KR101884860B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상부가 개방된 통 형상으로 제공되는 처리 용기; 상기 처리 용기의 내측에 위치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제1배기 라인; 상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제2배기 라인; 및 상기 제1배기 라인과 상기 제2배기 라인에 각각 위치되어, 상기 제1배기 라인 또는 상기 제2배기 라인을 개폐하고, 상기 처리 용기에서 유입되는 기체의 흐름이 차단된 경우 외측의 기체가 유입되도록 하는 배기개폐부재를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a processing vessel provided in a cylindrical shape with an open top; A substrate support member positioned inside the processing vessel and supporting the substrate; A first exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge a gas inside the processing vessel; A second exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge the gas inside the processing vessel; And a first exhaust line and a second exhaust line, respectively, for opening and closing the first exhaust line or the second exhaust line, and when the flow of gas introduced from the processing vessel is shut off, And the exhaust opening / closing member.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.As semiconductor devices become more dense, highly integrated, and have high performance, circuit patterns become finer, so that contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of devices and yield do. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate at the front and rear stages of each unit process for manufacturing a semiconductor is being carried out.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

본 발명은 기체를 효율적으로 배출할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently discharging gas.

본 발명의 일 측면에 따르면, 상부가 개방된 통 형상으로 제공되는 처리 용기; 상기 처리 용기의 내측에 위치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제1배기 라인; 상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제2배기 라인; 및 상기 제1배기 라인과 상기 제2배기 라인에 각각 위치되어, 상기 제1배기 라인 또는 상기 제2배기 라인을 개폐하고, 상기 처리 용기에서 유입되는 기체의 흐름이 차단된 경우 외측의 기체가 유입되도록 하는 배기개폐부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a process container comprising: a processing container provided with an upper open-ended cylindrical shape; A substrate support member positioned inside the processing vessel and supporting the substrate; A first exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge a gas inside the processing vessel; A second exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge the gas inside the processing vessel; And a first exhaust line and a second exhaust line, respectively, for opening and closing the first exhaust line or the second exhaust line, and when the flow of gas introduced from the processing vessel is shut off, The exhaust opening / closing member can be provided.

또한, 상기 배기개폐부재는, 상기 제1배기 라인 또는 상기 제2 배기 라인의 경로 상에 위치되는 바디; 상기 바디의 내측에 회전 가능하게 제공되는 조절부재를 포함할 수 있다.Further, the exhaust opening / closing member may include: a body located on a path of the first exhaust line or the second exhaust line; And an adjusting member rotatably provided inside the body.

또한, 상기 바디는, 상기 처리 용기와 연결되는 방향을 향하도록 연결되는 유입라인; 상기 처리 용기에서 유입된 기체가 배출되는 방향을 향하도록 연결되는 배출 라인; 및 상기 배기 라인의 외측 공간과 연결되는 연통라인을 포함할 수 있다.Further, the body may include an inflow line connected to the processing vessel in a direction to be connected thereto; A discharge line connected to a direction in which the gas introduced from the processing vessel is discharged; And a communication line connected to an outer space of the exhaust line.

또한, 상기 조절부재는, 상기 배출 라인과 연결되도록 형성되는 배기구; 상기 조절부재의 회전에 따라 상기 유입라인과 연결되거나 상기 바디에 의해 닫히도록 형성되는 유입구; 및 상기 조절부재의 회전에 따라 상기 연통라인과 연결되거나 상기 바디에 의해 닫히도록 형성되는 연통구를 포함할 수 있다.The regulating member may include: an exhaust port formed to be connected to the exhaust line; An inlet connected to the inflow line or closed by the body according to rotation of the regulating member; And a communication hole connected to the communication line or closed by the body according to the rotation of the adjustment member.

또한, 상기 배기구는 상기 조절부재의 회전축 상에 형성될 수 있다.In addition, the exhaust port may be formed on the rotation axis of the regulating member.

또한, 상기 연통구는 호 형상으로 제공될 수 있다.Further, the communication hole may be provided in an arc shape.

또한, 상기 연통구는 중심각이 상기 조절 부재의 회전 각도에 대응되도록 형성될 수 있다.In addition, the communication hole may be formed such that the central angle corresponds to the rotation angle of the adjustment member.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 상부가 개방된 통 형상으로 제공되는 처리 용기; 상기 처리 용기의 내측에 위치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 배기 라인; 상기 배기 라인에 위치되어, 상기 배기 라인을 개폐하고, 상기 처리 용기에서 유입되는 기체의 흐름이 차단된 경우 외측의 기체가 유입되도록 하는 배기개폐부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a process container comprising: a processing vessel provided with an upper open-ended cylindrical shape; A substrate support member positioned inside the processing vessel and supporting the substrate; An exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge gas inside the processing vessel; And an exhaust opening and closing member which is located in the exhaust line and opens and closes the exhaust line and allows the outside gas to flow when the flow of the gas introduced from the processing vessel is cut off.

또한, 상기 배기 라인은, 제1 배기 라인; 및 상기 제1 배기 라인과 선택적으로 개폐되는 제2 배기 라인을 포함하고, 상기 배기개폐부재는 상기 제1 배기 라인 및 상기 제2 배기 라인에 각각 위치될 수 있다.Further, the exhaust line may include: a first exhaust line; And a second exhaust line that is selectively opened and closed with the first exhaust line, and the exhaust opening / closing member may be located in the first exhaust line and the second exhaust line, respectively.

또한, 상기 배기개폐부재는, 상기 배기 라인의 경로 상에 위치되되, 상기 배기 라인의 외측 공간과 연결되는 연통라인을 갖는 바디; 및 상기 바디의 내측에 회전 가능하게 제공되는 조절부재를 포함할 수 있다.The exhaust opening / closing member may include a body disposed on a path of the exhaust line, the body having a communication line connected to an outer space of the exhaust line; And an adjusting member rotatably provided inside the body.

또한, 상기 연통라인은 상기 조절부재의 회전에 따라 개폐가 조절될 수 있다.In addition, the communication line can be adjusted to open and close according to the rotation of the adjustment member.

본 발명의 또 따른 측면에 따르면, 기판을 지지하는 기판 지지부재와, 내측에 상기 기판 지지부재가 위치되는 처리 용기를 포함하는 기판 처리 장치에서 상기 처리 용기 내측의 기체를 배기하는 방법에 있어서, 상기 처리 용기의 내측과 연통하는 제1배기 라인과 상기 처리 용기의 내측과 연통하는 제2배기 라인을 가지되, 상기 제1배기 라인은 상기 처리 용기에서 유입되는 기체를 차단한 상태에서 외측의 기체가 유입되도록 하고, 상기 제2배기 라인으로 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method for evacuating a gas inside a processing vessel in a substrate processing apparatus including a substrate supporting member for supporting a substrate and a processing vessel in which the substrate supporting member is located, A first exhaust line communicating with the inside of the processing vessel and a second exhaust line communicating with the inside of the processing vessel, wherein the first exhaust line is configured such that, in a state where the gas introduced from the processing vessel is shut off, And the substrate processing method for discharging the gas inside the processing vessel to the second exhaust line may be provided.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently process a substrate can be provided.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기체를 효율적으로 배출할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently discharging a gas can be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 3은 배기 라인의 연결관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 배기개폐부재를 나타내는 도면이다.
도 5는 조절부재의 사시도이다.
도 6은 유입 라인으로 유입된 기체가 배출 라인으로 배출되는 상태의 배기개폐부재를 나타내는 도면이다.
도 7 및 도 8은 유입 라인이 닫히는 과정을 나타내는 도면이다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 배기 라인의 연결관계를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 shows a process chamber according to the invention.
3 is a view showing the connection relationship of the exhaust lines.
4 is a view showing an exhaust opening / closing member.
5 is a perspective view of the adjustment member;
6 is a view showing an exhaust opening / closing member in a state in which a gas introduced into an inflow line is discharged to a discharge line.
7 and 8 are views showing a process of closing the inflow line.
9 is a view showing a connection relationship of exhaust lines according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치될 수 있다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 of the present invention may include an index unit 10, a buffer unit 20, and a processing unit 50. The index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit may be arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index unit 10, the buffer unit 20 and the processing unit 50 are arranged is referred to as a first direction, the direction perpendicular to the first direction as viewed from above is referred to as a second direction, And a direction perpendicular to the plane including the first direction and the second direction is referred to as a third direction.

인덱스부(10)는 기판 처리 장치(1)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. The index portion 10 is disposed in front of the substrate processing apparatus 1 in the first direction. The index section 10 includes four load ports 12 and one index robot 13.

4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 장치(1)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 변경될 수 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 위치된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. The four load ports 12 are disposed in front of the index portion 10 in the first direction. A plurality of load ports 12 are provided and they are disposed along the second direction. The number of the load ports 12 can be changed according to the process efficiency and the footprint condition of the substrate processing apparatus 1. [ The load ports 12 are provided with a substrate W to be supplied to the process and a carrier (e.g., cassette, FOUP, etc.) in which the processed substrate W is placed. The carrier 16 is formed with a plurality of slots for accommodating the substrates horizontally arranged with respect to the paper surface.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다. The index robot 13 is disposed in the first direction adjacent to the load port 12. [ The index robot 13 is installed between the load port 12 and the buffer unit 20. The index robot 13 transfers the substrate W waiting on the upper layer of the buffer unit 20 to the carrier 16 or transfers the substrate W waiting on the carrier 16 to the lower layer of the buffer unit 20 do.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다.The buffer unit 20 is provided between the index unit 10 and the processing unit. The buffer unit 20 temporarily stores the substrate W to be supplied to the process before being transferred by the index robot 13 or the substrate W whose processing has been completed before being transferred by the main transfer robot 30, .

메인 이송 로봇(30)은 이송 챔버(40)에 위치되며, 각 공정 챔버(60)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 공정 챔버(60)로 이송하거나, 각 공정 챔버(60)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다. The main transfer robot 30 is located in the transfer chamber 40 and transfers the substrate between the process chambers 60 and the buffer unit 20. [ The main transfer robot 30 transfers the substrates to be supplied to the processes waiting in the buffer unit 20 to the respective process chambers 60 or transfers the processed substrates from the process chambers 60 to the buffer unit 20 Transfer.

이송 챔버(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이송 챔버(40)의 양측에는 공정 챔버(60)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이송 챔버(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 공정 챔버(60)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The transfer chamber 40 is disposed along a first direction in the processing section and provides a passage through which the main transfer robot 30 moves. On both sides of the transfer chamber 40, the process chambers 60 face each other and are disposed along a first direction. The main transfer robot 30 moves along the first direction to the transfer chamber 40 and the upper and lower layers of the process chamber 60 and the upper and lower layers of the buffer unit 20 are provided.

공정 챔버(60)는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)에 인접하도록, 이동통로(40)의 양측 또는 일측에 배치된다. 기판 처리 장치(1)은 상하층으로 된 다수개의 공정 챔버(60)를 구비하나, 공정 챔버(60)의 개수는 기판 처리 장치(1)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 공정 챔버(60)는 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 기판 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다.The process chamber 60 is disposed on both sides or one side of the moving passage 40 so as to be adjacent to the moving passage 40 in which the main transfer robot 30 is installed. Although the substrate processing apparatus 1 has a plurality of process chambers 60 in the upper and lower layers, the number of the process chambers 60 may increase or decrease depending on the process efficiency and the footprint condition of the substrate processing apparatus 1 have. Each of the process chambers 60 is constituted by an independent housing, so that a process of treating the substrate in an independent form in each substrate processing apparatus can be performed.

도 2는 본 발명에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.Figure 2 shows a process chamber according to the invention.

본 실시 예에서는 공정 챔버(60)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.In the present embodiment, a semiconductor substrate is illustrated as an example of a substrate to be processed by the process chamber 60, but the present invention is not limited thereto and can be applied to various kinds of substrates such as a glass substrate.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 공정 챔버(60)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 하우징(800), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 이동 노즐 부재(300) 및 배기 라인(400)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the process chamber 60 according to the present invention is an apparatus for removing foreign matters and film quality remaining on a substrate surface using various process fluids. The process chamber 60 includes a housing 800, a processing vessel 100, (200), a moving nozzle member (300), and an exhaust line (400).

하우징(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(810)이 설치된다. 팬필터유닛(810)은 하우징(800) 내부에 하방 기류를 발생시킨다.The housing 800 provides a closed internal space, and a fan filter unit 810 is installed on the upper portion. The fan filter unit 810 generates a downward flow inside the housing 800.

팬필터유닛(810)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 하방 기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 하방 기류는 기판 상부에 균일한 기류를 형성하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다.The fan filter unit 810 is a unit in which the filter and the air supply fan are modularized into one unit and supplies clean air to the inside of the chamber by filtering. Clean air passes through the fan filter unit 810 and is supplied into the chamber to form a downward flow. The downward flow of the air forms a uniform airflow on the substrate. The fumes generated in the processing of the substrate surface by the processing fluid flow through the suction ducts of the processing vessel 100 together with the air, So that the cleanliness of the inside of the processing container can be maintained.

하우징(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 배기 라인(400) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 이동 노즐(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(818)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.The housing 800 is partitioned into a process area 816 and a maintenance area 818 by a horizontal partition 814. In the maintenance area 818, the driving unit of the elevation unit and the moving nozzles 310 of the moving nozzle member 300, as well as the exhaust lines 141, 143, and 145 and the exhaust line 400, which are connected to the processing vessel 100, A supply line, and the like, and this maintenance area 818 is preferably isolated from the process area where the substrate processing is performed.

처리 용기(100)는 상부가 개방된 통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행 시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다. The processing vessel 100 has a cylindrical shape with its top opened, and provides a processing space for processing the substrate w. The open upper surface of the processing vessel 100 is provided as a take-out and carry-in passage of the substrate w. The substrate support member 200 is located in the process space. The substrate support member 200 supports the substrate W and rotates the substrate during the process.

처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. The processing vessel 100 is divided into an upper space 132a where the spin head 210 is located and an upper space 132a by the spin head 210. An exhaust duct 190 is provided at the lower end of the processing vessel 100 And provides a connected lower space 132b. In the upper space 132a of the processing vessel 100, annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 for introducing and sucking chemical fluids and gases scattered on the rotating substrate are arranged in multiple stages .

환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다.The annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 have exhaust ports H communicating with one common annular space (corresponding to the lower space of the container). In the lower space 132b, an exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 is provided.

구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.Specifically, the first to third suction ducts 110, 120, and 130 each have a bottom surface having an annular ring shape and a side wall having a cylindrical shape extending from the bottom surface. The second suction duct 120 surrounds the first suction duct 110 and is located apart from the first suction duct 110. The third suction duct 130 surrounds the second suction duct 120 and is located apart from the second suction duct 120.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to third suction ducts 110, 120 and 130 provide the first to third collection spaces RS1, RS2 and RS3 through which the air flow containing the processing solution and the fumes scattered from the substrate w flows . The first collection space RS1 is defined by the first intake duct 110 and the second collection space RS2 is defined by the spacing space between the first intake duct 110 and the second intake duct 120 And the third collection space RS3 is defined by the spacing space between the second suction duct 120 and the third suction duct 130. [

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.Each of the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130 has an inclined surface whose center portion is open and whose distance from the corresponding side surface gradually increases from the connected side wall to the opening side. Accordingly, the processing liquid scattered from the substrate w flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid flowing into the first collection space RS1 is discharged to the outside through the first collection line 141. [ The second process liquid that has flowed into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143. The third treatment liquid flowing into the third water collection space RS3 is discharged to the outside through the third collection line 145. [

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. On the other hand, the processing vessel 100 is combined with the elevation unit 600 that changes the vertical position of the processing vessel 100. The elevating unit 600 moves the processing vessel 100 linearly in the vertical direction. The relative height of the processing vessel 100 to the spin head 210 is changed as the processing vessel 100 is moved up and down.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정 결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩 될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.The lifting unit 600 has a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixed to the outer wall of the processing container 100 and a moving shaft 614 which is moved upward and downward by a driver 616 is fixedly coupled to the bracket 612. The processing vessel 100 is lowered so that the spin head 210 protrudes to the upper portion of the processing vessel 100 when the substrate W is loaded into the spin head 210 or unloaded from the spin head 210. The height of the processing vessel 100 is adjusted so that the processing liquid can flow into the predetermined suction ducts 110, 120 and 130 depending on the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Thus, the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate w is changed. Accordingly, the processing vessel 100 can differentiate the kinds of the processing liquid and the polluting gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

이 실시 예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the substrate processing apparatus 1 vertically moves the processing vessel 100 to change the relative vertical position between the processing vessel 100 and the substrate supporting member 200. However, the substrate processing apparatus 1 may change the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the substrate supporting member 200.

