KR101943207B1 - 정전척의 제조방법 - Google Patents
정전척의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101943207B1 KR101943207B1 KR1020170085348A KR20170085348A KR101943207B1 KR 101943207 B1 KR101943207 B1 KR 101943207B1 KR 1020170085348 A KR1020170085348 A KR 1020170085348A KR 20170085348 A KR20170085348 A KR 20170085348A KR 101943207 B1 KR101943207 B1 KR 101943207B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dam
- base
- layer
- electrode
- resin composition
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명은 정전척의 제조방법에 관한 것으로 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 제1베이스가 구비되는 제1단계와, 상기 제1베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하는 제2단계와, 상기 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성하는 제3단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제4단계와, 상기 제1베이스의 상부에 이격 구비됨과 아울러 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 제2베이스가 구비되는 제5단계와, 상기 제2베이스의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제6단계와, 상기 제2베이스의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극 및 -전극이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극 및 -전극 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극을 갖는 전극층을 형성하는 제7단계와, 상기 제2베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐을 형성하는 제8단계와, 상기 제2베이스의 상부 제2댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제2댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 유전층을 형성하는 제9단계와, 상기 유전층 및 제2댐의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제10단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상부면에 유전층 및 제2댐의 상부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 절연층, 제1댐, 유전층, 제2댐의 사이에는 크레졸 노블락 에폭시 수지 10~30중량부, 페놀 노블락 수지 5~20중량부, 변성비스말레이미드 수지 2~20중량부, 무기충전제 50~80중량부 및 실리콘 화합물 0.8~25중량부로 형성됨과 아울러 경화되어 절연층, 제1댐, 유전층 및 제2댐이 접합되도록 하는 열경화성수지층이 형성되는 제11단계와, 상기 전극층에 전압을 공급하는 커넥터를 연결하여 구비하는 제12단계로 이루어진다.
Description
본 발명은 정전척의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각종 평판 패널 등에 사용되는 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지고, 용사코팅으로 절연층 및 유전층을 형성함으로써 정전척의 제작에 오랜 시간이 소요되던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 판형으로 형성되는 제1베이스를 구비하고, 제1베이스의 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하며, 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성함과 아울러 판형으로 형성되는 제2베이스를 구비하고, 제2베이스의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극 및 -전극이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극 및 -전극 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극을 갖는 전극층을 형성하며, 제2베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐을 형성하고, 상기 제2베이스의 상부 제2댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제2댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 유전층을 형성하며, 절연층 및 제1댐의 상부면에 유전층 및 제2댐의 상부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 절연층, 제1댐, 유전층, 제2댐의 사이에는 열경화성수지층을 형성하여 절연층, 제1댐, 유전층, 제2댐을 접합하고, 전극층에 전압을 공급하는 커넥터를 연결하여 구비함으로써 절연층 또는 유전층에 기공이 발생 되는 것을 방지하여 아킹을 줄이면서도 +전극 및 -전극 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극을 형성함으로써 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 있도록 한 정전척의 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체 및 디스플레이패널 등과 같은 제조 공정 기술의 경향인 웨이퍼 또는 유리기판의 대형화, 회로의 고집적화 및 초미세 가공, 그리고 플라즈마 식각 공정 등의 기술동향은 박막증착과 식각공정에서 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판을 고정하는 등의 방법에 큰 변혁을 요구하고 있다.
상기와 같은 웨이퍼 또는 유리기판을 종래에는 기계적 클램프 또는 진공척을 이용하여 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판을 고정하여 왔으나, 최근의 차세대 반도체 및 디스플레이패널 공정 장비에는 정전기력을 이용한 정전척이 핵심 부품으로 사용되어 웨이퍼 또는 유리기판를 고정하고 있다.
상기 정전척은 모재(母材)에 통상적으로 2개 이상의 유전층이 형성되고 유전층 사이에 전극이 삽입되어 사용되는 것과, 모재(母材)에 절연층 및 유전층을 형성하고, 절연층 및 유전층 사이에 전극을 삽입하여 사용되는 것 등이 있으며, 전도성을 갖는 전극에 직류전압을 인가하면 유전체의 분극현상에 따라 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판에 반대 극성이 발생됨으로서 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판과 유전체 간에 발생되는 정전기력으로 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판을 고정하는 장치이다.
한편, 상기와 같은 종래의 기술로는 피흡착물을 정전기력을 이용하여 흡착하기 위한 정전척에 있어서, 베이스 부재, 상기 베이스 부재의 일면에 조립되고, 각각에 전극이 마련된 복수개의 유전체 플레이트 유닛들이 조합되어 형성된 유전체 플레이트 및 상기 유전체 플레이트를 이루는 유전체 플레이트 유닛들 사이의 틈을 충진하는 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하며, 피흡착물을 정전기력을 이용하여 흡착하기 위한 정전척의 제조방법에 있어서, 세라믹 소결 공정을 실시하여 전극이 삽입된 유전체 플레이트 유닛을 제작하는 단계, 베이스 부재의 일면에 복수개의 상기 유전체 플레이트 유닛을 상호 이격되게 조립하는 단계 및 플라즈마 스프레이 공정을 실시하여 유전체 플레이트 유닛들 사이의 틈을 충진하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기술이 등록특허공보 제10-1109743호에서와 같이 공지된바 있다.
하지만, 상기와 같은 기술은 세라믹 소결 공정 및 플라즈마 스프레이 공정을 실시하여 정전척을 형성하는 것으로서 세라믹 소결 공정 및 플라즈마 스프레이 공정의 특성상 유전체에 기공이 다수 발생되어 아킹 현상이 일어남과 아울러 내전압 특성이 나빠지는 문제점이 있는 것이었다.
따라서, 상기와 같은 종래의 문제점을 해결한 정전척의 제조방법이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 종래에 대면적 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생 됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 판형으로 형성되는 제1베이스를 구비하고, 제1베이스의 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하며, 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성함과 아울러 판형으로 형성되는 제2베이스를 구비하고, 제2베이스의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극 및 -전극이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극 및 -전극 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극을 갖는 전극층을 형성하며, 제2베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐을 형성하고, 상기 제2베이스의 상부 제2댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제2댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 유전층을 형성하며, 절연층 및 제1댐의 상부면에 유전층 및 제2댐의 상부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 절연층, 제1댐, 유전층, 제2댐의 사이에는 열경화성수지층을 형성하여 절연층, 제1댐, 유전층, 제2댐을 접합하고, 전극층에 전압을 공급하는 커넥터를 연결하여 구비함으로써 절연층 또는 유전층에 기공이 발생 되는 것을 방지하여 아킹을 줄이면서도 +전극 및 -전극 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극을 형성함으로써 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 있도록 한 정전척의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 실현하기 위하여, 본 발명은 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 제1베이스가 구비되는 제1단계와, 상기 제1베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하는 제2단계와, 상기 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성하는 제3단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제4단계와, 상기 제1베이스의 상부에 이격 구비됨과 아울러 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 제2베이스가 구비되는 제5단계와, 상기 제2베이스의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제6단계와, 상기 제2베이스의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극 및 -전극이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극 및 -전극 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극을 갖는 전극층을 형성하는 제7단계와, 상기 제2베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐을 형성하는 제8단계와, 상기 제2베이스의 상부 제2댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제2댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 유전층을 형성하는 제9단계와, 상기 유전층 및 제2댐의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제10단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상부면에 유전층 및 제2댐의 상부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 절연층, 제1댐, 유전층, 제2댐의 사이에는 크레졸 노블락 에폭시 수지 10~30중량부, 페놀 노블락 수지 5~20중량부, 변성비스말레이미드 수지 2~20중량부, 무기충전제 50~80중량부 및 실리콘 화합물 0.8~25중량부로 형성됨과 아울러 경화되어 절연층, 제1댐, 유전층 및 제2댐이 접합되도록 하는 열경화성수지층이 형성되는 제11단계와, 상기 전극층에 전압을 공급하는 커넥터를 연결하여 구비하는 제12단계로 이루어지는 정전척의 제조방법을 제공한다.
이와 같이 이루어지는 본 발명에 의한 정전척의 제조방법은 종래에 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생 됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 판형으로 형성되는 제1베이스를 구비하고, 제1베이스의 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하며, 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성함과 아울러 판형으로 형성되는 제2베이스를 구비하고, 제2베이스의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극 및 -전극이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극 및 -전극 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극을 갖는 전극층을 형성하며, 제2베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐을 형성하고, 상기 제2베이스의 상부 제2댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제2댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 유전층을 형성하며, 절연층 및 제1댐의 상부면에 유전층 및 제2댐의 상부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 절연층, 제1댐, 유전층, 제2댐의 사이에는 열경화성수지층을 형성하여 절연층, 제1댐, 유전층, 제2댐을 접합하고, 전극층에 전압을 공급하는 커넥터를 연결하여 구비함으로써 절연층 또는 유전층에 기공이 발생 되는 것을 방지하여 아킹을 줄이면서도 +전극 및 -전극 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극을 형성함으로써 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 이점이 있는 것이다.
도 1은 본 발명의 정전척의 제조방법에 대한 흐름도이다.
이하 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 1을 참조하여 보면 본 발명에 의한 정전척의 제조방법은 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 제1베이스(10)가 구비되는 제1단계와, 상기 제1베이스(10)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐(12)을 형성하는 제2단계와, 상기 제1댐(12)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제1댐(12)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 절연층(16)을 형성하는 제3단계와, 상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제4단계와, 상기 제1베이스(10)의 상부에 이격 구비됨과 아울러 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 제2베이스(18)가 구비되는 제5단계와, 상기 제2베이스(18)의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제6단계와, 상기 제2베이스(18)의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전, 극(20) 및 -전극(22)이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극(20) 및 -전극(22) 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극(24)을 갖는 전극층(26)을 형성하는 제7단계와, 상기 제2베이스(18)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐(28)을 형성하는 제8단계와, 상기 제2베이스(18)의 상부 제2댐(28)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제2댐(28)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 유전층(30)을 형성하는 제9단계와, 상기 유전층(30) 및 제2댐(28)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제10단계와, 상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면에 유전층(30) 및 제2댐(28)의 상부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 절연층(16), 제1댐(12), 유전층(30), 제2댐(28)의 사이에는 크레졸 노블락 에폭시 수지 10~30중량부, 페놀 노블락 수지 5~20중량부, 변성비스말레이미드 수지 2~20중량부, 무기충전제 50~80중량부 및 실리콘 화합물 0.8~25중량부로 형성됨과 아울러 경화되어 절연층(16), 제1댐(12), 유전층(30) 및 제2댐(28)이 접합되도록 하는 열경화성수지층(32)이 형성되는 제11단계와, 상기 전극층(26)에 전압을 공급하는 커넥터(34)를 연결하여 구비하는 제12단계로 이루어진다.
먼저, SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 제1베이스(10)가 구비된다.(S1단계)
이때, 상기 베이스(10)는 세라믹 소결체로 형성되는 것이며, 베이스(10)의 상부면은 평탄도가 5~30㎛ 이내로 가공되어 구비되는 것이다.
한편, 상기 베이스(10)의 상부면 평탄도는 5~30㎛ 이내로 가공되어 구비되는 것이 바람직하며, 베이스(10)의 상부면 평탄도를 5㎛ 이하가 되도록 가공할 경우에는 가공에 따른 비용이 너무 높으면서도 가공 시간이 오래 걸리는 문제점이 있는 것이고, 베이스(10)의 상부면 평탄도를 30㎛ 이상으로 가공할 시에는 평탄도가 일정하게 형성되지 못하여 정전척을 각종 평판 패널 등에 사용되는 디스플레이 기판의 산화, 증착 또는 식각 공정 등에 사용할 시에 흡착력이 떨어지는 문제점이 발생 되는 것이다.
상기 제1베이스(10)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐(12)을 형성한다.(S2단계)
이때, 상기 제1댐(12)은 후술되는 페이스트수지조정물(14)과 동일한 성분으로 형성되는 것이다.
상기 제1댐(12)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제1댐(12)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 절연층(16)을 형성한다.(S3단계)
이때, 상기 페이스트수지조성물(14)은 bisphenol epoxy, HN-KJ02H, SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 및 솔밴트계로 이루어진 군에서 4종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것이며, 페이스트수지조성물(14)은 50~150℃의 온도로 가열되어 경화되는 것이다.
한편, 상기 페이스트수지조성물(14)은 용사코팅으로 절연층(16)을 형성할 시 보다 내전압 특성이 3~4배 우수할 뿐만 아니라 chucking력이 10배 이상 우수해지며, 중온 경화가 가능함과 아울러 제작 후 조밀도가 우수하여 기계적 및 전기적 특성이 우수하며, 면의 균일도가 뛰어난 이점이 및 효과가 있는 것이다.
또한, 상기 페이스트수지조성물(14)은 용사코팅으로 절연층(16)을 형성하였을시 보다 제작기간이 짧고 내전압특성도 우수해지는 효과 또한 있는 것이다.
한편, 상기 페이스트수지조성물(14)은 0.3~2㎜의 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 페이스트수지조성물(14)의 두께가 0.3㎜ 이하로 형성될 시에는 후술되는 전극층(26)을 제1베이스(10) 및 제2베이스(18)와 절연시키는데 체적 저항을 갖더라도 내전압 특성이 나빠져 제1베이스(10) 및 제2베이스(18)와 전극층(26) 사이에 절연성이 저하되는 문제점이 있는 것이며, 절연층(26)의 두께가 2㎜ 이상으로 형성될 시에는 페이스트수지조성물(14)이 경화되는데 소요되는 시간이 오래 걸릴 뿐만 아니라 필요 이상으로 많은 페이스트수지조성물(14)이 투입됨으로 제작 비용이 올라가는 문제점이 있는 것이다.
상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공한다.(S4단계)
또한, 상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도는 5~30㎛ 이내로 가공되는 것이 바람직하며, 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 5㎛ 이하가 되도록 가공할 경우에는 가공에 따른 비용이 너무 높으면서도 가공 시간이 오래 걸리는 문제점이 있는 것이고, 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 30㎛ 이상으로 가공할 시에는 평탄도가 일정하게 형성되지 못하여 정전척을 각종 평판 패널 등에 사용되는 디스플레이 기판의 산화, 증착 또는 식각 공정 등에 사용할 시에 흡착력이 떨어지는 문제점이 발생 되는 것이다.
한편, 상기 절연층(16) 및 제1댐(12)은 용사 코팅으로 제1베이스(10)의 상부면에 형성되는 것이 아니라 페이스트수지조성물(14)로 형성되는 것이므로 종래에 용사 코팅으로 절연층(16)을 형성함으로써 발생되던 기공이 발생되지 않으므로 기공으로 인한 아킹 발생하거나 내전압 특성이 나빠지던 것을 방지하는 이점이 있는 것이다.
상기 제1베이스(10)의 상부에 이격 구비됨과 아울러 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 제2베이스(18)가 구비된다.(S5단계)
이때, 상기 제2베이스(18)는 제1베이스(18)와 동일하게 형성되는 것이다.
상기 제2베이스(18)의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공한다.(S6단계)
상기 제2베이스(18)의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극(20) 및 -전극(22)이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극(20) 및 -전극(22) 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극(24)을 갖는 전극층(26)을 형성한다.(S7단계)
이때, 상기 +전극(20) 및 -전극(22)과 이격된 극성을 띠지 않는 플로팅전극(24)은 실크스크린 인쇄 방식, 잉크젯 인쇄 방식 또는 용사코팅 방식 중 선택된 어느 하나의 방식으로 형성되는 것이며, 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극(20) 및 -전극(22)과 이격된 극성을 띠지 않는 플로팅전극(24)을 형성할 수 있는 방식이라면 어떠한 방식을 사용하여도 무방한 것이다.
또한, 상기 +전극(20) 및 -전극(22)과 이격된 극성을 띠지 않는 플로팅전극(24)은 도전성 재질인 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 은, 구리로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것이다.
한편, 상기 +전극(20) 및 -전극(22)의 간격은 0.1~0.5mm로 형성됨이 바람직함과 아울러 +전극(20) 및 -전극(22) 사이에 갭이 최소한으로 형성되도록 플로팅전극(24)를 형성함이 바람직한 것이며, 플로팅전극(24)을 형성함으로써 +전극(20) 및 -전극(22) 사이에 갭이 최소한으로 줄어들어 내전압 특성이 향상되는 효과 및 이점이 있는 것이다.
상기 제2베이스(18)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐(28)을 형성한다.(S8단계)
이때, 상기 제2댐(28)은 제1댐(12)과 동일한 재질로 형성되는 것이다.
상기 제2베이스(18)의 상부 제2댐(28)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제2댐(28)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 유전층(30)을 형성한다.(S9단계)
이때, 상기 페이스트수지조성물(14)은 전술된 바와 같이 형성되는 것이다.
상기 유전층(30) 및 제2댐(28)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공한다.(S10단계)
상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면에 유전층(30) 및 제2댐(28)의 상부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 절연층(16), 제1댐(12), 유전층(30), 제2댐(28)의 사이에는 크레졸 노블락 에폭시 수지 10~30중량부, 페놀 노블락 수지 5~20중량부, 변성비스말레이미드 수지 2~20중량부, 무기충전제 50~80중량부 및 실리콘 화합물 0.8~25중량부로 형성됨과 아울러 경화되어 절연층(16), 제1댐(12), 유전층(30) 및 제2댐(28)이 접합되도록 하는 열경화성수지층(32)을 형성한다.(S11단계)
상기 열경화성수지층(32)은 크레졸 노블락 에폭시 수지 당량이 180~240이고, 연화점이 60~110℃이며, 페놀 노블락 수지는 1분자 내에 2개 이상의 수산기를 가지고, 연화점이 70~110℃이며, 변성비스말레이미드 수지는 비스말레이미드와 방향족 1차 디아민 및 방향족 2차 디아민을 1.2:1~10:1의 몰비로 마이클 부가반응시켜 얻어진 반응물로서, 분자량은 600~1600이고, 연화점은 40~110℃이며, 변성비스말레이미드에 부가된 방향족 디아민은 방향족 1차 디아민과 방향족 2차 디아민의 몰비가 9:1~1:9이고, 무기충전제는 산화실리콘, 탄산칼슘, 알루미타, 용융실리카, 결정성실리카, 구상실리카, 유리, 마그네사이트, 석고, 흑연, 시멘트, 철 카르보닐, 타르, 마이카, 규사, 카오린, 수산화 알루미튬으로 구성된 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 배합하여 사용하는 것이다.
상기 전극층(26)에 전압을 공급하는 커넥터(34)를 연결 구비한다.(S12단계)
이때, 상기 커넥터(34)는 외부로부터 공급되는 고전압을 +전극(20) 및 -전극(22)에 전달하는 역할을 하는 것이며, 한 개 또는 다수개가 구비되어 +전극(20) 및 -전극(22)과 연결되는 것이다.
