KR20220110382A - 기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛 Download PDF

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김희환
이지영
장소영
이강석
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 컵과; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하며, 회전 가능한 지지판을 포함하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 약액을 토출하는 액 토출 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은: 상기 지지판과 결합되며 상기 지지판의 상부면과 상기 기판을 소정거리 이격시키며 상기 기판의 측면을 지지하는 척킹핀과; 상기 지지판의 상기 상부면의 하부에 접촉하며 도전성 물질로 제공되는 배선을 포함하고, 상기 배선은 접지 또는 교류 전원과 연결된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND UNIT FOR SUPPORTING SUBSTRATE}
본 발명은 웨이퍼와 같은 기판을 처리하는 장치 및 기판 지지 유닛에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스는 기판상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정들이 요구된다.
이들 공정 중 식각 공정은 기판상에 형성된 막질을 제거하는 공정이고, 세정 공정은 반도체 제조를 위한 각 단위 공정의 진행 후 기판 표면에 잔류하는 오염 물질을 제거하는 공정이다. 식각 공정 및 세정 공정은 공정 진행 방식에 따라 습식 방식과 건식 방식으로 분류되며, 습식 방식은 배치 타입의 방식과 스핀 타입의 방식으로 분류된다.
스핀 타입의 방식은 한 장의 기판을 처리할 수 있는 지지 유닛에 기판을 고정한 후, 기판을 회전시키면서 액 공급 노즐을 통해 기판에 약액(예컨대, 식각액, 세정액 또는 린스액)를 공급하여, 원심력에 의해 약액을 기판의 전면으로 퍼지게 함으로써 기판을 세정 처리하며, 기판의 세정 처리 후에는 다양한 방법으로 기판을 건조한다.
스핀 타입 처리 장치에서 기판 세정은 기판을 회전하면서 처리하게 되는데, 회전 중에 기판에 공급되는 약액 및 기타 원인에 의해 정전기가 발생된다. 이와 같은 정전기는 장비 구동과 기판에 악영향(예컨대, arcing damage 또는 파티클 재부착 등)을 미친다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 척킹핀과 회전축을 도전라인으로 연결하여 기판에 대전되는 전하를 척킹핀과 회전축을 통해 외부로 방출시킴으로써, 아킹 데미지로 인한 기판 손상 및 정전기로 인한 파티클 재부착 등의 현상을 방지하여 왔다. 이러한 방법은 척킹핀을 통해 기판의 정전기 제거가 가능하지만, 기판과 대면하는 지지 유닛의 상판이 대전되어 있는 상황에서 접지된 척킹핀과 기판이 떨어지게 되면 정전 유도 현상이 다시 발생하게 되는 문제가 있다.
본 발명은 기판 처리 효율을 증대시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 약액과 직접 접촉하지 않고 정전기 제거가 가능한 기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 기판 지지 유닛의 상판에 대전된 정전기 제거가 가능한 기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 컵과; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하며, 회전 가능한 지지판을 포함하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 약액을 토출하는 액 토출 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은: 상기 지지판과 결합되며 상기 지지판의 상부면과 상기 기판을 소정거리 이격시키며 상기 기판의 측면을 지지하는 척킹핀과; 상기 지지판의 상기 상부면의 하부에 접촉하며 도전성 물질로 제공되는 배선을 포함하고, 상기 배선은 접지 또는 교류 전원과 연결된다.
일 실시 예에 있어서, 상기 척킹핀은 도전성 부재로 제공되고, 상기 도전성 부재는 접지되도록 제공되며, 상기 배선은 상기 척킹핀과 전기적으로 연결되어 접지될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 배선은 상기 지지판의 상기 상부면에 제공되는 다른 구성들을 피해 분포되어 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 지지 유닛은: 상기 지지판으로부터 돌출되며 상기 지지판에 지지된 기판을 하부에서 지지하는 복수개의 지지핀을 더 포함하고, 상기 배선은 상기 지지판에서 상기 지지핀이 관통하는 관통홀을 피해 분포되어 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 배선은 상기 지지판의 상기 상부면의 하부에 인쇄되어 제공된 것일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 척킹핀과 상기 접지 사이에 제공되는 접지경로에는 nA(나노 암페어)단위 또는 그 이하의 전류를 측정할 수 있는 고감도 소자로 제공되는 전류 검출기가 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제어기를 더 포함하고, 상기 전류 검출기는, 상기 기판에 상기 약액이 공급되는 중에 실시간으로 전류값을 검출하고, 상기 제어기는 검출된 전류값에 따라 상기 배선으로 인가하는 교류 전압을 상이하게 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치에 제공되어 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 지지 유닛은, 회전 가능하게 제공되는 지지판과; 상기 지지판과 결합되며 상기 지지판의 상부면과 상기 기판을 소정거리 이격시키며 상기 기판의 측면을 지지하는 척킹핀과; 상기 지지판의 상기 상부면의 하부에 접촉하며 도전성 물질로 제공되는 배선을 포함하고, 상기 배선은 접지 또는 교류 전원과 연결된다.
일 실시 예에 있어서, 상기 척킹핀은 도전성 부재로 제공되고, 상기 도전성 부재는 접지되도록 제공되며, 상기 배선은 상기 척킹핀과 전기적으로 연결되어 접지될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 배선은 상기 지지판의 상기 상부면에 제공되는 다른 구성들을 피해 분포되어 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 지지판으로부터 돌출되며 상기 지지판에 지지된 기판을 하부에서 지지하는 복수개의 지지핀을 포함하고, 상기 배선은 상기 지지판에서 상기 지지핀이 관통하는 관통홀을 피해 분포되어 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 배선은 상기 지지판의 상기 상부면의 하부에 인쇄되어 제공된 것일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 척킹핀과 상기 접지 사이에 제공되는 접지경로에는 nA(나노 암페어)단위 또는 그 이하의 전류를 측정할 수 있는 고감도 소자로 제공되는 전류 검출기가 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제어기를 더 포함하고, 상기 전류 검출기는, 상기 기판의 처리 중에 실시간으로 전류값을 검출하고, 상기 제어기는 검출된 전류값에 따라 상기 배선으로 인가하는 교류 전압을 상이하게 제공될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 기판 처리 효율을 증대시킬 수 있다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 약액과 직접 접촉하지 않고 정전기 제거가 가능하다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 기판 지지 유닛의 상판에 대전된 정전기 제거가 가능하다.본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치에 제공되는 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치에 제공되는 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 내부를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 2의 기판 처리 장치에 제공되는 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 상판에 제공되는 접지 패턴이 도시된 평면도이다.
도 6은 도 4의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛에 있어서, 접지 패턴을 통해 상판에 대전된 전하가 방출되는 방향을 도시한 것이다.
도 7은 도 2의 기판 처리 장치에 제공되는 다른 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 내부를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술하는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 공지된 구성에 대한 일반적인 설명은 본 발명의 요지를 흐리지 않기 위해 생략될 수 있다. 본 발명의 도면에서 동일하거나 상응하는 구성에 대하여는 가급적 동일한 도면부호가 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다", "가지다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
아래에서는, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장 및 축소된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하며, 제1 방향(12)과 제2 방향(14)을 포함한 평면에 수직하여 상승하는 방향을 제3 방향(16)이라 칭한다.
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭이 되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3 방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240)의 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수개 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220)간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2 방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스 아암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스 아암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스 아암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스 아암(144c)들은 제3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스 아암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1 방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인 아암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인 아암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인 아암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인 아암(244c)들은 제3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(3000)가 제공된다. 기판 처리 장치(3000)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(3000)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(3000)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(3000)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송 챔버(240)의 일측에는 제1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 양측에서 하층에는 제1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1 그룹의 공정 챔버(260)와 제2 그룹의 공정 챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, '방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제1 그룹의 공정 챔버(260)와 제2 그룹의 공정 챔버(260)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 제1 그룹의 공정 챔버(260)에서 케미컬 처리 공정 또는 린스 공정이 수행되고, 제2 그룹의 공정 챔버(260)에서 린스 공정 또는 건조 공정이 수행될 수 있다.
아래에서는 약액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 처리 장치(3000)의 일 실시예를 설명한다. 기판 처리 장치(3000)는 기판을 액처리한다. 공급되는 약액은 인산 수용액, 황산 수용액, 불산, 순수(DIW), CO2를 포함하는 물 또는 IPA 등으로 제공될 수 있다.
도 2는 기판 처리 장치(3000)를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
기판 처리 장치(3000)는 공정 챔버(260)에 제공된다.
기판 처리 장치(3000)는 컵(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 그리고 액 토출 유닛(380)을 포함한다.
컵(320)은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 가지며, 그 상부는 개방된다. 컵(320)은 내부 회수통(322), 중간 회수통(324), 그리고 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,　324,　326)은 공정에 사용된 약액 중 서로 상이한 약액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간 회수통(324)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 중간 회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다.
내부 회수통(322)의 내측 공간(322a), 내부 회수통(322)과 중간 회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간 회수통(324)과 외부 회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322), 중간 회수통(324), 그리고 외부 회수통(326)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,　324,　326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수 라인(322b,　324b,　326b)이 연결된다. 각각의 회수 라인(322b,　324b,　326b)은 각각의 회수통(322,　324,　326)을 통해 유입된 약액을 배출한다. 배출된 약액은 외부의 약액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
승강 유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 컵(320) 이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동 축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(364)이 고정 결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 놓이거나, 지지 유닛(340)로부터 들어 올려 질 때 지지 유닛(340)이 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기 설정된 회수통(322, 324, 326)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 토출 유닛(380)은 기판 처리 공정 시 기판(W)으로 약액을 공급한다. 액 토출 유닛(380)은 지지축(386), 구동기(388), 노즐 지지대(382), 그리고 노즐(384)을 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3 방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐 지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 컵(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 컵(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다.
기판 처리 장치(3000)의 액 토출 유닛(380)은 액 저장 탱크(400)으로부터 액을 공급받을 수 있다. 액 저장 탱크(400)는 기판 처리 장치(3000)의 액 토출 유닛(380)에 연결되는 제1 공급 라인(410)에 연결된다. 제1 공급 라인(410)에는 개폐 밸브가 제공될 수 있다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치(3000)의 지지 유닛(340)을 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치(3000)의 지지 유닛(340)의 내부를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 3 및 도 4를 참조하여 기판 처리 장치(3000)의 지지 유닛(340)을 설명한다.
도 3과 도 4를 참조하면, 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지핀(344), 척킹핀(346), 척킹핀 이동 유닛(347), 그리고 회전축(348)을 가진다.
지지판(342)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면(342a)을 가진다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 가장자리 영역에서 지지판(342)의 상부면(342a)으로부터 위로 돌출된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 원주를 따라 일정 거리 이격되어 기판(W)의 저면 가장자리를 지지한다. 지지핀(344)들은 모두 동일한 형상 및 크기를 가진다. 지지핀(344)은 아래로 갈수록 점진적으로 지름이 증가하는 상부(344a)와 이로부터 아래로 연장되어 동일한 지름을 가지는 하부(344b)를 가진다. 지지핀(344)의 하부(344b) 저면에는 지지핀(344)의 길이 방향으로 연장되는 원통 형상의 돌출부(344c)가 제공된다. 돌출부(344c)의 지름은 지지핀(344)의 하부(344b) 지름보다 작게 제공된다. 지지핀(344)의 외부면은 전도성 재질로 코팅된다. 예컨대, 전도성 재질은 도전성을 갖는 세라믹류일 수 있다.
척킹핀(346)은 지지판(342)의 가장자리 영역에서 지지판(342)의 상부면(342a)으로부터 위로 돌출된다. 척킹핀(346)은 지지판(342)의 원주를 따라 일정거리 이격되게 위치한다. 또한, 척킹핀(346)은 지지판(342)의 중심으로부터 지지핀(344) 보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척킹핀(346)은 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척킹핀(346)들은 모두 동일한 형상 및 크기를 가진다. 척킹핀(346)은 지지부(346a), 중앙부(346c), 체결부(346e), 그리고 걸림부(346d)를 가진다. 지지부(346a)는 평평한 상면으로부터 아래로 갈수록 지름이 점진적으로 감소된 후 다시 아래로 갈수록 지름이 점직적으로 증가하는 형상을 가진다. 따라서 지지부(346a)는 정면에서 바라볼 때 안쪽으로 오목한 오목부(346b)를 가진다. 오목부(346b)에는 지지핀(344)에 놓인 기판(W)의 측부가 접촉된다. 중앙부(346c)는 지지부(346a)의 하단으로부터 이와 동일한 지름으로 아래 방향으로 연장된다. 체결부(346e)는 중앙부(346c)로부터 아래 방향으로 연장된다. 체결부(346e)에는 후술할 척킹핀 이동 유닛(347)과의 체결을 위한 나사홀이 형성된다. 걸림부(346d)는 중앙부(346c)로부터 외측으로 연장되며, 링 형상으로 제공된다. 걸림부(346d)는 지지판(342)의 상부면(342a)과 밀착되며, 척킹핀(346)들이 모두 동일한 높이로 돌출되도록 한다.
척킹핀(346)은 SIC세라믹, 카본 피에프에이(CARBON PFA), 카본 피크(CARBON PEEK), PTFE 등 내식성, 내화성, 내열성을 갖춘 소재일 수 있다.
척킹핀 이동 유닛(347)은 척킹핀(346)을 지지 위치와 대기 위치로 이동시킨다. 지지 위치는 공정 진행 시 척킹핀(346)들이 기판(W)의 측부와 접촉되는 위치이고, 대기 위치는 기판(W)이 지지 유닛(340)에 놓일 수 있도록 기판(W)보다 넓은 공간을 제공하는 위치이다. 따라서 지지 위치는 대기 위치에 비해 지지판(342)의 중앙에 더 가까운 위치이다. 척킹핀 이동 유닛(347)은 하나의 척킹핀(346)과 결합되는 이동 로드(347a)를 포함하며, 이동 로드(347a)는 지지판(342)의 반경 방향과 동일한 방향으로 지지판(342) 내에 배치된다. 척킹핀(346)과 이동 로드(347a)는 나사 결합될 수 있다.
회전축(348)은 지지판(342)의 저면과 고정 결합되어 지지판(342)을 지지하고 지지판(342)을 회전시킨다. 회전축(348)은 중공의 원통 형상으로 제공된다. 회전축(348)은 컵(320)의 바닥면에 형성된 개구를 통해 컵(320)의 외부까지 돌출된다. 외부로 돌출된 회전축(348)의 하단은 모터(349)와 고정 결합된다. 모터(349)는 회전축(348)에 회전력을 제공하고, 이에 의해 회전축(348)은 회전 가능하다.
지지판(342)의 상부면(342a)의 하부에는 도전성 물질로 제공되는 배선(343)이 제공된다. 도전성 물질은 금속, 세라믹, 투명전극 등일 수 있다. 배선(343)은 상부면(342a)과 붙어 있다(접촉해있다). 배선(343)은 상부면(342a)의 하부에 인쇄 방식으로 형성될 수 있다. 배선(343)은 접지된다. 일 예에 있어서, 배선(343)은 척킹핀(346)과 전기적으로 연결되어 척킹핀(346)이 접지되는 라인을 따라 접지된다.
도 5는 도 2의 기판 처리 장치에 제공되는 기판 지지 유닛(340)의 상판에 제공되는 접지 패턴이 도시된 평면도이다. 도 5를 참조하면, 배선(343)은 상부면(342a)의 하부에 되도록이면 넓은 면적으로 분포되도록 형성되는 것이 바람직하다. 배선(343)은 상부면(342a)에 제공되는 다른 구성들(예컨대, 지지핀(344)이 관통되는 홀 등)을 피하여 형성될 수 있다. 배선(343)은 연결된 하나의 배선으로 형성될 수 있으며, 복수개의 배선으로 제공될 수도 있다. 배선(343)이 복수개 형성되는 경우에 복수개의 배선(343) 각각은 각각의 척킹핀(346)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6은 도 4의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛(340)에 있어서, 접지 패턴을 통해 상판에 대전된 전하가 방출되는 방향을 도시한 것이다. 도 6을 참조하면, 배선(343)은 지지판(342)의 상부면(342a)에 대전된 전하를 접지라인으로 배출하여 정전기를 제거한다.
다시 도 4를 참조하면, 상부면(342a)의 두께(d)에 따라 상부면(342a)에 누적되는 전하량이 상이할 수 있다. 상부면(342a)의 두께(d)를 조절하여 상부면(342a)의 표면에 대전되는 정전기가 배선(343)을 통해 제거될 수 있다.
접지선(345)은 척킹핀(346)에 연결된다. 척킹핀(346)은 접지선(345)을 통해 기판(W) 또는 약액(L)에 대전된 전하를 외부로 방출시킨다. 접지선(345)은 도전성 재질로 제공된다. 접지선(345)은 이동 로드(347a)의 내부에 제공될 수 있다. 접지선(345)은 접지핀(349a)에 연결될 수 있다. 접지핀(349a)은 모터(349)와 전기적으로 연결된다. 접지핀(349a)은 모터(349)와 연결되어 기판(W)에 발생된 전하를 외부로 방출한다. 이로 인해 기판(W)에 대전된 전하는 척킹핀(346), 접지선(345), 접지핀(349a)을 통해 외부로 방출된다. 접지핀(349a)의 하류에는 전류 검출기(600)가 설치될 수 있다. 전류 검출기(600)는 접지로 방출되는 전류량을 측정하는 것으로, 미세 전류를 측정할 수 있는 미세전류측정기로 제공될 수 있다. 예컨대, 전류 검출기(600)는 nA단위 또는 그 이하의 전류를 측정할 수 있는 고감도 소자로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 따라 전류 검출기(600)를 접지핀(349a)의 하류에 설치하였으나, 전류 검출기(600)는 접지선(345) 및/또는 접지선(351)에 설치될 수 있다. 또는 접지핀(349a)이 제공되지 않더라도, 전류 검출기(600)는 접지선(345) 및 접지선(351)의 합류되는 선에 설치될 수도 있다. 전류 검출기(600)는 측정된 전류값을 데이터 처리부(700)로 전달할 수 있다. 데이터 처리부(700)는 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory)을 포함할 수 있다. 데이터 처리부(700)는 전류 검출기(600)로부터 측정된 전류값을 출력부(미도시, 예컨대 디스플레이장치)를 통해 외부로 전달할 수 있다. 전류 검출기(600)는 실시간으로 전류를 검출하고, 데이터 처리부(700)는 실시간 데이터를 수신받아서 데이터를 처리할 수 있다.
지지핀 접지 부재(350)는 지지핀(344)을 통해 기판(W)에 대전된 전하를 외부로 방출시킨다. 지지핀 접지 부재(350)는 스프링(350a) 및 로드(350b)를 포함한다. 스프링(350a) 및 로드(350b)는 금속재질로 이루어진다. 로드(350b)는 지지판(342)의 반경방향으로 제공된다. 스프링(350a)의 일단은 지지핀(344)과 연결되고, 이의 타단은 로드(350b)와 연결된다. 로드(350b)는 접지선(351)을 통해 접지핀(349a)에 연결될 수 있다. 이로 인해 기판(W)에 대전된 전하는 지지핀(344), 스프링(350a), 로드(350b), 그리고 접지핀(349a)을 통해 외부로 방출된다. 상술한 바와 달리 스프링(350a)은 지지핀(344)을 감싸는 중공의 원통 형상일 수 있다. 이로 인해 스프링(350a)은 지지핀(344)과 접촉되는 면을 최대화시켜 기판(W)에 대전된 전하를 좀 더 효율적으로 방출할 수 있다. 또한, 로드(350b)는 스프링(350a) 없이 지지핀(344)과 직접 연결되어 기판(W)에 대전된 전하를 외부로 방출할 수 있다.
상술한 실시예와 달리, 척킹핀(346)은 접지되고 지지핀(344)은 접지가 제공되지 않을 수 있다. 일 실시 예에 있어서 지지핀(344)은 접지되고, , 척킹핀(346)은 접지가 제공되지 않을 수 있다.
하부 노즐(354)은 지지 유닛(340)에 놓인 기판(W)의 하면으로 약액이나 처리 가스를 공급한다. 기판(W)은 지지 유닛(340)의 상부면으로부터 일정 거리 이격되도록 지지 유닛(340) 상에 놓이며, 하부 노즐(354)은 지지 유닛(340)과 기판(W) 사이의 공간으로 약액이나 처리 가스를 공급한다. 하부 노즐(354)은 분사 헤드(354a)를 가진다. 분사 헤드(354a)는 상부로 볼록한 형상을 가지고 지지 유닛(340)로부터 상부로 돌출된다. 분사 헤드(354a)에는 복수의 토출구(354b, 354c)들이 형성된다. 토출구들은 복수의 약액들 중 어느 하나, 린스액, 이소프로필 알코올 증기나 질소 가스와 같은 건조 가스를 분사한다. 분사 헤드(354a)의 하단은 지지 유닛(340)의 중앙에 형성되어 있는 통공에 삽입된다. 노즐(384)과 하부 노즐(354)로부터 공급된 약액 및/또는 건조 가스는 지지 유닛(340)의 회전에 의해 기판(W)의 상면 또는 하면 중앙 영역에서부터 가장자리 영역으로 퍼지며, 기판(W)을 세정한다. 한편, 본 실시 예는 기판(W)의 양면 세정 장치에만 한정되는 것은 아니며, 기판(W)의 일면만 세정 가능한 세정 장치의 기판 회전 장치에도 동일하게 적용하는 것이 가능하다. 이 경우, 단면 세정 장치에서는 양면 세정 장치와는 달리 하부 노즐(354)은 구비되지 않으나, 상기 회전축(348) 내부를 관통하여 상기 기판(W) 배면으로 퍼지가스를 제공하는 퍼지부(미도시)가 구비될 수 있을 것이다.
하부 노즐(354)은 지지 유닛(340)의 상면 중앙에 설치된 제1 토출구(354b)를 포함한다. 제1 토출구(354b)는 순수 공급 라인(526)과 연결되어 지지 유닛(340)의 중앙부에 위치된다. 제1 토출구(354b)에서 분사되는 순수는 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 저면 중앙부에서 가장자리로 분산되면서 기판(W)의 저면을 세정한다.
하부 노즐(354)에 분사되는 순수는　가열된 상태로 공급될 수 있다. 이는 하부 노즐(354)에 의해 기판(W)의 저면이 세정되는 동안, 세정 효율을 향상시킬 뿐만 아니라 기판(W)을　가열하는 기능을 수행한다.
순수 공급 라인(526)은 순수 공급원(522)과 연결된다. 순수 공급원(522)에는　가열기(524)가 제공된다. 가열기(524)는 순수 공급원(522)에 저장된 순수를　가열할 수 있다. 이와 달리　가열기(524)는 순수 공급 라인(526) 상에 설치될 수 있다. 순수 공급 라인(526)은 그 일단이 순수 공급원(522)에 연결되고 타단이 제1 토출구(354b)에 연결된다. 순수 공급 라인(526)은 지지 유닛(340)의 중공 부분(hollow section)을 통과하여 제1 토출구(354b)와 연결된다. 한편, 순수 공급 라인(526)으로부터 분기되는 드레인 라인(미도시)을 더 포함할 수 있다.
순수 공급 라인(526)에는 온오프 밸브인 제1밸브(527)가 설치된다. 또한, 순수 공급 라인(526)에는 제1 토출구(354b)를 통해 토출된 직후 노즐에 남아 있는　가열된 순수를 역류시키는 서크백(SuckBack) 밸브(미도시)가 설치될 수 있다. 순수 공급 라인(526)은 소정의 배관으로 구성되는 것이 바람직하며, 지지 유닛(340)에서는 지지 유닛(340) 내부의 관 형태로 비어있는 공간으로도 정의될 수도 있다. 순수 공급 라인(526)에 정체되어 있는　가열된 순수는 시간이 지날수록 온도가 떨어진다. 낮은 온도의 순수가 기판으로 공급되는 경우, 그 기판(W)은 다른 기판(W)들에 대해 세정 효율이 저하될 수 있다. 드레인 라인(미도시)은 기판(W)의 저면으로 분사되는　가열된 순수의 공정 재연성을 확보하기 위해 순수 공급 라인(526)에 잔류하는 순수를 배출하기 위해 사용될 수 있다. 즉,　가열된 순수가 기판(W)의 저면으로 공급되기 전에 순수 공급 라인(526) 상에 정체되어 있는 순수는 일정 시간 동안 드레인되며, 그 이후에　가열기(524)에 의해 기 설정 온도로　가열된 순수만을 제1 토출구(354b)로 제공된다.
순수는 상온보다 높은 온도로　가열되어 기판(W)으로 공급될 수 있다. 선택적으로 순수는 기판(W)으로 공급되는 IPA보다 높은 온도로　가열되어 기판(W)으로 공급될 수 있다. 일 예에 의하면, 순수는 60-80
Figure pat00001
의 온도로 기판(W)의 저면으로 공급될 수 있다.
일 예에 의하면, 기판(W)의 상면으로 IPA가 공급되는 동안, 기판(W)의 저면으로 순수가 공급된다. 이로 인해 기판(W)의 상면에 대해 건조 공정이 수행되는 동안 기판(W)의 저면에 대해 세정 공정이 동시에 수행된다. 또한, 기판(W)의 상면으로 IPA가 공급되는 동안, 기판(W)의 저면으로 순수가　가열된 상태로 공급된다.　가열된 순수는 기판(W)을 건조시키는 공정을 진행함에 있어서, IPA 용액의 증발에 따른 응축 냉각에 의한 기판(W) 표면의 급격한 온도 저하를 방지한다. 즉, 기판(W)의 표면으로 IPA 용액 및 N2　가스를 분사하여 기판(W)을 건조시키는 동안,　가열된 순수를 기판(W)의 저면으로 분사하여 기판(W) 전체의 온도를 60-80
Figure pat00002
범위 내에서 일정하게 유지시키게 된다. 기판(W)의 저면으로 공급될 때 순수의 온도는 60-80
Figure pat00003
가 되도록,　가열기(524)는 이보다 조금 더 높은 온도로 순수를　가열한다. 이 온도는 건조 공정의 진행 상태에 따라 변할 수 있다.
또한, IPA는　가열된 상태로 기판(W)으로 공급될 때 건조 효과가 더 크다. 그러나 액상의 IPA 또는 그 혼합액을 공급시에 기판(W)으로 제공되는 IPA의 온도를 높이는 데에는 한계가 있다. 그러나 기판(W)의 상면으로 IPA가 공급되는 동안　가열된 순수를 기판(W)의 저면으로 공급하면, 기판(W)이　가열됨에 따라 고온의 IPA가 공급될 때와 유사한 효과를 얻을 수 있다. 물론 증기 상태의 IPA가 기판(W)의 상면으로 공급되는 경우에도 기판(W)의 저면으로　가열된 세정액을 공급하면, 상온의 세정액을 공급할 때에 비해 건조 효율이 증가된다.
또한, 건조 공정 동안　가열된 순수에 의해 기판(W)의 온도가 일정하게 유지됨으로써, 물반점 및 건조 불량에 따른 파티클의 발생을 방지할 수 있다.또한, 기판(W) 전체가 급격한 온도 저하 없이 일정 온도로 유지되어 IPA 용액에 의한 건조 시간이 줄어들게 되어 IPA 용액의 소모량을 감소시키는 효과가 있다.
상술한 예에서는 세정 유체로서 액 상의　가열된 순수가 사용된 경우를 설명하였다. 그러나 이와 달리　가열된 질소가스나, 증기나 미스트 상태의　가열된 순수가 사용될 수 있다.
하부 노즐(354)은 제1 토출구(354b)의 주`변을 따라 설치된 제2 토출구(354c)를 포함한다. 제2 토출구(354c)는 가스 공급 라인(536)과 연결된다. 제2 토출구(354c)에서 분사되는 가스는 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 저면 중앙부에서 가장자리로 분산되면서 기판(W)의 저면과 접촉한다. 가스는 질소가스 일 수 있다. 가스는 기판(W)의 뒷면을 건조하기 위한 건조가스일 수 있다.
가스 공급 라인(536)은 가스 공급원(534)과 연결된다. 그리고 가스 공급 라인(536)에는 이오나이저(535)가 설치될 수 있다. 이오나이저(535)는 가스로부터 전자를 제거하여 이온화를 할 수 있다. 예컨대 이오나이저(535)는 가스를 전기적으로 양성으로 만들 수 있다. 전기적으로 양성을 띠는 가스는 기판(W)과 접촉하여 기판(W)에 대전된 정전기를 전기적으로 중성화 시킬 수 있다.
도 7은 도 2의 기판 처리 장치에 제공되는 다른 실시 예에 따른 기판 지지 유닛(340)의 내부를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 7의 설명에 있어서, 도 3 내지 도 6과 동일/유사한 구성에 대하여서는 도 3 내지 도 6에서 설명한 실시 예의 설명으로 대신한다. 이하, 도 7을 참조하여, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 지지 유닛을 설명한다. 기판 지지 유닛을 구성하는 지지판(342)의 상부면(342a)의 하부에는 도전성 물질로 제공되는 배선(343)이 제공된다. 배선(343)은 상부면(342a)과 붙어 있다. 배선(343)은 상부면(342a)의 하부에 인쇄 방식으로 형성될 수 있다. 배선(343)은 접지된다. 일 예에 있어서, 배선(343)은 상부면(342a)의 하부에 넓은 면적으로 분포되도록 형성되는 것이 바람직하다. 배선(343)은 연결된 하나의 배선으로 형성될 수 있다. 배선(343)은 전선(810)을 통해 교류 전원(800)과 전기적으로 연결될 수 있다. 배선(343)은 교류 전원(800)으로부터 인가되는 교류 전압이 인가될 수 있다. 교류 전압이 인가된 배선(343)을 통해 지지판(342)의 상부면(342a)에 축적된 전하가 제거될 수 있다.
전류 검출기(600)는 접지라인으로 방출되는 전하량을 검출한다. 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 제공되는 약액의 종류에 따라 기판과 일으키는 마찰등이 상이하여, 발생하는 정전기량이 상이할 수 있다. 또한, 기판 지지 유닛의 회전 속도에 따라 전류값은 상이하게 검출될 수 있다. 이는 기판의 회전 속도에 따라 일으키는 기판과 액이 일으키는 마찰등에 의한 정전기 발생량이 상이한 이유일 수 있다. 일 예에 있어서, 회전 속도가 빠를수록 전류는 더 많이 검출될 수 있다. 또한, 기판의 막질의 상태에 따라 전류값은 상이하게 검출될 수 있다. 이는 기판에 노출되는 막의 종류와 약액간의 반응 및 마찰의 차이에 의해 정전기 발생량이 상이한 이유일 수 있다. 따라서 막질이 희망하는 정도로 처리되었는지 여부를 전류 검출기(600)를 통한 전류량 검출을 통해 판단할 수 있다. 만약, 전류의 검출량이 설정된 임계값을 넘는 이상 검출이 발생하는 경우, 아킹등에 의한 불량 웨이퍼가 발생하였을 가능성을 파악할 수 있다. 전류 검출량이 과도하게 발생하는 경우 이오나이저(535)를 On상태로 하고, 양이온화된 가스를 기판의 저면에 공급하여 정전기 발생을 감소시킬 수도 있다. 또는 전류 검출량이 과도하게 발생하는 경우, 제어기(미도시)는 도 7의 실시 예에 따른 배선(343)에 인가하는 교류 전압을 조절하여 전하 방출량을 조절할 수 있다.
제어기(미도시)는 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 제어기(미도시)는 상술하는 바와 같이 기판을 설정 공정에 따라 처리되도록 공정 챔버(260)의 구성 요소들을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(미도시)는 기판 처리 장치의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (14)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 컵과;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하며, 회전 가능한 지지판을 포함하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 약액을 토출하는 액 토출 유닛을 포함하고,
    상기 지지 유닛은:
    상기 지지판과 결합되며 상기 지지판의 상부면과 상기 기판을 소정거리 이격시키며 상기 기판의 측면을 지지하는 척킹핀과;
    상기 지지판의 상기 상부면의 하부에 접촉하며 도전성 물질로 제공되는 배선을 포함하고,
    상기 배선은 접지 또는 교류 전원과 연결되는 기판 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 척킹핀은 도전성 부재로 제공되고, 상기 도전성 부재는 접지되도록 제공되며,
    상기 배선은 상기 척킹핀과 전기적으로 연결되어 접지되는 기판 처리 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 배선은 상기 지지판의 상기 상부면에 제공되는 다른 구성들을 피해 분포되어 제공된 기판 처리 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 지지 유닛은:
    상기 지지판으로부터 돌출되며 상기 지지판에 지지된 기판을 하부에서 지지하는 복수개의 지지핀을 더 포함하고,
    상기 배선은 상기 지지판에서 상기 지지핀이 관통하는 관통홀을 피해 분포되어 제공된 기판 처리 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 배선은 상기 지지판의 상기 상부면의 하부에 인쇄되어 제공된 것인 기판 처리 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 척킹핀과 상기 접지 사이에 제공되는 접지경로에는 nA(나노 암페어)단위 또는 그 이하의 전류를 측정할 수 있는 고감도 소자로 제공되는 전류 검출기가 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    제어기를 더 포함하고,
    상기 전류 검출기는, 상기 기판에 상기 약액이 공급되는 중에 실시간으로 전류값을 검출하고,
    상기 제어기는 검출된 전류값에 따라 상기 배선으로 인가하는 교류 전압을 상이하게 제공하는 기판 처리 장치.
  8. 기판을 처리하는 장치에 제공되어 기판을 지지하는 기판 지지 유닛에 있어서,
    회전 가능하게 제공되는 지지판과;
    상기 지지판과 결합되며 상기 지지판의 상부면과 상기 기판을 소정거리 이격시키며 상기 기판의 측면을 지지하는 척킹핀과;
    상기 지지판의 상기 상부면의 하부에 접촉하며 도전성 물질로 제공되는 배선을 포함하고,
    상기 배선은 접지 또는 교류 전원과 연결되는 기판 지지 유닛.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 척킹핀은 도전성 부재로 제공되고, 상기 도전성 부재는 접지되도록 제공되며,
    상기 배선은 상기 척킹핀과 전기적으로 연결되어 접지되는 기판 지지 유닛.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 배선은 상기 지지판의 상기 상부면에 제공되는 다른 구성들을 피해 분포되어 제공된 기판 지지 유닛.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 지지판으로부터 돌출되며 상기 지지판에 지지된 기판을 하부에서 지지하는 복수개의 지지핀을 더 포함하고,
    상기 배선은 상기 지지판에서 상기 지지핀이 관통하는 관통홀을 피해 분포되어 제공된 기판 지지 유닛.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 배선은 상기 지지판의 상기 상부면의 하부에 인쇄되어 제공된 것인 기판 지지 유닛.
  13. 제9 항에 있어서,
    상기 척킹핀과 상기 접지 사이에 제공되는 접지경로에는 nA(나노 암페어)단위 또는 그 이하의 전류를 측정할 수 있는 고감도 소자로 제공되는 전류 검출기가 제공되는 기판 지지 유닛.
  14. 제13 항에 있어서,
    제어기를 더 포함하고,
    상기 전류 검출기는, 상기 기판의 처리 중에 실시간으로 전류값을 검출하고,
    상기 제어기는 검출된 전류값에 따라 상기 배선으로 인가하는 교류 전압을 상이하게 제공하는 기판 지지 유닛.
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