KR101902428B1 - 극 박막 제조용 회전 음극드럼 - Google Patents

Abstract

본 발명은 음극드럼의 표면을 균일한 조도로 정밀 가공하여 표면 전류 통전효율이 높고 전류밀도를 균일하게 함으로써 음극 드럼 표면에 전착, 석출, 전사되는 동 박판의 품질을 향상시키도록 한 극 박막 제조용 회전 음극드럼에 관한 것으로서, 내부 공간을 갖는 원통형의 회전 음극드럼에 있어서, 상부에서 하부로 티타늄판, 천이액상 확산접합용 공정합금 성분의 저융점 삽입재, 금속판의 순으로 적층되고, 상기 티타늄판의 이음매 부분을 고정하는 티타늄 용접비드와, 상기 금속판의 이음매 부분을 고정하는 은납재 용접비드와, 상기 티타늄판의 전체 표면에 다층 육성 표면 개질 처리된 티타튬 표피층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

극 박막 제조용 회전 음극드럼{A electrodeposition rotating for manufacture of ultra thin film}

본 발명은 전해 동박판 제조장치에 관한 것으로, 특히 음극드럼 표면의 전류 밀도를 균일하게 유지함으로써 극 박막의 결정립도를 균일하여 품질을 향상시키도록 한 극 박막 제조용 회전 음극드럼에 관한 것이다.

일반적으로, 전해 동 박판은 전기·전자 산업분야에서 사용되는 PCB(Printed Circuit Board: 인쇄회로기판)의 기판재료로 널리 사용되는 것으로써, 슬림형 노트북 컴퓨터, 개인휴대 단말기(PDA), 전자북, MP3 플레이어, 차세대 휴대폰, 초박형 평판 디스플레이 등의 소형 제품을 중심으로 그 수요가 급속히 증대되고 있다.

최근에는 전기·전자 기기류의 경박단소(輕薄短小)화가 가속화되고 있으며, 이에 따라 그 기기에 내장되는 회로도 미세화되는 추세이다. 따라서, PCB에 형성되는 회로도 점점 초 박판화되고 있다. 이에 따라 전해 동 박판 또한 초 박판형화되고 있으며, 고품질 전해 동박판에 대한 중요도가 더욱 커지고 있다.

이러한 전해 동 박판은 회전 음극드럼 및 회전 음극드럼과 더불어 일정 간격을 갖고 전해조 내에 수장되는 양극전극을 포함하는 제반장치에 의해 제조된다.

그러나 제박 기의 회전 음극드럼의 품질과 성능에 따라서 동박의 두께와 표면 결정입도가 불균일해져서 동박의 폭과 갈이 방향의 무게 편차가 발생한다.

그리고 음극드럼 조관 이음부의 길이 방향으로 있는 조관 용접 비드(bead) 마크가 전해 동박의 폭 방향으로 전사된다.

그 결과 얼룩 같은 변색이 발생되며 고 전류밀도 운전 범위에서 핫 스팟(hot spot) 불량이 발생되어 동박의 품질을 크게 저하시키는 문제가 있다.

도 1은 일반적인 전해 동 박판을 제조하기 위한 제조장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.

일반적인 전해 동 박판 제조장치는 도 1에 나타낸 바와 같이, 전해액(2)이 수납되는 전해조(1)와, 상기 전해조(1)내에 수납된 전해액(2)에 그 일부가 잠긴 채로 회전하는 회전 음극드럼(4)과, 상기 회전 음극드럼(4)의 형상을 따라 상기 회전 음극드럼(4)과 일정한 간격을 갖고 상기 전해액(2)에 담겨 배치된 양극전극(3)을 포함한다.

통상적으로 상기 전해액(2)은 황산, 구리 이온 및 염소 이온을 포함하는 황산동 용액으로서 강산성의 특성을 갖는다. 상기 전해액(2)은 회전 음극드럼(4) 부근에서 동 이온의 결핍을 방지하기 위하여 전해조(1)내에서 비교적 빠른 속도로 공급 순환된다.

또한, 상기 회전 음극드럼(4)의 표면재질은 전해액(2)에 대해 내산성을 유지하고, 전해 동 박판(5)의 박리를 용이하게 하는 티타늄으로 구성된다. 이와 같은 구성에서, 음 전위로 대전된 회전 음극드럼(4)과 양 전위로 대전된 양극전극(3) 사이에 전해액(2)을 매질로 하여 높은 밀도의 전류를 가하게 되면, 상기 전해액(2)에 포함된 양이온 상태의 동이 회전 음극드럼(4)에 전착하게 되고, 따라서 고체로 응고 및 석출된다.

상기 석출된 동은 회전하는 회전 음극드럼(4)의 표면을 따라 금속박막 형태의 전해 동 박판(5)으로 제박되고, 상기 제박된 전해 동 박판(5)은 가이드 롤(6)들의 안내를 받아 보빈(7)에 감기게 된다.

도 2는 종래 기술에 의한 전해 동 박판 제조장치의 회전 음극드럼을 개략적으로 나타낸 사시도이다.

도 2에 나타낸 바와 같이, 회전 음극드럼(3)은 스테인레스강과 동합금으로 구성되는 내부원통(10)과 상기 내부원통(10)을 감싸면서 외피가 티타늄으로 이루어진 외부원통(20)으로 구성된다.

상기 내부원통(10)과 외부원통(20)은 각각 평판 형태의 판을 원형 형태로 조관 성형하여 구부리고 양쪽 끝부분을 용접하여 용접 비드(40)로 연결하여 드럼 원통을 조관 후 기계적인 방법으로 외부원통(20)에 내부원통(10)을 열 박음 억지 끼워 맞춤하여 만들어진다.

그런데, 상기와 같이 용접 비드(40)에 의해 내부원통(10)과 외부원통(20)을 열 박음해서 물리적, 기계적인 힘에 의한 억지로 끼워 맞춤으로 제조된 회전 음극드럼(3)의 표피 면에는 전체적으로 전류밀도가 불균일하게 된다.

이렇게 불균일하게 형성된 전류밀도는 생산되는 전해 동 박판(5)의 생산에 매우 크게 악 영향을 미치게 된다.

따라서 동 박 표면에 변색불량, 동 박의 폭과 길이 방향의 무게편차 불량 즉, 두께 편차에 따른 중대한 불량을 유발한다.

또한, 고 전류밀도 범위 운전에서 핫 스팟(hot spot, 열점, 반점) 불량을 방생시킨다.

그리고 드럼 원통 이음부의 길이 방향으로 생긴 용접 이음 비드 마크가 전해 동 박의 폭 방향으로 전사된다. 결국, 불량한 전해 동 박판(5)이 생산되어 품질 저하를 초래하는 주요 원인으로 알려져 있다.

기존의 회전 음극드럼(4)에 대한 큰 불량 문제는 표피의 표면 부분에서 전류가 특정 부위에 편중되고 집중되어 지속적으로 전류밀도가 불균일하게 나타나는 큰 문제가 있다.

즉, 회전 음극드럼(4)과 양극전극(3) 사이에 공급되는 전해액의 분포나 전류 밀도가 불균일할 경우, 티타늄 음극 면에 전해-전착-석출-제박되는 동 박판은 필연적으로 두께 차이가 발생하게 되고, 이로 인해 동 박판의 품질 저하 및 추가 가공이 필요하게 된다.

또한, 상기 외부원통(20)의 길이방향 이음 용접부의 용접 비드(40)에 따라서도 전류밀도가 불균일하게 나타나기에 구리 이온의 전착-석출이 불균일해진다. 이로 인해 박막 두께와 결정입도가 불 균일해 져서 박막 표면에 변색불량, 박막의 폭과 길이 방향의 무게편차 불량이 발생 된다.

그리고 고 전류밀도 운전범위에서 핫 스팟(hot spot,열점,반점) 불량, 드럼 원통 이음 부 길이 방향의 용접 비드 마크(흔적)가 전해-전착-석출-연속도금으로 제박된 박막의 폭 방향으로 전사되는 불량이 발생한다.

이와 같은 제반 문제에 의해 제품의 품질이 저하되고 따라서 제품의 원가 상승의 큰 원인이 되고 있다.

그리고 회전 음극드럼을 장시간 운전하면 환원 분 극으로 티타늄 드럼 표피 층 표면에 흡착된 수소가 티타늄 표피층 표면의 TiO₂티타늄 산화 피막 층을 손상 시키고 수소가 침투하여 Ti 수화물을 발생시킨다.

결과적으로 회전 음극드럼 표피의 표면에 요철과 이물질 등이 발생되기 때문에 박막의 생산을 중단시켜야 한다. 따라서 많은 시간과 비용으로 제박 기의 회전 음극드럼은 해체되어서 Ti 음극드럼 표피층 표면의 Ti 수화물 등을 제거하기 위해 주기적으로 연마시켜 주어야 했었다.

이로 인해 동 박판 제박 기의 회전 음극드럼의 양산 운전 시간이 크게 단축되고 회전 음극드럼 표피 표면재생 및 연마 비용이 많이 발생되어 제품의 원가 상승의 원인이 되고 있다.

[특허문헌 1] 등록특허공보 제10-0917278호(2009. 09. 07): 연속전주법을 이용한 이차전지 음극집전판의 전주 도금 방법

[특허문헌 2] 등록특허공보 제10-0750314호(2007. 08. 10): 정밀 전주를 위한 메쉬형 음극드럼 및 이의 제조방법

[특허문헌 3] 등록특허공보 제10-1242374호(2013. 03. 05.): 회전음극드럼 제작 방법

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로 음극드럼의 표면을 균일한 조도로 정밀 가공하여 표면 전류 통전효율이 높고 전류밀도를 균일하게 함으로써 음극 드럼 표면에 전착, 석출, 전사되는 동 박판의 품질을 향상시키도록 한 극 박막 제조용 회전 음극드럼을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 극 박막 제조용 회전 음극드럼은 내부 공간을 갖는 원통형의 회전 음극드럼에 있어서, 상부에서 하부로 티타늄판, 천이액상 확산접합용 공정합금 성분의 저융점 삽입재, 금속판의 순으로 적층되고, 상기 티타늄판의 이음매 부분을 고정하는 티타늄 용접비드와, 상기 금속판의 이음매 부분을 고정하는 은납재 용접비드와, 상기 티타늄판의 전체 표면에 다층 육성 표면 개질 처리된 티타튬 표피층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 의한 극 박막 제조용 회전 음극드럼은 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 회전 음극드럼의 내부(하부)원통 판과 외피 판의 이종금속 클래드의 접합 계면에서 취약한 금속간 화합물, 보이드(VOID), 격자결함, 열팽창계수의 차이에 따른 균열, 열 응력 결함을 제거하여 무결함으로 완전히 일체화되게 접할 수 있다.

따라서 회전 음극드럼의 이종금속 클래드의 접합계면에서 야금학적 성질과 화학성분이 모 재와 일체화시킴으로써 전기화학적 및 금속 조직학적, 기계적으로 일체화되어 회전 음극드럼 표피에서 전류 통전효율이 높으면서 평등 전계를 유지할 수 있다.

둘째, 회전 음극드럼의 티타늄 표피에 다층 육성의 표면 개질 처리 기법으로 드럼 표피층을 형성하면 드럼 표면의 금속 결정입 조직과 화학성분을 미세화, 평등화시킬 수 있다.

셋째, 제박 기에서 전기화학 반응이 발생될 때 회전 음극드럼 표피 표면의 통전효율은 높으면서 전류밀도는 평등하게 유지할 수 있다.

넷째, 원통 드럼 조관 성형 후 길이 방향으로 생성된 원통 조관 이음매의 용접 비트 마크(자국)는 제박된 극 박막의 폭 방향으로 전사되는 불량을 방지시킬 수 있다.

다섯째, 진공 불활성 분위기에서 회전 음극드럼은 1차 열처리 기법을 적용 받으면 드럼 표피의 티타늄 조직 내의 초기 수소 고용 함량이 35ppm 이하로 낮추어지고, 티타늄 수화물 발생은 방지되면서 회전 음극드럼의 표피의 조도와 평등 전 계를 장기간 지속시킬 수 있고 결정입 크기는 미세하게 되어 결정입 조직을 안정화 시킬 수 있다.

여섯째, 드럼 표피 면에서 티타늄 수화물 발생이 방지 되어서 미려하고 평등한 표피면 조도를 장기간 유지시킴으로써 전기 화학적인 평등 전계는 장기간 지속되어 제박된 극 박막에 극히 정밀한 두께 및 미려한 표면 조도를 장기간 유지시켜 줄 수 있다.

일곱째, 회전 음극드럼의 티타늄 표피층 표면 결정조직은 초음파 에너지의 압축하중 기술을 적용하여 나노 개질 표면 처리함으로써 결정 내 쌍 정의 존재율은 20% 이하로 안정화된 결정입 조직을 이룰 수 있고, 내마모성이 높은 나노급의 평등한 조도가 될 수 있다.

여덟째, 회전 음극드럼의 티타늄 표피층 표면의 결정 조직은 초음파 에너지의 압축하중 기법의 나노 개질 표면처리 공법에 의한 가공 열처리의 2차 열처리 기법을 적용함으로써 금속조직의 재결정 온도는 낮추어져서 결정입도의 성장이 되지 않게 할 수 있다.

아홉째, 회전 음극드럼의 티타늄 표피층 표면의 결정조직은 초음파 에너지의 압축하중 기술을 적용함으로써 나노 개질 표면처리 공법의 가공 열처리의 2차 열처리 기법의 효과는 결정 입은 미세 하면서도 균일하고 평등하게 재결정되고, 전기 전도효율과 음극드럼 표피 표면에서 평등한 전류밀도가 장기간 지속될 수 있다.

도 1은 일반적인 전해 동박판을 제조하기 위한 제조장치를 개략적으로 나타낸 구성도
도 2는 종래 기술에 의한 전해 동박판 제조장치의 음극드럼을 개략적으로 나타낸 사시도
도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 의한 극박 제조용 회전음극 드럼의 제조방법을 개략적으로 나타낸 공정 단면도
도 4는 도 3c 및 3d에서 내부판과 외피판을 연결하는 용접 비드 및 티타늄 표피층이 용접된 상태를 나타낸 단면도
도 5는 도 3a 내지 도 3e과 같이 제조된 본 발명에 의한 회전 음극드럼을 개략적으로 나타낸 사시도

이하 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 다만, 하기의 설명 및 첨부된 도면에서 본 발명의 요지를 흐릴 수 있는 공지 기능 또는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 도면 전체에 걸쳐 동일한 구성 요소들은 가능한 한 동일한 도면 부호로 나타내고 있음에 유의하여야 한다.

이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 의한 극 박막 제조용 회전음극 드럼의 제조방법을 개략적으로 나타낸 공정 단면도이다.

본 발명에 의한 극 박막 제조용 회전음극 드럼의 제조방법은 도 3a에 도시된 바와 같이, 내부(하부)의 내부판(110)과 외부(상부)의 외피판(120)을 각각 준비하고, 공정합금 성분의 저융점 삽입재(130)를 각각 준비한다.

여기서, 상기 내부판(110)은 구리판, 스테인레스판, 알루미늄판, 철판 중에서 어느 하나이고, 상기 외피판(120)은 티타늄판으로 이루어져 있다.

상기 내부판(110)과 외피판(120)은 각각 기계가공 및 연마를 통해 표면을 산화물과 이물질을 제거하여 평활한 면 상태를 유지하고 있다. 상기 내부판(110)은 전기 전도효율을 높이고 표면 접촉 저항을 낮추며 밀착도를 높이기 위해 사용된다.

상기 삽입재(130)는 내부판(110)과 외피판(120)의 접합계면에서 공정합금을 만들어서 성분 원자들간에 상호 활발하게 확산된다. 따라서 무결함으로 등온응고되고 야금학적인 화학성분이 균질하게 일체화되어 취약한 금속간 화합물, 보이드, 격자결함, 열팽창계수의 차이에 따른 균열, 열응력 결합들이 방지된다.

그리고 접촉계면에서의 물리적 성질 및 금속 화학성분 변화, 전류 통전효율 저하 등에 의한 이종금속 적층 클래드의 접합결함 발생이 방지된다.

또한, 상기 공정합금 성분의 저융점 삽입재(130)는 전기 화학적 성질의 불평등한 변화에 의한 불평등 전계가 발생되는 것을 방지하여 상기 내부판(110)과 외피판(120)의 접합계면은 모 재 금속과 야금학적 화학성분 및 전기 화학적, 물리적 성질에 있어 일체화되게 된다.

그리고 상기 공정합금 성분의 저융점 삽입재(130)는 천이확산 액상접합을 형성시키는 삽입금속(filler metal)의 기능을 한다. 이러한 기능과 효과는 내부판(110)에서 외피판(120)으로 흐르는 전류 통전효율을 높이고 전류밀도가 평등하게 분포되게 한다.

상기 외피판(120)으로 사용되는 티타늄판은 전해액에 대해 내 식성을 유지하고, 전해 동 박판의 박리를 용이하게 하기 위해 사용된다.

이때 상기 내부판(110)은 12~60㎜의 두께를 갖고 상기 외피판(120)은 4~10㎜의 두께를 갖는다.

한편, 상기 내부판(110) 및 외피판(120)의 두께를 각각 12~60㎜와 4~10㎜로 한정하고 있지만, 그 두께는 임의로 선택하여 사용할 수가 있고 상기 내부판(110)이 상기 외피판(120)보다 더 두께를 두껍게 형성하는 것이 바람직하다.

이어서, 상기 내부판(110)과 외피판(120) 사이는 공정합금의 형성으로 접합계면의 용점을 저하시키고, 두 공정합금 원소를 상호확산 및 무결함으로 등온 응고시켜야 된다.

이로 인하여 접합계면서 나타나는 취약한 금속간 화합물, 보이드, 격자결함, 열팽창계수의 차이에 따른 균열, 열 응력 결함이 방지된다.

그리고 접촉계면에서의 물리적 성질변화 및 금속 화학성분 변화, 전류 통전효율 저하 등 이종금속 적층 클래드의 접합결함 발생을 방지해야 한다.

이러한 접합결함 방지를 위해 도금, 융접, Spattering, 용사, 분말, 얇은 판재의 복합공정으로 해서 제조한 공정합금 성분의 삽입재(130)를 상기 내부판(110)과 외피판(120) 사이에 삽입하여 접합한다.

여기서, 상기 삽입재(130)는 도전율이 낮은 티타늄 재질과 도전율이 좋은 구리 또는 스테인레스 재질 간에 공정합금을 형성한다. 이로 인해 상호확산 및 성분원소의 균질화 및 평등화되어 접합계면은 계면접촉 저항을 낮추고 밀착도 높여준다. 결국 접합계면은 야금학적 화학성분을 일체화시킨다.

따라서 공정합금 성분의 삽입재(130)는 상기 내부판(110)과 외피판(120) 사이에 삽입되어 공정합금을 형성하여 천이확산 접합이 이루어지도록 한다.

상기 삽입재(130)를 내부판(110)과 외피판(120) 사이에 삽입하여 압연, 폭착 등의 기법으로 천이액상 확산접합하여 야금학적 화학성분 및 전기 화학적으로 일체화된 클래드 적층판을 형성하게 된다. 이로 인하여 상기 내부판(110)과 외피판(120) 사이에 공정합금 성분의 저융접 삽입재(130)를 삽입하므로 클래드 적층판의 밀착성을 높이게 된다.

상기 삽입재(130)는 상기 외피판(120)보다 얇은 두께 즉, 대략 1㎜의 두께로 형성한다.

도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 외피판(120)이 상부면이 되도록 상기 내부판(110)과 외피판(120)을 원통형으로 조 관 성형한다.

여기서, 상기 조 관 성형 가공의 형상은 균일한 전류밀도 생성을 위해 사인 커브(sine curve) 모양을 따라 제작하는 것이 이상적일 수 있으나 가공의 편의성에 의해 반원이나 사분 원의 형태에 따라 제작할 수 있다.

한편, 상기 외피판(120)과 내부판(110)의 적층 클래드판을 원통형으로 조 관 성형하는 경우에 조 관 이음매(A) 부분이 발생한다.

도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 내부판(110)과 외피판(120)의 이음매(A) 부분을 용접하여 용접 비드(140)로 용접하여 원통형 드럼을 형성한다.

여기서, 상기 이음매(A) 부분을 연결하는 용접 비드(140)에 사용된 용접 공정은 두 가지의 용접 공정을 적용한다.

하나는 상기 내부판(110) 사이 이음매 용접 비드(140)는 은 납땜 성분의 용 가재(filler metal)를 사용하여 은납, 브레이징, GTAW, LBW의 복합 공정으로 실시된다.

그리고 상기 외피판(120) 사이 조관 이음매의 용접 비드(140)로는 티타늄의 용 가재를 사용하여 GTAW, LBW의 복합 공정으로 실시된다.

도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 용접 비드(140)가 형성된 원통형 드럼의 전체 표면에 다층의 GTAW, LBW 기법으로 육성 표면 개질 처리된 티타늄 표피층(150)을 형성한다.

상기 티타늄 표피층(150)은 상기 용접 비드(140)를 포함하여 원통형 드럼의 전체 표면에 원주 방향과 길이 방향으로 육성 적층 기법으로 표면 개질 처리된다. 이때 상기 육성 적층 기법의 표면 개질 처리 절차는 처음 1~3 층에 대해서 GTAW 공정으로 하고 그 위에 1~ 3층을 LBW 공정으로 하여 무결함으로 평등하게 티타늄 표피층(150)을 형성시킨다.

즉, 상기 티타늄 표피층(150)은 최초 1~3층은 대 입 열량(HEAT INPUT)의 GTAW 공정으로 하고 그 위에 1~3층은 소 입 열량(HEAT INPUT)의 LBW 공정으로 다층 육성 표면 개질 처리하여 무결함으로 평등하게 음극드럼 표피층을 형성한다. 따라서, 최종 마지막 층은 소 입 열량(HEAT INPUT)의 LBW 공정으로 개질 처리되어 결정 입 조직의 성장이 방지된다. 결국, 최종 음극드럼 표피 표면의 결정 입도 번호 7 이상으로 결정 입 조직은 미세화 및 균질화, 평등화되어 진다.

상기 티타늄 표피층(150)은 고정밀도의 LBW 공정에 의해서 육성 표면 개질 처리가 고속의 저 입 열량(HEAT INPUT)으로 진행된다. 이와 같은 육성 저층 기법의 효과는 고 입 열량(HEAT INPUT)의 GTAW 공정으로 인해 조 대 해진 드럼 표피층의 금속 야금학적 화학성분을 균질화, 평등화되게 개질 처리시켜주는 효과이다.

그리고 음극드럼 표피의 결정입 조직과 야금학적인 화학성분을 미세화 및 균질화, 평등화시키는 육성 적층 기법으로 표면 개질 처리시킨다.

또한, 상기 티타늄 표피층(150)은 최초 1~3 층을 고 입 열량(HEAT INPUT)을 발생시켜서 표면 개질 처리의 육성 적 층 속도가 빠른 GTAW 공정으로 한다. 이와 같은 GTAW 공정의 육성 적 층 기법은 외피판(120)의 합금 성분과 육성 적층 표면 처리재의 합금성분 간에 충분한 희석율(DILUTION)을 발생시킨다.

여기서, 희석율(DILUTION) = 용융된 원통형 회전 음극드럼 외부(상부)의 외피 판(티타늄 판)표면 / {적층된 육성 표면 처리재 + 용융된 원통형 회전 음극드럼 외부(상부) 외피판(티타늄 판)표면} X 100이다.

위와 같이 충분한 희석율로 인해서 회전 음극드럼 외부(상부)의 외피 판(티타늄)과 다층 육성 표면 개질 처리된 표피층의 경계는 결함을 방지시킨다. 따라서, 다층 육성 표면 개질 처리된 표피층과 드럼 외피 판(티타늄)의 경계는 외피 판과 동일한 야금학적 화학성분과 전기 화학적 및 금속 조직학적, 기계적으로 동일한 특성의 공정합금이 되게 된다.

결국, 무결함으로 일체화된 회전 음극드럼 외부(상부)의 외피 판(티타늄)과 표피의 경계층이 형성되는 것을 특징으로 하는 극 박막 제

여기서, 상기 티타늄 표피층(150)의 육성 표면 개질 처리 기법의 기능은 다음의 3 가지 주요한 기능을 한다.

첫째, 회전 음극드럼의 표피층 표면의 티타늄 결정입 조직을 미세하고 균질 하게 평등화시키는 기능을 한다. 따라서 금속 양 이온의 전해-전착-석출-연속도금 공정으로 제박되는 회전 음극드럼의 표피층 표면의 티타늄 결정입 조직은 미세하고 균질 하게 평등화된다.

그러므로 금속 전기화학의 특성에 의해 금속 양이온의 석출 핵은 미세하고 균질 하게 평등화시켜진 결정입계에 우선 석출 된다. 따라서 전해-전착-석출-연속도금으로 제박되는 극 박막 표면 조직은 미세해지고 두께도 극히 정밀하게 균일해 지는 효과를 얻는다.

둘째, 외피판(120)의 이음매(A) 부분의 용접 비드(140)의 결정조직은 용접으로 용융-응고되어 주조된 수지상 조직이다.

그러나, 그 외의 회전 음극드럼 전체의 표면 조직은 티타늄 압연판재의 특징인 압연 이 방성을 가진 조직이다. 그래서, 상기 외피판(120)의 금속 결정 입 조직과 용접 비드(140)의 결정입 조직은 서로 상이한 결정입도와 금속조직 구조를 나타낸다.

따라서 이 부분에 대해서 회전 음극드럼 표피 표면의 전류밀도가 상이하게 차이가 난다. 그리고 전기 화학적인 전류 밀도가 불평등하게 편중된다. 그래서 회전 음극드럼에 전해-전착-석출-연속도금으로 제박된 극 박막의 두께가 불균일해 진다. 따라서 음극드럼의 길이 방향으로 연결된 이음매(A)의 용접 비드(140) 부분은 제박 된 극 박막의 폭 방향으로 전사된 흔적을 남긴다.

그리고 제박된 극 박막은 변색 등의 발생으로 극 박막의 품질을 저하시킨다.

또한 가장 심각한 결함인 제박된 극 박막의 폭과 길이 방향으로 무게 편차 즉, 두께 편차 불량이 발생 된다. 이처럼 회전 음극드럼 표피 전체의 조직 중에서 이음매(140) 부분의 용접 비드(140) 금속조직이 상대적으로 불 균일한 지는 것을 해소 시켜야 주어야 한다.

따라서 회전 음극드럼의 전체 티타늄 외피판(120) 표면은 티타늄 표피 층(150)로 표면을 개질 처리시켜 주어야 한다. 이러한 표면 개질 처리 기법은 회전 음극드럼의 원주 방향과 길이 방향으로 다층으로 미세하고 균질하며 평등하게 다층 GTAW, LBW의 육성 표면 개질 처리시킨다.

이렇게 표피층이 음극드럼 외피 판 위의 표면에 개질 표면처리 되어 진다. 이러한 기술과 기법의 적용으로 전체 회전 음극드럼의 표피층 표면은 균질하고 미세하며 평등한 미세결정 조직으로 개질 되어진다. 이러한 표면 개질 처리 기법을 적용하면 나타나는 효과는 회전 음극드럼 표피 층 표면에서 평등 전 계를 유지시킬 수 있게 된다. 그리고 전해-전착-석출-연속도금되어 제박되는 극 박막에서 원통 이음매(A)의 용접 비드(140) 자국이 전사되는 불량을 방지시킨다.

셋째, 내부판(110)과 외피판(120) 사이 공정합금 성분의 저융점 삽입재(130)는 다층 육성 표면 개질 처리 공정에서 발생된 열에 의한 열처리를 받는다. 그래서 야금학적으로 공정합금 반응이 가속화되고 티타늄 판과 구리 또는 스테인레스 판의 접촉계면에서 성분원소가 활발하게 상호확산해 간다.

그리고 접합계면의 합금성분은 균일화되고 평등화되어 접합계면의 결함을 소멸시켜서 높은 통전효율의 평등 전계를 만들 수 있다.

한편, 상기 티티늄 표피층(150)의 결정입 조직의 미세화 및 균질화의 다층 육성 기술에 의한 표면 개질 처리는 음극드럼의 원주 방향과 길이 방향으로 진행하게 된다. 상기 티타늄 표피층(150)은 다층 육성 기법에 의한 표면 개질 처리된 후에 진공 불활성 분위기 노에서 1 차 열처리 기법을 약 250℃ 이상으로 실시한다.

그래서 음극드럼 표피층 표면의 금속 결정 입 조직은 미세화 및 표준화, 평등화 되어진다.

그리고 조직안정과 잔류응력의 제거로 인해서 후속 공정 중 발생될 수 있는 치수 변형이 방지 되어서 고도의 정밀도를 유지시키게 된다. 1차 열처리 기법의 핵심적인 기능은 표피층 표면의 티타늄 금속 결정조직 내에 침투한 유해 가스와 수소를 35ppm 이하로 탈가스시키는 중요한 기능이 있다.

도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 티타늄 표피층(150)의 표면을 기계가공 및 연마가공하여 초음파 나노 개질 표면 처리를 실시한다.

여기서, 상기 티타늄 표피층(150)의 초음파 나노 개질 표면처리의 효과는 표피의 결정입을 나노급으로 하고 내마모성이 높은 나노급의 평등한 조도가 되게 한다. 또한, 결정내 쌍 정의 존재율은 25% 이하로 하여 조직을 안정화시킨다.

상기 회전 음극드럼의 외부 티타늄 원통은 전체 표면을 티타늄 표피층(150)으로 다층 GTAW, LBW의 적 층 표면 개질 처리한다. 그리하여 결정입 조직과 야금학적 화학성분이 미세화 및 균질화, 평등화되게 개질 표면처리된다.

그 후에 상기 티타늄 표피층(150)의 표면을 균일하고 정밀한 조로로 정밀연마 가공한다.

다음 기법으로 압축하중의 초음파 에너지 기법을 적용하여 상기 티타늄 표피층(150) 표면의 금속 결정 내 쌍 정의 존재율을 20% 이하로 하여 조직을 안정화시킨다. 또한 내 마모성이 높은 나노 급의 평등한 조도로 나노 개질시키는 표면 처리를 해서 결정 입을 미세화시킴과 동시에 용접 인장 잔류 응력을 해소시킨다.

따라서 응력집중이 제거 되어서 회전 음극드럼의 표피 표면의 고도의 치수 정밀도를 유지하고 전기 화학적인 평등 전계를 장기간 지속시킨다.

또한, 초음파 에너지의 나노 개질 기법의 표면처리는 전위밀도의 증가 및 표면경도를 높여 준다. 그리고 표피층 표면은 내 마모성 향상과 미려하게 개선된 가공 표면 거칠기를 장기간 지속시킨다. 결국, 회전 음극드럼 표피층 표면은 균일한 평등 전계를 유지시키게 된다.

초음파 에너지의 나노 개질 기법은 다층 육성 개질 처리한 후 1차 열처리 해서 적용한다. 이러한 기법의 적용으로 표피층은 내 마모성의 높은 나노 급의 평등한 조도로 표면 개질 처리된다.

이처럼 초음파 에너지의 나노 개질 기법으로 표면처리된 티타늄 표피층(150)의 효과와 기능은 다음과 같다.

이와 같은 기법으로 표면처리 되지 않는 표피 층은 회전 음극드럼 이음매(A)의 길이 방향으로 형성된 용접 비드(140) 부분의 결정 조직 및 야금학적인 화학성분과 그 외의 다른 부분의 특성 간에는 균질 하지 못하고 또 평등하지 못한다.

이런 불평등한 결과로 전기화학 반응의 핵 발생 장소인 결정입계는 회전 음극드럼의 전체 표면 있어서 균일하고 평등해 지지 못 한다.

이와 함께 금속 양 이온의 전해-전착-석출-연속도금-제박에 필요한 음극 드럼의 표면의 전류 밀도는 불균일해지고 한곳에 편중된다. 결국, 불평등 전계가 발생된다.

초음파 나노 개질 표면처리는 위와 같은 불평등한 결정 조직 및 야금학적인 화학성분, 결정입계를 균질하고 평등하게 개선하여 평등 전계가 발생 되도록 하는 효과와 기능을 한다.

또한, 위와 같은 표면 개질 처리된 표피층을 진공 불활성 및 혼합가스 분위기의 복합 기법으로 2차 열처리한 표피층의 기능은 다음과 같다.

회전 음극드럼의 표피에서 전기화학 반응에 의해 수용액 속의 금속 양이온은 전해-전착-석출-연속도금-제박 공정으로 제박된다. 이때 극 박막의 금속 석출 핵 발생 장소인 결정 입 계가 미세하고 균일하게 균등해 지게 하는 기능을 한다.

따라서 극 박막의 표면은 미려해지고 변색불량과 음극드럼의 이음매(A)의 용접 비드(140)의 자국이 제박된 극 박막의 폭 방향으로 전사되는 불량 발생을 방지 시킨다. 또한 가장 중요한 품질인 제박된 극 박막의 폭과 길이 방향의 무게편차 즉, 두께편차 불량발생을 방지시키는 기능과 효과가 있다.

순차적인 기법으로 다층 육성 개질 표면 처리와 1차 열처리, 초음파 나노 표면 개질 처리된 티타늄 표피층(150)의 기능은 전해-전착-석출-연속도금-제박-박리,박피 방식으로 제박된 극 박막에 있어 위와 같은 불량을 야기시키게 되는 것을 매우 크게 방지하는 기능을 한다.

상기 회전 음극드럼 표피 층 표면 전체는 균일한 조도로 정밀 가공되어 높은 표면 통전효율과 균일하고 평등한 전류밀도로 되게 한다. 이 같은 기법으로 제작된 고품질의 음극드럼 표피 층 표면에 금속 양이온을 전해-전착-석출-연속도금으로 제박시켜서 극 박막을 제조한다.

따라서 제박된 극 박막은 미세한 표면 조도 및 극히 균일하고 평등한 두께 가져서 강성이 뛰어난 극 박막을 제조할 수 있다. 결국 회전 음극드럼 표피 층 표면에 전해-전착-석출-연속도금 되는 금속 결정 핵 수는 미세하고 균등하게 증가시켜 져서 저조도 및 고강도의 극 박막이 제박된다.

동시에 극 박막의 폭과 길이 방향의 무게 편차 즉, 두께 편차가 없고 고 정밀도의 극 박막을 제박 시킬 수 있다. 상기 티타늄 표피층(150)은 높은 내 마모성의 나노 급의 평등한 조도로 되게 나노 개질 표면 처리된다.

이러한 기법은 구면상의 선단을 가진 고 밀도 및 고 경도의 해머(hammer)의 볼에 초음파 진동 에너지의 큰 정적 및 동적 압축하중의 부가 기법을 다음과 같은 공법으로 적용한다.

다층 육성 기법으로 표면 개질 처리된 음극드럼의 표피층은 1차 열처리를 하여 기계가공 및 연마된다. 그리고 표피층 표면 결정조직은 초음파 에너지 기법의 연속적인 압축 하중으로 표면 처리하여 높은 내마모성 및 평등한 조도로 나노 개질 처리된다.

따라서 초음파 나노 개질 처리로 부가된 압축 잔류응력과 다층 육성 표면 개질 처리의 인장 잔류응력은 서로 상쇄되어 잔류응력이 제거된다.

그리고 표피 표면 층의 결정조직 미세화로 금속조직의 전위 밀도는 증가되고 소성유기 변형이 발생되어 드럼 표피 층 표면 거칠기가 미려하게 향상된다. 동시에 표면 강화로 표피층 표면경도가 향상되어 내마모성이 증가된다.

이러한 초음파 나노 개질 처리 기법은 회전 음극드럼 표피층 표면을 높은 내마모성 및 나노 급의 평등한 조도가 되게 개질 처리시킨다.

이렇게 개질 처리된 회전 음극드럼의 표피 층 표면은 강 소성변형 및 탄성 변형을 발생시켜서 티타늄 표피층(150)의 표층 부 미세 조직의 결정입 크기를 미세화시킨다.

그리고 동시에 심층부에 부가된 큰 압축 잔류응력은 표피층의 육성 적 층 기법에서 발생된 인장 잔류응력과 상쇄 작용을 일으킨다. 결국, 표피층 표면의 잔류응력은 제거 되어지고 응력 집중은 분산되어 제거된다.

이렇게 해서 음극드럼 표피층 표면은 균일한 평등 전계를 유지시키게 된다. 또한 상기 음극드럼의 티타늄 표피층(150)의 전체 표면은 초음파 에너지를 이용해서 높은 내 마모성과 나노 급의 평등한 조도가 되게 표면 나노 개질 처리된다.

이처럼 표면 나노 개질 처리 해서 음극 드럼을 형성할 경우, 전해-전착-석출-연속도금 공정에서 극 박막의 석출 핵의 발생 장소로 쓰이는 음극드럼 표피 면의 결정 입 조직은 미세하고 평등하게 개질 되어짐과 동시에 조도가 매끈하게 된다. 그 결과 결정 입 계에 전해-전착-석출-연속도금되는 금속 양이온의 석출 핵 수가 균등하고 미세하게 증가되기 때문에 석출된 결정은 음극드럼 전체 표피 면에 걸쳐 매우 고르고 평등하게 빨리 자라게 된다.

그러므로 석출 입자가 미세해져 전해-전착-석출-연속도금으로 제박된 극 박막 표면 조직은 극히 정밀하고 미려해 진다. 또한 회전 음극드럼 이음매의 용접 비드(140) 표면과 전체 음극드럼 표면의 티타늄 결정조직의 입도는 미세하고 균일하며 조도가 우수한 티타늄 표피층(150)을 형성시킨다.

따라서 원통드럼 이음매(A)의 용접 비드(140) 흔적이 전사되거나 변색된 자국이 없는 고품질의 정밀한 극 박막을 제박 시킬 수 있는 회전 음극드럼이 제조된다.

이상과 같은 제조기법 된 회전 음극드럼으로 해서 극 박막의 폭과 길이 방향의 무게 편차 즉, 두께 편차 불량이 없고 고 정밀도의 극 박막을 제박시킬 수 있다.

따라서 음극드럼에 전해-전착-석출-연속도금되어 제박되는 전해 극 박막의 품질 조건인 저조도 및 고강도를 유지하면서 높은 연신율의 품질조건을 만족시킬 수 있는 회전 음극드럼이 제조 된다.

도 4는 도 3c 및 3d에서 내부판과 외피판을 연결하는 용접 비드 및 티타늄 표피층이 용접된 상태를 나타낸 단면도이다.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 내부판(110)과 외피판(120)의 이음매(A) 부분을 용접하여 용접비드(140)를 통해 내부 공간을 갖는 음극 드럼을 형성하는데, 이때 상기 이음매(A) 부분을 연결하는 내부판(110) 사이에는 은 납땜 용접비드(141)를 사용하여 실시하고 상기 외피판(120) 사이에는 티타늄 용접 비드(142)를 사용하여 실시한다.

상기 티타늄 용접비드(142)와 은 납땜 용접비드(141)를 통해 이음매(A) 부분을 용접비드(140)로 접합한 상태에서 전 표면에 걸쳐서 길이 방향으로 티타늄 표피층(150)을 용접한다.

한편, 상기 용접 비드(140)는 다음과 같은 공정 순서로 진행한다.

먼저, 상기 외피판(120)의 이음매 부분을 용접하는데, 티타늄과 이종 금속간에는 용융 용접이 불가능하기 때문에 외피판(120)의 이음매 쪽에는 외피판(120)과 동종 재질인 티타늄 용 가재를 사용해서 GTAW, LBW의 복합 Process으로써 먼저 용접한다.

이어서, 원통형 드럼 내부의 내부판(110)의 개선가공 및 외피판(120) 용접이면 비드 결함을 제거한다. 음극드럼 내부의 적층 내부판(110) 쪽에서 외피판(120) 쪽으로 향해서 용접 개선 가공을 파낸다. 이때 외피판(120)의 용접이면 비드에 포함된 이종 금속 지지판에 의한 야금학적인 결함이 완전히 제거 되도록 한다.

그래서 내부의 적층 클래드 지지판 쪽의 개선 깊이는 약 1~2㎜ 정도 더 깊게 개선 가공한다. 따라서 티타늄 용 가재로 된 이면 용접 비드의 용 착 금속은 약 1~2㎜ 깊이까지 제거되고 이면 용접 비드의 야금학적인 결함도 완전히 없어진다.

그리고 내부판(110)의 이음매 부분을 용접한다. 상기 내부판(110)은 이종 금속간의 용접이 가능한 은 납 재 성분의 용 가재로 사용해서 드럼 외피판(120) 및 티타늄 용접 비드(142) 용융시키지 않도록 용접되어야 된다. 따라서 2 차 용접 공정의 이종 금속 간 용접에 적용이 가능한 은 납, 브레이징, GTAW, LBW의 복합 Process을 사용하여 결함이 없게 마지막으로 용접 한다.

이와 같이 원통형 드럼을 1 ~ 2 차 복합 용접 공정으로 형성한다.

도 5는 도 3a 내지 도 3e과 같이 제조된 본 발명에 의한 회전 음극드럼을 개략적으로 나타낸 사시도이다.

본 발명에 의한 회전 음극드럼은 도 5에 도시된 바와 같이, 내부 공간을 갖는 원통형의 회전음극 드럼(100)에 있어서, 상부에서 하부로 외피판(120), 천이액상 확산접합용 공정합금 성분의 저융점 삽입재(130), 내부판(110)의 순으로 적층되고, 상기 외피판(120)과 내부판(110)의 이음매 부분을 고정하는 용접비드(140)와, 상기 외피판(120)의 전체 원통 표면에 다층 육성 표면 개질 처리된 티타늄 표피층(150)을 포함하여 구성되어 있다.

상기 티타늄 표피층(150)을 육성 적층 기법으로 표면 개질 처리 후 진공 불활성 분위기의 노에서 1차 열처리를 약 250℃ 이상으로 실시한다. 그래서 금속 결정 입 조직을 미세화 및 표준화, 평등화시킨다.

그리고 결정조직 안정과 잔류응력을 제거시킨다. 최종적으로 침투된 유해가스와 수소 고용 함유량을 35ppm 이하로 탈가스시킨다.

다음 공정으로 표면에 초음파 에너지를 이용한 압축하중의 표면처리 기법의 적용은 높은 내마모성과 나노 급의 평등한 조도가 되게 한다. 그리고 결정 내 쌍 정의 존재율은 20% 이하로 되게 하여 결정조직 안정과 잔류응력을 제거시킨다.

이처럼 표면 처리된 후 진공 불활성 및 혼합가스 분위기의 복합기법으로 2 차 열처리 기법을 실시한다.

이와 같이 2차 열처리 기법의 적용은 티타늄 표피층(150) 표면의 TiO₂산화 피막 두께를 정밀하고 평등하게 조정시킨다.

그리고 결정 내 미세한 제 2 상을 석출시켜서 고 경도와 고 내마모성의 티타늄 표피층(150)의 형성을 포함한다.

그리고 드럼 내부판(110)과 외피판(120) 사이의 접합계면은 천이액상 확산접합용 공정합금 성분의 저융점 삽입재(130)를 삽입하여 적층 클래드된다.

이러한 접합계면은 진공 불활성 및 혼합가스 분위기의 복합기법의 3차 열처리를 적용받는다. 3차 열처리 기법의 적용 목적은 내부드럼과 외피 드럼의 접합계면 사이에 삽입된 공정합금 성분의 저융점 삽입재(130)의 천이액상 공정합금 반응을 촉진시켜 준다.

그 결과 천이액상 확산접합 공정에서 구리 또는 스테인레스와 티타늄 합금원자의 상호확산을 가속시켜준다. 따라서 무결함으로 등온 응고되고 야금학적 화학성분이 일체화되어 이종 금속간의 접합 결함을 방지시킨다. 결과적으로 천이액상 확산 접합을 무결함으로 완성시킨다.

그래서 구리 또는 스테인레스 티타늄의 이종 금속 접합에서 빈번하게 발생되는 다음과 같은 결함들이 크게 방지된다. 즉, 취약한 금속간 화합물, 보이드(VOID), 격자결함, 열팽창계수의 차이에 따른 균열, 열 응력 결함들이 방지된다.

그리고 접합계면에서의 물리적 성질변화 및 금속 화학성분 변화, 전류 통전효율 저하 등 이종금속 적층 클래드의 접합결함 발생을 방지한다. 그리고 접합계면은 금속 미세조직의 결정 입 계를 이동시켜서 보이드 결함을 소멸시킨다.

또한, 구리 또는 스테인레스와 티타늄의 접촉계면에 있어 화학성분 및 물리적, 기계적 성질은 모 재 금속과 일체화되어 적층 클래드층을 구성한다. 그리하여 높은 전류 통전효율의 평등 전 계를 장기간 지속시키는 적층 클래드판으로 구성된 회전 음극드럼을 발명의 구체적인 내용으로 포함한다.

또한 회전 음극드럼 표피 층 표면의 TiO₂산화피막은 진공 불활성 및 혼합가스 분위기의 복합기법으로 2차 열처리하여 극히 정밀하고 견고하게 그 두께를 평등 하도록 조정시켜져 있다.

그 결과 표피 층의 TiO₂산화피막은 결정조직 내로 수소의 침입을 강하게 방지 시킨다. 그래서 회전 음극드럼 표피의 티타늄 수화물의 발생은 방지되고 정밀한 조도를 장기간 지속시키고 전기 화학적인 평등 전 계가 지속 된다.

따라서 회전 음극드럼 표면에서 제박된 극 박막은 미려한 표면조도를 유지한다. 또한 가장 중요한 품질 기준이 되는 극 박막의 폭과 길이 방향의 무게편차 즉, 두께편차 불량을 방지시킨다.

또한 회전 음극드럼에서 그 박막의 박리 및 박피를 용이하게 만들어 주는 견고하고 정밀하게 조정된 평등한 TiO₂산화피막 층으로 구성되어 있다.

한편, 이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 이라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.

110 : 내부판 120 : 외피판
130 : 삽입재 140 : 용접 비드
150 : 티타늄 표피층

Claims (6)

1. 내부 공간을 갖는 원통형 드럼의 회전 음극드럼에 있어서,
   상기 원통형 드럼의 벽 두께 금속조직의 성분 구성은 상기 원통형 드럼의 바깥 원주 전체면의 표시조직에서 원통형 드럼의 벽 두께 내부 방향으로 티타늄 표피층, 티타늄판, 천이액상 확산접합용 공정합금 성분의 저융점 삽입재, 금속판의 순으로 적층되고,
   상기 티타늄판의 이음매 부분을 고정하는 티타늄 용접비드와,
   상기 금속판의 이음매 부분을 고정하는 은납재 용접비드와,
   상기 티타늄 표피층은 상기 티타늄판의 전체 표면에 다층 육성 용융 용접기법에 의해 다수의 층이 적층되어 표면 개질 처리된 표피조직이고,
   상기 저융점 삽입재는 천이확산 액상 접합을 형성하는 삽입금속의 기능을 담당하는 것을 특징으로 하는 극 박막 제조용 회전 음극드럼.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 금속판과 티타늄판의 표면은 산화물과 이물질을 제거된 상태에서 평활한 면 상태를 유지하고 있는 것을 특징으로 하는 극 박막 제조용 회전 음극드럼.
3. 삭제
4. 제 1 항에 있어서, 상기 금속판은 12~60㎜의 두께를 갖고, 상기 티타늄판은 4~10㎜의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 극 박막 제조용 회전 음극드럼.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 저융점 삽입재는 상기 티타늄판보다 얇은 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 극 박막 제조용 회전 음극드럼.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 금속판은 구리판, 스테인레스판, 알루미늄판, 철판 중에서 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 극 박막 제조용 회전 음극드럼.

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