KR102037902B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로, 기판 처리 방법은 기판 표면을 세정하는 단계를 포함하되; 상기 기판 세정 단계는, 증기를 이용하여 챔버 내부 분위기를 치환하는 전처리 단계; 및 세정 용액을 이용하여 기판을 세정하는 용액 클리닝 단계를 포함하되; 상기 증기에는 상기 세정 용액이 용해된다. The present invention relates to a substrate processing method, the substrate processing method comprising cleaning a substrate surface; The substrate cleaning step may include a pretreatment step of replacing the atmosphere inside the chamber by using steam; And a solution cleaning step of cleaning the substrate using the cleaning solution; The cleaning solution is dissolved in the steam.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 건식 식각 공정 없이 증기화, 액화된 식각 가스 또는 페시베이션 가스를 이용하여 습식 공정 만으로 식각, 클리닝, 페시베이션이 가능한 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method capable of etching, cleaning, and passivation using only a wet process using a vaporized, liquefied etching gas or a passivation gas without a dry etching process. It is about.

반도체 디바이스의 식각공정은 기판에 액체 또는 기체의 에천트(etchant)를 이용해 불필요한 부분을 선택적으로 제거해 반도체 회로 패턴을 만드는 것으로, 반도체를 구성하는 여러 층의 얇은 막에 원하는 회로 패턴을 형성하는 과정을 반복함으로써, 반도체의 구조가 형성된다.The etching process of a semiconductor device is to form a semiconductor circuit pattern by selectively removing unnecessary portions by using an etchant of liquid or gas on a substrate, and to form a desired circuit pattern on a thin film of various layers constituting a semiconductor. By repeating, the structure of the semiconductor is formed.

식각공정은 식각 반응을 일으키는 물질의 상태에 따라 습식(wet)과 건식(dry)으로 나뉘게 되는데, 건식은 습식에 비해 비용이 비싸고 방법이 까다로운 단점이 있으나, 최근에는 나노스케일로 집적화되는 반도체 기술변화에 따라 회로선폭 역시 미세해지고 이에 따른 수율을 높이기 위한 방법으로 습식(Wet)보다는 건식(Dry)식각이 확대되고 있다.The etching process is divided into wet and dry according to the state of the material causing the etching reaction. Drying is more expensive and difficult in method than wet, but recently, semiconductor technology changes integrated into nanoscale As a result, the circuit line width is also finer, and dry etching is expanding rather than wet as a method for increasing the yield.

그러나, 건식 식각 공정은 높은 종횡비(high aspect ratio)의 균일도(Uniformity), 선택비(selectivity)를 만족하기 어려울 뿐만 아니라 식각 속도가 습식 식각에 비해 낮고 높은 코스트가 요구된다. However, the dry etching process not only satisfies high aspect ratio uniformity and selectivity, but also requires lower etching speed and higher cost than wet etching.

특히, 건식 식각은 습식 세정(wet cleaning) - 막 증착(layer deposition) - 드라이 에칭(dry etching)- 습식 세정(wet cleaning) 과정을 반복하여 진행하게 되는데, 이때 습식 세정, 막 증착, 드라이 에칭이 서로 다른 챔버에서 진행된다는데 그 문제점이 있다.In particular, the dry etching is performed by repeating the wet cleaning-layer deposition-dry etching-wet cleaning process, where wet cleaning, film deposition and dry etching are performed. The problem is that it proceeds in different chambers.

또한, 건식 식각 공정에서 습식 세정시 패턴들 사이에 잔류하는 스몰 파티클(식각 잔류물)을 제거하는데 어려움이 있다.In addition, there is a difficulty in removing small particles (etch residues) remaining between patterns during wet cleaning in a dry etching process.

본 발명의 실시예들은 습식 세정시 패턴들 사이에 잔류하는 스몰 파티클(식각 잔류물) 제거가 용이한 기판 처리 장치 및 방법을 제공하고자 한다. Embodiments of the present invention provide a substrate processing apparatus and method for easily removing small particles (etch residues) remaining between patterns during wet cleaning.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 표면을 식각하는 단계; 상기 기판 표면을 페시베이션하는 단계; 및 상기 기판 표면을 세정하는 단계를 포함하되; 상기 기판 세정 단계는 수증기를 이용하여 챔버 내부 분위기를 치환하는 전처리 단계; 및 세정 용액을 이용하여 기판을 세정하는 용액 클리닝 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an aspect of the invention, etching the substrate surface; Passivating the substrate surface; And cleaning the substrate surface; The substrate cleaning step may include a pretreatment step of replacing the atmosphere inside the chamber by using water vapor; And a solution cleaning step of cleaning the substrate using the cleaning solution.

또한, 상기 식각 단계는 기판 표면에 대한 식각 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질을 탈이온수에 용해시킨 제1용해수를 이용하여 기판 표면을 식각하고, 상기 페시베이션 단계는 기판 표면에 대한 페시베이션 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질을 탈이온수에 용해시킨 제2용해수를 이용하여 기판 표면을 페시베이션할 수 있다. In addition, the etching step is to etch the substrate surface using a first dissolved water dissolved in at least one gaseous material having an etching action on the substrate surface in deionized water, the passivation step is a passivation to the substrate surface The surface of the substrate may be passivated using a second dissolved water in which at least one gaseous substance having an action is dissolved in deionized water.

또한, 상기 식각 단계는 상기 제1용해수를 증기 상태 또는 액상 상태로 기판 표면에 제공하고, 상기 페시베이션 단계는 상기 제2용해수를 증기 상태 또는 액상 상태로 기판 표면에 제공할 수 있다.In addition, the etching step may provide the first dissolved water to the surface of the substrate in a vapor state or a liquid state, and the passivation step may provide the second dissolved water to the surface of the substrate in a vapor state or a liquid state.

또한, 상기 식각 단계 및 상기 페시베이션 단계는 동일 챔버에서 처리되며, 상기 챔버는 밀폐 챔버일 수 있다.In addition, the etching step and the passivation step are processed in the same chamber, the chamber may be a closed chamber.

또한, 상기 식각 단계와 상기 페시베이션 단계 사이에 상기 챔버 내부를 퍼지가스를 이용하여 1차 퍼지하는 1차 퍼지 단계; 상기 페시베이션 단계후 상기 챔버 내부를 퍼지가스를 이용하여 2차 퍼지하는 2차 퍼지 단계를 더 포함하고, 상기 식각 단계, 상기 1차 퍼지 단계, 상기 페시베이션 단계 그리고 상기 2차 퍼지 단계는 반복적으로 수행될 수 있다.In addition, a first purge step of purging the inside of the chamber using a purge gas between the etching step and the passivation step; After the passivation step further comprises a secondary purge step of purging the inside of the chamber using a purge gas, the etching step, the primary purge step, the passivation step and the secondary purge step is repeatedly Can be performed.

또한, 상기 페시베이션 단계 이후 기판을 세정하는 단계를 더 포함하되; 상기 세정 단계는 수증기를 이용하여 챔버 내부 분위기를 치환하는 전처리 단계; 및 세정 용액을 이용하여 기판을 세정하는 용액 클리닝 단계를 포함할 수 있다.In addition, further comprising the step of cleaning the substrate after the passivation step; The cleaning step may include a pretreatment step of replacing the atmosphere inside the chamber by using water vapor; And a solution cleaning step of cleaning the substrate using the cleaning solution.

또한, 상기 수증기는 상기 세정 용액 또는 기판 표면에 대한 식각 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질이 용해되어 있을 수 있다.In addition, the water vapor may be dissolved in at least one gaseous substance having an etching action on the cleaning solution or the substrate surface.

또한, 상기 전처리 단계는 저진공 상태의 챔버 분위기에서 이루어지고, 상기 용액 클리닝 단계는 대기압 상태의 챔버 분위기에서 이루어질 수 있다.In addition, the pretreatment may be performed in a chamber atmosphere in a low vacuum state, and the solution cleaning step may be performed in a chamber atmosphere in an atmospheric pressure state.

또한, 상기 세정 단계 이후에 기판을 건조하는 건조 단계를 더 포함하되; 상기 건조 단계는 저진공 또는 대기압 상태의 챔버 분위기에서 회전하는 기판상으로 건조를 위한 IPA 증기 또는 불활성 기체를 제공할 수 있다.In addition, further comprising a drying step of drying the substrate after the cleaning step; The drying step may provide IPA vapor or inert gas for drying onto a rotating substrate in a chamber atmosphere at low vacuum or atmospheric pressure.

또한, 상기 세정 단계는 기판상에 전기장을 형성하여 식각 잔류물이 기판 표면으로부터의 거동을 유도할 수 있다.In addition, the cleaning step may create an electric field on the substrate so that the etch residue may behave from the substrate surface.

또한, 상기 전기장은 바이어스 파워 또는 교류전류를 인가함으로써 제공될 수 있다. The electric field may also be provided by applying a bias power or an alternating current.

본 발명의 일 측면에 따르면, 대기압 또는 저진공 분위기를 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내부공간에 설치되고, 기판이 놓여지는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 안착된 기판상으로 용해수를 공급하는 제1노즐부재; 상기 기판 지지부재에 안착된 기판상으로 세정 유체를 공급하는 제2노즐부재; 및 상기 제2노즐부재에 수증기와 세정용액을 선택적으로 공급하는 세정 유체 공급부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to one aspect of the invention, the process chamber for providing an atmospheric pressure or low vacuum atmosphere; A substrate support member installed in an inner space of the process chamber and on which a substrate is placed; A first nozzle member for supplying dissolved water onto a substrate seated on the substrate support member; A second nozzle member supplying a cleaning fluid onto the substrate seated on the substrate support member; And a cleaning fluid supply unit selectively supplying water vapor and a cleaning solution to the second nozzle member.

또한, 기판 표면에 대한 식각 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질을 탈이온수에 용해시킨 제1용해수를 상기 제1노즐부재에 공급하는 제1용해수 공급부; 및 기판 표면에 대한 페시베이션 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질을 탈이온수에 용해시킨 제2용해수를 상기 제1노즐부재에 공급하는 제2용해수 공급부를 포함할 수 있다. In addition, the first dissolved water supply unit for supplying the first nozzle member the first dissolved water in which at least one gaseous substance having an etching action on the surface of the substrate in deionized water; And a second dissolved water supply unit supplying the second dissolved water in which at least one gaseous substance having a passivation action on the surface of the substrate is dissolved in deionized water to the first nozzle member.

또한, 상기 제1용해수 공급부는 상기 제1용해수를 증기 상태 또는 액상 상태로 공급하고, 상기 제2용해수 공급부는 상기 제2용해수를 증기 상태 또는 액상 상태로 공급할 수 있다.The first dissolved water supply unit may supply the first dissolved water in a vapor state or a liquid state, and the second dissolved water supply unit may supply the second dissolved water in a vapor state or a liquid state.

또한, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판상으로 세정 유체를 공급하는 제2노즐부재; 및 상기 제2노즐부재에 수증기와 세정용액을 선택적으로 공급하는 세정 유체 공급부를 더 포함할 수 있다.In addition, the second nozzle member for supplying a cleaning fluid on the substrate seated on the substrate support member; And a cleaning fluid supply unit selectively supplying water vapor and a cleaning solution to the second nozzle member.

또한, 상기 수증기는 상기 세정 용액 또는 기판 표면에 대한 식각 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질이 용해되어 있을 수 있다.In addition, the water vapor may be dissolved in at least one gaseous substance having an etching action on the cleaning solution or the substrate surface.

또한, 상기 제2노즐부재는 수증기가 기판 전면에 분사되도록 수증기를 분사하는 다수의 분사홀들이 형성된 원통형의 노즐 몸체; 및 상기 노즐 몸체의 중앙에 위치되고, 상기 세정 용액을 분사하는 중앙 분사노즐을 포함할 수 있다.In addition, the second nozzle member includes a cylindrical nozzle body having a plurality of injection holes for injecting water vapor so that water vapor is injected onto the front surface of the substrate; And positioned in the center of the nozzle body, may include a central injection nozzle for injecting the cleaning solution.

또한, 상기 기판 지지부재와 상기 제2노즐부재 각각에는 바이어스 전류가 인가되는 전극들이 제공될 수 있다.In addition, each of the substrate support member and the second nozzle member may be provided with electrodes to which a bias current is applied.

또한, 상기 기판 지지부재에 제공되는 링 형태의 제1전극; 상기 기판 상부에 위치되는 링 형태의 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 중 적어도 하나에 교류 전류값을 변화시키면서 인가하는 전원공급부를 더 포함할 수 있다. In addition, the first electrode of the ring shape provided on the substrate support member; A ring-shaped second electrode positioned on the substrate; And a power supply unit configured to apply an alternating current value to at least one of the first electrode and the second electrode.

본 발명에 의하면, 습식 세정시 패턴들 사이에 잔류하는 스몰 파티클(식각 잔류물) 제거가 용이할 수 있다. According to the present invention, it may be easy to remove small particles (etch residues) remaining between the patterns during the wet cleaning.

본 발명에 의하면, 챔버간 이동 없이 밀폐된 챔버 내에서 여러 공정이 진행되므로 오염되지 않은 깨끗한 환경이 유지될 수 있는 각별한 효과를 기대할 수 있다.According to the present invention, various processes are performed in a closed chamber without moving between chambers, and thus, a special effect of maintaining a clean environment without contamination can be expected.

본 발명에 의하면, 증기(vapor)화 또는 액(liquid)화된 페시베이션 공정의 진행을 통해 높은 높은 균일도(Uniformity) 및 선택비(selectivity)를 기대할 수 있다.According to the present invention, high uniformity and selectivity can be expected through the progress of vaporization or liquidation passivation process.

본 발명에 의하면, 증기(Vapor)화 또는 액(Liquid)화된 가스의 경우 건식 가스로 분위기를 형성하기 위해 사용하는 양보다 극히 적은 양을 사용할 수 있어 코스트를 낮출 수 있고 처리 시간이 짧아질 수 있는 효과를 기대할 수 있다.According to the present invention, in the case of a vaporized or liquid gas, an amount less than that used to form an atmosphere as a dry gas can be used, which can lower the cost and shorten the treatment time. You can expect the effect.

본 발명에 의하면, 건식 방식보다 밀폐 챔버 내 투입될 증기화, 액화된 가스의 독성(toxic)정도가 낮아 안전성도 향상되는 효과를 기대할 수 있다.According to the present invention, it is possible to expect the effect that the safety of the vaporization, liquefied gas to be put in the closed chamber is lower than the dry method, so that the safety is improved.

도 1은 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
도 4는 제1노즐부재와 연결되는 제1,2용해수 공급부를 보여주는 구성도이다.
도 5는 제2이동 노즐 부재에 연결되는 세정 유체 공급부를 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.
도 7은 식각 단계와 페시베이션 단계에 따른 패턴 형성방법을 도시한 공정 단면도이다.
도 8은 전처리 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 용액 클리닝 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 건조 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 11a 및 도 11b는 기판 세정 공정에서 바이어스 파워를 이용한 전기장 유도 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 스핀 헤드에 설치되는 하부 전극을 보여주는 도면들이다.
도 13a 내지 도 13b는 기판 세정 공정에서 교류 전류를 이용한 전기장 유도 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 상부 전극의 다른 변형예를 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing system.
2 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
3 is a side cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
4 is a configuration diagram showing first and second dissolved water supply parts connected to the first nozzle member.
5 is a view showing a cleaning fluid supply connected to a second moving nozzle member.
6 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a pattern according to an etching step and a passivation step.
8 is a diagram for explaining a preprocessing step.
9 is a view for explaining a solution cleaning step.
10 is a diagram for explaining a drying step.
11A and 11B are diagrams for describing an electric field induction method using bias power in a substrate cleaning process.
12 is a view illustrating a lower electrode installed in a spin head.
13A to 13B are views for explaining an electric field induction method using an alternating current in a substrate cleaning process.
14 is a view showing another modified example of the upper electrode.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in describing the present invention with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and duplicates thereof. The description will be omitted.

도 1은 본 발명의 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing system of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing system 1000 of the present invention may include an index unit 10, a buffer unit 20, and a processing unit 50. The index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit are arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit 50 are arranged is referred to as a first direction, and when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction is referred to as a second direction. The direction perpendicular to the plane including the first direction and the second direction is defined as the third direction.

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. 4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.The index unit 10 is disposed in front of the first direction of the substrate processing system 1000. The index unit 10 includes four load ports 12 and one index robot 13. Four load ports 12 are disposed in front of the index portion 10 in the first direction. A plurality of load ports 12 are provided and they are arranged along the second direction. The number of load ports 12 may increase or decrease depending on process efficiency and footprint conditions of the substrate processing system 1000. The load ports 12 are mounted with carriers (eg, cassettes, FOUPs, etc.) in which the substrates W to be provided for the process and the substrates W having been processed are received. The carrier 16 is formed with a plurality of slots for accommodating the substrates in a state arranged horizontally with respect to the ground.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다. The index robot 13 is disposed adjacent to the load port 12 in the first direction. The index robot 13 is installed between the load port 12 and the buffer unit 20. The index robot 13 transfers the substrate W waiting on the upper layer of the buffer unit 20 to the carrier 16, or transfers the substrate W waiting on the carrier 16 to the lower layer of the buffer unit 20. do.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. The buffer unit 20 is provided between the index unit 10 and the processing unit. The buffer unit 20 temporarily receives a substrate W to be provided to the process before being transferred by the index robot 13 or a substrate W which has been processed by the main processing robot 30 before being transferred by the index robot 13. It's a place to do it.

메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치되며, 각 기판 처리 장치(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 기판 처리 장치(1)로 이송하거나, 각 기판 처리 장치(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다. The main transfer robot 30 is installed in the movement passage 40, and transfers the substrate between the substrate processing apparatuses 1 and the buffer unit 20. The main transfer robot 30 transfers the substrate to be provided to the process waiting in the buffer unit 20 to each substrate processing apparatus 1, or transfers the substrate on which the processing is completed in each substrate processing apparatus 1 to the buffer unit 20. Transfer to).

이동 통로(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The movement passage 40 is disposed along the first direction in the processing unit and provides a passage in which the main transfer robot 30 moves. The substrate processing apparatuses 1 face each other and are disposed along the first direction on both sides of the movement passage 40. In the movement passage 40, the main transfer robot 30 moves along the first direction, and a moving rail capable of lifting up and down the upper and lower layers of the substrate processing apparatus 1 and the upper and lower layers of the buffer unit 20 is provided. .

기판 처리 장치(1)는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 기판 처리 장치(1)를 구비하나, 기판 처리 장치(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 기판 처리 장치(1)는 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 기판 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다. The substrate processing apparatus 1 is disposed opposite to each other on both sides of the movement passage 40 on which the main transfer robot 30 is installed. The substrate processing system 1000 includes a plurality of substrate processing apparatuses 1 having upper and lower layers, but the number of substrate processing apparatuses 1 increases or decreases according to the process efficiency and the footprint of the substrate processing system 1000. You may. Each substrate processing apparatus 1 is composed of an independent housing, and thus, a process of processing a substrate in an independent form may be performed in each substrate processing apparatus.

아래의 실시예에서는 식각 가스, 페시베이션 가스를 각각 탈이온수에 용해시킨 용해수를 이용하여 기판 표면의 에칭, 페시베이션 그리고 클리닝 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 예를 들어 설명한다. In the following embodiment, a substrate processing apparatus for performing etching, passivation, and cleaning processes on a substrate surface using dissolved water in which an etching gas and a passivation gas are respectively dissolved in deionized water will be described.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. 2 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. 3 is a side cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.

본 실시예에서는 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다. In the present embodiment, a semiconductor substrate is illustrated and described as an example of the substrate processed by the substrate processing apparatus 1, but the present invention is not limited thereto and may be applied to various kinds of substrates such as glass substrates.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면을 식각, 페시베이션 그리고 세정하는 장치로써, 챔버(800), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 제1이동 노즐 부재(300), 고정 노즐(500), 배기부재(400) 및 제2이동 노즐부재(900)를 포함한다. 2 and 3, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is an apparatus for etching, passivating, and cleaning a substrate surface using various processing fluids, including a chamber 800, a processing container 100, The substrate supporting member 200, the first moving nozzle member 300, the fixed nozzle 500, the exhaust member 400, and the second moving nozzle member 900 are included.

챔버(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(810)이 설치된다. 팬필터유닛(810)은 챔버(800) 내부에 수직 기류를 발생시킨다. The chamber 800 provides a sealed inner space, and a fan filter unit 810 is installed at an upper portion thereof. The fan filter unit 810 generates vertical airflow inside the chamber 800.

팬필터유닛(810)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 고습도 외기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 고습도 외기는 팬 필터 유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리 유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다. The fan filter unit 810 is a module in which the filter and the air supply fan are modularized into one unit, and supplies a high humidity outdoor air to the inside of the chamber. The high humidity outdoor air passes through the fan filter unit 810 and is supplied into the chamber to form a vertical airflow. The vertical airflow provides a uniform airflow over the substrate, and contaminants (fumes) generated in the process of treating the substrate surface by the processing fluid are exhausted through the suction ducts of the processing vessel 100 together with air. It is discharged to 400) to maintain a high cleanliness inside the processing vessel.

도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(818)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 2, the chamber 800 is partitioned into a process region 816 and a maintenance region 818 by a horizontal bulkhead 814. Although only a portion is shown in the drawing, the maintenance area 818 is a space in which the driving unit of the elevating unit is located in addition to the discharge lines 141, 143, 145 and the sub-exhaust line 410 connected to the processing container 100. 818 is preferably isolated from the process area where substrate processing takes place.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다. The processing container 100 has a cylindrical shape with an open upper portion, and provides a process space for processing the substrate w. An open upper surface of the processing container 100 serves as a carrying-out and carrying-in passage of the substrate w. The substrate support member 200 is positioned in the process space. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process and rotates the substrate.

처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 처리액(용해수 포함)과 기체(수증기 포함)를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. 본 실시예에서, 처리 용기는 3개의 흡입 덕트를 갖는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 처리 용기는 2개의 흡입 덕트 또는 3개 이상의 흡입 덕트를 포함할 수 있다. The processing container 100 is divided into an upper space 132a in which the spin head 210 is positioned and an upper space 132a by the spin head 210, and an exhaust duct 190 is disposed at a lower end of the processing chamber 100 to allow forced exhaust. It provides a connected lower space (132b). In the upper space 132a of the processing container 100, annular first, second and third suction ducts 110 for introducing and inhaling the processing liquid (including dissolved water) and gas (including water vapor) scattered on the rotating substrate 110. , 120 and 130 are arranged in multiple stages. In the present embodiment, the processing container is shown as having three suction ducts, but is not limited thereto, and the processing container may include two suction ducts or three or more suction ducts.

환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. 구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다. The annular first, second and third suction ducts 110, 120, 130 have exhaust ports H communicating with one common annular space (corresponding to the lower space of the vessel). An exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 is provided in the lower space 132b. In detail, the first to third suction ducts 110, 120, and 130 each have a bottom surface having an annular ring shape and a sidewall extending from the bottom surface and having a cylindrical shape. The second suction duct 120 surrounds the first suction duct 110 and is spaced apart from the first suction duct 110. The third suction duct 130 surrounds the second suction duct 120 and is spaced apart from the second suction duct 120.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 기체가 포함된 기류가 유입되는 제1내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to third suction ducts 110, 120, and 130 provide first to third recovery spaces RS1, RS2, and RS3 into which air flow containing the processing liquid and gas scattered from the substrate w flows. . The first recovery space RS1 is defined by the first suction duct 110, and the second recovery space RS2 is defined by the separation space between the first suction duct 110 and the second suction duct 120. The third recovery space RS3 is defined by the separation space between the second suction duct 120 and the third suction duct 130.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다. The upper surface of each of the first to third suction ducts 110, 120, and 130 is formed as an inclined surface whose center portion is opened, and the distance from the corresponding bottom surface gradually increases from the connected side wall toward the opening side. Accordingly, the processing liquid scattered from the substrate w flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130.

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 포함할 수 있다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절될 수 있다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. On the other hand, the processing container 100 is coupled with the lifting unit 600 for changing the vertical position of the processing container 100. The lifting unit 600 linearly moves the processing container 100 in the vertical direction. As the processing container 100 is moved up and down, the relative height of the processing container 100 with respect to the spin head 210 is changed. The elevating unit 600 may include a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 100, and the movement shaft 614, which is moved in the vertical direction by the driver 616, is fixedly coupled to the bracket 612. When the substrate W is loaded onto the spin head 210 or unloaded from the spin head 210, the processing container 100 descends such that the spin head 210 protrudes above the processing container 100. In addition, during the process, the height of the processing container 100 may be adjusted so that the processing liquid may be introduced into the predetermined suction ducts 110, 120, and 130 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. FIG. have. Accordingly, the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate w is changed. Therefore, the processing container 100 may vary the types of the processing liquid and the contaminated gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다. In this embodiment, the substrate processing apparatus 1 changes the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the processing container 100. However, the substrate processing apparatus 1 may change the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the substrate supporting member 200.

기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. The substrate support member 200 is provided inside the processing container 100. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process and may be rotated by the driver 240 to be described later during the process. The substrate support member 200 has a spin head 210 having a circular top surface, and support pins 212 and chucking pins 214 for supporting the substrate W on the top surface of the spin head 210. Have The support pins 212 are disposed in a predetermined arrangement at a predetermined interval spaced apart from the upper surface edge of the spin head 210, and are provided to protrude upward from the spin head 210. The support pins 212 support the bottom surface of the substrate W so that the substrate W is supported while being spaced upward from the spin head 210. The chucking pins 214 are disposed on the outer side of the support pins 212, and the chucking pins 214 are provided to protrude upward. The chucking pins 214 align the substrate W such that the substrate W supported by the plurality of support pins 212 is placed in position on the spinhead 210. During the process, the chucking pins 214 are in contact with the side of the substrate W to prevent the substrate W from being displaced from its position.

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다. A support shaft 220 supporting the spin head 210 is connected to the lower portion of the spin head 210, and the support shaft 220 is rotated by the driving unit 230 connected to the lower end thereof. The driving unit 230 may be provided by a motor or the like. As the support shaft 220 rotates, the spin head 210 and the substrate W rotate.

배기부재(400)는 공정시 챔버 내부를 저진공(예를 들면, 10-3 torr) 분위기로 만들기 위해 그리고 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 진공펌프(미도시됨)가 설치될 수 있다. The exhaust member 400 is a suction duct for recovering the treatment liquid in the first to third suction ducts (110, 120, 130) to make the interior of the chamber in a low vacuum (for example, 10-3 torr) atmosphere during the process To provide the exhaust pressure (suction pressure). The exhaust member 400 includes a sub exhaust line 410 and a damper 420 connected to the exhaust duct 190. The sub exhaust line 410 may be installed with a vacuum pump (not shown).

고정 노즐(500)들은 처리 용기(100) 상단에 설치된다. 고정 노즐(500)은 스핀헤드(210)에 놓여진 기판(W)으로 처리유체를 분사한다. 고정 노즐(500)은 기판의 처리 위치에 따라 분사 각도 조절이 가능하다. The fixed nozzles 500 are installed on the top of the processing container 100. The fixed nozzle 500 sprays a processing fluid onto the substrate W placed on the spin head 210. The fixed nozzle 500 may adjust the spray angle according to the processing position of the substrate.

제1이동 노즐 부재(300)는 스윙 이동을 통해 기판의 중심 상부로 이동되어 기판상에 식각 또는 페시베이션 처리를 위한 용해수를 분사한다. 제1이동 노즐 부재(300)는 지지축(310), 구동부(320), 노즐 암(330), 제1노즐(340)을 포함한다. The first moving nozzle member 300 is moved above the center of the substrate through a swing movement to inject molten water for etching or passivation treatment onto the substrate. The first moving nozzle member 300 includes a support shaft 310, a driving unit 320, a nozzle arm 330, and a first nozzle 340.

제1이동 노즐 부재(300)에는 제1용해수 공급부(380) 및 제2용해수 공급부(390)가 연결된다.The first dissolved water supply unit 380 and the second dissolved water supply unit 390 are connected to the first moving nozzle member 300.

제1용해수 공급부(380)는 기판 표면에 대한 식각 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질(이하, 식각 가스)을 탈이온수에 용해시킨 제1용해수를 제1노즐(340)에 공급한다. 제2용해수 공급부(390)는 기판 표면에 대한 페시베이션 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질(이하, 페시베이션 가스)을 탈이온수에 용해시킨 제2용해수를 제1노즐(340)에 공급한다.The first dissolved water supply unit 380 supplies the first nozzle 340 with the first dissolved water in which at least one gaseous substance (hereinafter referred to as an etching gas) having an etching action on the surface of the substrate is dissolved in deionized water. The second dissolved water supply unit 390 supplies the first nozzle 340 with the second dissolved water obtained by dissolving at least one gaseous substance (hereinafter, a passivation gas) having a passivation action on the surface of the substrate in deionized water. do.

도 4는 제1노즐부재와 연결되는 제1,2용해수 공급부를 보여주는 구성도이다.4 is a configuration diagram showing first and second dissolved water supply parts connected to the first nozzle member.

도 4를 참조하면, 제1용해수 공급부(380)는 식각 가스 공급원(382), 식각 가스 공급원(382)으로부터 제공받은 식각 가스를 탈이온수에 용해하여 제1용해수를 제조하는 제1용해처리부(384)를 포함할 수 있다. 일 예로, 제1용해수 공급부(382)는 SF6 가스가 사용되지만 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 식각 가스가 사용될 수 있다. Referring to FIG. 4, the first dissolved water supply unit 380 may dissolve the etching gas provided from the etching gas supply source 382 and the etching gas supply source 382 in deionized water to prepare the first dissolved water. 384. For example, although the SF6 gas is used as the first dissolved water supply part 382, various etching gases may be used.

제1용해처리부(384)에는 식각 가스의 용해도를 높이기 위해 에탄올, 헥세인(hexane), 벤젠(benzene)과 같은 용매가 사용될 수 있다. In the first dissolution treatment unit 384, a solvent such as ethanol, hexane, and benzene may be used to increase the solubility of the etching gas.

제2용해수 공급부(390)는 페시베이션 가스 공급원(392), 페시베이션 가스 공급원(392)으로부터 제공받은 페시베이션 가스를 탈이온수에 용해하여 제2용해수를 제조하는 제2용해처리부(394)를 포함할 수 있다. 일 예로, 제2용해수 공급부(392)는 불화탄소계 가스(C4F8)가 사용되지만 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 페시베이션 가스가 적용될 수 있다. The second dissolved water supply unit 390 dissolves the passivation gas provided from the passivation gas source 392 and the passivation gas source 392 in deionized water to produce the second dissolved water 394. It may include. For example, the second dissolved water supply unit 392 may be a fluorocarbon gas (C4F8), but is not limited thereto. Various passivation gases may be applied.

제2용해처리부(394)에는 페시베이션 가스의 용해도를 높이기 위해 솔벤트, 폴리머 등의 용매가 사용될 수 있다. In the second dissolution treatment unit 394, a solvent such as a solvent or a polymer may be used to increase the solubility of the passivation gas.

식각 가스 및 페시베이션 가스가 탈이온수에 용해되는 효율을 높이기 위해, 탈이온수는 미리 탈기 처리된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 탈이온수를 탈기하면, 이상적으로는 탈이온수에 이미 용해되어있던 여러가지 가스가 제거되고 소망하는 가스를 용해할 수 있는 가스 용해의 용량이 증가할 수 있다. 다시 말해, 소망하는 가스의 용해 전에 탈이온수속에 여러 가지의 가스가 잔류하고 있으면 탈이온수에 소망하는 가스를 용해하는 용량이 부족해서, 소망하는 농도로는 되지 않을 수 있다. 이와 같은 점에서는, 탈이온수의 유량 변화에 의거해서 탈이온수에 용해하는 가스의 농도를 소망하는 농도로 설정할 수 없게 될 우려가 있다. 특히, 용해도가 작은 가스를 탈이온수에 용해시키는 경우, 비록 탈이온수의 유량이 변동해도, 일정한 농도로 유지하기 위해서는, 미리 탈이온수를 탈기해 두는 것이 필요하다.In order to increase the efficiency in which the etching gas and the passivation gas are dissolved in the deionized water, the deionized water is preferably degassed in advance. Degassing deionized water can ideally remove various gases already dissolved in deionized water and increase the capacity of gas dissolution to dissolve the desired gas. In other words, if various gases remain in the deionized water before dissolving the desired gas, the capacity for dissolving the desired gas in the deionized water may be insufficient, and thus may not be the desired concentration. In such a point, there is a possibility that the concentration of the gas dissolved in the deionized water cannot be set to the desired concentration based on the change in the flow rate of the deionized water. In particular, in the case of dissolving a gas having a low solubility in deionized water, even if the flow rate of the deionized water fluctuates, it is necessary to degas the deionized water beforehand in order to maintain it at a constant concentration.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 제2이동 노즐 부재(900)는 스윙 이동을 통해 기판의 중심 상부로 이동되어 기판상에 세정 및 건조를 위한 처리 유체를 분사한다. 제2이동 노즐 부재(900)는 지지축(910), 구동부(920), 노즐 암(940), 제2노즐(980)을 포함한다. Referring again to FIGS. 2 and 3, the second moving nozzle member 900 is moved above the center of the substrate through a swing movement to inject a processing fluid for cleaning and drying onto the substrate. The second moving nozzle member 900 includes a support shaft 910, a driving unit 920, a nozzle arm 940, and a second nozzle 980.

제2이동 노즐 부재(900)에는 수증기(또는 세정액 증기)와 세정용액을 선택적으로 공급하는 세정 유체 공급부(860)가 연결된다. The second moving nozzle member 900 is connected with a cleaning fluid supply unit 860 for selectively supplying steam (or cleaning liquid vapor) and a cleaning solution.

도 5는 제2이동 노즐 부재에 연결되는 세정 유체 공급부를 보여주는 도면이다.5 is a view showing a cleaning fluid supply connected to a second moving nozzle member.

도 5를 참조하면, 세정 유체 공급부(960)는 세정 용액 공급원(962), 세정 용액을 증기화하는 증기발생부(964) 그리고 순수한 수증기 공급부(966)를 포함할 수 있다. 여기서, 세정 용액은 기판 표면에 대한 식각 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질이 용해된 용해수가 포함될 수 있다. Referring to FIG. 5, the cleaning fluid supply 960 may include a cleaning solution source 962, a steam generator 964 for vaporizing the cleaning solution, and a pure steam supply 966. Here, the cleaning solution may include dissolved water in which at least one gaseous substance having an etching action on the surface of the substrate is dissolved.

제2노즐(980)은 세정 용액 수증기(케미칼 증기) 또는 순수 수증기가 기판 전면에 분사되도록 수증기를 분사하는 다수의 분사홀(982)들이 형성된 원통형의 노즐 몸체(984) 및 노즐 몸체(984)의 중앙에 위치되고, 세정 용액을 분사하는 중앙 분사노즐(986)을 포함한다. 중앙 분사노즐(986)은 세정 용액 공급원(962)과 연결되고, 분사홀(982)들은 증기발생부(964) 및 수증기 공급부(966)와 연결된다. The second nozzle 980 is formed of a cylindrical nozzle body 984 and a nozzle body 984 in which a plurality of injection holes 982 are formed for injecting steam so that cleaning solution water vapor (chemical vapor) or pure water water vapor is injected onto the front surface of the substrate. Located centrally, it comprises a central spray nozzle 986 for spraying the cleaning solution. The central injection nozzle 986 is connected to the cleaning solution source 962, and the injection holes 982 are connected to the steam generator 964 and the steam supply 966.

한편, 제2노즐(980)에는 건조 유체 공급부(970)이 연결될 수 있다. Meanwhile, the dry fluid supply unit 970 may be connected to the second nozzle 980.

도 6은 도 2에 도시된 기판 처리 장치에서의 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 챠트이고, 도 7은 식각 단계와 페시베이션 단계에 따른 패턴 형성방법을 도시한 공정 단면도이다. FIG. 6 is a flowchart illustrating a method of processing a substrate in the substrate processing apparatus of FIG. 2, and FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a pattern according to an etching step and a passivation step.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 식각 단계(S10), 퍼지 단계(S20), 페시베이션 단계(S30), 퍼지 단계(S40), 세정 단계(S50), 건조 단계(S60)를 포함한다. 여기서, 식각 단계(S10), 퍼지 단계(S20), 페시 베이션 단계(S30), 퍼지 단계(S40)는 기판에 원하는 패턴이 형성될 때까지 반복하게 된다. 6 and 7, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes an etching step S10, a purge step S20, a passivation step S30, a purge step S40, and a cleaning step S50. ), Drying step (S60). Here, the etching step S10, the purge step S20, the passivation step S30, and the purge step S40 are repeated until a desired pattern is formed on the substrate.

도 6을 참조하면, 기판(W)은 식각대상층(92) 위에 식각대상층(92)의 일부 표면을 노출시키는 개구부(94)를 갖는 식각마스크층패턴(95)을 포함한다. 식각마스크층패턴(95)은 개구부(94)에 의해 노출되는 식각대상층(92)의 노출면 적보다 충분히 큰 면적의 노출 상부면을 갖는다. 개구부(94)에 의해 노출되는 식각대상층(92)의 노출 부분은 일정 깊이의 트랜치(96)가 형성될 부분이다. 일 예에서 식각대상층(92)은, 사파이어, 실리콘, 폴리실리콘, 옥사이드, 나이트라이드, 및 금속 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 일 예에서 식각마스크층패턴(95)은 포토레지스트층으로 형성할 수 있다. Referring to FIG. 6, the substrate W includes an etching mask layer pattern 95 having an opening 94 exposing a portion of the surface of the etching target layer 92 on the etching target layer 92. The etching mask layer pattern 95 has an exposed upper surface having an area larger than that of the etching target layer 92 exposed by the opening 94. An exposed portion of the etching target layer 92 exposed by the opening 94 is a portion where the trench 96 having a predetermined depth is to be formed. In one example, the etching target layer 92 may include at least one of sapphire, silicon, polysilicon, oxide, nitride, and metal. In one example, the etching mask layer pattern 95 may be formed as a photoresist layer.

식각 단계(S10)에서는 제1용해수를 회전하는 기판 표면으로 공급하여 식각대상층(92)의 노출 부분을 식각한다. In the etching step S10, the exposed portion of the etch target layer 92 is etched by supplying the first dissolved water to the rotating substrate surface.

페시베이션 단계(S30)에서는 제2용해수를 회전하는 기판 표면으로 공급하여 식각된 부분의 표면에 페시베이션층(97)을 용착하거나 형성한다. In the passivation step (S30), the second dissolved water is supplied to the rotating substrate surface to deposit or form the passivation layer 97 on the surface of the etched portion.

한편, 식각 및 페시베이션 단계(S10,S30)가 끝나면 각각 퍼지 단계(S20,S40)를 수행할 수 있다. 퍼지 단계(S20,S40)는 불활성 가스를 공급하여 챔버 내부를 치환하거나, 또는 초순수를 기판 표면에 분사하여 기판 표면에 남아 있는 용해수를 제거하는 공정을 포함할 수 있다. Meanwhile, when the etching and passivation steps S10 and S30 are completed, the purge steps S20 and S40 may be performed. The purge steps S20 and S40 may include supplying an inert gas to replace the inside of the chamber or spraying ultrapure water on the substrate surface to remove dissolved water remaining on the substrate surface.

상기와 같이, 본 발명은 드라이 식각 공정 없이 증기화, 액화된 식각 가스 또는 페시베이션 가스를 이용하게 된다. 따라서, 챔버간 이동 없이 한 챔버 내에서 식각 및 클리닝 그리고 페시베이션 공정이 진행됨으로 오염되지 않은 깨끗한 환경이 유지될 수 있다. 또한, 용해수의 농도 조절을 통해 높은 AR을 가진 패턴에 적용 가능할 뿐만 아니라, 오버 에칭 이슈 또한 개선할 수 있다.As described above, the present invention uses a vaporized, liquefied etching gas or passivation gas without a dry etching process. Therefore, the etching, cleaning, and passivation processes are performed in one chamber without moving between the chambers, thereby maintaining a clean, uncontaminated environment. In addition, the concentration control of the dissolved water is not only applicable to the pattern having a high AR, but also can improve the over-etching issue.

도 8 및 도 9는 세정 공정을 설명하기 위한 도면들이다.8 and 9 are views for explaining a cleaning process.

도 6, 도 8 및 도 9에서와 같이, 식각 단계(S10), 퍼지 단계(S20), 페시 베이션 단계(S30), 퍼지 단계(S40)를 통해 기판에 원하는 패턴이 형성되면 세정 단계(S50)를 수행한다.6, 8 and 9, when the desired pattern is formed on the substrate through the etching step (S10), purge step (S20), passivation step (S30), purge step (S40), cleaning step (S50) Do this.

세정 단계(S50)는 전처리 단계와 용액 클리닝 단계를 포함할 수 있다. 세정 단계(S50)는 기판이 회전하는 상태에서 진행된다.The cleaning step S50 may include a pretreatment step and a solution cleaning step. The cleaning step S50 is performed while the substrate is rotating.

도 8에서와 같이, 전처리 단계에서는 수증기를 이용하여 챔버 내부 분위기를 치환하게 된다. 전처리 단계는 저진공(예를 들면, 10-3 torr) 상태의 챔버 분위기에서 이루어질 수 있다. 즉, 전처리 단계에서 증기 형태의 세정(또는 식각) 약액이 먼저 패턴 내에 기체로 침투하므로 이후 세정 약액 토출시 용존량 보존 및 같은 성질끼리의 극성 영향으로 용이한 세정 공정이 이루어질 수 있다. As shown in Figure 8, in the pretreatment step to replace the atmosphere inside the chamber using water vapor. The pretreatment step may be carried out in a chamber atmosphere in a low vacuum (eg 10-3 torr) state. That is, in the pretreatment step, since the cleaning (or etching) chemical solution in the form of vapor first penetrates into the gas in the pattern, the cleaning process can be easily performed due to the preservation of the dissolved amount and the polarity effect of the same properties.

전처리 단계에서는 제2노즐(980)이 증기발생부(964)로부터 케미칼 증기 또는 수증기 공급부(966)로부터 순수 증기를 제공받아 기판(W) 상으로 공급한다. In the pretreatment step, the second nozzle 980 receives pure steam from the chemical vapor or steam supply 966 from the steam generator 964 and supplies the pure steam onto the substrate W.

전처리 단계에서 케미칼 증기는 세정 용액 또는 기판 표면에 대한 식각 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질이 용해되어 있는 수증기 또는 순수 수증기가 사용될 수 있다. In the pretreatment step, the chemical vapor may be water vapor or pure water vapor in which at least one gaseous substance having an etching action on the cleaning solution or the substrate surface is dissolved.

도 9에서와 같이, 용액 클리닝 단계는 세정 용액을 기판 표면으로 토출하여 기판 표면을 세정하게 된다. 용액 클리닝 단계는 대기압 환경에서 이루어진다. 세정용액은 중앙 분사노즐(986)을 통해 회전하는 기판 상부로 공급된다. As shown in Figure 9, the solution cleaning step is to discharge the cleaning solution to the substrate surface to clean the substrate surface. The solution cleaning step takes place in an atmospheric pressure environment. The cleaning solution is supplied to the rotating substrate through the central spray nozzle 986.

이와 같이, 케미컬 증기 또는 순수 수증기 등의 선 토출로 표면 침투 및 개질이 시작되므로 높은 AR을 가진 패턴 면의 깊숙이 존재하는 스몰 파티클(식각 잔류물)로의 침투가 용이하다.As such, surface penetration and reforming are initiated by linear discharge such as chemical vapor or pure water vapor, so that penetration into small particles (etch residues) deep in the pattern plane with high AR is easy.

도 10은 건조 단계를 설명하기 위한 도면이다.10 is a diagram for explaining a drying step.

도 10을 참조하면, 건조 단계는 저진공 또는 대기압 상태의 챔버 분위기에서 회전하는 기판상으로 건조를 위한 IPA 증기, 또는 페시베이션이 가능한 증기 또는 반응이 없는 불활성기체 등을 제공하여 스핀 건조시 분위기를 형성한다.Referring to FIG. 10, the drying step provides an IPA vapor for drying, a passivation capable vapor, or an inert gas without reaction on a rotating substrate in a chamber atmosphere in a low vacuum or atmospheric pressure to provide an atmosphere during spin drying. Form.

건조 단계에서 IPA 증기, 또는 페시베이션이 가능한 증기를 공급함으로써 패턴 사이사이 표면 에너지 조절 및 소수성 개질 등으로 리닝 발생을 감소시킬 수 있다.By supplying IPA steam, or passivable steam in the drying step, the occurrence of lining can be reduced by surface energy control and hydrophobic modification between the patterns.

또한, 건조 단계에서 불활성기체 또는 초순수 증기를 공급할 경우 정전기 발생을 축소시킬 수 있다.In addition, when inert gas or ultrapure water vapor is supplied in the drying step, it is possible to reduce the generation of static electricity.

도 11a 내지 도 14는 본 발명의 다른 예를 보여주는 도면이다.11A to 14 illustrate another example of the present invention.

본 실시예에 따르면, 세정 단계시 기판상에 전기장을 형성하여 기판 표면으로부터 식각 잔류물의 거동을 유도하여 세정 효율을 높일 수 있다. 전기장 유도는 바이어스 파워를 이용한 전기장 유도와 교류전류를 이용한 전기장 유도가 적용될 수 있다. According to the present embodiment, an electric field is formed on the substrate during the cleaning step to induce the behavior of the etching residue from the surface of the substrate, thereby increasing the cleaning efficiency. The electric field induction may be applied to an electric field induction using a bias power and an electric field induction using an alternating current.

도 11a 및 도 11b는 기판 세정 공정에서 바이어스 파워를 이용한 전기장 유도 방식을 설명하기 위한 도면이다.11A and 11B are diagrams for describing an electric field induction method using bias power in a substrate cleaning process.

도 11a에서와 같이, 전기장의 형성 방향은 (+) 전극에서 (-) 전극 방향이며, (+)/(-)의 바이어스가 주어질 때, +이온을 가지는 입자(파티클)는 전위차에 따라 F=qE의 힘(Field)가 주어지게 된다. As shown in FIG. 11A, the direction in which the electric field is formed is from the (+) electrode to the (−) electrode, and given a bias of (+) / (−), the particles (particles) having + ions are represented by F = according to the potential difference. The force of qE is given.

따라서, 도 11b에서와 같이 스핀 헤드(210) 내에 하부 전극(710)을 제공하고, 노즐 암에 상부 전극(판 형상의 도체)(720)를 장착하여 전극에 바이어스 파워를 인가하면, 세정 공정시 E-field의 거동으로 (+)극성을 갖는 스몰 파티클(식각 잔류물)이 기판(W) 상면으로 이동하기 더욱 용이해진다.Therefore, as shown in FIG. 11B, when the lower electrode 710 is provided in the spin head 210 and the upper electrode (plate-shaped conductor) 720 is mounted on the nozzle arm to apply bias power to the electrode, the cleaning process is performed. The behavior of the E-field makes it easier for small particles (etch residues) having a positive polarity to move to the upper surface of the substrate W.

도 12는 스핀 헤드(210)에 설치되는 하부 전극(710)을 보여주는 도면으로, 하부 전극(710)은 링 형태로 다수개가 설치될 수 있으며, 또 한, 각각의 링 전극들은 서로 스핀 헤드(210)의 회전중심으로부터 방사상으로 형성된 크로스 바(712)에 의해 상호 연결될 수 있는 다양한 전극 형태를 제공할 수 있다. 12 is a view showing the lower electrode 710 installed in the spin head 210, a plurality of lower electrodes 710 may be installed in the form of a ring, each ring electrode is a spin head 210 with each other It is possible to provide various electrode shapes that can be interconnected by cross bars 712 radially formed from the center of rotation.

도 13a 내지 도 13b는 기판 세정 공정에서 교류 전류를 이용한 전기장 유도 방식을 설명하기 위한 도면이고, 도 14는 상부 전극의 다른 변형예를 보여주는 도면이다.13A to 13B are views for explaining an electric field induction method using an alternating current in a substrate cleaning process, and FIG. 14 is a view showing another modified example of the upper electrode.

도 13a은 고리 형태의 전극(도선 고리) 2개가 나란히 있을 때 제1전극에 전류의 값을 변화하면서 흘려주면 제2전극에 유도 전류가 흐르면서 전기장이 형성되는 원리를 보여주고 있다. FIG. 13A illustrates a principle in which an electric field is formed while an induced current flows in the second electrode when two loop-shaped electrodes (conductor rings) are side-by-side with a current value flowing to the first electrode.

이러한 원리를 기판 세정에 적용하면, 도 13b에서와 같이, 바이어스 파워와는 달리 한쪽 전극에만 전류를 흔들어 주면 자기장이 형성되므로, 한 쪽 전극에만 전기적인 힘(current를 흔들어 주면) 식각 잔류물 거동에 영향을 주게 된다. 여기서, 하부 전극(730)은 스핀 헤드(210) 내에 고리 형태로 제공될 수 있으며, 상부 전극(740)은 도 13b에서와 같은 넓은 구조의 노즐 바디(799) 내에 고리 형태로 제공될 수 있다. 이를 위해 상부 전극에 교류 전류값을 변화시키면서 인가하는 전원공급부(760)가 제공될 수 있다. Applying this principle to substrate cleaning, unlike in the bias power, as shown in FIG. Will be affected. Here, the lower electrode 730 may be provided in a ring shape in the spin head 210, and the upper electrode 740 may be provided in a ring shape in the nozzle body 799 having a wide structure as shown in FIG. 13B. To this end, a power supply unit 760 may be provided for applying the AC current value to the upper electrode.

만약, 고리 형태의 상부 전극을 노즐 내부에 장착하기 힘든 경우에는, 도 14에서와 같이, 고리 형태의 상부 전극(750)을 별도로 구성하여 스핀 헤드(210) 상부에 위치시킬 수 있으며, 이때 상부 전극(750)은 상하 이동이 가능한 승강 구조를 갖는 것이 바람직하다. If it is difficult to mount the ring-shaped upper electrode inside the nozzle, as shown in FIG. 14, the ring-shaped upper electrode 750 may be separately configured and positioned on the spin head 210, and at this time, the upper electrode It is preferable that 750 has a lifting structure which can move up and down.

상기와 같이 스핀 헤드(210)의 내부, 노즐 분사면 또는 하단면에 전극(도체 링 또는 도체판)을 장착하고 전기장을 유도하여, 딥 트랜치 패턴 내에 잔존하는 스몰 파티클(주로 (+)극성을 가짐)이 필트(Field)에서 주어지는 F=qE의 힘으로 트랜치 바깥쪽으로의 이동성을 줌으로써 세정 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, an electrode (conductor ring or conductor plate) is mounted on the inside of the spin head 210, the nozzle spray surface, or the bottom surface thereof, and induces an electric field, thereby having small particles (mainly (+) polarity) remaining in the deep trench pattern. Cleaning efficiency can be improved by providing mobility out of the trench with a force of F = qE given by the field.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

800 : 챔버 100 : 처리 용기
200 : 기판 지지부재 300 : 제1이동 노즐 부재
400 : 배기 부재 900 : 제2이동 노즐부재 800 chamber 100 processing vessel
200: substrate support member 300: first moving nozzle member
400: exhaust member 900: second moving nozzle member

Claims (14)

삭제delete 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판 표면을 식각하는 단계;
상기 기판 표면을 페시베이션하는 단계; 및
상기 기판 표면을 세정하는 단계를 포함하되;
상기 식각 단계는
기판 표면에 대한 식각 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질을 탈이온수에 용해시킨 제1용해수를 이용하여 기판 표면을 식각하고,
상기 페시베이션 단계는
기판 표면에 대한 페시베이션 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질을 탈이온수에 용해시킨 제2용해수를 이용하여 기판 표면을 페시베이션하며,
상기 기판 세정 단계는,
증기를 이용하여 챔버 내부 분위기를 치환하는 전처리 단계; 및
세정 용액을 이용하여 기판을 세정하는 용액 클리닝 단계를 포함하되;
상기 증기에는 상기 기판 표면에 대한 식각 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질이 용해되어 있는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
Etching the substrate surface;
Passivating the substrate surface; And
Cleaning the surface of the substrate;
The etching step is
Etching the substrate surface using first dissolved water in which at least one gaseous substance having an etching action on the substrate surface is dissolved in deionized water,
The passivation step
Passivating the substrate surface using a second dissolved water in which at least one gaseous substance having a passivation action on the substrate surface is dissolved in deionized water,
The substrate cleaning step,
A pretreatment step of replacing the atmosphere inside the chamber by using steam; And
A solution cleaning step of cleaning the substrate using the cleaning solution;
And at least one gaseous substance having an etching action on the surface of the substrate is dissolved in the vapor. 제2항에 있어서,
상기 전처리 단계는
저진공 상태의 챔버 분위기에서 이루어지고,
상기 용액 클리닝 단계는
대기압 상태의 챔버 분위기에서 이루어지는 기판 처리 방법.The method of claim 2,
The pretreatment step
In a low vacuum chamber atmosphere,
The solution cleaning step
A substrate processing method made in a chamber atmosphere at atmospheric pressure. 제2항에 있어서,
상기 세정 단계 이후에 기판을 건조하는 건조 단계를 더 포함하되;
상기 건조 단계는
저진공 또는 대기압 상태의 챔버 분위기에서 회전하는 기판상으로 건조를 위한 IPA 증기 또는 불활성 기체를 제공하는 기판 처리 방법.The method of claim 2,
A drying step of drying the substrate after the cleaning step;
The drying step
A substrate processing method for providing IPA vapor or inert gas for drying onto a rotating substrate in a chamber atmosphere at low vacuum or atmospheric pressure. 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 세정 단계는
기판상에 전기장을 형성하여 식각 잔류물이 기판 표면으로부터의 거동을 유도하는 기판 처리 방법.The method of claim 2,
The cleaning step
A substrate processing method in which an electric field is formed on a substrate so that the etching residues induce behavior from the surface of the substrate. 제6항에 있어서,
상기 전기장은
바이어스 파워 또는 교류전류를 인가하여 형성되는 기판 처리 방법.The method of claim 6,
The electric field
A substrate processing method formed by applying a bias power or an alternating current. 삭제delete 대기압 또는 저진공 분위기를 제공하는 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 내부공간에 설치되고, 기판이 놓여지는 기판 지지부재;
상기 기판 지지부재에 안착된 기판상으로 공정 유체를 공급하는 노즐부재;
상기 노즐부재에 증기와 세정용액을 선택적으로 공급하는 세정 유체 공급부;
상기 노즐 부재에 기판 표면에 대한 식각 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질을 탈이온수에 용해시킨 제1용해수를 공급하는 제1 용해수 공급부; 및
상기 노즐 부재에 기판 표면에 대한 페시베이션 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질을 탈이온수에 용해시킨 제2용해수를 공급하는 제2 용해수 공급부를 포함하고,
상기 증기에는
상기 기판 표면에 대한 식각 작용이 있는 적어도 1종 이상의 가스상 물질이 용해되어 있는 기판 처리 장치.A process chamber providing an atmospheric or low vacuum atmosphere;
A substrate support member installed in an inner space of the process chamber and on which a substrate is placed;
A nozzle member supplying a process fluid onto a substrate seated on the substrate support member;
A cleaning fluid supply unit selectively supplying steam and a cleaning solution to the nozzle member;
A first dissolved water supply unit supplying the first member with the first dissolved water in which at least one gaseous substance having an etching action on the surface of the substrate is dissolved in deionized water; And
A second dissolved water supply unit supplying the nozzle member with a second dissolved water in which at least one gaseous substance having a passivation action on the surface of the substrate is dissolved in deionized water,
On the steam
And at least one gaseous substance having an etching effect on the surface of the substrate is dissolved. 제9항에 있어서,
상기 노즐부재는,
상기 증기가 기판 전면에 분사되도록 증기를 분사하는 다수의 분사홀들이 형성된 원통형의 노즐 몸체; 및
상기 노즐 몸체의 중앙에 위치되고, 상기 세정 용액을 분사하는 중앙 분사노즐을 포함하는 기판 처리 장치. The method of claim 9,
The nozzle member,
A cylindrical nozzle body having a plurality of injection holes for injecting steam to inject the steam onto the substrate; And
And a central spray nozzle positioned at the center of the nozzle body to spray the cleaning solution. 제9항에 있어서,
상기 증기가 공급되는 동안에는 상기 공정 챔버는 저진공 분위기로 제공되고, 상기 세정용액이 공급되는 동안에는 상기 공정 챔버는 대기압 분위기로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The process chamber is provided in a low vacuum atmosphere while the steam is supplied, the process chamber is provided in an atmospheric pressure atmosphere while the cleaning solution is supplied. 삭제delete 제9항에 있어서,
상기 기판 지지부재와 상기 노즐부재 각각에는
바이어스 전류가 인가되는 전극들이 제공되는 기판 처리 장치. The method of claim 9,
Each of the substrate support member and the nozzle member
A substrate processing apparatus provided with electrodes to which a bias current is applied. 제9항에 있어서,
상기 기판 지지부재에 제공되는 링 형태의 제1전극;
상기 기판 상부에 위치되는 링 형태의 제2전극; 및
상기 제1전극과 상기 제2전극 중 적어도 하나에 교류 전류값을 변화시키면서 인가하는 전원공급부를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
A ring-shaped first electrode provided on the substrate support member;
A ring-shaped second electrode positioned on the substrate; And
And a power supply unit configured to apply an alternating current value to at least one of the first electrode and the second electrode.
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