KR101920492B1 - Organic light emitting diode display device - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 고전위 구동전압의 입력단과 저전위 구동전압의 입력단 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광하는 유기발광다이오드; 상기 고전위 구동전압의 입력단과 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되며, 제1 노드에 인가되는 게이트전압에 따라 상기 유기발광다이오드에 인가되는 구동 전류량을 제어하는 구동 TFT; 및 이전단 스캔신호에 따라 상기 제1 노드에 초기화전압을 인가하여 상기 구동 TFT의 게이트전압을 초기화시키는 초기화 TFT를 구비하고; 상기 초기화 TFT는 상기 제1 노드에 직접 접속된다.An organic light emitting diode display device includes: an organic light emitting diode (OLED) emitting light by a driving current flowing between an input terminal of a high potential driving voltage and an input terminal of a low potential driving voltage; A driving TFT connected between the input terminal of the high potential driving voltage and the organic light emitting diode and controlling an amount of driving current applied to the organic light emitting diode according to a gate voltage applied to the first node; And an initializing TFT for initializing a gate voltage of the driving TFT by applying an initialization voltage to the first node according to a previous stage scan signal; The initialization TFT is directly connected to the first node.

Description

유기발광다이오드 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로 특히, 화질을 향상시키도록 한 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly, to an organic light emitting diode display device for improving image quality.

최근, 다양한 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)에 대한 개발이 가속화되고 있다. 이들 중 특히, 유기발광다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 자발광소자를 이용함으로써 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, development of various flat panel displays (FPD) has been accelerated. Particularly, the organic light emitting diode display device has advantages of high response speed, high luminous efficiency, high luminance and wide viewing angle by using a self-luminous element which emits light by itself.

유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같이 유기발광다이오드를 가진다. 유기발광다이오드는 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 구비한다. The organic light emitting diode display device has an organic light emitting diode as shown in FIG. The organic light emitting diode has organic compound layers (HIL, HTL, EML, ETL, EIL) formed between the anode electrode and the cathode electrode.

유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). When a driving voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes passing through the HTL and electrons passing through the ETL are transferred to the EML to form excitons, Thereby generating visible light.

유기발광다이오드 표시장치는 이와 같은 유기발광다이오드가 포함된 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 화소들의 밝기를 비디오 데이터의 계조에 따라 제어한다. 특히, 스위칭소자로써 TFT(Thin Film Transistor)를 이용하는 액티브 매트릭스(active matrix) 방식의 유기발광다이오드 표시장치는 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(Storage Capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.The organic light emitting diode display device arranges the pixels including the organic light emitting diode in a matrix form and controls the brightness of the pixels according to the gray level of the video data. Particularly, in an active matrix organic light emitting diode display device using a TFT (Thin Film Transistor) as a switching element, a pixel is selected by selectively turning on a TFT serving as an active element, and the pixel is held in a storage capacitor Thereby maintaining the light emission of the pixel.

도 2는 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 하나의 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다. 2 is a circuit diagram showing one pixel equivalently in an active matrix type organic light emitting diode display.

도 2를 참조하면, 화소는 유기발광다이오드(OLED), 스위치 TFT(ST), 구동 TFT(DT), 및 스토리지 커패시터(Cst) 등을 구비한다. 2, the pixel includes an organic light emitting diode (OLED), a switch TFT (ST), a driver TFT (DT), and a storage capacitor (Cst).

스위치 TFT(ST)는 게이트라인(GL)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온 됨으로써 자신의 소스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 스위치 TFT(ST)는 턴 온 기간 동안 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압을 구동 TFT(DT)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가한다. 구동 TFT(DT)는 자신의 게이트-소스 간의 전압(Vgs)에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 TFT(DT)의 게이트전위를 소정 기간 동안 일정하게 유지시킨다. 유기발광다이오드(OLED)는 도 1과 같은 구조로 구현되며, 구동 TFT(DT)의 드레인전극과 기저전압원(GND) 사이에 접속된다.The switch TFT (ST) turns on in response to a scan pulse from the gate line (GL), thereby conducting a current path between the source electrode and the drain electrode. The switch TFT (ST) applies a data voltage from the data line (DL) to the gate electrode of the driver TFT (DT) and the storage capacitor (Cst) during the turn-on period. The driving TFT DT controls the current flowing in the organic light emitting diode OLED according to the gate-source voltage Vgs of its own. The storage capacitor Cst keeps the gate potential of the driving TFT DT constant for a predetermined period. The organic light emitting diode OLED has a structure as shown in FIG. 1 and is connected between the drain electrode of the driving TFT DT and the ground voltage source GND.

도 2와 같은 화소의 밝기는 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류에 비례하며, 이 구동전류는 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압 및 구동 TFT(DT)의 문턱전압 등에 의존한다.The brightness of the pixel as shown in Fig. 2 is proportional to the driving current flowing through the organic light emitting diode OLED, and this driving current depends on the gate-source voltage of the driving TFT DT and the threshold voltage of the driving TFT DT.

공정 편차, 시간 경과에 따른 열화 편차 등 여러 원인에 의해 구동 TFT의 문턱전압은 화소마다 차이를 보인다. 이에, 최근에는 화소들간 구동 TFT의 문턱전압 편차를 보상하기 위해 화소 구조를 다르게 변경하고, 매 프레임마다 화소들의 발광에 앞서 초기화 동작과 샘플링 동작을 수행하는 기술이 사용되고 있다. 초기화 동작에서는 구동 TFT의 게이트전압이 소정치로 초기화되고, 이 초기화 동작에 이은 샘플링 동작에서는 구동 TFT의 게이트전압에 구동 TFT의 문턱전압이 반영된다.The threshold voltage of the driving TFTs varies from pixel to pixel due to various causes such as process variation, deterioration with time, and the like. Recently, a technique of changing the pixel structure to compensate for the threshold voltage deviation of the driving TFTs between pixels and performing an initializing operation and a sampling operation prior to the light emission of the pixels every frame has been used. In the initializing operation, the gate voltage of the driving TFT is initialized to a predetermined value, and in the sampling operation subsequent to the initializing operation, the threshold voltage of the driving TFT is reflected to the gate voltage of the driving TFT.

화소들간 구동 TFT의 문턱전압 편차가 효과적으로 보상되기 위해서는 초기화 기간 내에서 구동 TFT의 게이트전압이 원하는 소정치로 충분히 초기화되어야 한다. 그런데, 종래 화소 구조에서는 구동 TFT의 게이트전극에 대한 초기화 경로(initial path)가 길어 기생 커패시터의 영향을 많이 받게 된다. 초기화 경로 상의 기생 커패시터의 영향이 클수록 화소의 응답특성이 저하된다. 즉, 표시 영상이 블랙 계조에서 화이트 계조(또는 화이트 계조에서 블랙 계조)로 변경될 경우에 있어 초기화 경로 상의 기생 커패시턴스가 크면, 구동 TFT의 게이트전극에 유지되어 있던 이전 프레임 데이터가 충분히 초기화되지 못하고 현재 프레임 데이터에 영향을 미치게 된다. 결국, 구동 TFT의 게이트전압이 기생 커패시턴스의 영향으로 인해 충분히 초기화되지 못하면, 응답속도가 저하되고 표시 영상의 화질이 떨어지는 문제점이 있다.
In order for the threshold voltage deviation of the driving TFTs between pixels to be effectively compensated, the gate voltage of the driving TFT must be sufficiently initialized to a desired predetermined value within the initialization period. However, in the conventional pixel structure, the initial path to the gate electrode of the driving TFT is long, so that the parasitic capacitor is greatly affected. The greater the effect of the parasitic capacitor on the initialization path, the lower the response characteristic of the pixel. That is, when the display image is changed from black gradation to white gradation (or from white gradation to black gradation), if the parasitic capacitance on the initialization path is large, the previous frame data held in the gate electrode of the driving TFT can not be sufficiently initialized It affects the frame data. As a result, if the gate voltage of the driving TFT is not sufficiently initialized due to the influence of the parasitic capacitance, the response speed is lowered and the image quality of the display image is deteriorated.

따라서, 본 발명의 목적은 구동 TFT의 초기화 경로를 줄여 화소의 응답속도를 높임으로써 표시 영상을 화질을 향상시킬 수 있도록 한 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display device capable of improving the image quality of a display image by reducing the initialization path of the driving TFT, thereby increasing the response speed of the pixel.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 고전위 구동전압의 입력단과 저전위 구동전압의 입력단 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광하는 유기발광다이오드; 상기 고전위 구동전압의 입력단과 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되며, 제1 노드에 인가되는 게이트전압에 따라 상기 유기발광다이오드에 인가되는 구동 전류량을 제어하는 구동 TFT; 및 이전단 스캔신호에 따라 상기 제1 노드에 초기화전압을 인가하여 상기 구동 TFT의 게이트전압을 초기화시키는 초기화 TFT를 구비하고; 상기 초기화 TFT는 상기 제1 노드에 직접 접속된다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: an organic light emitting diode (OLED) emitting light by a driving current flowing between an input terminal of a high potential driving voltage and an input terminal of a low potential driving voltage; A driving TFT connected between the input terminal of the high potential driving voltage and the organic light emitting diode and controlling an amount of driving current applied to the organic light emitting diode according to a gate voltage applied to the first node; And an initializing TFT for initializing a gate voltage of the driving TFT by applying an initialization voltage to the first node according to a previous stage scan signal; The initialization TFT is directly connected to the first node.

상기 초기화전압은 기준전압 및 상기 저전위 구동전압 중 어느 하나로 선택된다.The initialization voltage may be selected from a reference voltage and a low-potential driving voltage.

상기 초기화 TFT는, 상기 이전단 스캔신호가 인가되는 이전단 스캔라인에 접속된 게이트전극; 상기 기준전압의 입력단에 접속된 소스전극; 및 상기 제1 노드에 직접 접속된 드레인전극을 포함한다.The initializing TFT includes: a gate electrode connected to a previous scan line to which the previous scan signal is applied; A source electrode connected to an input terminal of the reference voltage; And a drain electrode directly connected to the first node.

상기 초기화 TFT는, 상기 이전단 스캔신호가 인가되는 이전단 스캔라인에 접속된 게이트전극; 상기 저전위 구동전압의 입력단에 접속된 소스전극; 및 상기 제1 노드에 직접 접속된 드레인전극을 포함한다.The initializing TFT includes: a gate electrode connected to a previous scan line to which the previous scan signal is applied; A source electrode connected to an input terminal of the low potential driving voltage; And a drain electrode directly connected to the first node.

현재단 스캔신호에 따라 데이터라인과 제2 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제1 스위치 TFT; 상기 현재단 스캔신호에 따라 상기 구동 TFT의 드레인전극에 접속된 제3 노드와 상기 제1 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제2 스위치 TFT; 현재단 에미션신호에 따라 상기 기준전압을 상기 제2 노드에 인가하는 제3 스위치 TFT; 상기 현재단 에미션신호에 따라 상기 제3 노드와 상기 유기발광다이오드의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제4 스위치 TFT; 상기 현재단 스캔신호에 따라 상기 기준전압의 입력단과 상기 유기발광다이오드의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제5 스위치 TFT; 및 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 더 구비한다.A first switch TFT for switching a current path between the data line and the second node according to the current stage scan signal; A second switch TFT for switching a current path between a third node connected to a drain electrode of the driving TFT and the first node in accordance with the current stage scan signal; A third switch TFT for applying the reference voltage to the second node according to the current edge emission signal; A fourth switch TFT for switching a current path between the third node and the anode electrode of the organic light emitting diode according to the current end emission signal; A fifth switch TFT for switching a current path between an input terminal of the reference voltage and an anode electrode of the organic light emitting diode according to the current stage scan signal; And a storage capacitor connected between the first node and the second node.

상기 이전단 스캔신호, 상기 현재단 스캔신호, 및 상기 현재단 에미션신호에 의해, 각각의 프레임은, 제1 초기화 기간, 상기 제1 초기화 기간에 이은 제2 초기화 기간, 상기 제2 초기화 기간에 이은 샘플링 기간, 및 상기 샘플링 기간에 이은 발광 기간으로 구분된다.The first frame period, the second frame period, the second frame period, the second frame period, the second frame period, the second frame period, the first frame period, A sampling period, and a light emitting period subsequent to the sampling period.

상기 이전단 스캔신호는, 상기 제1 및 제2 초기화 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 샘플링 기간과 상기 발광 기간에서 비 활성화 레벨로 발생되며; 상기 현재단 스캔신호는, 상기 샘플링 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 제1 및 제2 초기화 기간과 상기 발광 기간에서 비 활성화 레벨로 발생되며; 상기 현재단 에미션신호는, 상기 제1 초기화 기간과 상기 발광 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 제2 초기화 기간과 상기 샘플링 기간에서 비 활성화 레벨로 발생된다.
Wherein the previous stage scan signal is generated at an activation level in the first and second initialization periods and at a deactivation level in the sampling period and the light emission period; Wherein the current stage scan signal is generated at an activation level in the sampling period and at a deactivation level in the first and second initialization periods and the light emission period; The current stage emission signal is generated at an activation level in the first initialization period and the light emission period, and is generated at a deactivation level in the second initialization period and the sampling period.

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 화소마다 구동 TFT의 게이트전극에 직접 접속된 초기화 TFT를 포함하여 구동 TFT의 초기화 경로를 줄임으로써, 화소의 응답속도를 높이고 표시 영상을 화질을 향상시킬 수 있다.
The organic light emitting diode display device according to the present invention includes initializing TFTs directly connected to the gate electrodes of the driving TFTs for respective pixels to reduce the initialization path of the driving TFTs so as to increase the response speed of the pixels and improve the image quality of the display image .

도 1은 일반적인 유기발광다이오드 표시장치의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2는 종래 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소의 등가 회로도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도.
도 4는 제n 수평 화소라인에 배치된 화소의 일 예를 나타내는 등가 회로도.
도 5는 도 4의 화소에 인가되는 스캔신호들과 에미션신호의 파형을 보여주는 도면.
도 6a 내지 도 6d는 도 5를 통해 구분되는 동작 기간별 화소의 등가회로를 보여주는 도면들.
도 7은 동작 기간별 제1 노드의 전위 변화를 보여주는 파형도.
도 8은 표시 영상이 블랙 계조에서 화이트 계조로 변경될 경우에 있어 유기발광다이오드에 인가되는 전류 변화에 대한 시뮬레이션한 결과를 종래와 비교하여 보여주는 도면.
도 9는 도 8을 기반으로 블랙 계조-화이트 계조 간 응답속도를 종래와 비교하여 보여주는 도면.
도 10은 제n 수평 화소라인에 배치된 화소의 다른 예를 나타내는 등가 회로도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of light emission of a general organic light emitting diode display device. FIG.
2 is an equivalent circuit diagram of a pixel in a conventional organic light emitting diode display.
3 is a block diagram showing an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.
4 is an equivalent circuit diagram showing an example of a pixel arranged in an nth horizontal pixel line;
FIG. 5 is a diagram showing waveforms of scan signals and emission signals applied to the pixel of FIG. 4;
FIGS. 6A to 6D are diagrams showing equivalent circuits of pixels for each operation period, which are divided through FIG. 5;
7 is a waveform diagram showing a potential change of the first node in each operation period.
8 is a graph showing a simulation result of a current change applied to an organic light emitting diode when a display image is changed from a black gradation to a white gradation in comparison with a conventional one.
FIG. 9 is a diagram showing a response speed between black gradation and white gradation based on FIG.
10 is an equivalent circuit diagram showing another example of pixels arranged in the nth horizontal pixel line;

이하, 도 3 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 10. FIG.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도이다.3 is a block diagram illustrating an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 화소들(P)이 매트릭스 형태로 배열되는 표시패널(10)과, 데이터라인들(14)을 구동시키기 위한 데이터 드라이버(12)와, 스캔라인들(15)을 구동시키기 위한 스캔 드라이버(13A)와, 에미션라인들(16)을 구동시키기 위한 에미션 드라이버(13B)와, 드라이버들(12,13A,13B)의 동작을 제어하는 타이밍 콘트롤러(11)를 구비한다. 3, an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 10 in which pixels P are arranged in a matrix form, a data driver (not shown) for driving the data lines 14 A scan driver 13A for driving the scan lines 15; an emission driver 13B for driving the emission lines 16; And a timing controller 11 for controlling the operation.

표시패널(10)에는 다수의 데이터라인들(14), 이 데이터라인들(14)과 교차되는 스캔라인들(15) 및 에미션라인들(16), 신호라인들(14,15,16)의 교차영역마다 배치되는 화소들(P)이 형성된다. 화소들(P) 각각은 고전위 구동전압(Vdd), 저전위 구동전압(Vss) 및 기준전압(Vref)을 공급받는다. 화소들(P) 각각은 도 4 및 도 10과 같이 한 개의 데이터라인(14), 이웃한 두 개의 스캔라인들(15), 및 한 개의 에미션라인(16)에 접속될 수 있다. 고전위 구동전압(Vdd)은 고전위 구동전압원에 의해 일정한 직류 레벨로 발생된다. 저전위 구동전압(Vss)은 저전위 구동전압원에 의해 일정한 직류 레벨로 발생된다. 기준전압(Vref)은 기준전압원에 의해 일정한 직류 레벨로 발생된다. 기준전압(Vref)은 블랙 계조 전압보다 높고 화이트 계조 전압보다 낮은 전압 레벨로 발생될 수 있다. 화소들(P) 각각은 구동 TFT의 게이트전극에 직접 접속된 초기화 TFT를 포함하여 종래에 비해 초기화 경로를 줄이고, 구동 TFT의 게이트전압을 원하는 시간 내에서 기준 전압(Vref) 또는, 저전위 구동전압(Vss)으로 빠르게 초기화시킨다.The display panel 10 includes a plurality of data lines 14, scan lines 15 and emission lines 16 intersecting with the data lines 14, signal lines 14, The pixels P are arranged in each of the intersecting regions. Each of the pixels P is supplied with a high potential driving voltage Vdd, a low potential driving voltage Vss and a reference voltage Vref. Each of the pixels P may be connected to one data line 14, two neighboring scan lines 15, and one emission line 16 as shown in FIGS. The high-potential driving voltage (Vdd) is generated at a constant DC level by the high-potential driving voltage source. The low-potential driving voltage Vss is generated at a constant DC level by the low-potential driving voltage source. The reference voltage Vref is generated at a constant DC level by the reference voltage source. The reference voltage Vref can be generated at a voltage level higher than the black gradation voltage and lower than the white gradation voltage. Each of the pixels P includes an initializing TFT directly connected to the gate electrode of the driving TFT so as to reduce the initializing path compared to the prior art and to set the gate voltage of the driving TFT to the reference voltage Vref or the low- (Vss).

타이밍 콘트롤러(11)는 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(10)의 해상도에 맞게 정렬하여 데이터 드라이버(12)에 공급한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 드라이버(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 스캔 드라이버(13A)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 제어신호(SDC)와, 에미션 드라이버(13B)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 에미션 제어신호(EDC)를 발생한다. The timing controller 11 arranges the digital video data RGB input from the outside according to the resolution of the display panel 10 and supplies the data to the data driver 12. [ The timing controller 11 also controls the timing of the data driver 12 based on the timing signals such as the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, the dot clock signal DCLK and the data enable signal DE. A data control signal DDC for controlling the operation timing, a scan control signal SDC for controlling the operation timing of the scan driver 13A and an emission control signal for controlling the operation timing of the emission driver 13B Signal EDC.

데이터 드라이버(12)는 데이터 제어신호(DDC)에 따라 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압(이하, 데이터전압이라 함)으로 변환하여 데이터라인들(14)에 공급한다. The data driver 12 converts the digital video data RGB into an analog data voltage (hereinafter, referred to as a data voltage) according to the data control signal DDC and supplies it to the data lines 14.

스캔 드라이버(13A)는 스캔 제어신호(SDC)에 따라 스캔신호를 발생하여 스캔라인들(15)에 공급한다. 스캔 드라이버(13A)는 스캔신호를 쉬프트시키기 위한 쉬프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 GIP(Gate Driver IC In Pane) 방식에 따라 표시패널(10) 상에 직접 형성될 수 있다.The scan driver 13A generates a scan signal in accordance with the scan control signal SDC and supplies the scan signal to the scan lines 15. [ The scan driver 13A includes a shift register for shifting the scan signal. The shift register can be formed directly on the display panel 10 according to the GIP (Gate Driver IC In Pane) method.

에미션 드라이버(13B)는 에미션 제어신호(EDC)에 따라 에미션신호를 발생하여 에미션라인들(16)에 공급한다. 에미션 드라이버(13B)는 에미션신호를 쉬프트시키기 위한 쉬프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 GIP(Gate In Panel) 방식에 따라 표시패널(10) 상에 직접 형성될 수 있다.The emission driver 13B generates an emission signal according to the emission control signal EDC and supplies it to the emission lines 16. [ The emission driver 13B includes a shift register for shifting the emission signal. The shift register can be formed directly on the display panel 10 according to the GIP (Gate In Panel) method.

도 4는 제n 수평 화소라인(n은 양의 정수)에 배치된 화소(P)의 일 예를 나타낸다.Fig. 4 shows an example of a pixel P arranged on the nth horizontal pixel line (n is a positive integer).

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED), 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)의 게이트전극에 직접 접속된 초기화 TFT(Tint), 다수의 스위치 TFT들(ST1~ST5), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 여기서, TFT들(DT,Tint,ST1~ST5)은 모두 P-type MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 구현될 수 있다.4, a pixel P according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode OLED, a driving TFT DT, a reset TFT Tint directly connected to the gate electrode of the driving TFT DT, A plurality of switch TFTs ST1 to ST5, and a storage capacitor Cst. Here, the TFTs DT, Tint and ST1 to ST5 may all be implemented as a P-type MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

유기발광다이오드(OLED)는 고전위 구동전압(Vdd)의 입력단과 저전위 구동전압(Vss)의 입력단 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드전극은 저전위 구동전압(Vss)의 입력단에 접속된다. 유기발광다이오드(OLED)는 도 1과 같은 구조를 가진다.The organic light emitting diode OLED emits light by a driving current flowing between the input terminal of the high potential driving voltage Vdd and the input terminal of the low potential driving voltage Vss. The cathode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the input terminal of the low potential driving voltage Vss. The organic light emitting diode (OLED) has a structure as shown in FIG.

구동 TFT(DT)는 고전위 구동전압(Vdd)의 입력단과 유기발광다이오드(OLED) 사이에 접속되며, 제1 노드(N1)의 전위에 따라 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 인가되는 구동 전류량을 제어한다. 구동 TFT(DT)의 게이트전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 소스전극은 고전위 구동전압(Vdd)의 입력단에 접속되며, 드레인전극은 제3 노드(N3)에 접속된다. The driving TFT DT is connected between the input terminal of the high potential driving voltage Vdd and the organic light emitting diode OLED and is driven by the driving voltage applied to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED according to the potential of the first node N1. The amount of current is controlled. The gate electrode of the driving TFT DT is connected to the first node N1, the source electrode thereof is connected to the input terminal of the high potential driving voltage Vdd, and the drain electrode thereof is connected to the third node N3.

초기화 TFT(Tint)는 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 따라 제1 노드(N1)에 기준전압(Vref)을 인가하여 구동 TFT(DT)의 게이트전압을 기준전압(Vref)으로 초기화시킨다. 초기화 TFT(Tint)의 게이트전극은 이전단 스캔라인(15n-1)에 접속되고, 소스전극은 기준전압(Vref)의 입력단에 접속되며, 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 초기화 TFT(Tint)는 구동 TFT(DT)의 게이트전극이 접속된 제1 노드(N1)에 직접 접속됨으로써, 종래에 비해 초기화 경로를 줄인다. 초기화 경로가 짧아지면 초기화 경로상의 기생 커패시턴스의 영향이 줄어들기 때문에 구동 TFT(DT)의 게이트전압이 원하는 시간 내에서 기준전압(Vref)으로 빠르게 초기화될 수 있다. 이는 화소의 응답속도 향상과 화질 향상으로 이어진다.The initializing TFT Tint applies the reference voltage Vref to the first node N1 in accordance with the previous stage scan signal SCAN [n-1] to set the gate voltage of the driving TFT DT to the reference voltage Vref Initialize. The gate electrode of the initialization TFT Tint is connected to the previous scan line 15n-1, the source electrode thereof is connected to the input terminal of the reference voltage Vref, and the drain electrode thereof is connected to the first node N1. The initializing TFT Tint is directly connected to the first node N1 to which the gate electrode of the driving TFT DT is connected, thereby reducing the initialization path compared to the prior art. If the initialization path is shortened, the influence of the parasitic capacitance on the initialization path is reduced, so that the gate voltage of the driving TFT DT can be quickly initialized to the reference voltage Vref within a desired time. This leads to an improvement in the response speed of pixels and an improvement in image quality.

제1 스위치 TFT(ST1)는 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 따라 데이터라인(14)과 제2 노드(N2) 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제1 스위치 TFT(ST1)의 게이트전극은 현재단 스캔라인(15n)에 접속되고, 소스전극은 데이터라인(14)에 접속되며, 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속된다.The first switch TFT (ST1) switches the current path between the data line 14 and the second node N2 in accordance with the current stage scan signal SCAN [n]. The gate electrode of the first switch TFT (ST1) is connected to the current stage scan line (15n), the source electrode is connected to the data line (14), and the drain electrode is connected to the second node (N2).

제2 스위치 TFT(ST2)는 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 따라 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제2 스위치 TFT(ST2)의 게이트전극은 현재단 스캔라인(15n)에 접속되고, 소스전극은 제3 노드(N3)에 접속되며, 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다.The second switch TFT (ST2) switches the current path between the first node (N1) and the third node (N3) according to the current stage scan signal (SCAN [n]). The gate electrode of the second switch TFT (ST2) is connected to the current stage scan line 15n, the source electrode thereof is connected to the third node N3, and the drain electrode thereof is connected to the first node N1.

제3 스위치 TFT(ST3)는 현재단 에미션신호(EM[n])에 따라 기준전압(Vref)을 제2 노드(N2)에 인가한다. 제3 스위치 TFT(ST3)의 게이트전극은 현재단 에미션라인(16n)에 접속되고, 소스전극은 기준전압(Vref)의 입력단에 접속되며, 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속된다.The third switch TFT ST3 applies the reference voltage Vref to the second node N2 in accordance with the current terminal emission signal EM [n]. The gate electrode of the third switch TFT (ST3) is connected to the current end emission line (16n), the source electrode is connected to the input terminal of the reference voltage (Vref), and the drain electrode is connected to the second node (N2).

제4 스위치 TFT(ST4)는 현재단 에미션신호(EM[n])에 따라 제3 노드(N3)와 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제4 스위치 TFT(ST4)의 게이트전극은 현재단 에미션라인(16n)에 접속되고, 소스전극은 제3 노드(N3)에 접속되며, 드레인전극은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다.The fourth switch TFT (ST4) switches the current path between the third node N3 and the anode electrode of the organic light emitting diode OLED according to the current end emission signal EM [n]. The gate electrode of the fourth switch TFT (ST4) is connected to the current end emission line (16n), the source electrode is connected to the third node (N3), and the drain electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode do.

제5 스위치 TFT(ST5)는 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 따라 기준전압(Vref)의 입력단과 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제5 스위치 TFT(ST5)의 게이트전극은 현재단 스캔라인(15n)에 접속되고, 소스전극은 기준전압(Vref)의 입력단에 접속되며, 드레인전극은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다.The fifth switch TFT ST5 switches the current path between the input terminal of the reference voltage Vref and the anode electrode of the organic light emitting diode OLED according to the current stage scan signal SCAN [n]. The gate electrode of the fifth switch TFT ST5 is connected to the current stage scan line 15n and the source electrode thereof is connected to the input terminal of the reference voltage Vref and the drain electrode thereof is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED do.

스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 TFT(DT)의 게이트전압을 안정화시킨다.The storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the second node N2. The storage capacitor Cst stabilizes the gate voltage of the driving TFT DT.

도 5는 도 4의 화소에 인가되는 스캔신호들(SCAN[n-1],SCAN[n])과 에미션신호(EM[n])의 파형을 보여준다.FIG. 5 shows the waveforms of scan signals SCAN [n-1], SCAN [n] and emission signal EM [n] applied to the pixel of FIG.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)의 동작은 스캔신호들(SCAN[n-1],SCAN[n])과 에미션신호(EM[n])의 파형에 따라, 초기화 기간(T1), 샘플링 기간(T2), 및 발광 기간(T3)으로 구분되어 설명될 수 있다. 초기화 기간(T1)은 제1 초기화 기간(T1A)과 제2 초기화 기간(T1B)으로 세분화될 수 있다. 도 5에서, 'Td1'과 'Td2'는 과도 기간을 지시한다. 그리고, 도 5에서 'H'는 화소의 TFT를 턴 오프 시킬 수 있는 비 활성화레벨을 지시하고, 'L'은 화소의 TFT를 턴 온 시킬 수 있는 활성화레벨을 지시한다.5, the operation of the pixel P according to an exemplary embodiment of the present invention is performed on the waveform of the scan signals SCAN [n-1], SCAN [n] and the emission signal EM [n] Accordingly, it can be described as an initialization period T1, a sampling period T2, and a light emission period T3. The initialization period T1 may be divided into a first initialization period T1A and a second initialization period T1B. In FIG. 5, 'Td1' and 'Td2' indicate transient periods. 5, 'H' indicates a deactivation level capable of turning off the TFT of the pixel, and 'L' indicates an activation level capable of turning on the TFT of the pixel.

이전단 스캔신호(SCAN[n-1])는, 제1 및 제2 초기화 기간(T1A,T1B)에서 활성화 레벨(L)로 발생되고, 샘플링 기간(T2)과 발광 기간(T3)에서 비 활성화 레벨(H)로 발생될 수 있다. 현재단 스캔신호(SCAN[n])는, 샘플링 기간(T2)에서 활성화 레벨(L)로 발생되고, 제1 및 제2 초기화 기간(T1A,T1B)과 발광 기간(T3)에서 비 활성화 레벨(H)로 발생될 수 있다. 그리고, 현재단 에미션신호(EM[n])는, 제1 초기화 기간(T1A)과 발광 기간(T3)에서 활성화 레벨(L)로 발생되고, 제2 초기화 기간(T1B)과 샘플링 기간(T2)에서 비 활성화 레벨(H)로 발생될 수 있다.The previous stage scan signal SCAN [n-1] is generated at the activation level L in the first and second initialization periods T1A and T1B and is inactivated at the sampling period T2 and the light emission period T3 Level (H). The current stage scan signal SCAN [n] is generated at the activation level L in the sampling period T2 and is set at the inactive level (L) during the first and second initialization periods T1A and T1B and the light emission period T3 H). The current stage emission signal EM [n] is generated at the activation level L in the first initializing period T1A and the light emitting period T3, and the second initializing period T1B and the sampling period T2 ) To a deactivation level (H).

도 6a 내지 도 6d는 도 5를 통해 구분되는 동작 기간별 화소의 등가회로를 보여준다. 그리고, 도 7은 동작 기간별 제1 노드의 전위 변화를 보여주는 파형도이다. 도 5 내지 도 7을 결부하여 각 동작 기간에서의 화소의 구체적인 동작을 설명하면 다음과 같다.FIGS. 6A to 6D show equivalent circuits of pixels for each operation period, which are divided through FIG. 7 is a waveform diagram showing the potential change of the first node in each operation period. The specific operation of the pixels in each operation period will be described with reference to FIGS. 5 to 7. FIG.

도 6a를 참조하면, 제1 초기화 기간(T1A)동안, 활성화 레벨(L)의 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 응답하여 초기화 TFT(Tint)가 턴 온 되고, 비 활성화 레벨(H)의 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 응답하여 제1, 제2 및 제5 스위치 TFT(ST1,ST2,ST5)가 턴 오프 되며, 활성화 레벨(L)의 현재단 에미션신호(EM[n])에 응답하여 제3 및 제4 스위치 TFT(ST3,ST4)가 턴 온 된다.6A, during the first initialization period T1A, the initialization TFT Tint is turned on in response to the previous stage scan signal SCAN [n-1] of the activation level L, The first, second and fifth switch TFTs ST1, ST2 and ST5 are turned off in response to the current stage scan signal SCAN [n] EM [n]), the third and fourth switch TFTs ST3 and ST4 are turned on.

그 결과, 제1 초기화 기간(T1A)동안, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 기준전압(Vref)으로 변동된다. 이때, 커패시터(Cst)를 통해 제1 노드(N1)에 접속되는 제2 노드(N2)에도 기준전압(Vref)이 인가되기 때문에, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 보다 빠르게 기준전압(Vref)으로 변동된다. As a result, during the first initializing period T1A, the potential VN1 of the first node N1 is changed to the reference voltage Vref. At this time, since the reference voltage Vref is also applied to the second node N2 connected to the first node N1 through the capacitor Cst, the potential VN1 of the first node N1 becomes higher (Vref).

도 6b를 참조하면, 제2 초기화 기간(T1B)동안, 활성화 레벨(L)의 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 응답하여 초기화 TFT(Tint)가 턴 온 되고, 비 활성화 레벨(H)의 현재단 스캔신호(SCAN[n]) 및 현재단 에미션신호(EM[n])에 응답하여 제1 내지 제5 스위치 TFT(ST1~ST5)가 모두 턴 오프 된다.6B, during the second initialization period T1B, the initializing TFT Tint is turned on in response to the previous stage scan signal SCAN [n-1] of the activation level L, The first to fifth switch TFTs ST1 to ST5 are all turned off in response to the current stage scan signal SCAN [n] and the current stage emission signal EM [n].

그 결과, 제2 초기화 기간(T1B)동안, 제2 노드(N2)는 플로팅되고 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 초기화 레벨인 기준전압(Vref)을 유지한다.As a result, during the second initialization period T1B, the second node N2 is floated and the potential VN1 of the first node N1 maintains the reference voltage Vref, which is the initialization level.

도 6c를 참조하면, 샘플링 기간(T2) 동안, 비 활성화 레벨(H)의 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 응답하여 초기화 TFT(Tint)가 턴 오프 되고, 활성화 레벨(L)의 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 응답하여 제1, 제2 및 제5 스위치 TFT(ST1,ST2,ST5)가 턴 온 되며, 비 활성화 레벨(H)의 현재단 에미션신호(EM[n])에 응답하여 제3 및 제4 스위치 TFT(ST3,ST4)가 턴 오프 된다.6C, during the sampling period T2, the initialization TFT Tint is turned off in response to the previous stage scan signal SCAN [n-1] of the inactivation level H, The first, second and fifth switch TFTs ST1, ST2 and ST5 are turned on in response to the current stage scan signal SCAN [n] of the inactive level H, [n]), the third and fourth switch TFTs ST3 and ST4 are turned off.

그 결과, 샘플동안, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 구동 TFT(DT)의 다이오드 커넥션(구동 TFT(DT)의 게이트전극과 드레인전극이 쇼트, 또는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3)의 쇼트)에 의해 고전위 구동전압(Vdd)에서 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 제1 연산값(Vdd-Vth)으로 샘플링된다. 이와 동시에, 제2 노드(N2)의 전위는 데이터전압(Vdata)으로 프로그래밍된다. As a result, during the sample, the potential VN1 of the first node N1 is lower than the potential of the diode connection (the gate electrode and the drain electrode of the driving TFT DT are shorted, or the first node N1, (Vdd-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) from the high potential driving voltage (Vdd) by means of the third node (N3) At the same time, the potential of the second node N2 is programmed to the data voltage Vdata.

샘플링 기간(T2)에서, 샘플링된 제1 연산값(Vdd-Vth)은 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 제1 노드(N1)에 유지되고, 프로그래밍 된 데이터전압(Vdata)은 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 제2 노드(N2)에 유지된다.In the sampling period T2, the sampled first calculation value Vdd-Vth is held at the first node N1 by the storage capacitor Cst and the programmed data voltage Vdata is stored in the storage capacitor Cst Lt; RTI ID = 0.0 > N2. ≪ / RTI >

도 6d를 참조하면, 발광 기간(T3) 동안, 비 활성화 레벨(H)의 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 응답하여 초기화 TFT(Tint)가 턴 오프 되고, 비 활성화 레벨(H)의 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 응답하여 제1, 제2 및 제5 스위치 TFT(ST1,ST2,ST5)가 턴 오프 되며, 활성화 레벨(L)의 현재단 에미션신호(EM[n])에 응답하여 제3 및 제4 스위치 TFT(ST3,ST4)가 턴 온 된다.6D, the initialization TFT Tint is turned off in response to the previous scan signal SCAN [n-1] of the inactive level H during the light emission period T3, and the inactive level H The first, second and fifth switch TFTs ST1, ST2 and ST5 are turned off in response to the current stage scan signal SCAN [n] of the activation level L, [n]), the third and fourth switch TFTs ST3 and ST4 are turned on.

그 결과, 제2 노드(N2)의 전위는 직전에 유지되어 있던 데이터전압(Vdata)에서 기준전압(Vref)으로 변동된다. 그리고, 이 변동분에 해당되는 제2 연산값(Vdata-Vref) 즉, 데이터전압(Vdata)에서 기준전압(Vref)을 뺀 값이 제1 노드(N1)의 전위(VN1)에 반영된다. 이에 따라, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 제1 연산값(Vdd-Vth)에서 제2 연산값(Vdata-Vref)을 뺀 보상값{(Vdd-Vth)-(Vdata-Vref)}으로 셋팅된다.As a result, the potential of the second node N2 is changed from the data voltage Vdata that was held immediately before to the reference voltage Vref. A value obtained by subtracting the reference voltage Vref from the second calculated value Vdata-Vref corresponding to this variation, that is, the data voltage Vdata, is reflected on the potential VN1 of the first node N1. Accordingly, the potential VN1 of the first node N1 is set to a compensation value {(Vdd-Vth) - (Vdata-Vref) obtained by subtracting the second calculated value Vdata-Vref from the first calculated value Vdd- }.

제1 노드(N1)의 전위(VN1)가 보상값{(Vdd-Vth)-(Vdata-Vref)}으로 셋팅되고, 제4 스위치 TFT(ST4)가 턴 온 되므로, 유기발광다이오드(OLED)에는 아래의 수학식 1의 (C)와 같이 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)에 영향받지 않는 구동전류(Ioled)가 흐른다.The potential VN1 of the first node N1 is set to the compensation value Vdd-Vth- (Vdata-Vref), and the fourth switch TFT ST4 is turned on, so that the organic light emitting diode OLED A driving current Ioled which is not influenced by the threshold voltage Vth of the driving TFT DT flows as shown in the following equation (C).

Figure 112011072946486-pat00001
Figure 112011072946486-pat00001

여기서, 'μ'는 구동 TFT(DT)의 이동도를, 'Cox'는 구동 TFT(DT)의 기생용량을, 'W'는 구동 TFT(DT)의 채널폭을, 'L'은 구동 TFT(DT)의 채널길이를, 'Vgs'는 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압차를, 'Vth'는 구동 TFT(DT)의 문턱전압을, 'Vdd'는 고전위 구동전압을, 'Vdata'는 데이터전압을, 'Vref'는 기준전압을 각각 나타낸다.Here, 'μ' denotes the mobility of the driving TFT DT, 'Cox' denotes the parasitic capacitance of the driving TFT DT, 'W' denotes the channel width of the driving TFT DT, Vth 'is the threshold voltage of the driving TFT DT,' Vdd 'is the high-level driving voltage, and' Vdd 'is the driving voltage of the driving TFT DT. 'Vdata' denotes a data voltage, and 'Vref' denotes a reference voltage.

도 8은 표시 영상이 블랙 계조에서 화이트 계조로 변경될 경우에 있어 유기발광다이오드에 인가되는 전류 변화에 대한 시뮬레이션한 결과를 종래와 비교하여 보여준다. 도 8에서, 가로축은 시간을, 세로축은 구동전류를 각각 나타낸다. 도 9는 도 8을 기반으로 블랙 계조-화이트 계조 간 응답속도를 종래와 비교하여 보여준다.FIG. 8 shows a simulation result of the current change applied to the organic light emitting diode when the display image is changed from the black gradation to the white gradation. 8, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents drive current. FIG. 9 shows the response speed between black gradation and white gradation based on FIG. 8 in comparison with the conventional method.

종래 기술에 의하면, 초기화 경로가 길기 때문에 구동 TFT의 게이트전압이 기생 커패시턴스의 영향으로 인해 충분히 초기화되지 못하여 그레이 대 그레이의 응답속도가 저하되었다. 종래 기술에 의하면 도 8과 같이 표시 영상이 블랙 계조에서 화이트 계조로 변경될 경우, 90%의 화이트 계조까지 도달하는 시간(응답시간)이 도 9에 도시된 바와 같이 대략 1.45 프레임 정도로 매우 길다.According to the related art, since the initialization path is long, the gate voltage of the driving TFT is not sufficiently initialized due to the influence of the parasitic capacitance, and the response speed of gray-gray is degraded. According to the related art, when the display image is changed from the black gradation to the white gradation as shown in Fig. 8, the time (response time) for reaching 90% white gradation is very long as about 1.45 frames as shown in Fig.

반면, 본 발명은 초기화 TFT를 구동 TFT의 게이트전극에 직접 접속시킴으로써 종래에 비해 초기화 경로를 줄이고, 초기화 경로상의 기생 커패시턴스의 영향을 최대한 배제하여 구동 TFT의 게이트전압을 원하는 시간 내에서 기준전압으로 빠르게 초기화한다. 본 발명에 의하면 그레이 대 그레이의 응답속도가 향상되어 표시 품위가 높아진다. 본 발명에 의하면 도 8과 같이 표시 영상이 블랙 계조에서 화이트 계조로 변경될 경우, 90%의 화이트 계조까지 도달하는 시간(응답시간)이 도 9에 도시된 바와 같이 대략 0.75 프레임 정도로 매우 짧다.On the other hand, according to the present invention, by connecting the initializing TFT directly to the gate electrode of the driving TFT, the initialization path is reduced as compared with the prior art, and the influence of the parasitic capacitance on the initialization path is minimized to make the gate voltage of the driving TFT rapidly Initialize. According to the present invention, the response speed of gray to gray is improved and the display quality is enhanced. According to the present invention, when the display image is changed from the black gradation to the white gradation as shown in FIG. 8, the time (response time) for reaching 90% of the white gradation is very short as about 0.75 frames as shown in FIG.

도 10은 제n 수평 화소라인(n은 양의 정수)에 배치된 화소(P)의 다른 예를 나타낸다. 도 10의 화소(P)는 도 4의 화소(P)와 비교하여 초기화 TFT(Tint)의 접속 구성만이 다르고, 나머지(접속구성, 동작 등)는 실질적으로 동일하다.Fig. 10 shows another example of the pixel P arranged on the nth horizontal pixel line (n is a positive integer). The pixel P in Fig. 10 is different from the pixel P in Fig. 4 only in the connection configuration of the initialization TFT (Tint), and the rest (connection configuration, operation, and the like) is substantially the same.

도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED), 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)의 게이트전극에 직접 접속된 초기화 TFT(Tint), 다수의 스위치 TFT들(ST1~ST5), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 10, a pixel P according to another embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode OLED, a driving TFT DT, a reset TFT Tint directly connected to the gate electrode of the driving TFT DT, A plurality of switch TFTs ST1 to ST5, and a storage capacitor Cst.

초기화 TFT(Tint)는 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 따라 제1 노드(N1)에 저전위 구동전압(Vss)을 인가하여 구동 TFT(DT)의 게이트전압을 저전위 구동전압(Vss)으로 초기화시킨다. 초기화 TFT(Tint)의 게이트전극은 이전단 스캔라인(15n-1)에 접속되고, 소스전극은 저전위 구동전압(Vss)의 입력단에 접속되며, 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 초기화 TFT(Tint)는 구동 TFT(DT)의 게이트전극이 접속된 제1 노드(N1)에 직접 접속됨으로써, 종래에 비해 초기화 경로를 줄인다. 초기화 경로가 짧아지면 초기화 경로상의 기생 커패시턴스의 영향이 줄어들기 때문에 구동 TFT(DT)의 게이트전압이 원하는 시간 내에서 저전위 구동전압(Vss)으로 빠르게 초기화될 수 있다. 이는 화소의 응답속도 향상과 화질 향상으로 이어진다.The initialization TFT Tint applies the low potential driving voltage Vss to the first node N1 in accordance with the previous stage scan signal SCAN [n-1] to change the gate voltage of the driving TFT DT to the low potential driving voltage (Vss). The gate electrode of the initialization TFT Tint is connected to the previous stage scan line 15n-1, the source electrode thereof is connected to the input terminal of the low potential driving voltage Vss, and the drain electrode thereof is connected to the first node N1 . The initializing TFT Tint is directly connected to the first node N1 to which the gate electrode of the driving TFT DT is connected, thereby reducing the initialization path compared to the prior art. If the initialization path becomes shorter, the influence of the parasitic capacitance on the initialization path is reduced, so that the gate voltage of the driving TFT DT can be quickly initialized to the low potential driving voltage Vss within a desired time. This leads to an improvement in the response speed of pixels and an improvement in image quality.

유기발광다이오드(OLED), 구동 TFT(DT), 다수의 스위치 TFT들(ST1~ST5), 및 스토리지 커패시터(Cst)의 접속 구성 및 동작은 도 4와 실질적으로 동일하다.
The connection structure and operation of the organic light emitting diode (OLED), the driver TFT (DT), the plurality of switch TFTs (ST1 to ST5), and the storage capacitor (Cst) are substantially the same as in FIG.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 화소마다 구동 TFT의 게이트전극에 직접 접속된 초기화 TFT를 포함하여 구동 TFT의 초기화 경로를 줄임으로써, 화소의 응답속도를 높이고 표시 영상을 화질을 향상시킬 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display device according to the present invention includes the initializing TFT directly connected to the gate electrode of the driving TFT for each pixel to reduce the initialization path of the driving TFT, thereby increasing the response speed of the pixel, Can be improved.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에서는 TFT가 P 타입 MOSFET으로 구현되는 경우만을 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고 N 타입 MOSFET에도 적용될 수 있음은 물론이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. For example, in the embodiment of the present invention, only the case where the TFT is implemented as a P-type MOSFET has been described. However, it is needless to say that the technical idea of the present invention is not limited to this and can also be applied to an N-type MOSFET. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 드라이버 13A : 스캔 드라이버
13B : 에미션 드라이버 14 : 데이터라인
15 : 게이트라인 16 : 에미션라인
10: Display panel 11: Timing controller
12: Data driver 13A: Scan driver
13B: Emission driver 14: Data line
15: Gate line 16: Emission line

Claims (7)

고전위 구동전압의 입력단과 저전위 구동전압의 입력단 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광하는 유기발광다이오드;
상기 고전위 구동전압의 입력단과 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되며, 제1 노드에 인가되는 게이트전압에 따라 상기 유기발광다이오드에 인가되는 구동 전류량을 제어하는 구동 TFT;
이전단 스캔신호에 따라 상기 제1 노드에 기준전압과 상기 저전위 구동전압 중 어느 하나로 선택되는 초기화전압을 인가하여 상기 구동 TFT의 게이트전압을 초기화시키는 초기화 TFT;
현재단 스캔신호에 따라 상기 구동 TFT의 드레인전극에 접속된 제3 노드와 상기 제1 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제2 스위치 TFT; 및
상기 현재단 스캔신호에 따라 상기 기준전압의 입력단과 상기 유기발광다이오드의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제5 스위치 TFT를 구비하고;
상기 초기화 TFT는 상기 제1 노드에 직접 접속되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
An organic light emitting diode emitting light by a driving current flowing between an input terminal of a high potential driving voltage and an input terminal of a low potential driving voltage;
A driving TFT connected between the input terminal of the high potential driving voltage and the organic light emitting diode and controlling an amount of driving current applied to the organic light emitting diode according to a gate voltage applied to the first node;
An initialization TFT for initializing a gate voltage of the driving TFT by applying an initialization voltage selected from one of a reference voltage and the low-potential driving voltage to the first node according to a previous scan signal;
A second switch TFT for switching a current path between a third node connected to a drain electrode of the driving TFT and the first node according to a current short scan signal; And
And a fifth switch TFT for switching a current path between an input terminal of the reference voltage and an anode electrode of the organic light emitting diode according to the current stage scan signal;
And the initializing TFT is directly connected to the first node.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 초기화 TFT는,
상기 이전단 스캔신호가 인가되는 이전단 스캔라인에 접속된 게이트전극;
상기 기준전압의 입력단에 접속된 소스전극; 및
상기 제1 노드에 직접 접속된 드레인전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
In the initialization TFT,
A gate electrode connected to a previous scan line to which the previous scan signal is applied;
A source electrode connected to an input terminal of the reference voltage; And
And a drain electrode directly connected to the first node.
제 1 항에 있어서,
상기 초기화 TFT는,
상기 이전단 스캔신호가 인가되는 이전단 스캔라인에 접속된 게이트전극;
상기 저전위 구동전압의 입력단에 접속된 소스전극; 및
상기 제1 노드에 직접 접속된 드레인전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
In the initialization TFT,
A gate electrode connected to a previous scan line to which the previous scan signal is applied;
A source electrode connected to an input terminal of the low potential driving voltage; And
And a drain electrode directly connected to the first node.
제 1 항에 있어서,
상기 현재단 스캔신호에 따라 데이터라인과 제2 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제1 스위치 TFT;
현재단 에미션신호에 따라 상기 기준전압을 상기 제2 노드에 인가하는 제3 스위치 TFT;
상기 현재단 에미션신호에 따라 상기 제3 노드와 상기 유기발광다이오드의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제4 스위치 TFT; 및
상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
A first switch TFT for switching a current path between the data line and the second node in accordance with the current stage scan signal;
A third switch TFT for applying the reference voltage to the second node according to the current edge emission signal;
A fourth switch TFT for switching a current path between the third node and the anode electrode of the organic light emitting diode according to the current end emission signal; And
And a storage capacitor connected between the first node and the second node.
제 5 항에 있어서,
상기 이전단 스캔신호, 상기 현재단 스캔신호, 및 상기 현재단 에미션신호에 의해, 각각의 프레임은, 제1 초기화 기간, 상기 제1 초기화 기간에 이은 제2 초기화 기간, 상기 제2 초기화 기간에 이은 샘플링 기간, 및 상기 샘플링 기간에 이은 발광 기간으로 구분되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
6. The method of claim 5,
The first frame period, the second frame period, the second frame period, the second frame period, the second frame period, the second frame period, the first frame period, A sampling period, and a light emission period subsequent to the sampling period.
제 6 항에 있어서,
상기 이전단 스캔신호는, 상기 제1 및 제2 초기화 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 샘플링 기간과 상기 발광 기간에서 비 활성화 레벨로 발생되며;
상기 현재단 스캔신호는, 상기 샘플링 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 제1 및 제2 초기화 기간과 상기 발광 기간에서 비 활성화 레벨로 발생되며;
상기 현재단 에미션신호는, 상기 제1 초기화 기간과 상기 발광 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 제2 초기화 기간과 상기 샘플링 기간에서 비 활성화 레벨로 발생되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the previous stage scan signal is generated at an activation level in the first and second initialization periods and at a deactivation level in the sampling period and the light emission period;
Wherein the current stage scan signal is generated at an activation level in the sampling period and at a deactivation level in the first and second initialization periods and the light emission period;
Wherein the current stage emission signal is generated at an activation level in the first initialization period and the light emission period and is generated at a deactivation level in the second initialization period and the sampling period.
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