KR101983674B1 - 기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트, 홀딩 어레인지먼트를 포함하는 캐리어, 캐리어를 이용하는 프로세싱 시스템, 및 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법 - Google Patents

기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트, 홀딩 어레인지먼트를 포함하는 캐리어, 캐리어를 이용하는 프로세싱 시스템, 및 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100)가 설명된다. 홀딩 어레인지먼트는, 가요성 재료의 제1 벽(120)을 갖는 바디(110); 기판을 부착하도록 구성되는 접착 어레인지먼트(130) ― 접착 어레인지먼트(130)는, 제1 벽(120)의 제1 측(121) 상에 제공됨 ―; 및 제1 벽(120)의 제1 측(121)에 대향하는, 제1 벽(120)의 제2 측(122)에 힘을 가하도록 구성되는 힘 전달 어레인지먼트(140)를 포함한다.

Description

기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트, 홀딩 어레인지먼트를 포함하는 캐리어, 캐리어를 이용하는 프로세싱 시스템, 및 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법
[0001] 본 개시내용의 실시예들은, 기판을 홀딩(hold)하기 위한 홀딩 어레인지먼트(arrangement), 기판을 홀딩하기 위한 캐리어(carrier), 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 시스템, 및 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스(release)하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 특히, 진공 프로세싱 챔버에서의 기판 프로세싱 동안 기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트, 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 홀딩하기 위한 캐리어, 증착 소스를 포함하는 진공 프로세싱 시스템, 및 기판 프로세싱, 특히 코팅 후에 기판을 릴리스하기 위한 방법에 관한 것이다.
[0002] 기판 상의 층 증착을 위한 기법들은, 예컨대, 열 증발, 화학 기상 증착(CVD), 및 물리 기상 증착(PVD), 이를테면 스퍼터링(sputtering) 증착을 포함한다. 스퍼터링 증착 프로세스는, 기판 상에 재료 층(이를테면, 절연 재료의 층)을 증착하는 데 사용될 수 있다. 스퍼터 증착 프로세스 동안, 타겟(target)의 표면으로부터 타겟 재료의 원자들을 이탈(dislodge)시키기 위해, 기판 상에 증착될 타겟 재료를 갖는 타겟이, 플라즈마 영역에서 생성된 이온들로 타격(bombard)된다. 이탈된 원자들은, 기판 상에 재료 층을 형성할 수 있다. 반응성 스퍼터 증착 프로세스에서, 이탈된 원자들은, 플라즈마 영역 내의 가스(예컨대, 질소 또는 산소)와 반응하여, 기판 상에 타겟 재료의 산화물, 질화물, 또는 산질화물을 형성할 수 있다.
[0003] 코팅된 재료들은, 여러 애플리케이션들 및 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 코팅된 재료들은, 마이크로전자 분야에서, 이를테면 반도체 디바이스들을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 또한, 디스플레이들을 위한 기판들이 PVD 프로세스를 사용하여 코팅될 수 있다. 추가적인 애플리케이션들은, 절연 패널들, OLED(organic light emitting diode) 패널들, 박막 트랜지스터(TFT)들을 갖는 기판들, 컬러 필터들 등을 포함한다.
[0004] 기판들이 더 커지고 또한 더 얇아지는 경향은, 예컨대 증착 프로세스 동안 기판에 가해지는 응력에 기인한 기판들의 벌징(bulging)을 초래할 수 있다. 특히, 증착 프로세스 동안 기판을 홀딩하는 종래의 지지 시스템들은, 예컨대, 기판의 중앙을 향하여 기판 에지(edge)를 푸시(push)하는 힘들로 인해, 기판 상에 벌징을 유발한다. 벌징은 결국, 파손 가능성이 증가하는 것으로 인해 문제들을 야기할 수 있다. 추가로, 기판을 벌징하거나 손상시킴이 없이 지지 시스템들로부터(예컨대, 기판 캐리어들로부터) 얇은 대면적 기판을 릴리스하는 것은 난제이다.
[0005] 전술한 내용의 관점에서, 당해 기술 분야의 문제들 중 적어도 일부를 극복하는, 기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트, 기판을 지지하기 위한 캐리어, 프로세싱 시스템들, 및 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법들을 제공할 필요성이 존재한다.
[0006] 위의 관점에서, 기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트, 기판을 홀딩하기 위한 캐리어, 프로세싱 시스템, 및 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법이 제공된다. 본 개시내용의 추가적인 양상들, 이익들, 및 특징들은 청구항들, 설명, 및 첨부된 도면들로부터 명백하다.
[0007] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, 기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트가 제공된다. 홀딩 어레인지먼트는, 가요성(flexible) 재료의 제1 벽을 갖는 바디; 기판을 부착하도록 구성되는 접착 어레인지먼트 ― 접착 어레인지먼트는, 제1 벽의 제1 측 상에 제공됨 ―; 및 제1 벽의 제1 측에 대향하는, 제1 벽의 제2 측에 힘을 가하도록 구성되는 힘 전달(force transmission) 어레인지먼트를 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 기판을 홀딩하기 위한 캐리어가 제공된다. 캐리어는, 캐리어 바디; 및 본원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들을 포함하며, 여기서, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들은 캐리어 바디 상에 장착된다.
[0009] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따르면, 프로세싱 시스템이 제공된다. 프로세싱 시스템은, 프로세싱 챔버; 프로세싱 디바이스; 및 본원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 캐리어를 포함한다.
[0010] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따르면, 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 본원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 홀딩 어레인지먼트를 제공하는 단계; 및 바디의 제1 벽의 굽힘(bending)이 제공되도록 제1 벽의 제2 측에 힘을 가하는 단계를 포함한다.
[0011] 실시예들은 또한 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이며, 각각의 설명된 방법 양상을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이러한 방법 양상들은, 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이들 둘의 임의의 결합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 개시내용에 따른 실시예들은 또한, 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들은 장치의 모든 각각의 기능을 수행하기 위한 방법 양상들을 포함한다.
[0012] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 첨부된 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 하기에서 설명된다:
도 1은 본원에 설명된 실시예들에 따른 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 측단면도를 도시한다.
도 2는 본원에 설명된 실시예들에 따른 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 3a는 본원에 설명된 실시예들에 따른, 제1 상태에 있는 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 측단면도를 도시한다.
도 3b는, 제2 상태에 있는 도 3a의 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 측단면도를 도시한다.
도 4a는 본원에 설명된 추가적인 실시예들에 따른, 제1 상태에 있는 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 측단면도를 도시한다.
도 4b는, 제2 상태에 있는 도 4a의 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 측단면도를 도시한다.
도 5는 본원에 설명된 추가적인 실시예들에 따른 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 6a는, 제1 상태의, 도 5에 도시된 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 측단면도를 도시한다.
