KR101843894B1 - A light emitting module - Google Patents

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Abstract

실시 예는 회로 기판; 상기 회로 기판의 상면 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들; 상기 회로 기판의 하면 상에 배치되는 커넥터, 및 상기 회로 기판을 관통하는 복수의 관통 연결 비아들을 포함하며, 상기 커넥터와 상기 복수의 관통 연결 비아들은 전기적으로 연결된다.An embodiment includes a circuit board; A plurality of light emitting device packages disposed on an upper surface of the circuit board; A connector disposed on a lower surface of the circuit board, and a plurality of through-connection vias passing through the circuit board, wherein the connector and the plurality of through-connection vias are electrically connected.

Description

발광 모듈{A light emitting module}A light emitting module

실시 예는 기판 상에 실장되는 발광 소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting module including light emitting device packages mounted on a substrate.

자체 발광원이 없는 수광형 소자인 액정표시장치는 화면 전체를 후면에서 조명할 수 있는 별도의 광원 장치가 필요하다. 이러한 액정표시장치용 조명 장치를 일반적으로 백라이트 유닛(Back Light Unit)이라 한다.In a liquid crystal display device that is a light-receiving type device without a self-emitting source, a separate light source device capable of illuminating the entire screen from the back side is required. Such a lighting device for a liquid crystal display device is generally referred to as a backlight unit.

일반적으로 백라이트 유닛은 광원(예컨대, LED)이 배치되는 방식에 따라 에지-라이트 방식(Edge-light method)과 직하 방식(Direct lighting)으로 구별된다.Generally, a backlight unit is distinguished by an edge-light method and a direct lighting method according to the manner in which a light source (e.g., an LED) is disposed.

에지-라이트 방식은 빛을 안내하는 도광판의 측면에 광원(예컨대, LED)이 배치되는 방식이다. 에지-라이트 방식은 데스크 탑 컴퓨터나 노트북용 모니터와 같이 비교적 소형 액정표시장치에 적용되며, 빛의 균일성이 좋고, 내구성이 우수하다.In the edge-light method, a light source (e.g., an LED) is disposed on a side surface of a light guide plate for guiding light. The edge-light method is applied to a comparatively small liquid crystal display device such as a desktop computer or a monitor for a notebook computer, and has good uniformity of light and excellent durability.

직하 방식은 20인치 이상의 중·대형 표시장치에 사용되며, 액정 패널의 하부에 광원을 배열시켜 액정 패널의 전면을 직접 조명하는 방식이다.The direct-type method is used for a medium and large-sized display device of 20 inches or more, and a light source is arranged at the lower part of the liquid crystal panel to directly illuminate the front surface of the liquid crystal panel.

일반적으로 백라이트 유닛은 바(bar) 형태의 회로 기판 상에 실장되는 발광 다이오드들(Light Emitting Diode, LED), 도광판(Light Guide Plate, LGP), 반사시트(Reflector Sheet), 및 광학 시트(Optical Sheet)를 포함한다.BACKGROUND ART Generally, a backlight unit includes a light emitting diode (LED), a light guide plate (LGP), a reflector sheet, and an optical sheet mounted on a bar-shaped circuit board ).

실시 예는 회로 패턴 설계의 자유도를 향상시키고, 구동 전압을 감소시킬 수 있는 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module capable of improving the degree of freedom of circuit pattern design and reducing a driving voltage.

실시 예에 따른 발광 모듈은 회로 기판; 상기 회로 기판의 상면 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들; 상기 회로 기판의 하면 상에 배치되는 커넥터; 및 상기 회로 기판을 관통하는 복수의 관통 연결 비아들을 포함하며, 상기 커넥터와 상기 복수의 관통 연결 비아들은 전기적으로 연결된다.A light emitting module according to an embodiment includes a circuit board; A plurality of light emitting device packages disposed on an upper surface of the circuit board; A connector disposed on a lower surface of the circuit board; And a plurality of through connection vias passing through the circuit board, wherein the connector and the plurality of through connection vias are electrically connected.

상기 회로 기판은 방열층; 상기 방열층의 일측에 위치하는 제1 금속층; 상기 방열층의 다른 일측에 위치하는 제2 금속층; 상기 방열층과 상기 제1 금속층 사이에 배치되는 제1 절연층; 및 상기 방열층과 상기 제2 금속층 사이에 배치되는 제2 절연층을 포함할 수 있다.The circuit board includes a heat dissipation layer; A first metal layer disposed on one side of the heat dissipation layer; A second metal layer located on the other side of the heat dissipation layer; A first insulating layer disposed between the heat dissipation layer and the first metal layer; And a second insulation layer disposed between the heat dissipation layer and the second metal layer.

상기 복수의 발광 소자 패키지들은 복수의 스트링들(strings)로 구분되며, 상기 스트링들 각각에 속하는 발광 소자 패키지들은 상기 제2 금속층에 실장되며, 동일한 스트링 내에 속하는 발광 소자 패키지들은 서로 직렬로 연결될 수 있다.The plurality of light emitting device packages are divided into a plurality of strings, the light emitting device packages belonging to each of the strings are mounted on the second metal layer, and the light emitting device packages belonging to the same string are connected to each other in series .

상기 발광 소자 패키지들 각각은 몸체; 상기 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임; 및 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 발광 소자를 포함하며, 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임은 상기 제2 금속층과 전기적으로 연결될 수 있다.Each of the light emitting device packages includes a body; A first lead frame and a second lead frame disposed on the body; And a light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, wherein the first lead frame and the second lead frame can be electrically connected to the second metal layer.

상기 제1 금속층은 상기 관통 연결 비아들 각각에 연결되며, 서로 전기적으로 분리되는 복수의 금속 라인들을 포함할 수 있다.The first metal layer may include a plurality of metal lines connected to each of the through via vias and electrically isolated from each other.

상기 커넥터는 복수의 핀들을 포함하며, 상기 복수의 핀들 중 어느 하나는 상기 금속 라인들 중 대응하는 어느 하나와 연결될 수 있다.The connector includes a plurality of pins, and one of the plurality of pins may be connected to a corresponding one of the metal lines.

상기 복수의 발광 소자 패키지들은 상기 커넥터를 기준으로 대칭적으로 배치될 수 있다. 상기 복수의 금속 라인들은 상기 커넥터를 기준으로 대칭적으로 배치될 수 있다. 상기 관통 연결 비아들은 상기 커넥터를 기준으로 대칭적으로 배치될 수 있다.The plurality of light emitting device packages may be arranged symmetrically with respect to the connector. The plurality of metal lines may be arranged symmetrically with respect to the connector. The through connection vias may be arranged symmetrically with respect to the connector.

상기 복수의 관통 연결 비아들 각각은 상기 제1 금속층, 상기 제1 절연층, 상기 방열층, 상기 제2 절연층, 및 상기 제2 금속층을 관통할 수 있다.Each of the plurality of through connection vias may pass through the first metal layer, the first insulation layer, the heat dissipation layer, the second insulation layer, and the second metal layer.

상기 복수의 관통 연결 비아들 각각은 상기 제1 금속층, 상기 제1 절연층, 상기 방열층, 상기 제2 절연층, 및 상기 제2 금속층을 관통하는 비아 홀; 상기 비아 홀의 측벽에 배치되는 금속막; 및 상기 방열층에 해당하는 비아 홀의 측벽과 상기 금속막 사이에 배치되는 제3 절연층을 포함할 수 있다.Each of the plurality of through connection vias includes a via hole passing through the first metal layer, the first insulation layer, the heat dissipation layer, the second insulation layer, and the second metal layer; A metal film disposed on a side wall of the via hole; And a third insulating layer disposed between the sidewall of the via hole corresponding to the heat dissipation layer and the metal film.

실시 예는 회로 패턴 설계의 자유도를 향상시키고, 구동 전압을 감소시킬 수 있다.The embodiment can improve the degree of freedom of circuit pattern design and reduce the driving voltage.

도 1은 실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 모듈의 일부분의 확대도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 어느 하나의 발광 소자 패키지를 위에서 바라본 사시도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 어느 하나의 발광 소자 패키지를 아래에서 본 사시도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 어느 하나의 발광 소자 패키지의 상면도를 나타낸다.
도 6은 도 3에 도시된 어느 하나의 발광 소자 패키지의 AB방향의 단면도를 나타낸다.
도 7은 도 1에 도시된 관통 연결 비아의 수직 방향의 단면도를 나타낸다.
도 8은 도 1에 도시된 관통 연결 비아의 수평 방향의 단면도를 나타낸다.
도 9는 도 2에 도시된 커넥터와 관통 연결 비아들의 전기적 연결을 나타낸다.
도 10은 실시 예에 발광 모듈을 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸 도면이다.1 shows a light emitting module according to an embodiment.
Fig. 2 shows an enlarged view of a part of the light emitting module shown in Fig.
FIG. 3 is a perspective view of the light emitting device package shown in FIG. 1 viewed from above.
FIG. 4 is a perspective view of one of the light emitting device packages shown in FIG. 1, as viewed from below.
Fig. 5 shows a top view of any one of the light emitting device packages shown in Fig. 1. Fig.
6 is a cross-sectional view of one of the light emitting device packages shown in Fig. 3 in the AB direction.
7 shows a vertical cross-sectional view of the through-via shown in Fig.
8 shows a horizontal cross-sectional view of the through-via shown in Fig.
Figure 9 shows the electrical connection of the connector and the through via vias shown in Figure 2;
10 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting module in an embodiment.
11 is a view illustrating a display device including a light emitting device package according to an embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 모듈에 대하여 설명한다.Hereinafter, a light emitting module according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 모듈(100)을 나타내며, 도 2는 도 1에 도시된 발광 모듈(100)의 일부분(109)의 확대도를 나타낸다.FIG. 1 shows a light emitting module 100 according to an embodiment, and FIG. 2 shows an enlarged view of a portion 109 of the light emitting module 100 shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 모듈(100)은 회로 기판(205), 복수의 발광 소자 패키지들(207), 관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406) 및 커넥터(140)를 포함한다.1 and 2, the light emitting module 100 includes a circuit board 205, a plurality of light emitting device packages 207, through-connection vias 301 to 306, 401 to 406, and a connector 140 .

회로 기판(205)은 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있다. 회로 기판(205)은 바 형태(bar type), 예컨대, 직사각형 형상일 수 있다. The circuit board 205 may be a printed circuit board. The circuit board 205 may have a bar shape, for example, a rectangular shape.

회로 기판(205)은 단층 또는 다층 기판으로 구성될 수 있으며, 다층 기판일 경우 복수의 동을 입힌 동박 적층판(copper clad laminate)일 수 있다. 회로 기판(205)의 기초 재료는 에폭시, 페놀, 폴리이미드, FR(Flame Retardant)-4, 또는 CEM-3(Composite Epoxy Materials Grade 3) 등의 수지(resin)일 수 있고, 강도를 증가시키기 위하여 유리 섬유, 종이 등의 보강 기재가 추가될 수 있다.The circuit board 205 may be a single layer or a multilayer board, and in the case of a multilayer board, it may be a plurality of copper clad laminate. The base material of the circuit board 205 may be a resin such as epoxy, phenol, polyimide, FR (Flame Retardant) -4 or CEM-3 (Composite Epoxy Materials Grade 3) Glass fiber, paper, or the like may be added.

복수의 발광 소자 패키지들(207)은 회로 기판(205)의 일면 상에 서로 이격하여 실장된다. 예컨대, 발광 소자 패키지들(207)은 회로 기판(205)의 일 측변(예컨대, 일측 장변)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. A plurality of light emitting device packages 207 are mounted on one surface of the circuit board 205 so as to be spaced apart from each other. For example, the light emitting device packages 207 may be arranged in a line along one side (e.g., one long side) of the circuit board 205.

도 3은 도 1에 도시된 어느 하나의 발광 소자 패키지(X1)를 위에서 바라본 사시도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 어느 하나의 발광 소자 패키지(X1)를 아래에서 본 사시도를 나타내고, 도 5는 도 1에 도시된 어느 하나의 발광 소자 패키지(X1)의 상면도를 나타내고, 도 6은 도 3에 도시된 어느 하나의 발광 소자 패키지(X1)의 AB방향의 단면도를 나타낸다.FIG. 3 is a perspective view showing one of the light emitting device packages X1 shown in FIG. 1, FIG. 4 is a perspective view showing one of the light emitting device packages X1 shown in FIG. 1, 5 shows a top view of any one of the light emitting device packages X1 shown in FIG. 1, and FIG. 6 shows a cross-sectional view along the AB direction of any one of the light emitting device packages X1 shown in FIG.

도 3 내지 도 6을 참조하면, 발광 소자 패키지(X1)는 몸체(20), 제1 리드 프레임(31), 제2 리드 프레임(32), 발광 소자(10), 제1 와이어(12), 제2 와이어(14), 및 봉지재(40)를 포함한다.3 to 6, the light emitting device package X1 includes a body 20, a first lead frame 31, a second lead frame 32, a light emitting element 10, a first wire 12, A second wire 14, and an encapsulant 40.

몸체(20)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 또는 실리콘(Si)으로 형성될 수 있다.The body 20 may be formed of a resin material such as polyphthalamide (PPA), or silicon (Si).

몸체(20)의 상부면 형상은 발광 소자 패키지(X1)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 도시된 것과 같은 직사각형 형상의 발광 소자 패키지는 엣지(edge) 타입의 백라이트 유닛(BLU: Backlight Unit)에 사용되고, 휴대형 손전등이나 가정용 조명에 적용되는 경우, 몸체(20)는 휴대용 손전등이나 가정용 조명에 내장하기 용이한 크기와 형태로 다양하게 변경될 수 있다.The upper surface shape of the body 20 may have various shapes such as a triangular shape, a rectangular shape, a polygonal shape, and a circular shape depending on the use and design of the light emitting device package X1. For example, the rectangular light emitting device package as shown is used in an edge type backlight unit (BLU), and when applied to a portable flashlight or home lighting, the body 20 can be used as a portable flashlight, And can be variously modified in size and shape that are easy to be built in.

몸체(20)는 상부가 개방되고, 반사 측벽(101)과 바닥(102)을 포함하는 캐비티(cavity, 105)를 가질 수 있다. 캐비티(105)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티(105)의 반사 측벽(101)은 바닥(102)에 대해 수직이거나 경사질 수 있다. 이때 반사 측벽(101)은 바닥(102), 제1 리드 프레임, 및 제2 리드 프레임 외주를 감쌀 수 있다. 반사 측벽(101)은 후술하는 발광 소자(10)로부터 입사되는 빛을 반사시킬 수 있다.The body 20 may have a cavity 105 that is open at the top and includes a reflective sidewall 101 and a bottom 102. The cavity 105 may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the reflective side wall 101 of the cavity 105 may be perpendicular or inclined to the bottom 102. At this time, the reflective sidewall 101 may surround the bottom 102, the first lead frame, and the second lead frame. The reflective sidewall 101 can reflect light incident from the light emitting device 10 described later.

또는 몸체(20)는 제1 리드 프레임(31), 및 제2 리드 프레임(32)의 둘레에 위치하거나, 외주를 감싸도록 위치하며, 상방향으로 확장하는 반사 측벽(101)을 포함할 수 있다. 이때 상방향은 몸체(20)의 바닥(102)으로부터 수직으로 향하는 방향일 수 있다.Or the body 20 may include a first sidewall 31 and a reflective sidewall 101 located around the second sidewall 32 or surrounding the periphery and extending upwardly . The upward direction may be a direction perpendicular to the bottom 102 of the body 20.

캐비티(105)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 캐비티(105)를 위에서 바라본 형상은 사각형 형상이고, 사각형의 모서리가 곡선일 수 있으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.The shape of the cavity 105 viewed from the top may be circular, square, polygonal, elliptical, or the like. For example, as shown in FIG. 3, the shape of the cavity 105 viewed from above may have a rectangular shape, and the corner of the rectangular shape may be curved, but the embodiment is not limited thereto.

제1 리드 프레임(31) 및 제2 리드 프레임(32)은 서로 전기적으로 분리되도록 이격되어 몸체(20)에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32) 사이에는 캐비티(105)의 바닥(102)이 개재될 수 있다.The first lead frame 31 and the second lead frame 32 may be disposed on the body 20 so as to be electrically separated from each other. For example, the bottom 102 of the cavity 105 may be interposed between the first lead frame 31 and the second lead frame 32.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1 리드 프레임(31)의 일단(121)은 몸체의 일 측면(131)을 관통하여 외부로 노출될 수 있고, 제2 리드 프레임(32)의 일단(122)은 몸체(20)의 다른 일 측면(133)을 관통하여 외부로 노출될 수 있다. 또한 제1 리드 프레임(31)의 하면(143)은 몸체(20)로부터 노출될 수 있고, 제2 리드 프레임(32)의 하면(145)은 몸체(20)로부터 노출될 수 있다.4, one end 121 of the first lead frame 31 may be exposed to the outside through one side 131 of the body, and one end 122 of the second lead frame 32 may be exposed, May be exposed through the other side 133 of the body 20. The lower surface 143 of the first lead frame 31 can be exposed from the body 20 and the lower surface 145 of the second lead frame 32 can be exposed from the body 20. [

제1 리드 프레임(31) 및 제2 리드 프레임(32) 각각의 일단(121,122) 및 하면(143,145)이 몸체(20)로부터 노출되기 때문에 제1 리드 프레임(31)에 배치되는 발광 소자(10)로부터 발생하는 열이 제1 리드 프레임(31)을 통하여 몸체(20) 외부로 방출될 수 있다. 반사 측벽(101)은 제1 리드 프레임(31) 및 제2 리드 프레임(32) 상에 상방향으로 확장하도록 배치될 수 있다.Since the ends 121 and 122 and the bottom surfaces 143 and 145 of the first lead frame 31 and the second lead frame 32 are exposed from the body 20, the light emitting element 10, which is disposed on the first lead frame 31, Heat can be discharged to the outside of the body 20 through the first lead frame 31. The reflective sidewall 101 may be arranged to extend upwardly on the first lead frame 31 and the second lead frame 32. [

도 3 내지 도 6에서는 제1 리드 프레임(31)의 길이가 제2 리드 프레임(32)의 길이보다 크나, 다른 실시 예에서는 제2 리드 프레임(32)의 길이가 제1 리드 프레임(31)의 길이보다 크거나 또는 양자의 길이가 서로 동일할 수 있다.3 to 6, the length of the first lead frame 31 is greater than the length of the second lead frame 32. However, in another embodiment, the length of the second lead frame 32 is longer than that of the first lead frame 31 And the lengths of both may be equal to each other.

발광 소자(10)는 제1 리드 프레임(31) 상에 실장되며, 제1 리드 프레임(31) 및 제2 리드 프레임(32)과 전기적으로 연결된다. 발광 소자(10)는, 예컨대, 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)로 구성될 수 있으며, 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드, 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting element 10 is mounted on the first lead frame 31 and is electrically connected to the first lead frame 31 and the second lead frame 32. The light emitting device 10 may be a light emitting diode (LED), for example, a light emitting diode that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) light emitting diode, but the present invention is not limited thereto.

발광 소자(10)는 도시된 것과 같이 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 제1 리드 프레임(31), 및 제2 리드 프레임(32)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 10 may be electrically connected to the first lead frame 31 and the second lead frame 32 by wire bonding as shown in the figure.

제1 와이어(12)는 발광 소자(10)와 제1 리드 프레임(31)을 전기적으로 연결하고, 제2 와이어(14)는 발광 소자(10)와 제2 리드 프레임(32)을 전기적으로 연결할 수 있다. 그러나 다른 실시 예에서는 플립 칩(flip chip), 다이 본딩(die bonding) 방식 등으로 발광 소자(10)가 제1 리드 프레임(31) 및 제2 리드 프레임(32)과 전기적으로 연결될 수도 있다.The first wire 12 electrically connects the light emitting element 10 and the first lead frame 31 and the second wire 14 electrically connects the light emitting element 10 and the second lead frame 32 . However, in another embodiment, the light emitting device 10 may be electrically connected to the first lead frame 31 and the second lead frame 32 by flip chip, die bonding or the like.

제1 리드 프레임(31), 및 제2 리드 프레임(32)은 금속과 같은 전도성 재질, 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 하나, 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다.The first lead frame 31 and the second lead frame 32 may be formed of a conductive material such as a metal such as Ti, Cu, Ni, Au, Cr, And may be formed of one of tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), or an alloy thereof and may be a single layer or a multilayer structure.

봉지재(40)는 발광 소자(10)를 밀봉하여 보호하도록 도 4에 도시된 바와 같이 몸체(20)의 캐비티(105) 내에 충진될 수 있다. 봉지재(40)는 실리콘 또는 수지 재질로 형성될 수 있다. 봉지재(40)는 캐비티(105) 내에 실리콘 또는 수지 재질을 충진한 후, 이를 경화하는 방식으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The encapsulant 40 can be filled into the cavity 105 of the body 20 as shown in Fig. 4 to seal and protect the luminescent element 10. Fig. The sealing material 40 may be formed of silicon or a resin material. The encapsulant 40 may be formed in such a manner that the cavity 105 is filled with silicone or a resin material and then cured, but the present invention is not limited thereto.

봉지재(40)는 형광체를 포함할 수 있으며, 형광체에 의해 발광 소자(10)에서 방출되는 빛이 여기되어 다른 색상을 구현할 수 있다. 예컨대, 발광 소자(10)가 청색 발광 다이오드이고, 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기 되어 백색의 빛을 생성할 수 있다. 발광 소자(10)가 자외선(UV)을 방출하는 경우에는, R, G, B 삼색의 형광체가 봉지재(40)에 첨가되어 백색광을 구현할 수도 있다.The encapsulant 40 may include a phosphor, and the light emitted from the light emitting element 10 may be excited by the phosphor to realize a different color. For example, when the light emitting element 10 is a blue light emitting diode and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to generate white light. When the light emitting element 10 emits ultraviolet light (UV), phosphors of three colors of R, G, and B may be added to the encapsulant 40 to realize white light.

한편, 봉지재(40) 상에는 렌즈(미도시)가 더 형성되어, 발광 소자 패키지(X1 내지 Xn)가 방출하는 빛의 배광을 조절할 수 있다. 또한, 발광 소자 패키지(X1 내지 Xn)의 몸체(20)에는 내전압 향상을 위해 제너 다이오드(zener diode) 등이 더 설치될 수도 있다.On the other hand, a lens (not shown) is further formed on the encapsulation material 40 to control the light distribution of the light emitted from the light emitting device packages X1 to Xn. A zener diode or the like may be further provided on the body 20 of the light emitting device packages X1 to Xn to improve the withstand voltage.

여기서, 제너 다이오드(미도시)가 더 포함될 경우, 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32) 중 어느 하나에는 발광 소자(10)가 마운트되고, 다른 하나에는 제너 다이오드(미도시)가 마운트될 수 있다.Here, when a zener diode (not shown) is further included, the light emitting device 10 is mounted on one of the first lead frame 31 and the second lead frame 32, and a zener diode (not shown) Can be mounted.

발광 소자 패키지들(207)은 회로 기판(205)의 일측 장변을 따라 1열 이상으로 배열될 수 있다. 도 1의 실시 예에서 발광 소자 패키지들(207)은 회로 기판(205)의 일측 장변을 따라 1열로 배열된다. 또한 다른 실시 예에서 발광 소자 패키지들(207)이 2열 이상으로 배열되는 경우에 지그 재그(zig-zag)로 배치될 수 있다.The light emitting device packages 207 may be arranged in one or more rows along one long side of the circuit board 205. In the embodiment of FIG. 1, the light emitting device packages 207 are arranged in one row along one long side of the circuit board 205. Also, in another embodiment, the light emitting device packages 207 may be arranged in a zig-zag when arranged in two or more rows.

회로 기판(205) 상에 배치되는 발광 소자 패키지들(207)은 복수의 영역(이하 "스트링(string)"이라 함)들로 구분될 수 있다.The light emitting device packages 207 disposed on the circuit board 205 may be divided into a plurality of regions (hereinafter referred to as "strings").

예컨대, 회로 기판(205) 상에 배치되는 발광 소자 패키지들(207)은 복수의 스트링들(P1 내지 PM, S1 내지 SM, M>1인 자연수)로 구분될 수 있다. For example, the light emitting device packages 207 disposed on the circuit board 205 may be divided into a plurality of strings P1 to PM, S1 to SM, and M> 1.

하나의 스트링은 적어도 2개 이상의 발광 소자 패키지들(X1 내지 Xn, n>인 자연수)을 포함하며, 하나의 스트링 내의 적어도 2개 이상의 발광 소자 패키지들(X1 내지 Xn)은 서로 직렬로 연결된다.One string includes at least two light emitting device packages (X1 to Xn, n> a natural number), and at least two light emitting device packages (X1 to Xn) in one string are connected to each other in series.

도 2에 도시된 바와 같이, 회로 기판(205)은 방열층(313)과, 방열층(313)의 일측에 위치하는 제1 금속층(311)과, 방열층(313)의 다른 일측에 위치하는 제2 금속층(315)과, 방열층(313)과 제1 금속층(311) 사이에 배치되는 제1 절연층(312)과, 방열층(313)과 제2 금속층(315) 사이에 배치되는 제2 절연층(314)과, 제1 금속층(311)을 덮는 PSR층(Photo Solder Resist, 316)을 포함할 수 있다.2, the circuit board 205 includes a heat dissipation layer 313, a first metal layer 311 located on one side of the heat dissipation layer 313, and a first metal layer 311 located on the other side of the heat dissipation layer 313 A first insulating layer 312 disposed between the heat dissipation layer 313 and the first metal layer 311 and a second insulating layer 312 disposed between the heat dissipation layer 313 and the second metal layer 315, 2 insulating layer 314 and a PSR layer (Photo Solder Resist) 316 covering the first metal layer 311.

방열층(313)은 발광 소자 패키지들(207)로부터 발생하는 열을 방출하는 역할을 한다. 예를 들어, 방열층(313)은 열전도도가 큰 알루미늄일 수 있다.The heat dissipation layer 313 serves to dissipate heat generated from the light emitting device packages 207. For example, the heat-radiating layer 313 may be aluminum having a high thermal conductivity.

제1 금속층(311)은 방열층(313)의 일측(또는 아래)에 위치하는 제1 절연층(312) 상에 배치되며, 제2 금속층(315)은 방열층(313)의 다른 일측(또는 상부)에 위치하는 제2 절연층(314) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 절연층(312) 및 제2 절연층(314)은 수지층일 수 있다.The first metal layer 311 is disposed on the first insulating layer 312 located on one side (or below) of the heat dissipation layer 313 and the second metal layer 315 is disposed on the other side On top of the second insulating layer 314. For example, the first insulating layer 312 and the second insulating layer 314 may be a resin layer.

제2 금속층(315)은 복수의 발광 소자 패키지들(207)이 솔더링(soldering)되는 층일 수 있다. 복수의 발광 소자 패키지들(207)은 제2 금속층(315) 상에 마운트될 수 있다. 예컨대, 도 1 및 도 2에는 도시되지 않았지만, 발광 소자 패키지들(207)을 제2 금속층(315)에 접합하기 위하여 발광 소자 패키지와 제2 금속층 사이에 PSR층과 같은 접합층(bonding layer)이 삽입될 수 있다.The second metal layer 315 may be a layer in which a plurality of light emitting device packages 207 are soldered. A plurality of light emitting device packages 207 may be mounted on the second metal layer 315. For example, although not shown in FIGS. 1 and 2, a bonding layer such as a PSR layer may be formed between the light emitting device package and the second metal layer to bond the light emitting device packages 207 to the second metal layer 315 Can be inserted.

예컨대, 스트링들 각각에 속하는 발광 소자 패키지들(X1 내지 Xn)은 제2 금속층(315) 상에 마운트될 수 있다. 그리고 제2 금속층(315) 상에 마운트되는 하나의 스트링 (예컨대, P1) 내에 속하는 발광 소자 패키지들(X1 내지 Xn)은 서로 직렬로 연결될 수 있다. 또한 제2 금속층(315) 상에 마운트된 서로 다른 스트링(예컨대, P1, P2) 내에 속하는 발광 소자 패키지들은 전기적으로 분리될 수 있다.For example, the light emitting device packages X1 to Xn belonging to each of the strings may be mounted on the second metal layer 315. [ And the light emitting device packages X1 to Xn belonging to one string (for example, P1) mounted on the second metal layer 315 may be connected in series with each other. Also, the light emitting device packages belonging to different strings (for example, P1 and P2) mounted on the second metal layer 315 can be electrically separated.

도 2에 도시된 바와 같이, 제2 금속층(315)은 하나의 스트링(예컨대, P1) 내에 속하는 발광 소자 패키지들(X1 내지 Xn)이 서로 직렬로 연결되도록 패터닝될 수 있다. As shown in FIG. 2, the second metal layer 315 may be patterned so that the light emitting device packages X1 to Xn belonging to one string (for example, P1) are connected to each other in series.

예컨대, 제2 금속층(315)은 서로 전기적으로 이격하는 복수의 서브 금속층들을 포함하며, 발광 소자 패키지들(X1 내지 Xn) 각각의 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32)은 인접하는 서브 금속층들(예컨대, 315-1, 315-2)에 솔더링되고, 인접하는 서브 금속층들(예컨대, 315-1, 315-2)에 실장된 발광 소자 패키지들(X1 내지 Xn)은 서로 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다.For example, the second metal layer 315 includes a plurality of sub-metal layers electrically spaced from each other, and the first lead frame 31 and the second lead frame 32 of each of the light emitting device packages X1 to Xn are adjacent The light emitting device packages X1 to Xn soldered to the sub metal layers (e.g., 315-1 and 315-2) and mounted on the adjacent sub metal layers (e.g., 315-1 and 315-2) As shown in FIG.

관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406) 각각은 회로 기판(205)을 관통하며, 발광 소자 패키지들(207) 중 적어도 어느 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. Each of the through-connection vias 301 to 306 and 401 to 406 penetrates the circuit board 205 and can be electrically connected to at least one of the light emitting device packages 207.

예컨대, 관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406)은 제2 금속층(315), 제2 절연층(314), 방열층(313), 제1 절연층(312), 및 제1 금속층(311)을 관통할 수 있다. 관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406)은 각 스트링(P1 내지 PM, S1 내지 SM)에 속하는 직렬로 연결되는 발광 소자 패키지들(X1 내지 Xn) 중 첫 번째와 제1 금속층(311)을 전기적으로 연결할 수 있다.For example, the through-connection vias 301 to 306 and 401 to 406 may include a second metal layer 315, a second insulation layer 314, a heat dissipation layer 313, a first insulation layer 312, 311). The through connection vias 301 to 306 and 401 to 406 are connected to the first one of the light emitting device packages X1 to Xn connected in series and the first metal layer 311 belonging to the strings P1 to PM, Can be electrically connected.

예컨대, 제1 관통 연결 비아(302)는 각 스트링(예컨대, PM)에 속하는 첫 번째 발광 소자 패키지(X1)의 제1 리드 프레임(31)(또는 제2 리드 프레임)과 연결될 수 있다.For example, the first through connecting via 302 may be connected to the first lead frame 31 (or the second lead frame) of the first light emitting device package X1 belonging to each string (for example, PM).

또한 관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406)은 각 스트링(P1 내지 PM, S1 내지 SM)에 속하는 직렬로 연결되는 발광 소자 패키지들(X1 내지 Xn) 중 마지막 번째와 제1 금속층(311)을 전기적으로 연결할 수 있다.The through vias 301 to 306 and 401 to 406 are connected to the last of the light emitting device packages X1 to Xn connected in series belonging to the strings P1 to PM and S1 to SM and the first metal layer 311 ) Can be electrically connected.

예컨대, 제2 관통 연결 비아(301)는 각 스트링(예컨대, PM)에 속하는 마지막 번째 발광 소자 패키지(Xn)의 제2 리드 프레임(32)(또는 제1 리드 프레임)과 연결될 수 있다.For example, the second through-connection via 301 may be connected to the second lead frame 32 (or the first lead frame) of the last light emitting device package Xn belonging to each string (for example, PM).

도 7은 도 1에 도시된 관통 연결 비아의 수직 방향(AA')의 단면도를 나타내고, 도 8은 도 1에 도시된 관통 연결 비아의 수평 방향의 단면도를 나타낸다. 여기서 AA' 방향은 회로 기판(205)의 상면으로부터 하면으로 향하는 방향일 수 있고, 수평 방향은 AA'방향에 수직인 방향일 수 있다. 도 8은 방열층(313)에 해당하는 관통 연결 비아의 부분을 수평 방향으로 절단한 단면도이다.FIG. 7 shows a cross-sectional view of the through-via in the vertical direction AA 'shown in FIG. 1, and FIG. 8 shows a cross-sectional view in the horizontal direction of the through-via shown in FIG. Here, the AA 'direction may be a direction from the upper surface to the lower surface of the circuit board 205, and the horizontal direction may be a direction perpendicular to the AA' direction. 8 is a cross-sectional view of a portion of the through-connection via corresponding to the heat dissipation layer 313 cut in the horizontal direction.

도 7 및 도 8을 참조하면, 관통 연결 비아들(예컨대, 301 내지 306, 401 내지 406) 각각은 비아 홀(via hole, 390)과, 비아 홀(390)의 측벽에 배치되는 금속막(320), 및 금속막(320)과 방열층(313)에 해당하는 비아 홀(390)의 측벽 사이에 배치되는 제3 절연층(310)을 포함한다.7 and 8, each of the through-connection vias (e.g., 301 to 306, 401 to 406) includes a via hole 390 and a metal film 320 disposed on the side wall of the via hole 390 And a third insulating layer 310 disposed between the metal film 320 and the side wall of the via hole 390 corresponding to the heat dissipating layer 313. [

예컨대, 금속막(320)은 제1 금속층(311), 제1 절연층(312), 제2 절연층(314), 및 제2 금속층(315)에 해당하는 비아 홀의 측벽과 접촉하며, 제3 절연층(310)은 비아 홀(390) 내의 방열층(313)과 금속막(320) 사이에 배치될 수 있다.For example, the metal film 320 is in contact with the side wall of the via hole corresponding to the first metal layer 311, the first insulating layer 312, the second insulating layer 314, and the second metal layer 315, The insulating layer 310 may be disposed between the heat dissipation layer 313 in the via hole 390 and the metal film 320.

따라서 관통 연결 비아의 금속막(320)에 의하여 제1 금속층(311)과 제2 금속층(315)은 전기적으로 연결되고, 제3 절연층(310)에 의하여 금속막(320)은 방열층(313)과는 절연될 수 있다. The first metal layer 311 and the second metal layer 315 are electrically connected by the metal film 320 of the through connection via and the metal film 320 is electrically connected to the heat dissipation layer 313 Can be insulated.

비아 홀의 직경(R)은 200um ~ 300um일 수 있다. 금속막(320)은 구리, 즉 동박 코팅막일 수 있으며, 제3 절연층(310)은 수지 코팅막일 수 있다. 제3 절연층(310)은 방열층(313), 제1 금속층(311) 및 제2 금속층(315)에 해당하는 비아 홀 측벽과 금속막(320) 사이를 절연시킬 수 있다. The diameter (R) of the via-hole may be 200 [mu] m to 300 [mu] m. The metal film 320 may be copper, that is, a copper foil coating film, and the third insulating layer 310 may be a resin coating film. The third insulating layer 310 may isolate the metal film 320 from the via hole sidewalls corresponding to the heat dissipation layer 313, the first metal layer 311, and the second metal layer 315.

제1 금속층(311)은 관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406)과 연결되고, 관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406) 각각을 커넥터(140)와 연결한다. 제1 금속층(311)은 관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406)을 커넥터(140)에 연결하는 전극 패턴, 또는 회로 패턴일 수 있다.The first metal layer 311 is connected to the through via vias 301 to 306 and 401 to 406 and connects each of the through via vias 301 to 306 and 401 to 406 to the connector 140. The first metal layer 311 may be an electrode pattern or a circuit pattern connecting the through-connection vias 301 to 306, 401 to 406 to the connector 140.

예컨대, 제1 금속층(311)은 관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406) 각각에 연결되며, 서로 전기적으로 분리되는 복수의 금속 라인들(210 내지 215, 220 내지 225)로 패터닝될 수 있다. 그리고 복수의 금속 라인들(210 내지 215, 220 내지 225)은 커넥터(140)와 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the first metal layer 311 may be patterned with a plurality of metal lines 210-215, 220-225 electrically connected to the through via vias 301 - 306, 401 - 406, respectively, have. The plurality of metal lines 210 to 215, 220 to 225 may be electrically connected to the connector 140.

커넥터(140)는 회로 기판(205)의 다른 일면 상에 배치된다. 여기서 회로 기판(205)의 다른 일면은 발광 소자 패키지들(207)이 위치하는 회로 기판(205)의 일면과 반대되는 면일 수 있다.The connector 140 is disposed on the other surface of the circuit board 205. Here, the other surface of the circuit board 205 may be a surface opposite to one surface of the circuit board 205 where the light emitting device packages 207 are located.

실시 예는 회로 기판(205)의 일면에는 발광 소자 패키지들(207)을 실장하기 위한 제2 금속층(315)이 위치하고, 회로 기판(205)의 다른 일면에는 발광 소자 패키지들(207)에 제1 전원 및 제2 전원을 공급하기 위한 회로 패턴을 갖는 제1 금속층(311)이 위치하도록 함으로써, 회로 기판(205)의 공간을 효율적으로 이용할 수 있고, 발광 모듈(100)의 회로 패턴 설계의 자유도를 향상시키고, 복잡한 회로 패턴을 용이하게 설계할 수 있다.The second metal layer 315 for mounting the light emitting device packages 207 is disposed on one surface of the circuit board 205 and the second metal layer 315 is mounted on the other surface of the circuit board 205, The first metal layer 311 having the circuit pattern for supplying the power source and the second power source is located so that the space of the circuit board 205 can be efficiently used and the degree of freedom in designing the circuit pattern of the light emitting module 100 can be improved And a complicated circuit pattern can be easily designed.

도 9는 도 2에 도시된 커넥터(140)와 관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406)의 전기적 연결을 나타낸다.9 shows the electrical connection of the connector 140 and the through vias 301 to 306, 401 to 406 shown in Fig.

도 9를 참조하면, 커넥터(140)은 복수의 핀들(C1 내지 CK, K>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 복수의 핀들(C1 내지 CK, K>1인 자연수) 중 어느 하나는 제1 금속층(311)의 금속 라인들(210 내지 215, 220 내지 225) 중 대응하는 어느 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 9, the connector 140 may include a plurality of pins (C1 to CK, K> 1 natural number). Any one of the plurality of fins C1 to CK and natural number K> 1 may be electrically connected to any one of the metal lines 210 to 215 and 220 to 225 of the first metal layer 311.

예컨대, 제1 핀(C1)은 금속 라인(215)과 연결되고, 제1 금속 라인(215)은 관통 연결 비아(306)와 연결되며, 관통 연결 비아(306)는 스트링(P1)에 속하는 첫 번째 발광 소자 패키지(X1)의 제1 리드 프레임(31)과 연결될 수 있다.For example, the first fin C1 is connected to the metal line 215, the first metal line 215 is connected to the through via 306 and the through via 306 is connected to the first May be connected to the first lead frame 31 of the first light emitting device package X1.

복수의 핀들(C1 내지 CK, K>1인 자연수)은 제1 전원(예컨대, - 전원)이 공급되는 제1 핀들과 제2 전원(예컨대, + 전원)이 공급되는 제2 핀들을 포함한다. The plurality of pins (C1 to CK, natural number of K> 1) include first pins supplied with a first power supply (e.g., - power supply) and second pins supplied with a second power supply (e.g., + power supply).

예컨대, 제1 금속층(311) 및 관통 연결 비아를 통하여 제1 핀들 각각은 각 스트링에 속하는 첫 번째 발광 소자 패키지(X1)의 제1 리드 프레임(31)(또는 제2 리드 프레임)에 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고 제1 금속층(311) 및 관통 연결 비아를 통하여 제2 핀들 각각은 각 스트링에 속하는 마지막 번째 발광 소자 패키지(Xn)의 제2 리드 프레임(32)에 전기적으로 연결될 수 있다.For example, each of the first pins through the first metal layer 311 and the through-connection via is electrically connected to the first lead frame 31 (or the second lead frame) of the first light emitting device package X1 belonging to each string . Each of the second fins may be electrically connected to the second lead frame 32 of the last light emitting device package Xn belonging to each string through the first metal layer 311 and the through connection via.

발광 소자 패키지들(207)은 커넥터(140)를 기준으로 회로 기판(205)의 일면 상에 대칭적으로 배치될 수 있다. 예컨대, 회로 기판(205)의 일면 상에 배치되는 발광 소자 패키지들(207)은 커넥터(140)를 기준으로 좌우 대칭적으로 배치될 수 있다.The light emitting device packages 207 may be disposed symmetrically on one side of the circuit board 205 with respect to the connector 140. [ For example, the light emitting device packages 207 disposed on one side of the circuit board 205 may be arranged symmetrically with respect to the connector 140.

예컨대, 커넥터(140)를 기준으로 회로 기판(205)의 일면은 좌측 영역(P)과 우측 영역(S)으로 구분될 수 있다. 그리고, 좌측 영역(P)은 복수의 제1 스트링들(P1 내지 PM, M>1인 자연수)이 배치되고, 우측 영역(S)은 복수의 제2 스트링들(S1 내지 SM, M>1인 자연수)이 배치될 수 있다. 그리고 커넥터(140)를 기준으로 제1 스트링들(P1 내지 PM, M>1인 자연수)과 제2 스트링들(S1 내지 SM, M>1인 자연수)은 서로 대칭적으로 배치될 수 있다.For example, one side of the circuit board 205 may be divided into a left side region P and a right side region S with respect to the connector 140. The left region P is arranged with a plurality of first strings P1 to PM and M> 1 and the right region S includes a plurality of second strings S1 to SM and M> 1 A natural number) may be disposed. The first strings P1 to PM and M> 1 and the second strings S1 to SM and M> 1 may be arranged symmetrically with respect to the connector 140.

또한 관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406)은 커넥터(140)를 기준으로 서로 대칭적으로 배치될 수 있다.Also, the through-connection vias 301 to 306, 401 to 406 may be disposed symmetrically with respect to the connector 140.

또한 커넥터(140)를 기준으로 제1 금속층(311)의 금속 라인들(210 내지 215, 220 내지 225)은 서로 대칭적으로 배치될 수 있다. 커넥터(140)를 기준으로 좌측 영역(P)에 위치하는 금속 라인들(210 내지 215)과 우측 영역(S)에 위치하는 금속 라인들(220 내지 225)은 서로 대칭적일 수 있다. 예컨대, 좌측 영역(P)에 위치하는 금속 라인들(210 내지 215)과 우측 영역(S)에 위치하는 금속 라인들(220 내지 225)은 형상, 길이, 폭 등이 서로 동일할 수 있으며, 서로 대칭적으로 배치될 수 있다.The metal lines 210 to 215 and 220 to 225 of the first metal layer 311 may be disposed symmetrically with respect to the connector 140. The metal lines 210 to 215 located in the left region P and the metal lines 220 to 225 located in the right region S with respect to the connector 140 may be symmetrical to each other. For example, the metal lines 210 to 215 located in the left region P and the metal lines 220 to 225 located in the right region S may have the same shape, length, and width, Can be arranged symmetrically.

실시 예는 커넥터(140)를 기준으로 제1 금속층(311)의 금속 라인들(210 내지 215, 220 내지 225) 및 관통 연결 비아들(301 내지 306, 401 내지 406)이 서로 대칭적이기 때문에, 저항 및 구동 전압을 감소시킬 수 있다.Since the metal lines 210 to 215, 220 to 225 and the through-connection vias 301 to 306, 401 to 406 of the first metal layer 311 are symmetrical with respect to the connector 140, And the driving voltage can be reduced.

도 10은 실시 예에 발광 모듈을 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다. 도 10을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과 상기 광원(750)이 내장되는 하우징(700)과 상기 광원(750)의 열을 방출하는 방열부(740) 및 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함하여 이루어진다.10 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting module in an embodiment. 10, a lighting apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention includes a light source 750 for projecting light, a housing 700 having the light source 750 therein, a heat dissipation unit 740 for emitting heat of the light source 750, And a holder 760 coupling the light source 750 and the heat dissipating unit 740 to the housing 700.

하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 상기 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함한다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 700 includes a socket coupling portion 710 coupled to an electric socket (not shown), and a body portion 730 connected to the socket coupling portion 710 and having a light source 750 embedded therein. One air flow hole 720 may be formed through the body portion 730.

하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비되어 있는데, 공기 유동구(720)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.A plurality of air flow ports 720 are provided on the body portion 730 of the housing 700. The air flow port 720 may be formed of one air flow port or may be formed by a plurality of flow ports other than the radial arrangement Various arrangements are possible.

광원(750)은 회로 기판(754) 및 발광 소자 패키지들(752)을 포함할 수 있다. 광원은 실시 예에 따른 발광 모듈(100)일 수 있다. 예컨대, 회로 기판(754) 및 발광 소자 패키지들(752)은 도 1에 도시된 회로 기판(205) 및 발광 소자 패키지들(207)일 수 있다. 다만 회로 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달할 수 있다.The light source 750 may include a circuit board 754 and light emitting device packages 752. The light source may be the light emitting module 100 according to the embodiment. For example, the circuit board 754 and the light emitting device packages 752 may be the circuit board 205 and the light emitting device packages 207 shown in FIG. However, the circuit board 754 may have a shape that can be inserted into the opening of the housing 700, and may transmit heat to the heat dissipating unit 740 as described later.

광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되는데, 홀더(760)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다. A holder 760 is provided under the light source 750, and the holder 760 may include a frame and another air flow hole. Although not shown, an optical member may be provided under the light source 750 to diffuse, scatter, or converge light projected from the light emitting device package 752 of the light source 750.

도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸 도면이다.11 is a view illustrating a display device including a light emitting device package according to an embodiment.

도 11을 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.11, the display device 800 according to the embodiment includes a bottom cover 810, a reflection plate 820 disposed on the bottom cover 810, light emitting modules 830 and 835 for emitting light, A light guide plate 840 disposed in front of the reflection plate 820 and guiding light emitted from the light emitting modules 830 and 835 to the front of the display device and prism sheets 850 and 860 disposed in front of the light guide plate 840 An image signal output circuit 872 connected to the display panel 870 and supplying an image signal to the display panel 870, a display panel 870 connected to the display panel 870, And a color filter 880 disposed in front of the color filter 880. Here, the bottom cover 810, the reflection plate 820, the light emitting modules 830 and 835, the light guide plate 840, and the optical sheet may form a backlight unit.

발광 모듈은 기판(830) 및 발광 소자 패키지(835)를 포함할 수 있다. 도 11에 도시된 발광 모듈은 도 1에 도시된 발광 모듈(100)일 수 있다. 예컨대, 기판(830) 및 발광 소자 패키지(835)는 도 1에 도시된 회로 기판(205) 및 발광 소자 패키지(207)일 수 있다.The light emitting module may include a substrate 830 and a light emitting device package 835. The light emitting module shown in FIG. 11 may be the light emitting module 100 shown in FIG. For example, the substrate 830 and the light emitting device package 835 may be the circuit substrate 205 and the light emitting device package 207 shown in FIG.

바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 can house components within the display device 800. [ Also, the reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be provided on the rear surface of the light guide plate 840 or on the front surface of the bottom cover 810 in a state of being coated with a highly reflective material .

반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and a polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(840)은 발광 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(840)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.The light guide plate 840 scatters light emitted from the light emitting module and uniformly distributes the light over the entire screen area of the liquid crystal display device. Accordingly, the light guide plate 840 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 840 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE).

제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 may be formed of a translucent and elastic polymeric material on one side of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. Here, as shown in the drawings, the plurality of patterns may be provided with a floor and a valley repeatedly as stripes.

제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the direction of the floor and the valley on one side of the supporting film may be perpendicular to the direction of the floor and the valley on one side of the supporting film in the first prism sheet 850. This is to evenly distribute the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet to the front surface of the display panel 870.

그리고, 도시되지는 않았으나 각각의 프리즘 시트 상에는 보호 시트가 구비될 수 있는데, 지지 필름의 양면에 광확산성 입자와 바인더를 포함하는 보호층이 구비될 수 있다. 또한, 프리즘층은 폴리우레탄, 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 엘라스토머, 폴리이소프렌, 폴리실리콘으로 구성되는 군으로부터 선택되는 중합체 재료로 이루어질 수 있다.Although not shown, a protective sheet may be provided on each prism sheet, and a protective layer including light diffusing particles and a binder may be provided on both sides of the support film. The prism layer may also be made of a polymeric material selected from the group consisting of polyurethane, styrene butadiene copolymer, polyacrylate, polymethacrylate, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate elastomer, polyisoprene, have.

그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.Although not shown, a diffusion sheet may be disposed between the light guide plate 840 and the first prism sheet 850. The diffusion sheet may be made of polyester and polycarbonate-based materials, and the light incidence angle can be maximized by refracting and scattering light incident from the backlight unit. The diffusion sheet includes a support layer including a light diffusing agent, a first layer formed on the light exit surface (first prism sheet direction) and a light incidence surface (in the direction of the reflection sheet) . ≪ / RTI >

실시 예에서 확산 시트와 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In an embodiment, the diffusion sheet, the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860 form an optical sheet, which may be made of other combinations, for example a microlens array, Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다. 디스플레이 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.The display panel 870 may include a liquid crystal display (LCD) panel, and may include other types of display devices that require a light source in addition to the liquid crystal display panel 860. In the display panel 870, a liquid crystal is positioned between glass bodies, and a polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시 장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다. 그리고, 디스플레이 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 디스플레이 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel. A color filter 880 is provided on the front surface of the display panel 870 so that only red, green, and blue light is transmitted for each pixel of the light projected from the display panel 870, thereby displaying an image.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 발광 소자 20: 몸체
31: 제1 리드 프레임 32: 제2 리드 프레임
105: 캐비티 140: 커넥터
205: 회로 기판 207: 발광 소자 패키지들
310 내지 306, 401 내지 406: 관통 연결 비아들 311: 제1 금속층
312: 제1 절연층 313: 방열층
314: 제2 절연층 315: 제2 금속층
316: PSR층.
10: light emitting element 20: body
31: first lead frame 32: second lead frame
105: cavity 140: connector
205: circuit board 207: light emitting device packages
310 to 306, 401 to 406: Through-connection vias 311: First metal layer
312: first insulating layer 313:
314: second insulating layer 315: second metal layer
316: PSR layer.

Claims (13)

방열층, 상기 방열층의 일측에 위치하는 제1 금속층, 상기 방열층의 다른 일측에 위치하는 제2 금속층, 상기 방열층과 상기 제1 금속층 사이에 배치되는 제1 절연층과 상기 방열층과 상기 제2 금속층 사이에 배치되는 제2 절연층을 포함하는 회로 기판;
상기 회로 기판의 상기 제2 금속층 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들;
상기 회로 기판의 하면 상에 배치되는 커넥터; 및
상기 회로 기판을 관통하는 복수의 관통 연결 비아들을 포함하며,
상기 제1 금속층은 상기 관통 연결 비아들 각각에 연결되고, 서로 전기적으로 분리되는 복수의 금속 라인들을 포함하고,
상기 커넥터는 복수의 핀들을 포함하고, 상기 복수의 핀들 중 어느 하나는 상기 금속 라인들 중 대응하는 어느 하나와 연결되는 발광 모듈.A first metal layer disposed on one side of the heat dissipation layer, a second metal layer positioned on another side of the heat dissipation layer, a first insulation layer disposed between the heat dissipation layer and the first metal layer, A circuit board comprising a second insulating layer disposed between the second metal layers;
A plurality of light emitting device packages disposed on the second metal layer of the circuit board;
A connector disposed on a lower surface of the circuit board; And
A plurality of through connection vias passing through the circuit board,
Wherein the first metal layer comprises a plurality of metal lines connected to each of the through via vias and electrically isolated from each other,
Wherein the connector includes a plurality of pins, and wherein one of the plurality of pins is connected to a corresponding one of the metal lines. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자 패키지들은 복수의 스트링들(strings)로 구분되며, 동일한 스트링 내에 속하는 발광 소자 패키지들은 서로 직렬로 연결되고,
상기 발광 소자 패키지들 각각은 몸체, 상기 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임, 및 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임은 상기 제2 금속층과 전기적으로 연결되는 발광 모듈.The method according to claim 1,
The plurality of light emitting device packages are divided into a plurality of strings, the light emitting device packages belonging to the same string are connected to each other in series,
Wherein each of the light emitting device packages includes a body, a first lead frame and a second lead frame disposed in the body, and a light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, And the lead frame and the second lead frame are electrically connected to the second metal layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항, 또는 제3항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자 패키지들은 상기 커넥터를 기준으로 대칭적으로 배치되고,
상기 복수의 금속 라인들은 상기 커넥터를 기준으로 대칭적으로 배치되고,
상기 관통 연결 비아들은 상기 커넥터를 기준으로 대칭적으로 배치되는 발광 모듈.The method according to claim 1 or 3,
Wherein the plurality of light emitting device packages are arranged symmetrically with respect to the connector,
Wherein the plurality of metal lines are symmetrically disposed with respect to the connector,
Wherein the through connection vias are symmetrically disposed with respect to the connector. 삭제delete 삭제delete 제1항, 또는 제3항에 있어서, 상기 복수의 관통 연결 비아들 각각은,
상기 제1 금속층, 상기 제1 절연층, 상기 방열층, 상기 제2 절연층, 및 상기 제2 금속층을 관통하는 발광 모듈.The semiconductor device according to claim 1 or 3, wherein each of the plurality of through-
Wherein the first metal layer, the first insulating layer, the heat dissipation layer, the second insulating layer, and the second metal layer pass through the light emitting module. 제1항, 또는 제3항에 있어서, 상기 복수의 관통 연결 비아들 각각은,
상기 제1 금속층, 상기 제1 절연층, 상기 방열층, 상기 제2 절연층, 및 상기 제2 금속층을 관통하는 비아 홀;
상기 비아 홀의 측벽에 배치되는 제3 금속층; 및
상기 방열층에 해당하는 비아 홀의 측벽과 상기 제3 금속층 사이에 배치되는 제3 절연층을 포함하는 발광 모듈.The semiconductor device according to claim 1 or 3, wherein each of the plurality of through-
A via hole penetrating the first metal layer, the first insulating layer, the heat dissipating layer, the second insulating layer, and the second metal layer;
A third metal layer disposed on a side wall of the via hole; And
And a third insulating layer disposed between the side wall of the via hole corresponding to the heat dissipating layer and the third metal layer. 제11항에 있어서,
상기 비아 홀의 직경은 200um ~ 300um이고,
상기 방열층은 알루미늄이고,
상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 제3 금속층은 구리이고,
상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 제3 절연층은 수지(resin)인 발광 모듈.12. The method of claim 11,
The diameter of the via-hole is 200 mu m to 300 mu m,
The heat dissipation layer is aluminum,
Wherein the first metal layer, the second metal layer, and the third metal layer are copper,
Wherein the first insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer are resin. 삭제delete
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