KR101910802B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 메인 이송 로봇이 위치되는 이송 챔버; 상기 이송 챔버에 인접하게 위치되는 공정 챔버를 포함하되, 상기 공정 챔버는, 상부가 개방된 통 형상으로 제공되는 처리 용기; 상기 처리 용기의 내측에 위치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제1배기 라인; 상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제2배기 라인; 상기 제1배기 라인과 상기 제2배기 라인에 연결되어 상기 제1배기 라인 또는 상기 제2배기 라인으로 유동하는 기체의 유량을 조절하는 유량 제어기를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a transfer chamber in which a main transfer robot is located; A processing chamber positioned adjacent to the transfer chamber, the processing chamber being provided with a tubular shape with an open top; A substrate support member positioned inside the processing vessel and supporting the substrate; A first exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge a gas inside the processing vessel; A second exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge the gas inside the processing vessel; And a flow controller connected to the first exhaust line and the second exhaust line for regulating the flow rate of the gas flowing into the first exhaust line or the second exhaust line.

Figure R1020160126638
Figure R1020160126638

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.As semiconductor devices become more dense, highly integrated, and have high performance, circuit patterns become finer, so that contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of devices and yield do. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate at the front and rear stages of each unit process for manufacturing a semiconductor is being carried out.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

본 발명은 기체를 효율적으로 배출할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently discharging gas.

본 발명의 일 측면에 따르면, 메인 이송 로봇이 위치되는 이송 챔버; 상기 이송 챔버에 인접하게 위치되는 공정 챔버를 포함하되, 상기 공정 챔버는, 상부가 개방된 통 형상으로 제공되는 처리 용기; 상기 처리 용기의 내측에 위치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제1배기 라인; 상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제2배기 라인; 상기 제1배기 라인과 상기 제2배기 라인에 연결되어 상기 제1배기 라인 또는 상기 제2배기 라인으로 유동하는 기체의 유량을 조절하는 유량 제어기를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a transfer chamber in which a main transfer robot is located; A processing chamber positioned adjacent to the transfer chamber, the processing chamber being provided with a tubular shape with an open top; A substrate support member positioned inside the processing vessel and supporting the substrate; A first exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge a gas inside the processing vessel; A second exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge the gas inside the processing vessel; And a flow controller connected to the first exhaust line and the second exhaust line for regulating the flow rate of the gas flowing into the first exhaust line or the second exhaust line.

또한, 상기 유량 제어기는, 상기 제1배기 라인에 연결되는 제1공급 배관; 상기 제2배기 라인에 연결되는 제2공급 배관; 상기 제1공급 배관에 위치되고, 상기 제1공급 배관을 개폐하는 제1개폐부재; 및 상기 제2공급 배관에 위치되고, 상기 제2공급 배관을 개폐하는 제2개폐부재를 포함할 수 있다.The flow controller may further include: a first supply pipe connected to the first exhaust line; A second supply pipe connected to the second exhaust line; A first opening and closing member located in the first supply pipe and opening and closing the first supply pipe; And a second opening and closing member which is located in the second supply pipe and opens and closes the second supply pipe.

또한, 상기 제1개폐부재 또는 상기 제2개폐부재는 댐퍼로 제공될 수 있다.The first opening and closing member or the second opening and closing member may be provided as a damper.

또한, 상기 제1개폐부재 또는 상기 제2개폐부재는 펌프로 제공될 수 있다.The first opening and closing member or the second opening and closing member may be provided as a pump.

또한, 상기 제1개폐부재 또는 상기 제2개폐부재는 밸브로 제공될 수 있다.Also, the first opening and closing member or the second opening and closing member may be provided as a valve.

또한, 상기 제1공급 배관의 일단 또는 상기 제2공급 배관의 일단은 상기 이송 챔버와 연통되도록 제공될 수 있다.In addition, one end of the first supply pipe or one end of the second supply pipe may be provided to communicate with the transfer chamber.

또한, 상기 이송 챔버는, 상부에 위치되어 내측 공강에 하방 기류를 형성하는 기체 공급 유닛을 포함하고, 상기 제1공급 배관의 일단 또는 상기 제2공급 배관의 일단은 상하 방향을 향하도록 상기 이송 챔버의 하부에 연결될 수 있다.The transfer chamber may include a gas supply unit disposed at an upper portion thereof and forming a downward flow in an inner arc steel, and one end of the first supply pipe or one end of the second supply pipe may be vertically- As shown in FIG.

또한, 상기 공정 챔버는 복수로 제공되고, 상기 제1배기 라인은, 각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제1서브 라인들; 복수의 상기 제1서브 라인들 가운데 2개 이상이 연결되는 제1메인 라인을 포함하고, 상기 제2배기 라인은, 각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제2서브 라인들; 복수의 상기 제2서브 라인들 가운데 2개 이상이 연결되는 제2메인 라인을 포함할 수 있다.Also, the process chamber is provided in plurality, and the first exhaust line includes a plurality of first sublines, each of which is connected to one of the process chambers; A first main line to which at least two of the plurality of first sub lines are connected, the second exhaust line includes a plurality of second sub lines connected to one of the process chambers, respectively; And a second main line to which at least two of the plurality of second sub-lines are connected.

또한, 상기 제1메인 라인은 상기 제1서브 라인들을 통해 유입된 기체를 상기 기판 처리 장치 밖으로 배출하는 제1설비배기 라인에 연결되고, 상기 제2메인 라인은 상기 제2서브 라인들을 통해 유입된 기체를 상기 기판 처리 장치 밖으로 배출하는 제2설비배기 라인에 연결될 수 있다.The first main line may be connected to a first facility exhaust line for discharging the gas introduced through the first sub-lines to the outside of the substrate processing apparatus, and the second main line may be connected to the first sub- And may be connected to a second facility exhaust line for discharging gas out of the substrate processing apparatus.

또한, 상기 유량 제어기는 상기 제1서브 라인들이 연결된 지점들 가운데 상기 제1설비배기 라인에 가장 인접한 지점과 상기 제1메인 라인과 연결된 지점 사이의 구간에서 상기 제1메인 라인에 연결될 수 있다.The flow controller may be connected to the first main line in a section between a point closest to the first facility exhaust line and a point connected to the first main line among the points to which the first sublines are connected.

또한, 상기 유량 제어기는 상기 제2서브 라인들이 연결된 지점들 가운데 상기 제2설비배기 라인에 가장 인접한 지점과 상기 제2메인 라인과 연결된 지점 사이의 구간에서 상기 제2메인 라인에 연결될 수 있다.The flow controller may be connected to the second main line in a section between a point closest to the second facility exhaust line and a point connected to the second main line among the points to which the second sub lines are connected.

또한, 상기 유량 제어기는 상기 제1서브 라인들이 연결된 지점들 사이의 구간에서 상기 제1메인 라인에 연결될 수 있다.In addition, the flow controller may be connected to the first main line in a section between the points to which the first sublines are connected.

또한, 상기 유량 제어기는 상기 제2서브 라인들이 연결된 지점들 사이의 구간에서 상기 제2메인 라인에 연결될 수 있다.Also, the flow controller may be connected to the second main line in a section between the points to which the second sub-lines are connected.

또한, 상기 유량 제어기는 상기 제1메인 라인에서 상기 제1설비배기 라인과 연결되는 단부의 반대쪽 구간에서 상기 제1메인 라인에 연결될 수 있다.In addition, the flow controller may be connected to the first main line in a section of the first main line opposite to an end portion connected to the first facility exhaust line.

또한, 상기 유량 제어기는 상기 제2메인 라인에서 상기 제2설비배기 라인과 연결되는 단부의 반대쪽 구간에서 상기 제2메인 라인에 연결될 수 있다.In addition, the flow controller may be connected to the second main line in a section of the second main line opposite to the end connected to the second facility exhaust line.

또한, 상기 기판 처리 장치는, 로드 포트를 갖는 인덱스부; 상기 인덱스부와 상기 메인 이송 로봇 사이에 위치되는 버퍼부를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include: an index unit having a load port; And a buffer unit positioned between the index unit and the main transfer robot.

또한, 상기 공정 챔버는 복수가 상하로 적층되어 제공될 수 있다.In addition, a plurality of the process chambers may be stacked vertically.

또한, 상기 제1배기 라인에는 상기 제1배기 라인을 개폐하는 제1배기개폐부재가 위치되고, 상기 제2배기 라인에는 상기 제2배기 라인을 개폐하는 제2배기개폐부재가 위치되고, 상기 기판 처리 장치는 상기 제1배기개폐부재, 상기 제2배기개폐부재 및 상기 유량 제어기를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다.The first exhaust line is provided with a first exhaust opening / closing member for opening / closing the first exhaust line, a second exhaust opening / closing member for opening / closing the second exhaust line is disposed in the second exhaust line, The processing apparatus may further include a controller for controlling the first exhaust opening / closing member, the second exhaust opening / closing member, and the flow rate controller.

또한, 상기 공정 챔버는 상기 기판을 산성 약액을 통해 처리하는 공정 및 알카리성 약액을 통해 처리하는 공정을 수행하도록 제공되고, 상기 제어기는 상기 산성 약액을 통한 상기 기판의 처리가 이루어 질 때 상기 제1배기 라인이 개방되고, 상기 알카리성 약액을 통한 상기 기판의 처리가 이루어 질 때 상기 제2배기 라인이 개방되도록 상기 제1배기개폐부재와 상기 제2배기개폐부재를 제어할 수 있다.Further, the process chamber is provided for performing the process of treating the substrate through the acidic chemical liquid and the process of treating through the alkaline chemical liquid, and the controller is configured to perform, when the substrate is processed through the acidic chemical liquid, The first exhaust opening / closing member and the second exhaust opening / closing member can be controlled so that the second exhaust line is opened when the line is opened and the substrate is processed through the alkaline chemical liquid.

또한, 상기 공정 챔버는 상기 기판을 유기 약액을 통해 처리하는 공정 및 무기 약액을 통해 처리하는 공정을 수행하도록 제공되고, 상기 제어기는 상기 유기 약액을 통한 상기 기판의 처리가 이루어 질 때 상기 제1배기 라인이 개방되고, 상기 무기 약액을 통한 상기 기판의 처리가 이루어 질 때 상기 제2배기 라인이 개방되도록 상기 제1배기개폐부재와 상기 제2배기개폐부재를 제어할 수 있다.Further, the process chamber is provided for performing the process of treating the substrate through the organic chemical liquid and the process of treating the organic chemical liquid through the inorganic chemical liquid, and the controller controls the first exhaust The first exhaust opening / closing member and the second exhaust opening / closing member can be controlled so that the second exhaust line is opened when the line is opened and the substrate is processed through the inorganic chemical liquid.

본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 기판을 지지하는 기판 지지부재와, 내측에 상기 기판 지지부재가 위치되는 처리 용기를 포함하는 기판 처리 장치에서 상기 처리 용기 내측의 기체를 배기하는 방법에 있어서, 상기 처리 용기의 내측과 연통하는 제1배기 라인과 상기 처리 용기의 내측과 연통하는 제2배기 라인을 가지되, 상기 제1배기 라인은 닫힌 상태로 상기 제2배기 라인으로 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 단계; 상기 처리 용기에서 상기 제2배기 라인으로 유동하는 기체와는 별개로, 상기 제1배기 라인으로 기체를 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method for evacuating a gas inside a processing container in a substrate processing apparatus including a substrate supporting member for supporting a substrate and a processing vessel in which the substrate supporting member is located, The first exhaust line has a first exhaust line communicating with the inside of the processing vessel and a second exhaust line communicating with the inside of the processing vessel, and the first exhaust line is closed with the second exhaust line, Discharging; And supplying gas to the first exhaust line separately from the gas flowing into the second exhaust line in the processing vessel.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면, 복수의 공정 챔버들과, 각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제1서브 라인들과, 상기 제1서브 라인들이 연결되는 제1메인 라인과, 각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제2서브 라인들과, 복수의 상기 제2서브 라인들이 연결되는 제2메인 라인을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 공정 챔버들 각각을 상기 제1서브 라인들 가운데 하나 또는 상기 제2서브 라인들 가운데 하나를 통해 배기하는 단계; 상기 제1메인 라인 및 상기 제2메인 라인 중에서 상기 공정 챔버들에서 유입되는 기체가 없는 곳에 상기 공정 챔버들에서 유입되는 기체와는 별개로 기체를 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a plurality of process chambers; a plurality of first sub lines each connected to one of the process chambers; a first main line to which the first sub lines are connected; A method of processing a substrate using a substrate processing apparatus comprising a plurality of second sub lines each connected to one of the process chambers and a second main line to which a plurality of the second sub lines are connected, Venting each of the process chambers through one of the first sublines or one of the second sublines; Supplying a gas separately from a gas flowing in the process chambers in a region where there is no gas flowing in the process chambers among the first main line and the second main line may be provided have.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면, 복수의 공정 챔버들과, 각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제1서브 라인들과, 상기 제1서브 라인들이 연결되는 제1메인 라인과, 각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제2서브 라인들과, 복수의 상기 제2서브 라인들이 연결되는 제2메인 라인을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 공정 챔버들 각각을 상기 제1서브 라인들 가운데 하나 또는 상기 제2서브 라인들 가운데 하나를 통해 배기하는 단계; 상기 공정 챔버들 모두에서 상기 제1서브 라인으로 기체가 유입될 때에 비해 감소된 양 만큼의 기체를, 상기 제1서브 라인을 통해 유입되는 기체와는 별개로 상기 제1메인 라인으로 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a plurality of process chambers; a plurality of first sub lines each connected to one of the process chambers; a first main line to which the first sub lines are connected; A method of processing a substrate using a substrate processing apparatus comprising a plurality of second sub lines each connected to one of the process chambers and a second main line to which a plurality of the second sub lines are connected, Venting each of the process chambers through one of the first sublines or one of the second sublines; Supplying a reduced amount of gas to all of the process chambers from the first sub line to the first main line separately from the gas flowing through the first sub line May be provided.

또한, 상기 공정 챔버들에서 유입되는 기체와는 별개로 공급되는 기체는 상기 공정 챔버들로 기판을 반입 또는 반출하는 메인 이송 로봇이 위치되는 이송 챔버에서 유입될 수 있다.In addition, the gas supplied separately from the gases introduced into the process chambers may be introduced into the transfer chamber in which the main transfer robot for transferring the substrates into and out of the process chambers is located.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently process a substrate can be provided.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기체를 효율적으로 배출할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently discharging a gas can be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도3은 배기 라인의 연결관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 개폐부재 및 유량 제어기의 제어 관계를 나타내는 도면이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 배기 라인의 연결관계를 나타내는 도면이다.
도 6은 도5와 상이한 상태로 배기개폐부재의 개폐 상태가 변경된 상태의 도면이다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 유량 제어기의 위치를 나타내는 도면이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 유량 제어기를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 shows a process chamber according to the invention.
3 is a view showing the connection relationship of the exhaust lines.
4 is a view showing the control relationship of the opening and closing member and the flow controller.
5 is a view showing a connection relationship of exhaust lines according to another embodiment.
6 is a view showing a state in which the open / close state of the exhaust opening / closing member is changed in a state different from that in Fig.
7 is a view showing the position of the flow controller according to another embodiment.
8 is a view of a flow controller according to one embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치될 수 있다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1000 of the present invention may include an index unit 10, a buffer unit 20, and a processing unit 50. The index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit may be arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index unit 10, the buffer unit 20 and the processing unit 50 are arranged is referred to as a first direction, the direction perpendicular to the first direction as viewed from above is referred to as a second direction, And a direction perpendicular to the plane including the first direction and the second direction is referred to as a third direction.

인덱스부(10)는 기판 처리 장치(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. The index portion 10 is disposed in front of the substrate processing apparatus 1000 in the first direction. The index section 10 includes four load ports 12 and one index robot 13.

4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 변경될 수 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 위치된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. The four load ports 12 are disposed in front of the index portion 10 in the first direction. A plurality of load ports 12 are provided and they are disposed along the second direction. The number of the load ports 12 can be changed according to the process efficiency and the footprint condition of the substrate processing apparatus 1000. [ The load ports 12 are provided with a substrate W to be supplied to the process and a carrier (e.g., cassette, FOUP, etc.) in which the processed substrate W is placed. The carrier 16 is formed with a plurality of slots for accommodating the substrates horizontally arranged with respect to the paper surface.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다. The index robot 13 is disposed in the first direction adjacent to the load port 12. [ The index robot 13 is installed between the load port 12 and the buffer unit 20. The index robot 13 transfers the substrate W waiting on the upper layer of the buffer unit 20 to the carrier 16 or transfers the substrate W waiting on the carrier 16 to the lower layer of the buffer unit 20 do.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다.The buffer unit 20 is provided between the index unit 10 and the processing unit. The buffer unit 20 temporarily stores the substrate W to be supplied to the process before being transferred by the index robot 13 or the substrate W whose processing has been completed before being transferred by the main transfer robot 30, .

메인 이송 로봇(30)은 이송 챔버(40)에 위치되며, 각 공정 챔버(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 공정 챔버(1)로 이송하거나, 각 공정 챔버(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다. The main transfer robot 30 is located in the transfer chamber 40 and transfers the substrate between the process chambers 1 and the buffer unit 20. [ The main transfer robot 30 transfers the substrate to be provided to the process unit waiting in the buffer unit 20 to each process chamber 1 or transfers the substrate processed in each process chamber 1 to the buffer unit 20 Transfer.

이송 챔버(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이송 챔버(40)의 양측에는 공정 챔버(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이송 챔버(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 공정 챔버(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The transfer chamber 40 is disposed along a first direction in the processing section and provides a passage through which the main transfer robot 30 moves. On both sides of the transfer chamber 40, the process chambers 1 face each other and are arranged along a first direction. The main transfer robot 30 moves along the first direction to the transfer chamber 40 and the upper and lower layers of the process chamber 1 and the upper and lower layers of the buffer unit 20 are provided with movable rails.

공정 챔버(1)는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)에 인접하도록, 이동통로(40)의 양측 또는 일측에 배치된다. 기판 처리 장치(1000)은 상하층으로 된 다수개의 공정 챔버(1)를 구비하나, 공정 챔버(1)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 공정 챔버(1)는 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 기판 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다.The process chamber 1 is disposed on both sides or one side of the transfer passage 40 so as to be adjacent to the transfer passage 40 where the main transfer robot 30 is installed. Although the substrate processing apparatus 1000 has a plurality of process chambers 1 in the upper and lower layers, the number of the process chambers 1 may increase or decrease depending on the process efficiency and the footprint condition of the substrate processing apparatus 1000 have. Each of the process chambers 1 is constituted by an independent housing, so that a process of treating the substrate in an independent form in each substrate processing apparatus can be performed.

도 2는 본 발명에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.Figure 2 shows a process chamber according to the invention.

본 실시 예에서는 공정 챔버(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.In the present embodiment, the semiconductor substrate is exemplarily described as the substrate to be processed by the process chamber 1, but the present invention is not limited thereto, and can be applied to various kinds of substrates such as a glass substrate.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 공정 챔버(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 하우징(800), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 이동 노즐 부재(300) 및 배기 라인(400)를 포함한다.Referring to FIG. 2, a process chamber 1 according to the present invention is an apparatus for removing foreign matter and film quality remaining on a substrate surface using various process fluids. The process chamber 1 includes a housing 800, a processing vessel 100, (200), a moving nozzle member (300), and an exhaust line (400).

하우징(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(810)이 설치된다. 팬필터유닛(810)은 하우징(800) 내부에 하방 기류를 발생시킨다.The housing 800 provides a closed internal space, and a fan filter unit 810 is installed on the upper portion. The fan filter unit 810 generates a downward flow inside the housing 800.

팬필터유닛(810)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 하방 기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 하방 기류는 기판 상부에 균일한 기류를 형성하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다.The fan filter unit 810 is a unit in which the filter and the air supply fan are modularized into one unit and supplies clean air to the inside of the chamber by filtering. Clean air passes through the fan filter unit 810 and is supplied into the chamber to form a downward flow. The downward flow of the air forms a uniform airflow on the substrate. The fumes generated in the processing of the substrate surface by the processing fluid flow through the suction ducts of the processing vessel 100 together with the air, So that the cleanliness of the inside of the processing container can be maintained.

하우징(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 배기 라인(400) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 이동 노즐(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(818)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.The housing 800 is partitioned into a process area 816 and a maintenance area 818 by a horizontal partition 814. In the maintenance area 818, the driving unit of the elevation unit and the moving nozzles 310 of the moving nozzle member 300, as well as the exhaust lines 141, 143, and 145 and the exhaust line 400, which are connected to the processing vessel 100, A supply line, and the like, and this maintenance area 818 is preferably isolated from the process area where the substrate processing is performed.

처리 용기(100)는 상부가 개방된 통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행 시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다. The processing vessel 100 has a cylindrical shape with its top opened, and provides a processing space for processing the substrate w. The open upper surface of the processing vessel 100 is provided as a take-out and carry-in passage of the substrate w. The substrate support member 200 is located in the process space. The substrate support member 200 supports the substrate W and rotates the substrate during the process.

처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. The processing vessel 100 is divided into an upper space 132a where the spin head 210 is located and an upper space 132a by the spin head 210. An exhaust duct 190 is provided at the lower end of the processing vessel 100 And provides a connected lower space 132b. In the upper space 132a of the processing vessel 100, annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 for introducing and sucking chemical fluids and gases scattered on the rotating substrate are arranged in multiple stages .

환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다.The annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 have exhaust ports H communicating with one common annular space (corresponding to the lower space of the container). In the lower space 132b, an exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 is provided.

구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.Specifically, the first to third suction ducts 110, 120, and 130 each have a bottom surface having an annular ring shape and a side wall having a cylindrical shape extending from the bottom surface. The second suction duct 120 surrounds the first suction duct 110 and is located apart from the first suction duct 110. The third suction duct 130 surrounds the second suction duct 120 and is located apart from the second suction duct 120.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to third suction ducts 110, 120 and 130 provide the first to third collection spaces RS1, RS2 and RS3 through which the air flow containing the processing solution and the fumes scattered from the substrate w flows . The first collection space RS1 is defined by the first intake duct 110 and the second collection space RS2 is defined by the spacing space between the first intake duct 110 and the second intake duct 120 And the third collection space RS3 is defined by the spacing space between the second suction duct 120 and the third suction duct 130. [

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.Each of the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130 has an inclined surface whose center portion is open and whose distance from the corresponding side surface gradually increases from the connected side wall to the opening side. Accordingly, the processing liquid scattered from the substrate w flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid flowing into the first collection space RS1 is discharged to the outside through the first collection line 141. [ The second process liquid that has flowed into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143. The third treatment liquid flowing into the third water collection space RS3 is discharged to the outside through the third collection line 145. [

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. On the other hand, the processing vessel 100 is combined with the elevation unit 600 that changes the vertical position of the processing vessel 100. The elevating unit 600 moves the processing vessel 100 linearly in the vertical direction. The relative height of the processing vessel 100 to the spin head 210 is changed as the processing vessel 100 is moved up and down.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정 결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩 될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.The lifting unit 600 has a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixed to the outer wall of the processing container 100 and a moving shaft 614 which is moved upward and downward by a driver 616 is fixedly coupled to the bracket 612. The processing vessel 100 is lowered so that the spin head 210 protrudes to the upper portion of the processing vessel 100 when the substrate W is loaded into the spin head 210 or unloaded from the spin head 210. The height of the processing vessel 100 is adjusted so that the processing liquid can flow into the predetermined suction ducts 110, 120 and 130 depending on the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Thus, the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate w is changed. Accordingly, the processing vessel 100 can differentiate the kinds of the processing liquid and the polluting gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the substrate processing apparatus 1 vertically moves the processing vessel 100 to change the relative vertical position between the processing vessel 100 and the substrate supporting member 200. However, the substrate processing apparatus 1 may change the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the substrate supporting member 200.

기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(230)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.The substrate support member 200 is installed inside the processing vessel 100. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process, and may be rotated by a driving unit 230, which will be described later, during the process. The substrate supporting member 200 has a spin head 210 having a circular upper surface and support pins 212 and chucking pins 214 for supporting the substrate W are formed on the upper surface of the spin head 210 I have. The support pins 212 are disposed at predetermined intervals on the upper edge of the spin head 210 to be arranged in a predetermined array and protrude upward from the spin head 210. The support pins 212 support the lower surface of the substrate W so that the substrate W is supported in a state of being spaced upward from the spin head 210. Chucking pins 214 are disposed on the outer sides of the support pins 212, and the chucking pins 214 are provided to protrude upward. The chucking pins 214 align the substrate W such that the substrate W supported by the plurality of support pins 212 is in position on the spin head 210. The chucking pins 214 contact the side of the substrate W to prevent the substrate W from being displaced from the correct position.

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다.A support shaft 220 for supporting the spin head 210 is connected to the lower portion of the spin head 210 and the support shaft 220 is rotated by a drive unit 230 connected to the lower end of the support shaft 220. The driving unit 230 may be a motor or the like. As the support shaft 220 rotates, the spin head 210 and the substrate W rotate.

도3은 배기 라인의 연결관계를 나타내는 도면이고, 도 4는 개폐부재 및 유량 제어기의 제어 관계를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a view showing the connection relationship of the exhaust lines, and FIG. 4 is a diagram showing the control relationship of the opening and closing member and the flow rate controller.

도3 및 도 4를 참조하면, 배기 라인(400)은 처리 용기(100) 내측의 기체를 배출한다.Referring to FIGS. 3 and 4, the exhaust line 400 discharges gas inside the processing vessel 100.

배기 라인(400)은 제1배기 라인(410) 및 제2배기 라인(420)을 포함한다.The exhaust line 400 includes a first exhaust line 410 and a second exhaust line 420.

제1배기 라인(410)은 처리 용기(100)의 내측 공간과 연통되도록 제공된다. 제1배기 라인(410)은 배기덕트(190)에 연결될 수 있다. 제1배기 라인(410)에는 제1배기개폐부재(415)가 제공된다. 제1배기개폐부재(415)는 제1배기 라인(410)을 개폐할 수 있다. 제1배기개폐부재(415)는 댐퍼, 밸브 등일 수 있다. 제어기(60)는 기판에 도포되는 약액의 종류에 따라 제1배기 라인(410)이 열리거나 닫히도록 제1배기개폐부재(415)를 제어한다. 제1배기 라인(410)은 처리 용기(100)의 내측 공간의 기체를 흡입하기 위한 음압이 작용하는 상태일 수 있다. 제1배기 라인(410)은 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 제1설비배기 라인(MD1)과 연결될 수 있다.The first exhaust line 410 is provided to communicate with the inner space of the processing vessel 100. The first exhaust line 410 may be connected to the exhaust duct 190. The first exhaust line 410 is provided with a first exhaust opening / closing member 415. The first exhaust opening / closing member 415 can open / close the first exhaust line 410. The first exhaust opening / closing member 415 may be a damper, a valve, or the like. The controller 60 controls the first exhaust opening / closing member 415 so that the first exhaust line 410 is opened or closed depending on the type of the chemical liquid applied to the substrate. The first exhaust line 410 may be in a state in which a negative pressure is applied to suck the gas in the inner space of the processing vessel 100. The first exhaust line 410 may be connected to the first facility exhaust line MD1 embedded in the floor space of the semiconductor production line (fab).

제2배기 라인(420)은 처리 용기(100)의 내측 공간과 연통되도록 제공된다. 제2배기 라인(420)은 배기덕트(190)에 연결될 수 있다. 제2배기 라인(420)에는 제2배기개폐부재(425)가 제공된다. 제2배기개폐부재(425)는 제2배기 라인(420)을 개폐할 수 있다. 제2배기개폐부재(425)는 댐퍼, 밸브 등일 수 있다. 제어기(60)는 기판에 도포되는 약액의 종류에 따라 제2배기 라인(420)이 열리거나 닫히도록 제2배기개폐부재(425)를 제어한다. 제2배기 라인(420)은 처리 용기(100)의 내측 공간의 기체를 흡입하기 위한 음압이 작용하는 상태일 수 있다. 제2배기 라인(420)은 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 제2설비배기 라인(MD2)과 연결될 수 있다.The second exhaust line 420 is provided to communicate with the inner space of the processing vessel 100. The second exhaust line 420 may be connected to the exhaust duct 190. The second exhaust line 420 is provided with a second exhaust opening / closing member 425. The second exhaust opening / closing member 425 can open / close the second exhaust line 420. The second exhaust opening / closing member 425 may be a damper, a valve, or the like. The controller 60 controls the second exhaust opening / closing member 425 so that the second exhaust line 420 is opened or closed depending on the type of the chemical liquid applied to the substrate. The second exhaust line 420 may be in a state in which a negative pressure is applied to suck the gas in the inner space of the processing vessel 100. The second exhaust line 420 may be connected to a second facility exhaust line MD2 buried in the floor space of the semiconductor production line (fab).

제1배기 라인(410)과 제2배기 라인(420)은 공정 시 기판의 처리에 사용되는 약액에 따라 선택적으로 개폐될 수 있다. 예를 들어, 기판의 처리에 산성 약액 및 알카리성 약액이 사용될 때, 산성 약액으로 기판이 처리되는 동안 제1배기 라인(410)은 열리고 제2배기 라인(420)은 닫힐 수 있다. 그리고 알카리성 약액으로 기판이 처리되는 동안 제1배기 라인(410)은 닫히고 제2배기 라인(420)은 열릴 수 있다. 여기서 산성 약액을 이용한 공정 및 알카리성 약액을 이용한 공정 가운데 먼저 수행되는 공정을 제1공정이라 하고, 나중에 수행되는 공전을 제2공정이라 할 수 있다. 또한, 기판의 처리에 유기 약액 및 무기 약액이 사용될 때, 제1배기 라인(410)과 제2배기 라인(420)은 위와 유사한 방식으로 선택적으로 개폐될 수 있다. 여기서 유기 약액을 이용한 공정 및 무기 약액을 이용한 공정 가운데 먼저 수행되는 공정을 제1공정이라 하고, 나중에 수행되는 공전을 제2공정이라 할 수 있다. 따라서 제1공정과 제2공정에서 증기 상태의 약액 및 흄을 포함하는 기체는 포함된 약액 및 흄의 종류에 따라 분리되어 배출될 수 있다.The first exhaust line 410 and the second exhaust line 420 can be selectively opened and closed according to the chemical solution used in the processing of the substrate in the process. For example, when the acidic chemical solution and the alkaline chemical solution are used for processing the substrate, the first exhaust line 410 may be opened while the second exhaust line 420 is closed while the substrate is processed with the acidic chemical liquid. And the first exhaust line 410 may be closed and the second exhaust line 420 may be opened while the substrate is being processed with the alkaline chemical liquid. Here, the first step of the process using the acidic chemical solution and the process using the alkaline chemical solution is referred to as a first process, and the later process performed as the second process. Further, when the organic chemical solution and the inorganic chemical solution are used in the processing of the substrate, the first exhaust line 410 and the second exhaust line 420 can be selectively opened and closed in a similar manner. Here, the first step of the process using the organic chemical solution and the process using the inorganic chemical solution is referred to as a first process, and the later process performed as the second process. Accordingly, in the first and second processes, the gas containing the chemical solution and the fumes in the vapor state can be separated and discharged according to the type of the chemical solution and the fumes contained therein.

유량 제어기(900)는 배기 라인(400)에 연결되어, 배기 라인(400)을 유동하는 기체의 유량을 조절한다.The flow controller 900 is connected to the exhaust line 400 to regulate the flow rate of the gas flowing through the exhaust line 400.

배기 라인(400)에는 설정 압력이 형성될 수 있다. 예를 들어, 배기 라인(400)은 처리 용기(100)의 내측 공간의 기체를 효율적으로 배출하기 위해 설정 압력 또는 설정 압력 범위를 유지하도록 관리될 수 있다. 배기개폐부재(415, 425)가 닫힌 상태에서 열리면, 배기 라인(400)은 기체의 유동이 없는 상태에서 기체가 유동하는 상태로 전환된다. 또한, 배기개폐부재(415, 425)가 열린 상태에서 닫힌 상태로 전환되면, 배기 라인(400)은 기체가 유동하는 상태에서 기체의 유동이 없는 상태로 전환된다. 배기 라인(400)의 압력은 위와 같은 배기 라인(400)의 기체 유동 상태 변화에 영향을 받는다. 그리고 이 같은 배기 라인(400)의 압력 변화는 설비배기 라인(MD1, MD2)을 통해 연결된 다른 기판 처리 장치의 압력 변화를 야기 시킨다.A set pressure can be formed in the exhaust line 400. For example, the exhaust line 400 may be managed to maintain a set pressure or a set pressure range to efficiently exhaust gas in the inner space of the processing vessel 100. When the exhaust opening / closing members 415 and 425 are opened in a closed state, the exhaust line 400 is switched to a state in which the gas flows in a state in which no gas flows. Further, when the exhaust opening / closing members 415 and 425 are switched from the opened state to the closed state, the exhaust line 400 is switched to a state in which the gas does not flow in the state where the gas flows. The pressure of the exhaust line 400 is affected by the gas flow state change of the exhaust line 400 as described above. And such a change in the pressure of the exhaust line 400 causes a pressure change of another substrate processing apparatus connected through the facility exhaust lines MD1 and MD2.

본 발명에 따른 기판 처리 장치(1000)는 유량 제어기(900)를 통해 배기 라인(400)의 유량을 조절하여, 배기 라인(400)의 압력이 급격히 변하는 문제를 해결한다. 일 예로, 제1배기개폐부재(415)는 열리고 제2배기개폐부재(425)는 닫히면, 기체는 처리 용기(100)에서 제1배기 라인(410)으로 흐르고, 기체가 처리 용기(100)에서 제2배기 라인(420)으로 유입되는 것은 차단된다. 이 때, 유량 제어기(900)는 제2배기 라인(420)으로 기체를 공급하여 제2배기 라인(420)에 기체의 흐름을 발생시킨다. 유량 제어기(900)에 의한 기체의 공급은 제2배기개폐부재(425)의 동작과 연동하여 이루어 질 수 있다. 따라서, 제2배기개폐부재(425)가 열린 상태에서 닫힌 상태로 변하는 것을 전후하여, 제2설비배기 라인(MD2)과 연결된 제2배기 라인(420)의 후단부는 기체가 유동하는 상태를 유지할 수 있다. 또한, 유량 제어기(900)가 공급하는 기체의 양은 배기개폐부재(415, 425)가 개방된 상태에서 배기 라인(400)을 유동하는 기체의 양에 대응될 수 있다. 따라서, 제2배기개폐부재(425)가 열린 상태에서 닫힌 상태로 변하는 것을 전후하여, 제2설비배기 라인(MD2)과 연결된 제2배기 라인(420)의 후단부는 유동하는 기체의 양이 설정량 또는 설정 범위로 유지될 수 있다.The substrate processing apparatus 1000 according to the present invention adjusts the flow rate of the exhaust line 400 through the flow controller 900 to solve the problem that the pressure of the exhaust line 400 changes abruptly. When the first exhaust opening / closing member 415 is opened and the second exhaust opening / closing member 425 is closed, the gas flows from the processing container 100 to the first exhaust line 410, and the gas flows from the processing container 100 The second exhaust line 420 is blocked. At this time, the flow controller 900 supplies the gas to the second exhaust line 420 to generate a gas flow in the second exhaust line 420. The supply of the gas by the flow controller 900 can be performed in conjunction with the operation of the second exhaust opening / closing member 425. [ Therefore, the second exhaust line 420 connected to the second exhaust line MD2 can be maintained in a state where the gas flows before and after the second exhaust opening / closing member 425 changes from the opened state to the closed state have. The amount of gas supplied by the flow controller 900 may correspond to the amount of gas flowing through the exhaust line 400 in a state where the exhaust opening and closing members 415 and 425 are open. Therefore, the amount of the flowing gas in the rear end portion of the second exhaust line 420 connected to the second facility exhaust line MD2 is set to a predetermined amount (hereinafter referred to as " set amount ") before and after the second exhaust opening / closing member 425 changes from the open state to the closed state. Or the setting range.

제1배기개폐부재(415)는 닫히고, 제2배기개폐부재(425)는 열기는 경우에도 제어기(60)는 위와 유사한 방식으로 유량 제어기(900)를 제어하여 제1배기 라인(410)과 제2배기 라인(420)으로 유동하는 기체의 양을 조절할 수 있다.The controller 60 controls the flow controller 900 in the same manner as described above so that the first exhaust line 410 and the second exhaust line 425 are opened, The amount of gas flowing into the second exhaust line 420 can be adjusted.

도 5는 다른 실시 예에 따른 배기 라인의 연결관계를 나타내는 도면이고, 도 6은 도5와 상이한 상태로 배기개폐부재의 개폐 상태가 변경된 상태의 도면이다.FIG. 5 is a view showing a connection relationship of exhaust lines according to another embodiment, and FIG. 6 is a view showing a state in which the open / close state of the exhaust opening / closing member is changed in a state different from FIG.

도 5 및 도 6을 참조하면, 2개 이상의 공정 챔버(1a, 1b, 1c)는 배기 라인(410a)이 서로 합쳐진 후 설비배기 라인(MD1, MD2)에 연결될 수 있다. 이 때, 배기 라인(410a)이 서로 합쳐지는 각각의 공정 챔버(1a, 1b, 1c)는 상하로 배열된 관계 또는 동일 평면상에 배열된 관계일 수 있다. 또한, 배기 라인(410a)이 서로 합쳐지는 3개 이상의 공정 챔버(1a, 1b, 1c)는 상하로 배열된 관계와 동일 평면상에 배열된 관계를 포함할 수 있다.5 and 6, two or more process chambers 1a, 1b, 1c may be connected to the facility exhaust lines MD1, MD2 after the exhaust lines 410a are combined with each other. At this time, the respective process chambers 1a, 1b, 1c, to which the exhaust lines 410a are joined, may be arranged vertically or arranged in the same plane. In addition, the three or more process chambers 1a, 1b, and 1c, to which the exhaust lines 410a are joined, may include a relationship arranged in a vertically arranged relationship and a plane arranged in a same plane.

이하, 3개의 공정 챔버(1a, 1b, 1c)가 배기 라인(410a)이 합쳐진 후 설비배기 라인(MD1, MD2)에 연결되는 것을 예로 들어 설명한다.Hereinafter, the three process chambers 1a, 1b and 1c are connected to the equipment exhaust lines MD1 and MD2 after the exhaust lines 410a are combined.

배기 라인(410a)은 제1배기 라인(411, 412) 및 제2배기 라인(421, 422)을 포함한다.The exhaust line 410a includes first exhaust lines 411, 412 and second exhaust lines 421, 422.

제1배기 라인(411, 412)은 제1서브 라인(411) 및 제1메인 라인(412)을 포함한다. 각각의 제1서브 라인(411a,411b, 411c)은 일단이 공정 챔버(1a, 1b, 1c)와 연결되고, 타단은 제1메인 라인(412)에 연결된다. 제1메인 라인(412)은 제1설비배기 라인(MD1)에 연결되어 제1서브 라인(411)을 통해 유입된 기체가 제1설비배기 라인(MD1)으로 유동되게 한다. 각각의 제1서브 라인(411a,411b, 411c)에는 제1배기개폐부재(415)가 위치된다.The first exhaust lines 411 and 412 include a first sub line 411 and a first main line 412. Each first sub-line 411a, 411b and 411c is connected at one end to the process chambers 1a, 1b and 1c and at the other end to the first main line 412. The first main line 412 is connected to the first facility exhaust line MD1 so that the gas introduced through the first sub line 411 flows to the first facility exhaust line MD1. The first exhaust opening / closing member 415 is located in each of the first sub-lines 411a, 411b, and 411c.

제2배기 라인(421, 422)은 제2서브 라인(421) 및 제2메인 라인(422)을 포함한다. 각각의 제2서브 라인(421a, 421b, 421c)은 일단이 공정 챔버(1a, 1b, 1c)와 연결되고, 타단은 제2메인 라인(422)에 연결된다. 제2메인 라인(422)은 제2설비배기 라인(MD2)에 연결되어 제2서브 라인(421)을 통해 유입된 기체가 제2설비배기 라인(MD2)으로 유동되게 한다. 각각의 제2서브 라인(421a, 421b, 421c)에는 제2배기개폐부재(425)가 위치된다.The second exhaust lines 421 and 422 include a second sub-line 421 and a second main line 422. Each of the second sub lines 421a, 421b and 421c is connected to the process chambers 1a, 1b and 1c at one end and connected to the second main line 422 at the other end. The second main line 422 is connected to the second equipment exhaust line MD2 so that gas introduced through the second sub line 421 flows to the second equipment exhaust line MD2. And the second exhaust opening / closing member 425 is disposed in each of the second sub-lines 421a, 421b, and 421c.

유량 제어기(900)는 제1배기 라인(411, 412) 및 제2배기 라인(421, 422)에 각각 연결된다. 유량 제어기(900)는 제1메인 라인(412)에 연결될 수 있다. 유량 제어기(900)는 제1설비배기 라인(MD1)에 인접하도록 제1메인 라인(412)의 하류 측 단부에 위치될 수 있다. 유량 제어기(900)는 제2메인 라인(422)에 연결될 수 있다. 유량 제어기(900)는 제2설비배기 라인(MD2)에 인접하도록 제2메인 라인(422)의 하류측 단부에 위치될 수 있다.The flow controller 900 is connected to the first exhaust lines 411 and 412 and the second exhaust lines 421 and 422, respectively. The flow controller 900 may be connected to the first main line 412. The flow controller 900 may be located at the downstream end of the first main line 412 so as to be adjacent to the first facility exhaust line MD1. The flow controller 900 may be connected to the second main line 422. The flow controller 900 may be located at the downstream end of the second main line 422 so as to be adjacent to the second facility exhaust line MD2.

제2배기개폐부재(425)가 모두 열리고 제1배기개폐부재(415)가 모두 닫히면, 기체는 각각의 처리 용기(100)에서 제2배기 라인(421, 422)으로 흐르고, 기체가 각각의 처리 용기(100)에서 제1배기 라인(411, 412)으로 유입되는 것은 차단된다. 이 때, 유량 제어기(900)는 제1배기 라인(411, 412)으로 기체를 공급하여 제1배기 라인(411, 412)에 기체의 흐름을 발생시킨다. 유량 제어기(900)에 의한 기체의 공급은 제1배기개폐부재(415)의 동작과 연동하여 이루어 질 수 있다. When both the second exhaust opening and closing member 425 are opened and all the first exhaust opening and closing members 415 are closed, the gas flows from the respective processing vessels 100 to the second exhaust lines 421 and 422, The flow from the container 100 to the first exhaust lines 411 and 412 is blocked. At this time, the flow controller 900 supplies the gas to the first exhaust lines 411 and 412 to generate a gas flow in the first exhaust lines 411 and 412. The supply of the gas by the flow controller 900 may be performed in conjunction with the operation of the first exhaust opening / closing member 415. [

일 예로, 3개의 제1배기개폐부재(415)가 동시에 닫힌 경우, 유량 제어기(900)는 제1배기개폐부재(415)들이 닫히는 시점 또는 제1배기개폐부재(415)들이 닫히는 시점보다 설정 시간 앞서 제1배기 라인(411, 412)으로 기체를 공급할 수 있다. 이 때, 유량 제어기(900)가 공급하는 기체의 양은 제1배기개폐부재(415)가 모두 열린 상태일 때 각각의 공정 챔버(1a, 1b, 1c)들에서 유입되는 기체의 양에 대응될 수 있다.For example, when the three first exhaust opening / closing members 415 are closed at the same time, the flow controller 900 sets a time point at which the first exhaust opening / closing members 415 are closed or a time when the first exhaust opening / The gas can be supplied to the first exhaust lines 411 and 412 in advance. At this time, the amount of gas supplied by the flow controller 900 may correspond to the amount of gas introduced from each of the process chambers 1a, 1b, 1c when the first exhaust opening / closing member 415 is all open have.

제1배기개폐부재(415)들이 시간차를 두고 닫힌 경우, 마지막으로 닫힌 제1배기개폐부재(415)가 닫히기 전에는 제1배기 라인(411, 412)으로 기체가 유동하는 상태이다. 따라서, 유량 제어기(900)는 마지막으로 닫힌 제1배기개폐부재(415)가 닫히는 시점에 제1배기 라인(411, 412)으로 기체를 공급할 수 있다. 다른 방법으로, 유량 제어기(900)는 마지막으로 닫히는 제1배기개폐부재(415)가 닫히는 시점보다 설정 시간 앞서 제1배기 라인(411, 412)으로 기체의 공급을 개시하여, 제1메인 라인(412)의 하단의 기체 흐름의 연속성을 향상시킬 수 있다.When the first exhaust opening / closing members 415 are closed with a time difference, the gas flows into the first exhaust lines 411 and 412 before the first closed exhaust opening / closing member 415 is closed. Accordingly, the flow controller 900 can supply the gas to the first exhaust lines 411 and 412 at the time when the first closed exhaust opening / closing member 415 is closed. Alternatively, the flow controller 900 may start supply of the gas to the first exhaust lines 411 and 412 before the closing time of the first exhaust opening / closing member 415 closes, 412) can be improved.

제1배기개폐부재(415)들이 시간차를 두고 닫힌 경우, 각각의 제1배기개폐부재(415)들이 닫히는 시점을 전후하여 공정 챔버(1a, 1b, 1c)들에서 제1메인 라인(412)의 하단으로 유동하는 기체의 양은 감소한다. 따라서, 제어기(60)는 가장 먼저 닫힌 제1배기개폐부재(415)가 닫히는 시점에 제1배기 라인(411, 412)으로 기체를 공급하고, 이후 닫힌 제1배기개폐부재(415)의 수에 따라 제1배기 라인(411, 412)으로 공급하는 기체의 양을 증가 시킬 수 있다. 또한, 각각의 제1배기개폐부재(415)가 닫힐 때 유량 제어기(900)가 공급하는 기체는, 제1배기개폐부재(415)가 열린 상태일 때 유입되는 기체에 대응하게 제공되어, 제1배기 라인(411, 412)을 유동하는 기체가 설정량 또는 설정 범위로 유지되게 할 수 있다.When the first exhaust opening / closing members 415 are closed with a time lag, the exhaust ports of the first main line 412 in the process chambers 1a, 1b, The amount of gas flowing downward decreases. Accordingly, the controller 60 supplies gas to the first exhaust lines 411 and 412 at the time when the first exhaust opening / closing member 415 that is closest to the first closed state is closed, and then supplies the gas to the first exhaust opening / The amount of gas to be supplied to the first exhaust lines 411 and 412 can be increased. The gas supplied by the flow controller 900 when each of the first exhaust opening and closing members 415 is closed is provided corresponding to the gas introduced when the first exhaust opening and closing member 415 is in the open state, The gas flowing through the exhaust lines 411 and 412 can be maintained at the set amount or the set range.

공정의 진행에 따라, 각각의 공정 챔버(1a, 1b, 1c)를 가운데 일부가 나머지 공정 챔버(1a, 1c)보다 먼저 제2배기개폐부재(425)가 닫히고 제1배기개폐부재(415)가 열리는 상태로 변경될 수 있다.A part of each of the process chambers 1a, 1b and 1c closes the second exhaust opening and closing member 425 before the other process chambers 1a and 1c and the first exhaust opening and closing member 415 It can be changed to an open state.

제2배기개폐부재(425)들 가운데 일부가 닫힌 경우, 제2배기 라인(421, 422)은 기체가 유동하는 상태이다. 따라서, 유량제어기(60)는 이후 제2배기개폐부재(425)들 모두 또는 마지막 제2배기개폐부재(425)가 닫히는 시점에 제2배기 라인(421, 422)으로 기체의 공급을 개시할 수 있다. 또한, 유량 제어기(900)는 마지막으로 닫히는 제1배기개폐부재(415)가 닫히는 시점보다 설정 시간 앞서 제2배기 라인(421, 422)으로 기체의 공급을 개시하여, 제2메인 라인(422)의 하단의 기체 흐름의 연속성을 향상시킬 수 있다.When some of the second exhaust opening / closing members 425 are closed, the second exhaust lines 421 and 422 are in a state where the gas flows. Therefore, the flow controller 60 can then start supplying the gas to the second exhaust line 421, 422 at the time when all the second exhaust opening / closing members 425 or the last second exhaust opening / have. The flow controller 900 starts supply of the gas to the second exhaust lines 421 and 422 before the closing time of the first exhaust opening and closing member 415 that is closed last and sets the second main line 422, It is possible to improve the continuity of the gas flow at the lower end of the flow path.

또한, 제2배기개폐부재(425)들 가운데 일부가 닫힌 경우, 유량 제어기(900)는 제2배기 라인(421, 422)으로 기체의 공급을 개시할 수 있다. 그리고, 이후 닫힌 제2배기개폐부재(425)의 수에 따라 제2배기 라인(421, 422)으로 공급하는 기체의 양을 증가 시킬 수 있다. 또한, 각각의 제2배기개폐부재(425)가 닫힐 때 유량 제어기(900)가 공급하는 기체는, 제2배기개폐부재(425)가 열린 상태일 때 유입되는 기체에 대응하게 제공되어, 제2배기 라인(421, 422)을 유동하는 기체가 설정량 또는 설정 범위로 유지되게 할 수 있다.Further, when a part of the second exhaust opening / closing members 425 is closed, the flow controller 900 can start supplying gas to the second exhaust lines 421 and 422. Then, the amount of the gas to be supplied to the second exhaust lines 421 and 422 can be increased in accordance with the number of the closed second exhaust opening / closing members 425. The gas supplied by the flow controller 900 when each of the second exhaust opening and closing members 425 is closed is provided corresponding to the gas introduced when the second exhaust opening and closing member 425 is in the open state, The gas flowing through the exhaust lines 421 and 422 can be maintained at the set amount or the set range.

또한, 제1배기개폐부재(415)들 가운데 일부가 열리면, 공정 챔버(1a, 1b, 1c)들 가운데 일부에서 제1배기 라인(411, 412)으로 기체가 유동한다. 따라서, 유량 제어기(900)는 기체의 공급을 개시할 때와 유사한 방식으로 제1배기 라인(411, 412)으로 공급되는 기체의 양을 줄인다. 일 예로, 제1배기개폐부재(415)들 가운데 일부가 개방되어, 공정 챔버(1a, 1b, 1c)들에서 기체의 유입이 개시되면 유량 제어기(900)는 제1배기 라인(411, 412)으로 기체 공급을 중단할 수 이 있다. 또 다른 예로, 개방되는 제1배기개폐부재(415)에 따라, 유량 제어기(900)는 제1배기 라인(411, 412)으로 공급하는 기체의 양을 줄일 수 있다.In addition, when a part of the first exhaust opening / closing members 415 is opened, gas flows from a part of the process chambers 1a, 1b, 1c to the first exhaust lines 411, 412. Accordingly, the flow controller 900 reduces the amount of gas supplied to the first exhaust lines 411, 412 in a similar manner as when the supply of gas is started. When a part of the first exhaust opening and closing members 415 is opened and the introduction of gas into the process chambers 1a, 1b and 1c is started, the flow controller 900 controls the first exhaust lines 411 and 412, There is a possibility of stopping the supply of gas. As another example, according to the first exhaust opening / closing member 415 being opened, the flow controller 900 can reduce the amount of gas supplied to the first exhaust lines 411 and 412.

도 7은 다른 실시 예에 따른 유량 제어기의 위치를 나타내는 도면이다.7 is a view showing the position of the flow controller according to another embodiment.

도 7을 참조하면, 유량 제어기(900b)는 배기 라인(410b)의 상류측에 연결될 수 있다. 예를 들어, 유량 제어기(900b)는 제1서브 라인(413a, 413b, 413c)들보다 상류측에서 제1메인 라인(414)에 연결될 수 있다. 즉, 유량 제어기(900b)는 제1메인 라인(414)에서 제1설비배기 라인(MD1)과 연결되는 단부의 반대쪽 구간에서 제1메인 라인(414)에 연결될 수 있다. 또한, 유량 제어기(900b)는 제1서브 라인(413a, 413b, 413c)들이 연결된 영역의 사이에서 제1메인 라인(414)에 연결될 수 있다. Referring to Fig. 7, the flow controller 900b may be connected to the upstream side of the exhaust line 410b. For example, the flow controller 900b may be connected to the first main line 414 on the upstream side of the first sub-lines 413a, 413b, and 413c. That is, the flow controller 900b may be connected to the first main line 414 in a section of the first main line 414 opposite to the end connected to the first equipment exhaust line MD1. In addition, the flow controller 900b may be connected to the first main line 414 between regions where the first sub lines 413a, 413b, and 413c are connected.

또한, 유량 제어기(900b)는 제2서브 라인(423a, 423b, 423c)들보다 상류측에서 제2메인 라인(424)에 연결될 수 있다. 즉, 유량 제어기(900b)는 제2메인 라인(424)에서 제2설비배기 라인(MD2)과 연결되는 단부의 반대쪽 구간에서 제2메인 라인(424)에 연결될 수 있다. 또한, 유량 제어기(900b)는 제2서브 라인(423a, 423b, 423c)들이 연결된 영역의 사이에서 제2메인 라인(424)에 연결될 수 있다.In addition, the flow controller 900b may be connected to the second main line 424 on the upstream side of the second sub-lines 423a, 423b, and 423c. That is, the flow controller 900b may be connected to the second main line 424 in the opposite side of the end connected to the second equipment exhaust line MD2 in the second main line 424. In addition, the flow controller 900b may be connected to the second main line 424 between the areas where the second sub lines 423a, 423b, and 423c are connected.

도 8은 일 실시 예에 따른 유량 제어기를 나타내는 도면이다.8 is a view of a flow controller according to one embodiment.

도 8을 참조하면, 유량 제어기(900)는 제1공급 배관(910) 및 제2공급 배관(920)을 포함한다.Referring to FIG. 8, the flow controller 900 includes a first supply pipe 910 and a second supply pipe 920.

제1공급 배관(910)의 일단은 기판 처리 장치(1000) 내의 일 지점에 위치되거나, 기체를 공급하는 장치에 연결되거나, 외기가 공급될 수 있는 장소에 위치될 수 있다. 제1공급 배관(910)의 타단은 제1배기 라인(410)에 연결된다. 제1공급 배관(910)에는 제1개폐부재(915)가 위치된다. 제1개폐부재(915)는 댐퍼, 밸브 등일 수 있다. 또한, 제1개폐부재(915)는 제1공급 배관(910)에 기체의 유동 압력을 제공하고 배관을 유동하는 기체를 조절할 수 있는 펌프로 제공될 수 있다. 제1공급 배관(910)의 일단은 이송 챔버(40)의 내측 공간과 연통되게 위치될 수 있다. 이송 챔버(40)의 상부에는 기체 공급 유닛(45)이 위치되어 내측 공간으로 기체가 공급되도록 제공되고, 제1공급 배관(910)의 일단으로 이송 챔버(40)상의 기체가 유입되도록 제공될 수 있다. 일 예로, 기체 공급 유닛(45)에 의해 이송 챔버(40) 내측에는 하방 기류가 형성되고, 제1공급 배관(910)의 일단은 상하 방향을 향하도록 이송 챔버(40)의 하부에 연결될 수 있다. 따라서, 메인 이송 로봇(30)의 구동 과정에서 발생된 파티클 등의 오염원은 유량 제어기(900)와 제1배기 라인(410)을 통해 외부로 배출될 수 있다.One end of the first supply pipe 910 may be located at one point in the substrate processing apparatus 1000, or may be connected to a device for supplying gas or may be placed at a place where outside air can be supplied. The other end of the first supply pipe 910 is connected to the first exhaust line 410. The first opening and closing member 915 is located in the first supply pipe 910. The first opening and closing member 915 may be a damper, a valve, or the like. Further, the first opening and closing member 915 can be provided as a pump capable of providing a flow pressure of the gas to the first supply pipe 910 and regulating the gas flowing through the pipe. One end of the first supply pipe 910 may be positioned in communication with the inner space of the transfer chamber 40. A gas supply unit 45 is disposed at an upper portion of the transfer chamber 40 and is provided to supply gas to the inner space and may be provided so as to allow the gas on the transfer chamber 40 to be introduced into one end of the first supply pipe 910 have. For example, a downward airflow may be formed inside the transfer chamber 40 by the gas supply unit 45, and one end of the first supply pipe 910 may be connected to the lower portion of the transfer chamber 40 so as to be vertically oriented . Therefore, the contamination source such as particles generated during the driving process of the main transfer robot 30 can be discharged to the outside through the flow controller 900 and the first exhaust line 410.

제2공급 배관(920)의 일단은 기판 처리 장치(1000) 내의 일 지점에 위치되거나, 기체를 공급하는 장치에 연결되거나, 외기가 공급될 수 있는 장소에 위치될 수 있다. 제2공급 배관(920)의 타단은 제2배기 라인(420)에 연결된다. 제2공급 배관(920)에는 제2개폐부재(425)가 위치된다. 제2개폐부재(425)는 댐퍼, 밸브 등일 수 있다. 또한, 제2개폐부재(425)는 제2공급 배관(920)에 기체의 유동 압력을 제공하는 펌프를 포함할 수 있다. 제2공급 배관(920)의 일단은 이송 챔버(40)의 내측 공간과 연통되게 위치될 수 있다. 이송 챔버(40)는 기체 공급 유닛(45)에 의해 기체가 공급되도록 제공되고, 제2공급 배관(920)의 일단으로 이송 챔버(40)상의 기체가 유입되도록 제공될 수 있다. 일 예로, 기체 공급 유닛(45)에 의해 이송 챔버(40) 내측에는 하방 기류가 형성되고, 제2공급 배관(910)의 일단은 상하 방향을 향하도록 이송 챔버(40)의 하부에 연결될 수 있다. 따라서, 메인 이송 로봇(30)의 구동 과정에서 발생된 파티클 등의 오염원은 유량 제어기(900)와 제2배기 라인(420)을 통해 외부로 배출될 수 있다.One end of the second supply pipe 920 may be located at one point in the substrate processing apparatus 1000, connected to a device for supplying gas, or may be placed at a place where outside air can be supplied. The other end of the second supply pipe 920 is connected to the second exhaust line 420. And the second opening and closing member 425 is located in the second supply pipe 920. The second opening and closing member 425 may be a damper, a valve, or the like. Further, the second opening and closing member 425 may include a pump for supplying a flow pressure of the gas to the second supply pipe 920. One end of the second supply pipe 920 may be positioned to communicate with the inner space of the transfer chamber 40. The transfer chamber 40 is provided to be supplied with the gas by the gas supply unit 45 and may be provided to allow the gas on the transfer chamber 40 to be introduced into one end of the second supply pipe 920. For example, a downward air flow may be formed inside the transfer chamber 40 by the gas supply unit 45, and one end of the second supply pipe 910 may be connected to the lower portion of the transfer chamber 40 so as to be vertically oriented . Therefore, the contamination source such as particles generated during the driving process of the main transfer robot 30 can be discharged to the outside through the flow controller 900 and the second exhaust line 420.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 인덱스부 12: 로드 포트
20: 버퍼부 30: 메인 이송 로봇
40: 이송 챔버 50: 처리부10: Index part 12: Load port
20: buffer unit 30: main transfer robot
40: transfer chamber 50:

Claims (24)

