ウエハ処理中は数Ｔｏｒｒ）であり、ヒーターの熱によってリフトピンは摂氏約４５０度に熱せられる。従って潤滑作用の効果があるリフトピンおよびガイド孔内壁に付着した水分または不純物等は、蒸発によって離脱するためリフトピンとガイド孔内壁との摩擦は大きくなり、従って図２Ｂに示したようにリフトピンとガイド孔下端が接触するとリフトピンが「ひっかかる」状態となる。この状態でヒーターが下降するとリフトピン自体がリフトプレートを下に押し下げる結果となる。このとき何らかの原因で「ひっかかり」がはずれると、バネ１７と連結しているリフトプレートが急激に上方に戻り、結果的にリフトピン１１がウエハ１０を「弾く」こととなる。この結果ウエハの位置のずれ、落下および破損などの問題が生じる。また、この問題は半導体製造プロセスにおいて、ウエハ処理枚数が２５枚に１回から２回の割合で発生し、これは量産の工程においてはきわめて重大な問題である。
【００１０】
この問題は上述したように、リフトピンとガイド孔内壁との摩擦が引き起こす問題である。通常、半導体製造工程において、各工程間では工程区域へのウエハの移動のため、チャンバー内は大気解放環境および室温下にさらされる。このとき、潤滑作用のある大気中の水分および「ちり」等のいわゆる微粒子が可動部材表面に付着する。しかしながら、例えばＣＶＤ処理においては、処理前にあらかじめチャンバー内の圧力を約１×１０^−７Ｔｏｒｒに減圧するため、これに伴い各部材表面に付着した水分は蒸発する。またＣＶＤ処理中はヒーターによってウエハを摂氏約４５０度に保つため、各部材表面に付着した前記微粒子は熱により離脱する。従ってリフトピンとガイド孔との間には潤滑作用が働かなくなり、前記大気解放環境および室温下に比べて大きな摩擦が生じ、これが「ひっかかる」原因となる。
【００１１】
つまり該「ひっかかり」はチャンバー内の、真空または高温という２つの環境によって生じる特有の問題である。
【００１２】
【発明が解決する課題】
本発明は前記問題を解決することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、半導体製造装置におけるウエハリフト機構であって、ヒーターと、該ヒーターを上下に貫通するガイド装置と、該ガイド装置を貫通して前記ヒーターに対して上下に相対的に移動できるように配置され、上端に有するつばにより前記ヒーターにぶら下がって支持される一体構成のリフトピンとを有し、前記リフトピンは、前記つばと、前記ガイド装置の下端よりも常に上方に位置し、前記つばの下方に位置する上部と、前記ガイド装置に対する相対位置によって前記ガイド装置の下端の上下に位置し、前記上部の下方に位置する中間部とを有し、前記中間部の径は前記上部の径よりも小さいことを特徴とするウエハリフト機構を提供する。
【００１５】
【実施例】
図３ＡからＤに本発明によるウエハリフト機構のリフトピン１１およびガイド２０またはヒーター１２との相対的な動作を示した。リフトピン１１は前記記載の通り上部３３および中間部３２を有し、該中間部３２は、上部よりテーパー状の部位３０を経て径が上部より小さくなっている。またガイド装置下面に対しその上下に位置する。上部３３はリフトピンの振動または「がたつき」などを防止し、ガイドとしての機能を有する。図３Ｃ、Ｄを見ると、中間部とガイド孔とのクリアランス３１が上部に対して大きいことがわかる。中間部３２はガイド孔とのクリアランスを上部より大きくとってあればよく、従って図の例では中間部の一部がテーパー状であるが、中間部から下端にかけて緩やかなテーパー状、つまり錐形であっても良い。また形状はこれらに限定されない。
【００１６】
図４に本発明によるウエハリフト機構のガイド装置２０とリフトピンとの相対的な動作を示した。図４Ａのリフトピンのヒーター下面近傍から下の領域が中間部となり、ガイドにテーパー４０がかけられている。図４Ｂ、Ｃではリフトピンの下部とガイド孔が上部より大きいクリアランスを保っている。テーパーの形状は図では放物線状の断面を有しているが、形状はこれに限定されない。
【００１７】
次に本発明をより詳細に説明する。図３においてウエハリフト機構が傾いている場合、リフトピンは図３Ｂに示したようにリフトピンの上端の「つば」によってガイドとの平行を保つ。次にヒーター１２が下降し図１Ｄに示したようにリフトピンがリフトプレートに接触し、該ピンの「つば」がガイドからはずれると図３Ｃ、Ｄに示したようにガイド内でリフトピンが斜めに位置する。さらにヒーターが下降するとガイド孔の下端とリフトピンとの垂直距離が次第に短くなる。このときテーパー３０によってリフトピン１１とガイド孔との間に十分なクリアランス３１が存在すると該ピンがガイドにひっかかることなくヒーター１２は所定の位置まで下降することができる。これはまた図４においても同様の議論が成り立つ。
【００１８】
またリフトピン上部においてはガイド装置内壁と接触しているために、リフトピンがガイド装置に比して軟質の材料で構成されている場合には、リフトピン上部が削られ粒子等によるウエハの汚染を誘引する。よってリフトピンはガイドに比して硬質な材料を用いる。また詳細は後述するが、半導体製造工程におけるプロセスチャンバー内は高真空であり、ウエハは高温で処理されることを考慮すると通常ガイド装置およびリフトピンには、例えばセラミックス (アルミナ、SiC)、アルミニウム、ステンレス、チタン、石英などの中から上述の条件を満たすものを選択することが考えられる、また熱分解性窒化硼素（ＰＢＮ：Pyrolytic Boron Nitride）をリフトピン表面にコーティングしても良い。しかしながら、上述の条件を満たす材料はこれらに限定されるものではない。
【００１９】
本発明は半導体製造工程において主にＣＶＤで用いられるが、ＰＶＤ、ウエハクリーニング（ドライクリーニング）など真空チャンバーを用いて高真空および高温で処理を行う工程全てに対しても使用可能である。
【００２０】
また本発明は、半導体製造装置の始動初期（装置の立ち上げ時）においては、ウエハの搬送等の動作確認を行う必要があるがこの場合においても有効である。従って、常圧、常温の下でも本発明は用いられる。これらのことを考慮すると、本発明は、気圧が大気圧から１×１０^−９Ｔｏｒｒ程度、温度は常温から摂氏５００度程度の環境で使用できる。特に、ウエハ温度が摂氏４００度以上、例えば摂氏４００度〜摂氏５００度とされる半導体製造装置において、本発明は有効である。しかしながらこれらに限定されるものではない。
【００２１】
本発明の本質はリフトピンの中間部とガイド孔下端近傍とのクリアランスを十分に保つことである。従ってこれを満足する形状であれば本発明の範囲に含まれる。
【００２２】
本実施例ではテーパー形状を示したが、別の実施例を図６に示した。図６Ａはクリアランスを保つために十分な径を有するガイド孔に対し、リフトピン上部にリング状のスペーサ６０を設置したものである。図６Ｂは同様に十分大きな径を持つガイド孔の内壁に凸状のガイド装置６１を有せしめたものである。
【００２３】
これらはリフトピン中間部とガイドまたはヒーター下面近傍との十分大きなクリアランスを保つための他の実施例であるが、形状はこれに限定されるものではない。
【００２４】
また本記載においてヒーターを上下に貫通する円柱状部材をガイド装置と称したが、ヒーターを上下に連通する連通孔も含まれる。
【００２５】
最後に当該ウエハリフト機構の半導体製造装置におけるチャンバーも含めた全体の構成を説明する。図５に真空チャンバー内における本発明の具体的な一例を示した。当該ウエハリフト機構５１は図に示したように真空チャンバー５０内に設置され、前述した動作を行う。チャンバー上部には半導体製造工程におけるガス導入口５５が配置されており、該ウエハリフト機構はウエハに対しガスが適切に導入されるように、角度微調節機構（図示しない）を有している。また該ウエハリフト機構５１はリフトチューブ１４の上下動作を可能にするスライド部５３と、該スライド部５３とリフトチューブ１４を接続するリフトチューブ支持部材５４を有しており、該ウエハリフト機構は、該ウエハリフト機構をチャンバーと接続するためのウエハリフト機構支持部材５２に固定されている。またヒーターの上下動作に伴いリフトチューブも上下方向に移動できるようにするためのバネ１７が、ウエハリフト機構支持部材５２とリフトチューブ支持部材５４の間に配置されている。
【００２６】
【発明の効果】
上述の記載から、本発明によってリフトピンと、ガイド装置下端との接触をなくし、円滑な動作をするウエハリフト機構を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はウエハリフト機構の一連の動作を示した図である。
【図２】図２は傾斜したウエハリフト機構とリフトピンとの相対的な配置、およびヒーターが下降したときのリフト機構とリフトピンとの相対的な配置を示している。
【図３】図３は本発明のリフトピンおよびリフトピンにテーパーを設けたときのリフトピンとヒーターとの相対的な動作を示した図である。
【図４】図４はガイド装置にテーパーを設けたときのリフトピンとガイド装置またはヒーターとの相対的な動作を示した図である。
【図５】図５は真空チャンバー内における本発明の構成である。
【図６】図６は本発明の他の実施例を示した。
【符号の説明】
１０ウエハ
１１リフトピン
１２ヒーター
１３リフトプレート
１４リフトチューブ
１５ヒータークランプ
１６チャンバ
１７バネ
２０ガイド装置
３０リフトピンのテーパー
３１リフトピントガイド装置とのクリアランス
３２中間部
３３上部
４０ガイド装置のテーパー
５０真空チャンバー
５１ウエハリフト機構
５２ウエハリフト機構支持部材
５３スライド部
５４リフトチューブ支持部材
５５ガス導入用ダクト
６０スペーサ
６１ガイド装置[0001]
【Technical field】
The present invention relates to a wafer lift mechanism of a semiconductor manufacturing apparatus, wherein the diameter of the intermediate portion of the lift pin is made smaller than the upper diameter or the diameter of the guide hole near the lower surface of the heater is made larger than the upper portion so that the lift pin and the guide hole The present invention relates to a wafer lift mechanism in which a clearance is provided and when the heater has a non-zero angle, contact between the lower surface of the heater and the lift pins is eliminated, and the lift pins can move smoothly.
[0002]
[Prior art]
A wafer lift mechanism in a conventional semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to FIG. This figure is a conceptual diagram showing a cross section of the wafer lift mechanism. FIG. 1A shows the initial position of the wafer lift mechanism, and the lift pins 11 pass through a columnar member (hereinafter referred to as a guide device) penetrating the heater 12 up and down, and are in contact with the lift plate 13. The lift plate 13 and the lift tube 14 are connected, and are elastically supported by the spring 17 from the chamber 16 by a spring 17, for example. The heater 12 pushes the lift tube 14 and the lift plate 13 downward by a heater clamp 15 below the heater. Normally, the mechanism is installed such that the upper surface of the heater 12 is horizontal and the lift tube 14 is in the vertical direction, but a mechanism (not shown) that can finely adjust the angle of the entire mechanism in relation to the wafer processing process is attached. Depending on the situation, the angle may be set slightly different from the horizontal and vertical directions.
[0003]
Next, in FIG. 7B, when the wafer is carried to the upper part of the heater by a transfer robot arm (hereinafter referred to as a robot arm, and the robot arm is not shown), the heater 12 moves upward. At this time, the lift tube 14 and the lift plate 13 pushed down by the heater clamp 15 are also moved upward by the compression spring 17, and the wafer is lifted by the lift pins 11 and stopped at a predetermined position. When the robot arm is retracted, the heater 12 further moves upward, and the lift plate 13 and the lift tube 14 are stopped halfway by a stopper (not shown), and the lift pin is also stopped accordingly.
[0004]
FIG. 3C is a view showing a state where the heater lifts the wafer and lift pins. In this state, the CVD process is mainly performed. At this time, the lift pin is in a state of being hung from the heater by the "brim" at the upper end of the pin.
[0005]
In FIG. D, when the process is completed and the heater 12 is lowered, the lift pins 11 first come into contact with the lift plate 13. Further, the heater 12 is lowered, and only the heater 12 is lowered until the heater clamp 15 comes into contact with the lift tube 14. At this time, the wafer is supported only by the lift pins 11, and a gap is formed between the wafer and the heater, and the robot arm is inserted into the gap.
[0006]
Next, as shown in FIG. E, when the heater 12 is further lowered, the heater clamp 15 pushes down the lift tube 14, and therefore both the lift plate 13 and the lift pin 11 are lowered. Therefore, the wafer remains in the robot arm and the process can proceed to the next step.
[0007]
The above is a series of operations of the conventional wafer lift mechanism. This operation is the same in the present invention.
[0008]
Next, problems of the prior art are shown. As described above in FIGS. 1D and 1E, the lift pins, the lift plate, and the lift tube are lowered and only the heater is lowered. Therefore, the lift pin and the guide device slide relative to each other. At this time, when the wafer lift mechanism is inclined with respect to the vertical direction, the lift pins are positioned obliquely in the guide holes as shown in FIGS. 2A and 2B, and the heater is lowered in this state. At this time, the distance in the vertical direction between the lower end of the guide hole and the side surface of the lift pin gradually decreases and comes into contact.
[0009]
Normally, in a semiconductor manufacturing apparatus, in the case of CVD, the inside of a chamber is a vacuum of about 1 × 10 ⁻⁷ Torr (several Torr during wafer processing), and the lift pins are heated to about 450 degrees Celsius by the heat of the heater. Therefore, the lift pins and the guide hole inner walls adhering to the lubrication effect are separated by evaporation, so that the friction between the lift pins and the guide hole inner walls is increased. Therefore, as shown in FIG. When the lower end comes into contact, the lift pin enters a “hooked” state. When the heater is lowered in this state, the lift pins themselves push down the lift plate. At this time, if the “catch” is removed for some reason, the lift plate connected to the spring 17 suddenly returns upward, and as a result, the lift pins 11 “bounce” the wafer 10. As a result, problems such as misalignment, dropping and breakage of the wafer occur. In addition, this problem occurs in the semiconductor manufacturing process at a rate of one to two wafers per 25 wafers, which is a very serious problem in the mass production process.
[0010]
As described above, this problem is caused by friction between the lift pin and the guide hole inner wall. Usually, in a semiconductor manufacturing process, the chamber is exposed to an open atmosphere and a room temperature due to the movement of a wafer to a process area between processes. At this time, moisture in the atmosphere having a lubricating action and so-called fine particles such as “dust” adhere to the surface of the movable member. However, in the CVD process, for example, since the pressure in the chamber is reduced to about 1 × 10 ⁻⁷ Torr before the process, moisture attached to each member surface evaporates accordingly. Further, during the CVD process, the wafer is kept at about 450 degrees Celsius by a heater, so that the fine particles adhering to the surface of each member are detached by heat. Therefore, the lubrication action does not work between the lift pin and the guide hole, and a large friction is generated as compared with the atmospheric release environment and the room temperature, which causes “scramble”.
[0011]
In other words, the “stagnation” is a unique problem caused by two environments in the chamber, vacuum or high temperature.
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to solve the above problems.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer lift mechanism in a semiconductor manufacturing apparatus, comprising a heater, a guide device penetrating the heater up and down, and penetrating the guide device up and down with respect to the heater. A lift pin that is arranged so as to be relatively movable and is supported by being suspended from the heater by a flange at the upper end, the lift pin being always above the flange and the lower end of the guide device. An upper portion located below the collar, and an intermediate portion located above and below the lower end of the guide device relative to the guide device and located below the upper portion, the diameter of the intermediate portion Provides a wafer lift mechanism that is smaller than the upper diameter.
[0015]
【Example】
3A to 3D show relative operations of the lift pins 11 and the guides 20 or the heaters 12 of the wafer lift mechanism according to the present invention. The lift pin 11 has the upper part 33 and the intermediate part 32 as described above, and the intermediate part 32 is smaller in diameter than the upper part through a tapered portion 30 from the upper part. It is positioned above and below the lower surface of the guide device. The upper portion 33 prevents the lift pins from vibrating or “rattles” and has a function as a guide. 3C and 3D, it can be seen that the clearance 31 between the intermediate portion and the guide hole is larger than the upper portion. The intermediate portion 32 only needs to have a larger clearance from the upper portion than the upper portion. Therefore, in the example shown in the figure, a portion of the intermediate portion is tapered, but it has a gentle taper shape from the intermediate portion to the lower end, that is, a conical shape. There may be. The shape is not limited to these.
[0016]
FIG. 4 shows the relative operation of the guide device 20 and lift pins of the wafer lift mechanism according to the present invention. The region below the heater lower surface vicinity of the lift pin of FIG. 4A is an intermediate portion, and a taper 40 is applied to the guide. 4B and 4C, the lower part of the lift pin and the guide hole maintain a larger clearance than the upper part. The shape of the taper has a parabolic cross section in the figure, but the shape is not limited to this.
[0017]
The present invention will now be described in more detail. When the wafer lift mechanism is tilted in FIG. 3, the lift pins are kept in parallel with the guides by the “ribs” at the upper ends of the lift pins as shown in FIG. 3B. Next, when the heater 12 is lowered and the lift pin comes into contact with the lift plate as shown in FIG. 1D, and the “rib” of the pin is removed from the guide, the lift pin is positioned obliquely in the guide as shown in FIGS. 3C and D. To do. When the heater is further lowered, the vertical distance between the lower end of the guide hole and the lift pin is gradually shortened. At this time, if there is a sufficient clearance 31 between the lift pin 11 and the guide hole due to the taper 30, the heater 12 can be lowered to a predetermined position without the pin being caught by the guide. This is also true for FIG.
[0018]
Further, since the upper part of the lift pin is in contact with the inner wall of the guide device, when the lift pin is made of a softer material than the guide device, the upper part of the lift pin is shaved to induce contamination of the wafer by particles or the like. . Therefore, the lift pin uses a material harder than the guide. Although details will be described later, in consideration of the fact that the inside of the process chamber in the semiconductor manufacturing process is a high vacuum and the wafer is processed at a high temperature, for example, ceramics (alumina, SiC), aluminum, stainless steel are usually used as guide devices and lift pins. It is conceivable to select a material satisfying the above-mentioned conditions from titanium, quartz, or the like. Alternatively, pyrolytic boron nitride (PBN) may be coated on the surface of the lift pin. However, materials that satisfy the above-mentioned conditions are not limited to these.
[0019]
The present invention is mainly used in the semiconductor manufacturing process by CVD, but can also be used for all processes in which high-vacuum and high-temperature processing is performed using a vacuum chamber such as PVD and wafer cleaning (dry cleaning).
[0020]
In addition, the present invention is effective even in the initial stage of starting the semiconductor manufacturing apparatus (when the apparatus is started up), in which it is necessary to confirm the operation such as wafer transfer. Therefore, the present invention can be used even under normal pressure and normal temperature. Considering these, the present invention can be used in an environment where the atmospheric pressure is from atmospheric pressure to about 1 × 10 ⁻⁹ Torr and the temperature is from room temperature to about 500 degrees Celsius. In particular, the present invention is effective in a semiconductor manufacturing apparatus in which the wafer temperature is 400 degrees Celsius or higher, for example, 400 degrees Celsius to 500 degrees Celsius. However, it is not limited to these.
[0021]
The essence of the present invention is to maintain a sufficient clearance between the intermediate portion of the lift pin and the vicinity of the lower end of the guide hole. Therefore, any shape satisfying this is included in the scope of the present invention.
[0022]
In this embodiment, a tapered shape is shown, but another embodiment is shown in FIG. In FIG. 6A, a ring-shaped spacer 60 is installed on the upper part of the lift pin with respect to a guide hole having a sufficient diameter for maintaining a clearance. FIG. 6B also shows a guide device 61 having a convex shape on the inner wall of a guide hole having a sufficiently large diameter.
[0023]
These are other embodiments for maintaining a sufficiently large clearance between the lift pin intermediate portion and the vicinity of the lower surface of the guide or the heater, but the shape is not limited to this.
[0024]
In this description, the cylindrical member that penetrates the heater up and down is referred to as a guide device, but a communication hole that communicates the heater up and down is also included.
[0025]
Finally, the overall structure including the chamber in the semiconductor manufacturing apparatus of the wafer lift mechanism will be described. FIG. 5 shows a specific example of the present invention in a vacuum chamber. The wafer lift mechanism 51 is installed in the vacuum chamber 50 as shown in FIG. A gas introduction port 55 in the semiconductor manufacturing process is disposed in the upper portion of the chamber, and the wafer lift mechanism has an angle fine adjustment mechanism (not shown) so that gas is appropriately introduced into the wafer. The wafer lift mechanism 51 includes a slide portion 53 that enables the lift tube 14 to move up and down, and a lift tube support member 54 that connects the slide portion 53 and the lift tube 14. The wafer lift mechanism includes the wafer lift mechanism. It is fixed to a wafer lift mechanism support member 52 for connecting the mechanism to the chamber. A spring 17 is arranged between the wafer lift mechanism support member 52 and the lift tube support member 54 so that the lift tube can be moved in the vertical direction as the heater moves up and down.
[0026]
【The invention's effect】
From the above description, according to the present invention, it is possible to provide a wafer lift mechanism that eliminates the contact between the lift pins and the lower end of the guide device and operates smoothly.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing a series of operations of a wafer lift mechanism.
FIG. 2 shows the relative arrangement of the tilted wafer lift mechanism and lift pins, and the relative arrangement of the lift mechanism and lift pins when the heater is lowered.
FIG. 3 is a view showing a relative operation of a lift pin and a heater when a taper is provided on the lift pin and the lift pin of the present invention.
FIG. 4 is a view showing a relative operation of a lift pin and a guide device or a heater when a taper is provided in the guide device.
FIG. 5 shows the configuration of the present invention in a vacuum chamber.
FIG. 6 shows another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer 11 Lift pin 12 Heater 13 Lift plate 14 Lift tube 15 Heater clamp 16 Chamber 17 Spring 20 Guide apparatus 30 Taper 31 of lift pin 32 Clearance with lift focus guide apparatus 33 Middle part 33 Upper part 40 Taper 50 of guide apparatus Vacuum chamber 51 Wafer lift mechanism 52 Wafer Lift Mechanism Support Member 53 Slide Part 54 Lift Tube Support Member 55 Gas Introduction Duct 60 Spacer 61 Guide Device

Claims

A wafer lift mechanism in a semiconductor manufacturing apparatus, wherein a heater, a guide device penetrating the heater up and down, and a guide device penetrating through the guide device are arranged so as to be movable up and down relative to the heater, A lift pin with an integral structure supported by hanging from the heater by a collar having
The lift pins and the collar, positioned always above the lower end of the guide device, an upper portion located below the collar, located above and below the lower end of the guide device by a relative position with respect to the guide device, wherein And a middle portion located below the upper portion, wherein the diameter of the middle portion is smaller than the diameter of the upper portion.

2. The wafer lift mechanism according to claim 1, wherein at least the intermediate portion has a tapered shape whose diameter decreases as it goes downward.

The wafer lift mechanism according to claim 1, wherein the lift pins have a circular cross section.

The wafer lift mechanism according to claim 1, wherein the guide device is a communication hole that allows the heater to communicate vertically.