KR101977280B1 - Light emtting device package - Google Patents
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- ARXHIJMGSIYYRZ-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-3-(3,4-dichlorophenyl)benzene Chemical compound C1=C(Cl)C(Cl)=CC=C1C1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl ARXHIJMGSIYYRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Abstract
실시예의 발광 소자 패키지는 베이스와, 베이스 위에 배치되며, 제1 내지 제N(여기서, N은 2이상의 양의 정수) 색의 광을 각각 방출하는 제1 내지 제N 발광부 및 베이스 위에 배치되어 제1 내지 제N 발광부를 서로 격리시키는 격리 댐을 포함하고, 제n(여기서, 1 ≤ n ≤ N) 발광부는 베이스 위에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자 및 격리 댐에 의해 형성되는 캐비티 내에서 노출된 베이스의 위와 적어도 하나의 발광 소자의 상면과 측면을 덮는 몰딩부를 포함한다.The light emitting device package of the embodiment includes a base and first to Nth light emitting parts arranged on the base and emitting first to Nth light (where N is a positive integer of 2 or more) 1) th to Nth light emitting portions, wherein the nth light emitting portion (where 1 < = n < = N) includes at least one light emitting element disposed on the base and a base exposed in the cavity formed by the isolation dam, And a molding part covering the upper surface and the side surface of at least one light emitting element.
Description
실시예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.
발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light emitting diodes (LEDs) are a kind of semiconductor devices that convert the electricity into infrared rays or light by using the characteristics of compound semiconductors, exchange signals, or use as a light source.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등 발광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.III-V nitride semiconductors (group III-V nitride semiconductors) are attracting attention as a core material for light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties.
이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.Since such a light emitting diode does not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in conventional lighting devices such as incandescent lamps and fluorescent lamps, it has excellent environmental friendliness, and has advantages such as long life and low power consumption characteristics. .
발광 다이오드는 여러 가지의 다양한 색의 광을 방출할 수 있으며 사용자가 원하는 다색의 광을 방출하기 위해서는 복수의 패키지가 요구되는 등, 생산 비용이 증가하는 문제점이 있다.The light emitting diode can emit light of various colors, and a plurality of packages are required to emit light of a multi-color desired by the user, thus increasing production costs.
실시예는 고색 재현도로 다색의 광을 방출할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of emitting multicolor light with high color reproduction.
실시예의 발광 소자 패키지는, 베이스; 상기 베이스 위에 배치되며, 제1 내지 제N(여기서, N은 2이상의 양의 정수) 색의 광을 각각 방출하는 제1 내지 제N 발광부; 및 상기 베이스 위에 배치되어, 상기 제1 내지 제N 발광부를 서로 격리시키는 격리 댐을 포함하고, 제n(여기서, 1 ≤ n ≤ N) 발광부는 상기 베이스 위에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자; 및 상기 격리 댐에 의해 형성되는 캐비티 내에서, 노출된 상기 베이스의 위와 상기 적어도 하나의 발광 소자의 상면과 측면을 덮는 몰딩부를 포함한다.A light emitting device package of an embodiment includes: a base; First to Nth light emitting units disposed on the base, respectively, for emitting lights of first to Nth (where N is a positive integer of 2 or more) colors; And an isolation dam disposed on the base and isolating the first to Nth light emitting units from each other, wherein at least one light emitting element having an nth (where 1? N? N) light emitting unit is disposed on the base; And a molding part covering the upper surface of the exposed base and the upper surface and side surfaces of the at least one light emitting element, in a cavity formed by the isolation dam.
상기 발광 소자 패키지는, 상기 몰딩부와 상기 격리 댐 위에 배치되며 인광 물질을 포함하지 않는 클리어 층을 더 포함한다. N은 4이고, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 발광부는 청색 광, 백색 광, 녹색 광 및 적색 광을 각각 방출할 수 있다.The light emitting device package further includes a molding layer and a clear layer disposed on the isolation dam and not containing a phosphorescent material. N is 4, and the first, second, third, and fourth light emitting portions may emit blue light, white light, green light, and red light, respectively.
상기 발광 소자 패키지는 상기 발광부에 각각 전기적으로 연결된 제1 내지 제N 양의 전압 입력 단자; 및 상기 제1 내지 제N 발광부에 공통으로 연결된 공통 음의 전압 입력 단자를 더 포함한다.The light emitting device package includes first to Nth voltage input terminals electrically connected to the light emitting unit, respectively; And a common voltage input terminal commonly connected to the first to Nth light emitting units.
상기 제1 내지 제N 양의 전압 입력 단자에 제1 내지 제N 양의 구동 전압이 별개로 인가되어, 상기 제1 내지 제N 발광부는 선택적으로, 순차적으로 또는 동시에 점등될 수 있다.The first to N-th positive voltage levels may be separately applied to the first to N-th voltage input terminals, and the first to N-th light emitting units may be selectively, sequentially or simultaneously turned on.
다른 실시예의 발광 소자 패키지는, 베이스; 상기 베이스 위에 배치되어 발광 영역을 정의하는 격리 댐; 및 상기 베이스 위의 상기 발광 영역에서 동심원의 형태로 배치되며, 제1 내지 제K(여기서, K는 2이상의 양의 정수) 색의 광을 각각 방출하는 제1 내지 제K 발광부를 포함하고, 제k (여기서, 1 ≤ k ≤ K) 발광부는 상기 발광 영역에서 원 형상으로 배치되는 복수의 발광 소자; 및 상기 복수의 발광 소자 각각의 상면을 덮는 몰딩부를 포함한다.A light emitting device package according to another embodiment includes: a base; An isolation dam disposed on the base to define a light emitting region; And first to Kth light emitting portions arranged in a concentric form in the light emitting region on the base, each of the first to Kth light emitting portions emitting light of first to Kth (where K is a positive integer of 2 or more) k (where 1 < k < k < K) a plurality of light emitting elements arranged in a circular shape in the light emitting region; And a molding part covering an upper surface of each of the plurality of light emitting devices.
상기 발광 소자 패키지는 상기 발광 영역 내에서 노출된 상기 베이스와, 상기 몰딩부의 위와, 상기 복수의 발광 소자의 측면을 덮는 클리어 층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device package may further include a base exposed in the light emitting region, a clear layer covering the side of the plurality of light emitting devices, and a top surface of the molding portion.
상기 클리어 층의 재질은 실리콘(silicon)을 포함할 수 있다.The material of the clear layer may include silicon.
상기 적어도 하나의 발광 소자는 청색 광을 방출하는 발광 다이오드에 해당한다.The at least one light emitting element corresponds to a light emitting diode emitting blue light.
상기 발광 소자 패키지는, 상기 제1 내지 제K 발광부에 각각 전기적으로 연결된 제1 내지 제K 양의 전압 입력 단자; 및 상기 제1 내지 제K 발광부에 공통으로 연결된 공통 음의 전압 입력 단자를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package includes first to Kth positive voltage input terminals electrically connected to the first to Kth light emitting parts, respectively; And a common voltage input terminal commonly connected to the first to Kth light emitting units.
상기 제1 내지 제K 양의 전압 입력 단자에 제1 내지 제K 양의 구동 전압이 별개로 인가되어, 상기 제1 내지 제K 발광부는 선택적으로, 순차적으로 또는 동시에 점등된다.The first to K-th positive voltage levels are separately applied to the first to K-th voltage input terminals, and the first to K-th light emitting sections are selectively, sequentially or simultaneously turned on.
K는 3이고, 상기 제1, 제2 및 제3 발광부는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광을 각각 방출할 수 있다.K is 3, and the first, second, and third light emitting units may emit red light, green light, and blue light, respectively.
상기 발광 소자로부터 상기 격리 댐 사이의 수평 이격 거리(L)는 아래와 같을 수 있다.The horizontal distance L between the light emitting element and the isolation dam may be as follows.
여기서, h1은 상기 발광 소자의 높이를 나타내고, θ는 상기 발광 소자의 지향각을 나타낸다.Here, h 1 represents the height of the light emitting device, and? Represents the directional angle of the light emitting device.
상기 격리 댐의 두께(t)는 아래와 같을 수 있다.The thickness t of the isolation dam may be as follows.
여기서, r은 칙소성을 나타내고, h2는 상기 격리 댐의 높이를 나타낸다.Here, r represents the plasticity, and h 2 represents the height of the isolation dam.
상기 격리 댐의 두께는 최소 50 ㎛일 수 있다.The thickness of the isolation dam may be at least 50 탆.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 다수의 발광부를 하나의 베이스 즉, 인쇄 회로 기판 위에 칩 온 보드의 형태로 배치한 후, 이들을 선택적으로, 순차적으로 또는 동시에 점등시킴으로써, 방출되는 광의 색 조합이 가능하기 때문에, 사용자가 원하는 다색의 광을 고색 재현도로 다양하게 방출할 수 있을 뿐만 아니라 다색 구현을 위한 패키지의 수를 감소시켜 비용을 절감시킬 수도 있다.The light emitting device package according to the embodiment can arrange a plurality of light emitting units in a form of a chip on board on one base, that is, a printed circuit board, and then selectively, sequentially or simultaneously, Therefore, it is possible not only to emit various colors of the multicolor light desired by the user in a high color reproduction, but also to reduce the cost by reducing the number of packages for multicolor implementation.
도 1은 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 본딩 다이어그램을 평면도로 나타낸다.
도 2는 토출된 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2의 3-3'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 4는 다른 실시예의 발광 소자 패키지의 본딩 다이어그램을 평면도로 나타낸다.
도 5는 도 4에 예시된 발광부 각각의 단면도를 나타낸다.
도 6은 도 4에 예시된 발광 소자 패키지의 회로 패턴을 평면도로 나타낸다.
도 7은 토출된 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 8은 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도이다.
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도이다.1 is a plan view showing a bonding diagram of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a plan view of the discharged light emitting device package.
3 is a sectional view taken along line 3-3 'in Fig.
4 is a plan view showing a bonding diagram of a light emitting device package according to another embodiment.
5 shows a cross-sectional view of each of the light emitting portions illustrated in Fig.
6 is a plan view of a circuit pattern of the light emitting device package illustrated in Fig.
7 is a plan view of the discharged light emitting device package.
FIG. 8 is an exploded perspective view showing an embodiment of a lighting device including a light emitting device package according to the embodiments.
9 is an exploded perspective view illustrating a display device in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.
본 실시예의 설명에 있어서, 각 구성요소(element)의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 구성요소(element)가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 구성요소(element)가 상기 두 구성요소(element) 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of the present embodiment, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) on or under includes both the two elements being directly in contact with each other or one or more other elements being indirectly formed between the two elements.
또한 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 구성요소(element)를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.Also, when expressed as "on" or "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.
도 1은 실시예에 의한 발광 소자 패키지(100)의 본딩 다이어그램(bonding diagram)을 평면도로 나타내고, 도 2는 토출(dispensing)된 발광 소자 패키지(100)의 평면도를 나타내고, 도 3은 도 2의 3-3'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다. 편의상, 도 3에서 제2 및 제4 발광부(130, 150) 각각이 하나의 발광 소자(132, 152)만을 포함한 것으로 가정하였다.1 is a plan view of a bonding diagram of a light
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예의 발광 소자 패키지(100)는 베이스(base)(110), 제1 내지 제N 발광부(120 ~ 150) 및 격리 댐(dam)(170, 172, 174, 176, 178)을 포함한다. 여기서, N은 2이상의 양의 정수이다.1 to 3, the light
베이스(110)는 인쇄 회로 기판(PCB:Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다. PCB(110)는 금속 PCB로서 MCPCB(Metal Core PCB)로 형성될 수도 있다. 또한, 베이스(110)는 제1 내지 제N 발광부(120 ~ 150)에 포함된 발광 소자에서 방출된 열을 저면으로 방출하는 역할도 수행할 수 있다. 또한, 베이스(110)는 회로층(미도시) 및 절연층(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 회로층과 절연층은 PCB의 하부에 순차적으로 적층될 수 있다.The
제1 내지 제N 발광부(120 ~ 150)는 베이스(110) 위에 배치되며, 제1 내지 제N 색의 광을 각각 방출할 수 있다. 여기서, 제1 내지 제N 색은 서로 다른 색일 수 있다.The first to Nth
이하, 편의상 N=4인 것으로 가정하여 발광 소자 패키지(100)를 설명하지만, N이 3이하이거나 5이상인 경우에도 실시예는 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4 발광부(120, 130, 140, 150)는 청색 광, 백색 광, 녹색 광 및 적색 광을 각각 방출할 수 있다.Hereinafter, the light
또한, 격리 댐(170, 172, 174, 176, 178)은 베이스(110) 위에 배치되며, 제1 내지 제N 발광부(120 ~ 150)를 서로 격리시키는 역할을 한다. 즉, 제1 발광부(120)는 격리 댐(170)에 의해 분할된 1사분면 내지 4사분면의 영역(zone) 중에서 2사분면의 영역에 배치되어 제2 내지 제4 발광부(130, 140, 150)와 격리되며, 격리 댐(170, 172)에 의해 둘러싸여 있다. 제2 발광부(130)는 격리 댐(170)에 의해 분할된 1사분면 내지 4사분면의 영역중에서 3사분면의 영역에 배치되어 제1, 제3 및 제4 발광부(120, 140, 150)와 격리되며, 격리 댐(170, 174)에 의해 둘러싸여 있다. 제3 발광부(140)는 격리 댐(170)에 의해 분할된 1사분면 내지 4사분면의 영역중에서 4사분면의 영역에 배치되어 제1, 제2 및 제4 발광부(120, 130, 150)와 격리되며, 격리 댐(170, 176)에 의해 둘러싸여 있다. 제4 발광부(150)는 격리 댐(170)에 의해 분할된 1사분면 내지 4사분면의 영역중에서 1사분면의 영역에 배치되어 제1 내지 제3 발광부(120, 130, 140)와 격리되며, 격리 댐(170, 178)에 의해 둘러싸여 있다.The
제n 발광부는 적어도 하나의 발광 소자 및 몰딩부를 포함한다. 여기서, 1 ≤ n ≤ N 이다. 즉, 제1 발광부(120)는 적어도 하나의 발광 소자(122) 및 몰딩부(124)를 포함하고, 제2 발광부(130)는 적어도 하나의 발광 소자(132) 및 몰딩부(134)를 포함하고, 제3 발광부(140)는 적어도 하나의 발광 소자(142) 및 몰딩부(144)를 포함하고, 제4 발광부(150)는 적어도 하나의 발광 소자(152) 및 몰딩부(154)를 포함한다. 도 1에서 발광부(120, 130, 140, 150) 각각은 서로 직렬 연결된 6개의 발광 소자를 포함하는 것으로 예시되어 있으나 실시예는 이에 국한되지 않으며, 5개 이하 또는 7개 이상의 발광 소자를 포함할 수 있고, 복수의 발광 소자는 병렬로 연결될 수 있음은 물론이다. 또한, 이들 복수의 발광 소자가 서로 전기적으로 결선되는 구조와 리드 프레임의 형태는 다양할 수 있으며, 실시예는 이러한 발광 소자 간의 결선 구조 및 리드 프레임의 형태에 국한되지 않는다.The nth light emitting portion includes at least one light emitting element and a molding portion. Here, 1? N? N. That is, the first
발광 소자(122, 132, 142, 152)는 베이스(110) 위에 배치된다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 발광 소자(132, 152)는 베이스(110) 위에 배치된다. 발광 소자(122, 132, 142, 152)는 베이스(110)인 PCB에 직접 다이 본딩(Die Bonding)되고 와이어 본딩(Wire Bonding)되어 칩 온 보드(COB:Chip On Board) 형태로 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩일 수 있다. 발광 다이오드 칩은 수평형이거나, 수직형이거나, 플립 칩 본딩형일 수 있으며, 실시예는 이러한 발광 다이오드 칩의 형태에 국한되지 않는다. 각 발광 다이오드 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV:UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The
발광 소자(122, 132, 142, 152)로부터 격리 댐(170 ~ 178) 사이의 수평 거리가 작으면 발광 소자(122, 132, 142, 152)로부터 방출된 광이 격리 댐(170 ~ 178)에 의해 반사된 후 발광 소자(122, 132, 142, 152)에서 다시 흡수될 수 있다. 따라서, 발광 소자(122, 132, 142, 152)로부터 격리 댐(170 ~ 178) 사이의 수평 거리(L)는 다음 수학식 1과 같이 표현될 수 있다.Light emitted from the
여기서, 도 3에 예시된 바와 같이, h1은 발광 소자(122, 132, 142, 152)의 높이를 나타내고, θ는 발광 소자(122, 132, 142, 152)의 지향각을 나타낸다.Here, h 1 represents the height of the
또한, 격리 댐(170 ~ 178)의 두께(t)는 다음 수학식 2와 같이 표현될 수 있다.Further, the thickness t of the
여기서, r은 칙소성(thixotropic)을 나타내며 예를 들어 0.5일 수 있고, h2는 도 3에 예시된 바와 같이 격리 댐(170 ~ 178)의 높이를 나타낸다. 격리 댐(170)의 두께가 클수록 색 조합성이 저하된다. 따라서, 격리 댐(170 ~ 178)의 두께(t)는 최소 50 ㎛일 수 있다.Where r represents thixotropic and may be, for example, 0.5, and h 2 represents the height of the isolation dam 170 - 178 as illustrated in FIG. The greater the thickness of the
한편, 몰딩부(124, 134, 144, 154)는 격리 댐(170 ~ 178)에 의해 형성되는 캐비티 내에서, 베이스(110)의 노출된 면(110A)과 발광 소자(122, 132, 142, 152)의 상면과 측면을 덮을 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 몰딩부(134)는 격리 댐(170, 174)에 의해 형성되는 캐비티 내에서, 베이스(110)의 노출된 면(110A)과 발광 소자(132)의 상면(132A)과 측면(132B)을 덮을 수 있다.On the other hand, the
만일, 발광 소자(122, 132, 142, 152)가 청색 광을 방출하는 블루(blue) 발광 다이오드 칩일 경우, 몰딩부의 형광체를 이용하여, 제1, 제2, 제3 및 제4 발광부(120, 130, 140, 150)는 청색, 백색, 녹색 및 적색 광을 각각 방출할 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 발광 소자(132)가 블루 발광 다이오드 칩일 경우, 몰딩부(134)가 황색 인광 물질을 포함하거나, 적색 인광 물질과 녹색 인광 물질을 혼합하여 포함하거나, 황색 인광 물질과 적색 인광 물질과 녹색 인광 물질을 혼합하여 포함할 경우 제2 발광부(130)는 백색의 광을 영역(A1)으로 방출할 수 있다. 또한, 발광 소자(152)가 블루 발광 다이오드 칩일 경우, 몰딩부(154)가 적색 인광 물질을 포함할 경우 제4 발광부(150)는 적색의 광을 영역(A2)으로 방출한다.If the
또한, 발광 소자 패키지(100)는 클리어(clear) 층(160)을 더 포함할 수 있다. 클리어 층(160)은 몰딩부(124, 134, 144, 154)와 격리 댐(170 ~ 178) 위에 배치되며, 인광 물질(phosphor)을 포함하지 않는다. 클리어 층(160)의 재질은 실리콘(silicon)을 포함할 수 있으며, 광 반사성을 갖는 물질을 포함할 수도 있다. 이와 같이, 클리어 층(160)이 배치될 경우, 클리어 층(160)의 굴절률과 몰딩부(124, 134, 144, 154)의 굴절률이 서로 다르므로, 제1 내지 제N 발광부(120 ~ 150)에서 방출된 다양한 색의 광이 더욱 잘 혼합될 수 있다.In addition, the light emitting
한편, 발광 소자 패키지(100)는 공통 음의 전압 입력 단자(171) 및 제1 내지 제N 양의 전압 입력 단자(173, 175, 177, 179)를 더 포함할 수 있다.The light emitting
제1 내지 제N 양의 전압 입력 단자(173, 175, 177, 179)는 제1 내지 제N 발광부(120, 130, 140, 150)에 각각 전기적으로 연결되고, 공통 음의 전압 입력 단자(171)는 제1 내지 제N 발광부(120, 130, 140, 150)에 공통으로 연결되어 있다. 따라서, 상기 제1 내지 제N 양의 전압 입력 단자(173, 175, 177, 179)에 제1 내지 제N 양의 구동 전압이 별개로 인가되어, 제1 내지 제N 발광부(120, 130, 140, 150)는 선택적으로, 순차적으로 또는 동시에 점등될 수 있다. 즉, 제1 양의 전압 입력 단자(173)에 제1 양의 구동 전압이 인가될 때 제1 발광부(120)의 6개의 발광 소자(122)는 점등하고, 제2 양의 전압 입력 단자(175)에 제2 양의 구동 전압이 인가될 때 제2 발광부(130)의 6개의 발광 소자(132)는 점등하고, 제3 양의 전압 입력 단자(177)에 제3 양의 구동 전압이 인가될 때 제3 발광부(140)의 6개의 발광 소자(142)는 점등하고, 제4 양의 전압 입력 단자(179)에 제4 양의 구동 전압이 인가될 때 제4 발광부(150)의 6개의 발광 소자(152)는 점등할 수 있다.The first to Nth
제1 내지 제4 양의 구동 전압은 동일한 레벨일 수도 있고 서로 다른 레벨일 수도 있다.The driving voltages of the first to fourth amounts may be the same level or different levels.
전술한 도 1 내지 도 3에 예시된 발광 소자 패키지(100)의 경우, 제1 내지 제N 발광부(120 ~ 150)를 하나의 베이스(110) 위에 COB 형태로 배치한 후, 이들(120 ~ 150)을 선택적으로, 순차적으로 또는 동시에 점등함으로서, 방출되는 광의 색 조합이 가능하기 때문에, 사용자가 원하는 색의 광을 다양하게 방출할 수 있을 뿐만 아니라 다색 구현을 위한 패키지의 수를 감소시켜 비용을 절감시킬 수도 있다.In the case of the light emitting
도 4는 다른 실시예의 발광 소자 패키지(200)의 본딩 다이어그램을 평면도로 나타내고, 도 5는 도 4에 예시된 발광부(230, 240, 250) 각각의 단면도를 나타내고, 도 6은 도 4에 예시된 발광 소자 패키지(200)의 회로 패턴을 평면도로 나타내고, 도 7은 토출된 발광 소자 패키지(200)의 평면도를 나타낸다.FIG. 4 is a plan view of a bonding diagram of a light emitting
도 4 내지 도 7에 예시된 발광 소자 패키지(200)는 베이스(210), 격리 댐(222, 224, 226) 및 제1 내지 제K 발광부(230, 240, 250)를 포함한다.The light emitting
베이스(210)는 도 1 내지 도 3에 예시된 베이스(110)와 동일하므로 이에 대한 설명을 생략한다. 격리 댐(222, 224, 226)은 베이스(210) 위에 배치되어 발광 영역을 정의한다. 즉, 격리 댐(222, 224, 226)에 의해 둘러싸인 영역이 발광 영역에 해당한다.Since the
제1 내지 제K 발광부(230, 240, 250)는 베이스(210) 위의 발광 영역에서 동심원의 형태로 배치되며, 제1 내지 제K 색의 광을 각각 방출한다. 여기서, K는 2이상의 양의 정수이다. 여기서, 제1 내지 제K 색은 서로 다른 색일 수 있다.The first to Kth light emitting
이하, 편의상 K=3인 것으로 가정하여 발광 소자 패키지(200)를 설명하지만, K가 2이하이거나 4이상인 경우에도 실시예는 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 제1, 제2 및 제3 발광부(230, 240, 250)는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광을 각각 방출할 수 있다.Hereinafter, the light emitting
제k 발광부(230, 240, 250)는 적어도 하나의 발광 소자(302)와 적어도 하나의 몰딩부(304)를 포함한다. 여기서, 1 ≤ k ≤ K 이다. 각 발광부(230, 240, 250)에 포함된 복수의 발광 소자는 발광 영역에서 원 형상으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 발광부(230)는 발광 영역에서 중심(P)을 기준으로 제1 반지름(R1)이 형성하는 원의 원주 상에 배치되어 서로 직렬 연결된 8개의 발광 소자를 포함할 수 있다. 제2 발광부(240)는 발광 영역에서 중심(P)을 기준으로 제1 반지름(R1)보다 큰 제2 반지름(R2)이 형성하는 원의 원주 상에 배치되어 서로 직렬 연결된 8개의 발광 소자를 포함할 수 있다. 제3 발광부(250)는 발광 영역에서 중심(P)을 기준으로 제2 반지름(R)보다 큰 제3 반지름(R3)이 형성하는 원의 원주 상에 배치되어 서로 직렬 연결된 8개의 발광 소자를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 내지 제K 발광부(230, 240, 250)에 포함되는 발광 소자의 개수는 7개 이하일 수도 있고 9개 이상일 수도 있으며, 실시예는 이러한 발광 소자의 개수에 국한되지 않는다.The k-th
또한, 제1 내지 제K 발광부(230, 240, 250) 각각에 포함된 복수의 발광 소자는 서로 직렬이 아니라 병렬로 연결될 수도 있음은 물론이다.Also, it goes without saying that the plurality of light emitting devices included in each of the first to Kth light emitting
또한, 이들 복수의 발광 소자가 서로 결선되는 구조와 리드 프레임의 형태는 다양할 수 있으며, 실시예는 이러한 발광 소자들간의 결선 구조 및 리드 프레임의 형태에 국한되지 않는다. Further, the structure in which the plurality of light emitting elements are connected to each other and the shape of the lead frame may vary, and the embodiment is not limited to the wiring structure and the shape of the lead frame between such light emitting elements.
또한, 복수의 발광 소자는 반드히 원 형상으로 배치될 필요는 없으며 타원형이나 그 밖의 다각형 모양으로 배치되어 서로 직렬 또는 병렬 연결될 수도 있다.In addition, the plurality of light emitting elements need not necessarily be arranged in a circular shape, but may be arranged in an elliptic or other polygonal shape and connected in series or in parallel with each other.
도 5를 참조하면, 제1 내지 제K 발광부(230, 240, 250) 각각에 포함되는 8개의 발광 소자 각각(302)은 베이스(210) 위에 배치되며, 각 발광 소자(302)의 상면에는 몰딩부(304)가 배치될 수도 있다. 이와 같이 몰딩부(304)는 각 발광 소자(302)를 콘포멀(conformal)하게 코팅할 수 있다. 5, each of the eight
각 발광부(230, 240, 250)의 각 발광 소자(302)가 청색 광을 방출하는 블루 발광 다이오드 칩일 경우, 몰딩부(304)의 형광체를 이용하여, 제1, 제2 및 제3 발광부(230, 240, 250)는 적색, 녹색 및 청색 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 발광 소자(302)가 블루 발광 다이오드 칩일 경우, 몰딩부(304)가 적색 인광 물질을 포함할 경우 제1 발광부(230)는 적색의 광을 방출할 수 있고, 몰딩부(304)가 녹색 인광 물질을 포함할 경우 제2 발광부(240)는 녹색의 광을 방출할 수 있고, 몰딩부가 생략될 경우 제3 발광부(250)는 청색의 광을 방출할 수 있다.When each of the
각 발광 소자(302)는 베이스(210)인 PCB에 직접 다이 본딩되고 와이어 본딩되어 COB 형태로 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩일 수 있다. 발광 다이오드 칩은 수평형이거나, 수직형이거나, 플립 칩 본딩형 발광 다이오드일 수도 있으며, 실시예는 이러한 발광 다이오드 칩의 형태에 국한되지 않는다.Each of the
격리 댐(222, 224, 226)으로부터 각 발광 소자(302)간의 수평 이격 거리는 전술한 수학식 1과 같이 표현될 수 있고, 격리 댐(222, 224, 226)의 두께는 전술한 수학식 2와 같이 표현될 수 있다. 즉, 격리 댐(222, 224, 226)의 두께는 도 1 내지 도 3에 예시된 격리 댐(170 ~ 178)의 두께(t)와 동일할 수 있다.The horizontal spacing distance between each of the
또한, 발광 소자 패키지(200)는 클리어 층(260)을 더 포함할 수 있다. 클리어 층(260)은 발광 영역 내에서 베이스(210)의 노출된 면과, 각 발광부(230, 240, 250)의 각 몰딩부(304)의 위(304A)와 측면(304B)과, 복수의 발광 소자 각각(302)의 측면(302A)을 덮으며, 인광 물질을 포함하지 않는다. 클리어 층(260)의 재질은 실리콘을 포함할 수 있으며, 광 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 이와 같이, 클리어 층(260)이 배치될 경우, 클리어 층(260)의 굴절률과 몰딩부(304)의 굴절률이 서로 다르므로, 제1 내지 제N 발광부(230 ~ 250)에서 방출된 다양한 색의 광이 더욱 잘 혼합될 수 있다.In addition, the light emitting
한편, 발광 소자 패키지(200)는 제1 내지 제K 양의 전압 입력 단자(272, 274, 276) 및 공통 음의 전압 입력 단자(278)를 더 포함할 수 있다.The light emitting
제1 내지 제K 양의 전압 입력 단자(272, 274, 276)는 제1 내지 제K 발광부(230, 240, 250)에 각각 전기적으로 연결되고, 공통 음의 전압 입력 단자(278)는 제1 내지 제K 발광부(230, 240, 250)에 공통으로 연결되어 있다. 따라서, 제1 내지 제K 양의 전압 입력 단자(272, 274, 276)에 제1 내지 제K 양의 구동 전압이 별개로 인가되어, 제1 내지 제K 발광부(230, 240, 250)는 선택적으로, 순차적으로 또는 동시에 점등될 수 있다. 즉, 제1 양의 전압 입력 단자(272)에 제1 양의 구동 전압이 인가될 때 제1 발광부(230)의 8개의 발광 소자는 점등하고, 제2 양의 전압 입력 단자(274)에 제2 양의 구동 전압이 인가될 때 제2 발광부(240)의 8개의 발광 소자는 점등하고, 제3 양의 전압 입력 단자(276)에 제3 양의 구동 전압이 인가될 때 제3 발광부(250)의 8개의 발광 소자는 점등할 수 있다.The first to Kth positive
제1 내지 제3 양의 구동 전압은 동일한 레벨일 수도 있고 서로 다른 레벨일 수도 있다.The driving voltages of the first to third amounts may be the same level or different levels.
전술한 도 4 내지 도 7에 예시된 발광 소자 패키지(200)의 경우, 제1 내지 제K 발광부(230 ~ 250)를 하나의 베이스(210) 위에 COB 형태로 배치한 후, 이들(230 ~ 250)을 선택적으로, 순차적으로 또는 동시에 점등함으로서, 방출되는 광의 색 조합이 가능하기 때문에, 사용자가 원하는 색의 광을 다양하게 방출할 수 있을 뿐만 아니라 다색 구현을 위한 패키지의 수를 감소시켜 비용을 절감시킬 수도 있다.In the case of the light emitting
실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to embodiments may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like may be disposed on the light path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. Still another embodiment may be implemented as a display device, a pointing device, and a lighting system including the light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting system may include a lamp and a streetlight.
도 8은 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도이다.FIG. 8 is an exploded perspective view showing an embodiment of a lighting device including a light emitting device package according to the embodiments.
실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 발광 모듈(600)과 발광 모듈(600)이 내장되는 하우징(400)과 발광 모듈(600)의 열을 방출하는 방열부(500) 및 발광 모듈(600)과 방열부(500)를 하우징(400)에 결합하는 홀더(700)를 포함하여 이루어진다.The illumination device according to the embodiment includes a
하우징(400)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(410)와, 소켓결합부(410)와 연결되고 광원(600)이 내장되는 몸체부(420)를 포함한다. 몸체부(420)에는 하나의 공기유동구(430)가 관통하여 형성될 수 있다.The
하우징(400)의 몸체부(420) 상에 복수 개의 공기유동구(430)가 구비되어 있는데, 공기유동구(430)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.A plurality of
발광 모듈(600)은 발광 소자 패키지와 제어부를 포함한다. 발광 소자 패키지는 도 1 내지 도 7에 따른 발광 소자 패키지(100, 200)를 포함할 수 있다. 제어부는 발광 소자 패키지(100, 200)에 포함된 각 발광 소자(122, 132, 142, 152, 302)의 점등을 제어하는 역할을 한다.The
발광 모듈(600)은 하우징(400)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(500)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.The
발광 모듈의 하부에는 홀더(700)가 구비되는데 홀더(700)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 발광 모듈(600)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 발광 모듈(600)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.A
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치(800)의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도이다.9 is an exploded perspective view showing an embodiment of a
도 9를 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(800)는 발광 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850) 및 제2 프리즘시트(860)와, 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.9, the
발광 모듈은 회로 기판(830) 상에 배치된 발광소자(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등으로서 전술한 베이스(110, 210)일 수 있고, 발광 소자(835)는 도 1 내지 도 7에 예시된 발광 소자(122, 132, 142, 152, 302)일 수 있다. 즉, 발광 모듈은 도 1 내지 도 7에 예시된 발광 소자 패키지(100, 200)를 포함할 수 있다.The light emitting module includes a
바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the
도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(840)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.The
제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The
제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the
본 실시예에서 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the
패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.The
패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.The
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.
패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
100, 200: 발광 소자 패키지 110, 210: 베이스
120 ~ 150, 230 ~ 250: 발광부 122, 132, 142, 152, 302: 발광 소자
124, 134, 144, 154, 304: 몰딩부 160, 260: 클리어 층
170 ~ 178, 272, 274: 양의 전압 입력 단자
278: 음의 전압 입력 단자 400: 하우징
500: 방열부 600: 발광 모듈
700: 홀더 800: 표시장치
810: 바텀 커버 820: 반사판
830, 835: 발광 모듈 840: 도광판
850, 860: 프리즘시트 870: 패널
880: 컬러필터100, 200: light emitting
120 to 150, 230 to 250:
124, 134, 144, 154, 304: molding
170 to 178, 272, 274: Positive voltage input terminal
278: negative voltage input terminal 400: housing
500: heat dissipating unit 600: light emitting module
700: Holder 800: Display device
810: bottom cover 820: reflector
830, 835: light emitting module 840: light guide plate
850, 860: prism sheet 870: panel
880: Color filter
Claims (15)
상기 베이스 위에 배치되며, 제1 내지 제N(여기서, N은 2이상의 양의 정수) 색의 광을 각각 방출하는 제1 내지 제N 발광부; 및
상기 베이스 위에 배치되어, 상기 제1 내지 제N 발광부를 서로 격리시키는 격리 댐을 포함하고,
제n(여기서, 1 ≤ n ≤ N) 발광부는
상기 베이스 위에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자;
상기 격리 댐에 의해 형성되는 캐비티 내에서, 노출된 상기 베이스의 위와 상기 적어도 하나의 발광 소자의 상면과 측면을 덮는 몰딩부;
상기 제1 내지 제N 발광부에 각각 전기적으로 연결된 제1 내지 제N 양의 전압 입력 단자; 및
상기 제1 내지 제N 발광부에 공통으로 연결된 공통 음의 전압 입력 단자를 포함하고,
상기 격리 댐은,
상기 제1 내지 제N 발광부 사이에 배치되어, 상기 제1 내지 제N 발광부 각각의 발광 영역을 분할하되, 상기 공통 음의 전압 입력 단자와 연결된 제1 격리 댐; 및
상기 제1 내지 제N 발광부 각각의 외곽에 배치되어, 상기 제1 격리 댐과 함께 상기 제1 내지 제N 발광부 각각의 발광 영역을 정의하되, 상기 제1 내지 제N 양의 전압 입력 단자 각각과 연결된 복수의 제2 격리 댐을 포함하고,
상기 복수의 제2 격리 댐 각각과 상기 제1 격리 댐은, 평면 상에서 서로 이격되어 배치되는 발광 소자 패키지Base;
First to Nth light emitting units disposed on the base, respectively, for emitting lights of first to Nth (where N is a positive integer of 2 or more) colors; And
And an isolation dam disposed on the base for isolating the first to Nth light emitting units from each other,
The n-th (here, 1? N? N)
At least one light emitting element disposed on the base;
A molding part covering a top surface and side surfaces of the exposed base and the at least one light emitting device in a cavity formed by the isolation dam;
First to Nth voltage input terminals electrically connected to the first to Nth light emitting units, respectively; And
And a common voltage input terminal commonly connected to the first to Nth light emitting units,
Wherein the isolation dam comprises:
A first isolation dam disposed between the first to Nth light emitting units and dividing a light emitting area of each of the first to Nth light emitting units and connected to a voltage input terminal of the common sound; And
Emitting regions of each of the first to Nth light emitting units is defined along with the first isolation dam, and the first to Nth light emitting units are connected to the first to Nth light emitting units, And a plurality of second isolation dams connected to the second isolation dam,
Wherein each of the plurality of second isolation dams and the first isolation dam comprises a light emitting device package
상기 제1 내지 제N 양의 전압 입력 단자에 제1 내지 제N 양의 구동 전압이 별개로 인가되어, 상기 제1 내지 제N 발광부는 선택적으로, 순차적으로 또는 동시에 점등되는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first to N-th positive voltage levels are applied to the first to N-th voltage input terminals, respectively, and the first to N-th light emitting sections are selectively, sequentially or simultaneously turned on.
상기 베이스 위에 배치되어 발광 영역을 정의하되, 평면 상에서 서로 이격되어 배치되는 복수의 격리 댐; 및
상기 베이스 위의 상기 발광 영역에서 동심원의 형태로 배치되며, 제1 내지 제K(여기서, K는 2이상의 양의 정수) 색의 광을 각각 방출하는 제1 내지 제K 발광부를 포함하고,
제k (여기서, 1 ≤ k ≤ K) 발광부는
상기 발광 영역에서 원 형상으로 배치되는 복수의 발광 소자;
상기 복수의 발광 소자 각각의 상면을 덮는 몰딩부;
상기 제1 내지 제K 발광부에 각각 전기적으로 연결된 제1 내지 제K 양의 전압 입력 단자; 및
상기 제1 내지 제K 발광부에 공통으로 연결된 공통 음의 전압 입력 단자를 포함하고,
상기 복수의 격리 댐은,
상기 공통 음의 전압 입력 단자와 연결된 제1 격리 댐; 및
상기 제1 내지 제K 양의 전압 입력 단자 중 적어도 하나와 연결된 적어도 하나의 제2 격리 댐을 포함하는 발광 소자 패키지.Base;
A plurality of isolation dams disposed on the base to define light emitting areas, the plurality of isolation dams being spaced apart from each other on a plane; And
And first to Kth light emitting portions arranged in a concentric form in the light emitting region on the base, each of the first to Kth light emitting portions emitting light of first to Kth (where K is a positive integer of 2 or more)
K < k > (where 1 < k < K)
A plurality of light emitting elements arranged in a circular shape in the light emitting region;
A molding part covering an upper surface of each of the plurality of light emitting elements;
First to Kth positive voltage input terminals electrically connected to the first to Kth light emitting parts, respectively; And
And a common voltage input terminal commonly connected to the first to Kth light emitting units,
Wherein the plurality of isolation dams
A first isolation dam connected to a voltage input terminal of the common tone; And
And at least one second isolation dam connected to at least one of the first to Kth positive voltage input terminals.
상기 제1 내지 제K 양의 전압 입력 단자에 제1 내지 제K 양의 구동 전압이 별개로 인가되어, 상기 제1 내지 제K 발광부는 선택적으로, 순차적으로 또는 동시에 점등되는 발광 소자 패키지.The method according to claim 6,
Wherein the first to K-th positive voltage driving terminals are separately applied to the first to K-th voltage input terminals, and the first to K-th light emitting sections are selectively, sequentially or simultaneously turned on.
(여기서, r은 칙소성을 나타내고, h2는 상기 격리 댐의 높이를 나타낸다.) The light emitting device package according to claim 1 or 6, wherein the thickness t of the isolation dam is as follows, and the thickness of the isolation dam is at least 50 m.
(Where r denotes the plasticity and h 2 denotes the height of the isolation dam).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130003923A KR101977280B1 (en) | 2013-01-14 | 2013-01-14 | Light emtting device package |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR20140091896A KR20140091896A (en) | 2014-07-23 |
KR101977280B1 true KR101977280B1 (en) | 2019-05-10 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR101977280B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006310613A (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sharp Corp | Semiconductor light emitting device |
JP2010231938A (en) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Led lighting system |
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---|---|---|---|---|
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2013
- 2013-01-14 KR KR1020130003923A patent/KR101977280B1/en active IP Right Grant
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