메인 이송 로봇이 위치되는 이송 챔버;
상기 이송 챔버에 인접하게 위치되는 공정 챔버를 포함하되,
상기 공정 챔버는,
상부가 개방된 통 형상으로 제공되는 처리 용기;
상기 처리 용기의 내측에 위치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재;
상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제1배기 라인;
상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제2배기 라인;
상기 제1배기 라인과 상기 제2배기 라인에 연결되어 상기 제1배기 라인 또는 상기 제2배기 라인으로 유동하는 기체의 유량을 조절하는 유량 제어기를 포함하며,
상기 유량 제어기는,
상기 제1배기 라인에 연결되는 제1공급 배관;
상기 제2배기 라인에 연결되는 제2공급 배관;
상기 제1공급 배관에 위치되고, 상기 제1공급 배관을 개폐하는 제1개폐부재; 및
상기 제2공급 배관에 위치되고, 상기 제2공급 배관을 개폐하는 제2개폐부재를 포함하고,
상기 제1공급 배관의 일단 또는 상기 제2공급 배관의 일단은 상기 이송 챔버와 연통되도록 제공되는 기판 처리 장치.A transfer chamber in which the main transfer robot is located;
A processing chamber positioned adjacent the transfer chamber,
The process chamber includes:
A processing vessel provided in a cylindrical shape with an open top;
A substrate support member positioned inside the processing vessel and supporting the substrate;
A first exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge a gas inside the processing vessel;
A second exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge the gas inside the processing vessel;
And a flow controller connected to the first exhaust line and the second exhaust line for regulating the flow rate of the gas flowing into the first exhaust line or the second exhaust line,
Wherein the flow controller comprises:
A first supply line connected to the first exhaust line;
A second supply pipe connected to the second exhaust line;
A first opening and closing member located in the first supply pipe and opening and closing the first supply pipe; And
And a second opening and closing member which is located in the second supply pipe and opens and closes the second supply pipe,
Wherein one end of the first supply pipe or one end of the second supply pipe is provided to communicate with the transfer chamber. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제1개폐부재 또는 상기 제2개폐부재는 댐퍼로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first opening and closing member or the second opening and closing member is provided as a damper. 제1 항에 있어서,
상기 제1개폐부재 또는 상기 제2개폐부재는 펌프로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first opening and closing member or the second opening and closing member is provided as a pump. 제1 항에 있어서,
상기 제1개폐부재 또는 상기 제2개폐부재는 밸브로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first opening and closing member or the second opening and closing member is provided as a valve. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 이송 챔버는, 상부에 위치되어 내측 공간에 하방 기류를 형성하는 기체 공급 유닛을 포함하고,
상기 제1공급 배관의 일단 또는 상기 제2공급 배관의 일단은 상하 방향을 향하도록 상기 이송 챔버의 하부에 연결되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the transfer chamber includes a gas supply unit which is located at an upper portion and forms a downward flow in the inner space,
Wherein one end of the first supply pipe or one end of the second supply pipe is connected to a lower portion of the transfer chamber so as to be vertically oriented. 제1 항에 있어서,
상기 공정 챔버는 복수로 제공되고,
상기 제1배기 라인은,
각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제1서브 라인들;
복수의 상기 제1서브 라인들 가운데 2개 이상이 연결되는 제1메인 라인을 포함하고,
상기 제2배기 라인은,
각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제2서브 라인들;
복수의 상기 제2서브 라인들 가운데 2개 이상이 연결되는 제2메인 라인을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The process chamber is provided with a plurality of processing chambers,
Wherein the first exhaust line includes:
A plurality of first sub-lines, each connected to one of the process chambers;
And a first main line to which at least two of the plurality of first sub-lines are connected,
Wherein the second exhaust line
A plurality of second sub-lines, each connected to one of the process chambers;
And a second main line to which at least two of the plurality of second sub lines are connected. 제8 항에 있어서,
상기 제1메인 라인은 상기 제1서브 라인들을 통해 유입된 기체를 상기 기판 처리 장치 밖으로 배출하는 제1설비배기 라인에 연결되고,
상기 제2메인 라인은 상기 제2서브 라인들을 통해 유입된 기체를 상기 기판 처리 장치 밖으로 배출하는 제2설비배기 라인에 연결되는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The first main line is connected to a first facility exhaust line for discharging the gas introduced through the first sub-lines out of the substrate processing apparatus,
Wherein the second main line is connected to a second facility exhaust line for discharging the gas introduced through the second sub-lines to the outside of the substrate processing apparatus. 제9 항에 있어서,
상기 유량 제어기는
상기 제1서브 라인들과 상기 제1메인 라인이 연결된 지점들 가운데 상기 제1설비배기 라인에 가장 인접한 지점과
상기 제1메인 라인과 상기 제1설비배기 라인이 연결된 지점 사이의 구간에서
상기 제1메인 라인에 연결되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The flow controller
A point closest to the first facility exhaust line among the points where the first sub lines and the first main line are connected to each other,
In the section between the first main line and the point where the first facility exhaust line is connected
And connected to the first main line. 제9 항에 있어서,
상기 유량 제어기는
상기 제2서브 라인들과 상기 제2메인 라인이 연결된 지점들 가운데 상기 제2설비배기 라인에 가장 인접한 지점과
상기 제2메인 라인과 상기 제2설비배기 라인이 연결된 지점 사이의 구간에서
상기 제2메인 라인에 연결되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The flow controller
A point closest to the second facility exhaust line among the points where the second sub lines and the second main line are connected to each other,
In a section between the second main line and the point where the second facility exhaust line is connected
And connected to the second main line. 제8 항에 있어서,
상기 유량 제어기는
상기 제1서브 라인들이 상기 제1메인 라인에 연결된 지점들 사이의 구간에서
상기 제1메인 라인에 연결되는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The flow controller
In the section between the points where the first sub lines are connected to the first main line
And connected to the first main line. 제8 항에 있어서,
상기 유량 제어기는
상기 제2서브 라인들이 상기 제2메인 라인에 연결된 지점들 사이의 구간에서
상기 제2메인 라인에 연결되는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The flow controller
In a section between the points where the second sub-lines are connected to the second main line
And connected to the second main line. 제9 항에 있어서,
상기 유량 제어기는
상기 제1메인 라인이 상기 제1설비배기 라인과 연결되는 상기 제1메인 라인의 일측 단부와 대칭을 이루는 상기 제1 메인 라인의 타측 단부에 연결되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The flow controller
Wherein the first main line is connected to the other end of the first main line which is symmetrical with one end of the first main line connected to the first facility exhaust line. 제9 항에 있어서,
상기 유량 제어기는
상기 제2메인 라인이 상기 제2설비배기 라인과 연결되는 상기 제2메인 라인의 일측 단부와 대칭을 이루는 상기 제2메인 라인의 타측 단부에 연결되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The flow controller
Wherein the second main line is connected to the other end of the second main line which is symmetrical with one end of the second main line connected to the second facility exhaust line. 제1 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는,
로드 포트를 갖는 인덱스부;
상기 인덱스부와 상기 메인 이송 로봇 사이에 위치되는 버퍼부를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The substrate processing apparatus includes:
An index portion having a load port;
And a buffer unit positioned between the index unit and the main transfer robot. 제1 항에 있어서,
상기 공정 챔버는 복수가 상하로 적층되어 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of process chambers are stacked vertically. 제1 항에 있어서,
상기 제1배기 라인에는 상기 제1배기 라인을 개폐하는 제1배기개폐부재가 위치되고,
상기 제2배기 라인에는 상기 제2배기 라인을 개폐하는 제2배기개폐부재가 위치되고,
상기 기판 처리 장치는 상기 제1배기개폐부재, 상기 제2배기개폐부재 및 상기 유량 제어기를 제어하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first exhaust line is provided with a first exhaust opening / closing member for opening / closing the first exhaust line,
A second exhaust opening / closing member for opening / closing the second exhaust line is disposed in the second exhaust line,
Wherein the substrate processing apparatus further comprises a controller for controlling the first exhaust opening / closing member, the second exhaust opening / closing member, and the flow controller. 제18 항에 있어서,
상기 공정 챔버는 상기 기판을 산성 약액을 통해 처리하는 공정 및 알카리성 약액을 통해 처리하는 공정을 수행하도록 제공되고,
상기 제어기는 상기 산성 약액을 통한 상기 기판의 처리가 이루어 질 때 상기 제1배기 라인이 개방되고, 상기 알카리성 약액을 통한 상기 기판의 처리가 이루어 질 때 상기 제2배기 라인이 개방되도록 상기 제1배기개폐부재와 상기 제2배기개폐부재를 제어하는 기판 처리 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the process chamber is provided for performing a process of treating the substrate through an acidic chemical liquid and a process of treating through an alkaline chemical liquid,
Wherein the controller is configured to open the first exhaust line when the substrate is processed through the acidic chemical liquid and to open the second exhaust line when the substrate is processed through the alkaline chemical liquid, And controls the opening / closing member and the second exhaust opening / closing member. 제18 항에 있어서,
상기 공정 챔버는 상기 기판을 유기 약액을 통해 처리하는 공정 및 무기 약액을 통해 처리하는 공정을 수행하도록 제공되고,
상기 제어기는 상기 유기 약액을 통한 상기 기판의 처리가 이루어 질 때 상기 제1배기 라인이 개방되고, 상기 무기 약액을 통한 상기 기판의 처리가 이루어 질 때 상기 제2배기 라인이 개방되도록 상기 제1배기개폐부재와 상기 제2배기개폐부재를 제어하는 기판 처리 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the process chamber is provided for performing the process of treating the substrate through the organic chemical liquid and the process of treating the inorganic chemical liquid through the organic chemical liquid,
The controller is configured to open the first exhaust line when the substrate is processed through the organic chemical liquid and to open the second exhaust line when the substrate is processed through the inorganic chemical liquid, And controls the opening / closing member and the second exhaust opening / closing member. 기판을 지지하는 기판 지지부재와, 내측에 상기 기판 지지부재가 위치되는 처리 용기를 포함하는 기판 처리 장치에서 상기 처리 용기 내측의 기체를 배기하는 방법에 있어서,
상기 처리 용기의 내측과 연통하는 제1배기 라인과 상기 처리 용기의 내측과 연통하는 제2배기 라인을 가지되, 상기 제1배기 라인은 닫힌 상태로 상기 제2배기 라인으로 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 단계;
상기 처리 용기에서 상기 제2배기 라인으로 유동하는 기체와는 별개로, 상기 제1배기 라인으로 기체를 공급하는 단계를 포함하되,
상기 처리 용기에서 상기 제2배기 라인으로 유입되는 기체와는 별개로 상기 제1배기 라인으로 공급되는 기체는 상기 처리 용기로 기판을 반입 또는 반출하는 메인 이송 로봇이 위치되는 이송 챔버에서 유입되는 기판 처리 방법.A method for evacuating a gas inside a processing vessel in a substrate processing apparatus including a substrate supporting member for supporting a substrate and a processing vessel in which the substrate supporting member is located,
A first exhaust line communicating with the inside of the processing vessel and a second exhaust line communicating with the inside of the processing vessel, wherein the first exhaust line is closed with the second exhaust line, ;
Supplying gas from the processing vessel to the first exhaust line separately from the gas flowing into the second exhaust line,
The gas supplied to the first exhaust line separately from the gas introduced into the second exhaust line in the processing vessel is introduced into the first exhaust line through the substrate processing process in the transfer chamber in which the main transfer robot, Way. 복수의 공정 챔버들과, 각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제1서브 라인들과, 상기 제1서브 라인들이 연결되는 제1메인 라인과, 각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제2서브 라인들과, 복수의 상기 제2서브 라인들이 연결되는 제2메인 라인을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 공정 챔버들 각각을 상기 제1서브 라인들 가운데 하나 또는 상기 제2서브 라인들 가운데 하나를 통해 배기하는 단계;
상기 제1메인 라인 및 상기 제2메인 라인 중에서 상기 공정 챔버들에서 유입되는 기체가 없는 곳에 상기 공정 챔버들에서 유입되는 기체와는 별개로 기체를 공급하는 단계를 포함하며,
상기 공정 챔버들에서 유입되는 기체와는 별개로 공급되는 기체는 상기 공정 챔버들로 기판을 반입 또는 반출하는 메인 이송 로봇이 위치되는 이송 챔버에서 유입되는 기판 처리 방법.A plurality of process chambers, a plurality of first sub-lines, each connected to one of the process chambers, a first main line to which the first sub-lines are connected, and a second main line connected to one of the process chambers, respectively 1. A method of processing a substrate using a substrate processing apparatus comprising a plurality of second sub lines and a second main line to which a plurality of the second sub lines are connected,
Venting each of the process chambers through one of the first sublines or one of the second sublines;
Supplying gas from the first main line and the second main line separately from the gas introduced from the process chambers in the absence of gas flowing in the process chambers,
Wherein the gas supplied separately from the gases introduced into the process chambers is introduced into the transfer chamber in which the main transfer robot for transferring the substrates into and out of the process chambers is located. 복수의 공정 챔버들과, 각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제1서브 라인들과, 상기 제1서브 라인들이 연결되는 제1메인 라인과, 각각 상기 공정 챔버들 가운데 하나에 연결되는 복수의 제2서브 라인들과, 복수의 상기 제2서브 라인들이 연결되는 제2메인 라인을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 공정 챔버들 각각을 상기 제1서브 라인들 가운데 하나 또는 상기 제2서브 라인들 가운데 하나를 통해 배기하는 단계;
상기 공정 챔버들 모두에서 상기 제1서브 라인으로 기체가 유입될 때에 비해 감소된 양 만큼의 기체를, 상기 제1서브 라인을 통해 유입되는 기체와는 별개로 상기 제1메인 라인으로 공급하는 단계를 포함하며,
상기 공정 챔버들에서 유입되는 기체와는 별개로 공급되는 기체는 상기 공정 챔버들로 기판을 반입 또는 반출하는 메인 이송 로봇이 위치되는 이송 챔버에서 유입되는 기판 처리 방법.A plurality of process chambers, a plurality of first sub-lines, each connected to one of the process chambers, a first main line to which the first sub-lines are connected, and a second main line connected to one of the process chambers, respectively 1. A method of processing a substrate using a substrate processing apparatus comprising a plurality of second sub lines and a second main line to which a plurality of the second sub lines are connected,
Venting each of the process chambers through one of the first sublines or one of the second sublines;
Supplying a reduced amount of gas to all of the process chambers from the first sub line to the first main line separately from the gas flowing through the first sub line ≪ / RTI &
Wherein the gas supplied separately from the gases introduced into the process chambers is introduced into the transfer chamber in which the main transfer robot for transferring the substrates into and out of the process chambers is located. 삭제delete
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