KR101906122B1 - Ａｕ 범프 표면 세정 조성물 및 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 Au 범프 표면의 세정처리용 조성물 및 세정처리 방법에 관한 것으로, 유기 아민계 화합물; 산; 계면활성제; 킬레이트제 및 물 혼화성 휘발성 용매를 포함하는 범프 세정처리용 조성물을 제공한다.
Description
본 발명은 Au 범프 표면의 세정 조성물 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼 상에 금속 범프를 범핑하는 공정은 통상 IQA, 스퍼터링, 코팅, 노광, 현상, 디스컴 (Descum), 금을 비롯한 금속 도금, PR 스트립, 금속 식각과 TiW 혹은 Ti, Au 와 같은 범프 하부 금속막 (Under Bump Metallurgy, UBM) 식각을 비롯한 다단계 식각 공정을 포함하여 구성된다.
이와 같이 다단계 식각 공정을 거쳐 수득된 금속 범프는 이후 프로브 니들 팁 (Probe Needle Tip)을 사용하는 전기적 특성검사 (Electrical Die Sorting, EDS) 공정을 거쳐 웨이퍼 완성 단계에 있는 개별 칩의 전기적 동작 여부를 검사하게 된다. 상기 전기적 특성검사는 금속 범프된 웨이퍼를 Prober 장비에 위치시킨 후 Prober Test head에 장착된 프로브 카드의 프로브 니들 팁(probe needle tip)을 웨이퍼 금속 범프 패드에 전기적 접촉을 통하여 불량 웨이퍼를 가려내는 방식이다. 구체적으로는 해당 검사를 통해 규정에 맞는 품질 수준 도달 여부와 양품이 될 가능성 여부를 판단하여 수선가능 판단 칩은 다시 양품으로 만들고, 수선 불가능 판단 칩은 후 공정에서 작업이 진행되지 않도록 분류하는 공정을 순차적으로 거친다.
그러나 해당 전기적 특성 검사에 금속 범프 형성된 웨이퍼를 투입할 경우 다단계 식각 공정에서 형성된 에칭 잔류물이 금속 범프 표면에 형성된 상태로 검사받음으로써 웨이퍼상의 Die 불량율이 높고 전기적 특성 검사에 사용되는 프로브 니들 팁의 잦은 오염과 마모로 인해 프로브 니들 팁의 재활용을 위한 Sanding 주기와 교체주기가 빨라지는 단점이 있었다.
이에 설퍼 함유 함질소 화합물을 포함하는 처리액을 사용하여 에칭 잔류물의 처리를 제안하였으나, 설퍼 함유 함질소 화합물에서 발생한 침전물이 또 다른 부산물로서 금속 범프 표면과 웨이퍼 표면에 흡착되는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 설퍼 함유 함질소 화합물의 침전물로 인해 결함 검사공정의 생산성을 충분히 개선시키지 못하였고 상기 프로브 니들 팁의 샌딩(Sanding) 주기도 단축시켰다.
선행문헌 정보: KR 10-0729235 B1
본 발명의 목적은 Au 범프 표면 세정 조성물 및 이를 이용한 세정 방법과 결함검사 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 프로브 니들 팁(probe needle tip)을 이용하여 전기적 특성 검사(Electrical Die Sorting)를 수행하는 대상인 Au 범프의 전처리 조성물로서, 상기 조성물은 하기 화학식 1로 나타내는 선형 유기 아민계 화합물; 산; 계면활성제; 킬레이트제 및 물 혼화성 휘발성 용매를 포함하여 상기 Au 범프에 흡착된 TiO2를 제거하는 설퍼 프리 조성물이고,
상기 Au 범프가 Au 범프의 제1 범프 하부 금속막(UBM)으로서 TiW 혹은 Ti를 과산화수소 에칭 조성물로 에칭하여 Al 패드 위에 형성하고, 제2 범프 하부 금속막 (UBM)으로서 Au UBM를 요오드 에칭 조성물로 상기 제1 범프 하부 금속막 (UBM) 상에 형성하고, 상기 Au UBM 상에 금 도금액을 사용하여 Au 범프를 형성시킨 것인 Au 범프 세정처리용 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
여기서 R1, R2, R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 3 내지 6의 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 탄소수 7 내지 18의 아릴알킬기 또는 아르알킬기, 탄소수 7 내지 18의 알킬아릴기, 또는 탄소수 2 내지 5의 O 또는 N 함유 헤테로 시클릭기로부터 선택된 것이다.
본 발명의 다른 구현예에 따르면, 웨이퍼를 준비하는 단계;
상기 웨이퍼 표면에 Au 범프의 제1 범프 하부 금속막(UBM)으로서 TiW 혹은 Ti를 과산화수소 에칭 조성물로 에칭하여 Al 패드 위에 형성하고, 제2 범프 하부 금속막(UBM)으로서 Au UBM를 요오드 에칭 조성물로 상기 제1 범프 하부 금속막(UBM) 상에 형성하고, 상기 Au UBM 상에 금 도금액을 사용하여 Au 범프가 형성된 웨이퍼를 준비하는 단계;
상기 웨이퍼 Au 범프된 웨이퍼를 프로브 니들 팁(probe needle tip)을 이용하여 전기적 특성 검사(Electrical Die Sorting)를 수행하기 전에 상기 Au 범프된 웨이퍼의 표면에 상기 세정처리용 조성물을 전처리 용액으로 사용하여 분사하거나 침적 처리하고 상기 Au 범프 상의 TiO2를 제거하는 단계; 및
상기 세정된 Au 범프된 웨이퍼의 표면에서 상기 에칭 잔류물을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 세정처리용 조성물은 전체 조성 100중량%에 대해, 선형 유기아민계 화합물 0.1~5 중량%, 산 1~20 중량%, 계면활성제 0.5~5 중량%, 킬레이트제 0.1~5 중량%, 물 혼화성 휘발성 용매 0.5~5 중량% 및 물 60~97.8 중량%를 포함하는 것인 세정처리 웨이퍼 Au 범프의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 세정용 조성물을 이용하여 Au 범프된 웨이퍼 표면의 세정처리를 수행할 수 있다. 이때 상기 세정처리용 조성물은 설퍼를 포함하지 않고, 또 다른 부산물 없이 웨이퍼의 금속 범프 표면에 남은 에칭잔류물을 효과적으로 제거할 수 있다. 상기 세정된 Au 범프된 웨이퍼는 전기적 특성검사를 비롯한 결함 검사에서 불량율을 개선하여 생산성을 향상시키고, 프로브 니들 팁 (probe needle tip)의 재활용을 위한 샌딩(sanding) 주기를 연장시킬 수 있다.
도 1은 웨이퍼 Au 범프에 관한 도면으로서, (a)는 웨이퍼 패드에 Au 범프가 도금된 이미지에 해당하고, (b)는 (a)의 적층 모식도로서, 본 발명의 일 구현예로서 사용한 Au 도금 범프 하부 UBM (Under Bump Metallurgy)으로서 Au, TiW 혹은 Ti을 사용하여 Al 패드 위에 UBM을 형성하고 Au 범프를 형성한 도면에 해당한다.
도 2는 Au 범프가 형성된 웨이퍼에 대한 결함을 검사하기 위한 전기적 특성검사(EDS) 장치 내에 프로브 카드가 EDS 장비에 장착된 형태를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 프로브 카드 내 구비되는 프로브 니들 팁(probe needle tip)을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 의한 세정처리된 웨이퍼상의 골드범프(a)와 패턴(b)의 표면사진이다.
도 5는 종래 기술에 따라 설퍼 함유 함질소 화합물을 사용함에 따른 웨이퍼상의 골드범프의 범프 가장자리(a)와 범프 이외의 영역(b)의 표면사진이다.
도 2는 Au 범프가 형성된 웨이퍼에 대한 결함을 검사하기 위한 전기적 특성검사(EDS) 장치 내에 프로브 카드가 EDS 장비에 장착된 형태를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 프로브 카드 내 구비되는 프로브 니들 팁(probe needle tip)을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 의한 세정처리된 웨이퍼상의 골드범프(a)와 패턴(b)의 표면사진이다.
도 5는 종래 기술에 따라 설퍼 함유 함질소 화합물을 사용함에 따른 웨이퍼상의 골드범프의 범프 가장자리(a)와 범프 이외의 영역(b)의 표면사진이다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 의한 세정처리용 조성물은, 유기아민계 화합물; 산; 계면활성제; 킬레이트제 및 물 혼화성 휘발성 용매를 포함할 수 있다.
이하, 세정처리 조성물의 성분 및 조성을 한정한 이유를 설명한다.
상기 유기아민계 화합물은 금속 범프를 착화하여 세정 속도를 높이는 역할을 수행하며, 하기 화학식 1로 나타내는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
여기서 R1, R2, R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 3 내지 6의 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 탄소수 7 내지 18의 아릴알킬기 또는 아르알킬기, 탄소수 7 내지 18의 알킬아릴기, 또는 탄소수 2 내지 5의 O 또는 N 함유 헤테로 시클릭기로부터 선택된 것이다.
상기 유기아민계 화합물은 R1, R2, R3 및 R4가 수소 원자일 수 있다.
상기 유기아민계 화합물은 전체 조성 100중량%에 대해, 0.1~5 중량%, 혹은 0.1~3 중량% 포함할 수 있고 이 범위 내에서 웨이퍼 금속 범프를 착화시키고 세정 속도를 충분히 높이는 효과를 제공할 수 있다.
상기 산은 웨이퍼의 금속 범프 표면상에 단순 세정으로는 처리되지 않는 에칭 잔류물을 제거하는 물질로서, 무기산, 유기산 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 무기산은 황산(H2SO4) 과 더불어 인산(H3PO4), 질산(HNO3), 염산(HCl), 붕산(B(OH)3)의 조합일 수 있다. 상기 유기산은 메탄 설폰산, 구연산, 글리콜산, 젖산, 호박산, 말론산, 사과산, 푸말산 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 무기산과 유기산의 배합비는 중량비로 1:0.1 내지 1:3 일 수 있다.
상기 산은 전체 조성 100중량%에 대해, 1~20 중량%, 혹은 3~10 중량%일 수 있고 이 범위 내에서 웨이퍼의 금속 범프에 대하여 세정능, 헹굼성 및 경제성을 제공할 수 있다.
상기 계면활성제는 웨이퍼상의 금속 범프 표면을 친수성으로 바꾸어 표면 이물을 제거를 용이하게 하는 물질로서, 비이온계, 음이온계 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 비이온계 계면활성제는 에틸렌 옥사이드의 수소 결합에 의한 자기 세정 메커니즘을 갖는 것으로, 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬 아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬 에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬 아민 에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르, 에폭시레이트계 화합물, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머 계열을 사용하는 것이 충분히 효과적일 수 있다
상기 음이온계 계면활성제는 전기 음성도를 극대화시키고 표면장력을 최소화하는 자기세정 메커니즘을 갖는다. 상기 음이온계 계면활성제는 카르본산염, 황산 에스테르염, 설폰산염, 인산 에스테르염 등과 배합하여 사용하는 경우 충분한 세정 효과를 제공할 수 있다. 구체적인 예로 디알킬설포숙시네이트계 화합물이나, 알킬 나프탈렌계 화합물 등을 사용할 수 있다.
상기 비이온계와 음이온계간 배합비는 중량비로 1:0.1 내지 1:2인 것이 효과를 제공할 수 있다.
상기 계면활성제는 전체 조성 100중량%에 대해 0.5~5 중량%, 혹은 0.5~2 중량%일 수 있고 이 범위 내에서 세정능과 이후 헹굼성을 제공하기에 적절하다.
상기 킬레이트제는 세정된 금속과 미량의 금속 불순물을 착화시켜 용해된 금속이나 불순물이 웨이퍼의 금속 범프 상에 재흡착되지 않도록 하는 물질로서, 일례로 아민계 또는 포스포닉계 물질, 이들의 유도체 또는 염류를 사용할 수 있다. 구체적인 예로, 상기 킬레이트제는 니트릴로트리아세트산(NTA), 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(DTPA), 아미노트리메틸렌포스폰산(ATMP), 1-하이드록시에탄(1,1-디일비스프로폰산)(HEDP), 5-아미노테트라졸(5-ATZ), 에틸렌디아민테트라메틸렌프로폰산(EDTMP), 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산(DTPMP), 메틸갈레이트(Methyl 3,4,5-Trihydroxy benzoate) 또는 프로필갈레이트(3,4,5-Trihydroxybenzoic acid propyl ester)일 수 있다.
상기 킬레이트제는 전체 조성 100중량%에 대해 0.1~5 중량%, 혹은 0.1~1 중량%일 수 있고, 이 범위 내에서 금속염의 금속 이온과 착화합물을 형성하여 수용액에 용존된 금속의 용해도를 향상시키고 재흡착 방지 효과를 충분히 제공할 수 있다.
상기 물 혼화성 휘발성 용매는 세정력을 가속화할 수 있는 침투성 물질로서, 물 혼화성 알콜, 물 혼화성 글리콜, 물 혼화성 에스테르, 물 혼화성 할로겐화 탄화수소 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 상기 물 혼화성 휘발성 용매는 안정하고 균질한 분산액으로 유지시키기 위해서 물과 혼화성이어야 하는 것으로, 여기서 용어 물 혼화성이란 달리 특정되지 않는 한 용매가 적어도 수시간 동안 실온에서 물과 분산액을 형성하는 것을 지칭하며, 용어 휘발성이란 달리 특정되지 않는 한 다양한 온도에서 물보다 높은 증기압을 갖는 것을 지칭한다.
상기 물 혼화성 알콜의 예로는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올 및 고급 탄화수소 알콜이 있고, 물 혼화성 글리콜의 예로는 글리콜, 글리콜 에테르, 메틸-에틸 에테르, 메틸 이소부틸 에테르(MIBK) 등이 있고, 물 혼화성 에스테르의 예로는 트리글리세롤의 에스테르, 및 산과 알콜의 에스테르화 생성물이 있고, 물 혼화성 할로겐화 탄화수소의 예로는 클로로포름 등이 있다. 본 발명에서 사용하는 물 혼화성 용매는 글리콜 및 글리콜 에테르를 포함하는 글리콜을 사용하는 것이 침투성 효과로 인해 바람직하다.
상기 물 혼화성 휘발성 용매는 과량 사용하면 용해도를 낮추어 용질의 석출 문제를 발생시키므로 바람직하지 않으며, 일례로 전체 조성 100중량%에 대해 0.5~5 중량%, 혹은 1~3 중량%일 수 있고, 이 범위에서 세정력을 충분히 발휘할 수 있다.
본 발명의 범핑 공정에 사용되는 금속은 Au, TiW, Ti, Al이며, 이러한 금속들을 사용하여 Au 범프를 형성한다
상기 웨이퍼상의 금속 범프 세정처리용 조성물은 수계용액으로 사용하는 것이 취급성과 폐수처리에 효과적일 수 있다. 구체적인 예로 상기 유기아민계 화합물의 함량이 0.1~5 중량%이고, 상기 산의 함량이 1~20 중량%이고, 상기 비이온계 계면활성제의 함량이 0.5~5 중량%이고, 상기 킬레이트제의 함량이 0.1~5 중량%이고, 상기 물 혼화성 휘발성 용매의 함량이 0.5~5 중량%이고, 초순수의 함량이 60~97.8 중량%를 혼합한 혼합액을 사용할 경우 금속 범프의 표면에 형성된 에칭 잔류물을 효과적으로 제거할 수 있다.
상기 에칭 잔류물의 제거와 관련된 반응 기전으로서, Au 범프 20 ㎛와 범프 하부 금속막(UBM) (TiW 혹은 Ti 로 두께는 2000Å, Au 는 두께 1000Å)을 식각 하는 조성물로서, Au 는 요오드 계열로, TiW 혹은 Ti 는 과산화수소 에칭 조성물을 사용하여 식각한 경우를 예로 들어 살펴보면 하기 반응식 1 과 2에 따른 침전반응이 일어나게 된다.
[반응식 1]
2Au + I- + I3 - -> 2AuI2 -
2AuI2 - 는 노란색 앙금으로 Au 표면에 흡착될 수 있다
[반응식 2]
TiW + 2H2O2 -> TiO2(↓) + 2H2O + WO5 2-(aq)
이러한 TiO2는 Au 범프의 표면에 흡착되는 경우 탈착시키기 어렵다.
본 발명의 또 다른 구현예에 의해, 세정될 웨이퍼의 Au 범프 제조방법은, 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 웨이퍼 표면에 Au 하부 금속막 (UBM)과 금속 범프를 형성하여 에칭 잔류물이 표면에 형성된 Au 범프된 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 Au 범프된 웨이퍼의 표면에 세정용 조성물을 분사 내지 침적하여 처리하는 단계; 및 상기 세정된 웨이퍼 상의 Au 범프 표면에서 상기 에칭 잔류물을 제거하는 단계; 를 포함할 수 있다.
이때 상기 세정처리용 조성물은 전체 조성 100중량%에 대해, 유기아민계 화합물 0.1~5 중량%, 산 1~20 중량%, 계면활성제 0.5~5 중량%, 킬레이트제 0.1~5 중량%, 물 혼화성 휘발성 용매 0.5~5 중량% 및 물 60~97.8 중량%를 포함할 수 있다.
상기 세정처리용 조성물의 성분 및 조성을 한정한 이유는 전술한 바와 같으므로 생략한다.
상기 웨이퍼상 금속 범프의 표면에 세정용 조성물을 처리하는 단계는 분사 또는 침적법으로 수행될 수 있고 또한 상기 단계는 20 내지 60℃ 온도 범위에서 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 구현예에 의해, 결함 검사방법은, 웨이퍼 상에 범핑 공정을 통하여 Au 범프된 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 웨이퍼에 대한 결함 검사에 앞서 표면 이물질을 제거하는 전처리 단계; 및 상기 전처리 단계를 통해 표면 이물질이 제거된 웨이퍼를 전기적 특성검사를 비롯한 결함 검사를 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
이때 상기 전처리 단계는 a) 산, 화학식 1로 나타내는 유기아민계 화합물, 킬레이트제, 비이온계 계면활성제, 물 혼화성 휘발성 용매 및 초순수의 혼합액을 형성하는 단계; 및 b) 상기 혼합액에 검사 대상 웨이퍼를 20 내지 60℃ 하에 20~360초 이내로 접촉시키고 이물질을 제거하는 단계로 수행될 수 있다.
상기 세정처리 조성물의 성분 및 조성을 한정한 이유와 한 바와 같으므로 생략한다.
상기 검사대상 웨이퍼로부터 제거된 표면 이물질은 예를 들면 실리콘 웨이퍼에 형성된 골드범프에서 제거된 TiO2를 비롯한 에칭 잔류물(Au, Al과 C, O 같은 유기물)일 수 있다.
Au 범프 세정 후 전기적 특성 검사를 비롯한 결함 검사결과, 웨이퍼 수율 개선과 동시에 전기적 특성검사에 사용되는 프로브 니들 팁(probe needle tip)의 재활용 횟수를 증가(Sanding 주기 연장)시킬 수 있다. 상기 전처리 단계는 전기적 특성검사 이전에 처리하는 것이 바람직하며, 전기적 특성검사 도중에도 필요할 경우 수행할 수 있다.
이하, 실시예를 통해 상세히 설명한다. 단 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1-9>
<Au 범프의 준비>
Au 범프의 첫 번째 범프 하부 금속막(UBM, TiW 혹은 Ti 2000Å)을 과산화수소 에칭 조성물로 에칭하여 Al 패드 위에 형성하고, 두 번째 범프 하부 금속막 (UBM, Au 1000Å)을 요오드 에칭 조성물로 첫 번째 범프 하부 금속막 (TiW 혹은 Ti) 위에 형성하고, 상기 Au UBM 상에 금 도금액을 사용하여 Au 범프(Au bump, 20㎛)를 형성시킨, 상기 Au 범프된 웨이퍼 패드를 준비하였다 (도 1(a)(b) 참조)
<세정처리용 조성물의 제조>
세정처리용 조성물은, 조성물의 전체 중량 100중량%에 대해 각각의 성분의 조성범위를 본 발명의 일 구현예를 만족하는 범위 내의 조성으로 혼합하고 30분 이상 교반하였다. 구체적으로 실시예 1 내지 9에서 사용한 세정처리용 조성물은 하기 표 1에 개시된 조성에 따라 제조하였다.
<세정처리(전처리)>
하기 표 1에서 제시한 조성물을 사용하여 상온에서 200초간 Au 범프된 웨이퍼를 세정하여 금속 범프 표면에 형성된 에칭 잔류물을 제거하는 단계를 수행하였다. 처리 후 초순수로 세정하고 건조한 후 세정처리된 웨이퍼 Au 범프를 수득하였다.
| 구분 |
조성(wt%) |
표면처리(전처리) |
EDS 테스트 결과 | ||||||
| 산 | 킬레이트제 | 유기아민계 화합물 | 물 혼화성 휘발성 용매 | 계면활성제 | 초순수 | 현미경 검사 | EDX | EDS 수율(%) | |
| 실시예1 | A1 (3) | B1 (0.1) | C1 (0.1) | D1 (1) | E1 (0.5) | 100wt%까지 | △ | × | 82.3 |
| 실시예2 | A1 (5) | B1 (0.5) | C1 (1) | D1 (2) | E1 (1) | 100wt%까지 | ○ | ○ | 81.9 |
| 실시예3 | A1 (10) | B1 (1) | C1 (3) | D1 (3) | E1 (2) | 100wt%까지 | ◎ | ◎ | 91.6 |
| 실시예4 | A2 (3) | B2 (0.1) | C2 (0.1) | D2 (1) | E2 (0.5) | 100wt%까지 | △ | × | 69.4 |
| 실시예5 | A2 (5) | B2 (0.5) | C2 (1) | D2 (2) | E2 (1) | 100wt%까지 | ○ | ○ | 70.1 |
| 실시예6 | A2 (10) | B2 (1) | C2 (3) | D2 (3) | E2 (2) | 100wt%까지 | ○ | △ | 64.2 |
| 실시예7 | A3 (3) | B2 (0.1) | C2 (0.1) | D2 (1) | E2 (0.5) | 100wt%까지 | △ | △ | 66.7 |
| 실시예8 | A3 (5) | B2 (0.5) | C2 (1) | D2 (2) | E2 (1) | 100wt%까지 | △ | △ | 65.9 |
| 실시예9 | A3 (10) | B2 (1) | C2 (3) | D2 (3) | E2 (2) | 100wt%까지 | △ | △ | 69.4 |
(주 1) A1 : 황산A2 : 인산 A3 : 구연산
B1 : DTPA
B2 : EDTA
C1 : 카르바미드(carbamide)
C2 : 티오카르바미드(thiocarbamide)
D1 : 글리콜에테르
D2 : 글리콜
E1 : 폴리옥시에틸렌 알킬에테르
E2 : 설폰산염
(주 2) 평가 : ◎ 매우 우수, ○ 우수, △ 보통, Ｘ 부적합
상기 표 1에서 보듯이, 세정 결과(현미경 검사와 EDX 검사) 및 EDS test 결과를 살펴본 결과, 실시예 3의 조성이 가장 적합한 조성인 것으로 확인되었다. 여기서 각 평가는 다음과 같은 평가 방법에 따라 수행하였다.
현미경 검사방법 : 현미경(Nicon, Eclipse L300)을 사용하여 표면 이물질 등에 대하여 육안 판별하였다.
EDX 검사방법 : EDX 분석기(Bruker, Quantax)를 사용하여 표면 이물질 등에 대한 구체적인 성분을 분석하였다.
전기적 특성검사(EDS)의 웨이퍼 불량율(수율) : 도 2에 나타낸 전기적 특성 검사 장비 (Prober)에 해당 세정처리된 Au 범프된 웨이퍼를 위치시킨 후 Test head에 장착된 Probe card의 프로브 니들 팁 (RhW 혹은 NiPd 재질의 probe needle tip) (도 3)을 전기적 접촉시키고 불량 웨이퍼를 가려내었으며, 수율을 EDS 특성 검사된 합격 die 갯수/EDS 특성검사된 웨이퍼 중 검사된 die 갯수 x 100 (%)으로 계산하였다.
상기 실시예 3의 세정처리 조성물을 사용하여 현미경 검사한 결과를 도 4에 나타내었다. 도 4를 참조하면, 범프(도 4a)와 패턴(도 4b) 모두에서 어떠한 에칭 잔류물도 발견되지 않았다. 이로부터 본 발명에 따른 세정처리 조성물은 충분한 세정 효과 뿐 아니라 또 다른 부산물이 형성되지 않는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 상기 실시예 3의 Au 범프된 웨이퍼를 세정처리 전후 EDX 분석기로 금속 범프 표면의 오염물질을 분석한 결과, 하기 표 2(세정 전), 표 3(세정 후)에서 보듯이, C와 O가 세정 전 3.39% 및 0.98%(in 표 2)에서 세정 후 3.37% 및 0.74%(in 표 3)로 감소한 것을 확인하였다.
| E1 | AN | Series | unn.C (wt%) | norm. C (wt%) | Atom. C (at.%) | C. Error (1 Sigma) (wt%) |
| C | 6 | K-series | 3.47 | 3.39 | 34.29 | 0.93 |
| O | 8 | K-series | 1.01 | 0.98 | 7.40 | 0.43 |
| Au | 79 | L-series | 99.45 | 95.65 | 58.51 | 2.95 |
| Total | 103.93 | 100.00 | 100.00 |
| E1 | AN | Series | unn.C (wt%) | norm. C (wt%) | Atom. C (at.%) | C. Error (1 Sigma) (wt%) |
| C | 6 | K-series | 3.41 | 3.37 | 34.49 | 0.96 |
| O | 8 | K-series | 0.74 | 0.74 | 5.66 | 0.38 |
| Au | 79 | L-series | 97.05 | 95.90 | 59.85 | 2.89 |
| Total | 101.21 | 100.00 | 100.00 |
상기 표 2와 표 3의 결과들로부터, 본 발명에 따른 세정처리용 조성물이 충분한 세정처리 효과를 제공하는 것을 확인하였다.
<추가 실시예 1 내지 6>
세정처리용 조성물의 조성에 따른 물성 평가로서, 상기 실시예 3에서 사용한 산과 계면활성제를 하기 표 4에 나타낸 조성으로 대체한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방식으로 세정처리용 조성물을 제조하고 동일한 Au 범프된 웨이퍼의 세정처리를 수행하였다. 세정처리된 웨이퍼 Au 범프에 대하여 전기적 특성검사를 동일하게 수행하고, 계산된 수율을 하기 표 4에 함께 나타내었다.
| 구분 |
조성(wt%) | EDS 테스트 결과 | |||||
| 산 | 킬레이트제 | 유기아민계 화합물 | 물 혼화성 휘발성 용제 | 계면활성제 | 초순수 | EDS 수율(%) | |
| 추가 실시예 1 | A1 (10) | B1 (1) | C1 (3) | D1 (3) | E1 (2) | 100wt%까지 | 91.6 |
| 추가 실시예 2 | A2 (10) | B1 (1) | C1 (3) | D1 (3) | E1 (2) | 100wt%까지 | 90.8 |
| 추가 실시예 3 | A3 (10) | B1 (1) | C1 (3) | D1 (3) | E1 (2) | 100wt%까지 | 91.1 |
| 추가 실시예 4 | A1 (10) | B1 (1) | C1 (3) | D1 (3) | E1 (2) | 100wt%까지 | 91.2 |
| 추가 실시예 5 | A2 (10) | B1 (1) | C1 (3) | D1 (3) | E1 (2) | 100wt%까지 | 90.9 |
| 추가 실시예 6 | A3 (10) | B1 (1) | C1 (3) | D1 (3) | E1 (2) | 100wt%까지 | 91.4 |
(주) A1 : 황산 A2 : 황산 + 인산 (무기산) A3 : 황산 + 구연산 (유기산)
B1 : DTPA
C1 : 카르바미드
D1 : 글리콜에테르
E1 : 폴리옥시에틸렌 알킬에테르 (비이온 계면활성제 단독)
E2 : 폴리옥시에틸렌 알킬에테르 + 설폰산염 (음이온 계면활성제 배합)
상기 표 4에서 보듯이, 추가 실시예 1 내지 6의 결과들은 모두 상기 표 1 내 실시예 1 (황산 단독, 비이온 계면활성제인 폴리옥시에틸렌 알킬에테르 단독 사용예)의 전기적 특성검사 결과와 유사하게 효과적인 결과를 보이므로 적절한 세정처리 조성물을 제공하는 것으로 입증되었다.
<비교예 1 내지 3>
세정처리용 조성물의 조성에 따른 물성 평가로서, 상기 실시예 1 내지 3에서 사용한 유기아민계 화합물을 설퍼 함유 함질소 화합물로 대체한 것을 제외하고는 실시예들과 동일한 방식으로 세정처리용 조성물을 제조하고, 동일한 Au 범프된 웨이퍼의 세정처리를 수행하였다. 세정처리된 웨이퍼 Au 범프에 대하여 전기적 특성검사를 동일하게 수행하고, 계산된 수율을 하기 표 5에 함께 실었다.
| 구분 |
조성(wt%) |
세정 결과 |
EDS 테스트 결과 | ||||||
| 산 | 킬레이트제 | 설퍼 함유 함질소 화합물 | 물 혼화성 휘발성 용매 | 계면활성제 | 초순수 | 현미경 검사 | EDX 검사 | EDS 수율(%) | |
| 비교예1 | A1 (3) | B1 (0.1) | C2 (0.1) | D1 (1) | E1 (0.5) | 100wt%까지 | X | X | 58.9 |
| 비교예2 | A1 (5) | B1 (0.5) | C2 (1) | D1 (2) | E1 (1) | 100wt%까지 | X | X | 65.7 |
| 비교예3 | A1 (10) | B1 (1) | C2 (3) | D1 (3) | E1 (2) | 100wt%까지 | X | X | 72.9 |
(주 1) A1 : 황산 B1 : DTPA C2 : 티오카르바미드(thiocarbamide) D1 : 글리콜에테르 E1 : 폴리옥시에틸렌 알킬에테르
(주 2) 평가 : ◎ 매우 우수, ○ 우수, △ 보통, Ｘ 부적합
상기 표 5에서 보듯이, 본 발명에서 제시한 유기아민계 화합물을 설퍼 함유 함질소 화합물로 대체한 비교예 1 내지 3에 따르면, 현미경 검사, EDX 분석 결과 부적합하였고, 전기적 특성검사 수율도 실시예들 대비 현저히 불량한 것으로 확인되었다. 구체적으로, 도 5에서 보듯이, 현미경 검사 결과 Au 범프 가장자리(도 5a)와 범프 이외의 영역(도 5b)에서 도 5와 같은 에칭 잔류물이 발견되었고, EDX 분석기로 Au 범프 가장자리를 분석하고 하기 표 6에 표기하였다.
| Spectrum, MSC | ||||||
| E1 | AN | Series | unn. C(wt%) | norm. C (wt%) | Atom. C (at%) | Error (1 Sigma) (wt%) |
| C | 6 | K-series | 30.59 | 37.68 | 60.72 | 5.26 |
| O | 8 | K-series | 16.87 | 20.78 | 25.14 | 2.84 |
| S | 16 | K-series | 16.16 | 19.91 | 12.02 | 0.63 |
| Au | 79 | M-series | 17.56 | 21.63 | 2.13 | 0.74 |
| Total | 81.17 | 100.00 | 100.00 | |||
상기 표 6에서 보듯이, 19.91 중량%의 S(황)이 검출되었으며, 이는 설퍼 함유 함질소 화합물 성분의 S(황)의 표면 침착으로 미세정된 결과인 것으로 판단된다. 세정 후 EDX 분석기로 Au 범프 이외의 영역에 존재하는 에칭 잔류물을 분석하고 하기 표 7에 표기하였다.
| Spectrum, MSC | ||||||
| E1 | AN | Series | unn. C(wt%) | norm. C (wt%) |
Atom. C (at%) |
Error (1 Sigma) (wt%) |
| C | 6 | K-series | 53.65 | 53.65 | 62.54 | 7.31 |
| O | 8 | K-series | 39.30 | 39.30 | 34.38 | 5.35 |
| S | 16 | K-series | 7.05 | 7.05 | 3.08 | 0.29 |
| Total | 100.00 | 100.00 | 100.00 | |||
상기 표 7에서 보듯이, 설퍼 함유 함질소 화합물 성분인 S(황)이 7.05 중량% 검출되었다. 이는 설퍼 함유 함질소 화합물 성분의 S(황)이 표면에 고착된 것임을 알 수 있다.
<추가 실험예>
세정처리용 조성물에 따른 물성 평가로서, 상술한 비교예 3의 Au 범프된 웨이퍼에 대한 세정 전후 전기적 특성검사 후 수율을 대비한 결과 세정 전 52.8% vs. 세정 후 72.9%로 약 20%가량 향상된 것을 확인할 수 있었다. 그러나 앞서 제시한 표 1의 실시예 9에서 세정 후 수율 91.6%보다 낮은 수율을 보이는 것은 설퍼 함유 함질소 화합물 계열의 침전물이 Au 범프 표면에 고착되어 전기적 특성 검사에서 불량률을 높이는 요인인 것으로 확인되었다.
<추가 비교예 1 내지 3>
세정처리용 조성물의 조성에 따른 물성 평가로서, 무기산, 카르바미드, 용제를 포함하고 킬레이트제, 비이온성 계면활성제는 미사용한 실험예를 준비하였다(추가 비교예 1). 구체적으로는 황산 10 wt%, 카르바미드 3 wt%, 용제 (glycol ether) 3 wt%, 그리고 초순수로 100wt%까지 맞추어 웨이퍼 금속 범프의 세정처리용 수계용액을 준비하였다.
또한, 무기산, 용제, 비이온성 계면활성제를 포함하고 카르바미드, 킬레이트제를 미사용한 실험예를 준비하였다(추가 비교예 2). 구체적으로는 황산 10 wt%, 용제 (glycol ether) 3 wt%, 비이온성 계면활성제(폴리옥시에틸렌 알킬에테르) 2 wt%, 그리고 초순수로 100wt%까지 맞추어 웨이퍼 금속 범프의 세정처리용 수계용액을 준비하였다.
나아가, 무기산, 킬레이트제, 용제를 포함하고 카르바미드, 비이온성 계면활성제를 미사용한 실험예를 준비하였다(추가 비교예 3). 구체적으로는 황산 10 wt%, 킬레이트제(DTPA) 1 wt%, 용제(glycol ether) 3 wt%, 그리고 초순수로 100wt%까지 맞추어 Au 범프된 웨이퍼의 세정처리용 수계용액을 준비하였다.
상기 추가 비교예 1 내지 3에 대하여 실시예 1과 동일한 실험을 반복하고, 수득된 ESD 테스트 결과를 앞서 제시한 추가 실시예 1 및 비교예 3의 결과와 함께 표 8에 제시하였다.
| 구분 | Test in | Test out | Fail | 수율(%) |
| 추가 비교예 1 | 865 | 558 | 307 | 64.5 |
| 추가 비교예 2 | 865 | 617 | 248 | 71.3 |
| 추가 비교예 3 | 865 | 549 | 316 | 63.5 |
| 실시예 1 | 865 | 792 | 73 | 91.6 |
| 비교예 3 | 865 | 631 | 234 | 72.9 |
| 세정 전 | 865 | 457 | 408 | 52.8 |
상기 표 8에서 보듯이, 조성이 다른 세정처리 조성물을 이용하여 세정처리된 웨이퍼 Au 범프를 제조하였다. 이때 해당 추가 비교예들은 실시예 1과 비교예 3에 따른 수율에도 미치지 못하는 적절치 못한 조성임을 알 수 있었다.
<용액 안정성 개선 실험 관련>
상기 표 1, 실시예 1의 경우 60리터 탱크에서 상온에서 drag-out 만큼 보충하면서 연속 처리시 침전물 발생없이 1달의 용액 수명 안정성을 보였다.
반면 상기 표 5, 비교예 1의 경우 티오카르바미드(thiocarbamide)가 침전물로 발생하고 웨이퍼에 흡착되어 최대 1주일을 넘게 사용하지 못하였다.
이상의 실시예와 비교예의 비교를 통해 카르바미드(carbamide)를 사용한 용액의 조성이 티오카르바미드(thiocarbamide)를 사용한 조성물보다 용액의 안정성이 훨씬 우수하다는 것을 알 수 있었다.
<프로브 팁 재활용을 위한 Sanding 주기 실험 관련>
상기 표 5, 비교예 1의 경우 60리터 탱크에서 상온에서 drag-out 만큼 보충하면서 연속 처리시 시간이 지남에 따라 티오카르바미드(thiocarbamide)가 용액내에 침전물로 발생하거나 웨이퍼에 흡착되어 EDS test의 급격한 수율 감소를 가져와 Probe needle tip 의 Sanding 주기를 100 shot 에 한번 실시하여야 했다.
반면에 상기 표 1, 실시예 1의 경우 200 shot 까지 probe needle tip의 sanding 주기를 연장할 수 있었다.
이상의 비교를 통해, 카르바미드(carbamide)를 사용한 용액의 조성이 티오카르바미드(thiocarbamide)를 사용한 조성물보다 2배의 probe needle tip의 sanding 주기를 연장할 수 있음을 확인하였다.
Claims (10)
- 프로브 니들 팁(probe needle tip)을 이용하여 전기적 특성 검사(Electrical Die Sorting)를 수행하는 대상인 Au 범프의 전처리 조성물로서, 상기 조성물은 하기 화학식 1로 나타내는 선형 유기 아민계 화합물; 산; 계면활성제; 킬레이트제 및 물 혼화성 휘발성 용매를 포함하여 상기 Au 범프에 흡착된 TiO2를 제거하는 설퍼 프리 조성물이고,
상기 Au 범프가 Au 범프의 제1 범프 하부 금속막(UBM)으로서 TiW 혹은 Ti를 과산화수소 에칭 조성물로 에칭하여 Al 패드 위에 형성하고, 제2 범프 하부 금속막 (UBM)으로서 Au UBM를 요오드 에칭 조성물로 상기 제1 범프 하부 금속막 (UBM) 상에 형성하고, 상기 Au UBM 상에 금 도금액을 사용하여 Au 범프를 형성시킨 것인 Au 범프 세정처리용 조성물:
[화학식 1]
여기서 R1, R2, R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 3 내지 6의 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 탄소수 7 내지 18의 아릴알킬기 또는 아르알킬기, 탄소수 7 내지 18의 알킬아릴기, 또는 탄소수 2 내지 5의 O 또는 N 함유 헤테로 시클릭기로부터 선택된 것이다. - 제1 항에 있어서,
상기 유기아민계 화합물은 R1, R2, R3 및 R4가 수소 원자인 세정처리용 조성물. - 제1 항에 있어서,
상기 산은 무기산, 유기산 또는 이들의 조합인 세정처리용 조성물. - 제1 항에 있어서,
상기 계면활성제는 비이온계, 음이온계 또는 이들의 조합인 세정처리용 조성물. - 제1 항에 있어서,
상기 킬레이트제는 니트릴로트리아세트산(NTA), 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(DTPA), 아미노트리메틸렌포스폰산(ATMP), 1-하이드록시에탄(1,1-디일비스프로폰산)(HEDP), 5-아미노테트라졸(5-ATZ), 에틸렌디아민테트라메틸렌프로폰산(EDTMP), 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산(DTPMP), 메틸갈레이트(Methyl 3,4,5-Trihydroxy benzoate) 및 프로필갈레이트 (3,4,5-Trihydroxybenzoic acid propyl ester)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 세정처리용 조성물. - 제1 항에 있어서,
상기 물 혼화성 휘발성 용매는 물 혼화성 알콜, 물 혼화성 글리콜, 물 혼화성 에스테르, 물 혼화성 할로겐화 탄화수소 또는 이들의 조합인 세정처리용 조성물. - 제1 항에 있어서,
상기 세정처리용 조성물은 조성물의 전체 고형분 100 중량%에 대하여, 상기 유기아민계 화합물 0.1~5 중량%, 상기 산 1~20 중량%, 상기 계면활성제 0.5~5 중량%, 상기 킬레이트제 0.1~5 중량%, 그리고 상기 물 혼화성 휘발성 용매 0.5~5 중량%를 포함하는 것인 세정처리용 조성물. - 제1 항에 있어서,
상기 조성물은 실리콘 웨이퍼 상에 금도금하여 형성된 Au 범프 표면에 흡착된 TiO2를 제거하고 상기 프로브 니들 팁의 샌딩 주기를 연장하는 것인 세정처리용 조성물. - 웨이퍼를 준비하는 단계;
상기 웨이퍼 표면에 Au 범프의 제1 범프 하부 금속막(UBM)으로서 TiW 혹은 Ti를 과산화수소 에칭 조성물로 에칭하여 Al 패드 위에 형성하고, 제2 범프 하부 금속막(UBM)으로서 Au UBM를 요오드 에칭 조성물로 상기 제1 범프 하부 금속막(UBM) 상에 형성하고, 상기 Au UBM 상에 금 도금액을 사용하여 Au 범프가 형성된 웨이퍼를 준비하는 단계;
상기 Au 범프된 웨이퍼를 프로브 니들 팁(probe needle tip)을 이용하여 전기적 특성 검사(Electrical Die Sorting)를 수행하기 전에 상기 Au 범프된 웨이퍼의 표면에 제1항의 세정처리용 조성물을 전처리 용액으로 사용하여 분사하거나 침적 처리하고 상기 Au 범프 상의 TiO2를 제거하는 단계; 및
상기 세정된 Au 범프된 웨이퍼의 표면에서 상기 에칭 잔류물을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 세정처리용 조성물은 전체 조성 100중량%에 대해, 선형 유기아민계 화합물 0.1~5 중량%, 산 1~20 중량%, 계면활성제 0.5~5 중량%, 킬레이트제 0.1~5 중량%, 물 혼화성 휘발성 용매 0.5~5 중량% 및 물 60~97.8 중량%를 포함하는 것인 세정처리 웨이퍼 Au 범프의 제조방법. - 제9 항에 있어서,
상기 분사 또는 침적하여 세정된 Au 범프된 웨이퍼의 표면에서 상기 에칭 잔류물을 제거하는 단계는 20 내지 60℃의 온도 범위에서 수행되는 것인 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005043610A1 (ja) | 2003-10-30 | 2005-05-12 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 不飽和ジカルボン酸およびエチレン尿素を含む半導体用洗浄液組成物および洗浄方法 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005043610A1 (ja) | 2003-10-30 | 2005-05-12 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 不飽和ジカルボン酸およびエチレン尿素を含む半導体用洗浄液組成物および洗浄方法 |
| US20070072782A1 (en) | 2003-10-30 | 2007-03-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd | Unsaturated dicarboxylic acid and ethylene urea containing formulation for cleaning semiconductor and cleaning method |
| KR100857865B1 (ko) | 2006-01-30 | 2008-09-10 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 세정 제제 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110918095A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-03-27 | 华南师范大学 | 一种碳/二氧化钛/贵金属复合材料、光催化剂及其制备方法 |
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