KR101908390B1 - Base material film for semiconductor processing sheet, semiconductor processing sheet, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수지밀도가 0.870∼0.900g/cm3, 융해 피크에서의 열유량이 2.5W/g 이하의 올레핀계 수지를 10∼70질량% 함유하는 수지조성물로 이루어지는 수지층(A)에 의해 구성된 기재필름(2)과, 기재필름(2)의 편면에 적층된 접착제층(3)을 구비한 반도체 가공시트(1)이다. 이러한 반도체 가공시트(1)는, 양호한 픽업 성능을 갖고, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하를 억제할 수 있다. The present invention relates to a resin composition comprising a resin layer (A) comprising a resin composition having a resin density of 0.870 to 0.900 g / cm 3 and containing 10 to 70 mass% of an olefin resin having a heat flow rate of 2.5 W / g or less at a melting peak A semiconductor processing sheet (1) comprising a base film (2) and an adhesive layer (3) laminated on one side of the base film (2). Such semiconductor-processed sheet 1 has a good pickup performance and can suppress deterioration over time of the pickup performance.

Description

반도체 가공시트용 기재필름, 반도체 가공시트 및 반도체 장치의 제조방법{BASE MATERIAL FILM FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING SHEET, SEMICONDUCTOR PROCESSING SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a base film for a semiconductor processing sheet, a semiconductor processing sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device,

본 발명은, 반도체의 가공, 예를 들면 다이싱 및 다이 본딩에 사용되는 반도체 가공시트, 해당 반도체 가공시트에 이용되는 기재필름 및 그것들을 사용한 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor processing sheet used for processing a semiconductor, for example, dicing and die bonding, a base film used for the semiconductor processing sheet, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

실리콘, 갈륨 비소 등의 반도체 웨이퍼 및 각종 패키지류(이하, 이것들을 정리하여 「피절단물」이라고 기재하는 경우가 있다)는, 대경(大徑)의 상태로 제조되고, 이것들은 소자소편(이하,「칩」이라 기재한다)으로 절단 분리(다이싱)되는 동시에 개별로 박리(픽업)된 후에, 다음 공정인 마운트 공정으로 옮겨진다. 이 때, 반도체 웨이퍼 등의 피절단물은, 미리 점착 시트에 첩착된 상태에서, 다이싱, 세정, 건조, 익스팬딩, 픽업 및 마운팅의 각 공정에 제공된다. Semiconductor wafers such as silicon, gallium arsenide, and various kinds of packages (hereinafter collectively referred to as " cut materials ") are manufactured in a large diameter state, (Hereinafter, referred to as " chip "), and is individually peeled (picked up), and then transferred to the mounting process, which is the next step. At this time, the object to be cut such as a semiconductor wafer is provided in each step of dicing, cleaning, drying, exposing, picking up, and mounting in a state of being adhered to the adhesive sheet in advance.

종래로부터, 피절단물의 다이싱 공정부터 픽업 공정에 이르는 공정에서는, 반도체 가공시트로서, 기재필름 위에 점착제층이 형성되어 이루어지는 다이싱 시트가 이용되고 있다. 구체적으로는, 피절단물은, 점착제층을 통하여 다이싱 시트에 고정된 상태에서 다이싱에 제공되고, 다이싱 후의 칩은, 다이싱 시트의 점착제층으로부터 픽업된다. Conventionally, in a step from a dicing step to a pickup step of a material to be cut, a dicing sheet comprising a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base film is used as a semiconductor processed sheet. Specifically, the object to be cut is provided for dicing while being fixed to the dicing sheet through the pressure-sensitive adhesive layer, and the chip after dicing is picked up from the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing sheet.

한편, 픽업 공정 및 마운팅 공정의 프로세스를 간략화하기 위하여, 다이싱 기능과 칩을 접착하기 위한 기능을 동시에 겸비한 반도체 가공시트로서, 다이싱·다이 본딩 시트가 이용되는 것도 있다. 이러한 시트를 이용하는 경우, 피절단물은, 접착제층을 통하여 기재필름에 고정된 상태에서 다이싱에 제공되고, 다이싱 후의 칩은, 기재필름으로부터 접착제층과 함께 픽업된다. 그 다음에, 칩에 부착된 접착제층은, 해당 칩을 기판 등에 접착(마운팅)하는데 사용된다. 이러한 다이싱·다이 본딩 시트로서는, 예를 들면 특허문헌 1∼3에 개시되는 것을 들 수 있다. On the other hand, in order to simplify the processes of the pick-up process and the mounting process, a dicing and die bonding sheet is used as a semiconductor processed sheet having both a dicing function and a function for bonding a chip. When such a sheet is used, the material to be cut is provided to the dicing while being fixed to the base film through the adhesive layer, and the chip after dicing is picked up together with the adhesive layer from the base film. Then, the adhesive layer adhered to the chip is used to adhere (mount) the chip to a substrate or the like. Examples of such a dicing / die bonding sheet include those disclosed in Patent Documents 1 to 3.

상기와 동일한 다이싱·다이 본딩 시트에서, 접착제층이 부착된 칩을 픽업하는데는, 기재필름과 접착제층의 박리성이 양호한 것이 요구된다. In the same dicing and die bonding sheet as described above, when picking up a chip having an adhesive layer attached thereto, it is required that the base film and the adhesive layer have good peelability.

특개평2-32181호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-32181 특개2006-156754호 공보Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-156754 특개2007-012670호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-012670

그렇지만, 종래의 다이싱·다이 본딩 시트에서는, 특히, 시트를 장기 보관한 경우 등, 시간 경과에 따라 접착제층과 기재필름이 밀착되고, 그 결과, 기재필름과 접착제층의 박리성이 저하되어, 칩의 픽업을 양호하게 수행할 수 없게 되는 경우가 있었다. However, in the conventional dicing and die bonding sheet, in particular, when the sheet is stored for a long period of time, the adhesive layer and the base film adhere to each other with time, and as a result, the releasability of the base film and the adhesive layer is deteriorated, The pickup of the chip can not be performed well.

특히, 최근은 반도체 장치의 소형화·박형화에 따라, 해당 반도체 장치에 탑재되는 반도체 칩도 박형화가 진행되고 있기 때문에, 상기한 바와 같이 기재필름과 접착제층의 박리성이 저하되면, 칩의 픽업이 곤란하게 될 뿐만 아니라, 경우에 따라서는, 칩이 갈라지거나 빠지거나 하는 등의 불량이 발생된다. Particularly, in recent years, due to the miniaturization and thinning of semiconductor devices, the semiconductor chips mounted on the semiconductor devices are also becoming thinner. As described above, when the peelability of the base film and the adhesive layer is lowered, In addition, in some cases, defects such as cracking or falling out of the chips occur.

본 발명은, 상기와 동일한 실정에 비추어서 이루어진 것으로, 양호한 픽업 성능을 갖고, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하를 억제할 수 있는 반도체 가공시트용 기재필름 및 반도체 가공시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. It is an object of the present invention to provide a base film for a semiconductor processing sheet and a semiconductor processed sheet which have a good pickup performance and can suppress the deterioration of the pickup performance over time.

상기 목적을 달성하기 위하여, 첫번째로 본 발명은, 단층 또는 복층의 수지층으로 이루어지는 반도체 가공시트용 기재필름으로서, 상기 수지층의 적어도 1층이, 수지밀도가 0.870∼0.900g/cm3, 융해 피크에서의 열유량이 2.5W/g 이하의 올레핀계 수지를 10∼70질량% 함유하는 수지조성물로 이루어지는 수지층(A)인 것을 특징으로 하는 반도체 가공시트용 기재필름을 제공한다(발명1). In order to achieve the above object, the present invention first is a single layer or as a multilayer substrate for a semiconductor processing sheet made of a resin film of, the at least one layer of the resin layer, the resin density 0.870~0.900g / cm 3, melting (A) comprising a resin composition containing 10 to 70 mass% of an olefin resin having a heat flow rate at a peak of 2.5 W / g or less (Invention 1) .

본 발명에 따른 반도체 가공시트는, 특히 다이싱·다이 본딩 시트로서 바람직하게 사용할 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 한편, 본 발명에 따른 반도체 가공시트에는, 링 프레임을 첩부하기 위한 별도의 기재 및 점착제층을 갖는 것도 포함되는 것으로 한다. 게다가, 본 발명에서의 「시트」에는, 「테이프」의 개념도 포함되는 것으로 한다. The semiconductor processed sheet according to the present invention can be preferably used particularly as a dicing and die bonding sheet, but the present invention is not limited thereto. On the other hand, the semiconductor processing sheet according to the present invention also includes a substrate having a separate substrate and a pressure-sensitive adhesive layer for attaching the ring frame. In addition, the " sheet " in the present invention includes the concept of " tape ".

상기 발명(발명1)에 따른 반도체 가공시트용 기재필름은, 상기 수지조성물로 이루어지는 수지층(A)을 구비함으로써, 양호한 픽업 성능을 갖고, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하를 억제할 수 있다. The base film for a semiconductor processing sheet according to the above invention (Invention 1) has a good pickup performance by including the resin layer (A) made of the above resin composition, and it is possible to suppress deterioration of the pickup performance over time.

상기 발명(발명1)에 따른 반도체 가공시트용 기재필름은, 상기 수지층(A)과, 상기 수지층(A)을 구성하는 상기 수지조성물 이외의 재료로 이루어지는 수지층(B)의 2층으로 이루어져도 좋다(발명2). The base film for a semiconductor processing sheet according to the above invention (Invention 1) is a two-layered structure of the resin layer (A) and a resin layer (B) made of a material other than the resin composition constituting the resin layer (Invention 2).

상기 발명(발명1,2)에서는, 상기 올레핀계 수지의 융해 열량(ΔH)이, 85.0J/g 이하인 것이 바람직하다(발명3). In the above inventions (inventions 1 and 2), the heat of fusion (ΔH) of the olefin resin is preferably 85.0 J / g or less (invention 3).

상기 발명(발명1∼3)에서, 상기 수지층(A)을 구성하는 상기 수지조성물은, 상기 올레핀계 수지와, 상기 올레핀계 수지 이외의 올레핀계 수지로 이루어지는 것이 바람직하다(발명4). In the above inventions (inventions 1 to 3), the resin composition constituting the resin layer (A) preferably comprises the olefin resin and an olefin resin other than the olefin resin (invention 4).

상기 발명(발명1∼4)에서, 상기 수지층(A)의 연화 온도는, 90∼120℃인 것이 바람직하다(발명5). In the above inventions (Invention 1 to 4), the softening temperature of the resin layer (A) is preferably 90 to 120 ° C (Invention 5).

상기 발명(발명2∼5)에서, 상기 수지층(B)은, 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중체를 주성분으로 하는 수지조성물로 이루어지는 것이 바람직하다(발명6). In the above inventions (inventions 2 to 5), it is preferable that the resin layer (B) is made of a resin composition containing as a main component an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer (invention 6).

상기 발명(발명6)에서, 상기 수지층(B)의 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중체에서의 구성 성분으로서의 (메타) 아크릴산의 함유량은, 5∼20질량%인 것이 바람직하다(발명7). In the invention (Invention 6), the content of (meth) acrylic acid as a constituent component in the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer of the resin layer (B) is preferably 5 to 20 mass% (invention 7).

상기 발명(발명1∼7)에 따른 반도체 가공시트용 기재필름은, 기재필름과, 상기 기재필름의 편면에 적층된 접착제층을 구비하는 반도체가공용 시트의, 상기기재필름에 이용되는 것이 바람직하다(발명8). The base film for a semiconductor processing sheet according to the invention (inventions 1 to 7) is preferably used for the base film of a semiconductor processing sheet comprising a base film and an adhesive layer laminated on one side of the base film Invention 8).

상기 발명(발명8)에서, 상기 접착제층은, 아크릴 중합체, 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는 접착제 조성물로 구성되는 것이 바람직하다(발명9). In the invention (Invention 8), it is preferable that the adhesive layer is composed of an adhesive composition containing an acrylic polymer, an epoxy resin and a curing agent (Invention 9).

두번째로 본 발명은, 상기 반도체 가공시트용 기재필름(발명1∼9)과, 상기 반도체 가공시트용 기재필름의 편면에 적층된 접착제층을 구비한 반도체 가공시트를 제공한다(발명10).  Secondly, the present invention provides a semiconductor processed sheet comprising the base film for semiconductor processing sheets (inventions 1 to 9) and an adhesive layer laminated on one side of the base film for semiconductor processing sheet (invention 10).

상기 발명(발명10)에서, 상기 접착제층은, 아크릴 중합체, 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는 접착제 조성물로 구성되는 것이 바람직하다(발명11). In the invention (Invention 10), it is preferable that the adhesive layer is composed of an adhesive composition containing an acrylic polymer, an epoxy resin and a curing agent (invention 11).

상기 발명(발명10,11)에서, 상기 반도체 가공시트용 기재필름에서의 상기 수지층(A)은, 상기 접착제층과 접하고 있는 것이 바람직하다(발명12). In the invention (Invention 10 or 11), it is preferable that the resin layer (A) in the base film for semiconductor processing sheet is in contact with the adhesive layer (invention 12).

세번째로 본 발명은, 기재필름과, 상기 기재필름의 편면에 적층된 접착제층을 구비한 반도체 가공시트의 상기 접착제층을 통하여, 상기 반도체 가공시트를 반도체 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단하는 공정과, 상기 반도체 가공시트용 기재필름과 상기 접착제층의 계면에서 양자를 박리하여, 상기 접착제층이 부착된 칩으로 하는 공정과, 상기 접착제층이 부착된 칩을, 상기 접착제층을 통하여 회로가 부착된 기판에 접착하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법에 이용되는 반도체 가공시트로서, 상기 기재필름이, 상기 반도체 가공시트용 기재필름(발명1∼9)인 것을 특징으로 하는 반도체 가공시트를 제공한다(발명13). Thirdly, the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: attaching the semiconductor processing sheet to a semiconductor wafer via a base film and the adhesive layer of the semiconductor processing sheet having an adhesive layer laminated on one side of the base film; A step of peeling off both of them at the interface between the substrate film for semiconductor processing sheet and the adhesive layer to form a chip having the adhesive layer attached thereto; (1) to (9), wherein the base film is a base film for semiconductor processing sheets (inventions 1 to 9). Thereby providing a semiconductor processed sheet (invention 13).

네번째로 본 발명은, 상기 반도체 가공시트(발명10∼12)를, 상기 접착제층을 통하여 반도체 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단하는 공정과, 상기 반도체 가공시트용 기재필름과 상기 접착제층의 계면에서 양자를 박리하여, 상기 접착제층이 부착된 칩으로 하는 공정과, 상기 접착제층이 부착된 칩을, 상기 접착제층을 통하여 회로가 부착된 기판에 접착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법을 제공한다(발명14). Fourthly, the present invention is characterized in that the semiconductor processing sheet (invention 10 to 12) is attached to a semiconductor wafer via the adhesive layer, and then the semiconductor wafer is cut into semiconductor chips; Peeling off both from the interface of the adhesive layer to form a chip having the adhesive layer attached thereto and a step of adhering a chip having the adhesive layer to the substrate with the circuit through the adhesive layer (Claim 14).

본 발명에 따른 반도체 가공시트용 기재필름 및 반도체 가공시트는, 양호한 픽업 성능을 갖고, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하를 억제할 수 있다. The base film for a semiconductor processing sheet and the semiconductor processing sheet according to the present invention have good pickup performance and can suppress deterioration over time of the pickup performance.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 반도체 가공시트의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 반도체 가공시트의 단면도이다. 1 is a sectional view of a semiconductor processed sheet according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a semiconductor processed sheet according to a second embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

〔제1 실시 형태〕[First Embodiment]

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 반도체 가공시트의 단면도의 일례이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(1)는, 기재필름(2)과, 기재필름(2)의 편면(도 1에서는 상면)에 적층된 접착제층(3)을 구비하고 있다. 한편, 반도체 가공시트(1)의 사용 전에는, 접착제층(3)을 보호하기 위하여, 접착제층(3)의 노출면(도 1에서는 상면)에 박리가능한 박리 시트를 적층하여 두는 것이 바람직하다. 이 반도체 가공시트(1)는, 테이프 모양, 라벨 모양 등, 모든 형상을 취할 수 있다. 1 is an example of a cross-sectional view of a semiconductor processed sheet according to a first embodiment of the present invention. 1, the semiconductor processed sheet 1 according to the present embodiment includes a base film 2 and an adhesive layer 3 laminated on one surface (upper surface in Fig. 1) of the base film 2 Respectively. On the other hand, before use of the semiconductor processed sheet 1, it is preferable that a peelable peel sheet is laminated on the exposed surface (upper surface in Fig. 1) of the adhesive layer 3 in order to protect the adhesive layer 3. The semiconductor processed sheet 1 can take any shape such as a tape shape, a label shape, and the like.

본 실시 형태에서의 기재필름(2)은, 단층의 수지층(A)으로 이루어진다. 이 수지층(A)은, 수지밀도가 0.870∼0.900g/cm3이며, 융해 피크에서의 열유량이 2.5W/g이하인 올레핀계 수지(이하 「올레핀계 수지(D)」라고 하는 경우가 있다.)를 10∼70질량% 함유하는 수지조성물을 형성하여 이루어지는 것이다. The base film 2 in the present embodiment is composed of a single resin layer (A). This resin layer (A) is an olefin resin having a resin density of 0.870 to 0.900 g / cm 3 and a heat flow rate of 2.5 W / g or less at the melting peak (hereinafter sometimes referred to as "olefin resin (D) And 10 to 70 mass% of the resin composition.

여기에서, 본 명세서에서의 수지밀도는, JIS K7112에 준하여 측정하여 얻어지는 값으로 한다. 또한, 본 명세서에서, 융해 피크에서의 열유량은, 시차주사열량계(DSC)(시험예에서는, T·A·인스트루먼트사제, 형번:Q2000을 사용)에 의해 얻어지는 값으로 한다. 본 실시 형태에서는, DSC를 이용하여, 시료를 -40℃에서 250℃까지, 속도 20℃/min로 승온하고, -40℃까지 급속냉각을 수행하고, 다시, 속도 20℃/min로 250℃까지 승온하고, 250℃에서 5분간 유지한 후, 속도 20℃/min로 -40℃까지 강온시킴으로써, 융해 피크를 나타내는 융해 곡선을 얻고, 얻어진 융해 곡선으로부터, 융해 피크에서의 열유량 및 후술하는 융해 열량(ΔH)을 산출한다. Here, the resin density in this specification is a value obtained by measurement in accordance with JIS K7112. In the present specification, the heat flow rate at the melting peak is a value obtained by a differential scanning calorimeter (DSC) (manufactured by T · A Instrument Co., Ltd., model number: Q2000 is used). In the present embodiment, the sample is heated from -40 ° C to 250 ° C at a rate of 20 ° C / min using DSC, rapidly cooled to -40 ° C, and further cooled to 250 ° C at a rate of 20 ° C / The temperature was raised to 250 ° C for 5 minutes and then cooled to -40 ° C at a rate of 20 ° C / min to obtain a melting curve showing the melting peak. From the obtained melting curve, the heat flow rate at the melting peak, (? H).

상기한 바와 같이 수지밀도 및 융해 피크에서의 열유량이 규정된 올레핀계 수지(D)를 소정량 함유하는 수지조성물을 형성한 수지층(A)으로 이루어지는 기재필름(2)을 이용함으로써, 반도체 가공시트(1)는, 기재필름(2)과 접착제층(3)의 사이에서 양호한 박리성, 다시 말해 양호한 픽업 성능을 갖는 것이 되고, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하를 억제할 수 있는 것이 된다. 이러한 효과가 얻어지는 이유에 대하여는 반드시 명확하지 않지만, 수지조성물 중에 포함되는, 밀도 및 융해 피크에서의 열유량을 규정한 올레핀계 수지(D)의 결정성이 기여하고 있는 것으로 생각된다. By using the base film (2) comprising the resin layer (A) in which the resin composition containing the predetermined amount of the olefin resin (D) in which the heat density in the resin density and the melting peak is specified as described above is used, The sheet 1 has good peelability, that is, good pickup performance, between the base film 2 and the adhesive layer 3, and the degradation of the pickup performance over time can be suppressed. The reason why such an effect is obtained is not necessarily clarified, but it is believed that the crystallinity of the olefin resin (D), which is included in the resin composition and defines the heat flow rate at the density and the melting peak, contributes.

본 실시 형태에서의 올레핀계 수지(D)의 밀도는, 상기와 같이 0.870∼0.900g/cm3이며, 바람직하게는 0.890∼0.900g/cm3이며, 특히 바람직하게는 0.895∼0.900g/cm3이다. 올레핀계 수지(D)의 밀도가 0.870g/cm3 미만에서는, 올레핀계 수지(D)를 함유하는 수지조성물에 턱(tuck)이 발생되기 때문에, 수지조성물을 형성할 때에 호퍼 부분에서 막힘이 발생되거나, 형성한 필름을 감아서 빼면, 필름끼리 블로킹하는 등의 지장이 발생된다. 한편, 올레핀계 수지(D)의 밀도가 0.900g/cm3을 넘으면, 경시에 의해 기재필름(2)과 접착제층(3)의 박리성이 저하되어, 접착제층(3)의 기재필름(2)에 대한 픽업력이 상승하고, 상기의 양호한 픽업 성능 및 그 계속성의 효과가 얻어지지 않는다. The density of the olefin-based resin (D) of the present embodiment is a 0.870~0.900g / cm 3 as described above, preferably in the 0.890~0.900g / cm 3, particularly preferably 0.895~0.900g / cm 3 to be. The density of the olefin-based resin (D) 0.870g / cm 3 , A tuck is generated in the resin composition containing the olefin resin (D). Therefore, when clogging occurs in the hopper portion when the resin composition is formed, or when the formed film is wound and removed, And the like. On the other hand, if the density of the olefin resin (D) exceeds 0.900 g / cm 3 , the releasability of the base film (2) and the adhesive layer (3) ) Is increased, and the above-mentioned good pickup performance and continuity thereof are not effective.

본 실시 형태에서, 올레핀계 수지(D)의 융해 피크에서의 열유량은, 상기와 같이 2.5W/g 이하이며, 바람직하게는 2.3W/g 이하이다. 융해 피크에서의 열유량이 2.5W/g를 넘으면, 양호한 픽업 성능이 얻어지지 않는다. 또한, 본 실시 형태에서의 올레핀계 수지(D)의 융해 피크에서의 열유량의 하한은, 1.0W/g인 것이 바람직하다. 융해 피크에서의 열유량이 1.0W/g 이하이면, 수지층(A)의 표면이 끈적거려서, 수지조성물을 형성 가공할 때나, 형성한 기재필름(2)에 접착제층 형성용의 도포액을 도포하여 접착제층(3)을 형성할 때에, 핸들링성이 현저하게 저하되는 경우가 있다. In the present embodiment, the heat flow rate at the melting peak of the olefin resin (D) is 2.5 W / g or less, preferably 2.3 W / g or less as described above. If the heat flow rate at the melting peak exceeds 2.5 W / g, good pickup performance can not be obtained. The lower limit of the heat flow rate at the melting peak of the olefin resin (D) in the present embodiment is preferably 1.0 W / g. When the heat flow rate at the melting peak is 1.0 W / g or less, the surface of the resin layer (A) becomes tacky, and when the resin composition is formed or when the coating liquid for forming the adhesive layer is applied When the adhesive layer 3 is formed, the handling property may be remarkably lowered.

상기와 동일한 효과가 얻어지는 이유에 대하여는 반드시 명확하지 않지만, 융해 피크에서의 열유량이 2.5W/g 이하라면, 올레핀계 수지(D)의 분자량 분포가 어느정도 넓어짐으로써, 수지층(A)의 결정화도가 억제되고, 또한 접착제층(3)과의 사이에 저분자량 성분이 이행(移行)되게 되어, 양호한 픽업 성능이 발현된다고 생각된다. If the heat flow rate at the melting peak is 2.5 W / g or less, the molecular weight distribution of the olefin resin (D) becomes somewhat wider, and the crystallinity of the resin layer (A) And the low molecular weight component migrates between the adhesive layer 3 and the adhesive layer 3, so that a good pickup performance is expected to be developed.

또한, 본 실시 형태에서의 올레핀계 수지(D)의 융해 열량(ΔH)은, 85.0J/g 이하인 것이 바람직하고, 특히 83.0J/g 이하인 것이 바람직하고, 나아가서는 80.0J/g 이하인 것이 바람직하다. 올레핀계 수지(D)의 융해 열량(ΔH)이 85.0J/g를 넘으면, 양호한 픽업 성능이 얻어지지 않을 우려가 있다. 한편, 융해 열량(ΔH)의 하한값은, 밀도와의 관계나 각 수지의 골격으로 당연히 정해지지만, 이론상은 0인 것이 바람직하다. The heat of fusion (? H) of the olefin resin (D) in the present embodiment is preferably 85.0 J / g or less, particularly preferably 83.0 J / g or less, and more preferably 80.0 J / g or less . If the heat of fusion (? H) of the olefin resin (D) exceeds 85.0 J / g, there is a possibility that good pickup performance may not be obtained. On the other hand, the lower limit value of the heat of fusion? H is naturally determined by the relationship with the density and the skeleton of each resin, but it is preferably theoretically zero.

올레핀계 수지(D)로서는, 밀도 및 융해 피크에서의 열유량이 상기 범위내인, 올레핀 단량체로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 중합한 단독중합체 또는 공중합체가 바람직하다. 올레핀 단량체로서는, 탄소수 2∼18의 올레핀 단량체, 탄소수 3∼18의 α-올레핀 단량체 등을 들 수 있다. 이러한 올레핀 단량체로서는, 예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 2-부텐, 옥텐 등의 탄소수 2∼8의 올레핀 단량체; 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헥센, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1-테트라데센, 1-옥타데센 등의 α-올레핀 단량체 등을 들 수 있다. 이것들 올레핀 단량체의 단독중합체 또는 공중합체인 올레핀계 수지(D)는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. As the olefin resin (D), homopolymers or copolymers obtained by polymerizing one or more olefins selected from olefin monomers having a density and a heat flow rate in the melting peak within the above range are preferable. Examples of the olefin monomers include olefin monomers having 2 to 18 carbon atoms and? -Olefin monomers having 3 to 18 carbon atoms. Examples of such olefin monomers include olefin monomers having 2 to 8 carbon atoms such as ethylene, propylene, 2-butene and octene; 1-butene, 1-hexene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene and 1-octadecene, have. The olefin resin (D), which is a homopolymer or copolymer of these olefin monomers, may be used singly or as a mixture of two or more.

상기 올레핀계 수지(D)로서는, 에틸렌의 단독중합체 또는 공중합체가 바람직하고, 에틸렌과 α-올레핀 단량체와의 공중합체가 더욱 바람직하다. α-올레핀 단량체로서는, 상술의 것을 들 수 있다. 상기 올레핀계 수지(D) 중에서도, 단량체 단위로서 에틸렌을 60∼100질량%, 특히 70∼99.5질량% 함유하는, 에틸렌의 단독중합체 또는 공중합체(이하, 「폴리에틸렌」이라고 하는 경우가 있다. )가 바람직하다. As the olefin resin (D), a homopolymer or a copolymer of ethylene is preferable, and a copolymer of ethylene and an -olefin monomer is more preferable. As the? -olefin monomer, those described above may be mentioned. Among the olefinic resin (D), a homopolymer or copolymer of ethylene (hereinafter sometimes referred to as " polyethylene ") containing 60 to 100 mass%, particularly 70 to 99.5 mass% of ethylene as a monomer unit desirable.

한편, 본 명세서에서는, 밀도가 0.870g/cm3 이상, 0.910g/cm3 미만의 폴리에틸렌을 초저밀도 폴리에틸렌(VLDPE)이라고 한다. 본 실시 형태에서는, 해당 초저밀도 폴리에틸렌 중에서도 밀도가 0.870∼0.900g/cm3의 것을 올레핀계 수지(D)로서 선택하는 것이 바람직하다. 이러한 초저밀도 폴리에틸렌은, 상기의 조건을 만족하는 올레핀계 수지(D)로서 입수하기 쉽다. On the other hand, in the present specification, a density of 0.870g / cm 3 Or more, 0.910g / cm 3 Polyethylene is referred to as ultra low density polyethylene (VLDPE). In the present embodiment, it is preferable that among the corresponding ultra-low density polyethylene, the olefin resin (D) having a density of 0.870 to 0.900 g / cm 3 is selected. Such an ultra low density polyethylene is easily available as the olefin resin (D) satisfying the above conditions.

수지층(A)을 구성하는 수지조성물은, 상기 올레핀계 수지(D)를 8∼70질량% 함유하고, 바람직하게는 10∼65질량% 함유하고, 특히 바람직하게는 10∼50질량% 함유한다. 상기 올레핀계 수지(D)의 함유량이 8질량% 미만에서는, 상기의 양호한 픽업 성능 및 그 계속성의 효과가 얻어지지 않는다. 또한, 상기 올레핀계 수지(D)의 함유량이 70질량%을 넘으면, 얻어지는 기재필름(2)의 탄성율이 떨어지기 때문에, 2차 가공 등을 할 때에, 핸들링성에 관하여 문제가 발생된다. 게다가, 상기 올레핀계 수지(D)의 함유량이 70질량%을 넘으면, 올레핀계 수지(D)의 밀도의 낮음으로부터, 감아 겹친 기재필름(2)에서 블로킹이 발생되고, 기재필름(2)의 표면에 자국이 생기는 동시에, 기재필름(2) 또는 반도체 가공시트(1)를 롤로부터 권출할 때 등에서의 핸들링성이 나빠질 우려가 있다. The resin composition constituting the resin layer (A) contains 8 to 70 mass%, preferably 10 to 65 mass%, particularly preferably 10 to 50 mass% of the olefin resin (D) . When the content of the olefin resin (D) is less than 8% by mass, the above-mentioned excellent pickup performance and continuity can not be obtained. When the content of the olefin resin (D) exceeds 70% by mass, the resulting base film (2) has a low modulus of elasticity. In addition, when the content of the olefin resin (D) exceeds 70% by mass, the olefin resin (D) has a low density, blocking occurs in the rolled substrate film (2) The handling property in the case of winding the base film 2 or the semiconductor processed sheet 1 from the roll may be deteriorated.

수지층(A)은, 전술한 대로, 올레핀계 수지(D)를 8∼70질량% 함유하지만, 해당 올레핀계 수지(D) 이외의 성분으로서, 올레핀계 수지(D) 이외의 올레핀계 수지 (이하, 「올레핀계 수지(E)」라고 하는 경우가 있다. )를 함유하는 것이 바람직하다. As described above, the resin layer (A) contains the olefin resin (D) in an amount of 8 to 70 mass%, and the olefin resin (D) other than the olefin resin Hereinafter sometimes referred to as " olefin resin (E) ").

즉, 올레핀계 수지(E)는, 수지밀도가 0.870∼0.900g/cm3의 요건 및 융해 피크에서의 열유량이 2.5W/g 이하의 요건의 한쪽 또는 양쪽을 만족시키지 않는 수지이다. 올레핀계 수지(E)로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌(단량체 단위로서 에틸렌을 60∼100질량%, 특히 70∼99.5질량% 함유하는, 에틸렌의 단독중합체 또는 공중합체), 프로필렌-부텐 공중합체 등이며, 밀도가 0.910g/cm3 이상, 0.920g/cm3 미만인 것이 바람직하다. 에틸렌의 공중합체로서는, 예를 들면, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체 등이 바람직하다. 이 중에서도, 특히 밀도가 0.915∼0.918g/cm3의 폴리에틸렌 (이하, 「저밀도 폴리에틸렌」이라고 하는 경우가 있다. ) 이 보다 바람직하다. 이러한 저밀도 폴리에틸렌 등의 올레핀계 수지(E)는, 상기 올레핀계 수지(D)와의 상용성이 높은 이점이 있다. That is, the olefin resin (E) has a resin density of 0.870 to 0.900 g / cm3And the heat flow rate at the melting peak does not satisfy one or both of the requirements of 2.5 W / g or less. Examples of the olefin resin (E) include polyethylene (a homopolymer or copolymer of ethylene containing 60 to 100 mass%, particularly 70 to 99.5 mass% of ethylene as a monomer unit), a propylene-butene copolymer, and the like , A density of 0.910 g / cm3 Or more, 0.920 g / cm3 . As the copolymer of ethylene, for example, an ethylene-propylene copolymer, an ethylene-butene copolymer and the like are preferable. Among these, particularly, the density is preferably 0.915 to 0.918 g / cm3Of polyethylene (hereinafter sometimes referred to as " low-density polyethylene ") is more preferable. The olefin resin (E) such as low-density polyethylene has an advantage of high compatibility with the olefin resin (D).

기재필름(2)의 두께는, 통상 20∼500μm이며, 바람직하게는 30∼200μm, 더 바람직하게는 40∼150μm이다. The thickness of the base film 2 is usually 20 to 500 m, preferably 30 to 200 m, and more preferably 40 to 150 m.

기재필름(2)은, 상법에 의해 제조할 수 있고, 예를 들면, 올레핀계 수지(D)와 올레핀계 수지(E)를 혼련하고, 그 혼련물로부터 직접 또는 일단 펠릿을 제조한 후, 압출 등에 의해 제막할 수 있다. 혼련할 때의 온도는, 180∼230℃가 바람직하다. The base film 2 can be produced by a conventional method. For example, the olefin resin (D) and the olefin resin (E) are kneaded, the kneaded product is directly or once formed into a pellet, Or the like. The temperature for kneading is preferably 180 to 230 캜.

기재필름(2)을 구성하는 수지조성물(본 실시 형태에서는 수지층(A))은, 연화 온도가 90∼120℃인 것이 바람직하고, 특히 100∼115℃인 것이 바람직하다. 수지층(A)의 연화 온도가 90℃ 이상임으로써, 기재필름(2)은 블로킹이 발생되지 않게 되고, 기재필름(2) 또는 반도체 가공시트(1)의 양호한 핸들링성을 확보할 수 있다. 또한, 수지층(A)의 연화 온도가 120℃ 이상이면, 다이싱 후의 익스팬드 공정에서, 기재필름(2)이 네킹(necking)되어, 균일하게 칩 간격을 확장할 수 없게 될 우려가 있다. The resin composition (resin layer (A) in this embodiment) constituting the base film (2) preferably has a softening temperature of 90 to 120 캜, particularly preferably 100 to 115 캜. When the softening temperature of the resin layer (A) is 90 占 폚 or higher, blocking of the base film (2) does not occur and good handling properties of the base film (2) or the semiconductor processed sheet (1) can be ensured. If the softening temperature of the resin layer (A) is 120 DEG C or more, there is a fear that the base film (2) is necked in the expanding step after dicing, and the chip interval can not be uniformly extended.

여기에서, 본 명세서에서의 연화 온도는, 고화식 플로우 테스터(시험예에서는, 시마즈제작소사제, 형번:CFT-100D를 사용)에 의해 얻어진 값으로 한다. 구체적으로는, 하중 9.81N으로 하고, 구멍형상이 φ 2.0mm, 길이가 5.0mm의 다이를 사용하여, 승온속도 10도/분으로 측정한 때에, 스트로크에 변화가 생기기 시작한 온도를 연화 온도라고 규정한다. Here, the softening temperature in this specification is a value obtained by a flow rate flow tester (in the test example, manufactured by Shimadzu Corporation, model number: CFT-100D is used). Specifically, the temperature at which a change in the stroke began to occur when the die was measured at a heating rate of 10 degrees / minute by using a die having a load of 9.81 N and a hole shape of 2.0 mm and a length of 5.0 mm was defined as a softening temperature do.

접착제층(3)을 구성하는 재료로서는, 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 겸비하는 것이라면, 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 접착제층(3)을 구성하는 재료로서는, 열가소성 수지와 저분자량의 열경화성 접착 성분으로 이루어진 것이나, B스테이지(반경화 상태)의 열경화형 접착 성분으로 이루어진 것 등을 사용할 수 있다. 열가소성 수지로서는, 아크릴 중합체, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 에틸렌(메타) 아크릴산 공중합체, 에틸렌(메타) 아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리스티렌, 폴리카보네트, 폴리이미드 등을 들 수 있지만, 그 중에서도, 점착성 및 조막성(시트 가공성)의 관점에서 아크릴 중합체가 바람직하다. 열경화성 접착 성분으로서는, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 페놀계 수지, 실리콘계 수지, 시아네이트계 수지, 비스말레이미드 트리아진 수지, 알릴화 폴리페닐렌 에테르 수지(열경화성 PPE), 포름알데히드계 수지, 불포화 폴리에스테르 또는 이들 공중합체 등을 들 수 있지만, 그 중에서도, 접착성의 관점에서 에폭시계 수지가 바람직하다. 접착제층(3)을 구성하는 재료로서는, 특히, 아크릴 중합체(a), 에폭시계 수지(b) 및 경화제(c)를 함유하는 재료가 바람직하다. The material constituting the adhesive layer 3 is not particularly limited as long as it has a wafer fixing function and a die bonding function. The adhesive layer 3 may be made of a thermoplastic resin and a thermosetting adhesive component having a low molecular weight, or a thermosetting adhesive component in a B-stage (semi-cured state). Examples of the thermoplastic resin include an acrylic polymer, a polyester resin, a urethane resin, a phenoxy resin, a polybutene, a polybutadiene, a polyvinyl chloride, a polyethylene terephthalate, a polybutylene terephthalate, an ethylene (meth) acrylic acid copolymer, Acrylic acid ester copolymer, polystyrene, polycarbonate, polyimide and the like. Among them, an acrylic polymer is preferable from the viewpoints of tackiness and film formability (sheet processability). Examples of the thermosetting adhesive component include epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, silicone resin, cyanate resin, bismaleimide triazine resin, allylated polyphenylene ether resin (thermosetting PPE), formaldehyde resin, Unsaturated polyester, and copolymers thereof. Among them, an epoxy resin is preferable from the viewpoint of adhesiveness. As the material constituting the adhesive layer 3, a material containing an acrylic polymer (a), an epoxy resin (b) and a curing agent (c) is particularly preferable.

아크릴 중합체(a)로서는, 특별히 제한은 없고, 종래 공지의 아크릴 중합체를 이용할 수 있다. 아크릴 중합체(a)의 중량평균 분자량(Mw)은, 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼150만인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 중합체(a)의 Mw가 너무 낮으면, 접착제층(3)과 기재필름(2)의 박리성이 저하되어, 칩의 픽업 불량이 일어나는 경우가 있다. 아크릴 중합체(a)의 Mw가 너무 높으면, 피착체의 요철에 접착제층(3)이 추종할 수 없는 경우가 있어, 보이드 등의 발생 요인이 되는 경우가 있다. 한편, 본 명세서에서의 중량평균 분자량(Mw)은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산 값이다. The acrylic polymer (a) is not particularly limited, and conventionally known acrylic polymers can be used. The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (a) is preferably 10,000 to 200,000, and more preferably 100,000 to 1,500,000. If the Mw of the acrylic polymer (a) is too low, the peelability of the adhesive layer 3 and the base film 2 may deteriorate, resulting in poor chip pick-up. If the Mw of the acrylic polymer (a) is too high, the adhesive layer (3) may not follow the unevenness of the adherend, which may cause voids and the like. On the other hand, the weight average molecular weight (Mw) in the present specification is a polystyrene reduced value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

아크릴 중합체(a)의 글라스 전위 온도(Tg)는, -60∼70℃인 것이 바람직하고, -30∼50℃인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 중합체(a)의 Tg가 너무 낮으면, 접착제층(3)과 기재필름(2)의 박리성이 저하되어, 칩의 픽업 불량이 일어나는 경우가 있다. 아크릴 중합체(a)의 Tg가 너무 높으면, 웨이퍼를 고정하기 위한 접착력이 불충분하게 될 우려가 있다. The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (a) is preferably -60 to 70 占 폚, and more preferably -30 to 50 占 폚. If the Tg of the acrylic polymer (a) is too low, the peelability of the adhesive layer 3 and the base film 2 may deteriorate, and the pick-up failure of the chips may occur. If the Tg of the acrylic polymer (a) is too high, the adhesive force for fixing the wafer may be insufficient.

아크릴 중합체(a)를 구성하는 모노머로서는, (메타) 아크릴산 에스테르 모노머 또는 그 유도체를 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들면, (메타) 아크릴산 메틸, (메타) 아크릴산 에틸, (메타) 아크릴산 프로필, (메타) 아크릴산 부틸 등의 알킬기의 탄소수가 1∼18인 (메타) 아크릴산 알킬 에스테르; (메타) 아크릴산 시클로 알킬 에스테르, (메타) 아크릴산 벤질 에스테르, 이소보닐 (메타) 아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메타) 아크릴레이트, 디시클로펜테닐 (메타) 아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸 (메타) 아크릴레이트, 이미드 (메타) 아크릴레이트 등의 환상골격을 갖는 (메타) 아크릴산 에스테르; 하이드록시메틸 (메타) 아크릴레이트, 2-하이드록시에틸 (메타) 아크릴레이트, 2-하이드록시프로필 (메타) 아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메타) 아크릴산 에스테르; 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산 등의 카복시기를 함유하는 불포화 단량체를 이용하여도 좋다. 이것들은 1종을 단독으로 이용하여도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 좋다. Examples of the monomer constituting the acrylic polymer (a) include a (meth) acrylic acid ester monomer or a derivative thereof, and more specifically, examples thereof include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, (Meth) acrylic acid alkyl ester having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group such as methyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate and the like; Acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate having a cyclic skeleton such as imide (meth) acrylate; (Meth) acrylic acid esters containing a hydroxyl group such as hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate; Glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, and the like. An unsaturated monomer containing a carboxy group such as acrylic acid, methacrylic acid or itaconic acid may also be used. These may be used singly or in combination of two or more.

아크릴 중합체(a)를 구성하는 모노머로서, 상기 중에서는, 에폭시계 수지(b)와의 상용성의 관점에서, 적어도 수산기 함유 (메타) 아크릴산 에스테르를 이용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 아크릴 중합체(a)에서, 수산기 함유 (메타) 아크릴산 에스테르에 유래하는 구성 단위는, 1∼20질량%의 범위에서 포함되는 것이 바람직하고, 3∼15질량%의 범위에서 포함되는 것이 보다 바람직하다. 아크릴 중합체(a)로서, 구체적으로는, (메타) 아크릴산 알킬 에스테르와 수산기 함유 (메타) 아크릴산 에스테르의 공중합체가 바람직하다. Among the above-mentioned monomers constituting the acrylic polymer (a), it is preferable to use at least a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester from the viewpoint of compatibility with the epoxy resin (b). In this case, in the acrylic polymer (a), the structural unit derived from the hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester is preferably contained in the range of 1 to 20 mass%, more preferably 3 to 15 mass% desirable. As the acrylic polymer (a), specifically, a copolymer of a (meth) acrylic acid alkyl ester and a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester is preferable.

또한, 아크릴 중합체(a)는, 본 발명의 목적을 손상하지 않는 범위에서, 초산 비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등의 모노머를 공중합시켜도 좋다. Further, the acrylic polymer (a) may be copolymerized with monomers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene insofar as the object of the present invention is not impaired.

에폭시계 수지(b)로서는, 종래 공지된 각종 에폭시 수지를 이용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔(DCPD)형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 복소환형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 축합환 방향족 탄화수소 변성 에폭시 수지나, 이들 할로겐화물 등의, 구조 단위중에 2개 이상의 관능기가 포함되는 에폭시 수지를 들 수 있다. 이 에폭시 수지는, 1종을 단독으로 이용하여도 좋고, 2종류 이상을 병용하여도 좋다. As the epoxy resin (b), conventionally known various epoxy resins can be used. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenylene skeleton type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, dicyclopentadiene (DCPD) type epoxy resin, An epoxy resin containing two or more functional groups in a structural unit such as a phenol type epoxy resin, a triphenolmethane type epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, a stilbene type epoxy resin, a condensed ring aromatic hydrocarbon modified epoxy resin, . These epoxy resins may be used singly or in combination of two or more.

에폭시 수지의 에폭시 당량은 특별히 한정되지 않지만, 150∼1000(g/eq)인 것이 바람직하다. 한편, 에폭시 당량은, JIS K7236:2008에 준하여 측정되는 값이다. The epoxy equivalent of the epoxy resin is not particularly limited, but is preferably 150 to 1000 (g / eq). On the other hand, the epoxy equivalent is a value measured in accordance with JIS K7236: 2008.

에폭시계 수지(b)의 함유량은, 아크릴 중합체(a) 100질량부에 대하여, 1∼1500질량부가 바람직하고, 3∼1000질량부가 보다 바람직하다. 에폭시계 수지(b)의 함유량이 상기 범위를 하회하면, 충분한 접착력이 얻어지지 않을 우려가 있고, 에폭시계 수지(b)의 함유량이 상기 범위를 상회하면, 조막성이 저하되어, 접착제층(3)을 형성하는 것이 곤란해질 우려가 있다. The content of the epoxy resin (b) is preferably 1 to 1,500 parts by mass, more preferably 3 to 1,000 parts by mass, per 100 parts by mass of the acrylic polymer (a). When the content of the epoxy resin (b) is less than the above range, sufficient adhesion may not be obtained. When the content of the epoxy resin (b) exceeds the above range, the film- ) May be difficult to form.

경화제(c)는, 에폭시계 수지(b)에 대한 경화제로서 기능한다. 경화제(c)로서는, 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 분자 중에 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있고, 그 관능기로서는, 페놀성 수산기, 알콜성 수산기, 아미노기, 카복시기, 무수탄산기 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 페놀성 수산기, 아미노기 및 무수탄산기가 바람직하고, 페놀성 수산기 및 아미노기가 보다 바람직하다. The curing agent (c) functions as a curing agent for the epoxy resin (b). Examples of the curing agent (c) include compounds having at least two functional groups capable of reacting with an epoxy group in the molecule. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxy group, have. Among these, a phenolic hydroxyl group, an amino group and an anhydrous carbonic acid group are preferable, and a phenolic hydroxyl group and an amino group are more preferable.

경화제(c)의 구체예로서는, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 트리페놀메탄형 페놀 수지, 아랄킬 페놀 수지 등의 페놀성 열경화제;DICY(디시안디아미드) 등의 아민계 열경화제를 들 수 있다. 경화제(c)는, 1종을 단독으로 이용하여도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 좋다. Specific examples of the curing agent (c) include phenolic thermal curing agents such as novolak type phenol resin, dicyclopentadiene type phenol resin, triphenolmethane type phenol resin and aralkylphenol resin; amine type resins such as DICY (dicyandiamide) And a heat curing agent. As the curing agent (c), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

경화제(c)의 함유량은, 에폭시계 수지(b) 100질량부에 대하여, 0.1∼500질량부가 바람직하고, 1∼200질량부가 보다 바람직하다. 경화제(c)의 함유량이 상기 범위를 하회하면, 충분한 접착력을 갖는 접착제층(3)이 얻어지지 않는 경우가 있다. 경화제(c)의 함유량이 상기 범위를 상회하면, 접착제층(3)의 흡습율이 높아져서, 반도체 패키지의 신뢰성이 저하되는 경우가 있다. The content of the curing agent (c) is preferably 0.1 to 500 parts by mass, more preferably 1 to 200 parts by mass, per 100 parts by mass of the epoxy resin (b). If the content of the curing agent (c) is less than the above range, the adhesive layer (3) having sufficient adhesion may not be obtained. If the content of the curing agent (c) exceeds the above range, the moisture absorption rate of the adhesive layer (3) becomes high and the reliability of the semiconductor package may be lowered.

접착제층(3)을 구성하는 재료(접착제 조성물)에는, 상기 이외에, 소망에 의해, 경화촉진제, 커플링제, 가교제, 에너지선 중합성 화합물, 광개시제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 안료, 염료, 무기충전제 등의 각종 첨가제가 포함되어 있어도 좋다. 이들 각 첨가제는, 1종이 단독으로 포함되어도 좋고, 2종 이상이 조합되어 포함되어도 좋다. A curing accelerator, a coupling agent, a crosslinking agent, an energy ray polymerizable compound, a photoinitiator, a plasticizer, an antistatic agent, an antioxidant, a pigment, a dyestuff, a colorant, and the like may be added to the material (adhesive composition) constituting the adhesive layer 3, And various additives such as an inorganic filler may be included. Each of these additives may be contained singly or in combination of two or more kinds.

경화촉진제는, 접착제 조성물의 경화 속도를 조정하기 위하여 이용된다. 경화촉진제로서는, 에폭시기와 페놀성 수산기나 아민 등과의 반응을 촉진할 수 있는 화합물이 바람직하다. 이러한 화합물로서는, 구체적으로는, 3급 아민류, 2-페닐-4, 5-디(하이드록시메틸)이미다졸 등의 이미다졸류, 유기 포스핀류, 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다. The curing accelerator is used to adjust the curing rate of the adhesive composition. As the curing accelerator, a compound capable of promoting the reaction between an epoxy group and a phenolic hydroxyl group or an amine is preferable. Specific examples of such a compound include imidazoles such as tertiary amines and 2-phenyl-4, 5-di (hydroxymethyl) imidazole, organic phosphines, and tetraphenylboron salts.

커플링제는, 접착제 조성물의 피착체에 대한 접착성·밀착성을 향상시키는 기능을 갖는다. 또한, 커플링제를 사용함으로써, 접착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 내열성을 손상하는 일 없이, 해당 경화물의 내수성을 향상시킬 수 있다. 커플링제는, 상기 아크릴 중합체(a) 및 에폭시계 수지(b)가 갖는 관능기와 반응하는 기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 이러한 커플링제로서는, 실란 커플링제가 바람직하다. 실란 커플링제로서는 특별히 제한은 없고, 공지의 것을 사용할 수 있다. The coupling agent has a function of improving the adhesiveness and adhesiveness of an adhesive composition to an adherend. Further, by using the coupling agent, the water resistance of the cured product can be improved without impairing the heat resistance of the cured product obtained by curing the adhesive composition. The coupling agent is preferably a compound having a group which reacts with the functional group of the acrylic polymer (a) and the epoxy resin (b). As such a coupling agent, a silane coupling agent is preferable. The silane coupling agent is not particularly limited, and known silane coupling agents can be used.

가교제는, 접착제층(3)의 응집력을 조절하기 위한 것이다. 상기 아크릴 중합체(a)의 가교제로서는, 특별히 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있다. The crosslinking agent is for adjusting the cohesive force of the adhesive layer (3). The crosslinking agent of the acrylic polymer (a) can be used without particular limitation, and examples thereof include an organic polyisocyanate compound and an organic polyvalent compound.

에너지선 중합성 화합물은, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하는 화합물이다. 에너지선 중합성 화합물을 에너지선 조사에 의해 경화시킴으로써, 접착제층(3)과 기재필름(2)의 박리성이 향상되기 때문에, 픽업이 쉬워진다. The energy ray polymerizable compound is a compound which undergoes polymerization and curing upon irradiation with an energy ray such as ultraviolet ray or electron ray. By curing the energy ray-polymerizable compound by energy ray irradiation, the peelability of the adhesive layer 3 and the base film 2 is improved, so that pickup can be facilitated.

에너지선 중합성 화합물로서는, 아크릴레이트계 화합물이 바람직하고, 분자내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는 것이 특히 바람직하다. 그러한 아크릴레이트계 화합물로서는, 구체적으로는, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1, 4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1, 6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다. As the energy ray-polymerizable compound, an acrylate-based compound is preferable, and it is particularly preferable to have at least one polymerizable double bond in the molecule. Specific examples of such acrylate compounds include dicyclopentadiene dimethoxydiacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta Acrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy Modified acrylate, polyether acrylate, itaconic acid oligomer and the like.

아크릴레이트계 화합물의 중량평균 분자량은, 통상, 100∼30000이며, 바람직하게는 300∼10000 정도이다. The weight-average molecular weight of the acrylate-based compound is usually from 100 to 30000, preferably from 300 to 10000.

접착제 조성물이 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 경우, 에너지선 중합성 화합물의 함유량은, 아크릴 중합체(a) 100질량부에 대하여, 통상 1∼400질량부, 바람직하게는 3∼300질량부, 더 바람직하게는 10∼200질량부이다. When the adhesive composition contains an energy ray polymerizable compound, the content of the energy ray polymerizable compound is usually 1 to 400 parts by mass, preferably 3 to 300 parts by mass, more preferably 3 to 300 parts by mass, Preferably 10 to 200 parts by mass.

광개시제는, 접착제층(3)이 상기 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 경우에, 에너지선의 조사에 의해 중합 경화하는 것에 즈음하여, 중합 경화 시간 및 에너지선의 조사량을 적게 할 수 있는 것이다. 광개시제로서는, 공지의 것을 사용할 수 있다. In the case where the adhesive layer (3) contains the above-mentioned energy ray polymerizable compound, the photoinitiator can reduce the polymerization curing time and the irradiation amount of the energy ray when the polymerization is cured by irradiation of the energy ray. As the photoinitiator, known ones can be used.

접착제층(3)의 두께는, 통상은 3∼100μm, 바람직하게는 5∼80μm정도이다. The thickness of the adhesive layer 3 is usually about 3 to 100 m, and preferably about 5 to 80 m.

상기와 동일한 반도체 가공시트(1)는, 상법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 접착제층(3)을 구성하는 재료와, 소망에 의해 용매를 더 함유하는 도포제를 제조하고, 롤 코터, 나이프 코터, 롤 나이프 코터, 에어 나이프 코터, 다이 코터, 바 코터, 그라비어 코터, 커튼 코터 등의 도공기에 의해 기재필름(2)의 편면에 도포하여 건조시켜, 접착제층(3)을 형성함으로써 제조할 수 있다. 혹은, 상기 도포제를, 소망의 박리 시트의 박리면에 도포하여 건조시켜, 접착제층(3)을 형성한 후, 그 접착제층(3)에 기재필름(2)을 압착함으로써 제조할 수도 있다. The same semiconductor processed sheet 1 as described above can be produced by a conventional method. For example, a coating composition containing a material constituting the adhesive layer 3 and a solvent may be prepared by a roll coater, a knife coater, a roll knife coater, an air knife coater, a die coater, a bar coater, a gravure coater , A curtain coater, or the like, and drying the applied coating on one side of the base film 2 to form the adhesive layer 3. [ Alternatively, the above-mentioned coating agent may be applied to a release surface of a desired release sheet and dried to form an adhesive layer 3, followed by pressing the base film 2 onto the adhesive layer 3.

이상의 반도체 가공시트(1)에서는, 기재필름(2)과 접착제층(3)의 사이에서 양호한 박리성, 다시 말해 양호한 픽업 성능을 갖는 동시에, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하가 억제된다. In the semiconductor processed sheet 1 described above, good peelability (that is, good pickup performance) between the base film 2 and the adhesive layer 3, and a deterioration over time of the pickup performance are suppressed.

본 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(1)는, 다이싱 공정 및 다이 본딩 공정에 사용되는 다이싱·다이 본딩 시트로서 바람직하게 사용할 수 있다. The semiconductor processed sheet 1 according to the present embodiment can be preferably used as a dicing / die bonding sheet used in a dicing step and a die bonding step.

〔제2 실시 형태〕[Second embodiment]

도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(10)의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor processed sheet 10 according to a second embodiment of the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(10)는, 2층의 수지층으로 이루어지는 기재필름(20)과,기재필름(20)의 편면(도 2에서는 상면)에 적층된 접착제층(3)을 구비하고 있다. 2, the semiconductor processed sheet 10 according to the present embodiment includes a base film 20 made of a resin layer having two layers and a base film 20 laminated on one side (upper side in Fig. 2) And an adhesive layer (3).

본 실시 형태에서의 기재필름(20)은, 접착제층(3)과 접하는 측에 위치하는 수지층(A)과, 접착제층(3)과 접하지 않는 측에 위치하는 수지층(B)으로 구성된다. 수지층(A)은, 상기 제1 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(1)에서의 수지층(A)과 동일한 재료로 이루어진다. 단, 본 실시 형태에서의 수지층(A)의 두께는, 10∼120μm인 것이 바람직하고, 20∼100μm인 것이 보다 바람직하고, 30∼80μm인 것이 특히 바람직하다. The base film 20 in the present embodiment is composed of the resin layer A positioned on the side in contact with the adhesive layer 3 and the resin layer B located on the side not in contact with the adhesive layer 3 do. The resin layer (A) is made of the same material as the resin layer (A) in the semiconductor processed sheet (1) according to the first embodiment. However, the thickness of the resin layer (A) in the present embodiment is preferably 10 to 120 m, more preferably 20 to 100 m, and particularly preferably 30 to 80 m.

본 실시 형태에서의 수지층(B)은, 기재필름(20)에 익스팬드 성능을 부여하기 위한 것이다. 다시 말해, 수지층(A)과 수지층(B)으로 이루어지는 기재필름(20)은, 양호한 픽업 성능을 갖는 동시에, 또한 익스팬드성도 뛰어난다. The resin layer (B) in the present embodiment is for imparting expanded performance to the base film (20). In other words, the base film 20 made of the resin layer (A) and the resin layer (B) has a good pickup performance, and also has excellent expandability.

수지층(B)은, 신장성이 뛰어난 수지로 이루어진 것이라면 좋고, 특별히 한정되지 않는다. 이러한 수지로서는, 예를 들면, 올레핀 단량체와, 아크릴계 모노머로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 중합한 공중합체를 들 수 있다. The resin layer (B) is not particularly limited as long as it is made of a resin having excellent extensibility. Examples of such resins include copolymers obtained by polymerizing one or more kinds of olefin monomers and acrylic monomers.

수지층(B)은, 특히, 신장성이 뛰어난 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중체를 주성분으로 하는 수지조성물로 이루어진 것이 바람직하다. 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중체 중의 특히 에틸렌 성분은, 수지층(B)에 대하여 양호한 신장성·익스팬드 성능을 부여한다. 한편, 「에틸렌- (메타) 아크릴산 공중체」는, 에틸렌-아크릴산 공중합체이여도 좋고, 에틸렌-메타크릴산 공중합체이여도 좋고, 또한 에틸렌-아크릴산-메타크릴산 공중합체이여도 좋다. The resin layer (B) is particularly preferably composed of a resin composition containing an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer having excellent extensibility as a main component. The ethylene component in the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer gives good stretchability and expandability to the resin layer (B). On the other hand, the "ethylene- (meth) acrylic acid copolymer" may be an ethylene-acrylic acid copolymer, an ethylene-methacrylic acid copolymer, or an ethylene-acrylic acid-methacrylic acid copolymer.

상기 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중체에서의 구성 성분으로서의 (메타) 아크릴산 함유량은, 3∼20질량%인 것이 바람직하고, 4∼15질량%인 것이 보다 바람직하고, 5∼12질량%인 것이 특히 바람직하다. 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체 중에서의 (메타) 아크릴산의 함유량이 3질량% 미만이면, 수지층(B)의 결정성이 높아져, 다이싱 후의 익스팬드 시에 기재필름(20)이 네킹(necking)되어, 칩 간격이 균일하게 확장되기 어려워질 우려가 있다. 한편, (메타) 아크릴산의 함유량이 20질량%을 넘으면, 수지층(B) 자체에 끈끈하게 달라붙음이 발생되는 경우가 있어, 장치를 이용하여 다이싱을 수행할 때에, 반도체 가공시트(10)를 반송할 수 없게 될 우려가 있다. The content of (meth) acrylic acid as a constituent component in the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer is preferably 3 to 20 mass%, more preferably 4 to 15 mass%, and particularly preferably 5 to 12 mass% desirable. When the content of (meth) acrylic acid in the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer is less than 3% by mass, the crystallinity of the resin layer (B) becomes high and the base film 20 is necked Therefore, there is a possibility that the chip interval is not uniformly expanded. On the other hand, when the content of the (meth) acrylic acid exceeds 20 mass%, sticky sticking to the resin layer (B) itself may occur, and when the dicing is performed using the apparatus, There is a possibility that it can not be returned.

에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체에서, 아크릴산 및 / 또는 메타크릴산으로 부터 유도되는 구성 단위 이외의 부분은, 기본적으로는 에틸렌으로부터 유도되는 구성 단위이지만, 본 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(10)의 목적을 손상하지 않는 범위에서, 에틸렌 이외의 올레핀 단량체로서, 프로필렌 등의 α-올레핀, (메타) 아크릴산 이외의 아크릴계 모노머로서, 메틸 (메타) 아크릴산 에스테르, 에틸(메타) 아크릴산 에스테르, 알킬비닐에스테르 등으로부터 유도되는 구성 단위가 포함되어 있어도 좋다. 이러한 것 이외의 모노머로부터 유도되는 구성 단위는, 상기 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체 중에, 10질량% 미만의 비율로 포함되어 있어도 좋다. In the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, the part other than the constituent unit derived from acrylic acid and / or methacrylic acid is basically a constituent unit derived from ethylene. In the semiconductor processed sheet 10 according to the present embodiment, (Meth) acrylic acid esters, ethyl (meth) acrylic acid esters, alkyl vinyl esters (meth) acrylic acid esters, and the like can be used as the olefin monomers other than ethylene, And the like may be included. The constituent units derived from monomers other than these may be contained in an amount of less than 10 mass% in the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer.

에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체의 공중합 형태에 대하여는 특별히 제한은 없고, 랜덤, 블록, 그라프트 공중합체의 어느 것이여도 좋다. 또한, 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체의 분자량은, 중량평균 분자량(Mw)으로 10,000∼1, 000,000인 것이 바람직하고, 특히 50,000∼500,000인 것이 바람직하다. The type of copolymerization of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer is not particularly limited and may be a random, block or graft copolymer. The molecular weight of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 50,000 to 500,000 in terms of weight average molecular weight (Mw).

수지층(B)을 구성하는 수지조성물의 주성분은, 1종류의 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체이여도 좋고, 2종류 이상의 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체를 배합한 것이여도 좋다. The main component of the resin composition constituting the resin layer (B) may be one kind of ethylene- (meth) acrylic acid copolymer or two or more types of ethylene- (meth) acrylic acid copolymer.

