CN116864428A - 支承单元和基板处理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 145
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 82
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
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Abstract
本发明涉及支承单元和基板处理装置。本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括:杯状物,所述杯状物中具有处理空间;支承单元,所述支承单元配置为在所述处理空间内支承基板,并且包括可旋转的支承板;以及液体排放单元,所述液体排放单元配置为将化学液体排放到由所述支承单元支承的所述基板,其中,所述支承单元包括:多个销构件,所述多个销构件设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板;以及排放构件,所述排放构件耦合至所述销构件以根据所述支承板的旋转将电荷排放到空气,并且所述排放构件设置为导电构件。
Description
技术领域
本发明涉及一种支承基板(例如,晶圆)的支承单元、以及包括该支承单元的基板处理装置。
背景技术
通常,通过在基板上以薄膜形式沉积各种材料并将薄膜图案化来制造半导体设备。为此,需要各个阶段的不同工艺,例如沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺和清洁工艺。
在这些工艺中,蚀刻工艺是去除基板上形成的膜的工艺,而清洁工艺是在执行半导体制造的各单元工艺之后去除残留在基板表面上的污染物的工艺。根据工艺进程方法(process progress method),蚀刻工艺和清洁工艺分为湿法和干法,并且湿法分为间歇式方法(batch type method)和旋式方法(spin type method)。
在旋式方法中,在将基板固定到能够处理单个基板的支承单元之后,在旋转基板的情况下,通过液体供应喷嘴向基板供应化学液体(例如蚀刻剂、清洁溶液或冲洗溶液);以及通过离心力将化学溶液铺展到基板的整个表面来清洁基板;并在清洁基板的工艺之后,以各种方式干燥基板。
在旋式处理装置中,在旋转基板的情况下执行基板清洁,并且由于旋转期间供应到基板的化学液体或其他原因而生成静电。这种静电对装备和基板的驱动产生不利影响(例如,电弧损伤或颗粒的重新附着)。为了解决该问题,通过用导线连接夹持销和旋转轴,以将基板上所带的电荷通过夹持销和旋转轴排放到外部,防止了因静电而导致的现象,例如因电弧损伤和颗粒的重新附着而导致的对基板的损伤。
发明内容
本发明致力于提供一种支承单元和一种基板处理装置,该支承单元排放由于基板旋转期间供应到基板的化学液体和其他原因而生成的静电。
本发明的目的不限于此,并且本领域普通技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他目的。
本发明的示例性实施方案提供了一种基板处理装置,所述基板处理装置包括:杯状物,所述杯状物中具有处理空间;支承单元,所述支承单元配置为在所述处理空间内支承基板,并且包括可旋转的支承板;液体排放单元,所述液体排放单元配置为将化学液体排放到由所述支承单元支承的所述基板,其中,所述支承单元包括:多个销构件,所述多个销构件设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板;以及排放构件,所述排放构件耦合至所述销构件以根据所述支承板的旋转将电荷排放到空气,并且所述排放构件设置为导电构件(conductive member)。
在示例性实施方案中,所述排放构件可以包括:保持部,所述保持部与所述销构件耦合;以及排放部,所述排放部从所述保持部延伸以便具有预定长度。
在示例性实施方案中,所述排放部可以设置为板形。
在示例性实施方案中,所述排放部可以具有倒圆的端部。
在示例性实施方案中,随着所述排放部下降(go down),所述排放部可以具有更短的长度。
在示例性实施方案中,所述排放部可以包括多个翼构件(wing member),所述多个翼构件设置为彼此间隔开并且设置为具有不同的长度。
在示例性实施方案中,所述翼构件可以包括:本体部,所述本体部从所述保持部延伸;以及尖端部(tip portion),所述尖端部设置于所述本体部的远端,并且所述尖端部可以设置有每单位长度的比所述本体部的横截面积大的横截面积。
在示例性实施方案中,随着所述本体部下降,所述本体部可以具有更短的长度。
在示例性实施方案中,当从上方观察时,所述尖端部可以设置为圆形。
在示例性实施方案中,当从上方观察时,所述尖端部可以设置为锥形。
在示例性实施方案中,所述销构件可以是接地的。
在示例性实施方案中,所述销构件可以包括:多个支承销,所述多个支承销设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板的底表面;以及多个夹持销(chuckingpin),所述多个夹持销设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板的侧表面,并且所述排放构件可以耦合到所述支承销和所述夹持销中的至少一者。
本发明的另一示例性实施方案提供了一种支承单元,所述支承单元包括:支承板,所述支承板设置为可旋转的,并且基板放置在所述支承板上;多个销构件,所述多个销构件设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板;以及排放构件,所述排放构件耦合至所述销构件,并配置为根据所述支承板的旋转将电荷排放到空气,并且所述排放构件设置为导电构件。
在示例性实施方案中,所述排放构件可以包括:保持部,所述保持部与销构件耦合;以及排放部,所述排放部从所述保持部延伸以便具有预定长度。
在示例性实施方案中,随着所述排放部下降,所述排放部可以设置有更短的长度。
在示例性实施方案中,所述排放部可以具有倒圆的端部。
在示例性实施方案中,所述排放部可以包括多个翼构件,所述多个翼构件设置为彼此间隔开并且设置为具有不同的长度,并且所述翼构件可以包括:本体部,所述本体部从所述保持部延伸;以及尖端部,所述尖端部设置于所述本体部的远端,并且所述尖端部可以设置有每单位长度的比所述本体部的横截面积大的横截面积。
在示例性实施方案中,随着所述本体部下降,所述本体部可以设置有更短的长度。
在示例性实施方案中,所述销构件可以是接地的。
在示例性实施方案中,所述销构件可以包括:多个支承销,所述多个支承销设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板的底表面;以及多个夹持销,所述多个夹持销设置于支承板以支承放置在支承板上的所述基板的侧表面,并且所述排放构件可以耦合到所述支承销和所述夹持销中的至少一者。
根据本发明的各种示例性实施方案,可以排放由于基板旋转期间供应到基板的化学液体和其他原因而生成的静电。
本发明的效果不限于上述效果,并且本领域技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1是示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理设施的俯视平面图。
图2是示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的截面图。
图3是示意性示出了设置于图2的基板处理装置的基板支承单元的俯视平面图。
图4是示意性示出了设置于图2的基板处理装置的基板支承单元的内部的截面图。
图5是示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的排放构件的立体图。
图6是示出了将化学液体供应到基板的状态的图形,该基板设置于基板处理装置、并由根据本发明示例性实施方案的支承单元支承。
图7至图9是示出了根据本发明的其他示例性实施方案的排放构件的立体图。
具体实施方式
本发明的其他优点和特征,以及实现它们的方法,将结合附图参考下面的详细示例性实施方案而变得显而易见。然而,本发明不限于下面的示例性实施方案,并且本发明仅由权利要求的范围限定。除非另有定义,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与本发明所属现有技术中的常用技术所普遍接受的相同的含义。可以省略对已知配置的一般描述,以免使本发明的要旨模糊。在本发明的附图中,相同或对应的组件尽可能地使用相同的附图标记。
本申请中使用的术语仅用于描述具体的示例性实施方案,且不旨在限制本发明。本文使用的单数表达包括复数表达,除非它们在上下文中具有明确相反的含义。在本申请中,应当理解,术语“包括”和“具有”旨在表示存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、构成元件和组件或它们的组合,并且不排除预先存在或添加一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、构成元件和组件或它们的组合的可能性。
在下文中,将参考附图更加详细地描述本发明的示例性实施方案。本发明的示例性实施方案可以以多种形式修改,并且本发明的范围不应被解释为受以下示例性实施方案的限制。提供该示例性实施方案,以向本领域普通技术人员更完整地解释本发明。因此,附图中的元件的形状被夸大和简化以强调更清楚的描述。
图1是示意性示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理设施1的俯视平面图。
参考图1,基板处理设施1包括索引模块10和工艺处理模块20,并且索引模块10包括装载端口120和传送框架140。装载端口120、传送框架140和工艺处理模块20可以顺序地连续布置。在下文中,装载端口120、传送框架140和工艺处理模块20布置的方向被称为第一方向12,从上方观察时垂直于第一方向的方向被称为第二方向14,并且垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向被称为第三方向16。
安置基板W的载体130坐落于装载端口120。可以设置多个装载端口120,并且多个装载端口120可以在第二方向14上连续设置。装载端口120的数量可以根据工艺处理模块20的工艺效率和占地面积条件等来增加或减少。用于安置处于相对于地面水平布置的状态的多个基板W的多个槽(未示出)可以形成在载体130中。可以使用前开式晶圆盒(FrontOpening Unified Pod,FOUP)作为载体130。
工艺处理模块20可以包括缓冲单元220、传送腔室240和工艺腔室260。传送腔室240可以设置成使得其长度方向平行于第一方向。工艺腔室260可以设置在传送腔室240的两侧上。多个工艺腔室260在传送腔室240的一侧和另一侧处基于传送腔室240而彼此对称地设置。多个工艺腔室260设置在传送腔室240的一侧处。一些工艺腔室260可以设置在传送腔室240的纵向方向上。此外,多个工艺腔室260中的一些可以设置为堆叠在彼此之上。也就是说,多个工艺腔室260可以以A×B的布置设置在传送腔室240的一侧处。此处,“A”为在第一方向12上连续设置的工艺腔室260的数量,并且“B”为在第三方向16上连续设置的工艺腔室260的数量。当在传送腔室240的一侧处设置四个或六个工艺腔室260时,工艺腔室260可以以2×2或3×2的布置设置。工艺腔室260的数量可以增加或减少。与前述不同,工艺腔室260可以仅设置于传送腔室240的一侧。此外,与前述不同,工艺腔室260可以作为单个层设置于传送腔室240的一侧或两侧。
缓冲单元220可以设置在传送框架140与传送腔室240之间。缓冲单元220可以提供空间,在基板W在传送腔室240与传送框架140之间运送之前,基板W停留在该空间中。放置基板W的槽(未示出)可以设置于缓冲单元220的内侧,并且可以设置多个槽(未示出)以便在第三方向16上彼此间隔开。缓冲单元220的面对传送框架140的表面、以及缓冲单元220的面对传送腔室240的表面可以是开放的。
传送框架140在坐落在装载端口120上的载体130与缓冲单元220之间运送基板W。索引轨道142和索引机械手144设置于传送框架140。索引轨道142可以设置为使得其纵向方向平行于第二方向14。索引机械手14安装在索引轨道142上,并且沿着索引轨道142在第二方向14上线性移动。索引机械手144可以包括基部144a、本体144b和索引臂144c。基部144a安装为沿着索引轨道142是可移动的。本体144b耦合到基部144a。本体144b设置为在基部144a上在第三方向16上是可移动的。此外,本体144b设置为在基部144a上是可旋转的。索引臂144c耦合到本体144b,并且设置为相对于本体144b是可向前和向后移动的。多个索引臂144c设置为单独驱动。索引臂144c设置为在第三方向16上彼此间隔开的状态下堆叠。当基板W从工艺处理模块20运送到载体130时,可以使用索引臂144c中的一部分,并且当基板W从载体130运送到工艺处理模块20时,可以使用多个索引臂144c中的另一部分。这可以防止在通过索引机械手144装载和卸载基板W的过程中从工艺处理之前的基板W生成的颗粒附着到工艺处理之后的基板W。
传送腔室240在缓冲单元220与工艺腔室260之间、以及工艺腔室260之间传送基板W。导轨242和主机械手244设置于传送腔室240。导轨242设置为使得其纵向方向平行于第一方向12。主机械手244安装在导轨242上,并且在导轨242上在第一方向12上线性移动。主机械手244包括基部244a、本体244b和主臂244c。基部244a被安装为沿着导轨242是可移动的。本体244b耦合到基部244a。本体244b设置为在基部244a上在第三方向16上是可移动的。本体244b设置为在基部244a上是可旋转的。主臂244c耦合到本体244b,并且设置为相对于本体244b是可向前和向后移动的。多个主臂244c设置为单独驱动。主臂244设置为在第三方向16上彼此间隔开的状态下堆叠。
在基板W上执行清洁工艺的基板处理装置3000设置于工艺腔室260。基板处理装置3000可以根据所执行的清洁工艺的类型具有不同的结构。与此相反,各工艺腔室260内的基板处理装置3000可以具有相同的结构。可选地,工艺腔室260被划分为多个组,并且设置在属于同一组的工艺腔室260中的基板处理装置3000可以具有相同的结构,并且设置在属于不同组的工艺腔室260中的基板处理装置3000可以具有不同的结构。例如,当工艺腔室260被划分为两组时,第一组的工艺腔室260可以设置在传送腔室240的一侧处,并且第二组的工艺腔室260可以设置在传送腔室240的另一侧处。可选地,在传送腔室240的两侧处,第一组的工艺腔室260可以设置在下层中,而第二组的工艺腔室260可以设置在上层中。第一组的工艺腔室260和第二组的工艺腔室260可以根据所使用的化学品的类型和所使用的方法的类型来划分。与此相反,可以设置第一组的工艺腔室260和第二组的工艺腔室260,以便在一个基板W上顺序地执行工艺。例如,可以在第一组的工艺腔室260中在基板W上执行化学处理工艺或冲洗工艺,并且可以在第二组的工艺腔室260中在基板W上执行冲洗工艺或干燥工艺。
在下文中,将描述通过使用化学液体来清洁基板W的基板处理装置3000的示例性实施方案。基板处理装置3000液体处理基板。所供应的化学液体可以提供为水性磷酸溶液、硫酸水性溶液、氢氟酸、纯水(DIW)、含有CO2的水、或异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)。
图2是示意性示出了基板处理装置3000的截面图。
基板处理装置3000设置于工艺腔室260。
基板处理装置3000包括杯状物320、支承单元340、升降单元360和排放单元380。
杯状物320具有处理空间,在该处理空间中执行基板处理工艺,并且杯状物320的上部是开放的。杯状物320包括内部收集容器322、中间收集容器324和外部收集容器326。收集容器322、324和326收集在工艺中使用的化学液体中的不同的化学液体。内部收集容器322设置为围绕支承单元340的环形(annular ring shape),中间收集容器324设置为围绕内部收集容器322的环形,并且外部收集容器326设置为围绕中间收集容器322的环形。
内部收集容器322的内部空间322a、内部收集容器322与中间收集容器324之间的间隙324a、以及中间收集容器324与外部收集容器326之间的间隙326a用作化学液体分别被引入到内部收集容器322、中间收集容器324和外部收集容器326所通过的入口。竖直向下延伸的收集管线322b、324b和326b分别连接到收集容器322、324和326。收集管线322b、324b和326b分别排放通过收集容器322、324和326引入的化学液体。所排放的化学液体可以通过外部化学液体再生系统(未示出)而被重新使用。
升降单元360在竖直方向上线性移动杯状物320。在杯状物320竖直移动时,杯状物320相对于支承单元340的相对高度发生变化。升降单元360包括支架362、移动轴364和驱动单元366。支架362固定地安装于杯状物320的外壁,且由驱动单元366在竖直方向上移动的移动轴364固定地耦合到支架362。当基板W放置在支承单元340上或从支承单元340升降时,杯状物320下降使得支承单元340突出至杯状物320的上方。此外,当工艺进行时,调整杯状物320的高度,使得根据供应到基板W的化学液体的类型将化学液体引入到预定的收集容器中。可选地,升降单元360可以在竖直方向上移动支承单元340。
液体排放单元380在基板处理工艺期间将化学液体供应到基板W。液体排放单元380包括支承轴386、驱动单元388、喷嘴支承件382和喷嘴384。支承轴386的纵向方向设置在第三方向16上,并且驱动单元388耦合到支承轴386的下端。驱动单元388旋转并且升降支承轴386。喷嘴支承件382竖直地耦合到支承轴386的远端的相对端,该支承轴386的远端与驱动单元388耦合。喷嘴384安装在喷嘴支承件382的远端的底表面上。喷嘴384通过驱动单元388移动到工艺位置和待机位置。工艺位置为喷嘴384竖直地设置在杯状物320上方的位置,而待机位置为喷嘴384偏离杯状物320的竖直顶部的位置。
基板处理装置3000的液体排放单元380可以接收来自液体储存罐400的液体。液体储存罐400连接到第一供应管线410,第一供应管线410连接到基板处理装置3000的液体排放单元380。可以将打开/关闭阀设置于第一供应管线410。
图3是示意性示出了图2的基板处理装置3000的支承单元340的俯视平面图,并且图4是示意性示出了图2的基板处理装置3000的基板支承单元340的内部的截面图。将参考图3和图4描述基板处理装置3000的支承单元340。
参考图3和图4,支承单元340在工艺进程期间支承基板W并旋转基板W。支承单元340包括支承板342、销构件343、夹持销移动单元347、旋转轴348、下喷嘴354和排放构件3100。
支承板342可以包括通常设置为当从上方观察时的圆形的顶表面。销构件343包括支承销344和夹持销346。支承板344在支承板342的边缘区域中从支承板342的上表面向上突出。支承销344支承基板W的底表面,并沿着支承板342的圆周间隔开一定距离。在一个实施例中,支承销344支承基板W的底表面的边缘。在一个实施例中,所有的支承销344具有相同的形状和尺寸。支承销344具有:随着支承销下降而直径逐渐增大的上部344a;和从上部344a向下延伸并具有相同直径的下部344b。在支承销344的下部344b的底表面上设置有在支承销344的纵向方向上延伸的圆柱形突起344c。突起344c的直径设置为小于支承销344的下部344b的直径。支承销344的外表面涂覆有导电材料。例如,导电材料可以是导电陶瓷。
夹持销346在支承板342的边缘区域中从支承板342的上表面向上突出。夹持销346在沿着支承板342的圆周彼此间隔开预定距离的情况下定位。在一个实施例中,夹持销346设置成比支承销344距支承板342的中心更远。夹持销346支承基板W的侧部,使得当支承板W旋转时,基板W不会侧向离开原始位置。在一个实施例中,所有的夹持销346可以具有相同的形状和尺寸。在一个实施例中,夹持销346可以是具有耐腐蚀性、耐火性、耐热性的材料,例如SIC陶瓷、CARBON PFA和CARBON PEEK。夹持销346包括支承部346a、中心部346c、固定部346e和锁定部346d。支承部346a具有以下形状:直径从平坦的上表面到底部逐渐减小然后随着支承部下降而再次逐渐增大。因此,支承部346a具有当从正面观察时向内凹入的凹部346b。放置在支承销344上的基板W的侧部与凹部346b接触。中心部346c从支承部346a的下端向下延伸,中心部346c具有的直径与支承部346a的下端的直径相同。固定部346e从中心部346c向下延伸。在固定部346e中形成有用于与夹持销移动单元347(下文待描述)固定的螺纹孔。锁定部346d从中心部346c向外延伸,并设置为环形。在一个实施例中,锁定部346d与支承板342的上表面紧密接触,并且所有的夹持销346以相同的高度突出。
在一个实施例中,支承销344和夹持销346可以是接地的。
第一接地线345连接到夹持销346。夹持销346通过第一接地线345将基板W或化学液体L上所带的电荷排放到外部。第一接地线345由导电材料制成。第一接地线345可以设置在移动杆347a内。第一接地线345可以连接到接地引脚349a。在一个实施例中,接地引脚349a与电机349电连接。接地销349a与马达349连接以将基板W中生成的电荷排放到外部。因此,基板W上所带的电荷通过夹持销346、第一接地线345、接地销349a和接地线600排放到外部。
此外,支承销接地构件350连接到支承销344。支承销接地构件350包括第二接地线351、弹簧350a和杆350b。支承销344通过第二接地线351将基板W上所带的电荷排放到外部。弹簧350a和杆350b由金属材料制成。在一个实施例中,杆350b设置在支承板342的半径方向上。弹簧350a的一端与支承销344连接,而弹簧350a的另一端与杆350b连接。杆350b可以通过接地线351连接到接地引脚349a。因此,基板W上所带的电荷通过支承销344、弹簧350a、杆350b、接地销349a和接地线600排放到外部。与前述相反,弹簧350a可以具有围绕支承销344的中空圆柱形状。因此,弹簧350a使与支承销344接触的表面最大化,以更有效地排放基板W上所带的电荷。此外,杆350b在没有弹簧350a的情况下直接与支承销344连接,以将基板W上所带的电荷排放到外部。
与前述示例性实施方案相反,夹持销346可以是接地的,并且支承销344可以是不接地的。在另一个示例性实施方案中,支承销344可以是接地的,并且夹持销346可以是不接地的。
夹持销移动单元347将夹持销346移动到支承位置和待机位置。支承位置为工艺进展期间夹持销346与基板W的侧部接触的位置,而待机位置为提供比基板W更宽的空间使得基板W放置在支承单元340上的位置。因此,支承位置是与待机位置相比更靠近支承板342的中心的位置。夹持销移动单元347包括与一个夹持销346耦合的移动杆347a,而移动杆347a在与支承板342的半径方向相同的方向上设置在支承板342内。夹持销346和移动杆347a可以螺纹连接在一起。
旋转轴348固定地耦合到支承板342的底表面,以支承支承板342并旋转支承板342。旋转轴348设置为中空圆柱形。旋转轴348通过形成在杯状物320的底表面中的开口突出到杯状物320的外部。突出到外部的旋转轴348的下端与电机349固定地耦合。电机349向旋转轴348提供旋转力,且旋转轴348能够通过旋转力旋转。
下喷嘴354将化学液体或处理气体供应到放置在支承单元340上的基板W的下表面。基板W放置在支承单元340上以与支承单元340的上表面间隔开预定距离,并且下喷嘴354将化学液体或处理气体供应到支承单元340与基板W之间的空间。下喷嘴354包括喷射头354a。喷射头354a具有向上凸出的形状,并且从支承单元340向上突出。多个排放端口354a和354c形成在喷射头354a中。排放端口喷射多种化学液体、冲洗溶液和干燥气体(例如异丙醇蒸汽或氮气)中的任何一种。喷射头354a的下端插入到形成在支承单元340的中心处的通孔中。从喷嘴384和下喷嘴354供应的化学液体和/或干燥气体通过支承单元340的旋转从基板W的上表面或下表面的中心区域扩散到基板W的边缘区域,并且清洁基板W。同时,本示例性实施方案不仅限于用于清洁基板W的两个表面的清洁装置,并且甚至同样适用于能够仅清洁基板W的一个表面的清洁装置的基板旋转设备。在这种情况下,与双表面清洁装置不同,单表面清洁装置不设置下喷嘴354,但可以设置有穿过旋转轴348的内部并向基板W的背面提供吹扫气体的吹扫单元(未示出)。
排放构件3100耦合到销构件343,并且根据支承板342的旋转将电荷排放到空气。在一个实施例中,排放构件3100被提供为导电构件。在一个实施例中,排放构件3100可以由与夹持销346的材料相同的材料制成。在一个实施例中,排放构件3100可以由CARBON FPA和CARBON PEEK等制成。
在一个实施例中,排放构件3100可以耦合到支承销和夹持销中的至少一者。在下文中,排放构件3100将被描述为耦合到夹持销346。与此相反,排放构件3100可以耦合到支承销344。此外,排放构件3100可以设置于夹持销346和支承销344这两者。
在下文中,将参考图5详细地描述本发明的排放构件3100。
参考图5,排放构件3100包括保持部3140和排放部3150。保持部3140与销构件343耦合。排放部3150从保持部3140延伸以便具有预定长度。在一个实施例中,排放部3150可以设置为针形。在一个实施例中,排放部3150的端部可以是倒圆的。因此,根据支承板342的旋转而排放到空气的电荷可以以围绕端部的圆形放射。因此,具有以下优点:排放到空气的电荷的轨迹变大,并且每单位时间从排放部3150排放的电荷量增大。
在一个实施例中,排放部3150可以包括多个翼构件3110、3120和3130,该多个翼构件被设置为彼此间隔开、并且具有不同的长度。在一个实施例中,可以提供三个翼构件3110、3120和3130。可选地,翼构件3110、3120和3130可以设置有多于三个或少于三个。在一个实施例中,翼构件3110、3120和3130可以设置有第一构件3110、第二构件3120和第三构件3130。第一构件3110、第二构件3120和第三构件3130顺序地放置在竖直方向上。第一构件3110、第二构件3120和第三构件3130可以包括:从保持部3140延伸的本体部3114、3124和3134;以及分别设置于本体部3114、3124和3134的远端的尖端部3112、3122和3132。在一个实施例中,尖端部3112、3122和3132可以具有比本体部3114、3124和3134大的每单位长度的横截面积。因此,具有以下优点:通过增大通过端部排放的电荷的轨迹,可以增大每单位时间通过端部排放的电荷量。例如,当从上方观察时,尖端部3112、3122和3132可以设置为圆形。
在一个实施例中,不同地设置第一构件3110、第二构件3120和第三构件3130的长度。因此,具有以下优点:通过防止从各个翼构件3110、3120和3130排放的电荷之间的干扰,可以增大每次从翼构件3110、3120和3130排放的电荷量。在一个实施例中,当本体部3114、3124和3134放置得较低时,本体部3114、3124和3134可以设置有较短的长度。例如,第一构件3110的本体部3114的长度可以是最长的,而第三构件3130的本体部3134的长度可以是最短的。支承板342设置在第三构件3130的下方。因此,随着排放构件3100下降,排放构件3100与空气具有相对小的接触面积。因此,通过提供最长长度的第一构件3110,排放到空气的电荷量大。
图6是示出了将化学液体供应到基板W的状态的图形,该基板W设置于基板处理装置、并由根据本发明示例性实施方案的支承单元340支承。
如图6所示,当供应化学液体C1时,在化学液体C1和基板W上生成静电。当支承板342的旋转速度低时,电荷通过第一接地线345和第二接地线351顺利地排放。然而,当支承板342的旋转速度相对快时,通过第一接地线345和第二接地线351排放的电荷量存在限制。此外,通过第一接地线345和第二接地线351排放的电荷的速度不快,使得电荷可能反而在第一接地线345和第二接地线351上相反地上升。
因此,本发明通过排放构件3100以及第一接地线345和第二接地线351将基板W和化学液体中生成的电荷排放到空气。化学液体和基板W中生成的电荷移动到夹持销346和支承销344。此后,一些电荷通过第一接地线345和第二接地线351排放到接地线600,并且一些电荷通过排放构件3100排放到空气。通过排放构件3100排放到空气的电荷通过支承板342的旋转力排放,使得即使支承板342的旋转速度快,电荷也可以排放到空气。此外,通过排放构件3100排放的电荷量大于通过第一接地线345和第二接地线351排放的电荷量。因此,可以使电荷对与第一接地线345和第二接地线351连接的电机的影响最小化,从而增加电机和电机周围组件的寿命。
在前述实施例中,排放构件3100的排放部3150已被描述为具有翼构件。然而,与此相反,排放构件3100a可以设置为如图7所示的板形。在一个实施例中,排放构件3100b设置为板形,并且如图8所示,排放构件3100b可以设置为使得随着排放构件下降,排放部3150距保持部3140的长度减小。
在前述实施例中,尖端部3112、3122和3132已经被描述为被设置为当从上方观察时的圆形。然而,与此相反,尖端部3112、3122和3132也可以设置为当从上方观察时的锥形。例如,尖端部3112a、3122a和3132a可以设置为如图9所示的圆锥形。因此,电荷可以通过圆锥体的侧表面排放。可选地,排放构件具有如图9所示的圆锥形尖端部3112a、3122a和3132a,并且随着本体部下降,本体部3114、3124和3134可以设置有更短的长度。
在前述实施例中,销构件343已被描述为是接地的。然而,与此相反,销构件343是不接地的,并且可以仅将排放构件3100设置于销构件343。
前述详细描述说明了本发明。此外,以上内容示出并描述了本发明的示例性实施方案,并且本发明可以在各种其他组合、修改和环境中使用。即,在本说明书所公开的发明构思的范围、与本公开内容等同的范围和/或本领域的技术或知识的范围内,可以对前述内容进行修改或修正。前述示例性实施方案描述了实施本发明的技术精神的最佳状态,并且本发明的具体应用领域和用途中所需的各种改变是可能的。因此,以上本发明的详细描述并非旨在将本发明限制于所公开的示例性实施方案。此外,所附权利要求应被解释为同样包括其他示例性实施方案。
Claims (20)
1.一种基板处理装置,所述基板处理装置包括:
杯状物,所述杯状物中具有处理空间;
支承单元,所述支承单元配置为在所述处理空间内支承基板,并且包括可旋转的支承板;以及
液体排放单元,所述液体排放单元配置为将化学液体排放到由所述支承单元支承的所述基板,
其中,所述支承单元包括:
多个销构件,所述多个销构件设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板;以及
排放构件,所述排放构件耦合至所述销构件以根据所述支承板的旋转将电荷排放到空气,并且
所述排放构件设置为导电构件。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述排放构件包括:
保持部,所述保持部与所述销构件耦合;以及
排放部,所述排放部从所述保持部延伸以便具有预定长度。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述排放部设置为板形。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述排放部具有倒圆的端部。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,随着所述排放部下降,所述排放部具有更短的长度。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述排放部包括多个翼构件,所述多个翼构件设置为彼此间隔开并且设置为具有不同的长度。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,所述翼构件包括:
本体部,所述本体部从所述保持部延伸;以及
尖端部,所述尖端部设置于所述本体部的远端,并且
所述尖端部设置有每单位长度的比所述本体部的横截面积大的横截面积。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,随着所述本体部下降,所述本体部具有更短的长度。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,当从上方观察时,所述尖端部设置为圆形。
10.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,当从上方观察时,所述尖端部设置为锥形。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置,其中,所述销构件是接地的。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其中,所述销构件包括:
多个支承销,所述多个支承销设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板的底表面;以及
多个夹持销,所述多个夹持销设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板的侧表面,并且
所述排放构件耦合到所述支承销和所述夹持销中的至少一者。
13.一种支承单元,所述支承单元包括:
支承板,所述支承板设置为可旋转的,并且基板放置在所述支承板上;
多个销构件,所述多个销构件设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板;以及
排放构件,所述排放构件耦合至所述销构件,并配置为根据所述支承板的旋转将电荷排放到空气,并且
所述排放构件设置为导电构件。
14.根据权利要求13所述的支承单元,其中,所述排放构件包括:
保持部,所述保持部与所述销构件耦合;以及
排放部,所述排放部从所述保持部延伸以便具有预定长度。
15.根据权利要求14所述的支承单元,其中,随着所述排放部下降,所述排放部设置有更短的长度。
16.根据权利要求14所述的支承单元,其中,所述排放部具有倒圆的端部。
17.根据权利要求14所述的支承单元,其中,所述排放部包括多个翼构件,所述多个翼构件设置为彼此间隔开并且设置为具有不同的长度,并且
所述翼构件包括:
本体部,所述本体部从所述保持部延伸;以及
尖端部,所述尖端部设置于所述本体部的远端,并且
所述尖端部设置有每单位长度的比所述本体部的横截面积大的横截面积。
18.根据权利要求17所述的支承单元,其中,随着所述本体部下降,所述本体部设置有更短的长度。
19.根据权利要求13至18中任一项所述的支承单元,其中,所述销构件是接地的。
20.根据权利要求19所述的支承单元,其中,所述销构件包括:
多个支承销,所述多个支承销设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板的底表面;以及
多个夹持销,所述多个夹持销设置于所述支承板以支承放置在所述支承板上的所述基板的侧表面,并且
所述排放构件耦合到所述支承销和所述夹持销中的至少一者。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210313029.XA CN116864428A (zh) | 2022-03-28 | 2022-03-28 | 支承单元和基板处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210313029.XA CN116864428A (zh) | 2022-03-28 | 2022-03-28 | 支承单元和基板处理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116864428A true CN116864428A (zh) | 2023-10-10 |
Family
ID=88225503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210313029.XA Pending CN116864428A (zh) | 2022-03-28 | 2022-03-28 | 支承单元和基板处理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116864428A (zh) |
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2022
- 2022-03-28 CN CN202210313029.XA patent/CN116864428A/zh active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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