KR101958398B1 - 액정 조성물 및 이의 디스플레이 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 조성물 및 이의 디스플레이 소자를 공개하였다. 상기 액정 조성물은 한가지 또는 여러 가지 일반식Ⅰ의 화합물; 한가지 또는 여러 가지 일반식Ⅱ의 화합물; 및 한가지 또는 여러 가지 일반식Ⅲ의 화합물을 포함한다. 본 발명에서 제공한 액정 조성물은 비교적 높은 광학 이방성, 비교적 높은 유전 이방성, 비교적 높은 투명점, 비교적 빠른 응답 속도, 비교적 높은 비저항, 양호한 고온 안정성 및 UV 안정성 등 특성을 구비함으로 액정 디스플레이에 적용될 수 있으며, 특히 빠른 응답 속도를 수요하는 액정 디스플레이에 적용되어 액정 디스플레이가 가혹한 환경에서 작업시 이미지 표시 효과가 좋고 스미어가 생기지 않도록 한다.
Description
본 발명은 액정 조성물에 관한 것이며, 특히는 비교적 높은 광학 이방성, 비교적 높은 유전 이방성, 비교적 높은 투명점, 비교적 빠른 응답 속도, 비교적 높은 비저항, 양호한 고온 안정성 및 UV 안정성을 갖는 액정 조성물 및 상기 액정 조성물을 포함하는 액정 디스플레이 소자에 관한 것이다.
액정 재료는 일정한 온도에서, 액체의 유동성을 가질 뿐만 아니라 결정의 이방성을 가지는 유기 막대형 소분자 화합물의 혼합물이다. 액정 재료는 주로 액정 표시 소자에서 유전체 작용을 하는데, 이는 이러한 종류의 광학적 성질이 인가되는 전압을 통해 전압을 개변시킬 수 있기 때문이다. 액정 디스플레이(liquid crystal display)는 액정 광전 변화를 이용한 소자이며, 이의 작은 체적, 가벼운 중량, 저전력 소모와 표시 품질이 우수한 점 등은 사람을 흡인하는 장점이며, 따라서, 최근 들어 평면 디스플레이의 주류로 되었다. 현존의 액정 표시 소자에 사용되는 전기 광학 모드는 예를 들어, 트위스트 네마틱(TN), 슈퍼 트위스트 네마틱(STN), 광학 보상 휨(OCB)과 복굴절제어(ECB) 모드 및 이의 각종 변체의 모드이다. 이러한 모드는 모두 전계를 사용하며, 상기 전계는 기본적으로 기판과 수직 또는 액정층에 수직되며, 이러한 모드외에 기본적으로 기판에 평행되는 것도 있으며, 또는 액정층의 전계의 전기 광학 모드 예를 들면, 평면내 핸드오버 모드이다.
이러한 종류의 소자는 개선 성능을 구비하는 신형의 액정 유전체가 수요된다. 특히, 여러 가지 응용 유형에 있어서, 액정 조성물을 포함하는 액정 유전체는 반드시 적합한 폭 범위의 네마틱과 적합한 복굴절을 구비하며, 유전 이방성이 충분히 높아 적합하게 전압을 조작할 수 있도록 한다. 액정 표시 재료는 적합한 폭의 네마틱상 온도 범위, 고온 안정성 등 성능을 구비함으로써 각종 환경에서 모두 양호하게 표시할 수 있는 요구를 만족시킨다.
LCD에 사용되며, 특히 TFT 디스플레이에 사용되는 액정 조성물은 예를 들면, JP07-181439, EP0667555, EP0673986, DE19509410, DE19528106, DE19528107, WO9623851와 WO9628521으로부터 알 수 있다. 그러나, 이러한 액정 조성물은 현저한 결점이 존재한다. 이중에서 기타 결점 외에 특히 불리하게 긴 응답 속도 시간을 초래하며, 비교적 낮은 비저항을 구비하되 비교적 높은 조작 전압을 수요한다.
따라서, 액정 재료분야에서, 특히 실제 응용에 필요한 성능을 수요하며, 예를 들면, 비교적 높은 네마틱 상 온도 상한, 적당한 광학 이방성, 양호한 유전 이방성, 고온 안정성, 비교적 높은 비저항을 갖는 액정 조성물을 수요한다.
본 발명의 목적은 비교적 높은 광학 이방성, 비교적 높은 유전 이방성, 비교적 높은 투명점, 비교적 빠른 응답 속도, 비교적 높은 비저항, 양호한 고온 안정성 및 UV 안정성을 갖는 액정 조성물을 제공하는 것이며, 상기 액정 조성물은 액정 디스플레이에 적용될 수 있으며, 특히 빠른 응답 속도를 수요하는 액정 디스플레이에 적용되어 액정 디스플레이가 가혹한 환경에서 작업시 이미지 표시 효과를 좋게 하며, 스미어가 생기지 않도록 한다.
본 발명에서 사용된 기술방안은,
액정 조성물에 있어서, 상기 액정 조성물은,
한가지 또는 여러 가지 일반식Ⅰ의 화합물;
한가지 또는 여러 가지 일반식Ⅱ의 화합물; 및
한가지 또는 여러 가지 일반식Ⅲ의 화합물을 포함하며;
여기서,
R1, R2, R3과 R4는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소 원자수가 1 내지 7인 직쇄형 알킬기 또는 알콕시기, 또는 탄소 원자수가 2 내지 7인 알케닐기를 나타내며;
X는 F 또는 -OCF2CF=CF2를 나타내며;
M는 1, 2 또는 3을 나타내며;
N는 0 또는 1을 나타낸다.
본 발명의 실시형태에서, 상기 일반식Ⅰ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 5-30%를 차지하며; 상기 일반식Ⅱ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 30-70%를 차지하며; 및 상기 일반식Ⅲ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 15-40%를 차지한다.
본 발명의 실시형태에서, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅰ의 화합물은 하기 화합물
본 발명의 실시형태에서, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ의 화합물은 하기 화합물
여기서,
R2와 R3은 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소 원자수가 1 내지 5인 직쇄형 알킬기를 나타낸다.
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-1의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-2의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-3의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-4의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-5의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-6의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-7의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-8의 화합물 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-9의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-10의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-11의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅱ-12의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅲ의 화합물은 하기 화합물
여기서,
R4는 탄소 원자수가 1 내지 5인 직쇄형 알킬기를 나타낸다.
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅲ-1의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅲ-2의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅲ-6의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅲ-7의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅲ-8의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅲ-9의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅲ-10의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅲ-11의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 바람직하게는, 상기 일반식Ⅲ-12의 화합물은 하기 화합물
본 발명의 상기 액정 조성물은 상기 액정 조성물의 1-30%를 차지하는 한가지 또는 여러 가지 일반식Ⅳ의 화합물
여기서,
R5는 탄소 원자수가 1 내지 7인 직쇄형 알킬기 또는 알콕시기를 나타내며;
L1과 L2는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 H 또는 F를 나타낸다.
본 발명의 실시형태에서, 바람직하게는, 상기 상기 일반식Ⅰ의 화합물은 하기 화합물
특히 바람직한 방안으로, 특히 바람직하게는 Ⅳ-1, Ⅳ-3, Ⅳ-5, Ⅳ-6, Ⅳ-8, Ⅳ-9의 화합물이다.
특히 바람직한 방안으로, 본 발명에서 제공하는 액정 조성물에서, 상기 일반식Ⅰ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 5-15%를 차지하며; 상기 일반식Ⅱ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 40-60%를 차지하며; 상기 일반식Ⅲ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 20-25%를 차지하며; 및 상기 일반식Ⅳ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 5-20%를 차지한다.
본 발명은, 본 발명에서 제공하는 액정 조성물을 포함하는 액정 디스플레이를 더 제공한다.
본 발명은 상기 기술방안을 사용하였으며, 기존 기술방안과 비교할 때, 하기와 같은 기술적 진보를 획득하였다.
본 발명에서 제공한 액정 조성물은 비교적 높은 광학 이방성, 비교적 높은 유전 이방성, 비교적 높은 투명점, 비교적 빠른 응답 속도, 비교적 높은 비저항, 양호한 고온 안정성 및 UV 안정성 등 특성을 구비함으로 액정 디스플레이에 사용될 수 있으며, 상기 액정 디스플레이 소자를 사용함으로써 응답 속도를 빠르게 하며, 가혹한 환경에서 작업시 이미지 표시 효과가 좋고 스미어가 생기지 않도록 한다.
본 발명에서 특별한 설명이 없는 한, 상기 비례는 모두 중량비이고, 상기 온도는 모두 섭씨온도이며, 상기 응답시간 수치의 시험에서 사용된 케이스의 두께는 7㎛이다.
이하 구체적인 실시예를 결부하여 본 발명을 설명한다. 설명해야 할 것은 하기 실시예는 본 발명의 예시이며, 단지 본 발명을 설명하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 본 발명의 사상 또는 범위를 벗어나지 않는 상황하에서, 본 발명의 구상 내의 기타 조합과 여러 가지 개량을 진행할 수 있다.
표현의 편리를 위해 하기 각 실시예에서 액정 조성물의 기 구조용 표1에 열거한 코드로 표시한다.
기의 셀 구조 | 코드 | 기 명칭 |
C(5) | 사이클로펜테인(cyclopentane) | |
D(5) | 2-테트라히드로푸란기(tetrahydrofuran group) | |
C | 1, 4-시클로헥실렌(1, 4-cyclohexylene) | |
A | 옥산(Oxane) | |
D | 디옥산(Dioxane) | |
P | 1, 4-페닐렌기(Phenylene gprou) | |
G | 2-플루오-1, 4-페닐렌기(2-fluoro-1, 4-Phenylene group) | |
U | 2, 5-디플루오-1, 4-페닐렌기(2, 5-Difluoro-1, 4-Phenylene group) | |
I | 인단-2,5-디일(Indane-2,5-diyl) | |
-F | F | 불소 치환기 |
-O- | O | 산소 치환기 |
-CF2O- | Q | 디플루오메톡시기(Difluoro methoxy group) |
-CH2CH2- | 2 | 에틸렌기(Ethylene group) |
-CH=CH- | V | 알케닐기 |
-CnH2n +1 또는 -CmH2m +1 | N 또는 m | 알킬기 |
하기 구조식의 화합물을 예로 들면:
상기 구조식을 표2에 열거한 코드로 표시하면, nCPUF로 표시할 수 있고, 코드 중의 n은 왼쪽단 알킬기의 C원자수를 표시하며, 예를 들어, n가 "3"이면, 즉, 상기 알킬기가 C3H7를 표시하며; 코드 중의 C가 시클로알킬기를 표시한다.
이하 실시예 중의 시험 항목의 간략 부호는 하기와 같다.
Cp(℃):투명점(네마딕-등방성 상전이 온도)
Δn:광학 이방성(589nm, 20℃)
Δε유전 이방성(1KHz, 25℃)
RT:응답 속도(ms)
VHR(초기):전압 유지율(%)
VHR(UV): 태양광 조사 20min 후의 전압 유지율(%)
VHR(150℃):150℃에서 1h 열화시킨 후 측정하여 얻은 전압 유지율(%)
ρ:비저항(25℃,*1013Ωcm)
여기서, 광학 이방성은 아베굴절계를 사용하여 나트륨 램프 (589nm)광원, 20℃에서 측정하여 얻은 것이고; 유전 측정 케이스는 TN90형이며, 케이스의 두께는 7㎛이다.
Δε=ε||-ε⊥, 여기서, ε||은 분자 축에 평행되는 유전 상수이고, ε⊥은 분자 축의 유전상수이며, 측정 조건은 25℃, 1KHz이고, 측정 케이스는 TN90형이며, 케이스 두께는 7㎛이다.
응답 시간은 DMS505 측정기를 사용하여 25℃에서 측정하여 얻은 것이며, 측정 케이스는 TN L형이며, 케이스 두께는 7㎛이며, 측정 전압은 8V이다.
VHR(초기)는 TOY06254형 액정 물성 평가 시스템으로 측정하여 얻었고, 측정 온도는 60℃이며, 측정 전압은 5V이며, 측정 시간은 166.7ms이며, VHR(150℃)는 150℃에서 1h 열화시킨 후, TOY06254형 액정 물성 평가 시스템을 사용하여 측정하여 얻은 것이며, 측정 온도는 60℃이고, 측정 전압은 5V이며, 측정 시간은 166.7ms이며, VHR(UV)는 TOY06254형 액정 물성 평가 시스템으로 측정하여 얻었고, 측정 온도는 60℃이며, 측정 전압은 5V이며, 측정 시간은 166.7ms이며, 태양광 조사 시간은 20min이다.
하기 실시예에서 사용된 각 성분은 모두 공지의 방법을 통해 합성 또는 상업적 경로를 통하여 획득할 수 있다. 이러한 합성 기술은 통상적인 것이며, 얻은 각 액정 화합물은 측정을 통해 전자류 화합물의 표준에 부합된다.
하기 실시예에서 규정된 각 액정 조성물의 비율에 따라 액정 조성물을 제조하였다. 상기 액정 조성물의 제조는 본 기술분야의 통상의 방법으로 진행하였으며, 예를 들어, 가열, 초음파, 부유 등 방법을 사용하여 일정한 비례로 혼합하여 제조한다.
비교예1
표2에 열거된 각 화합물 및 중량 백분율에 따라 비교예1의 액정 조성물을 제조하였으며, 이는 액정 디스플레이의 두 개의 기판 사이에 충진되어 성능을 측정하였으며, 측정 수치는 하기 표와 같다.
성분 코드 | 화합물 유형 | 함량 백분율 | 성능 변수 측정 결과 | |
3CPPC3 | Ⅱ-10-2 | 4 | Cp | 74.6 |
2PGP3 | 5 | Δn | 0.106 | |
5PGP2 | 5 | Δε | 5.6 | |
2PGUF | 7 | RT | 19.5 | |
4PGP2 | 5 | VHR(초기) | 92.4 | |
3PGUF | 8 | VHR(150℃) | 80.5 | |
VCCP1 | Ⅱ-8-1 | 3 | VHR(UV) | 78.8 |
3CCV | Ⅱ-2-1 | 35 | ρ | 1.2 |
V2CCP1 | 10 | |||
3CCV1 | Ⅱ-3-1 | 8 | ||
3PUQUF | Ⅲ-1-2 | 10 | ||
합계 | 100 |
실시예1
표3에 열거된 각 화합물 및 중량 백분율에 따라 실시예1의 액정 조성물을 제조하였으며, 이는 액정 디스플레이의 두 개의 기판 사이에 충진되어 성능을 측정하였으며, 측정 수치는 하기 표와 같다.
성분 코드 | 화합물 유형 | 함량 백분율 | 성능 변수 측정 결과 | |
3CPP2 | Ⅱ-9-2 | 10 | Cp | 101 |
3CPPC3 | Ⅱ-10-2 | 4 | Δn | 0.11 |
3CGPC2 | Ⅱ-11-2 | 4 | Δε | 8.2 |
3CCPF | Ⅳ-1 | 4 | RT | 16 |
3CCUF | Ⅳ-5 | 9 | VHR(초기) | 98.7 |
3CC2 | Ⅱ-1-1 | 9 | VHR(150℃) | 93.1 |
2CCQUF | Ⅲ-6-1 | 5 | VHR(UV) | 90.2 |
3CCQUF | Ⅲ-6-2 | 5 | ρ | 6.8 |
3CCV | Ⅱ-2-1 | 25 | ||
3PUQUF | Ⅲ-1-2 | 5 | ||
2PUQUF | Ⅲ-1-1 | 5 | ||
3IGUQUF | Ⅲ-12-2 | 5 | ||
3PGPF | Ⅰ-2 | 4 | ||
4PGPF | Ⅰ-3 | 3 | ||
5PGPF | Ⅰ-4 | 3 | ||
합계 | 100 |
실시예2
표4에 열거된 각 화합물 및 중량 백분율에 따라 실시예2의 액정 조성물을 제조하였으며, 이는 액정 디스플레이의 두 개의 기판 사이에 충진되어 성능을 측정하였으며, 측정 수치는 하기 표와 같다.
성분 코드 | 화합물 유형 | 함량 백분율 | 성능 변수 측정 결과 | |
3CCPO3 | Ⅱ-7-3 | 5 | Cp | 84.2 |
3CGPC2 | Ⅱ-11-2 | 5 | Δn | 0.12 |
3CPPF | Ⅳ-3 | 5 | Δε | 8.9 |
5CC2 | Ⅱ-1-3 | 10 | RT | 15.1 |
3CCP1 | Ⅱ-6-1 | 5 | VHR(초기) | 97.6 |
3CCQUF | Ⅲ-6-2 | 5 | VHR(150℃) | 92.1 |
3PGPC2 | Ⅱ-12-2 | 5 | VHR(UV) | 91.5 |
3CCV | Ⅱ-2-1 | 30 | ρ | 6.4 |
3PUQUF | Ⅲ-1-2 | 4 | ||
2IUQUF | Ⅲ-11-1 | 4 | ||
3IUQUF | Ⅲ-11-2 | 4 | ||
3PGUQUF | Ⅲ-2-1 | 4 | ||
5PGUQUF | Ⅲ-2-3 | 4 | ||
3PGPF | Ⅰ-2 | 5 | ||
4PGPF | Ⅰ-3 | 5 | ||
합계 | 100 |
실시예3
표5에 열거된 각 화합물 및 중량 백분율에 따라 실시예3의 액정 조성물을 제조하였으며, 이는 액정 디스플레이의 두 개의 기판 사이에 충진되어 성능을 측정하였으며, 측정 수치는 하기 표와 같다.
성분 코드 | 화합물 유형 | 함량 백분율 | 성능 변수 측정 결과 | |
3CP2 | Ⅱ-4-2 | 8 | Cp | 72.6 |
3CGPC2 | Ⅱ-11-2 | 4 | Δn | 0.12 |
3CPGF | Ⅳ-6 | 10 | Δε | 9.7 |
3CPUF | Ⅳ-8 | 10 | RT | 15.6 |
3CC2 | Ⅱ-1-1 | 15 | VHR(초기) | 96.5 |
5CC2 | Ⅱ-1-3 | 10 | VHR(150℃) | 91.3 |
VCCP1 | Ⅱ-8-1 | 5 | VHR(UV) | 90.4 |
C(5)PUQUF | Ⅲ-3 | 5 | ρ | 5.8 |
D(5)PUQUF | Ⅲ-4 | 5 | ||
3IUQUF | Ⅲ-11-2 | 5 | ||
3PGUQUF | Ⅲ-2-1 | 5 | ||
5PGUQUF | Ⅲ-2-3 | 5 | ||
3PGPF | Ⅰ-2 | 5 | ||
4PGPF | Ⅰ-3 | 4 | ||
5PGPF | Ⅰ-4 | 4 | ||
합계 | 100 |
실시예4
표6에 열거된 각 화합물 및 중량 백분율에 따라 실시예4의 액정 조성물을 제조하였으며, 이는 액정 디스플레이의 두 개의 기판 사이에 충진되어 성능을 측정하였으며, 측정 수치는 하기 표와 같다.
성분 코드 | 화합물 유형 | 함량 백분율 | 성능 변수 측정 결과 | |
3CCV | Ⅱ-2-1 | 20 | Cp | 95 |
5CCV | Ⅱ-2-3 | 12 | Δn | 0.12 |
3CPUF | Ⅳ-8 | 10 | Δε | 8.5 |
3CPP2 | Ⅱ-9-2 | 4 | RT | 14.9 |
3PGPC2 | Ⅱ-12-2 | 2 | VHR(초기) | 95.4 |
3CCUF | Ⅳ-5 | 9 | VHR(150℃) | 91.2 |
3CCPO1 | Ⅱ-7-1 | 9 | VHR(UV) | 89.6 |
2ACQUF | Ⅲ-7-1 | 4 | ρ | 6.1 |
3PUQUF | Ⅲ-1-2 | 4 | ||
3DUQUF | Ⅲ-10-2 | 4 | ||
3IUQUF | Ⅲ-11-2 | 5 | ||
3PGUQUF | Ⅲ-2-1 | 5 | ||
3PGPF | Ⅰ-2 | 4 | ||
4PGPF | Ⅰ-3 | 4 | ||
5PGPF | Ⅰ-4 | 4 | ||
합계 | 100 |
실시예5
표7에 열거된 각 화합물 및 중량 백분율에 따라 실시예5의 액정 조성물을 제조하였으며, 이는 액정 디스플레이의 두 개의 기판 사이에 충진되어 성능을 측정하였으며, 측정 수치는 하기 표와 같다.
성분 코드 | 화합물 유형 | 함량 백분율 | 성능 변수 측정 결과 | |
3CCV | Ⅱ-2-1 | 20 | Cp | 92 |
3CCV1 | Ⅱ-3-1 | 10 | Δn | 0.12 |
3CPUF | Ⅳ-8 | 10 | Δε | 9.7 |
5CPUF | Ⅳ-9 | 5 | RT | 15.6 |
3CPP2 | Ⅱ-9-2 | 5 | VHR(초기) | 97.2 |
3PGPC2 | Ⅱ-12-2 | 2 | VHR(150℃) | 93.9 |
3CC2 | Ⅱ-1-1 | 10 | VHR(UV) | 91.5 |
5CC2 | Ⅱ-1-3 | 8 | ρ | 6.8 |
3PUQUF | Ⅲ-1-2 | 4 | ||
3DUQUF | Ⅲ-10-2 | 4 | ||
3IUQUF | Ⅲ-11-2 | 5 | ||
3PGUQUF | Ⅲ-2-1 | 5 | ||
5PGUQUF | Ⅲ-2-3 | 5 | ||
3PGPF | Ⅰ-2 | 3 | ||
4PGPF | Ⅰ-3 | 4 | ||
합계 | 100 |
실시예6
표8에 열거된 각 화합물 및 중량 백분율에 따라 실시예6의 액정 조성물을 제조하였으며, 이는 액정 디스플레이의 두 개의 기판 사이에 충진되어 성능을 측정하였으며, 측정 수치는 하기 표와 같다.
성분 코드 | 화합물 유형 | 함량 백분율 | 성능 변수 측정 결과 | |
3CPP2 | Ⅱ-9-2 | 10 | Cp | 95 |
3CPPC3 | Ⅱ-10-2 | 4 | Δn | 0.11 |
3CGPC2 | Ⅱ-11-2 | 4 | Δε | 8.6 |
3CCPF | Ⅳ-1 | 4 | RT | 16 |
3CCUF | Ⅳ-5 | 9 | VHR(초기) | 96.7 |
3CC2 | Ⅱ-1-1 | 9 | VHR(150℃) | 93.1 |
C(5)CCQUF | Ⅲ-5 | 5 | VHR(UV) | 91.2 |
3DCQUF | Ⅲ-8-2 | 5 | ρ | 5.8 |
3CCV | Ⅱ-2-1 | 25 | ||
2AUQUF | Ⅲ-9-1 | 5 | ||
2ACQUF | Ⅲ-7-1 | 5 | ||
3IGUQUF | Ⅲ-12-2 | 5 | ||
3PGPF | Ⅰ-2 | 4 | ||
4PGPF | Ⅰ-3 | 3 | ||
5PGPF | Ⅰ-4 | 3 | ||
합계 | 100 |
상시 실시예 수치로부터 알 수 있다시피, 본 발명에서 제공한 액정 조성물은 비교적 높은 광학 이방성, 비교적 높은 유전 이방성, 비교적 빠른 응답 속도, 비교적 높은 비저항, 양호한 고온 안정성 및 비교적 넓은 네마틱 상 온도 범위, 비교적 높은 투명점, 비교적 빠른 응답 속도 및 UV 안정성 등의 성능을 구비함으로써 액정 디스플레이에 적용될 수 있다. 또한, 비교예1과 비교하면, 본 발명에서 제공한 액정 조성물은 비교적 높은 광학 이방성, 비교적 높은 유전 이방성, 더욱 짧은 응답 속도, 더욱 높은 비저항 및 고온 안정성과 UV 안정성을 가짐으로써, 액정 디스플레이의 빠른 응답 속도의 요구를 만족시킬 수 있도록 하여 가혹한 환경에서 작업시 이미지 표시 효과가 좋고 스미어가 형성되지 않도록 하여 매우 좋은 기술 진보를 얻었다.
값과 투명점이 비슷할 때, 본 발명에서 제공한 액정 조성물은 더욱 짧은 응답 시간과 더욱 좋은 고온 안정성을 가지며 액정 디스플레이의 빠른 응답 및 고온 조건에서 더욱 잘 표시하는 요구를 만족시킬 수 있도록 하여 매우 좋은 기술 진보를 얻었다.
상기 실시형태는 단지 본 발명의 기술 사상 및 특징을 설명하기 위한 것이며, 이의 목적은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들이 본 발명의 내용을 이해하도록 실시하며, 본 발명의 범위는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상에 따라 실제로 진행한 등가적 변경 또는 수정은 본 발명의 범위에 속한다.
Claims (14)
- ,
한가지 또는 여러 가지 일반식Ⅰ의 화합물;
,
한가지 또는 여러 가지 일반식Ⅱ의 화합물; 및
,
한가지 또는 여러 가지 일반식Ⅲ의 화합물을 포함하며;
여기서,
R1, R2, R3과 R4는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소 원자수가 1 내지 7인 직쇄형 알킬기 또는 알콕시기, 또는 탄소 원자수가 2 내지 7인 알케닐기를 나타내며;
, 와 는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 또는 을 나타내며; 상기 상의 하나 또는 복수개의 H는 F에 의해 치환될 수 있으며;
는 각각 독립적으로 , , , , , 또는 을 나타내며;
X는 F 또는 -OCF2CF=CF2를 나타내며;
m는 1, 2 또는 3을 나타내며;
n는 0 또는 1을 나타내며,
상기 n이 1인 일반식 Ⅲ의 화합물을 적어도 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 일반식Ⅰ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 5-30%를 차지하며; 상기 일반식Ⅱ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 30-70%를 차지하며; 및 상기 일반식Ⅲ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 15-40%를 차지하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물. - 제5항에 있어서,
상기 일반식Ⅱ-1의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅱ-2의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅱ-3의 화합물은 하기 화합물
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅱ-4의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅱ-5의 화합물은 하기 화합물
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅱ-6의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅱ-7의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅱ-8의 화합물 하기 화합물
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅱ-9의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅱ-10의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅱ-11의 화합물은 하기 화합물
;
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며; 또한,
상기 일반식Ⅱ-12의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물인 것을 특징으로 하는 액정 조성물. - 제6항에 있어서,
상기 일반식Ⅲ-1의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅲ-2의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅲ-6의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅲ-7의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅲ-8의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅲ-9의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅲ-10의 화합물은 하기 화합물
;
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며;
상기 일반식Ⅲ-11의 화합물은 하기 화합물
; 및
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물이며; 또한,
상기 일반식Ⅲ-12의 화합물은 하기 화합물
;
으로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 또는 여러 가지 화합물인 것을 특징으로 하는 액정 조성물. - 제3항에 있어서,
상기 일반식Ⅰ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 5-15%를 차지하며; 상기 일반식Ⅱ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 40-60%를 차지하며; 상기 일반식Ⅲ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 20-25%를 차지하며; 및 상기 일반식Ⅳ의 화합물은 상기 액정 조성물 총중량의 5-20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물. - 삭제
- 제1항에 따른 액정 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
- 삭제
- 삭제
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