KR101938983B1 - 고주파 모듈 - Google Patents

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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

저손실화 및 저잡음화의 양쪽을 실현할 수 있는 고주파 모듈을 제공한다.
고주파 모듈(1)은 종결합형 탄성 표면파 필터(10)와, 탄성 표면파 필터(10)에 접속된 저잡음 증폭기(20)를 구비하고, 저잡음 증폭기(20)에 접속된 탄성 표면파 필터(10)의 입력 임피던스와 출력 임피던스는 상이하고, 스미스 차트에 있어서, 탄성 표면파 필터(10)의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스는, 저잡음 증폭기(20)의 이득이 최대가 될 때의 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스인 제1 출력 임피던스와, 저잡음 증폭기(20)의 잡음 지수가 최소가 될 때의 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스인 제2 출력 임피던스와의 사이의 영역에 존재한다.

Description

고주파 모듈{HIGH-FREQUENCY MODULE}
본 발명은 고주파 모듈에 관한 것이다.
종래, 이동체 통신 기기의 회로 모듈로서, 탄성 표면파(Surface Acoustic Wave: SAW) 필터가 사용된 고주파 모듈이 개발되어 있다. 최근의 통신 주파수 대역의 광대역화에 수반하여, 고주파 모듈의 수신 감도의 향상을 위해, 수신 회로 모듈에는 저손실이며 또한 저잡음화의 요구가 높아지고 있다. 그로 인해, 고주파 모듈에서는 탄성 표면파 필터의 후단 또는 전단에 다른 부품을 구비하고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 기재된 고주파 모듈에서는, 탄성 표면파 필터의 후단에 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier: LNA)가 접속되어 있다. 일반적으로, 고주파 모듈에 있어서 잡음 특성을 향상시키기 위해서는, 저잡음 증폭기에 접속된 측의 탄성 표면파 필터의 출력단에 있어서의 임피던스(출력 임피던스)가 저잡음 증폭기의 입력단에 있어서의 임피던스(입력 임피던스)에 정합하도록, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정하고 있다.
탄성 표면파 필터의 출력 임피던스의 조정은, 일반적으로 탄성 표면파 필터를 구성하는 공진자에 있어서의 IDT(InterDigital Transducer) 전극의 교차폭 또는, IDT 전극에 있어서의 전극 핑거의 대수를 변경함으로써 행해지고 있다.
일본 특허 공개 제2008-301223호 공보
그러나, IDT 전극의 교차폭을 변경함으로써 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정하는 경우, 교차폭이 클 때에는 IDT 전극을 구성하는 전극 핑거의 저항이 커지기 때문에, 신호 손실이 커진다. 또한, 교차폭이 작을 때에는, IDT 전극에 있어서 회절손이 발생하기 때문에, 신호 손실이 커진다. 따라서, IDT 전극의 교차폭을 변경하여 탄성 표면파 필터의 저잡음화를 도모할 경우에는, 고주파 모듈의 저손실화를 도모하는 것이 어려워진다.
또한, IDT 전극에 있어서의 전극 핑거의 대수를 변경함으로써 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정하는 경우, 전극 핑거의 대수가 클 때에는, 탄성 표면파 필터의 주파수 대역의 형성에 필요한 공진 모드의 간격이 좁아지기 때문에, 탄성 표면파 필터의 통과 대역 폭이 좁아진다. 또한, 전극 핑거의 대수가 작을 때에는, 당해 공진 모드의 간격이 넓어져, 전압 정재파비(Voltage Standing Wave Ratio: VSWR)의 특성이 열화되어, 신호 손실이 커진다. 따라서, IDT 전극에 있어서의 전극 핑거의 대수를 변경하여 탄성 표면파 필터의 저잡음화를 도모할 경우에도, 고주파 모듈의 저손실화를 도모하는 것이 어려워진다.
상기 과제를 감안하여, 본 발명은 저손실화 및 저잡음화의 양쪽을 실현할 수 있는 고주파 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 고주파 모듈의 일 형태는, 복수의 공진자를 구비하는 종결합형 탄성 표면파 필터와, 상기 탄성 표면파 필터에 접속되며, 상기 탄성 표면파 필터를 통과한 고주파 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기를 구비하고, 상기 저잡음 증폭기에 접속된 상기 탄성 표면파 필터의 입력 임피던스와 출력 임피던스는 상이하고, 스미스 차트에 있어서, 상기 탄성 표면파 필터의 통과 대역에 있어서의 상기 출력 임피던스는, 상기 저잡음 증폭기의 이득이 최대가 될 때의 상기 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스인 제1 출력 임피던스와, 상기 저잡음 증폭기의 잡음 지수가 최소가 될 때의 상기 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스인 제2 출력 임피던스와의 사이의 영역에 존재한다.
이에 의해, 스미스 차트에 있어서, 저잡음 증폭기의 이득이 최대가 될 때의 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스와, 저잡음 증폭기의 잡음 지수가 최소가 될 때의 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스와의 사이에서, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정하므로, 탄성 표면파 필터 및 고주파 모듈의 저손실화 및 저잡음화의 양쪽을 실현할 수 있다.
또한, 상기 탄성 표면파 필터는, 스미스 차트에 있어서, 상기 탄성 표면파 필터의 통과 대역에 있어서의 상기 출력 임피던스를 상기 영역에 존재하도록 조정하기 위한 전극 파라미터를 가져도 된다.
이에 의해, 탄성 표면파 필터에 있어서 전극 파라미터를 조정함으로써, 저손실화 및 저잡음화의 양쪽을 실현할 수 있다.
또한, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 적어도 하나의 상기 공진자의 IDT 전극은, 인출 전극을 갖고, 상기 전극 파라미터는, 상기 인출 전극의 개수여도 된다.
이에 의해, 인출 전극의 개수를 조정함으로써, 인출 전극이 형성된 공진자의 용량성의 임피던스를 조정할 수 있다. 따라서, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
또한, 상기 인출 전극은, 상기 공진자의 중앙 부분에 형성되어 있어도 된다.
이에 의해, 공진 모드에 대한 영향이 적은, 공진자의 중앙 부분에 인출 전극을 형성함으로써, 탄성 표면파 필터의 저손실화를 도모할 수 있다.
또한, 상기 인출 전극은, 상기 공진자의 중앙 부분의 46％의 범위에 형성되어 있어도 된다.
이에 의해, 공진 모드에 대한 영향이 적은, 공진자의 중앙 부분의 소정 영역에 인출 전극을 형성함으로써, 또한 탄성 표면파 필터의 저손실화를 도모할 수 있다.
또한, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자의 IDT 전극은, 교차폭 방향으로 분할되어 있고, 상기 전극 파라미터는, 상기 IDT 전극의 교차폭 방향의 분할 수여도 된다.
이에 의해, IDT 전극이 분할된 공진자의 회절손에 의한 영향을 받는 일 없이, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
또한, 상기 전극 파라미터는, 상기 탄성 표면파 필터의 입력 단자에 접속된 상기 공진자에 있어서의 메인 파장의 평균값인 제1 메인 파장과, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자에 있어서의 메인 파장의 평균값인 제2 메인 파장이며, 상기 제1 메인 파장과 상기 제2 메인 파장은 상이해도 된다.
이에 의해, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 50Ω으로부터 변경시킬 수 있다. 따라서, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 변경하여, 탄성 표면파 필터와 저잡음 증폭기의 임피던스를 정합시킬 수 있다.
또한, 상기 전극 파라미터는, 상기 탄성 표면파 필터의 입력 단자에 접속된 상기 공진자에 있어서의 메인 파장의 평균값인 제1 메인 파장에 대한, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자에 있어서의 메인 파장의 평균값인 제2 메인 파장의 비인 메인 파장비이고, 상기 메인 파장비는 1.01 이상이어도 된다.
이에 의해, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 50Ω보다도 높게 할 수 있다. 따라서, 탄성 표면파 필터와 저잡음 증폭기의 임피던스를 보다 정합시킬 수 있다.
또한, 상기 전극 파라미터는, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자에 있어서의 메인듀티이고, 상기 메인듀티는 0.55보다 크고 0.75보다 작아도 된다.
이에 의해, 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 공진자의 메인듀티를 증감시킴으로써, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 증감시킬 수 있다. 또한, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 50Ω으로부터 변경시킬 수 있으므로, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 변경하여, 탄성 표면파 필터와 저잡음 증폭기와의 임피던스를 정합시킬 수 있다.
또한, 상기 탄성 표면파 필터에 있어서, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자의 IDT 전극과, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자 사이의 배선은, 기판 위에 형성된 층간 절연막의 위에 형성되어 있어도 된다.
이에 의해, 배선과 기판의 용량 결합을 작게 함으로써, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 유도성 임피던스로 조정할 수 있다.
또한, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자의 IDT 전극은, 기판 위에 형성된 제1 전극층과, 상기 제1 전극층의 위에 형성된 제2 전극층을 갖고, 상기 층간 절연막이 배치된 위치에 있어서의 상기 배선은, 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층을 포함하고 있어도 된다.
이에 의해, 배선과 기판의 용량 결합의 감소폭이 작으므로, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 유도성의 임피던스로 작은 조정량으로 조정할 수 있다.
또한, 상기 층간 절연막이 배치된 위치에 있어서의 상기 배선은, 상기 제1 전극층 대신에 상기 층간 절연막을 가져도 된다.
이에 의해, 배선과 기판과의 용량 결합을 보다 작게 할 수 있으므로, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 보다 유도성측으로 조정할 수 있다.
본 발명에 따르면, 저손실화 및 저잡음화의 양쪽을 실현할 수 있는 고주파 모듈을 제공할 수 있다.
도 1은 실시 형태 1에 관한 고주파 모듈의 구성을 나타내는 개념도이다.
도 2a는 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2b는 도 2a에 도시한 탄성 표면파 필터 구성의 기본 구성을 도시하는 개략도이다.
도 3은 일반적인 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이며, (a)는 평면도, (b)는 (a)에 나타낸 일점쇄선에 있어서의 화살표 방향으로 본 단면도이다.
도 4는 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터 구성의 상세를 도시하는 개략도이다.
도 5는 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터에 있어서, 인출 전극이 1개일 때의 공진자의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 6a는 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터에 있어서, 인출 전극이 2개일 때의 공진자의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 6b는 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터에 있어서, 인출 전극이 3개일 때의 공진자의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 7은 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다.
도 8은 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터에 있어서, 인출 전극을 형성하는 위치에 대하여 설명하기 위한, 공진자의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 9는 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터에 있어서, 인출 전극을 형성하는 위치와 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 신호 손실 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 10은 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스의 조정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11a는 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정했을 때의, 탄성 표면파 필터의 통과 특성을 도시하는 도면이다.
도 11b는 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정했을 때의, 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다.
도 11c는 실시 형태 1에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정했을 때의, 고주파 모듈의 통과 특성을 도시하는 도면이다.
도 12a는 실시 형태 2에 관한 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 12b는 실시 형태 2에 관한 탄성 표면파 필터에 있어서, 공진자의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 13은 실시 형태 2에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다.
도 14a는 실시 형태 2에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 통과 특성을 도시하는 도면이다.
도 14b는 실시 형태 2에 관한 탄성 표면파 필터를 갖는 고주파 모듈 전체의 출력 단자측의 잡음 특성을 도시하는 도면이다.
도 15는 실시 형태 3에 관한 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 16a는 실시 형태 3에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다.
도 16b는 실시 형태 3에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 통과 특성을 도시하는 도면이다.
도 17은 실시 형태 3에 관한 탄성 표면파 필터의 다른 구성을 도시하는 개략도이다.
도 18a는 실시 형태 3에 관한 다른 구성의 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다.
도 18b는 실시 형태 3에 관한 다른 구성의 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 통과 특성을 도시하는 도면이다.
도 19는 실시 형태 4에 관한 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 20a는 실시 형태 4에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다.
도 20b는 실시 형태 4에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 통과 특성을 도시하는 도면이다.
도 21은 실시 형태 4에 관한 탄성 표면파 필터의 다른 구성을 도시하는 개략도이다.
도 22a는 실시 형태 4에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다.
도 22b는 실시 형태 4에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 통과 특성을 도시하는 도면이다.
도 23은 실시 형태 5에 관한 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 24a는 도 23에 도시한 탄성 표면파 필터의 B-B선에 있어서의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 24b는 도 23에 도시한 탄성 표면파 필터의 C-C선에 있어서의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 25a는 실시 형태 5에 관한 다른 구성의 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다.
도 25b는 실시 형태 5에 관한 탄성 표면파 필터의 출력 단자측의 잡음 특성을 도시하는 도면이다.
도 26은 도 23에 도시한 탄성 표면파 필터의 C-C선에 있어서의 다른 구성을 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 실시 형태는, 모두 본 발명의 바람직한 일 구체예를 나타내는 것이다. 따라서, 이하의 실시 형태에서 나타나는, 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 위치 및 접속 형태 등은 일례이며 본 발명을 한정하는 주지가 아니다. 따라서, 이하의 실시 형태에 있어서의 구성 요소 중, 본 발명의 최상위 개념을 나타내는 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는, 임의의 구성 요소로서 설명된다.
또한, 각 도면은, 모식도이며, 반드시 엄밀하게 도시된 것은 아니다. 각 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 있으며, 중복되는 설명은 생략 또는 간략화한다. 또한, 도시한 전극 구조에서는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서, 공진자 및 반사기에 있어서의 전극 핑거의 개수를 실제의 전극 핑거의 개수보다도 적게 도시하고 있다. 또한, 도시한 스미스 차트에서는, 탄성 표면파 필터의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스의 부분을 굵은 선으로 나타내고 있다.
(실시 형태 1)
이하, 실시 형태 1에 대해서, 도 1 내지 도 11c를 사용하여 설명한다.
[1. 고주파 모듈의 구성]
먼저, 본 실시 형태에 관한 고주파 모듈(1)의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 관한 고주파 모듈(1)의 구성을 도시하는 개념도이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 고주파 모듈(1)은 탄성 표면파 필터(10)와 저잡음 증폭기(20)를 구비하고 있다. 탄성 표면파 필터(10)는 일단이 고주파 모듈(1)의 입력 단자 IN에 접속되고, 타단이 저잡음 증폭기(20)에 접속되어 있다. 저잡음 증폭기(20)는 수신 후의 미약한 전파를 가능한 한 잡음을 증가시키지 않고 증폭하는 증폭기이다.
또한, 탄성 표면파 필터(10)에 있어서, 입력 임피던스란, 고주파 모듈(1)의 입력 단자 IN측에서 탄성 표면파 필터(10)를 보았을 때의 탄성 표면파 필터(10)의 임피던스를 말한다. 즉, 도 1에 화살표로 나타낸 SAW 입력측 임피던스를 말한다. 또한, 출력 임피던스란, 고주파 신호의 출력처인 저잡음 증폭기(20)가 접속된 측의 단자(도시하지 않음)로부터, 탄성 표면파 필터(10)를 보았을 때의 탄성 표면파 필터(10) 임피던스를 말한다. 즉, 도 1에 화살표로 나타낸 SAW 출력측 임피던스를 말한다. 저잡음 증폭기(20)에 접속된 탄성 표면파 필터(10)는 입력 임피던스와 출력 임피던스가 상이하다.
[2. 탄성 표면파 필터의 구성]
도 2a는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이다. 도 2b는, 도 2a에 도시한 탄성 표면파 필터 구성의 기본 구성을 도시하는 개략도이다.
탄성 표면파 필터(10)는 종결합형 탄성 표면파 필터이다. 도 2a에 도시하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10)는 입력 단자(11)와 출력 단자(12)의 사이에, 공진자(13), 공진자(14) 및 공진자(15)와, 반사기(16) 및 반사기(17)를 구비하고 있다. 공진자(13), 공진자(14) 및 공진자(15)는, 반사기(16)측으로부터 반사기(17)측으로, 이 순서대로 배치되어 있다.
도 2b에 도시하는 바와 같이, 공진자(13)는 2개의 IDT 전극(130a 및 130b)이 조합된 구성을 하고 있다. 공진자(13)의 IDT 전극(130a)은 입력 단자(11)에 접속되어 있다. IDT 전극(130b)은 접지에 접속되어 있다. 마찬가지로, 공진자(15)는 2개의 IDT 전극(150a 및 150b)이 조합된 구성을 하고 있다. 공진자(15)의 IDT 전극(150a)은 입력 단자(11)에 접속되어 있다. IDT 전극(150b)은 접지에 접속되어 있다.
또한, 공진자(13)와 공진자(15)의 사이에 배치된 공진자(14)는 2개의 IDT 전극(140a 및 140b)이 조합된 구성을 하고 있다. 공진자(14)의 IDT 전극(140a)은 접지에 접속되어 있다. IDT 전극(140b)은 출력 단자(12)에 접속되어 있다. 또한, 공진자(14)의 구성에 대해서는, 이후에 상세하게 설명한다.
또한, 반사기(16)는 2개의 버스 바 전극(16a) 및 버스 바 전극(16b)과, 버스 바 전극(16a)과 버스 바 전극(16b)의 사이에 복수 설치되며, 버스 바 전극(16a) 및 버스 바 전극(16b)에 각각 양단이 접속된 전극 핑거(16c)를 구비하고 있다. 마찬가지로, 반사기(17)는 2개의 버스 바 전극(17a) 및 버스 바 전극(17b)과, 버스 바 전극(17a)과 버스 바 전극(17b)의 사이에 복수 설치되며, 버스 바 전극(17a) 및 버스 바 전극(17b)에 각각 양단이 접속된 전극 핑거(17c)를 구비하고 있다.
여기서, 공진자의 구성에 대해서, 일반적인 공진자(100)를 사용하여 보다 상세하게 설명한다.
도 3은 일반적인 탄성 표면파 필터의 구성을 도시하는 개략도이며, (a)는 평면도, (b)는 (a)에 나타낸 일점쇄선에 있어서의 화살표 방향에서 본 단면도이다.
도 3의 (a) 및 (b)에 도시하는 바와 같이, 공진자(100)는 압전 기판(123)과, 빗형 형상을 갖는 IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)을 포함하고 있다.
압전 기판(123)은, 예를 들어 소정의 커트 각으로 절단된 LiNbO3의 단결정을 포함한다. 압전 기판(123)에서는, 소정의 방향으로 탄성 표면파가 전반한다.
도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 압전 기판(123)의 위에는, 대향하는 한 쌍의 IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)이 형성되어 있다. IDT 전극(101a)은 서로 평행한 복수의 전극 핑거(110a)와, 복수의 전극 핑거(110a)를 접속하는 버스 바 전극(111a)을 포함하고 있다. 또한, IDT 전극(101b)은, 서로 평행한 복수의 전극 핑거(110b)와, 복수의 전극 핑거(110b)를 접속하는 버스 바 전극(111b)을 포함하고 있다. IDT 전극(101a)과 IDT 전극(101b)은, IDT 전극(101a)의 복수의 전극 핑거(110a)의 각각의 사이에, IDT 전극(101b)의 복수의 전극 핑거(110b) 각각이 배치되는 구성으로 되어 있다.
또한, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)은, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 밀착층(124a)과 주전극층(124b)이 적층된 구조로 되어 있다.
밀착층(124a)은 압전 기판(123)과 주전극층(124b)의 밀착성을 향상시키기 위한 층이며, 재료로서는, 예를 들어 NiCr이 사용된다.
주전극층(124b)은 재료로서, 예를 들어, Pt가 사용된다. 주전극층(124b)은 1개의 층을 포함한 단층 구조여도 되고, 복수의 층이 적층된 적층 구조여도 된다.
보호층(125)은 IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)을 덮도록 형성되어 있다. 보호층(125)은 주전극층(124b)을 외부 환경으로부터 보호하는, 주파수 온도 특성을 조정하는 것 및, 내습성을 높이는 것 등을 목적으로 하는 층이다. 보호층(125)은, 예를 들어 이산화규소를 주성분으로 하는 막이다. 보호층(125)은 단층 구조여도 되고 적층 구조여도 된다.
또한, 밀착층(124a), 주전극층(124b) 및 보호층(125)을 구성하는 재료는, 상술한 재료에 한정되지 않는다. 또한, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)은, 상기 적층 구조가 아니어도 된다. IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)은, 예를 들어 Ti, Al, Cu, Pt, Au, Ag, Pd 등의 금속 또는 합금으로 구성되어도 되고, 또한, 상기의 금속 또는 합금을 포함하는 층이 복수 적층된 적층 구조를 포함해도 된다. 또한, 보호층(125)은 형성되어 있지 않아도 된다.
여기서, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)의 설계 파라미터에 대하여 설명한다. 도 3의 (b)에 나타내는 λ는, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)을 구성하는 전극 핑거(110a) 및 전극 핑거(110b)의 피치라고 한다. 탄성 표면파 필터의 메인 파장은, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)을 구성하는 복수의 전극 핑거(110a) 및 전극 핑거(110b)의 피치 λ로 규정된다. 또한, 메인 파장이란, 후술하는 IDT 전극(101a 및 101b)의 메인 피치 영역에서의 파장을 말한다.
피치 λ란, 상세하게는, 동일한 버스 바 전극에 접속된 인접하는 전극 핑거에 있어서, 한쪽 전극 핑거의 폭의 중앙으로부터 다른 쪽 전극 핑거의 폭의 중앙까지의 길이를 말한다. 예를 들어, 도 3의 (b)에서는, 버스 바 전극(111a)에 접속된 하나의 전극 핑거(110a)의 폭의 중앙으로부터, 당해 하나의 전극 핑거(110a)가 접속된 버스 바 전극(111a)과 동일한 버스 바 전극(111a)에 접속되며, 하나의 전극 핑거(110a)에 인접하는 다른 전극 핑거(110a)의 폭의 중앙까지의 길이이다.
또한, 도 3의 (b)에 나타내는 W는, 공진자(100)에 있어서의 IDT 전극(101a)의 전극 핑거(110a) 및 IDT 전극(101b)의 전극 핑거(110b)의 폭을 말한다. 또한, 도 3의 (b)에 나타내는 S는, 전극 핑거(110a)와 전극 핑거(110b) 사이의 간격을 말한다. 또한, 도 3의 (a)에 나타내는 L은, IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)의 교차폭이라 하고, IDT 전극(101a)의 전극 핑거(110a)와 IDT 전극(101b)의 전극 핑거(110b)가 중복되는 전극 핑거의 길이를 말한다. 또한, 대수란, 전극 핑거(110a) 또는 전극 핑거(110b)의 개수를 말한다.
또한, IDT 전극(101a 및 101b)의 듀티란, 전극 핑거(110a 및 110b)의 반복 피치 λ에 대한, 전극 핑거(110a 및 110b)의 폭이 차지하는 비율을 말한다. 보다 구체적으로는, IDT 전극(101a 및 101b)의 듀티란, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, IDT 전극(101a 및 101b)의 전극 핑거(110a 및 110b)의 폭을 W, 전극 핑거(110a)와 전극 핑거(110b) 사이의 간격을 S라 했을 때의, W/(W+S)인 것을 말한다. 또한, 메인 듀티란, 후술하는 IDT 전극(101a 및 101b)의 메인 피치 영역에서의 듀티를 말한다.
또한, 공진자(100)의 중앙 부분이란, 공진자(100)의 IDT 전극(101a) 및 IDT 전극(101b)에 있어서 탄성 표면파의 전반 방향의 중앙으로부터 소정의 범위의 부분을 말한다. 소정의 범위에 대해서는, 이후에 상세하게 설명하는 바와 같이, 예를 들어 공진자(100)의 전체에 대하여 중앙 부분의 46％를 말한다. 소정의 범위에 대해서는, 적절히 변경해도 된다.
또한, 공진자(100)의 구조는, 도 3의 (a) 및 (b)에 기재된 구조에 한정되지 않는다. 또한, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10)의 구조는, 상술한 구성에 한정되지 않는다.
이하, 공진자(14)의 구성에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
도 4는 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10a)의 구성의 상세를 도시하는 개략도이다. 도 5는 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10a)에 있어서, 인출 전극이 1개일 때의 공진자(14a)의 구성을 도시하는 개략도이다. 도 6a는, 인출 전극이 2개일 때의 공진자(14a)의 구성을 도시하는 개략도이다. 도 6b는, 인출 전극이 3개일 때의 공진자(14a)의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 공진자(14a)는 2개의 IDT 전극(140a 및 140b)이 조합된 구성을 하고 있다. IDT 전극(140a)은 버스 바 전극(141a)과, 버스 바 전극(141a)에 일단이 접속된 복수의 전극 핑거(142a)를 갖고 있다. 마찬가지로, IDT 전극(140b)은 버스 바 전극(141b)과, 버스 바 전극(141b)에 일단이 접속된 복수의 전극 핑거(142b)를 갖고 있다. 전극 핑거(142a 및 142b)의 피치는, 공진자(14a)의 양단 근방에 있어서의 전극 핑거의 피치가, 양단 근방 이외의 중앙 부분의 전극 핑거의 피치에 비해 좁게 되어 있다. 또한, 전극 핑거의 피치가 좁게 되어 있는 영역을 협소 피치 영역, 그 밖의 영역을 메인 피치 영역이라고 한다. 협소 피치 영역에서의 전극 핑거(142a 및 142b)의 대수는, 예를 들어 3이다.
또한, 공진자(14a)는 접지에 접속된 IDT 전극(140a)에, 인출 전극(143)을 갖고 있다. 인출 전극(143)이란, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 출력 단자(12)에 접속되는 IDT 전극(140b)의 버스 바 전극(141b)에 접속되는 복수의 전극 핑거(142b) 중 일부가 인출되어, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 버스 바 전극(141b)이 아니라 접지에 접속된 IDT 전극(140a)의 버스 바 전극(141a)에 접속된 것을 말한다.
인출 전극(143)을 1개 형성하는 경우에는, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, IDT 전극(140a)에서는, 버스 바 전극(141a)에 접속된 2개의 전극 핑거(142a)의 사이에 인출 전극(143a)이 형성된다. 따라서, IDT 전극(140b)을 구성하는 2개의 전극 핑거(142b)의 사이에는, 버스 바 전극(141a)에 접속된 전극 핑거가 연속해서 3개 배열되게 된다.
또한, 인출 전극(143)의 개수는, 1개에 한하지 않고 2개 이상이어도 된다. 이때, 버스 바 전극(141b)에 접속된 연속되는 2개 이상의 전극 핑거(142b)를 인출 전극(143)으로 해도 되고, 연속되지 않는 2개 이상의 전극 핑거(142b)를 인출 전극(143)으로 해도 된다.
예를 들어, 연속하는 2개의 인출 전극(143a 및 143b)을 형성하는 경우, 도 6a에 도시하는 바와 같이, IDT 전극(140b)을 구성하는 2개의 전극 핑거(142b)의 사이에는, 버스 바 전극(141a)에 접속된 전극 핑거(142a)와 인출 전극(143a 및 143b)이 연속해서 5개 배열되게 된다. 또한, 연속하는 3개의 인출 전극(143a, 143b 및 143c)을 형성하는 경우, 도 6b에 도시하는 바와 같이, IDT 전극(140b)을 구성하는 2개의 전극 핑거(142b)의 사이에는, 버스 바 전극(141a)에 접속된 전극 핑거(142a)와 인출 전극(143a, 143b 및 143c)이 연속해서 7개 배열되게 된다. 나중에 상세하게 설명하는 바와 같이, 인출 전극(143)의 개수를 변경함으로써, 탄성 표면파 필터(10a)와 저잡음 증폭기(20)의 잡음 지수 및 이득의 정합을 취할 수 있다. 즉, 인출 전극의 개수는, 탄성 표면파 필터(10a)와 저잡음 증폭기(20)의 잡음 지수 및 이득의 정합을 취하기 위한 전극 파라미터이다.
또한, 인출 전극(143)은 상술한 바와 같이 접지에 접속된 버스 바 전극(141a)에 접속되어도 되고, 출력 단자(12)에 접속된 버스 바 전극(141b)에 접속되어도 된다.
도 7은 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다. 도 7에서는, 인출 전극(143)을 0개, 1개, 2개, 3개로 연속하여 형성했을 때의 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 단자측의 반사 특성을, 각각 실선, 파선, 일점쇄선, 2점 쇄선으로 나타내고 있다.
인출 전극(143)의 개수를 0개, 1개, 2개, 3개로 증가시키면, 도 7에 도시하는 바와 같이, 출력 임피던스는 스미스 차트상에 있어서 용량성측으로 이동한다. 따라서, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 용량성측으로 변화시키고자 할 때에는, 인출 전극(143)을 사용하는 것이 유효함을 알 수 있다. 또한, 연속하여 형성하는 인출 전극(143)의 개수를 증가시킴으로써, 출력 임피던스를 보다 용량성측으로 변화시킬 수 있다.
여기서, 공진자(14a)에 있어서, 인출 전극(143)이 형성되는 위치에 대하여 설명한다. 도 8은 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10a)에 있어서, 인출 전극(143a)을 형성하는 위치에 대하여 설명하기 위한, 공진자(14a)의 구성을 도시하는 개략도이다. 도 9는 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10a)에 있어서, 인출 전극(143)을 형성하는 위치와 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 단자측의 신호 손실 사이의 관계를 도시하는 도면이다. 또한, 도 9의 종축은, 지면 하방으로 향할수록 신호 손실이 크고, 지면 상방으로 향할수록 신호 손실이 작은 것을 나타내고 있다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 인출 전극(143)은 공진자(14a)의 전체에 대하여 중앙 부분에 형성된다. 또한, 인출 전극(143)을 형성하는 영역을, 인출 영역이라고 부른다.
공진자(14a)에 있어서, 탄성 표면파의 전반 방향의 양단 근방에는, 상술한 바와 같이 협소 피치 영역이 형성되어 있다. 여기서, 공진자(14a)에 있어서 인출 전극(143)을 형성하는 위치를 변경한 경우, 협소 피치 영역에서 전극 핑거(142a 및 142b)의 배치를 변경하는 것은, 공진 모드에 어떠한 영향을 주게 된다고 상정된다.
예를 들어, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 단자측의 임피던스의 정합을 취하기 위해, 공진자(14a)의 양단의 소정의 범위에 인출 전극(143)을 형성한 경우에는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 단자측의 임피던스의 부정합에 의한 신호 손실(부정합 손실)이 열화, 즉, 커져 있고, 출력 단자측의 임피던스의 정합이 취해지고 있지 않음을 알 수 있다. 한편, 공진자(14a)의 중앙 부분에 인출 전극(143a)을 형성한 경우에는, 부정합 손실은 작아져(예를 들어, 5dB 정도), 출력 단자측의 임피던스의 정합이 취해져 있음을 알 수 있다. 또한, 인출 전극(143)을 형성하지 않은 경우의 부정합 손실은 5.5dB 정도이고, 공진자(14a)의 중앙 부분에 인출 전극(143)을 형성한 경우, 즉 인출 영역을 공진자(14)의 중앙 부분으로 했을 경우에는, 인출 전극(143a)을 형성하지 않은 경우와 동등하게 부정합 손실은 열화되지 않는 것을 알 수 있다. 보다 구체적으로는, 도 9에 있어서 부정합 손실이 열화되지 않기 위한 인출 영역은, 공진자(14a) 전체에 대하여 중앙 부분의 46％ 정도이다.
이상으로부터, 인출 전극(143)은 공진자(14a)의 중앙 부분에 형성하는 것이 좋다. 예를 들어, 인출 전극(143)은 공진자(14a)의 중앙 부분의 46％의 범위에 형성되는 것으로 해도 된다.
[3. 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스의 조정]
이어서, 도 1에 도시한 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10a)에 저잡음 증폭기(20)를 접속하는 경우의, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스의 조정에 대하여 설명한다.
도 10은, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10a)의, 출력 임피던스의 조정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
탄성 표면파 필터(10a)는 도 1에 도시한 바와 같이 저잡음 증폭기(20)에 접속되어 고주파 모듈(1)로서 사용되기 때문에, 고주파 모듈(1) 전체의 전송 특성이 좋아지도록, 출력 임피던스를 조정할 필요가 있다. 즉, 저잡음 증폭기(20)의 입력 임피던스에 맞추어, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정한다.
상세하게는, 스미스 차트에 있어서, 탄성 표면파 필터(10a)측으로부터 저잡음 증폭기(20)를 보았을 때의 저잡음 증폭기(20)의 입력 임피던스의 복소 공액의 위치에, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스가 위치하도록, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정한다. 여기서, 저잡음 증폭기(20)의 입력 임피던스란, 저잡음 증폭기(20)의 이득과 잡음 지수의 양쪽의 특성 향상을 충족하는 입력 임피던스이다. 즉, 스미스 차트에 있어서, 저잡음 증폭기(20)의 이득이 최대가 되는 저잡음 증폭기(20)의 입력 임피던스와, 저잡음 증폭기(20)의 잡음 지수가 최소가 되는 저잡음 증폭기(20)의 입력 임피던스 사이의 영역에 위치하는 입력 임피던스이다. 이 영역에 대응하는 복소 공액의 영역(도 10에 도시하는 SAW 출력단의 목표 Imp 영역)에, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정한다.
즉, 도 10에 도시하는 바와 같이, 스미스 차트에 있어서, 탄성 표면파 필터(10a)의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스가, 저잡음 증폭기(20)의 이득이 최대가 될 때의 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스(제1 출력 임피던스)와, 저잡음 증폭기(20)의 잡음 지수가 최소가 될 때의 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스(제2 출력 임피던스) 사이의 영역(SAW 출력단의 목표 Imp 영역)에 존재하도록, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정한다.
이때, 상술한 인출 전극(143)을 형성함으로써, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정한다. 또한, 인출 전극(143)의 개수를 증감함으로써, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정한다. 즉, 인출 전극(143)의 개수를, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 SAW 출력단의 목표 Imp 영역에 존재하도록 조정하기 위한 전극 파라미터로 한다. 또한, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정하기 위해서는, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 단자(12)측의 IDT 전극(140b)에 있어서의 전극 핑거(142b)를, 버스 바 전극(141a)에 접속하여 인출 전극(143)으로 하면 된다. 이에 의해, 공진자(14a)에 있어서 일부의 영역만 같은 극성의 전극 핑거가 배열되기 때문에, 인출 전극(143)을 형성하지 않은 경우에 비하여 공진자(14a)의 용량이 작아진다. 이에 의해, 인출 전극(143)을 형성한 공진자(14a)가 접속된, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 단자측의 임피던스가 변화하게 된다. 또한, 도 7에 도시한 바와 같이, 인출 전극(143)을 형성함으로써, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 단자측의 임피던스는, 용량성측으로 변화하게 되므로, 스미스 차트상에 있어서의 SAW 출력단의 목표 Imp 영역에 존재하도록, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 단자측의 임피던스를 용이하게 조정할 수 있다.
도 11a는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정했을 때의, 탄성 표면파 필터(10a)의 통과 특성을 도시하는 도면이다. 도 11b는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정했을 때의, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다. 도 11c는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정했을 때의, 고주파 모듈(1)의 통과 특성을 도시하는 도면이다. 도 11a 내지 도 11c에서는, 인출 전극(143a)을 형성하지 않은 경우의 특성을 실선, 인출 전극(143)을 형성한 경우의 특성을 파선으로 나타내고 있다.
도 11a에 도시하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정한 경우, 탄성 표면파 필터(10a) 단체에서는, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정하지 않는 경우에 비하여 삽입 손실이 크게 되어 있다. 이때의 탄성 표면파 필터(10a)의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스는, 도 11b에 도시하는 바와 같이, 상술한 SAW 출력단의 목표 Imp 영역에 존재하도록 조정되어 있다.
한편, 탄성 표면파 필터(10a)에 저잡음 증폭기(20)를 포함한 고주파 모듈(1) 전체의 통과 특성에 대해서는, 도 11c에 도시하는 바와 같이, 통과 대역에 있어서 삽입 손실이 향상되고 있음을 알 수 있다. 따라서, 탄성 표면파 필터(10a)에 있어서, 출력 단자측의 공진자(14a)에 인출 전극(143)을 형성하고, 스미스 차트상에 있어서 상술한 SAW 출력단의 목표 Imp 영역에 존재하도록 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정함으로써, 탄성 표면파 필터(10a)에 저잡음 증폭기(20)를 포함한 고주파 모듈(1) 전체의 전송 특성을 향상시킬 수 있다.
[4. 효과 등]
이상, 본 실시 형태에 관한 고주파 모듈에 의하면, 탄성 표면파 필터(10a)에 있어서, 출력 단자측의 공진자(14a)에 인출 전극(143)을 형성하고, 스미스 차트상에 있어서 상술한 SAW 출력단의 목표 Imp 영역에 존재하도록 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를 조정함으로써, 탄성 표면파 필터(10a)에 저잡음 증폭기(20)를 포함한 고주파 모듈(1) 전체의 전송 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 이때, 연속하여 형성되는 인출 전극(143)의 개수를 증가시킴으로써, 탄성 표면파 필터(10a)의 출력 임피던스를, 보다 용량성으로 변화시킬 수 있다.
(실시 형태 2)
이어서, 실시 형태 2에 대해서, 도 12a 내지 도 14b를 사용하여 설명한다. 본 실시 형태에 관한 고주파 모듈이 실시 형태 1에 관한 고주파 모듈(1)과 상이한 점은, 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 임피던스의 조정 방법으로서, 출력 단자측의 공진자(14b)의 IDT 전극이, 교차폭 방향으로 2개로 분할되어 있는 점이다.
먼저, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10b)의 구성에 대하여 설명한다.
도 12a는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10b)의 구성을 도시하는 개략도이다. 도 12b는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10b)에 있어서, 공진자(14b)의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 12a에 도시하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10b)는 공진자(13), 공진자(14b) 및 공진자(15)를 갖고 있다. 공진자(13) 및 공진자(15)의 구성은, 실시 형태 1에 나타낸 공진자(13) 및 공진자(15)와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
공진자(14b)는 도 12a에 도시하는 바와 같이, 교차폭 방향으로 2개로 분할된 IDT 전극을 갖고 있다. 즉, 공진자(14b)는 도 12b에 도시하는 바와 같이, 교차폭 방향으로 직렬로 접속된 제1 IDT 전극(145a)과 제2 IDT 전극(145b)을 갖고 있다. 즉, 탄성 표면파 필터(10b)에 있어서, IDT 전극의 분할 수는 2이다.
상세하게는, 도 12b에 도시하는 바와 같이, 공진자(14b)는 IDT 전극(140a), IDT 전극(140b) 및 IDT 전극(140c)이 조합된 구성을 하고 있다. IDT 전극(140a)은 실시 형태 1에 나타낸 IDT 전극(140a)과 마찬가지로, 버스 바 전극(141a)과, 버스 바 전극(141a)에 일단이 접속된 복수의 전극 핑거(142a)를 갖고 있다. 마찬가지로, IDT 전극(140b)은 버스 바 전극(141b)과, 버스 바 전극(141b)에 일단이 접속된 복수의 전극 핑거(142b)를 갖고 있다. IDT 전극(140c)은 버스 바 전극(141c)과, 버스 바 전극(141c)에 일단이 접속되고, 버스 바 전극(141c)으로부터 버스 바 전극(141a)을 향하여 설치된 전극 핑거(142c)와, 버스 바 전극(141c)에 일단이 접속되고, 버스 바 전극(141c)으로부터 버스 바 전극(141b)을 향하여 설치된 전극 핑거(142d)를 갖고 있다. 전극 핑거(142a)와 전극 핑거(142c)는, 탄성 표면파의 전반 방향으로 교대로 배치되어 있다. 마찬가지로, 전극 핑거(142b)와 전극 핑거(142d)는, 탄성 표면파의 전반 방향으로 교대로 배치되어 있다.
이에 의해, 제1 IDT 전극(145a)은 IDT 전극(140a)과 IDT 전극(140c)의 버스 바 전극(141c) 및 전극 핑거(142c)를 포함한다. 또한, 제2 IDT 전극(145b)은 IDT 전극(140b)과 IDT 전극(140c)의 버스 바 전극(141c) 및 전극 핑거(142d)를 포함한다. 버스 바 전극(141c)은 제1 IDT 전극(145a)과 제2 IDT 전극(145b)에 공통으로 사용되고 있다.
또한, 공진자(14b)에 있어서, 버스 바 전극(141a)과 버스 바 전극(141b) 사이의 거리는, IDT 전극이 교차폭 방향으로 분할되어 있지 않은 공진자(14)에 있어서의 버스 바 전극(141a)과 버스 바 전극(141b) 사이의 거리와 동일하다. 즉, 제1 IDT 전극(145a)과 제2 IDT 전극(145b)의 교차폭 방향의 길이는, IDT 전극이 교차폭 방향으로 분할되어 있지 않은 공진자(14)의 교차폭 방향의 길이보다도 짧게 되어 있다. 예를 들어, 제1 IDT 전극(145a)과 제2 IDT 전극(145b)의 교차폭 방향의 길이는, 각각, IDT 전극이 교차폭 방향으로 분할되어 있지 않은 경우의 교차폭 방향의 길이의 1/2 정도로 되어 있다.
이 구성에 의해, 이하에 나타내는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 임피던스를 증가시킬 수 있다.
여기서, 상술한 공진자(14b)에 의해 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 임피던스를 조정한 경우의, 탄성 표면파 필터(10b) 및 고주파 모듈(1)의 전송 특성에 대하여 설명한다.
도 13은, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다. 도 14a는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 단자측의 통과 특성을 도시하는 도면이다. 도 14b는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10b)를 갖는 고주파 모듈(1) 전체의 출력 단자측의 잡음 특성을 도시하는 도면이다. 도 13에서는, IDT 전극을 교차폭 방향으로 분할하고 있지 않은 공진자(14)를 사용한 탄성 표면파 필터(10)의 특성을 실선, IDT 전극을 교차폭 방향으로 분할한 공진자(14b)를 사용한 탄성 표면파 필터(10b)의 특성을 일점쇄선으로 나타내고 있다. 도 14a 및 도 14b에서는, IDT 전극을 교차폭 방향으로 분할하고 있지 않은 공진자(14)를 사용한 탄성 표면파 필터(10)의 특성을 실선, IDT 전극을 교차폭 방향으로 분할한 공진자(14b)를 사용한 탄성 표면파 필터(10b)의 특성을 파선으로 나타내고 있다.
상술한 바와 같이, IDT 전극을 교차폭 방향으로 분할한 공진자(14b)를 사용한 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 임피던스는, 도 13에 도시하는 바와 같이, IDT 전극을 교차폭 방향으로 분할하고 있지 않은 공진자(14)를 사용한 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스에 대하여, 스미스 차트상에 있어서, 통과 대역에서의 출력 임피던스가 증가하는 방향으로 이동하고 있다.
이것은, IDT 전극을 2분할함으로써, 교차폭 방향의 길이의 1/2 정도가 된 제1 IDT 전극(145a)과 제2 IDT 전극(145b)이 교차폭 방향으로 직렬 접속된 것이 되므로, 결과로서 임피던스가 4배 정도가 되기 때문이다. 따라서, 도 13에 도시한 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10b)에 있어서, 출력 임피던스는 증가하고 있다.
또한, 도 14a에 도시하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 임피던스를 조정한 경우, 탄성 표면파 필터(10b) 단체에서는, 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 임피던스를 조정하지 않은 경우에 비하여 삽입 손실이 크게 되어 있다. 또한, 이때의 탄성 표면파 필터(10b)의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스는, 실시 형태 1에 있어서 도 11b에 나타낸 SAW 출력단의 목표 Imp 영역에 존재하도록 조정되어 있다.
한편, 탄성 표면파 필터(10b)에 저잡음 증폭기(20)를 포함한 고주파 모듈(1) 전체에 대해서는, 도 14b에 도시하는 바와 같이, IDT 전극을 2분할한 탄성 표면파 필터(10b)를 사용하면, IDT 전극을 2분할하고 있지 않은 경우에 비하여 고주파 모듈(1)의 통과 대역에 있어서 잡음 지수가 저감되어 있음을 알 수 있다. 이것은, IDT 전극을 분할한 공진자(14b)에 의해 탄성 표면파 필터(10b)를 구성함으로써, 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 임피던스가, 스미스 차트상에 있어서 저잡음 증폭기(20)의 NF 써클에 가까워졌기 때문에, 고주파 모듈(1) 전체의 잡음 특성이 향상된 것이라 생각된다.
따라서, 탄성 표면파 필터(10b)에 있어서, 출력 단자측의 공진자(14b)의 IDT 전극을 분할한 구성으로 하고, 스미스 차트상에 있어서 SAW 출력단의 목표 Imp 영역에 존재하도록 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 임피던스를 조정함으로써, 탄성 표면파 필터(10b)에 저잡음 증폭기(20)를 포함한 고주파 모듈(1) 전체의 전송 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상술한 탄성 표면파 필터(10b)에서는, 공진자(14)의 IDT 전극을 2개로 분할한 공진자(14b)에 대해서만 설명했지만, 공진자(14b)의 IDT 전극의 분할 수는, 2개에 한하지 않고, 3개 이상이어도 된다.
또한, 상술한 탄성 표면파 필터(10b)에서는, 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 임피던스를 조정하기 위해, 탄성 표면파 필터(10b)의 출력 단자에 접속된 공진자(14b)에 대하여 IDT 전극을 분할한 구성으로 했지만, 탄성 표면파 필터(10b)의 입력 임피던스를 조정하는 경우에는, 탄성 표면파 필터(10)의 입력 단자에 접속된 공진자의 IDT 전극을 분할해도 된다.
(실시 형태 3)
이어서, 실시 형태 3에 대해서, 도 15 내지 도 18b를 사용하여 설명한다. 본 실시 형태에 관한 고주파 모듈이 실시 형태 1에 관한 고주파 모듈(1)과 상이한 점은, 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 임피던스의 조정 방법으로서, 탄성 표면파 필터(10c)의 입력 단자측에 접속된 공진자에 있어서의 메인 파장과 출력 단자측에 접속된 공진자에 있어서의 메인 파장을 조정하고 있는 점이다.
먼저, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터의 구성의 일례로서, 공진자를 3개 갖는 종결합형 탄성 표면파 필터(10c)에 대하여 설명한다.
도 15는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10c)의 구성을 도시하는 개략도이다. 도 15에 도시하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10c)는 종결합형 탄성 표면파 필터이다. 탄성 표면파 필터(10c)는 입력 단자(11)와 출력 단자(12)의 사이에, 공진자(13), 공진자(14c) 및 공진자(15)와, 반사기(16) 및 반사기(17)를 구비하고 있다. 공진자(13), 공진자(14c) 및 공진자(15)는 반사기(16)측으로부터 반사기(17)측으로, 이 순서대로 배치되어 있다.
또한, 공진자(13)와 공진자(15)는, 탄성 표면파 필터(10c)의 입력 단자(11)에 접속되어 있다. 공진자(14c)는 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 단자(12)에 접속되어 있다. 탄성 표면파 필터(10c)의 입력 단자(11)에 있어서의 입력 임피던스 및, 출력 단자(12)에 있어서의 출력 임피던스는, 각각 50Ω이다.
공진자(13), 공진자(15)의 구성은, 실시 형태 1에 나타낸 탄성 표면파 필터(10)와 마찬가지이다. 또한, 반사기(16) 및 반사기(17)의 구성은, 실시 형태 1에 나타낸 탄성 표면파 필터(10)와 마찬가지이다.
공진자(14c)는 실시 형태 1에 나타낸 공진자(14)와 마찬가지로, 2개의 IDT 전극(140a 및 140b)이 조합된 구성을 하고 있다. IDT 전극(140a)은 버스 바 전극(141a)과, 버스 바 전극(141a)에 일단이 접속된 복수의 전극 핑거(142a)를 갖고 있다. 마찬가지로, IDT 전극(140b)은 버스 바 전극(141b)과, 버스 바 전극(141b)에 일단이 접속된 복수의 전극 핑거(142b)를 갖고 있다.
탄성 표면파 필터(10c)의 입력 단자(11)에 접속된 공진자(13) 및 공진자(15)와, 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 단자(12)에 접속된 공진자(14c)는, 메인 파장의 평균값이 상이하다. 또한, 출력 단자(12)에 접속된 공진자(14c)에 대해서는, 출력 단자(12)에 접속된 공진자는 1개뿐이기 때문에, 공진자(14c)의 메인 파장 그 자체가 메인 파장의 평균값이다. 공진자(13) 및 공진자(15)의 메인 파장은 동일해도 되고, 상이해도 된다.
예를 들어, 공진자(13) 및 공진자(15)에 있어서의 메인 파장은, 각각 4.515㎛, 4.525㎛이며, 이들 메인 파장의 평균값은 4.520㎛로 해도 된다.
또한, 공진자(14c)의 메인 파장은, 4.542㎛로 해도 된다. 또한, 이때, 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 단자(12)에 접속된 공진자(14c)에 있어서의 메인 파장의 평균값의, 탄성 표면파 필터(10c)의 입력 단자(11)에 접속된 공진자(13 및 15)에 있어서의 메인 파장의 평균값에 대한 비(메인 파장비)는 1.005이다.
또한, 탄성 표면파 필터(10c)의 입력 단자(11)에 접속된 공진자(13) 및 공진자(15)의 메인 파장의 평균값은, 본 발명에 있어서의 제1 메인 파장에 상당한다. 또한, 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 단자(12)에 접속된 공진자(14c)의 메인 파장의 평균값은, 본 발명에 있어서의 제2 메인 파장에 상당한다.
이와 같이, 탄성 표면파 필터(10c)의 입력 단자(11)에 접속된 공진자(13) 및 공진자(15)의 메인 파장의 평균값(제1 메인 파장)에 대한, 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 단자(12)에 접속된 공진자(14c)의 메인 파장의 평균값(제2 메인 파장)의 비(메인 파장비)를 바꿈으로써, 이하에 설명하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
이하, 상술한 바와 같이 메인 파장비를 변경함으로써 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 임피던스를 조정한 경우의, 탄성 표면파 필터(10c)의 전송 특성에 대하여 설명한다. 도 16a 및 도 16b에서는, 탄성 표면파 필터(10c)에 있어서 메인 파장비를 1.005, 1.008, 1.012로 했을 때의, 탄성 표면파 필터(10c)의 전송 특성에 대하여 설명한다.
도 16a는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다. 도 16b는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 단자측의 통과 특성을 도시하는 도면이다. 도 16a 및 도 16b에서는, 메인 파장비를 1.005, 1.008, 1.012로 했을 때의 탄성 표면파 필터(10c)의 특성을, 각각 실선, 일점쇄선, 파선으로 나타내고 있다.
메인 파장비를 1.005, 1.008, 1.012로 했을 때의 탄성 표면파 필터(10c)의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스는, 도 16a에 도시하는 바와 같이, 메인 파장비가 커짐에 따라서 스미스 차트에 있어서 우측 방향으로 이동하고 있다. 즉, 메인 파장비를 크게 함에 따라서, 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 임피던스는 증가하는 것을 알 수 있다.
따라서, 탄성 표면파 필터(10c)에 있어서, 공진자(13, 14c 및 15)의 메인 파장비를 크게 함으로써, 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 임피던스를 50Ω보다도 증가시킬 수 있다.
또한, 도 1에 도시한 고주파 모듈(1)과 같이, 탄성 표면파 필터(10c)의 후단에 저잡음 증폭기(20)를 설치하는 경우, 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 임피던스는, 70Ω 정도로 하는 것이 바람직하다. 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 임피던스를 70Ω 정도까지 증가시키기 위해서는, 메인 파장비는 1.01 이상으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 도 16b에 도시하는 바와 같이, 메인 파장비를 1.005, 1.008, 1.012로 했을 때, 탄성 표면파 필터(10c)의 통과 대역 폭은 확대되어 있다. 즉, 메인 파장비를 크게 함에 따라서, 탄성 표면파 필터(10c)의 통과 대역은 확대되는 것을 알 수 있다.
또한, 도 17은, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터의 다른 구성으로서, 공진자를 5개 갖는 종결합형 탄성 표면파 필터(10d)의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 17에 도시하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10d)는 입력 단자(11)와 출력 단자(12)의 사이에, 공진자(23a), 공진자(24a), 공진자(25a), 공진자(26a) 및 공진자(27a)와, 반사기(16) 및 반사기(17)를 구비하고 있다. 공진자(23a), 공진자(24a), 공진자(25a), 공진자(26a) 및 공진자(27a)는 반사기(16)측으로부터 반사기(17)측으로, 이 순서대로 배치되어 있다.
공진자(23a), 공진자(25a) 및 공진자(27a)는 탄성 표면파 필터(10d)의 입력 단자(11)에 접속되어 있다. 공진자(24a) 및 공진자(26a)는 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 단자(12)에 접속되어 있다. 탄성 표면파 필터(10d)의 입력 단자(11)에 있어서의 입력 임피던스 및, 출력 단자(12)에 있어서의 출력 임피던스는, 각각 50Ω이다.
공진자(23a), 공진자(25a) 및 공진자(27a)의 구성은, 상술한 탄성 표면파 필터(10c)의 공진자(13)와 마찬가지이다. 또한, 공진자(24a) 및 공진자(26a)의 구성은, 상술한 탄성 표면파 필터(10c)의 공진자(14)와 마찬가지이다.
탄성 표면파 필터(10d)의 입력 단자(11)에 접속된 공진자(23a), 공진자(25a) 및 공진자(27a)와, 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 단자(12)에 접속된 공진자(24a) 및 공진자(26a)는, 메인 파장의 평균값이 상이하다. 공진자(23a), 공진자(25a) 및 공진자(27a) 각각의 메인 파장은, 동일해도 되고 상이해도 된다. 또한, 공진자(24a) 및 공진자(26a)의 메인 파장은, 동일해도 되고 상이해도 된다.
또한, 탄성 표면파 필터(10d)의 입력 단자(11)에 접속된 공진자(23a), 공진자(25a) 및 공진자(27a)의 메인 파장의 평균값은, 본 발명에 있어서의 제1 메인 파장에 상당한다. 또한, 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 단자(12)에 접속된 공진자(24a) 및 공진자(26a)의 메인 파장의 평균값은, 본 발명에 있어서의 제2 메인 파장에 상당한다.
탄성 표면파 필터(10d)의 입력 단자(11)에 접속된 공진자(23a), 공진자(25a) 및 공진자(27a)의 메인 파장의 평균값(제1 메인 파장)에 대한, 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 단자(12)에 접속된 공진자(24a) 및 공진자(26a)의 메인 파장의 평균값(제2 메인 파장)의 비(메인 파장비)를 상이한 것으로 함으로써, 이하에 설명하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
이하, 상술한 바와 같이 메인 파장비를 변경함으로써 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 임피던스를 조정한 경우의, 탄성 표면파 필터(10d)의 전송 특성에 대하여 설명한다. 도 18a 및 도 18b에서는, 탄성 표면파 필터(10d)에 있어서 메인 파장비를 1.005, 1.008, 1.012로 했을 때의, 탄성 표면파 필터(10d)의 전송 특성에 대하여 설명한다.
도 18a는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다. 도 18b는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 단자측의 통과 특성을 도시하는 도면이다. 도 18a 및 도 18b에서는, 메인 파장비를 1.005, 1.008, 1.012로 했을 때의 탄성 표면파 필터(10d)의 특성을, 각각 실선, 일점쇄선, 파선으로 나타내고 있다.
메인 파장비를 1.005, 1.008, 1.012로 했을 때의 탄성 표면파 필터(10d)의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스는, 도 18a에 도시하는 바와 같이, 상술한 탄성 표면파 필터(10c)의 경우와 마찬가지로, 메인 파장비가 커짐에 따라서 스미스 차트에 있어서 우측 방향으로 이동하고 있다. 즉, 메인 파장비를 크게 함에 따라서, 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 임피던스는 증가하는 것을 알 수 있다.
따라서, 탄성 표면파 필터(10d)에 있어서, 공진자(23a), 공진자(24a), 공진자(25a), 공진자(26a) 및 공진자(27a)의 메인 파장비를 크게 함으로써, 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 임피던스를 50Ω보다도 증가시킬 수 있다.
또한, 도 18a와 도 16a를 비교하면, 공진자를 5개 갖는 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 임피던스는, 공진자를 3개 갖는 탄성 표면파 필터(10c)의 출력 임피던스와 비교하여, 탄성 표면파 필터(10d)의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스의 컬(curly)이 작은 것을 알 수 있다. 즉, 탄성 표면파 필터(10d)와 같이 공진자를 증가시킴으로써, 탄성 표면파 필터(10d)의 출력 임피던스를 증가시킴과 함께 안정시킬 수 있다.
또한, 탄성 표면파 필터(10d)에 있어서도, 출력 임피던스를 70Ω 정도까지 증가시키기 위해서는, 메인 파장비는 1.01 이상으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 도 18b에 도시하는 바와 같이, 메인 파장비를 1.005, 1.008, 1.012로 했을 때, 탄성 표면파 필터(10d)의 통과 대역 폭은, 상술한 탄성 표면파 필터(10c)와 마찬가지로 확대되어 있다. 즉, 메인 파장비를 크게 함에 따라서, 탄성 표면파 필터(10d)의 통과 대역은 확대되는 것을 알 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 3개의 공진자를 갖는 탄성 표면파 필터(10c)와, 5개의 공진자를 갖는 탄성 표면파 필터(10d)에 대하여 설명했지만, 공진자의 수는 이것들에 한정되는 것은 아니며, 변경해도 된다.
(실시 형태 4)
이어서, 실시 형태 4에 대해서, 도 19 내지 도 22b를 사용하여 설명한다. 본 실시 형태에 관한 고주파 모듈이 실시 형태 1에 관한 고주파 모듈(1)과 상이한 점은, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 임피던스의 조정 방법으로서, 탄성 표면파 필터(10)의 출력 단자측에 접속된 공진자에 있어서의 메인듀티를 조정하고 있는 점이다.
먼저, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터의 구성의 일례로서, 공진자를 3개 갖는 종결합형 탄성 표면파 필터(10e)에 대하여 설명한다.
도 19는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10e)의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 19에 도시하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10e)는 종결합형 탄성 표면파 필터이다. 탄성 표면파 필터(10e)는 실시 형태 3에 나타낸 탄성 표면파 필터(10c)와 마찬가지로, 입력 단자(11)와 출력 단자(12)의 사이에, 공진자(13), 공진자(14d) 및 공진자(15)와, 반사기(16) 및 반사기(17)를 구비하고 있다. 공진자(13), 공진자(14d) 및 공진자(15)는 반사기(16)측으로부터 반사기(17)측으로, 이 순서대로 배치되어 있다.
또한, 공진자(13)와 공진자(15)는 탄성 표면파 필터(10e)의 입력 단자(11)에 접속되어 있다. 공진자(14d)는 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 단자(12)에 접속되어 있다. 공진자(13) 및 공진자(15)의 구성은, 실시 형태 1에 나타낸 탄성 표면파 필터(10)와 마찬가지이다. 공진자(14d)는 메인듀티 이외의 구성에 대해서는 실시 형태 1에 나타낸 공진자(14)와 마찬가지이다.
공진자(14d)의 메인듀티는, 예를 들어 0.64이다. 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 단자(12)에 접속된 공진자(14d)의 메인듀티를 바꿈으로써, 이하에 설명하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 임피던스를 조정할 수 있다.
이하, 상술한 바와 같이 메인듀티를 변경함으로써 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 임피던스를 조정한 경우의, 탄성 표면파 필터(10e)의 전송 특성에 대하여 설명한다. 도 20a 및 도 20b에서는, 탄성 표면파 필터(10e)에 있어서 메인듀티를 0.64, 0.71, 0.75로 했을 때의, 탄성 표면파 필터(10e)의 전송 특성에 대하여 설명한다.
도 20a는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다. 도 20b는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 단자측의 통과 특성을 도시하는 도면이다. 도 20a 및 도 20b에서는, 공진자(14d)의 메인듀티를 0.64, 0.71, 0.75로 했을 때의 탄성 표면파 필터(10e)의 특성을, 각각 일점쇄선, 실선, 파선으로 나타내고 있다.
공진자(14d)의 메인듀티를 0.64, 0.71, 0.75로 했을 때의 탄성 표면파 필터(10e)의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스는, 도 20a에 도시하는 바와 같이, 메인듀티가 커짐에 따라서 스미스 차트에 있어서 좌측 방향으로 이동하고 있다. 즉, 메인듀티를 크게 함에 따라서, 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 임피던스는 감소한다.
따라서, 탄성 표면파 필터(10e)에 있어서, 공진자(14d)의 메인듀티를 작게 함으로써, 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 임피던스를 50Ω보다도 증가시킬 수 있다.
또한, 도 1에 도시한 고주파 모듈(1)과 같이, 탄성 표면파 필터(10e)의 후단에 저잡음 증폭기(20)를 설치하는 경우, 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 임피던스는, 70Ω 정도로 하는 것이 바람직하다. 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 임피던스를 70Ω 정도까지 증가시키기 위해서는, 공진자(14d)의 메인듀티는 0.55보다 크고 0.75보다 작게 하는 것이 바람직하다. 또한, 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 임피던스를 50Ω으로 할 경우에는, 공진자(14d)의 메인듀티는, 예를 들어 0.4보다 크고 0.6보다 작은 값이다.
또한, 도 20b에 도시하는 바와 같이, 메인듀티를 0.64, 0.71, 0.75로 변화시켜도, 탄성 표면파 필터(10e)의 통과 대역 폭은 거의 변화가 없다. 즉, 메인듀티를 변화시킴으로써, 탄성 표면파 필터(10e)의 통과 대역을 변화시키는 일 없이, 탄성 표면파 필터(10e)의 출력 임피던스를 바꿀 수 있다.
도 21은, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터의 다른 구성으로서, 공진자를 5개 갖는 종결합형 탄성 표면파 필터(10f)의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 21에 도시하는 바와 같이, 탄성 표면파 필터(10f)는 입력 단자(11)와 출력 단자(12)의 사이에, 공진자(23b), 공진자(24b), 공진자(25b), 공진자(26b) 및 공진자(27b)와, 반사기(16) 및 반사기(17)를 구비하고 있다. 공진자(23b), 공진자(24b), 공진자(25b), 공진자(26b) 및 공진자(27b)는 반사기(16)측으로부터 반사기(17)측으로, 이 순서대로 배치되어 있다.
공진자(24b) 및 공진자(26b)는 탄성 표면파 필터(10f)의 입력 단자(11)에 접속되어 있다. 공진자(23b), 공진자(25b) 및 공진자(27b)는 탄성 표면파 필터(10f)의 출력 단자(12)에 접속되어 있다. 탄성 표면파 필터(10f)의 입력 단자(11)에 있어서의 입력 임피던스 및, 출력 단자(12)에 있어서의 출력 임피던스는, 각각 50Ω이다.
공진자(24b) 및 공진자(26b)의 구성은, 상술한 탄성 표면파 필터(10e)의 공진자(13)와 마찬가지이다. 또한, 공진자(23b), 공진자(25b) 및 공진자(27b)의 구성은, 상술한 탄성 표면파 필터(10e)의 공진자(14d)와 마찬가지이다.
여기서, 상술한 바와 같이 메인듀티를 변경함으로써 탄성 표면파 필터(10f)의 출력 임피던스를 조정한 경우의, 탄성 표면파 필터(10f)의 전송 특성에 대하여 설명한다. 도 22a 및 도 22b에서는, 탄성 표면파 필터(10f)에 있어서 메인듀티를 소, 중, 대라 했을 때의, 탄성 표면파 필터(10f)의 전송 특성에 대하여 설명한다. 탄성 표면파 필터(10f)에 있어서 메인듀티가 소일 때란, 공진자(23b 및 27b)의 메인듀티를 0.64, 공진자(25b)의 메인듀티를 0.67로 했을 경우이다. 또한, 탄성 표면파 필터(10f)에 있어서 메인듀티가 중일 때란, 공진자(23b 및 27b)의 메인듀티를 0.70, 공진자(25b)의 메인듀티를 0.74로 했을 경우이다. 탄성 표면파 필터(10f)에 있어서 메인듀티가 대일 때란, 공진자(23b 및 27b)의 메인듀티를 0.74, 공진자(25b)의 메인듀티를 0.77로 했을 경우이다.
도 22a는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10f)의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다. 도 22b는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10f)의 출력 단자측의 통과 특성을 도시하는 도면이다. 도 22a 및 도 22b에서는, 메인듀티를 상술한 소, 중, 대로 했을 때의 탄성 표면파 필터(10f)의 특성을, 각각 실선, 일점쇄선, 파선으로 나타내고 있다.
출력 단자(12)에 접속된 공진자(23b, 25b 및 27b)의 메인듀티를 상술한 소, 중, 대로 했을 때의, 탄성 표면파 필터(10f)의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스는, 탄성 표면파 필터(10e)와 마찬가지로, 도 22a에 도시하는 바와 같이, 공진자(23b, 25b 및 27b)의 메인듀티가 커짐에 따라서 스미스 차트에 있어서 좌측 방향으로 이동하고 있다. 즉, 공진자(23b, 25b 및 27b)의 메인듀티를 크게 함에 따라서, 탄성 표면파 필터(10f)의 출력 임피던스는 감소한다.
따라서, 탄성 표면파 필터(10f)에 있어서, 공진자(23b, 25b 및 27b)의 메인듀티를 작게 함으로써, 탄성 표면파 필터(10f)의 출력 임피던스를 50Ω보다도 증가시킬 수 있다.
또한, 도 1에 도시한 고주파 모듈(1)과 같이, 탄성 표면파 필터(10f)의 후단에 저잡음 증폭기(20)를 설치하는 경우, 탄성 표면파 필터(10f)의 출력 임피던스는, 70Ω 정도로 하는 것이 바람직하다. 탄성 표면파 필터(10f)의 출력 임피던스를 70Ω 정도까지 증가시키기 위해서는, 공진자(23b, 25b 및 27b)의 각각의 메인듀티는, 0.55보다 크고 0.75보다 작게 하는 것이 바람직하다.
또한, 도 22b에 도시하는 바와 같이, 공진자(23b, 25b 및 27b)의 메인듀티를 상술한 소, 중, 대로 변화시켜도, 탄성 표면파 필터(10f)의 통과 대역 폭은 거의 변화가 없다. 즉, 공진자(23b, 25b 및 27b)의 메인듀티를 변화시킴으로써, 탄성 표면파 필터(10f)의 통과 대역을 변화시키는 일 없이, 탄성 표면파 필터(10f)의 출력 임피던스를 바꿀 수 있다.
또한, 메인듀티의 값은, 상술한 값에 한하지 않고, 적절히 변경해도 된다.
(실시 형태 5)
이어서, 실시 형태 5에 대해서, 도 23 내지 도 25b를 사용하여 설명한다. 본 실시 형태에 관한 고주파 모듈이 실시 형태 1에 관한 고주파 모듈(1)과 상이한 점은, 탄성 표면파 필터(10g)에 있어서, 출력 단자에 접속된 공진자와 출력 단자 사이의 배선에 대해서, 당해 배선과 기판의 사이에 층간 절연막(40)이 배치되어 있는 점이다.
도 23은, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10g)의 구성을 도시하는 개략도이다. 도 23에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10g)는 2개의 종결합형 탄성 표면파 공진기(10ga 및 10gb)가 직렬로 접속된 구성을 하고 있다.
제1 탄성 표면파 공진기(10ga)는, 도 23에 도시하는 바와 같이, 공진자(33a), 공진자(34a) 및 공진자(35a)와, 반사기(36a) 및 반사기(37a)를 구비하고 있다. 공진자(33a), 공진자(34a) 및 공진자(35a)는 반사기(36a)측으로부터 반사기(37a)측으로, 이 순서대로 배치되어 있다. 공진자(33a), 공진자(34a) 및 공진자(35a)와, 반사기(36a) 및 반사기(37a)의 구성은, 실시 형태 1에 나타낸 탄성 표면파 필터(10)의 공진자(13), 공진자(14) 및 공진자(15)와, 반사기(16) 및 반사기(17)의 구성과 마찬가지이다.
마찬가지로, 제2 탄성 표면파 공진기(10gb)는, 도 23에 도시하는 바와 같이, 공진자(33b), 공진자(34b) 및 공진자(35b)와, 반사기(36b) 및 반사기(37b)를 구비하고 있다. 공진자(33b), 공진자(34b) 및 공진자(35b)는 반사기(36b)측으로부터 반사기(37b)측으로, 이 순서대로 배치되어 있다. 공진자(33b), 공진자(34b) 및 공진자(35b)와, 반사기(36b) 및 반사기(37b)의 구성은, 실시 형태 1에 나타낸 탄성 표면파 필터(10)의 공진자(13), 공진자(14) 및 공진자(15)와, 반사기(16) 및 반사기(17)의 구성과 마찬가지이다.
공진자(34a)에 있어서, 한 쌍의 IDT 전극 중 한쪽은, 탄성 표면파 필터(10g)의 입력 단자(11)에 접속되어 있다. 공진자(34b)에 있어서, 한 쌍의 IDT 전극 중 한쪽은, 탄성 표면파 필터(10g)의 출력 단자(12)에 접속되어 있다. 또한, 공진자(34a)의 한 쌍의 IDT 전극 중 다른 쪽과 공진자(34b)의 한 쌍의 IDT 전극 중 다른 쪽은, 각각 접지에 접속되어 있다.
또한, 공진자(33a)에 있어서, 한 쌍의 IDT 전극 중 한쪽은, 공진자(33b)의 한 쌍의 IDT 전극 중 한쪽에 접속되어 있다. 또한, 공진자(33a)의 한 쌍의 IDT 전극 중 다른 쪽과, 공진자(33b)의 한 쌍의 IDT 전극 중 다른 쪽은, 각각 접지에 접속되어 있다.
마찬가지로, 공진자(35a)에 있어서, 한 쌍의 IDT 전극 중 한쪽은, 공진자(35b)의 한 쌍의 IDT 전극 중 한쪽에 접속되어 있다. 또한, 공진자(35a)의 한 쌍의 IDT 전극 중 다른 쪽과, 공진자(35b)의 한 쌍의 IDT 전극 중 다른 쪽은, 각각 접지에 접속되어 있다.
이 구성에 의해, 탄성 표면파 필터(10g)는 입력 단자(11)와 출력 단자(12)의 사이에, 종결합형 제1 탄성 표면파 공진기(10ga) 및 제2 탄성 표면파 공진기(10gb)가 직접 접속된 구성으로 되어 있다. 이와 같이, 탄성 표면파 필터(10g)가 복수단의 탄성 표면파 공진기를 포함하고 있는 경우, 각 탄성 표면파 공진기의 접지를 확보하기 위해, 층간 절연막을 사용하여 입체적으로 배선을 행하는 경우가 있다. 즉, 1개의 리드 배선 위에 층간 절연막을 형성하고, 당해 층간 절연막 위에 다른 리드 배선을 형성하는 경우가 있다.
본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10g)에서는, 이러한 입체적인 배선이 필요한 위치가 아니라, 입체적으로 배선을 필요로 하지 않는, 공진자(34b)의 한쪽의 IDT 전극과 출력 단자(12)를 접속하는 배선(39)의 위치에 있어서, 배선(39)과 압전 기판(42)의 사이에 층간 절연막(40)을 형성하고 있다.
도 24a는, 도 23에 나타낸 탄성 표면파 필터(10g)의 B-B선에 있어서의 구성을 도시하는 단면도이다. 도 24b는, 도 23에 나타낸 탄성 표면파 필터(10g)의 C-C선에 있어서의 구성을 도시하는 단면도이다.
탄성 표면파 필터(10g)는 도 24a 및 도 24b에 도시하는 바와 같이, 실시 형태 1에 나타낸 탄성 표면파 필터(10)와 마찬가지로, 압전 기판(42)의 위에 형성되어 있다. 또한, 공진자의 IDT 전극에 접속된 배선은, IDT 전극과 마찬가지의 구성을 하고 있다.
구체적으로는, 도 23에 있어서 공진자(34b)의 한쪽의 IDT 전극과 접지를 접속하는 배선(38)은 도 24a에 도시하는 바와 같이, 압전 기판(42)에 형성된 제1 전극층(38a)과, 제1 전극층(38a) 위에 형성된 제2 전극층(38b)을 포함하고 있다.
제1 전극층(38a)은 IDT 전극의 주전극층과 일체로 형성되어 있고, 예를 들어 Pt, Cu, Au, Ag, Ta, W 등을 포함하고 있다. 또한, 제1 전극층(38a)은 압전 기판(42)측에 밀착층(도 3의 (b) 참조)을 구비하고 있어도 된다. 제1 전극층(38a)의 두께는, 서브마이크로미터 오더이며, 예를 들어 0.2㎛이다. 제2 전극층(38b)은, 예를 들어 Pt, Cu, Au, Ag, Ta, W 등을 포함하고 있다. 제2 전극층(38b)의 두께는 마이크로미터 오더이며, 예를 들어 2㎛이다.
또한, 제2 전극층(38b)을 덮도록, 보호층(44)이 형성되어 있다. 보호층(44)은 예를 들어 SiO2 등을 포함하고 있다. 보호층(44)의 두께는, 수십㎚이며, 예를 들어 30㎚이다.
또한, 도 23에 있어서 공진자(34b)의 다른 쪽의 IDT 전극과 출력 단자(12)를 접속하는 배선(39)은 도 24b에 도시하는 바와 같이, 압전 기판(42)에 형성된 층간 절연막(40)의 위에 형성되어 있다. 즉, 상술한 배선(38)과 비교하여, 배선(39)에서는, 제1 전극층(38a)을 대신하여, 층간 절연막(40)이 형성되어 있다.
층간 절연막(40)은 예를 들어 폴리이미드 등을 포함하고 있다. 층간 절연막의 두께는, 마이크로미터 오더이며, 예를 들어 3㎛이다. 또한, 배선(39)은 도 24a에 나타낸 제2 전극층(38b)과 동일한 재료를 포함하고 있다. 배선(39)은 예를 들어 Pt, Cu, Au, Ag, Ta, W 등을 포함하고 있다. 또한, 도 24b에 도시하는 바와 같이, 압전 기판(42) 위에는, 층간 절연막(40) 및 배선(39)을 덮도록, 보호층(44)이 형성되어 있다.
출력 단자(12)에 접속된 배선(39)과 압전 기판(42)의 사이에 층간 절연막(40)을 형성함으로써, 층간 절연막(40)을 형성하지 않은 배선(38)의 구성과 비교하여, 압전 기판(42)과 배선(39) 사이의 용량 결합을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성 표면파 필터(10g)의 출력 임피던스를 유도성으로 조정할 수 있다.
또한, 도 24b에 도시하는 바와 같이, 층간 절연막(40)의 면적을 배선(39)의 면적보다도 크게 함으로써, 압전 기판(42)과 배선(39) 사이의 용량 결합을 더욱 작게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성 표면파 필터(10g)의 출력 임피던스를, 보다 유도성으로 조정할 수 있다.
이하, 층간 절연막(40)을 형성한 경우와 형성하지 않은 경우의 탄성 표면파 필터(10g)의 전송 특성에 대하여 설명한다.
도 25a는, 본 실시 형태에 관한 다른 구성의 탄성 표면파 필터(10g)의 출력 단자측의 반사 특성을 도시하는 도면이다. 도 25b는, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10g)에 저잡음 증폭기(20)를 접속한 후의 잡음 특성을 도시하는 도면이다. 도 25a 및 도 25b에서는, 출력 단자(12)에 접속된 배선(39)과 압전 기판(42)의 사이에 층간 절연막(40)을 형성하고 있지 않을 경우의 탄성 표면파 필터(10g)의 특성을 실선, 제1 전극층(38a)을 대신하여 층간 절연막(40)을 형성한 경우의 탄성 표면파 필터(10g)의 특성을 파선으로 나타내고 있다.
제1 전극층(38a)을 대신하여 층간 절연막(40)을 형성했을 때의 탄성 표면파 필터(10g)의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스는, 도 25a에 도시하는 바와 같이, 층간 절연막(40)을 형성하고 있지 않을 경우의 탄성 표면파 필터(10g)의 통과 대역에 있어서의 출력 임피던스에 비하여, 스미스 차트상에 있어서 우측 상단, 즉 유도성측으로 이동하고 있는 것을 알 수 있다. 따라서, 층간 절연막(40)을 형성함으로써, 압전 기판(42)과 배선(39) 사이의 용량 결합을 작게 할 수 있다.
또한, 탄성 표면파 필터(10g)의 출력측에 저잡음 증폭기(20)가 접속된 고주파 모듈(1)에서는, 도 25b에 도시하는 바와 같이, 배선(39)과 압전 기판(42)의 사이에 층간 절연막(40)을 형성함으로써, 층간 절연막(40)을 형성하지 않은 경우에 비하여 잡음 지수가 저감되는 것을 알 수 있다. 따라서, 탄성 표면파 필터(10g)에 있어서 배선(39)과 압전 기판(42)의 사이에 층간 절연막(40)을 형성함으로써, 고주파 모듈(1) 전체에 있어서 잡음 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상술한 탄성 표면파 필터(10g)에서는, 출력 단자(12)에 접속된 배선(39)은 배선(38)과 비교하여, 제1 전극층(38a)을 대신하여 층간 절연막(40)이 형성되어 있다고 했지만, 배선(39)은 제1 전극층과 제2 전극층의 양쪽을 갖는 구성이어도 된다.
도 26은, 도 23에 도시한 탄성 표면파 필터(10g)의 C-C선에 있어서의 다른 구성을 도시하는 단면도이다. 도 26에 나타내는 배선(39)은 도 24a에 나타낸 배선(38)과 마찬가지로, 제1 전극층(39a)과 제2 전극층(39b)을 갖고 있다. 제1 전극층(39a) 및 제2 전극층(39b)의 구성은, 제1 전극층(38a) 및 제2 전극층(38b)과 마찬가지이다. 배선(39)과 압전 기판(42)의 사이에는, 층간 절연막(40)이 형성되어 있다. 압전 기판(42) 위에는, 층간 절연막(40) 및 배선(39)을 덮도록 보호층(44)이 형성되어 있다.
배선(39)과 압전 기판(42)의 사이에 층간 절연막(40)을 형성하는 경우, 제1 전극층(39a)을 대신하여 층간 절연막(40)을 형성하는 편이, 제1 전극층(39a)을 남긴 채 층간 절연막(40)을 형성하는 것보다도, 탄성 표면파 필터(10g)의 출력 임피던스의 변화는 커진다. 따라서, 탄성 표면파 필터(10g)의 출력 임피던스의 변화를 크게 조정하고 싶을 경우에는, 제1 전극층(39a)을 대신하여 층간 절연막(40)을 형성하고, 탄성 표면파 필터(10g)의 출력 임피던스의 변화를 작게 조정하고자 하는 경우에는, 제1 전극층(39a)을 남긴 채 층간 절연막(40)을 형성하는 것이 좋다.
또한, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터(10g)는 제1 탄성 표면파 공진기(10ga)와 제2 탄성 표면파 공진기(10gb)를 구비하는 구성으로 했지만, 이에 한정하지 않고, 탄성 표면파 필터(10g)는 1단의 종결합형 탄성 표면파 공진기를 포함하는 것이어도 되고, 다단의 종결합형 탄성 표면파 공진기를 포함하는 것이어도 된다.
(그 밖의 실시 형태)
또한, 본 발명은 상술한 실시 형태에 기재한 구성에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 이하에 나타내는 변형예와 같이, 적절히 변경을 가해도 된다.
예를 들어, 상술한 실시 형태에서는, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정하기 위한 전극 파라미터로서, 출력 단자에 접속된 공진자의 인출 전극의 개수, 공진자의 교차폭 방향의 분할 수, 공진자의 메인 파장 및 메인듀티에 대하여 설명했지만, 전극 파라미터로서 다른 파라미터를 사용해도 된다. 예를 들어, 공진자의 전극 핑거 피치, 전극 핑거의 대수 등을 전극 파라미터로 해도 된다. 또한, 전극 파라미터의 값은, 상술한 실시 형태에 나타난 값에 한하지 않고, 적절히 변경해도 된다.
또한, 탄성 표면파 필터를 구성하는 공진자의 수는, 3개 또는 5개에 한하지 않고, 변경해도 된다.
또한, 공진자를 구성하는 기판, 전극, 보호층 등의 재료는, 상술한 것에 한하지 않고, 적절히 변경해도 된다. 또한, 각 공진자의 전극 핑거의 크기, 피치 및 대수는, 상술한 조건을 충족하는 것이라면 변경해도 된다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 탄성 표면파 필터와 저잡음 증폭기를 직접 접속하고 있지만, 탄성 표면파 필터와 저잡음 증폭기의 사이에, 추가로 정합 소자를 형성해도 된다.
또한, 본 실시 형태에 관한 탄성 표면파 필터에 의하면, 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스를 조정할 수 있으므로, 정합 소자를 설치하지 않고 상술한 바와 같이 직접 탄성 표면파 필터와 저잡음 증폭기를 직접 접속한 경우에도, 저손실화 및 저잡음화를 도모할 수 있다.
그 밖에, 상술한 실시 형태 및 변형예에 대하여 당업자가 생각해 내는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 형태, 또는, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 상술한 실시 형태 및 변형예에 있어서의 구성 요소 및 기능을 임의로 조합함으로써 실현되는 형태도 본 발명에 포함된다.
본 발명은, 저잡음 증폭기에 접속된 탄성 표면파 필터를 사용한 고주파 모듈, 듀플렉서, 멀티플렉서, 수신 장치 등에 이용할 수 있다.
1: 고주파 모듈
10, 10a, 10b, 10c, 10d, 10e, 10f, 10g: 탄성 표면파 필터
10ga: 제1 탄성 표면파 공진기
10gb: 제2 탄성 표면파 공진기
11: 입력 단자
12: 출력 단자
13, 14, 14a, 14b, 14c, 14d, 15, 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b, 26a, 26b, 27a, 27b, 33a, 33b, 34a, 34b, 35a, 35b, 100: 공진자
16, 17, 36a, 36b, 37a, 37b: 반사기
16a, 16b, 17a, 17b, 111a, 111b, 141a, 141b, 141c: 버스 바 전극
16c, 17c, 110a, 110b, 142a, 142b, 142c, 142d: 전극 핑거
38, 39: 배선
38a, 39a: 제1 전극층
38b, 39b: 제2 전극층
40: 층간 절연막
42, 123: 압전 기판
44, 125: 보호층
101a, 101b, 130a, 130b, 140a, 140b, 140c, 150a, 150b: IDT 전극
143, 143a, 143b, 143c: 인출 전극
124a: 밀착층
124b: 주전극층
145a: 제1 IDT 전극
145b: 제2 IDT 전극

Claims (12)

  1. 복수의 공진자를 구비하는 종결합형 탄성 표면파 필터와,
    상기 탄성 표면파 필터에 접속되며, 상기 탄성 표면파 필터를 통과한 고주파 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기를 구비하고,
    상기 저잡음 증폭기에 접속된 상기 탄성 표면파 필터의 입력 임피던스와 출력 임피던스는 상이하고,
    스미스 차트에 있어서, 상기 탄성 표면파 필터의 통과 대역에 있어서의 상기 출력 임피던스는, 상기 저잡음 증폭기의 이득이 최대가 될 때의 상기 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스인 제1 출력 임피던스와, 상기 저잡음 증폭기의 잡음 지수가 최소가 될 때의 상기 탄성 표면파 필터의 출력 임피던스인 제2 출력 임피던스와의 사이의 영역에 존재하는,
    고주파 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 필터는, 스미스 차트에 있어서, 상기 탄성 표면파 필터의 통과 대역에 있어서의 상기 출력 임피던스를 상기 영역에 존재하도록 조정하기 위한 전극 파라미터를 갖는, 고주파 모듈.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 적어도 하나의 상기 공진자의 IDT(InterDigital Transducer) 전극은, 인출 전극을 갖고,
    상기 전극 파라미터는, 상기 인출 전극의 개수인,
    고주파 모듈.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 인출 전극은, 상기 공진자의 IDT 전극이 형성되는 영역의 중앙 부분에 형성되어 있는,
    고주파 모듈.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 인출 전극은, 상기 공진자의 IDT 전극이 형성되는 영역의 중앙 부분의 46％의 범위에 형성되어 있는,
    고주파 모듈.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자의 IDT 전극은, 교차폭 방향으로 분할되어 있고,
    상기 전극 파라미터는, 상기 IDT 전극의 교차폭 방향의 분할 수인,
    고주파 모듈.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 전극 파라미터는, 상기 탄성 표면파 필터의 입력 단자에 접속된 상기 공진자에 있어서의 메인 파장의 평균값인 제1 메인 파장과, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자에 있어서의 메인 파장의 평균값인 제2 메인 파장이며,
    상기 제1 메인 파장과 상기 제2 메인 파장은 상이한,
    고주파 모듈.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전극 파라미터는, 상기 탄성 표면파 필터의 입력 단자에 접속된 상기 공진자에 있어서의 메인 파장의 평균값인 제1 메인 파장에 대한, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자에 있어서의 메인 파장의 평균값인 제2 메인 파장의 비인 메인 파장비이고,
    상기 메인 파장비는 1.01 이상인,
    고주파 모듈.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 전극 파라미터는, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자에 있어서의 메인듀티이고,
    상기 메인듀티는 0.55보다 크고 0.75보다 작은,
    고주파 모듈.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 필터에 있어서, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자의 IDT 전극과, 상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자 사이의 배선은, 기판 위에 형성된 층간 절연막의 위에 형성되어 있는,
    고주파 모듈.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자의 IDT 전극은, 기판 위에 형성된 제1 전극층과, 상기 제1 전극층의 위에 형성된 제2 전극층을 갖고,
    상기 층간 절연막이 배치된 위치에 있어서의 상기 배선은, 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층을 포함하고 있는,
    고주파 모듈.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 필터의 출력 단자에 접속된 상기 공진자의 상기 IDT 전극은, 기판 위에 형성된 제1 전극층과, 상기 제1 전극층의 위에 형성된 제2 전극층을 갖고,
    상기 층간 절연막이 배치된 위치에 있어서의 상기 배선은, 상기 층간 절연막의 위에 형성된 제2 전극층을 포함하고 있는,
    고주파 모듈.
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