KR20180118938A - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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Abstract

Disclosed is an apparatus for processing a substrate. The apparatus for processing a substrate according to the present invention comprises: a main body (100) having a chamber (101) in which a substrate (1) is processed; and a heater (200) located inside the main body (100) and generating heat necessary for processing the substrate (1). At least one vertical frame (300, 400) is provided on at least one side surface of the main body (100), into which substrate processing gas (g) can move.

Description

기판처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판처리 가스를 공급/배출하는 동시에 본체의 프레임을 이루어 본체의 강성을 보강하는 수직 프레임을 포함하는 기판처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. More particularly, the present invention relates to a substrate processing apparatus including a vertical frame for supplying / discharging substrate processing gas and reinforcing the rigidity of the body by forming a frame of the body.

기판처리 장치는, 평판 디스플레이, 반도체, 태양전지 등의 제조시 사용되며, 증착(Vapor Deposition) 장치와 어닐링(Annealing) 장치로 대별되며, 어닐링 장치는 기판에 막을 증착을 한 후, 증착된 막의 특성을 향상시키는 장치로써, 증착된 막을 결정화 또는 상 변화시키는 열처리 장치이다.The substrate processing apparatus is used for manufacturing a flat panel display, a semiconductor, a solar cell, and the like. The apparatus is roughly divided into a vapor deposition apparatus and an annealing apparatus. The annealing apparatus deposits a film on a substrate, Which is a heat treatment apparatus for crystallizing or phase-changing a deposited film.

복수의 기판을 처리하기 위한 배치식 기판처리 장치에는 기판처리 공간을 제공하는 챔버가 형성되고, 챔버에는 챔버로 로딩된 복수개의 기판을 각각 지지하는 지지부재인 기판 홀더가 설치될 수 있으며, 복수개의 기판을 기판처리하기 위해 각각의 기판 사이마다 히터가 설치될 수 있다.A batch type substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates is provided with a chamber for providing a substrate processing space, and a chamber may be provided with a substrate holder which is a support member for respectively supporting a plurality of substrates loaded into the chamber, A heater may be installed between each substrate to process the substrate.

도 1은 종래의 기판처리 장치를 나타내는 개략도이다. 도 2는 종래의 기판처리 장치의 가스 공급부(30) 및 가스 배출부(40)를 나타내는 단면도이다.1 is a schematic view showing a conventional substrate processing apparatus. 2 is a cross-sectional view showing a gas supply unit 30 and a gas discharge unit 40 of a conventional substrate processing apparatus.

종래의 기판처리 장치는 본체(10), 히터부(20), 가스 공급부(30), 가스 배출부(40) 및 챔버벽 온도제어부(50)를 포함한다.The conventional substrate processing apparatus includes a main body 10, a heater unit 20, a gas supply unit 30, a gas discharge unit 40, and a chamber wall temperature control unit 50.

본체(10)는 대략 정육면체 형상을 가지며, 내부에 기판이 로딩되어 처리되는 밀폐된 공간인 챔버(11)를 제공한다. 본체(15)의 전면에는 기판이 로딩/언로딩 되는 통로인 출입구(15)가 형성될 수 있다. 출입구(15)는 도어(미도시)에 의해 개폐된다.The main body 10 has a substantially cuboid shape and provides a chamber 11 which is an enclosed space in which a substrate is loaded and processed. An entrance 15, which is a passage through which the substrate is loaded / unloaded, may be formed on the front surface of the main body 15. The entrance 15 is opened and closed by a door (not shown).

히터부(20)는 챔버(11) 내부를 전체적으로 가열하여 기판처리 분위기를 조성하며 기판을 직접 가열하는 역할을 하는 주 히터부(21) 및 챔버(11)의 측면을 가열하여 챔버(11) 내부의 열 손실을 방지하는 역할을 하는 보조 히터부(22)를 포함한다.The heater unit 20 heats the inside of the chamber 11 and heats the side surface of the chamber 11 by heating the chamber 11 to form a substrate processing atmosphere and directly heating the substrate, And an auxiliary heater portion 22 serving to prevent heat loss of the heater.

가스 공급부(30)는 챔버(11)[또는, 본체(10)]의 좌측면에 연결되고, 가스 배출부(40)는 우측면에 연결될 수 있다. 가스 공급부(30)는 챔버(11) 내부로 토출공(33)을 통해 기판처리 가스(g)를 공급하는 가스 토출관(31) 및 외부에서 기판처리 가스(g)를 공급받아 가스 토출관(31)으로 전달하는 가스 공급관(32)으로 구성된다. 그리고, 가스 배출부(30)는 챔버(11) 내부의 기판처리 가스(g)를 배출공(43)을 통해 흡입하는 가스 흡입관(41) 및 가스 흡입관(41)으로부터 기판처리 가스(g)를 전달받아 외부의 가스 배출 수단으로 배출하는 가스 배출관(42)으로 구성된다.The gas supply part 30 may be connected to the left side of the chamber 11 (or the main body 10), and the gas discharge part 40 may be connected to the right side. The gas supply unit 30 includes a gas discharge pipe 31 for supplying the substrate processing gas g through the discharge hole 33 into the chamber 11 and a gas discharge pipe 31 for receiving the substrate processing gas g from the outside, 31). The gas discharging portion 30 discharges the substrate processing gas g from the gas suction pipe 41 and the gas suction pipe 41 for sucking the substrate processing gas g in the chamber 11 through the discharge hole 43 And a gas discharge pipe 42 for discharging the gas to the outside gas discharging means.

그리고, 챔버벽 온도제어부(50)는 챔버벽의 상하부면(51) 또는 측면(52)에 배치된다. 챔버벽 온도제어부(50)는 내부에 열매(熱媒) 또는 냉매(冷媒)가 흐를 수 있는 관 형태로 구성되어, 챔버(11)의 내벽 온도를 소정의 온도로 유지한다.The chamber wall temperature control unit 50 is disposed on the upper and lower surfaces 51 or the side surfaces 52 of the chamber walls. The chamber wall temperature control unit 50 has a tube shape in which a heat medium or a coolant can flow so that the temperature of the inner wall of the chamber 11 is maintained at a predetermined temperature.

위와 같은 종래의 기판처리 장치는 가스 공급부(30) 및 가스 배출부(40)를 본체(10)의 외곽에 별도로 파이프 라인 형태로 구성해야 하므로, 본체의 좌우측면에 파이프를 연결할 때 누출점(leak point)이 다수 존재하는 문제점이 있었다. 그리하여, 본체(10)에 가스 토출관(31) 및 가스 흡입관(41)을 삽입할 때, 별도의 실링 공정을 면밀히 수행해야 할 필요가 있고, 이는 제조 시간 및 원가의 증가로 이어져 생산성을 감축시키는 원인이 되었다. 또한, 수많은 가스 공급부(30) 및 가스 배출부(40)들의 구성요소를 각각 연결하고, 이를 본체(10)에 연결하는 과정에서 각 구성요소 간의 파손이 발생할 가능성이 높고, 이로 인한 누출이 발생할 수 있는 문제점이 있었다.Since the gas supply unit 30 and the gas discharge unit 40 are separately formed on the outer periphery of the main body 10 in the above-described conventional substrate processing apparatus, when pipes are connected to the left and right sides of the main body 10, point) exist in many cases. Therefore, when inserting the gas discharge pipe 31 and the gas suction pipe 41 into the main body 10, a separate sealing process needs to be performed closely, which leads to an increase in manufacturing time and cost, It became a cause. Also, there is a high possibility that breakage of each component occurs during the process of connecting the components of the gas supply unit 30 and the gas discharge unit 40 to each other and connecting the gas supply unit 30 and the gas discharge unit 40 to each other, There was a problem.

또한, 가스 토출관(31) 및 가스 흡입관(41)의 직경 사이즈가 고정되어 있으므로, 장치에 한번 설치하면 이후에는 가스 공급량 또는 가스 배출량을 쉽게 변경하지 못하는 문제점이 있었다.Further, since the sizes of the gas discharge pipe 31 and the gas suction pipe 41 are fixed, once installed in the apparatus, the gas supply amount or the gas discharge amount can not be easily changed thereafter.

한편, 면상의 플레이트를 접합하여 본체(10)를 구성하므로, 강성을 보완하기 위해 본체의 각 면에 보강 리브(60: 61, 62)를 더 배치하는데, 보강 리브(60)로 인해 장치의 크기가 불필요하게 커지는 문제점이 있었고, 보강 리브(60)와 히터부(20), 가스 공급부(30), 가스 배출부(40) 등의 다른 구성요소와의 간섭 문제로 인해 장치의 설계가 어려워지는 문제점이 있었다.In order to compensate the rigidity, reinforcing ribs (61, 61, 62) are further provided on each side of the main body. However, due to the reinforcing ribs (60) And the problem of interference between the reinforcing ribs 60 and other components such as the heater unit 20, the gas supplying unit 30 and the gas discharging unit 40 makes it difficult to design the apparatus .

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 프레임에서 가스 공급/배출을 수행할 수 있도록 하여, 가스 공급/배출을 위한 본체와의 연결 구성을 간단하게 하고, 누출점(leak point)을 감축시킨 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the above problems of the prior art and it is an object of the present invention to provide a gas supply / and to provide a substrate processing apparatus in which a leak point is reduced.

또한, 본 발명은 가스 공급부 및 가스 배출부의 파손 가능성을 낮추어 기판처리 가스의 누출을 방지하고, 가스 공급량 및 가스 배출량을 자유롭게 변경할 수 있는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of reducing the possibility of breakage of the gas supply unit and the gas discharge unit, preventing the leakage of the substrate process gas, and freely changing the gas supply amount and the gas discharge amount.

또한, 본 발명은 가스 공급/배출을 수행하는 프레임이 본체의 강성을 보완할 수 있는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus in which a frame for performing gas supply / discharge can complement the rigidity of the main body.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성된 본체; 상기 본체의 내부에 위치되며 상기 기판의 처리에 필요한 열을 발생하는 히터;를 포함하며, 상기 본체의 적어도 일측면에는 그 내부로 기판처리 가스가 이동할 수 있는 적어도 하나의 수직 프레임이 설치되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a main body having a chamber formed therein for processing a substrate; And at least one vertical frame capable of moving a substrate processing gas into at least one side surface of the main body is installed on the at least one side surface of the main body, .

상기 수직 프레임은, 상기 본체의 일측에 형성되어, 상기 챔버에 기판처리 가스를 공급하는 제1 수직 프레임; 및 상기 일측에 대향하는 타측에 형성되어, 상기 챔버로부터 상기 기판처리 가스를 배출하는 제2 수직 프레임을 포함할 수 있다.Wherein the vertical frame comprises: a first vertical frame formed on one side of the body and supplying a substrate processing gas to the chamber; And a second vertical frame formed on the other side opposite to the one side for discharging the substrate processing gas from the chamber.

복수의 상기 제1 수직 프레임이 상기 본체의 일측면 방향을 따라서 소정 간격을 이루며 배치되고, 복수의 상기 제2 수직 프레임이 상기 본체의 타측면 방향을 따라서 소정 간격을 이루며 배치될 수 있다.A plurality of the first vertical frames may be disposed at predetermined intervals along one lateral direction of the main body and a plurality of the second vertical frames may be disposed at predetermined intervals along the other lateral direction of the main body.

상기 제1 수직 프레임의 상기 챔버의 반대편을 향하는 일측 상에 외부의 기판처리 가스 공급 장치에 연결되는 공급관이 형성되고, 상기 제2 수직 프레임의 상기 챔버의 반대편을 향하는 일측 상에 외부의 기판처리 가스 배출 장치에 연결되는 배출관이 형성될 수 있다.A supply pipe connected to an external substrate processing gas supply device is formed on one side of the first vertical frame facing the opposite side of the chamber and an external substrate processing gas is supplied on one side of the second vertical frame facing the opposite side of the chamber, A discharge pipe connected to the discharge device may be formed.

상기 수직 프레임의 상기 챔버를 향하는 일측 상에, 수직 방향으로 소정 간격을 이루며 복수의 가스 홀이 형성될 수 있다.A plurality of gas holes may be formed at predetermined intervals in the vertical direction on one side of the vertical frame facing the chamber.

상기 복수의 가스 홀의 테두리에 연통관이 연결될 수 있다.A communicating tube may be connected to an edge of the plurality of gas holes.

상기 가스 홀에 연결되는 상기 연통관 일측의 직경과 상기 연통관 일측에 대향하는 타측의 직경이 동일할 수 있다.The diameter of one side of the communicating tube connected to the gas hole may be the same as the diameter of the other side opposite to the side of the communicating tube.

상기 가스 홀에 연결되는 상기 연통관 일측의 직경과 상기 연통관 일측에 대향하는 타측의 직경이 상이할 수 있다.The diameter of one side of the communicating tube connected to the gas hole may be different from the diameter of the other side opposite to the one side of the communicating tube.

상기 본체는 육면체 형상을 가지고, 본체 프레임 및 육면체의 면을 형성하는 본체 플레이트를 포함할 수 있다.The main body may include a main body plate having a hexahedral shape and forming a main body frame and a surface of a hexahedron.

상기 본체의 상부 내측면 및 하부 내측면에 배치되며, 챔버벽의 온도를 제어하는 챔버벽 온도제어 프레임을 더 포함할 수 있다.And a chamber wall temperature control frame disposed at an upper inner side surface and a lower inner side surface of the main body and controlling a temperature of the chamber wall.

상기 챔버벽 온도제어 프레임은 내부에 열매(熱媒) 또는 냉매(冷媒)가 흐를 수 있다.In the chamber wall temperature control frame, a heat medium or a refrigerant (refrigerant) may flow therein.

상기 본체의 상기 수직 프레임이 설치되는 일측면 상에 배치되며, 챔버벽의 온도를 제어하는 챔버벽 온도제어부를 더 포함할 수 있다.And a chamber wall temperature control unit disposed on one side of the main body, on which the vertical frame is installed, for controlling the temperature of the chamber wall.

상게 본체와 상기 수직 프레임의 재질은 동일할 수 있다.The material of the upper body and the vertical frame may be the same.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 프레임에서 가스 공급/배출을 수행할 수 있도록 하여, 가스 공급/배출을 위한 본체와의 연결 구성을 간단하게 하고, 누출점(leak point)을 감축시키는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, it is possible to perform gas supply / discharge in the frame, simplify the connection structure with the main body for gas supply / discharge, and reduce the leak point .

또한, 본 발명은 가스 공급부 및 가스 배출부의 파손 가능성을 낮추어 기판처리 가스의 누출을 방지하고, 가스 공급량 및 가스 배출량을 자유롭게 변경할 수 있는 효과가 있다.Further, the present invention has the effect of reducing the possibility of breakage of the gas supply unit and the gas discharge unit, preventing leakage of the substrate processing gas, and freely changing the gas supply amount and the gas discharge amount.

또한, 본 발명은 가스 공급/배출을 수행하는 프레임이 본체의 강성을 보완할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect that the frame for performing gas supply / discharge can complement the rigidity of the main body.

도 1은 종래의 기판처리 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 종래의 기판처리 장치의 가스 공급부 및 가스 배출부를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치의 전체적인 구성을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치의 프레임 부분을 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치에서 기판처리 가스의 흐름을 나타내는 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 프레임의 구성을 나타내는 확대 측단면도면이다.1 is a schematic sectional view showing a conventional substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view showing a gas supply unit and a gas discharge unit of a conventional substrate processing apparatus.
3 is a schematic view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic view showing a frame portion of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a side sectional view showing the flow of substrate processing gas in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an enlarged side sectional view showing a configuration of a vertical frame according to an embodiment of the present invention. FIG.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings, which illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled, if properly explained. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several views, and length and area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

본 명세서에 있어서, 기판은 LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있다.In this specification, the substrate may be understood as including a substrate used for a display device such as an LED, an LCD, a semiconductor substrate, a solar cell substrate, and the like.

또한, 본 명세서에 있어서, 기판처리 공정이란 증착 공정, 열처리 공정 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있다. 다만, 이하에서는 열처리 공정으로 상정하여 설명한다.In the present specification, the substrate processing step may be understood to mean a deposition step, a heat treatment step, and the like. Hereinafter, the heat treatment process will be assumed and explained.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 인라인 열처리 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, an inline thermal processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치의 전체적인 구성을 나타내는 개략 단면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치의 프레임 부분(110, 300, 400, 500)을 나타내는 개략도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치에서 기판처리 가스(g)의 흐름을 나타내는 측단면도이다. 도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 프레임(300, 400)의 구성을 나타내는 확대 측단면도면이다.3 is a schematic cross-sectional view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 4 is a schematic diagram showing a frame portion 110, 300, 400, 500 of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 5 is a side sectional view showing the flow of the substrate processing gas g in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 6 is an enlarged side sectional view showing a configuration of vertical frames 300 and 400 according to an embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리 장치는 본체(100), 히터부(200) 및 수직 프레임(300, 400)을 포함할 수 잇다.Referring to FIGS. 3 and 4, the substrate processing apparatus according to the present embodiment may include a main body 100, a heater unit 200, and vertical frames 300 and 400.

본체(100)는 내부에 기판(1)이 로딩되어 처리되는 밀폐된 공간인 챔버(101)를 구성한다. 본체(100)의 재질은 석영(Quartz), 스테인리스 스틸(SUS), 알루미늄(Aluminium), 그라파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(Silicon carbide) 또는 산화 알루미늄(Aluminium oxide) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.The main body 100 constitutes a chamber 101 which is an enclosed space in which the substrate 1 is loaded and processed. The material of the main body 100 may be at least one of quartz, stainless steel, aluminum, graphite, silicon carbide, or aluminum oxide.

본체(100)는 대략 육면체 형상을 가지고, 본체 프레임(110) 및 육면체의 면을 형성하는 본체 플레이트(120)를 포함할 수 있다. 본체 프레임(110)은 본체(100)의 골격, 즉, 육면체의 각 모서리를 구성하는 프레임이다. 본체 플레이트(120)는 본체(100)의 면을 구성하며, 히터부(200)의 단위 히터들이 관통삽입 될 수 있는 관통홀(130)이 형성될 수 있다.The main body 100 has a substantially hexahedral shape and may include a main body frame 110 and a main body plate 120 that forms a surface of a hexahedron. The main body frame 110 is a frame of the main body 100, that is, a frame constituting each corner of a cube. The body plate 120 constitutes a surface of the main body 100 and a through hole 130 through which the unit heaters of the heater unit 200 can be inserted can be formed.

본체(100)의 일면[일 예로, 전면]에는 기판(1)이 로딩/언로딩 되는 통로인 출입구(115)[도 3 참조]가 형성될 수 있다. 출입구(115)는 본체(100)의 일면[일 예로, 전면]에만 형성될 수 있고, 반대면[일 예로, 후면]에도 형성될 수 있다.An entrance 115 (see FIG. 3), which is a passage through which the substrate 1 is loaded / unloaded, may be formed on one surface (e.g., a front surface) of the main body 100. The entrance 115 may be formed on only one side (e.g., the front side) of the main body 100, or on the opposite side (e.g., the back side).

도어(미도시)는 본체(100)의 일면[즉, 출입구(115)가 형성된 면]에 설치될 수 있다. 도어는 전후방향, 좌우방향 또는 상하방향으로 슬라이딩 가능하게 설치될 수 있다. 도어는 출입구(115)를 개폐할 수 있고, 출입구(115)의 개폐 여부에 따라서 챔버(101)도 물론 개폐될 수 있다. 도어에 의하여 출입구(115)가 완전하게 실링되도록 도어와 본체(100)의 출입구(115)가 형성된 면 사이에는 오링(O-ring) 등의 실링부재(미도시)가 개재될 수 있다.The door (not shown) may be installed on one surface of the main body 100 (that is, the surface on which the entrance 115 is formed). The door can be slidably mounted in the front-rear direction, the left-right direction, or the vertical direction. The door can open and close the entrance 115 and can be opened and closed as well as the chamber 101 depending on whether the entrance 115 is open or closed. A sealing member (not shown) such as an O-ring may be interposed between the door and the surface on which the door 115 of the main body 100 is formed so that the door 115 is completely sealed by the door.

히터부(200)는 챔버(101) 내부를 가열하여 기판처리 분위기를 조성하며 기판(1)을 직접 가열하는 역할을 하는 주 히터부(210) 및 챔버(101) 내부의 열 손실을 방지하는 역할을 하는 보조 히터부(220)를 포함할 수 있다. 도 3 및 도 4에서는 수직 프레임(300, 400) 등 다른 구성에 대한 설명을 위해, 히터부(200)의 일부만 도시하였다. 히터부(200)는 도 1의 히터부(20)에 대응할 수 있다. 또한, 본 출원인의 선행출원인 한국특허출원 제10-2008-0069329호의 히터 유닛이 전체로서 편입된 것으로 간주되어야 한다.The heater unit 200 includes a main heater unit 210 that heats the interior of the chamber 101 and functions to directly heat the substrate 1, And an auxiliary heater unit 220 that performs a heating operation. 3 and 4, only a part of the heater unit 200 is illustrated for explaining another configuration such as the vertical frames 300 and 400. [ The heater unit 200 may correspond to the heater unit 20 of FIG. In addition, the heater unit of Korean Patent Application No. 10-2008-0069329, the applicant's prior application, should be regarded as being incorporated as a whole.

주 히터부(210)[도 1의 21 참조]는 기판(1)의 로딩/언로딩 방향과 수직한 방향으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있고, 기판(1)의 적층 방향을 따라 수직으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있다. 보조 히터부(220)[도 1의 22 참조]는 기판(1)의 로딩/언로딩 방향과 평행한 방향으로 챔버(101) 내벽에 기판(1)의 적층 방향을 따라 수직으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있다.The main heater section 210 (see 21 in FIG. 1) may be disposed at a predetermined interval in a direction perpendicular to the loading / unloading direction of the substrate 1, and may be vertically arranged along the stacking direction of the substrate 1 They can be arranged at regular intervals. The auxiliary heater unit 220 (see 22 in FIG. 1) is spaced vertically on the inner wall of the chamber 101 in the stacking direction of the substrate 1 in the direction parallel to the loading / unloading direction of the substrate 1 .

주 히터부(210) 및 보조 히터부(220)는, 챔버(101)의 일측면에서 타측면까지 연통되는 바(bar) 형상을 가지며, 석영관 내부에 발열 물질이 삽입된 형태인 단위 히터를 복수개 포함한다. 단위 히터가 본체 플레이트(120)에 형성된 관통홀(130)을 통해 본체(100)의 양측면을 관통하여 챔버(101) 내부를 가열할 수 있다. 따라서, 복수의 기판(1)은 상부 및 하부에 배치된 히터부(200)에 의해서 전면적이 균일하게 가열될 수 있으므로, 기판처리 공정의 신뢰성이 향상되는 이점이 있다.The main heater part 210 and the auxiliary heater part 220 have a bar shape communicating from one side to the other side of the chamber 101 and have a unit heater in which a heating material is inserted into the quartz tube It includes a plurality. The unit heaters can heat the inside of the chamber 101 through the side surfaces of the main body 100 through the through holes 130 formed in the main body plate 120. Therefore, the entire surface of the plurality of substrates 1 can be uniformly heated by the heater unit 200 disposed at the upper and lower portions, thereby improving the reliability of the substrate processing process.

도 3 내지 도 6을 다시 참조하면, 본 발명의 기판처리 장치는, 본체(100)의 적어도 일측면에 수직 프레임(300, 400)이 설치되고, 수직 프레임(300, 400)의 내부로 기판처리 가스(g)가 이동할 수 있는 것을 특징으로 한다. 여기에서, 기판처리 가스(g)는 수직 프레임(300, 400)이 내부의 빈 통로를 통해 이동할 수 있다.3 to 6, the substrate processing apparatus of the present invention includes vertical frames 300 and 400 mounted on at least one side of a main body 100, Characterized in that the gas (g) can move. Here, the substrate processing gas (g) can move through the empty passages inside the vertical frames 300 and 400.

수직 프레임(300, 400)은 본체(100)와 동일한 재질로서, 석영(Quartz), 스테인리스 스틸(SUS), 알루미늄(Aluminium), 그라파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(Silicon carbide) 또는 산화 알루미늄(Aluminium oxide) 중 적어도 어느 하나를 채용하는 것이 제조의 통일성, 열팽창률을 고려할 때 바람직하다. 하지만, 이에 제한되는 것은 아니며, 기판처리 가스(g)에 대한 내식성, 프레임 강성 등을 고려하여 다른 재질을 채용할 수도 있다.The vertical frames 300 and 400 are made of the same material as the main body 100 and are made of quartz, stainless steel, aluminum, graphite, silicon carbide, or aluminum oxide ) Is preferably employed in consideration of uniformity of production and thermal expansion coefficient. However, the present invention is not limited thereto, and other materials may be employed in consideration of the corrosion resistance of the substrate processing gas g, the frame rigidity, and the like.

본체(100)의 육면체 각 모서리를 구성하는 프레임인 본체 프레임(110)에 더하여, 수직 프레임(300, 400)이 본체(100)의 적어도 일측, 예를 들어, 본체(100)의 좌측 및 우측에 수직 방향으로 연장 형성될 수 있다. 수직 프레임(300, 400)은 수직 방향으로 연장되어, 본체(100)의 상부 테두리 및 하부 테두리를 구성하는 본체 프레임(110)에 상단 및 하단이 연결될 수 있다. 본체 프레임(110)에 더하여, 본체(100)의 양측(좌측, 우측)에 수직 프레임(300, 400)이 추가됨에 따라 본체(100)의 강성이 더욱 증가되는 이점이 있다. 따라서, 수직 프레임(300, 400)은 종래의 기판처리 장치의 측면의 보강리브(62)[도 1 참조]를 대체할 수 있고, 보강리브(62)를 생략할 수 있으므로 장치의 크기를 줄일 수 있는 이점이 있다.The vertical frames 300 and 400 are provided on at least one side of the main body 100, for example, on the left and right sides of the main body 100, in addition to the main body frame 110 which is a frame constituting each corner of the hexahedron of the main body 100. [ And extend in the vertical direction. The vertical frames 300 and 400 may extend in the vertical direction so that the upper and lower ends of the vertical frames 300 and 400 may be connected to the main frame 110 constituting the upper and lower rims of the main body 100. The rigidity of the main body 100 is further increased by adding the vertical frames 300 and 400 to both sides (left and right sides) of the main body 100 in addition to the main body frame 110. Therefore, the vertical frames 300 and 400 can replace the side reinforcing ribs 62 (see FIG. 1) of the conventional substrate processing apparatus, and the reinforcing ribs 62 can be omitted, There is an advantage.

구체적으로, 수직 프레임(300, 400)은, 본체(100)의 일측(도 3 및 도 4에 도시된 예로, 좌측)에 형성되는 제1 수직 프레임(300) 및 본체(100)의 일측에 대향하는 타측(도 3 및 도 4에 도시된 예로, 우측)에 형성되는 제2 수직 프레임(400)을 포함할 수 있다.Specifically, the vertical frames 300 and 400 include a first vertical frame 300 formed on one side (left side in FIG. 3 and FIG. 4) of the main body 100 and a second vertical frame 300 formed on one side of the main body 100 And a second vertical frame 400 formed on the other side (the right side in the example shown in Figs. 3 and 4).

복수의 제1 수직 프레임(300)은 본체(100)의 일측(좌측)면 방향을 따라서 소정 간격을 이루며 배치될 수 있다. 그리고, 복수의 제2 수직 프레임(400)이 본체의 타측(우측)면 방향을 따라서 소정 간격을 이루며 배치될 수 있다. 여기에서, 제1 수직 프레임(300)과 제2 수직 프레임(400)의 소정 간격은 동일한 것이 바람직하며, 각각의 제1 수직 프레임(300)과 각각의 제2 수직 프레임(400)이 서로 대향하는 것이 바람직하다.The plurality of first vertical frames 300 may be arranged at predetermined intervals along one side (left side) of the main body 100. The plurality of second vertical frames 400 may be disposed at predetermined intervals along the other side (right side) of the main body. Here, it is preferable that a predetermined interval between the first vertical frame 300 and the second vertical frame 400 is the same, and each first vertical frame 300 and each second vertical frame 400 are opposed to each other .

제1 수직 프레임(300)은 외부의 기판처리 가스 공급 장치(미도시)로부터 제1 수직 프레임(300)의 내부로 기판처리 가스(g)를 공급받을 수 있다. 공급받은 기판처리 가스(g)는 제1 수직 프레임(300)의 내부를 지나서 챔버(101)로 공급될 수 있다. 다시 말해, 제1 수직 프레임(300)은 챔버(101) 내부로 기판처리 가스(g)를 공급하는 "가스 공급부(gas injector)"로서 기능할 수 있다.The first vertical frame 300 may receive substrate processing gas g from an external substrate processing gas supply device (not shown) into the first vertical frame 300. The supplied substrate processing gas g may be supplied to the chamber 101 through the interior of the first vertical frame 300. In other words, the first vertical frame 300 can function as a "gas injector " for supplying the substrate processing gas g into the chamber 101.

제1 수직 프레임(300)은 공급 프레임(310), 공급관(320) 및 연통관(330)을 포함할 수 있다. 공급 프레임(310), 공급관(320) 및 연통관(330)은 각각 내부에 빈 공간이 형성되며, 내부의 빈 공간이 상호 연통되므로, 공급관(320) -> 공급 프레임(310) -> 연통관(330)에 이르는 기판처리 가스(g)의 공급로가 형성될 수 있다[도 5 참조].The first vertical frame 300 may include a supply frame 310, a supply pipe 320, and a communication pipe 330. The supply frame 320, the supply frame 310, the communication pipe 330, the supply pipe 320, and the communication pipe 330 are formed in the inner space of the supply frame 310, the supply pipe 320 and the communication pipe 330, ) Can be formed (see Fig. 5).

공급 프레임(310)은 상술한 바와 같이, 본체(100)의 좌측에 수직 방향으로 연장형성된 프레임이다. 공급 프레임(310)은 외부의 기판처리 가스 공급 장치(미도시)로부터 기판처리 가스(g)를 공급받고, 수직 상방 방향으로 이동시키면서 기판처리 가스(g)를 연통관(330) 또는 가스 홀(331)에 분배할 수 있다. 동시에, 본체 프레임(110)과 같이 본체(100)의 강성을 보완할 수 있다. 그리고, 측면에 형성된 연통관(330) 또는 가스 홀(331)을 통해 챔버(101) 내부로 기판처리 가스(g)를 공급하는 주된 구성요소로 기능할 수 있다.The supply frame 310 is a frame extending in the vertical direction on the left side of the main body 100, as described above. The supply frame 310 receives the substrate processing gas g from an external substrate processing gas supply device and moves the substrate processing gas g in the vertical upward direction while moving the substrate processing gas g through the communication tube 330 or the gas hole 331 ). ≪ / RTI > At the same time, the rigidity of the main body 100 can be compensated for, such as the main frame 110. And can function as a main component for supplying the substrate processing gas g into the chamber 101 through the communicating tube 330 or the gas hole 331 formed in the side surface.

가스 홀(331)은 수직 프레임(300)[또는, 공급 프레임(310)]의 일측 상에 수직 방향으로 소정 간격을 이루며 복수개가 형성될 수 있다. 가스 홀(331) 또는 연통관(330)은 복수개의 기판(1)[및 홀더(2)]이 챔버(101)에 수용되었을 때, 기판처리 가스(g)를 기판(1)으로 균일하게 공급하고, 기판처리 가스(g)를 용이하게 흡입하여 외부로 배출하며, 동시에 각각의 기판(1) 상에서 기판처리 가스(g)가 층류(laminar flow)를 이루며 이동할 수 있도록, 챔버(101) 내에 배치된 기판(1)과 상부 또는 하부에 인접하는 기판(1) 사이의 간격에 각각 위치되는 것이 바람직하다[도 5 참조]. 제1 수직 프레임(300) 외에 제2 수직 프레임(400)의 가스 홀 및 연통관(430)도 제1 수직 프레임(300)의 가스 홀(331) 및 연통관(330)에 대응하는 구성일 수 있다.A plurality of gas holes 331 may be formed at predetermined intervals in the vertical direction on one side of the vertical frame 300 (or the supply frame 310). The gas hole 331 or the communicating pipe 330 uniformly supplies the substrate processing gas g to the substrate 1 when a plurality of substrates 1 (and the holder 2) are accommodated in the chamber 101 , The substrate processing gas g is easily sucked and discharged to the outside and simultaneously the substrate processing gas g is moved on the respective substrates 1 in a laminar flow, (See Fig. 5), respectively, between the substrate 1 and the substrate 1 adjacent to the upper or lower portion. The gas hole and the communication pipe 430 of the second vertical frame 400 may correspond to the gas hole 331 and the communication pipe 330 of the first vertical frame 300 in addition to the first vertical frame 300.

한편, 공급 프레임(310)은 그 자체로 제1 수직 프레임(300)이 될 수도 있다. 공급관(320)과 연통관(330)을 생략한 구성으로서, 이 경우, 공급 프레임(310)의 일측(예를 들어, 외부를 향하는 일측)이 외부의 기판처리 가스 공급 장치(미도시)에 직접적으로 연결되고, 타측(챔버(101)를 향하는 측)에 기판처리 가스(g)를 토출할 복수의 가스 홀(331)이 형성될 수 있다[도 6의 (a) 참조].On the other hand, the supply frame 310 may itself be the first vertical frame 300. The supply pipe 320 and the communicating pipe 330 are omitted. In this case, one side of the supply frame 310 (for example, one side facing the outside) is directly connected to an external substrate processing gas supply device And a plurality of gas holes 331 for discharging the substrate processing gas g may be formed on the other side (the side facing the chamber 101) (see FIG. 6A).

공급관(320)은 외부의 기판처리 가스 공급 장치(미도시)와 공급 프레임(310) 사이에 개재될 수 있다. 공급관(320)은 공급 프레임(310)의 외부를 향하는 일측 하단부에 연결될 수 있다. 공급관(320)은 공급 프레임(310)과 착탈식으로 연결될 수 있고, 접착식으로 연결될 수도 있다. 공급관(320)은 공급 프레임(310)의 내부 전체에 기판처리 가스(g)를 공급할 수 있도록, 공급 프레임(310) 및 연통관(330)의 직경보다는 큰 직경을 가지는 것이 바람직하다. 후술할 연통관(330)과 마찬가지로, 공급관(320)의 직경은 변경 가능하며, 공정 형태에 따라 다양한 크기의 공급관(320)을 공급 프레임(310)에 조립식으로 착탈 연결할 수 있다.The supply pipe 320 may be interposed between an external substrate processing gas supply device (not shown) and the supply frame 310. The supply pipe 320 may be connected to one side lower end portion of the supply frame 310 facing the outside. The supply pipe 320 may be detachably connected to the supply frame 310, or may be adhesively connected. The supply pipe 320 preferably has a larger diameter than the diameters of the supply frame 310 and the communication pipe 330 so as to supply the substrate processing gas g to the entire interior of the supply frame 310. The diameter of the supply pipe 320 can be changed and the supply pipe 320 having various sizes can be detachably connected to the supply frame 310 according to the process type.

연통관(330)은 공급 프레임(310)의 챔버(101)를 향하는 일측에 연결될 수 있다. 연통관(330)은 공급 프레임(310)에 형성된 복수의 가스 홀(331)에 삽입 연결될 수 있다. 예를 들어, 가스 홀(331)의 테두리에 나사홈이 형성되고, 가스 홀(331)과 접하는 연통관(330)의 부분에 나사홈에 끼워지는 나사산이 형성되어 가스 홀(331)의 테두리에 연통관(330)이 체결될 수 있다. 이 외에도 공급 프레임(310)의 가스 홀과 연통관(330)이 연결되는 공지의 다른 체결 방법을 이용할 수 있다.The communicating tube 330 may be connected to one side of the supply frame 310 facing the chamber 101. The communicating tube 330 may be inserted into and connected to a plurality of gas holes 331 formed in the supply frame 310. For example, a screw groove is formed at the edge of the gas hole 331, and a thread is formed in a portion of the communicating pipe 330 in contact with the gas hole 331 so as to fit into the screw groove, (330) can be fastened. Other known fastening methods may be used in which the gas holes of the supply frame 310 and the communicating pipe 330 are connected.

도 6의 (b)를 참조하면, 가스 홀(331)에 연결되는 연통관(330)의 일측의 직경(R1)과, 연통관(330) 일측에 대향하는 타측의 직경(R1)은 동일할 수 있다. 즉, 연통관(330)은 직경이 일정한 원통형일 수 있다. 다른 예로, 도 6의 (c)를 참조하면, 가스 홀(331)에 연결되는 연통관(330)의 일측의 직경(R1)과, 연통관(330) 일측에 대향하는 타측의 직경(R2)은 상이할 수 있다. 가스 홀(331)에 연결되는 연통관(330) 일측의 직경(R1)만 그대로 유지하고, 타측의 직경(R1, R2)을 다양하게 변형함에 따라, 챔버(101) 내부로 공급하는 기판처리 가스(g)의 공급량을 조절할 수 있는 이점이 있다. 다시 말해, 수직 프레임(300) 전체를 바꾸지 않고도, 직경만 다른 연통관(330)을 가스 홀(331)에 연결함에 따라 가스 공급량을 자유롭게 변경할 수 있고, 본체(100), 수직 프레임(300)의 파손 가능성을 낮출 수 있는 이점이 있다.6B, the diameter R1 of one side of the communication pipe 330 connected to the gas hole 331 may be the same as the diameter R1 of the other side opposite to the one side of the communication pipe 330 . That is, the communicating tube 330 may have a cylindrical shape with a constant diameter. 6 (c), the diameter R1 of one side of the communication pipe 330 connected to the gas hole 331 and the diameter of the other side opposite to the one side of the communication pipe 330 are different from each other can do. Only the diameter R1 of one side of the communication pipe 330 connected to the gas hole 331 is maintained as it is and the substrate processing gas supplied into the chamber 101 g) can be controlled. In other words, it is possible to freely change the gas supply amount by connecting the communicating tubes 330 different in diameter to the gas holes 331 without changing the entirety of the vertical frame 300, There is an advantage that the possibility can be lowered.

제2 수직 프레임(400)은 챔버(101) 내부에서 배출된 기판처리 가스(g)를 제2 수직 프레임(400)의 내부로 흡입할 수 있다. 흡입된 기판처리 가스(g)는 제2 수직 프레임(400)의 내부를 지나서 외부의 기판처리 가스 배출 장치(미도시)로 배출될 수 있다. 다시 말해, 제2 수직 프레임(400)은 챔버(101) 내부의 기판처리 가스(g)를 배출하는 "가스 배출부(gas exhaust)"로서 기능할 수 있다. 제2 수직 프레임(400)은 제1 수직 프레임(300)과 대향되며, 동일한 형태를 가질 수 있다.The second vertical frame 400 may suck the substrate processing gas g discharged from the inside of the chamber 101 into the second vertical frame 400. The sucked substrate processing gas g may be discharged to an external substrate processing gas discharging device (not shown) through the interior of the second vertical frame 400. In other words, the second vertical frame 400 can function as a "gas exhaust " for discharging the substrate processing gas g within the chamber 101. [ The second vertical frame 400 faces the first vertical frame 300 and may have the same shape.

