KR101955109B1 - Light irradiation apparatus - Google Patents
Light irradiation apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR101955109B1 KR101955109B1 KR1020170107362A KR20170107362A KR101955109B1 KR 101955109 B1 KR101955109 B1 KR 101955109B1 KR 1020170107362 A KR1020170107362 A KR 1020170107362A KR 20170107362 A KR20170107362 A KR 20170107362A KR 101955109 B1 KR101955109 B1 KR 101955109B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- excimer lamp
- electric field
- external electrode
- housing
- light
- Prior art date
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/458—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen pyroelectrical targets; targets for infrared or ultraviolet or X-ray radiations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
- H01J65/046—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
- H01J9/245—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases specially adapted for gas discharge tubes or lamps
- H01J9/247—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases specially adapted for gas discharge tubes or lamps specially adapted for gas-discharge lamps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
- H01J2209/01—Generalised techniques
- H01J2209/017—Cleaning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
[과제] 발광관의 상하 외면상에 한쌍의 외부 전극을 배치하여 이루어지는 엑시머 램프와, 상기 엑시머 램프를 수용함과 더불어 하방에 광취출 개구가 설치된 하우징을 구비하고, 상기 한쌍의 외부 전극 중 피처리체와 대향하는 하방의 외부 전극에는 저전압이 인가되고, 상방의 외부 전극에는 고전압이 인가되어 이루어지는 광조사 장치에 있어서, 한쌍의 외부 전극간에 형성되는 전계의 영향으로, 피처리체상의 배선 패턴에 이상 방전이 발생하여 손상되는 것을 방지한 구조를 제공하는 것이다.
[해결 수단] 상기 하우징의 광취출 개구에, 상기 고압측의 외부 전극과 피처리체의 사이이며, 상기 엑시머 램프의 길이 방향을 따르는 위치에, 상기 고압측의 외부 전극과 상기 저압측의 외부 전극의 사이에 형성되는 전계를 차폐하는 전계 차폐 부재를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.An excimer lamp includes a pair of external electrodes disposed on upper and lower outer surfaces of an arc tube, and a housing accommodating the excimer lamp and provided with a light extraction opening downward. In which a low voltage is applied to the lower external electrode opposite to the upper electrode and a higher voltage is applied to the upper external electrode, an abnormal discharge is generated in the wiring pattern on the object by the influence of the electric field formed between the pair of external electrodes Thereby preventing damage and generation of damage.
[MEANS FOR SOLVING THE PROBLEMS] In the light extraction opening of the housing, at the position between the external electrode on the high-pressure side and the object to be processed, and along the longitudinal direction of the excimer lamp, the external electrode on the high- And an electric field shielding member for shielding an electric field formed between the electrodes.
Description
이 발명은 외부 전극을 가지는 엑시머 램프를 구비한 광조사 장치에 관한 것이며, 특히, 표면에 미세한 배선 패턴이 형성된 유리 기판 등의 피처리체에 자외광을 조사하여 처리하기 위한 광조사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light irradiating apparatus having an excimer lamp having external electrodes, and more particularly to a light irradiating apparatus for irradiating an ultraviolet light to an object to be processed such as a glass substrate having a fine wiring pattern formed on its surface.
반도체 기판이나 액정 기판 등의 제조 공정에 있어서는, 반도체 기판인 웨이퍼나, 액정 기판인 유리 기판 등의 피처리체의 표면에 부착한 유기 화합물 등의 오염을 제거하는 방법으로서, 자외선을 이용한 드라이 세정 방법이 널리 이용되고 있다. 특히, 진공 자외광을 이용한 오존이나 활성 산소에 의한 세정 방법에 있어서는, 보다 효율적으로 단시간에 세정하는 광조사 장치가 이용되고 있고, 예를 들어, 일본국 특허 공개 2010-125368호 공보(특허 문헌 1)가 알려져 있다.BACKGROUND ART [0002] In a manufacturing process of a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate, a dry cleaning method using ultraviolet rays is known as a method for removing contamination of an organic compound adhering to the surface of a workpiece such as a wafer as a semiconductor substrate or a glass substrate as a liquid crystal substrate It is widely used. Particularly, in a cleaning method using ozone or active oxygen using vacuum ultraviolet light, a light irradiation apparatus which cleans more efficiently in a short time has been used. For example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2010-125368 (Patent Document 1 ) Is known.
도 3, 4는, 특허 문헌 1에 개시되는 광조사 장치의 개략 구성도이다.Figs. 3 and 4 are schematic configuration diagrams of the light irradiation apparatus disclosed in
광조사 장치(21)는, 연직 방향의 하방측에 광취출 개구를 가지는 금속제의 램프 하우스(22)의 내부에, 광원으로서, 크세논 등의 발광 가스가 봉입된 엑시머 램프(23)가 배치되어 있다. 램프 하우스(22)의 천정 근방에는 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급관(24, 24)이 설치되어 있다.The
상기 엑시머 램프(23)는, 이 가스 공급관(24, 24) 사이에 끼인 공간의 연직 하방에 배치되고, 더욱 하방에 피처리체(워크)인 유리 기판(W)이 통과한다.The
상기 엑시머 램프(23)는, 방전 용기(25)의 상하 외면상에 한쌍의 외부 전극(26, 27)을 구비하고 있고, 방전 용기(25) 내의 방전 공간을 개재시켜 대향 배치되어 있으며, 상방의 외부 전극(26)에는 고압측 전압이 인가되어 고압측 전극으로서 기능하고, 피처리체(W)와 대향하는 하방의 외부 전극(27)에는 상기 고압측 전압보다 낮은 저압측 전압이 인가되어 저압측 전극으로서 기능한다. 그리고, 적어도 하방의 외부 전극(27)은 그물코 구조 등에 의해 광투과성으로 되어 있다.The
이들 외부 전극(26, 27)에 고주파 고전압이 인가되면, 방전 용기(25) 내에서 크세논 가스의 엑시머 발광이 발생되고, 파장 172nm의 자외선이 발생되며, 방전 용기(25)의 하방으로부터 하우징(21)의 하방에 위치되는 피처리체(W)에 조사되는 것이다.When a high frequency high voltage is applied to these
피처리체(W)는, 예를 들어 액정 패널용의 유리 기판이며, 반송 롤러 등으로 반송된 피처리체(W)가 엑시머 램프(23)의 바로 아래에 이르면, 상기 엑시머 램프(23)로부터의 진공 자외광이 조사된다. 피처리체(W)의 표면은, 자외선 및 주위에 생성된 활성 산소 등이 작용함으로써, 유기물이 분해 제거되고, 세정 후의 피처리체(W)는 하우징(22)의 외부로 반출된다.The object to be processed W is a glass substrate for a liquid crystal panel for example and when a workpiece W conveyed by a conveying roller or the like reaches immediately below the
또한, 엑시머 램프(23)를 수용하는 하우징(22)의 내부는, 램프로부터 방사되는 자외선의 감쇠를 극력 억제하는 목적으로, 가스 공급관(24, 24)을 개재하여 질소 가스 등의 불활성 가스가 도입되어, 충전되어 있다.An inert gas such as nitrogen gas is introduced through the
그런데, 상기 피처리체(W)로서 액정 패널용 유리 기판 등의 경우, 광조사 처리는, 액정 패널용으로 가공되기 전의 상태에서 행해지고, 이로 인해, 기판(피처리체)(W)에는, 도 4에서 도시되는 바와 같이, 표면상에 도전성 물질로 형성된 배선 패턴(30)이 노출되어 있는 것이 있다. 이러한 경우, 상기 광조사 장치(21)에서 기판(W)을 광조사에 의해 처리할 때에, 이 도전성 물질이 파손된다고 하는 사고가 발생하는 경우가 있다.In the case of the glass substrate for a liquid crystal panel as the object to be processed W, the light irradiation process is performed in a state before it is processed for the liquid crystal panel. As a result, the substrate (object to be processed) As shown in the drawing, a
이러한 손상에 대해 본 발명자들이 열심히 조사한 결과, 엑시머 램프(23)의 외부 전극(26, 27)에 인가되는 고전압에 의해, 램프의 주위에 전계가 형성되고, 이것이 피처리체(W)에까지 미치는 것이 원인인 것을 밝혀냈다.As a result of intensive investigation by the inventors of this damage, it has been found that an electric field is formed around the lamp due to the high voltage applied to the
이 현상에 대해 도 5, 도 6을 참조하여 설명한다.This phenomenon will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig.
도 5는, 하우징(22) 내에 엑시머 램프(23)를 설치한 광조사 장치(21)의 작용을 도시하는 모식도이며, 하우징(22)은, SUS판이나 알루미늄판으로 구성되어 있고, 그 내부의 하방에 엑시머 램프(23)가 수용된다.5 is a schematic diagram showing the action of the
엑시머 램프(23)의 상하 외면상에 설치한 한쌍의 외부 전극(26, 27)간에는 고주파 고전압이 인가되지만, 통상, 엑시머 램프(23)의 상방 외부 전극(26)에는 고압측 전압이, 피처리체(W)에 대향하는 하방 외부 전극(27)에는 저압측 전압이 인가된다. 이로 인해, 엑시머 램프(23)의 상면측에는 강한 전계(X)가 형성된다.A high frequency high voltage is applied between a pair of
엑시머 램프(23)와 피처리체(W)는 근접한 위치에 배치되는 경우도 있어서, 이 전계(X)의 일부는, 도 5에서 도시되는 바와 같이, 그 등전위선이 엑시머 램프(23)의 하방의 피처리체(W)의 위치까지 도달하도록 형성된다.The
도 6은, 도 5에서 도시한 광조사 장치의 엑시머 램프(23) 및 워크(W)를 워크(W)의 반송 방향을 따라 절단한 부분 확대 단면도이다.6 is a partially enlarged sectional view of the
유리 기판 등의 피처리체(W)상에 형성되는 도전성 물질의 배선 패턴(30)은 다양하고, 최근에는 미세한 배선 패턴이 형성되는 것이 많이 있으며, 기판상의 도전성 물질의 배치 상태에 의해서는, 도에 도시하는 바와 같이, 엑시머 램프(23)에 인가되는 고전압에 의한 전계를 받고, 배선 패턴(30)에 의해서는 인접하는 도전성 물질의 사이에 전위차가 발생해, 이 사이에 이상 방전(Y)이 발생하는 경우가 있다.A
그 결과, 도전성 물질이 스파크하여 비산해, 파손된다고 추찰된다.As a result, it is presumed that the conductive material is sparked and scattered and broken.
이 발명은, 상기 종래 기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 하방에 광취출 개구가 설치된 하우징 내에, 방전 용기의 상하 외면상에 한쌍의 외부 전극을 구비한 엑시머 램프를 수용하여 이루어지는 광조사 장치에 있어서, 상하 외부 전극간에 발생하는 전계의 영향이 피처리체에 미치는 일 없이, 피처리체상의 배선 패턴에 이상 방전이 발생하는 것을 방지하고, 그 파손을 방지할 수 있는, 신뢰성이 높은 광조사 장치의 구조를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a light irradiation apparatus including an excimer lamp having a pair of external electrodes on upper and lower outer surfaces of a discharge vessel in a housing provided with a light- , A structure of a highly reliable light irradiation apparatus capable of preventing an abnormal discharge from occurring in a wiring pattern on an object to be processed and preventing its damage without causing an influence of an electric field generated between upper and lower external electrodes on the object to be processed .
상기 과제를 해결하기 위해, 이 발명에 따른 광조사 장치는, 상기 하우징의 광취출 개구에, 고압측의 외부 전극과 피처리체의 사이이며, 상기 엑시머 램프의 길이 방향을 따르는 위치에, 고압측의 외부 전극과 저압측의 외부 전극의 사이에 형성되는 전계를 차폐하는 전계 차폐 부재를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, a light irradiation apparatus according to the present invention is characterized in that a light extraction opening is provided in a light extraction opening of the housing, between an external electrode on the high-pressure side and the object to be processed and at a position along the longitudinal direction of the excimer lamp, And an electric field shielding member for shielding an electric field formed between the external electrode and the external electrode on the low-voltage side.
또, 상기 전계 차폐 부재는, 상기 하우징에 전기적으로 접속되고, 상기 하우징을 개재하여 접지되어 있는 것을 특징으로 한다.The electric field shielding member is electrically connected to the housing and is grounded via the housing.
또, 상기 하우징 내에는, 불활성 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 구비하고 있고, 상기 전계 차폐 부재는, 상기 불활성 가스를 상기 피처리체를 향해 유출시키는 통풍공을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.Further, the housing is provided with a gas supply means for supplying an inert gas, and the electric field shielding member is provided with a vent hole for discharging the inert gas toward the object to be processed.
이 발명의 광조사 장치에 의하면, 엑시머 램프에 인가되는 고주파 고전압에 의해, 한쌍의 외부 전극간에 형성되는 전계의 영향이 피처리체에 미치는 경우가 없으므로, 표면상에 도전성 물질로 이루어지는 배선 패턴이 형성된 피처리체를 처리하는 경우에도, 배선 패턴 사이에서 원하지 않은 이상 방전이 발생하는 일 없이, 배선 패턴을 구성하는 도전성 물질의 손상을 미연에 방지할 수 있게 된다고 하는 효과를 이루고 있는 것이다.According to the light irradiation apparatus of the present invention, there is no case where the electric field formed between the pair of external electrodes is affected by the high frequency high voltage applied to the excimer lamp, so that the feature to be formed with the wiring pattern made of the conductive material on the surface It is possible to prevent the conductive material constituting the wiring pattern from being damaged in advance without causing undesired abnormal discharge between the wiring patterns even when the resist is processed.
도 1은 본 발명의 광조사 장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 작용을 설명하는 단면도.
도 3은 종래의 광조사 장치의 단면도.
도 4는 그 일부의 확대 사시도.
도 5는 종래의 광조사 장치의 작용을 설명하는 단면도.
도 6은 그 일부의 확대 단면도.1 is a sectional view of a light irradiation apparatus of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating the operation of the present invention;
3 is a sectional view of a conventional light irradiation apparatus.
4 is an enlarged perspective view of a portion thereof;
5 is a cross-sectional view illustrating the operation of a conventional light irradiation apparatus.
6 is an enlarged cross-sectional view of a part thereof;
도 1은, 본 발명의 광조사 장치의 구성을 도시하는 단면도이다. 광조사 장치(1)는, 하우징(2)의 내부에 엑시머 램프(3)가 설치되어 있고, 그 하방에 피처리체(W)가 반송 기구에 의해 반송되어, 엑시머 램프(3)의 바로 아래를 통과하면, 상기 엑시머 램프(3)로부터 방사된 자외광, 예를 들어 파장 172nm의 진공 자외광이 이 피처리체(W)에 조사되고, 표면의 드라이 세정이 행해진다.1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light irradiation apparatus of the present invention. The
상기 하우징(2) 내의 상방의 천정부 부근에는 불활성 가스 공급관(4, 4)이 설치되어 있고, 질소 가스 등의 불활성 가스가 하우징(2) 내에 도입되어, 충전되며, 램프(2)로부터의 진공 자외광의 감쇠를 억제하고 있다.An inert
또, 상기 하우징(2)의 하단은 엑시머 램프(3)로부터의 광취출 개구(2a)가 형성되어 있다.The lower end of the
엑시머 램프(3)는, 단면이 편평한 직사각형 형상을 이루는 방전 용기(5)를 구비하고, 그 내부에는, 발광 가스로서, 엑시머 방전용의 가스가 소정의 봉입량으로 봉입되어 있다. 발광 가스로서 크세논 가스를 사용하는 경우는, 통상, 10~70kPa 봉입된다.The
이 엑시머 램프(3)의 방전 용기(5)의 상하 외면상에는 한쌍의 외부 전극(6, 7)이 설치되어 있고, 적어도 피처리체(W)에 대향하는 하방의 외부 전극(7)은, 그물코 구조 등에 의해 투광성으로 되어 있다.A pair of
상기 외부 전극(6, 7)은 외부 전원(9)에 접속되고, 엑시머 램프(3)의 상측의 외부 전극(6)이 고압측, 피처리체(W)와 대향하는 하측의 외부 전극(7)이 저압측이 되도록, 고주파 고전압이 인가되어 있다.The
하우징(2)의 하단의 광취출 개구(2a)에는, 전계 차폐 부재(10)가 설치되어 있다. 상기 전계 차폐 부재(10)는 판형상 부재로 이루어지고, 엑시머 램프(3)의 고압측의 외부 전극(6)과 피처리체(W)의 사이이며, 상기 엑시머 램프(3)의 길이 방향을 따라 설치되어 있고, 상기 고압측의 외부 전극(6)과 상기 저압측의 외부 전극(7)의 사이에 형성되는 전계를 차폐하도록 설치되어 있다.An electric
이 실시예에 있어서는, 상기 전계 차폐 부재(10)는, 엑시머 램프(3)의 방전 용기(5)의 하면측이며, 방전 용기(5)의 측면에 근접하여 그 길이 방향을 따라 설치되어 있다. 이 전계 차폐 부재(10)에는, 엑시머 램프(3)에 대응하여 광취출창(11)이 형성되어 있고, 상기 엑시머 램프(3)로부터의 출사광은 이 광취출창(11)으로부터 피처리체(W)에 조사된다.In this embodiment, the electric
이 전계 차단 부재(10)는, 하우징(2)과 전기적 접속이 이루어지고, 상기 하우징(3)을 개재하여 어스에 접지되어 있고, 항상 GND 전위에 있다.The electric
또, 도 1에 도시하는 바와 같이, 하우징(2)에 불활성 가스 공급관(4, 4)이 설치되어 있는 경우, 상기 전계 차폐 부재(10)에 통풍공(12)을 설치하여 피처리체(W)를 향해 불활성 가스를 내뿜도록 해도 된다. 이때, 엑시머 램프(3)의 입력 전력 등에 따라, 상기 엑시머 램프(3)에 의한 전계가 통풍공(12)을 개재하여 빠져나오지 못할 정도로 그 크기나 피치를 설정하는 것이 필요하다.1, when the inert
도 2에 의거하여 본 발명에 의한 작용을 설명한다. 엑시머 램프(3)의 외부 전극(6, 7)간에 고전압이 인가되면, 이들 전극간(6, 7)에는 전계(X)가 형성되는데, 상기 전계 차폐 부재(10)에 의해 그 일부가 차폐되어 하우징(2) 내에 머물러, 피처리체(W)측에 미치는 경우가 없다. 그로 인해, 상기 피처리체(W)의 표면상에 배선 패턴 등의 도전성 물질이 형성되어 있어도, 배선 패턴간에 전위차가 발생하지 않아, 이상인 방전이 발생되는 일이 없으므로, 배선 패턴을 구성하는 도전성 물질의 손상을 미연에 방지할 수 있고, 피처리체(W)에 소정의 자외광을 조사하여, 안전하게 소기의 처리를 행할 수 있다.The operation of the present invention will be described with reference to Fig. When a high voltage is applied between the
또한, 엑시머 램프(3)에 의해서는, 용도와의 관계에서 램프로부터의 출사광의 파장을 선택하기 때문에, 방전 용기(5)의 내면에 형광체를 도포한 구조로 해도 된다.The
이하, 본 발명에 따른 광조사 장치(1)에 관하여, 구체적 수치를 예시한다.Hereinafter, concrete numerical values of the
엑시머 램프(3)는, 방전 용기(5)의 전체 길이가 2100mm, 폭 방향의 길이가 42mm, 높이 방향의 길이가 15mm이며, 방전 용기(5)를 구성하는 석영 유리의 두께는, 2.5mm이다.The total length of the
여기서, 방전 용기(5)의 네 모서리의 만곡부는, 1.5mm 이상의 곡률 반경(R)을 가진다.Here, the curves of the four corners of the
엑시머 램프(3)로의 입력 부하는, 2~3W/cm이다.The input load to the
하우징(2)은, 전체 길이가 2300mm, 높이가 50mm, 폭이 150mm이다.The
불활성 가스의 유량은 300L/분이다. 이 유량이면, 하우징(2) 내의 산소 농도는 약 0.5~3%가 된다.The flow rate of the inert gas is 300 L / min. If this flow rate is reached, the oxygen concentration in the
전계 차폐판(10)은, 재질이 SUS로 이루어지는 판형상체이며, 판의 두께는, 0.5~2mm이다. 또, 중앙의 개구(광취출창(11))의 치수는, 예를 들어, 2100mm×45mm이다.The electric
또한, 전계 차폐 부재(10)와 고압측의 외부 전극(6)의 거리는 약 15mm이며, 저압측의 외부 전극(7)과의 거리는 약 0~5mm이다.The distance between the electric
이 전계 차폐 부재(10)는, 예를 들어, 펀칭 메탈로 형성되고, 지그재그형상으로 형성된 동그란 구멍으로 이루어지는 통풍공(12)을 구비하고 있다. 통풍공(12)은, 일례를 들면, 구멍의 직경이 6mm, 센터 피치가 8mm, 개구율이 51%이며, 다른 예를 들면, 구멍의 직경이 1.5mm, 센터 피치가 2mm이고, 개구율이 마찬가지로 51%이다.The electric
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 있어서는, 엑시머 램프를 수용한 하우징의 광취출 개구에, 상기 엑시머 램프의 고압측의 외부 전극과 피처리체의 사이에, 상기 고압측의 외부 전극과 저압측의 외부 전극의 사이에 형성되는 전계를 차폐하는 전계 차폐 부재를 구비함으로써, 한쌍의 외부 전극간에 고주파 고전압을 인가했을 때에 형성되는 전계의 일부가 상기 전계 차폐 부재에 의해 차폐되어 피처리체측에 미치는 일 없이, 피처리체상의 배선 패턴 사이에서 이상 방전을 일으키지 않고, 그 손상을 방지할 수 있는 것이다.As described above, according to the present invention, in the light extraction opening of the housing accommodating the excimer lamp, between the external electrode on the high pressure side of the excimer lamp and the object to be processed, the external electrode on the high- A part of the electric field formed when a high frequency high voltage is applied between the pair of external electrodes is shielded by the electric field shielding member and does not affect the side of the object to be processed, It is possible to prevent damage from occurring between the wiring patterns on the substrate without causing an abnormal discharge.
1 광조사 장치
2 하우징
2a 광취출 개구
3 엑시머 램프
4 불활성 가스 공급관
5 방전 용기
6 고압측 외부 전극
7 저압측 외부 전극
9 외부 전원
10 전계 차폐 부재
11 광취출창
12 통풍공
W 워크
X 전계
Y 이상 방전1 light irradiation device
2 housing
2a light extraction opening
3 Excimer lamp
4 inert gas supply pipe
5 discharge vessel
6 High-voltage side external electrode
7 Low-voltage side external electrode
9 External power
10 electric field shield member
11 Spotlight
12 ventilation holes
W work
X electric field
Discharge over Y
Claims (1)
상기 하우징의 광취출 개구에, 상기 고압측의 외부 전극과 피처리체의 사이이며, 상기 엑시머 램프의 길이 방향을 따르는 위치에, 상기 고압측의 외부 전극과 상기 저압측의 외부 전극의 사이에 형성되는 전계를 차폐하는 전계 차폐 부재를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광조사 장치.An excimer lamp comprising a pair of external electrodes disposed on upper and lower outer surfaces of a light emitting tube filled with a light emitting gas, and a housing accommodating the excimer lamp and having a light extraction opening formed downward, A light irradiation apparatus comprising a lower electrode to which a lower voltage is applied and an upper electrode to which a higher voltage is applied,
And a light emitting element formed between the external electrode on the high-voltage side and the external electrode on the low-voltage side, at a position along the longitudinal direction of the excimer lamp, between the external electrode on the high-voltage side and the object to be processed, And an electric field shielding member for shielding an electric field.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2013-008064 | 2013-01-21 | ||
JP2013008064A JP5601551B2 (en) | 2013-01-21 | 2013-01-21 | Light irradiation device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130161553A Division KR101955042B1 (en) | 2013-01-21 | 2013-12-23 | Light irradiation apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170101860A KR20170101860A (en) | 2017-09-06 |
KR101955109B1 true KR101955109B1 (en) | 2019-03-06 |
Family
ID=51191145
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130161553A KR101955042B1 (en) | 2013-01-21 | 2013-12-23 | Light irradiation apparatus |
KR1020170107362A KR101955109B1 (en) | 2013-01-21 | 2017-08-24 | Light irradiation apparatus |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130161553A KR101955042B1 (en) | 2013-01-21 | 2013-12-23 | Light irradiation apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5601551B2 (en) |
KR (2) | KR101955042B1 (en) |
CN (1) | CN103943536A (en) |
TW (1) | TWI569300B (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7003431B2 (en) * | 2017-04-06 | 2022-01-20 | ウシオ電機株式会社 | Light irradiation device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005050705A (en) | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Hamamatsu Photonics Kk | Static charge eliminator |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5379386B2 (en) * | 2008-02-21 | 2013-12-25 | 株式会社オーク製作所 | UV irradiation equipment |
JP5155041B2 (en) * | 2008-07-03 | 2013-02-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | Planar mercury lamp and light emitting device |
JP5083184B2 (en) * | 2008-11-26 | 2012-11-28 | ウシオ電機株式会社 | Excimer lamp device |
-
2013
- 2013-01-21 JP JP2013008064A patent/JP5601551B2/en active Active
- 2013-11-14 TW TW102141386A patent/TWI569300B/en active
- 2013-12-23 KR KR1020130161553A patent/KR101955042B1/en active IP Right Grant
-
2014
- 2014-01-07 CN CN201410007906.6A patent/CN103943536A/en active Pending
-
2017
- 2017-08-24 KR KR1020170107362A patent/KR101955109B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005050705A (en) | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Hamamatsu Photonics Kk | Static charge eliminator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014139874A (en) | 2014-07-31 |
CN103943536A (en) | 2014-07-23 |
TWI569300B (en) | 2017-02-01 |
JP5601551B2 (en) | 2014-10-08 |
KR20140094437A (en) | 2014-07-30 |
TW201432779A (en) | 2014-08-16 |
KR20170101860A (en) | 2017-09-06 |
KR101955042B1 (en) | 2019-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5861696B2 (en) | Light irradiation device | |
KR101181171B1 (en) | Ultraviolet irradiation unit and ultraviolet irradiation processing apparatus | |
WO2015098387A1 (en) | Light irradiation device | |
KR101955109B1 (en) | Light irradiation apparatus | |
WO2015083435A1 (en) | Ashing method and ashing device | |
JP4957967B2 (en) | UV irradiation treatment equipment | |
JP5408499B2 (en) | Light irradiation device | |
KR20060038468A (en) | Plasma processing device and ashing method | |
JP6229404B2 (en) | Excimer lamp device and light irradiation processing device | |
JP6183202B2 (en) | Ashing apparatus and ashing method | |
KR100822489B1 (en) | Dielectric-barrier discharge lamp and ultraviolet irradiation apparatus | |
KR20040049518A (en) | Atmospheric pressure plasma processing apparatus and its process by gas suction method | |
JP5783472B2 (en) | Ashing equipment | |
JP6102842B2 (en) | Desmear processing method and desmear processing apparatus | |
JP2015070167A (en) | Light radiation device | |
JP7281083B2 (en) | Excimer light irradiation device | |
JP5093176B2 (en) | Excimer lamp device | |
TWI588925B (en) | Light irradiation device | |
JP2005193088A (en) | Excimer lamp irradiation apparatus | |
JP5257480B2 (en) | Light processing equipment | |
JP2015201300A (en) | excimer lamp | |
JP2011041887A (en) | Excimer light exposure device | |
JP2012114057A (en) | Excimer lamp |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |