KR101999622B1 - 플라즈마 진단 시스템 및 방법 - Google Patents

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KR101999622B1
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    • H05H1/0006—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature
    • H05H1/0081—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature by electric means

Abstract

본 발명은 플라즈마 진단 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 진단하고자 하는 플라즈마 발생 장치에서 발생된 플라즈마 중 적어도 일부가 증착되는 제1평면기판; 상기 제1평면기판의 하부에 배치되는 제2평면기판; 상기 제1평면기판에 공동(cavity)이 형성되고, 상기 형성된 공동에 배치되어 상기 발생한 플라즈마의 플라즈마 파라미터를 측정하며 절연체로 감싸여져 상기 제1평면기판과는 전기적으로 절연된 센서부; 및 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판 사이에 위치하며, 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판과는 각각 접지 플레이트(Ground plate)를 통해 차폐되며 상기 플라즈마 파라미터에 의해 상기 센서부에서 발생된 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정하는 전자 장치;를 포함한다.

Description

플라즈마 진단 시스템 및 방법{System and Method for Diagnosing a Plasma}
본 발명은 플라즈마 진단 시스템 및 방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마방전 전/후에 따라 변화하는 전기 신호 차이를 이용하여 플라즈마를 진단하는 시스템 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 기업에서는 소자제조 기술의 발전에 따른 집적화 및 초미세화 공정 중요성이 증가하고 이런 공정에서 실시간, 직접 측정방식의 공정 내부 상태진단 및 관리시스템의 중요성이 증가하고 있어 수요기업 니즈가 증가하고 있다.
세계 반도체 시장의 매출 신장 및 신규 공정 기술 증가 등으로 인한 식각 및 증착 장비의 수요가 급증하는 상황에서 공정 과정을 진단하는 기술은 반도체 공정 장비 신뢰성 확보를 통한 미래 반도체 장비 시장을 선점하는데 필수적인 기술이다.
더군다나 최근의 반도체 및 디스플레이 소자의 제조 기술 발전 속도가 공정장비의 발전 속도 보다 빠르게 발전하고 있고, 공정 상태를 실시간, 직접적으로 정교하게 측정이 가능한 공정진단 기술의 필요성이 점점 커지고 있으며, 선택사항이 아닌 필수사항이라는 인식이 높아지고 있다.
20 nm 이하 급 반도체 소자의 집적도 향상 구현을 위하여 국내 주요 수요처에서 공정수율 향상을 위한 보다 엄격한 공정 관리에 대한 필요성이 급증하고 있고 특히 실 공정에서의 위치별 공정 상태 확인을 통하여 공정 이상 유무를 실시간으로 관리하고 이를 분석할 수 있는 지능형 장비 및 공정 제어가 가능한 진보된 공정 진단 센서를 요구 하고 있다.
기존 광학기를 활용한 간접적 반도체 공정 진단 센서 시스템은 위치별 차이 측정과 측정정확성에 한계가 있어 실공정에 영향을 주지 않는 범위에서 실시간, 직접적 공정 진단센서 시스템 개발이 요구되고 있다.
기존에 플라즈마의 특성을 측정하기 위해 탐침(Probe)를 플라즈마에 직접 섭동(Perturbation)하여 측정하는 플라즈마 주파수 프로브(Langmuir Probe)의 방식을 주로 사용하였다. 이 방식의 경우 선형 이동(Linear scanning) 방식을 이용하여 진공 챔버 내에서 탐침을 이동하면서 탐침이 플라즈마에 섭동하여 챔버 내 위치별 플라즈마의 특성을 측정하는 방식을 사용한다.
그러나, 이러한 방식은 탐침이 플라즈마와 간섭이 발생하여 측정 신호가 왜곡되는 현상이 발생되고, 측정 신호의 왜곡은 플라즈마의 실시간 상태를 진단하기 어렵게 하는 원인이 된다. 또한 플라즈마 주파수 프로브(Langmuir Probe) 방식의 경우에는 수 십 볼트의 음의 전압부터 수 십 볼트의 양의 전압까지 직류 전압(DC Voltage)을 스윕(Sweep)하여 플라즈마에 의해 탐침에서 형성되는 전류를 측정하는 방식을 사용한다. 공정 과정 중에 공정 부산물(By product) 등이 탐침에 증착(Deposition)되면 탐침을 통한 플라즈마에 관한 정보(전류)가 차단 혹은 왜곡되는 현상이 발생한다.
또한, 플라즈마 주파수 프로브(Langmuir Probe) 방식의 탐침 방법의 경우, 넓은 범위의 DC 전압을 스윕(Sweep)하는 형태로 제작이 되기 때문에 그 크기를 축소화하기 힘든 단점이 있다.
마지막으로, 플라즈마 주파수 프로브(Langmuir Probe) 방식의 탐침 방법의 경우 실제 공정 중에는 혼합 가스를 이용하여 플라즈마를 방전시키는 경우가 많으며, 이러한 경우에는 플라즈마의 밀도 진단이 어려운 단점이 존재한다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술을 개선하기 위해 안출된 것으로서, 공정 과정 중 왜곡 없이 실시간으로 플라즈마 상태를 모니터링하여 플라즈마의 상태를 정확히 판단하는 플라즈마 진단 시스템 및 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 플라즈마 발생부에 의해 생성된 플라즈마의 상태를 진단하도록 플라즈마 챔버의 내부에 제공되는 플라즈마 진단 시스템은, 진단하고자 하는 플라즈마 발생 장치에서 발생된 플라즈마 중 적어도 일부가 증착되는 제1평면기판, 상기 제1평면기판의 하부에 배치되는 제2평면기판, 상기 제1평면기판에 공동(cavity)이 형성되고, 상기 형성된 공동에 배치되어 상기 발생한 플라즈마의 플라즈마 파라미터를 측정하며 절연체로 감싸여져 상기 제1평면기판과는 전기적으로 절연된 센서부 및 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판 사이에 위치하며, 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판과는 각각 접지 플레이트(Ground plate)를 통해 차폐되며 상기 플라즈마 파라미터에 의해 상기 센서부에서 발생된 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정하는 전자 장치를 포함한다.
그리고, 상기 전기 신호는, 상기 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 임피던스의 변화로 인한 전압임을 특징으로 한다.
또한, 상기 전기 신호는, 상기 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 정전 용량의 변화임을 특징으로 한다.
그리고, 상기 전자 장치는, 상기 센서부에 의해 센싱된 전기 신호를 수신하는 연결부, 상기 연결부를 통해 수신된 상기 전기 신호의 크기가 미리 결정된 기준보다 클 경우, 상기 전기 신호의 크기를 제한하는 보호 회로부, 상기 보호 회로부부터 전달된 전기 신호의 정전 용량을 측정하는 플라즈마 특성 측정부, 상기 측정된 정전 용량에 따라 상기 플라즈마 특성을 나타내는 신호를 생성하고, 상기 센서부로 전송될 스위칭 신호를 생성하는 제어부를 포함한다.
또한, 상기 센서부는, 적어도 한 쌍 이상의 전극들, 및 상기 스위칭 신호에 의해 상기 전극들 중 상기 플라즈마 파라미터를 측정할 전극들을 선택하는 스위칭부를 포함한다.
그리고, 상기 적어도 한 쌍의 전극은 공면(Coplannar) 상에 동일 크기로 존재함을 특징으로 한다.
또한, 상기 전극의 두께는 20㎛와 40㎛를 가지며, 전극의 너비는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극의 길이는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극들 간의 거리는 0.5mm와 5mm 사이를 가짐을 특징으로 한다.
그리고, 상기 플라즈마 파라미터는, 전자(Electron), 이온(Ion), 전자 온도(Electron Temperature), 이온 플럭스(Ion flux) 중 적어도 하나임을 특징으로 한다.
또한, 상기 플라즈마의 특성값은, 상기 플라즈마의 밀도임을 특징으로 한다.
그리고, 상기 공동은, 미세 전자 기계 시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS)를 이용하여 형성됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1평면 기판 또는 상기 제2평면기판은 글라스(Glass) 또는 절연체 혹은 반도체로 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 플라즈마 발생부에 의해 생성된 플라즈마의 상태를 진단하도록 플라즈마챔버의 내부에 제공되는 플라즈마 진단 시스템의 플라즈마 진단 방법은, 진단하고자 하는 플라즈마 발생 장치로 플라즈마를 발생시키는 단계, 상기 플라즈마를 진단하기 위한 플라즈마 진단 시스템을 상기 플라즈마에 노출시키는 단계, 상기 플라즈마로부터 발생된 전기 신호를 측정하는 단계, 상기 측정된 전기 신호로부터 상기 플라즈마의 특성 값을 측정하는 단계를 포함하고, 상기 플라즈마 진단 시스템은, 진단하고자 하는 플라즈마 발생 장치에서 발생된 플라즈마 중 적어도 일부가 증착되는 제1평면기판, 상기 제1평면기판의 하부에 배치되는 제2평면기판, 상기 제1평면기판에 공동(cavity)이 형성되고, 상기 형성된 공동에 배치되어 상기 발생한 플라즈마의 플라즈마 파라미터를 측정하며 절연체로 감싸여져 상기 제1평면기판과는 전기적으로 절연된 센서부 및 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판 사이에 위치하며, 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판과는 각각 접지 플레이트(Ground plate)를 통해 차폐되며 상기 플라즈마 파라미터에 의해 상기 센서부에서 발생된 상기 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정하는 전자 장치를 포함한다.
그리고, 상기 전기 신호는, 상기 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 임피던스의 변화로 인한 전압임을 특징으로 하는 한다.
또한, 상기 전기 신호는, 상기 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 정전 용량의 변화임을 특징으로 한다.
그리고, 상기 전자 장치는, 상기 센서부에 의해 센싱된 전기 신호를 수신하는 연결부, 상기 연결부를 통해 수신된 상기 전기 신호의 크기가 미리 결정된 기준보다 클 경우, 상기 전기 신호의 크기를 제한하는 보호 회로부, 상기 보호 회로부부터 전달된 전기 신호의 정전 용량을 측정하는 플라즈마 특성 측정부, 상기 측정된 정전 용량에 따라 상기 플라즈마 특성을 나타내는 신호를 생성하고, 상기 센서부로 전송될 스위칭 신호를 생성하는 제어부를 포함한다.
또한, 상기 센서부는, 적어도 한 쌍 이상의 전극들. 상기 스위칭 신호에 의해 상기 전극들 중 상기 플라즈마 파라미터를 측정할 전극들을 선택하는 스위칭부를 포함한다.
그리고, 상기 적어도 한 쌍의 전극은 공면(Coplannar) 상에 동일 크기로 존재함을 특징으로 한다.
또한, 상기 전극의 두께는 20㎛와 40㎛를 가지며, 전극의 너비는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극의 길이는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극들 간의 거리는 0.5mm와 5mm 사이를 가짐을 특징으로 한다.
그리고, 상기 플라즈마 파라미터는, 전자(Electron), 이온(Ion), 전자 온도(Electron Temperature), 이온 플럭스(Ion flux) 중 적어도 하나임을 특징으로 한다.
또한, 상기 플라즈마의 특성값은, 상기 플라즈마의 밀도임을 특징으로 한다.
상술한 본 발명의 실시 예에 따르면 플라즈마 공정 시 플라즈마 방전 전/후에 따른 임피던스 변화 및 캐패시턴스 변화를 측정하여 플라즈마를 진단함으로써 실시간 플라즈마 진단이 가능하여 인-시투 모니터링(In-situ monitoring)이 가능하다. 이를 이용하여 플라즈마 공정 시 공정 수율 향상에 기여하고 공정 결과물의 신뢰도 향상에 기여할 수 있다. 그에 따라 기존에 비해 플라즈마 진단을 위한 섭동이 최소화되며, 탐침에 공정 부산물(By product)이 증착되어도 플라즈마 특성(밀도, 온도)진단이 가능하여 실시간 플라즈마 진단도 가능하다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 플라즈마가 증착되는 센서부의 위치를 선택할 수 있어, 플라즈마가 증착되는 위치 별로 캘리브레이션(Calibration)이 가능하다.
추가로, 본 발명의 실시 예에 따르면, 플라즈마 파라미터를 측정하는 센서부를 다양하게 구성할 수 있다.
또한, 실시간 플라즈마 진단 시스템을 이용하여 공정 시 플라즈마 방전 상태가 비정상일 경우 피드백을 통해 장치 보완이 가능하여 반도체 및 디스플레이 산업에서 긍정적인 효과를 기대할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 개념도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 파라미터를 센싱하는 센서부로서 구현된 한 쌍 이상의 전극(Electrode) 패턴을 보여준다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 구성을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 구성을 보여주는 도면이다.
도 5는 또 다른 일 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 구성을 보여주는 도면이다.
도 6은 또 다른 일 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 구성을 보여주는 도면이다.
도 7은 또 다른 일 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 구성을 보여주는 도면이다.
도 8는 또 다른 실시 예에 따라 도 1에서 설명한 센서부의 구현 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 상태를 진단하기 위한 전자 장치의 블록 구성도이다.
도 10과 도 11은 본 발명의 실시 예에 따라 센서부가 적어도 한 쌍의 전극들로 구성되는 경우을 보여주는 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따라 한 쌍 이상의 전극들로 구성된 센서부와 스위칭부를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 패턴화된 전극의 구현 예를 보여주는 도면이다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따라 임피던스 변화를 이용한 플라즈마 밀도 진단의 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 캐패시턴스 변화를 이용한 플라즈마 밀도 진단의 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따라 기판에 패턴 전극을 형성할 경우, 패턴 전극의 위치별 연결 길이에 따른 기생 정전 용량이 발생하는 것을 도시한 도면이다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템에서 전극의 위치별 보정을 위한 모식도이다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따라 진공 챔버 내 플라즈마 측정 시스템을 이용한 실험 모식도이다.
도 19는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 방전 전/후에 따른 임피던스 변화를 나타낸 도면이다.
도 20은 도 19에서 측정된 임피던스 변화에 따른 플라즈마 밀도를 측정한 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치가 측정한 플라즈마 밀도와 DLP이 측정한 플라즈마 밀도를 비교한 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 전자 장치에서의 플라즈마 진단 방법의 흐름도이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로서, 본 발명을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 설명하는 실시예에 한정되는 것이 아니다. 그리고, 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략되며, 도면의 동일한 참조부호는 동일한 부재임을 나타낸다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "...부", "...기", "모듈", "블록" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 개념도이다.
도 1에서 참조번호 110은 본 발명의 실시 예에 따라 플라즈마의 특성 값을 측정하기 위한 전자 장치이며, 참조번호 120은 도시되지 않은 플라즈마 발생부가 발생시킨 플라즈마가 플라즈마 공정 처리가 수행되는 플라즈마 챔버에 생성될 때, 생성된 플라즈마가 증착되는 기판이다. 참조번호 130은 기판에 형성된 공동에 배치되어, 상기 플라즈마의 파라미터를 측정하는 센서부이다. 참조번호 140은 관측장치로서, 전자 장치(110)가 측정한 플라즈마 특성값을 디지털 신호로 변환하여 사용자에게 표시해주는 장치이다. 도 1에서는 전자 장치(110)가 기판(120)의 외부에 위치한 것으로 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위해 도시된 것일 뿐 본 발명의 실시 예에 따라 도 1에 개시된 기판(120)은 2개의 기판으로 구성되고, 그 기판들 사이에는 전자 장치(110)가 접지 판(Ground plate)으로 차폐되어 구성된다. 도 1에서는 기판의 형태를 웨이퍼 형태(Wafer type)로 도시하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1에서 A-A'선은 기판(120)에 형성된 센서부(130)와 기판(120)을 구성하는 제1 기판과 제2기판 사이에 위치한 전자 장치(110)간의 연결 관계를 보여주기 위한 선이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 파라미터를 센싱하는 센서부(130)로서 구현된 한 쌍 이상의 전극(Electrode) 패턴을 보여준다. 도 2에서 2(a)는 전극(200)은 높은 전압에 대한 내성 및 누설 전류(Leakage current)를 방지하기 위해 절연체(insulator) 또는 유전체(Dielectic)(210)로 보호하는 것을 보여준다. 이는 전도성 높은 물질을 이용할 경우, 플라즈마에 의한 전자 장치가 손상을 입을 수 있기 때문이다. 본 발명에서 설명하는 플라즈마 파라미터(Plasma parameter)라 함은 전자(Electron), 이온(Ion), 전자온도(Electron Temperature), 이온 플럭스(Ion flux) 등을 포함한다.
도 2에서 도시된 바와 같이 본 발명에서 센서부(130)는 한 쌍 이상의 전극들로 구성되며, 그 형태는 도 2의 2(b)와 같다.
도 2b에서 전극은 총 2개의 쌍(4개)로 구성되며, 참조번호 200a, 200b, 200c, 200d와 같이 사각형 형태, 또는 200e, 200f, 200g, 200h와 같이 도넛 형태의 패턴(Pattern)으로 구현될 수도 있다. 그리고, 각 전극 사이는 공통단자(common)가 위치한다.
도 3 내지 도 8은 도 1의 A-A'선에 따라 자른 단면도들로 본 발명의 실시 예에 따라 플라즈마 진단 시스템의 구성을 보여준다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 구성을 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 앞서 도 1에서 설명한 바와 같이 기판(120)은 제1평면기판(305), 제2평면기판(310)을 포함하는 2개의 기판과, 접지 판(Ground plate)(315a, 315b), 센서부에 해당하는 한 쌍의 전극(320a, 320b), 진단부(350), 연결부(360)를 포함한다.
제1평면기판(305)은 진단하고자 하는 플라즈마 발생 장치에서 발생된 플라즈마 중 적어도 일부가 증착되며, 제2평면기판(310)은 상기 제1평면기판의 하부에 배치된다. 진단부(350)는 상기 제1평면기판(305)과 상기 제2평면기판(310) 사이에 위치하며, 상기 제1평면기판(305)과 상기 제2평면기판(310)과는 각각 접지 플레이트(Ground plate)(315a, 315b)을 통해 차폐되며 상기 플라즈마 파라미터에 의해 상기 센서부인 한 쌍의 전극들(320a, 320b)에서 발생된 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정한다. 참조번호 360인 연결부는 상기 한 쌍의 전극(320a, 320b)에 의해 측정된 전기 신호를 진단부(350)로 전달한다. 본 발명에서는 진단부(350)와 연결부(360)를 후술할 전자 장치(900)에 포함하는 것으로 설명하기로 한다.
상기 도 3에서 센서부(320a, 320b)는 절연체(340)로 감싸져 상기 제1 평면기판(305)과는 전기적으로 절연되며, 상기 제1평면기판에 형성된 공동(cavity)에 배치되어 플라즈마의 플라즈마 파라미터를 측정한다. 도 3에서 센서부(320a, 320b)는 제1평면기판(305)의 하단부에 형성된 공동에 위치한다.
도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템은 제1평면기판(305)과 제2평면기판(310)을 상하로 합하여 제작하는 형태를 가진다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템은 제1평면기판(305)과 제2평면기판(310)을 접합하고, 그 사이에 전자 장치(900)가 삽입되는 형태로 만들어진다. 이 때 상기 제1평면기판(305)에 형성되는 상기 공동(Cavity)은 미세 전자 기계 시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS)를 이용하여 형성된다. 상기 동공 내부에는 상기 센서부(320a, 320b)가 위치한다. 본 발명의 실시 예에 따른 센서부(320a, 320b)인 한 쌍의 전극을 일정한 패턴을 갖게 형성하고, 공동을 절연 내압이 높고 누설 전류(Leakage current)를 막을 수 있는 절연체(Insulator)로 몰딩 한다. 이때 상기 한 쌍의 전극은 전도성이 높은 물질을 사용한다. 도 3은 전자 장치(350)를 제1평면기판(305)의 하단부에 공동을 형성한 후, 센서부(320a, 320b)를 형성하였다.
본 발명의 실시 예에 따른 제1평면기판과 제2평면기판은 불순물이 섞이지 않은 절연체 혹은 저항이 높은 반도체를 이용할 수 있다. 이는 불순물이 섞인 도핑 반도체(Doping semiconductor)를 사용하는 경우에는 도핑 반도체가 플라즈마 방전 시 도체(Conductor)로 작용할 수 있는 가능성이 있기 때문이다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 제1평면기판과 제2평면기판은 글라스(Glass)를 이용하여 제작할 수도 있다. 이때 글라스(Glass) 종류로는 석영 유리(Quartz), 고규산 유리(High silica glass), 실리카티타니아 유리(Silica-titania glass) 등을 사용할 수 있다.
도 3에서 접지 플레이트(315a, 315b)는 메탈(Metal)이나 PCB(Printed circuit board)을 이용하여 외부 전자기장 차폐를 통해 내부 전자기기 보호하는 역할을 한다. 절연체(340)는 절연 내압이 높고 누설 전류(Leakage current)를 막을 수 있는 물질을 사용하여 전자 장치를 보호한다.
연결부(360)는 한 쌍의 전극들(320a, 320b)로부 수신된 전기 신호를 진단부(350)로 전달한다. 연결부(360)는 표면 실장 소자 접촉(SMD) 커넥터, 전도성 페이스트(Conductive paste), 저온 납땜(은납 등) 등의 저항 접촉(Ohmic contact) 형태로 전극들과 진단부(350)를 연결한다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 구성을 보여주는 도면이다. 도 4에서 센서부(420a, 420b)는 도 3과는 달리 제1평면기판(405)의 상단부에 형성된 공동에 위치한다.
도 4에 도시된 제1평면기판(405)외의 다른 구성들인 제2평면기판(410), 접지 플레이트(Ground plate)(415a, 415b), 진단부(450), 연결부(460)는 도 3의 설명과 동일하므로, 설명을 생략하기로 한다.
도 3과 도4에서 설명된 바와 같이 센서부(320a, 320b, 420a, 420b)들이 제1평면기판에 형성된 경우라면, 외부 전자기파에 의한 전자 기기들(350, 450)에 대한 손상(Damage) 및 플라즈마 파라미터 분석 시 외부 주파수 등에 의한 신호 왜곡을 방지하기 위해 메탈층(Metal Layer)을 코팅하는 방법을 사용하거나 PCB(Printed Circuit Board) 등 외부 전자기파를 차단할 수 있는 전도성 물질로 덮어줄 수 있다. 그 후 전도성 물질 위해 다시 절연체를 덮어줄 수 있다. 이 때 사용되는 절연체는 센서부(320a, 320b, 420a, 420b)를 몰딩한 절연체(340, 440)와 동일한 물질로 구성하는 것이 가능하다. 절연체는 전자 기기(350, 450) 장착을 위한 공간을 마련하는 형태로 형성되어야 한다.
도 5는 또 다른 일 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 구성을 보여주는 도면이다. 도 5는 도 3에 도시된 진단부(350)와 도 4에 도시된 진단부(450)를 F-PCB(Flexible printed circuit board)(500) 등과 같은 얇은 박막형 circuit board 등을 이용하여 구성한 도면으로, 도 5와 같이 구성할 경우 플라즈마 진단 시스템을 구성하는 회로의 부피를 줄일 수 있다.
도 6은 또 다른 일 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 구성을 보여주는 도면이다. 도 6은 도 4에서 설명한 플라즈마 진단 시스템의 구성과 같이 한 쌍의 전극(620a, 620b)을 포함하는 센서부가 제1평면기판(605)의 상부에 위치하지만, 센서부의 양측에 제2절연체(650a, 650b)가 배치된다. 그리고, 도 6에서 제1 평면기판(605)의 접지 플레이트(660)는 도 4와는 달리 센서부의 측면에 위치한 제2절연체들(650a, 650b)까지 연장되는 것이 차이점이다. 이하 도 6 내지 도 8에 개시된 제2 절연체들(Insulator)(650a, 650b, 750a, 750b, 750c, 750d, 850a, 850b)은 유전율이 낮은 물질을 사용하여, 외부 파워 또는 외부의 전기적 신호를 차단함으로써, 외부에서 입력되는 전기적 신호에 의해 회로가 손상되는 것을 막거나 혹은 플라즈마 파라미터 측정하는 데 발생할 수 있는 혼선을 줄일 수 있다.
도 7은 또 다른 일 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 구성을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 4에서 설명한 플라즈마 진단 시스템의 구성과 같이 한 쌍의 전극(720a, 720b)을 포함하는 센서부가 제1평면기판(705)의 상부에 위치하지만, 센서부의 양측(750a, 750b)과 센서부와 접지 플레이트(760) 사이에 절연체(750c, 750d)가 배치된다.
도 8는 또 다른 실시 예에 따라 도 1에서 설명한 센서부의 구현 예를 설명하기 위한 도면이다. 도 8은 앞서 설명한 도 3에 비해 절연체(850a, 850b)가 전극들(820a, 820b)를 둘러싼 절연체 측면에 추가로 위치하며, 접지 플레이트(315a)로부터 제1평면기판(305)의 상부표면으로 연장되어 위치한다.
상술한 도 3 내지 도 8에서 설명한 진단부는 특정 주파수를 갖는 신호를 발생시킨 뒤 플라즈마 방전 전/후로 인해 발생하는 임피던스 변화 값으로 플라즈마를 진단하는 방법과 플라즈마 방전 전/후로 인한 정전용량 변화를 이용한 플라즈마를 진단 방법을 이용한다.
이하에서 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 상태를 진단하기 위한 전자 장치(900)의 블록 구성을 도 9를 참고하여 설명하기로 한다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 상태를 진단하기 위한 전자 장치(900)의 블록 구성도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 장치(900)는 연결부(910), 보호 회로부(915), 신호 발생부(920), 제어부(925), 플라즈마 특성 측정부(930), 잡음 제거부(950)를 포함한다.
연결부(910)는 센서부(905)와 연결되어 센서부에서 발생된 전기 신호를 전자 장치(900)로 전달한다. 여기서, 상기 발생된 전기 신호는 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 임피던스의 변화로 인한 전압일 수도 있으며, 상기 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 정전 용량의 변화일 수도 있다.
보호 회로부(915)는 상기 연결부(910)를 통해 수신된 상기 전기 신호의 크기가 미리 결정된 기준보다 클 경우, 상기 전기 신호의 크기를 제한한다. 즉, 보호 회로부(915)는 플라즈마 챔버에 발생된 플라즈마 및 RF 전극으로부터 흘러나오는 고전압 및 전류로부터 전자 장치(900)를 보호하기 위한 고전압 제한 회로 및 정전압 유지 회로 등으로 구성될 수 있다. 상기 고전압 제한 회로는 상기 전기적 신호의 크기를 제한한다. 상기 정전압 유지 회로는 상기 제한된 신호의 크기를 일정하게 유지한다.
예를 들어, 상기 보호 회로부(915)는 상기 전기적 신호의 크기를 제한하기 위해서, 다이오드(Diode), 제너 다이오드(Zener diode), 그라운드(Ground)를 사용할 수 있다. 상기 보호 회로부(915)는 플라즈마 방전 시 사용할 수 있는 상ㄱ 플라즈마 발생부에서 나오는 고출력의 전기 에너지가 전극을 통해서 전자 장치(900)안의 회로로 흘러 들어오는 것을 방지하여 전자 장치(900) 내의 회로를 보호하는 역할을 한다.
신호 발생부(920)는 진단하고자 하는 플라즈마 발생부에서 발생된 플라즈마의 방전 주파수와 적어도 일부의 겹치지 않는 범위의 주파수를 갖는 신호를 발생한다. 플라즈마 발생부는 진단 대상이 되는 장치로서, 본 발명의 플라즈마 진단 시스템의 외적 구성요소에 해당한다. 또한, 여기에서 플라즈마의 방전 주파수와 적어도 일부 겹치지 않는다는 것은 중심 주파수가 다르거나, 또는 주파수 대역이 상이한 것을 의미한다. 예를 들어, 플라즈마 발생 장치에서의 방전 주파수는 5~20MHz일 수 있다. 신호 발생부(920)에서 발생되는 전기적 신호의 주파수는 1KHz~1MHz 범위 대역에서 상기 플라즈마 방전 주파수와 중복되지 않도록 사용될 수 있다. 신호 발생부(120)에서 발생되는 신호는, 정전 용량 측정의 기준이 되며, 실질적으로 정현파 성분을 갖는 기준 파형을 갖는 것이 바람직하다.
플라즈마 특성 측정부(930)는 상기 보호 회로부(915)부터 전달된 전기 신호를 이용하여 플라즈마의 특성 값을 측정한다. 이때 플라즈마 특성 측정부(930)는 플라즈마 챔버에서 발생된 플라즈마의 방전 전/후에 따른 센서부(905)가 센싱한 플라즈마 파라미터에 해당하는 임피던스의 변화를 측정하거나 정전 용량의 변화를 측정하여 플라즈마의 특성을 측정한다. 이때, 측정하는 플라즈마의 특성은 플라즈마 밀도가 될 수 있다.
제어부(925)는 상기 측정된 임피던스의 변화 또는 정전 용량의 변화를 이용하여 플라즈마 파라미터를 플라즈마 밀도로 환산한 후, 잡음 제거부(950)로 환산된 값을 전달한다. 구체적으로 본 발명의 실시 예에 따른 제어부(925)는 상기 센서부(905)에 의해 측정된 임피던스 변화 또는 정전 용량에 따라 상기 플라즈마 특성을 나타내는 신호를 생성하여 잡음 제거부(950)를 통해 관찰부(940)로 출력한다. 사용자는 관찰부(940)를 통해 디지털화된 플라즈마의 상태 값을 확인할 수 있고, 그에 따라 플라즈마 상태를 진달할 수 있다. 또한, 제어부(925)는 상기 센서부(905)에 포함된 복수 개의 전극들(200a, 200b, 200c, 200d, 200e, 200f, 200g, 200h)들 중 플라즈마 파라미터 측정을 위해 사용될 전극들을 선택하기 위한 스위칭 신호(935)를 센서부(905)로 전송한다.
잡음 제거부(950)는 전치 증폭기(952), 대역 통과 필터(954), 위상 검파기(956), 저역 통과 필터(958)를 포함한다. 상기 잡음 제거부(950)는 제어부(925)로부터 전달된 전기적 신호를 필터링한다.
상기 전치 증폭기(952)는 상기 제어부(925)로부터 전달되는 신호를 일정하게 유지하기 위하여 증폭을 하고, 상기 제어부(925)로부터 입력받는 입력단에 필터 회로를 설치하여, 상기 제어부(925)로부터 전달되는 신호로 인하여 상기 전치 증폭기(952)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 상기 필터 회로는 저역 통과 필터, 고역 통과 필터, 대역 통과 필터, 대역 저지 필터를 포함할 수 있다. 상기 대역 통과 필터(954)는 상기 증폭된 전기적 신호를 상기 발생된 플라즈마의 주파수와 적어도 일부의 겹치는 범위의 주파수를 통과시킬 수 있다. 상기 위상 검파기(956)는 상기 대역 통과 필터(954)를 통과한 전기적 신호와 신호 발생기(920)에서 발생된 기준 파형의 위상차를 이용하여 잡음을 제거할 수 있다. 상기 저역 통과 필터(958)는 상기 위상 검파기(956)를 통과한 전기적 신호의 낮은 주파수 성분을 통과시킬 수 있다.
관찰부(940)는 상기 필터링된 전기적 신호를 화면에 도시하는 장치로서, 본 발명의 플라즈마 진단 시스템의 전자 장치(900)의 외적 구성요소에 해당한다. 사용자는 상기 관찰부(940)를 이용하여, 실시간으로 플라즈마의 전압과 정전용량을 관할하여 플라즈마 특성(예컨대, 플라즈마 밀도 등)을 관찰할 수 있다.
이하에서는 도 9의 전자 장치(900)내의 플라즈마 특성 측정부(930)가 플라즈마 특성을 측정하는 2가지 방법을 설명하기로 한다.
플라즈마 측정부(930)는 센서부(905)에서 측정한 플라즈마 파라미터를 이용하여 플라즈마 밀도(Plasma density), 이온 플럭스(Ion flux), 전자 온도(Electron Temperature) 등 플라즈마 주요 인자들을 측정, 분석한다. 제어부(925)는 ㅎ플라즈마 특성 측정부(930)가 측정한 플라즈마 특성을 통해 플라즈마 상태 진단 신호를 출력한다.
플라즈마 특성 측정부(930)가 본 발명의 실시 예에 따라 플라즈마를 측정하는 방식은 다음의 두 가지 방식으로 나뉜다.
먼저, 센서부(905)에서 측정된 임피던스 변화(Impedance variation)를 이용하여 플라즈마 상태를 진단하는 방식이다.
임피던스 변화를 이용하여 플라즈마 상태를 진단하는 방식은 kHz 단위의 기준 파형으로 형성된 임피던스 값이 플라즈마 유/무에 따라 값이 변하게 되는데, 플라즈마 특성 측정부(930)가 이러한 임피던스 값의 변화를 통해 전압의 변화를 측정한다. 플라즈마 특성 측정부(930)는 이와 같은 전압의 변화를 통해 플라즈마 특성을 측정할 수 있는데, 이는 후술하는 <수학식 1> 내지 <수학식 6>을 이용하여 설명하기로 한다. <수학식 1> 내지 <수학식 6>은 임피던스 변화를 이용하여 플라즈마의 밀도를 계산하는 수학식이다.
두 번째로, 센서부(905)에서 측정된 정전용량 변화(Capacitance variation)를 이용하여 플라즈마 상태를 진단하는 방식이다.
