KR102003637B1 - 압분자심 - Google Patents

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Abstract

금속 자성 재료 및 수지를 포함하는 압분자심이다. 금속 자성 재료를 피복하는 절연막이 존재한다. 금속 자성 재료와 절연막 사이에 금속 자성 재료의 표면 및 절연막과 접하는 중간층이 존재한다. 금속 자성 재료는 금속 자성 재료 전체를 100 wt%로 하여 85∼99.5 wt%의 Fe, 0.5∼10 wt%의 Si 및 0∼5 wt%의 기타 원소를 함유한다. 중간층은 Fe-Si-O계의 산화물로 이루어진다. 절연막은 Si-O계의 산화물로 이루어진다.

Description

압분자심{Dust Core}
본 발명은 압분자심에 관한 것이다.
최근, 인덕터, 초크 코일, 트랜스 등과 같은 코일 부품이나 모터 등의 소형화가 요구되고 있는 것으로부터, 페라이트와 비교해 포화 자속 밀도가 높고, 직류 중첩 특성이 고자계까지 유지되는 금속 자성 재료가 널리 이용되고 있다. 또한, 이들 압분자심은 여러 가지 환경하에서의 사용도 기대되기 때문에, 신뢰성의 향상이 요구되고 있다.
그리고, 신뢰성 중에서도 특히 내식성의 향상이 요구되고 있다. 현재 사용되고 있는 압분자심은 대부분 Fe계 합금 입자로 구성되기 때문에, 특히 내식성의 향상이 요구된다.
특허 문헌 1에는, 금속 자성 재료로서 Cr을 함유시킴으로써 내식성을 향상시킨 예가 기재되어 있다. 그러나, Cr을 필수로 하는 경우에는 재료 선택의 폭이 좁아진다.
특허 문헌 2에는, 금속 자성 재료를 무기물 코팅(인산염)으로 피복한 예가 기재되어 있다. 그러나, 인산염은 인성(toughness)이 낮아 성형 압력을 증가시키는 경우에 코팅막이 파손되는 경우가 있다.
특허 문헌 3에는, 자성 제품을 세라믹스 및 수지로 코팅함으로써 내식성을 향상시킨 예가 기재되어 있다. 그러나, 특허 문헌 3에 기재된 방법에서는 압분자심을 800℃ 이상의 고온으로 열처리할 필요가 있다. 압분자심 중에 절연 처리한 동의 권선 등을 포함하는 경우에는, 권선의 절연성이 파괴되는 경우가 있다.
특허 문헌 1: 일본 특허공개 2010-062424호 공보 특허 문헌 2: 일본 특허공개 2009-120915호 공보 특허 문헌 3: 일본 특허 제5190331호 공보
본 발명은 이와 같은 실상을 감안하여 이루어진 것으로, 내식성이 뛰어난 압분자심을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 압분자심은, 금속 자성 재료 및 수지를 포함하고, 상기 금속 자성 재료를 피복하는 절연막이 존재하고, 상기 금속 자성 재료와 상기 절연막 사이에 상기 금속 자성 재료의 표면 및 상기 절연막과 접하는 중간층이 존재하고, 상기 금속 자성 재료는 상기 금속 자성 재료 전체를 100 wt%로 하여 85∼99.5 wt%의 Fe, 0.5∼10 wt%의 Si 및 0∼5 wt%의 기타 원소를 함유하고, 상기 중간층은 Fe-Si-O계의 산화물로 이루어지고, 상기 절연막은 Si-O계의 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 압분자심은 상기 구성을 가짐으로써 내식성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 중간층에 함유되는 Fe의 함유량 및 Si의 함유량의 합계를 100 wt%로 하고, 상기 중간층에 함유되는 Fe의 함유량을 WFe(wt%), 상기 중간층에 함유되는 Si의 함유량을 WSi(wt%)로 하는 경우, 6.0＜WFe/WSi＜9.0을 만족하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 중간층의 두께를 D(㎚)로 하는 경우, 0＜D＜50㎚를 만족하는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 압분자심의 단면의 모식도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 압분자심을 구성하는 금속 자성 재료의 표면 근방의 모식도이다.
도 3은 금속 자성 재료의 표면 근방을 TEM 관찰해 취득한 TEM상이다.
도 4는 표 1의 실시예에서의 WFe/WSi와 녹면적 비율의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5는 표 2의 실시예 및 비교예에서의 D와, 녹면적 비율 및 초기 투자율(μi)의 관계를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 근거해 설명한다.
본 실시 형태에 따른 압분자심(1)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 금속 자성 재료(11) 및 수지(12)를 포함한다. 또한, 금속 자성 재료(11)를 피복하는 절연막(13)을 포함한다.
본 실시 형태에 따른 금속 자성 재료(11)는, 상기 금속 자성 재료 전체를 100 wt%로 하여 85∼99.5 wt%의 Fe, 0.5∼10 wt%의 Si 및 0∼5 wt%의 기타 원소를 함유한다. 기타 원소의 함유량은 0 wt%라도 무방하다. 즉, 금속 자성 재료(11)가 Fe 및 Si만으로 이루어져도 된다. 한편, 기타 원소의 종류에는 특별히 제한이 없다. 예를 들면, Ni, Co 등을 들 수 있다.
수지(12)의 종류에는 특별히 제한이 없지만, 에폭시 수지 및/또는 이미드 수지를 이용해도 된다. 에폭시 수지로는, 예를 들면 크레졸 노볼락(cresol novolac) 등을 들 수 있다. 이미드 수지로는, 예를 들면 비스말레이미드(bismaleimide) 등을 들 수 있다.
금속 자성 재료(11) 및 수지(12)의 함유량에는 특별히 제한이 없다. 압분자심(1) 전체에 차지하는 금속 자성 재료(11)의 함유량은 90 중량%∼98 중량%인 것이 바람직하고, 수지(12)의 함유량은 2 중량%∼10 중량%인 것이 바람직하다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 절연막(13)은 금속 자성 재료(11)를 피복하고 있는 것에 특징이 있다. 또한, 절연막(13)은 Si-O계 산화물로 이루어진다.
절연막(13)은 금속 자성 재료(11) 전체를 피복하지 않아도 되고, 금속 자성 재료(11) 전체의 90% 이상을 피복하면 된다. 이와 같은 구성에 의해 녹방지 효과를 높일 수 있다.
또한, Si-O계 산화물의 종류에는 특별히 제한이 없다. 예를 들면, SiO2 등의 Si 산화물 외에, Si 및 기타 원소를 함유하는 복합 산화물 등이어도 된다. 또한, 절연막(13)의 막두께에도 특별히 제한은 없다. 예를 들면 10∼300㎚라도 된다. 또한, 도 1에서는 절연막(13)을 1층 구조로 도시하고 있지만, 절연막(13)이 2층 이상으로 이루어지는 구조라도 된다.
도 1의 금속 자성 재료(11)에서의 표면 근방을 확대한 개략도가 도 2이다. 본 실시 형태에 따른 압분자심에서는, 금속 자성 재료(11)와 절연막(13) 사이에, 금속 자성 재료(11)의 표면(11a) 및 절연막(13)과 접하는 중간층(14)이 존재한다. 한편, 중간층(14)은 도 1에는 도시하지 않고 도 2에만 도시했는데, 이것이 중간층(14)이 절연막(13)보다 얇은 것을 반드시 의미하는 것은 아니다. 즉, 중간층(14)이 절연막(13)보다 두꺼워도 된다.
중간층(14)은 Fe-Si-O계 산화물로 이루어진다. Fe-Si-O계 산화물의 종류에는 특별히 제한이 없고, 중간층(14) 전체를 100 wt%로 하는 경우에 Fe를 50 wt% 이상, Si를 1 wt% 이상, O를 5 wt% 이상 각각 함유하면 된다. 또한, Fe, Si 및 O 이외의 원소를 함유하고 있어도 된다.
본 실시 형태에 따른 압분자심은, Fe-Si-O계 산화물로 이루어지는 중간층(14)을 갖는 상기 구성을 취함으로써 내식성을 향상시킬 수 있다. 내식성이 향상되는 이유는, Fe-Si계 합금으로 이루어지는 금속 자성 재료(11) 및 Si-O계 산화물로 이루어지는 절연막(13)의 사이에 Fe-Si-O계 산화물로 이루어지는 중간층(14)이 형성됨으로써, 금속 자성 재료(11)와 절연막(13) 사이의 접합성이 향상되기 때문이라고 생각된다. 접합성의 향상에 의해, 후술하는 금형 성형시에서의 절연막(13)의 박리가 경감되어, 내식성이 개선된다고 생각된다.
바람직하게는, 중간층(14)에 함유되는 Fe의 함유량 및 Si의 함유량의 합계를 100 wt%로 하고, 중간층(14)에 함유되는 Fe의 함유량을 WFe(wt%), 중간층(14)에 함유되는 Si의 함유량을 WSi(wt%)로 하는 경우, 6.0＜WFe/WSi＜9.0을 만족한다. WFe/WSi가 상기 범위 내인 것에 의해 금속 자성 재료(11)와 절연막(13) 사이의 접합 강도가 더욱 향상된다. 보다 바람직하게는 6.1≤WFe/WSi≤8.9를 만족하고, 더욱 바람직하게는 6.3≤WFe/WSi≤8.6을 만족한다. 또한, WFe 및 WSi는 최저 5개 이상, 바람직하게는 10개 이상의 측정점을 랜덤으로 설정해 측정한 평균 함유량이다.
중간층(14)은 금속 자성 재료(11) 표면(11a)의 전체와 접하지 않아도 되고, 금속 자성 재료(11)의 표면(11a) 전체의 80% 이상과 접하고 있으면 된다.
또한, 중간층(14)의 두께에는 특별히 제한이 없지만, 중간층(14)의 두께를 D로 하는 경우에 0＜D＜50㎚인 것이 바람직하다. D의 하한에는 특별히 제한이 없지만, D가 1㎚ 미만인 경우에는, 중간층(14)이 존재하지 않는 것으로 간주한다. 또한, D는 최저 5개 이상, 바람직하게는 10개 이상의 측정점을 랜덤으로 설정해 측정한 평균 두께이다. D가 0＜D＜50㎚인 것에 의해, 중간층(14)이 존재하는 것에 의한 초기 투자율(μi)의 저하를 억제할 수 있다.
이하, 본 실시 형태에 따른 압분자심(1)의 제조 방법을 설명하는데, 압분자심(1)의 제조 방법이 하기 방법으로 한정되는 것은 아니다.
우선, Fe-Si계 합금으로 이루어지는 금속 자성 재료(11)가 되는 금속 입자를 제작한다. 금속 입자의 제작 방법에는 특별히 제한이 없지만, 예를 들면 가스 아토마이즈법(gas atomization), 물 아토마이즈법(water atomization) 등을 들 수 있다. 금속 입자의 입자경 및 원형도에는 특별히 제한이 없지만, 입자경의 중앙치(D50)는 1㎛∼100㎛인 것이 투자율이 높아지기 때문에 바람직하다.
다음으로, 금속 자성 재료(11)의 표면(11a)과 접하고 Fe-Si-O계 산화물로 이루어지는 중간층(14)을 형성한다. 중간층(14)의 형성 방법에는 특별히 제한이 없지만, Fe-Si계 합금으로 이루어지는 금속 자성 재료(11)에 대해 느린 산화 처리(slow oxidation)를 행하는 것을 생각할 수 있다. 느린 산화 처리의 방법에는 특별히 제한이 없지만, 예를 들면 대기중, 600℃∼800℃에서 0.5시간∼10시간 가열하는 방법이 있다.
다음으로, Si-O계 산화물로 이루어지는 절연막(13)을 형성하기 위한 코팅을 실시했다. 코팅 방법에는 특별히 제한이 없지만, 예를 들면 알콕시실란 용액을, 중간층(14)을 형성한 금속 자성 재료(11)에 도포하는 방법을 들 수 있다. 알콕시실란 용액을 금속 자성 재료(11)에 도포하는 방법에 특별히 제한은 없고, 예를 들면 습식 분무에 의한 방법을 들 수 있다. 알콕시실란의 종류에는 특별히 제한이 없고, 트리메톡시실란 등이 이용된다. 또한, 알콕시실란 용액의 농도 및 용매에도 특별히 제한은 없다. 알콕시실란 용액의 농도는 50 중량%∼95 중량%인 것이 바람직하다. 또한, 알콕시실란 용액의 용매에도 특별히 제한은 없다. 예를 들면 물, 에탄올 등을 들 수 있다.
습식 분무 후의 분체에 대해 가열 처리를 실시함으로써, Si-O계의 산화물로 이루어지는 절연막(13)을 형성했다. 가열 처리의 조건에는 특별히 제한이 없고, 예를 들면 대기중, 800℃∼850℃에서 1∼3시간으로 할 수 있다.
다음으로, 수지 용액을 조성했다. 수지 용액에는 전술한 에폭시 수지 및/또는 이미드 수지 외에, 경화제를 첨가해도 된다. 경화제의 종류에는 특별히 제한이 없고, 예를 들면 에피클로로히드린(epichlorohydrin) 등을 들 수 있다. 또한, 수지 용액의 용매에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 휘발성 용매인 것이 바람직하다. 예를 들면, 아세톤, 에탄올 등을 이용할 수 있다. 또한, 수지 용액 전체를 100 중량%로 한 경우에서의 수지 및 경화제의 합계 농도는 0.01∼0.1 중량%로 하는 것이 바람직하다.
다음으로, 중간층(14) 및 절연막(13)을 형성한 분말 및 수지 용액을 혼합했다. 그리고, 수지 용액의 용매를 휘발시켜 과립을 얻었다. 얻어진 과립은 그대로 금형에 충전해도 되지만, 정립(整粒)하고 나서 금형에 충전해도 된다. 정립하는 경우, 정립 방법에는 특별히 제한이 없고, 예를 들면 그물눈 45∼500㎛의 메시를 이용해도 된다.
다음으로, 얻어진 과립을 소정 형상의 금형에 충전하고 가압해 압분체를 얻었다. 가압시의 압력에는 특별히 제한이 없고, 예를 들면 600∼1500㎫로 할 수 있다.
제작한 압분체에 대해 열경화 처리를 실시함으로써 압분자심이 얻어진다. 열경화 처리의 조건에 특별히 제한은 없고, 예를 들면 150∼220℃에서 1∼10시간, 열처리를 실시한다. 또한, 열처리시의 분위기에도 특별히 제한은 없고, 대기중에서 열처리해도 된다.
이상, 본 실시 형태에 따른 압분자심 및 그 제조 방법에 대해 설명했지만, 본 발명의 압분자심 및 그 제조 방법이 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 한편, 본 발명의 압분자심은 연자성 압분자심이라도 된다.
또한, 본 발명의 압분자심의 용도에도 특별히 제한은 없다. 예를 들면, 인덕터, 초크 코일, 트랜스 등의 코일 부품을 들 수 있다.
《실시예》
이하, 본 발명을 더 상세한 실시예에 기초해 설명하는데, 본 발명이 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
금속 자성 재료로서, 중량비로 Si/Fe=4.5/95.5이고, Fe와 Si의 합계량이 99 중량%인 Fe-Si계 합금 입자를 가스 아토마이즈법으로 제작했다. 한편, 당해 Fe-Si계 합금 입자의 입자경의 중앙치(D50)는 30㎛였다.
다음으로, 상기 금속 자성 재료에 접하고 Fe-Si-O계 산화물을 함유하는 중간층을 형성하기 위해, 대기중, 600∼845℃에서 느린 산화 처리를 실시했다. 여기에서, 중간층의 두께 D를 표 1 및 표 2에 기재한 크기로 하기 위해, 느린 산화 처리의 시간을 0.5∼10시간의 범위 내로 제어했다. 또한, 중간층의 Fe-Si-O 조성을 변동시키기 위해, 느린 산화 온도를 600∼845℃로 했다. 한편, 표 1의 비교예 1에서는 느린 산화 처리를 실시하지 않았다.
얻어진 분체에 Si-O계 산화물로 이루어지는 절연막을 형성하기 위해, 상기 금속 자성 재료 100 wt%에 대해 알콕시실란 용액 2.0 wt%를 습식 분무했다. 한편, 상기 알콕시실란 용액으로는 트리메톡시실란의 50 wt% 용액을 이용했다. 습식 도포량은 5 mL/min로 했다.
다음으로, 습식 분무 후의 분체에 대해 대기중, 800℃에서 10시간, 가열 처리를 실시하여 Si-O계의 산화물로 이루어지는 절연막을 형성했다. 이하, 중간층 및 절연막을 형성한 금속 자성 재료를 코팅 분체라고 부른다. 한편, 상기 코팅 분체에서의 절연막의 막두께는 모든 실시예 및 비교예에서 100㎚ 부근이었다.
다음으로, 에폭시 수지, 경화제, 이미드 수지 및 아세톤을 혼합해 수지 용액을 조성했다. 에폭시 수지로는 크레졸 노볼락을 이용했다. 경화제로는 에피클로로히드린을 이용했다. 이미드 수지로는 비스말레이미드를 이용했다. 에폭시 수지, 경화제 및 이미드 수지의 중량비가 96:3:1이고, 수지 용액 전체를 100 중량%로 하여 에폭시 수지, 경화제 및 이미드 수지의 합계가 4 중량%가 되도록 각 성분을 혼합했다.
상기 코팅 분체에 대해 상기 수지 용액을 혼합했다. 다음으로, 아세톤을 휘발시켜 과립을 얻었다. 다음으로, 그물눈 355㎛의 메시를 이용해 정립했다. 얻어진 과립을 외경 17.5㎜, 내경 11.0㎜의 토로이달(toroidal) 형상의 금형에 충전하고, 성형압 980㎫로 가압해 압분체를 얻었다. 압분체의 중량이 5g이 되도록 충전했다. 다음으로, 제작한 압분체를 대기중, 200℃에서 5시간 가열함으로써 열경화 처리를 실시해 압분자심을 얻었다. 수지의 혼합량은, 최종적으로 얻어지는 압분자심을 100 중량%로 하는 경우에, 금속 자성 재료가 97 중량% 정도가 되도록 했다. 한편, 압분자심은, 이하에 기재하는 측정을 모두 행하기 위해 필요한 수를 제조했다.
얻어진 압분자심을 절단해 연마함으로써 압분자심의 단면을 노출시켰다. 노출시킨 단면을 집속 이온빔(FIB: Focused Ion Beam)에 의해 굴삭 가공해, 면적 1㎛×1㎛, 두께 100㎚의 박편을 잘라냈다. 얻어진 박편을 TEM(Transmission Electron Microscopy)에 의해 관찰해, 500㎚×500㎚ 시야에서 화상 해석을 실시했다. 도 3은 실시예 6에 대해 실제로 화상 해석(TEM 관찰)을 실시한 결과이다.
TEM-EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) 관찰에 의해 금속 자성 재료를 관찰했다. 금속 자성 재료에서는 Fe 및 Si 등의 금속 자성 재료를 구성하는 원소가 검출되었지만, 산소는 거의 검출되지 않았다. 또한, 도 3의 TEM 화상으로부터, 금속 자성 재료는 코팅 분체에 포함되는 부분 중에서는 가장 어두운 시야가 된다.
TEM-EDS 관찰에 의해 절연막을 관찰했다. 절연막에서는 Si 및 O와 같은 Si-O계 산화물을 구성하는 원소가 검출되었다. 도 3의 TEM 화상으로부터, 절연막은 코팅 분체에 포함되는 부분 중에서는 가장 밝은 시야가 되었다.
TEM-EDS 관찰에 의해 중간층을 관찰했다. 중간층은 금속 자성 재료의 표면에 접하고 있고, 금속 자성 재료와 절연막의 사이에 존재했다. 콘트라스트는 금속 자성 재료와 절연막의 중간 정도였다.
또한, 중간층에서 조성 분석을 실시했다. 측정 대상을 Fe 및 Si로 하여, 중간층 중에서 랜덤으로 10개소, 정량 분석을 실시했다. 각 측정점에서의 Fe 농도의 평균치를 WFe(wt%), Si 농도의 평균치를 WSi(wt%)로 하여, WFe/WSi를 산출했다.
또한, 중간층의 두께(D)를 산출했다. 금속 자성 재료의 표면에 측정점을 랜덤으로 10개소 설정했다. 다음으로, 각 측정점으로부터 중간층의 방향으로 수직선을 그어, 당해 수선 중 중간층에 있는 부분의 길이를 당해 측정점에서의 중간층의 두께로 했다. 그리고, 각 측정점에서의 중간층의 두께의 평균을 Dc로 했다.
다음으로, 압분자심의 내식성을 평가하기 위해, 각 압분자심에 대해 염수 분무 시험을 실시했다. 염수 분무 시험은 W: 900mm, D: 600mm, H: 350mm의 염수 분무 시험기 내에서 실시했다. 염수 분무량은 1.5±0.5 mL/h(at 80㎠)로 했다. 이와 같은 조건하에서 35℃, 24시간 염수 분무 시험을 실시했다. 염수 분무 후, 3㎜×3㎜의 측정 부위를 랜덤으로 10개소 설정했다. 각 측정 부위에 대해 광학 현미경(배율 50배)에 설치한 카메라로 촬영하여, 각 측정 부위의 녹면적 비율을 산출했다. 그리고, 10개소의 측정 부위의 평균 녹면적 비율을 산출했다. 평균 녹면적 비율이 15.0% 이하인 경우를 '양호'로 했다. 그리고, 10.0% 이하인 경우를 '보다 양호'로 하고, 7.5% 이하인 경우를 '한층 더 양호'로 하고, 5.0% 이하인 경우를 '가장 양호'로 했다.
다음으로, 초기 투자율(μi)을 측정했다. 초기 투자율(μi)은 코일의 권회수를 50 턴으로 하여, LCR 미터(HP사 제품 LCR428A)에 의해 측정했다. 초기 투자율(μi)이 20.0을 웃도는 경우에 초기 투자율(μi)이 양호한 것으로 했다. 단, 초기 투자율(μi)이 20.0 이하여도 본원 발명의 목적을 달성할 수 있다.
Figure 112018024154335-pat00001
Figure 112018024154335-pat00002
표 1의 실시예 1∼11은 느린 산화의 온도 조건을 조정해 표면으로의 Si 확산을 제어함으로써 WFe/WSi를 변화시킨 실시예이다. 또한, 실시예 1의 결과를 그래프로 나타내면 도 4가 된다.
표 1로부터, 모든 실시예에서 중간층이 형성되고 있어, 내식성이 양호하다는 것을 알 수 있다. 또한, 초기 투자율이 양호하다는 것을 알 수 있다. 이에 비해, 중간층이 형성되지 않은 비교예 1은 내식성이 실시예보다 뒤떨어지는 결과가 되었다.
또한, 6.0＜WFe/WSi＜9.0을 만족하는 실시예 3∼9는 내식성이 보다 양호하게 되었다. 또한, 6.3≤WFe/WSi≤8.6을 만족하는 실시예 4∼8은 내식성이 한층 더 양호하게 되었다.
표 2의 실시예 21∼36은 WFe/WSi를 7.2∼7.6으로 제어하고, 느린 산화 처리의 시간을 더 변화시킴으로써 D를 변화시킨 실시예이다. 또한, 실시예 2의 결과를 그래프로 나타내면 도 5가 된다.
표 2로부터, 모든 실시예에서 내식성이 양호하다는 것을 알 수 있다. 특히, D가 5㎚ 이상인 실시예 24∼36은 D가 5㎚ 미만인 실시예 21∼23과 비교해 내식성이 특히 양호했다.
또한, D가 50㎚ 미만인 실시예 21∼34는 D가 50㎚ 이상인 실시예 35 및 36과 비교해 초기 투자율(μi)이 양호했다.
1: 압분자심
11: 금속 자성 재료
11a: 금속 자성 재료의 표면
12: 수지
13: 절연막
14: 중간층

Claims (3)

  1. 금속 자성 재료 및 수지를 포함하고,
    상기 금속 자성 재료를 피복하는 절연막이 존재하고,
    상기 금속 자성 재료와 상기 절연막 사이에, 상기 금속 자성 재료의 표면 및 상기 절연막과 접하는 중간층이 존재하고,
    상기 금속 자성 재료는 상기 금속 자성 재료 전체를 100 wt%로 하여 85∼99.5 wt%의 Fe, 0.5∼10 wt%의 Si 및 0∼5 wt%의 기타 원소를 함유하고,
    상기 중간층은 Fe-Si-O계의 산화물로 이루어지고,
    상기 절연막은 Si-O계의 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 압분자심.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 중간층에 함유되는 Fe의 함유량 및 Si의 함유량의 합계를 100 wt%로 하고, 상기 중간층에 함유되는 Fe의 함유량을 WFe(wt%), 상기 중간층에 함유되는 Si의 함유량을 WSi(wt%)로 하는 경우, 6.0＜WFe/WSi＜9.0을 만족하는 압분자심.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 중간층의 두께를 D(㎚)로 하는 경우, 0＜D＜50㎚를 만족하는 압분자심.
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