KR101825751B1 - Machining method - Google Patents
Machining method Download PDFInfo
- Publication number
- KR101825751B1 KR101825751B1 KR1020120078181A KR20120078181A KR101825751B1 KR 101825751 B1 KR101825751 B1 KR 101825751B1 KR 1020120078181 A KR1020120078181 A KR 1020120078181A KR 20120078181 A KR20120078181 A KR 20120078181A KR 101825751 B1 KR101825751 B1 KR 101825751B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- holding
- protective tape
- workpiece
- wafer
- wheel
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 title 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 76
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명은, 바이트를 이용하여 보호 테이프를 절삭하는 경우에, 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼 상에 잔존하는 것을 방지하는 것을 그 과제로 한다.
본 발명의 가공 방법은, 피가공물(1)에 보호 테이프(7)를 점착하는 보호 테이프 점착 단계와, 점착 단계를 실시한 후, 보호 테이프(7)가 노출되도록 피가공물을 유지 테이블(21)에 유지하는 유지 단계와, 유지 단계를 실시한 후, 회전하는 바이트 휠(35)을 소정 높이에 위치시키고 유지 테이블(21)과 바이트 휠(35)을 상대 이동시킴으로써, 피가공물(1)에 점착된 보호 테이프(7)를 바이트 휠(35)로 절삭하여 평탄화하는 평탄화 단계를 포함하고, 평탄화 단계에서는 바이트 휠(35)의 회전 속도를 주속 1914 m/min 이상으로 설정하여, 실 형상의 보호 테이프 부스러기가 피가공물 상에 잔존하는 것을 방지한다.An object of the present invention is to prevent the protective tape debris from remaining on the wafer when the protective tape is cut using a cutting tool.
A processing method of the present invention is a processing method comprising the steps of: adhering a protective tape (7) to a workpiece (1); and attaching a workpiece to the holding table And the holding table 21 and the bite wheel 35 are moved relative to each other by positioning the rotating bite wheel 35 at a predetermined height after performing the holding step for holding the bite 1 and the holding step for holding the bite 1, And a flattening step of cutting and flattening the tape 7 with the bite wheel 35. In the flattening step, the rotational speed of the bite wheel 35 is set at a peripheral speed of 1914 m / min or more, And is prevented from remaining on the workpiece.
Description
본 발명은 피가공물에 점착된 보호 테이프를 바이트 휠로 절삭하여 평탄화하는 가공 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
웨이퍼 등의 피가공물의 이면 연삭에 있어서는, 웨이퍼의 표면의 손상 등을 막기 위해, 웨이퍼 표면에 보호 테이프가 점착된다. 보호 테이프로서는, 예컨대 하기 특허문헌 1에 기재된 것을 사용할 수 있다.BACKGROUND ART In back grinding of a workpiece such as a wafer, a protective tape is adhered to the surface of the wafer in order to prevent damage to the surface of the wafer. As the protective tape, for example, those described in
그러나, 보호 테이프를 범프라고 불리는 복수의 돌기형의 접속 전극이 형성된 웨이퍼 표면에 점착한 경우는, 보호 테이프의 표면은, 범프를 따라 울퉁불퉁해져 버리는 경우가 있다. 따라서, 이 상태 그대로 웨이퍼의 표면을 유지하여 이면을 연삭하면, 연삭 후의 웨이퍼는, 평탄도가 현저하게 낮아진다고 하는 문제가 있다. 그래서, 본 출원인은, 이 문제를 해결하기 위해, 하기 특허문헌 2에서 제안되는 바이트 절삭 장치로 보호 테이프를 절삭하여 평탄화한 후, 웨이퍼의 이면을 연삭함으로써, 웨이퍼를 평탄도 좋게 박화(薄化)하는 방법을 발견하였다.However, when the protective tape is adhered to the surface of the wafer on which the plurality of projection-type connecting electrodes called bumps are formed, the surface of the protective tape may become uneven along the bumps. Therefore, if the back surface is grinded by holding the surface of the wafer in this state, the wafer after grinding has a problem that the flatness is remarkably lowered. In order to solve this problem, the applicant of the present invention has proposed a technique in which a protective tape is cut and planarized with a cutting tool proposed in the following patent document 2, and then the back surface of the wafer is ground to flatten the wafer flatly, .
그런데, 보호 테이프를 바이트 절삭 장치로 절삭하면, 실 형상의 보호 테이프 부스러기가 발생하고, 발생한 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼 표면에 점착된 보호 테이프 상에 잔존하며, 웨이퍼 이면측으로 돌아 들어가 부착되는 경우도 있어, 해당 웨이퍼를 세정하여도 보호 테이프 부스러기의 제거는 어렵다. 이와 같이, 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼에 부착된 상태에서는, 예컨대 웨이퍼의 핸들링 시에 장치의 반송부에 부착되어 웨이퍼의 반송 불량을 발생시키는 등의 문제가 야기되고, 심지어 웨이퍼 자체도 파손시켜 버릴 우려가 있다.However, when the protective tape is cut by the cutting tool, a protective tape debris is generated in the shape of a yarn, and the protective tape debris generated is left on the protective tape adhered to the wafer surface, It is difficult to remove the protective tape debris even if the wafer is cleaned. In this way, in the state where the protective tape debris is attached to the wafer, for example, the wafer is adhered to the transporting portion of the apparatus at the time of handling the wafer, causing defective conveyance of the wafer, and the wafer itself may be damaged have.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 보호 테이프를 바이트 절삭 장치로 절삭하는 경우에 있어서, 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼 상에 잔존하는 것을 방지하는 것을 목적으로 하고 있다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to prevent the protective tape debris from remaining on the wafer when cutting the protective tape with a cutting tool.
본 발명은, 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과, 상기 유지면과 평행한 면에서 회전하여 상기 유지 테이블에 유지된 피가공물을 절삭하는 바이트 휠과, 상기 유지 테이블과 회전하는 상기 바이트 휠을 상대 이동시키는 이동 수단을 구비한 바이트 절삭 장치를 이용하여 피가공물에 점착된 보호 테이프를 평탄화하는 가공 방법으로서, 피가공물에 보호 테이프를 점착하는 보호 테이프 점착 단계와, 상기 보호 테이프 점착 단계를 실시한 후, 상기 보호 테이프가 노출되도록 피가공물을 상기 유지 테이블에 유지하는 유지 단계와, 상기 유지 단계를 실시한 후, 회전하는 상기 바이트 휠을 소정 높이에 위치시키고 상기 이동 수단으로 상기 유지 테이블과 상기 바이트 휠을 상대 이동시킴으로써, 피가공물에 점착된 상기 보호 테이프를 상기 바이트 휠로 절삭하여 평탄화하는 평탄화 단계를 포함하고, 상기 평탄화 단계에서는 상기 바이트 휠의 회전 속도는 주속(周速) 1914 m/min 이상으로 설정되는 것을 특징으로 하는 가공 방법을 제공한다.The present invention relates to a cutting machine comprising a holding table having a holding surface for holding a workpiece, a bite wheel rotating on a plane parallel to the holding surface to cut a workpiece held by the holding table, A method of flattening a protective tape adhering to a workpiece using a cutting tool having a moving means for relatively moving a wheel, the method comprising: a protective tape adhering step of adhering a protective tape to a workpiece; A holding step of holding a workpiece on the holding table so that the protective tape is exposed after the holding step; and a step of holding the rotating bite wheel at a predetermined height after the holding step, By moving the wheel relative to the workpiece, Includes a planarization step of planarizing the tree and the cutting wheel, in the planarization step rotation speed of the wheel byte provides a process characterized in that the set peripheral velocity (周 速) 1914 m / min or more.
또한, 본 발명은, 상기 가공 방법에 있어서 상기 평탄화 단계를 실시한 후, 상기 보호 테이프측을 유지 테이블에 유지하여 피가공물을 노출된 상태로 하고, 노출된 피가공물을 연삭 휠로 연삭하여 소정의 두께로 박화하는 박화 단계를 더 포함할 수도 있다.Further, according to the present invention, after the planarizing step is performed in the above-described working method, the protective tape side is held on a holding table to make the workpiece exposed, the exposed workpiece is ground with a grinding wheel, And may further include a thinning step of thinning.
본 발명에 따른 가공 방법에서는, 보호 테이프 상면을 바이트 휠의 회전 속도를 주속 1914 m/min 이상으로 설정하고 절삭함으로써, 실 형상의 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼 상에 잔존하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼 이면측으로 돌아 들어가 부착되는 일이 없어, 웨이퍼의 반송 불량을 발생시키거나, 웨이퍼를 파손시키거나 하는 것을 방지할 수 있다.In the processing method according to the present invention, the upper surface of the protective tape can be prevented from remaining on the wafer by setting the rotational speed of the bite wheel at the peripheral speed of 1914 m / min or more and cutting. Therefore, the protective tape debris does not adhere to the back surface of the wafer and is prevented from adhering thereto, thereby preventing defective conveyance of the wafer or damaging the wafer.
또한, 바이트 휠의 회전 속도를 주속 1914 m/min으로 하여 보호 테이프의 평탄화를 행한 후, 보호 테이프측을 유지 테이블에 유지하여 피가공물의 노출면을 연삭하면, 보호 테이프가 평탄화되어 있기 때문에, 피가공물의 노출면도 평탄화시킬 수 있다.Further, after the protective tape is planarized with the rotation speed of the bite wheel at the peripheral speed of 1914 m / min, the protection tape is planarized by holding the protective tape side on the holding table and grinding the exposed surface of the workpiece. The exposed surface of the workpiece can also be planarized.
도 1은 바이트 절삭 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 이동 수단을 나타내는 사시도이다.
도 3은 피가공물의 일례인 웨이퍼를 나타내는 평면도이다.
도 4는 절삭 가공 전의 웨이퍼를 나타내는 확대 정면도이다.
도 5는 보호 테이프 점착 단계를 나타내는 사시도이다.
도 6은 웨이퍼에 보호 테이프가 점착되어 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 7은 웨이퍼에 보호 테이프가 점착되어 있는 상태를 나타내는 확대 단면도이다.
도 8은 유지 단계를 나타내는 정면도이다.
도 9는 평탄화 단계를 나타내는 정면도이다.
도 10은 절삭 가공 후의 웨이퍼를 나타내는 확대 단면도이다.
도 11은 박화 단계를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing an example of a cutting tool.
2 is a perspective view showing the moving means.
3 is a plan view showing a wafer which is an example of a workpiece.
4 is an enlarged front view showing a wafer before cutting.
5 is a perspective view showing a step of sticking a protective tape.
6 is a perspective view showing a state in which a protective tape is adhered to a wafer.
7 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which a protective tape is adhered to a wafer.
8 is a front view showing the maintenance step.
9 is a front view showing a planarization step.
10 is an enlarged cross-sectional view showing the wafer after the cutting process.
11 is a perspective view showing the thinning step.
도 1에 나타내는 바이트 절삭 장치(10)는, 피가공물이 유지 수단(20)에 유지되고, 그 피가공물에 대하여 절삭 수단(30)에 의해 절삭 가공을 실시하는 장치이며, Y축 방향으로 연장되는 직육면체 형상의 베이스(11)와, 상기 베이스(11)의 상면의 일단에 세워져 있는 직립 베이스(12)를 구비하고 있다. 베이스(11)의 상면 전방부에는, 절삭 가공 전의 피가공물을 수용하기 위한 공급 카세트(13)와, 절삭 가공 후의 피가공물을 수용하기 위한 회수 카세트(19)를 구비하고 있다.The
공급 카세트(13) 및 회수 카세트(19)의 근방에는, 공급 카세트(13)로부터의 피가공물의 반출 및 회수 카세트(19)에의 피가공물의 반입을 행하는 반송 로봇(14)이 배치되어 있다. 반송 로봇(14)은, 굴곡 가능한 아암(14a)과, 아암(14a)의 선단부에 마련된 핸드(14b)를 구비하고, 공급 카세트(13) 및 회수 카세트(19)에 핸드(14b)가 이르도록 반송 로봇(14)이 설치되어 있다. 또한, 핸드(14b)의 가동 범위에는, 절삭 가공 후의 피가공물을 세정하는 세정 장치(18)가 배치되어 있다.A
핸드(14b)의 가동 범위에는, 반송 로봇(14)에 의해 공급 카세트(13)로부터 반출된 피가공물을 소정 위치에 위치 맞춤하는 위치 결정 수단(15)이 배치되어 있다. 위치 결정 수단(15)은, 원호 상에 배치되며 직경 방향으로 이동 가능한 위치 결정 핀(15a)을 복수 구비하고 있다.In the movable range of the
유지 수단(20)은, 유지 수단(20)에 대한 피가공물의 착탈이 행해지는 영역인 착탈 영역(P1)과, 피가공물의 실제 가공이 행해지는 영역인 절삭 영역(P2)의 사이에서 Y축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 유지 수단(20)의 착탈 영역(P1)과 절삭 영역(P2) 사이의 이동은, 도 2에 나타내는 이동 수단(50)에 의해 제어된다.The
도 2에 나타내는 바와 같이, 유지 수단(20)은, 피가공물을 유지하는 유지면(22)을 갖는 유지 테이블(21)과, 유지 테이블(21)의 하부에 부착된 축부(23)와, 축부(23)를 통하여 유지 테이블을 지지하는 지지 베이스(24)를 구비한다. 또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 유지 수단(20)은, 유지 테이블(21)을 상하로 승강시킬 수 있는 승강 구동부(25)를 구비하고 있어도 좋다.2, the holding means 20 includes a holding table 21 having a
도 2에 나타내는 바와 같이, 이동 수단(50)은, Y축 방향으로 연장되는 볼 스크류(54)와, 볼 스크류(54)와 평행하게 배치된 한 쌍의 가이드 레일(55)과, 볼 스크류(54)의 일단에 접속된 모터(56)와, 볼 스크류(54)의 타단에 접속된 볼 스크류 받이 부재(57)와, 내부의 너트 구조가 볼 스크류(54)에 나사 결합하며 하부가 가이드 레일(55)에 미끄럼 접촉하는 이동 베이스(51)를 구비하고 있다. 이와 같이 구성되는 이동 수단(50)에 있어서는, 모터(56)에 의해 구동되어 볼 스크류(54)가 회전함으로써, 이동 베이스(51)가 가이드 레일(55)에 의해 가이드되어 Y축 방향으로 이동하는 구성으로 되어 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 이동 수단(50)을 구성하는 이동 베이스(51)의 이동 경로에는, 벨로우즈 형상의 커버(52)가 깔려 있다.2, the moving
도 1에 나타내는 바와 같이, 위치 결정 수단(15)과 착탈 영역(P1)의 사이에는, 위치 결정 수단(15)으로부터 착탈 영역(P1)에 위치하는 유지 수단(20)으로 피가공물을 반송하는 제1 반송 수단(16)이 배치되어 있다. 또한, 세정 수단(18)과 착탈 영역(P1)의 사이에는, 착탈 영역(P1)에 위치하는 유지 수단(20)으로부터 세정 수단(18)으로 피가공물을 반송하는 제2 반송 수단(17)이 배치되어 있다. 제1 반송 수단(16) 및 제2 반송 수단(17)은, 피가공물을 흡착하는 흡착 패드(16a, 17a)를 각각 구비하고 있다.As shown in Fig. 1, between the positioning means 15 and the attaching / detaching area P1, there is provided a
도 1에 나타내는 절삭 수단(30)은, Z축 방향으로 연장되는 스핀들 하우징(31)과, 스핀들 하우징(31)을 유지하는 유지구(32)와, 스핀들 하우징(31)에 회전 가능하게 지지된 스핀들(34)과, 스핀들(34)의 상단에 연결된 서보 모터(33)와, 스핀들(34)의 하부에 부착된 바이트 휠(35)과, 바이트 휠(35)에 착탈 가능하게 장착된 바이트(36)를 구비한다. 바이트 휠(35)은, 유지 테이블(21)의 유지면(22)과 평행인 면 상에서 회전할 수 있다. 도시하고 있지 않지만, 바이트 휠(35)의 하부에는 절삭수를 유출시키는 유출부가 형성되어 있다.1 includes a
절삭 수단(30)은, 직립 베이스(12)의 측부에 있어서 이송 수단(40)을 통하여 지지되어 있다. 이송 수단(40)은, Z축 방향으로 연장되는 볼 스크류(41)와, 볼 스크류(41)와 평행하게 배치된 한 쌍의 가이드 레일(42)과, 볼 스크류(41)의 일단에 접속된 모터(43)와, 볼 스크류(41)의 타단에 접속된 볼 스크류 받이 부재(46)와, 바이트(36)의 높이 위치를 제어하기 위한 승강 베이스(44)와, 유지구(32)를 통하여 절삭 수단(30)을 지지하는 지지 부재(45)를 구비하고 있다. 승강 베이스(44)의 한쪽의 면에는, 한 쌍의 가이드 레일(42)이 미끄럼 접촉하며, 중앙 부분에 도시하지 않는 너트 구조가 형성되어 있고, 이 너트 구조에 볼 스크류(41)가 나사 결합하고 있다. 그리고, 모터(43)에 의해 회전 구동된 볼 스크류(41)가 회전함으로써, 승강 베이스(44)가 가이드 레일(42)에 의해 가이드되어 Z축 방향으로 이동하고, 이와 함께 절삭 수단(30)을 Z축 방향으로 승강시킬 수 있다.The
이하에 있어서는, 도 1에 나타내는 바이트 절삭 장치(10)를 이용한 가공 방법의 일례에 대해서 설명한다.Hereinafter, an example of a processing method using the
도 3에 나타내는 웨이퍼(1)는, 그 표면(2a)에, 격자형으로 형성된 스트리트(4)에 의해 복수의 디바이스(3)가 구획되어 있다. 또한, 웨이퍼(1)의 외주의 일단부에는, 결정 방위를 식별하기 위한 마크인 노치(6)가 형성되어 있다. 디바이스(3)의 표면에는, 부분 확대도로 나타내는 바와 같이, 복수의 돌기형의 전극인 범프(5)가 형성되어 있다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 범프(5)는, 표면(2a)으로부터 돌출되도록 형성되어 있고, 범프(5)의 높이가 각각 불균일하게 되어 있는 경우가 있다. 범프의 표면(2a)으로부터의 돌출량은, 예컨대 50∼100 ㎛ 정도이다.The
(1) 보호 테이프 점착 단계(1) Step of sticking protective tape
웨이퍼(1)의 표면에는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 보호 테이프(7)가 점착된다. 이 보호 테이프(7)는, 기재층(8)과 접착제층(9)으로 구성되고, 기재층(8)의 하면측에 접착제층(9)이 형성되어 있다. 기재층(8)은 폴리올레핀 기재, 염화비닐 기재, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 기재 등으로 이루어지고, 100∼300 ㎛ 정도의 두께를 갖는다. 한편, 접착제층(9)은, 고무 소재, 아크릴 소재 등으로 이루어지며, 5∼100 ㎛ 정도의 두께를 갖는다.On the surface of the
웨이퍼(1)에 대하여 보호 테이프(7)를 점착할 때에는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 보호 테이프(7)의 접착제층(9)측을 웨이퍼(1)의 표면(2a)측을 향하여 화살표 B 방향으로 하강시키고, 웨이퍼(1)에 접착제층(9)을 붙인다. 그렇게 하면, 도 6에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 보호 테이프(7)가 점착되어, 웨이퍼(1)와 보호 테이프(7)가 일체로 된 상태가 된다. 웨이퍼(1)에 보호 테이프(7)가 점착되면, 도 4에 나타낸 범프(5)가 접착제층(9)에 완전히 파묻히지 않는 한은, 도 7에 나타내는 바와 같이, 범프(5)의 돌출분만큼 보호 테이프(7)의 기재층(8)의 표면에 볼록부(8a)가 부풀어 올라, 보호 테이프(7)는 요철 형상이 된다. 이와 같이 하여 표면(2a)에 보호 테이프(7)가 점착된 웨이퍼(1)는, 도 1에 나타낸 공급 카세트(13)에 복수 수용된다.5, the side of the
(2) 유지 단계(2) Maintenance step
보호 테이프 점착 단계가 실시된 후, 보호 테이프(7)가 점착된 웨이퍼(1)는, 반송 로봇(14)에 의해 공급 카세트(13)로부터 반출되어 위치 결정 수단(15)에 반송되고, 위치 결정 핀(15a)이 서로가 근접하는 방향으로 이동함으로써 웨이퍼(1)가 일정 위치에 위치 결정된 후, 제1 반송 수단(16)에 의해 착탈 위치(P1)에 대기하는 유지 테이블(21)의 상방으로 이동한다. 그리고, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 이면(2b)측을 유지 테이블(21)의 유지면(22)을 향하여, 화살표 C 방향으로 하강시켜, 웨이퍼(1)를 유지 테이블(21)에 배치하고, 도시하지 않는 흡인원으로부터 발생하는 흡인력에 의해, 웨이퍼(1)의 이면(2b)측을 유지면(22)에 흡착시킨다. 그 결과, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)는, 웨이퍼(1)에 점착된 보호 테이프(7)의 기재층(8)측이 상방으로 노출된 상태로 유지된다.After the protective tape sticking step is performed, the
(3) 평탄화 단계(3) Planarization step
유지 단계를 실시한 후는, 도 1에 나타내는 유지 수단(20)을 이동 수단(50)에 의해 Y축 방향의 화살표 A1 방향으로 이동시키고, 유지 테이블(21)을 절삭 영역(P2)에 위치시킨다. 구체적으로는, 도 2에 나타내는 이동 수단(50)의 모터(56)가 구동을 개시하고, 모터(56)에 의해 회전 구동된 볼 스크류(54)가 회전함으로써, 이동 베이스(51)가 가이드 레일(55)에 의해 가이드되어 Y축 방향으로 이동하며, 이와 함께 유지 수단 테이블(21)을 Y축 방향으로 이동시켜, 절삭 영역(P2)에 도달시킨다.After the holding step is performed, the holding means 20 shown in Fig. 1 is moved by the moving means 50 in the direction of the arrow A1 in the Y-axis direction, and the holding table 21 is placed in the cutting area P2. More specifically, the
한편, 절삭 수단(30)의 바이트 휠(35)도 보호 테이프(7)를 절삭할 수 있는 소정 높이 위치에 위치시킨다. 구체적으로는, 도 1에 나타내는 이송 수단(40)의 모터(43)에 의해 회전 구동된 볼 스크류(41)가 회전함으로써, 승강 베이스(44)가 가이드 레일(42)에 의해 가이드되어 Z축 방향으로 이동하고, 이와 함께 바이트 휠(35)을 Z축 방향으로 이동시켜, 바이트(36)를 소정 높이 위치에 위치시킨다.On the other hand, the
그리고, 도 9에 나타내는 바와 같이, 바이트 휠(35)을 회전시키면서, 도 2에 나타낸 이동 수단(50)에 의해 유지 테이블(21)을 화살표 A1 방향으로 이동시켜 유지 테이블(21)과 회전하는 바이트 휠(35)을 Y축 방향으로 상대 이동시키고, 유지 테이블(21)의 유지면(22)과 평행한 방향으로 원 운동하는 바이트(36)를 보호 테이프(7)의 기재층(8)에 절입시켜 절삭한다. 이때, 예컨대 기재층(8)의 두께의 절반 정도가 제거되도록 절삭을 행한다. 절삭 동안은, 바이트(36)와 기재층(8)의 접촉부에 절삭수를 공급한다. 이와 같이 하여 절삭을 행하면, 도 7에 나타낸 볼록부(8a)가 깎여, 기재층(8)의 표면이 평탄화된다. 기재층(8)의 당초의 두께가 300 ㎛인 경우에는, 그 절반인 150 ㎛ 정도 깎는다. 그 결과, 도 7에 나타낸 볼록부(8a)가 깎여, 도 10에 나타내는 바와 같이, 평탄화된다. 또한, 바이트 휠(35)의 직경은, 8인치가 바람직하고, 바이트 휠(35)의 회전 속도는, 예컨대 3000[RPM](주속 1914[m/min]) 이상으로 설정되는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 9, while the
절삭 시에는, 실 형상의 보호 테이프 부스러기가 발생하지만, 바이트 휠(35)의 주속을 1914 m/min 이상으로 하면, 보호 테이프 부스러기가 보호 테이프(7) 상에 잔존하지 않으며, 도 10에 나타내는 바와 같이 보호 테이프(7)의 높이를 맞출 수 있다.When the peripheral speed of the
이렇게 하여 보호 테이프(7)의 절삭이 종료되면, 유지 수단(20)이 도 1에 나타내는 화살표 A2 방향으로 이동하여, 착탈 영역(P1)으로 되돌아간다. 그리고, 보호 테이프(7)가 점착된 웨이퍼(1)는, 제2 반송 수단(17)의 흡착 패드(17a)에 흡착되어 세정 수단(18)에 반송되고, 세정 및 건조가 행해진 후, 반송 로봇(14)의 핸드(14b)에 유지되어 회수 카세트(19)에 수용된다.When the cutting of the
보호 테이프 부스러기가 보호 테이프(7) 상에 잔존하지 않음으로써, 보호 테이프 부스러기가 웨이퍼(1)의 이면(2b)측으로 돌아 들어가는 일도 없어지기 때문에, 제2 반송 수단(17)의 흡착 패드(17a)나, 반송 로봇(14)의 핸드(14b)에 보호 테이프 부스러기가 부착되어 웨이퍼의 반송 불량을 발생시키는 일이 없어, 반송 불량에 기인하는 웨이퍼의 파손도 방지할 수 있다.Since the protective tape debris does not remain on the
(4) 박화 단계(4) Thinning step
평탄화 단계에 의해 보호 테이프(7)의 평탄화를 실시한 후, 피가공물을 소정 두께로 박화한다. 피가공물의 박화에는, 예컨대 도 11에 나타내는 박화 장치(60)를 사용할 수 있다.After the
이 박화 장치(60)는, 피가공물을 유지하는 유지 테이블(60a)과, 유지 테이블(60a)에 유지된 피가공물을 연삭하는 연삭 수단(60b)을 구비하고 있다. 유지 테이블(60a)은, 그 표면에 피가공물을 유지하는 유지부(66)를 구비하고 있고, 회전 가능하게 되어 있다. 연삭 수단(60b)은, 수직 방향의 축심을 갖는 스핀들(61)과, 스핀들(61)의 하단에 마운트(63)를 통하여 장착된 연삭 휠(64)로 구성되다. 연삭 휠(64)은, 볼트(62)에 의해 마운트(63)에 고정된다. 연삭 휠(64)의 하부에는, 복수의 연삭 지석(65)이 환형으로 고착되어 있다. 또한, 연삭 휠(64)은, 스핀들(61)의 회전에 따라 회전하는 구성으로 되어 있다.The thinning
박화 장치(60)에서는, 유지 테이블(60a)에 있어서 웨이퍼(1)에 점착된 보호 테이프(7)측을 유지하여 웨이퍼(1)의 이면(2b)이 상방으로 노출된 상태로 한다. 그리고, 유지 테이블(60a)을 화살표 D 방향으로 회전시키고, 스핀들(61)을 화살표 E 방향으로 회전시키면서 연삭 수단(60b)을 하강시켜, 회전하는 연삭 지석(65)을 회전하는 웨이퍼(1)의 이면(2b)에 접촉시키고, 이면(2b)을 연삭하여, 웨이퍼(1)를 박화한다. 연삭 동안은, 연삭 지석(65)이 웨이퍼(1)의 회전 중심을 통과하도록 한다. 웨이퍼(1)가 원하는 두께로 박화된 시점에서 연삭 수단(60b)을 상승시켜 연삭을 종료한다.In the thinning
평탄화 단계에서 보호 테이프(7)의 기재층(8)이 평탄화되며, 보호 테이프 부스러기가 보호 테이프(7) 상에 잔존하고 있지 않기 때문에, 박화 단계에서는, 평탄화된 기재층(8)측을 유지 테이블(60a)에서 유지하여 웨이퍼(1)의 이면(2b)을 연삭함으로써, 이면(2b)을 평탄하게 연삭할 수 있어, 웨이퍼의 쪼개짐 등을 방지할 수 있다.Since the
[실시예 1][Example 1]
도 1에 나타낸 바이트 절삭 장치(10)를 사용하고, 여러 가지 조건 하에서 보호 테이프(7)의 절삭을 행하여, 보호 테이프 부스러기의 잔존 상황을 육안으로 확인하였다. 조건은 이하의 (1)∼(4)에 나타내는 바와 같다.Using the
(1) 바이트 휠의 휠 직경: Φ 8인치(1) Wheel diameter of bite wheel:
(2) 바이트 휠 회전 속도(회전 주속):(2) Byte wheel rotation speed (rotation speed):
가. 2000 rpm(1276 m/min)end. 2000 rpm (1276 m / min)
나. 2500 rpm(1595 m/min)I. 2500 rpm (1595 m / min)
다. 3000 rpm(1914 m/min)All. 3000 rpm (1914 m / min)
라. 3500 rpm(2233 m/min)la. 3500 rpm (2233 m / min)
(3) 보호 테이프 기재:(3) Protective tape base:
가. 폴리올레핀 기재end. Polyolefin substrate
나. 염화비닐 기재I. Vinyl chloride substrate
다. PET 기재All. PET substrate
(4) 이송 피치:(4) Feed pitch:
이송 피치 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 110, 120, 130, 140, 150, 160[㎛]로 각각 절삭을 행하였다. 이송 피치는, 바이트 휠(35)의 1회전당 유지 테이블(21)과 바이트 휠(35)의 Y방향 상대 이동 거리이다.Cutting was carried out at feed pitches of 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 110, 120, 130, 140, 150 and 160 [ The transfer pitch is a Y-directional relative movement distance between the holding table 21 and the
바이트 휠(35)의 회전 속도를 상기 가 [2000 rpm(1276 m/min)] 및 나 [2500 rpm(1595 m/min)]로 설정한 경우에는, 보호 테이프의 기재 및 이송 피치를 어떻게 하더라도, 웨이퍼 상에 실 형상의 보호 테이프 부스러기의 잔존이 확인되었다.In the case where the rotation speed of the
바이트 휠(35)의 회전 속도를 다 [3000 rpm(1914 m/min)] 및 라 [3500 rpm(2233 m/min)]로 설정하고, 이송 피치를 70 ㎛ 이하로 설정한 경우에서는, 보호 테이프 기재의 종류에 따라서는, 미소한 보호 테이프 부스러기의 잔존이 확인되었지만, 웨이퍼 자체를 파손시키거나, 웨이퍼의 반송 불량을 발생시키거나 하는 등의 문제에까지는 이르지 않는 것이 확인되었다.When the rotation speed of the
바이트 휠(35)의 회전 속도를 다 [3000 rpm(1914 m/min)] 및 라 [3500 rpm(2233 m/min)]로 설정하고, 이송 피치를 80 ㎛ 이상으로 설정한 경우는, 어떤 보호 테이프 기재에서도, 웨이퍼 상에 보호 테이프 부스러기의 잔존은 확인되지 않았다.When the rotation speed of the
이상의 실험 결과가 나타내는 바와 같이, 바이트 휠(35)이 높은 주속으로 회전함으로써, 바이트 휠(35)을 따라 도는 유체, 예컨대 공기나 절삭수의 압력이나 원심력에 의해 보호 테이프 부스러기가 피가공물 상으로부터 제거되기 쉬워지는 것을 확인할 수 있었다. 따라서, 바이트 휠(35)의 회전 속도를 3500 rpm(주속 2233 m/min) 이상으로 하면, 보호 테이프 부스러기의 잔존을 더 효과적으로 방지할 수 있다.As shown in the above experimental results, when the
또한, 이송 피치가 커지면, 바이트 절삭에 의해 발생하는 보호 테이프 부스러기가 커지기 때문에, 피가공물 상으로부터 제거되기 쉽다. 따라서, 이송 피치는, 80 ㎛ 이상으로 설정하는 것이 바람직하다. 한편, 이송 피치 160 ㎛에서는, 어떤 보호 테이프 기재, 어떤 회전수에 있어서도, 웨이퍼의 절삭면의 평탄도가 악화되었다. 따라서, 이송 피치는, 80 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하로 설정하는 것이 바람직하다.Further, when the transfer pitch is large, the protective tape debris generated by the cutting of the bobbin becomes large, and therefore, the transfer tape is easily removed from the workpiece. Therefore, it is preferable that the transport pitch is set to 80 mu m or more. On the other hand, at a transfer pitch of 160 占 퐉, the flatness of the cutting surface of the wafer deteriorated at any protective tape substrate and at any rotational speed. Therefore, it is preferable that the feed pitch is set to 80 mu m or more and 150 mu m or less.
1 : 웨이퍼 2a : 표면
2b : 이면 3 : 디바이스
4 : 스트리트 5 : 범프
6 : 노치 7 : 보호 테이프
8 : 기재층 9 : 접착제층
10 : 바이트 절삭 장치 11 : 베이스
12 : 직립 베이스 13 : 공급 카세트
14 : 피가공물 반송 로봇 14a : 아암
14b : 핸드
15 : 위치 결정 수단 15a : 위치 결정 핀
16 : 제1 반송 장치 16a : 흡착 패드
17 : 제2 반송 장치 17a : 흡착 패드
18 : 세정 장치 19 : 회수 카세트
20 : 유지 수단 21 : 유지 테이블
22 : 유지면 23 : 축부
24 : 지지 베이스 25 : 승강 구동부
30 : 절삭 수단 31 : 스핀들 하우징
32 : 유지구 33 : 서보 모터
34 : 스핀들 35 : 바이트 휠
36 : 바이트 40 : 이송 수단
41 : 볼 스크류 42 : 가이드 레일
43 : 모터 44 : 승강 베이스
45 : 지지 부재 46 : 볼 스크류 받이 부재
50 : 이동 수단 51 : 이동 베이스
52 : 커버 54 : 볼 스크류
55 : 가이드 레일 56 : 모터
57 : 볼 스크류 받이 부재 60 : 박화 장치
60a : 유지 테이블 60b : 연삭 수단
61 : 스핀들 62 : 볼트
63 : 마운트 64 : 연삭 휠
65 : 연삭 지석 66 : 유지부1:
2b: Back side 3: Device
4: Street 5: Bump
6: Notch 7: Protective tape
8: base layer 9: adhesive layer
10: Byt cutting device 11: Base
12: upright base 13: feed cassette
14:
14b: Hand
15: Positioning means 15a: Positioning pin
16: first conveying
17: second conveying
18: cleaning device 19: recovery cassette
20: holding means 21: holding table
22: holding surface 23: shaft portion
24: support base 25:
30: cutting means 31: spindle housing
32: Retainer 33: Servo motor
34: spindle 35: bite wheel
36: byte 40: transfer means
41: ball screw 42: guide rail
43: motor 44: elevating base
45: support member 46: ball screw receiving member
50: moving means 51: moving base
52: cover 54: ball screw
55: guide rail 56: motor
57: ball screw receiving member 60: thinning device
60a: Holding table 60b: Grinding means
61: spindle 62: bolt
63: Mount 64: Grinding wheel
65: grinding stone 66: retaining portion
Claims (2)
상기 유지면과 평행한 면에서 회전하여 상기 유지 테이블에 유지된 피가공물을 절삭하는 바이트 휠과,
상기 유지 테이블과 회전하는 상기 바이트 휠을 상대 이동시키는 이동 수단
을 구비한 바이트 절삭 장치를 이용하여 피가공물에 점착된 보호 테이프를 평탄화하는 가공 방법으로서,
피가공물에 보호 테이프를 점착하는 보호 테이프 점착 단계;
상기 보호 테이프 점착 단계를 실시한 후, 상기 보호 테이프가 노출되도록 피가공물을 상기 유지 테이블에서 유지하는 유지 단계;
상기 유지 단계를 실시한 후, 회전하는 상기 바이트 휠을 정해진 높이에 위치시키고 상기 이동 수단이 상기 유지 테이블과 상기 바이트 휠을 상대 이동시킴으로써, 피가공물에 점착된 상기 보호 테이프를 상기 바이트 휠로 절삭하여 평탄화하는 평탄화 단계
를 포함하며,
상기 평탄화 단계에서는 상기 바이트 휠의 회전 속도는 주속(周速) 1914 m/min 이상으로 설정되고,
상기 바이트 휠의 1회전당 상기 유지 테이블과 상기 바이트 휠의 상대 이동 거리가 80 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하로 설정되는 것을 특징으로 하는 가공 방법.A holding table having a holding surface for holding a workpiece;
A bite wheel rotating on a plane parallel to the holding surface to cut a workpiece held on the holding table,
A moving means for relatively moving the bite wheel rotating with the holding table;
A method of processing a protective tape that is adhered to a workpiece using a cutting tool having a cutting tool,
A protective tape adhering step of adhering a protective tape to the workpiece;
A holding step of holding a workpiece on the holding table so that the protective tape is exposed after the protective tape sticking step is performed;
After the holding step, the rotating bite wheel is positioned at a predetermined height, and the moving means relatively moves the holding table and the bite wheel to cut the protective tape adhered to the workpiece by the bite wheel to planarize Planarization step
/ RTI >
In the planarizing step, the rotation speed of the bite wheel is set to be 1914 m / min or more at a peripheral speed,
Wherein a relative movement distance of the holding table and the bite wheel per rotation of the bite wheel is set to be 80 占 퐉 or more and 150 占 퐉 or less.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2011-158895 | 2011-07-20 | ||
JP2011158895A JP5890977B2 (en) | 2011-07-20 | 2011-07-20 | Processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130011945A KR20130011945A (en) | 2013-01-30 |
KR101825751B1 true KR101825751B1 (en) | 2018-02-05 |
Family
ID=47530610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120078181A KR101825751B1 (en) | 2011-07-20 | 2012-07-18 | Machining method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5890977B2 (en) |
KR (1) | KR101825751B1 (en) |
CN (1) | CN102886829B (en) |
TW (1) | TWI534879B (en) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6125357B2 (en) * | 2013-07-08 | 2017-05-10 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP2015041687A (en) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
CN105448750A (en) * | 2014-08-28 | 2016-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device |
KR101532591B1 (en) * | 2015-02-02 | 2015-06-30 | 에이피텍(주) | Milling Machine for Semi Conductor Metal Substrate |
CN106206383A (en) * | 2016-09-05 | 2016-12-07 | 江苏纳沛斯半导体有限公司 | Film forming method and semiconductor structure |
JP6720043B2 (en) * | 2016-10-05 | 2020-07-08 | 株式会社ディスコ | Processing method |
JP6999322B2 (en) * | 2017-07-31 | 2022-01-18 | 株式会社ディスコ | Wafer grinding method |
KR102005191B1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-07-29 | 일윤주식회사 | Fluorescent layer flattening apparatus for led package |
JPWO2022158485A1 (en) * | 2021-01-21 | 2022-07-28 | ||
CN113070803A (en) * | 2021-04-30 | 2021-07-06 | 天津亿众飞扬科技有限公司 | Semi-automatic metal character surface grinding and polishing machine |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008182015A (en) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for grinding wafer |
JP2009043931A (en) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Rear-surface grinding method for wafer |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4249827B2 (en) * | 1998-12-04 | 2009-04-08 | 株式会社ディスコ | Manufacturing method of semiconductor wafer |
JP4465760B2 (en) * | 1999-12-14 | 2010-05-19 | 富士電機システムズ株式会社 | Method for manufacturing vertical semiconductor device |
US6908784B1 (en) * | 2002-03-06 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating encapsulated semiconductor components |
JP2004311576A (en) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Toshiba Corp | Method of manufacturing semiconductor device |
JP4261260B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-04-30 | 日東電工株式会社 | Semiconductor wafer grinding method and semiconductor wafer grinding adhesive sheet |
JP4416108B2 (en) * | 2003-11-17 | 2010-02-17 | 株式会社ディスコ | Manufacturing method of semiconductor wafer |
JP2009004406A (en) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | Working method for substrate |
JP2009054920A (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing method of semiconductor wafer |
JP2011109067A (en) * | 2009-10-19 | 2011-06-02 | Denso Corp | Method of manufacturing semiconductor device |
JP5500942B2 (en) * | 2009-10-28 | 2014-05-21 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP2011108746A (en) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for processing wafer |
JP5877663B2 (en) * | 2011-07-07 | 2016-03-08 | 株式会社ディスコ | Wafer grinding method |
-
2011
- 2011-07-20 JP JP2011158895A patent/JP5890977B2/en active Active
-
2012
- 2012-06-07 TW TW101120447A patent/TWI534879B/en active
- 2012-07-18 KR KR1020120078181A patent/KR101825751B1/en active IP Right Grant
- 2012-07-20 CN CN201210253593.3A patent/CN102886829B/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008182015A (en) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for grinding wafer |
JP2009043931A (en) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Rear-surface grinding method for wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201308415A (en) | 2013-02-16 |
CN102886829B (en) | 2016-05-11 |
TWI534879B (en) | 2016-05-21 |
KR20130011945A (en) | 2013-01-30 |
CN102886829A (en) | 2013-01-23 |
JP5890977B2 (en) | 2016-03-22 |
JP2013026380A (en) | 2013-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101825751B1 (en) | Machining method | |
JP4806282B2 (en) | Wafer processing equipment | |
JP5226287B2 (en) | Wafer grinding method | |
JP5137747B2 (en) | Work holding mechanism | |
JP4833629B2 (en) | Wafer processing method and grinding apparatus | |
JP2018140450A (en) | Grinding apparatus | |
JP5179928B2 (en) | How to carry out the wafer | |
JP4968819B2 (en) | Wafer processing method | |
JP4908085B2 (en) | Wafer processing equipment | |
JP5184242B2 (en) | Semiconductor wafer processing equipment | |
JP4937700B2 (en) | Dry polishing equipment | |
TW201829932A (en) | Grinding apparatus | |
KR20050033809A (en) | Method and apparatus for joining protective tape to semiconductor wafer | |
JP5837367B2 (en) | Grinding equipment | |
JP2009023057A (en) | Dressing method of grinding member and grinder | |
JP2009135254A (en) | Method of sticking adhesive tape | |
JP2017204606A (en) | Manufacturing method of wafer | |
JP5679183B2 (en) | Hard substrate grinding method | |
JP4927634B2 (en) | Transfer device | |
JP6125357B2 (en) | Wafer processing method | |
JP2010074003A (en) | Grinder and wafer grinding method | |
JP4850666B2 (en) | Wafer processing equipment | |
JP5653234B2 (en) | Hard substrate grinding method | |
JP2018039070A (en) | Processing method of wafer and grinding device | |
JP2022034834A (en) | Grinding method and grinding device for grinding wafer after tape grinding |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |