KR101920327B1 - Substrate Thermal Processing Apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판이 위치하는 내부 공간을 구비하는 공정 챔버 및 상기 공정 챔버에 직접 접촉되는 냉각 프레임의 내부를 흐르는 냉매를 이용하여 상기 공정 챔버를 냉각시키는 냉각 모듈을 포함하는 기판 열처리 장치를 개시한다.
따라서, 본 발명의 기판 열처리 장치는 공정 챔버의 내측면에 결합되는 냉각 모듈의 내부에 냉매가 흐르도록 함으로써 공정 챔버의 냉각시에 공정 챔버를 효율적으로 냉각시킬 수 있는 효과가 있다.The present invention discloses a substrate heat treatment apparatus comprising a process chamber having an internal space in which a substrate is located and a cooling module for cooling the process chamber using a coolant flowing in a cooling frame in direct contact with the process chamber.
Therefore, the substrate heat treatment apparatus of the present invention has an effect of allowing the cooling chamber to be efficiently cooled by cooling the process chamber by allowing the coolant to flow into the cooling module coupled to the inner surface of the process chamber.
Description
본 발명은 기판 열처리 장치에 관한 것으로서, 공정 챔버의 내부 온도를 효율적으로 제어할 수 있는 기판 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus, and more particularly, to a substrate heat treatment apparatus capable of efficiently controlling the internal temperature of the process chamber.
일반적으로 평판 디스플레이 패널에 사용되는 유리 기판과 같은 기판은 기판 열처리 장치에서 무기물, 유기물 및/또는 반도체 소자의 형성을 위한 다양한 열처리 공정을 거친다.In general, substrates such as glass substrates used in flat panel display panels are subjected to various heat treatment processes for the formation of inorganic, organic and / or semiconductor devices in a substrate heat treatment apparatus.
기판을 열처리하는 기판 열처리 장치는 일반적으로 공정 챔버와 기판 지지 모듈 및 히터 모듈을 포함하여 형성된다. 상기 공정 챔버는 내부가 중공이며 내부에 기판 지지부가 위치한다. 상기 기판 열처리 장치는 공정 챔버에 공정 가스를 급기하는 급기관 및 공정 가스를 외부로 배기하는 배기관을 포함한다. 상기 기판 지지 모듈은 수평 방향으로 연장되는 지지바를 포함하여 형성된다. 상기 지지바는 상면에 안착되는 기판을 지지한다. 상기 히터 모듈은 평판 히터로 형성되며, 공정 챔버의 내측면에 형성되거나 기판이 스택되는 내부 영역에 상하 방향으로 이격되어 위치한다.A substrate heat treating apparatus for heat treating a substrate is generally formed including a process chamber, a substrate supporting module, and a heater module. The process chamber is hollow inside and the substrate support is positioned therein. The substrate heat treatment apparatus includes a feed pipe for feeding process gas to the process chamber and an exhaust pipe for exhausting the process gas to the outside. The substrate support module includes a support bar extending in a horizontal direction. The support bar supports a substrate that is seated on the upper surface. The heater module is formed of a flat plate heater, and is disposed on the inner surface of the process chamber or vertically spaced from the inner area where the substrate is stacked.
상기 기판 열처리 장치는 기판에 대한 열처리 공정의 완료 후에 기판을 반출하기 위하여 공정 챔버의 내부 온도가 일정 온도 이하로 냉각되는 것이 필요하다. 그러나, 상기 공정 챔버는 금속 재질에 의한 구조물로 형성되어 상대적으로 많은 잠열을 가지고 있으므로 냉각에 시간이 많이 소요되는 측면이 있다. 특히, 상기 공정 챔버는 상대적으로 상부가 온도가 높은 상태이므로 상부면과 측부면의 상부 영역에 대한 효율적인 냉각이 이루어지지 않아 냉각 시간이 많이 소요되는 측면이 있다.The substrate heat treatment apparatus needs to cool down the internal temperature of the process chamber to a predetermined temperature or less in order to carry out the substrate after completion of the heat treatment process for the substrate. However, since the process chamber is formed of a structure made of a metal material and has a relatively large latent heat, it takes much time to cool the process chamber. Particularly, since the upper portion of the process chamber has a relatively high temperature, the upper portion and the upper portion of the side surface are not effectively cooled, and thus the cooling time is long.
또한, 상기 기판 열처리 장치는 열처리 공정의 준비를 위하여 공정 챔버의 내부 온도를 일정한 기준 온도로 상승시키는 것이 필요하다. 그러나, 상기 공정 챔버는 상부면과 측부면의 상부 영역의 온도가 상대적으로 높아지게 되어 내부 온도를 전체적으로 균일하고 안정적으로 제어하는 것이 어려운 측면이 있다.In addition, in order to prepare the heat treatment process, the substrate heat treatment apparatus needs to raise the internal temperature of the process chamber to a predetermined reference temperature. However, in the process chamber, the temperature of the upper region and the upper region of the side surface become relatively higher, which makes it difficult to uniformly and stably control the internal temperature as a whole.
본 발명은 공정 챔버의 내부 온도를 효율적으로 제어할 수 있는 열처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of efficiently controlling the internal temperature of a process chamber.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치는 기판이 위치하는 내부 공간을 구비하는 공정 챔버 및 상기 공정 챔버에 직접 접촉되며, 내부에 냉매를 이용하여 상기 공정 챔버를 냉각시키는 냉각 모듈을 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber having an internal space in which a substrate is placed and a cooling module that is in direct contact with the process chamber and cools the process chamber using a coolant therein .
또한, 상기 냉각 모듈은 내부에 상기 냉매가 흐르는 냉각 통로를 구비하며, 상기 공정 챔버의 상부와 하부 및 측부의 내측면 또는 외측면에 접촉하는 냉각 프레임을 포함할 수 있다.In addition, the cooling module may include a cooling frame having a cooling passage through which the refrigerant flows, and a cooling frame contacting the inner or outer surfaces of the upper, lower, and side portions of the process chamber.
또한, 상기 냉각 프레임은 상기 공정 챔버의 일측에서 타측으로 연장되며, 복수 개가 상기 공정 챔버의 전후 방향 또는 상하 방향으로 이격되어 결합될 수 있다.Further, the cooling frame may extend from one side of the process chamber to the other side, and a plurality of the cooling frames may be separated from each other in the front-rear direction or the vertical direction of the process chamber.
또한, 상기 냉매는 불활성 가스 또는 공정 가스를 포함하는 냉각 가스이며,Further, the refrigerant is a cooling gas containing an inert gas or a process gas,
상기 냉각 프레임은 양측면에서 상기 냉각 통로로 관통되어 형성되며 상기 냉각 가스를 상기 공정 챔버의 내측부로 분사하는 냉매 분사구를 더 포함할 수 있다.The cooling frame may further include a coolant injection hole formed on both sides of the coolant passage so as to inject the coolant gas into an inner side of the process chamber.
또한, 상기 냉각 모듈은 전후 방향으로 연장되며, 일측에서 타측으로 이격되면서 상기 상부 냉각 프레임 사이에 결합되는 연결 프레임을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 연결 프레임에서 상기 공정 챔버의 일측단과 타측단에 위치하는 상기 연결 프레임은 내부가 중공인 파이프로 형성되며, 내부가 상기 냉각 프레임의 냉각 통로와 연결되도록 형성될 수 있다.The cooling module may further include a connection frame extending in the front-rear direction and being coupled between the upper cooling frames while being separated from the other side. In addition, in the connection frame, the connection frame located at one end and the other end of the process chamber may be formed of a hollow hollow pipe, and the inside may be connected to the cooling passage of the cooling frame.
또한, 상기 냉매는 공정 냉각수일 수 있다.Further, the refrigerant may be a process cooling water.
또한, 상기 공정 챔버와 상기 냉각 프레임은 일체로 형성될 수 있다.Further, the process chamber and the cooling frame may be integrally formed.
본 발명의 기판 열처리 장치는 공정 챔버의 내측면 또는 외측면에 접촉되어 결합되는 냉각 모듈의 내부에 냉매가 흐르도록 함으로써 열처리 공정후에 공정 챔버를 냉각하는 과정에서 공정 챔버를 효율적이고 신속하게 냉각시킬 수 있는 효과가 있다.The substrate heat treatment apparatus of the present invention can cool the process chamber efficiently and rapidly during the process of cooling the process chamber after the heat treatment process by allowing the coolant to flow inside the cooling module which is in contact with the inner or outer surface of the process chamber There is an effect.
또한, 본 발명의 기판 열처리 장치는 공정 챔버의 내측면 또는 외측면에 접촉되어 결합되는 냉각 모듈을 통하여 공정 챔버의 내부로 냉매를 분사함으로써 열처리 공정후에 공정 챔버를 냉각하는 과정에서 공정 챔버를 더 효율적이고 신속하게 냉각시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the substrate heat treatment apparatus of the present invention can more efficiently process the process chamber in the process of cooling the process chamber after the heat treatment process by injecting the coolant into the process chamber through the cooling module in contact with the inner or outer surface of the process chamber And there is an effect that the cooling can be performed quickly.
또한, 본 발명의 기판 열처리 장치는 냉각 모듈을 이용하여 공정 챔버의 상부면을 포함하는 영역을 선택적으로 냉각시킴으로써 기판의 열처리 공정을 위한 승온시에 공정 챔버의 상부 온도가 과다 상승하여 공정 챔버의 내부 온도가 기준 온도보다 상승하는 것을 최소화시키고 안정적인 연속 공정을 진행할 수 있도록 하는 효과가 있다.In addition, the substrate heat treatment apparatus of the present invention uses a cooling module to selectively cool an area including the upper surface of the process chamber, so that the temperature of the upper part of the process chamber rises excessively during the temperature increase for the heat treatment process of the substrate, It is possible to minimize the rise of the temperature from the reference temperature and to carry out a stable continuous process.
또한, 본 발명의 기판 열처리 장치는 공정 챔버의 상부면을 포함하는 영역을 선택적으로 냉각시킴으로써 공정 챔버의 상부와 하부의 온도 차이를 감소시키는 효과가 있다.The substrate heat treatment apparatus of the present invention also has the effect of reducing the temperature difference between the top and bottom of the process chamber by selectively cooling the region including the top surface of the process chamber.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 수직 단면도이다.
도 2는 도 1의 A-A에 대한 수평 단면도이다.
도 3은 도 1의 B-B에 대한 수평 단면도이다.1 is a vertical sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a horizontal cross-sectional view of AA of FIG.
3 is a horizontal cross-sectional view of BB of Fig.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 대하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a substrate heat treatment apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 대하여 설명한다.First, a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 수직 단면도이다. 도 2는 도 1의 A-A에 대한 수평 단면도이다. 도 3은 도 1의 B-B에 대한 수평 단면도이다.1 is a vertical sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a horizontal sectional view taken along line A-A in Fig. 3 is a horizontal sectional view taken along line B-B in Fig.
본 발명에 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치는, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 공정 챔버(100)와 냉각 모듈(200) 및 기판 지지 모듈(300)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 기판 열처리 장치는 히팅 모듈(미도시)을 더 포함하여 형성될 수 있다.1 to 3, a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention includes a
상기 기판 열처리 장치는 액정 표시 장치(LCD), 유기발광 표시 장치(OLED)와 같은 평판 디스플레이 장치에 사용되는 유리 기판, 플렉서블 기판과 같은 기판(10)의 열처리에 사용된다. 또한, 상기 기판 열처리 장치(100)는 태양 전지에 사용되는 기판(10)의 열처리에도 사용될 수 있다.The substrate heat treatment apparatus is used for heat treatment of a
상기 기판 열처리 장치는 내부에 냉매가 흐르는 냉각 모듈(200)을 공정 챔버(100)의 내측면 또는 외측면에 접촉시켜 상대적으로 잠열이 많은 공정 챔버(100)를 냉각시킴으로써 공정 챔버(100)의 내부 온도가 보다 효율적으로 낮아지도록 한다. The substrate heating apparatus includes a
또한, 상기 기판 열처리 장치는 공정 챔버(100)의 상부에 위치하는 냉각 모듈(200)을 이용하여 공정 챔버(100)의 상부 영역을 선택적으로 냉각함으로써 기판(10)의 열처리를 위한 승온시에 공정 챔버(100)의 상부와 하부의 온도 차이를 감소시키면서 승온할 수 있도록 한다.The substrate heat treatment apparatus may further include a
이하의 설명에서 내측은 공정 챔버(100)의 내부 방향을 의미하며, 외측은 공정 챔버(100)의 외부 방향을 의미한다. 또한, 일측은 도 1을 기준으로 좌측 방향을 의미하며, 타측은 우측 방향을 의미한다.In the following description, the inside refers to the inside direction of the
상기 공정 챔버(100)는 내부가 중공인 육면체 형상을 이루도록 형성된다. 상기 공정 챔버(100)는 상부면(101)과 하부면(102)과 좌측면(103)과 우측면(104)과 전측면(105) 및 후측면(106)을 구비하여 형성될 수 있다. 상기 공정 챔버(100)는 내부에 기판(10)이 장입되어 열처리되는 내부 공간(100a)을 제공한다. 상기 공정 챔버(100)는 단일 챔버로 형성되거나, 외부 하우징과 내부 하우징을 구비하는 이중 챔버로 형성될 수 있다. 상기 공정 챔버(100)는 내열성과 기계적 강도 및 내부식성이 있는 스테인레스 스틸과 같은 금속 재질로 형성된다. 한편, 상기 공정 챔버(100)는 기판(10)을 열처리하는 열처리 장치에 사용되는 다양한 구조의 공정 챔버(100)로 형성될 수 있다. The
상기 공정 챔버(100)는 단일 챔버로 형성되는 경우에 내측면 또는 기판(10) 사이에 평판 히터(미도시)가 장착될 수 있다. 또한, 상기 공정 챔버(100)는 이중 챔버로 형성되는 외부 하우징과 내부 하우징 사이에 통상의 열처리를 위한 가열 히터(미도시)가 장착될 수 있다.The
상기 공정 챔버(100)는 내부 공간(100a)으로 공정 가스를 공급하는 다수의 급기관(110) 및 내부 공간(100a)으로부터 공정 가스를 배기하는 배기관(120)을 구비한다. 상기 급기관(110)은 공정 챔버(100)의 일측에 형성되어 공정 가스를 공정 챔버(100)의 내부 공간(100a)으로 공급한다. 상기 배기관(120)은 공정 챔버(100)의 타측에 형성되어 공정 가스를 공정 챔버(100)의 내부 공간(100a)으로부터 외부로 배출한다. 한편, 상기 공정 챔버(100)의 타측에 위치하는 배기관(120)은 급기관으로 작용하며, 기판(10)을 지지하는 기판 지지 모듈(300)이 배기 작용을 하도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 기판 열처리 장치는 기판 지지 모듈(300)에서 공정 가스를 공급하고, 공정 챔버(100)의 급기관(110)과 배기관(120)이 모두 공정 가스를 배출하는 배기관으로 작용하도록 형성될 수 있다. The
상기 공정 챔버(100)는 전측에 기판(10)이 반입 및 반출되는 별도의 기판 입출구가 형성된다. 상기 기판 입출구는 폭이 내부에 반입되는 기판(10)의 폭보다 큰 폭으로 형성되며, 높이가 기판(10)의 적층되는 높이보다 높게 형성된다. 상기 기판 입출구는 별도의 셔터(미도시)에 의하여 밀폐된다. In the
상기 냉각 모듈(200)은 상부 냉각 프레임(210) 및 측부 냉각 프레임(230)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 냉각 모듈(200)은 상부 연결 프레임(220)과 측부 연결 프레임(240)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 냉각 모듈(200)은 상부 냉각 프레임(210)과 동일 또는 유사한 형상으로 형성되어 공정 챔버(100)의 하부에 위치하는 하부 냉각 프레임(250)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 하부 냉각 프레임(250)에 대하여는 구체적인 설명을 생략한다. 상기 냉각 모듈(200)을 구성하는 상부 냉각 프레임(210)과 측부 냉각 프레임(230) 및 하부 냉각 프레임(250)의 구분이 필요없는 경우에는 냉각 프레임으로 언급한다. 또한, 상기 냉각 모듈(200)은 상부 연결 프레임(220)과 측부 연결 프레임(240) 및 하부 연결 프레임(미도시)의 구분이 필요없는 경우에 연결 프레임으로 언급한다.The
상기 냉각 모듈(200)은 냉각 프레임의 내부를 흐르는 냉매를 이용하여 공정 챔버(100)를 냉각시킨다. 상기 냉각 모듈(200)의 냉각 프레임은 공정 챔버(100)의 내측면 또는 외측면에 직접 접촉하며 내부에 흐르는 냉매를 이용하여 공정 챔버(100)를 효율적으로 냉각시킨다. 상기 냉각 모듈(200)은 바람직하게는 공정 챔버(100)의 내측면에 접촉하도록 결합된다.The
또한, 상기 냉각 모듈(200)은 공정 챔버(100)의 내측면 또는 외측면에 결합되어 공정 챔버(100)의 강도를 보강한다. 따라서, 상기 냉각 모듈(200)은 공정 챔버(100)의 강도를 보강하는 기존의 프레임에 냉매를 흐르게 하는 구조로 형성될 수 있다. 또한, 상기 냉각 모듈(200)은 공정 챔버(100)의 강도를 보강하는 기존의 프레임과 별도로 형성될 수 있다. 또한, 상기 냉각 모듈(200)은 공정 챔버와 일체로 형성될 수 있다. 즉, 상기 냉각 모듈(200)을 구성하는 냉각 프레임이 공정 챔버(100)를 구성하는 하우징과 일체로 형성될 수 있다.Further, the
상기 냉매는 기판 열처리 장치가 설치되는 공정에서 사용하는 공정 냉각수가 사용된다. 또한, 상기 냉매는 질소 가스와 같은 불활성 가스 또는 열처리 공정에서 공정 챔버(100)의 내부로 공급되는 공정 가스와 같은 냉각 가스가 사용될 수 있다.The coolant may be a process cooling water used in the process of installing the substrate heat treatment apparatus. In addition, the coolant may be an inert gas such as nitrogen gas or a cooling gas such as a process gas supplied into the
상기 상부 냉각 프레임(210)은 내부가 중공인 파이프 또는 튜브로 형성되어 내부에 냉매가 흐르는 상부 냉각 통로(210a)를 구비한다. 또한, 상기 상부 냉각 프레임(210)은 상부 냉매 분사구(211)와 상부 유입구(213) 및 상부 유출구(215)를 더 포함하여 형성될 수 있다.The
상기 상부 냉각 프레임(210)은 바람직하게는 축 방향에 수직인 단면이 사각 형상으로 형성되어 공정 챔버(100)와의 접촉 면적이 증가되도록 형성된다. 상기 상부 냉각 프레임(210)은 공정 챔버(100)의 폭에 대응되는 길이로 형성되며, 공정 챔버(100)의 상부면의 내측면 또는 외측면의 일측에서 타측으로 연장되도록 결합된다. 또한, 상기 상부 냉각 프레임(210)은 복수 개가 공정 챔버(100)의 전후 방향으로 이격되어 결합된다. 따라서, 상기 상부 냉각 프레임(210)은 공정 챔버(100)의 상부 내측면에 전체적으로 접촉되도록 형성된다. 상기 상부 냉각 프레임(210)은 상부 냉각 통로(210a)를 흐르는 냉매를 이용하여 공정 챔버(100)의 상부면을 포함하는 상부 영역을 냉각시킨다. 특히, 상기 상부 냉각 프레임(210)은 공정 챔버(100)의 내측면 또는 외측면에 직접 접촉하도록 형성되므로 보다 효율적으로 공정 챔버(100)를 냉각할 수 있다.The
상기 상부 냉매 분사구(211)는 상부 냉각 프레임(210)의 양측면에서 상부 냉각 통로(210a)로 관통되어 형성된다. 또한, 상기 상부 냉매 분사구(211)는 상부 냉각 프레임(210)의 하면에서 상부 냉각 통로(210a)로 관통되어 형성될 수 있다. 상기 상부 냉매 분사구(211)는 복수 개가 상부 냉각 프레임(210)의 길이 방향을 따라 이격되어 형성된다. 상기 상부 냉매 분사구(211)는 냉매가 불활성 가스 또는 공정 가스를 포함하는 냉각 가스인 경우에만 형성된다. 상기 상부 냉매 분사구(211)는 냉매가 공정 냉각수인 경우에 형성되지 않는다. 상기 상부 냉매 분사구(211)는 상부 냉각 통로(210a)를 흐르는 냉각 가스를 공정 챔버(100)의 상부면 또는 상측부로 분사한다. 또한, 상기 상부 냉매 분사구(211)는 냉각 가스를 공정 챔버(100)의 내부 공간(100a)으로 분사한다. 상기 상부 냉매 분사구(211)를 통하여 분사되는 냉매는 공정 챔버(100)의 상부면의 내측면 또는 내측부로 분사되면서 공정 챔버(100)를 보다 추가적으로 냉각시켜 냉각 효율을 증가시킨다.The upper
상기 상부 유입구(213)는 상부 냉각 프레임(210)의 일측단에 형성되며, 상부 냉각 통로(210a)로 냉매가 유입되는 경로를 제공한다. 또한, 상기 상부 유입구(213)에는 별도의 상부 유입관(미도시)이 결합된다. 상기 상부 유입관(미도시)은 냉매가 상부 유입구(213)를 통하여 상부 냉각 통로(210a)로 유입되도록 한다.The
상기 상부 유출구(215)는 상부 냉각 프레임(210)의 타측단에 형성되며, 상부 냉각 통로(210a)를 흐른 냉매가 외부로 유출되는 경로를 제공한다. 상기 상부 유출구(215)에는 별도의 상부 유출관(미도시)이 결합되어 냉매가 외부로 유출되도록 한다.The
상기 상부 연결 프레임(220)은 바 형상 또는 파이프 형상으로 형성된다. 상기 상부 연결 프레임(220)은 상부 냉각 프레임(210) 사이에서 상부 냉각 프레임(210)과 수직 방향인 전후 방향으로 연장되면서 전측과 후측이 각각 상부 냉각 프레임(210)에 결합된다. 상기 상부 연결 프레임(220)은 상부 냉각 프레임(210)을 지지하여 상부 냉각 프레임(210)의 강도를 보강하며, 상부 냉각 프레임(210)과 공정 챔버(100)가 변형되는 것을 방지한다.The
상기 상부 연결 프레임(220)은 내부가 중공인 파이프 형상으로 형성되는 경우에, 상부 냉각 프레임(210)과 연결되어 내부에 냉매가 흐르도록 형성될 수 있다. 특히, 상기 상부 연결 프레임(220) 중에서 공정 챔버(100)의 일측단과 타측단에 위치하여 상부 냉각 프레임(210)의 일측단 또는 타측단에 연결되는 상부 연결 프레임(220)은 상부 냉각 프레임(210)의 상부 냉각 통로(210a)와 내부가 연결되도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 상부 연결 프레임(220)은 상부 냉각 프레임으로부터 공급되는 냉매를 이용하여 공정 챔버(100)의 상부면 모서리를 추가적으로 냉각할 수 있으며, 냉각 효과를 증가시킨다.When the
상기 측부 냉각 프레임(230)은 내부가 중공인 파이프로 형성되어 내부에 냉매가 흐르는 측부 냉각 통로(230a)가 형성된다. 또한, 상기 측부 냉각 프레임(230)은 측부 냉매 분사구(231)를 더 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 측부 냉각 프레임(230)은 구체적으로 도시하지 않았지만, 상부 냉각 프레임(210)에 대응되는 구성으로 측부 유입구와 측부 유출구와 측부 유입관 및 측부 유출관을 더 포함하여 형성될 수 있다.The
상기 측부 냉각 프레임(230)은 상부 냉각 프레임(210)과 같이, 축 방향에 수직인 단면이 사각 형상으로 형성되어 공정 챔버(100)와의 접촉 면적이 증가되도록 형성된다. 상기 측부 냉각 프레임(230)은 공정 챔버(100)의 높이에 대응되는 길이로 형성되며, 공정 챔버(100)의 측부면의 내측면 또는 외측면에 접촉되도록 결합된다. 즉, 상기 측부 냉각 프레임(230)은 공정 챔버(100)의 좌측면과 우측면 및 후측면의 내측면 또는 외측면의 상부에서 하부로 연장되어 결합된다. 상기 측부 냉각 프레임(230)은 복수 개가 좌우 방향 또는 전후 방향과 같은 수평 방향으로 이격되어 결합된다. 따라서, 상기 측부 냉각 프레임(230)은 공정 챔버(100)의 측부의 내측면에 전체적으로 접촉되도록 형성된다. 한편, 상기 공정 챔버(100)는 전측면에 기판(10)이 유입되는 기판 유입구가 형성된다. 따라서, 상기 측부 냉각 프레임(230)은 공정 챔버(100)의 전측면에는 결합되지 않는다.The
상기 측부 냉각 프레임(230)은 측부 냉각 통로(230a)를 흐르는 냉매를 이용하여 공정 챔버(100)의 측부면을 냉각시킨다. 특히, 상기 측부 냉각 프레임(230)은 공정 챔버(100)의 측부면의 내측면 또는 외측면에 직접 접촉하도록 형성되므로 보다 효율적으로 공정 챔버(100)를 냉각할 수 있다.The
상기 측부 냉매 분사구(231)는 측부 냉각 프레임(230)의 양측면에서 측부 냉각 통로(230a)로 관통되어 형성된다. 상기 측부 냉매 분사구(231)는 복수 개가 측부 냉각 프레임(230)의 높이 방향을 따라 이격되어 형성된다. 상기 측부 냉매 분사구(231)는 냉매가 불활성 가스 또는 공정 가스인 경우에만 형성된다. 상기 측부 냉매 분사구(231)는 냉매가 냉각수인 경우에 형성되지 않는다. 상기 측부 냉매 분사구(231)를 통하여 분사되는 냉매는 공정 챔버(100)의 측부면의 내측면 또는 내측부로 분사되면서 공정 챔버(100)를 보다 추가적으로 냉각시켜 냉각 효율을 증가시킨다.The side
상기 측부 연결 프레임(240)은 바 형상 또는 파이프 형상으로 형성된다. 상기 측부 연결 프레임(240)은 측부 냉각 프레임(230) 사이에서 좌우 방향으로 연장되면서 일측과 타측이 각각 측부 냉각 프레임(230)에 결합된다. 상기 측부 연결 프레임(240)은 측부 냉각 프레임(230)을 지지하여 측부 냉각 프레임(230)과 공정 챔버(100)가 변형되는 것을 방지한다. 한편, 상기 측부 연결 프레임(240)은 내부가 중공인 파이프 형상으로 형성되는 경우에, 측부 냉각 프레임(230)과 연결되어 내부에 냉매가 흐르도록 형성될 수 있다.The
상기 기판 지지 모듈(300)은 기판 지지바(310)를 포함하여 형성된다. 또한, 상기 기판 지지 모듈(300)은 세로 지지바(320)를 포함하여 형성된다. 상기 기판 지지 모듈(300)은 공정 챔버(100)의 내부 공간(100a)에서 상하 방향으로 이격되어 위치한다. 한편, 상기 기판 지지 모듈(300)은 기판(10)의 열처리 공정을 위한 기판 열처리 장치에 사용되는 다양한 구조로 형성될 수 있다.The
상기 기판 지지 모듈(300)은 상부에 위치하는 기판(10)을 지지한다. 또한, 상기 기판 지지 모듈(300)은 상면에 안착되는 히팅 모듈(미도시)을 지지할 수 있다. 상기 기판 지지 모듈(300)은 상부에 기판(10)을 지지하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 상기 기판 지지 모듈(300)은 공정 챔버(100)의 내부 공간(100a)으로 공정 가스를 공급하는 급기 모듈로 형성될 수 있다. 또한, 상기 기판 지지 모듈(300)은 공정 챔버(100)의 내부 공간(100a)으로부터 공정 가스를 외부로 배기하는 배기 모듈로 형성될 수 있다.The
상기 기판 지지바(310)는 소정 길이를 갖는 바 형상 또는 튜브 형상으로 형성된다. 상기 기판 지지바(310)는 기판 지지 모듈(300)이 급기 모듈 또는 배기 모듈로 작용하는 경우에 내부에 가스 통로가 형성될 수 있다. 이러한 경우에, 상기 기판 지지바(310)는 가스 통로와 관통되는 가스 입출구(미도시)를 더 포함하여 형성될 수 있다.The substrate support bar 310 is formed into a bar shape or a tube shape having a predetermined length. The substrate support bar 310 may have a gas passage formed therein when the
상기 기판 지지바(310)는 기판(10)을 지지하는 작용만을 하는 경우에 바 형상 또는 막대 형상으로 형성될 수 있다. 상기 기판 지지바(310)는 복수 개가 수평 방향으로 서로 이격되어 형성된다. 상기 기판 지지바(310)는 형성되는 수평 면적이 기판(10) 또는 히팅 모듈을 지지하는데 필요한 면적을 이루도록 형성된다. 예를 들면, 상기 기판 지지바(310)는 기판(10) 또는 히팅 모듈의 안정적인 지지를 위하여 적어도 기판(10) 또는 히팅 모듈의 면적보다 큰 면적으로 형성될 수 있다. 상기 기판 지지바(310)는 열처리 되는 기판(10) 또는 히팅 모듈의 폭 또는 길이보다 큰 길이로 형성되며, 기판(10) 또는 히팅 모듈의 길이 또는 폭보다 큰 길이로 서로 이격되어 위치한다.The substrate support bar 310 may be formed into a bar shape or a bar shape when only the operation of supporting the
상기 기판 지지바(310)는 공정 챔버(100)의 내측면에 고정된다. 이때, 상기 기판 지지바(310)는 세로 지지바(320) 또는 냉각 프레임(210, 230)에 고정될 수 있다. 상기 기판 지지바(310)는 양단이 각각 냉각 프레임(210, 230) 또는 세로 지지바(320)에 고정될 수 있다. 또한, 상기 기판 지지바(310)는 일측에서 타측으로 수평 방향으로 이격되면서 고정된다.The substrate support bar 310 is secured to the inner surface of the
상기 가스 입출구는 기판 지지바(310)가 튜브 형상으로 형성되는 경우에 기판 지지바(310)의 측면 또는 하면에서 가스 통로로 관통되어 형성된다. 상기 가스 입출구는 기판 지지바(310)의 상면에서 길이 방향으로 소정 간격으로 이격되어 형성된다. 상기 가스 입출구(320)는 공정 가스 또는 불활성 가스와 같은 공정 가스를 공정 챔버(100)의 내부로 공급하거나, 공정 챔버(100)의 내부로부터 공정 챔버(100)의 외부로 유출시킨다.The gas inlet and outlet are formed through the gas passage at the side or bottom surface of the substrate support bar 310 when the substrate support bar 310 is formed in a tube shape. The gas inlet / outlet is formed at a predetermined distance in the longitudinal direction from the upper surface of the substrate support bar 310. The gas inlet 320 supplies a process gas such as a process gas or an inert gas into the
상기 세로 지지바(320)는 바 형상 또는 막대 형상으로 형상으로 형성되며, 기판 지지바(310)와 공정 챔버(100)의 내측면 사이에 형성된다. 상기 세로 지지바(320)는 기판 지지바(310)의 단부를 공정 챔버(100)의 내측면 또는 냉각 모듈(200)에 고정한다.The vertical support bar 320 is formed in a bar or bar shape and is formed between the substrate support bar 310 and the inner surface of the
다음은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 작용에 대하여 설명한다.Next, the operation of the substrate heat treatment apparatus according to one embodiment of the present invention will be described.
먼저, 상기 기판 열처리 장치가 기판(10)의 열처리 공정을 끝내고 기판(10)을 인출하기 위한 냉각 과정에 대하여 설명한다.First, the cooling process for drawing the
상기 냉각 모듈(200)은 상부 냉각 프레임(210)의 상부 냉각 통로(210a)에 냉매를 공급하여 공정 챔버(100)의 상부면을 포함하는 상부 영역이 신속하게 냉각될 수 있도록 한다. 또한, 상기 냉각 모듈(200)은 측부 냉각 프레임(230)의 측부 냉각 통로(230a)에도 냉매를 공급하여 공정 챔버(100)의 측부 영역이 신속하게 냉각될 수 있도록 한다. 이때, 상기 냉매는 공정 냉각수 또는 냉각 가스가 사용될 수 있다. 따라서, 상기 공정 챔버(100)는 열처리 과정에서 가지고 있던 잠열을 배출하면서 내부 공간(100a)의 온도가 신속하게 낮아지게 된다.The
한편, 상기 냉매가 냉각 가스인 경우에 상부 냉각 프레임(210)은 상부 냉매 분사구(211)를 통하여 냉각 가스를 공정 챔버(100)의 상부면으로 분사한다. 또한, 상기 측부 냉각 프레임(230)은 측부 냉매 분사구(231)를 통하여 냉각 가스를 공정 챔버(100)로 분사한다. 따라서, 상기 공정 챔버(100)의 내부 공간(100a)은 더 신속하게 온도가 낮아진다.When the refrigerant is a cooling gas, the
다음은 상기 기판 열처리 장치가 기판의 열처리 공정을 위한 승온 과정에 대하여 설명한다.Next, a heating process for the substrate heat treatment process of the substrate heat treatment apparatus will be described.
상기 냉각 모듈(200)은 상부 냉각 프레임(210)의 상부 냉각 통로(210a)에 냉매를 공급하여 공정 챔버(100)의 상부 영역의 온도가 상대적으로 늦게 올라가도록 한다. 상기 냉각 모듈(200)은 상부 냉각 프레임(210)의 측부 냉각 통로(230a)에는 냉매를 공급하지 않아 공정 챔버(100)의 측부 영역에서는 온도가 정상적으로 올라가도록 한다. 따라서, 상기 공정 챔버(100)는 내부 공간(100a)의 상부 영역의 온도가 상대적으로 많이 상승하지 않게 되며, 기판(10)이 위치하는 내부 공간(100a)의 상부와 하부의 온도 차이가 작아진다.The
이때, 상기 냉매는 공정 냉각수 또는 냉각 가스가 사용될 수 있다. 따라서, 상기 공정 챔버(100)는 열처리 과정에서 가지고 있던 잠열을 배출하게 되면서 내부 공간(100a)의 온도가 신속하게 낮아진다.At this time, the coolant may be a process cooling water or a cooling gas. Therefore, the temperature of the
한편, 상기 냉매가 냉각 가스인 경우에 상부 냉각 프레임(210)은 상부 냉매 분사구(211)를 통하여 냉각 가스를 공정 챔버(100)로 분사한다. 또한, 상기 측부 냉각 프레임(230)은 측부 냉매 분사구(231)를 통하여 냉각 가스를 공정 챔버(100)로 분사한다. 따라서, 상기 공정 챔버(100)의 내부 공간(100a)은 더 신속하게 온도가 낮아진다.Meanwhile, when the refrigerant is a cooling gas, the
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 기판 열처리 장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.Although the present invention has been described in connection with the preferred embodiments thereof with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.
100: 공정 챔버 200: 냉각 모듈
210: 상부 냉각 프레임 220: 상부 연결 프레임
230: 측부 냉각 프레임 240: 측부 연결 프레임
300: 기판 지지 모듈 310: 기판 지지바
320: 세로 지지바100: process chamber 200: cooling module
210: upper cooling frame 220: upper connection frame
230: side cooling frame 240: side connecting frame
300: substrate support module 310: substrate support bar
320: vertical support bar
Claims (8)
상기 공정 챔버에 직접 접촉되며, 내부에 냉매를 이용하여 상기 공정 챔버를 냉각시키는 냉각 모듈을 포함하고,
상기 냉각 모듈은,
내부에 상기 냉매가 흐르는 냉각 통로를 구비하며, 상기 공정 챔버의 상부와 하부 및 측부의 내측면에 접촉하는 냉각 프레임, 및
전후 방향으로 연장되며, 일측에서 타측으로 이격되면서 상기 냉각 프레임 사이에 결합되는 연결 프레임을 포함하고,
상기 냉각 프레임은,
상기 공정 챔버의 내측면에 접촉하는 상부 냉각 프레임, 상기 공정 챔버의 하부에 위치하는 하부 냉각 프레임, 및 상기 공정 챔버의 내측면에 접촉하는 측부 냉각 프레임을 포함하고,
상기 연결 프레임은,
내부가 중공인 파이프로 형성되며 내부가 상기 상부 냉각 프레임의 냉각 통로와 연결되는 상부 연결 프레임, 및 내부가 중공인 파이프로 형성되며 내부가 상기 측부 냉각 프레임과 연결되는 측부 연결 프레임을 포함하고,
상기 상부 연결 프레임은 상기 상부 냉각 프레임으로부터 공급되는 냉매를 이용하여 상기 공정 챔버의 상부면 모서리를 냉각시키고, 상기 상부 냉각 프레임을 지지하여 상기 상부 냉각 프레임의 강도를 보강하고,
상기 측부 연결 프레임은 상기 측부 냉각 프레임으로부터 공급되는 냉매가 내부에 흐르도록 형성되고, 상기 측부 냉각 프레임을 지지하여 상기 측부 냉각 프레임을 변형을 방지하는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.A process chamber having an interior space in which the substrate is located,
A cooling module that is in direct contact with the process chamber and uses coolant therein to cool the process chamber,
The cooling module includes:
A cooling frame having a cooling passage through which the refrigerant flows, the cooling frame contacting the inner surfaces of the upper and lower portions of the process chamber,
And a connection frame extending in the front-rear direction and being coupled between the cooling frames while being spaced from one side to the other,
The cooling frame includes:
A lower cooling frame located at a lower portion of the process chamber, and a side cooling frame contacting an inner surface of the process chamber, the upper cooling frame contacting the inner surface of the process chamber,
The connection frame includes:
And a side connection frame formed by a pipe having an inner hollow portion and an inner side connected to the side cooling frame, wherein the upper connection frame is formed by a pipe having an inner hollow and connected to a cooling passage of the upper cooling frame,
Wherein the upper connection frame cools the upper surface corner of the process chamber using the refrigerant supplied from the upper cooling frame and reinforces the strength of the upper cooling frame by supporting the upper cooling frame,
Wherein the side connection frame is formed so that the refrigerant supplied from the side cooling frame flows inside and supports the side cooling frame to prevent deformation of the side cooling frame.
상기 냉각 프레임은 상기 공정 챔버의 일측에서 타측으로 연장되며, 복수 개가 상기 공정 챔버의 전후 방향 또는 상하 방향으로 이격되어 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the cooling frame extends from one side of the process chamber to the other side, and a plurality of the cooling frames are spaced apart from each other in the front-rear direction or the vertical direction of the process chamber.
상기 냉매는 불활성 가스 또는 공정 가스를 포함하는 냉각 가스이며,
상기 냉각 프레임은 양측면에서 상기 냉각 통로로 관통되어 형성되며 상기 냉각 가스를 상기 공정 챔버의 내측부으로 분사하는 냉매 분사구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 1,
The refrigerant is a cooling gas containing an inert gas or a process gas,
Wherein the cooling frame further includes a coolant jetting hole formed on both sides of the cooling passage so as to pass through the cooling channel and to inject the coolant gas into the inner side of the process chamber.
상기 연결 프레임에서 상기 공정 챔버의 일측단과 타측단에 위치하는 상기 연결 프레임은 내부가 중공인 파이프로 형성되며, 내부가 상기 냉각 프레임의 냉각 통로와 연결되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the connection frame located at one end and the other end of the process chamber in the connection frame is formed of a pipe having an inner hollow and connected to a cooling passage of the cooling frame.
상기 냉매는 공정 냉각수인 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the coolant is process cooling water.
상기 공정 챔버와 상기 냉각 프레임은 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the process chamber and the cooling frame are integrally formed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170028956A KR101920327B1 (en) | 2017-03-07 | 2017-03-07 | Substrate Thermal Processing Apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170028956A KR101920327B1 (en) | 2017-03-07 | 2017-03-07 | Substrate Thermal Processing Apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180102722A KR20180102722A (en) | 2018-09-18 |
KR101920327B1 true KR101920327B1 (en) | 2018-11-21 |
Family
ID=63718482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170028956A KR101920327B1 (en) | 2017-03-07 | 2017-03-07 | Substrate Thermal Processing Apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101920327B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102313969B1 (en) * | 2017-04-24 | 2021-10-19 | 주식회사 원익아이피에스 | Apparatus for processing substrate |
KR102423271B1 (en) * | 2018-11-27 | 2022-07-21 | 주식회사 원익아이피에스 | Heater module and apparatus for processing substrate |
-
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180102722A (en) | 2018-09-18 |
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