KR101922755B1 - 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료, 및 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 포함하는 수지 복합 재료 - Google Patents

개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료, 및 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 포함하는 수지 복합 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR101922755B1
KR101922755B1 KR1020147015229A KR20147015229A KR101922755B1 KR 101922755 B1 KR101922755 B1 KR 101922755B1 KR 1020147015229 A KR1020147015229 A KR 1020147015229A KR 20147015229 A KR20147015229 A KR 20147015229A KR 101922755 B1 KR101922755 B1 KR 101922755B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon material
graphene
modified
modified graphene
graphite
Prior art date
Application number
KR1020147015229A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150020159A (ko
Inventor
다꾸야 와다
노리오 츠보까와
Original Assignee
세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
고쿠리츠다이가쿠호진 니이가타 다이가쿠
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤, 고쿠리츠다이가쿠호진 니이가타 다이가쿠 filed Critical 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Publication of KR20150020159A publication Critical patent/KR20150020159A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101922755B1 publication Critical patent/KR101922755B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C29/00—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom not belonging to a six-membered aromatic ring
    • C07C29/48—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom not belonging to a six-membered aromatic ring by oxidation reactions with formation of hydroxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/194—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/05—Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C08K3/042—Graphene or derivatives, e.g. graphene oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/20—Graphite
    • C01B32/21—After-treatment
    • C01B32/23—Oxidation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/54—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing more than five condensed rings

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

본 발명은 수산기가 도입된 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 제공한다. 그래핀 라이크 탄소 재료와 과산화수소를 반응시켜 그래핀 라이크 탄소 재료에 수산기를 도입한다.

Description

개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료, 및 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 포함하는 수지 복합 재료{METHOD FOR PRODUCING MODIFIED-GRAPHENE-LIKE CARBON MATERIAL, MODIFIED-GRAPHENE-LIKE CARBON MATERIAL, AND RESIN COMPOSITE MATERIAL CONTAINING MODIFIED-GRAPHENE-LIKE CARBON MATERIAL}
본 발명은, 수산기가 도입된 개질 그래핀 라이크 탄소(graphene-like carbon) 재료의 제조 방법, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료, 및 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 포함하는 수지 복합 재료에 관한 것이다.
흑연은 박편화 흑연이 적층되어 이루어지는 적층체이다. 흑연을 박리함으로써, 흑연보다도 적층수가 적은 박편화 흑연이나 그래핀 등의 그래핀 라이크 탄소 재료가 얻어진다. 그래핀 라이크 탄소 재료는 도전성이나 열전도성이 우수하기 때문에, 도전성 재료나 열전도성 재료 등으로의 응용이 기대되고 있다.
또한, 그래핀 라이크 탄소 재료와 수지 등을 복합화하여 수지 복합 재료로 하는 것도 행해지고 있다. 그래핀 라이크 탄소 재료와 수지의 친화성을 향상시키는 것 등을 목적으로 하여, 그래핀 라이크 탄소 재료를 개질하는 것이 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는 카르복실기를 함유하는 아조계 라디칼 중합 개시제를 라디칼 분해하여 얻어진 프래그먼트가, 그래핀 시트 구조를 갖는 탄소 재료에 부가된 변성 탄소 재료가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2007-169112호 공보
이러한 상황 하에서, 신규한 개질 그래핀 라이크 탄소 재료가 요구되고 있다.
본 발명의 주목적은, 수산기가 도입된 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 제공하는 데 있다.
본 발명의 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법에서는, 그래핀 라이크 탄소 재료와 과산화수소를 반응시켜, 그래핀 라이크 탄소 재료에 수산기를 도입한다.
본 발명의 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 그래핀 라이크 탄소 재료로의 수산기의 도입을 철 촉매의 존재 하에 행한다.
본 발명의 개질 그래핀 라이크 탄소 재료는 상기한 제조 방법에 의해 얻어진다.
본 발명의 개질 그래핀 라이크 탄소 재료는, 2,2'-디페닐-1-피크릴히드라질을 사용한 정량법으로 측정했을 때의 수산기의 양이 0.3mmol/g 내지 10.0mmol/g이다.
본 발명의 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 어느 특정한 국면에서는 NaHCO3를 사용한 정량법으로 측정했을 때의 카르복실기의 양이 1.0mmol/g 이하이다.
본 발명의 수지 복합 재료는, 본 발명의 개질 그래핀 라이크 탄소 재료가 수지 중에 분산되어 이루어진다.
본 발명에 따르면, 수산기가 도입된 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 제공할 수 있다.
이하에서, 본 발명에 관한 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료, 및 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 포함하는 수지 복합 재료의 상세를 설명한다.
(그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법)
본 발명에 관한 그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법에서는, 그래핀 라이크 탄소 재료와 과산화수소를 반응시켜, 그래핀 라이크 탄소 재료에 수산기를 도입한다. 본 발명의 개질 그래핀 라이크 탄소 재료는, 원료인 그래핀 라이크 탄소 재료에 수산기가 도입된 것이다.
그래핀 라이크 탄소 재료란, 그래핀 또는 박편화 흑연을 의미한다. 본 발명에 있어서, 박편화 흑연이란, 1층의 그래핀에 의해 구성된 그래핀 시트의 적층체이다. 박편화 흑연은, 원래의 흑연보다도 얇은 그래핀 시트의 적층체이다. 박편화 흑연에 있어서의 그래핀 시트의 적층수는 2 이상이며, 통상 200 이하이다. 박편화 흑연은, 시판품이 입수 가능하고, 종래 공지의 방법에 의해 제조할 수도 있다. 박편화 흑연은, 예를 들어 흑연을 박리 처리하는 것 등에 의해 얻어진다. 박편화 흑연은, 예를 들어 흑연의 층간에 질산 이온 등의 이온을 삽입한 후에 가열 처리하는 화학적 처리 방법, 흑연에 초음파를 인가하는 등의 물리적 처리 방법, 흑연을 작용극으로서 전기 분해를 행하는 전기 화학적 방법 등의 방법에 의해 얻어진다.
그래핀 라이크 탄소 재료는 종횡비가 큰 형상을 갖는다. 그로 인해, 후술하는 수지 복합 재료에 있어서, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료가 균일하게 분산되어 있으면, 그래핀 라이크 탄소 재료의 적층면에 교차하는 방향으로 가해지는 외력에 대한 보강 효과를 효과적으로 높인다. 또한, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 종횡비가 지나치게 작으면, 적층면에 교차하는 방향으로 가해진 외력에 대한 보강 효과가 충분하지 못한 경우가 있다. 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 종횡비가 지나치게 크면, 효과가 포화되어 그 이상의 보강 효과를 바랄 수 없는 경우가 있다. 따라서, 그래핀 라이크 탄소 재료의 종횡비는 50 이상인 것이 바람직하고, 100 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 그래핀 라이크 탄소 재료의 종횡비는 5000 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서 그래핀 라이크 탄소 재료의 종횡비란, 그래핀 라이크 탄소 재료의 두께에 대한 그래핀 라이크 탄소 재료의 적층면 방향에 있어서의 최대 치수의 비를 의미한다.
수지 복합 재료의 기계적 강도를 높이기 위해서는, 그래핀 라이크 탄소 재료의 평균 입자 직경은 1㎛ 내지 5㎛ 정도인 것이 바람직하고, 3㎛ 내지 5㎛ 정도인 것이 보다 바람직하다.
그래핀 라이크 탄소 재료와 과산화수소의 반응은, 예를 들어 그래핀 라이크 탄소 재료와 과산화수소수를 혼합함으로써 행할 수 있다. 과산화수소수 중의 과산화수소의 농도는 10질량％ 내지 27질량％ 정도로 할 수 있다. 또한, 반응 온도는 0℃ 내지 50℃ 정도로 할 수 있다. 반응 시간은 0.5시간 내지 48시간 정도로 할 수 있다. 그래핀 라이크 탄소 재료와 과산화수소의 반응은 대기 하에서 행할 수도 있고, 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스의 존재 하에서 행할 수도 있다.
그래핀 라이크 탄소 재료와 과산화수소의 반응은 철 촉매의 존재 하에 행하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 그래핀 라이크 탄소 재료로의 수산기의 도입을 효율적으로 행할 수 있다. 철 촉매의 존재 하에 그래핀 라이크 탄소 재료와 과산화수소의 반응을 행하는 방법으로서는, 예를 들어 펜톤(Fenton) 시약을 사용하는 방법을 들 수 있다. 또한, 펜톤 시약이란, 과산화수소와 철 촉매(2가의 철 이온)의 수용액이다. 그래핀 라이크 탄소 재료와 과산화수소의 반응은, 펜톤 시약을 사용함으로써 행하는 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 그래핀 라이크 탄소 재료로의 수산기의 도입을 보다 효율적으로 행할 수 있다.
이상과 같이, 그래핀 라이크 탄소 재료와 과산화수소를 반응시킴으로써, 그래핀 라이크 탄소 재료에 수산기가 도입된, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료가 얻어진다.
(개질 그래핀 라이크 탄소 재료)
본 발명에 관한 개질 그래핀 라이크 탄소 재료는, 예를 들어 상기한 본 발명에 관한 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.
본 발명에 관한 개질 그래핀 라이크 탄소 재료는, 그래핀 라이크 탄소 재료에 수산기가 도입된 것이다. 개질 그래핀 라이크 탄소 재료는 2,2'-디페닐-1-피크릴히드라질을 사용한 정량법으로 측정했을 때의 수산기의 양이 0.3mmol/g 내지 10.0mmol/g이다. 개질 그래핀 라이크 탄소 재료와 극성 용매의 친화성을 높이기 위해서는, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 2,2'-디페닐-1-피크릴히드라질을 사용한 정량법으로 측정했을 때의 수산기의 양이 0.3mmol/g 내지 5.0mmol/g 정도인 것이 바람직하고, 0.35mmol/g 내지 3.0mmol/g 정도인 것이 보다 바람직하다.
개질 그래핀 라이크 탄소 재료는, NaHCO3를 사용한 정량법으로 측정했을 때의 카르복실기의 양이 1.0mmol/g 이하인 것이 바람직하다.
개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 종횡비는, 상기한 그래핀 라이크 탄소 재료의 종횡비와 마찬가지이다. 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 평균 입자 직경은, 상기한 그래핀 라이크 탄소 재료의 평균 입자 직경과 마찬가지이다. 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 그래핀 시트의 적층수는, 상기한 박편화 흑연의 그래핀 시트의 적층수와 마찬가지이다.
(수지 복합 재료)
본 발명의 수지 복합 재료는, 본 발명의 개질 그래핀 라이크 탄소 재료가 수지 중에 분산되어 이루어진다.
수지 복합 재료는, 수지 100질량부에 대하여, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 0.01질량부 내지 40질량부 정도 포함하는 것이 바람직하고, 0.1질량부 내지 20질량부 정도 포함하는 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 수지 복합 재료의 기계적 강도를 효과적으로 높일 수 있다.
수지로서는, 열가소성 수지 및 열경화성 수지를 들 수 있다. 수지로서는, 열가소성 수지가 바람직하다.
열가소성 수지로서는, 특별히 한정되지 않으며 공지의 열가소성 수지를 사용할 수 있다. 열가소성 수지의 구체예로서는, 폴리올레핀, 폴리스티렌, 폴리아크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리이미드, 폴리디메틸실록산, 이들 중 적어도 2종의 공중합체 등을 들 수 있다. 수지 복합 재료에 포함되는 열가소성 수지는 1종류일 수도 있고, 2종류 이상일 수도 있다.
열가소성 수지로서는 폴리올레핀이 바람직하다. 폴리올레핀은 저렴하고, 가열 하의 성형이 용이하다. 이로 인해, 열가소성 수지로서 폴리올레핀을 사용함으로써, 수지 복합 재료의 제조 비용을 저감시킬 수 있고, 수지 복합 재료를 용이하게 성형할 수 있다.
폴리올레핀으로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌 단독중합체, 에틸렌-α-올레핀 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 등의 폴리에틸렌계 수지, 프로필렌 단독중합체, 프로필렌-α-올레핀 공중합체, 프로필렌-에틸렌 랜덤 공중합체, 프로필렌-에틸렌 블록 공중합체 등의 폴리프로필렌계 수지, 부텐 단독중합체, 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디엔의 단독중합체 또는 공중합체 등을 들 수 있다. 열가소성 수지로서는, 폴리프로필렌계 수지가 특히 바람직하다.
종래, 그래핀 라이크 탄소 재료에 대하여, 많은 수산기를 선택적으로 도입하는 것은 매우 곤란하였다. 예를 들어, 혼산(질산과 황산의 혼합액) 처리와 같은 방법에 의해 수산기를 도입하는 방법도 존재하지만, 그러한 방법에서는 수산기와 함께 카르복실기도 다량으로 도입되어 버린다는 문제가 있다.
이에 반하여, 본 발명의 제조 방법에 의하면, 예를 들어 2,2'-디페닐-1-피크릴히드라질을 사용한 정량법으로 측정했을 때의 수산기의 양이 0.3mmol/g 내지 10.0mmol/g인 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 간편하게 제조할 수 있다. 이러한 개질 그래핀 라이크 탄소 재료는 많은 수산기가 도입되어 있기 때문에, 극성 용매와의 친화성이 높아, 극성 용매 중에 균일하게 분산시킬 수 있다. 또한, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료 중의 수산기를 이용하여, 이소시아네이트기를 갖는 화합물과 우레탄 결합을 형성할 수 있다.
이하에서, 본 발명을 구체적으로 실시예 및 비교예를 예시함으로써, 본 발명을 밝힌다. 또한, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되지 않는다.
(박편화 흑연의 제조)
원료의 흑연 시트로서 도요 탄소사제, 제품 번호: PF100-UHP를 준비하였다. 이 흑연 시트와 동일한 제법으로, 압연 처리 시의 압연 배율을 내려 밀도 0.7, 두께 1㎜의 저밀도 흑연 시트를 준비하였다.
상기와 같이 하여 얻어진 밀도 0.7의 흑연 시트를 5㎝×5㎝의 크기로 절단하여, 전극 재료로서의 흑연 시트를 얻었다. 이 흑연 시트에, 2개의 슬릿을, 슬릿의 길이가 1㎝로 되도록 커터 나이프에 의해 절삭하여, 형성하였다. 상기 2개의 슬릿이 형성된 흑연 시트에 Pt를 포함하는 전극을 삽입하였다. 이와 같이 하여 준비한 흑연 시트를 작용극(양극)으로서, Pt를 포함하는 대조극(음극) 및 Ag/AgCl를 포함하는 참조극과 함께 60중량％ 농도의 질산 수용액 중에 침지하였다. 침지 시에는 5㎝×5㎝의 흑연 시트의 하단부터 4㎝ 높이의 위치까지의 흑연 시트 부분을 질산 수용액 중에 침지하고, 흑연 시트의 상방 부분은 질산 수용액 중에 침지시키지 않았다. 직류 전압을 인가하여 전기 화학 처리를 행하였다. 이와 같이 하여, 작용극으로서 사용한 원래의 흑연 시트 중 질산 수용액 중에 침지되어 있던 부분을 팽창화 흑연으로 하였다.
이어서, 얻어진 팽창화 흑연을 저온에서 건조하고, 한변을 1㎝로 절단하고, 그 중 하나를 카본 도가니에 넣어 전자 유도 가열 처리를 행하였다. 유도 가열 장치는 SK 메디컬사제 MU1700D를 사용하여, 아르곤 가스 분위기 하에서 최고 도달 온도 550℃로 되도록 14A의 전류량으로 행하였다. 전자 유도 가열에 의해 팽창화 흑연은 박편화되고, 얻어진 박편화 흑연의 분말을 시마즈 세이사꾸쇼(주)의 비표면적 측정 장치 ASAP-2000에 의해 질소 가스를 사용하여 비표면적을 측정한 바, 1회 측정으로 640㎡/g의 비표면적을 나타내었다.
상기와 같이 하여 얻은 박편화 흑연을 이하의 실시예 1 및 비교예 1에서 사용하였다.
(실시예 1)
대기 중에 있어서, 질소 도입관, 온도계와 2개의 적하 깔때기를 설치한 4구 플라스크에, 상기와 같이 하여 얻은 박편화 흑연 0.5g, 농황산 2.8ml, 순수 150ml을 첨가하고, 플라스크 내를 질소 가스로 치환하였다. 한쪽 적하 깔때기에 과산화수소수(27％)를, 다른 쪽 적하 깔때기에 FeSO4/7H2O 27.8g, 농황산 5.6ml, 순수 57ml을 첨가하였다. 빙수욕에서 4구 플라스크를 냉각하면서, 2개의 적하 깔때기로부터 과산화수소수와 FeSO4 용액을 적하하면, 반응액의 온도가 급격하게 상승되었기 때문에, 반응액의 온도가 20℃를 초과하지 않도록 적하 속도를 조정하면서 약 30분에 걸쳐 적하하였다. 그 후, 반응액을 20℃로 유지하면서, 48시간 반응시켰다. 반응 후, 반응액을 수산화나트륨에 의해 중화하여, 여과에 의해 수산기가 도입된 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 얻었다. 수산기가 도입된 개질 그래핀 라이크 탄소 재료에 대하여, 2,2'-디페닐-1-피크릴히드라질을 사용한 정량법으로 측정했을 때의 수산기의 양은 0.39mmol/g이었다. 또한, NaHCO3를 사용한 카르복실기의 정량법에 의해 카르복실기의 양을 측정한 바, 카르복실기는 무시할 수 있을 만큼 적었다.
(비교예 1)
환류 냉각기를 설치한 100ml 가지형 플라스크에 교반기 막대, 상기와 같이 하여 얻은 박편화 흑연 0.2g, 혼산(HNO3/H2SO4=1/3(v/v)) 50ml을 첨가하고, 자기 교반기에서 뒤섞으면서 40℃에서 10시간 반응시켰다. 반응 후, 반응 생성물을 대량의 순수에 주입하고, 여과하고, 여과액이 중성으로 될 때까지 세정하여, 수산기가 도입된 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 얻었다. 수산기가 도입된 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 2,2'-디페닐-1-피크릴히드라질을 사용한 정량법으로 측정했을 때의 수산기의 도입량은 0.28mmol/g이었다. NaHCO3를 사용한 카르복실기의 정량법에 의해 카르복실기의 양을 측정한 바, 카르복실기의 양은 1.52mmol/g이었다.

Claims (6)

  1. 2,2'-디페닐-1-피크릴히드라질을 사용한 정량법으로 측정했을 때의 수산기의 양이 0.3mmol/g 내지 10.0mmol/g이고,
    NaHCO3를 사용한 정량법으로 측정했을 때의 카르복실기의 양이 1.0mmol/g 이하인, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료.
  2. 제1항에 기재된 개질 그래핀 라이크 탄소 재료가 수지 중에 분산되어 이루어지는, 수지 복합 재료.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
KR1020147015229A 2012-05-14 2013-05-14 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료, 및 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 포함하는 수지 복합 재료 KR101922755B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012110402 2012-05-14
JPJP-P-2012-110402 2012-05-14
PCT/JP2013/063344 WO2013172316A1 (ja) 2012-05-14 2013-05-14 改質グラフェンライク炭素材料の製造方法、改質グラフェンライク炭素材料、及び改質グラフェンライク炭素材料を含む樹脂複合材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150020159A KR20150020159A (ko) 2015-02-25
KR101922755B1 true KR101922755B1 (ko) 2018-11-27

Family

ID=49583721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147015229A KR101922755B1 (ko) 2012-05-14 2013-05-14 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료, 및 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 포함하는 수지 복합 재료

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9688594B2 (ko)
EP (1) EP2851341B1 (ko)
JP (1) JP5364866B1 (ko)
KR (1) KR101922755B1 (ko)
CN (1) CN104136369A (ko)
WO (1) WO2013172316A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101580561B1 (ko) * 2014-02-17 2015-12-29 한국과학기술연구원 표면 기능화된 탄소재료 및 그 표면 기능화 방법
JP6958814B2 (ja) * 2016-07-22 2021-11-02 積水化学工業株式会社 調光材料、調光フィルム及び調光積層体
CN107502011B (zh) * 2017-10-10 2019-12-17 张家港外星人新材料科技有限公司 防静电无机纳米涂料组合物、透明涂层及防静电制品
CN108640111B (zh) * 2018-05-24 2020-12-11 上海利物盛企业集团有限公司 一种可直接水洗涤氧化石墨的制备方法
AU2020294684A1 (en) * 2019-06-17 2022-01-20 Kansas State University Research Foundation Graphene/graphene oxide core/shell particulates and methods of making and using the same
CN110760159A (zh) * 2019-11-01 2020-02-07 嘉兴烯成新材料有限公司 一种“苍耳型”碳材料增强环氧树脂力学性能的制备方法
CN112960670A (zh) * 2021-04-23 2021-06-15 安徽工业大学 一种边缘羟基化改性石墨烯及其制备方法
CN115176800B (zh) * 2022-07-29 2024-03-08 雷索新材料(苏州)有限公司 一种石墨烯抗菌剂及其制备方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100247892A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Korea Institute Of Science And Technlogy Electroconductive particle and anisotropic conductive film comprising same
CN102336404A (zh) * 2011-07-19 2012-02-01 上海交通大学 基于光催化氧化的氧化石墨烯量子点的制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007169112A (ja) 2005-12-22 2007-07-05 Tokyo Univ Of Science 変性炭素材料及びその製造方法
JP5117081B2 (ja) * 2007-03-07 2013-01-09 株式会社カネカ グラファイトフィルムおよびその製造方法
WO2010001686A1 (ja) * 2008-07-01 2010-01-07 日本電気株式会社 グラフェン・グラファイト膜を用いる半導体装置及びその製造方法
KR101245001B1 (ko) 2008-08-28 2013-03-18 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 그래핀/ＳｉＣ 복합 재료의 제조 방법 및 그것에 의해 얻어지는 그래핀/ＳｉＣ 복합 재료
CA2762430A1 (en) * 2009-05-22 2011-02-10 William Marsh Rice University Highly oxidized graphene oxide and methods for production thereof
EP3865454A3 (en) * 2009-05-26 2021-11-24 Belenos Clean Power Holding AG Stable dispersions of single and multiple graphene layers in solution
CN102471068B (zh) 2009-08-10 2014-09-17 Idt国际株式会社 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备
US9327985B2 (en) 2009-12-18 2016-05-03 National University Corporation Hokkaido University Graphene oxide sheet, article containing graphene-containing substance produced by reducing the graphene oxide sheet, and process for production of the graphene oxide sheet
CN103693637A (zh) * 2010-11-29 2014-04-02 积水化学工业株式会社 碳质材料、碳质材料的制造方法、薄片化石墨的制造方法及薄片化石墨
CN102225759A (zh) 2011-04-14 2011-10-26 温州医学院 羟基功能化石墨烯的低温制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100247892A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Korea Institute Of Science And Technlogy Electroconductive particle and anisotropic conductive film comprising same
CN102336404A (zh) * 2011-07-19 2012-02-01 上海交通大学 基于光催化氧化的氧化石墨烯量子点的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104136369A (zh) 2014-11-05
US9688594B2 (en) 2017-06-27
WO2013172316A1 (ja) 2013-11-21
JPWO2013172316A1 (ja) 2016-01-12
EP2851341A4 (en) 2016-04-06
KR20150020159A (ko) 2015-02-25
JP5364866B1 (ja) 2013-12-11
US20150080513A1 (en) 2015-03-19
EP2851341B1 (en) 2018-07-04
EP2851341A1 (en) 2015-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101922755B1 (ko) 개질 그래핀 라이크 탄소 재료의 제조 방법, 개질 그래핀 라이크 탄소 재료, 및 개질 그래핀 라이크 탄소 재료를 포함하는 수지 복합 재료
Zeng et al. Nanostructured Mn-doped V2O5 cathode material fabricated from layered vanadium jarosite
JP6182176B2 (ja) ナノ構造複合材シートおよびその形成方法
JP2022017247A (ja) 複合電解質
JP5623293B2 (ja) 高炭素対酸素比の官能化グラフェンシート
US9458295B2 (en) Composite material and method for producing same
CN107041113B (zh) 一种利用石墨烯海绵和聚二甲基硅氧烷进行复合制备高导电高电磁屏蔽柔性复合材料的方法
TW201410597A (zh) 多層碳奈米管之精製方法
CN104988592B (zh) 聚乙烯醇/石墨烯复合纳米纤维材料及其制备方法
Klaysom et al. The effects of aspect ratio of inorganic fillers on the structure and property of composite ion-exchange membranes
Kowsari et al. Ultrasound and ionic-liquid-assisted synthesis and characterization of polyaniline/Y2O3 nanocomposite with controlled conductivity
US11760640B2 (en) Nano-graphitic sponges and methods for fabricating the same
Ivanov et al. Rheological behavior of graphene/epoxy nanodispersions
KR20140122944A (ko) 산화흑연의 제조방법 및 제조장치
US20130101497A1 (en) Process for the formation of foliated fine graphite particles
WO2017206579A1 (zh) 一种具有网络结构的石墨烯微片及其制备方法
CN108726514A (zh) 多孔石墨烯材料及其制备方法
CN107082416B (zh) 一种基于臭氧氧化制备石墨烯的方法
Zhang et al. Ambient-condition strategy for rapid mass production of crystalline gallium oxide nanoarchitectures toward device application
JP2016029003A (ja) 薄片化黒鉛、電極材料及び薄片化黒鉛−樹脂複合材料
Nath et al. 100 MeV Si9+ swift heavy ion irradiation induced enhancement in electrochemical properties of electrolyte membrane composites based on ionic liquid-polymer-nanocomposite
JP5937813B2 (ja) アミノ基変成炭素材料、その製造方法及び複合材料
KR101282741B1 (ko) 초음파―전기화학적 방법을 이용한 나노박편의 연속적 대량 생산방법
KR20110090348A (ko) 성게 모양의 탄소나노튜브 제조 방법, 전도성 첨가제-고분자 복합재료 및 이를 이용한 연료전지용 분리판
CN113518761A (zh) 石墨的薄板状结构物的制造方法、以及薄片化石墨及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant