KR101947517B1 - Euv 광원용 감광성 포토레지스트 미세패턴 형성용 현상액 조성물 - Google Patents

Euv 광원용 감광성 포토레지스트 미세패턴 형성용 현상액 조성물 Download PDF

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Abstract

본원 발명은 반도체 제조 공정 중 EUV(Extreme Ultraviolet) 광원용 포토레지스트 현상액 조성물을 제공하기 위한 것을 목적으로 하며, 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH)를 2 내지 10 중량% 포함하는 수용액인 것을 특징으로 하는 EUV(Extreme Ultraviolet) 광원용 미세패턴 형성용 포토레지스트 현상액 조성물 및 그 조성물을 이용하는 EUV 광원을 이용하여 반도체 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 공정에 관한 것이며, 포토레지스트를 현상 시 Eop를 낮추어 공정시간이 단축되고, 패턴이 붕괴되지 아니할 뿐 아니라, 프로파일이 균일하게 패턴을 형성시킬 수 있는 효과를 갖는 것이다.

Description

EUV 광원용 감광성 포토레지스트 미세패턴 형성용 현상액 조성물 {DEVELOPER COMPOSITION FOR FORMING PHOTOSENSITIVE PHOTORESIST PATTERN FOR EXTREME ULTRAVIOLET}
본원 발명은 반도체 제조 공정 중 EUV(Extreme Ultraviolet) 광원용 현상액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 현상 시 Eop(Energy of Optimum)를 낮추면서 패턴의 프로파일이 무너지지 않는 보다 균일하게 패턴을 형성할 수 있는 미세패턴 형성용 포토레지스트 현상액 조성물 및 그 조성물을 이용하는 리소그래피 공정에 관한 것이다.
근래 반도체 디바이스의 소형화 및 집적화에 수반하여 미세패턴의 구현이 요구되고 있으며, 이러한 미세패턴을 형성하는 방법으로는 노광장비의 개발, 추가적인 공정의 도입 또는 공정의 개선을 통한 포토레지스트 패턴의 미세화가 요구되고 있는 형편이다.
반도체를 제조하는 공정에 있어서, 과거에는 365nm 파장의 i-line 광원을 이용하여 반도체 기판에 패턴을 형성하였으나 더 미세한 패턴을 형성하기 위해 더 작은 파장대의 광원을 필요로 하게 되었다.
실제로 KrF(248nm)를 시작으로 ArF(198nm), EUV(extreme ultra violet-극자외선, 13.5nm) 광원을 이용한 리소그래피(lithography), ArF 리소그래피의 이중 노광(더블 패터닝 리소그래피) 기술이 개발되어, 현재 상용화되었거나 상용화 중에 있으며 이를 이용하여 더 미세한 파장을 구현할 수 있게 되었다.
EUV 리소그래피에 있어서, 미세 패턴 형성 시 노광 중에 탄소 원자의 흡수가 적어서 원하는 사이즈의 패턴 형성이 잘 되지 않거나, 패턴 붕괴가 생성되는 문제가 있다. 레지스트막 내의 탄소 원자의 충분한 흡수가 없으면 미세 패턴 구현 시에 스트레이트 패턴을 형성할 수 없고, EUV에 대한 감도가 낮아져 충분한 스루풋(throughput)을 얻을 수 없어서 생산성이 저하되는 원인이 된다.
이를 해결하기 위해 포토레지스트의 현상 속도를 빠르게 하여 현상에 필요한 Dose를 낮추면서 보다 균일하게 패턴을 형성할 수 있는 기술 개발이 요구되고 있다.
본원 발명은 반도체 제조 공정 중 EUV(Extreme Ultraviolet) 광원용 현상액 조성물 및 그 조성물을 이용하는 리소그래피 공정에 관한 것으로, 보다 상세하게는 현상 시 Eop를 낮추면서 패턴의 프로파일이 무너지지 않는 보다 균일하게 패턴을 형성할 수 있는 현상액 조성물 및 그 조성물을 이용하는 리소그래피 공정을 제공하는데 목적이 있다.
이에 본원 발명의 조성물은 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH)를 2 내지 10 중량%를 포함하는 수용액을 특징으로 한다.
본원 발명에 따른 EUV 광원용 미세패턴 형성용 현상액 조성물은 현상 시 통상 현상액으로 사용하고 있는 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 또는 테트라부틸암모늄하이드록사이드(TBAH) 수용액에 비하여 Eop를 크게 낮추면서 패턴의 프로파일이 무너지지 않는 보다 균일하게 패턴을 형성할 수 있는 매우 현저한 효과가 있다.
이하, 본원 발명을 보다 상세히 설명한다.
본원 발명의 발명자는 지속적인 연구를 통하여, 기존의 리소그래피의 포토 공정에 사용하던 통상의 현상액인 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 또는 테트라부틸암모늄하이드록사이드(TBAH) 2.38 중량% 수용액의 경우 Dose가 높아 생산성이 떨어지고 있으며 Dose를 낮추기 위해 테트라메틸암모늄하이드록사이드 또는 테트라부틸암모늄하이드록사이드의 함량을 높였을 경우 Dose는 조금 낮아지나 패턴의 크기가 불균일하고 패턴의 쓰러짐도 발생하여 통상적으로 사용해왔던 테트라메틸암모늄하이드록사이드 또는 테트라부틸암모늄하이드록사이드 현상액으로는 본원 발명에서 달성하고자 하는 목표인 Dose를 낮춰 스루풋을 획기적으로 올리는 것이 불가능한 것이라는 점을 밝혔다.
나아가, 본원 발명의 발명자는 장기간의 연구를 통하여, 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH) 현상액은 테트라메틸암모늄하이드록사이드 현상액에서 야기된 문제점 없이 Dose를 낮춰 스루풋을 개선할 수 있음을 발명하게 되었는바, 아래에서 자세하게 기술하기로 한다.
본원 발명의 현상액 조성물인 테트라에틸암모늄하이드록사이드는 수용액 총 중량에 대하여, 2 내지 10 중량%, 바람직하게는 4 내지 10 중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 테트라에틸암모늄하이드록사이드가 2 중량% 미만일 경우 현상 속도가 느려 스루풋 개선이 미비하며, 10 중량%를 초과하여 사용할 경우에는 현상 속도가 너무 빨라서 패턴이 붕괴될 위험 때문에 바람직하지 않다.
통상의 포토레지스트 패터닝 공정을 살펴보면 EUV에 감응하는 포토레지스트를 300mm 실리콘 웨이퍼에 스핀(spin) 코터(coater)를 이용하여 1500rpm의 속도로 스핀 코팅하고, 110℃에서 60초간 핫플레이트(hot plate)에서 건조 후(SB: Soft bake), EUV가 발생되는 노광기를 이용하여 노광한 후, 110℃에서 60초간 핫플레이트(hot plate)에서 건조하고(PEB: Post exposure bake) 테트라메틸암모늄하이드록사이드 2.38 중량% 현상액을 사용하여 8초간 분사 후 50초간 정치(puddle)하고, DI 린스 후 2000rpm의 회전수로 20초간 웨이퍼를 회전시킴으로써 패터닝을 완료하였다.
본원 발명에서는 미세패턴 형성용 현상액을 사용하여 100rpm으로 22mL/s의 속도로 7초간 분사 후 20초간 정치(puddle)하고, DI로 린스 후 2000rpm의 회전수로 20초간 웨이퍼를 회전시킴으로써 포토레지스트 패턴형성을 완료하였다.
전술한 바와 같은 EUV 광원용 미세패턴 형성용 현상액 조성물과 이들 조성물을 적용한 공정 방법은 현상 시 Dose를 낮추면서 보다 균일하게 패턴을 형성하여 공정 시간 절감 및 이에 따른 제조 단가 절감을 기대할 수 있다.
이하 본원 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 설명한다. 그러나 하기한 실시예는 본원 발명의 바람직한 일 실시예 일뿐 본원 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 ~ 5 및 비교예 1 ~ 14
실시예 1
테트라에틸암모늄하이드록사이드 2g에 탈이온수(DI) 98g을 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
다음과 같은 처리 공정을 진행하여 Eop를 확인하였다.
EUV에 감응하는 포토레지스트를 300mm 실리콘 웨이퍼에 스핀(spin) 코터(coater)를 이용하여 1500rpm의 속도로 스핀 코팅하고, 110℃에서 60초간 핫플레이트(hot plate)에서 건조 후(SB: Soft bake), EUV가 발생되는 노광기를 이용하여 노광한 후, 110℃에서 60초간 핫플레이트(hot plate)에서 건조하고(PEB: Post exposure bake) 미세패턴 형성용 현상액으로 60초간 현상한다. 이후에 미세패턴 형성용 현상액을 사용하여 100rpm으로 22mL/s의 속도로 7초간 분사 후 20초간 정치(puddle)하고, DI로 린스 후 2000rpm의 회전수로 20초간 웨이퍼를 회전시킴으로써 포토레지스트 패턴형성을 완료하였다.
실시예 2
테트라에틸암모늄하이드록사이드 4g에 탈이온수(DI) 96g을 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
실시예 3
테트라에틸암모늄하이드록사이드 6g에 탈이온수(DI) 94g을 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
실시예 4
테트라에틸암모늄하이드록사이드 8g에 탈이온수(DI) 92g을 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
실시예 5
테트라에틸암모늄하이드록사이드 10g에 탈이온수(DI) 90g을 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
비교예 1
통상의 현상액을 구현하기 위해 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 2.38g을 탈이온수(DI) 97.62g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
비교예 2
테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 4g을 탈이온수(DI) 96g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
비교예 3
테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 10g을 탈이온수(DI) 90g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
비교예 4
테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH) 1g을 탈이온수(DI) 99g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
비교예 5
테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH) 11g을 탈이온수(DI) 89g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
비교예 6
테트라부틸암모늄하이드록사이드(TBAH) 2g을 탈이온수(DI) 98g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
비교예 7
테트라부틸암모늄하이드록사이드(TBAH) 4g을 탈이온수(DI) 96g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
비교예 8
테트라부틸암모늄하이드록사이드(TBAH) 10g을 탈이온수(DI) 90g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 실시예 1과 같이 진행하여 Eop를 확인하였다.
비교예 9
테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH) 2g을 탈이온수(DI) 98g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 i-line에 감응하는 포토레지스트를 사용하여 I-line 광원으로 실시예 1과 같이 진행하였고, Eop를 확인하였다.
비교예 10
테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH) 10g을 탈이온수(DI) 90g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 i-line에 감응하는 포토레지스트를 사용하여 I-line 광원으로 실시예 1과 같이 진행하였고, Eop를 확인하였다.
비교예 11
테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH) 2g을 탈이온수(DI) 98g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 KrF에 감응하는 포토레지스트를 사용하여 KrF 광원으로 실시예 1과 같이 진행하였고, Eop를 확인하였다.
비교예 12
테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH) 10g을 탈이온수(DI) 90g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 KrF에 감응하는 포토레지스트를 사용하여 KrF 광원으로 실시예 1과 같이 진행하였고, Eop를 확인하였다.
비교예 13
테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH) 2g을 탈이온수(DI) 98g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 ArF에 감응하는 포토레지스트를 사용하여 ArF 광원으로 실시예 1과 같이 진행하였고, Eop를 확인하였다.
비교예 14
테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH) 10g을 탈이온수(DI) 90g에 투입하고, 12시간 동안 기계 교반을 실시한 후 각각 0.02㎛ 필터에 통과시켜 현상액 조성물을 제조하였다.
이후 처리 공정은 ArF에 감응하는 포토레지스트를 사용하여 ArF 광원으로 실시예 1과 같이 진행하였고, Eop를 확인하였다.
특성 측정 실험
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 14에 대하여 20nm 라인 앤드 스페이스를 형성하고 있는 EOP와 collapse 및 패턴 프로파일을 CD-SEM(Hitachi S-8820 series)를 이용하여 측정한 결과를 표2에 나타내었다. Eop(mJ/cm2)가 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 2.38중량%에 비하여 개선될 뿐 아니라, 패턴의 붕괴(collapse)가 없으며, 이와 동시에 프로파일이 매우 우수한 것으로 개선되어야 보다 균일하게 패턴을 형성할 수 있는 유리한 결과를 나타낸다.
프로파일은 에너지와 포커스를 고정하여 웨이퍼 전체를 현상한 후 전체 영역의 패턴 균일성을 측정하여 CDU(Critical Dimension Uniformity, 선폭균일성)를 확인한 결과 값을 기준으로 하였으며 다음과 같다.
본원 발명에서는 CDU가 1% 미만인 매수 우수한 프로파일만을 선택하는 것으로 한다.
<프로파일>
1. 매우 불량: CDU 6% 이상
2. 불량: CDU 4% 이상 6% 미만
3. 보통: CDU 2% 이상 4% 미만
4. 다소 우수: CDU 1% 이상 2% 미만
5. 매우 우수: CDU 1% 미만
Eop
(mJ/cm2)		 Collapse 유무 프로파일
실시예 1 23 무 5
실시예 2 20 무 5
실시예 3 19 무 5
실시예 4 17 무 5
실시예 5 15 무 5
비교예 1 24 무 4
비교예 2 21 무 3
비교예 3 15 유 1
비교예 4 26 무 5
비교예 5 14 유 3
비교예 6 27 무 4
비교예 7 22 무 4
비교예 8 17 유 2
비교예 9 현상되지 아니함 - -
비교예 10 현상되지 아니함 - -
비교예 11 현상되지 아니함 - -
비교예 12 현상되지 아니함 - -
비교예 13 현상되지 아니함 - -
비교예 14 현상되지 아니함 - -
위 표 1의 특성 측정 실험 결과에 의하면, Eop(mJ/cm2)가 23이하인 것이어서 공정 시간이 크게 단축되는 효과를 나타낼 뿐 아니라, 패턴이 붕괴되는 현상인 Collapse가 발생하지 아니하는 동시에, CDU(Critical Dimension Uniformity, 선폭균일성)가 2% 미만인 것이어서 프로파일이 우수한 효과를 나타냄으로써, 결국 매우 현저한 효과를 나타내는 바람직한 결과를 나타내는 것은 실시예 1 내지 5의 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH)를 2 내지 10 중량%를 포함하는 수용액인 것이다.
나아가, 더욱 바람직한 결과를 나타내는 것은 Eop가 20(실시예 2) 내지 15(실시예 5)인 것이어서 공정 시간이 더욱 크게 단축되는 효과를 나타낼 뿐 아니라, Collapse가 발생하지 아니하면서도, CDU가 2% 미만인 것이어서 프로파일이 우수한 효과를 나타내는 실시예 2 내지 5의 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH)를 4 내지 10 중량%를 포함하는 수용액인 것이다.
위 농도 범위를 벗어나는 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH)의 농도에 관하여 평가하여 보건대, 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH)의 농도가 2 중량%보다 낮은 경우, 즉 비교예 4에서와 같이 1 중량%인 경우에는 Eop가 26으로 큰 것이어서 공정 시간이 단축되는 효과를 나타내지 못하는 것으로 평가되었으므로 채택될 수 없는 것을 확인하였다.
또한, 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH)의 농도가 10 중량%보다 높은 경우, 즉 비교예 5에서와 같이 11 중량%인 경우에는 패턴이 붕괴되는 현상인 Collapse가 발생하는 것이어서 채택할 수 없을 뿐 아니라, CDU(Critical Dimension Uniformity, 선폭균일성)가 4% 미만인 것이어서 패턴의 프로파일이 상대적으로 불량해지는 것으로 평가되었으므로 채택될 수 없는 것을 확인하였다.
한편, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)의 농도에 관하여 평가하여 보건대, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)의 농도가 낮은 경우, 즉 비교예 1에서와 같이 2.38 중량%인 경우에는 Eop가 24로 다소 큰 것이어서 공정 시간이 단축되는 효과가 낮은 것으로 평가되었을 뿐 아니라, CDU(Critical Dimension Uniformity, 선폭균일성)가 2% 미만인 것이어서 패턴의 프로파일이 매우 우수하지 못한 것으로 평가되었으므로 채택될 수 없는 것을 확인하였다.
또한, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)의 농도가 중간 정도의 농도인 경우, 즉 비교예 2에서와 같이 4 중량%인 경우에는 Eop는 작아지나 CDU(Critical Dimension Uniformity, 선폭균일성)가 4% 미만인 것이어서 패턴의 프로파일이 상대적으로 불량해지는 것으로 평가되었으므로 채택될 수 없는 것을 확인하였다.
그리고, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)의 농도가 높은 농도인 경우, 즉 비교예 3에서와 같이 10 중량%에서는 3에서와 같이 Eop는 작아지나 패턴이 붕괴되는 현상인 Collapse가 발생하는 것이어서 채택할 수 없을 뿐 아니라, CDU(Critical Dimension Uniformity, 선폭균일성)가 4% 미만인 것이어서 패턴의 프로파일이 상대적으로 불량해지는 것으로 평가되었으므로 채택될 수 없는 것을 확인하였다.
그러므로, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)는 낮은 농도로부터 높은 농도 모두에서 채택될 수 없는 것을 확인하였다.
한편, 테트라부틸암모늄하이드록사이드(TBAH)의 농도에 관하여 평가하여 보건대, 이 또한 모든 농도 범위에서 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)와 동일한 경향을 보이는 것으로 평가되었으므로 채택될 수 없는 것을 확인하였다.
나아가, 광원별로 평가하여 보건대, 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH) 2 중량% 및 10 중량%에서 수행된 비교예 9 내지 14의 특성 측정 실험 결과에 따르면, 테트라에틸암모늄하이드록사이드의 저농도(2 중량%)로부터 고농도(10 중량%)의 전범위에서 EUV 광원과 동일 조건으로 수행했음에도 불구하고, I-line, KrF, ArF 광원에서는 포토레지스트의 현상 자체가 이루어지지 않는 것으로 평가되었으므로 채택될 수 없는 것을 확인하였다.
따라서, 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH)의 경우 EUV 광원에서만 포토레지스트의 현상이 이루어지는 효과를 나타내는 것임이 확인된 것이다.
이는 각 광원에 상응하는 포토레지스트의 현상 속도의 차이가 발생하기 때문인 것으로 평가되었다.
즉, EUV 광원이 아닌 I-line, KrF, ArF 광원에서 진행되는 통상의 현상 공정을 살펴보면, 본원 발명에서 사용되는 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH)가 아닌 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 또는 테트라부틸암모늄하이드록사이드(TBAH) 2.38 중량% 현상액을 사용하여 8내지 10초간 분사 후 50 내지 60초간 정치(puddle)하고, DI 린스 후 2000rpm의 회전수로 20초간 웨이퍼를 회전시킴으로써 패터닝을 완료하는 것이어서, 50 내지 60초 이상 정치해야 현상이 이루어지는 것이다.
이에 비하여 본원 발명에서는 실시예 1 내지 5 및 표 1에 나타나 있는 것과 같이 EUV 광원에서 진행되는 것으로서 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH) 2 내지 10 중량% 현상액을 사용하여 7초간 분사 후 20초간 정치(puddle)하고, DI 린스 후 2000rpm의 회전수로 20초간 웨이퍼를 회전시킴으로써 패터닝을 완료하는 것이다.
따라서 본원 발명에서는 분사 시간이 7초인 것이어서 선행기술의 8 내지 10초에 비하여 단축되는 것일 뿐 아니라, 정치 시간이 20초로 선행기술의 50초 내지 60초에 비하여 크게 단축되는 것이므로 스루풋(throughput)이 단축되어 공정 시간을 크게 절감할 수 있는 현저한 효과를 나타내는 것이다.
공정 시간 절감효과를 보기 위하여 선행기술 대비 본원 발명의 분사 시간 및 정치 시간의 백분율(%)을 계산해 보면, 다음과 같다.
즉, 본원 발명의 공정시간 / 선행기술의 공정시간 (%) = {(7초 분사 + 20초 정치) / (8 ~ 10초 분사 + 50 ~ 60초 정치)} x 100 인 것이다.
이를 풀어 보면 {(7 + 20) / (8 + 50)} x 100 (%) 내지 {(7 + 20) / (10 + 60)} x 100 (%)인 것을 알 수 있으며, 이를 계산해보면 46 내지 38%인 것이다.
따라서, 공정 시간 절감효과는 54 내지 62%인 것이므로, 그 효과가 매우 현저한 것임을 알 수 있다.

Claims (4)

  1. EUV 광원을 이용하여 반도체 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 공정에서 포토레지스트를 현상하기 위하여 테트라에틸암모늄하이드록사이드를 2 내지 10 중량% 포함하는 수용액인 것을 특징으로 하는 EUV 광원용 포토레지스트 현상액 조성물.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 테트라에틸암모늄하이드록사이드를 4 내지 10 중량% 포함하는 수용액인 것을 특징으로 하는 EUV 광원용 포토레지스트 현상액 조성물.
  4. 제1항 또는 제3항 중 어느 한 항의 EUV 광원용 포토레지스트 현상액 조성물을 이용하는 EUV 광원을 이용하여 반도체 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 공정.
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