도 6b는, 제2 상태의, 도 6a에 도시된 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 측단면도를 도시한다.
도 7은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 기판을 홀딩하기 위한 캐리어의 일 섹션(section)의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 8은, 도 7에 도시된 캐리어의 일 섹션의 라인 A-A에 따른 개략적인 단면도를 도시한다.
도 9a 및 도 9b는, 본원에 설명된 캐리어의 실시예들의 개략적인 정면도들을 도시한다.
도 9c는, 도 9b에 도시된 캐리어의 라인 B-B에 따른 개략적인 단면도를 도시한다.
도 10은 본원에 설명된 실시예들에 따른 프로세싱 시스템의 개략도를 도시한다.
도 11은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법을 예시하는 흐름도를 도시한다.
[0013] 이제, 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 다양한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들이 각각의 도면에 예시된다. 각각의 예는 설명으로 제공되고, 제한으로서 의도되지 않는다. 예컨대, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 또는 설명되는 특징들은, 또 다른 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 임의의 다른 실시예에 대해 또는 임의의 다른 실시예와 함께 사용될 수 있다. 본 개시내용은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.
[0014] 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 또는 유사한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 관한 차이들만이 설명된다. 달리 명시되지 않는 한, 일 실시예의 부분 또는 양상의 설명은 다른 실시예의 대응하는 부분 또는 양상에 또한 적용된다.
[0015] 본 개시내용의 다양한 실시예들이 더 상세히 설명되기 전에, 본원에서 사용되는 일부 용어들에 관한 일부 양상들이 설명된다.
[0016] 본 개시내용에서, "기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트"는, 본원에 설명되는 바와 같은 기판을 홀딩하도록 구성된 어레인지먼트로서 이해될 것이다. 특히, 홀딩 어레인지먼트는, 대면적 기판을 수직 상태로 홀딩하도록 구성될 수 있다. 보다 특히, 본원에 설명되는 바와 같은 홀딩 어레인지먼트는, 기판이 홀딩 어레인지먼트에 부착될 수 있도록 구성되는 캐리어의 엘리먼트로서 이해될 수 있다.
[0017] 본 개시내용에서, "가요성 재료의 제1 벽을 갖는 바디"는, 탄성적으로 변형될 수 있는 벽을 포함하는 바디로서 이해될 수 있다. 예컨대, 가요성 재료의 벽은, 실리콘, 폴리머 재료(polymeric material), 또는 특히 탄성중합체로 제조될 수 있다. 대안적으로, 다른 가요성 또는 탄성 재료들이 이용될 수 있다.
[0018] 본 개시내용에서, "접착 어레인지먼트"는, 본원에 설명되는 바와 같은 기판을 부착하기 위한 접착력을 제공하도록 구성되는 어레인지먼트로서 이해될 것이다. 특히, 접착 어레인지먼트는, 홀딩 어레인지먼트 상에, 특히, 가요성 재료의 제1 벽을 갖는 바디 상에 제공될 수 있다. 더 구체적으로, 본원에 설명되는 바와 같은 접착 어레인지먼트는 건식 접착 재료를 포함할 수 있다. 예컨대, 건식 접착 재료는, 본원에 기술되는 바와 같이 반 데르 발스 힘(van der Waals force)들에 의한 접착력을 제공하도록 구성될 수 있다.
[0019] 본 개시내용에서, "힘 전달 어레인지먼트"는, 본원에 설명되는 바와 같은 가요성 재료의 벽에 (벽이 변형될 수 있도록, 특히, 굽혀지거나 벌징될 수 있도록) 힘을 가하도록 구성되는 어레인지먼트로서 이해될 수 있다.
[0020] 본 개시내용에서, "기판을 홀딩하기 위한 캐리어"는, 본원에 설명되는 바와 같은 기판, 특히, 본원에 설명되는 바와 같은 대면적 기판을 홀딩하도록 구성된 캐리어로서 이해될 것이다. 통상적으로, 본원에 설명되는 바와 같은 캐리어에 의해 홀딩 또는 지지되는 기판은 전면 표면(front surface) 및 후면 표면(back surface)을 포함하며, 여기서, 전면 표면은 기판의 프로세싱되는 표면이고, 예컨대, 그 표면 상에 재료 층이 증착될 것이다. 통상적으로, 캐리어는, 기판의 후면 표면의 에지 부분이 홀딩 어레인지먼트에, 특히, 본원에 설명되는 바와 같은 홀딩 어레인지먼트의 접착 어레인지먼트에 부착될 수 있도록 구성된다.
[0021] 본원에 사용되는 바와 같은 "기판"이라는 용어는, 특히, 비가요성(inflexible) 기판들, 예컨대 유리 플레이트들 및 금속 플레이트들을 포괄할 것이다. 그러나, 본 개시내용은 이들로 제한되지 않으며, "기판"이라는 용어는 또한, 웹(web) 또는 포일(foil)과 같은 가요성 기판들을 포괄할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 기판은 재료 증착에 적절한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은, 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 유리(예컨대, 소다-석회 유리(soda-lime glass), 보로실리케이트 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 운모 또는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은, 0.1 mm 내지 1.8 mm의 두께, 이를테면 0.7 mm, 0.5 mm 또는 0.3 mm의 두께를 가질 수 있다. 일부 구현들에서, 기판의 두께는 50 ㎛ 또는 그 초과 및/또는 700 ㎛ 또는 그 미만일 수 있다. 단지 수 미크론, 예컨대 8 ㎛ 또는 그 초과 및 50 ㎛ 또는 그 미만의 두께를 갖는 얇은 기판들의 핸들링(handling)은 난제일 수 있다.
[0022] 일부 실시예들에 따르면, 기판은 "대면적 기판"일 수 있고 그리고 디스플레이 제조에 사용될 수 있다. 예컨대, 기판은 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 예컨대, 본원에 설명되는 바와 같은 기판들은, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 등에 통상적으로 사용되는 기판들을 포괄할 것이다. 예컨대, "대면적 기판"은, 0.5 m2 또는 그보다 큰, 특히, 1 m2 또는 그보다 큰 면적을 갖는 주 표면을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 대면적 기판은, 약 0.67 m2의 기판(0.73 × 0.92m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2의 기판(1.1 m × 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2의 기판(1.95 m × 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2의 기판(2.2 m × 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 약 8.7 m2의 기판(2.85 m × 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 훨씬 더 큰 세대(generation)들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.
[0023] 본 개시내용에서, "캐리어 바디"는, 기판을 홀딩하도록 구성되는 캐리어의 바디로서 이해될 것이다. 예컨대, 캐리어 바디는, 본원에 설명되는 바와 같은 기판을 홀딩하도록 구성되는 프레임 또는 플레이트일 수 있다. 따라서, 본원에 설명되는 바와 같은 캐리어 바디는, 기판의 표면, 이를테면 기판의 후면 표면의 에지 부분을 지지하도록 구성될 수 있다.
