KR101956453B1 - 정전척의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정전척의 제조방법에 관한 것으로 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스가 구비되는 제1단계와, 상기 베이스의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제2단계와, 상기 베이스의 상부에 판형의 시트 형태로 형성되어 베이스와 이격 구비됨과 아울러 한 쌍이 적층 구비되며, 한 쌍의 사이에는 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극 및 -전극이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극 및 -전극 사이에는 +전극 및 -전극과 이격된 극성을 띠지 않는 플로팅전극이 구비되고, 각각은 합착되는 폴리이미드시트를 구비하는 제3단계와, 상기 베이스의 상부면 및 폴리이미드시트 하부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 베이스의 상부면 및 폴리이미드시트 하부면 사이에는 크레졸 노블락 에폭시 수지 10~30중량부, 페놀 노블락 수지 5~20중량부, 변성비스말레이미드 수지 2~20중량부, 무기충전제 50~80중량부 및 실리콘 화합물 0.8~25중량부로 형성됨과 아울러 경화되어 베이스의 상부면 및 폴리이미드시트 하부면이 접합되도록 하는 열경화성수지층이 형성되는 제4단계와, 상기 폴리이미드시트에 형성되는 +전극 및 -전극에 전압을 공급하는 커넥터를 연결하여 구비하는 제5단계로 이루어지며, 상기 열경화성수지층에 있어서, 크레졸 노블락 에폭시 수지는 당량이 180~240이고, 연화점이 60~110℃이며, 페놀 노블락 수지는 1분자 내에 2개 이상의 수산기를 가지고, 연화점이 70~110℃이며, 변성비스말레이미드 수지는 비스말레이미드와 방향족 1차 디아민 및 방향족 2차 디아민을 1.2:1~10:1의 몰비로 마이클 부가반응시켜 얻어진 반응물로서, 분자량은 600~1600이고, 연화점은 40~110℃이며, 변성비스말레이미드에 부가된 방향족 디아민은 방향족 1차 디아민과 방향족 2차 디아민의 몰비가 9:1~1:9이고, 무기충전제는 산화실리콘, 탄산칼슘, 알루미나, 용융실리카, 결정성실리카, 구상실리카, 유리, 마그네사이트, 석고, 흑연, 시멘트, 철 카르보닐, 타르, 마이카, 규사, 카오린, 수산화 알루미늄으로 구성된 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 배합하여 사용한 것을 특징으로 이루어진다.

Description

정전척의 제조방법{Manufacturing method of electrostatic chuck}
본 발명은 정전척의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각종 평판 패널 등에 사용되는 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지고, 용사코팅으로 절연층 및 유전층을 형성함으로써 정전척의 제작에 오랜 시간이 소요되던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 베이스를 구비함과 아울러 베이스의 상부에는 내측에 +전극 및 -전극을 구비하며, +전극 및 -전극 사이에는 +전극 및 -전극과 이격됨과 아울러 극성을 띠지 않는 플로팅전극을 갖는 폴리이미드시트를 구비하고, 베이스와 폴리이미드시트는 열경화성수지층으로 접합함으로써 기공이 발생 되는 것을 방지함과 아울러 +전극 및 -전극 사이에 플로팅전극을 구비함으로써 +전극 및 -전극 사이의 간격을 줄여 아킹을 줄이면서도 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 있도록 한 정전척의 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체 및 디스플레이패널 등과 같은 제조 공정 기술의 경향인 웨이퍼 또는 유리기판의 대형화, 회로의 고집적화 및 초미세 가공, 그리고 플라즈마 식각 공정 등의 기술동향은 박막증착과 식각공정에서 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판을 고정하는 등의 방법에 큰 변혁을 요구하고 있다.
상기와 같은 웨이퍼 또는 유리기판을 종래에는 기계적 클램프 또는 진공척을 이용하여 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판을 고정하여 왔으나, 최근의 차세대 반도체 및 디스플레이패널 공정 장비에는 정전기력을 이용한 정전척이 핵심 부품으로 사용되어 웨이퍼 또는 유리기판를 고정하고 있다.
상기 정전척은 모재(母材)에 통상적으로 2개 이상의 유전층이 형성되고 유전층 사이에 전극이 삽입되어 사용되는 것과, 모재(母材)에 절연층 및 유전층을 형성하고, 절연층 및 유전층 사이에 전극을 삽입하여 사용되는 것 등이 있으며, 전도성을 갖는 전극에 직류전압을 인가하면 유전체의 분극현상에 따라 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판에 반대 극성이 발생됨으로서 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판과 유전체 간에 발생되는 정전기력으로 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판을 고정하는 장치이다.
한편, 상기와 같은 종래의 기술로는 피흡착물을 정전기력을 이용하여 흡착하기 위한 정전척에 있어서, 베이스 부재, 상기 베이스 부재의 일면에 조립되고, 각각에 전극이 마련된 복수개의 유전체 플레이트 유닛들이 조합되어 형성된 유전체 플레이트 및 상기 유전체 플레이트를 이루는 유전체 플레이트 유닛들 사이의 틈을 충진하는 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하며, 피흡착물을 정전기력을 이용하여 흡착하기 위한 정전척의 제조방법에 있어서, 세라믹 소결 공정을 실시하여 전극이 삽입된 유전체 플레이트 유닛을 제작하는 단계, 베이스 부재의 일면에 복수개의 상기 유전체 플레이트 유닛을 상호 이격되게 조립하는 단계 및 플라즈마 스프레이 공정을 실시하여 유전체 플레이트 유닛들 사이의 틈을 충진하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기술이 등록특허공보 제10-1109743호에서와 같이 공지된바 있다.
하지만, 상기와 같은 기술은 세라믹 소결 공정 및 플라즈마 스프레이 공정을 실시하여 정전척을 형성하는 것으로서 세라믹 소결 공정 및 플라즈마 스프레이 공정의 특성상 유전체에 기공이 다수 발생되어 아킹 현상이 일어남과 아울러 내전압 특성이 나빠지는 문제점이 있는 것이었다.
따라서, 상기와 같은 종래의 문제점을 해결한 정전척의 제조방법이 요구되고 있는 실정이다.
등록특허공보 제10-1109743호
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 종래에 대면적 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생 됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 베이스를 구비함과 아울러 베이스의 상부에는 내측에 +전극 및 -전극을 구비하며, +전극 및 -전극 사이에는 +전극 및 -전극과 이격됨과 아울러 극성을 띠지 않는 플로팅전극을 갖는 폴리이미드시트를 구비하고, 베이스와 폴리이미드시트는 열경화성수지층으로 접합함으로써 기공이 발생 되는 것을 방지함과 아울러 +전극 및 -전극 사이에 플로팅전극을 구비함으로써 +전극 및 -전극 사이의 간격을 줄여 아킹을 줄이면서도 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 있도록 한 정전척의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 실현하기 위하여, 본 발명은 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스가 구비되는 제1단계와, 상기 베이스의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제2단계와, 상기 베이스의 상부에 판형의 시트 형태로 형성되어 베이스와 이격 구비됨과 아울러 한 쌍이 적층 구비되며, 한 쌍의 사이에는 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극 및 -전극이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극 및 -전극 사이에는 +전극 및 -전극과 이격된 극성을 띠지 않는 플로팅전극이 구비되고, 각각은 합착되는 폴리이미드시트를 구비하는 제3단계와, 상기 베이스의 상부면 및 폴리이미드시트 하부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 베이스의 상부면 및 폴리이미드시트 하부면 사이에는 크레졸 노블락 에폭시 수지 10~30중량부, 페놀 노블락 수지 5~20중량부, 변성비스말레이미드 수지 2~20중량부, 무기충전제 50~80중량부 및 실리콘 화합물 0.8~25중량부로 형성됨과 아울러 경화되어 베이스의 상부면 및 폴리이미드시트 하부면이 접합되도록 하는 열경화성수지층이 형성되는 제4단계와, 상기 폴리이미드시트에 형성되는 +전극 및 -전극에 전압을 공급하는 커넥터를 연결하여 구비하는 제5단계로 이루어지며, 상기 열경화성수지층에 있어서, 크레졸 노블락 에폭시 수지는 당량이 180~240이고, 연화점이 60~110℃이며, 페놀 노블락 수지는 1분자 내에 2개 이상의 수산기를 가지고, 연화점이 70~110℃이며, 변성비스말레이미드 수지는 비스말레이미드와 방향족 1차 디아민 및 방향족 2차 디아민을 1.2:1~10:1의 몰비로 마이클 부가반응시켜 얻어진 반응물로서, 분자량은 600~1600이고, 연화점은 40~110℃이며, 변성비스말레이미드에 부가된 방향족 디아민은 방향족 1차 디아민과 방향족 2차 디아민의 몰비가 9:1~1:9이고, 무기충전제는 산화실리콘, 탄산칼슘, 알루미나, 용융실리카, 결정성실리카, 구상실리카, 유리, 마그네사이트, 석고, 흑연, 시멘트, 철 카르보닐, 타르, 마이카, 규사, 카오린, 수산화 알루미늄으로 구성된 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 배합하여 사용한 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법을 제공한다.
이와 같이 이루어지는 본 발명에 의한 정전척의 제조방법은 종래에 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생 됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 베이스를 구비함과 아울러 베이스의 상부에는 내측에 +전극 및 -전극을 구비하며, +전극 및 -전극 사이에는 +전극 및 -전극과 이격됨과 아울러 극성을 띠지 않는 플로팅전극을 갖는 폴리이미드시트를 구비하고, 베이스와 폴리이미드시트는 열경화성수지층으로 접합함으로써 기공이 발생 되는 것을 방지함과 아울러 +전극 및 -전극 사이에 플로팅전극을 구비함으로써 +전극 및 -전극 사이의 간격을 줄여 아킹을 줄이면서도 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 있는 이점이 있는 것이다.
도 1은 본 발명의 정전척의 제조방법에 대한 흐름도이다.
이하 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 1을 참조하여 보면 본 발명에 의한 정전척의 제조방법은 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스(10)가 구비되는 제1단계(S1)와, 상기 베이스(10)의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제2단계(S2)와, 상기 베이스(10)의 상부에 판형의 시트 형태로 형성되어 베이스(10)와 이격 구비됨과 아울러 한 쌍이 적층 구비되며, 한 쌍의 사이에는 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극(12) 및 -전극(14)이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극(12) 및 -전극(14) 사이에는 +전극(12) 및 -전극(14)과 이격된 극성을 띠지 않는 플로팅전극(16)이 구비되고, 각각은 합착되는 폴리이미드시트(18)를 구비하는 제3단계(S3)와, 상기 베이스(10)의 상부면 및 폴리이미드시트(18) 하부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 베이스(10)의 상부면 및 폴리이미드시트(18) 하부면 사이에는 크레졸 노블락 에폭시 수지 10~30중량부, 페놀 노블락 수지 5~20중량부, 변성비스말레이미드 수지 2~20중량부, 무기충전제 50~80중량부 및 실리콘 화합물 0.8~25중량부로 형성됨과 아울러 경화되어 베이스(10)의 상부면 및 폴리이미드시트(18) 하부면이 접합되도록 하는 열경화성수지층(20)이 형성되는 제4단계(S4)와, 상기 폴리이미드시트(18)에 형성되는 +전극(12) 및 -전극(14)에 전압을 공급하는 커넥터(22)를 연결하여 구비하는 제5단계(S5)로 이루어진다.
먼저, SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스(10)가 구비된다.(S1단계)
이때, 상기 베이스(10)는 세라믹 소결체로 형성되는 것이며, 베이스(10)의 상하부면은 평탄도가 5~30㎛ 이내로 가공되어 구비되는 것이다.
상기 베이스(10)의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공한다.(S2단계)
한편, 상기 베이스(10)의 상하부면 평탄도는 5~30㎛ 이내로 가공되어 구비되는 것이 바람직하며, 베이스(10)의 상하부면 평탄도를 5㎛ 이하가 되도록 가공할 경우에는 가공에 따른 비용이 너무 높으면서도 가공 시간이 오래 걸리는 문제점이 있는 것이고, 베이스(10)의 상하부면 평탄도를 30㎛ 이상으로 가공할 시에는 평탄도가 일정하게 형성되지 못하여 정전척을 각종 평판 패널 등에 사용되는 디스플레이 기판의 산화, 증착 또는 식각 공정 등에 사용할 시에 흡착력이 떨어지는 문제점이 발생 되는 것이다.
상기 베이스(10)의 상부에 판형의 시트 형태로 형성되어 베이스(10)와 이격 구비됨과 아울러 한 쌍이 적층 구비되며, 한 쌍의 사이에는 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극(12) 및 -전극(14)이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극(12) 및 -전극(14) 사이에는 +전극(12) 및 -전극(14)과 이격된 극성을 띠지 않는 플로팅전극(16)이 구비되고, 각각은 합착되는 폴리이미드시트(18)를 구비한다.(S3단계)
이때, 상기 +전극(12) 및 -전극(14)과 이격된 극성을 띠지 않는 플로팅전극(16)은 실크스크린 인쇄 방식, 잉크젯 인쇄 방식 또는 용사코팅 방식 중 선택된 어느 하나의 방식으로 형성되는 것이며, 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극(12) 및 -전극(14)과 이격된 극성을 띠지 않는 플로팅전극(16)을 형성할 수 있는 방식이라면 어떠한 방식을 사용하여도 무방한 것이다.
또한, 상기 +전극(12) 및 -전극(14)과 이격된 극성을 띠지 않는 플로팅전극(16)은 도전성 재질인 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 은, 구리로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것이다.
한편, 상기 폴리이미드시트(18)는 통상적인 폴리이미드필름을 사용하는 것이며, 폴리이미드시트(18) 내측에 구비되는 +전극(12) 및 -전극(14)의 간격은 0.1~0.5mm로 형성됨이 바람직하며, 폴리이미드시트(18)를 합착할 시에 +전극(12) 및 -전극(14) 사이에 갭이 최소한으로 형성되도록 플로팅전극(16)를 형성함이 바람직한 것이며, 플로팅전극(16)을 형성함으로써 +전극(12) 및 -전극(14) 사이에 갭이 최소한으로 줄어들어 내전압 특성이 향상되는 효과 및 이점이 있는 것이다.
상기 베이스(10)의 상부면 및 폴리이미드시트(18) 하부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 베이스(10)의 상부면 및 폴리이미드시트(18) 하부면 사이에는 크레졸 노블락 에폭시 수지 10~30중량부, 페놀 노블락 수지 5~20중량부, 변성비스말레이미드 수지 2~20중량부, 무기충전제 50~80중량부 및 실리콘 화합물 0.8~25중량부로 형성됨과 아울러 경화되어 베이스(10)의 상부면 및 폴리이미드시트(18) 하부면이 접합되도록 하는 열경화성수지층(20)이 형성된다(S4단계)
이때, 상기 열경화성수지층(20)의 크레졸 노블락 에폭시 수지는 당량이 180~240이고, 연화점이 60~110℃이며, 페놀 노블락 수지는 1분자 내에 2개 이상의 수산기를 가지고, 연화점이 70~110℃이며, 변성비스말레이미드 수지는 비스말레이미드와 방향족 1차 디아민 및 방향족 2차 디아민을 1.2:1~10:1의 몰비로 마이클 부가반응시켜 얻어진 반응물로서, 분자량은 600~1600이고, 연화점은 40~110℃이며, 변성비스말레이미드에 부가된 방향족 디아민은 방향족 1차 디아민과 방향족 2차 디아민의 몰비가 9:1~1:9이고, 무기충전제는 산화실리콘, 탄산칼슘, 알루미나, 용융실리카, 결정성실리카, 구상실리카, 유리, 마그네사이트, 석고, 흑연, 시멘트, 철 카르보닐, 타르, 마이카, 규사, 카오린, 수산화 알루미늄으로 구성된 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 배합하여 사용하는 것이다.
상기 폴리이미드시트(18)에 형성되는 +전극(12) 및 -전극(14)에 전압을 공급하는 커넥터(22)를 연결 구비한다.(S5단계)
이때, 상기 커넥터(22)는 외부로부터 공급되는 고전압을 +전극(12) 및 -전극(14)에 전달하는 역할을 하는 것이며, 한 개 또는 다수개가 구비되어 +전극(12) 및 -전극(14)과 연결되는 것이다.
또한, 상기 커넥터(22)는 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 구리 등의 도전성 재질로 형성되는 것이 바람직한 것이나 도전성 재질이라면 어떠한 것을 사용하여도 무방한 것이다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 의한 정전척의 제조방법은 종래에 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생 됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 베이스를 구비함과 아울러 베이스(10)의 상부에는 내측에 +전극(12) 및 -전극(14)을 구비하며, +전극(12) 및 -전극(14) 사이에는 +전극(12) 및 -전극(14)과 이격됨과 아울러 극성을 띠지 않는 플로팅전극(16)을 갖는 폴리이미드시트(18)를 구비하고, 베이스(10)와 폴리이미드시트(18)는 열경화성수지층(20)으로 접합함으로써 기공이 발생 되는 것을 방지함과 아울러 +전극(12) 및 -전극(14) 사이에 플로팅전극(16)을 구비함으로써 +전극(12) 및 -전극(14) 사이의 간격을 줄여 아킹을 줄이면서도 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 있는 이점이 있는 것이다.
10 : 베이스 12 : +전극
14 : -전극 16 : 플로팅전극
18 : 폴리이미드시트 20 : 열경화성수지층
22 : 커넥터

Claims (3)

  1. SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스(10)가 구비되는 제1단계(S1);
    상기 베이스(10)의 상하부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제2단계(S2);
    상기 베이스(10)의 상부에 판형의 시트 형태로 형성되어 베이스(10)와 이격 구비됨과 아울러 한 쌍이 적층 구비되며, 한 쌍의 사이에는 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 +전극(12) 및 -전극(14)이 서로 이격되어 형성됨과 아울러 +전극(12) 및 -전극(14) 사이에는 +전극(12) 및 -전극(14)과 이격된 극성을 띠지 않는 플로팅전극(16)이 구비되고, 각각은 합착되는 폴리이미드시트(18)를 구비하는 제3단계(S3);
    상기 베이스(10)의 상부면 및 폴리이미드시트(18) 하부면이 맞닿도록 구비함과 아울러 베이스(10)의 상부면 및 폴리이미드시트(18) 하부면 사이에는 크레졸 노블락 에폭시 수지 10~30중량부, 페놀 노블락 수지 5~20중량부, 변성비스말레이미드 수지 2~20중량부, 무기충전제 50~80중량부 및 실리콘 화합물 0.8~25중량부로 형성됨과 아울러 경화되어 베이스(10)의 상부면 및 폴리이미드시트(18) 하부면이 접합되도록 하는 열경화성수지층(20)이 형성되는 제4단계(S4);
    상기 폴리이미드시트(18)에 형성되는 +전극(12) 및 -전극(14)에 전압을 공급하는 커넥터(22)를 연결하여 구비하는 제5단계(S5)로 이루어지며,
    상기 열경화성수지층(20)에 있어서, 크레졸 노블락 에폭시 수지는 당량이 180~240이고, 연화점이 60~110℃이며, 페놀 노블락 수지는 1분자 내에 2개 이상의 수산기를 가지고, 연화점이 70~110℃이며, 변성비스말레이미드 수지는 비스말레이미드와 방향족 1차 디아민 및 방향족 2차 디아민을 1.2:1~10:1의 몰비로 마이클 부가반응시켜 얻어진 반응물로서, 분자량은 600~1600이고, 연화점은 40~110℃이며, 변성비스말레이미드에 부가된 방향족 디아민은 방향족 1차 디아민과 방향족 2차 디아민의 몰비가 9:1~1:9이고, 무기충전제는 산화실리콘, 탄산칼슘, 알루미나, 용융실리카, 결정성실리카, 구상실리카, 유리, 마그네사이트, 석고, 흑연, 시멘트, 철 카르보닐, 타르, 마이카, 규사, 카오린, 수산화 알루미늄으로 구성된 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 배합하여 사용한 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 +전극(12), -전극(14) 및 플로팅전극(16)은 도전성 재질인 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 은, 구리로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.
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