KR101929240B1 - 웨이퍼 검사장치 - Google Patents

웨이퍼 검사장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101929240B1
KR101929240B1 KR1020170075927A KR20170075927A KR101929240B1 KR 101929240 B1 KR101929240 B1 KR 101929240B1 KR 1020170075927 A KR1020170075927 A KR 1020170075927A KR 20170075927 A KR20170075927 A KR 20170075927A KR 101929240 B1 KR101929240 B1 KR 101929240B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
magnetic field
magnetic
microwave
measurement area
Prior art date
Application number
KR1020170075927A
Other languages
English (en)
Inventor
박승영
김상일
조영훈
민병철
Original Assignee
한국기초과학지원연구원
한국과학기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기초과학지원연구원, 한국과학기술연구원 filed Critical 한국기초과학지원연구원
Priority to KR1020170075927A priority Critical patent/KR101929240B1/ko
Priority to PCT/KR2017/006268 priority patent/WO2018230752A1/ko
Priority to US15/974,111 priority patent/US10641714B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101929240B1 publication Critical patent/KR101929240B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N22/00—Investigating or analysing materials by the use of microwaves or radio waves, i.e. electromagnetic waves with a wavelength of one millimetre or more
    • G01N22/02—Investigating the presence of flaws
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/72—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables
    • G01N27/82—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables for investigating the presence of flaws
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼검사장치에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 자성박막이 형성된 웨이퍼의 일측면에 대하여 자기력선이 수직 또는 평행한 방향으로 진행하도록 자기장을 형성시키는 자기장발생부; 상기 웨이퍼의 적어도 일부 영역으로서 상기 자기장발생부에 의하여 형성된 자기장에 의한 영향이 미쳐지는 영역인 측정영역에 대하여, 마이크로파(microwave)를 주사시키는 마이크로파가이드부; 및 상기 마이크로파가이드부에 의해 상기 측정영역에 주사되어 반사(reflected) 또는 전도(transmitted)된 파(wave)를 수신하는 감지부;를 포함하므로 웨이퍼를 손상시키지 않는 비파괴방식으로 웨이퍼 상에 형성된 자성박막의 자기적 성질을 측정검사할 수 있으며, 자성박막이 형성된 웨이퍼 그 자체에 대하여 그대로 측정을 실시할 수 있으므로 생산성과 품질을 증진시켜줄 수 있는 기술이 개시된다.

Description

웨이퍼 검사장치{Wafer Test Equipment}
본 발명은 웨이퍼 검사장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 자성박막이 형성된 웨이퍼를 시편제작을 위해 파괴하지 않고도 자기적 성질을 검사할 수 있는 웨이퍼 검사장치에 관한 것이다.
웨이퍼 상에 증착시켜 형성된 자성박막의 자기모멘트와 같은 자성을 측정하기 위하여 종래에는 진동시편자력계 또는 스퀴드 자력계 등을 이용하여 자성체의 자기모멘트를 측정하거나 나침반을 사용하는 사인(sign)법, 거리에 따른 자속 밀도를 측정하는 방법 등을 이용하여 자성박막의 자성을 측정하였다.
도 1은 종래기술에 따른 웨이퍼 검사장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1에서 참조되는 바와 같이, 종래기술에 따른 웨이퍼 검사장치는 2개의 전자석(14)이 마련되어 있다. 그리고, 자성박막이 형성된 웨이퍼에서 일부분을 떼어낸 시편(10)이 샘플홀더(12)에 장착되어 두 전자석(14) 사이의 공간(16)에 형성된 자기장속을 진동하듯이 상하로 왕복운동을 한다.
이와 같이 시편(10)을 자기장속(16)에서 상하왕복운동을 시켜서 시편(10)에 형성된 자성박막의 자성이 올바르게 형성되었는지를 판단하게 된다.
그러나, 이와 같이 종래기술에 따른 웨이퍼 검사장치는 다음과 같은 문제점이 있었다.
웨이퍼 상에 형성된 자성박막을 검사하기 위해서 웨이퍼의 적어도 일부분을 파괴하여 시편을 만들어야 하므로 자성박막이 형성된 웨이퍼 자체를 못 쓰게 되는 문제점이 있었다. 또한, 시편을 적당한 크기로 잘라내어 샘플홀더에 장착시키고 전자석 사이에 위치시켜야하는 등 검사과정에서 시간이 많이 소요되고, 절차가 번거롭다는 문제점이 있었으며, 일부 웨이퍼를 대표로 하여 샘플링 검사하는 것이므로 다른 웨이퍼에 형성된 자성박막에 대한 측정정확도가 높다고 하기가 어렵다는 문제점 또한 있었다.
따라서,웨이퍼를 파괴시키지 않고 자기적 성질을 측정검사할 수 있는 기술이 요구되고 있었다.
대한민국 등록특허 10-0738321
본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼 상에 형성된 자성박막의 자기적 성질을 웨이퍼를 손상시키지 않고 비파괴방식으로 측정검사할 수 있는 웨이퍼검사장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼검사장치는 자성박막이 형성된 웨이퍼의 일측면에 대하여 자기력선이 수직 또는 평행한 방향으로 진행하도록 자기장을 형성시키는 자기장발생부; 상기 웨이퍼의 적어도 일부 영역으로서 상기 자기장발생부에 의하여 형성된 자기장에 의한 영향이 미쳐지는 영역인 측정영역에 대하여, 마이크로파(microwave)를 주사시키는 마이크로파가이드부; 및 상기 마이크로파가이드부에 의해 상기 측정영역에 주사되어 반사(reflected) 또는 전도(transmitted)된 파(wave)를 수신하는 감지부;를 포함하는 것을 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 감지부에는, 안테나 또는 픽업 코일(pick up coil)이 포함된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 웨이퍼의 적어도 일부 부분을 받쳐주는 웨이퍼스테이지; 를 더 포함하고, 상기 웨이퍼스테이지는, 상기 웨이퍼 상에서 상기 측정영역의 위치가 변경될 수 있도록 상기 웨이퍼의 위치를 변경시켜줄 수 있는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 웨이퍼 상에서 상기 측정영역의 위치가 변경될 수 있도록, 상기 웨이퍼 상의 임의의 한 점에 대하여 상기 자기장발생부, 상기 마이크로파가이드부 및 상기 감지부 중 적어도 어느 하나의 상대적 위치를 변경시켜주는 위치조정부; 를 더 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 자기장발생부는 상기 웨이퍼 측으로 자기력선이 향하도록 유도하는 자성체; 및 외부로부터 전기를 공급받아서 상기 자성체로부터 상기 자기력선이 유도되어 자기장을 형성하도록 상기 자성체의 적어도 일부분을 감싸도록 감겨진 코일; 을 포함하되, 상기 자성체는, 적어도 일부분이 E 자 형태를 갖추고 있는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
나아가, 상기 코일은, 외부로부터 DC전기를 공급받아서 DC자기장을 형성시키기 위한 DC코일; 및 외부로부터 AC전기를 공급받아서 AC자기장을 형성시키기 위한 AC코일; 을 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
더 나아가, 상기 DC코일에 의하여 형성되는 DC자기장의 세기가 상기 AC코일에 의하여 형성되는 상기 AC자기장의 세기보다 더 큰 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 마이크로파가이드부는, 상기 자기장발생부에 의하여 상기 웨이퍼 면에 수직인 방향의 자기력선이 투과되는 상기 측정영역에 상기 마이크로파를 주사시키는 제1각형도파로(waveguide)를 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 마이크로파가이드부는, 상기 자기장발생부에 의하여 상기 웨이퍼 면에 수평인 방향으로 자기력선이 형성되는 상기 측정영역에 상기 마이크로파를 주사시키는 제2각형도파로를 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 마이크로파가이드부는, 상기 측정영역에 대하여 상기 마이크로파를 주사시키는 코플래너도파로를 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 마이크로파가이드부는, 상기 자기장발생부에 의하여 상기 웨이퍼 면에 수직인 방향의 자기력선이 투과되는 상기 측정영역에 상기 마이크로파를 주사시키는 제1각형도파로(waveguide); 상기 자기장발생부에 의하여 상기 웨이퍼 면에 수평인 방향으로 자기력선이 형성되는 상기 측정영역에 상기 마이크로파를 주사시키는 제2각형도파로; 및 상기 측정영역에 대하여 상기 마이크로파를 주사시키는 코플래너도파로(coplanar waveguide)를 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
나아가, 상기 제1각형도파로 및 상기 코플래너도파로는,상기 웨이퍼의 일측면에 대하여 일정간격 이격되도록 배치되고, 상기 제2각형도파로는 상기 웨이퍼의 타측면에 대하여 일정간격 이격되도록 배치되어 상기 측정영역에 대하여 상기 마이크로파를 주사시키는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 감지부측으로부터 전기적 신호를 전달받아서 분석하는 신호처리부; 를 더 포함하고, 상기 감지부는, 상기 반사 또는 전도된 파를 수신하여 상기 전기적 신호로 변환하고, 상기 신호처리부는, 상기 감지부 측으로부터 전달받은 상기 전기적 신호와 상기 측정영역으로 인가된 상기 마이크로파의 주파수 및 상기 자기장발생부에 의하여 상기 측정영역으로 인가된 자기장에 대한 정보를 토대로 분석하여 상기 웨이퍼의 상기 측정영역에 대한 자기적 정보를 획득하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
나아가, 상기 신호처리부는, 상기 전기적신호, 상기 주파수 및 상기 자기장에 대한 정보로부터 다음의 관계식
Figure 112018038176514-pat00023

Figure 112018038176514-pat00024

(여기서,
Figure 112018038176514-pat00025
: 공명주파수(resonance frequency),
Figure 112018038176514-pat00026
: 공명자기장(resonance magnetic field),
Figure 112018038176514-pat00027
: 자기회전비율(gyro magnetic ration)
Figure 112018038176514-pat00028
: 유효포화자화(effective saturation magnetization)
Figure 112018038176514-pat00029
: 유효감쇄상수(effective damping constant)
Figure 112018038176514-pat00030
: 유효반치전폭(effective full width at half maximum)
Figure 112018038176514-pat00031
: 제로-주파수 반치전폭(zero-frequency full width at half maximum)
삭제
삭제
삭제
에 의거하여 유효포화자화(
Figure 112017057343903-pat00004
: effective saturation magnetization), 감쇄상수(
Figure 112017057343903-pat00005
: damping constant), 두께 및 결함 중 적어도 어느 하나 이상의 자기적 정보를 획득하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼검사장치는, 웨이퍼를 손상시키지 않는 비파괴방식으로 웨이퍼 상에 형성된 자성박막의 자기적 성질을 측정검사할 수 있으므로, 웨이퍼를 손상시킬 필요가 없으며, 종래와 같이 시편을 제작하여 측정할 필요 없이, 자성박막이 형성된 웨이퍼에 대하여 그대로 측정을 실시 할 수 있으므로 생산성과 품질을 증진시켜주는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 웨이퍼 검사장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 검사장치의 자기장발생부의 일부를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼검사장치에서의 마이크로파가이드부의 일부분을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼검사장치에서 자기장발생부 및 마이크로파가이드부의 배치형태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼검사장치에서 자기장발생부 및 마이크로파가이드부를 개략적으로 나타낸 사시도 및 분해사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼검사장치의 자기장발생부, 마이크로파가이드부 및 측정대상인 웨이퍼를 개략적으로 나타낸 사시도 및 정면도이다.
이하에서는 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 이해할 수 있도록 첨부된 도면을 참조한 바람직한 실시 예를 들어 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 검사장치의 자기장발생부의 일부를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼검사장치에서의 마이크로파가이드부의 일부분을 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼검사장치에서 자기장발생부 및 마이크로파가이드부의 배치형태를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼검사장치에서 자기장발생부 및 마이크로파가이드부를 개략적으로 나타낸 사시도 및 분해사시도이며, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼검사장치의 자기장발생부, 마이크로파가이드부 및 측정대상인 웨이퍼를 개략적으로 나타낸 사시도 및 정면도이다.
도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼검사장치는 자기장발생부, 마이크로파가이드부 및 감지부를 포함하여 이루어지며, 좀 더 바람직하게는 웨이퍼스테이지, 위치조정부 및 신호처리부 중 적어도 어느 하나 이상을 더 포함하여 이루어질 수도 있다.
이하 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼검사장치를 설명함에 있어서 언급되는 측정영역 이라 함은 웨이퍼의 적어도 일부 영역으로서 자기장발생부에 의하여 형성된 자기장에 의한 영향이 미쳐지는 영역을 말한다.
자기장발생부는 자성박막(22)이 형성된 웨이퍼(20)의 일측면에 대하여 자기력선(110, 111)이 수직 또는 평행한 방향으로 진행하도록 자기장을 형성시켜준다.
이러한 자기장발생부는 자성체 및 코일을 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.
자성체(100)는 웨이퍼 측으로 자기력선(110, 111)이 향하도록 유도하여 준다. 즉 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 자기력선(110)이 웨이퍼(20)의 일측면에 대하여 수직으로 향하도록 유도하거나 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 자기력선(111)이 웨이퍼(20)의 일측면에 대하여 평행한 방향을 향하도록 유도하여 준다.
이러한 자성체(100)로 자석 또는 전자석이 이용될 수 있으며, 도 2의 (a),(b)에서는 코일이 생략되었다.
그리고 도 2의 (c), (d)에서 참조되는 바와 같이 코일(130)은 외부로부터 전기를 공급받아서 자성체(120)로부터 자기력선이 유도되어 자기장을 형성하도록 자성체의 적어도 일부분을 감싸도록 감겨진 것이 바람직하다.
자성박막(22)이 형성된 웨이퍼(20)에서, 자기 모멘트나 유효포화자화(
Figure 112017057343903-pat00006
: effective saturation magnetization) 등과 같은 자기적 성질을 측정하기 위하여 웨이퍼(20)의 측정영역에 자기장을 인가하여 준다. 여기서 자기력선(110)의 방향이 도 2의 (a)에서 참조되는 바와 같이 웨이퍼 면에 수직인 방향 측으로 자기력선이 지나가도록 자기장을 인가하여 줄 수도 있다.
또는 웨이퍼(20) 면에 평행한 방향 측으로 자기력선(111)이 지나가도록 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 자기장을 인가하여 줄 수도 있다.
좀 더 바람직하게는 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이 웨이퍼(20) 면에 대하여 자기력선이 수직인 방향과 수평인 방향 모두 인가하여 한 번의 측정실시에 의해 측정영역에서의 자성박막의 자기적 성질을 파악할 수 있는 것 또한 바람직하다.
이를 위하여, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이 측정영역에 대하여 자기력선이 수직인 방향과 수평인 방향으로 형성될 수 있도록 자기장을 인가하여 주는 것 또한 바람직하다.
이처럼 자기력선이 수직인 방향과 수평인 방향으로 형성될 수 있도록 하기 위하여 도 2의 (c), 도 4 또는 도 5에서 참조되는 바와 같이 자성체(120)가 E 자 형태를 포함하는 형태로 이루어지는 것이 바람직하다.
그리고, 이러한 자성체(120)로 페라이트(ferrite)가 이용되는 것이 바람직하다.
또한 좀 더 바람직하게는 도2의 (c)에서 참조되는 바와 같이 E자 형태의 플레이트로 된 페라이트 또는 강판이 적층된 구조를 갖추도록 형성된 것 또한 바람직하다.
이처럼 자성체인 페라이트 또는 강판이 적층된 구조로 형성되면 와전류(eddy current)의 발생을 억제할 수 있으므로 바람직하다.
한편, 웨이퍼 상의 측정영역에 대하여 DC자기장(Direct current magnetic filed)과 AC자기장(Alternating Current magnetic field)을 함께 인가하여 줄 수 있도록 코일(130)은 DC코일(133)과 AC코일(131)이 포함된 것이 바람직하다.
AC 코일의 위치는 자기 폐루프(closed loop) 상의 어느 한 곳에 위치한다.
여기서 DC코일(133)은 외부로부터 DC전기를 공급받아서 DC자기장을 형성시켜주기 위한 코일을 말하며, AC코일(131)은 외부로부터 AC전기를 공급받아서 AC자기장을 형성시켜주기 위한 코일을 말한다.
여기서 바람직하게는 DC자기장의 세기가 AC자기장의 세기보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.
참고로 AC코일의 위치가 자극 면으로부터 멀리 떨어진 곳에 있으면 DC 자기장의 세기에 대하여 독립적으로 일정해질 수 있으므로 바람직하다.
한 편, AC코일과 DC 코일의 구분이 없이 하나의 코일에 대하여 AC 전력과 DC 전력을 함께 공급하여 줌으로써 DC자기장과 AC자기장을 함께 인가하여 주는 것 또한 가능하다고 할 수도 있다. 이러한 경우 코일에 연결된 전력증폭기에 AC파형을 더해줄 수 있도록 전치앰프단에 차동증폭기 또는 가산증폭기를 추가로 구비할 수도 있다. 여기서 전치앰프단에는 2개 이상의 입력단이 있고, 이 가운데 하나는 DC진폭을 결정하는 신호가 입력되고, 다른 나머지 입력단에는 AC신호를 입력할 수 있다.
참고로, E자 형태의 전자석에서 자극은 E자 형태의 각 끝단이 되므로 3개의 자극이 있게 된다. 여기서 가운데 중심자극에서의 자기장의 균일도를 확보하기 위해서 가운데 중심자극에서 이웃하는 다른 자극과의 간격은 서로 동일한 것이 바람직하다. 그러나, 중심자극의 자기장 균일도가 중요하지 않는 경우에는 필요에 따라 자극간의 간격이 다르게 될 수도 있다.
마이크로파가이드부는, 웨이퍼(20)의 적어도 일부 영역으로서 자기장발생부에 의하여 형성된 자기장에 의한 영향이 미쳐지는 영역인 측정영역에 대하여 마이크로파(microwave)를 주사시켜준다.
이러한 마이크로파가이드부에는 도 3의 (a)에서 참조되는 바와 같은 각형도파로(rectangular waveguide)(210)이나 도 3의 (b), (c)에서 참조되는 바와 같은 코플래너(coplanar)도파로(220)가 포함될 수 있다.
먼저 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 각형도파로(210)가 웨이퍼(20)의 하측에 위치하여 웨이퍼(20)의 상측면에 형성된 자성박막(22) 측으로 마이크로파를 주사하여 주는 형태도 바람직하다.
도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 코플래너도파로(220)가 자성박막(22)이 형성된 웨이퍼(20)의 상측에 위치하고, 웨이퍼(20)의 자성박막(22) 측으로 마이크로파를 주사하여 주는 형태 또한 바람직하다.
또는 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이 코플래너도파로(220)가 자성박막(22)이 형성된 웨이퍼(20)의 상측과 하측에 위치하고, 웨이퍼(20)의 자성박막(22) 측으로 마이크로파를 주사하여 주는 형태 또한 바람직하다.
물론, 도면에 도시되지는 않았으나, 각형도파로가 웨이퍼(20)의 상측과 하측에 마련된 형태 또한 충분히 바람직하다.
또는 도 4에서 참조되는 바와 같이 각형도파로(210)와 코플래너도파로(220)가 모두 구비되어 있는 형태 역시 바람직하다.
도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 웨이퍼(20)의 하측에 각형도파로(211, 213)r가 자성체인 페라이트(120)사이에 개재되고, 페라이트(120)의 일부분에 코일(130)이 감겨져 있다. 여기서 페라이트(120)와 각형도파로(211, 213)은 접하지 않고 일정간격 이격되어 있다.
여기서 각형도파로(211, 213)은 웨이퍼(20) 측으로 주사시킬 마이크로파의 주파수에 따라 그 크기가 결정된다. 따라서, 도면에 도시된 바와 같이 각형도파로(211, 213)는 2개 또는 그 이상 마련될 수도 있다.
마이크로파가 고주파인 경우 각형도파로(211)은 폭이 좁고, 저주파인 경우 각형도파로(213)은 그 폭이 넓게 된다.
그리고 도 4의 (b)에서 참조되는 바와 같이, 웨이퍼(20)의 상측에 코플래너 도파로(220)가 배치되고, 웨이퍼(20)의 하측에 각형도파로(211, 213)가 배치되어 마이크로파를 웨이퍼(20) 측으로 주사시켜줄 수 있는 것 또한 바람직하다.
여기서, 각형도파로(211,213)와 코플래너도파로(220)는 서로 독립적으로 웨이퍼에 대하여 위치이동이 이루어질 수도 있다.
좀 더 구체적으로, 후술할 위치조정부에 의하여 각형도파로(211,213)와 코플래너도파로(220)가 웨이퍼 상에서 같은 방향으로 함께 위치이동될 수 있으며, 각기 다른 방향으로 위치이동이 될 수도 있다는 것이다.
여기서, 도 4 내지 도 6을 참조하여 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 마이크로파가이드부는 제1각형도파로, 제2각형도파로 및 코플래너도파로를 포함한다고 할 수 있다.
제1각형도파로(231, 233)는 자기장발생부에 의하여 웨이퍼(20) 면에 수직인 방향의 자기력선이 투과되는 측정영역에 마이크로파를 주사시켜준다.
도 4의 (a)에서 참조되는 바와 같이 자기력선이 수직으로 나오는 부분에 대응되도록 제1각형도파로(231, 233)이 도 5 및 도 6에서 참조되는 바와 같이 배치된다. 여기서 제1각형도파로(231, 233)는 저주파의 마이크로파를 주사하는 제1각형도파로(233)와 고주파의 마이크로파를 주사하는 제1각형도파로(231) 등 둘 이상의 도파로들을 포함하여 이루어질 수 있다.
그리고, 제2각형도파로(211, 213)는 자기장발생부에 의하여 웨이퍼 면에 수평인 방향으로 자기력선이 형성되는 측정영역에 마이크로파를 주사시켜준다.
도 4의 (a)에서 참조되는 바와 같이 자기력선이 수평으로 나오는 부분에 대응되도록 제2각형도파로(211, 213)이 도 5 및 도 6에서 참조되는 바와 같이 배치된다.
여기서 제2각형도파로(211, 213)는 저주파의 마이크로파를 주사하는 제2각형도파로(213)와 고주파의 마이크로파를 주사하는 제1각형도파로(211) 등 둘 이상의 도파로들을 포함하여 이루어질 수 있다.
각형도파로는 주파수 주사가 제한적이므로 서로 다른 자극 사이에는 서로 다른 규격 또는 크기의 각형도파로를 배치시켜서 서로 다른 대역의 마이크로파를 인가할 수 있는 것이 바람직하다.
그리고, 코플래너도파로(220)는 자기장발생부에 의하여 웨이퍼(20) 면에 수직 또는 수평인 방향으로 자기력선이 형성되는 측정영역에 마이크로파를 주사시켜준다.
도 6에서 참조되는 바와 같이, 제1각형도파로(231, 233) 및 코플래너도파로(220)는, 웨이퍼(20)의 일측면에 대하여 일정간격 이격되도록 상측에 배치되고, 제2각형도파로(211, 213)는 웨이퍼(20)의 타측면에 대하여 일정간격 이격되도록 하측에 배치되어 측정영역에 대하여 마이크로파를 주사시켜준다.
이처럼 제1각형도파로(231, 233) 제2각형도파로(211, 213) 및 코플래너도파로(220)에서 웨이퍼(20) 측으로 주사된 마이크로파는 웨이퍼(20)의 자성박막에 의해 반사되거나 전도된 후 감지부에 의해 감지된다.
참고로, 자기력발생부의 자성체인 페라이트(120)에 감겨진 코일(130)은 도 4에 도시된 바와 같이 구성될 수도 있으며, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 구성될 수도 있다. 이는 설계상의 필요에 따라 자기력선의 방향, 코일에 흐르게 되는 전류의 방향을 고려하여 적절히 선택되어질 수 있다.
이와 같이 자기장발생부 및 마이크로파가이드부는 측정하는 동안에 웨이퍼에 접촉되지 않으므로 측정 중에 웨이퍼에 물리적 손상을 주지 않을 수 있으므로 바람직하다.
감지부(미도시)는 마이크로파가이드부에 의해 웨이퍼(20) 상의 측정영역에 주사되어 반사되는 파 또는 전도(transmitted)된 파를 수신한다.
이러한 감지부는 웨이퍼(20)에 반사되는 파 또는 전도되는 파 를 수신할 수 있도록 마이크로파가이드부의 도파로(waveguide)에 대하여 웨이퍼(20)를 사이에 두고 서로 대향되는 위치에 배치될 수 있으며 이러한 형태 또한 바람직하다.
이러한 감지부에는 안테나 또는 픽업코일이 포함된 것이 바람직하다.
감지부가 마이크로파의 반사파 또는 전도된 파를 수신하면 이를 전기적신호로 변환하고, 후술할 신호처리부로 전달함으로써 웨이퍼(20)에 형성된 자기박막(22)의 자기적 성질을 판단할 수 있도록 한다.
웨이퍼(20)에 대하여 자기적 성질을 측정하는 동안에 웨이퍼(20)가 안착되어 있도록 웨이퍼스테이지(미도시)가 마련된다.
이러한 웨이퍼스테이지는 웨이퍼(20)의 하측에서 자기장발생부, 마이크로파가이드부 또는 감지부가 측정할 수 있도록 웨이퍼(20)의 가장자리부분에 접하여 웨이퍼를 받쳐주는 형태로 된 것이 바람직하다.
그리고 좀 더 바람직하게는 웨이퍼(20) 상의 측정영역의 위치가 변경될 수 있도록 웨이퍼스테이지가 웨이퍼(20)와 함께 위치이동될 수 있는 것 또한 바람직하다.
이와 같이 웨이퍼스테이지가 웨이퍼(20)를 받쳐주는 상태에서 위치이동될 수 있으면 웨이퍼(20)의 전체영역에 대하여 스캔하듯이 자기적 성질을 측정할 수 있게 되므로 바람직하다.
위치조정부(미도시)는 웨이퍼 상에서 측정영역의 위치가 변경될 수 있도록 웨이퍼 상의 임의의 한 점에 대하여 자기장발생부, 마이크로파가이드부 및 감지부 중 적어도 어느 하나의 상대적 위치를 변경시켜준다.
웨이퍼스테이지가 웨이퍼(20)의 위치를 변경시켜주는 것도 바람직하지만, 웨이퍼스테이지가 위치고정되는 대신에 위치조정부에 의해 자기장발생부, 마이크로파가이드부 및 감지부 중 적어도 어느 하나가 위치이동될 수 있는 것 또한 바람직하다는 것이다.
이와 같이 자기장발생부, 마이크로파가이드부 및 감지부의 위치가 고정된 대신에 웨이퍼스테이지가 웨이퍼(20)의 위치가 변경되도록 움직일 수 있는 형태도 바람직하며, 웨이퍼스테이지가 위치고정되어 웨이퍼(20)의 위치는 변하지 않되 자기장발생부, 마이크로파가이드부 및 감지부 중 적어도 어느 하나가 웨이퍼(20)에 대하여 위치이동되는 형태 또한 바람직하다는 것이다.
이와 같이 웨이퍼(20)가 위치이동을 하거나, 자기장발생부, 마이크로파가이드부 또는 감지부가 웨이퍼에 대하여 위치이동됨으로써 웨이퍼(20)의 전체 영역에 대하여 자기적 성질을 측정할 수 있게 된다.
그리고, 근접센서가 더 포함되는 형태 또한 바람직하다. 즉, 웨이퍼에 대하여 제1각형도파로(231, 233), 제2각형도파로(211, 213) 또는 코플래너도파로(220)가 웨이퍼(20)에 접촉되지 않고 일정간격 이격된 상태를 유지할 수 있도록 근접센서가 더 포함되면 더욱 바람직하다는 것이다.
따라서, 근접센서가 포함되는 경우 근접센서를 통해 웨이퍼와의 간격을 신호처리부가 파악할 수도 있다.
신호처리부(미도시)는 감지부측으로부터 전기적 신호를 전달받아서 측정영역의 자기적 성질을 분석한다. 아울러, 신호처리부는 측정영역에 대한 자기적 성질을 파악하기 위하여 자기장발생부, 마이크로파가이드부 및 감지부를 제어할 수도 있다.
즉, 신호처리부의 제어에 의하여 자기장발생부가 발생시킬 자기장의 세기나 마이크로파가이드부에 의하여 인가되는 마이크로파의 주파수가 설정될 수도 있다는 것이다.
그리고, 신호처리부는 감지부측으로부터 전달받은 전기적신호나 주파수(또는 공명주파수) 및 자기장(또는 공명자기장)에 대한 정보로부터 다음의 관계식
Figure 112018038176514-pat00032

Figure 112018038176514-pat00033

(여기서,
Figure 112018038176514-pat00034
: 공명주파수(resonance frequency),
Figure 112018038176514-pat00035
: 공명자기장(resonance magnetic field),
Figure 112018038176514-pat00036
: 자기회전비율(gyro magnetic ration)
Figure 112018038176514-pat00037
: 유효포화자화(effective saturation magnetization)
Figure 112018038176514-pat00038
: 유효감쇄상수(effective damping constant)
Figure 112018038176514-pat00039
: 유효반치전폭(effective full width at half maximum)
Figure 112018038176514-pat00040
: 제로-주파수 반치전폭(zero-frequency full width at half maximum)
삭제
삭제
에 의거하여 유효포화자화(
Figure 112017057343903-pat00010
: effective saturation magnetization), 감쇄상수(
Figure 112017057343903-pat00011
: damping constant), 두께 및 결함 중 적어도 어느 하나 이상의 자기적 정보를 획득하게 된다.
특히 특정 재료의 두께 또는 부피에 따른 유효포화자화량의 데이터를 미리 확보하고 있는 경우, 박막 두께를 역으로 산출할 수 있어 두께 검사에도 활용될 수 있다.
따라서, 웨이퍼(20)에 형성된 자기박막(22)이 바르게 형성되었는지 아니면 불량인지를 판단할 수 있게 된다.
한편, 웨이퍼의 자기박막에 마이크로파가 주사되어 공명이 되는 경우, 공명이 일어나는 부분에는 열이 발생하게 된다. 따라서, 열영상카메라를 마련하여 웨이퍼에서 공명에 의한 열의 발생이 비정상적인 부분을 찾아내어 웨이퍼에 형성된 자성박막의 이상유무를 확인하는 것 또한 바람직하다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 웨이퍼검사장치는 시편을 제작하기 위하여 웨이퍼를 손상시키지 않는 비파괴방식으로 웨이퍼 상에 형성된 자성박막의 자기적 성질을 측정검사할 수 있다.
특히 측정하는 동안에 자기장발생부 및 마이크로파가이드부가 웨이퍼에 형성된 자성박막에 접촉하지 않으므로 측정 중에 웨이퍼에 물리적 손상을 주지 않을 수 있으며, 자성박막이 형성된 웨이퍼 그 자체에 대하여 그대로 측정을 실시할 수 있으므로 생산성과 품질을 증진시켜줄 수 있다는 장점이 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시 예들에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시 예들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시 예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다.
20 : 웨이퍼 22 : 자성박막
120 : 자성체(페라이트) 130 : 코일
210 : 각형도파로 220 : 코플래너도파로
231, 233 : 제1각형도파로 211, 213 : 제2각형도파로

Claims (14)

  1. 자성박막이 형성된 웨이퍼의 일측면에 대하여 자기력선이 수직 또는 평행한 방향으로 진행하도록 자기장을 형성시키는 자기장발생부;
    상기 웨이퍼의 적어도 일부 영역으로서 상기 자기장발생부에 의하여 형성된 자기장에 의한 영향이 미쳐지는 영역인 측정영역에 대하여, 마이크로파(microwave)를 주사시키는 마이크로파가이드부; 및
    상기 마이크로파가이드부에 의해 상기 측정영역에 주사되어 반사(reflected) 또는 전도(transmitted)된 파(wave)를 수신하는 감지부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 감지부에는,
    안테나 또는 픽업 코일(pick up coil)이 포함된 것을 특징으로 하는, 웨이퍼검사장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 적어도 일부 부분을 받쳐주는 웨이퍼스테이지; 를 더 포함하고,
    상기 웨이퍼스테이지는,
    상기 웨이퍼 상에서 상기 측정영역의 위치가 변경될 수 있도록 상기 웨이퍼의 위치를 변경시켜줄 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 상에서 상기 측정영역의 위치가 변경될 수 있도록,
    상기 웨이퍼 상의 임의의 한 점에 대하여 상기 자기장발생부, 상기 마이크로파가이드부 및 상기 감지부 중 적어도 어느 하나의 상대적 위치를 변경시켜주는 위치조정부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 자기장발생부는;
    상기 웨이퍼의 일측면에 대하여 자기력선이 수직 또는 평행한 방향으로 진행하도록 유도하는 자성체; 및
    외부로부터 전기를 공급받아서 상기 자성체로부터 상기 자기력선이 유도되어 자기장을 형성하도록 상기 자성체의 적어도 일부분을 감싸도록 감겨진 코일; 을 포함하되,
    상기 자성체는,
    적어도 일부분이 E 자 형태를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 코일은,
    외부로부터 DC전기를 공급받아서 DC자기장을 형성시키기 위한 DC코일; 및
    외부로부터 AC전기를 공급받아서 AC자기장을 형성시키기 위한 AC코일; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 DC코일에 의하여 형성되는 DC자기장의 세기가 상기 AC코일에 의하여 형성되는 상기 AC자기장의 세기보다 더 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 마이크로파가이드부는,
    상기 자기장발생부에 의하여 상기 웨이퍼 면에 수직인 방향의 자기력선이 투과되는 상기 측정영역에 상기 마이크로파를 주사시키는 제1각형도파로(waveguide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 마이크로파가이드부는,
    상기 자기장발생부에 의하여 상기 웨이퍼 면에 수평인 방향으로 자기력선이 형성되는 상기 측정영역에 상기 마이크로파를 주사시키는 제2각형도파로를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 마이크로파가이드부는,
    상기 측정영역에 대하여 상기 마이크로파를 주사시키는 코플래너도파로를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 마이크로파가이드부는,
    상기 자기장발생부에 의하여 상기 웨이퍼 면에 수직인 방향의 자기력선이 투과되는 상기 측정영역에 상기 마이크로파를 주사시키는 제1각형도파로(waveguide);
    상기 자기장발생부에 의하여 상기 웨이퍼 면에 수평인 방향으로 자기력선이 형성되는 상기 측정영역에 상기 마이크로파를 주사시키는 제2각형도파로; 및
    상기 측정영역에 대하여 상기 마이크로파를 주사시키는 코플래너도파로(coplanar waveguide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제1각형도파로 및 상기 코플래너도파로는,
    상기 웨이퍼의 일측면에 대하여 일정간격 이격되도록 배치되고,
    상기 제2각형도파로는 상기 웨이퍼의 타측면에 대하여 일정간격 이격되도록 배치되어
    상기 측정영역에 대하여 상기 마이크로파를 주사시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 감지부측으로부터 전기적 신호를 전달받아서 분석하는 신호처리부; 를 더 포함하고,
    상기 감지부는,
    상기 반사 또는 전도된 파를 수신하여 상기 전기적 신호로 변환하고,
    상기 신호처리부는,
    상기 감지부 측으로부터 전달받은 상기 전기적 신호와
    상기 측정영역으로 인가된 상기 마이크로파의 주파수 및
    상기 자기장발생부에 의하여 상기 측정영역으로 인가된 자기장에 대한 정보를 토대로 분석하여 상기 웨이퍼의 상기 측정영역에 대한 자기적 정보를 획득하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 신호처리부는,
    상기 전기적신호, 상기 주파수 및 상기 자기장에 대한 정보로부터 다음의 관계식
    Figure 112018038176514-pat00041

    Figure 112018038176514-pat00042

    (여기서,
    Figure 112018038176514-pat00043
    : 공명주파수(resonance frequency),
    Figure 112018038176514-pat00044
    : 공명자기장(resonance magnetic field),
    Figure 112018038176514-pat00045
    : 자기회전비율(gyro magnetic ration)
    Figure 112018038176514-pat00046
    : 유효포화자화(effective saturation magnetization)
    Figure 112018038176514-pat00047
    : 유효감쇄상수(effective damping constant)
    Figure 112018038176514-pat00048
    : 유효반치전폭(effective full width at half maximum)
    Figure 112018038176514-pat00049
    : 제로-주파수 반치전폭(zero-frequency full width at half maximum)
    에 의거하여 유효포화자화(
    Figure 112018038176514-pat00015
    : effective saturation magnetization), 감쇄상수(
    Figure 112018038176514-pat00016
    : damping constant), 두께 및 결함 중 적어도 어느 하나 이상의 자기적 정보를 획득하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼검사장치.

KR1020170075927A 2017-06-15 2017-06-15 웨이퍼 검사장치 KR101929240B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170075927A KR101929240B1 (ko) 2017-06-15 2017-06-15 웨이퍼 검사장치
PCT/KR2017/006268 WO2018230752A1 (ko) 2017-06-15 2017-06-15 웨이퍼 검사장치
US15/974,111 US10641714B2 (en) 2017-06-15 2018-05-08 Wafer inspection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170075927A KR101929240B1 (ko) 2017-06-15 2017-06-15 웨이퍼 검사장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101929240B1 true KR101929240B1 (ko) 2018-12-17

Family

ID=64656667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170075927A KR101929240B1 (ko) 2017-06-15 2017-06-15 웨이퍼 검사장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10641714B2 (ko)
KR (1) KR101929240B1 (ko)
WO (1) WO2018230752A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102581541B1 (ko) 2019-07-22 2023-09-21 삼성전자주식회사 웨이퍼 측정 장치
KR20210024319A (ko) 2019-08-21 2021-03-05 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2721389B2 (ja) * 1989-03-17 1998-03-04 ニツコーシ株式会社 磁気歪効果を利用した鋼材の応力測定方法
JPH10121243A (ja) * 1996-10-09 1998-05-12 Sony Corp 真空薄膜成形装置
US5992741A (en) * 1996-12-12 1999-11-30 Robertson; Paul Andrew Magnetic detection of security articles
JPH11172432A (ja) * 1997-12-16 1999-06-29 Hitachi Ltd 磁性膜形成装置
CN1257701C (zh) * 1998-06-19 2006-05-31 株式会社新王磁材 医用磁共振成像设备用磁场发生装置
US6411105B1 (en) * 2000-09-11 2002-06-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Nondestructive detection of steel surface corrosion
GB0024837D0 (en) * 2000-10-10 2000-11-22 Univ Keele Ferromagnetic resonance measurement
US6992482B2 (en) * 2000-11-08 2006-01-31 Jentek Sensors, Inc. Magnetic field sensor having a switchable drive current spatial distribution
JP6149370B2 (ja) * 2012-09-28 2017-06-21 Ｊｆｅスチール株式会社 磁区不連続部検出方法
US10401464B2 (en) * 2017-03-20 2019-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scanning ferromagnetic resonance (FMR) for wafer-level characterization of magnetic films and multilayers

Also Published As

Publication number Publication date
US20180364181A1 (en) 2018-12-20
WO2018230752A1 (ko) 2018-12-20
US10641714B2 (en) 2020-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103499636B (zh) 基于测静磁力的薄板类铁磁材料中微缺陷的无损检测方法
CN109781838B (zh) 一种基于v形线圈激励的涡流-超声检测探头
US20100079908A1 (en) Determining A Magnetic Sample Characteristic Using A Magnetic Field From A Domain Wall
JP6395325B2 (ja) 電磁鋼板の物性評価装置
Stupakov Controllable magnetic hysteresis measurement of electrical steels in a single-yoke open configuration
KR101929240B1 (ko) 웨이퍼 검사장치
CN106814131A (zh) 一种铁磁平面构件浅层损伤磁发射检测方法及磁发射检测系统
US4922200A (en) Apparatus for measuring the hysteresis loop of magnetic film
US5124640A (en) Method for advanced material characterization by laser induced eddy current imaging
Kikuchi et al. Challenges for detection of small defects of submillimeter size in steel using magnetic flux leakage method with higher sensitive magnetic field sensors
US11747302B2 (en) Method and system for detecting a material response
RU2566416C1 (ru) Устройство для вихретоко-магнитной дефектоскопии ферромагнитных объектов
JP3753499B2 (ja) 磁気探傷装置及び方法
Yang et al. Research on the magnetic flux leakage field distribution characteristics of defect in low-frequency electromagnetic detection technique
Zheng et al. High-spatial-resolution magnetic Barkhausen noise sensor with shielded receiver
GB2575695A (en) Method and system for detecting a material response
CN109187638A (zh) 一种基于方向调制的高信噪比涡流热成像检测方法
JP6395326B2 (ja) 電磁鋼板の物性評価装置
Pelkner et al. MR-based eddy current probe design for hidden defects
JPH0353155A (ja) 鋼材の内部欠陥又は損傷検出装置
JP2016138873A (ja) 電磁鋼板の物性評価装置、その評価方法、並びに電磁鋼板の製造システム及び電磁鋼板の製造方法
JPH08261991A (ja) 渦電流プローブ
JP2019039779A (ja) 励磁コイル、非破壊検査装置、及び非破壊検査方法
JP2002039997A (ja) 磁性測定装置及び方法
JP2012053956A (ja) 磁気ヘッド素子評価装置及び磁気ヘッド素子評価方法

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant