KR20130030879A - Organic light emitting diode display device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An organic light emitting diode display is provided to increase a response speed of a pixel by reducing an initialization path of a driving TFT. CONSTITUTION: An organic light emitting diode emits light by a driving current. The driving current flows between an input terminal of a high potential driving voltage and an input terminal of a low potential driving voltage. A driving TFT(DT) is connected between the input terminal of the high potential driving voltage and the organic light emitting diode. The driving TFT controls the amount of driving currents applied to the organic light emitting diode according to a gate voltage applied to a first node. An initialization TFT applies an initialization voltage to the first node and initializes a gate voltage of the driving TFT. The initialization TFT is directly connected to the first node.

Description

유기발광다이오드 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로 특히, 화질을 향상시키도록 한 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting diode display device, and more particularly, to an organic light emitting diode display device for improving image quality.

최근, 다양한 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)에 대한 개발이 가속화되고 있다. 이들 중 특히, 유기발광다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 자발광소자를 이용함으로써 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. Recently, development of various flat panel displays (FPDs) has been accelerated. Among them, the organic light emitting diode display device has advantages in that the response speed is high and the luminous efficiency, luminance, and viewing angle are large by using the self-luminous element emitting light by itself.

유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같이 유기발광다이오드를 가진다. 유기발광다이오드는 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 구비한다. The organic light emitting diode display device has an organic light emitting diode as shown in FIG. The organic light emitting diode has organic compound layers (HIL, HTL, EML, ETL, EIL) formed between the anode electrode and the cathode electrode.

유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). When a driving voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes passing through the HTL and electrons passing through the ETL are transferred to the EML to form excitons, Thereby generating visible light.

유기발광다이오드 표시장치는 이와 같은 유기발광다이오드가 포함된 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 화소들의 밝기를 비디오 데이터의 계조에 따라 제어한다. 특히, 스위칭소자로써 TFT(Thin Film Transistor)를 이용하는 액티브 매트릭스(active matrix) 방식의 유기발광다이오드 표시장치는 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(Storage Capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.The organic light emitting diode display arranges the pixels including the organic light emitting diodes in a matrix form and controls the brightness of the pixels according to the gray level of the video data. In particular, an active matrix organic light emitting diode display using a thin film transistor (TFT) as a switching element selects a pixel by selectively turning on the active TFT, and selects a pixel and maintains it in a storage capacitor. The light emission of the pixel is maintained at the voltage.

도 2는 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 하나의 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다. 2 is a circuit diagram showing one pixel equivalently in an active matrix type organic light emitting diode display.

도 2를 참조하면, 화소는 유기발광다이오드(OLED), 스위치 TFT(ST), 구동 TFT(DT), 및 스토리지 커패시터(Cst) 등을 구비한다. Referring to FIG. 2, the pixel includes an organic light emitting diode OLED, a switch TFT ST, a driving TFT DT, a storage capacitor Cst, and the like.

스위치 TFT(ST)는 게이트라인(GL)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온 됨으로써 자신의 소스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 스위치 TFT(ST)는 턴 온 기간 동안 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압을 구동 TFT(DT)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가한다. 구동 TFT(DT)는 자신의 게이트-소스 간의 전압(Vgs)에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 TFT(DT)의 게이트전위를 소정 기간 동안 일정하게 유지시킨다. 유기발광다이오드(OLED)는 도 1과 같은 구조로 구현되며, 구동 TFT(DT)의 드레인전극과 기저전압원(GND) 사이에 접속된다.The switch TFT ST is turned on in response to a scan pulse from the gate line GL to conduct a current path between its source electrode and the drain electrode. The switch TFT ST applies the data voltage from the data line DL to the gate electrode and the storage capacitor Cst of the driving TFT DT during the turn-on period. The driving TFT DT controls the current flowing through the organic light emitting diode OLED according to its gate-source voltage Vgs. The storage capacitor Cst keeps the gate potential of the driving TFT DT constant for a predetermined period. The organic light emitting diode OLED is implemented in the structure as shown in FIG. 1 and is connected between the drain electrode of the driving TFT DT and the ground voltage source GND.

도 2와 같은 화소의 밝기는 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류에 비례하며, 이 구동전류는 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압 및 구동 TFT(DT)의 문턱전압 등에 의존한다.The brightness of the pixel as shown in FIG. 2 is proportional to the driving current flowing through the organic light emitting diode OLED, and the driving current depends on the gate-source voltage of the driving TFT DT, the threshold voltage of the driving TFT DT, and the like.

공정 편차, 시간 경과에 따른 열화 편차 등 여러 원인에 의해 구동 TFT의 문턱전압은 화소마다 차이를 보인다. 이에, 최근에는 화소들간 구동 TFT의 문턱전압 편차를 보상하기 위해 화소 구조를 다르게 변경하고, 매 프레임마다 화소들의 발광에 앞서 초기화 동작과 샘플링 동작을 수행하는 기술이 사용되고 있다. 초기화 동작에서는 구동 TFT의 게이트전압이 소정치로 초기화되고, 이 초기화 동작에 이은 샘플링 동작에서는 구동 TFT의 게이트전압에 구동 TFT의 문턱전압이 반영된다.The threshold voltage of the driving TFTs varies from pixel to pixel due to various reasons such as process variation and deterioration variation over time. Therefore, recently, a technique of changing a pixel structure differently to compensate for a threshold voltage variation of a driving TFT between pixels, and performing an initialization operation and a sampling operation prior to light emission of pixels every frame has been used. In the initialization operation, the gate voltage of the driving TFT is initialized to a predetermined value. In the sampling operation following this initialization operation, the threshold voltage of the driving TFT is reflected in the gate voltage of the driving TFT.

화소들간 구동 TFT의 문턱전압 편차가 효과적으로 보상되기 위해서는 초기화 기간 내에서 구동 TFT의 게이트전압이 원하는 소정치로 충분히 초기화되어야 한다. 그런데, 종래 화소 구조에서는 구동 TFT의 게이트전극에 대한 초기화 경로(initial path)가 길어 기생 커패시터의 영향을 많이 받게 된다. 초기화 경로 상의 기생 커패시터의 영향이 클수록 화소의 응답특성이 저하된다. 즉, 표시 영상이 블랙 계조에서 화이트 계조(또는 화이트 계조에서 블랙 계조)로 변경될 경우에 있어 초기화 경로 상의 기생 커패시턴스가 크면, 구동 TFT의 게이트전극에 유지되어 있던 이전 프레임 데이터가 충분히 초기화되지 못하고 현재 프레임 데이터에 영향을 미치게 된다. 결국, 구동 TFT의 게이트전압이 기생 커패시턴스의 영향으로 인해 충분히 초기화되지 못하면, 응답속도가 저하되고 표시 영상의 화질이 떨어지는 문제점이 있다.
In order to effectively compensate for the threshold voltage deviation of the driving TFT between the pixels, the gate voltage of the driving TFT should be sufficiently initialized to a desired predetermined value within the initialization period. However, in the conventional pixel structure, the initialization path to the gate electrode of the driving TFT is long, and thus is affected by the parasitic capacitor. The greater the influence of the parasitic capacitor on the initialization path, the lower the response characteristic of the pixel. That is, if the parasitic capacitance on the initialization path is large when the display image is changed from black gray to white gray (or white gray to black), the previous frame data held at the gate electrode of the driving TFT is not sufficiently initialized and is currently This will affect the frame data. As a result, if the gate voltage of the driving TFT is not sufficiently initialized due to the influence of parasitic capacitance, there is a problem that the response speed is lowered and the image quality of the display image is lowered.

따라서, 본 발명의 목적은 구동 TFT의 초기화 경로를 줄여 화소의 응답속도를 높임으로써 표시 영상을 화질을 향상시킬 수 있도록 한 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display device capable of improving the image quality of a display image by reducing the initialization path of the driving TFT to increase the response speed of the pixel.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 고전위 구동전압의 입력단과 저전위 구동전압의 입력단 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광하는 유기발광다이오드; 상기 고전위 구동전압의 입력단과 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되며, 제1 노드에 인가되는 게이트전압에 따라 상기 유기발광다이오드에 인가되는 구동 전류량을 제어하는 구동 TFT; 및 이전단 스캔신호에 따라 상기 제1 노드에 초기화전압을 인가하여 상기 구동 TFT의 게이트전압을 초기화시키는 초기화 TFT를 구비하고; 상기 초기화 TFT는 상기 제1 노드에 직접 접속된다.In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention is an organic light emitting diode that emits light by a driving current flowing between the input terminal of the high potential driving voltage and the input terminal of the low potential driving voltage; A driving TFT connected between the input terminal of the high potential driving voltage and the organic light emitting diode and controlling an amount of driving current applied to the organic light emitting diode according to a gate voltage applied to the first node; And an initialization TFT for initializing a gate voltage of the driving TFT by applying an initialization voltage to the first node according to a previous stage scan signal. The initialization TFT is directly connected to the first node.

상기 초기화전압은 기준전압 및 상기 저전위 구동전압 중 어느 하나로 선택된다.The initialization voltage is selected from one of a reference voltage and the low potential driving voltage.

상기 초기화 TFT는, 상기 이전단 스캔신호가 인가되는 이전단 스캔라인에 접속된 게이트전극; 상기 기준전압의 입력단에 접속된 소스전극; 및 상기 제1 노드에 직접 접속된 드레인전극을 포함한다.The initialization TFT may include a gate electrode connected to a previous scan line to which the previous scan signal is applied; A source electrode connected to the input terminal of the reference voltage; And a drain electrode directly connected to the first node.

상기 초기화 TFT는, 상기 이전단 스캔신호가 인가되는 이전단 스캔라인에 접속된 게이트전극; 상기 저전위 구동전압의 입력단에 접속된 소스전극; 및 상기 제1 노드에 직접 접속된 드레인전극을 포함한다.The initialization TFT may include a gate electrode connected to a previous scan line to which the previous scan signal is applied; A source electrode connected to the input terminal of the low potential driving voltage; And a drain electrode directly connected to the first node.

현재단 스캔신호에 따라 데이터라인과 제2 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제1 스위치 TFT; 상기 현재단 스캔신호에 따라 상기 구동 TFT의 드레인전극에 접속된 제3 노드와 상기 제1 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제2 스위치 TFT; 현재단 에미션신호에 따라 상기 기준전압을 상기 제2 노드에 인가하는 제3 스위치 TFT; 상기 현재단 에미션신호에 따라 상기 제3 노드와 상기 유기발광다이오드의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제4 스위치 TFT; 상기 현재단 스캔신호에 따라 상기 기준전압의 입력단과 상기 유기발광다이오드의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제5 스위치 TFT; 및 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 더 구비한다.A first switch TFT for switching a current path between the data line and the second node according to the current stage scan signal; A second switch TFT switching a current path between a third node connected to the drain electrode of the driving TFT and the first node according to the current stage scan signal; A third switch TFT for applying the reference voltage to the second node according to a current emission signal; A fourth switch TFT for switching a current path between the third node and the anode electrode of the organic light emitting diode according to the current stage emission signal; A fifth switch TFT for switching a current path between an input terminal of the reference voltage and an anode electrode of the organic light emitting diode according to the current stage scan signal; And a storage capacitor connected between the first node and the second node.

상기 이전단 스캔신호, 상기 현재단 스캔신호, 및 상기 현재단 에미션신호에 의해, 각각의 프레임은, 제1 초기화 기간, 상기 제1 초기화 기간에 이은 제2 초기화 기간, 상기 제2 초기화 기간에 이은 샘플링 기간, 및 상기 샘플링 기간에 이은 발광 기간으로 구분된다.According to the previous stage scan signal, the current stage scan signal, and the current stage emission signal, each frame includes a first initialization period, a second initialization period following the first initialization period, and the second initialization period. This is divided into a sampling period and a light emission period following the sampling period.

상기 이전단 스캔신호는, 상기 제1 및 제2 초기화 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 샘플링 기간과 상기 발광 기간에서 비 활성화 레벨로 발생되며; 상기 현재단 스캔신호는, 상기 샘플링 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 제1 및 제2 초기화 기간과 상기 발광 기간에서 비 활성화 레벨로 발생되며; 상기 현재단 에미션신호는, 상기 제1 초기화 기간과 상기 발광 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 제2 초기화 기간과 상기 샘플링 기간에서 비 활성화 레벨로 발생된다.
The previous stage scan signal is generated at an activation level in the first and second initialization periods and is generated at an inactivation level in the sampling period and the emission period; The current stage scan signal is generated at an activation level in the sampling period and is generated at an inactivation level in the first and second initialization periods and the emission period; The current stage emission signal is generated at an activation level in the first initialization period and the light emission period, and is generated at an inactivation level in the second initialization period and the sampling period.

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 화소마다 구동 TFT의 게이트전극에 직접 접속된 초기화 TFT를 포함하여 구동 TFT의 초기화 경로를 줄임으로써, 화소의 응답속도를 높이고 표시 영상을 화질을 향상시킬 수 있다.
The organic light emitting diode display according to the present invention includes an initialization TFT directly connected to the gate electrode of the driving TFT for each pixel to reduce the initialization path of the driving TFT, thereby increasing the response speed of the pixel and improving the image quality of the display image. .

도 1은 일반적인 유기발광다이오드 표시장치의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2는 종래 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소의 등가 회로도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도.
도 4는 제n 수평 화소라인에 배치된 화소의 일 예를 나타내는 등가 회로도.
도 5는 도 4의 화소에 인가되는 스캔신호들과 에미션신호의 파형을 보여주는 도면.
도 6a 내지 도 6d는 도 5를 통해 구분되는 동작 기간별 화소의 등가회로를 보여주는 도면들.
도 7은 동작 기간별 제1 노드의 전위 변화를 보여주는 파형도.
도 8은 표시 영상이 블랙 계조에서 화이트 계조로 변경될 경우에 있어 유기발광다이오드에 인가되는 전류 변화에 대한 시뮬레이션한 결과를 종래와 비교하여 보여주는 도면.
도 9는 도 8을 기반으로 블랙 계조-화이트 계조 간 응답속도를 종래와 비교하여 보여주는 도면.
도 10은 제n 수평 화소라인에 배치된 화소의 다른 예를 나타내는 등가 회로도.
1 is a diagram illustrating a light emission principle of a general organic light emitting diode display.
2 is an equivalent circuit diagram of a pixel in a conventional organic light emitting diode display.
3 is a block diagram illustrating an organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is an equivalent circuit diagram illustrating an example of a pixel disposed in an nth horizontal pixel line;
5 is a diagram illustrating waveforms of scan signals and emission signals applied to the pixel of FIG. 4;
6A through 6D are diagrams illustrating equivalent circuits of pixels for each operation period divided through FIG. 5;
7 is a waveform diagram showing a change in potential of a first node for each operation period;
FIG. 8 is a diagram illustrating a simulation result of a change in current applied to an organic light emitting diode when the display image is changed from black to white gradations, compared with a conventional example. FIG.
FIG. 9 is a diagram illustrating a response speed between black and white gray levels in comparison with the related art based on FIG. 8; FIG.
Fig. 10 is an equivalent circuit diagram showing another example of pixels arranged on an nth horizontal pixel line.

이하, 도 3 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 10.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도이다.3 is a block diagram illustrating an organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 화소들(P)이 매트릭스 형태로 배열되는 표시패널(10)과, 데이터라인들(14)을 구동시키기 위한 데이터 드라이버(12)와, 스캔라인들(15)을 구동시키기 위한 스캔 드라이버(13A)와, 에미션라인들(16)을 구동시키기 위한 에미션 드라이버(13B)와, 드라이버들(12,13A,13B)의 동작을 제어하는 타이밍 콘트롤러(11)를 구비한다. Referring to FIG. 3, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 10 in which pixels P are arranged in a matrix, and a data driver for driving data lines 14. 12, the scan driver 13A for driving the scan lines 15, the emission driver 13B for driving the emission lines 16, and the drivers 12, 13A, 13B. A timing controller 11 for controlling the operation is provided.

표시패널(10)에는 다수의 데이터라인들(14), 이 데이터라인들(14)과 교차되는 스캔라인들(15) 및 에미션라인들(16), 신호라인들(14,15,16)의 교차영역마다 배치되는 화소들(P)이 형성된다. 화소들(P) 각각은 고전위 구동전압(Vdd), 저전위 구동전압(Vss) 및 기준전압(Vref)을 공급받는다. 화소들(P) 각각은 도 4 및 도 10과 같이 한 개의 데이터라인(14), 이웃한 두 개의 스캔라인들(15), 및 한 개의 에미션라인(16)에 접속될 수 있다. 고전위 구동전압(Vdd)은 고전위 구동전압원에 의해 일정한 직류 레벨로 발생된다. 저전위 구동전압(Vss)은 저전위 구동전압원에 의해 일정한 직류 레벨로 발생된다. 기준전압(Vref)은 기준전압원에 의해 일정한 직류 레벨로 발생된다. 기준전압(Vref)은 블랙 계조 전압보다 높고 화이트 계조 전압보다 낮은 전압 레벨로 발생될 수 있다. 화소들(P) 각각은 구동 TFT의 게이트전극에 직접 접속된 초기화 TFT를 포함하여 종래에 비해 초기화 경로를 줄이고, 구동 TFT의 게이트전압을 원하는 시간 내에서 기준 전압(Vref) 또는, 저전위 구동전압(Vss)으로 빠르게 초기화시킨다.The display panel 10 includes a plurality of data lines 14, scan lines 15 and emission lines 16 intersecting the data lines 14, and signal lines 14, 15, and 16. Pixels P are formed at every intersection of the regions. Each of the pixels P is supplied with a high potential driving voltage Vdd, a low potential driving voltage Vss, and a reference voltage Vref. Each of the pixels P may be connected to one data line 14, two adjacent scan lines 15, and one emission line 16 as shown in FIGS. 4 and 10. The high potential drive voltage Vdd is generated at a constant DC level by the high potential drive voltage source. The low potential driving voltage Vss is generated at a constant DC level by the low potential driving voltage source. The reference voltage Vref is generated at a constant DC level by the reference voltage source. The reference voltage Vref may be generated at a voltage level higher than the black gray voltage and lower than the white gray voltage. Each of the pixels P includes an initialization TFT directly connected to the gate electrode of the driving TFT, which reduces the initialization path as compared with the conventional method, and sets the gate voltage of the driving TFT within the desired time period to the reference voltage Vref or the low potential driving voltage. Quickly reset to (Vss).

타이밍 콘트롤러(11)는 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(10)의 해상도에 맞게 정렬하여 데이터 드라이버(12)에 공급한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 드라이버(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 스캔 드라이버(13A)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 제어신호(SDC)와, 에미션 드라이버(13B)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 에미션 제어신호(EDC)를 발생한다. The timing controller 11 aligns digital video data RGB input from the outside to the data driver 12 in alignment with the resolution of the display panel 10. In addition, the timing controller 11 may determine the timing of the data driver 12 based on timing signals such as the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, the dot clock signal DCLK, and the data enable signal DE. Data control signal DDC for controlling the operation timing, scan control signal SDC for controlling the operation timing of the scan driver 13A, and emission control for controlling the operation timing of the emission driver 13B. Generate signal EDC.

데이터 드라이버(12)는 데이터 제어신호(DDC)에 따라 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압(이하, 데이터전압이라 함)으로 변환하여 데이터라인들(14)에 공급한다. The data driver 12 converts the digital video data RGB into an analog data voltage (hereinafter, referred to as a data voltage) according to the data control signal DDC and supplies the same to the data lines 14.

스캔 드라이버(13A)는 스캔 제어신호(SDC)에 따라 스캔신호를 발생하여 스캔라인들(15)에 공급한다. 스캔 드라이버(13A)는 스캔신호를 쉬프트시키기 위한 쉬프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 GIP(Gate Driver IC In Pane) 방식에 따라 표시패널(10) 상에 직접 형성될 수 있다.The scan driver 13A generates a scan signal according to the scan control signal SDC and supplies the scan signal to the scan lines 15. The scan driver 13A includes a shift register for shifting the scan signal. The shift register may be directly formed on the display panel 10 according to a GIP (Gate Driver IC In Pane) method.

에미션 드라이버(13B)는 에미션 제어신호(EDC)에 따라 에미션신호를 발생하여 에미션라인들(16)에 공급한다. 에미션 드라이버(13B)는 에미션신호를 쉬프트시키기 위한 쉬프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 GIP(Gate In Panel) 방식에 따라 표시패널(10) 상에 직접 형성될 수 있다.The emission driver 13B generates an emission signal according to the emission control signal EDC and supplies the emission signal to the emission lines 16. The emission driver 13B includes a shift register for shifting the emission signal. The shift register may be directly formed on the display panel 10 according to a gate in panel (GIP) method.

도 4는 제n 수평 화소라인(n은 양의 정수)에 배치된 화소(P)의 일 예를 나타낸다.4 illustrates an example of a pixel P disposed in an nth horizontal pixel line (n is a positive integer).

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED), 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)의 게이트전극에 직접 접속된 초기화 TFT(Tint), 다수의 스위치 TFT들(ST1~ST5), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 여기서, TFT들(DT,Tint,ST1~ST5)은 모두 P-type MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 구현될 수 있다.Referring to FIG. 4, a pixel P according to an exemplary embodiment of the present invention may include an organic light emitting diode OLED, a driving TFT DT, an initialization TFT directly connected to a gate electrode of the driving TFT DT, A plurality of switch TFTs ST1 to ST5 and a storage capacitor Cst are provided. Here, the TFTs DT, Tint, and ST1 to ST5 may be all implemented as P-type MOSFETs (metal-oxide semiconductor field effect transistors).

유기발광다이오드(OLED)는 고전위 구동전압(Vdd)의 입력단과 저전위 구동전압(Vss)의 입력단 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드전극은 저전위 구동전압(Vss)의 입력단에 접속된다. 유기발광다이오드(OLED)는 도 1과 같은 구조를 가진다.The organic light emitting diode OLED emits light by a driving current flowing between the input terminal of the high potential driving voltage Vdd and the input terminal of the low potential driving voltage Vss. The cathode of the organic light emitting diode OLED is connected to the input terminal of the low potential driving voltage Vss. The organic light emitting diode OLED has a structure as shown in FIG. 1.

구동 TFT(DT)는 고전위 구동전압(Vdd)의 입력단과 유기발광다이오드(OLED) 사이에 접속되며, 제1 노드(N1)의 전위에 따라 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 인가되는 구동 전류량을 제어한다. 구동 TFT(DT)의 게이트전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 소스전극은 고전위 구동전압(Vdd)의 입력단에 접속되며, 드레인전극은 제3 노드(N3)에 접속된다. The driving TFT DT is connected between the input terminal of the high potential driving voltage Vdd and the organic light emitting diode OLED, and is applied to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED according to the potential of the first node N1. Control the amount of current. The gate electrode of the driving TFT DT is connected to the first node N1, the source electrode is connected to the input terminal of the high potential driving voltage Vdd, and the drain electrode is connected to the third node N3.

초기화 TFT(Tint)는 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 따라 제1 노드(N1)에 기준전압(Vref)을 인가하여 구동 TFT(DT)의 게이트전압을 기준전압(Vref)으로 초기화시킨다. 초기화 TFT(Tint)의 게이트전극은 이전단 스캔라인(15n-1)에 접속되고, 소스전극은 기준전압(Vref)의 입력단에 접속되며, 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 초기화 TFT(Tint)는 구동 TFT(DT)의 게이트전극이 접속된 제1 노드(N1)에 직접 접속됨으로써, 종래에 비해 초기화 경로를 줄인다. 초기화 경로가 짧아지면 초기화 경로상의 기생 커패시턴스의 영향이 줄어들기 때문에 구동 TFT(DT)의 게이트전압이 원하는 시간 내에서 기준전압(Vref)으로 빠르게 초기화될 수 있다. 이는 화소의 응답속도 향상과 화질 향상으로 이어진다.The initialization TFT Tint applies the reference voltage Vref to the first node N1 according to the previous stage scan signal SCAN [n-1] to convert the gate voltage of the driving TFT DT into the reference voltage Vref. Initialize The gate electrode of the initialization TFT (Tint) is connected to the previous scan line 15n-1, the source electrode is connected to the input terminal of the reference voltage Vref, and the drain electrode is connected to the first node N1. The initialization TFT Tint is directly connected to the first node N1 to which the gate electrode of the driving TFT DT is connected, thereby reducing the initialization path. When the initialization path is shortened, the influence of parasitic capacitance on the initialization path is reduced, so that the gate voltage of the driving TFT DT can be quickly initialized to the reference voltage Vref within a desired time. This leads to an improvement in pixel response speed and image quality.

제1 스위치 TFT(ST1)는 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 따라 데이터라인(14)과 제2 노드(N2) 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제1 스위치 TFT(ST1)의 게이트전극은 현재단 스캔라인(15n)에 접속되고, 소스전극은 데이터라인(14)에 접속되며, 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속된다.The first switch TFT ST1 switches the current path between the data line 14 and the second node N2 according to the current stage scan signal SCAN [n]. The gate electrode of the first switch TFT ST1 is connected to the current scan line 15n, the source electrode is connected to the data line 14, and the drain electrode is connected to the second node N2.

제2 스위치 TFT(ST2)는 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 따라 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제2 스위치 TFT(ST2)의 게이트전극은 현재단 스캔라인(15n)에 접속되고, 소스전극은 제3 노드(N3)에 접속되며, 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다.The second switch TFT ST2 switches the current path between the first node N1 and the third node N3 according to the present stage scan signal SCAN [n]. The gate electrode of the second switch TFT ST2 is connected to the current scan line 15n, the source electrode is connected to the third node N3, and the drain electrode is connected to the first node N1.

제3 스위치 TFT(ST3)는 현재단 에미션신호(EM[n])에 따라 기준전압(Vref)을 제2 노드(N2)에 인가한다. 제3 스위치 TFT(ST3)의 게이트전극은 현재단 에미션라인(16n)에 접속되고, 소스전극은 기준전압(Vref)의 입력단에 접속되며, 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속된다.The third switch TFT ST3 applies the reference voltage Vref to the second node N2 according to the current emission signal EM [n]. The gate electrode of the third switch TFT ST3 is connected to the current emission line 16n, the source electrode is connected to the input terminal of the reference voltage Vref, and the drain electrode is connected to the second node N2.

제4 스위치 TFT(ST4)는 현재단 에미션신호(EM[n])에 따라 제3 노드(N3)와 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제4 스위치 TFT(ST4)의 게이트전극은 현재단 에미션라인(16n)에 접속되고, 소스전극은 제3 노드(N3)에 접속되며, 드레인전극은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다.The fourth switch TFT ST4 switches the current path between the third node N3 and the anode electrode of the organic light emitting diode OLED according to the current emission signal EM [n]. The gate electrode of the fourth switch TFT ST4 is connected to the emission line 16n at the present stage, the source electrode is connected to the third node N3, and the drain electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. do.

제5 스위치 TFT(ST5)는 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 따라 기준전압(Vref)의 입력단과 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제5 스위치 TFT(ST5)의 게이트전극은 현재단 스캔라인(15n)에 접속되고, 소스전극은 기준전압(Vref)의 입력단에 접속되며, 드레인전극은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다.The fifth switch TFT ST5 switches the current path between the input terminal of the reference voltage Vref and the anode electrode of the organic light emitting diode OLED according to the current stage scan signal SCAN [n]. The gate electrode of the fifth switch TFT ST5 is connected to the current scan line 15n, the source electrode is connected to the input terminal of the reference voltage Vref, and the drain electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. do.

스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 TFT(DT)의 게이트전압을 안정화시킨다.The storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the second node N2. The storage capacitor Cst stabilizes the gate voltage of the driving TFT DT.

도 5는 도 4의 화소에 인가되는 스캔신호들(SCAN[n-1],SCAN[n])과 에미션신호(EM[n])의 파형을 보여준다.FIG. 5 shows waveforms of scan signals SCAN [n-1] and SCAN [n] and emission signal EM [n] applied to the pixel of FIG. 4.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)의 동작은 스캔신호들(SCAN[n-1],SCAN[n])과 에미션신호(EM[n])의 파형에 따라, 초기화 기간(T1), 샘플링 기간(T2), 및 발광 기간(T3)으로 구분되어 설명될 수 있다. 초기화 기간(T1)은 제1 초기화 기간(T1A)과 제2 초기화 기간(T1B)으로 세분화될 수 있다. 도 5에서, 'Td1'과 'Td2'는 과도 기간을 지시한다. 그리고, 도 5에서 'H'는 화소의 TFT를 턴 오프 시킬 수 있는 비 활성화레벨을 지시하고, 'L'은 화소의 TFT를 턴 온 시킬 수 있는 활성화레벨을 지시한다.Referring to FIG. 5, the operation of the pixel P according to an exemplary embodiment of the present invention may be performed on the waveforms of the scan signals SCAN [n-1] and SCAN [n] and the emission signal EM [n]. Accordingly, the description may be divided into the initialization period T1, the sampling period T2, and the light emission period T3. The initialization period T1 may be divided into a first initialization period T1A and a second initialization period T1B. In FIG. 5, 'Td1' and 'Td2' indicate a transient period. In FIG. 5, 'H' indicates an inactivation level capable of turning off the TFT of the pixel, and 'L' indicates an activation level in which the TFT of the pixel is turned on.

이전단 스캔신호(SCAN[n-1])는, 제1 및 제2 초기화 기간(T1A,T1B)에서 활성화 레벨(L)로 발생되고, 샘플링 기간(T2)과 발광 기간(T3)에서 비 활성화 레벨(H)로 발생될 수 있다. 현재단 스캔신호(SCAN[n])는, 샘플링 기간(T2)에서 활성화 레벨(L)로 발생되고, 제1 및 제2 초기화 기간(T1A,T1B)과 발광 기간(T3)에서 비 활성화 레벨(H)로 발생될 수 있다. 그리고, 현재단 에미션신호(EM[n])는, 제1 초기화 기간(T1A)과 발광 기간(T3)에서 활성화 레벨(L)로 발생되고, 제2 초기화 기간(T1B)과 샘플링 기간(T2)에서 비 활성화 레벨(H)로 발생될 수 있다.The previous stage scan signal SCAN [n-1] is generated at the activation level L in the first and second initialization periods T1A and T1B, and is deactivated in the sampling period T2 and the emission period T3. Can be generated at level H. The current stage scan signal SCAN [n] is generated at the activation level L in the sampling period T2, and is deactivated in the first and second initialization periods T1A and T1B and the emission period T3. H). The current emission signal EM [n] is generated at the activation level L in the first initialization period T1A and the light emission period T3, and the second initialization period T1B and the sampling period T2 are generated. ) May be generated at an inactivation level (H).

도 6a 내지 도 6d는 도 5를 통해 구분되는 동작 기간별 화소의 등가회로를 보여준다. 그리고, 도 7은 동작 기간별 제1 노드의 전위 변화를 보여주는 파형도이다. 도 5 내지 도 7을 결부하여 각 동작 기간에서의 화소의 구체적인 동작을 설명하면 다음과 같다.6A to 6D show an equivalent circuit of pixels for each operation period divided through FIG. 5. 7 is a waveform diagram illustrating a change in potential of the first node for each operation period. 5 to 7, the detailed operation of the pixel in each operation period is as follows.

도 6a를 참조하면, 제1 초기화 기간(T1A)동안, 활성화 레벨(L)의 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 응답하여 초기화 TFT(Tint)가 턴 온 되고, 비 활성화 레벨(H)의 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 응답하여 제1, 제2 및 제5 스위치 TFT(ST1,ST2,ST5)가 턴 오프 되며, 활성화 레벨(L)의 현재단 에미션신호(EM[n])에 응답하여 제3 및 제4 스위치 TFT(ST3,ST4)가 턴 온 된다.Referring to FIG. 6A, during the first initialization period T1A, the initialization TFT Tint is turned on in response to the scan signal SCAN [n-1] preceding the activation level L, and the inactivation level ( In response to the current stage scan signal SCAN [n] of H), the first, second and fifth switch TFTs ST1, ST2, and ST5 are turned off, and the current stage emission signal of the activation level L In response to EM [n]), the third and fourth switch TFTs ST3 and ST4 are turned on.

그 결과, 제1 초기화 기간(T1A)동안, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 기준전압(Vref)으로 변동된다. 이때, 커패시터(Cst)를 통해 제1 노드(N1)에 접속되는 제2 노드(N2)에도 기준전압(Vref)이 인가되기 때문에, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 보다 빠르게 기준전압(Vref)으로 변동된다. As a result, during the first initialization period T1A, the potential VN1 of the first node N1 is changed to the reference voltage Vref. At this time, since the reference voltage Vref is also applied to the second node N2 connected to the first node N1 through the capacitor Cst, the potential VN1 of the first node N1 becomes faster than the reference voltage. Is changed to (Vref).

도 6b를 참조하면, 제2 초기화 기간(T1B)동안, 활성화 레벨(L)의 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 응답하여 초기화 TFT(Tint)가 턴 온 되고, 비 활성화 레벨(H)의 현재단 스캔신호(SCAN[n]) 및 현재단 에미션신호(EM[n])에 응답하여 제1 내지 제5 스위치 TFT(ST1~ST5)가 모두 턴 오프 된다.Referring to FIG. 6B, during the second initialization period T1B, the initialization TFT Tint is turned on in response to the previous scan signal SCAN [n-1] of the activation level L, and the inactivation level ( The first to fifth switch TFTs ST1 to ST5 are all turned off in response to the current stage scan signal SCAN [n] and the current stage emission signal EM [n].

그 결과, 제2 초기화 기간(T1B)동안, 제2 노드(N2)는 플로팅되고 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 초기화 레벨인 기준전압(Vref)을 유지한다.As a result, during the second initialization period T1B, the second node N2 is floated and the potential VN1 of the first node N1 maintains the reference voltage Vref at the initialization level.

도 6c를 참조하면, 샘플링 기간(T2) 동안, 비 활성화 레벨(H)의 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 응답하여 초기화 TFT(Tint)가 턴 오프 되고, 활성화 레벨(L)의 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 응답하여 제1, 제2 및 제5 스위치 TFT(ST1,ST2,ST5)가 턴 온 되며, 비 활성화 레벨(H)의 현재단 에미션신호(EM[n])에 응답하여 제3 및 제4 스위치 TFT(ST3,ST4)가 턴 오프 된다.Referring to FIG. 6C, during the sampling period T2, the initialization TFT Tint is turned off in response to the previous scan signal SCAN [n−1] of the inactivation level H, and the activation level L is turned on. The first, second and fifth switch TFTs ST1, ST2, and ST5 are turned on in response to the current stage scan signal SCAN [n] of the current stage, and the current emission signal EM of the deactivation level H is turned on. In response to [n]), the third and fourth switch TFTs ST3 and ST4 are turned off.

그 결과, 샘플동안, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 구동 TFT(DT)의 다이오드 커넥션(구동 TFT(DT)의 게이트전극과 드레인전극이 쇼트, 또는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3)의 쇼트)에 의해 고전위 구동전압(Vdd)에서 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 제1 연산값(Vdd-Vth)으로 샘플링된다. 이와 동시에, 제2 노드(N2)의 전위는 데이터전압(Vdata)으로 프로그래밍된다. As a result, during the sample, the potential VN1 of the first node N1 is shorted by the diode connection of the driving TFT DT (the gate electrode and the drain electrode of the driving TFT DT are shorted, or the first node N1 and the first node N1). The sample is sampled by the first operation value Vdd-Vth minus the threshold voltage Vth of the driving TFT DT by the high potential driving voltage Vdd by the short of the three nodes N3). At the same time, the potential of the second node N2 is programmed to the data voltage Vdata.

샘플링 기간(T2)에서, 샘플링된 제1 연산값(Vdd-Vth)은 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 제1 노드(N1)에 유지되고, 프로그래밍 된 데이터전압(Vdata)은 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 제2 노드(N2)에 유지된다.In the sampling period T2, the sampled first operation value Vdd-Vth is maintained at the first node N1 by the storage capacitor Cst, and the programmed data voltage Vdata is stored in the storage capacitor Cst. By the second node N2.

도 6d를 참조하면, 발광 기간(T3) 동안, 비 활성화 레벨(H)의 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 응답하여 초기화 TFT(Tint)가 턴 오프 되고, 비 활성화 레벨(H)의 현재단 스캔신호(SCAN[n])에 응답하여 제1, 제2 및 제5 스위치 TFT(ST1,ST2,ST5)가 턴 오프 되며, 활성화 레벨(L)의 현재단 에미션신호(EM[n])에 응답하여 제3 및 제4 스위치 TFT(ST3,ST4)가 턴 온 된다.Referring to FIG. 6D, during the light emission period T3, the initialization TFT Tint is turned off in response to the previous scan signal SCAN [n−1] of the inactivation level H, and the inactivation level H The first, second, and fifth switch TFTs ST1, ST2, and ST5 are turned off in response to the current stage scan signal SCAN [n] and the current stage emission signal EM of the activation level L is turned off. In response to [n]), the third and fourth switch TFTs ST3 and ST4 are turned on.

그 결과, 제2 노드(N2)의 전위는 직전에 유지되어 있던 데이터전압(Vdata)에서 기준전압(Vref)으로 변동된다. 그리고, 이 변동분에 해당되는 제2 연산값(Vdata-Vref) 즉, 데이터전압(Vdata)에서 기준전압(Vref)을 뺀 값이 제1 노드(N1)의 전위(VN1)에 반영된다. 이에 따라, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 제1 연산값(Vdd-Vth)에서 제2 연산값(Vdata-Vref)을 뺀 보상값{(Vdd-Vth)-(Vdata-Vref)}으로 셋팅된다.As a result, the potential of the second node N2 is changed from the data voltage Vdata held just before to the reference voltage Vref. The second operation value Vdata-Vref corresponding to this variation, that is, the value obtained by subtracting the reference voltage Vref from the data voltage Vdata, is reflected in the potential VN1 of the first node N1. Accordingly, the potential VN1 of the first node N1 is a compensation value {(Vdd-Vth)-(Vdata-Vref) obtained by subtracting the second calculation value Vdata-Vref from the first calculation value Vdd-Vth. Is set to}.

제1 노드(N1)의 전위(VN1)가 보상값{(Vdd-Vth)-(Vdata-Vref)}으로 셋팅되고, 제4 스위치 TFT(ST4)가 턴 온 되므로, 유기발광다이오드(OLED)에는 아래의 수학식 1의 (C)와 같이 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)에 영향받지 않는 구동전류(Ioled)가 흐른다.Since the potential VN1 of the first node N1 is set to the compensation value {(Vdd-Vth)-(Vdata-Vref)} and the fourth switch TFT ST4 is turned on, the organic light emitting diode OLED As shown in Equation (1) below, a driving current Ioled flows that is not affected by the threshold voltage Vth of the driving TFT DT.

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서, 'μ'는 구동 TFT(DT)의 이동도를, 'Cox'는 구동 TFT(DT)의 기생용량을, 'W'는 구동 TFT(DT)의 채널폭을, 'L'은 구동 TFT(DT)의 채널길이를, 'Vgs'는 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압차를, 'Vth'는 구동 TFT(DT)의 문턱전압을, 'Vdd'는 고전위 구동전압을, 'Vdata'는 데이터전압을, 'Vref'는 기준전압을 각각 나타낸다.Where 'μ' is the mobility of the driving TFT DT, 'Cox' is the parasitic capacitance of the driving TFT DT, 'W' is the channel width of the driving TFT DT, and 'L' is the driving TFT. The channel length of (DT), 'Vgs' is the gate-source voltage difference of the driving TFT (DT), 'Vth' is the threshold voltage of the driving TFT (DT), 'Vdd' is the high potential driving voltage, 'Vdata' represents a data voltage and 'Vref' represents a reference voltage.

도 8은 표시 영상이 블랙 계조에서 화이트 계조로 변경될 경우에 있어 유기발광다이오드에 인가되는 전류 변화에 대한 시뮬레이션한 결과를 종래와 비교하여 보여준다. 도 8에서, 가로축은 시간을, 세로축은 구동전류를 각각 나타낸다. 도 9는 도 8을 기반으로 블랙 계조-화이트 계조 간 응답속도를 종래와 비교하여 보여준다.FIG. 8 shows a simulation result of a change in current applied to an organic light emitting diode when the display image is changed from black gray to white gray as compared with the related art. In Fig. 8, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents driving current, respectively. FIG. 9 shows the response speed between black and white gray levels in comparison with the related art based on FIG. 8.

종래 기술에 의하면, 초기화 경로가 길기 때문에 구동 TFT의 게이트전압이 기생 커패시턴스의 영향으로 인해 충분히 초기화되지 못하여 그레이 대 그레이의 응답속도가 저하되었다. 종래 기술에 의하면 도 8과 같이 표시 영상이 블랙 계조에서 화이트 계조로 변경될 경우, 90%의 화이트 계조까지 도달하는 시간(응답시간)이 도 9에 도시된 바와 같이 대략 1.45 프레임 정도로 매우 길다.According to the prior art, since the initialization path is long, the gate voltage of the driving TFT is not sufficiently initialized due to the influence of parasitic capacitance, so that the response speed of gray to gray is reduced. According to the related art, when the display image is changed from black gray to white gray as shown in FIG. 8, the time (response time) to reach 90% of the white gray is very long as about 1.45 frames as shown in FIG. 9.

반면, 본 발명은 초기화 TFT를 구동 TFT의 게이트전극에 직접 접속시킴으로써 종래에 비해 초기화 경로를 줄이고, 초기화 경로상의 기생 커패시턴스의 영향을 최대한 배제하여 구동 TFT의 게이트전압을 원하는 시간 내에서 기준전압으로 빠르게 초기화한다. 본 발명에 의하면 그레이 대 그레이의 응답속도가 향상되어 표시 품위가 높아진다. 본 발명에 의하면 도 8과 같이 표시 영상이 블랙 계조에서 화이트 계조로 변경될 경우, 90%의 화이트 계조까지 도달하는 시간(응답시간)이 도 9에 도시된 바와 같이 대략 0.75 프레임 정도로 매우 짧다.On the other hand, the present invention reduces the initialization path compared to the conventional method by directly connecting the initialization TFT to the gate electrode of the driving TFT, and quickly removes the influence of parasitic capacitance on the initialization path, so that the gate voltage of the driving TFT is rapidly increased to the reference voltage within a desired time. Initialize According to the present invention, the response speed of gray to gray is improved to increase the display quality. According to the present invention, when the display image is changed from black gradation to white gradation as shown in FIG. 8, the time (response time) to reach 90% of white gradation is very short as about 0.75 frames as shown in FIG.

도 10은 제n 수평 화소라인(n은 양의 정수)에 배치된 화소(P)의 다른 예를 나타낸다. 도 10의 화소(P)는 도 4의 화소(P)와 비교하여 초기화 TFT(Tint)의 접속 구성만이 다르고, 나머지(접속구성, 동작 등)는 실질적으로 동일하다.10 shows another example of the pixel P disposed in the nth horizontal pixel line (n is a positive integer). As compared with the pixel P of FIG. 4, the pixel P of FIG. 10 differs only in the connection configuration of the initialization TFT Tint, and the rest (connection configuration, operation, etc.) is substantially the same.

도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED), 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)의 게이트전극에 직접 접속된 초기화 TFT(Tint), 다수의 스위치 TFT들(ST1~ST5), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. Referring to FIG. 10, a pixel P according to another embodiment of the present invention may include an organic light emitting diode OLED, a driving TFT DT, an initialization TFT directly connected to a gate electrode of the driving TFT DT, A plurality of switch TFTs ST1 to ST5 and a storage capacitor Cst are provided.

초기화 TFT(Tint)는 이전단 스캔신호(SCAN[n-1])에 따라 제1 노드(N1)에 저전위 구동전압(Vss)을 인가하여 구동 TFT(DT)의 게이트전압을 저전위 구동전압(Vss)으로 초기화시킨다. 초기화 TFT(Tint)의 게이트전극은 이전단 스캔라인(15n-1)에 접속되고, 소스전극은 저전위 구동전압(Vss)의 입력단에 접속되며, 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 초기화 TFT(Tint)는 구동 TFT(DT)의 게이트전극이 접속된 제1 노드(N1)에 직접 접속됨으로써, 종래에 비해 초기화 경로를 줄인다. 초기화 경로가 짧아지면 초기화 경로상의 기생 커패시턴스의 영향이 줄어들기 때문에 구동 TFT(DT)의 게이트전압이 원하는 시간 내에서 저전위 구동전압(Vss)으로 빠르게 초기화될 수 있다. 이는 화소의 응답속도 향상과 화질 향상으로 이어진다.The initialization TFT Tint applies the low potential driving voltage Vss to the first node N1 according to the previous stage scan signal SCAN [n-1] to convert the gate voltage of the driving TFT DT into the low potential driving voltage. Initialize to (Vss). The gate electrode of the initialization TFT (Tint) is connected to the previous scan line 15n-1, the source electrode is connected to the input terminal of the low potential driving voltage Vss, and the drain electrode is connected to the first node N1. . The initialization TFT Tint is directly connected to the first node N1 to which the gate electrode of the driving TFT DT is connected, thereby reducing the initialization path. When the initialization path is shortened, the influence of parasitic capacitance on the initialization path is reduced, so that the gate voltage of the driving TFT DT can be quickly initialized to the low potential driving voltage Vss within a desired time. This leads to an improvement in pixel response speed and image quality.

유기발광다이오드(OLED), 구동 TFT(DT), 다수의 스위치 TFT들(ST1~ST5), 및 스토리지 커패시터(Cst)의 접속 구성 및 동작은 도 4와 실질적으로 동일하다.
The connection configuration and operation of the organic light emitting diode OLED, the driving TFT DT, the plurality of switch TFTs ST1 to ST5, and the storage capacitor Cst are substantially the same as in FIG. 4.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 화소마다 구동 TFT의 게이트전극에 직접 접속된 초기화 TFT를 포함하여 구동 TFT의 초기화 경로를 줄임으로써, 화소의 응답속도를 높이고 표시 영상을 화질을 향상시킬 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display according to the present invention includes an initialization TFT directly connected to the gate electrode of the driving TFT for each pixel, thereby reducing the initialization path of the driving TFT, thereby increasing the response speed of the pixel and improving the display image quality. Can improve.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에서는 TFT가 P 타입 MOSFET으로 구현되는 경우만을 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고 N 타입 MOSFET에도 적용될 수 있음은 물론이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. For example, in the embodiment of the present invention, only the case where the TFT is implemented as a P-type MOSFET has been described, but the technical idea of the present invention is not limited thereto, and it can be applied to the N-type MOSFET. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 드라이버 13A : 스캔 드라이버
13B : 에미션 드라이버 14 : 데이터라인
15 : 게이트라인 16 : 에미션라인
10: Display panel 11: Timing controller
12: data driver 13A: scan driver
13B: Emission Driver 14: Data Line
15 gate line 16 emission line

Claims (7)

고전위 구동전압의 입력단과 저전위 구동전압의 입력단 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광하는 유기발광다이오드;
상기 고전위 구동전압의 입력단과 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되며, 제1 노드에 인가되는 게이트전압에 따라 상기 유기발광다이오드에 인가되는 구동 전류량을 제어하는 구동 TFT; 및
이전단 스캔신호에 따라 상기 제1 노드에 초기화전압을 인가하여 상기 구동 TFT의 게이트전압을 초기화시키는 초기화 TFT를 구비하고;
상기 초기화 TFT는 상기 제1 노드에 직접 접속되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
An organic light emitting diode emitting light by a driving current flowing between an input terminal of a high potential driving voltage and an input terminal of a low potential driving voltage;
A driving TFT connected between the input terminal of the high potential driving voltage and the organic light emitting diode and controlling an amount of driving current applied to the organic light emitting diode according to a gate voltage applied to the first node; And
An initialization TFT for initializing a gate voltage of the driving TFT by applying an initialization voltage to the first node according to a previous scan signal;
And the initialization TFT is directly connected to the first node.
제 1 항에 있어서,
상기 초기화전압은 기준전압 및 상기 저전위 구동전압 중 어느 하나로 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
And the initialization voltage is selected from one of a reference voltage and the low potential driving voltage.
제 2 항에 있어서,
상기 초기화 TFT는,
상기 이전단 스캔신호가 인가되는 이전단 스캔라인에 접속된 게이트전극;
상기 기준전압의 입력단에 접속된 소스전극; 및
상기 제1 노드에 직접 접속된 드레인전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 2,
The initialization TFT,
A gate electrode connected to a previous scan line to which the previous scan signal is applied;
A source electrode connected to the input terminal of the reference voltage; And
And a drain electrode directly connected to the first node.
제 2 항에 있어서,
상기 초기화 TFT는,
상기 이전단 스캔신호가 인가되는 이전단 스캔라인에 접속된 게이트전극;
상기 저전위 구동전압의 입력단에 접속된 소스전극; 및
상기 제1 노드에 직접 접속된 드레인전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 2,
The initialization TFT,
A gate electrode connected to a previous scan line to which the previous scan signal is applied;
A source electrode connected to the input terminal of the low potential driving voltage; And
And a drain electrode directly connected to the first node.
제 2 항에 있어서,
현재단 스캔신호에 따라 데이터라인과 제2 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제1 스위치 TFT;
상기 현재단 스캔신호에 따라 상기 구동 TFT의 드레인전극에 접속된 제3 노드와 상기 제1 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제2 스위치 TFT;
현재단 에미션신호에 따라 상기 기준전압을 상기 제2 노드에 인가하는 제3 스위치 TFT;
상기 현재단 에미션신호에 따라 상기 제3 노드와 상기 유기발광다이오드의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제4 스위치 TFT;
상기 현재단 스캔신호에 따라 상기 기준전압의 입력단과 상기 유기발광다이오드의 애노드전극 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제5 스위치 TFT; 및
상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 2,
A first switch TFT for switching a current path between the data line and the second node according to the current stage scan signal;
A second switch TFT switching a current path between a third node connected to the drain electrode of the driving TFT and the first node according to the current stage scan signal;
A third switch TFT for applying the reference voltage to the second node according to a current emission signal;
A fourth switch TFT for switching a current path between the third node and the anode electrode of the organic light emitting diode according to the current stage emission signal;
A fifth switch TFT for switching a current path between an input terminal of the reference voltage and an anode electrode of the organic light emitting diode according to the current stage scan signal; And
And a storage capacitor connected between the first node and the second node.
제 5 항에 있어서,
상기 이전단 스캔신호, 상기 현재단 스캔신호, 및 상기 현재단 에미션신호에 의해, 각각의 프레임은, 제1 초기화 기간, 상기 제1 초기화 기간에 이은 제2 초기화 기간, 상기 제2 초기화 기간에 이은 샘플링 기간, 및 상기 샘플링 기간에 이은 발광 기간으로 구분되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 5, wherein
According to the previous stage scan signal, the current stage scan signal, and the current stage emission signal, each frame includes a first initialization period, a second initialization period following the first initialization period, and the second initialization period. And a sampling period and a light emission period subsequent to the sampling period.
제 6 항에 있어서,
상기 이전단 스캔신호는, 상기 제1 및 제2 초기화 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 샘플링 기간과 상기 발광 기간에서 비 활성화 레벨로 발생되며;
상기 현재단 스캔신호는, 상기 샘플링 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 제1 및 제2 초기화 기간과 상기 발광 기간에서 비 활성화 레벨로 발생되며;
상기 현재단 에미션신호는, 상기 제1 초기화 기간과 상기 발광 기간에서 활성화 레벨로 발생되고, 상기 제2 초기화 기간과 상기 샘플링 기간에서 비 활성화 레벨로 발생되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 6,
The previous stage scan signal is generated at an activation level in the first and second initialization periods and is generated at an inactivation level in the sampling period and the emission period;
The current stage scan signal is generated at an activation level in the sampling period and is generated at an inactivation level in the first and second initialization periods and the emission period;
And the current emission signal is generated at an activation level in the first initialization period and the light emission period, and is generated at an inactivation level in the second initialization period and the sampling period.
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