수지층(B)을 구성하는 수지조성물은, 상기 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체 이외에도, 본 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(10)의 목적을 손상하지 않는 범위에서, 에틸렌-부틸 아크릴레이트, 에틸렌-비닐 아세테이트, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체 등을 함유하여도 좋다. 이 수지의 함유량은, 해당수지조성물 중, 30질량% 이하인 것이 바람직하고, 특히 10질량% 이하인 것이 바람직하다. The resin composition constituting the resin layer (B) may contain, in addition to the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene-butyl acrylate, ethylene -Vinyl acetate, ethylene-propylene copolymer, ethylene-butene copolymer and the like. The content of the resin is preferably 30% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, in the resin composition.

한편, 수지층(B)은, 상기의 재료에 한정되는 것이 아니고, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 부텐 등의 폴리올레핀; 에틸렌-초산 비닐 공중합체, 에틸렌- (메타) 아크릴산 에스테르 등의 에틸렌 공중합체; 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스테르; 폴리우레탄; 폴리염화비닐; 폴리아미드 등으로 구성되어도 좋다. 수지층(B)이 이들 재료로 이루어질 경우에는,기재필름(2) 또는 반도체 가공시트(10)의 핸들링성을 향상시킬 수 있다. On the other hand, the resin layer (B) is not limited to the above materials, and examples thereof include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, and polyethylene butene; Ethylene copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer and ethylene- (meth) acrylic acid ester; Polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate; Polyurethane; Polyvinyl chloride; Polyamide or the like. When the resin layer (B) is made of these materials, the handling properties of the base film (2) or the semiconductor processed sheet (10) can be improved.

수지층(B)의 두께는, 40∼120μm인 것이 바람직하고, 특히 50∼100μm인 것이 바람직하다. 또한, 수지층(B)의 두께는, 수지층(A)의 두께보다도 두꺼운 것이 보다 바람직하다. 수지층(B)의 두께가 상기의 범위에 있음으로써, 기재필름(20)에 양호한 익스팬드 성능을 부여할 수 있다. The thickness of the resin layer (B) is preferably 40 to 120 m, more preferably 50 to 100 m. It is more preferable that the thickness of the resin layer (B) is thicker than the thickness of the resin layer (A). When the thickness of the resin layer (B) is in the above range, a good expandability can be imparted to the base film (20).

기재필름(20)은, 공압출 등에 의해 수지층(A) 및 수지층(B)을 제막함과 동시에 적층함으로써 제조하여도 좋고, 각각의 수지층(A),(B)을 제막한 후, 그것들 수지층(A) 및 수지층(B)을 접착제 등에 의해 적층함으로써 제조하여도 좋다. The base film 20 may be produced by forming the resin layer A and the resin layer B by co-extrusion or the like and laminating them. After the respective resin layers A and B are formed, Or by laminating the resin layer (A) and the resin layer (B) with an adhesive or the like.

본 실시 형태에서의 기재필름(20)의 파단신도는, 100% 이상인 것이 바람직하고, 특히 200% 이상인 것이 바람직하다. 파단신도가 100% 이상인 기재필름(20)은, 익스팬드 공정의 즈음에 파단되지 않고, 피절단물을 절단하여 형성한 칩을 이간하기 쉬운 것이 된다. In the present embodiment, the elongation at break of the base film 20 is preferably 100% or more, and more preferably 200% or more. The base film 20 having the elongation at break of 100% or more is not broken at the time of the expanding process, and the chip formed by cutting the piece to be cut is liable to be separated from the chip.

또한, 본 실시 형태에서의 기재필름(20)의 인장탄성율은, 80∼160MPa인 것이 바람직하다. 인장탄성율이 80MPa 미만이면, 반도체 가공시트(10)에 웨이퍼를 첩착하고, 링 프레임에 고정한 경우, 기재필름(20)이 부드럽기 때문에 늘어짐이 발생되어, 반송 에러의 원인이 되는 경우가 있다. 한편, 인장탄성율이 160MPa를 넘으면, 익스팬드 공정 시에 가해지는 하중을 크게 해야 하기 때문에, 링 프레임으로부터 반도체 가공시트(10) 자체가 벗겨지거나 하는 등의 문제가 발생될 우려가 있다. In addition, in the present embodiment, the base film 20 preferably has a tensile modulus of 80 to 160 MPa. When the tensile modulus of elasticity is less than 80 MPa, when the wafer is bonded to the semiconductor processing sheet 10 and fixed to the ring frame, the base film 20 may be slack because of its softness, which may cause conveyance errors. On the other hand, if the tensile modulus exceeds 160 MPa, the load applied during the expanding process must be increased, and there is a possibility that the semiconductor processing sheet 10 itself may peel off from the ring frame.

이상의 반도체 가공시트(10)에서는, 수지층(A)을 구비함으로써, 기재필름(20)과 접착제층(3)의 사이에서 양호한 박리성, 다시 말해 양호한 픽업 성능을 갖는 동시에, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하가 억제된다. 또한, 기재필름(20)이 상기한 바와 같이 수지층(A) 및 수지층(B)으로 이루어짐으로써, 본 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(10)는, 양호한 익스팬드성을 갖는 것이 된다. In the above-mentioned semiconductor-processed sheet 10, the resin layer (A) is provided to provide good peelability (i.e., good pickup performance) between the base film 20 and the adhesive layer 3, The deterioration over time is suppressed. In addition, since the base film 20 is composed of the resin layer (A) and the resin layer (B) as described above, the semiconductor processed sheet 10 according to the present embodiment has good expandability.

본 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(10)는, 다이싱 공정, 익스팬드 공정 및 다이 본딩 공정에 사용되는 다이싱·다이 본딩 시트로서 바람직하게 사용할 수 있다. The semiconductor processed sheet 10 according to the present embodiment can be preferably used as a dicing die bonding sheet used in a dicing step, an expanding step, and a die bonding step.

이상 설명한 실시 형태는, 본 발명의 이해를 쉽게 하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위하여 기재된 것이 아니다. 따라서, 상기 실시 형태에 공개된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계변경이나 균등물도 포함하는 취지이다. The embodiments described above are described for the purpose of facilitating understanding of the present invention and are not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design modifications and equivalents falling within the technical scope of the present invention.

예를 들면, 기재필름(2,20)은, 3층 이상의 수지층으로 이루어진 것이여도 좋다. 이 경우, 접착제층(3)에 접촉하는 수지층이, 수지층(A)과 동일한 재료로 이루어진다. For example, the base film (2, 20) may be composed of three or more resin layers. In this case, the resin layer in contact with the adhesive layer 3 is made of the same material as the resin layer (A).

이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이 실시예 등에 한정되는 것이 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and the like, but the scope of the present invention is not limited to these Examples and the like.

〔실시예 1〕[Example 1]

올레핀계 수지(D)로서, 초저밀도 폴리에틸렌(스미토모카가쿠사제, 엑셀렌 EUL731, 밀도:0.895g/cm3, 융해 피크에서의 열유량:1.4W/g, 융해 열량:69.5J/g) 10질량부와, 올레핀계 수지(E)로서, 저밀도 폴리에틸렌(스미토모카가쿠사제, 스미카센 L705, 밀도 0.918g/cm3, 융해 피크에서의 열유량:5.5W/g, 융해 열량(ΔH):126.0J/g) 90질량부를, 2축혼련기(도요세이키세이사쿠사제, 라보프라스트밀)에서 용융 혼련하여, 수지층(A)용의 압출용 원재료를 얻었다. As the olefin-based resin (D), very low density polyethylene (manufactured by Sumitomo Kagaku Co., ekselren EUL731, density: 0.895g / cm 3, the heat flow in the melting peak: 1.4W / g, heat of fusion: 69.5J / g) 10 parts by mass (Heat flux at the melting peak: 5.5 W / g, heat of fusion (? H): 126.0 J / cm 2 , density of 0.918 g / cm 3 manufactured by Sumitomo Chemical Co., / g) was melt-kneaded in a biaxial kneader (Labo last mill manufactured by Toyo Seiki Seisakusho) to obtain a raw material for extrusion for the resin layer (A).

또한, 수지층(B)용의 압출용 원재료로서, 에틸렌-메타크릴산 공중체를 주성분으로 하는 수지조성물(미츠이듀폰폴리케미컬사제, 뉴크렐 N0903HC, 메타 아크릴산 함유량:9.0질량%)을 준비하였다. As a raw material for extrusion for the resin layer (B), a resin composition (NECREEL N0903HC, methacrylic acid content: 9.0% by mass, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd.) having an ethylene-methacrylic acid copolymer as a main component was prepared.

다음으로, 수지층(A)용의 압출용 원재료와, 수지층(B)용의 압출용 원재료를, 소형 T다이 압출기 (도요세이키세이사쿠사제, 라보프라스트밀)에 의해 압출 형성하고, 두께 40μm의 수지층(A)과, 두께 60μm의 수지층(B)으로 이루어진 2층 구조의기재필름을 얻었다. Next, the extrusion raw material for the resin layer (A) and the extrusion raw material for the resin layer (B) are extruded and formed by a compact T-die extruder (Labo last mill manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd.) Layer structure composed of a resin layer (A) of 40 占 퐉 and a resin layer (B) of 60 占 퐉 thickness was obtained.

한편, 아래 성분을 배합하여 접착제층 형성용의 도포액을 조정하였다. 한편, 각 성분의 수치(질량%)는, 고형분 환산의 질량%을 나타내고, 본 명세서에서 고형분은 용매 이외의 전성분을 의미한다. On the other hand, the following components were blended to adjust the coating liquid for forming the adhesive layer. On the other hand, the numerical value (mass%) of each component represents the mass% in terms of solid content, and in this specification, the solid content means all components other than the solvent.

［아크릴 중합체(ａ)］[Acrylic polymer (a)]

·ｎ－부틸 아크릴레이트를 주체로 하는 아크릴계 공중합체(니폰고세이카가쿠쿄교우사제，제품명「코포닐 Ｎ２３５９－６」，Ｍｗ：약８０만，고형분 농도 ３４질량％)：１４질량％ Acrylic copolymer mainly containing n-butyl acrylate (trade name: "Coponyl N2359-6" manufactured by Nippon Gohsei Kagaku Kyogyo Co., Ltd., Mw: about 800,000, solid content concentration: 34% by mass): 14%

［에폭시계 수지(ｂ)］[Epoxy resin (b)]

·비스페놀Ａ형 에폭시 수지(미쓰비시카가쿠사제，제품명「ＪＥＲ８２８」，에폭시 당량１８９ｇ／ｅｑ)：１８질량％18% by mass bisphenol A epoxy resin (product name: "JER828", epoxy equivalent 189 g / eq, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

·ＤＣＰＤ형 에폭시 수지(다이니폰잉크카가쿠사제，제품명「ＥＰＩＣＬＯＮ　ＨＰ－７２００ＨＨ」，에폭시 당량２６５∼３００ｇ／ｅｑ，연화점 ７５∼９０℃)：５５질량％- 55% by mass of a DCPD type epoxy resin (product name "EPICLON HP-7200HH", epoxy equivalent weight 265 to 300 g / eq, softening point 75 to 90 ° C, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals,

［경화제(ｃ)］[Curing agent (c)]

·디시안디아미드(아사히덴카사제，제품명「아데카하드너３６３６ＡＳ」：１．６질량％Dicyandiamide (trade name: Adeka Hadder 3636AS, manufactured by Asahi Denka Co., Ltd.: 1.6 mass%

［경화촉진제］[Curing accelerator]

·２－페닐-４，５－디(하이드록시메틸) 이미다졸(시코쿠가세이코교우사제，제품명「큐어졸２ＰＨＺ」)：１．５질량％· 1.5% by mass of 2-phenyl-4,5-di (hydroxymethyl) imidazole (manufactured by Shikoku Seiko Co.,

［실란커플링제］[Silane coupling agent]

·γ－글리시독시프로필트리메톡시실란을 부가시킨 실리케이트 화합물(미쓰비시카가쿠사제，제품명「ＭＫＣ시리케토ＭＳＥＰ２」)：０．５질량％· 0.5% by mass of a silicate compound (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name: MKC Shiriketo MSEP2) to which? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane was added,

［에너지선 중합성 화합물］[Energy ray polymerizable compound]

·디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트(니폰카야쿠사제，제품명「카라야드Ｒ６８４」)：９．１질량％Dicyclopentadiene dimethoxydiacrylate (product name: "Karayad R684" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.): 9.1 mass%

［광중합개시제］[Photopolymerization initiator]

·α－하이드록시시클로헥실페닐케톤(지바·스페셜티·케미컬스사제，제품명「일가큐어１８４」)：０．３질량％? -Hydroxycyclohexyl phenyl ketone (product name: "Ilgacure 184" manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.): 0.3 mass%

얻어진 접착제층 형성용의 도포액을, 상기 수지층(Ａ)의 표면에, 건조 후의 도막이 ２０μｍ가 되도록 도포하고, １００℃에서 1분간 건조시켜 접차제층을 형성하여, 반도체 가공시트를 제작하였다.The resulting coating liquid for forming an adhesive layer was coated on the surface of the resin layer (A) so that the coating film after drying had a thickness of 20 mu m and dried at 100 DEG C for 1 minute to form a contact layer.

〔실시예 2〕[Example 2]

실시예 1에서, 수지층(A)의 압출용 원재료 중의 올레핀계 수지(D)의 배합량을 30질량부, 올레핀계 수지(E)의 배합량을 70질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. The same procedure as in Example 1 was carried out except that 30 parts by mass of the olefin resin (D) in the raw material for extrusion of the resin layer (A) was changed to 70 parts by mass and the amount of the olefin resin (E) To prepare a semiconductor processed sheet.

〔실시예 3〕[Example 3]

실시예 1에서, 수지층(A)의 압출용 원재료 중의 올레핀계 수지(D)의 배합량을 50질량부, 올레핀계 수지(E)의 배합량을 50질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. The same procedure as in Example 1 was carried out except that the mixing amount of the olefin resin (D) in the raw material for extrusion of the resin layer (A) was changed to 50 parts by mass and the amount of the olefin resin (E) To prepare a semiconductor processed sheet.

〔실시예 4〕[Example 4]

실시예 3에서, 압출용 원재료 중의 올레핀계 수지(D)를, 초저밀도 폴리에틸렌(스미토모카가쿠사제, 엑셀렌 VL-200, 밀도 0.900g/cm3, 융해 피크에서의 열유량:2.0W/g, 융해 열량(ΔH) 79.1J/g)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. In the third embodiment, the olefin-based resin (D) in the raw material for extrusion, ultra low density polyethylene (manufactured by Sumitomo Kagaku Co., ekselren VL-200, density 0.900g / cm 3, the heat flow in the melting peak: 2.0W / g, And a heat of fusion (? H) of 79.1 J / g).

〔실시예 5〕[Example 5]

실시예 2에서, 수지층(B)의 압출용 원재료를, 에틸렌-메타크릴산 공중체(미츠이듀폰폴리케미컬사제, 뉴크렐 AN4225C, 메타크릴산 함유량:5.0질량%)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. Except that the raw material for extrusion of the resin layer (B) was changed to ethylene-methacrylic acid copolymer (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical, Inc., Nucleale AN4225C, methacrylic acid content: 5.0% by mass) in Example 2 A semiconductor processed sheet was produced in the same manner as in Example 2.

〔실시예 6〕[Example 6]

실시예 2에서, 수지층(B)의 압출용 원재료를, 에틸렌-메타크릴산 공중체(미츠이듀폰폴리케미컬사제, 뉴크렐 N1207C, 메타크릴산 함유량:12.0질량%)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. Except that the raw material for extrusion of the resin layer (B) was changed to an ethylene-methacrylic acid copolymer (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical, Inc., Nucrel N1207C, methacrylic acid content: 12.0 mass%) in Example 2, A semiconductor processed sheet was produced in the same manner as in Example 2.

〔실시예 7〕[Example 7]

실시예 1에서, 수지층(A)의 압출용 원재료 중의 올레핀계 수지(D)의 배합량을 60질량부, 올레핀계 수지(E)의 배합량을 40질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. The same procedure as in Example 1 was conducted except that 60 parts by mass of the olefin resin (D) in the raw material for extrusion of the resin layer (A) was changed to 40 parts by mass, and the amount of the olefin resin (E) To prepare a semiconductor processed sheet.

〔실시예 8〕[Example 8]

실시예 2에서, 수지층(B)의 압출용 원재료를, 에틸렌-메타크릴산 공중체(미츠이듀폰폴리케미컬사제, 뉴크렐 AN4214C, 메타크릴산 함유량:4.0질량%)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. Except that the raw material for extrusion of the resin layer (B) was changed to an ethylene-methacrylic acid copolymer (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical, Inc., Nucleale AN4214C, methacrylic acid content: 4.0% by mass) in Example 2 A semiconductor processed sheet was produced in the same manner as in Example 2.

〔실시예 9〕[Example 9]

실시예 2에서, 수지층(B)의 압출용 원재료를, 에틸렌-메타크릴산 공중체(미츠이듀폰폴리케미컬사제, 뉴크렐 N1525, 메타크릴산 함유량:15.0질량%)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. Except that the raw material for extrusion of the resin layer (B) was changed to an ethylene-methacrylic acid copolymer (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical, Inc., Nucrel N1525, methacrylic acid content: 15.0 mass%) in Example 2, A semiconductor processed sheet was produced in the same manner as in Example 2.

〔실시예 10〕[Example 10]

실시예 2에서, 수지층(B)을 압출하지 않고, 수지층(A) 단층만으로 두께 100μm의 기재필름을 형성하고, 다음으로, 이 기재필름 위에 실시예 1과 동일하게 하여 접착제층을 형성하여, 반도체 가공시트를 제조하였다. In Example 2, a base film having a thickness of 100 mu m was formed only by a single layer of the resin layer (A) without extruding the resin layer (B), and then an adhesive layer was formed on the base film in the same manner as in Example 1 , And a semiconductor processed sheet was produced.

〔비교예 1〕[Comparative Example 1]

실시예 1에서, 수지층(A)의 압출용 원재료 중의 올레핀계 수지(D)의 배합량을 0질량부, 올레핀계 수지(E)의 배합량을 100질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. The same procedure as in Example 1 was carried out except that the amount of the olefin resin (D) in the raw material for extrusion of the resin layer (A) was changed to 0 mass part and the amount of the olefin resin (E) was changed to 100 mass parts To prepare a semiconductor processed sheet.

〔비교예 2〕[Comparative Example 2]

실시예 1에서, 수지층(A)의 압출용 원재료 중의 올레핀계 수지(D)의 배합량을 5질량부, 올레핀계 수지(E)의 배합량을 95질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. The same procedure as in Example 1 was carried out except that the mixing amount of the olefin resin (D) in the raw material for extrusion of the resin layer (A) was changed to 5 parts by mass and the blending amount of the olefin resin (E) was changed to 95 parts by mass To prepare a semiconductor processed sheet.

〔비교예 3〕[Comparative Example 3]

실시예 2에서, 올레핀계 수지(D)로서, 초저밀도 폴리에틸렌(토소사제, 루미 턱43-1, 밀도 0.905g/cm3, 융해 피크에서의 열유량:2.4W/g, 융해 열량(ΔH) 88.9J/g)을 사용하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. (Thermal density: 0.905 g / cm3, heat flow rate at the melting peak: 2.4 W / g, heat of fusion (? H)) as the olefin resin (D) 88.9 J / g) was used in place of the polyimide precursor.

〔비교예 4〕[Comparative Example 4]

실시예 2에서, 올레핀계 수지(D)로서, 초저밀도 폴리에틸렌(프라임 폴리머사제, 에보류SP90100, 밀도 0.890g/cm3, 융해 피크에서의 열유량:2.8W/g, 융해 열량(ΔH) 87.8J/g)을 사용하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. (Thermal density: 0.890 g / cm 3 , heat flow rate at the melting peak: 2.8 W / g, melting heat amount (H) 87.8 (manufactured by Prime Polymer Co., Ltd., Evoly SP90100, J / g) was used in place of the polyimide precursor.

〔비교예 5〕[Comparative Example 5]

비교예 1에서, 수지층(B)의 압출용 원재료를, 에틸렌-메타크릴산 공중체(미츠이듀폰폴리케미컬사제, 뉴크렐 N4214C, 메타크릴산 함유량:4.0질량%)로 변경하는 것 이외에는, 비교예 1과 동일하게 하여 반도체 가공시트를 제조하였다. In Comparative Example 1, except for changing the raw material for extrusion of the resin layer (B) to an ethylene-methacrylic acid copolymer (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical, Inc., Nuclear N4214C, methacrylic acid content: 4.0% by mass) A semiconductor processed sheet was produced in the same manner as in Example 1.

〔시험예 1〕 (픽업 성능의 평가)[Test Example 1] (Evaluation of pickup performance)

실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공시트를 25mm×250mm로 재단하여, 시험편을 제작하였다. 이 시험편을 #2000 실리콘 웨이퍼(200mm 지름, 두께 350μm)의 연삭면에 첩부하고, 2kg의 고무롤을 1왕복함으로써 양자를 압착하였다. 이 상태로 23℃, 50% RH의 조건 하에서 20분 이상 방치한 후, 만능형 인장시험기(오리엔테크사제, 텐시론)를 사용하여 300mm/min의 속도로 180°박리를 수행하고, 접착제층과 기재필름간의 박리력을 측정하여, 그 값을 (초기값:f1(mN/25mm))로 하였다. The semiconductor processed sheets prepared in Examples and Comparative Examples were cut into 25 mm x 250 mm to prepare test pieces. The test piece was attached to a grinding surface of a # 2000 silicon wafer (200 mm in diameter, 350 μm in thickness), and 2 kg of rubber roll was reciprocated one time to press the both. In this state, the film was allowed to stand for 20 minutes or more under the conditions of 23 ° C and 50% RH, followed by 180 ° peeling at a rate of 300 mm / min using a universal tensile tester (Tensilon, Orientech) The peeling force between the base films was measured, and the value thereof was defined as (initial value: f1 (mN / 25 mm)).

한편, 반도체 가공시트를 40℃의 조건 하(40℃의 항온조)에서 24시간 가열한 후, 실온으로 되돌리고, 상기와 동일한 방법으로 접착제층과 기재필름간의 박리력의 측정을 수행하여, 그 값(촉진 후의 값:f2(mN/25mm))으로 하였다. 이 양쪽값을 다음의 식에 도입하여, 박리력의 변화율:R(%)을 산출하였다. 픽업 성능은, R이 50%이하라면 ○, R이 50%초과, 100% 이하라면 △, R이 100% 초과라면 ×로 하였다. 결과를 표1에 내보인다. On the other hand, the semiconductor processed sheet was heated for 24 hours under a condition of 40 占 폚 (40 占 폚 constant temperature bath), returned to room temperature, and peel strength between the adhesive layer and the base film was measured in the same manner as above, Value after acceleration: f2 (mN / 25 mm)). Both of these values were introduced into the following equation to calculate the rate of change of the peeling force: R (%). The pickup performance was evaluated as? If the R was 50% or less,? If the R was more than 50%,? If the R was less than 100%, and X when the R was more than 100%. The results are shown in Table 1.

　R= (f2-f1)×100/f1 R = (f2 - f1) x100 / f1

〔시험예 2〕 (연화온도 측정시험)[Test Example 2] (Softening temperature measurement test)

실시예 1에 언급된 2축혼련기(도요세이키세이사쿠사제, 라보프라스트밀)에서 용융 혼련된 수지층(A)용의 압출용 원재료에 대하여, 연화 온도의 측정을 수행하였다. 구체적으로는, 고화식 플로우 테스터(주식회사 시마즈제작소사제, 형번:CFT-100D)를 이용하여, 구멍 형상이 φ 2.0mm, 길이 5.0mm의 다이를 사용하고, 샘플량 4g, 하중 9.81N, 승온속도 10℃/분의 조건으로 측정을 수행하여, 스트로크에 변화가 생기기 시작한 온도를 연화 온도로 하였다. 결과를 표1에 나타낸다. The softening temperature of the raw material for extrusion for the resin layer (A) melt-kneaded in the biaxial kneader (Labo last mill manufactured by Toyo Seiki Seisakusho) mentioned in Example 1 was measured. Specifically, a die having a hole diameter of 2.0 mm and a length of 5.0 mm was used by using a flow rate flow tester (manufactured by Shimadzu Corporation, model number: CFT-100D) and a sample amount of 4 g, a load of 9.81 N, The measurement was carried out at a rate of 10 ° C / min, and the temperature at which the stroke began to change was regarded as the softening temperature. The results are shown in Table 1.

〔시험예 3〕(익스팬드성 시험)[Test Example 3] (Expandable property test)

실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공시트의 접착제층에 6인치 웨이퍼를 첩부한 후, 해당 반도체 가공시트를 플랫 프레임에 장착하고, 20μm 두께의 다이아몬드 블레이드에 의해, 웨이퍼를 5mm 각의 칩으로 풀 컷 하였다. 그 다음에, 익스팬딩 지그(NEC 머시너리사제, 다이본더 CSP-100VX)를 이용하여, 반도체 가공시트를 속도 300mm/분으로 10mm 잡아당겨 낙하시켰다. 이 때의 웨이퍼 전체의 확장 상태를 육안으로 확인하였다. 그 결과, 문제없이 확장할 수 있고, 칩이 전체적으로 균일하게 배열되어 있는 경우는 ○, 확장을 할 수 있지만, 칩의 및 불균일한 부분이 있는 경우는 △, 확장시에 반도체 가공시트가 파단된 경우에는 ×로 판정하였다. 결과를 표1에 나타낸다. A 6-inch wafer was attached to the adhesive layer of the semiconductor processing sheet prepared in Examples and Comparative Examples, the semiconductor processing sheet was mounted on a flat frame, and the wafer was polished by 5 mm square chips with a 20- Cut. Then, the semiconductor processed sheet was pulled by pulling 10 mm at a speed of 300 mm / min by using an exposing jig (manufactured by NEC Machinery, die bonder CSP-100VX). The expansion state of the entire wafer at this time was visually confirmed. As a result, it is possible to expand without problems, and when the chips are uniformly arranged as a whole, it is possible to extend the range. However, if there are chips and uneven portions, Was evaluated as x. The results are shown in Table 1.

〔시험예 4〕 (핸들링성 평가)[Test Example 4] (Handling property evaluation)

실시예 및 비교예에서 제조된 기재필름을, 3인치 지름, 330mm 폭의 플라스틱 관에 100m 권취하여, 평가 샘플을 제작하였다. 이 샘플을 40℃ 분위기 하에서 1주일 보관한 후, 다시 되감기를 수행한 때의 상태를, 다음의 기준으로 평가하였다. 결과를 표1에 나타낸다. The base film prepared in Examples and Comparative Examples was wound up in a plastic tube having a diameter of 3 inches and a width of 330 mm to 100 m to obtain an evaluation sample. The sample was stored for one week in an atmosphere of 40 占 폚 and then rewound was evaluated by the following criteria. The results are shown in Table 1.

○: 저항 없이 권출할 수 있다. ○: Can be released without resistance.

△: 권출할 수 있지만, 부분적으로 블로킹이 발생되고, 시트 표면에 자국이 남는다. [Delta]: It can be released, but blocking partially occurs, leaving marks on the surface of the sheet.

×: 부분적 또는 전체적으로 블로킹이 발생되고, 권출할 수 없다. X: Blocking occurs partially or entirely, and can not be released.

Figure 112014001848943-pct00001
Figure 112014001848943-pct00001

표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 수지층(A)이 본 발명의 요건을 충족시키는 실시예 1∼10의 반도체 가공시트는, 양호한 픽업 성능이 촉진 후에서도 유지되었다. 또한, 본 발명의 요건을 충족시키는 수지층(A)과, 수지층(B)의 2층으로 이루어지는 실시예 1∼9의 반도체 가공시트는, 픽업성에 더하여, 익스팬드성도 뛰어난 것이 확인되었다. 게다가, 수지층(A)에서의 올레핀계 수지(D)의 함유량이 10∼50질량%이며, 수지층(B)에서의 에틸렌-메타크릴산 공중체중의 메타크릴산 함유량이 5.0∼12.0질량%인 실시예 1∼6의 반도체 가공시트는, 픽업성에 더하여, 핸들링성 및 익스팬드성의 모두에서, 특히 뛰어난 것이 확인되었다. As can be seen from Table 1, the semiconductor processed sheets of Examples 1 to 10, in which the resin layer (A) meets the requirements of the present invention, were retained even after the promotion of good pickup performance. It was also confirmed that the semiconductor processed sheets of Examples 1 to 9 comprising two layers of the resin layer (A) and the resin layer (B) meeting the requirements of the present invention had excellent expandability in addition to the pickupability. Further, the content of the olefin resin (D) in the resin layer (A) is 10 to 50 mass%, the content of methacrylic acid in the ethylene-methacrylic acid copolymer in the resin layer (B) is 5.0 to 12.0 mass% , The semiconductor processed sheets of Examples 1 to 6 were found to be particularly excellent in handling and expandability in addition to pick-up properties.

이에 대하여, 수지층(A)이 본 발명의 요건을 충족시키지 않는 비교예의 반도체 가공시트에서는, 촉진 후에 픽업력이 상승되고, 양호한 픽업 성능이 얻어지지 않았다. On the other hand, in the case of the semiconductor processed sheet of the comparative example in which the resin layer (A) did not satisfy the requirements of the present invention, the pickup force was increased after acceleration, and good pickup performance was not obtained.

본 발명에 따른 반도체 가공시트용 기재필름 및 반도체 가공시트는, 특히 다이싱·다이 본딩 시트에 사용하는데 적합하다. The base film for a semiconductor processing sheet and the semiconductor processing sheet according to the present invention are particularly suitable for use in a dicing / die bonding sheet.

1, 10…반도체 가공시트
2, 20…기재필름
3…접착제층 1, 10 ... Semiconductor processing sheet
2, 20 ... Base film
3 ... Adhesive layer

Claims (14)

단층 또는 복층의 수지층으로 이루어지는 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름으로서,
상기 수지층의 적어도 1층이, 수지밀도가 0.870∼0.900g/cm3, 융해 피크에서의 열유량이 2.5W/g 이하의 올레핀계 수지를 10∼70질량% 함유하는 수지조성물로 이루어지는 수지층(A)이고,
상기 다이싱·다이 본딩 시트는 상기 기재필름과 상기 기재필름의 편면에 적층된 접착제층을 구비한 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름.A base film for a dicing / die bonding sheet comprising a single-layer or multiple-resin layer,
Wherein at least one layer of the resin layer comprises a resin layer comprising a resin composition having a resin density of 0.870 to 0.900 g / cm 3 and an olefin resin having a heat flow rate of 2.5 W / g or less at a melting peak of 10 to 70 mass% (A)
Wherein the dicing and die bonding sheet comprises an adhesive layer laminated on one side of the base film and the base film. 청구항 1에 있어서,
상기 수지층(A)과,
상기 수지층(A)을 구성하는 상기 수지조성물 이외의 재료로 이루어지는 수지층(B)의 2층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름.The method according to claim 1,
The resin layer (A)
And a resin layer (B) made of a material other than the resin composition constituting the resin layer (A). 청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 올레핀계 수지의 융해 열량(ΔH)이, 85.0J/g 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the heat of fusion (? H) of the olefin-based resin is 85.0 J / g or less. 청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 수지층(A)을 구성하는 상기 수지조성물은, 상기 올레핀계 수지와, 상기 올레핀계 수지 이외의 올레핀계 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the resin composition constituting the resin layer (A) is composed of the olefin resin and an olefin resin other than the olefin resin. 청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 수지층(A)의 연화 온도는, 90∼120℃인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the softening temperature of the resin layer (A) is 90 to 120 占 폚. 청구항 2에 있어서,
상기 수지층(B)은, 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중체를 포함하는 수지조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름.The method of claim 2,
Wherein the resin layer (B) is made of a resin composition containing an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer. 청구항 6에 있어서,
상기 수지층(B)의 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중체에서의 구성 성분으로서의 (메타) 아크릴산의 함유량은, 5∼20질량%인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름.The method of claim 6,
A base film for a dicing and die-bonding sheet characterized in that the content of (meth) acrylic acid as a constituent component in the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer of the resin layer (B) is 5 to 20 mass%. 청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 접착제층은, 아크릴 중합체, 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는 접착제 조성물로 구성되는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the adhesive layer is composed of an adhesive composition containing an acrylic polymer, an epoxy resin and a curing agent. 청구항 8에 있어서,
상기 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 복소환형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 축합환 방향족 탄화수소 변성 에폭시 수지 및 이들 할로겐화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종 인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름.The method of claim 8,
Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, phenylene skeleton epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, dicyclopentadiene epoxy resin, biphenyl epoxy resin , A triphenolmethane type epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, a stilbene type epoxy resin, a condensed ring aromatic hydrocarbon modified epoxy resin, and a halide thereof. film. 청구항 1 또는 2에 기재된 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름과,
상기 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름의 편면에 적층된 접착제층을 구비한 다이싱·다이 본딩 시트.A substrate for a dicing and die bonding sheet according to claim 1 or 2,
And an adhesive layer laminated on one surface of the base film for the dicing and die bonding sheet. 청구항 10에 있어서,
상기 접착제층은, 아크릴 중합체, 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는 접착제 조성물로 구성되는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트.The method of claim 10,
Wherein the adhesive layer is composed of an adhesive composition containing an acrylic polymer, an epoxy resin and a curing agent. 청구항 10에 있어서,
상기 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름에서의 상기 수지층(A)은, 상기 접착제층과 접하고 있는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트.The method of claim 10,
Wherein the resin layer (A) in the base film for a dicing and die-bonding sheet is in contact with the adhesive layer. 기재필름과, 상기 기재필름의 편면에 적층된 접착제층을 구비한 다이싱·다이 본딩 시트의 상기 접착제층을 통하여, 상기 다이싱·다이 본딩 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단하는 공정과,
상기 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름과 상기 접착제층의 계면에서 양자를 박리하여, 상기 접착제층이 부착된 칩으로 하는 공정과,
상기 접착제층이 부착된 칩을, 상기 접착제층을 통하여 회로가 부착된 기판에 접착하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법에 이용되는 다이싱·다이 본딩 시트로서,
상기 기재필름이, 청구항 1 또는 2에 기재된 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본딩 시트.Bonding the dicing and die bonding sheet to a semiconductor wafer through the adhesive layer of a dicing die bonding sheet having a base film and an adhesive layer laminated on one side of the base film, A step of cutting into chips,
Peeling off the interface between the base film for dicing and die bonding sheet and the adhesive layer to form a chip having the adhesive layer,
And bonding the chip with the adhesive layer to the substrate to which the circuit is attached through the adhesive layer, the dicing and die bonding sheet used in the method for manufacturing a semiconductor device,
Wherein the base film is the base film for a dicing and die-bonding sheet according to claim 1 or 2. 청구항 10에 기재된 다이싱·다이 본딩 시트를, 상기 접착제층을 통하여 반도체 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단하는 공정과,
상기 다이싱·다이 본딩 시트용 기재필름과 상기 접착제층의 계면에서 양자를 박리하여, 상기 접착제층이 부착된 칩으로 하는 공정과,
상기 접착제층이 부착된 칩을, 상기 접착제층을 통하여 회로가 부착된 기판에 접착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.A step of attaching the dicing and die bonding sheet according to claim 10 to a semiconductor wafer through the adhesive layer and then cutting the semiconductor wafer into semiconductor chips,
Peeling off the interface between the base film for dicing and die bonding sheet and the adhesive layer to form a chip having the adhesive layer,
And adhering the chip with the adhesive layer to a circuit-attached substrate through the adhesive layer.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6232842B2 (en) * 2013-08-26 2017-11-22 日立化成株式会社 Wafer processing tape
JP6227494B2 (en) * 2014-07-14 2017-11-08 ダイヤプラスフィルム株式会社 Base film used for adhesive film for semiconductor manufacturing process
KR101989240B1 (en) * 2017-09-28 2019-06-13 타이미드 테크 인코퍼레이티드 Thermal-curable adhesive composition and adhesive sheet
US10947417B2 (en) 2017-09-29 2021-03-16 Taimide Tech. Inc. Thermal-curable adhesive composition and adhesive sheet
CN109207080A (en) * 2018-09-06 2019-01-15 陈裕旺 A kind of polyolefin facestock UV adhesive tape and preparation method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007031494A (en) * 2005-07-22 2007-02-08 Furukawa Electric Co Ltd:The Pressure sensitive adhesive sheet for adhering wafer
JP2008153586A (en) * 2006-12-20 2008-07-03 Gunze Ltd Substrate film for dicing

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0715087B2 (en) 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 Adhesive tape and method of using the same
JPH11189755A (en) * 1997-12-26 1999-07-13 Kureha Chem Ind Co Ltd Substrate for adhesive tape, adhesive tape and adhesive tape with release tape
JP2006156754A (en) 2004-11-30 2006-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The Dicing die bond tape
JP2007012670A (en) 2005-06-28 2007-01-18 Furukawa Electric Co Ltd:The Pressure-sensitive adhesive tape
JP4667308B2 (en) * 2006-06-23 2011-04-13 三井化学株式会社 Protective sheet for semiconductor wafer dicing and semiconductor wafer dicing method using the same
JP2009123915A (en) * 2007-11-15 2009-06-04 Gunze Ltd Base body film for dicing
JP5554118B2 (en) * 2010-03-31 2014-07-23 古河電気工業株式会社 Wafer processing tape

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007031494A (en) * 2005-07-22 2007-02-08 Furukawa Electric Co Ltd:The Pressure sensitive adhesive sheet for adhering wafer
JP2008153586A (en) * 2006-12-20 2008-07-03 Gunze Ltd Substrate film for dicing

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