KR102014850B1 - 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지는 기판의 상부에 형성되어 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 전극, 상기 제1 전극의 상부에 형성되고, 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)를 포함하는 정공 수송층, 상기 정공 수송층의 상부에 형성된 페로브스카이트 구조의 광 흡수층, 및 상기 광 흡수층의 상부에 형성된 제2 전극을 포함하고, 상기 광 흡수층은 하기 화학식 1에 기초하여 표시된다.
[화학식 1]
ABX3
여기서, 상기 A는 유기양이온이고, 상기 B는 금속원소이고, 상기 X는 할로겐원소임.
[화학식 1]
ABX3
여기서, 상기 A는 유기양이온이고, 상기 B는 금속원소이고, 상기 X는 할로겐원소임.
Description
본 발명은 페로브스카이트 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 탄소나노튜브-PEDOT:PSS 적층 구조의 정공 수송층을 가지는 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
태양전지(Solar Cells)는 입사되는 태양광에너지를 전기에너지로 직접 변환하는 반도체 소자로서, 실리콘 등의 반도체 소재가 주로 사용된다.
태양전지의 소자구조는 전기적 성질이 상이하도록 반도체 도핑에 사용되는 n형과 p형 두 가지를 연결한 p-n 접합구조를 가지며, 동작원리는 태양전지에 태양광이 입사하여 태양광에너지가 태양전지 내 반도체에 흡수되면서 전자와 정공이 생기고 마이너스인 전자는 n형으로, 플러스인 정공은 p형으로 전하들이 수집되며 전기를 생성하는 방식이다.
최근, 주목을 받고 있는 메틸암모늄 요오드화납(MAPbI3) 계열의 유기/무기 하이브리드 소재의 태양전지는 잠재적으로 낮은 공정 가격, 용액 공정을 통한 대면적화, 높은 광전변환효율, 간단한 공정 과정 등에서 많은 이점을 갖는다. 특히 기존 시장의 중심인 실리콘 태양전지의 광전변환효율과 비교하여도 충분히 공정 가격대비 경쟁력 있는 수준이기 때문에 세계적으로 많은 연구가 진행되고 있는 기술이다.
한편, 태양전지는 우수한 광흡수 특성 또는 광전하의 광범위한 확산 특성 등으로 고효율을 발생시킬 수 있는데, 여기에 광전하의 추출 및 수송 특성 또한 중요하게 여겨진다. 이러한 점에서, 우수한 전기적, 광학적 특성을 가지는 탄소나노튜브(CNT)가 태양전지 분야에서 이용되어 왔고, 특히 페로브스카이트 태양전지의 정공 수송체로 연구되고 있다.
그러나, 종래의 탄소나노튜브(CNT)으로 구성된 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 경우 고온공정에 기반을 두고 있으며, 정공 수송층이 탄소나노튜브(CNT)만으로 구성되거나 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)만으로 구성되는 단일 정공 수송층으로 구현됨에 따라 태양전지의 효율을 증가시키는데 한계가 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 단일벽의 탄소나노튜브에 PEDOT:PSS가 적층된 이중형태의 페로브스카이트 구조의 박막을 제조함으로써, 정공 수송능력을 극대화하여 태양전지의 출력 특성 및 신뢰성을 향상시키도록 하는 고효율의 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지는 기판의 상부에 형성되어 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 전극, 상기 제1 전극의 상부에 형성되고, 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)를 포함하는 정공 수송층, 상기 정공 수송층의 상부에 형성된 페로브스카이트 구조의 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층의 상부에 형성된 제2 전극을 포함하고, 상기 광 흡수층은 하기 화학식 1에 기초하여 표시된다.
[화학식 1]
ABX3
여기서, 상기 A는 유기양이온이고, 상기 B는 금속원소이고, 상기 X는 할로겐원소임.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 탄소나노튜브는 단일벽의 탄소나노튜브일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 정공 수송층은 상기 탄소나노튜브 및 상기 PEDOT:PSS의 순서대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지는 상기 광 흡수층 및 상기 제2 전극 사이에 PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester)을 포함하는 전자 수송층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법은 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 기판을 제공하는 단계, 상기 기판의 상부에 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극의 상부에 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)를 포함하는 정공 수송층을 형성하는 단계, 상기 정공 수송층의 상부에 페로브스카이트 구조의 광 흡수층을 형성하는 단계, 및 상기 광 흡수층의 상부에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광 흡수층은 하기 화학식 1에 기초하여 표시된다.
[화학식 1]
ABX3
여기서, 상기 A는 유기양이온이고, 상기 B는 금속원소이고, 상기 X는 할로겐원소임.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법은 상기 광 흡수층 및 상기 제2 전극 사이에 PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester)을 포함하는 전자 수송층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 정공 수송층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극의 상부에 상기 탄소나노튜브를 코팅하는 단계, 및 상기 코팅된 탄소나노튜브의 상부에 상기 PEDOT:PSS를 코팅하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 탄소나노튜브를 코팅하는 단계는 드롭 캐스팅(drop-casting) 공정을 이용하여 수행될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 탄소나노튜브를 코팅하는 단계는 상기 제1 전극의 상부에 상기 드롭 캐스팅 공정을 이용하여 PLL(poly-L-lysine) 용액을 도포하는 단계, 및 상기 PLL 용액이 도포된 상기 제1 전극의 상부에 상기 드롭 캐스팅 공정을 이용하여 탄소나노튜브 용액을 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 광 흡수층을 형성하는 단계는 전구체를 유기용제에 용해시켜 페로브스카이트 용액을 제조하는 단계, 상기 제조된 페로브스카이트 용액을 상기 정공 수송층에 코팅하는 단계, 및 상기 코팅된 페로브스카이트 용액을 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 전구체는 MAI, PbI2 및 SnI2 를 포함하고, 상기 유기용제는 디메틸포름아미드(DMF) 및 디메틸설폭사이드(DMSO)를 포함하는 극성 유기용제일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법은 에테르(Ether), 톨루엔(Toluene) 또는 클로로벤젠(Chlorobenzene)를 포함하는 무극성 유기용매를 이용하여 상기 극성 유기용제를 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 열처리는 60도 ~ 150도 사이에서 수행될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 코팅하는 단계는 스핀 코팅(spin-coating) 공정을 이용하여 수행될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 단일벽의 탄소나노튜브(132)에 PEDOT:PSS가 적층된 이중형태의 페로브스카이트 구조의 박막을 제조함으로써, 정공 수송능력을 극대화하여 전자의 확산을 막아줌으로써, 전자 및 정공 간의 재결합 손실을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 이중형태의 정공 수송층 구조를 하이브리드 페로브스카이트 태양전지에 적용함으로써, 태양전지의 출력 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 향후 낮은 제조 원가의 유연성 있는 페로브스카이트 태양광 모듈에 활용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 대한 변형예를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 대한 변형예의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 구조를 세부적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 내부 단면을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 정공 수송층의 광학적 흡수도를 비교한 그래프이다.
도 8은 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 정공 수송층의 광학적 투과율을 비교한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 정상상태 형광분광계(steady state photoluminescence)에 대한 측정 결과를 비교한 그래프이다.
도 10은 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 전류-전압 특성을 비교한 그래프이다.
도 11은 본 발명의 비교예 2 및 실시예에 따라 광전효율을 비교한 그래프이다.
도 12a는 본 발명의 비교예 2에 따른 전류-전압 히스테리시스 특성을 나타낸 그래프이다.
도 12b는 본 발명의 실시예에 따른 전류-전압 히스테리시스 특성을 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 대한 변형예를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 대한 변형예의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 구조를 세부적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 내부 단면을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 정공 수송층의 광학적 흡수도를 비교한 그래프이다.
도 8은 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 정공 수송층의 광학적 투과율을 비교한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 정상상태 형광분광계(steady state photoluminescence)에 대한 측정 결과를 비교한 그래프이다.
도 10은 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 전류-전압 특성을 비교한 그래프이다.
도 11은 본 발명의 비교예 2 및 실시예에 따라 광전효율을 비교한 그래프이다.
도 12a는 본 발명의 비교예 2에 따른 전류-전압 히스테리시스 특성을 나타낸 그래프이다.
도 12b는 본 발명의 실시예에 따른 전류-전압 히스테리시스 특성을 나타낸 그래프이다.
본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
본 발명은 단일벽의 탄소나노튜브(132)(SWNTs)를 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)와 결합하여 태양전지 내 정공 수송층(130)으로 활용하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 태양전지에 관한 것이다.
탄소나노튜브(132)(CNT)만으로 구성된 단일 정공 수송층(130)을 태양 전지에 활용하는 경우, 탄소나노튜브(132)(CNT)의 random distribution 특성에 따라 존재하는 기공 사이로 페로브스카이트 광 흡수층이 침투하여 하부 전극과 맞닿는 형상이 발생함에 따라 전자-정공 재결합이 발생하게 된다. 이는 전자와 정공의 분리 및 선택적 추출이라는 관점에서 볼 때, 정공 수송층(130)이 정공을 선택적으로 추출하면서도 전자의 확산을 막아주지 못해 캐리어 분리 과정이 효율적으로 이루어지지 않아 전자 및 정공 간의 재결합 손실을 야기하게 된다.
따라서, 본 발명을 통해 단일벽의 탄소나노튜브(132)(SWNTs)에 PEDOT:PSS가 적층된 이중형태의 페로브스카이트 태양전지를 제공하여 정공의 선택적 추출 및 수송 능력을 극대화할 수 있는 고효율의 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지를 제공하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지를 설명하기 위해 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 대한 변형예를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지(100)는 기판(110), 제1 전극(120), 정공 수송층(130), 광 흡수층(140) 및 제2 전극(160)을 포함하고, 상기 순서대로 적층되어 구성된다.
기판(110)은 태양전지 전체를 지지하면서 태양광이 투과할 수 있도록 투명한 재질로 형성될 수 있고, 용도에 따라 유리, 실리콘, 플라스틱, 종이, 세라믹 등의 다양한 소재를 사용할 수 있으며 본 실시예에서는 유리 기판(110)으로 구현하였다.
제1 전극(120) 및 제2 전극(160)은 후술하고자 하는 광 흡수층(140)의 하부 및 상부에 각각 형성되는데, 본 실시예에서는 제1 전극(120)이 광 흡수층(140)의 하부에 형성된 정공 수송층(130)의 하부 즉, 기판(110)의 상부에 형성되고, 제2 전극(160)이 광 흡수층(140)의 상부에 형성되었다.
제1 전극(120) 및 제2 전극(160)은 광 흡수층(140)에서 흡수된 태양광에 의해 생성된 전자 및 정공이 수집됨에 따라 전기를 생성할 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(120)에는 정공이 수집되고 제2 전극(160)에는 전자가 수집되어 각 전극이 서로 반대의 극성을 가질 수 있다. 참고로, 제1 전극(120)은 투명 전극으로서 ITO(indium-tin oxide) 또는 FTO(fluorine-doped tin oxide) 등으로 구현될 수 있고, 제2 전극(160)은 금속인 Ag, Au, Ni, Mo 등으로 구현될 수 있는데, 본 실시예에서는 제1 전극(120)을 ITO로 구현하고, 제2 전극(160)을 Ag로 구현하였다.
정공 수송층(130)은 광 흡수층(140)에서 생성된 정공을 수집하여 제1 전극(120)으로 이동시키기 위한 층으로서, 제1 전극(120) 및 광 흡수층(140) 사이에 형성될 수 있다. 본 실시예에서는, 정공 수송층(130)을 탄소나노튜브(132) 및 PEDOT:PSS를 포함한다.
여기서, 탄소나노튜브(132)는 단일벽의 탄소나노튜브(132)일 수 있다. 이에 따라, 얇은 박막 형태의 정공 수송층(130)을 구현할 수 있고, 향후에 저원가로 제조 가능한 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지를 제공할 수도 있다.
정공 수송층(130)은 탄소나노튜브(132) 및 PEDOT:PSS(134)의 순서대로 적층될 수 있다. 다시 말해, 정공 수송층(130)은 탄소나노튜브(132)의 상부에 PEDOT:PSS(134)가 적층된 구조를 가질 수 있다.
이에 따라, 탄소나노튜브(132)만으로 구성된 단일 정공 수송층(130)을 태양 전지에 활용하는 경우, 탄소나노튜브(132)의 random distribution 특성에 따라 존재하는 기공 사이로 페로브스카이트 광 흡수층(140)이 침투하여 하부 전극과 맞닿는 형상이 발생함에 따라 전자-정공 재결합이 발생하게 되는 문제점을 방지할 수 있다. 즉, 본 발명의 정공 수송층(130)은 탄소나노튜브(132)에 PEDOT:PSS(134)가 적층되는 구조를 가짐으로써 정공을 선택적으로 추출하면서도 전자의 확산을 막아주어 전자 및 정공 간의 재결합 손실을 방지할 수 있다.
참고로, 본 실시예에서는, 정공 수송층(130)을 탄소나노튜브(132) 및 PEDOT:PSS(134)으로 구현하였지만, 이에 한정되지 않고, 산화니켈(NiOx) 또는 Spiro-OMeTAD(2,2',7,7'-tetrakis-(N,N-di-4-methoxyphenylamino)-9,9'-spirobifluorene) 등으로 구현할 수도 있다.
광 흡수층(140)은 정공 수송층(130) 및 제2 전극(160)의 사이에 형성되어 투과된 태양광을 흡수하여 전기에너지로 변환하는 층으로서, 유기무기 합성물로 구성된 박막층으로 구현될 수 있다. 또한, 광 흡수층(140)은 투과된 태양광을 흡수하여 생성된 전하를 정공 및 전자로 분리시켜 전류를 만들어내는 광전변환층으로 기능할 수 있다.
광 흡수층(140)은 페로브스카이트 구조를 가질 수 있는데, 페로브스카이트는 광 흡수계수가 크고 낮은 비발광 캐리어 재결합율의 특징을 가지고 있으며, 운반자 이동도가 크며 비발광 캐리어 재결합을 유발하는 결함이 밴드갭 내에 또는 깊은 준위에 형성되지 않는 특성으로 인해 광전변환효율 증가시키는 것으로 알려져 있다. 본 발명의 광 흡수층(140)은 이러한 페로브스카이트 구조로 형성되되, 납(Pb)과 주석(Sn) 및 요오드(I)가 조합된 화학식 1에 기초하여 표시될 수 있다.
[화학식 1]
ABX3
여기서, 상기 A는 유기양이온이고, 상기 B는 금속원소이고, 상기 X는 할로겐원소임.
광 흡수층(140)은 메틸암모늄(MA), 납(Pb), 주석(Sn) 및 요오드(I)가 조합되어 형성될 수 있다. 즉, MAPbI3가 대표적인 페로브스카이트의 예이다.
구체적으로, 화학식 1에 있어서 A가 메틸암모늄(MA), 포름아미디늄(FA) 또는 세슘(Cs) 및 그들의 조합이고, B가 납(Pb),주석(Sn), 비스무스(Bi) 또는 안티모니(Sb) 및 그들의 조합이고, X가 요오드(I), 브롬(Br) 또는 염소(Cl) 및 그들의 조합일 수 있다.
이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지(100)는 전자 수송층을 더 포함하여 구성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 전자 수송층(150)은 광 흡수층(140)에서 생성된 전자를 수집하여 제2 전극(160)으로 이동시키기 위한 층으로서, 광 흡수층(140) 및 제2 전극(160) 사이에 형성될 수 있다.
전자 수송층(150)은 주로 산화티타늄(TiO2), PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester) 및 산화아연(ZnO) 등으로 구현될 수 있는데, 본 실시예에서는, 전자 수송층(150)을 PCBM으로 구현하였다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 단계(310)에서 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 장치는 기판(110)을 제공한다. 기판(110)은 태양전지 전체를 지지하는 것으로서, 유리 기판으로 구현할 수 있다.
다음으로, 단계(320)에서 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 장치는 기판(110)의 상부에 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 전극(120)을 형성한다.
본 실시예에서는, 제1 전극(120)이 투명 전극으로서 ITO로 구현되며, 상기 단계(320)에서는 ITO를 유리 기판 상에 코팅시키고 이후에 열처리함으로써 제1 전극(120)을 형성할 수 있다.
다음으로, 단계(330)에서 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 장치는 제1 전극(120)의 상부에 탄소나노튜브(132) 및 PEDOT:PSS(134)를 포함하는 정공 수송층(130)을 형성한다.
즉, 상기 제조 장치는 제1 전극(120)의 상부에 탄소나노튜브(132)를 코팅하고, 코팅된 탄소나노튜브(132)의 상부에 PEDOT:PSS(134)를 코팅할 수 있다. 여기서, 코팅 공정은 드롭 캐스팅(drop-casting) 방식을 이용하여 수행될 수 있다.
구체적으로, 상기 제조 장치는 제1 전극(120)의 표면에 PLL(poly-L-lysine) 용액(Sigma Aldrich, 0.1%(w/v) in H2O)을 드롭 캐스팅 방식으로 도포할 수 있다.
이후에, 도포된 PLL 용액의 표면에 탄소나노튜브(132) 용액(NanoIntergris, 99%, 0.01 mgmL-1, average length of 1㎛(distribution ranges of 100 nm-4 ㎛))을 드롭 캐스팅 방식으로 도포할 수 있다.
이에 따라, 단일벽을 가지는 박막 형태의 탄소나노튜브(132)층을 형성할 수 있다.
이후에, PEDOT:PSS(134)가 용해된 유기용제를 탄소나노튜브(132) 상에 코팅시키고 열처리하여 박막 형태의 PEDOT:PSS층(134)을 형성할 수 있다. 여기서, 열처리 공정은 비교적 낮은 온도인 120도 ~ 170도 사이에서 수행될 수 있고, 구체적으로 140도에서 수행되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 박막 형태의 표면이 평평해지도록 제어할 수 있다.
이로써, 최종적으로 탄소나노튜브(132)-PEDOT:PSS(134) 적층 구조의 정공 수송층(130)을 형성할 수 있다.
다음으로, 단계(340)에서 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 장치는 정공 수송층(130)의 상부에 페로브스카이트 구조의 광 흡수층(140)을 형성한다.
이를 위해, 상기 제조 장치는 메틸암모늄(MA), 납(Pb)과 주석(Sn) 및 요오드(I)가 조합된 용액을 사용하여 박막 형태의 광 흡수층(140)을 형성할 수 있다.
구체적으로, 상기 제조 장치는 광 흡수층(140)에 사용되는 페로브스카이트 용액을 제조할 수 있는데, 예를 들어, MAI, PbI2 및 SnI2를 포함하는 전구체를 디메틸포름아미드(DMF) 및 디메틸설폭사이드(DMSO)를 포함하는 극성 유기용제에 용해시켜 페로브스카이트 용액을 제조할 수 있다.
본 실시예에서는, MAPbI3 의 페로브스카이트 구조를 가지도록, 메틸암모늄(MA), 납(Pb) 및 요오드(I)를 혼합하여 페로브스카이트 용액을 제조하였다.
이후에, 제조된 용액을 정공 수송층(130) 상에 코팅시킬 수 있고, 코팅 중에 에테르(Ether), 톨루엔(Toluene) 또는 클로로벤젠(Chlorobenzene)를 포함하는 무극성 유기용매를 이용하여 극성 유기용제를 세정할 수 있다.
이후에, 코팅된 용액을 열처리하여 페로브스카이트 박막을 구현함으로써 광 흡수층(140)을 형성할 수 있다. 여기서, 열처리 공정은 비교적 낮은 온도인 60도 ~ 150도 사이에서 수행될 수 있고, 구체적으로 100도에서 수행되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 박막 형태의 표면이 평평해지도록 제어할 수 있다.
다음으로, 단계(350)에서 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 장치는 광 흡수층(140)의 상부에 제2 전극(160)을 형성한다.
본 실시예에서는, 제2 전극(160)이 금속인 Ag, Au, Ni, Mo 등으로 구현되며, 상기 단계(350)에서는 Ag를 광 흡수층(140) 상에 열 증착 방법(thermal evaporation) 공정을 통해 제2 전극(160)을 형성할 수 있다.
참고로, 본 실시예에서의 코팅 공정은 스핀코팅 방식을 이용하여 수행되는 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, dip coating, doctor blading, spraying 또는 thermal evaporation 등의 다양한 방식이 이용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 대한 변형예의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도이다. 상기 제조 방법의 경우, 도 3에 대한 제조 방법에서 광 흡수층(140)에서 생성된 전하가 수집되어 이동되기 위한 전하 수송층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 바, 상기 단계에 대해서만 자세히 설명하고자 한다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 단계(410)에서 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 장치는 기판(110)을 제공한다.
다음으로, 단계(420)에서 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 장치는 기판(110)의 상부에 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 전극(120)을 형성한다.
다음으로, 단계(430)에서 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 장치는 제1 전극(120)의 상부에 탄소나노튜브(132) 및 PEDOT:PSS(134)를 포함하는 정공 수송층(130)을 형성한다.
다음으로, 단계(440)에서 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 장치는 정공 수송층(130)의 상부에 페로브스카이트 구조의 광 흡수층(140)을 형성한다.
다음으로, 단계(450)에서 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 장치는 광 흡수층(140)의 상부에 전자 수송층(150)을 형성한다.
전자 수송층(150)은 광 흡수층(140)에서 생성된 전하 중 전자를 수집하여 이동시키기 위한 박막 형태의 층으로서, 상기 단계(450)에서는 PCBM이 용해된 유기용제를 광 흡수층(140) 상에 코팅시킴으로써 전자 수송층을 형성할 수 있다.
다음으로, 단계(460)에서 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 장치는 전자 수송층(134)의 상부에 제2 전극(160)을 형성한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 하기 실시예들은 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 하기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 도 5에 도시된 도면을 기반으로 설명하고자 한다. 참고로, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 구조를 세부적으로 나타낸 도면이다.
<
실시예
>
ITO가 코팅된 유리 기판을 아세톤-메탄올-IPA 순으로 각각 10분간 초음파 세척기를 통해서 유기세정을 실시하였다. 이 후, 드라이 오븐(dry oven)으로 건조시켰다. 이 후, UV ozone 처리를 20분간 수행하여 ITO 표면 개질을 친수성으로 변화시켰다.
이 후, ITO의 표면에 PLL(poly-L-lysine) 용액(Sigma Aldrich, 0.1%(w/v) in H2O)을 드롭 캐스팅 방식으로 20분간 처리하고, 20분 후에 질소 건으로 불어 건조를 완료하였다. 이 후, PPL 용액 처리된 표면에 탄소나노튜브 용액을 드롭 캐스팅 방식으로 20분간 처리고, 20분 후에 질소 건으로 불어 건조를 완료하였다. 이에 따라, 소정의 두께를 가지는 단일벽의 박막(탄소나노튜브층)을 형성하였다.
이 후, PEDOT:PSS가 용해된 유기용제를 단일벽의 탄소나노튜브층 상에 4000rpm으로 50초 동안 스핀코팅 후 140도에서 20분간 열처리를 실시하여 소정의 두께를 가지는 박막(PEDOT:PSS층)을 형성하였다.
이로써, 탄소나노튜브-PEDOT:PSS 적층 구조의 정공 수송층을 형성할 수 있다.
이 후, MAI 및 PbI2 전구체를 1:1 비율로 DMF 및 DMSO 유기용제에 녹여서 20 wt.% ~ 60 wt.% 농도를 가지는 페로브스카이트 용액을 제조하였다.
이 후, 제조된 페로브스카이트 용액을 PEDOT:PSS 상에 3000rpm ~ 8000rpm 영역에서 스핀코팅 하며, 코팅 중에 클로로벤젠 용액 0.5mL를 5초 ~ 20초 가량 떨어뜨리며 유기세정을 실시하였다. 이 후, 스핀코팅 된 용액을 100도에서 10분간 열처리를 실시하여 페로브스카이트 박막(광 흡수층)을 형성하였다.
이 후, PCBM이 용해된 유기용제를 페로브스카이트 박막 상에 400rpm으로 1초, 1500rpm으로 35초 동안 스핀코팅 후 열처리를 실시하여 20nm ~ 50nm 두께를 가지는 박막(전자 수송층)을 형성하였다. 참고로, PCBM은 2 wt.%의 농도로 클로로벤젠에 녹여서 제조될 수 있다.
이 후, 열 증발 증착기 방식, 스퍼터링 방식 등을 이용하여 후면 전극을 형성하는데, 본 발명에서는 열 증발 증착기 방식을 이용하여 PCBM 상에 200 nm 두께를 가지는 박막(제2 전극)인 Ag를 형성하였다. 참고로, 금속 박막의 증착 시에 shadow mask를 이용하면 원하는 면적의 태양전지를 제작하는 것이 가능하며, 본 발명에서는 0.04cm2 ~ 0.09cm2 의 활성면적을 가지는 태양전지를 제작하였다.
이와 같이 제조된 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지는 도 5에 도시된 바와 같다.
<
비교예
1>
상기 실시예 1에서 탄소나노튜브만을 이용하여 개별 정공 수송층을 형성한 것을 제외하고는 모든 공정을 동일하게 수행하였다.
<
비교예
2>
상기 실시예 1에서 PEDOT:PSS만을 이용하여 개별 정공 수송층을 형성한 것을 제외하고는 모든 공정을 동일하게 수행하였다.
<태양전지의 성능 평가>
도 6은 본 발명의 일 실시예 에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 내부 단면을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 실시예 1에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지는 ITO가 코팅된 유리 기판에 드롭 캐스팅 방식으로 제작된 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS 적층 구조를 가지고 있다.
여기서, 탄소나노튜브는 ITO 기판 상에 랜덤하게 분포하되 일부가 수직 방향으로 솟아오른 형태를 가지고 있다. 즉, 수직 방향으로 형성된 탄소나노튜브는 얇게 코팅된 PEDOT:PSS층을 뚫고 올라와 돌출된 형태를 가지고 있다. 이때, PEDOT:PSS층은 랜덤 형태의 탄소나노튜브로 인해 형성된 기공을 채우고, ITO 기판을 향하는 전자의 흐름을 차단하여 정공만 선택적으로 추출할 수 있다.
도 7은 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 정공 수송층의 광학적 흡수도를 비교한 그래프이고, 도 8은 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 정공 수송층의 광학적 투과율을 비교한 그래프이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 정공 수송층은 기존의 단일 정공 수송층에 해당하는 비교예 1, 비교예 2에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 정공 수송층과 비교하여 광학적 흡수도에 대한 차이가 거의 없고 유사함을 확인할 수 있다.
이를 통해, 하이브리드 형태의 정공 수송층이 페로브스카이트 태양전지의 전면부에서 사용되어도 광흡수도가 변화되지 않는 즉, 감소되지는 않을 수 있다. 참고로, 상기 광학적 흡수도에 대한 비교는 UV-Visible spectrophotometer를 이용하여 측정한 결과이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 정공 수송층은 500nm 파장 이하에서는 광학적 투과율이 0에 가깝고, 광학적 밴드갭인 760nm 부근에서 투과율이 크게 증가함을 확인할 수 있다.
이때, 본 발명의 실시예에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 정공 수송층은 기존의 단일 정공 수송층에 해당하는 비교예 1, 비교예 2에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 정공 수송층과 비교하여 광학적 투과율에 대한 차이가 거의 없고 유사함을 확인할 수 있다.
이를 통해, 하이브리드 형태의 정공 수송층이 페로브스카이트 태양전지의 전면부에서 사용되어도 광투과율이 변화되지 않는 즉, 감소되지는 않을 수 있다.
도 9는 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 정상상태 형광분광계(steady state photoluminescence)에 대한 측정 결과를 비교한 그래프이다.
도 9를 참조하면, 태양전지가 유리 기판-페로브스카이트의 적층 구조를 가지는 경우, 매우 강한 형광분광계 스펙트럼이 관찰되는데, 이는 페로브스카이트가 비방사 재결합 특성이 적으며, 전하가 방사 재결합 특성을 따르고 있음을 알 수 있다. 또한, 태양전지가 비교예 1의 구조를 가지는 경우, 매우 약화된 형광분광계 스펙트럼이 관찰되는데, 이는 탄소나노튜브가 정공 수송층으로서의 역할을 일부 수행하고 있다는 점을 의미한다. 또한, 태양전지가 비교예 2의 구조를 가지는 경우, 비교예 1에 비해 보다 약화된 형광분광계 스펙트럼이 관찰되는데, 이는 PEDOT:PSS가 기존에 정공 수송층으로서 널리 이용되어 온 것처럼 우수한 정공 수송 특성을 가짐을 의미한다. 또한, 태양전지가 본 발명의 실시예의 구조를 가지는 경우, 가장 약화된 형광분광계 스펙트럼이 관찰되는데, 이를 통해, 비교예 1 및 비교예 2에 비하여 우수한 PL 소멸 특성을 나타내는 바, 향상된 정공 추출 및 수송 특성을 증명할 수 있다.
표 1은 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따른 태양전지의 출력 특성을 나타낸 표이고, 도 10은 본 발명의 비교예 1, 비교예 2 및 실시예에 따라 전류-전압 특성을 비교한 그래프이고, 도 11은 본 발명의 비교예 2 및 실시예에 따라 광전효율을 비교한 그래프이다.
[표 1]
표 1 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 비교예 1에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 정공 수송층은 10.74mA/cm의 광전류 밀도(Jsc) 및 0.59V의 광전압(Voc)을 가짐에 따라 최대 2.4%의 변환효율(PCE)을 발생시키고, 본 발명의 비교예 2에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 정공 수송층은 17.05mA/cm의 광전류 밀도(Jsc) 및 0.99V의 광전압(Voc)을 가짐에 따라 최대 12%의 변환효율(PCE) 특성을 발생시키고, 본 발명의 실시예에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 정공 수송층은 18.01mA/cm의 광전류 밀도(Jsc) 및 0.98V의 광전압(Voc)을 가짐에 따라 최대 12.5%의 변환효율(PCE) 특성을 발생시키고 있다.
이를 통해, 태양전지가 본 발명의 실시예의 구조를 가지는 경우, 비교예 1 및 비교예 2의 구조를 가지는 경우보다 우수한 출력 특성을 나타낼 수 있다.
표 1 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 정공 수송층(130)은 기존의 단일 정공 수송층에 해당하는 비교예 2에 의해 제조된 페로브스카이트 태양전지의 정공 수송층과 비교하여 태양전지의 효율 분포가 더 높은 영역에 고르게 분포하고, 구체적으로, 태양전지가 본 발명의 실시예의 구조를 가지는 경우, 평균 변환효율은 약 11%인 반면에, 비교예 2의 구조를 가지는 경우, 평균 변환효율은 약 9.4%인 특성을 보여주고 있다.
이를 통해, 태양전지가 본 발명의 실시예의 구조를 가지는 경우, 비교예 2의 구조를 가지는 경우보다 우수한 출력 특성을 나타낼 수 있다. 참고로, 상기 출력 특성의 경우, 해당 실시예의 태양전지를 각각 90개씩 제조하여 평균 효율 분포를 평가하였다.
도 12a는 본 발명의 비교예 2에 따른 전류-전압 히스테리시스 특성을 나타낸 그래프이고, 도 12b는 본 발명의 실시예에 따른 전류-전압 히스테리시스 특성을 나타낸 그래프이다.
도 12a를 참조하면, 태양전지가 비교예 2의 구조를 가지는 경우, 전류-전압 측정 시의 정방향 스캔과 역방향 스캔에 따른 스캔 방향에 따라 11.3% 및 12%의 변환효율을 가지는 것으로, 약 0.7%의 효율 차이를 보여주며, 0.01V/s의 느린 스캔 속도에서 어느 정도 가시적인 히스테리시스 현상이 나타나고 있다.
그러한 반면에, 도 12b를 참조하면, 태양전지가 비교예 2의 구조를 가지는 경우, 전류-전압 측정 시의 정방향 스캔과 역방향 스캔에 따른 스캔 방향에 따라 12.5% 및 12.4%의 변환효율을 가지는 것으로, 약 0.1%의 효율 차이를 보이면서 신뢰도 높은 출력 특성을 보여주고 있다.
이를 통해, 태양전지가 본 발명의 실시예의 구조를 가지는 경우, 비교예 2의 구조를 가지는 경우보다 우수한 출력 특성을 나타낼 수 있다.
지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허 청구의 범위뿐 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100 : 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
110 : 기판
120 : 제1 전극
130 : 정공 수송층
132 : 탄소나노튜브
134 : PEDOT:PSS
140 : 광 흡수층
150 : 전자 수송층
160 : 제2 전극
110 : 기판
120 : 제1 전극
130 : 정공 수송층
132 : 탄소나노튜브
134 : PEDOT:PSS
140 : 광 흡수층
150 : 전자 수송층
160 : 제2 전극
Claims (14)
- 기판의 상부에 형성되어 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 전극;
상기 제1 전극의 상부에 형성되고, 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)를 포함하는 정공 수송층;
상기 정공 수송층의 상부에 형성된 페로브스카이트 구조의 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층의 상부에 형성된 제2 전극을 포함하고,
상기 광 흡수층은 하기 화학식 1에 기초하여 표시되고,
상기 탄소나노튜브는 단일벽의 탄소나노튜브이고,
상기 정공 수송층은 상기 탄소나노튜브 및 상기 PEDOT:PSS의 순서대로 적층되는 구조를 가지고,
상기 광 흡수층 및 상기 제2 전극 사이에 PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester)을 포함하는 전자 수송층을 더 포함하고,
상기 탄소나노튜브는 상기 제1 전극의 상부에 드롭 캐스팅(drop-casting) 공정을 이용하여 코팅되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지.
[화학식 1]
ABX3
여기서, 상기 A는 유기양이온이고, 상기 B는 금속원소이고, 상기 X는 할로겐원소임.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,
기판을 제공하는 단계;
상기 기판의 상부에 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극의 상부에 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)를 포함하는 정공 수송층을 형성하는 단계;
상기 정공 수송층의 상부에 페로브스카이트 구조의 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
상기 광 흡수층의 상부에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 광 흡수층은 하기 화학식 1에 기초하여 표시되고,
상기 탄소나노튜브는 단일벽의 탄소나노튜브이고,
상기 정공 수송층을 형성하는 단계는
상기 제1 전극의 상부에 상기 탄소나노튜브를 코팅하는 단계; 및
상기 코팅된 탄소나노튜브의 상부에 상기 PEDOT:PSS를 코팅하는 단계를 포함하고,
상기 광 흡수층 및 상기 제2 전극 사이에 PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester)을 포함하는 전자 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 탄소나노튜브를 코팅하는 단계는 드롭 캐스팅(drop-casting) 공정을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
[화학식 1]
ABX3
여기서, 상기 A는 유기양이온이고, 상기 B는 금속원소이고, 상기 X는 할로겐원소임.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제5항에 있어서,
상기 탄소나노튜브를 코팅하는 단계는
상기 제1 전극의 상부에 상기 드롭 캐스팅 공정을 이용하여 PLL(poly-L-lysine) 용액을 도포하는 단계; 및
상기 PLL 용액이 도포된 상기 제1 전극의 상부에 상기 드롭 캐스팅 공정을 이용하여 탄소나노튜브 용액을 도포하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,
상기 광 흡수층을 형성하는 단계는
전구체를 유기용제에 용해시켜 페로브스카이트 용액을 제조하는 단계;
상기 제조된 페로브스카이트 용액을 상기 정공 수송층에 코팅하는 단계; 및
상기 코팅된 페로브스카이트 용액을 열처리하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,
상기 전구체는 MAI, PbI2 및 SnI2 를 포함하고,
상기 유기용제는 디메틸포름아미드(DMF) 및 디메틸설폭사이드(DMSO)를 포함하는 극성 유기용제인 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,
에테르(Ether), 톨루엔(Toluene) 또는 클로로벤젠(Chlorobenzene)를 포함하는 무극성 유기용매를 이용하여 상기 극성 유기용제를 세정하는 단계
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,
상기 열처리는 60도 ~ 150도 사이에서 수행되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,
상기 코팅하는 단계는 스핀 코팅(spin-coating) 공정을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법.
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