센서부(905)에 포함된 전극의 너비, 전극의 길이, 전극 간 간격, 절연체의 종류 및 두께에 따라 정전용량 값이 변화한다. 전극에서 생성된 캐패시턴스 값은 플라즈마 방전에 따라 플라즈마가 갖고 있는 캐패시턴스 값과 직/병렬로
연결되며 그 값이 변화하게 된다. 변화된 캐패시턴스 값은 플라즈마 특성 측정부(930)에서 측정되며, 제어부(925)는 이 값을 디지털화(digitalized) 된 값으로 변환한다. 플라즈마 특성 측정부(930)는 이와 같은 정전 용량의 변화를 통해 플라즈마 특성을 측정할 수 있는데, 이는 후술하는 <수학식 7> 내지 <수학식 14>를 이용하여 설명하기로 한다. <수학식 7> 내지 <수학식 14>는 정전 용량의 변화를 이용하여 플라즈마의 밀도를 계산하는 수학식이다.
본 발명의 실시 예에서 플라즈마 특성 측정부(930)는 센서부(905)의 한 쌍의 전극들을 통해 입력되는 전압과 전류의 양이 미리 정해진 크기보다 클 경우, 손상(Damage)를 입게 될 수 있다. 따라서, 플라즈마 특성 측정부(930) 전단에는 보호 회로부(915)가 위치하여 상기 센서부(905)를 통해 입력된 신호가 손상을 주지 않도록 구성하는 것이 바람직하다. 보호 회로부(915)는 고전압/고전류를 제한하고 정전압을 제공한다.
상술한 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(900)는 F-PCB(Flexible Printed Circuit Board) 등 얇은 박막 PCB에 패터닝(Patterning)하거나 혹은 컨택(Contact)하는 방식으로 구현할 수 있다.
그리고, 센서부(905)와 같이 전자 장치(900)의 외부로부터 입력되는 파워로 인해 센서부(905)에서 읽힌 플라즈마 파라미터를 파라미터 특성 측정부(930)로 전달하는 과정에서 신호 왜곡 혹은 혼선이 생길 수 있는 가능성이 여전히 존재한다. 이러한 가능성을 배재하기 위해 본 발명의 실시 예에서는 센서부(905)에 포함되는 한 쌍의 전극 하단 부를 시작으로 하여 제1 평면기판과 제2평면기판 중간의 그라운드 플레이트(Ground plate)까지 연결되는 금속(Metal) 물질을 사용, 외부 전기적 신호를 차단함으로써 신호 왜곡을 방지할 수 있다. 또한, 금속 물질 대신 유전율이 낮은 절연체를 사용하여 외부 전기적 신호가 플라즈마 파라미터 신호에 영향을 줄 가능성을 차단함으로써, 신호의 왜곡을 방지할 수 있다.
메탈을 사용한 실딩(Shielding)의 경우, 메탈이 제1평면기판의 표면에 노출되는 경우, 플라즈마와 메탈 간 아킹(Arcing)으로 인해 제1평면기판이 손상될 수 있기 때문에 제1평면기판의 표면과 가까운 메탈의 경우에는 유전율이 낮은 절연체로 메탈이 제1평면기판 밖으로 돌출되는 것을 방지하면서 외부 전기적 신호를 차단하는 역할을 하게 된다.
이러한 구조를 택하게 되는 이유 중 또 하나는, 플라즈마 임피던스 변화 혹은 캐패시턴스 변화를 이용한 측정의 경우, 평면기판과 센서부를 감싸는 절연체 간 전기적으로 연결되어 측정값의 오류가 발생할 수 있는데, 이러한 오류를 방지하기 위해 웨이퍼와 전극 패턴 몰딩(Molding) 유전체 간 전기적 절연을 위해 이러한 구조가 필요할 수 있다. 그럼 이하에서는 센서부(905)의 구현 예를 아래의 도 10 내지 도 13을 이용하여 설명하기로 한다.
도 10과 도 11은 본 발명의 실시 예에 따라 센서부가 적어도 한 쌍의 전극들로 구성되는 경우을 보여준다.
도 10은 센서부(1005)가 제1평면기판(1015)의 상부에 형성되는 것을 보여주며, 도 11은 센서부(1110)가 제1평면기판(1115)의 하부에 형성되는 것을 보여준다. 도 10에서 참조번호 1005와 도 11에서 참조번호 1105는 절연체 플레이트(Insulator plate)로서, 전극들(1010, 1110)과 플라즈마를 직접 접촉하지 않게 보호하는 역할을 한다. 절연체 플레이트(1005, 1105)는 절연 내압(Breakdown voltage)이 높고 누설 전류(Leakage current)를 막을 수 있는 절연 물질을 사용하여야 한다. 예컨대, 세라믹 계열을 포함하여 SiN박막, SiO2박막, 실리콘, 폴리머 등의 다양한 유전체를 사용하는 것이 바람직하다.
도 10과 도 11에서 전극들(1010, 1110)은 한 유전체 층에 두 개의 전도성 물질을 올려 공면 전극(Coplanar electrode)을 형성한다. 각 전극의 두께는 일반적으로 20 μm ~ 40 μm 두께를 갖는다. 전극들(1010, 1110)은 전도성이 높은 물질을 사용하되 산화에 강한 내성을 갖는 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
도 10과 도 11에서 제1평면기판(1015, 1115)는 식각(Etching)을 이용하여 공동(Cavity)을 형성하여 공동 내부에 전극들(1010, 1110)을 형성하는 형태로 가공된다.
상기 도 10과 도 11에서는 한 쌍의 전극으로 센서부가 구성될 경우를 설명하였지만, 상술한 도 2의 도 2b와 같이 한 쌍 이상의 전극들로 센서부가 구성될 경우에 대해서는 도 2의 2b와 도 12를 참고하여 설명하기로 한다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따라 한 쌍 이상의 전극들로 구성된 센서부와 스위칭부를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 2 b와 같이 한 쌍 이상의 전극들(200a, 200b, 200c, 200d, 200e, 200f, 200g, 200h)로 센서부가 구성될 때, 플라즈마 파라미터를 측정하기 위한 한 쌍의 전극을 선택하기 위해 스위칭부(1205, 1210)가 존재하는 것을 보여준다. 스위칭부(1205, 1210)는 전자 장치(900)로부터의 스위칭 신호에 따라 플라즈마 파라미터를 측정할 한 쌍의 전극들을 각각 선택한다. 예컨대, 스위칭부(1205)는 플라즈마 파라미터를 측정할 전극으로 200a와 200b를 선택할 수도 있고, 200a와 200c를 선택할 수도 있으며, 200a와 200d를 선택할 수도 있다. 스위칭부(1205, 1210)는 MUX 등의 스위치 회로로 구현될 수 있다. 참조번호 220은 공통(common) 단자이다.
도 2b및 도 12에 도시된 전극들(200a, 200b, 200c, 200d, 200e, 200f, 200g, 200h)은 한 유전체 층에 한 쌍 이상의 전도성 물질을 올려 공면 전극(Coplanar electrode)을 형성한다. 본 발명의 실시 예에 따른 전극의 두께는 일반적으로 20 μm ~ 40 μm 두께를 갖으며, 전극은 전도성이 높은 물질을 사용하되 산화에 강한 내성을 갖는 물질을 사용하는 것이 바람직하다.전술한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따라 전자 장치(900)는 임피던스 변화와 캐패시턴스 변화라는 두 가지 형태로 플라즈마 특성 측정이 가능하다. 플라즈마 방전 전/후에 따른 임피던스 변화와 정전용량 변화를 알기 위해선 기준 신호 형성, 플라즈마 하전입자(Plasma charged particle) 측정을 위한 패턴화된 전극이 필요하다. 패턴화된 전극의 경우 한 쌍 이상의 전극과 플라즈마에 의한 전극 손상을 방지하는 절연체 층으로 구성된다. 전극은 전도성이 높되 산화에 강한 내성을 갖는 물질로 구성되며, 절연체 층은 높은 절연 내압과 누설전류(Leakage current)를 방지할 수 있는 물질로 구성된다. 플라즈마 방전 전/후에 따른 임피던스 변화와 정전용량 변화를 알기 위해선 기준 신호 형성, 플라즈마 하전입자(Plasma charged particle) 측정을 위한 전극 패턴이 필요하다. 전극 패턴의 경우 한 쌍 이상의 전극과 플라즈마에 의한 전극 손상을 방지하는 절연체 층으로 구성된다.
전극은 전도성이 높되 산화에 강한 내성을 갖는 물질로 구성되며, 절연체 층은 높은 절연 내압과 누설전류(Leakage current)를 방지할 수 있는 물질로 구성된다.
본 발명의 실시 예에 따라 전극은 크게 두 가지 방식으로 구현된다.
센서부(905)가 한 쌍의 전극으로 구성될 경우, 공면 상에 동일 크기로 형성된다. 전극의 너비, 전극의 크기, 전극 간 거리, 전극을 몰딩(Molding)하는 절연체 종류, 절연체의 두께 등의 파라미터(Parameter)에 의해 전극에서 형성되는 캐패시턴스, 임피던스 값이 달라진다. 따라서 목적에 맞는 파라미터 선정이 필요하다.
반면 센서부(905)가 한 쌍 이상의 전극들로 구성될 경우에는 센서부(905)는 1205, 1210와 같은 스위칭부(Switching circuit)을 이용하여 플라즈마 파라미터 측정을 위한 한 쌍의 전극을 선택할 수 있다. 예컨데, 4개의 전극을 사용할 경우 스위칭부(1205, 1210)를 이용하여 총 6 쌍의 전극들을 이용하여 플라즈마 파라미터 측정이 가능하다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 패턴화된 전극의 구현 예를 보여주는 도면이다.
본 발명의 실시 예에 따른 패턴화된 전극의 크기 및 간격과 전극을 몰딩(Molding)하는 절연체가 갖는 유전율에 따라 전극에서 형성되는 캐패시턴스(Capacitance)의 값과 신호 형성 범위(Penetration depth, T)가 달라진다.
전극 크기의 경우 End effect를 고려하여 전극의 폭(w)이 전극의 길이(L)와 같거나 긴 것이 바람직(w≥L)하며 End effect로 인한 신호 왜곡 현상이 발생할 경우에는 전극을 원형으로 제작하는 것이 바람직하다. 전극의 너비(w)는 1mm ~ 5 mm, 전극의 길이(L)는 1mm ~ 5 mm 정도로 설정하는 것이 바람직하다.
전극 간 거리(d)의 경우, 전극 간 거리 및 전극의 너비에 따라 신호 형성 범위(Penetration depth, T)가 달라진다. 전극 간 거리는 0.5mm ~ 5 mm 정도로 설정하는 것이 바람직하다.
그럼 이하에서는 도 14와 도 15를 이용하여 전자 장치(900)의 플라즈마 특성 측정부(930)가 플라즈마 특성 중 플라즈마 밀도를 진단하는 원리를 살펴보기로 한다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따라 임피던스 변화를 이용한 플라즈마 밀도 진단의 원리를 설명하기 위한 도면이다.
임피던스 변화를 이용한 플라즈마 밀도 진단의 기본 원리는 전기적으로 절연된 플라즈마 센서의 양극에 실효값(RMS, Root Mean Square)을 갖고 1 kHz ~ MHz 단위의 주파수를 갖는 AC(Alternating Current) 전압을 인가하여 전위차를 가해주면 전극 패턴 형태 및 절연체 두께 등에 따른 임피던스(Impedance)가 발생 한다. 이때 임피던스가 형성된 면 위에 절연체(Insulator)를 두고 플라즈마를 방전(Discharge)시킨다. 방전된 플라즈마에서 방출된 이온(Ion), 전자(Electron), 활성종(Radical) 등의 플라즈마 파라미터(Plasma reactance)로 인해 전극 패턴에서 형성된 임피던스와 직/병렬로 연결되어 전극 패턴의 임피던스 값이 변화(Impedance variation)하게 된다. 이는 전압의 변화로 나타나게 된다.
기준파형(Reference signal, VR)은 회로를 따라 기준 임피던스(Reference Impedance, Xr)와 전극 패턴(Patterned electrodes)로 나뉘어 인가된다. 전극 패턴에서 형성되는 임피던스 값을 Xx, 전극 패턴에 인가되는 전압을 Vx, 기준 임피던스에 인가되는 전압을 Vr, 회로 전체에 인가되는 전압을 VT 라고 하면, 도 14와 같이 측정 회로 모식도를 나타낼 수 있다.
전자 장치(900)의 플라즈마 특성 측정부(930)에서 플라즈마에 의해 임피던스 변화에 따른 전압이 변화한 값은 Vr' 이라 정의하면, 적절한 계산을 통해 전극 패턴에서 형성되는 임피던스(Xx) 값을 아래의 <수학식 1>과 같이 정의할 수 있다.
Figure 112018031672776-pat00001
전체 전하량(Q0)을 아래의 <수학식 2>와 같이 플라즈마의 전하량(qp)과 초기 전하량(Qi)의 합이라 정의 한다.
Figure 112018031672776-pat00002
상기 <수학식 2>와 같이 기준 임피던스와 플라즈마에 의해 임피던스가 변화하는 측정단의 전하량은 Q0로 동일하다. 따라서 정전용량(C)과 전압(V) 간의 상관관계를 통해 전하량(Q)을 아래의 <수학식 3>과 <수학식 4>와 같이 계산한다.
Figure 112018031672776-pat00003
Figure 112018031672776-pat00004
상기 <수학식 3>과 <수학식 4>를 정리하면 플라즈마 밀도(ne) 진단이 아래의 <수학식 5>와 같이 정의가 가능하다.
Figure 112018031672776-pat00005
도 15는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 캐패시턴스 변화를 이용한 플라즈마 밀도 진단의 원리를 설명하기 위한 도면으로 플라즈마 방전 전/후에 따른 커패시턴스 변화의 등가 회로이다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 커패시턴스 변화를 이용한 플라즈마 밀도 진단의 기본 원리는 전극 패턴 디자인 및 절연체 종류, 두께에 따른 초기 캐패시턴스 값과 플라즈마 방전 후 캐패시턴스 값의 변화량을 측정, 수식을 이용하여 플라즈마 진단을 하게 된다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 특성 측정부(930)는 전극 패턴이 플라즈마와 접촉함으로써 전극이 가지고 있는 초기 캐패시턴스와 직/병렬로 연결되어 캐패시턴스 값이 내려가게 된다. 이러한 캐패시턴스 변화 값을 이용, 플라즈마 특성을 측정 하게 된다.
임피던스 변화를 이용한 플라즈마 진단의 경우는 임피던스의 변화가 전압의 변화로 나타나는 반면, 캐패시턴스 변화를 이용한 플라즈마 진단의 경우에는 플라즈마 온/오프(on/off)에 따른 캐패시턴스 변화를 직접 측정하여 플라즈마 진단을 하게 된다.
도 15에 도시된 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전자 장치(900)는 플라즈마 특성 측정부(930)가 측정한 커패시턴스 값을 디지털 신호로 변환(Capacitance to digital converter)하여, 정전용량(Capacitance)를 디지털화(digitalize) 된 값으로 출력하며, 플라즈마의 높은 전압에 의한 손상 방지를 위해 Floating 하는 것이 바람직하다. 그리고, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전자 장치(900)는 플라즈마 방전 전/후에 따른 캐패시턴스 변화를 측정한다.
도 15에서 참조번호 1505는 패턴 전극 캐패시턴스(Patterned electrode capacitance, Ce)로서, 초기 패턴 전극 정전 용량을 나타내며, 전극의 너비, 전극의 폭, 전극 간 간격, 몰딩 절연체 종류에 따른 유전율 변화, 절연체 두께 등의 파라미터로 인해 전극 패턴 정전용량 값이 변화된다. 본 발명의 다른 실시 예에서는 초기 전극 패턴 정전용량 값을 측정하여 플라즈마 on/off에 따른 캐패시턴스 변화(Capacitance variation) 값을 측정한다.
도 15에서 참조번호 1510은 전체 캐패시턴스 제한 캐패시터(Cr)로, 전자 장치(900)가 측정할 수 있는 최대 캐패시턴스(Capacitance)이다. 이는 전자 장치(900)가 측정할 수 있는 캐패시턴스의 측정범위가 정해져 있어 이를 넘어선 캐패시턴스는 측정 불가하기 때문이다.
전체 캐패시턴스 제한 캐패시터(Cr)는 아래의 <수학식 6>과 같이 전극 패턴 캐패시턴스(Ce), 플라즈마 캐패시턴스(Cp)와 직렬연결 되는 캐패시터를 이용, 측정되는 캐패시턴스 값을 측정 범위를 조절한다.
Figure 112018031672776-pat00006
도 15에서 참조번호 1525은 플라즈마 캐패시턴스(Cp)로, 플라즈마가 갖고 있는 캐패시턴스이다. 플라즈마 캐패시턴스(Cp)(1525)는 플라즈마 방전 시 전극 패턴 캐패시턴스(Ce), 전체 캐패시턴스 제한 캐패시터의 값(Cr)과 직렬연결 된다. 전자 장치(900)는 플라즈마 온/오프(on/off)에 따른 캐패시턴스 값 변화에 따라 플라즈마를 진단한다.
플라즈마 방전 전 회로 내 캐패시턴스 값(Ci)은 아래의 <수학식 7>에 의해 계산된다.
Figure 112018031672776-pat00007
플라즈마 방전 후 회로 내 캐피시턴스 값(CT)은 아래의 <수학식 8>에 의해 계산된다.
Figure 112018031672776-pat00008
플라즈마 방전 후 회로 내 캐패시턴스 변화(△C)는 아래의 <수학식 9>에 의해 계산된다.
Figure 112018031672776-pat00009
캐패시턴스 변화(△C)는 플라즈마에 의한 캐패시턴스 변화이며 전자 장치(900)는 이를 이용하여 플라즈마 진단을 하게 된다.
전체 전하량(Q0)은 아래의 <수학식 10>과 같이 플라즈마의 전하량(qp)과 초기 전하량(Qi)의 합으로 계산한다.
Figure 112018031672776-pat00010
전하량(Q)은 아래의 <수학식 11>과 <수학식 12>과 같이 캐패시턴스(C), 전압(V) 간 상관관계를 이용하여 계산할 수 있다.
Figure 112018031672776-pat00011
Figure 112018031672776-pat00012
위의 식을 정리하면 플라즈마 밀도(ne)값은 아래의 <수학식 13>을 이용하여 계산이 가능하다.
Figure 112018031672776-pat00013
도 16은 본 발명의 실시 예에 따라 기판에 패턴 전극을 형성할 경우, 패턴 전극의 위치별 연결 길이에 따른 기생 정전 용량이 발생하는 것을 도시한 도면이다.
도 16에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 측정 시스템에서 전극의 위치에 따라 초기 값이 달라질 수 있다. 이는 전극들(1610, 1620)과 전자 장치(110)간 연결에 있어 연결 길이 등 다양한 변수에 의해 기생 정전용량(Parasitic capacitance)(1630)의 영향으로 인한 결과로 볼 수 있다. 참조번호 1610인 전극은 전자 장치(110)와의 연결됨에 있어 3개의 커패시턴스가 존재하며, 참조번호 1620인 전극은 전자 장치(110)와의 연결됨에 있어 1개의 커패시턴스만 존재하는 것을 알 수 있다.
본 발명의 실시 예에서 임피던스 변화를 이용한 플라즈마 진단의 경우, 위치별 초기 전압 값(Initial voltage value)이 전극의 위치별로 다르게 나타나며, 캐패시턴스 변화를 이용한 플라즈마 진단의 경우에는 전극의 위치별 초기 캐패시턴스 값(Initial capacitance)이 전극의 위치 별로 다르게 나타난다.
임피던스 변화를 이용한 플라즈마 진단의 경우에는 플라즈마 방전 전 전압 값과 플라즈마 방전 후 전압을 비교하여 플라즈마 진단을 실시하고, 캐패시턴스 변화를 이용한 플라즈마 진단의 경우에는 플라즈마 방전 전 캐패시턴스 값과 플라즈마 방전 후 캐패시턴스 값을 비교하여 플라즈마 진단을 실시한다.
초기 값이 위치별로 다른 경우에도 위치별 플라즈마 방전 전/후 혹은 절연체Insulator) 유/무에 따른 변화 값이 동일하다면 초기값의 경우는 프로그램(Program)을 통해 수정한다.
이렇듯 도 16에서 설명한 바와 같이 전극의 위치별로 동일한 값의 변화가 나타남을 확인하기 위해 도 17에서와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템 상부에 보정 툴(Calibration Tool)(1710)을 올려 전극 위치 별로 동일한 변화가 나타나는 지를 확인함으로써 보정(Calibration)을 실시한다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템에서 전극의 위치별 보정을 위한 모식도이다.
보정을 위해 본 발명의 실시 예에 따른 평면기판(120) 위에 위치하기 되는 보정 툴(Calibration Tool)(1710)은 절연체(Insulator)를 사용하며 평면기판(120)의 크기와 동일하거나 더 큰 크기를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같이 패턴 전극 에서의 임피던스 값 / 캐패시턴스 값이 보정 툴(1710)에 의해 변화하는 값을 측정하여 동일한 값이 변화하는 지를 확인하여 보정을 실시한다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따라 진공 챔버 내 플라즈마 측정 시스템을 이용한 실험 모식도이다.
본 발명에 따른 플라즈마 발생 장치는, 도 18에 도시된 바와 같이, 밀폐된 ICP(Inductively Coupled Plasma) 챔버(1805)와, ICP 챔버(1805) 내부로 자기장 경로를 형성하는 세라믹 플레이트(1835)와, 세라믹 플레이트(1835)의 상측면에 근접하여 배치되는 ICP 안테나(1825)와, ICP 안테나(1825)에 고주파 전원을 공급하는 고주파 전원공급부(1820)를 포함한다. 세라믹 플레이트(1835)는 ICP 챔버(1835)가 밀폐되도록 ICP 챔버(1835)의 상판을 형성하며 ICP 안테나(1825)로부터 발생한 자기장을 경로를 형성한다. 고주파 전원공급부(1820)는 예컨대, 13.56MHz의 고주파를 발생시키는 고주파 발생부가 될 수 있다. 참조번호 1810은 DLP(Double Langmuir Probe), 참조번호 1815는 DLP(1810)를 통해 측정된 플라즈마 밀도를 측정하는 관찰부(1815)이다.
도 18에서는 ICP 챔버(1805)내에 생성된 플라즈마(1830)의 방전 시 파라미터 특성을 기판(120)을 통해 측정하고, 기판(120)을 통해 측정된 플라즈마 파라미터를 전자 장치(110)를 통해 플라즈마 특성을 측정하고, 관찰부(140)를 통해 사용자에게 출력한다.
도 18에서 플라즈마 방전 시 임피던스 변화에 따른 전압의 변화 및 캐패시턴스 변화를 측정하였다.
본 실험은 1) 플라즈마 방전 전/후, 임피던스 변화에 따른 전압 변화를 측정 및 측정 데이터를 이용한 플라즈마 밀도를 산출하고, 2) 플라즈마 방전 전/후, 캐패시턴스 변화를 측정 및 측정 데이터를 이용한 플라즈마 밀도를 산출하고, 3) 동일 위치 및 동일 조건 하에 DLP(Double Langmuir Probe)와 플라즈마 밀도를 비교하는 순으로 진행 하였다.
본 발명의 실시 예에 따른 실험 조건은 아래의 <표 1>과 같다.
Figure 112018031672776-pat00014
위 실험 조건 하에, 플라즈마 방전에 따른 임피던스 변화를 이용한 플라즈마 측정 실험을 진행하였다. 플라즈마 방전 전/후 전압 변화를 측정하여 수식을 이용, 플라즈마 밀도 산출을 진행하였다.
도 19는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 방전 전/후에 따른 임피던스 변화를 나타낸 도면으로, 도 19에서의 임피던스 변화는 전압의 변화를 나타낸다.
도 20은 도 19에서 측정된 임피던스 변화에 따른 플라즈마 밀도를 측정한 도면이다.
도 19와 도 20을 참고하면, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템(임피던스 변화를 이용)을 이용한 결과, 측정한 플라즈마 밀도는 2.78ㅧ109 [cm-3]으로 측정되었다. 동일 위치, 동일 조건으로 탐침 측정 방법인 DLP(Double Langmuir Probe)를 이용하여 측정된 플라즈마 밀도는 아래의 <표 2> 및 도 21과 같다.
도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(110)가 측정한 플라즈마 밀도와 DLP(1810)이 측정한 플라즈마 밀도를 비교한 도면이다.
Figure 112018031672776-pat00015
임피던스 변화를 이용한 플라즈마 진단을 통해 산출한 플라즈마 밀도와 DLP(Double Langmuir probe)와 비교하였을 때 플라즈마 밀도 오차는 18 %로 측정되었다.
도 22는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 진단 시스템의 전자 장치(900)에서의 플라즈마 진단 방법의 흐름도이다.
S100단계에서 플라즈마 진단 시스템은 진단의 대상이 되는 플라즈마 가스가 챔버내에 발생했는지를 검사한다. 상기 S100단계에서 플라즈마 가스가 발생했다면, 플라즈마 진단 시스템은 S105단계에서 상기 플라즈마에 노출된다. 구체적으로는 도 3의 기판(120)을 챔버(1805)내의 플라즈마 가스에 노출시킨다.
S110단계에서 플라즈마 진단 시스템은 상기 플라즈마를 센싱한 센서부에 의해 전기 신호가 발생했는지를 판단하고, 플라즈마 특성 측정 방식에 따라 S115단계 또는 S120단계로 진행한다. 제1방식은 플라즈마 방전 전/후에 따른 임피던스 변화를 측정하는 방식이며, 제2방식은 플라즈마 방전 전/후에 따른 정전 용량 변화를 측정하는 방식이다.
상기 S115단계 또는 상기 S120단계를 통해 플라즈마 방전 전/후에 따라 발생한 전기 신호를 플라즈마 진단 시스템은 S125단계에서 플라즈마 특성을 측정한다.
본 발명에 따른 방법은 컴퓨터에서 실행 시키기 위한 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램으로 구현될 수 있다. 여기서 컴퓨터 판독가능 매체는 컴퓨터에 의해 액세스 될 수 있는 임의의 가용 매체일 수 있고, 또한 컴퓨터 저장 매체를 모두 포함할 수 있다. 컴퓨터 저장 매체는 컴퓨터 판독가능 명령어, 데이터 구조, 프로그램 모듈 또는 기타 데이터와 같은 정보의 저장으 ㄹ위한 임의의 방법 또는 기술로 구현된 휘발성 및 비휘발성, 분리형 및 비분리형 매체를 모두 포함하며, ROM(판독 전용 메모리), RAM(랜덤 액세스 메모리), CD(컴팩트 디스크)-ROM, DVD(디지털 비디오 디스크)-ROM, 자기 테이프, 플로피 디스크, 광데이터 저장장치 등을 포함할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 플라즈마 발생부에 의해 생성된 플라즈마의 상태를 진단하도록 플라즈마 챔버의 내부에 제공되는 플라즈마 진단 시스템에 있어서,
    진단하고자 하는 플라즈마 발생 장치에서 발생된 플라즈마 중 적어도 일부가 증착되는 제1평면기판; 상기 제1평면기판의 하부에 배치되는 제2평면기판; 상기 제1평면기판에 공동(cavity)이 형성되고, 상기 형성된 공동에 배치되어 상기 발생된 플라즈마의 플라즈마 파라미터를 측정하며 제1 절연체로 감싸져 상기 제1평면기판과 전기적으로 절연된 센서부; 및 상기 센서부에서 발생된 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정하는 전자 장치;를 포함하고,
    상기 전자 장치는, 상기 센서부에 의해 센싱된 전기 신호를 수신하는 연결부; 및 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판 사이에 위치하며, 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판과 각각 접지 플레이트(Ground plate)를 통해 차폐되며 상기 플라즈마 파라미터에 의해 상기 센서부인 한 쌍의 전극들에서 발생된 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정하는 진단부;를 포함하며,
    상기 센서부의 양측에 상기 센서부와 이격되어 위치하는 제2 절연체가 배치되며, 상기 접지 플레이트는 상기 센서부의 측면에 위치한 제2 절연체들까지 연장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전기 신호는,
    상기 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 임피던스의 변화로 인한 전압임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전기 신호는,
    상기 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 정전 용량의 변화임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 전자 장치는,
    상기 연결부를 통해 수신된 상기 전기 신호의 크기가 미리 결정된 기준보다 클 경우, 상기 전기 신호의 크기를 제한하는 보호 회로부;
    상기 보호 회로부부터 전달된 전기 신호의 정전 용량을 측정하는 플라즈마 특성 측정부;
    상기 측정된 정전 용량에 따라 상기 플라즈마 특성을 나타내는 신호를 생성하고, 상기 센서부로 전송될 스위칭 신호를 생성하는 제어부를 포함함을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 센서부는,
    적어도 한 쌍 이상의 전극들; 및
    상기 스위칭 신호에 의해 상기 전극들 중 상기 플라즈마 파라미터를 측정할 전극들을 선택하는 스위칭부를 포함하는 플라즈마 진단 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 적어도 한 쌍의 전극은 공면(Coplannar) 상에 동일 크기로 존재함을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 전극의 두께는 20㎛와 40㎛를 가지며, 전극의 너비는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극의 길이는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극들 간의 거리는 0.5mm와 5mm 사이를 가짐을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 파라미터는,
    전자(Electron), 이온(Ion), 전자 온도(Electron Temperature), 이온 플럭스(Ion flux) 중 적어도 하나임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마의 특성값은,
    상기 플라즈마의 밀도임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 공동은,
    미세 전자 기계 시스템(Micro Electro Mechanical System : MEMS)를 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1평면기판 또는 상기 제2평면기판은 글라스(Glass), 절연체 또는 반도체로 이루어짐을 특징으로 하는 플라즈마 진단 시스템.
  12. 플라즈마 발생부에 의해 생성된 플라즈마의 상태를 진단하도록 플라즈마 챔버의 내부에 제공되는 플라즈마 진단 시스템의 플라즈마 진단 방법에 있어서,
    진단하고자 하는 플라즈마 발생 장치로 플라즈마를 발생시키는 단계; 상기 플라즈마를 진단하기 위한 플라즈마 진단 시스템을 상기 플라즈마에 노출시키는 단계; 상기 플라즈마로부터 발생된 전기 신호를 측정하는 단계; 및 상기 측정된 전기 신호로부터 상기 플라즈마의 특성 값을 측정하는 단계를 포함하고,
    상기 플라즈마 진단 시스템은, 진단하고자 하는 플라즈마 발생 장치에서 발생된 플라즈마 중 적어도 일부가 증착되는 제1평면기판; 상기 제1평면기판의 하부에 배치되는 제2평면기판; 상기 제1평면기판에 공동(cavity)이 형성되고, 상기 형성된 공동에 배치되어 상기 발생된 플라즈마의 플라즈마 파라미터를 측정하며 제1 절연체로 감싸져 상기 제1평면기판과 전기적으로 절연된 센서부; 및 상기 센서부에서 발생된 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정하는 전자 장치;를 포함하고,
    상기 전자 장치는, 상기 센서부에 의해 센싱된 전기 신호를 수신하는 연결부; 및 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판 사이에 위치하며, 상기 제1평면기판과 상기 제2평면기판과 각각 접지 플레이트(Ground plate)를 통해 차폐되며 상기 플라즈마 파라미터에 의해 상기 센서부인 한 쌍의 전극들에서 발생된 전기 신호를 이용하여 상기 플라즈마의 특성값을 측정하는 진단부;를 포함하며,
    상기 센서부의 양측에 상기 센서부와 이격되어 위치하는 제2 절연체가 배치되며, 상기 접지 플레이트는 상기 센서부의 측면에 위치한 제2 절연체들까지 연장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 전기 신호는,
    상기 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전 전/후에 따라 측정된 임피던스의 변화로 인한 전압임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 전자 장치는,
    상기 연결부를 통해 수신된 상기 전기 신호의 크기가 미리 결정된 기준보다 클 경우, 상기 전기 신호의 크기를 제한하는 보호 회로부;
    상기 보호 회로부부터 전달된 전기 신호의 정전 용량을 측정하는 플라즈마 특성 측정부;
    상기 측정된 정전 용량에 따라 상기 플라즈마 특성을 나타내는 신호를 생성하고, 상기 센서부로 전송될 스위칭 신호를 생성하는 제어부를 포함하는 플라즈마 진단 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 센서부는,
    적어도 한 쌍 이상의 전극들;및
    상기 스위칭 신호에 의해 상기 전극들 중 상기 플라즈마 파라미터를 측정할 전극들을 선택하는 스위칭부를 포함하며,
    상기 플라즈마의 특성값은,
    상기 플라즈마의 밀도임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 전극의 두께는 20㎛와 40㎛를 가지며, 전극의 너비는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극의 길이는 1mm와 5mm사이를 가지며, 상기 전극들 간의 거리는 0.5mm와 5mm 사이를 가짐을 특징으로 하는 플라즈마 진단 방법.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 플라즈마 파라미터는,
    전자(Electron), 이온(Ion), 전자 온도(Electron Temperature), 이온 플럭스(Ion flux) 중 적어도 하나이고,
    상기 플라즈마의 특성값은,
    상기 플라즈마의 밀도임을 특징으로 하는 플라즈마 진단 방법.
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