[0024] 도 1은 본원에 설명된 실시예들에 따른 홀딩 어레인지먼트(100)의 개략적인 측면도를 도시한다. 기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100)는, 가요성 재료의 제1 벽(120)을 갖는 바디(110); 기판을 부착하도록 구성되는 접착 어레인지먼트(130) ― 접착 어레인지먼트(130)는, 제1 벽(120)의 제1 측(121) 상에 제공됨 ―; 및 제1 벽(120)의 제1 측(121)에 대향하는, 제1 벽(120)의 제2 측(122)에 힘(F)을 가하도록 구성되는 힘 전달 어레인지먼트(140)를 포함한다.
[0025] 따라서, 유리하게는, 본원에 설명되는 바와 같은 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법을 수행할 수 있는, 기판에 대한 홀딩 어레인지먼트가 제공될 수 있다. 특히, 홀딩 어레인지먼트는, 제1 벽의 제2 측에 힘을 가함으로써, 제1 벽의 변형, 특히 굽힘 또는 벌징이 달성될 수 있도록 구성된다. 이는 유리하게, 접착 어레인지먼트에 부착된 기판으로부터 접착 어레인지먼트가 분리될 수 있도록, 제1 벽의 제1 측 상에 제공되는 접착 어레인지먼트의 변형, 특히 굽힘 또는 벌징을 초래한다. 특히, 홀딩 어레인지먼트는, 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위해, 기판의 표면에 대한 접착 어레인지먼트의 상대적인 이동이 제공될 수 있도록 구성된다. 더 구체적으로, 본원에 설명되는 바와 같은 홀딩 어레인지먼트는, 예컨대, 접착 어레인지먼트가 제공되는 벽의 변형, 특히 굽힘 또는 벌징에 의해, 접착 어레인지먼트와 그에 부착된 기판 간의 계면(interface)에 전단력(shear force)들이 유도될 수 있도록 구성된다.
[0026] 도 1을 예시적으로 참조하고 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 벽(120)은, 제1 벽(120)의 제1 측(121)으로부터 멀어지게 연장되는 돌기(protrusion)(123)를 포함할 수 있다. 특히, 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 돌기는, 제1 벽(120)의 제1 측(121) 상에 제공되는 접착 어레인지먼트(130)의 높이(H2)보다 더 작은 높이(H1)를 가질 수 있다. 따라서, 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같은 홀딩 어레인지먼트의 부착 모드에서, 접착 어레인지먼트(130)는 기판(101)과 접촉하고 그리고 돌기(123)와 기판(101) 간에 작은 갭(gap)이 제공된다는 것이 이해될 것이다. 특히 본원에 설명된 바와 같이 제1 벽(120)을 굽히거나 벌징함으로써 접착 어레인지먼트(130)로부터 기판(101)을 분리하는 동안, 유리하게는, 도 3b, 도 4b, 및 도 6b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 돌기(123)가 기판을 접착 어레인지먼트로부터 멀어지게 푸시한다.
[0027] 따라서, 본원에 설명된 바와 같은 돌기를 홀딩 어레인지먼트에 제공하는 것은, 특히, 접착 어레인지먼트와 그에 부착된 기판 간의 계면에 전단력들을 유도하는 데 유리할 수 있다. 이와 관련하여, 접착 어레인지먼트와 기판 간의 계면에 전단력들을 유도함으로써 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하는 것은, 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 분리하기 위한 최상의 가장 빠른 방식일 수 있음이 유의되어야 한다.
[0028] 도 1 및 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 접착 어레인지먼트(130)는 복수의 필라멘트(filament)들(131)(예시의 목적을 위해 몇몇 필라멘트들만이 참조 부호로 표시됨)을 포함할 수 있다. 예컨대, 필라멘트들은, 나노튜브들(예컨대, 탄소 나노튜브들)일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 복수의 필라멘트들(131)은, 폴리머 재료, 특히, 합성 폴리머 재료로 제조될 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 복수의 필라멘트들 각각은 실질적으로 길이방향의 부재일 수 있다. 구체적으로, 복수의 필라멘트들 각각은, 나머지 2개의 치수들보다 큰 하나의 치수를 가질 수 있다. 특히, 필라멘트들의 가장 긴 치수는 필라멘트의 길이일 수 있다. 즉, 필라멘트들은 길이 방향을 따라 신장(elongate)될 수 있다.
[0029] 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 복수의 필라멘트들(131)의 각각의 필라멘트는, 바디(110)의 제1 벽(120)의 제1 측(121)에 일 단부가 부착될 수 있다. 특히, 복수의 필라멘트들(131)의 각각의 필라멘트는, 제1 벽(120)의 제1 측(121)으로부터 멀어지게, 예컨대, 제1 벽(120)의 제1 측(121)에 수직으로 연장될 수 있다. 따라서, 복수의 필라멘트들(131)의 각각의 필라멘트는, 예컨대, 본원에 설명된 바와 같은 기판의 부착을 위한 자유로운 제2 단부를 가질 수 있다. 특히, 복수의 필라멘트들(131)의 각각의 필라멘트의 제2 단부는 기판(101)에 부착가능하도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 각각의 필라멘트의 제2 단부는, 본원에 기술된 바와 같이 반 데르 발스 힘들에 의해 기판(101)에 접착되도록 구성될 수 있다.
[0030] 추가로, 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 복수의 필라멘트들(131)의 필라멘트들은, 접착 어레인지먼트(130)의 높이(H2)에 대응하는 길이를 가질 수 있다. 따라서, 복수의 필라멘트들의 필라멘트들의 길이는 돌기(123)의 높이(H1)보다 클 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 특히 본원에 설명된 바와 같이 제1 벽(120)을 굽히거나 벌징함으로써 접착 어레인지먼트(130)로부터 기판을 분리하는 동안, 기판과 복수의 필라멘트들의 접촉점들에 전단력들이 유도되도록, 돌기(123)가 기판을 복수의 필라멘트들로부터 멀어지게 푸시할 수 있다. 이는 특히, 캐리어로부터, 특히, 본원에 설명된 바와 같은 캐리어의 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하는 동안 기판을 손상시키는 위험을 감소시키는 데 유리할 수 있다.
[0031] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 접착 어레인지먼트(130)는, 기판(101)을 부착하도록 구성되는 건식 접착 재료를 포함할 수 있다. 예컨대, 건식 접착 재료는 합성 강모(setae) 재료일 수 있다. 건식 접착 재료, 구체적으로는 합성 강모 재료의 접착 능력들은, 도마뱀붙이 발(gecko foot)의 접착 특성들과 관련될 수 있다. 도마뱀붙이 발의 자연적인 접착 능력은, 그 동물이 대부분의 조건들 하에서 여러 타입들의 표면들에 접착하는 것을 허용한다. 도마뱀붙이 발의 접착 능력은, 도마뱀붙이의 발들 상의, 강모로 호칭되는 다수의 머리카락(hair)형 확장부들에 의해 제공된다. 여기서, "합성 강모 재료"라는 용어는, 도마뱀붙이 발의 자연적인 접착 능력을 모방하고 그리고 도마뱀붙이 발과 유사한 접착 능력들을 포함하는 합성 재료로서 이해될 수 있다는 것이 유의된다. 더욱이, "합성 강모 재료"라는 용어는, "합성 도마뱀붙이 강모 재료"라는 용어 또는 "도마뱀붙이 테이프 재료"라는 용어와 동의어로 사용될 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 그에 제한되지 않으며, 기판을 홀딩하는 데 적절한 다른 건식 접착 재료들이 사용될 수 있다.
[0032] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착 재료, 예컨대 합성 강모 재료는 무기물(inorganic)일 수 있다. 본원에 설명된 일부 실시예들에 따르면, 건식 접착 재료는 실질적으로 100 % 무기물일 수 있다. 더욱이, 건식 접착 재료의 마이크로구조는 나노튜브들을 포함할 수 있다. 본원에 설명된 일부 실시예들에 따르면, 건식 접착 재료의 마이크로구조는 탄소 나노튜브들을 포함한다.
[0033] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착 재료는 도마뱀붙이 접착제일 수 있다. 예컨대, 도마뱀붙이 접착제는 도마뱀붙이 테이프 또는 도마뱀붙이 엘리먼트일 수 있다.
[0034] 본 개시내용의 맥락에서, "도맘뱀붙이 접착제"는, 예컨대 수직 표면들과 같은 표면들에 대한 도마뱀붙이 발들의 접착 능력을 모방하는 접착제로서 이해될 수 있다. 특히, 본원에 설명된 바와 같은 접착 어레인지먼트(130)의 건식 접착 재료는, 건식 접착 재료와 기판(101) 표면 간의 반 데르 발스 힘들에 기인하여 기판(101)에 접착하도록 구성될 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 그에 제한되지 않으며, 기판을 홀딩하는 데 적절한 다른 접착제들이 사용될 수 있다.
[0035] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착 재료에 의해 제공되는 접착력은 본원에 설명된 바와 같은 기판을 홀딩하기에 충분할 수 있다. 특히, 건식 접착 재료는, 약 2 N/cm2 또는 그 초과, 특히 3 N/cm2 또는 그 초과, 보다 특히 4 N/cm2 또는 그 초과, 예컨대 적어도 5 N/cm2의 접착력을 제공하도록 구성될 수 있다.
[0036] 도 1 및 도 2를 예시적으로 참조하고 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 접착 어레인지먼트(130)는 돌기(123) 주위에 제공될 수 있다. 특히, 도 2의 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 평면도에 도시된 바와 같이, 제1 벽(120)의 제1 측(121)으로부터 연장되는 복수의 필라멘트들(131)이 돌기(123) 주위에 제공될 수 있다.
[0037] 도 3a 및 도 3b를 예시적으로 참조하고 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 힘 전달 어레인지먼트(140)는, 바디(110) 내에 제공되는 가스의 압력을 증가시키도록 구성되는 공압식으로 작동되는(pneumatic actuated) 힘 전달 어레인지먼트일 수 있다. 예컨대, 가요성 재료의 제1 벽(120)을 갖는 바디(110)는 중공(hollow) 바디일 수 있다. 더 구체적으로, 도 3a 및 도 3b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 공압식으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트는, 중공 바디의 내부로 가스(예컨대, 압축된 건식 에어(air) CDA)를 제공하도록 구성되는 도관(conduit)(144)을 포함할 수 있다. 추가로, 공압식으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트는, 제1 벽(120)이 변형될 수 있도록(특히, 굽혀지거나 벌징될 수 있도록) 중공 바디 내부의 압력을 증가시키기 위해, 밸브(145) 및 펌프(143)를 포함할 수 있다. 예시의 목적을 위해, 도 3a 및 도 3b는, 2개의 상이한 상태들, 즉, 부착 상태(도 3a) 및 본원에 설명된 바와 같이 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하는 동안의 상태(도 3b)에서의 홀딩 어레인지먼트를 도시한다. 특히, 도 3a는, 예컨대, 기판(101)이 접착 어레인지먼트(130)에 부착되어 있고 그리고 제1 벽이 실질적으로 평평하도록 중공 바디 내부의 압력이 대략적으로 주변 압력(p0)에 대응하는 부착 모드인 제1 상태의 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 측면도를 도시한다. 도 3b는, 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하는 동안의(예컨대, 제1 벽이 굽혀지거나 벌징되도록 중공 바디 내부의 압력이 주변 압력(p0)보다 큰 압력(p1)을 제공하도록 증가되는 때의) 제2 상태의 도 3a의 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 측면도를 도시한다.
[0038] 도 4a 및 도 4b를 예시적으로 참조하고 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 추가적인 실시예들에 따르면, 힘 전달 어레인지먼트(140)는, 바디(110)의 제1 벽(120)에 굽힘력(bending force)을 가하도록 구성되는 기계적으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트일 수 있다. 특히, 기계적으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트는, 바디(110)의 제1 벽(120)의 굽힘이 제공되도록 제1 벽(120)의 제2 측(122)에 대하여 푸시하도록 구성되는 피스톤(147)을 포함할 수 있다. 다시 말해서, 기계적으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트는, 접착 어레인지먼트의 베이스, 즉, 바디(110)의 제1 벽(120)이 리프팅(lift)되어 제1 벽이 굽혀지거나 벌징될 수 있도록 구성될 수 있다. 예시의 목적을 위해, 도 4a 및 도 4b는, 2개의 상이한 상태들, 즉, 제1 벽이 실질적으로 평평한 부착 상태(도 4a) 및 본원에 설명된 바와 같이 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하는 동안의 상태(도 4b)(즉, 제1 벽이 굽혀지거나 벌징되는 상태)에서의 홀딩 어레인지먼트를 도시한다.
[0039] 도 5를 예시적으로 참조하고 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 접착 어레인지먼트(130)는 2개 이상의 접착 엘리먼트들(135)을 포함할 수 있다. 특히, 2개 이상의 접착 엘리먼트들(135)은, 도 5뿐만 아니라 도 6a 및 도 6b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 바디(110)의 제1 벽(120)의 제1 측(121) 상에 제공될 수 있다. 더 구체적으로, 2개 이상의 접착 엘리먼트들(135) 각각은 중실(solid) 베이스 구조(136)를 포함할 수 있다. 추가로, 2개 이상의 접착 엘리먼트들(135) 각각은 본원에 설명된 바와 같은 접착 어레인지먼트(130)를 포함할 수 있다. 특히, 도 6a 및 도 6b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 접착 어레인지먼트(130)는, 홀딩 어레인지먼트에 부착될 기판(101)에 대면하는 중실 베이스 구조(136)의 표면 상에 제공될 수 있다.
[0040] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 2개 이상의 접착 엘리먼트들(135)의 중실 베이스 구조(136) 및 복수의 필라멘트들(131)은 동일 재료를 포함하거나 동일한 재료로 이루어질 수 있다. 특히, 2개 이상의 접착 엘리먼트들(135)의 중실 베이스 구조(136) 및 복수의 필라멘트들(131)은 고온 폴리머로 제조될 수 있다. 예컨대, 고온 폴리머는, 적어도 150 ℃의 온도 저항(temperature resistance), 특히 적어도 200 ℃의 온도 저항, 보다 특히 적어도 250 ℃의 온도 저항을 가질 수 있다. 따라서, 2개 이상의 접착 엘리먼트들(135)은, 적어도 150 ℃의 연속 사용 온도(continuous service temperature), 특히 적어도 200 ℃의 연속 사용 온도, 보다 특히 적어도 250 ℃의 연속 사용 온도에 견디도록 구성될 수 있다. 예컨대, 고온 폴리머는 최대 300 ℃의 온도 저항을 가질 수 있다. 예컨대, 2개 이상의 접착 엘리먼트들(135)의 중실 베이스 구조(136) 및 복수의 필라멘트들(131)은, 폴리이미드(PI), 폴리아릴에테르케톤(PAEK), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리아릴설폰(PAS), 및 플루오로폴리머(PTFE)들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료로 제조될 수 있다.
[0041] 본원에 설명된 바와 같은 2개 이상의 접착 엘리먼트들을 갖는 홀딩 어레인지먼트의 실시예들은 특히, 홀딩 어레인지먼트(100)의 바디(110)의 재료 및/또는 2개 이상의 접착 엘리먼트들(135)의 중실 베이스 구조(136)의 재료 및/또는 복수의 필라멘트들(131)의 재료가 통상적으로 저온 또는 중간 온도 애플리케이션들에 이용되는 폴리머 재료와 비교하여 더 강성(stiff)의 폴리머 재료인 고온 애플리케이션들에 유리할 수 있다. 특히, 홀딩 어레인지먼트(100)의 바디(110)의 재료 및/또는 2개 이상의 접착 엘리먼트들(135)의 중실 베이스 구조(136)의 재료 및/또는 복수의 필라멘트들(131)의 재료는, 적어도 150 ℃의 온도 저항, 특히 적어도 200 ℃의 온도 저항, 보다 특히 적어도 250 ℃의 온도 저항을 갖는 고온 폴리머로 제조될 수 있다. 예컨대, 고온 폴리머는 최대 300 ℃의 온도 저항을 가질 수 있다.
[0042] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 홀딩 어레인지먼트(100)의 바디(110)의 재료 및/또는 2개 이상의 접착 엘리먼트들(135)의 중실 베이스 구조(136)의 재료 및/또는 복수의 필라멘트들(131)의 재료는, 폴리이미드(PI), 폴리아릴에테르케톤(PAEK), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리아릴설폰(PAS), 및 플루오로폴리머(PTFE)들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료일 수 있다.
[0043] 예시의 목적들을 위해, 도 6a 및 도 6b는, 2개의 상이한 상태들, 즉, 부착 상태(도 6a) 및 본원에 설명된 바와 같이 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하는 동안의 상태(도 6b)에서의 2개 이상의 접착 엘리먼트들을 갖는 홀딩 어레인지먼트를 도시한다. 이와 관련하여, 도 5, 도 6a, 및 도 6b에 도시된 실시예들에 대한, 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하는 기술적 원리는, 도 3a 및 도 3b뿐만 아니라 도 4a 및 도 4b에 도시된 실시예들에 대한, 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하는 기술적 원리와 유사하다는 것이 유의된다.
[0044] 도 7, 도 8 및 도 9a 내지 도 9c를 예시적으로 참조하여, 본 개시내용에 따른 캐리어의 예시적인 실시예들이 설명된다. 특히, 도 7은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 기판을 홀딩하기 위한 캐리어의 일 섹션의 개략적인 평면도를 도시하고, 도 8은, 도 7에 도시된 캐리어의 일 섹션의 라인 A-A에 따른 개략적인 단면도를 도시한다.
[0045] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 캐리어(200)는, 캐리어 바디(210) 및 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들을 포함할 수 있다. 특히, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들은, 본원에 설명된 실시예들에 따른 홀딩 어레인지먼트(100)일 수 있다. 통상적으로, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)은 캐리어 바디(210) 상에 장착된다. 예컨대, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100) 각각은 지지 구조(220)에 연결될 수 있다. 지지 구조(220)는 캐리어 바디(210)에 연결될 수 있다. 따라서, 본원에 설명된 바와 같은 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)을 갖는 캐리어(200)는, 기판, 특히 본원에 설명된 바와 같은 기판을 홀딩하도록 구성된다. 통상적으로, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)은, 기판을 홀딩하기 위한 홀딩 힘(holding force)을 제공하도록 구성된다. 예컨대, 홀딩 힘은, 특히, 기판이 실질적으로 수직 배향으로 있을 때 기판의 표면에 실질적으로 평행할 수 있다. 예컨대, 홀딩 힘은, 본원에 설명된 바와 같은 홀딩 어레인지먼트(100)의 접착 어레인지먼트(130)에 의해 제공될 수 있다.
[0046] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 캐리어(200)는, 기판 프로세싱 동안(예컨대, 스퍼터링 프로세스와 같은 층 증착 프로세스 동안) 기판을 지지하도록 구성된다. 도 9a 내지 도 9c를 예시적으로 참조하면, 캐리어 바디(210)는 프레임으로서 구성될 수 있다. 대안적으로, 캐리어 바디(210)는 플레이트로서 구성될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 캐리어 바디(210)는, 알루미늄, 알루미늄 합금들, 티타늄, 티타늄 합금들, 스테인리스 강 등을 포함하고 그리고/또는 이들로 제조될 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 캐리어 바디(210)는 2개 이상의 엘리먼트들, 이를테면 최상부 바(bar), 사이드바(sidebar)들, 및 최하부 바를 포함할 수 있다. 2개 이상의 엘리먼트들은, 도 9c에 예시적으로 도시된 바와 같이, 애퍼쳐(aperture) 개구(215)를 정의할 수 있다. 일부 구현들에서, 기판의 하나 이상의 부분들을 마스킹(mask)하기 위해 마스킹 디바이스가 캐리어에 제공될 수 있다. 일 예로서, 마스킹 디바이스는 에지 제외(edge exclusion) 마스크일 수 있다.
[0047] 도 9c에 예시적으로 도시된 바와 같이, 통상적으로, 기판(101)은 제1 표면(101A) 및 제2 표면(101B)을 가질 수 있다. 제1 표면 및 제2 표면은 기판(101)의 대향하는 표면들일 수 있다. 특히, 제1 표면은 기판(101)의 후면측 표면일 수 있다. 일 예로서, 제1 표면(101A)은, 캐리어(200)의 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)을 향해 대면하도록 배열될 수 있다.
[0048] 따라서, 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 도 9c에 예시적으로 도시된 바와 같이, 캐리어(200)의 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)의 접착 어레인지먼트(130)는, 기판(101)의 제1 표면(101A)과 접촉하도록 구성될 수 있다. 추가로, 도 9c에 예시적으로 도시된 바와 같이, 제2 표면(101B)은 기판(101)의 전면 표면일 수 있다. 특히, 제2 표면은, 프로세싱 시스템, 특히 본원에 설명된 프로세싱 시스템의 진공 프로세싱 챔버에서 프로세싱될, 기판의 표면일 수 있다. 일 예로서, 기판의 제2 표면은 그 표면 상의 층 증착을 위해 구성될 수 있다.
[0049] 도 9a 내지 도 9c를 예시적으로 참조하고 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 캐리어(200)는, 예컨대 층 증착 프로세스 동안, 실질적으로 수직 배향으로 기판(101)을 홀딩 또는 지지하도록 구성될 수 있다. 일 예로서, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)은, 실질적으로 수직 배향으로 기판(101)을 홀딩하도록 구성될 수 있다. 본 개시내용 전체에 걸쳐 사용되는 바와 같이, "실질적으로 수직"은, 특히 기판 배향과 관련될 때, 수직 방향 또는 배향으로부터 ±20° 또는 그 미만, 예컨대 ±10° 또는 그 미만의 편향(deviation)을 허용하는 것으로 이해될 수 있다. 예컨대, 수직 배향으로부터 약간의 편향을 갖는 기판 지지부가 더 안정적인 기판 포지션(position)을 초래할 수 있기 때문에, 이러한 편향이 제공될 수 있다. 그렇지만, 예컨대 층 증착 프로세스 동안의 기판 배향은 실질적으로 수직인 것으로 고려될 수 있는데, 이는 수평 기판 배향과는 상이한 것으로 고려될 수 있다.
[0050] 도 9a 및 도 9b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 기판(101)은, 상부 면(11), 하부 면(12), 및 2개의 측방향 면들(13)(예컨대, 좌측 면 및 우측 면)을 가질 수 있다. 상부 면(11), 하부 면(12) 및 2개의 측방향 면들(13)은, 기판(101)의 수직 배향에 대해 정의될 수 있다. 마찬가지로, 캐리어(200) 또는 캐리어 바디(210)는, 상부 면, 하부 면, 및 2개의 측방향 면들(예컨대, 좌측 면 및 우측 면)을 가질 수 있다.
[0051] 일부 구현들에서, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)은, 기판(101)의 상부 면(11) 및 하부 면(12) 중 적어도 하나 및 2개의 측방향 면들(13) 중 적어도 하나를 홀딩하도록 캐리어 바디(210) 상에 장착될 수 있다. 예컨대, 도 9a에 예시적으로 도시된 바와 같이, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)(예컨대, 2개의 홀딩 어레인지먼트들)이 상부 면(11)을 홀딩하도록 제공될 수 있다. 다른 구현에 따르면, 도 9b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)(예컨대, 2개의 홀딩 어레인지먼트들)이 기판의 하부 면(12)을 홀딩하도록 제공될 수 있고 그리고/또는 2개 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)이 2개의 측방향 면들(13)의 각각의 면을 홀딩하도록 제공될 수 있다(예컨대, 좌측 면에 대해 2개의 홀딩 어레인지먼트들 그리고 우측 면에 대해 2개의 홀딩 어레인지먼트들).
[0052] 본원에 설명된 일부 실시예들에 따르면, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)은, 서스펜딩된(suspended) 상태로 기판(101)을 홀딩하도록 캐리어 바디(210) 상에 장착될 수 있다. 구체적으로, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)은, 기판(101)의 상부 면(11)을 홀딩하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 도 9a에 예시적으로 도시된 바와 같은 일부 구현들에서, 기판(101)은 상부 면(11)에서만 홀딩된다. 따라서, 캐리어(200)는, 기판(101)의 상부 면(11)을 홀딩하기 위해 캐리어 바디(210)의 상부 면에서만 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)(예컨대, 2개의 홀딩 어레인지먼트들)을 포함할 수 있다.
[0053] 도 9c를 예시적으로 참조하고 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 홀딩 어레인지먼트(100)는, 기판(101)의 하나의 표면, 특히 기판의 후면측(즉, 기판(101)의 프로세싱되지 않는 표면) 상에서만 기판(101)과 접촉하도록 구성될 수 있다. 추가로, 지지 구조(220)는, 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100) 각각과 캐리어 바디(210) 사이에 제공될 수 있다. 도 9c에 예시적으로 도시된 바와 같이, 애퍼쳐 개구(215)는, 기판(101)의 프로세싱될 표면 영역에 대응하거나 그보다 더 클 수 있다(구체적으로는, 약간 더 클 수 있음). 따라서, 본원에 설명된 바와 같은 캐리어의 실시예들은, 기판의 전체 전면(front side)이 프로세싱될 수 있도록 구성된다. 구체적으로, 본원에 설명된 일부 실시예들은, 에지 제외를 제공하는 디바이스들 없이 실시될 수 있다. (명시적으로 도시되지 않은) 다른 실시예들에 따르면, 애퍼쳐 개구(215)는, 기판의 프로세싱될 표면 영역보다 약간 더 작을 수 있다. 따라서, 애퍼쳐 개구(215)는, 기판의 프로세싱되지 않는 에지, 특히 기판의 코팅되지 않은 에지가 제공될 수 있도록 구성될 수 있다.
[0054] 본원에 설명된 실시예들에 따른 캐리어는, 고정식 프로세스들뿐만 아니라 비-고정식 프로세스들에 이용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
[0055] 도 10을 예시적으로 참조하면, 본 개시내용의 실시예들에 따른 프로세싱 시스템(300)이 설명된다. 프로세싱 시스템은, 프로세싱 챔버(310); 프로세싱 디바이스(320); 및 본원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 캐리어(200)를 포함한다. 특히, 프로세싱 챔버(310)는, 진공 프로세싱 챔버, 이를테면, 진공 증착 프로세스에 적합한 증착 챔버일 수 있다. 예컨대, 증착 프로세스는 PVD 또는 CVD 프로세스일 수 있다. 통상적으로, 기판 프로세싱을 위해, 상부에 기판(101)이 포지셔닝된 캐리어(200)가 프로세싱 챔버(310) 내에 제공된다. 특히, 캐리어(200)는, 본원에 설명된 실시예들에 따라 구성될 수 있고 그리고 본원에 설명된 바와 같은 하나 이상의 홀딩 어레인지먼트들(100)을 가질 수 있다. 추가로, 도 10에 예시적으로 도시된 바와 같이, 프로세싱 시스템(300)은, 본원에 설명된 실시예들에 따른 캐리어(200)를 이송하도록 구성되는 이송 디바이스(340)를 포함할 수 있다.
[0056] 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 디바이스(320)는, 기판(101)의 프로세싱될(예컨대, 코팅될) 면을 향하여 프로세싱 챔버(310) 내에 제공될 수 있는 재료 증착 소스일 수 있다. 도 10에 예시적으로 표시된 바와 같이, 재료 증착 소스는, 기판(101) 상에 증착될 증착 재료(335)를 제공할 수 있다. 예컨대, 재료 증착 소스는, 그 상부에 증착 재료를 갖는 타겟이거나 기판 상의 증착을 위해 재료가 릴리스되는 것을 허용하는 임의의 다른 어레인지먼트일 수 있다. 일부 구현들에서, 재료 증착 소스는 회전식(rotatable) 타겟일 수 있다. 본원에 설명된 일부 실시예들에 따르면, 재료 증착 소스는, 재료 증착 소스를 포지셔닝 및/또는 교체하기 위해 이동가능할 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들에 따르면, 재료 증착 소스는 평면형 타겟일 수 있다.
[0057] 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 본원에 설명된 일부 실시예들에 따르면, 증착 재료(335)는, 증착 프로세스 및 코팅된 기판의 나중의 애플리케이션에 따라 선택될 수 있다. 예컨대, 재료 증착 소스의 증착 재료(335)는, 금속(이를테면, 알루미늄, 몰리브덴, 티타늄, 구리 등), 실리콘, 인듐 주석 산화물, 및 다른 투명 전도성 산화물들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료일 수 있다. 그러한 재료들을 포함할 수 있는 산화물-층, 질화물-층, 또는 탄화물-층은, 재료 증착 소스로부터 재료를 제공하는 것에 의해 또는 반응성 증착에 의해 증착될 수 있는데, 즉, 재료 증착 소스로부터의 재료가 프로세싱 가스로부터의 산소, 질화물, 또는 탄소와 같은 엘리먼트들과 반응할 수 있다.
[0058] 도 11을 예시적으로 참조하면, 본 개시내용에 따른, 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법의 실시예들이 설명된다. 통상적으로, 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법(400)은, 본원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 홀딩 어레인지먼트(100)를 제공하는 단계(410), 및 홀딩 어레인지먼트로부터의 기판의 릴리스를 초래하는, 바디(110)의 제1 벽(120)의 굽힘 또는 벌징이 제공되도록, 제1 벽(120)의 제2 측(122)에 힘을 가하는 단계(420)를 포함한다. 특히, 바디(110)의 제1 벽(120)을 굽히거나 벌징함으로써, 홀딩 어레인지먼트의 돌기가, 접착 어레인지먼트가 기판의 후면측 표면으로부터 릴리스될 수 있도록 기판의 후면측 표면에 대하여 푸시될 수 있다.
[0059] 따라서, 기판, 특히 대면적 기판을 캐리어로부터 릴리스하기 위한 개선된 방법이 제공된다. 더 구체적으로, 설명된 바와 같은 방법은, 홀딩 어레인지먼트의 접착 어레인지먼트와 그에 부착된 기판 간의 계면에 전단력들을 유도하는 것을 제공함으로써, 캐리어로부터 기판을 릴리스하는 동안 기판을 손상시키는 위험이 감소될 수 있다.
[0060] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 벽(120)의 제2 측(122)에 힘을 가하는 단계(420)는, 홀딩 어레인지먼트의 바디(110) 내에 제공되는 가스의 압력을 증가시키도록 구성되는 공압식으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트를 이용하는 것을 포함하며, 바디(110)는 중공 바디이다. 특히, 공압식으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트는 본원에 설명된 바와 같이 구성될 수 있다.
[0061] 본원에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 벽(120)의 제2 측(122)에 힘을 가하는 단계(420)는, 바디(110)의 제1 벽(120)에 굽힘력을 가하도록 구성되는 기계적으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트를 이용하는 것을 포함한다. 특히, 기계적으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트는 본원에 설명된 바와 같이 구성될 수 있다.
[0062] 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법은, 컴퓨터 프로그램들, 소프트웨어, 컴퓨터 소프트웨어 제품들, 및 상호 관련된 제어기들에 의해 수행될 수 있으며, 상호 관련된 제어기들은, CPU, 메모리, 사용자 인터페이스, 및 본원에 설명된 프로세싱 시스템과 같은 기판을 프로세싱하기 위한 장치의 대응하는 컴포넌트들과 통신하는 입력 및 출력 디바이스들을 가질 수 있다.
[0063] 전술한 내용이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.
[0064] 특히, 이러한 서면 설명은, 최상의 모드(best mode)를 포함하는 본 개시내용을 개시하기 위해, 그리고 또한, 임의의 당업자로 하여금 임의의 디바이스들 또는 시스템들을 제조하고 사용하고 그리고 임의의 포함된 방법들을 수행하는 것을 비롯하여 설명된 청구대상을 실시할 수 있도록 하기 위해, 예들을 사용한다. 전술한 내용에서 다양한 특정 실시예들이 개시되었지만, 위에서 설명된 실시예들의 상호 비-배타적인 특징들은 서로 결합될 수 있다. 특허가능한 범위는 청구항들에 의해 정의되며, 그리고 다른 예들은, 이들이 청구항들의 문언과 상이하지 않은 구조적 엘리먼트들을 갖는 경우 또는 이들이 청구항들의 문언과 실질적으로 차이들이 없는 등가의 구조적 엘리먼트들을 포함하는 경우, 청구항들의 범위 내에 있는 것으로 의도된다.

Claims (19)

  1. 기판(101)을 홀딩(hold)하기 위한 홀딩 어레인지먼트(arrangement)(100)로서,
    - 가요성(flexible) 재료의 제1 벽(120)을 갖는 바디(body)(110);
    - 기판을 부착하도록 구성되는 접착 어레인지먼트(130) ― 상기 접착 어레인지먼트(130)는 상기 제1 벽(120)의 제1 측(121) 상에 제공되며, 상기 접착 어레인지먼트(130)는 복수의 필라멘트(filament)들(131)을 포함함 ―; 및
    - 상기 제1 벽(120)의 제1 측(121)에 대향하는, 상기 제1 벽(120)의 제2 측(122)에 힘을 가하도록 구성되는 힘 전달 어레인지먼트(140);를 포함하는,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 벽(120)은, 상기 제1 벽(120)의 제1 측(121)으로부터 멀어지게 연장되는 돌기(protrusion)(123)를 포함하는,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  3. 제1항에 있어서,
    상기 접착 어레인지먼트(130)는, 상기 기판(101)을 부착하도록 구성되는 건식(dry) 접착 재료를 포함하는,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  4. 제3항에 있어서,
    상기 건식 접착 재료는 합성 강모(setae) 재료인,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  5. 제3항에 있어서,
    상기 건식 접착 재료는 도마뱀붙이 접착제(Gecko adhesive)인,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  6. 제1항에 있어서,
    상기 접착 어레인지먼트(130)가 돌기(123) 주위에 제공되는,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  7. ◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제2항에 있어서,
    상기 접착 어레인지먼트(130)는 상기 돌기(123) 주위에 제공되는,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  8. ◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제3항에 있어서,
    상기 접착 어레인지먼트(130)가 돌기(123) 주위에 제공되는,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  9. ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제4항에 있어서,
    상기 접착 어레인지먼트(130)가 돌기(123) 주위에 제공되는,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  10. 제1항에 있어서,
    상기 접착 어레인지먼트(130)는 2개 또는 그 초과의 접착 엘리먼트들(135)을 포함하는,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  11. ◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제6항에 있어서,
    상기 접착 어레인지먼트(130)는 2개 또는 그 초과의 접착 엘리먼트들(135)을 포함하는,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 힘 전달 어레인지먼트(140)는, 중공(hollow) 바디인 상기 바디(110) 내에 제공되는 가스의 압력을 증가시키도록 구성된 공압식으로 작동되는(pneumatic actuated) 힘 전달 어레인지먼트인,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 힘 전달 어레인지먼트(140)는, 상기 바디(110)의 제1 벽(120)에 굽힘력(bending force)을 가하도록 구성된 기계적으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트인,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기계적으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트는, 상기 바디(110)의 제1 벽(120)의 굽힘이 제공되도록 상기 제1 벽(120)의 제2 측(122)에 대하여 푸시(push)하도록 구성되는 피스톤(147)을 포함하는,
    기판(101)을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(100).
  15. 기판을 홀딩하기 위한 캐리어(carrier)(200)로서,
    - 캐리어 바디(210); 및
    - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 하나 또는 그 초과의 홀딩 어레인지먼트들(100);을 포함하며,
    상기 하나 또는 그 초과의 홀딩 어레인지먼트들(100)은 상기 캐리어 바디(210) 상에 장착되는,
    기판을 홀딩하기 위한 캐리어(200).
  16. 프로세싱 시스템(300)으로서,
    - 프로세싱 챔버(310);
    - 프로세싱 디바이스(320); 및
    - 제15항에 따른 캐리어(200);를 포함하는,
    프로세싱 시스템(300).
  17. 홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스(release)하기 위한 방법(400)으로서,
    - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 홀딩 어레인지먼트(100)를 제공하는 단계(410); 및
    - 바디(110)의 제1 벽(120)의 굽힘이 제공되도록 상기 제1 벽(120)의 제2 측(122)에 힘을 가하는 단계(420);를 포함하는,
    홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법(400).
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 벽(120)의 제2 측(122)에 힘을 가하는 단계(420)는, 상기 홀딩 어레인지먼트의 상기 바디(110) 내에 제공되는 가스의 압력을 증가시키도록 구성된 공압식으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트를 이용하는 단계를 포함하며,
    상기 바디(110)는 중공 바디인,
    홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법(400).
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제1 벽(120)의 제2 측(122)에 힘을 가하는 단계(420)는, 상기 바디(110)의 제1 벽(120)에 굽힘력을 가하도록 구성된 기계적으로 작동되는 힘 전달 어레인지먼트를 이용하는 단계를 포함하는,
    홀딩 어레인지먼트로부터 기판을 릴리스하기 위한 방법(400).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102214706B1 (ko) * 2020-10-11 2021-02-10 주식회사 지논 평판 이송용 패드 구조체

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210075176A (ko) * 2018-10-18 2021-06-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판을 유지하기 위한 유지 디바이스, 기판을 유지하기 위한 캐리어, 및 유지 디바이스로부터 기판을 해제하기 위한 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050003635A1 (en) 2002-03-04 2005-01-06 Kiyoshi Takekoshi Dicing method, method of inspecting integrated circuit element, substrate holding device, and pressure sensitive adhesive film
JP2010209243A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
US20140060751A1 (en) 2012-08-29 2014-03-06 Hitachi High-Tech Instruments Co., Ltd. Die Bonding Apparatus, Die Picking Up Apparatus And Die Picking Up Method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6589809B1 (en) 2001-07-16 2003-07-08 Micron Technology, Inc. Method for attaching semiconductor components to a substrate using local UV curing of dicing tape
US7372549B2 (en) * 2005-06-24 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4746003B2 (ja) * 2007-05-07 2011-08-10 リンテック株式会社 移載装置及び移載方法
US8236129B2 (en) * 2007-05-23 2012-08-07 GM Global Technology Operations LLC Attachment pad with thermal reversible adhesive and methods of making and using the same
JP5169589B2 (ja) 2008-07-31 2013-03-27 株式会社デンソー 接着用シート、及びその製造方法
US8192901B2 (en) 2010-10-21 2012-06-05 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate-holding tool
WO2012117509A1 (ja) 2011-02-28 2012-09-07 信越エンジニアリング株式会社 薄板状ワークの粘着保持方法及び薄板状ワークの粘着保持装置並びに製造システム
JP4785995B1 (ja) * 2011-02-28 2011-10-05 信越エンジニアリング株式会社 ワーク粘着チャック装置及びワーク貼り合わせ機
JP2013060489A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Three M Innovative Properties Co 部材剥離方法及び部材剥離装置
KR101944155B1 (ko) 2013-01-09 2019-01-30 신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤 워크 점착 척 장치 및 워크 첩합기

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050003635A1 (en) 2002-03-04 2005-01-06 Kiyoshi Takekoshi Dicing method, method of inspecting integrated circuit element, substrate holding device, and pressure sensitive adhesive film
JP2010209243A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
US20140060751A1 (en) 2012-08-29 2014-03-06 Hitachi High-Tech Instruments Co., Ltd. Die Bonding Apparatus, Die Picking Up Apparatus And Die Picking Up Method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102214706B1 (ko) * 2020-10-11 2021-02-10 주식회사 지논 평판 이송용 패드 구조체
US11784083B2 (en) 2020-10-11 2023-10-10 G-NONE.Co.Ltd. Pad structure for transferring flat panel

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