KR101922127B1 - 향상된 감도를 갖는 나노포어 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
향상된 감도를 갖는 나노포어 소자 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
도 2a는 도 1의 A-A' 라인을 따라 절개한 나노포어 소자의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 2b는 도 1의 B-B' 라인을 따라 절개한 나노포어 소자의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 나노포어 소자로 단일 가닥 DNA의 염기 서열을 분석할 수 있음으로 보이기 위한 시뮬레이션 모형도이다.
도 4는 크기가 서로 다른 염기가 나노포어를 통과할 때 염기의 크기와 통과 위치에 따라 게이트 전극의 전압이 변화함을 보이는 특성 그래프이다.
도 5는 크기가 서로 다른 염기가 나노포어를 통과할 때 염기의 크기와 통과 위치에 따라 소스/드레인 사이에 흐르는 전류가 변화함을 보이는 특성 그래프이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 나노포어 소자 어레이의 구조를 개략적으로 보이는 평면도이다.
도 7 내지 도 22는 도 1에 도시된 나노포어 소자를 제조하는 과정을 개략적으로 도시한다.
20.....측벽 22, 24, 26, 28, 40.....절연막
25, 25a, 25b.....나노포어 입구 30.....게이트 전극
40.....스페이서 41, 43.....비아홀
41b.....나노포어 45.....개구
60.....배선
62, 62a, 62b, 64.....소스/드레인 전극
72, 72a, 72b, 74.....용액 저장소
80.....덮개부 90.....채널부
Claims (27)
- 바닥면과 절연체 측벽에 의해 둘러싸인 공간을 갖도록 형성된 마이크로 채널을 포함하는 채널부; 및
상기 마이크로 채널의 상부를 덮는 절연체 덮개부;를 포함하며,
상기 덮개부는:
상기 덮개부를 관통하여 상기 마이크로 채널과 연결되도록 형성된 나노포어;
상기 나노포어의 입구에 인접하도록 상기 덮개부의 상부 표면에 형성된 제 1 소스/드레인 전극;
상기 덮개부를 관통하여 상기 마이크로 채널과 연결되도록 형성된 개구; 및
상기 개구와 인접하도록 상기 덮개부의 상부 표면에 형성된 제 2 소스/드레인 전극을 포함하는 나노포어 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 덮개부는 상기 덮개부 내부에 배치되어 상기 나노포어를 둘러싸도록 형성된 게이트 전극을 더 포함하는 나노포어 소자. - 제 2 항에 있어서,
상기 덮개부는 상기 나노포어의 내벽에서 상기 게이트 전극을 덮도록 형성된 게이트 절연막을 더 포함하는 나노포어 소자. - 제 2 항에 있어서,
상기 덮개부를 관통하여 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 게이트 컨택 플러그; 및
상기 덮개부의 상부 표면에 형성된 것으로, 상기 게이트 컨택 플러그, 제 1 소스/드레인 전극 및 제 2 소스/드레인 전극에 각각 전기 배선들을 통해 전기적으로 연결되는 컨택부;를 더 포함하는 나노포어 소자. - 제 2 항에 있어서,
상기 게이트 전극의 두께는 0.3nm 내지 0.4nm이고, 상기 게이트 전극이 있는 위치에서 상기 나노포어의 내경은 1nm 내지 1.5nm인 나노포어 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 덮개부는 상기 나노포어와 제 1 소스/드레인 전극의 주위를 둘러싸도록 상기 덮개부의 상부 표면에 돌출하여 형성된 제 1 용액 저장소, 및 상기 개구와 제 2 소스/드레인 전극의 주위를 둘러싸도록 상기 덮개부의 상부 표면에 돌출하여 형성된 제 2 용액 저장소를 더 포함하는 나노포어 소자. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 용액 저장소와 제 2 용액 저장소는 각각 소수성을 갖는 격벽으로 형성되는 나노포어 소자. - 제 6 항에 있어서,
상기 덮개부는 복수 개의 제 1 용액 저장소를 포함하는 나노포어 소자. - 제 8 항에 있어서,
상기 덮개부는 상기 복수 개의 제 1 용액 저장소 내에 각각 하나씩 배치된 복수 개의 나노포어와 복수 개의 제 1 소스/드레인 전극을 포함하는 나노포어 소자. - 제 8 항에 있어서,
상기 복수 개의 제 1 용액 저장소는 상기 제 2 용액 저장소를 중심에 두고 배치되어 있는 나노포어 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 바닥면은 반도체 재료로 이루어지는 나노포어 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 마이크로 채널 내에서 상기 바닥면의 상부 표면과 상기 덮개부의 하부 표면 사이에 연결되어 상기 덮개부를 지지하는 적어도 하나의 기둥을 더 포함하는 나노포어 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 덮개부는 적어도 하나의 절연막을 적층하여 형성되는 나노포어 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 소스/드레인 전극은 상기 나노포어의 입구 주위를 둘러싸도록 링형으로 형성되는 나노포어 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 개구의 개구 면적은 상기 나노포어의 개구 면적보다 넓은 나노포어 소자. - 액티브 영역 및 상기 액티브 영역을 둘러싸는 절연체 측벽을 갖는 반도체 기판을 제공하는 단계;
상기 반도체 기판 위에 제 1 내지 제 3 절연막을 차례로 적층하는 단계;
상기 액티브 영역이 노출되도록 상기 제 1 내지 제 3 절연막을 관통하는 개구 및 복수의 제 2 비아홀을 형성하는 단계;
상기 개구 및 복수의 제 2 비아홀을 통해 상기 제 1 절연막 하부의 액티브 영역을 식각하여 마이크로 채널을 형성하는 단계;
상기 제 3 절연막 위에 제 4 절연막을 적층하는 단계;
상기 제 1 내지 제 4 절연막을 관통하여 상기 마이크로 채널과 연결되도록 나노포어를 형성하는 단계; 및
상기 제 4 절연막 상에 상기 나노포어의 입구에 인접하는 제 1 소스/드레인 전극 및 상기 개구와 인접하는 제 2 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 나노포어 소자의 제조 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 반도체 기판 위에 제 1 내지 제 3 절연막을 차례로 적층하는 단계는:
상기 반도체 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계;
상기 제 1 절연막 위에 게이트 전극을 부분적으로 형성하는 단계;
상기 게이트 전극이 형성된 제 1 절연막 위에 제 2 절연막을 형성하는 단계;
상기 제 2 절연막 위에 상기 제 2 절연막과 식각 속도가 다른 제 3 절연막을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극과 대향하는 위치에서 상기 제 3 절연막을 관통하는 제 1 비아홀을 형성하고, 상기 제 1 비아홀을 통해 상기 게이트 전극이 노출되도록 상기 제 2 절연막을 식각하는 단계; 및
상기 제 2 절연막이 제거된 공간 내에 스페이서를 채우는 단계;를 포함하는 나노포어 소자의 제조 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 게이트 전극은 상기 액티브 영역과 측벽 사이에 걸치도록 형성되는 나노포어 소자의 제조 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 게이트 전극의 두께는 0.3nm 내지 0.4nm인 나노포어 소자의 제조 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 1, 제 2 및 제 4 절연막은 실리콘 산화물로 이루어지며, 상기 제 3 절연막은 실리콘 질화물로 이루어지는 나노포어 소자의 제조 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 스페이서는 상기 제 3 절연막과 동일한 재료로 이루어지는 나노포어 소자의 제조 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 복수의 제 2 비아홀들은 행과 열을 따라 일정한 간격으로 배열되어 있으며, 상기 복수의 제 2 비아홀들 사이에는 하나의 제 2 비아홀의 크기보다 큰 수평 단면적을 갖는 격막이 형성되어 있는 나노포어 소자의 제조 방법. - 제 22 항에 있어서,
상기 마이크로 채널을 형성하는 단계에서, 상기 액티브 영역은 언더 컷 방식으로 습식 식각되어, 상기 제 2 비아홀들 사이의 격막 아래에 적어도 하나의 기둥이 형성되는 나노포어 소자의 제조 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 나노포어를 형성하는 단계는:
상기 제 4 절연막 위에 마스크층을 형성하고, 상기 제 1 비아홀의 상부 영역이 개방되도록 상기 마스크층을 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 마스크 패턴을 통해 상기 제 4 절연막을 식각하여 상기 제 1 비아홀을 노출시키는 단계;
상기 마스크 패턴 및 제 1 비아홀을 통해 상기 스페이서, 게이트 전극 및 제 1 절연막을 순차적으로 식각하여 나노포어를 형성하는 단계; 및
상기 마스크층을 제거하는 단계;를 포함하는 나노포어 소자의 제조 방법. - 제 24 항에 있어서,
상기 나노포어의 내벽에 적어도 상기 게이트 전극을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노포어 소자의 제조 방법. - 제 25 항에 있어서,
상기 게이트 전극이 있는 위치에서 상기 게이트 절연막에 의해 작아진 상기 나노포어의 내경은 1nm 내지 1.5nm인 나노포어 소자의 제조 방법. - 제 24 항에 있어서,
상기 제 4 절연막, 제 3 절연막 및 제 2 절연막을 차례로 식각하고 상기 게이트 전극과 전기적으로 접촉하는 게이트 컨택 플러그를 형성하는 단계를 더 포함하는 나노포어 소자의 제조 방법.
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