KR101624262B1 - Wafer heat treatment apparatus constructed to prevent backdraft of gas - Google Patents

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    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Abstract

본 발명에 따른 기체의 역류가 방지되도록 구성되는 웨이퍼 열처리 장치는 복수 개의 웨이퍼들이 적재되는 보우트부재와, 상기 보우트부재의 외부를 감싸며 공정가스가 주입되는 공정튜브부재와, 상기 공정튜브부재의 외부를 감싸는 단열부재와, 상기 보우트부재에 적재되는 웨이퍼들을 가열하기 위한 가열부재와, 상기 단열부재 하부에 배치되는 베이스부재를 포함하며, 상기 공정튜브부재와 단열부재 사이에는 기체의 유동을 위한 공간이 형성되고, 상기 단열부재에는 기체의 유입을 위한 유입구가 형성되고, 상기 베이스부재에는 기체의 유출을 위한 유출구가 형성되며, 상기 단열부재는 원기둥 형상으로 형성되되, 상기 베이스부재에는 상기 공정튜브부재 주위로 유동된 기체를 배출하기 위한 배출공이 형성되며, 상기 배출공은 상기 공정튜브부재와 단열부재 사이의 원형 영역에서 원주 방향을 따라 복수 개 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의해, 공정튜브 외부 공간을 통해 공기가 보다 원활히 유동되도록 함으로써, 공정튜브의 온도를 균일하게 상승시킬 수 있다.A wafer heating apparatus configured to prevent backflow of gas according to the present invention includes a boat member on which a plurality of wafers are loaded, a process tube member surrounding the outer surface of the boat member and into which a process gas is injected, A heating member for heating the wafers loaded on the boat member, and a base member disposed below the heat insulating member, wherein a space for the flow of gas is formed between the process tube member and the heat insulating member The heat insulating member is formed in a columnar shape, and the base member is provided with an inlet port for introducing gas into the base member, an outlet for discharging the gas is formed in the base member, A discharge hole is formed for discharging the flowed gas, And in a circumferential direction on a circular area between the heat insulating member it is characterized in that forming a plurality of.
According to the present invention, the air flows more smoothly through the process tube outer space, so that the temperature of the process tube can be raised uniformly.

Description

기체의 역류가 방지되도록 구성되는 웨이퍼 열처리 장치{WAFER HEAT TREATMENT APPARATUS CONSTRUCTED TO PREVENT BACKDRAFT OF GAS}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a wafer heat treatment apparatus,

본 발명은 웨이퍼의 열처리 장치에 관한 발명으로서, 보다 상세하게는 열처리를 위한 공정 튜브 외부를 유동하는 공기의 순환을 원활히 함으로써, 웨이퍼에 대한 보다 균일한 열처리가 가능하도록 구성되는 기체의 역류가 방지되도록 구성되는 웨이퍼 열처리 장치에 관한 발명이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus for a wafer, and more particularly, to an apparatus for treating a wafer so as to smoothly circulate air flowing outside a process tube for heat treatment, thereby preventing backflow of gas constituting a more uniform heat treatment for the wafer The present invention relates to a wafer heat treatment apparatus.

최근 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 소자 역시 비약적으로 발전하고 있다.BACKGROUND ART [0002] Recently, with the rapid spread of an information medium such as a computer, a semiconductor device is also rapidly developing.

이러한 반도체 소자의 고집적화가 급속히 진행되고 있는 오늘날의 실정에 비추어, 그 제조 장치가 담당하는 역할은 한층 더 중요시되고 있다.In view of the current state of rapid progress in the high integration of such semiconductor devices, the role of the manufacturing apparatus is becoming more important.

일반적으로 반도체 제조용 가열로는 반도체 제조 공정에 있어 확산공정, 화학기상증착(LPCVD)공정과 같은 열공정에 이용되는 장치로서, 이와 같은 공정들은 가열로에 조성되는 온도 의존도가 매우 높은 공정들이다.Generally, a heating furnace for semiconductor manufacturing is a device used for a thermal process such as a diffusion process and a chemical vapor deposition (LPCVD) process in a semiconductor manufacturing process, and these processes are highly temperature dependent processes formed in a heating furnace.

예를 들어, 확산공정에 있어 표면 농도를 저하시키고 접합 깊이(Junction Depth)를 깊게 하기 위해서는, 표면의 불순물을 제거하고 일정 고온에서 가열공정이 진행되어야 하는 바, 상기 확산공정에 있어 온도제어는 매우 중요한 문제이다.For example, in order to lower the surface concentration and to deepen the junction depth in the diffusion process, it is necessary to remove the impurities on the surface and to perform the heating process at a certain high temperature. As a result, It is an important issue.

또한, 상기 화학기상증착 공정에 있어서의 온도제어 역시 막의 형성과 그 품질을 결정하는 중요한 요인이 된다.In addition, temperature control in the chemical vapor deposition process is also an important factor for determining the formation of the film and its quality.

상기와 같은 열공정을 수행하기 위해서는 가열로가 이용되며, 가열로는 배치 형태에 따라 수직형과 수평형이 있다.A heating furnace is used to perform the thermal process as described above, and the heating furnace has a vertical type and a horizontal type depending on the arrangement type.

도 1 내지 4 에 도시되는 바와 같이, 통상적으로 수직형 가열로의 구성은 가열로의 외벽을 구성하는 단열벽(120)과 상기 단열벽(120)의 내부에 배치되는 공정 튜브(110)를 포함하며, 웨이퍼(102)들을 적재한 보트가 상기 공정튜브(110) 내에 배치된다.As shown in Figs. 1 to 4, a vertical furnace typically includes a heat insulating wall 120 constituting an outer wall of a heating furnace and a process tube 110 disposed inside the heat insulating wall 120 And a boat loaded with wafers 102 is placed in the process tube 110.

상기 단열벽(120)의 내면에는 도시되지 않은 히터가 설치되어, 웨이퍼의 열처리에 요구되는 소정의 온도로 상기 공정튜브(110) 외부의 공기를 가열하도록 구성된다.A heater (not shown) is installed on the inner surface of the heat insulating wall 120 to heat the air outside the process tube 110 to a predetermined temperature required for the heat treatment of the wafer.

상기 보트는 구동장치에 의해 상방으로 구동되어 상기 공정튜브(110) 내로 로딩되거나, 하방으로 구동되어 상기 공정튜브(110)로부터 언로딩된다.The boat is driven upward by a drive device to be loaded into the process tube 110 or downwardly to be unloaded from the process tube 110.

상기 공정튜브(110)에는 공정을 수행하기 위한 반응가스가 공급되는 가스 공급부(112)와 반응 후의 가스가 배출되는 가스 배출부(122)가 설치되며, 상기 단열벽(120)에는 다수의 온도 감지센서(Spike T/C)들이 설치된다.The process tube 110 is provided with a gas supply unit 112 for supplying a reaction gas for performing a process and a gas discharge unit 122 for discharging gas after reaction. Sensors (Spike T / C) are installed.

상기 온도감지센서는 히터의 가열온도를 측정하여 공정 상 요구되는 소정 온도로 가열되고 있는지의 여부를 판단할 수 있도록 한다.The temperature sensor measures the heating temperature of the heater so as to determine whether it is heated to a predetermined temperature required in the process.

이때, 상기 단열벽(120)과 공정튜브(110) 사이의 공간으로 공기와 같은 기체가 유동되어, 상기 공정튜브(110)를 가열한다.At this time, a gas such as air flows into the space between the heat insulating wall 120 and the process tube 110 to heat the process tube 110.

상기 공정튜브(110) 주위로 공기를 유동시키는 방식으로는, 도 2 (a) 에 도시되는 바와 같이, 상부배기방식과 2 (b) 에 도시되는 바와 같은 하부배기방식이 있다.As a method of flowing air around the process tube 110, there are an upper exhausting method as shown in FIG. 2 (a) and a lower exhausting method as shown in FIG. 2 (b).

상기 상부배기방식은 단열벽(120)의 하부에 형성된 유입구(121)를 통해 공기를 유입하고, 공정튜브(110) 주위에서 상방으로 공기를 유동시킨 후 상기 단열벽(120)의 상부에 형성된 유출구(122)를 통해 공기를 배출하는 방식이며, 하부배기방식은 상기 단열벽(120)의 상부에 형성된 유출구(122)를 통해 공기를 유입하여, 상기 단열벽(120)의 하부에 형성된 유출구(121)를 통해 공기를 배출하는 방식이다.The upper exhausting method is a method in which air is introduced through an inlet 121 formed in a lower portion of the heat insulating wall 120 and air flows upward in the vicinity of the process tube 110, And the air is discharged through the outlet 122 formed in the lower part of the heat insulating wall 120. In the lower exhausting method, air is introduced through the outlet 122 formed in the upper part of the heat insulating wall 120, ).

그런데, 상기와 같이 상부배기방식 또는 하부배기방식에 의해 공정튜브(110) 주위로 공기를 유동시키는 경우에, 도 3 및 4 에 도시되는 바와 같이 공정튜브(110) 외부의 일정 영역에서 공기의 흐름이 역류하는 현상이 발생되며, 상기와 같은 공기의 역류 현상에 의해 열이 일정 영역에 적체되어 온도를 상승시키게 된다.3 and 4, when the air is flowed around the process tube 110 by the upper exhausting method or the lower exhausting method, the flow of air in a certain region outside the process tube 110, This reverse flow phenomenon occurs, and the heat is accumulated in a certain region by the backflow phenomenon of the air and the temperature is raised.

따라서, 이러한 현상은 결과적으로 전체 공정튜브(110) 영역의 고른 가열에 바람직하지 못한 결과를 초래하게 된다.Thus, this phenomenon results in undesirable results in even heating of the entire process tube 110 area.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 공정튜브 외부 공간을 통해 공기가 보다 원활히 유동되도록 함으로써, 공정튜브의 온도를 균일하게 상승시킬 수 있도록 구성되는 기체의 역류가 방지되도록 구성되는 웨이퍼 열처리 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an air- To prevent the wafer from being deteriorated.

본 발명의 또 다른 목적은, 공정 튜브 냉각 시에도 전체 영역을 균일하게 냉각할 수 있도록 구성되는 기체의 역류가 방지되도록 구성되는 웨이퍼 열처리 장치를 제공하는 것이다. It is still another object of the present invention to provide a wafer heat treatment apparatus configured to prevent backflow of gas constituted to uniformly cool the entire region even when the process tube is cooled.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기체의 역류가 방지되도록 구성되는 웨이퍼 열처리 장치는 복수 개의 웨이퍼들이 적재되는 보우트부재와, 상기 보우트부재의 외부를 감싸며 공정가스가 주입되는 공정튜브부재와, 상기 공정튜브부재의 외부를 감싸는 단열부재와, 상기 보우트부재에 적재되는 웨이퍼들을 가열하기 위한 가열부재와, 상기 단열부재 하부에 배치되는 베이스부재를 포함하며, 상기 공정튜브부재와 단열부재 사이에는 기체의 유동을 위한 공간이 형성되고, 상기 단열부재에는 기체의 유입을 위한 유입구가 형성되고, 상기 베이스부재에는 기체의 유출을 위한 유출구가 형성되며, 상기 단열부재는 원기둥 형상으로 형성되되, 상기 베이스부재에는 상기 공정튜브부재 주위로 유동된 기체를 배출하기 위한 배출공이 형성되며, 상기 배출공은 상기 공정튜브부재와 단열부재 사이의 원형 영역에서 원주 방향을 따라 복수 개 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer heat treatment apparatus configured to prevent backflow of gas according to the present invention. The wafer heat treatment apparatus includes a boat member on which a plurality of wafers are stacked, a process tube member surrounding the outer surface of the boat member, A heating member for heating the wafers to be loaded on the boat member; and a base member disposed below the heat insulating member, wherein a gap is formed between the process tube member and the heat insulating member, The base member is formed with an outlet for discharging the gas, the heat insulating member is formed in the shape of a cylinder, and the base member is provided with an air inlet A discharge hole for discharging the gas flowing around the process tube member is formed, And a plurality of exhaust holes are formed along the circumferential direction in a circular region between the process tube member and the heat insulating member.

바람직하게는, 상기 유입구는 상기 단열부재의 상부에 형성되며, 상기 공정튜브부재와 상기 단열부재 사이의 공간을 통해 기체가 하방으로 유동되어 상기 유출구로 배출되도록 구성된다.Preferably, the inlet is formed on an upper portion of the heat insulating member, and the gas flows downward through a space between the process tube member and the heat insulating member to be discharged to the outlet.

여기서, 상기 배출공은 평면적으로 상기 공정튜브부재의 전후 좌우에 각각 형성될 수 있다.Here, the exhaust holes may be formed on the front, rear, left and right sides of the process tube member in a plan view.

본 발명에 의해, 공정튜브 외부 공간을 통해 공기가 보다 원활히 유동되도록 함으로써, 공정튜브의 온도를 균일하게 상승시킬 수 있다.According to the present invention, the air flows more smoothly through the process tube outer space, so that the temperature of the process tube can be raised uniformly.

또한, 공정 튜브 냉각 시에도 전체 영역을 균일하게 냉각할 수 있다. Further, even when the process tube is cooled, the entire region can be uniformly cooled.

첨부의 하기 도면들은, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 이해시키기 위한 것이므로, 본 발명은 하기 도면에 도시된 사항에 한정 해석되어서는 아니 된다.
도 1 은 종래 웨이퍼 열처리 장치의 측단면도이며,
도 2(a)는 상부배기방식의 웨이퍼 열처리 장치의 개략 측단면도이며,
도 2(b)는 하부배기방식의 웨이퍼 열처리 장치의 개략 측단면도이며,
도 3 은 공정튜브 외부를 유동하는 공기의 흐름상태를 나타낸 도면이며,
도 4 는 공정튜브 외부를 유동하는 공기의 흐름상태를 나타낸 또 다른 도면이며,
도 5 는 본 발명에 따른 기체의 역류가 방지되도록 구성되는 웨이퍼 열처리 장치의 측단면도이며,
도 6 은 상기 열처리 장치에 포함되는 베이스부재의 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of this application, illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.
1 is a side cross-sectional view of a conventional wafer heat treatment apparatus,
Fig. 2 (a) is a schematic side cross-sectional view of the wafer heat treatment apparatus of the upper exhaust system,
Fig. 2 (b) is a schematic side cross-sectional view of the wafer heat treatment apparatus of the lower exhaust system,
3 is a view showing a flow state of air flowing outside the process tube,
4 is another view showing a flow state of air flowing outside the process tube,
5 is a side cross-sectional view of a wafer heat treatment apparatus configured to prevent backflow of gas according to the present invention,
6 is a perspective view of the base member included in the heat treatment apparatus.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어는 사전적인 의미로 한정 해석되어서는 아니되며, 발명자는 자신의 발명을 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절히 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Prior to this, the terms used in the specification and claims should not be construed in a dictionary sense, and the inventor may, on the principle that the concept of a term can be properly defined in order to explain its invention in the best way And should be construed in light of the meanings and concepts consistent with the technical idea of the present invention.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예 및 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 표현하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 존재할 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments shown in the present specification and the drawings are only exemplary embodiments of the present invention, and not all of the technical ideas of the present invention are presented. Therefore, various equivalents It should be understood that water and variations may exist.

도 5 는 본 발명에 따른 기체의 역류가 방지되도록 구성되는 웨이퍼 열처리 장치의 측단면도이며, 도 6 은 상기 열처리 장치에 포함되는 베이스부재의 사시도이다.FIG. 5 is a side sectional view of a wafer heat treatment apparatus configured to prevent backflow of gas according to the present invention, and FIG. 6 is a perspective view of a base member included in the heat treatment apparatus.

도 5 와 6 을 참조하면, 본 발명에 따른 기체의 역류가 방지되도록 구성되는 웨이퍼 열처리 장치는 복수 개의 웨이퍼들이 적재되는 보우트부재(10)와, 상기 보우트부재(10)의 외부를 감싸며 공정가스가 주입되는 공정튜브부재(20)와, 상기 공정튜브부재(20)의 외부를 감싸는 단열부재(30)와, 상기 보우트부재(10)에 적재되는 웨이퍼들을 가열하기 위한 가열부재(40)와, 상기 단열부재(30) 하부에 배치되는 베이스부재(37)를 포함하며, 상기 공정튜브부재(20)와 단열부재(30) 사이에는 기체의 유동을 위한 공간이 형성되고, 상기 단열부재(30)에는 기체의 유입을 위한 유입구(32)가 형성되고, 상기 베이스부재(37)에는 기체의 유출을 위한 유출구(34)가 형성되며, 상기 단열부재(30)는 원기둥 형상으로 형성되되, 상기 베이스부재(37)에는 상기 공정튜브부재(20) 주위로 유동된 기체를 배출하기 위한 배출공(36)이 형성되며, 상기 배출공(36)은 상기 공정튜브부재(20)와 단열부재(30) 사이의 원형 영역에서 원주 방향을 따라 복수 개 형성되는 것을 특징으로 한다.Referring to FIGS. 5 and 6, a wafer heat treatment apparatus configured to prevent backflow of gas according to the present invention includes a boat member 10 on which a plurality of wafers are stacked, a wafer W surrounding the outer surface of the boat member 10, A heating member 40 for heating the wafers to be loaded on the boat member 10, and a heating member 40 for heating the wafers to be loaded on the boat member 10, A space for the flow of gas is formed between the process tube member 20 and the heat insulating member 30 and a base member 37 disposed below the heat insulating member 30, The base member 37 is formed with an outlet 34 for discharging the gas and the heat insulating member 30 is formed in a columnar shape and the base member 37 37) is provided with a plurality of process tubes (20) A plurality of discharge holes 36 for discharging gas are formed in the circumferential direction in the circular region between the process tube member 20 and the heat insulating member 30 do.

상기 보우트부재(10)는 웨이퍼들을 수납하기 위한 슬롯을 구비하여 복수 개의 웨이퍼들을 높이 방향으로 적재하기 위한 구성으로서, 도시되지 않은 구동장치의 구동에 의해 상기 공정튜브부재(20) 내부로 상하 구동됨으로써 로딩 또는 언로딩된다.The booth member 10 has a slot for accommodating wafers, and is configured to load a plurality of wafers in a height direction. The boom member 10 is vertically driven into the process tube member 20 by driving a driving device (not shown) Loaded or unloaded.

상기 공정튜브부재(20)는 원기둥 형상으로 형성되되, 상기 공정튜브부재(20)의 상부에는 공정가스 주입을 위한 주입관이 배치되어, 상기 주입관의 주입부(22)를 통해 공정가스가 공급된다.The process tube member 20 is formed in a cylindrical shape and an injection tube for injecting a process gas is disposed at an upper portion of the process tube member 20 so that the process gas is supplied through the injection portion 22 of the injection tube do.

상기 공정튜브부재(20) 내부에 상기 보우트부재(10)가 로딩된 상태에서 웨이퍼들에 대한 증착 공정이 진행되며, 상기 공정튜브부재(20)는 고온의 환경에서 견딜 수 있도록 석영 재질로 형성될 수 있다.A deposition process is performed on wafers in a state where the boat member 10 is loaded in the process tube member 20 and the process tube member 20 is formed of a quartz material to withstand a high temperature environment .

상기 단열부재(30)는 상기 공정튜브부재(20) 외부를 감싸며, 전체적으로 원기둥의 형상으로 형성된다.The heat insulating member 30 surrounds the outside of the process tube member 20 and is formed in a cylindrical shape as a whole.

상기 단열부재(30)는 단열재를 내장한 스테인레스 스틸 재질 등의 벽체 등으로 구성될 수 있으며, 상기 단열부재(30)와 상기 공정튜브부재(20) 사이의 공간을 통해 공기가 유동될 수 있도록 구성된다.The heat insulating member 30 may be formed of a wall made of stainless steel or the like with a built-in heat insulating material and may be configured to allow air to flow through the space between the heat insulating member 30 and the process tube member 20. [ do.

상기 단열부재(30) 내부에는 공기의 가열을 위한 가열 코일 등의 가열부재(40)가 설치되어, 상기 공정튜브부재(20)와 단열부재(30) 사이의 공간에 존재하는 공기를 가열하도록 구성된다.A heating member 40 such as a heating coil for heating air is provided inside the heat insulating member 30 so as to heat the air existing in the space between the process tube member 20 and the heat insulating member 30 do.

상기 단열부재(30)에는 공기의 유입을 위한 유입구(32)가 상부에 설치되어, 외부로부터 공기를 유입하도록 구성된다.The heat insulating member (30) is provided with an inlet port (32) for inflow of air, and is configured to introduce air from the outside.

상기 단열부재(30)의 하부에는 상기 보우트부재(10)와 함께 가동되는 베이스부(37)가 배치되며, 상기 베이스부재(37)와 보우트부재(10)는 도시되지 않은 구동장치에 의해 상하로 이동될 수 있도록 구성된다.The base member 37 and the boat member 10 are moved up and down by a driving device (not shown) at a lower portion of the heat insulating member 30, .

여기서, 상기 베이스부(37)에는 상기 유입구(32)로부터 유입된 공기를 배출하기 위한 유출구(34)가 설치된다.Here, the base portion 37 is provided with an outlet 34 for discharging the air introduced from the inlet 32.

또한, 상기 베이스부재(37)에는 상기 공정튜브부재(20) 주위로 유동된 기체를 배출하기 위한 배출공(36)이 형성된다.The base member 37 is formed with a discharge hole 36 for discharging the gas flowing around the process tube member 20.

이때, 상기 배출공(36)은 도 6 에 도시되는 바와 같이, 상기 공정튜브부재(20)와 단열부재(30) 사이의 원형 영역에서 원주 방향을 따라 복수 개로 형성된다.At this time, as shown in Fig. 6, the discharge hole 36 is formed in a plurality of circumferential directions in a circular region between the process tube member 20 and the heat insulating member 30. [

그리하여, 상기 유입구(32)를 통해 유입된 공기가 상기 공정튜브부재(20)와 상기 단열부재(30) 사이의 공간을 통해 하방으로 유동되어 상기 베이스부재(37)에 원주 방향을 따라 복수 개 형성되는 배출공(36)을 통해 배출되도록 구성된다.The air introduced through the inlet 32 flows downward through the space between the process tube member 20 and the heat insulating member 30 to form a plurality of Through the exhaust hole 36, which is formed by the exhaust gas.

여기서, 상기 배출공(36)은 평면적으로 상기 공정튜브부재(20)의 전후 좌우에 각각 4 개 이상 형성된다.Here, four or more discharge holes 36 are formed on the front, back, left, and right sides of the process tube member 20 in a plan view.

그리하여, 상기 공정튜브부재(20)와 단열부재(30) 사이의 공간으로 유동된 공기가 상기 단열부재(30)의 일측에만 형성되는 배출부를 통해 배출되는 경우에 비해, 보다 입체적으로 배출될 수 있도록 구성된다.Thus, compared with the case where the air that has flowed into the space between the process tube member 20 and the heat insulating member 30 is discharged through the discharge portion formed only on one side of the heat insulating member 30, .

상기와 같이, 공정튜브부재(20)와 단열부재(30) 사이의 공간으로 유동된 공기가 보다 입체적으로 배출될 수 있도록 구성됨으로써, 상기 공정튜브부재(20) 주위를 유동하는 공기의 유동률을 상승시켜, 상기 공정튜브부재(20) 주위의 특정 영역에서 공기의 흐름이 적체되는 것을 방지할 수 있다.As described above, since the air flowing into the space between the process tube member 20 and the heat insulating member 30 can be discharged more stereoscopically, the flow rate of the air flowing around the process tube member 20 is increased Thereby preventing the flow of air in a specific region around the process tube member 20 from being accumulated.

그리하여, 상기 공정튜브부재(20)의 온도를 상승시키거나 하강시키는 경우에 전체 영역에서 고른 온도 분포가 유지될 수 있도록 구성된다.
Thus, even when the temperature of the process tube member 20 is raised or lowered, an even temperature distribution in the entire region can be maintained.

이상, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이러한 것에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해, 본 발명의 기술적 사상과 하기 될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형 실시가 가능할 것이다.While the present invention has been described with reference to the exemplary embodiments and the drawings, it is to be understood that the technical scope of the present invention is not limited to these embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the present invention by those skilled in the art. Various modifications and variations may be made without departing from the scope of the appended claims.

10: 보우트부재
20: 공정튜브부재
30: 단열부재
34: 유출구
36: 배출공
37: 베이스부재
40: 가열부재 10:
20: process tube member
30:
34: Outlet
36: Exhaust hole
37: base member
40: heating member

Claims (3)

복수 개의 웨이퍼들이 적재되는 보우트부재와;
상기 보우트부재의 외부를 감싸며 공정가스가 주입되는 공정튜브부재와;
상기 공정튜브부재의 외부를 감싸는 단열부재와;
상기 보우트부재에 적재되는 웨이퍼들을 가열하기 위한 가열부재와;
상기 단열부재 하부에 배치되는 베이스부재를 포함하며,
상기 가열부재는 가열코일로서 상기 단열부재의 내벽에 배치되며,
상기 공정튜브부재에는 공정가스 주입을 위한 주입관이 설치되고,
상기 공정튜브부재와 단열부재 사이에는 공기의 유동을 위한 공간이 형성되며,
상기 단열부재의 상부에는 공기의 유입을 위한 유입구가 형성되고,
상기 베이스부재에는 공기의 유출을 위한 유출구가 형성되며,
상기 단열부재는 원기둥 형상으로 형성되되,
상기 베이스부재에는 상기 공정튜브부재 주위로 유동된 공기를 배출하기 위한 배출공이 형성되며,
상기 배출공은 상기 공정튜브부재와 단열부재 사이의 원형 영역에서 원주 방향을 따라 복수 개 형성되고,
상기 공정튜브부재와 상기 단열부재 사이의 공간을 통해 공기가 하방으로 유동되어 상기 유출구로 배출되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기체의 역류가 방지되도록 구성되는 웨이퍼 열처리 장치.A boat member on which a plurality of wafers are loaded;
A process tube member surrounding the outer surface of the boat member and injecting a process gas;
A heat insulating member surrounding the outside of the process tube member;
A heating member for heating the wafers loaded on the boat member;
And a base member disposed below the heat insulating member,
Wherein the heating member is disposed on an inner wall of the heat insulating member as a heating coil,
Wherein the process tube member is provided with an injection tube for injecting a process gas,
A space for air flow is formed between the process tube member and the heat insulating member,
An inlet for introducing air is formed in the upper portion of the heat insulating member,
The base member is provided with an outlet for air outflow,
The heat insulating member is formed in a cylindrical shape,
Wherein the base member is formed with a discharge hole for discharging air flowing around the process tube member,
A plurality of exhaust holes are formed along the circumferential direction in a circular region between the process tube member and the heat insulating member,
Wherein the air flows downward through a space between the process tube member and the heat insulating member to be discharged to the outlet. 제 1 항에 있어서,
상기 배출공은 평면적으로 상기 공정튜브부재의 전후 좌우에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 기체의 역류가 방지되도록 구성되는 웨이퍼 열처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein the exhaust holes are formed on the front, rear, left, and right sides of the process tube member, respectively, in a plan view. 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004119510A (en) 2002-09-24 2004-04-15 Tokyo Electron Ltd Heat treating apparatus
JP2011258787A (en) * 2010-06-10 2011-12-22 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing substrate

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