제2 수직 프레임(400)은 배출 프레임(410), 배출관(420) 및 연통관(430)을 포함할 수 있다. 배출 프레임(410), 배출관(420) 및 연통관(430)은 각각 내부에 빈 공간이 형성되며, 내부의 빈 공간이 상호 연통되므로, 연통관(430) -> 배출 프레임(410) -> 배출관(420)에 이르는 기판처리 가스(g)의 배출로가 형성될 수 있다[도 5 참조].The second vertical frame 400 may include a discharge frame 410, a discharge pipe 420, and a communication pipe 430. The discharge frame 410, the discharge pipe 420, and the communication pipe 430 are each formed with an empty space therein and the empty spaces therein are communicated with each other. Therefore, the communication pipe 430, the discharge frame 410, ) Can be formed (see Fig. 5).

배출 프레임(410)은 상술한 바와 같이, 본체(100)의 우측에 수직 방향으로 연장형성된 프레임이다. 배출 프레임(410)은 챔버(101) 내부의 기판처리 가스(g)를 흡입하여, 수직 하방 방향으로 이동시키면서 기판처리 가스(g)를 배출관(420)으로 배출할 수 있다. 동시에, 본체 프레임(110)과 같이 본체(100)의 강성을 보완할 수 있다. 그리고, 측면에 형성된 연통관(430) 또는 가스 홀[가스 홀(331)에 대응]을 통해 챔버(101) 내부의 기판처리 가스(g)를 배출하는 주된 구성요소로 기능할 수 있다.The discharge frame 410 is a frame extending in the vertical direction to the right side of the main body 100, as described above. The discharge frame 410 can suck the substrate processing gas g in the chamber 101 and discharge the substrate processing gas g to the discharge tube 420 while moving the substrate processing gas g in the vertical downward direction. At the same time, the rigidity of the main body 100 can be compensated for, such as the main frame 110. And can function as a main component for discharging the substrate processing gas g in the chamber 101 through the communicating tube 430 or the gas hole (corresponding to the gas hole 331) formed on the side surface.

한편, 배출 프레임(410)은 그 자체로 제2 수직 프레임(400)이 될 수도 있다. 배출관(420)과 연통관(430)을 생략한 구성으로서, 이 경우, 배출 프레임(410)의 일측(예를 들어, 외부를 향하는 일측)이 외부의 기판처리 가스 배출 장치(미도시)에 직접적으로 연결되고, 타측(챔버(101)를 향하는 측)에 기판처리 가스(g)를 흡입할 복수의 가스 홀이 형성될 수 있다[도 6의 (a) 참조, 제2 수직 프레임(400)도 동일하게 적용가능].Meanwhile, the discharge frame 410 may be a second vertical frame 400 itself. The discharge pipe 420 and the communication pipe 430 are omitted. In this case, one side of the discharge frame 410 (for example, one side facing the outside) is directly connected to the external substrate processing gas discharge device And a plurality of gas holes for sucking the substrate processing gas g may be formed on the other side (the side facing the chamber 101) (see Fig. 6 (a), and the second vertical frame 400 is also the same Applicable to.

배출관(420)은 외부의 기판처리 가스 배출 장치(미도시)와 배출 프레임(410) 사이에 개재될 수 있다. 배출관(420)은 배출 프레임(410)의 외부를 향하는 일측 하단부에 연결될 수 있다. 배출관(420)은 배출 프레임(410)과 착탈식으로 연결될 수 있고, 접착식으로 연결될 수도 있다. 배출관(420)은 배출 프레임(410)의 내부 전체에 존재하는 기판처리 가스(g)가 빠르게 배출될 수 있도록, 배급 프레임(410) 및 연통관(430)의 직경보다는 큰 직경을 가지는 것이 바람직하다. 후술할 연통관(430)과 마찬가지로, 배출관(420)의 직경은 변경 가능하며, 공정 형태에 따라 다양한 크기의 배출관(420)을 배출 프레임(410)에 조립식으로 착탈 연결할 수 있다.The discharge pipe 420 may be interposed between an external substrate processing gas discharge device (not shown) and the discharge frame 410. The discharge pipe 420 may be connected to one side lower end of the discharge frame 410 facing the outside. The discharge pipe 420 may be detachably connected to the discharge frame 410, or may be adhesively connected. The discharge pipe 420 preferably has a larger diameter than the diameters of the distribution frame 410 and the communication pipe 430 so that the substrate processing gas g existing in the entire interior of the discharge frame 410 can be quickly discharged. The diameter of the discharge pipe 420 can be changed and the discharge pipe 420 of various sizes can be detachably connected to the discharge frame 410 in accordance with the process type in the same manner as the communication pipe 430 to be described later.

연통관(430)은 배출 프레임(410)의 챔버(101)를 향하는 일측에 연결될 수 있다. 연통관(430)은 배출 프레임(410)에 형성된 복수의 가스 홀[가스 홀(331)과 동일함]에 삽입 연결될 수 있다. 예를 들어, 가스 홀의 테두리에 나사홈이 형성되고, 가스 홀과 접하는 연통관(430)의 부분에 나사홈에 끼워지는 나사산이 형성되어 가스 홀의 테두리에 연통관(430)이 체결될 수 있다. 이 외에도 배출 프레임(410)의 가스 홀과 연통관(430)이 연결되는 공지의 다른 체결 방법을 이용할 수 있다.The communicating tube 430 may be connected to one side of the discharge frame 410 facing the chamber 101. The communicating tube 430 can be inserted and connected to a plurality of gas holes (same as the gas holes 331) formed in the discharge frame 410. For example, a thread groove is formed in the edge of the gas hole, and a thread is formed in a portion of the communicating tube 430 in contact with the gas hole, so that the communicating tube 430 can be fastened to the edge of the gas hole. Other known fastening methods may be used in which the gas hole of the discharge frame 410 and the communicating tube 430 are connected.

제2 수직 프레임(400)의 연통관(430)도 제1 수직 프레임(300)의 연통관(330)과 마찬가지로, 직경(R1, R2)을 다양하게 변형시켜서 가스 홀에 연결할 수 있다. 따라서, 수직 프레임(400) 전체를 바꾸지 않고도, 직경만 다른 연통관(430)을 가스 홀에 연결함에 따라 가스 배출량을 자유롭게 변경할 수 있고, 본체(100), 수직 프레임(400)의 파손 가능성을 낮출 수 있는 이점이 있다. 한편, 제2 수직 프레임(400)은 원활한 기판처리 가스(g)의 배출을 위해, 제1 수직 프레임(300)보다는 유로가 더 크게 형성되는 것이 바람직하다. 이 유로는, 배출 프레임(410)의 가스 홀, 배출관(420), 연통관(430)의 유로를 모두 포함한다.The communication pipe 430 of the second vertical frame 400 may be connected to the gas hole by variously deforming the diameters R1 and R2 in the same manner as the communication pipe 330 of the first vertical frame 300. [ Therefore, by connecting the communicating tubes 430 different in diameter to the gas holes without changing the entirety of the vertical frame 400, the gas discharge amount can be freely changed and the possibility of breakage of the main body 100 and the vertical frame 400 can be reduced There is an advantage. Meanwhile, it is preferable that the second vertical frame 400 has a larger flow path than the first vertical frame 300 for smooth discharge of the substrate processing gas g. This flow path includes all of the gas holes of the discharge frame 410, the discharge pipe 420, and the communication pipe 430.

도 3 및 도 4를 다시 참조하면, 본 발명의 기판처리 장치는 본체(100)의 상부 내측면 및 하부 내측면에 배치되며, 챔버벽의 온도를 제어하는 챔버벽 온도제어 프레임(510, 520)을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.3 and 4, the substrate processing apparatus of the present invention includes chamber wall temperature control frames 510 and 520 which are disposed on the upper and lower inner side surfaces of the main body 100 and control the temperature of the chamber wall, Further comprising:

챔버벽 온도제어 프레임(510, 520)은 본체(100)와 동일한 재질로서, 석영(Quartz), 스테인리스 스틸(SUS), 알루미늄(Aluminium), 그라파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(Silicon carbide) 또는 산화 알루미늄(Aluminium oxide) 중 적어도 어느 하나를 채용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The chamber wall temperature control frames 510 and 520 are made of the same material as the main body 100 and are made of quartz, stainless steel (SUS), aluminum, graphite, silicon carbide, (Aluminum Oxide). However, the present invention is not limited thereto.

본체(100)의 육면체 각 모서리를 구성하는 프레임인 본체 프레임(110)에 더하여, 챔버벽 온도제어 프레임(510, 520)이 본체(100)의 상부 내측면 및 하부 내측면에 수평한 방향으로 연장 형성될 수 있다. 챔버벽 온도제어 프레임(510, 520)은 수평 방향으로 좌우 방향 또는 전후 방향으로 연장되어, 본체(100)의 상부 테두리 및 하부 테두리를 구성하는 본체 프레임(110)에 양단이 연결될 수 있다. 본체 프레임(110) 및 수직 프레임(300, 400)에 더하여, 본체(100)의 상부면 및 하부면에 챔버벽 온도제어 프레임(510, 520)이 추가됨에 따라 본체(100)의 강성이 더욱 증가되는 이점이 있다. 따라서, 챔버벽 온도제어 프레임(510, 520)은 종래의 기판처리 장치의 상부면 및 하부면의 보강리브(61)[도 1 참조]를 대체할 수 있고, 보강리브(61)를 생략할 수 있으므로 장치의 크기를 줄일 수 있는 이점이 있다.The chamber wall temperature control frames 510 and 520 are extended in the horizontal direction to the upper inner side surface and the lower inner side surface of the main body 100 in addition to the main body frame 110 which is a frame constituting each corner of the hexahedron of the main body 100 . The chamber wall temperature control frames 510 and 520 may extend in a horizontal direction or in a back and forth direction so that both ends of the chamber wall temperature control frames 510 and 520 may be connected to the main body frame 110 constituting the upper and lower rims of the main body 100. The chamber wall temperature control frames 510 and 520 are added to the upper and lower surfaces of the main body 100 in addition to the main body frame 110 and the vertical frames 300 and 400 so that the rigidity of the main body 100 is further increased . Accordingly, the chamber wall temperature control frames 510 and 520 can replace the reinforcing ribs 61 (see FIG. 1) on the upper and lower surfaces of the conventional substrate processing apparatus, and the reinforcing ribs 61 can be omitted There is an advantage of reducing the size of the device.

또한, 챔버벽 온도제어 프레임(510, 520)은 내부에 열매(熱媒) 또는 냉매(冷媒)가 흐를 수 있다. 챔버벽 온도 제어 프레임(510, 520)은 기판처리 공정 중에 챔버(101)의 온도를 전체적으로 균일하게 유지할 수 있고, 빠른 냉각을 할 수도 있다. 또한, 기판(1) 상에서 휘발되는 물질, 챔버(101)에 공급되고 배출되는 물질 등이 챔버(101)의 내벽에 응축되지 않도록 챔버(101)의 내벽 온도를 소정의 온도로 유지하는 역할을 할 수 있다. 상기 소정의 온도는 응축되는 물질이 휘발될 정도의 온도일 수 있다. 챔버벽 온도제어 프레임(510, 520)은 외부의 열매/냉매 순환 장치(미도시)에 연결되어 열매/냉매가 공급 및 배출될 수 있다.Further, the chamber wall temperature control frames 510 and 520 can flow heat medium or coolant (refrigerant) therein. The chamber wall temperature control frames 510 and 520 can maintain the overall temperature of the chamber 101 uniformly during the substrate processing process, and can perform rapid cooling. In addition, it serves to maintain the temperature of the inner wall of the chamber 101 at a predetermined temperature so that the substance volatized on the substrate 1, the substance supplied to and discharged from the chamber 101 and the like are not condensed on the inner wall of the chamber 101 . The predetermined temperature may be a temperature at which the substance to be condensed is volatilized. The chamber wall temperature control frames 510 and 520 may be connected to an external heat / refrigerant circulating device (not shown) so that the heat / refrigerant can be supplied and discharged.

한편, 본 발명의 기판처리 장치는 본체(100)의 일측면 상에 배치되며, 챔버벽의 온도를 제어하는 챔버벽 온도제어부(530)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus of the present invention further includes a chamber wall temperature control unit 530 disposed on one side of the main body 100 and controlling the temperature of the chamber wall.

챔버벽 온도제어부(530)는 본체(100)와 동일한 재질로서, 석영(Quartz), 스테인리스 스틸(SUS), 알루미늄(Aluminium), 그라파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(Silicon carbide) 또는 산화 알루미늄(Aluminium oxide) 중 적어도 어느 하나를 채용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The chamber wall temperature controller 530 may be made of the same material as that of the main body 100 and may be formed of quartz, stainless steel (SUS), aluminum, graphite, silicon carbide, aluminum oxide ), But the present invention is not limited thereto.

본체(100)의 수직 프레임(300, 400)이 설치되는 일측면(예를 들어, 좌측면, 우측면) 또는 좌우측면의 본체 플레이트(120) 상에 챔버벽 온도제어부(530)가 배치될 수 있으며, 내부에 열매(熱媒) 또는 냉매(冷媒)가 흐를 수 있는 관 등을 격자 형태, 지그재그 형태 등으로 배치할 수 있다. 챔버벽 온도제어부(530)도 챔버벽 온도제어 프레임(510, 520)과 동일하게, 기판처리 공정 중에 챔버(101)의 온도를 전체적으로 균일하게 유지할 수 있고, 빠른 냉각을 할 수도 있다. 또한, 기판(1) 상에서 휘발되는 물질, 챔버(101)에 공급되고 배출되는 물질 등이 챔버(101)의 내벽에 응축되지 않도록 챔버(101)의 내벽 온도를 소정의 온도로 유지하는 역할을 할 수 있다. 챔버벽 온도제어부(530)는 외부의 열매/냉매 순환 장치(미도시)에 연결되어 열매/냉매가 공급 및 배출될 수 있다.A chamber wall temperature control unit 530 may be disposed on one side (e.g., left side, right side) or left and right side body plates 120 on which the vertical frames 300 and 400 of the main body 100 are installed , A tube through which a heat medium or a refrigerant (refrigerant) can flow, and the like can be arranged in a lattice form or a zigzag form. The chamber wall temperature control unit 530 can maintain the temperature of the chamber 101 uniformly throughout the substrate processing process and can perform rapid cooling in the same manner as the chamber wall temperature control frames 510 and 520. [ In addition, it serves to maintain the temperature of the inner wall of the chamber 101 at a predetermined temperature so that the substance volatized on the substrate 1, the substance supplied to and discharged from the chamber 101 and the like are not condensed on the inner wall of the chamber 101 . The chamber wall temperature control unit 530 is connected to an external heat / refrigerant circulation device (not shown) so that the heat / refrigerant can be supplied and discharged.

본체(100)의 일측면(예를 들어, 좌측면, 우측면)에는 제1 수직 프레임(300) 및 제2 수직 프레임(400)이 있어 강성을 보완하고 있으므로, 챔버벽 온도제어부(530)는 본체 프레임(110)과 직접 연결될 필요는 없다. 이점이 본체 프레임(110)과 직접 연결되는 챔버벽 온도제어 프레임(510, 520)과 다른 점이며, 나머지 구성은 동일할 수 있다.The first vertical frame 300 and the second vertical frame 400 are provided on one side (for example, the left side and the right side) of the main body 100 to compensate for the rigidity, It need not be directly connected to the frame 110. This is in contrast to the chamber wall temperature control frames 510 and 520 directly connected to the main body frame 110, and the rest of the configuration may be the same.

위와 같이, 본 발명은 수직 프레임에서 가스 공급 및 배출을 수행할 수 있도록 하여, 가스 공급 및 배출을 위한 본체와의 연결 구성을 간단하게 하는 효과가 있다. 또한, 가스 공급부와 가스 배출부를 구성하기 위해 본체 외곽에 별도로 파이프 라인을 구축할 필요가 없으므로, 본체와 파이프 라인간의 누출점을 감축할 수 있고, 실링 공정에 대한 부담이 줄어드는 효과가 있다. 또한, 가스 공급부 및 가스 배출부를 수직 프레임으로 구현할 수 있으므로, 조립 과정에서의 파손 가능성을 낮출 수 있으며, 수직 프레임이 본체의 강성을 보완할 수 있는 효과가 있다. 또한, 다양한 직경의 연통관을 수직 프레임에 삽입하는 것만으로도 가스 공급량 및 가스 배출량을 자유롭게 변경할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention is capable of performing gas supply and discharge in the vertical frame, thereby simplifying the connection structure with the main body for gas supply and discharge. In addition, since it is not necessary to separately construct a pipeline on the outside of the main body to constitute the gas supply unit and the gas discharge unit, the leakage point between the main body and the pipeline can be reduced, and the burden on the sealing process is reduced. In addition, since the gas supply unit and the gas discharge unit can be realized as a vertical frame, the possibility of breakage in the assembly process can be reduced, and the vertical frame can complement the rigidity of the main body. Further, it is possible to freely change the gas supply amount and the gas discharge amount by inserting the communicating tubes of various diameters into the vertical frame.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such variations and modifications are to be considered as falling within the scope of the invention and the appended claims.

1: 기판
2: 기판 홀더
100: 본체
101: 챔버
115: 출입구
110: 본체 프레임
120: 본체 플레이트
130: 관통홀
200: 히터부
210: 주 히터부
220: 보조 히터부
300: 제1 수직 프레임(가스 공급부)
310: 공급 프레임
320: 공급관
330: 연통관
331: 가스 홀
400: 제2 수직 프레임(가스 배출부)
410: 배출 프레임
420: 배출관
430: 연통관
510, 520: 챔버벽 온도제어 프레임
530: 챔버벽 온도제어부
g: 기판처리 가스1: substrate
2: substrate holder
100:
101: chamber
115: entrance
110: main frame
120: body plate
130: Through hole
200: heater part
210: main heater section
220: auxiliary heater section
300: first vertical frame (gas supply part)
310: Supply frame
320: Supply pipe
330: Communicator
331: Gas hole
400: second vertical frame (gas discharge part)
410: Exhaust frame
420: discharge pipe
430: communicator
510, 520: chamber wall temperature control frame
530: chamber wall temperature control section
g: substrate processing gas

Claims (13)

내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성된 본체;
상기 본체의 내부에 위치되며 상기 기판의 처리에 필요한 열을 발생하는 히터;
를 포함하며,
상기 본체의 적어도 일측면에는 그 내부로 기판처리 가스가 이동할 수 있는 적어도 하나의 수직 프레임이 설치되는, 기판 처리 장치.A main body having a chamber in which a substrate is processed;
A heater disposed inside the body and generating heat necessary for processing the substrate;
/ RTI >
Wherein at least one side of the body is provided with at least one vertical frame through which the substrate processing gas can move. 제1항에 있어서,
상기 수직 프레임은,
상기 본체의 일측에 형성되어, 상기 챔버에 기판처리 가스를 공급하는 제1 수직 프레임; 및
상기 일측에 대향하는 타측에 형성되어, 상기 챔버로부터 상기 기판처리 가스를 배출하는 제2 수직 프레임
을 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The vertical frame includes:
A first vertical frame formed on one side of the body to supply substrate processing gas to the chamber; And
A second vertical frame formed on the other side opposite to the one side for discharging the substrate processing gas from the chamber,
And the substrate processing apparatus. 제2항에 있어서,
복수의 상기 제1 수직 프레임이 상기 본체의 일측면 방향을 따라서 소정 간격을 이루며 배치되고,
복수의 상기 제2 수직 프레임이 상기 본체의 타측면 방향을 따라서 소정 간격을 이루며 배치되는, 기판처리 장치.3. The method of claim 2,
A plurality of the first vertical frames are disposed at predetermined intervals along one lateral direction of the main body,
Wherein the plurality of second vertical frames are disposed at predetermined intervals along the other lateral direction of the main body. 제2항에 있어서,
상기 제1 수직 프레임의 상기 챔버의 반대편을 향하는 일측 상에 외부의 기판처리 가스 공급 장치에 연결되는 공급관이 형성되고,
상기 제2 수직 프레임의 상기 챔버의 반대편을 향하는 일측 상에 외부의 기판처리 가스 배출 장치에 연결되는 배출관이 형성되는, 기판처리 장치.3. The method of claim 2,
A supply pipe connected to an external substrate processing gas supply device is formed on one side of the first vertical frame facing the opposite side of the chamber,
And a discharge pipe connected to an external substrate processing gas discharge device is formed on one side of the second vertical frame facing the opposite side of the chamber. 제1항에 있어서,
상기 수직 프레임의 상기 챔버를 향하는 일측 상에, 수직 방향으로 소정 간격을 이루며 복수의 가스 홀이 형성되는, 기판처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein a plurality of gas holes are formed at predetermined intervals in the vertical direction on one side of the vertical frame facing the chamber. 제5항에 있어서,
상기 복수의 가스 홀의 테두리에 연통관이 연결되는, 기판처리 장치.6. The method of claim 5,
And a communicating tube is connected to an edge of the plurality of gas holes. 제6항에 있어서,
상기 가스 홀에 연결되는 상기 연통관 일측의 직경과 상기 연통관 일측에 대향하는 타측의 직경이 동일한, 기판처리 장치. The method according to claim 6,
Wherein the diameter of one side of the communicating tube connected to the gas hole is equal to the diameter of the other side opposite to the side of the communicating tube. 제6항에 있어서,
상기 가스 홀에 연결되는 상기 연통관 일측의 직경과 상기 연통관 일측에 대향하는 타측의 직경이 상이한, 기판처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the diameter of one side of the communicating tube connected to the gas hole is different from the diameter of the other side opposite to the side of the communicating tube. 제1항에 있어서,
상기 본체는 육면체 형상을 가지고,
본체 프레임 및 육면체의 면을 형성하는 본체 플레이트를 포함하는, 기판처리 장치.The method according to claim 1,
The body has a hexahedral shape,
And a body plate that forms a face of the main body frame and a cube. 제1항에 있어서,
상기 본체의 상부 내측면 및 하부 내측면에 배치되며, 챔버벽의 온도를 제어하는 챔버벽 온도제어 프레임을 더 포함하는, 기판처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a chamber wall temperature control frame disposed on an upper inner side and a lower inner side of the body to control a temperature of the chamber wall. 제10항에 있어서,
상기 챔버벽 온도제어 프레임은 내부에 열매(熱媒) 또는 냉매(冷媒)가 흐르는, 기판처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the chamber wall temperature control frame flows a heat medium or a coolant (coolant) therein. 제1항에 있어서,
상기 본체의 상기 수직 프레임이 설치되는 일측면 상에 배치되며, 챔버벽의 온도를 제어하는 챔버벽 온도제어부를 더 포함하는, 기판처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a chamber wall temperature control unit disposed on one side of the body where the vertical frame is installed, the chamber wall temperature control unit controlling the temperature of the chamber wall. 제1항에 있어서,
상게 본체와 상기 수직 프레임의 재질은 동일한, 기판처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the upper body and the vertical frame are made of the same material.
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