JP4995669B2

JP4995669B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method

Info

Publication number: JP4995669B2
Application number: JP2007224264A
Authority: JP
Inventors: 和男上代; 久明松井
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2007-08-30
Filing date: 2007-08-30
Publication date: 2012-08-08
Anticipated expiration: 2027-08-30
Also published as: JP2009059795A

Description

この発明は、基板を回転させて基板を乾燥させる基板処理装置および基板処理方法に関する。なお、乾燥処理対象となる基板には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ：Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等が含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for drying a substrate by rotating the substrate. Substrates to be dried include semiconductor wafers, photomask glass substrates, liquid crystal display glass substrates, plasma display glass substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, and magnetic substrates. A disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and the like are included.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、基板を回転させながら基板に薬液やリンス液などの処理液を供給して基板に湿式処理を施すことが行われることがある。また、湿式処理後に基板に付着する処理液を除去すべく、いわゆるスピン乾燥処理が行われることがある。このように基板を回転させながら基板に所定の処理を施す装置としては、例えば特許文献１に記載された装置が知られている。 In a manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like, a wet process may be performed on a substrate by supplying a processing solution such as a chemical solution or a rinse solution to the substrate while rotating the substrate. In addition, a so-called spin drying process may be performed in order to remove a processing liquid attached to the substrate after the wet process. As an apparatus for performing predetermined processing on a substrate while rotating the substrate in this way, for example, an apparatus described in Patent Document 1 is known.

この特許文献１に記載された装置は、その内部に基板を処理する処理空間が形成された処理槽内に基板を水平姿勢で保持するチャックを有している。このチャックは、鉛直軸回りに回転自在に設けられ、回転駆動機構（回転手段）によって回転駆動される。また、チャックの周囲にはチャックを取り囲むようにカップが配設されている。このカップの底部には、カップ内で生じるパーティクルやミストなどの雰囲気を処理槽の外部に排気する排気ポンプ（排気手段）が排気管を介して接続されている。また、処理槽にはフィルタユニットが設けられており、フィルタユニットから処理槽内に清浄空気を供給することが可能となっている。そして、処理槽の内部と外部との圧力差を差圧検出器を用いて検出し、この検出結果に基づいてフィルタユニットによる処理槽への清浄空気の供給量を制御している。これにより、例えば排気ポンプの排気能力が変動した場合であっても、処理槽の内部と外部との圧力差を調整することによって、処理槽内に外気が流入したり、処理槽内の雰囲気が外部に漏れ出すのを防止することができる。 The apparatus described in Patent Document 1 has a chuck that holds a substrate in a horizontal posture in a processing tank in which a processing space for processing the substrate is formed. This chuck is provided so as to be rotatable about a vertical axis, and is rotationally driven by a rotational drive mechanism (rotating means). A cup is disposed around the chuck so as to surround the chuck. An exhaust pump (exhaust means) for exhausting the atmosphere such as particles and mist generated in the cup to the outside of the processing tank is connected to the bottom of the cup via an exhaust pipe. Moreover, the filter unit is provided in the processing tank, and it is possible to supply clean air from the filter unit into the processing tank. Then, a pressure difference between the inside and outside of the processing tank is detected using a differential pressure detector, and the amount of clean air supplied to the processing tank by the filter unit is controlled based on the detection result. Thereby, for example, even when the exhaust capacity of the exhaust pump changes, by adjusting the pressure difference between the inside and outside of the treatment tank, the outside air flows into the treatment tank or the atmosphere in the treatment tank It is possible to prevent leakage to the outside.

特開平１１−１１１６６４号公報（図１）JP-A-11-111664 (FIG. 1)

しかしながら、上記従来装置では、処理槽の内部と外部との圧力差を調整することはできても、カップの内部と外部との圧力差まで調整することはできない。このため、カップ内部の圧力値がカップ外部の圧力値よりも高くなった場合には、カップ内部の雰囲気がカップ外部に漏れ出すことがあった。特に、カップ内部に薬液雰囲気が含まれている場合には、薬液雰囲気がカップ外部に飛散し、カップ外部に配設された装置構成部材を汚染または腐食させるおそれがあった。 However, in the above-mentioned conventional apparatus, even if the pressure difference between the inside and outside of the treatment tank can be adjusted, the pressure difference between the inside and outside of the cup cannot be adjusted. For this reason, when the pressure value inside the cup becomes higher than the pressure value outside the cup, the atmosphere inside the cup sometimes leaks outside the cup. In particular, when a chemical atmosphere is contained inside the cup, the chemical atmosphere is scattered outside the cup, and there is a risk of contaminating or corroding the device components disposed outside the cup.

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、カップ内部の雰囲気がカップ外部に漏れ出すのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。 This invention is made in view of the said subject, and it aims at providing the substrate processing apparatus and substrate processing method which can prevent the atmosphere inside a cup leaking out of the cup exterior.

この発明にかかる基板処理装置は、基板を回転させて基板を乾燥させる基板処理装置であって、基板を支持するとともに回転可能に構成された回転支持部と、回転支持部を回転させる回転手段と、内部に回転支持部の周囲を取り囲むように内部空間が形成され、該内部空間の雰囲気が排気されるカップと、下端が回転支持部の上方の上方空間と内部空間との間に配置されるように回転支持部に対して相対的に昇降自在に立設されるとともに上方空間を取り囲むように中空の筒状部材で構成され、上方空間から内部空間に向かう気流を制御する気流制御手段と、気流制御手段を回転支持部に対して相対的に昇降させる昇降手段と、内部空間の圧力値を測定する内圧測定手段と、カップの外部空間の圧力値を測定する外圧測定手段と、昇降手段を制御して外圧値から圧力値を引いた差圧値が零または正の値となるように気流制御手段と回転支持部との間隔を調整する制御手段とを備えたことを特徴としている。 A substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus that rotates a substrate to dry the substrate, and includes a rotation support portion configured to support and rotate the substrate, and a rotation unit that rotates the rotation support portion. An internal space is formed so as to surround the periphery of the rotation support portion, and a cup for exhausting the atmosphere of the internal space is disposed between the upper space above the rotation support portion and the internal space. is composed of a hollow cylindrical member so as to surround the down relatively freely erected Rutotomoni upper space relative rotation support portion as a air flow control means for controlling the air flow directed from the upper space to the internal space, Lifting means for moving the air flow control means relative to the rotation support part, internal pressure measuring means for measuring the pressure value in the internal space, external pressure measuring means for measuring the pressure value in the external space of the cup, and lifting means Is characterized in that a control means for adjusting the spacing between the air flow control means so that differential pressure values obtained by subtracting the pressure value from the external pressure value and control is zero or a positive value and the rotation support portion.

このように構成された発明では、下端が回転支持部の上方の上方空間とカップ内部の内部空間との間に配置されるように気流制御手段が回転支持部に対して相対的に昇降自在に立設され、この気流制御手段により上方空間から内部空間に向かう気流を制御することが可能となっている。そして、気流制御手段を回転支持部に対して相対的に昇降させることによって、カップの外部空間の圧力値（以下「外圧値」という）から内部空間の圧力値（以下「内圧値」という）を引いた差圧値（以下、単に「差圧値」という）が零または正の値となるように気流制御手段と回転支持部との間隔が調整される。より具体的には、気流制御手段と回転支持部との間隔が調整されると、上方空間から内部空間に流入する気流の流入量が制御される。これにより、内圧値を調整し、差圧値が一定の関係、つまり零または正の値となるようにコントロールすることができる。このため、例えば排気手段の排気能力に変動が生じた場合であっても、気流制御手段を回転支持部に対して相対的に昇降させることによって外圧値を内圧値と同等またはそれ以上とすることができる。したがって、カップ内部の雰囲気がカップ外部に漏れ出すのを防止することができる。 In the invention thus configured, the airflow control means can be moved up and down relatively with respect to the rotation support portion so that the lower end is disposed between the upper space above the rotation support portion and the internal space inside the cup. The airflow control means is erected and can control the airflow from the upper space toward the internal space. Then, by raising and lowering the airflow control means relative to the rotation support portion, the pressure value in the internal space (hereinafter referred to as “internal pressure value”) is changed from the pressure value in the external space of the cup (hereinafter referred to as “external pressure value”). The distance between the airflow control means and the rotation support portion is adjusted so that the drawn differential pressure value (hereinafter simply referred to as “differential pressure value”) becomes zero or a positive value. More specifically, when the distance between the airflow control means and the rotation support unit is adjusted, the inflow amount of the airflow flowing from the upper space into the internal space is controlled. As a result, the internal pressure value can be adjusted and controlled so that the differential pressure value has a certain relationship, that is, zero or a positive value. For this reason, for example, even when the exhaust capability of the exhaust means varies, the external pressure value is made equal to or higher than the internal pressure value by raising and lowering the airflow control means relative to the rotation support portion. Can do. Therefore, it is possible to prevent the atmosphere inside the cup from leaking outside the cup.

ここで、基板を乾燥させている間、差圧値が零または正の値となるように昇降手段をリアルタイムで制御するようにしてもよいし、基板を乾燥させる直前に、差圧値が零または正の値となるように昇降手段を制御するようにしてもよい。前者の場合、基板を乾燥させている途中で排気手段の排気能力に変動が生じた場合であっても、排気手段の排気能力の変動に追随して差圧値を調整することができ、カップ内部の雰囲気がカップ外部に漏れ出すのを確実に防止することができる。 Here, while the substrate is being dried, the elevating means may be controlled in real time so that the differential pressure value becomes zero or a positive value, or just before the substrate is dried, the differential pressure value is zero. Or you may make it control a raising / lowering means so that it may become a positive value. In the former case, even if the exhaust means has a fluctuation in the exhaust capacity while the substrate is being dried, the pressure difference value can be adjusted following the fluctuation in the exhaust capacity of the exhaust means. It is possible to reliably prevent the internal atmosphere from leaking outside the cup.

また、基板上の液滴状の液体を振り切って基板から除去する基板処理装置においては、気流制御手段の下端が基板の上面よりも上方の上方位置に位置するように気流制御手段を位置決めした状態で回転支持部を第１回転速度で回転させて基板上の液体の大部分を振り切った後、気流制御手段の下端が基板上面と同一高さまたは基板上面よりも下方の下方位置に位置するように気流制御手段を移動させ、回転支持部を第１回転速度よりも高速の第２回転速度で回転させながら差圧値が零または正の値となるように昇降手段を制御するのが好ましい。 In the substrate processing apparatus that shakes off the liquid droplet on the substrate and removes it from the substrate, the airflow control means is positioned so that the lower end of the airflow control means is positioned above the upper surface of the substrate. After the rotation support portion is rotated at the first rotation speed and most of the liquid on the substrate is shaken off, the lower end of the airflow control means is positioned at the same height as the substrate upper surface or at a lower position below the substrate upper surface. It is preferable to move the air flow control means to control the elevating means so that the differential pressure value becomes zero or a positive value while rotating the rotation support portion at the second rotation speed higher than the first rotation speed.

このように構成された装置では、気流制御手段の下端が基板の上面よりも上方の上方位置に位置するように気流制御手段が決めされた状態で基板が第１回転速度で回転され、基板から液滴状の液体の大部分が振り切られる。このため、気流制御手段が基板から飛散する液体の障害となることがない。また、このとき基板は比較的低速（第２回転速度よりも低速）の第１回転速度で回転されているので、上方空間から内部空間に向かう気流が抑制されており、内圧値が上昇するのが防止される。その後、気流制御手段の下端が基板上面と同一高さまたは基板上面よりも下方の下方位置に位置するように気流制御手段が移動され、第１回転速度よりも高速の第２回転速度で基板が回転されながら差圧値が零または正の値となるように気流制御手段が回転支持部に対して相対的に昇降される。このように、基板上の液体の大部分を振り切った後は、基板からの液体の飛散が減少し、気流制御手段を回転支持部にさらに近接させることが可能となる。このため、気流制御手段の回転支持部に対する相対的な昇降範囲を拡大させることができる。したがって、排気手段の排気能力の大幅な変動に対しても的確に対応することができる。しかも、基板上の液体の大部分を振り切った後は、基板は比較的高速に回転されるので、乾燥時間を短縮し、装置のスループットを向上させることができる。 In the apparatus configured as described above, the substrate is rotated at the first rotational speed in a state where the airflow control unit is determined so that the lower end of the airflow control unit is positioned above the upper surface of the substrate, and the substrate is rotated from the substrate. Most of the liquid droplets are shaken off. For this reason, the airflow control means does not become an obstacle to the liquid scattered from the substrate. At this time, since the substrate is rotated at the first rotation speed that is relatively low speed (lower than the second rotation speed), the air flow from the upper space to the inner space is suppressed, and the internal pressure value increases. Is prevented. Thereafter, the airflow control means is moved so that the lower end of the airflow control means is located at the same height as the upper surface of the substrate or at a lower position below the upper surface of the substrate, and the substrate is moved at a second rotation speed higher than the first rotation speed. The airflow control means is moved up and down relative to the rotation support portion so that the differential pressure value becomes zero or a positive value while being rotated. Thus, after most of the liquid on the substrate has been shaken off, the scattering of the liquid from the substrate is reduced, and the airflow control means can be brought closer to the rotation support portion. For this reason, the relative raising / lowering range with respect to the rotation support part of an airflow control means can be expanded. Therefore, it is possible to accurately cope with a large fluctuation in the exhaust capacity of the exhaust means. Moreover, after most of the liquid on the substrate is shaken off, the substrate is rotated at a relatively high speed, so that the drying time can be shortened and the throughput of the apparatus can be improved.

また、この発明にかかる基板処理方法は、基板を支持するとともに回転可能に構成された回転支持部と、回転支持部を回転させる回転手段と、内部に回転支持部の周囲を取り囲むように内部空間が形成されたカップとを備えた基板処理装置を用いて、基板を回転させて基板を乾燥させる基板処理方法であって、内部空間の雰囲気を排気する排気工程と、内部空間の圧力値を測定する内圧測定工程と、カップの外部空間の圧力値を測定する外圧測定工程と、基板の乾燥直前または乾燥処理中に外部空間の圧力値から内部空間の圧力値を引いた差圧値が零または正の値となるように回転支持部の上方の上方空間から内部空間に向かう気流を制御する気流制御工程とを備え、気流制御工程では、下端が上方空間と内部空間との間に配置されるように立設されるとともに上方空間を取り囲むように中空の筒状部材で構成された気流制御手段を、回転支持部に対して相対的に昇降させて気流制御手段と回転支持部との間隔を調整することで上方空間から内部空間に向かう気流を制御することを特徴としている。 In addition, the substrate processing method according to the present invention includes a rotation support unit configured to support and rotate the substrate, a rotation unit that rotates the rotation support unit, and an internal space so as to surround the periphery of the rotation support unit. A substrate processing method for rotating a substrate to dry the substrate by using a substrate processing apparatus having a cup formed with an evacuation process for exhausting the atmosphere of the internal space, and measuring the pressure value of the internal space The internal pressure measuring step, the external pressure measuring step for measuring the pressure value in the external space of the cup, and the differential pressure value obtained by subtracting the internal space pressure value from the external space pressure value immediately before or during the drying of the substrate is zero or An air flow control step for controlling an air flow from the upper space above the rotation support portion to the internal space so as to have a positive value, and in the air flow control step, a lower end is disposed between the upper space and the internal space. like And adjusting the distance between the airflow control means and the rotation support portion by moving the airflow control means formed of a hollow cylindrical member so as to surround the upper space relative to the rotation support portion. The airflow from the upper space to the inner space is controlled .

このように構成された発明では、基板の乾燥直前または乾燥処理中に外圧値から内圧値を引いた差圧値が零または正の値となるように回転支持部の上方の上方空間からカップ内部の内部空間に向かう気流が制御される。これにより、内圧値を調整し、差圧値が一定の関係、つまり零または正の値となるようにコントロールすることができる。このため、例えば内部空間の雰囲気に対する排気能力に変動が生じた場合であっても、外圧値を内圧値と同等またはそれ以上とすることができる。したがって、カップ内部の雰囲気がカップ外部に漏れ出すのを防止することができる。 In the invention configured as described above, from the space above the rotation support portion to the inside of the cup so that the differential pressure value obtained by subtracting the internal pressure value from the external pressure value becomes zero or positive immediately before drying the substrate or during the drying process. The airflow toward the interior space is controlled. As a result, the internal pressure value can be adjusted and controlled so that the differential pressure value has a certain relationship, that is, zero or a positive value. For this reason, for example, even when the exhaust capability with respect to the atmosphere of the internal space varies, the external pressure value can be equal to or higher than the internal pressure value. Therefore, it is possible to prevent the atmosphere inside the cup from leaking outside the cup.

また、この構成によれば、気流制御手段が回転支持部に対して相対的に昇降することによって気流制御手段と回転支持部との間隔が調整される。その結果、上方空間から内部空間に向かう気流を容易に制御することができる。
Further , according to this configuration, the airflow control unit moves up and down relatively with respect to the rotation support unit, thereby adjusting the interval between the airflow control unit and the rotation support unit. As a result, the airflow from the upper space toward the internal space can be easily controlled.

この発明によれば、外圧値から内圧値を引いた差圧値が零または正の値となるように回転支持部の上方の上方空間からカップ内部の内部空間に向かう気流が制御される。このため、例えば内部空間の雰囲気に対する排気能力に変動が生じた場合であっても、外圧値を内圧値と同等またはそれ以上とすることができ、カップ内部の雰囲気がカップ外部に漏れ出すのを防止することができる。 According to the present invention, the air flow from the upper space above the rotation support portion toward the internal space inside the cup is controlled so that the differential pressure value obtained by subtracting the internal pressure value from the external pressure value becomes zero or a positive value. For this reason, for example, even when the exhaust capacity with respect to the atmosphere of the internal space fluctuates, the external pressure value can be equal to or higher than the internal pressure value, and the atmosphere inside the cup can leak out of the cup. Can be prevented.

＜第１実施形態＞
図１はこの発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。図２は図１の基板処理装置を上方から見た平面図である。図３は図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、長方形の角型基板である液晶表示器（ＬＣＤ）用ガラス基板Ｓ（以下、単に「基板Ｓ」という）に希フッ酸等の薬液を供給して基板Ｓに対して薬液処理を施した後、基板Ｓに純水等のリンス液を供給して基板Ｓに対してリンス処理を施し、その後に基板Ｓを高速回転させて基板Ｓを乾燥（スピンドライ）させる装置である。 <First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 as viewed from above. FIG. 3 is a block diagram showing a control configuration of the substrate processing apparatus of FIG. This substrate processing apparatus supplies a chemical solution such as dilute hydrofluoric acid to a liquid crystal display (LCD) glass substrate S (hereinafter simply referred to as “substrate S”), which is a rectangular square substrate, to the substrate S. After the treatment, the substrate S is supplied with a rinsing liquid such as pure water to perform a rinsing treatment on the substrate S, and then the substrate S is rotated at a high speed to dry (spin dry) the substrate S. .

この基板処理装置は、基板Ｓに対して所定の処理を施す処理空間をその内部に有する処理チャンバー１０を備え、処理チャンバー１０内に基板Ｓを略水平姿勢で保持して回転させるスピンチャック１を有している。処理チャンバー１０の上方にはファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１０１が配設され、清浄な空気をダウンフローすることによって処理空間に供給することが可能となっている。 The substrate processing apparatus includes a processing chamber 10 having a processing space for performing a predetermined processing on the substrate S therein, and a spin chuck 1 that holds and rotates the substrate S in a substantially horizontal posture in the processing chamber 10. Have. A fan filter unit (FFU) 101 is disposed above the processing chamber 10 so that clean air can be supplied to the processing space by downflowing.

スピンチャック１では、回転支柱１１がモータを含むチャック回転機構１２の回転軸に連結されており、チャック回転機構１２の駆動により鉛直方向に伸びる回転軸Ｊ回りに回転支柱１１が回転する。この回転支柱１１の上端部には、スピンベース１３が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット８からの動作指令に応じてチャック回転機構１２を駆動させることによりスピンベース１３が回転軸Ｊ回りに回転する。このように、この実施形態では、スピンベース１３が本発明の「回転支持部」として、チャック回転機構１２が本発明の「回転手段」として機能する。 In the spin chuck 1, the rotating column 11 is connected to the rotating shaft of the chuck rotating mechanism 12 including a motor, and the rotating column 11 rotates about the rotating shaft J extending in the vertical direction by driving the chuck rotating mechanism 12. A spin base 13 is integrally connected to an upper end portion of the rotary support 11 by a fastening component such as a screw. Therefore, the spin base 13 rotates around the rotation axis J by driving the chuck rotation mechanism 12 in accordance with an operation command from the control unit 8 that controls the entire apparatus. Thus, in this embodiment, the spin base 13 functions as the “rotation support portion” of the present invention, and the chuck rotation mechanism 12 functions as the “rotation means” of the present invention.

スピンチャック１は、スピンベース１３の上面に固着されて基板Ｓの周縁部を支持する周縁支持ピン１４と、スピンベース１３の上面に固着されて基板Ｓの下面中央部を支持する中央支持ピン１５とを備えている。また、スピンベース１３およびピン１４，１５は、薬液処理を実行することを考慮して耐薬品性樹脂で構成されている。 The spin chuck 1 is fixed to the upper surface of the spin base 13 to support the peripheral portion of the substrate S, and the central support pin 15 is fixed to the upper surface of the spin base 13 to support the lower surface central portion of the substrate S. And. Further, the spin base 13 and the pins 14 and 15 are made of a chemical resistant resin in consideration of performing a chemical treatment.

スピンベース１３は、円筒形状のカップ２内に収容されている。カップ２は、スピンベース１３の周囲を取り囲んでおり、回転駆動される基板Ｓ（およびスピンベース１３）から飛散する希フッ酸等の薬液や純水等のリンス液（以下、薬液およびリンス液を総称して「処理液」という）を受け止めて回収することが可能となっている。より具体的には、カップ２の内部にはスピンベース１３の周囲を取り囲むように内部空間Ｓ１が形成されており、内部空間Ｓ１を介して飛散する処理液を回収することが可能となっている。この内部空間Ｓ１は下方側に第１の排気・排液空間２２と第２の排気・排液空間２３とを含んでいる。カップ２の底部中央領域は回転支柱１１を取り囲むようにカップ２の底部から円錐台状に上方に向けて盛り上がっており、カップ２の底部に立設された筒状の仕切部材２１と対向する内周壁を形成している。そして、この仕切部材２１とカップ２の内周壁とによって平面視でリング状の第１の排気・排液空間２２が形成されている。また、仕切部材２１とカップ２の外周壁とによって平面視でリング状の第２の排気・排液空間２３が形成されている。 The spin base 13 is accommodated in the cylindrical cup 2. The cup 2 surrounds the periphery of the spin base 13, and a chemical solution such as dilute hydrofluoric acid and a rinse solution such as pure water (hereinafter referred to as chemical solution and rinse solution) scattered from the rotationally driven substrate S (and the spin base 13). Collectively called “treatment liquid”) and can be collected. More specifically, an internal space S1 is formed inside the cup 2 so as to surround the periphery of the spin base 13, and it is possible to collect the processing liquid scattered through the internal space S1. . The internal space S1 includes a first exhaust / drainage space 22 and a second exhaust / drainage space 23 on the lower side. The central region of the bottom of the cup 2 swells upward in the shape of a truncated cone from the bottom of the cup 2 so as to surround the rotary column 11, and is opposed to the cylindrical partition member 21 erected on the bottom of the cup 2. A peripheral wall is formed. The partition member 21 and the inner peripheral wall of the cup 2 form a ring-shaped first exhaust / drainage space 22 in plan view. The partition member 21 and the outer peripheral wall of the cup 2 form a ring-shaped second exhaust / drainage space 23 in plan view.

第１の排気・排液空間２２の底部には排出管２４に接続された第１の排気・排液ポート２２ａが設けられている。同様にして、第２の排気・排液空間２３の底部には排出管２５に接続された第２の排気・排液ポート２３ａが設けられている。そして、排出管２４，２５から排出された処理液および排気は気液分離部２６に導かれる。気液分離部２６は、排液および排気を分離し、それらをそれぞれ排液管２７および排気管２８へと導く。また、排気管２８は、排気部２９へと排気を導く。排気部２９は、一般には基板処理装置が設置された工場の排気ユーティリティ（用力）である。また、排気部２９は工場の用力に限らず、複数台の基板処理装置に共用された排気装置であってもよい。 A first exhaust / drainage port 22 a connected to a discharge pipe 24 is provided at the bottom of the first exhaust / drainage space 22. Similarly, a second exhaust / drainage port 23 a connected to the discharge pipe 25 is provided at the bottom of the second exhaust / drainage space 23. Then, the processing liquid and exhaust discharged from the discharge pipes 24 and 25 are guided to the gas-liquid separation unit 26. The gas-liquid separation unit 26 separates the drained liquid and the exhaust, and guides them to the drain pipe 27 and the exhaust pipe 28, respectively. Further, the exhaust pipe 28 guides exhaust to the exhaust part 29. The exhaust unit 29 is generally an exhaust utility (utility) in a factory where a substrate processing apparatus is installed. Further, the exhaust unit 29 is not limited to the utility of the factory, and may be an exhaust device shared by a plurality of substrate processing apparatuses.

また、内部空間Ｓ１であって、第１および第２の排気・排液空間２２、２３の上方には、セパレータ３が昇降自在に設けられている。このセパレータ３はスピンチャック１に保持された基板Ｓの周囲を包囲するように回転軸Ｊに対して略回転対称な形状を有する。セパレータ３は、セパレータ昇降機構３１と接続され、制御ユニット８からの動作指令に応じてセパレータ昇降機構３１の昇降駆動用アクチェータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、セパレータ３をスピンチャック１に対して鉛直方向に昇降させることが可能となっている。セパレータ３は、スピンチャック１に保持された基板Ｓを円環状に包囲するように筒状に配設され、スピンベース１３と同心円状に内方から外方に向かって配された２つのガード部材３２、３３からなる２段構造を備えている。これら２つのガード部材３２、３３は、内方のガード部材３２が外方のガード部材３３に対して高さが低くなるように配設されている。 In addition, the separator 3 is provided so as to be movable up and down above the first and second exhaust / drainage spaces 22 and 23 in the internal space S1. The separator 3 has a substantially rotationally symmetric shape with respect to the rotation axis J so as to surround the periphery of the substrate S held by the spin chuck 1. The separator 3 is connected to the separator lifting mechanism 31 and operates the lift driving actuator (for example, an air cylinder) of the separator lifting mechanism 31 in accordance with an operation command from the control unit 8, so that the separator 3 is attached to the spin chuck 1. On the other hand, it can be moved up and down in the vertical direction. The separator 3 is arranged in a cylindrical shape so as to surround the substrate S held by the spin chuck 1 in an annular shape, and is provided with two guard members concentrically with the spin base 13 and arranged from the inside to the outside. A two-stage structure consisting of 32 and 33 is provided. The two guard members 32 and 33 are arranged such that the inner guard member 32 is lower than the outer guard member 33.

径方向内側に位置するガード部材３２は、回転軸Ｊに対して回転対称な形状を有し、径方向外側に向かって斜め下方に傾斜した傾斜部３２ａが形成されるとともに傾斜部３２ａの下端部にはスピンベース１３と同心円状に円筒形状に形成され鉛直方向に伸びる垂直部３２ｂ、３２ｃが連なっている。各垂直部３２ｂ、３２ｃは、その上端で傾斜部３２ａの下端部を介して連結されており、この連結部分には円周方向に垂直部３２ｂと垂直部３２ｃとの間に円環状の溝３２ｄが形成されている。この溝３２ｄが仕切部材２１に嵌入されるとともに、垂直部３２ｂが第１の排気・排液空間２２内に、垂直部３２ｃが第２の排気・排液空間２３内に嵌入されるように、ガード部材３２が配置されている。 The guard member 32 located on the radially inner side has a rotationally symmetric shape with respect to the rotation axis J, and an inclined portion 32a inclined obliquely downward toward the radially outer side is formed, and a lower end portion of the inclined portion 32a A vertical portion 32b, 32c formed in a cylindrical shape concentrically with the spin base 13 and extending in the vertical direction is connected. Each vertical portion 32b, 32c is connected at its upper end via a lower end portion of the inclined portion 32a. An annular groove 32d is provided between the vertical portion 32b and the vertical portion 32c in the circumferential direction. Is formed. The groove 32d is inserted into the partition member 21, and the vertical portion 32b is inserted into the first exhaust / drainage space 22 and the vertical portion 32c is inserted into the second exhaust / drainage space 23. A guard member 32 is disposed.

一方で、径方向外側に位置するガード部材３３は、ガード部材３２の上方にガード部材３２から所定の間隔を隔てて、回転軸Ｊに対して回転対称な形状を有し、径方向外側に向かって斜め下方に傾斜した傾斜部３３ａが形成されるとともに傾斜部３３ａの下端部にはスピンベース１３と同心円状に円筒形状に形成され鉛直方向に伸びる垂直部３３ｂが連なっている。 On the other hand, the guard member 33 located on the radially outer side has a rotationally symmetric shape with respect to the rotation axis J at a predetermined interval above the guard member 32 and spaced from the guard member 32, and faces the radially outer side. In addition, an inclined portion 33a inclined obliquely downward is formed, and a vertical portion 33b formed in a cylindrical shape concentrically with the spin base 13 and extending in the vertical direction is connected to the lower end portion of the inclined portion 33a.

このような構成により、スピンチャック１に保持された基板Ｓの高さ位置に、ガード部材３２が位置しているとき、すなわち、セパレータ３がセパレータ昇降機構３１により上昇されたとき、回転される基板Ｓから振り切られる処理液が傾斜部３２ａで受け止められ、垂直部３２ｂに沿って第１の排気・排液空間２２に導かれる。その一方で、スピンチャック１に保持された基板Ｓの高さ位置に、ガード部材３３が位置しているとき、すなわち、セパレータ３がセパレータ昇降機構３１により下降されたとき、回転される基板Ｓから振り切られる処理液がガード部材３２とガード部材３３との間の空間を通って傾斜部３３ａで受け止められ、垂直部３３ｂに沿って第２の排気・排液空間２３に導かれる。 With such a configuration, when the guard member 32 is positioned at the height position of the substrate S held by the spin chuck 1, that is, when the separator 3 is raised by the separator lifting mechanism 31, the substrate that is rotated. The processing liquid shaken off from S is received by the inclined portion 32a and guided to the first exhaust / drainage space 22 along the vertical portion 32b. On the other hand, when the guard member 33 is positioned at the height position of the substrate S held by the spin chuck 1, that is, when the separator 3 is lowered by the separator lifting mechanism 31, the substrate S is rotated. The processing liquid to be shaken off is received by the inclined portion 33a through the space between the guard member 32 and the guard member 33, and is guided to the second exhaust / drainage space 23 along the vertical portion 33b.

この実施形態では、基板Ｓに対して希フッ酸等の薬液を供給する際にはセパレータ３を上昇させ、基板Ｓから振り切られる薬液を第１の排気・排液空間２２に導く一方で、基板Ｓに対して純水等のリンス液を供給する際にはセパレータ３を下降させ、基板Ｓから振り切られる洗浄液を第２の排気・排液空間２３に導くようにしている。そして、第１の排気・排液空間２２に導かれ回収された薬液は、第１の排気・排液空間２２から排出管２４を介して気液分離部２６に排液され、再利用に供される一方、第２の排気・排液空間２３に導かれ回収されたリンス液は、第２の排気・排液空間２３から排出管２５を介して気液分離部２６に排液され、廃水処理される。 In this embodiment, when supplying a chemical solution such as dilute hydrofluoric acid to the substrate S, the separator 3 is raised, and the chemical solution shaken off from the substrate S is guided to the first exhaust / drainage space 22, while the substrate When supplying a rinsing liquid such as pure water to S, the separator 3 is lowered, and the cleaning liquid shaken off from the substrate S is guided to the second exhaust / drainage space 23. Then, the chemical liquid guided and collected to the first exhaust / drainage space 22 is drained from the first exhaust / drainage space 22 to the gas-liquid separation unit 26 via the discharge pipe 24 and is reused. On the other hand, the rinse liquid guided and collected to the second exhaust / drainage space 23 is drained from the second exhaust / drainage space 23 to the gas-liquid separator 26 via the discharge pipe 25, and wastewater is discharged. It is processed.

また、カップ２の上部中央領域には開口２ｃが形成されており、開口２ｃを介してスピンチャック１に保持された基板Ｓに対して処理液として薬液およびリンス液を供給すべく、薬液ノズル４およびリンスノズル５がそれぞれスピンベース１３の上方の上方空間ＵＳに配置可能とされている。これら薬液ノズル４およびリンスノズル５は、それぞれ薬液ノズル移動機構４１およびリンスノズル移動機構５１により移動可能とされている（図２）。 In addition, an opening 2c is formed in the upper center region of the cup 2, and a chemical solution nozzle 4 is used to supply a chemical solution and a rinsing solution as a processing solution to the substrate S held by the spin chuck 1 through the opening 2c. The rinse nozzle 5 can be disposed in the upper space US above the spin base 13. The chemical nozzle 4 and the rinse nozzle 5 are movable by a chemical nozzle moving mechanism 41 and a rinse nozzle moving mechanism 51, respectively (FIG. 2).

薬液ノズル４の胴部には支持アーム４２が取り付けられ、薬液ノズル４は支持アーム４２ごと薬液ノズル移動機構４１によって揺動および昇降される。すなわち、制御ユニット８の動作指令に応じて薬液ノズル移動機構４１が駆動されることで、上方空間ＵＳで基板Ｓの上方から基板Ｓに薬液を供給する処理位置Ｐ４１（図１の実線で示す位置）と、上方空間ＵＳから側方に離間した待機位置Ｐ４２（図１の破線で示す位置）とを結ぶノズル移動経路に沿って薬液ノズル４が移動可能とされている。具体的には、支持アーム４２の昇降によって基板Ｓに対して薬液ノズル４が接離されるとともに、図２に示すように、旋回によって回動軸Ｐａ回りに揺動可能となっている。また、薬液ノズル４は、薬液供給ユニット４３と接続されており、制御ユニット８からの動作指令に応じて薬液供給ユニット４３から薬液が圧送されると、薬液ノズル４の吐出口から薬液が吐出され、基板Ｓの上面に薬液が供給される。 A support arm 42 is attached to the body of the chemical liquid nozzle 4, and the chemical liquid nozzle 4 is swung and moved up and down by the chemical liquid nozzle moving mechanism 41 together with the support arm 42. That is, the chemical liquid nozzle moving mechanism 41 is driven in accordance with the operation command of the control unit 8, whereby the processing position P41 for supplying the chemical liquid to the substrate S from above the substrate S in the upper space US (the position indicated by the solid line in FIG. 1). ) And a standby position P42 (a position indicated by a broken line in FIG. 1) spaced laterally from the upper space US along the nozzle movement path. Specifically, the chemical nozzle 4 is brought into and out of contact with the substrate S by raising and lowering the support arm 42 and, as shown in FIG. 2, can be swung around the rotation axis Pa by turning. Further, the chemical liquid nozzle 4 is connected to the chemical liquid supply unit 43, and when the chemical liquid is pumped from the chemical liquid supply unit 43 in accordance with an operation command from the control unit 8, the chemical liquid is discharged from the discharge port of the chemical liquid nozzle 4. The chemical solution is supplied to the upper surface of the substrate S.

一方、リンスノズル５を駆動するリンスノズル移動機構５１も薬液ノズル移動機構４１とほぼ同様な構成を有している。すなわち、リンスノズル５の胴部には支持アーム５２が取り付けられ、制御ユニット８の動作指令に応じてリンスノズル移動機構５１が駆動されることで、支持アーム５２が回動軸Ｐｂ回りに揺動および昇降される。これにより、リンスノズル５が上方空間ＵＳで基板Ｓの上方から基板Ｓにリンス液を供給する処理位置Ｐ５１と、上方空間ＵＳから側方に離間した待機位置Ｐ５２とを結ぶノズル移動経路に沿って移動可能とされている。また、リンスノズル５は、リンス液供給ユニット５３と接続されており、制御ユニット８からの動作指令に応じてリンス液供給ユニット５３からリンス液が圧送されると、リンスノズル５の吐出口からリンス液が吐出され、基板Ｓの上面にリンス液が供給される。 On the other hand, the rinse nozzle moving mechanism 51 that drives the rinse nozzle 5 also has substantially the same configuration as the chemical nozzle moving mechanism 41. That is, the support arm 52 is attached to the body of the rinse nozzle 5, and the rinse nozzle moving mechanism 51 is driven according to the operation command of the control unit 8, so that the support arm 52 swings around the rotation axis Pb. And lifted. As a result, the rinse nozzle 5 along the nozzle movement path that connects the processing position P51 for supplying the rinse liquid to the substrate S from above the substrate S in the upper space US and the standby position P52 spaced laterally from the upper space US. It can be moved. The rinse nozzle 5 is connected to the rinse liquid supply unit 53. When the rinse liquid is pumped from the rinse liquid supply unit 53 in accordance with an operation command from the control unit 8, the rinse nozzle 5 is rinsed from the discharge port of the rinse nozzle 5. The liquid is discharged, and the rinse liquid is supplied to the upper surface of the substrate S.

カップ２の上部中央領域に形成された開口２ｃは、回転軸Ｊを中心にスピンベース１３の径よりも大きな略円形に開口されており、開口２ｃの周囲にはカップ２の上面より上方に立ち上がった円環部２ｄが設けられている。この円環部２ｄの内方の空間を介して気流制御ドラム６（本発明の「気流制御手段」に相当）がスピンベース１３の上方に、鉛直方向に昇降自在に配設されている。気流制御ドラム６はドラム昇降機構６５と接続され、ドラム昇降機構６５の昇降駆動用アクチェータを作動させることで、気流制御ドラム６をスピンベース１３に近接させたり、逆にスピンベース１３の上方に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット８はドラム昇降機構６５を作動させることで、下位置Ｐ６１（図１の実線で示す位置）と上位置Ｐ６２（図１の一点破線で示す位置）とに気流制御ドラム６の高さ位置を変更可能となっている。さらに、ドラム昇降機構６５は気流制御ドラム６の移動量を連続的に設定することが可能となっており、気流制御ドラム６の移動量を制御することで気流制御ドラム６とスピンベース１３との間隔を任意に調整することができる。このように、この実施形態では、ドラム昇降機構６５が本発明の「昇降手段」として機能する。 The opening 2c formed in the upper central region of the cup 2 is opened in a substantially circular shape with the rotation axis J as the center and larger than the diameter of the spin base 13, and rises above the upper surface of the cup 2 around the opening 2c. An annular portion 2d is provided. An airflow control drum 6 (corresponding to the “airflow control means” of the present invention) is disposed above the spin base 13 through the space inside the annular portion 2d so as to be vertically movable. The airflow control drum 6 is connected to the drum lifting mechanism 65, and the lift driving actuator of the drum lifting mechanism 65 is operated to bring the airflow control drum 6 close to the spin base 13, or conversely, spaced above the spin base 13. It is possible to make it. Specifically, the control unit 8 operates the drum lifting mechanism 65 to move the airflow control drum between the lower position P61 (the position indicated by the solid line in FIG. 1) and the upper position P62 (the position indicated by the dashed line in FIG. 1). The height position of 6 can be changed. Further, the drum lifting mechanism 65 can continuously set the movement amount of the airflow control drum 6. By controlling the movement amount of the airflow control drum 6, the airflow control drum 6 and the spin base 13 can be controlled. The interval can be arbitrarily adjusted. Thus, in this embodiment, the drum lifting mechanism 65 functions as the “lifting means” of the present invention.

この実施形態では、基板Ｓに対して薬液処理およびリンス処理を施す際に気流制御ドラム６を上位置Ｐ６２に移動させる一方、基板Ｓに対して乾燥処理を施す際に気流制御ドラム６を下位置Ｐ６１に移動させる。ここで、下位置Ｐ６１は気流制御ドラム６の下端が基板Ｓの側方近傍に位置するように設定される一方、上位置Ｐ６２は気流制御ドラム６の下端とカップ２の上部とが略同じ高さとなる位置に設定される。この下位置Ｐ６１は、基板Ｓの大きさ、スピンベース１３の直径、基板Ｓの乾燥時の回転速度などに基づいて規定される。 In this embodiment, the airflow control drum 6 is moved to the upper position P62 when the chemical treatment and the rinse treatment are performed on the substrate S, while the airflow control drum 6 is moved to the lower position when the drying treatment is performed on the substrate S. Move to P61. Here, the lower position P61 is set so that the lower end of the airflow control drum 6 is positioned in the vicinity of the side of the substrate S, while the upper position P62 is a height where the lower end of the airflow control drum 6 and the upper part of the cup 2 are substantially the same. Is set to the position. The lower position P61 is defined based on the size of the substrate S, the diameter of the spin base 13, the rotational speed when the substrate S is dried, and the like.

気流制御ドラム６は、上方空間ＵＳを取り囲むように中空の円筒状部材で構成されている。気流制御ドラム６の内径は基板Ｓの最大回転径よりも若干大きく形成されており、気流制御ドラム６が下位置Ｐ６１に移動されることで、上方空間ＵＳ内の雰囲気を周囲雰囲気（内部空間Ｓ１）から遮断することが可能となっている。すなわち、気流制御ドラム６の下端が上方空間ＵＳと内部空間Ｓ１との間に配置されることによって、上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に向かう気流を制御することが可能となっている。また、気流制御ドラム６が下位置Ｐ６１より上方の上位置Ｐ６２に移動されることで、気流制御ドラム６がスピンベース１３の上方に退避する。これにより、基板Ｓから振り切られる処理液をセパレータ３を介して第１または第２の排気・排液空間２２、２３に回収可能となっている。 The airflow control drum 6 is configured by a hollow cylindrical member so as to surround the upper space US. The inner diameter of the airflow control drum 6 is slightly larger than the maximum rotation diameter of the substrate S, and the airflow control drum 6 is moved to the lower position P61, so that the atmosphere in the upper space US is changed to the ambient atmosphere (inner space S1). ). In other words, the lower end of the airflow control drum 6 is disposed between the upper space US and the internal space S1, so that the airflow from the upper space US toward the internal space S1 can be controlled. Further, the airflow control drum 6 is moved above the spin base 13 by moving the airflow control drum 6 to the upper position P62 above the lower position P61. As a result, the processing liquid shaken off from the substrate S can be collected in the first or second exhaust / drainage spaces 22 and 23 via the separator 3.

また、カップ２には本発明の「内圧測定手段」として内部圧力センサ７１が配設されており、この内部圧力センサ７１によって内部空間Ｓ１の圧力値（内圧値）Ｐｉｎが測定され、その測定結果に関連する信号が制御ユニット８に送られるように構成されている。一方、カップ２の外側には本発明の「外圧測定手段」として外部圧力センサ７２が配設されており、この外部圧力センサ７２によってカップ２の外部空間Ｓ２（処理チャンバー１０内の空間）の圧力値（外圧値）Ｐｏｕｔが測定され、その測定結果に関連する信号が制御ユニット８に送られるように構成されている。制御ユニット８では、内部圧力センサ７１および外部圧力センサ７２から送られてきた信号（圧力値）に基づいて外圧値Ｐｏｕｔから内圧値Ｐｉｎを引いた差圧値を導出する。そして、基板Ｓの乾燥時に、下記の式（１）の関係を満足するようにドラム昇降機構６５を制御して気流制御ドラム６を昇降させる。より具体的には、差圧値が零または正の値となるように気流制御ドラム６の高さ位置をフィードバック制御することで気流制御ドラム６とスピンベース１３との間隔を調整する。 The cup 2 is provided with an internal pressure sensor 71 as the “internal pressure measuring means” of the present invention. The internal pressure sensor 71 measures the pressure value (internal pressure value) Pin of the internal space S1, and the measurement result. A signal related to is sent to the control unit 8. On the other hand, an external pressure sensor 72 is disposed outside the cup 2 as the “external pressure measuring means” of the present invention, and the pressure in the external space S2 of the cup 2 (the space in the processing chamber 10) is provided by the external pressure sensor 72. A value (external pressure value) Pout is measured, and a signal related to the measurement result is sent to the control unit 8. The control unit 8 derives a differential pressure value obtained by subtracting the internal pressure value Pin from the external pressure value Pout based on signals (pressure values) sent from the internal pressure sensor 71 and the external pressure sensor 72. When the substrate S is dried, the air flow control drum 6 is moved up and down by controlling the drum lifting mechanism 65 so as to satisfy the relationship of the following formula (1). More specifically, the distance between the airflow control drum 6 and the spin base 13 is adjusted by feedback control of the height position of the airflow control drum 6 so that the differential pressure value becomes zero or a positive value.

（差圧値）＝Ｐｏｕｔ−Ｐｉｎ≧０・・・式（１） (Differential pressure value) = Pout−Pin ≧ 0 Expression (1)

次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図４ないし図６を参照しつつ説明する。ここでは、スピンチャック１に保持された基板Ｓに対して薬液処理を実行した後に、リンス処理を実行し、その後に基板Ｓを高速回転させて基板Ｓを乾燥（スピンドライ）させる場合について説明する。 Next, the operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described with reference to FIGS. Here, a case will be described in which the chemical treatment is performed on the substrate S held on the spin chuck 1 and then the rinse treatment is performed, and then the substrate S is rotated at a high speed to dry the substrate S (spin dry). .

図４は図１の基板処理装置の動作を説明するための図である。基板搬送手段（図示せず）により未処理の基板Ｓが装置内に搬入され、スピンチャック１に保持されると、セパレータ３を上昇させてスピンチャック１に保持された基板Ｓの高さ位置に、ガード部材３２を位置させる。このとき、気流制御ドラム６は上位置Ｐ６２に移動されており、基板Ｓから振り切られる処理液は第１の排気・排液空間２２に回収可能な状態とされる。 FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the substrate processing apparatus of FIG. When an unprocessed substrate S is carried into the apparatus by a substrate transfer means (not shown) and is held by the spin chuck 1, the separator 3 is raised to a height position of the substrate S held by the spin chuck 1. The guard member 32 is positioned. At this time, the airflow control drum 6 is moved to the upper position P62, and the processing liquid shaken off from the substrate S is in a state where it can be collected in the first exhaust / drainage space 22.

次に、チャック回転機構１２を駆動させることで、スピンチャック１に保持された基板Ｓを回転軸Ｊ回りに回転させる。この状態で、薬液ノズル移動機構４１の駆動により薬液ノズル４を待機位置Ｐ４２から処理位置Ｐ４１に移動させる（図４（ａ））。すなわち、薬液ノズル移動機構４１により薬液ノズル４を供給開始位置に移動し、さらに回転中心を通って供給終了位置に向かうように揺動させる。このノズル揺動に連動して薬液ノズル４から薬液を基板Ｓに供給する。これにより、基板Ｓの表面全体が薬液によって処理される。なお、回転する基板Ｓから遠心力によって振り切られた薬液はガード部材３２によって案内され、第１の排気・排液空間２２に導かれる。ここで、カップ２内は薬液雰囲気で満たされるが、気流制御ドラム６が上位置Ｐ６２に位置決めされていることで、薬液雰囲気が開口２ｃよりカップ２の外部に漏れ出すのが防止される。このように気流制御ドラム６はカップ２の内部雰囲気がカップ２の外部に漏洩するのを防止するガード機構としても機能する。所定時間の薬液処理が終了した後、薬液ノズル４への薬液の圧送が停止されるとともに薬液ノズル４が処理位置Ｐ４１から待機位置Ｐ４２に移動される。 Next, the substrate S held on the spin chuck 1 is rotated about the rotation axis J by driving the chuck rotating mechanism 12. In this state, the chemical nozzle 4 is moved from the standby position P42 to the processing position P41 by driving the chemical nozzle moving mechanism 41 (FIG. 4A). That is, the chemical solution nozzle moving mechanism 41 moves the chemical solution nozzle 4 to the supply start position, and further swings it toward the supply end position through the center of rotation. In conjunction with the nozzle swing, the chemical solution is supplied from the chemical solution nozzle 4 to the substrate S. Thereby, the whole surface of the substrate S is treated with the chemical solution. The chemical liquid shaken off by the centrifugal force from the rotating substrate S is guided by the guard member 32 and guided to the first exhaust / drainage space 22. Here, although the inside of the cup 2 is filled with a chemical atmosphere, the air flow control drum 6 is positioned at the upper position P62, so that the chemical atmosphere is prevented from leaking out of the cup 2 through the opening 2c. Thus, the airflow control drum 6 also functions as a guard mechanism that prevents the internal atmosphere of the cup 2 from leaking to the outside of the cup 2. After the chemical solution processing for a predetermined time is completed, the feeding of the chemical solution to the chemical solution nozzle 4 is stopped and the chemical solution nozzle 4 is moved from the processing position P41 to the standby position P42.

続いて、セパレータ３を下降させてスピンチャック１に保持された基板Ｓの高さ位置にガード部材３３を位置させる。これにより、基板Ｓから振り切られる処理液は第２の排気・排液空間２３に回収可能な状態とされる。また、リンスノズル移動機構５１を駆動させてリンスノズル５を待機位置Ｐ５２から処理位置Ｐ５１に移動させる（図４（ｂ））。このとき、気流制御ドラム６は上位置Ｐ６２に位置したままである。この状態で基板Ｓを回転させつつリンスノズル５を揺動させながらリンスノズル５からリンス液を基板Ｓに供給する。これにより、基板Ｓの表面全体にリンス液が供給され、基板Ｓに対してリンス処理が施される。なお、回転する基板Ｓから遠心力によって振り切られたリンス液はガード部材３３によって案内され、第２の排気・排液空間２３に導かれる。所定時間のリンス処理が終了した後、リンスノズル５へのリンス液の圧送が停止され、リンスノズル５が処理位置Ｐ５１から待機位置Ｐ５２に移動される。 Subsequently, the separator 3 is lowered and the guard member 33 is positioned at the height position of the substrate S held by the spin chuck 1. As a result, the processing liquid shaken off from the substrate S can be recovered in the second exhaust / drainage space 23. Further, the rinse nozzle moving mechanism 51 is driven to move the rinse nozzle 5 from the standby position P52 to the processing position P51 (FIG. 4B). At this time, the airflow control drum 6 remains in the upper position P62. In this state, the rinse liquid is supplied from the rinse nozzle 5 to the substrate S while rotating the rinse nozzle 5 while rotating the substrate S. Thus, the rinsing liquid is supplied to the entire surface of the substrate S, and the rinsing process is performed on the substrate S. The rinse liquid shaken off by the centrifugal force from the rotating substrate S is guided by the guard member 33 and guided to the second exhaust / drainage space 23. After the rinsing process for a predetermined time is completed, the pumping of the rinsing liquid to the rinsing nozzle 5 is stopped, and the rinsing nozzle 5 is moved from the processing position P51 to the standby position P52.

続いて、制御ユニット８は気流制御ドラム６を下位置Ｐ６１に下降させるとともに、セパレータ３を下降させてガード部材３３の上端がスピンベース１３の上面と略同じ高さとなるように位置決めする。また、チャック回転機構１２のモータの回転速度を高めて基板Ｓを高速回転させる（図４（ｃ））。ここでは、例えばリンス処理時の回転速度（最大で１５０ｒｐｍ）から乾燥時の回転速度（例えば４２５ｒｐｍ）まで基板Ｓの回転速度が高められる。 Subsequently, the control unit 8 lowers the airflow control drum 6 to the lower position P61 and lowers the separator 3 so that the upper end of the guard member 33 is positioned at substantially the same height as the upper surface of the spin base 13. Further, the rotation speed of the motor of the chuck rotating mechanism 12 is increased to rotate the substrate S at a high speed (FIG. 4C). Here, for example, the rotation speed of the substrate S is increased from the rotation speed during the rinsing process (up to 150 rpm) to the rotation speed during the drying (for example, 425 rpm).

ここで、気流制御ドラム６を昇降させることなく、一定の位置（下位置Ｐ６１）に配置した状態のままでは、基板Ｓの回転速度の増大に伴って基板Ｓの径方向外方に噴き出す気流、つまり上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に向かう気流が増加する。このとき、排気部２９の排気能力の低下が発生すると、内部空間Ｓ１の雰囲気を排気しきれずに内部空間Ｓ１の圧力値（内圧値）が上昇する。このため、カップ２の外部空間Ｓ２の圧力値（外圧値）との関係によっては、カップ２（開口２ｃ）と気流制御ドラム６との隙間から内部空間Ｓ１の雰囲気が漏れ出してしまう。より具体的には、図５に示すように、差圧値が負の値、つまり内圧値Ｐｉｎが外圧値Ｐｏｕｔよりも大きくなると、内部空間Ｓ１の雰囲気が外部空間Ｓ２に漏れ出してしまう。その結果、特に内部空間Ｓ１に薬液雰囲気が含まれている場合には、薬液雰囲気がカップ外部に飛散し、カップ外部に配設された装置構成部材を汚染または腐食させるおそれがあった。なお、排気部２９の排気能力が低下する場合としては、排気部２９に接続された他の基板処理装置が稼働する場合が考えられる。すなわち、基板処理装置が設置される工場では、１つの排気部２９に対して複数の装置が接続されることが一般的である。そのため、排気部２９に接続された他の基板処理装置が稼働している場合と、稼働していない場合とでは、排気部２９の排気能力（排気圧）が変動することは避けられない。このような他の基板処理装置の稼働状態によっては排気部２９の排気圧が２０％以上変動することがある。 Here, in the state where the airflow control drum 6 is not moved up and down and is disposed at a certain position (lower position P61), the airflow that is ejected radially outward of the substrate S as the rotational speed of the substrate S increases, That is, the airflow from the upper space US toward the internal space S1 increases. At this time, if the exhaust capacity of the exhaust part 29 is reduced, the atmosphere in the internal space S1 cannot be exhausted and the pressure value (internal pressure value) in the internal space S1 increases. For this reason, depending on the relationship with the pressure value (external pressure value) of the external space S2 of the cup 2, the atmosphere of the internal space S1 leaks from the gap between the cup 2 (opening 2c) and the airflow control drum 6. More specifically, as shown in FIG. 5, when the differential pressure value is a negative value, that is, the internal pressure value Pin becomes larger than the external pressure value Pout, the atmosphere in the internal space S1 leaks into the external space S2. As a result, particularly when the chemical atmosphere is contained in the internal space S1, the chemical atmosphere is scattered outside the cup, and there is a possibility that the apparatus constituent members arranged outside the cup are contaminated or corroded. In addition, as a case where the exhaust capability of the exhaust part 29 falls, the case where the other substrate processing apparatus connected to the exhaust part 29 operates is considered. That is, in a factory where a substrate processing apparatus is installed, a plurality of apparatuses are generally connected to one exhaust part 29. Therefore, it is inevitable that the exhaust capacity (exhaust pressure) of the exhaust unit 29 varies between when the other substrate processing apparatus connected to the exhaust unit 29 is operating and when it is not operating. The exhaust pressure of the exhaust unit 29 may fluctuate by 20% or more depending on the operating state of such other substrate processing apparatuses.

そこで、この実施形態では、基板Ｓを回転させながら基板Ｓの乾燥させる際に常に差圧値が零または正の値となるようにドラム昇降機構６５をリアルタイムでフィードバック制御している。より具体的には、制御ユニット８が、内圧値および外圧値をモニタリングしながら気流制御ドラム６の昇降により気流制御ドラム６とスピンベース１３との間隔を調整して上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に向かう気流を制御することで差圧値が零または正の値となるようにしている。 Therefore, in this embodiment, the drum elevating mechanism 65 is feedback-controlled in real time so that the differential pressure value always becomes zero or a positive value when the substrate S is dried while rotating the substrate S. More specifically, the control unit 8 adjusts the distance between the airflow control drum 6 and the spin base 13 by moving the airflow control drum 6 while monitoring the internal pressure value and the external pressure value, and moves from the upper space US to the internal space S1. The differential pressure value is set to zero or a positive value by controlling the air flow toward it.

図６は気流制御ドラムの昇降によって差圧値をコントロールする様子を示す図である。制御ユニット８は差圧値が零または正の値となるように気流制御ドラム６とスピンベース１３との間隔Ｇを調整する。例えば、図１の装置に対して排気部２９による排気が十分に実行されている状態においては、基板Ｓの回転速度の増大により上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に向かう気流が増加した場合でも、内圧値に大きな変化は見られない。つまり、上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に流入した気体は排気部２９に向けて排気され、内圧値の上昇が抑制される（図６（ａ））。その結果、ミスト状の処理液を含んだ雰囲気がカップ２外に十分に排気される。 FIG. 6 is a diagram showing how the differential pressure value is controlled by raising and lowering the airflow control drum. The control unit 8 adjusts the gap G between the airflow control drum 6 and the spin base 13 so that the differential pressure value becomes zero or a positive value. For example, in a state where exhaust by the exhaust unit 29 is sufficiently performed with respect to the apparatus of FIG. 1, even if the airflow from the upper space US toward the internal space S1 increases due to the increase in the rotation speed of the substrate S, the internal pressure There is no significant change in the value. That is, the gas that has flowed into the internal space S1 from the upper space US is exhausted toward the exhaust part 29, and an increase in the internal pressure value is suppressed (FIG. 6A). As a result, the atmosphere containing the mist processing liquid is sufficiently exhausted outside the cup 2.

その一方で、図１の装置に対する排気部２９の排気能力が低下した場合には、上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に向かう気流を十分にカップ２外に排気することが困難になり、内圧値が上昇することになる。そこで、制御ユニット８は差圧値が零または正の値に保たれるように間隔Ｇを調整する。具体的には、間隔Ｇを狭めて上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１への気体の流入を抑制する。これにより、内圧値の上昇が抑制され、差圧値が零または正の値に保たれる（図６（ｂ））。例えば、気流制御ドラム６が下位置Ｐ６１に位置決めされたときの間隔Ｇが３０ｍｍ程度である場合、当該位置（下位置Ｐ６１）を基準として気流制御ドラム６を＋５ｍｍ／−５ｍｍの範囲で昇降させることにより、排気部２９の排気能力の変動にかかわらず、差圧値が零または正の値となるように制御することが可能である。なお、上述のように、間隔Ｇを狭めて上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１への気体の流入を抑制すると、上方空間ＵＳ内に滞留する気体の量が増える。このように滞留する気体の量が増えた状態においても、上方空間ＵＳにはその上方からダウンフローが供給されているため、上方空間ＵＳから間隔Ｇを介した内部空間Ｓ１への気体の流れは維持されている。また、気流制御ドラム６は所定の高さ寸法を有しているため、上方空間ＵＳに滞留した気体が気流制御ドラム６の上端を越えて外部空間Ｓ２に漏れ出すことはない。 On the other hand, when the exhaust capacity of the exhaust unit 29 with respect to the apparatus of FIG. 1 is reduced, it becomes difficult to exhaust the airflow from the upper space US toward the internal space S1 to the outside of the cup 2 sufficiently. Will rise. Therefore, the control unit 8 adjusts the interval G so that the differential pressure value is maintained at zero or a positive value. Specifically, the gap G is narrowed to suppress the inflow of gas from the upper space US to the internal space S1. As a result, the increase in the internal pressure value is suppressed, and the differential pressure value is maintained at zero or a positive value (FIG. 6B). For example, when the gap G when the airflow control drum 6 is positioned at the lower position P61 is about 30 mm, the airflow control drum 6 is moved up and down in a range of +5 mm / −5 mm with the position (lower position P61) as a reference. Thus, it is possible to control the differential pressure value to be zero or a positive value regardless of the fluctuation of the exhaust capability of the exhaust part 29. As described above, when the gap G is narrowed to suppress the inflow of gas from the upper space US to the internal space S1, the amount of gas staying in the upper space US increases. Even in the state where the amount of the gas staying in this way is increased, since the down flow is supplied from above to the upper space US, the gas flow from the upper space US to the internal space S1 through the gap G is as follows. Maintained. Further, since the airflow control drum 6 has a predetermined height, the gas staying in the upper space US does not leak out to the external space S2 beyond the upper end of the airflow control drum 6.

こうして、内圧値および外圧値をモニタリングしながら差圧値に応じて適宜、気流制御ドラム６を昇降させながら基板Ｓの乾燥が進行する。ここで、気流制御ドラム６は上方空間ＵＳと内部空間Ｓ１との間に配置されていることから、内部空間Ｓ１に浮遊するミスト状の処理液の上方空間ＵＳへの巻き込みが防止され、ミスト状の処理液の基板Ｓへの付着が防止される。この基板Ｓの乾燥処理が終了すると、制御ユニット８は基板Ｓの回転を停止させる。その後、基板搬送手段が処理済の基板Ｓを装置から搬出して一連の基板処理が終了する。 Thus, the drying of the substrate S proceeds while raising and lowering the airflow control drum 6 as appropriate according to the differential pressure value while monitoring the internal pressure value and the external pressure value. Here, since the airflow control drum 6 is disposed between the upper space US and the internal space S1, the mist-like processing liquid floating in the internal space S1 is prevented from being caught in the upper space US, and thus the mist shape Is prevented from adhering to the substrate S. When the drying process of the substrate S is completed, the control unit 8 stops the rotation of the substrate S. Thereafter, the substrate transport means carries out the processed substrate S from the apparatus, and a series of substrate processing is completed.

以上のように、この実施形態によれば、気流制御ドラム６を昇降させることによって気流制御ドラム６とスピンベース１３との間隔Ｇを調整して差圧値を制御している。より具体的には、気流制御ドラム６の昇降により上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に流入する気流の流入量を調整し、差圧値が零または正の値となるようにフィードバック制御している。このため、例えば図１の装置に対する排気部２９の排気能力に変動が生じた場合であっても、気流制御ドラム６の昇降により外圧値を内圧値と同等またはそれ以上とすることができる。したがって、カップ２の内部雰囲気がカップ２の外部に漏れ出すのを防止することができる。つまり、図１の装置に対する排気部２９の排気能力の変動による影響を気流制御ドラム６の昇降により低減することが可能となっている。 As described above, according to this embodiment, the differential pressure value is controlled by adjusting the gap G between the airflow control drum 6 and the spin base 13 by moving the airflow control drum 6 up and down. More specifically, the amount of airflow flowing from the upper space US into the internal space S1 is adjusted by raising and lowering the airflow control drum 6, and feedback control is performed so that the differential pressure value becomes zero or a positive value. Therefore, for example, even when the exhaust capability of the exhaust unit 29 with respect to the apparatus of FIG. 1 varies, the external pressure value can be made equal to or higher than the internal pressure value by raising and lowering the airflow control drum 6. Therefore, it is possible to prevent the internal atmosphere of the cup 2 from leaking out of the cup 2. In other words, it is possible to reduce the influence of fluctuations in the exhaust capacity of the exhaust unit 29 on the apparatus of FIG.

また、気流制御ドラム６の昇降により差圧値が一定の関係となるようにコントロールすることで装置のスループットを向上させることができる。基板Ｓを短時間で乾燥させるためには、基板Ｓをより高速に回転させる必要がある。しかしながら、差圧値のコントロールを実行しない場合には、以下の理由により基板Ｓを高速に回転させることができなかった。すなわち、基板Ｓを高速回転させると、上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に流入する気流の流入量が増加する。ここで、図１の装置に対する排気部２９の排気能力が低下すると、上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に向かう気流により内圧値が大きく上昇する。その結果、カップ２の内部からカップ２の外部に雰囲気が漏れ出してしまう。このため、図１の装置に対する排気部２９の排気能力の低下が発生したとしても、カップ２の内部雰囲気が外部に漏洩しないという制約を守るべく、基板Ｓの回転速度を所定速度に制限する必要があった。その結果、基板Ｓの乾燥に時間を要していた。これに対し、この実施形態によれば、基板Ｓを乾燥させる際に基板Ｓを比較的高速に回転させても、排気部２９の排気能力の低下による内圧値の上昇を気流制御ドラム６の昇降により抑制することができる。すなわち、基板Ｓを乾燥させる際に図１の装置に対する排気部２９の排気能力が低下した場合であっても、気流制御ドラム６の昇降により差圧値が一定の関係となるようにコントロールすることが可能となっている。このため、基板Ｓを速やかに乾燥させることができ、装置のスループットを向上させることができる。 In addition, the throughput of the apparatus can be improved by controlling the differential pressure value to have a certain relationship by raising and lowering the airflow control drum 6. In order to dry the substrate S in a short time, it is necessary to rotate the substrate S at a higher speed. However, when the control of the differential pressure value is not executed, the substrate S cannot be rotated at a high speed for the following reason. That is, when the substrate S is rotated at a high speed, the inflow amount of the airflow flowing from the upper space US into the internal space S1 increases. Here, when the exhaust capacity of the exhaust unit 29 with respect to the apparatus of FIG. As a result, the atmosphere leaks from the inside of the cup 2 to the outside of the cup 2. For this reason, even if the exhaust capability of the exhaust part 29 with respect to the apparatus of FIG. 1 is reduced, it is necessary to limit the rotation speed of the substrate S to a predetermined speed in order to keep the restriction that the internal atmosphere of the cup 2 does not leak to the outside. was there. As a result, it took time to dry the substrate S. On the other hand, according to this embodiment, even if the substrate S is rotated at a relatively high speed when the substrate S is dried, an increase in the internal pressure value due to a decrease in the exhaust capacity of the exhaust unit 29 is caused to move up and down the air flow control drum 6. Can be suppressed. That is, when the substrate S is dried, even if the exhaust capability of the exhaust unit 29 with respect to the apparatus of FIG. 1 is reduced, the differential pressure value is controlled so as to have a certain relationship by raising and lowering the airflow control drum 6. Is possible. For this reason, the substrate S can be quickly dried, and the throughput of the apparatus can be improved.

また、この実施形態では、基板Ｓを回転させながら基板Ｓを乾燥させる際に差圧値が零または正の値となるようにドラム昇降機構６５をリアルタイムで制御している。このため、基板Ｓを乾燥させている途中で排気部２９（排気手段）の排気能力に変動が生じた場合であっても、その変動に追随して差圧値を調整することができ、カップ２の内部雰囲気がカップ２の外部に漏れ出すのを確実に防止することができる。 In this embodiment, the drum elevating mechanism 65 is controlled in real time so that the differential pressure value becomes zero or positive when the substrate S is dried while the substrate S is rotated. For this reason, even when the exhaust capability of the exhaust unit 29 (exhaust means) varies during the drying of the substrate S, the differential pressure value can be adjusted following the variation, and the cup It is possible to reliably prevent the internal atmosphere of 2 from leaking out of the cup 2.

＜第２実施形態＞
図７はこの発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。この第２実施形態にかかる基板処理装置が第１実施形態と大きく相違する点は、基板Ｓの乾燥のステップを２段階に分けて実行することにより、気流制御ドラム６の昇降範囲の拡大を図っている点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第１実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。 Second Embodiment
FIG. 7 is a view showing a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus according to the second embodiment is greatly different from that of the first embodiment in that the step of drying the substrate S is performed in two stages, thereby expanding the lifting range of the airflow control drum 6. It is a point. Since other configurations and operations are basically the same as those in the first embodiment, the same reference numerals are given here and description thereof is omitted.

この実施形態では、リンス処理後、基板Ｓ上に液滴状の液体が付着している状態で、気流制御ドラム６の下端が基板Ｓの上面よりも上方の上方位置Ｐｕに位置するように気流制御ドラム６が位置決めされる。また、このように気流制御ドラム６が位置決めされた状態で基板Ｓが比較的低速の第１回転速度Ｖ１で回転され、基板Ｓ上の液体の大部分が振り切られる（図７（ａ））。このため、気流制御ドラム６が基板Ｓから飛散する液体の障害となることがない。また、このとき基板Ｓは比較的低速に回転されているので、上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に向かう気流によって内圧値が上昇するのが抑制されている。 In this embodiment, after the rinsing process, the airflow is controlled so that the lower end of the airflow control drum 6 is located at the upper position Pu above the upper surface of the substrate S in a state where liquid droplets are attached on the substrate S. The control drum 6 is positioned. Further, with the airflow control drum 6 positioned as described above, the substrate S is rotated at the relatively low first rotation speed V1, and most of the liquid on the substrate S is shaken off (FIG. 7A). For this reason, the airflow control drum 6 does not become an obstacle to the liquid scattered from the substrate S. At this time, since the substrate S is rotated at a relatively low speed, the increase in the internal pressure value due to the airflow from the upper space US toward the inner space S1 is suppressed.

こうして、基板Ｓ上の液体の大部分が振り切られた後、気流制御ドラム６の下端が基板Ｓの上面と同一高さまたは基板Ｓの上面よりも下方の下方位置Ｐｄに位置するように気流制御ドラム６が位置決めされる。また、基板Ｓの回転速度が第１回転速度Ｖ１から第１回転速度Ｖ１よりも高速の第２回転速度Ｖ２に加速される（図７（ｂ））。そして、基板Ｓが第２回転速度Ｖ２で回転されながら差圧値が零または正の値となるように気流制御ドラム６が昇降される（図７（ｃ））。このように、基板Ｓ上の液体の大部分を振り切った後は、基板Ｓからの液体の飛散が減少し、気流制御ドラム６をスピンベース１３にさらに近接させることが可能となる。このため、気流制御ドラム６のスピンベース１３に対する昇降範囲を拡大させることができる。したがって、排気手段の排気能力の大幅な変動に対しても的確に対応することができる。しかも、基板Ｓ上の液体の大部分を振り切った後は、基板Ｓは比較的高速に回転されるので、乾燥時間を短縮し、装置のスループットを向上させることができる。 Thus, after most of the liquid on the substrate S is shaken off, the air flow control is performed so that the lower end of the air flow control drum 6 is located at the same height as the upper surface of the substrate S or at the lower position Pd below the upper surface of the substrate S. The drum 6 is positioned. Further, the rotation speed of the substrate S is accelerated from the first rotation speed V1 to the second rotation speed V2 that is faster than the first rotation speed V1 (FIG. 7B). Then, the airflow control drum 6 is moved up and down so that the differential pressure value becomes zero or a positive value while the substrate S is rotated at the second rotation speed V2 (FIG. 7C). Thus, after most of the liquid on the substrate S is shaken off, the scattering of the liquid from the substrate S is reduced, and the airflow control drum 6 can be brought closer to the spin base 13. For this reason, the raising / lowering range with respect to the spin base 13 of the airflow control drum 6 can be expanded. Therefore, it is possible to accurately cope with a large fluctuation in the exhaust capacity of the exhaust means. Moreover, after most of the liquid on the substrate S is shaken off, the substrate S is rotated at a relatively high speed, so that the drying time can be shortened and the throughput of the apparatus can be improved.

＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、高さ方向（鉛直方向）においてスピンベース１３を固定した状態で気流制御ドラム６を昇降させることにより気流制御ドラム６とスピンベース１３との間隔を調整しているが、これに限定されない。例えば、気流制御ドラム６を固定配置した状態でスピンベース１３を昇降させて気流制御ドラム６とスピンベース１３との間隔を調整してもよい。また、気流制御ドラム６とスピンベース１３の両方を昇降させて気流制御ドラム６とスピンベース１３との間隔を調整してもよい。 <Others>
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the distance between the airflow control drum 6 and the spin base 13 is adjusted by moving the airflow control drum 6 up and down while the spin base 13 is fixed in the height direction (vertical direction). It is not limited to. For example, the distance between the airflow control drum 6 and the spin base 13 may be adjusted by moving the spin base 13 up and down while the airflow control drum 6 is fixedly arranged. Further, the distance between the airflow control drum 6 and the spin base 13 may be adjusted by moving both the airflow control drum 6 and the spin base 13 up and down.

また、上記実施形態では、カップ２の内部雰囲気がカップ２の外部に漏れるのを防止する機能を兼ね備えた気流制御ドラム６を本発明の「気流制御手段」として用いているが、気流制御手段はこれに限定されない。スピンベース１３に対して相対的に昇降自在に立設され、上方空間ＵＳから内部空間Ｓ１に向かう気流を制御する部材であれば、本発明の「気流制御手段」として用いることができる。 In the above embodiment, the air flow control drum 6 having a function of preventing the internal atmosphere of the cup 2 from leaking outside the cup 2 is used as the “air flow control means” of the present invention. It is not limited to this. Any member can be used as the “air flow control means” of the present invention as long as it is a member that stands up and down relative to the spin base 13 and controls the air flow from the upper space US toward the internal space S1.

また、上記第１実施形態では、基板Ｓを回転させながら基板Ｓを乾燥させる際に差圧値が零または正の値となるようにドラム昇降機構６５をリアルタイムで制御しているが、これに限定されない。例えば基板Ｓを乾燥させる直前に差圧値を求めて該差圧値が零または正の値となるようにドラム昇降機構６５を制御するように構成してもよい。 In the first embodiment, the drum elevating mechanism 65 is controlled in real time so that the differential pressure value becomes zero or positive when the substrate S is dried while the substrate S is rotated. It is not limited. For example, the differential pressure value may be obtained immediately before the substrate S is dried, and the drum lifting mechanism 65 may be controlled so that the differential pressure value becomes zero or a positive value.

また、上記実施形態では、基板Ｓに対して薬液処理、リンス処理および乾燥処理を施す基板処理装置について説明しているが、本発明の適用はこれに限定されず、基板Ｓを回転させて基板Ｓを乾燥させる乾燥処理を少なくとも実行する基板処理装置全般について本発明を適用することができる。 Moreover, although the said embodiment demonstrated the substrate processing apparatus which performs a chemical | medical solution process, a rinse process, and a drying process with respect to the board | substrate S, application of this invention is not limited to this, The board | substrate S is rotated and a board | substrate is rotated. The present invention can be applied to all substrate processing apparatuses that perform at least a drying process for drying S.

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等を含む各種基板を回転させて基板を乾燥させる基板処理装置および基板処理方法に適用することができる。 This invention rotates various substrates including semiconductor wafers, glass substrates for photomasks, glass substrates for liquid crystal displays, glass substrates for plasma displays, FED substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, etc. Thus, the present invention can be applied to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for drying a substrate.

この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows 1st Embodiment of the substrate processing apparatus concerning this invention. 図１の基板処理装置を上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the substrate processing apparatus of Drawing 1 from the upper part. 図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the control structure of the substrate processing apparatus of FIG. 図１の基板処理装置の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the substrate processing apparatus of FIG. 基板の乾燥時に気流制御ドラムを昇降させない場合の課題を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the subject when not raising / lowering an airflow control drum at the time of drying of a board | substrate. 気流制御ドラムの昇降によって差圧値をコントロールする様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a differential pressure value is controlled by raising / lowering of an airflow control drum. この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment of the substrate processing apparatus concerning this invention.

Explanation of symbols

２…カップ
６…気流制御ドラム（気流制御手段）
８…制御ユニット（制御手段）
１２…チャック回転機構（回転手段）
１３…スピンベース（回転支持部）
７１…内部圧力センサ（内圧測定手段）
７２…外部圧力センサ（外圧測定手段）
Ｐｄ…下方位置
Ｐｕ…上方位置
Ｓ…基板
Ｓ１…内部空間
Ｓ２…外部空間
ＵＳ…上方空間
Ｖ１…第１回転速度
Ｖ２…第２回転速度 2 ... Cup 6 ... Airflow control drum (airflow control means)
8 ... Control unit (control means)
12 ... Chuck rotating mechanism (rotating means)
13 ... Spin base (rotating support)
71 ... Internal pressure sensor (internal pressure measuring means)
72 ... External pressure sensor (external pressure measuring means)
Pd ... Lower position Pu ... Upper position S ... Substrate S1 ... Internal space S2 ... External space US ... Upper space V1 ... First rotation speed V2 ... Second rotation speed

Claims

In the substrate processing apparatus for rotating the substrate and drying the substrate,
A rotation support unit configured to support and rotate the substrate;
A rotating means for rotating the rotation support portion;
An internal space is formed so as to surround the periphery of the rotation support portion, and a cup in which the atmosphere of the internal space is exhausted;
Hollow as the lower end surrounds the being relatively vertically movable upright with respect to the rotating support part Rutotomoni the upper space so as to be disposed between the upper upper space and the inner space of the rotation support portion It consists of a cylindrical member, and the air flow control means for controlling the air flow towards the interior space from the upper space,
Elevating means for elevating and lowering the airflow control means relative to the rotation support portion;
An internal pressure measuring means for measuring a pressure value of the internal space;
An external pressure measuring means for measuring the pressure value of the external space of the cup;
The distance between the airflow control unit and the rotation support unit is adjusted so that the differential pressure value obtained by subtracting the pressure value of the internal space from the pressure value of the external space becomes zero or a positive value by controlling the lifting means A substrate processing apparatus.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the elevating unit in real time so that the differential pressure value becomes zero or a positive value while the substrate is being dried.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the elevating unit so that the differential pressure value becomes zero or a positive value immediately before the substrate is dried.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein liquid droplets on the substrate are shaken off and removed from the substrate.
The control means rotates the rotation support portion at a first rotational speed in a state where the air flow control means is positioned so that a lower end of the air flow control means is positioned above an upper surface of the substrate. After shaking most of the liquid on the substrate, the airflow control means is moved so that the lower end of the airflow control means is located at the same height as the upper surface of the substrate or at a lower position below the upper surface of the substrate, The substrate processing apparatus which controls the said raising / lowering means so that the said differential pressure value may become zero or a positive value, rotating the said rotation support part at the 2nd rotation speed higher than the said 1st rotation speed.

A rotation support unit configured to support and rotate the substrate, a rotation unit that rotates the rotation support unit, and a cup in which an internal space is formed so as to surround the periphery of the rotation support unit. In the substrate processing method of rotating the substrate and drying the substrate using a substrate processing apparatus,
An exhaust process for exhausting the atmosphere of the internal space;
An internal pressure measuring step of measuring a pressure value of the internal space;
An external pressure measuring step for measuring the pressure value of the external space of the cup;
Immediately before or during drying of the substrate, the differential pressure value obtained by subtracting the pressure value of the internal space from the pressure value of the external space becomes zero or a positive value from the upper space above the rotation support unit. An air flow control process for controlling the air flow toward the internal space ,
In the airflow control step, an airflow control means that is configured so as to be disposed between the upper space and the internal space and is configured by a hollow cylindrical member so as to surround the upper space, Substrate processing characterized by controlling the air flow from the upper space to the internal space by adjusting the distance between the air flow control means and the rotation support portion by moving up and down relative to the rotation support portion. Method.