또한, 상기 커넥터(34)는 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 구리 등의 도전성 재질로 형성되는 것이 바람직한 것이나 도전성 재질이라면 어떠한 것을 사용하여도 무방한 것이다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 의한 정전척의 제조방법은 종래에 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생 됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 판형으로 형성되는 제1베이스(10)를 구비하고, 제1베이스(10)의 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐(12)을 형성하며, 제1댐(12)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제1댐(12)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 절연층(16)을 형성함과 아울러 판형으로 형성되는 제2베이스(18)를 구비하고, 제2베이스(18)의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극(20) 및 -전극(22)이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극(20) 및 -전극(22) 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극(24)을 갖는 전극층(26)을 형성하며, 제2베이스(18)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐(28)을 형성하고, 상기 제2베이스(18)의 상부 제2댐(28)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제2댐(28)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 유전층(30)을 형성하며, 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면에 유전층(30) 및 제2댐(28)의 상부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 절연층(16), 제1댐(12), 유전층(30), 제2댐(28)의 사이에는 열경화성수지층(32)을 형성하여 절연층(16), 제1댐(12), 유전층(30), 제2댐(28)을 접합하고, 전극층(26)에 전압을 공급하는 커넥터(34)를 연결하여 구비함으로써 절연층(16) 또는 유전층(30)에 기공이 발생 되는 것을 방지하여 아킹을 줄이면서도 +전극(20) 및 -전극(22) 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극(24)을 형성함으로써 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 이점이 있는 것이다.
10 : 제1베이스 12 : 제1댐
14 : 페이스트수지조성물 16 : 절연층
18 : 제2베이스 20 : +전극
22 : -전극 24 : 플로팅전극
26 : 전극층 28 : 제2댐
30 : 유전층 32 : 열결화성수지층
34 : 커넥터
14 : 페이스트수지조성물 16 : 절연층
18 : 제2베이스 20 : +전극
22 : -전극 24 : 플로팅전극
26 : 전극층 28 : 제2댐
30 : 유전층 32 : 열결화성수지층
34 : 커넥터
Claims (5)
- SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 제1베이스(10)가 구비되는 제1단계(S1);
상기 제1베이스(10)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐(12)을 형성하는 제2단계(S2);
상기 제1댐(12)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제1댐(12)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 절연층(16)을 형성하는 제3단계(S3);
상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제4단계(S4);
상기 제1베이스(10)의 상부에 이격 구비됨과 아울러 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 제2베이스(18)가 구비되는 제5단계(S5);
상기 제2베이스(18)의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제6단계(S6);
상기 제2베이스(18)의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극(20) 및 -전극(22)이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극(20) 및 -전극(22) 사이에는 이격되어 극성을 띠지 않는 플로팅전극(24)을 갖는 전극층(26)을 형성하는 제7단계(S7);
상기 제2베이스(18)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐(28)을 형성하는 제8단계(S8);
상기 제2베이스(18)의 상부 제2댐(28)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제2댐(28)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 유전층(30)을 형성하는 제9단계(S9);
상기 유전층(30) 및 제2댐(28)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제10단계(S10);
상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면에 유전층(30) 및 제2댐(28)의 상부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 절연층(16), 제1댐(12), 유전층(30), 제2댐(28)의 사이에는 크레졸 노블락 에폭시 수지 10~30중량부, 페놀 노블락 수지 5~20중량부, 변성비스말레이미드 수지 2~20중량부, 무기충전제 50~80중량부 및 실리콘 화합물 0.8~25중량부로 형성됨과 아울러 경화되어 절연층(16), 제1댐(12), 유전층(30) 및 제2댐(28)이 접합되도록 하는 열경화성수지층(32)이 형성되는 제11단계(S11);
상기 전극층(26)에 전압을 공급하는 커넥터(34)를 연결하여 구비하는 제12단계(S12)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 페이스트수지조성물(14)은 bisphenol epoxy, HN-KJ02H, SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 및 솔밴트계로 이루어진 군에서 4종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 열경화성수지층(32)은 크레졸 노블락 에폭시 수지 당량이 180~240이고, 연화점이 60~110℃이며, 페놀 노블락 수지는 1분자 내에 2개 이상의 수산기를 가지고, 연화점이 70~110℃이며, 변성비스말레이미드 수지는 비스말레이미드와 방향족 1차 디아민 및 방향족 2차 디아민을 1.2:1~10:1의 몰비로 마이클 부가반응시켜 얻어진 반응물로서, 분자량은 600~1600이고, 연화점은 40~110℃이며, 변성비스말레이미드에 부가된 방향족 디아민은 방향족 1차 디아민과 방향족 2차 디아민의 몰비가 9:1~1:9이고, 무기충전제는 산화실리콘, 탄산칼슘, 알루미타, 용융실리카, 결정성실리카, 구상실리카, 유리, 마그네사이트, 석고, 흑연, 시멘트, 철 카르보닐, 타르, 마이카, 규사, 카오린, 수산화 알루미튬으로 구성된 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 배합하여 사용한 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법. - 제1항 내지 제2항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 페이스트수지조성물(14)은 50~150℃의 온도로 가열되어 경화됨을 특징으로 하는 정전척의 제조방법. - 제1항 내지 제2항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 전극층(26)은 도전성 재질인 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 은, 구리로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170085348A KR101943207B1 (ko) | 2017-07-05 | 2017-07-05 | 정전척의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170085348A KR101943207B1 (ko) | 2017-07-05 | 2017-07-05 | 정전척의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190004943A KR20190004943A (ko) | 2019-01-15 |
| KR101943207B1 true KR101943207B1 (ko) | 2019-01-28 |
Family
ID=65030486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170085348A KR101943207B1 (ko) | 2017-07-05 | 2017-07-05 | 정전척의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101943207B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101714619B1 (ko) | 2016-06-08 | 2017-03-09 | 주식회사하나기업 | 절연 페이스트로부터 형성된 절연층을 포함하는 정전척과 그의 제조방법 |
-
2017
- 2017-07-05 KR KR1020170085348A patent/KR101943207B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101714619B1 (ko) | 2016-06-08 | 2017-03-09 | 주식회사하나기업 | 절연 페이스트로부터 형성된 절연층을 포함하는 정전척과 그의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190004943A (ko) | 2019-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101833318B1 (ko) | 정전척의 제조방법 | |
| JP5061236B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ及び発光素子搭載用基板 | |
| US6272002B1 (en) | Electrostatic holding apparatus and method of producing the same | |
| US6122159A (en) | Electrostatic holding apparatus | |
| JP7306915B2 (ja) | セラミックス基板、静電チャック、静電チャックの製造方法 | |
| JP2014165267A (ja) | 複合部材及びその製造方法 | |
| JP2001351966A (ja) | サセプタ及びサセプタの製造方法 | |
| US20150155194A1 (en) | Method of preparing heterogeneous stacked co-fired ceramic for use in an aluminum nitride electrostatic chuck | |
| JP2009176928A (ja) | 静電チャックおよびその製造方法 | |
| KR101943207B1 (ko) | 정전척의 제조방법 | |
| KR101789916B1 (ko) | 대면적 정전척의 제조방법 | |
| JP6496604B2 (ja) | 静電チャックおよびその製造方法 | |
| KR101956453B1 (ko) | 정전척의 제조방법 | |
| KR20200133734A (ko) | 복합 소결체, 정전 척 부재, 정전 척 장치 및 복합 소결체의 제조 방법 | |
| CN113555308A (zh) | 陶瓷基板及其制造方法、静电卡盘、基板固定装置以及半导体器件封装 | |
| KR100995250B1 (ko) | 열 응력 감소를 위한 버퍼층을 포함하는 정전 척 | |
| KR20190106119A (ko) | 부분적으로 전극이 형성된 바이폴라 정전척 | |
| KR102097501B1 (ko) | 보호 코팅층을 가지는 정전척 | |
| KR20100137679A (ko) | 글라스 정전척 및 그 제조방법 | |
| KR101475860B1 (ko) | 직접접합에 의한 동시 소성이 가능한 세라믹 정전척 및 그 제조방법 | |
| KR100984751B1 (ko) | 열 응력 감소를 위한 이중 버퍼층을 포함하는 정전 척 | |
| JPH0727961B2 (ja) | 静電チャック板の製造方法 | |
| JP2000183143A (ja) | 静電チャック | |
| KR102519486B1 (ko) | 정전척 | |
| KR101362074B1 (ko) | 결합구조를 갖는 모재 및 이를 이용한 디스플레이 기판용 대면적 정전척의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |