KR101965771B1 - 반도체 제조용 세정 장치 - Google Patents

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Abstract

개시되는 반도체 제조용 세정 장치가 챔버 케이스와, 웨이퍼 척과, 세정 부재를 포함하고, 상기 웨이퍼 척이 전기전도성 물질 발열체를 포함함에 따라, 저전압에서도 수초 안에 급속 승온이 가능한 전기전도성 물질 특성 상, 상기 웨이퍼 척 및 상기 전기전도성 물질 발열체가 요구 온도까지 승온되기까지 걸리는 승온 시간이 상대적으로 짧아져서 열 응답성이 상대적으로 우수하고, 상기 전기전도성 물질 발열체의 내구성이 좋아지며, 상기 전기전도성 물질 발열체의 열 효율이 좋아 에너지 소모가 감소될 수 있게 되는 장점이 있다.

Description

반도체 제조용 세정 장치{Cleaning apparatus for manufacturing semiconductor}
본 발명은 반도체 제조용 세정 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼를 제조할 때에는 포토레지스트 도포, 현상, 식각, 애싱 등 다양한 공정이 수행되는데, 이러한 각 공정을 수행할 때에는 반도체 웨이퍼에 부착된 각종 오염물을 제거시켜 주어야 하고, 그에 따라 반도체 웨이퍼에 대한 세정 공정이 수행된다.
이러한 반도체 웨이퍼에 대한 세정 공정을 수행할 수 있는 것이 반도체 제조용 세정 장치이고, 그 반도체 제조용 세정 장치의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 특허문헌의 그 것이다.
이러한 반도체 웨이퍼 세정 장치에는, 반도체 웨이퍼가 올려지는 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 척에 올려진 반도체 웨이퍼에 세정액을 분사할 수 있는 분사 노즐과, 상기 웨이퍼 척 내부에 배치되어 발열됨으로써 상기 반도체 웨이퍼를 승온시켜줄 수 있는 히터가 구비된다.
그러나, 종래의 반도체 제조용 세정 장치에서는, 웨이퍼 척의 몸체 내부에 단순히 저항 열선 방식의 히터가 내장된 방식으로 구성되었는데, 이러한 저항 열선 방식의 히터는 요구 온도까지 승온되기까지 걸리는 승온 시간이 매우 길어 즉각적인 열 응답성이 떨어지게 되고, 내구성이 떨어지며, 열 효율이 떨어져서 에너지 소모가 큰 문제가 있었다.
공개특허 제 10-2008-0020031호, 공개일자: 2008.03.05., 발명의 명칭: 반도체 세정 설비 및 그의 퀵 드레인 제어 방법 등록특허 제 10-0413067호, 등록일자: 2003.12.15., 발명의 명칭: 반도체 제조 장비의 웨이퍼 세정 장비 등록특허 제 10-0625307호, 등록일자: 2006.09.11., 발명의 명칭: 반도체 기판 세정 장치
본 발명은 웨이퍼 척에 내장된 발열체가 요구 온도까지 승온되기까지 걸리는 승온 시간이 상대적으로 짧아져서 열 응답성이 상대적으로 우수하고, 상기 발열체의 내구성이 좋으며, 상기 발열체의 열 효율이 좋아 에너지 소모가 감소될 수 있는 반도체 제조용 세정 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 반도체 제조용 세정 장치는 외부에 대하여 밀폐되는 챔버 케이스; 상기 챔버 케이스 내에 배치되어, 세정 대상인 반도체 웨이퍼가 올려지는 웨이퍼 척; 및 상기 챔버 케이스 내의 상기 웨이퍼 척 상공에 배치되어, 상기 웨이퍼 척에 올려진 상기 반도체 웨이퍼를 향해 세정액을 분사할 수 있는 세정 부재;를 포함하고, 상기 웨이퍼 척은 상기 반도체 웨이퍼가 그 상단에 올려지는 척 몸체와, 상기 척 몸체 상에 올려진 상기 반도체 웨이퍼가 승온될 수 있도록, 상기 척 몸체에 구비되고, 전기전도성 물질로 이루어져서 발열할 수 있는 전기전도성 물질 발열체를 포함하는 것을 특징으로 하는 것으로서,
상기 반도체 제조용 세정 장치는 상기 척 몸체 내에 설치되어, 상기 척 몸체가 기울어졌는지 여부를 감지하는 균형 감지 부재;를 더 포함하고,
상기 균형 감지 부재는 상기 척 몸체에 설치되고 내부가 빈 원형 실린더 형태로 형성되는 균형 감지 부재 케이스와, 상기 균형 감지 부재 케이스 내부의 상단에서 반구형으로 돌출되는 회동 연결 링과, 상기 회동 연결 링에 회동 가능하게 걸려 중력 방향으로 향하도록 회동될 수 있고 상기 회동 연결 링과 멀어지는 말단부 쪽으로 갈수록 상대적으로 점차 커지도록 형성되는 회동체와, 상기 회동체의 말단부에 배치되는 회동 마그넷과, 상기 균형 감지 부재 케이스의 내부의 저면에 배치되어 상기 회동체에 매달려 회동되는 상기 회동 마그넷의 자력 변화를 감지하는 균형 감지 센서 홀 센서와, 상기 균형 감지 부재 케이스의 내부의 하측면에 배치되어 상기 회동체에 매달려 회동되는 상기 회동 마그넷의 접촉을 감지할 수 있는 균형 감지 센서 접촉 센서를 포함하고,
상기 회동체와 상기 회동 마그넷은 자중에 의해 상기 회동 연결 링에 연결된 상태로 항상 중력 방향을 향하게 되고, 상기 균형 감지 센서 홀 센서는 상기 균형 감지 부재 케이스의 내부의 저면 상의 중앙과 그 양 측으로 일정 간격 이격되도록 세 개 이상으로 설치되고,
상기 척 몸체가 정상적인 자세를 유지하는 동안, 상기 회동 마그넷은 상기 균형 감지 센서 홀 센서 중 중앙의 것에 의해 감지되는 상태를 유지하고, 상기 척 몸체가 임의로 기울어지기 시작하면, 상기 척 몸체의 기울어지는 정도만큼 상기 회동체가 중력에 의해 회동되면서 상기 회동 마그넷의 위치가 변동됨에 따라 상기 균형 감지 센서 홀 센서에 의해 감지되는 자력이 변화됨으로써, 상기 척 몸체의 기울어지기 시작함이 감지될 수 있고, 상기 척 몸체가 최대값으로 기울어지면, 상기 회동 마그넷의 위치 변동에 따른 자력 변화 최대값이 상기 균형 감지 센서 홀 센서에 의해 감지됨과 함께, 상기 회동 마그넷이 상기 균형 감지 센서 접촉 센서와 접촉됨으로써, 상기 척 몸체의 최대 기울어짐이 감지될 수 있게 되는 것을 특징으로 한다.
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본 발명의 일 측면에 따른 반도체 제조용 세정 장치에 의하면, 반도체 제조용 세정 장치가 챔버 케이스와, 웨이퍼 척과, 세정 부재를 포함하고, 상기 웨이퍼 척이 전기전도성 물질 발열체를 포함함에 따라, 저전압에서도 수초 안에 급속 승온이 가능한 전기전도성 물질 특성 상, 상기 웨이퍼 척 및 상기 전기전도성 물질 발열체가 요구 온도까지 승온되기까지 걸리는 승온 시간이 상대적으로 짧아져서 열 응답성이 상대적으로 우수하고, 상기 전기전도성 물질 발열체의 내구성이 좋아지며, 상기 전기전도성 물질 발열체의 열 효율이 좋아 에너지 소모가 감소될 수 있게 되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치의 구조를 개략적으로 보이는 도면.
도 2는 도 1에 도시된 A부분에 대한 확대도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치의 웨이퍼 척의 구조를 보이는 평면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치에 적용된 균형 감지 부재를 보이는 단면도.
도 5는 도 4에 도시된 균형 감지 부재가 일부 기울어짐을 감지한 모습을 보이는 단면도.
도 6은 도 5에 도시된 균형 감지 부재가 완전 처짐을 감지한 모습을 보이는 단면도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치의 웨이퍼 척의 일부를 확대한 도면.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치의 웨이퍼 척의 일부를 확대한 도면.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 제조용 세정 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치의 구조를 개략적으로 보이는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 A부분에 대한 확대도이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치의 웨이퍼 척의 구조를 보이는 평면도이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치에 적용된 균형 감지 부재를 보이는 단면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 균형 감지 부재가 일부 기울어짐을 감지한 모습을 보이는 단면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 균형 감지 부재가 완전 처짐을 감지한 모습을 보이는 단면도이다.
도 1 내지 도 6을 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치(100)는 챔버 케이스(110)와, 웨이퍼 척(140)과, 세정 부재(111)를 포함하고, 세정 대상인 반도체 웨이퍼에 대한 세정 공정을 수행할 수 있는 것이다.
상기 챔버 케이스(110)는 상기 웨이퍼 척(140), 상기 세정 부재(111) 등의 구성요소가 내부에 수용되고, 외부에 대하여 밀폐되는 것이다.
상기 웨이퍼 척(140)은 상기 챔버 케이스(110) 내에 배치되어, 세정 대상인 상기 반도체 웨이퍼가 그 상단에 올려지는 것이다.
상세히, 상기 웨이퍼 척(140)은 척 몸체(141)와, 전기전도성 물질 발열체(145)를 포함한다.
상기 척 몸체(141)는 상기 반도체 웨이퍼가 그 상단에 올려지는 것으로, 일정 면적의 넓은 플레이트 형태로 형성되고, 세라믹, 알루미늄, 수지류 등의 열전도체로 이루어질 수 있다.
상기 전기전도성 물질 발열체(145)는 상기 척 몸체(141) 상에 올려진 상기 반도체 웨이퍼가 승온될 수 있도록, 상기 척 몸체(141)에 구비되고, 전기전도성 물질로 이루어져서 발열할 수 있는 것이다.
한편, 상기 웨이퍼 척(140)은 상기 척 몸체(141)의 상단으로부터 일정 높이 상에 상기 반도체 웨이퍼(10)가 위치되도록 상기 척 몸체(141)로부터 돌출되어 상기 반도체 웨이퍼(10)를 받쳐주는 척 핀(142)을 포함한다.
본 실시예에서는, 상기 전기전도성 물질 발열체(145)는 상기 척 몸체(141)의 내부에 배치된다.
상기 전기전도성 물질 발열체(145)가 상기 척 몸체(141)의 내부에 배치되어 상기 척 몸체(141)를 가열함으로써, 상기 척 몸체(141)의 열기가 상기 척 핀(142)에 의해 받쳐진 상기 반도체 웨이퍼(10)에 전달되어 상기 반도체 웨이퍼(10)가 승온될 수 있게 된다.
상세히, 상기 전기전도성 물질 발열체(145)는 상기 척 몸체(141)의 대략 중앙부 상에 넓게 펼쳐진 형태로 발열을 위한 나선형 형태, 지그재그 형태 등의 패턴을 형성하면서 배치된다. 그러면, 상기 전기전도성 물질 발열체(145)를 기준으로, 상기 척 몸체(141)가 하부와 상부로 구획될 수 있다.
여기서, 상기 전기전도성 물질 발열체(145)를 기준으로, 상기 척 몸체(141)의 하부는 알루미늄 또는 스테인리스로 이루어질 수 있고, 상기 척 몸체(141)의 상부는 알루미늄으로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 전기전도성 물질 발열체(145)는 상기 척 몸체(141)에 구비되기 전에 미리 패턴화된 상태로 상기 척 몸체(141)에 구비되거나, 상기 척 몸체(141)에 전기전도성 물질가 도포된 상태로 패터닝되어 형성될 수 있다.
상기 전기전도성 물질 발열체(145)는 수지 기반 또는 금속체 기반 상에 전기전도성 물질(탄소나노튜브(carbon nanotube), 그래핀, 흑연, 그라파이트 중 하나인 카본 함유 물질, 알루미늄, 알루미늄 이외의 금속체 물질)이 전면에 도포 또는 특정 패턴 형상으로 도포되거나, 상기 척 몸체(141) 자체에 도포되어 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 전기전도성 물질 발열체(145)는 상기 척 몸체(141)에 구비되기 전에 미리 패턴화된 상태로 상기 척 몸체(141)에 구비되거나, 상기 척 몸체(141)에 전기전도성 물질이 도포된 상태로 패터닝되어 형성될 수 있다.
한편, 상기 반도체 제조용 세정 장치(100)는 상기 척 몸체(141) 내에 설치되어, 상기 척 몸체(141)가 기울어졌는지 여부를 감지하는 균형 감지 부재(160)를 포함한다.
상세히, 상기 균형 감지 부재(160)는 상기 척 몸체(141)에 설치되고 내부가 빈 원형 실린더 형태로 형성되는 균형 감지 부재 케이스(161)와, 상기 균형 감지 부재 케이스(161) 내부의 상단에서 반구형으로 돌출되는 회동 연결 링(162)과, 상기 회동 연결 링(162)에 회동 가능하게 걸려 중력 방향으로 향하도록 회동될 수 있고 상기 회동 연결 링(162)과 멀어지는 말단부 쪽으로 갈수록 상대적으로 점차 커지도록 형성되는 회동체(163)와, 상기 회동체(163)의 말단부에 배치되는 회동 마그넷(164)과, 상기 균형 감지 부재 케이스(161)의 내부의 저면에 배치되어 상기 회동체(163)에 매달려 회동되는 상기 회동 마그넷(164)의 자력 변화를 감지하는 균형 감지 센서 홀 센서(166)와, 상기 균형 감지 부재 케이스(161)의 내부의 하측면에 배치되어 상기 회동체(163)에 매달려 회동되는 상기 회동 마그넷(164)의 접촉을 감지할 수 있는 압력 감지 센서 등의 균형 감지 센서 접촉 센서(165)를 포함한다.
상기 회동체(163)와 상기 회동 마그넷(164)은 자중에 의해 상기 회동 연결 링(162)에 연결된 상태로 항상 중력 방향을 향하게 된다.
감지 효과를 증진하기 위하여, 상기 균형 감지 센서 홀 센서(166)는 상기 균형 감지 부재 케이스(161)의 내부의 저면 상의 중앙과 그 양 측으로 일정 간격 이격되도록 세 개 이상으로 설치된다.
상기 척 몸체(141)가 정상적인 자세를 유지하는 동안, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 회동 마그넷(164)은 상기 균형 감지 센서 홀 센서(166) 중 중앙의 것에 의해 감지되는 상태를 유지한다.
그러다가, 상기 척 몸체(141)가 임의로 기울어지기 시작하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 척 몸체(141)의 기울어지는 정도만큼 상기 회동체(163)가 중력에 의해 회동되면서 상기 회동 마그넷(164)의 위치가 변동됨에 따라 상기 균형 감지 센서 홀 센서(166)에 의해 감지되는 자력이 변화됨으로써, 상기 척 몸체(141)의 기울어지기 시작함이 감지될 수 있다.
상기 척 몸체(141)가 최대값으로 기울어지면, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 회동 마그넷(164)의 위치 변동에 따른 자력 변화 최대값이 상기 균형 감지 센서 홀 센서(166)에 의해 감지됨과 함께, 상기 회동 마그넷(164)이 상기 균형 감지 센서 접촉 센서(165)와 접촉됨으로써, 상기 척 몸체(141)의 최대 기울어짐이 감지될 수 있게 된다.
상기 세정 부재(111)는 상기 챔버 케이스(110) 내의 상기 웨이퍼 척(140) 상공에 배치되어, 외부로부터 세정액을 공급받아 상기 웨이퍼 척(140)에 올려진 상기 반도체 웨이퍼를 향해 세정액을 분사할 수 있는 것이다.
도면 번호 120은 상기 웨이퍼 척(140)을 회전시켜줄 수 있는 척 회전 부재이고, 도면 번호 150은 상기 챔버 케이스(110) 내부로 외부 공기를 인입시키되 그 외부 공기 중의 이물질을 필터링해준 다음 상기 챔버 케이스(110) 내부로 하강 기류를 형성하는 팬 필터 부재이고, 도면 번호 112는 상기 팬 필터 부재(150)에 의해 하강되었던 기류를 외부로 배출해주는 배기구이다.
도면 번호 130은 상기 웨이퍼 척(140)의 주변을 감싼 형태로 형성되어, 상기 척 회전 부재(120)에 의해 회전되는 상기 웨이퍼 척(140) 상의 상기 반도체 웨이퍼(10)에 묻어 있던 세정액이 세정 완료 후 원심력에 의해 상기 반도체 웨이퍼(10)에서 이탈되어 수용되는 세정액 환수 부재이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치(100)의 작동에 대하여 간단히 설명한다.
상기 반도체 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 척(140)의 상기 척 핀(142) 상에 올려져 지지된 상태에서, 상기 척 회전 부재(120)가 작동되면, 상기 웨이퍼 척(140)이 회전되면서 상기 반도체 웨이퍼(10)도 회전된다.
이러한 상태에서, 상기 세정 부재(111)를 통해 세정액이 분사되고, 그에 따라 상기와 같이 분사된 세정액에 의해 상기 반도체 웨이퍼(10)가 회전되면서 세정된다.
상기와 같이 상기 반도체 웨이퍼(10)를 세정한 세정액은 상기 세정액 환수 부재(130)에 수용된다.
이러한 세정 공정 중에, 상기 전기전도성 물질 발열체(145)가 발열됨으로써, 상기 웨이퍼 척(140) 상에 올려진 상기 반도체 웨이퍼(10)가 승온될 수 있게 된다.
상기와 같이, 상기 반도체 제조용 세정 장치(100)가 상기 챔버 케이스(110)와, 상기 웨이퍼 척(140)과, 상기 세정 부재(111)를 포함하고, 상기 웨이퍼 척(140)이 상기 전기전도성 물질 발열체(145)를 포함함에 따라, 저전압에서도 수초 안에 급속 승온이 가능한 전기전도성 물질 특성 상, 상기 웨이퍼 척(140) 및 상기 전기전도성 물질 발열체(145)가 요구 온도까지 승온되기까지 걸리는 승온 시간이 상대적으로 짧아져서 열 응답성이 상대적으로 우수하고, 상기 전기전도성 물질 발열체(145)의 내구성이 좋아지며, 상기 전기전도성 물질 발열체(145)의 열 효율이 좋아 에너지 소모가 감소될 수 있게 된다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예들에 따른 반도체 제조용 세정 장치에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서 상기된 본 발명의 제 1 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치의 웨이퍼 척의 일부를 확대한 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에서는, 전기전도성 물질 발열체(245)가 척 핀(242)의 하부 공간에 해당되는 척 몸체(241)의 상부에 배치된다.
상기와 같이 구성되면, 상기 전기전도성 물질 발열체(245)가 상기 척 몸체(241)의 상단면에 얹히는 반도체 웨이퍼(10)에 상대적으로 더 근접된 상태로 발열될 수 있으므로, 열전달 효율이 더욱 향상될 수 있게 된다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반도체 제조용 세정 장치의 웨이퍼 척의 일부를 확대한 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에서는, 전기전도성 물질 발열체(345, 346)가 척 몸체(341)의 내부는 물론, 척 핀(342)의 하부 공간에 해당되는 상기 척 몸체(341)의 상부에 듀얼(dual)로 배치된다.
상기와 같이 구성되면, 상기 전기전도성 물질 발열체(345, 346) 중 상부에 배치된 것이 상기 척 몸체(341)의 상단면에 얹히는 반도체 웨이퍼(10)에 상대적으로 더 근접된 상태로 발열될 수 있으므로, 열전달 효율이 더욱 향상될 수 있게 됨과 함께, 상기 전기전도성 물질 발열체(345, 346) 중 하부에 배치된 것에 의해 상대적으로 더 급속 승온이 가능해질 수 있게 된다.
상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 반도체 제조용 세정 장치에 의하면, 웨이퍼 척에 내장된 발열체가 요구 온도까지 승온되기까지 걸리는 승온 시간이 상대적으로 짧아져서 열 응답성이 상대적으로 우수하고, 상기 발열체의 내구성이 좋으며, 상기 발열체의 열 효율이 좋아 에너지 소모가 감소될 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.
100 : 반도체 제조용 세정 장치
110 : 챔버 케이스
111 : 세정 부재
140 : 웨이퍼 척
141 : 척 몸체
145 : 전기전도성 물질 발열체

Claims (5)

  1. 외부에 대하여 밀폐되는 챔버 케이스; 상기 챔버 케이스 내에 배치되어, 세정 대상인 반도체 웨이퍼가 올려지는 웨이퍼 척; 및 상기 챔버 케이스 내의 상기 웨이퍼 척 상공에 배치되어, 상기 웨이퍼 척에 올려진 상기 반도체 웨이퍼를 향해 세정액을 분사할 수 있는 세정 부재;를 포함하고,
    상기 웨이퍼 척은 상기 반도체 웨이퍼가 그 상단에 올려지는 척 몸체와, 상기 척 몸체 상에 올려진 상기 반도체 웨이퍼가 승온될 수 있도록, 상기 척 몸체에 구비되고, 전기전도성 물질로 이루어져서 발열할 수 있는 전기전도성 물질 발열체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 세정 장치로서,
    상기 반도체 제조용 세정 장치는
    상기 척 몸체 내에 설치되어, 상기 척 몸체가 기울어졌는지 여부를 감지하는 균형 감지 부재;를 더 포함하고,
    상기 균형 감지 부재는
    상기 척 몸체에 설치되고 내부가 빈 원형 실린더 형태로 형성되는 균형 감지 부재 케이스와,
    상기 균형 감지 부재 케이스 내부의 상단에서 반구형으로 돌출되는 회동 연결 링과,
    상기 회동 연결 링에 회동 가능하게 걸려 중력 방향으로 향하도록 회동될 수 있고 상기 회동 연결 링과 멀어지는 말단부 쪽으로 갈수록 상대적으로 점차 커지도록 형성되는 회동체와,
    상기 회동체의 말단부에 배치되는 회동 마그넷과,
    상기 균형 감지 부재 케이스의 내부의 저면에 배치되어 상기 회동체에 매달려 회동되는 상기 회동 마그넷의 자력 변화를 감지하는 균형 감지 센서 홀 센서와,
    상기 균형 감지 부재 케이스의 내부의 하측면에 배치되어 상기 회동체에 매달려 회동되는 상기 회동 마그넷의 접촉을 감지할 수 있는 균형 감지 센서 접촉 센서를 포함하고,
    상기 회동체와 상기 회동 마그넷은 자중에 의해 상기 회동 연결 링에 연결된 상태로 항상 중력 방향을 향하게 되고,
    상기 균형 감지 센서 홀 센서는 상기 균형 감지 부재 케이스의 내부의 저면 상의 중앙과 그 양 측으로 일정 간격 이격되도록 세 개 이상으로 설치되고,
    상기 척 몸체가 정상적인 자세를 유지하는 동안, 상기 회동 마그넷은 상기 균형 감지 센서 홀 센서 중 중앙의 것에 의해 감지되는 상태를 유지하고,
    상기 척 몸체가 임의로 기울어지기 시작하면, 상기 척 몸체의 기울어지는 정도만큼 상기 회동체가 중력에 의해 회동되면서 상기 회동 마그넷의 위치가 변동됨에 따라 상기 균형 감지 센서 홀 센서에 의해 감지되는 자력이 변화됨으로써, 상기 척 몸체의 기울어지기 시작함이 감지될 수 있고,
    상기 척 몸체가 최대값으로 기울어지면, 상기 회동 마그넷의 위치 변동에 따른 자력 변화 최대값이 상기 균형 감지 센서 홀 센서에 의해 감지됨과 함께, 상기 회동 마그넷이 상기 균형 감지 센서 접촉 센서와 접촉됨으로써, 상기 척 몸체의 최대 기울어짐이 감지될 수 있게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 세정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척은
    상기 척 몸체의 상단으로부터 일정 높이 상에 상기 반도체 웨이퍼가 위치되도록 상기 척 몸체로부터 돌출되어 상기 반도체 웨이퍼를 받쳐주는 척 핀을 포함하고,
    상기 전기전도성 물질 발열체는 상기 척 몸체의 내부에 배치되어 상기 척 몸체를 가열함으로써, 상기 척 몸체의 열기가 상기 척 핀에 의해 받쳐진 상기 반도체 웨이퍼에 전달되어 상기 반도체 웨이퍼가 승온될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 세정 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척은
    상기 척 몸체의 상단으로부터 일정 높이 상에 상기 반도체 웨이퍼가 위치되도록 상기 척 몸체로부터 돌출되어 상기 반도체 웨이퍼를 받쳐주는 척 핀을 포함하고,
    상기 전기전도성 물질 발열체는 상기 척 핀의 하부 공간에 해당되는 상기 척 몸체의 상부에 배치되어 상기 척 몸체를 가열함으로써, 상기 척 몸체의 열기가 상기 척 핀에 의해 받쳐진 상기 반도체 웨이퍼에 전달되어 상기 반도체 웨이퍼가 승온될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 세정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척은
    상기 척 몸체의 상단으로부터 일정 높이 상에 상기 반도체 웨이퍼가 위치되도록 상기 척 몸체로부터 돌출되어 상기 반도체 웨이퍼를 받쳐주는 척 핀을 포함하고,
    상기 전기전도성 물질 발열체는 상기 척 몸체의 내부 및 상기 척 핀의 하부 공간에 해당되는 상기 척 몸체의 상부에 듀얼(dual)로 배치되어 상기 척 몸체를 가열함으로써, 상기 척 몸체의 열기가 상기 척 핀에 의해 받쳐진 상기 반도체 웨이퍼에 전달되어 상기 반도체 웨이퍼가 승온될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 세정 장치.
  5. 삭제
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