KR20100046798A - Single type substrate treating apparatus and method for controlling presure of substrate treating apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A single type substrate processing device and a method for controlling the pressure of the same are provided to uniformly maintain pressure difference inside a chamber by controlling the ventilation quantity of the clean air through a fan filter unit. CONSTITUTION: A single type substrate processing device includes a chamber(10), a process container(100), an exhaust unit(400), and a pressure control unit(500). The process container is installed inside the chamber to surround a spin head on which a substrate is loaded and includes a plurality of suction ducts(110) which input and suction the air and the chemical solution scattered on the substrate. The exhaust unit charges the exhaust of the process container. The pressure control unit controls the inner pressure of the process container.

Description

매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법 {SINGLE TYPE SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING PRESURE OF SUBSTRATE TREATING APPARATUS}Single substrate processing apparatus and pressure control method of substrate processing apparatus {SINGLE TYPE SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING PRESURE OF SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 세정 처리하는 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a method, and more particularly, to a sheet type substrate processing apparatus for cleaning a substrate and a pressure regulating method of the substrate processing apparatus.

일반적으로, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질이나 불필요한 막을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. In general, as semiconductor devices become dense, highly integrated, and high-performance, microcirculation of circuit patterns proceeds rapidly, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate have a great effect on device characteristics and production yield. Will be affected. For this reason, the cleaning process for removing various contaminants and unnecessary films adhering to the substrate surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and the process for cleaning the substrate is performed at the front and rear stages of each unit process for manufacturing the semiconductor. .

현재 반도체 제조 공정에서 사용되는 세정 방법은 건식 세정(Dry Cleaning)과 습식 세정(Wet Cleaning)으로 크게 나누어지며, 습식 세정은 약액 중에 기판을 침적시켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 배스(Bath) 타입과, 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 약액을 공급하여 오염 물질을 제거하는 매엽 타입으로 나누어진다.Currently, the cleaning method used in the semiconductor manufacturing process is roughly divided into dry cleaning and wet cleaning, and wet cleaning is a bath for removing contaminants by chemical dissolution by depositing a substrate in a chemical solution. Type and a sheet type which removes contaminants by supplying a chemical to the surface of the substrate while the substrate is placed on the spin chuck and the substrate is rotated.

매엽 타입의 세정 장치는 기판 상에서 제거하고자 하는 오염물질 및 막질의 종류에 따라 다양한 종류의 세정액이 사용된다. 최근에는 사용된 세정액을 회수하여 재사용할 수 있는 새로운 매엽식 세정 장치가 선보이고 있으며, 이러한 설비가 반도체 제조 라인에 적용되고 있는 실정이다.In the single-leaf type cleaning apparatus, various kinds of cleaning liquids are used depending on the kind of contaminants and film to be removed on the substrate. Recently, a new sheet type cleaning apparatus capable of recovering and reusing used cleaning liquids has been introduced, and such equipment has been applied to semiconductor manufacturing lines.

미합중국 제 4,903,717 호 특허발명은 반도체 기판을 회전시키면서 그 상부에 약액 등을 분사하여 사진 공정을 수행하는 설비에 관한 것이다. 이 특허발명은 반도체 기판을 회전시키는 서포트(support)가 탱크(tank)의 내부에서 상하로 이동하여 사진 공정 특히 식각 공정을 수행할 수 있도록 창작된 발명이다. 이 발명은 탱크가 복수의 공간으로 나누어져 있으며 각 환형의 덕트(annular duct)에는 처리될 약액이 미리 정해져 있어 약액의 종류에 따라 그에 맞는 위치로 서포트를 수직으로 이송하도록 구성된다. US Patent No. 4,903,717 relates to a device for performing a photographic process by spraying a chemical solution or the like on a rotating semiconductor substrate. This patent invention is an invention created so that a support for rotating a semiconductor substrate can move up and down inside a tank to perform a photo process, in particular an etching process. In the present invention, the tank is divided into a plurality of spaces, and each annular duct has a predetermined chemical liquid to be treated, and is configured to vertically transfer the support to a position corresponding to the type of chemical liquid.

그러나 이 특허발명을 현장에 적용하기엔 다음과 같은 문제를 갖고 있다. 즉, 상기 특허발명은 각 단의 덕트들이 하나의 공통된 환형 공간으로 연결되는 구조이기 때문에 각단에 대하여 배기압의 차이가 발생한다. 특히, 기판이 최하단으로 이동되어 회전되는 경우 최상단의 덕트와 그 아래 덕트 그리고 최하단의 덕트 3곳에서 모두 흡입(배기)이 이루어짐으로써 공정을 진행하고 있는 최하단의 덕트에서의 집중 흡입이 이루어지지 않는다는 문제가 있다. However, there are the following problems in applying this patent invention to the field. In other words, the patent invention has a structure in which the ducts of each stage are connected to one common annular space, so that a difference in exhaust pressure occurs for each stage. In particular, when the substrate is moved to the lower end and rotated, suction (exhaust) is performed in all three ducts at the uppermost duct, the lower duct, and the lowermost duct. There is.

즉, 기판이 최상단에서 공정을 진행할 때에 비해서 기판이 최하단에서 공정을 진행할 때 흡입력이 상대적으로 떨어진다. 이러한 불균일한 흡입은 기판의 세정 균일도를 떨어뜨리는 원인으로 작용할 수 있다. That is, the suction force is relatively lowered when the substrate proceeds at the lowermost stage than when the substrate proceeds at the uppermost stage. This non-uniform inhalation can act as a cause of deterioration of the cleaning uniformity of the substrate.

본 발명의 목적은 공정 진행시 기판 상부의 기압 변화시 자동적으로 압력을 조절할 수 있는 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법을 제공한다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a sheet type substrate processing apparatus and a method for adjusting the pressure of a substrate processing apparatus, which can automatically adjust the pressure when the pressure of the upper part of the substrate changes during the process.

또한, 본 발명의 목적은 각 덕트들에서의 흡입력을 균일하게 조절할 수 있는 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법을 제공한다.It is also an object of the present invention to provide a sheet type substrate processing apparatus and a method for adjusting the pressure of the substrate processing apparatus capable of uniformly adjusting the suction force in the respective ducts.

또한, 본 발명의 목적은 공정에 사용되는 처리액들로부터 발생되는 흄을 효과적으로 배기시키는 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법을 제공한다.It is also an object of the present invention to provide a sheet type substrate processing apparatus and a pressure regulating method of the substrate processing apparatus for effectively evacuating the fumes generated from the processing liquids used in the process.

또한, 본 발명의 목적은 배기압력이 동일한 조건하에서 공정에 사용되는 처리액들 각각의 회수가 이루어지도록 하는 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법을 제공한다.It is also an object of the present invention to provide a sheet type substrate processing apparatus and a pressure regulating method of the substrate processing apparatus such that each of the treatment liquids used in the process is made under the same exhaust pressure.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 매엽식 기판 처리 장치는, 챔버; 상기 챔버내에 설치되며, 기판이 놓여지는 스핀헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 약액과 공기를 유입 및 흡입하는 환형의 흡입덕트가 다단으로 배치되는 처리용기; 상기 처리용기의 배기를 담당하는 배기부재; 및 상기 처리 용기의 내부 압력을 조절하는 압력 조절 부재를 포함한다.In order to achieve the above object, the sheet type substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber; A processing container installed in the chamber, the processing container being installed to surround the spin head on which the substrate is placed, and having a plurality of annular suction ducts for introducing and sucking the chemical liquid and air scattered on the substrate; An exhaust member responsible for exhausting the processing vessel; And a pressure regulating member for adjusting the internal pressure of the processing container.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 압력 조절부재는 상기 처리 용기 상부에 배치되어 기판 상부에 일정한 압력으로 청정공기를 송풍하는 팬 필터 유닛; 및 상기 배기부재를 통해 배기되는 배기압의 변화 및 상기 처리용기 내의 차압에 따라 상기 팬필터 유닛의 송풍량을 조절하는 제어기를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the pressure regulating member is disposed on the processing container fan filter unit for blowing clean air at a constant pressure on the substrate; And a controller for controlling the air blowing amount of the fan filter unit according to the change in the exhaust pressure exhausted through the exhaust member and the differential pressure in the processing container.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 압력 조절부재는 상기 처리 용기 상부에 배치되어 기판 상부에 청정공기를 송풍하는 팬 필터 유닛; 및 상기 처리 용기 내에서 상기 흡입덕트들에 대한 상기 스핀헤드의 상대 높이에 따라 상기 팬필터 유닛의 송풍량을 조절하는 제어기를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the pressure regulating member is disposed above the processing container fan filter unit for blowing clean air to the upper portion of the substrate; And a controller for controlling the air blowing amount of the fan filter unit in accordance with the relative height of the spin head with respect to the suction ducts in the processing vessel.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제어기는 상기 팬 필터 유닛의 팬의 속도를 제어한다.According to an embodiment of the invention, the controller controls the speed of the fan of the fan filter unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제어기는 상기 차압 또는 상기 배기압이 기 설정된 범위를 초과하는 경우 상기 팬 필터 유닛의 청정공기 배출량을 증가시키고, 상기 차압 또는 상기 배기압이 기설정된 범위보다 낮은 경우 상기 팬 필터 유닛의 청정공기 배출량을 감소시킨다.According to an embodiment of the present invention, the controller increases clean air discharge of the fan filter unit when the differential pressure or the exhaust pressure exceeds a preset range, and when the differential pressure or the exhaust pressure is lower than a preset range. Reduce clean air emissions of the fan filter unit.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 매엽식 기판 처리 장치는 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재; 상기 기판에 소정의 약액들을 각각 공 급하는 약액공급부재; 상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 약액과 공기를 유입 및 흡입하는 환형의 흡입덕트가 다단으로 배치되는 처리용기; 상기 처리용기의 배기를 담당하는 배기부재; 상기 처리 용기 상부에 배치되어 기판 상부에 일정한 압력으로 청정공기를 송풍하는 팬 필터 유닛; 및 상기 팬필터 유닛의 송풍량을 조절하는 제어기를 포함한다.The sheet type substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object is a substrate support member including a spin head on which the substrate is placed; A chemical liquid supply member supplying predetermined chemical liquids to the substrate, respectively; A processing container installed to surround the spin head and having a plurality of annular suction ducts for introducing and sucking the chemical liquid and air scattered on the substrate; An exhaust member responsible for exhausting the processing vessel; A fan filter unit disposed above the processing container to blow clean air at a predetermined pressure on the substrate; And a controller for adjusting the air blowing amount of the fan filter unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제어기는 상기 흡입덕트들에 대한 상기 스핀헤드의 상대 높이에 따라 상기 팬 필터 유닛의 팬의 속도를 제어한다.According to an embodiment of the invention, the controller controls the speed of the fan of the fan filter unit in accordance with the relative height of the spin head relative to the suction ducts.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제어기는 상기 배기부재를 통해 배기되는 배기압의 변화 또는 상기 처리용기 내의 차압에 따라 상기 팬 필터 유닛의 팬의 속도를 제어한다.According to an embodiment of the present invention, the controller controls the speed of the fan of the fan filter unit in accordance with the change in the exhaust pressure exhausted through the exhaust member or the differential pressure in the processing vessel.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 매엽식 기판 처리 장치에서의 압력 조절 방법은 상기 처리 용기의 내부 압력 또는 상기 처리 용기로부터 배기되는 배기압을 측정하는 단계; 및 상기 측정값에 따라 상기 팬 필터 유닛의 송풍량을 제어하는 단계를 포함한다.The pressure regulating method of the sheet type substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object comprises the steps of measuring the internal pressure of the processing container or the exhaust pressure exhausted from the processing container; And controlling the air blowing amount of the fan filter unit according to the measured value.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 매엽식 기판 처리 장치에서의 압력 조절 방법은 상기 처리 용기 내에서 상기 흡입덕트들에 대한 상기 스핀헤드의 상대 높이를 판단하는 단계; 및 상기 스핀헤드의 상대 높이에 따라 상기 팬필터 유닛의 청정공기 송풍량을 제어하는 단계를 포함한다.The pressure regulating method of the sheet type substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object comprises the steps of determining the relative height of the spin head relative to the suction ducts in the processing container; And controlling the clean air blowing amount of the fan filter unit according to the relative height of the spin head.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 송풍량을 제어하는 단계는 상기 처리 용기 내에서 상기 흡입덕트들에 대한 상기 스핀헤드의 상대 높이가 낮을수록 상기 팬필 터 유닛의 팬의 회전속도를 높여 송풍량을 증가시킨다.According to an embodiment of the present invention, the controlling of the air blowing amount may increase the air blowing speed by increasing the rotational speed of the fan of the fan filter unit as the relative height of the spin head relative to the suction ducts in the processing container is lower. .

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 송풍량을 제어하는 단계는 상기 팬필터 유닛의 팬의 회전속도를 조절한다.According to an embodiment of the present invention, the controlling the air blowing amount adjusts the rotation speed of the fan of the fan filter unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 송풍량을 제어하는 단계는 상기 처리 용기의 내부 압력 또는 상기 처리 용기로부터 배기되는 배기압이 기설정된 범위를 초과하는 경우 상기 팬 필터 유닛의 송풍량을 감소시키고, 상기 처리 용기의 내부 압력 또는 상기 처리 용기로부터 배기되는 배기압이 기설정된 범위보다 낮은 경우 상기 팬 필터 유닛의 송풍량을 증가시킨다.According to an embodiment of the present invention, the controlling the blowing amount may reduce the blowing amount of the fan filter unit when the internal pressure of the processing container or the exhaust pressure exhausted from the processing container exceeds a preset range, and the processing When the internal pressure of the vessel or the exhaust pressure exhausted from the processing vessel is lower than a predetermined range, the air blowing amount of the fan filter unit is increased.

본 발명에 의하면, 챔버 내부의 압력이 일정하게 유지됨으로써 균일한 기판 처리가 가능한 각별한 효과를 갖는다.According to the present invention, the pressure inside the chamber is kept constant, which has a special effect of enabling uniform substrate processing.

또한, 본 발명에 의하면, 처리액들로부터 발생되는 흄을 효과적으로 배기할 수 있는 각별한 효과를 갖는다. In addition, according to the present invention, it has a special effect that can effectively exhaust the fumes generated from the treatment liquids.

또한, 본 발명에 의하면, 기판이 흡입덕트들 중 어느 흡입덕트에 위치되어 공정이 진행되더라도 팬 필터 유닛을 통한 청정공기의 송풍량을 조절하여 챔버 내부 차압을 일정하게 유지시킬 수 있다. In addition, according to the present invention, even if the substrate is located in any of the suction ducts and the process proceeds, it is possible to maintain the differential pressure inside the chamber by adjusting the blowing amount of the clean air through the fan filter unit.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 매엽식 기판 처리 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더 라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a sheet type substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First of all, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals have the same reference numerals as much as possible even if displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

아래의 실시예에서는 처리액(오존수 포함), 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)를 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다. In the following embodiment, an apparatus for cleaning a substrate using a treatment liquid (including ozone water), a rinse liquid, and a dry gas (gas including IPA) will be described as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and the present invention may be applied to all kinds of apparatuses that perform a process while rotating a substrate such as an etching process.

( 실시 예 )(Example)

도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 2는 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. 도 2에서는 도면 편의상 처리유체 공급부재를 생략하였다. 1 is a plan view showing the configuration of a sheet type substrate processing apparatus according to the present invention. Figure 2 is a side cross-sectional view showing the configuration of a single wafer substrate processing apparatus according to the present invention. 2, the treatment fluid supply member is omitted for convenience of drawing.

본 실시예에서는 매엽식 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다. In this embodiment, although the semiconductor substrate is illustrated and described as an example of the substrate processed by the sheet type substrate processing apparatus 1, the present invention is not limited thereto, and may be applied to various kinds of substrates such as glass substrates.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리 유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장써, 챔버(10), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 처리 유체 공급부재(300), 배기부재(400) 및 압력 조절 부재(500)를 포함한다. 1 and 2, the sheet type substrate processing apparatus 1 according to the present invention uses a variety of processing fluids to remove foreign substances and film remaining on the substrate surface, the chamber 10, and the processing container 100. ), A substrate support member 200, a processing fluid supply member 300, an exhaust member 400, and a pressure regulating member 500.

챔버(10)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 압력 조절 부재(500)의 팬필터유닛(510)이 설치된다. 챔버(10) 내부 공간에서 상부 영역에 해당되는 공정 영역(16)은 팬필터유닛(510)에 의해 송풍되는 청정공기에 의해 양압 상태가 된다. The chamber 10 provides a sealed inner space, and a fan filter unit 510 of the pressure regulating member 500 is installed at an upper portion thereof. The process region 16 corresponding to the upper region in the interior space of the chamber 10 is in a positive pressure state by clean air blown by the fan filter unit 510.

도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(10)는 수평 격벽(14)에 의해 공정 영역(16)과 유지보수 영역(18)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(18)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 배기라인(410) 이외에도 승강부재(600)의 구동부과, 처리유체 공급부재(300)의 노즐들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(18)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 2, the chamber 10 is partitioned into a process region 16 and a maintenance region 18 by horizontal partitions 14. Although only a part is shown in the drawing, the maintenance area 18 includes a drive unit of the elevating member 600 and the processing fluid supply member 300 in addition to the discharge lines 141, 143, 145 and the exhaust line 410 connected to the processing container 100. It is preferable that the maintenance area 18 is isolated from the process area where the substrate processing is performed.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다. 처리 용기(100) 및 기판 지지부재(200)의 구성에 대한 구체적인 설명은 후술하는 도 2 및 도 3에서 하기로 한다. The processing container 100 has a cylindrical shape with an open upper portion, and provides a process space for processing the substrate w. An open upper surface of the processing container 100 serves as a carrying-out and carrying-in passage of the substrate w. The substrate support member 200 is positioned in the process space. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process and rotates the substrate. Details of the configuration of the processing container 100 and the substrate supporting member 200 will be described later with reference to FIGS. 2 and 3.

처리유체 공급부재(300)는 처리 용기(100)의 외측에 위치되는 다수의 노즐(310)들을 포함한다. 노즐(310)들은 기판(w)을 세정 또는 식각하기 위한 처리액(약액, 린스액, 세정액)이나 처리 가스(건조 가스)를 기판 지지부재(200)에 고정된 기판(w)으로 공급한다. The treatment fluid supply member 300 includes a plurality of nozzles 310 positioned outside the treatment vessel 100. The nozzles 310 supply a processing liquid (chemical liquid, rinse liquid, cleaning liquid) or processing gas (dry gas) for cleaning or etching the substrate w to the substrate w fixed to the substrate support member 200.

기판 처리 공정에 사용되는 처리액은 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 오존수, 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있고, 건조 가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용될 수 있다. 그리고, 기판 지지 부재(200)의 세정 공정에 사용되는 세정액은 초순수일 수 있다. 여기서, 기판 지지 부재(200)의 세정에 사용되는 세정액은 상온 상태이며, 기판의 약액 처리에 사용되는 약액은 세정액과 비교하여 상대적으로 고온 상태일 수 있다.The treatment liquid used in the substrate treatment process is hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H3SO4), nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), ozone water, and SC-1 solution (ammonium hydroxide (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O). 2 ) and water (mixture of H 2 O)). Ultra rinse water (DIW: Deionized Water) may be used as the rinse liquid, and isopropyl alcohol gas (IPA: Isopropyl alcohol gas) may be used as the dry gas. In addition, the cleaning liquid used in the cleaning process of the substrate support member 200 may be ultrapure water. Here, the cleaning liquid used to clean the substrate support member 200 may be in a normal temperature state, and the chemical liquid used in the chemical liquid treatment of the substrate may be relatively high in temperature.

이하, 도면을 참조하여 상기 처리 용기(100)와 상기 기판 지지부재(200)에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the processing container 100 and the substrate supporting member 200 will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 는 도 1에 도시된 처리 용기와 기판 지지부재를 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the processing container and the substrate supporting member shown in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. Referring to FIG. 2, the processing container 100 is divided into an upper space 132a in which the spin head 210 is located, and an upper space 132a by the spin head 210, and is provided at a lower end thereof to allow forced exhaust. The exhaust duct 190 provides a lower space 132b to which the exhaust duct 190 is connected. In the upper space 132a of the processing container 100, annular first, second, and third suction ducts 110, 120, and 130 for introducing and inhaling chemical liquid and gas scattered on a rotating substrate are disposed in multiple stages. .

환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. The annular first, second and third suction ducts 110, 120, 130 have exhaust ports H communicating with one common annular space (corresponding to the lower space of the vessel). An exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 is provided in the lower space 132b.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)의 처리 공정시 기판(w)으 로 공급되는 처리액을 회수한다. 즉, 매엽식 기판 처리장치(1)는 기판(w)을 기판 지지부재(200)에 의해 회전시키면서 처리액을 이용하여 기판(w)을 처리한다. 이에 따라, 기판(w)으로 공급된 처리액이 비산되며, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)를 통해 회수된다. 구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.The first to third suction ducts 110, 120, and 130 recover the processing liquid supplied to the substrate w during the processing of the substrate w. That is, the sheet type substrate processing apparatus 1 processes the substrate w using the processing liquid while rotating the substrate w by the substrate supporting member 200. Accordingly, the processing liquid supplied to the substrate w is scattered, and the processing liquid scattered from the substrate w is recovered through the first to third suction ducts 110, 120, and 130. In detail, the first to third suction ducts 110, 120, and 130 each have a bottom surface having an annular ring shape and a sidewall extending from the bottom surface and having a cylindrical shape. The second suction duct 120 surrounds the first suction duct 110 and is spaced apart from the first suction duct 110. The third suction duct 130 surrounds the second suction duct 120 and is spaced apart from the second suction duct 120.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 기판(w)을 1차적으로 처리하는 제1 처리액을 회수한다. 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되고, 기판(w)을 2차적으로 처리하는 제2 처리액을 회수한다. 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의되고, 기판(w)을 3차적으로 처리하는 제3 처리액을 회수한다. 여기서, 제3 처리액으로는 기판(w)을 린스 처리하는 린스액일 수도 있다.The first to third suction ducts 110, 120, and 130 provide first to third recovery spaces RS1, RS2, and RS3 into which air flows including the treatment liquid and the fume scattered from the substrate w flow. . The first recovery space RS1 is defined by the first suction duct 110, and recovers the first processing liquid that primarily processes the substrate w. The second recovery space RS2 is defined by the separation space between the first suction duct 110 and the second suction duct 120, and recovers the second processing liquid for secondarily treating the substrate w. The third recovery space RS3 is defined by the separation space between the second suction duct 120 and the third suction duct 130, and recovers the third processing liquid for tertiarily treating the substrate w. The third treatment liquid may be a rinse liquid for rinsing the substrate w.

이상에서는, 기판(w)의 처리 순서에 따라 제1 흡입덕트(110)로부터 제3 흡입덕트(130) 순으로 각 처리액을 회수하는 것을 일례로 하여 설명하였으나, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 처리액 회수 순서는 기판(w)의 처리 공정 및 그 위치에 따라 변경될 수도 있다.In the above, the process of recovering the respective processing liquids from the first suction duct 110 to the third suction duct 130 in the order of processing of the substrate w has been described as an example. The order of recovering the processing liquid of the 110, 120, and 130 may be changed depending on the processing process of the substrate w and its position.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.The upper surface of each of the first to third suction ducts 110, 120, and 130 is formed as an inclined surface whose center portion is opened, and the distance from the corresponding bottom surface gradually increases from the connected side wall toward the opening side. Accordingly, the processing liquid scattered from the substrate w flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.The first treatment liquid introduced into the first recovery space RS1 is discharged to the outside through the first recovery line 141. The second treatment liquid introduced into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143. The third treatment liquid introduced into the third recovery space RS3 is discharged to the outside through the third recovery line 145.

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(10)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 놓이거나, 스핀 헤드(210)로부터 들어 올릴 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 스핀 헤드(210)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절한다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. On the other hand, the processing container 100 is coupled with the lifting unit 600 for changing the vertical position of the processing container 100. The lifting unit 600 linearly moves the processing container 100 in the vertical direction. As the vessel 10 moves up and down, the relative height of the processing vessel 100 relative to the spin head 210 changes. The elevating unit 600 has a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 100, and the movement shaft 614, which is moved in the vertical direction by the driver 616, is fixedly coupled to the bracket 612. When the substrate W is placed on the spin head 210 or lifted from the spin head 210, the spin head 210 descends so that the spin head 210 protrudes above the processing container 100. In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 100 is adjusted to allow the processing liquid to flow into the predetermined suction ducts 110, 120, and 130 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Accordingly, the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate w is changed. Therefore, the processing container 100 may vary the types of the processing liquid and the contaminated gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the substrate processing apparatus 1 changes the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the processing container 100. However, the substrate processing apparatus 1 may change the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the substrate supporting member 200.

기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이 탈되는 것을 방지한다.The substrate support member 200 is provided inside the processing container 100. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process and may be rotated by the driver 240 to be described later during the process. The substrate support member 200 has a spin head 210 having a circular top surface, and the support pins 212 and chucking pins 214 supporting the substrate W are formed on the top surface of the spin head 210. Have The support pins 212 are disposed in a predetermined arrangement at a predetermined interval spaced apart from the upper surface edge of the spin head 210, and are provided to protrude upward from the spin head 210. The support pins 212 support the bottom surface of the substrate W so that the substrate W is supported while being spaced upward from the spin head 210. The chucking pins 214 are disposed on the outer side of the support pins 212, and the chucking pins 214 are provided to protrude upward. The chucking pins 214 align the substrate W such that the substrate W supported by the plurality of support pins 212 is placed in position on the spinhead 210. During the process, the chucking pins 214 are in contact with the side of the substrate W to prevent the substrate W from being displaced from its position.

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다. A support shaft 220 supporting the spin head 210 is connected to the lower portion of the spin head 210, and the support shaft 220 is rotated by the driving unit 230 connected to the lower end thereof. The driving unit 230 may be provided by a motor or the like. As the support shaft 220 rotates, the spin head 210 and the substrate W rotate.

배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 진공 펌프로부터 배기압력을 제공받는 메인배기라인(700)과 연결된다. The exhaust member 400 is to provide an exhaust pressure (suction pressure) to the suction duct for recovering the processing liquid of the first to third suction ducts (110, 120, 130) during the process. The exhaust member 400 includes a sub exhaust line 410 and a damper 420 connected to the exhaust duct 190. The sub exhaust line 410 is connected to the main exhaust line 700 which receives the exhaust pressure from the vacuum pump.

서브배기라인(410)에는 배기량을 조절하는 댐퍼(420)가 설치된다. 이 댐퍼는 최소 설비 세팅시 초기 공정 조건하에서 픽스된다. 처리 용기(100)는 각 단의 덕트들이 하나의 공통된 환형 공간으로 연결되는 구조이기 때문에 각단에 대하여 배기압의 차이가 발생할 수 있다. 이러한 배기압의 변화는 챔버(10) 내부의 압력에도 영향을 미치게 된다. The sub exhaust line 410 is provided with a damper 420 for adjusting the displacement. This damper is fixed under initial process conditions at minimum plant settings. Since the processing container 100 has a structure in which ducts of each stage are connected to one common annular space, a difference in exhaust pressure may occur with respect to each stage. This change in exhaust pressure also affects the pressure inside the chamber 10.

이러한 압력 변화를 최소화하여 내부 차압을 유지시키기 위한 것이 압력 조절 부재(500)이다. 압력 조절부재(500)는 내부 공간의 압력을 조절하기 위한 것으로, 압력 조절부재(500)는 처리 용기(100) 상부에 배치되어 청정공기를 송풍하는 팬 필터 유닛(510), 팬 필터 유닛(510)의 송풍량을 제어하는 제어기(520) 그리고 압력 측정센서(530)들을 포함한다. The pressure regulating member 500 is for minimizing such a pressure change to maintain the internal differential pressure. The pressure regulating member 500 is used to adjust the pressure of the internal space. The pressure regulating member 500 is disposed above the processing container 100 and blows clean air to the fan filter unit 510 and the fan filter unit 510. The controller 520 and the pressure measuring sensor 530 for controlling the blowing amount of).

팬필터 유닛(510)은 챔버(10) 내의 상부에 배치된다. 팬 필터 유닛(510)은 모터에 의해 회전되며 청정공기를 챔버(10) 내에서 아래방향으로 송풍하는 송풍팬(514)과 그 아래에 배치되어 챔버(10) 내부로 도입되는 청정공기로부터 오염물질을 여과하는 필터(512)를 포함한다. 팬필터유닛(510)의 필터(512)와 공기공급팬(514)은 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버(10) 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(510)을 통과하여 챔버(10) 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 청정공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리액에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다. The fan filter unit 510 is disposed above the chamber 10. The fan filter unit 510 is rotated by a motor and is disposed of a blowing fan 514 that blows clean air downward in the chamber 10 and contaminants from the clean air disposed below and introduced into the chamber 10. It includes a filter 512 for filtering. The filter 512 and the air supply fan 514 of the fan filter unit 510 are modularized into a single unit, and are devices for filtering clean air and supplying the inside of the chamber 10. The clean air passes through the fan filter unit 510 and is supplied into the chamber 10 to form vertical airflow. The vertical airflow of the clean air provides a uniform airflow over the substrate, and contaminants generated during the process of treating the substrate surface by the treatment liquid are discharged together with air through the suction ducts of the treatment vessel 100. By being discharged and removed by the exhaust member 400, the cleanliness of the inside of the processing container is maintained.

제어기(520)는 챔버(10) 내부의 압력, 배기부재(400)를 통해 배기되는 공기의 압력(배기압)의 변화에 따라 송풍팬(514)의 회전 속도를 제어한다. 압력측정센서(530)들은 챔버(10) 내부의 압력 및 서브배기라인(410)의 배기압을 측정하여 제어기(520)로 제공한다. The controller 520 controls the rotation speed of the blower fan 514 according to the change in the pressure inside the chamber 10 and the pressure (exhaust pressure) of the air exhausted through the exhaust member 400. The pressure measuring sensors 530 measure the pressure inside the chamber 10 and the exhaust pressure of the sub exhaust line 410 and provide the pressure to the controller 520.

제어기(520)는 서브배기라인(410)을 통해 배기되는 배기압의 변화 또는 내부 공간의 차압에 따라 팬 필터 유닛(510)의 송풍량을 조절한다. 여기서, 배기압의 변화 및 내부 공간의 압력 변화는 처리 용기(100) 내에서 제1 내지 제3 흡입덕트들(110,120,130)에 대한 스핀헤드(210)의 상대 높이에 따라 배기되는 공기의 양이 달라짐으로써 발생된다. 본 발명은 압력 조절부재(500)가 팬 필터 유닛(510)의 송풍량을 조절하여 챔버(10) 내부의 압력을 항상 일정하게 유지시킴으로써 안정적인 공정 진행이 가능하다. The controller 520 adjusts the blowing amount of the fan filter unit 510 according to the change of the exhaust pressure exhausted through the sub exhaust line 410 or the differential pressure of the internal space. Herein, the change in the exhaust pressure and the pressure change in the internal space vary depending on the relative height of the spin head 210 with respect to the first to third suction ducts 110, 120, and 130 in the processing container 100. Is generated by. According to the present invention, the pressure adjusting member 500 adjusts the blowing amount of the fan filter unit 510 to maintain a constant pressure in the chamber 10 at all times, thereby allowing stable process progression.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판(W)이 최상단에서 공정처리될때에는 최상단의 제3흡입덕트(130)를 통해서만 배기가 이루어지지만, 기판이 최하단에서 공정처리될때에는 최상단의 제3흡입덕트(130), 중간의 제2흡입덕트(120), 최하단의 제1흡입덕트(110) 3곳 모두를 통해 배기가 이루어진다. 즉, 제1 내지 제3 흡입덕트들(110,120,130)에 대한 스핀 헤드(210)의 상대 높이가 낮을수록 배기되는 공기의 양이 증가되고 챔버(10) 내부의 압력이 낮아지게 된다. 챔버 내부의 압력이 낮아지게 되면, 기판 상부에 잔류하는 흄 등의 오염물질이 신속하게 배기되지 못한다. 하지만, 본 발명에서는 챔버(10) 내부의 압력이 낮아지게 되면 제어기(520)가 송풍팬(510)의 회전속도를 증가시켜 챔버(10) 내부로 더 많은 양의 청정공기를 유입시킴으로써 챔버 내부의 압력을 기설정된 압력으로 유지시킬 수 있는 것이다. Referring to FIGS. 3 to 5, when the substrate W is processed at the uppermost stage, exhaust is generated only through the uppermost third suction duct 130, but when the substrate is processed at the lowermost stage, the uppermost third suction duct is processed. The air is exhausted through the 130, the second suction duct 120 in the middle, and the three first suction ducts 110 in the lowermost part. That is, the lower the relative height of the spin head 210 with respect to the first to third suction ducts (110, 120, 130) increases the amount of air exhausted and the pressure inside the chamber 10 is lowered. When the pressure inside the chamber is lowered, contaminants such as fumes remaining on the substrate may not be quickly exhausted. However, in the present invention, when the pressure inside the chamber 10 is lowered, the controller 520 increases the rotation speed of the blower fan 510 to introduce a larger amount of clean air into the chamber 10, The pressure can be maintained at a predetermined pressure.

본 발명에서 압력 조절부재(500)는 챔버 내부의 압력 변화(또는 배기압의 변화)에 따라 송풍팬(510)의 회전속도를 제어할 수도 있으나 그 만큼 압력이 원하는 상태로 조정되기까지 지연시간이 발생된다. 따라서, 또 다른 방법으로는 기판의 위치 변화에 따라 제어기(520)가 자동적으로 송풍팬(510)의 회전속도를 제어한다면 챔버(10) 내부의 압력을 항상 일정하게 유지시킬 수 있는 것이다. 제어기(520)는 기판의 위치 변화를 처리 용기(100)를 업/다운 시키는 승강유닛(600)으로부터 동작 신호를 제공받아 기판의 위치 상태를 판단하거나 또는 별도의 센서(미도시됨)를 처리 용기(100)에 장착하여 그 센서 동작 신호에 따라 기판의 현 위치를 파악해서 송풍팬(510)의 회전 속도를 제어할 수 있다. In the present invention, the pressure adjusting member 500 may control the rotational speed of the blower fan 510 according to the pressure change (or the change of the exhaust pressure) inside the chamber, but the delay time until the pressure is adjusted to the desired state. Is generated. Therefore, in another method, if the controller 520 automatically controls the rotational speed of the blower fan 510 according to the position change of the substrate, the pressure inside the chamber 10 may be kept constant at all times. The controller 520 receives the operation signal from the lifting unit 600 which up / down the processing container 100 to change the position of the substrate to determine the position state of the substrate or to process a separate sensor (not shown). It is mounted to the (100) can determine the current position of the substrate according to the sensor operation signal can control the rotational speed of the blowing fan 510.

도 3은 기판이 제1흡입덕트에 대응되는 높이에서 공정 처리되는 과정을 보여 주는 도면이다. 도 4는 기판이 제2흡입덕트에 대응되는 높이에서 공정 처리되는 과정을 보여주는 도면이다. 도 5는 기판이 제3흡입덕트에 대응되는 높이에서 공정 처리되는 과정을 보여주는 도면이다. 점선은 배기 흐름을 나타내며, 실선은 노즐로부터 기판 상부로 분사되는 처리액의 흐름을 나타낸다.3 is a view illustrating a process in which a substrate is processed at a height corresponding to a first suction duct. 4 is a view illustrating a process in which a substrate is processed at a height corresponding to a second suction duct. 5 is a view illustrating a process in which a substrate is processed at a height corresponding to a third suction duct. The dotted line represents the exhaust flow, and the solid line represents the flow of the processing liquid injected from the nozzle onto the substrate.

도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(w)이 최하단(제1흡입덕트;110)으로 이동되어 회전되는 경우 최상단의 제3 흡입덕트(130)와 그 아래 제2 흡입덕트(120) 그리고 최하단의 제1 흡입덕트(110) 3곳에서 모두 흡입(배기)이 이루어지고, 기판이 중간단(제2흡입덕트;120)으로 이동되어 회전되는 경우 제3 흡입덕트(130)과 제2 흡입덕트에서 흡입(배기)가 이루어지며, 기판이 최상단(제3흡입덕트)으로 이동되어 회전되는 경우 제3 흡입덕트(130)에서만 흡입(배기)가 이루어진다. 따라서, 압력 조절 부재(500)는 기판이 제1흡입덕트(110) 또는 제2흡입덕트(120) 또는 제3흡입덕트(130) 중 어느 흡입덕트에 위치되어 공정이 진행되더라도 내부 차압을 일정하게 유지하도록 팬 필터 유닛(510)을 통한 청정공기의 송풍량을 조절한다. 즉, 본 발명은 기판이 최하단인 제1흡입덕트(110)에서 회전되는 경우 배기량이 증가하기 때문에 그 만큼 청정공기의 송풍량을 증가시켜 더 많은 양의 청정공기를 제공하고, 반대로 기판이 최상단이 제3흡입덕트(130)에서 회전되는 경우 배기량이 감소함으로써 청정공기의 송풍량을 감소시키는 방식으로 챔버(10) 내부의 압력을 일정하게 유지시킨다. 3 to 5, when the substrate w is moved to the lowermost end (first suction duct 110) and rotated, the uppermost third suction duct 130 and the second suction duct 120 thereunder. In addition, when the suction (exhaust) is performed at all three places of the first suction duct 110 at the lowermost end, and the substrate is moved to the intermediate stage (second suction duct; 120), the third suction duct 130 and the second suction duct 110 are rotated. Suction (exhaust) is made in the suction duct, the suction (exhaust) is made only in the third suction duct 130 when the substrate is moved to the uppermost (third suction duct) is rotated. Therefore, the pressure regulating member 500 is a substrate is located in any of the first suction duct 110, the second suction duct 120 or the third suction duct 130, even if the process proceeds to maintain a constant internal pressure differential The amount of blowing air of the clean air through the fan filter unit 510 is adjusted. That is, in the present invention, since the displacement is increased when the substrate is rotated in the first suction duct 110, which is the lowermost end, the amount of blowing air of the clean air is increased to provide a larger amount of clean air. When rotated in the three suction duct 130, the exhaust volume is reduced to maintain a constant pressure inside the chamber 10 in a manner to reduce the blowing amount of the clean air.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질 적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 1 is a plan view showing the configuration of a sheet type substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. Figure 2 is a side cross-sectional view showing the configuration of a single wafer substrate processing apparatus according to the present invention.

도 3은 기판이 제1흡입덕트에 대응되는 높이에서 공정 처리되는 과정을 보여주는 도면이다. 3 is a view illustrating a process in which a substrate is processed at a height corresponding to a first suction duct.

도 4는 기판이 제2흡입덕트에 대응되는 높이에서 공정 처리되는 과정을 보여주는 도면이다. 4 is a view illustrating a process in which a substrate is processed at a height corresponding to a second suction duct.

도 5는 기판이 제3흡입덕트에 대응되는 높이에서 공정 처리되는 과정을 보여주는 도면이다.5 is a view illustrating a process in which a substrate is processed at a height corresponding to a third suction duct.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 챔버 100 : 처리 용기10 chamber 100 processing container

200 : 기판 지지 부재 300 : 처리 유체 공급 부재200 substrate support member 300 processing fluid supply member

400 : 배기부재 500 : 압력 조절 부재400: exhaust member 500: pressure regulating member

Claims (13)

매엽식 기판 처리 장치에 있어서:In single wafer processing apparatus: 챔버;chamber; 상기 챔버내에 설치되며, 기판이 놓여지는 스핀헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 약액과 공기를 유입 및 흡입하는 환형의 흡입덕트가 다단으로 배치되는 처리용기;A processing container installed in the chamber, the processing container being installed to surround the spin head on which the substrate is placed, and having a plurality of annular suction ducts for introducing and sucking the chemical liquid and air scattered on the substrate; 상기 처리용기의 배기를 담당하는 배기부재; 및An exhaust member responsible for exhausting the processing vessel; And 상기 처리 용기의 내부 압력을 조절하는 압력 조절 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.Single sheet substrate processing apparatus comprising a pressure adjusting member for adjusting the internal pressure of the processing container. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 압력 조절부재는 The pressure regulating member 상기 처리 용기 상부에 배치되어 기판 상부에 일정한 압력으로 청정공기를 송풍하는 팬 필터 유닛; 및A fan filter unit disposed above the processing container to blow clean air at a predetermined pressure on the substrate; And 상기 배기부재를 통해 배기되는 배기압의 변화 및 상기 처리용기 내의 차압에 따라 상기 팬필터 유닛의 송풍량을 조절하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.And a controller for controlling the air blowing amount of the fan filter unit in accordance with a change in the exhaust pressure exhausted through the exhaust member and a differential pressure in the processing container. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 압력 조절부재는 The pressure regulating member 상기 처리 용기 상부에 배치되어 기판 상부에 청정공기를 송풍하는 팬 필터 유닛; 및A fan filter unit disposed above the processing container to blow clean air over the substrate; And 상기 처리 용기 내에서 상기 흡입덕트들에 대한 상기 스핀헤드의 상대 높이에 따라 상기 팬필터 유닛의 송풍량을 조절하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.And a controller for controlling the air blowing amount of the fan filter unit in accordance with the relative height of the spin head with respect to the suction ducts in the processing container. 제 2 항 또는 제3항에 있어서,The method according to claim 2 or 3, 상기 제어기는 The controller 상기 팬 필터 유닛의 팬의 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.Single sheet substrate processing apparatus, characterized in that for controlling the speed of the fan of the fan filter unit. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제어기는 The controller 상기 차압 또는 상기 배기압이 기 설정된 범위를 초과하는 경우 상기 팬 필터 유닛의 청정공기 배출량을 증가시키고, 상기 차압 또는 상기 배기압이 기설정된 범위보다 낮은 경우 상기 팬 필터 유닛의 청정공기 배출량을 감소시키는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.When the differential pressure or the exhaust pressure exceeds a preset range, the clean air emission of the fan filter unit is increased, and when the differential pressure or the exhaust pressure is lower than the preset range, the clean air emission of the fan filter unit is reduced. Sheet type substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 매엽식 기판 처리 장치에 있어서, In the sheet type substrate processing apparatus, 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재; A substrate support member including a spin head on which the substrate is placed; 상기 기판에 소정의 약액들을 각각 공급하는 약액공급부재; A chemical liquid supply member supplying predetermined chemical liquids to the substrate, respectively; 상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 약액과 공기를 유입 및 흡입하는 환형의 흡입덕트가 다단으로 배치되는 처리용기;A processing container installed to surround the spin head and having a plurality of annular suction ducts for introducing and sucking the chemical liquid and air scattered on the substrate; 상기 처리용기의 배기를 담당하는 배기부재; An exhaust member responsible for exhausting the processing vessel; 상기 처리 용기 상부에 배치되어 기판 상부에 일정한 압력으로 청정공기를 송풍하는 팬 필터 유닛; 및A fan filter unit disposed above the processing container to blow clean air at a predetermined pressure on the substrate; And 상기 팬필터 유닛의 송풍량을 조절하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.Single sheet substrate processing apparatus comprising a controller for controlling the air blowing amount of the fan filter unit. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제어기는 The controller 상기 흡입덕트들에 대한 상기 스핀헤드의 상대 높이에 따라 상기 팬 필터 유닛의 팬의 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.The speed of the fan of the fan filter unit is controlled according to the relative height of the spin head relative to the suction ducts. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제어기는 The controller 상기 배기부재를 통해 배기되는 배기압의 변화 또는 상기 처리용기 내의 차압에 따라 상기 팬 필터 유닛의 팬의 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.The speed of the fan of the fan filter unit is controlled in accordance with the change in the exhaust pressure exhausted through the exhaust member or the differential pressure in the processing container. 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치된 흡입덕트가 다단으로 배치된 처리용기와 상기 처리 용기의 상부에서 청정공기를 제공하는 팬 필터 유닛을 갖는 매엽식 기판 처리 장치에서의 압력 조절 방법에 있어서, A pressure regulating method in a sheet type substrate processing apparatus having a processing container in which suction ducts installed to surround a spin head are arranged in multiple stages, and a fan filter unit providing clean air at an upper portion of the processing container. 상기 처리 용기의 내부 압력 또는 상기 처리 용기로부터 배기되는 배기압을 측정하는 단계; 및 Measuring the internal pressure of the processing vessel or the exhaust pressure exhausted from the processing vessel; And 상기 측정값에 따라 상기 팬 필터 유닛의 송풍량을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치에서의 압력 조절 방법.And controlling the air blowing amount of the fan filter unit in accordance with the measured value. 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치된 흡입덕트가 다단으로 배치된 처리용기와 상기 처리 용기의 상부에서 청정공기를 제공하는 팬 필터 유닛을 갖는 매엽식 기판 처리 장치에서의 압력 조절 방법에 있어서:A pressure regulating method in a sheet type substrate processing apparatus having a processing container in which suction ducts installed to surround a spin head are arranged in multiple stages and a fan filter unit providing clean air at the top of the processing container: 상기 처리 용기 내에서 상기 흡입덕트들에 대한 상기 스핀헤드의 상대 높이를 판단하는 단계; 및Determining a relative height of the spin head relative to the suction ducts in the processing vessel; And 상기 스핀헤드의 상대 높이에 따라 상기 팬필터 유닛의 청정공기 송풍량을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치에서의 압력 조절 방법.And controlling the clean air blowing amount of the fan filter unit according to the relative height of the spin head. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 송풍량을 제어하는 단계는 The step of controlling the air blowing amount 상기 처리 용기 내에서 상기 흡입덕트들에 대한 상기 스핀헤드의 상대 높이가 낮을수록 상기 팬필터 유닛의 팬의 회전속도를 높여 송풍량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치에서의 압력 조절 방법.And the lower the relative height of the spin head relative to the suction ducts in the processing container to increase the air flow rate by increasing the rotational speed of the fan of the fan filter unit. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,The method according to claim 9 or 10, 상기 송풍량을 제어하는 단계는 The step of controlling the air blowing amount 상기 팬필터 유닛의 팬의 회전속도를 조절하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치에서의 압력 조절 방법.Pressure control method in a sheet type substrate processing apparatus, characterized in that for controlling the rotational speed of the fan of the fan filter unit. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 송풍량을 제어하는 단계는 The step of controlling the air blowing amount 상기 처리 용기의 내부 압력 또는 상기 처리 용기로부터 배기되는 배기압이 기설정된 범위를 초과하는 경우 상기 팬 필터 유닛의 송풍량을 감소시키고, 상기 처리 용기의 내부 압력 또는 상기 처리 용기로부터 배기되는 배기압이 기설정된 범위보다 낮은 경우 상기 팬 필터 유닛의 송풍량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치에서의 압력 조절 방법.When the internal pressure of the processing vessel or the exhaust pressure exhausted from the processing vessel exceeds a preset range, the air blowing amount of the fan filter unit is reduced, and the internal pressure of the processing vessel or the exhaust pressure exhausted from the processing vessel is reduced. And the air blowing amount of the fan filter unit is increased when it is lower than a set range.
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