기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(230)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.The substrate support member 200 is installed inside the processing vessel 100. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process, and may be rotated by a driving unit 230, which will be described later, during the process. The substrate supporting member 200 has a spin head 210 having a circular upper surface and support pins 212 and chucking pins 214 for supporting the substrate W are formed on the upper surface of the spin head 210 I have. The support pins 212 are disposed at predetermined intervals on the upper edge of the spin head 210 to be arranged in a predetermined array and protrude upward from the spin head 210. The support pins 212 support the lower surface of the substrate W so that the substrate W is supported in a state of being spaced upward from the spin head 210. Chucking pins 214 are disposed on the outer sides of the support pins 212, and the chucking pins 214 are provided to protrude upward. The chucking pins 214 align the substrate W such that the substrate W supported by the plurality of support pins 212 is in position on the spin head 210. The chucking pins 214 contact the side of the substrate W to prevent the substrate W from being displaced from the correct position.

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다.A support shaft 220 for supporting the spin head 210 is connected to the lower portion of the spin head 210 and the support shaft 220 is rotated by a drive unit 230 connected to the lower end of the support shaft 220. The driving unit 230 may be a motor or the like. As the support shaft 220 rotates, the spin head 210 and the substrate W rotate.

도3은 배기 라인의 연결관계를 나타내는 도면이다.3 is a view showing the connection relationship of the exhaust lines.

도3을 참조하면, 배기 라인(400)은 처리 용기(100) 내측의 기체를 배출한다.Referring to FIG. 3, the exhaust line 400 discharges the gas inside the processing vessel 100.

배기 라인(400)은 제1배기 라인(410) 및 제2배기 라인(420)을 포함한다.The exhaust line 400 includes a first exhaust line 410 and a second exhaust line 420.

제1배기 라인(410)은 처리 용기(100)의 내측 공간과 연통되도록 제공된다. 제1배기 라인(410)은 배기덕트(190)에 연결될 수 있다. 제1배기 라인(410)에는 제1배기개폐부재(415)가 제공된다. 제1배기개폐부재(415)는 제1배기 라인(410)을 개폐할 수 있다. 제1배기개폐부재(415)는 댐퍼, 밸브 등일 수 있다. 제어기(60)는 기판에 도포되는 약액의 종류에 따라 제1배기 라인(410)이 열리거나 닫히도록 제1배기개폐부재(415)를 제어한다. 제1배기 라인(410)은 처리 용기(100)의 내측 공간의 기체를 흡입하기 위한 음압이 작용하는 상태일 수 있다. 제1배기 라인(410)은 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 제1설비배기 라인(MD1)과 연결될 수 있다.The first exhaust line 410 is provided to communicate with the inner space of the processing vessel 100. The first exhaust line 410 may be connected to the exhaust duct 190. The first exhaust line 410 is provided with a first exhaust opening / closing member 415. The first exhaust opening / closing member 415 can open / close the first exhaust line 410. The first exhaust opening / closing member 415 may be a damper, a valve, or the like. The controller 60 controls the first exhaust opening / closing member 415 so that the first exhaust line 410 is opened or closed depending on the type of the chemical liquid applied to the substrate. The first exhaust line 410 may be in a state in which a negative pressure is applied to suck the gas in the inner space of the processing vessel 100. The first exhaust line 410 may be connected to the first facility exhaust line MD1 embedded in the floor space of the semiconductor production line (fab).

제2배기 라인(420)은 처리 용기(100)의 내측 공간과 연통되도록 제공된다. 제2배기 라인(420)은 배기덕트(190)에 연결될 수 있다. 제2배기 라인(420)에는 제2배기개폐부재(425)가 제공된다. 제2배기개폐부재(425)는 제2배기 라인(420)을 개폐할 수 있다. 제2배기개폐부재(425)는 댐퍼, 밸브 등일 수 있다. 제어기(60)는 기판에 도포되는 약액의 종류에 따라 제2배기 라인(420)이 열리거나 닫히도록 제2배기개폐부재(425)를 제어한다. 제2배기 라인(420)은 처리 용기(100)의 내측 공간의 기체를 흡입하기 위한 음압이 작용하는 상태일 수 있다. 제2배기 라인(420)은 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 제2설비배기 라인(MD2)과 연결될 수 있다.The second exhaust line 420 is provided to communicate with the inner space of the processing vessel 100. The second exhaust line 420 may be connected to the exhaust duct 190. The second exhaust line 420 is provided with a second exhaust opening / closing member 425. The second exhaust opening / closing member 425 can open / close the second exhaust line 420. The second exhaust opening / closing member 425 may be a damper, a valve, or the like. The controller 60 controls the second exhaust opening / closing member 425 so that the second exhaust line 420 is opened or closed depending on the type of the chemical liquid applied to the substrate. The second exhaust line 420 may be in a state in which a negative pressure is applied to suck the gas in the inner space of the processing vessel 100. The second exhaust line 420 may be connected to a second facility exhaust line MD2 buried in the floor space of the semiconductor production line (fab).

제1배기 라인(410)과 제2배기 라인(420)은 공정 시 기판의 처리에 사용되는 약액에 따라 선택적으로 개폐될 수 있다. 예를 들어, 기판의 처리에 산성 약액 및 알카리성 약액이 사용될 때, 산성 약액으로 기판이 처리되는 동안 제1배기 라인(410)은 열리고 제2배기 라인(420)은 닫힐 수 있다. 그리고 알카리성 약액으로 기판이 처리되는 동안 제1배기 라인(410)은 닫히고 제2배기 라인(420)은 열릴 수 있다. 여기서 산성 약액을 이용한 공정 및 알카리성 약액을 이용한 공정 가운데 먼저 수행되는 공정을 제1공정이라 하고, 나중에 수행되는 공전을 제2공정이라 할 수 있다. 또한, 기판의 처리에 유기 약액 및 무기 약액이 사용될 때, 제1배기 라인(410)과 제2배기 라인(420)은 위와 유사한 방식으로 선택적으로 개폐될 수 있다. 여기서 유기 약액을 이용한 공정 및 무기 약액을 이용한 공정 가운데 먼저 수행되는 공정을 제1공정이라 하고, 나중에 수행되는 공전을 제2공정이라 할 수 있다. 따라서 제1공정과 제2공정에서 증기 상태의 약액 및 흄을 포함하는 기체는 포함된 약액 및 흄의 종류에 따라 분리되어 배출될 수 있다.The first exhaust line 410 and the second exhaust line 420 can be selectively opened and closed according to the chemical solution used in the processing of the substrate in the process. For example, when the acidic chemical solution and the alkaline chemical solution are used for processing the substrate, the first exhaust line 410 may be opened while the second exhaust line 420 is closed while the substrate is processed with the acidic chemical liquid. And the first exhaust line 410 may be closed and the second exhaust line 420 may be opened while the substrate is being processed with the alkaline chemical liquid. Here, the first step of the process using the acidic chemical solution and the process using the alkaline chemical solution is referred to as a first process, and the later process performed as the second process. Further, when the organic chemical solution and the inorganic chemical solution are used in the processing of the substrate, the first exhaust line 410 and the second exhaust line 420 can be selectively opened and closed in a similar manner. Here, the first step of the process using the organic chemical solution and the process using the inorganic chemical solution is referred to as a first process, and the later process performed as the second process. Accordingly, in the first and second processes, the gas containing the chemical solution and the fumes in the vapor state can be separated and discharged according to the type of the chemical solution and the fumes contained therein.

도 4는 배기개폐부재를 나타내는 도면이고, 도 5는 조절부재의 사시도이다.Fig. 4 is a view showing an exhaust opening and closing member, and Fig. 5 is a perspective view of an adjusting member.

도 4를 참조하면 배기개폐부재(415, 425)는 바디(1000) 및 조절부재(2000)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the exhaust opening / closing members 415 and 425 include a body 1000 and an adjusting member 2000.

바디(1000)는 배기개폐부재(415, 425)의 골격을 제공한다. 바디(1000)는 내측에 조절부재(2000)가 위치되는 공간을 제공한다. 바디(1000)의 내측에 위치되는 공간은 조절부재(2000)의 외형에 대응되는 형상으로 제공될 수 있다.The body 1000 provides a skeleton of the exhaust opening and closing members 415 and 425. The body 1000 provides a space in which the adjustment member 2000 is located. The space located inside the body 1000 may be provided in a shape corresponding to the contour of the adjusting member 2000.

바디(1000)에는 내측 공간과 연통되는 설정 길이를 갖는 배관 형상의 라인들(1100, 1200, 1300)이 형성된다. 유입라인(1100)은 처리 용기(100)에서 기체가 유입되는 방향을 향하도록 배기 라인(400)에 연결된다. 배출 라인(1200)은 처리 용기(100) 방향에서 유입된 기체가 배출되는 방향을 향하도록 배기 라인(400)에 연결된다. 연통라인(1300)은 배기 라인(400)의 외측과 연통되도록 제공된다. 일 예로, 연통라인(1300)은 유지보수 영역(818)과 연통되도록 제공될 수 있다. 또한 연통라인(1300)은 추가적인 배관을 통해 공정 챔버(60)의 외측 공간과 연통되도록 되도록 제공될 수 도 있다.In the body 1000, lines 1100, 1200, and 1300 of pipe shape having a predetermined length communicating with the inner space are formed. The inlet line 1100 is connected to the exhaust line 400 so as to face the direction in which the gas is introduced from the processing vessel 100. The exhaust line 1200 is connected to the exhaust line 400 so as to face the direction in which the gas introduced in the direction of the processing vessel 100 is discharged. The communication line 1300 is provided to communicate with the outside of the exhaust line 400. In one example, the communication line 1300 may be provided to communicate with the maintenance area 818. The communication line 1300 may also be provided to communicate with the outer space of the process chamber 60 via additional tubing.

도 6은 유입 라인으로 유입된 기체가 배출 라인으로 배출되는 상태의 배기개폐부재를 나타내는 도면이다.6 is a view showing an exhaust opening / closing member in a state in which a gas introduced into an inflow line is discharged to a discharge line.

도 5 및 도 6을 참조하면, 조절 부재(2000)에는 배기구(2100), 유입구(2200) 및 연통구(2300)가 형성된다.5 and 6, the adjusting member 2000 is formed with an exhaust port 2100, an inlet port 2200, and a communication port 2300.

조절 부재(2000)는 바디(1000)의 내측 공간에 회전 가능하게 제공된다. 일 예로 조절 부재(2000)는 구동축(2510)을 통해 바디(1000)의 외측에 위치된 구동부(2500)에 연결되어 회전될 수 있다. 조절 부재(2000)는 회전의 용이성을 위해 구 형상, 구동축(2510) 방향으로 제공되는 원기둥 형상 등으로 제공될 수 있다.The adjustment member 2000 is rotatably provided in the inner space of the body 1000. For example, the adjusting member 2000 may be connected to the driving unit 2500 located outside the body 1000 through the driving shaft 2510 and may be rotated. The adjustment member 2000 may be provided in a spherical shape, a cylindrical shape provided in the direction of the drive shaft 2510, or the like for ease of rotation.

배기구(2100)는 배출 라인(1200)과 연결되도록 제공된다. 배기구(2100)는 구동축(2510)의 길이 방향과 정렬되도록 제공된다. 따라서 배기구(2100)는 조절 부재(2000)의 회전 상태와 관계없이 배출 라인(1200)과 연결된다.The exhaust port 2100 is provided to be connected to the exhaust line 1200. The exhaust port 2100 is provided so as to be aligned with the longitudinal direction of the drive shaft 2510. Thus, the exhaust port 2100 is connected to the exhaust line 1200 irrespective of the rotation state of the regulating member 2000.

유입구(2200)는 배기구(2100)과 연통되도록 형성된다. 유입구(2200)는 조절 부재(2000)의 회전축에 대해 경사진 방향에 형성되어, 조절 부재(2000)의 회전 상태에 따라 유입 라인(1100)과 연결되거나 바디(1000)에 의해 닫힌 상태가 되도록 제공된다. 유입구(2200)는 유입라인(1100)의 단면적에 대응되는 크기를 가질 수 있다. 유입구(2200)가 유입 라인(1100)과 연결되면, 유입 라인(1100)을 통해 유입된 기체는 배출 라인(1200)으로 배출된다. 따라서, 처리 용기(100)에서 배출되는 기체가 배기 라인(400)을 유동할 수 있다.The inlet 2200 is formed to communicate with the outlet 2100. The inlet 2200 is formed in an inclined direction with respect to the rotation axis of the adjustment member 2000 and is connected to the inlet line 1100 or closed by the body 1000 according to the rotation state of the adjustment member 2000 do. The inlet 2200 may have a size corresponding to the cross-sectional area of the inlet line 1100. When the inlet 2200 is connected to the inlet line 1100, the gas introduced through the inlet line 1100 is discharged to the outlet line 1200. Therefore, the gas discharged from the processing vessel 100 can flow through the exhaust line 400.

도 7 및 도 8은 유입 라인이 닫히는 과정을 나타내는 도면이다.7 and 8 are views showing a process of closing the inflow line.

도 7 및 도 8을 참조하면, 연통구(2300)는 배기구(2100)와 연통되도록 형성된다. 연통구(2300)는 조절 부재(2000)의 회전축에 대해 경사진 방향으로 형성되어, 조절 부재(2000)의 회전 상태에 따라 연통 라인(1300)과 연결되거나 바디(1000)에 의해 닫힌 상태가 되도록 제공된다. 유입구(2200)가 유입라인(1100)에 연결된 상태일 때, 연통구(2300)는 바디(1000)에 의해 닫힌 상태가 되도록 제공된다. 그리고 조절 부재(2000)가 회전되면, 유입구(2200)는 바디(1000)에 의해 닫힌 상태가 되고, 연통구(2300)는 연통 라인(1300)과 연결된 상태가 된다. 따라서, 처리 용기(100) 방향에서의 기체 유입이 차단되어도, 기체가 연통 라인(1300)을 통해 유입되어, 배기개폐부재(415, 425)를 기준으로 처리 용기(100)의 반대쪽 구간의 배기 라인(400)은 기체가 유동하는 상태를 유지할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the communication port 2300 is formed to communicate with the exhaust port 2100. The communication hole 2300 is formed in an inclined direction with respect to the rotation axis of the adjustment member 2000 and is connected to the communication line 1300 or closed by the body 1000 according to the rotation state of the adjustment member 2000 / RTI > When the inlet port 2200 is connected to the inlet line 1100, the communication port 2300 is provided to be closed by the body 1000. When the adjusting member 2000 is rotated, the inlet port 2200 is closed by the body 1000, and the communication port 2300 is connected to the communication line 1300. Therefore, even if gas inflow is blocked in the direction of the processing container 100, the gas flows into the communication line 1300, and the exhaust line of the section opposite to the processing container 100, on the basis of the exhaust opening / closing members 415 and 425, (400) can keep the gas flowing.

연통구(2300)는, 유입라인(1100)이 열린 상태에서 닫힌 상태로 변경되기 위해 조절 부재(2000)가 회전 되는 과정에도 연통라인(1300)과 연통되는 상태를 유지할 수 있도록, 호 형상으로 제공될 수 있다. 연통구(2300)가 호 형상으로 제공될 때, 연통구(2300)의 중심각은 조절 부재(2000)의 회전 각도에 대응되도록 제공될 수 있다. 따라서, 유입라인(1100)이 열린 상태에서 유입라인(1100)을 닫기 위해 조절 부재(2000)의 회전을 개시하면, 유입구(2200)의 일부는 닫히고 연통구(2300)의 일부는 연통 라인(1300)에 연결된다. 따라서, 배기개폐부재(415, 425)를 기준으로 처리 용기(100)의 반대쪽 구간의 배기 라인(400)은 유입라인(1100)이 닫히는 과정에서 기체가 유동하는 상태를 유지할 수 있다.The communication port 2300 is provided in an arc shape so as to maintain a state of communication with the communication line 1300 even in the process of rotation of the control member 2000 so that the inlet line 1100 is changed from the opened state to the closed state . When the communication hole 2300 is provided in the arc shape, the central angle of the communication hole 2300 may be provided to correspond to the rotation angle of the adjustment member 2000. A part of the inlet port 2200 is closed and a part of the communication port 2300 is connected to the communication line 1300. In this case, when the control member 2000 is turned to close the inlet line 1100 with the inlet line 1100 opened, . Therefore, the exhaust line 400 in the opposite side of the processing container 100 with respect to the exhaust opening / closing members 415 and 425 can maintain the state where the gas flows in the process of closing the inflow line 1100.

배기 라인(400)에는 설정 압력이 형성될 수 있다. 예를 들어, 배기 라인(400)은 처리 용기(100)의 내측 공간의 기체를 효율적으로 배출하기 위해 설정 압력 또는 설정 압력 범위를 유지하도록 관리될 수 있다. A set pressure can be formed in the exhaust line 400. For example, the exhaust line 400 may be managed to maintain a set pressure or a set pressure range to efficiently exhaust gas in the inner space of the processing vessel 100.

배기 라인(400)은 설비배기 라인(MD1, MD2)에 연결되어, 공정 챔버(60)에서 배출된 기체는 배출된다. 설비배기 라인(MD1, MD2)에는 다른 기판 처리 장치가 추가로 연결된다. 배기 라인(400)에 기체의 유동이 없는 상태가 되면 배기 라인(400)의 압력 상태가 변한다. 그리고 이 같은 배기 라인(400)의 압력 변화는 설비배기 라인(MD1, MD2)을 통해 연결된 다른 기판 처리 장치의 압력 변화를 야기 시킨다.The exhaust line 400 is connected to the equipment exhaust lines MD1 and MD2 so that the gas exhausted from the process chamber 60 is exhausted. Another substrate processing apparatus is further connected to the facility exhaust lines MD1 and MD2. The pressure state of the exhaust line 400 changes when the gas is not flowing through the exhaust line 400. And such a change in the pressure of the exhaust line 400 causes a pressure change of another substrate processing apparatus connected through the facility exhaust lines MD1 and MD2.

본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 배기개폐부재(415, 425)가 처리 용기(100) 쪽에 유입되는 기체의 흐름을 차단한 경우에도, 배기개폐부재(415, 425)를 기준으로 처리 용기(100)의 반대쪽 구간의 배기 라인(400)에 기체의 유동이 유지된다.The substrate processing apparatus 1 according to the present invention is configured such that even when the exhaust opening and closing members 415 and 425 block the flow of the gas flowing into the processing container 100 side, The flow of the gas is maintained in the exhaust line 400 in the opposite side of the exhaust line 100.

도 9는 다른 실시 예에 따른 배기 라인의 연결관계를 나타내는 도면이다.9 is a view showing a connection relationship of exhaust lines according to another embodiment.

도 9를 참조하면, 2개 이상의 공정 챔버(60a, 60b, 60c)는 배기 라인(410a)이 서로 합쳐진 후 설비배기 라인(MD1, MD2)에 연결될 수 있다. 이 때, 배기 라인(410a)이 서로 합쳐지는 각각의 공정 챔버(60a, 60b, 60c)는 상하로 배열된 관계 또는 동일 평면상에 배열된 관계일 수 있다. 또한, 배기 라인(410a)이 서로 합쳐지는 3개 이상의 공정 챔버(60a, 60b, 60c)는 상하로 배열된 관계와 동일 평면상에 배열된 관계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9, two or more process chambers 60a, 60b, and 60c may be connected to the facility exhaust lines MD1 and MD2 after the exhaust lines 410a are combined with each other. At this time, each of the process chambers 60a, 60b, and 60c to which the exhaust lines 410a are joined may be a vertically arranged relationship or a relationship arranged on the same plane. Further, the three or more process chambers 60a, 60b, and 60c, in which the exhaust lines 410a are joined to each other, may include a relationship arranged in an up-down direction and in a same plane.

이하, 3개의 공정 챔버(60a, 60b, 60c)가 배기 라인(410a)이 합쳐진 후 설비배기 라인(MD1, MD2)에 연결되는 것을 예로 들어 설명한다.Hereinafter, the three process chambers 60a, 60b and 60c are connected to the equipment exhaust lines MD1 and MD2 after the exhaust lines 410a are combined.

배기 라인(410a)은 제1배기 라인(411, 412) 및 제2배기 라인(421, 422)을 포함한다.The exhaust line 410a includes first exhaust lines 411, 412 and second exhaust lines 421, 422.

제1배기 라인(411, 412)은 제1서브 라인(411) 및 제1메인 라인(412)을 포함한다. 각각의 제1서브 라인(411a,411b, 411c)은 일단이 공정 챔버(60a, 60b, 60c)와 연결되고, 타단은 제1메인 라인(412)에 연결된다. 제1메인 라인(412)은 제1설비배기 라인(MD1)에 연결되어 제1서브 라인(411)을 통해 유입된 기체가 제1설비배기 라인(MD1)으로 유동되게 한다. 각각의 제1서브 라인(411a,411b, 411c)에는 제1배기개폐부재(415)가 위치된다. 따라서, 복수의 공정 챔버와 연결된 제1메인 라인(412)은 각각의 처리 용기에서 유입되는 기체의 차단 여부와 관계없이 기체가 유동하는 상태를 유지할 수 있다.The first exhaust lines 411 and 412 include a first sub line 411 and a first main line 412. Each of the first sub lines 411a, 411b and 411c is connected to the process chambers 60a, 60b and 60c at one end and connected to the first main line 412 at the other end. The first main line 412 is connected to the first facility exhaust line MD1 so that the gas introduced through the first sub line 411 flows to the first facility exhaust line MD1. The first exhaust opening / closing member 415 is located in each of the first sub-lines 411a, 411b, and 411c. Therefore, the first main line 412 connected to the plurality of process chambers can maintain the gas flow regardless of whether the gas flowing in each of the processing vessels is blocked or not.

제2배기 라인(421, 422)은 제2서브 라인(421) 및 제2메인 라인(422)을 포함한다. 각각의 제2서브 라인(421a, 421b, 421c)은 일단이 공정 챔버(60a, 60b, 60c)와 연결되고, 타단은 제2메인 라인(422)에 연결된다. 제2메인 라인(422)은 제2설비배기 라인(MD2)에 연결되어 제2서브 라인(421)을 통해 유입된 기체가 제2설비배기 라인(MD2)으로 유동되게 한다. 각각의 제2서브 라인(421a, 421b, 421c)에는 제2배기개폐부재(425)가 위치된다. 따라서, 복수의 공정 챔버와 연결된 제2메인 라인(412)은 각각의 처리 용기에서 유입되는 기체의 차단 여부와 관계없이 기체가 유동하는 상태를 유지할 수 있다.The second exhaust lines 421 and 422 include a second sub-line 421 and a second main line 422. Each of the second sub lines 421a, 421b and 421c is connected to the process chambers 60a, 60b and 60c at one end and connected to the second main line 422 at the other end. The second main line 422 is connected to the second equipment exhaust line MD2 so that gas introduced through the second sub line 421 flows to the second equipment exhaust line MD2. And the second exhaust opening / closing member 425 is disposed in each of the second sub-lines 421a, 421b, and 421c. Accordingly, the second main line 412 connected to the plurality of process chambers can maintain the gas flow regardless of whether the gas flowing in the respective processing vessels is blocked or not.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 인덱스부 12: 로드 포트
13: 인덱스 로봇 20: 버퍼부
40: 이송 챔버 50: 처리부
60: 공정 챔버 100: 처리 용기
200: 기판 지지부재 300: 이동 노즐 부재
400: 배기 라인10: Index part 12: Load port
13: Index robot 20: Buffer section
40: transfer chamber 50:
60: Process chamber 100: Processing vessel
200: substrate support member 300: moving nozzle member
400: Exhaust line

Claims (12)

상부가 개방된 통 형상으로 제공되는 처리 용기;
상기 처리 용기의 내측에 위치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재;
상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제1배기 라인;
상기 처리 용기의 내측에 연결되어 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 제2배기 라인; 및
상기 제1배기 라인과 상기 제2배기 라인에 각각 위치되어, 상기 제1배기 라인 또는 상기 제2배기 라인을 개폐하고, 상기 처리 용기에서 유입되는 기체의 흐름이 차단된 경우 외측의 기체가 유입되도록 하는 배기개폐부재를 포함하며,
상기 배기개폐부재는,
상기 제1배기 라인 또는 상기 제2 배기 라인의 경로 상에 위치되는 바디;
상기 바디의 내측에 회전 가능하게 제공되는 조절부재를 포함하되,
상기 바디는,
상기 처리 용기와 연결되는 방향을 향하도록 연결되는 유입라인;
상기 처리 용기에서 유입된 기체가 배출되는 방향을 향하도록 연결되는 배출 라인; 및
상기 배기 라인의 외측 공간과 연결되는 연통라인을 포함하고,
상기 조절부재는,
상기 배출 라인과 연결되도록 형성되는 배기구;
상기 조절부재의 회전에 따라 상기 유입라인과 연결되거나 상기 바디에 의해 닫히도록 형성되는 유입구; 및
상기 조절부재의 회전에 따라 상기 연통라인과 연결되거나 상기 바디에 의해 닫히도록 형성되는 연통구를 포함하고,
상기 배기구는 상기 조절부재의 회전축 상에 형성되고,
상기 연통구는 호 형상으로 제공되되,
상기 연통구는 중심각이 상기 조절 부재의 회전 각도에 대응되도록 형성되고,
상기 유입라인과 상기 연통라인이 연통되도록 상기 조절부재가 회전될 때, 상기 연통구에 의해 상기 배출라인과 상기 연통라인의 연통이 유지되는 기판 처리 장치.A processing vessel provided in a cylindrical shape with an open top;
A substrate support member positioned inside the processing vessel and supporting the substrate;
A first exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge a gas inside the processing vessel;
A second exhaust line connected to the inside of the processing vessel to discharge the gas inside the processing vessel; And
The first exhaust line and the second exhaust line, respectively, so as to open and close the first exhaust line or the second exhaust line, and to allow the outside gas to flow when the flow of gas introduced from the processing vessel is cut off And an exhaust opening / closing member,
The exhaust opening /
A body positioned on a path of the first exhaust line or the second exhaust line;
And an adjusting member rotatably provided inside the body,
The body
An inflow line connected to the processing vessel in such a direction as to be connected to the processing vessel;
A discharge line connected to a direction in which the gas introduced from the processing vessel is discharged; And
And a communication line connected to an outer space of the exhaust line,
Wherein the adjustment member comprises:
An exhaust port connected to the discharge line;
An inlet connected to the inflow line or closed by the body according to rotation of the regulating member; And
And a communicating port connected to the communication line or closed by the body according to rotation of the regulating member,
The exhaust port is formed on the rotation axis of the regulating member,
The communication hole is provided in an arc shape,
Wherein the communication hole has a central angle corresponding to a rotation angle of the adjustment member,
Wherein the communication between the discharge line and the communication line is maintained by the communication port when the regulating member is rotated so that the inflow line and the communication line are communicated with each other. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 상기 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에서 상기 처리 용기 내측의 기체를 배기하는 방법에 있어서,
상기 처리 용기의 내측과 연통하는 제1배기 라인과 상기 처리 용기의 내측과 연통하는 제2배기 라인을 가지되, 상기 제1배기 라인은 상기 처리 용기에서 유입되는 기체를 차단한 상태에서 외측의 기체가 유입되도록 하고, 상기 제2배기 라인으로 상기 처리 용기 내측의 기체를 배출하는 기판 처리 방법.A method for evacuating a gas inside the processing container in the substrate processing apparatus according to claim 1,
A first exhaust line communicating with the inside of the processing vessel and a second exhaust line communicating with the inside of the processing vessel, wherein the first exhaust line is connected to the outside of the processing chamber, And discharging the gas inside the processing container to the second exhaust line.
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