JP4968819B2

JP4968819B2 - Wafer processing method

Info

Publication number: JP4968819B2
Application number: JP2006111019A
Authority: JP
Inventors: プリワッサカール
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2006-04-13
Filing date: 2006-04-13
Publication date: 2012-07-04
Anticipated expiration: 2026-04-13
Also published as: JP2007287796A

Description

本発明は、ウェーハの裏面にプラズマエッチングや金属膜を付与する付加工程を備えたウェーハの加工方法に係り、特に、付加工程でウェーハの温度が上昇することに起因する不都合の発生を防止する技術に関する。 The present invention relates to a process how the wafer with additional step of applying a plasma etching or a metal film on the rear surface of the wafer, in particular, to prevent the occurrence of inconvenience due to the temperature of the wafer is increased by the additional step Regarding technology.

パワートランジスタやＩＧＢＴ（インシュレーテッド・ゲート・バイポーラ・トランジスタ）などの電流を制御するためのディスクリートデバイス（個別半導体）は、その電気的特性を向上させるためにデバイスチップそのものの薄化が進められている。またデバイスチップの裏面に電極を取るための金属膜を付与する工程や、裏面に金属イオンを打ち込むイオン注入工程なども不可欠になっている。 Discrete devices (individual semiconductors) for controlling current such as power transistors and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are being thinned to improve their electrical characteristics. Yes. In addition, a process of providing a metal film for taking an electrode on the back surface of the device chip and an ion implantation process of implanting metal ions on the back surface are indispensable.

さらに、近年では、例えば特許文献１に記載されているように、ウェーハの表面にデバイス領域とこれを取り囲む外周余剰領域とを設け、ウェーハの裏面のデバイス領域に対応する部分のみを研削して凹状に形成することが行われている。このようなウェーハでは、外周余剰領域に肉厚な補強部が形成され、ハンドリングや加工時のウェーハの破損が防止される。このようなウェーハでは、裏面の凹部に研削による機械的なダメージ層が残余しているため、プラズマエッチングによりダメージ層を除去することが行われている。 Furthermore, in recent years, as described in, for example, Patent Document 1, a device region and a peripheral excess region surrounding the device region are provided on the front surface of the wafer, and only a portion corresponding to the device region on the back surface of the wafer is ground to form a concave shape. It has been made to form. In such a wafer, a thick reinforcing portion is formed in the outer peripheral surplus area, and damage to the wafer during handling and processing is prevented. In such a wafer, a mechanically damaged layer due to grinding remains in the concave portion on the back surface, and therefore, the damaged layer is removed by plasma etching.

特開２００５−１２３４２５号公報JP 2005-123425 A

上記した金属膜付与工程、イオン注入工程およびエッチング工程は、いずれもウェーハの温度上昇を伴うものであり、そのような付加工程は、ウェーハの表面に保護テープを貼着したまま行われるのが一般的である。このため、ウェーハの温度上昇により、保護テープの粘着剤が溶融固化し、デバイス領域に残余してしまうという問題があった。また、付加工程の前に保護テープを剥離することも考えられるが、保護テープを剥離する際に凹部が保護テープとともに剥離して損傷することもあった。
したがって、本発明は、保護テープの粘着剤がデバイス領域に溶融固化するといった不都合が生じることのないウェーハの加工方法を提供することを目的としている。 The metal film application process, ion implantation process, and etching process described above all involve an increase in the temperature of the wafer, and such an additional process is generally performed with a protective tape attached to the surface of the wafer. Is. For this reason, there is a problem that the adhesive of the protective tape is melted and solidified and remains in the device region due to the temperature rise of the wafer. In addition, it is conceivable that the protective tape is peeled off before the additional step, but when the protective tape is peeled off, the concave portion may peel off together with the protective tape and be damaged.
Accordingly, the present invention is aimed at the adhesive of the protective tape to provide a process how the wafer never occurs a disadvantage that melting and solidifying the device region.

本発明のウェーハの加工方法は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウェーハの裏面を研削し、デバイス領域に対応する裏面領域を凹状に研削すると共に外周余剰領域に対応する裏面領域にリング状の補強部を形成するウェーハの加工方法であって、ウェーハ表面に、外周余剰領域に対応した領域にのみ粘着剤を有する保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、この保護テープ貼着工程の後に、ウェーハのデバイス領域に対応する裏面領域を研削してデバイス領域よりも肉厚の補強部を形成する凹状加工工程と、この凹状加工工程の後に、ウェーハに該ウェーハの温度が上昇する処理を行う付加工程と、この付加工程の後に、補強部を除去する補強部除去工程と、この補強部除去工程の後に、補強部を除去したウェーハをダイシングテープに貼着し、保護テープを剥離する保護テープ剥離工程とを備え、付加工程を行う前に、保護テープ貼着工程で貼着した保護テープをウェーハ表面から剥離してから該付加工程を行い、該付加工程の後にウェーハ表面に外周余剰領域に対応した領域にのみ粘着剤を有する保護テープを再び貼着し、次いで、補強部除去工程を行うことを特徴としている。 The wafer processing method of the present invention comprises grinding a back surface of a wafer on which a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region are formed on the surface, and forming a back region corresponding to the device region. A wafer processing method for grinding a concave shape and forming a ring-shaped reinforcing portion in a back surface region corresponding to an outer peripheral surplus region, and a protective tape having an adhesive only on a region corresponding to the outer peripheral surplus region on the wafer surface A protective tape sticking step for sticking, and a concave processing step for grinding a back surface region corresponding to the device region of the wafer to form a thicker reinforcing portion than the device region after this protective tape sticking step, and this After the concave processing step, an additional step of performing a process of increasing the temperature of the wafer on the wafer, and a reinforcing portion removing step of removing the reinforcing portion after the additional step, After the reinforcing part removing step, the wafer from which the reinforcing part has been removed is attached to a dicing tape, and a protective tape peeling step for peeling off the protective tape is provided. The protective tape is peeled off from the wafer surface and then the additional step is performed. After the additional step, the protective tape having the adhesive is attached again only to the region corresponding to the outer peripheral surplus region on the wafer surface, and then the reinforcing portion is removed. It is characterized by performing a process.

なお、「補強部除去」とは、補強部を完全に除去する対応のみならず、補強部厚さをデバイス領域の厚さとほぼ同等かそれ以下にする態様も含む。 Note that “reinforcing part removal” includes not only a measure for completely removing the reinforcing part, but also includes an aspect in which the thickness of the reinforcing part is substantially equal to or less than the thickness of the device region.

本発明では、保護テープを剥離してから付加工程を行い、付加工程の後にウェーハ表面に外周余剰領域に対応した領域にのみ粘着剤を有する保護テープを再び貼着し、次いで、補強部除去工程を行う。このため、デバイス領域には剥離応力がかからないためデバイス領域を損傷することがない。 In the present invention, after the protective tape is peeled off, the additional step is performed, and after the additional step, the protective tape having the adhesive is attached again only to the region corresponding to the outer peripheral surplus region on the wafer surface, and then the reinforcing portion removing step I do. For this reason , since no peeling stress is applied to the device region, the device region is not damaged.

ここで、付加工程は、ウェーハ裏面をプラズマエッチングするエッチング工程、ウェーハ裏面に金属膜を付与する金属膜付与工程、あるいはウェーハ裏面に金属イオンを打ち込むイオン注入工程などがあるが、本発明ではそれらに限定されることはない。 Here, the additional process includes an etching process for plasma etching the back surface of the wafer, a metal film providing process for applying a metal film to the back surface of the wafer, or an ion implantation process for implanting metal ions into the back surface of the wafer. There is no limit.

本発明では、保護テープの粘着剤がデバイス領域に溶融固化したり保護テープをウェーハから剥離する際にデバイス領域が損傷を受けるといった不都合が生じることがないので、ウェーハの加工を円滑に行うことができるとともに、不良品の発生を低減して生産コストを低減することができる。 In the present invention, there is no inconvenience that the adhesive of the protective tape melts and solidifies in the device region or the device region is damaged when the protective tape is peeled off from the wafer, so that the wafer can be processed smoothly. In addition, the production cost can be reduced by reducing the occurrence of defective products.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態の半導体ウェーハの加工方法を説明する。
［１］半導体ウェーハ
図１の符号１は、半導体ウェーハ（以下ウェーハと略称）を示している。このウェーハ１はシリコンウェーハ等であって、厚さは例えば６００〜７００μｍ程度のものである。ウェーハ１の表面には、格子状の分割予定ライン２によって複数の矩形状の半導体チップ（デバイス）３が区画されている。これら半導体チップ（デバイス）３の表面には、トランジスタ等の図示せぬディスクリートデバイスが形成されている。複数の半導体チップ３は、ウェーハ１と同心の概ね円形状のデバイス領域４に形成されており、このデバイス領域４の周囲に、製品となる半導体チップ３が形成されない環状の外周余剰領域５が存在している。 Hereinafter, a semiconductor wafer processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[1] Semiconductor wafer Reference numeral 1 in FIG. 1 indicates a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as a wafer). The wafer 1 is a silicon wafer or the like and has a thickness of about 600 to 700 μm, for example. On the surface of the wafer 1, a plurality of rectangular semiconductor chips (devices) 3 are partitioned by grid-like division lines 2. Discrete devices (not shown) such as transistors are formed on the surface of these semiconductor chips (devices) 3. The plurality of semiconductor chips 3 are formed in a substantially circular device region 4 concentric with the wafer 1, and an annular outer peripheral region 5 in which the semiconductor chip 3 as a product is not formed exists around the device region 4. is doing.

以下に、図１に示すウェーハ１から複数の半導体チップに個片化する加工方法を工程順に説明していく。
［２］凹状加工工程
まず、図１に示すようにウェーハ１の表面に、電子回路を保護する目的で保護テープ６を貼り付ける。保護テープ６には、例えば、厚さ７０〜２００μｍ程度のポリオレフィン等の基材が用いられ、その片面のウェーハ１の外周余剰領域に対応する部分にのみ厚さ５〜２０μｍ程度のアクリル系等の粘着剤６ａが塗布されている。 Hereinafter, a processing method for dividing the wafer 1 into a plurality of semiconductor chips shown in FIG. 1 will be described in the order of steps.
[2] Concave Processing Step First, as shown in FIG. 1, a protective tape 6 is attached to the surface of the wafer 1 for the purpose of protecting the electronic circuit. For the protective tape 6, for example, a base material such as polyolefin having a thickness of about 70 to 200 μm is used, and an acrylic type or the like having a thickness of about 5 to 20 μm is formed only in a portion corresponding to the outer peripheral surplus region of the wafer 1 on one side. An adhesive 6a is applied.

続いて、図２および図３に示す研削装置１０により、ウェーハ１の裏面におけるデバイス領域４に対応する領域を研削して、その部分を必要な厚さ（例えば２００〜１００μｍ程度、あるいは５０μｍ程度）まで薄化するとともに、ウェーハ１の裏面に凹部１ａを形成する。研削装置１０は、回転駆動する真空チャック式のチャックテーブル１１と、研削ユニット１２とを備えている。チャックテーブル１１はウェーハ１よりも大きな円盤状であり、水平に設定される上面にウェーハ１が載置される。ウェーハ１は空気吸引によってその上面に吸着、保持される。チャックテーブル１１は、中心を軸として図示せぬ駆動機構により回転させられる。 Subsequently, the region corresponding to the device region 4 on the back surface of the wafer 1 is ground by the grinding apparatus 10 shown in FIGS. 2 and 3, and the necessary thickness (for example, about 200 to 100 μm or about 50 μm) is applied to the portion. And a recess 1 a is formed on the back surface of the wafer 1. The grinding apparatus 10 includes a vacuum chuck type chuck table 11 that is rotationally driven, and a grinding unit 12. The chuck table 11 has a larger disk shape than the wafer 1, and the wafer 1 is placed on an upper surface set horizontally. The wafer 1 is adsorbed and held on the upper surface by air suction. The chuck table 11 is rotated by a drive mechanism (not shown) about the center.

研削ユニット１２は、円筒状のスピンドルハウジング１３内に組み込まれたスピンドル１４がモータ１５によって回転駆動させられると、スピンドル１４の先端にフランジ１６を介して固定されたカップホイール１７が回転し、カップホイール１７の下面の外周部に全周にわたって環状に配列されて固定された多数の砥石１８が、ワークを研削するものである。砥石１８の円形の研削軌跡の外径は、ウェーハ１のデバイス領域４の半径にほぼ等しい。チャックテーブル１１と研削ユニット１２とは、チャックテーブル１１に対して研削ユニット１２がオフセットされている。詳しくは、図３に示すように、環状に配列された多数の砥石１８のうちの最もチャックテーブル１１の内側に位置する砥石１８の刃先の刃厚（径方向長さ）のほぼ中央部分が、チャックテーブル１１の中心を通る鉛直線Ｌ上に位置するように、相対位置が設定されている。 In the grinding unit 12, when a spindle 14 incorporated in a cylindrical spindle housing 13 is driven to rotate by a motor 15, a cup wheel 17 fixed to the tip of the spindle 14 via a flange 16 is rotated. A number of grindstones 18 arranged and fixed in an annular shape over the entire circumference on the outer peripheral portion of the lower surface of 17 grind the workpiece. The outer diameter of the circular grinding locus of the grindstone 18 is approximately equal to the radius of the device region 4 of the wafer 1. The chuck table 11 and the grinding unit 12 are offset with respect to the chuck table 11. Specifically, as shown in FIG. 3, the center portion of the blade thickness (the length in the radial direction) of the cutting edge of the grindstone 18 located inside the chuck table 11 among the many grindstones 18 arranged in an annular shape is The relative position is set so as to be positioned on a vertical line L passing through the center of the chuck table 11.

研削装置１０によってウェーハ１の裏面に上記凹部１ａを形成するには、まず、真空運転されているチャックテーブル１１の上面に、裏面を上に向けて露出させたウェーハ１を概ね、同心状に載置して保護テープ６を密着させる。このようにしてチャックテーブル１１上にウェーハ１を保持したら、カップホイール１７を高速回転させるとともに研削ユニット１２を下降させ、露出するウェーハ１の裏面に全ての砥石セグメント１８を押し付けながら、チャックテーブル１１を回転させる。これによって、ウェーハ１の裏面のデバイス領域４に対応する領域が研削され、薄化される。研削箇所の全面が所定の厚さまで均一に研削されたら、研削ユニット１２を上昇させるとともに、チャックテーブル１１の回転を停止させる。ウェーハ１の裏面には、この研削によって図４に示すようにデバイス領域４に対応する領域に凹部１ａが形成されると同時に、外周余剰領域５に対応する部分に、元の厚さが残って裏面側に突出する補強部１ｂが形成された断面凹状に加工される。 In order to form the concave portion 1a on the back surface of the wafer 1 by the grinding device 10, first, the wafer 1 exposed with the back surface facing upward is generally placed concentrically on the upper surface of the chuck table 11 operated in vacuum. And place the protective tape 6 in close contact. When the wafer 1 is held on the chuck table 11 in this manner, the cup wheel 17 is rotated at a high speed and the grinding unit 12 is lowered, and the chuck table 11 is moved while pressing all the grindstone segments 18 against the exposed back surface of the wafer 1. Rotate. Thereby, a region corresponding to the device region 4 on the back surface of the wafer 1 is ground and thinned. When the entire ground surface is uniformly ground to a predetermined thickness, the grinding unit 12 is raised and the rotation of the chuck table 11 is stopped. On the back surface of the wafer 1, a concave portion 1 a is formed in the region corresponding to the device region 4 as shown in FIG. 4 by this grinding, and at the same time, the original thickness remains in the portion corresponding to the outer peripheral surplus region 5. The cross section is processed into a concave shape in which a reinforcing portion 1b protruding to the back side is formed.

［３］付加工程
凹部１ａを形成したウェーハ１の裏面には、研削による機械的なダメージ層が残余しているためウェーハ１の強度が低下している。これを回復するため、プラズマエッチングなどの化学的処理によってダメージ層に相当する部分を除去する。プラズマエッチングの場合はＳＦ６などのフッ素系ガスを真空下でプラズマ化することでシリコンを除去することができるが、この工程も一般的にウェーハ１を昇温させる工程となっている。その後、裏面に必要な金属膜、例えば金などをスパッタリングや蒸着といった一般的に良く知られる方法によって被覆する。また、半導体チップの仕様に応じて金属イオンを打ち込むイオン注入などの工程も合わせて実施する。 [3] Additional process Since the mechanical damage layer by grinding remains on the back surface of the wafer 1 on which the concave portion 1a is formed, the strength of the wafer 1 is lowered. In order to recover this, a portion corresponding to the damaged layer is removed by chemical treatment such as plasma etching. In the case of plasma etching, silicon can be removed by converting a fluorine-based gas such as SF6 into plasma under vacuum, but this step is also generally a step of raising the temperature of the wafer 1. Thereafter, a necessary metal film such as gold is coated on the back surface by a generally well-known method such as sputtering or vapor deposition. In addition, processes such as ion implantation for implanting metal ions according to the specifications of the semiconductor chip are also performed.

これらの付加工程は、プロセス温度が数百℃まで上昇する加熱工程であり、保護テープ６がこれに耐えうる場合には保護テープ６をウェーハ１の表面に貼着したまま付加工程を実施してもよい。また、もし保護テープ６が充分な耐熱性を具備していない場合は、保護テープ６を剥離してから付加工程を実施してもよい。いずれにしても、保護テープ６には外周余剰領域５に対応する部分にしか粘着剤６ａが配設されていないため、仮に加熱工程にてウェーハ１に過度な熱が加わったとしても、デバイス領域４に粘着剤６ａが溶融固化するような事態は生じない。 These additional steps are heating steps in which the process temperature rises to several hundred degrees C. When the protective tape 6 can withstand this, the additional step is performed while the protective tape 6 is adhered to the surface of the wafer 1. Also good. If the protective tape 6 does not have sufficient heat resistance, the additional step may be performed after the protective tape 6 is peeled off. In any case, since the adhesive 6a is disposed only in the portion corresponding to the outer peripheral surplus region 5 in the protective tape 6, even if excessive heat is applied to the wafer 1 in the heating process, the device region 4 does not cause the adhesive 6a to melt and solidify.

付加工程の後に、各デバイスが電気的特性に問題ないことを確認するためのテスト工程を実施してもよい。その場合は、保護テープ６を剥離してから表面のデバイスの電極パッドに触針するなどして実施することになる。この場合でも保護テープ６の粘着剤６ａは最初からデバイス領域４には存在しないため、粘着剤６ａ残りによる電極パッドへの接触不良などの問題も生じることはない。なお、保護テープ６を剥離した場合には、付加工程またはテスト工程の後に保護テープ６をウェーハ１に貼着する。 A test process for confirming that each device has no problem in electrical characteristics may be performed after the additional process. In that case, the protective tape 6 is peeled off and then touched to the electrode pad of the device on the surface. Even in this case, since the adhesive 6a of the protective tape 6 does not exist in the device region 4 from the beginning, problems such as poor contact with the electrode pad due to the remaining adhesive 6a do not occur. When the protective tape 6 is peeled off, the protective tape 6 is attached to the wafer 1 after the additional process or the test process.

［４］補強部除去工程
図５〜１２を参照して、ウェーハ１の外周余剰領域５の補強部１ｂを除去するための処理を行う補強部除去装置を説明する。
図５は補強部除去装置１０の斜視図、図６は平面図である。処理装置１０は基台１１を有し、この基台１１上のＹ方向手前側（図６において下側）には、Ｘ方向右側から左側にわたってウェーハ供給部１００、ダイシングテープ貼着部２００、ダイシングテープ搬送部４００がこの順に配設され、また、ダイシングテープ貼着部３００のＹ方向奥側（図６において上側）には、ウェーハ研削部３００が配設されている。ウェーハ１は、ウェーハ供給部１００から一旦ダイシングテープ貼着部２００に移された後にウェーハ研削部３００に送られ、このウェーハ研削部３００で外周余剰領域５の少なくとも補強部１ｂが研削されてからダイシングテープ貼着部２００に戻され、このダイシングテープ貼着部２００で、ダイシングテープ搬送部４００から送られてくるダイシングテープがウェーハ１に貼着される。以下、これら各部を説明していく。 [4] Reinforcing Part Removal Step With reference to FIGS. 5 to 12, a reinforcing part removing apparatus that performs processing for removing the reinforcing part 1 b in the outer peripheral surplus region 5 of the wafer 1 will be described.
FIG. 5 is a perspective view of the reinforcing portion removing device 10, and FIG. 6 is a plan view. The processing apparatus 10 has a base 11. On the front side in the Y direction (lower side in FIG. 6) on the base 11, the wafer supply unit 100, the dicing tape attaching unit 200, and the dicing are provided from the right side to the left side in the X direction. The tape transport unit 400 is disposed in this order, and the wafer grinding unit 300 is disposed on the back side in the Y direction of the dicing tape attaching unit 300 (upper side in FIG. 6). The wafer 1 is once transferred from the wafer supply unit 100 to the dicing tape adhering unit 200 and then sent to the wafer grinding unit 300. At least the reinforcing portion 1b of the outer peripheral surplus region 5 is ground by the wafer grinding unit 300 before dicing. The dicing tape sent back from the dicing tape transport unit 400 is stuck to the wafer 1 by being returned to the tape sticking unit 200. Hereinafter, each of these parts will be described.

（ａ）ウェーハ供給部
ウェーハ供給部１００は、基台１１上のＹ方向手前側に設置されたウェーハキャリア１０１と、このウェーハキャリア１０１からＹ方向奥側に向かって延びる一対の搬送ベルト１０２と、搬送ベルト１０２間の下流端部（図６で上端部）に設けられたストッパ１１１と、ウェーハ１をピックアップしてダイシングテープ貼着部２００に搬送するウェーハハンド１２０と、このウェーハハンド１２０をＸ・Ｚ方向に移動させるウェーハハンド駆動機構１４０とを備えている。 (A) Wafer Supply Unit The wafer supply unit 100 includes a wafer carrier 101 installed on the front side in the Y direction on the base 11, a pair of transport belts 102 extending from the wafer carrier 101 toward the back side in the Y direction, A stopper 111 provided at the downstream end (upper end in FIG. 6) between the transport belts 102, a wafer hand 120 that picks up the wafer 1 and transports it to the dicing tape adhering section 200, and this wafer hand 120 as X · And a wafer hand drive mechanism 140 that moves in the Z direction.

ウェーハキャリア１０１は、複数のウェーハ１を、裏面側が上に向いた水平な状態に積層して収容するもので、内蔵するエレベータ機構によって収容したウェーハ１を１段ずつ上下方向に移動させる機能を有している。そのエレベータ機構で最下段に移動させられたウェーハ１は、搬送ベルト１０２上に載り、搬送ベルト１０２によってストッパ１１１に当たるまで搬送される。 The wafer carrier 101 stacks and accommodates a plurality of wafers 1 in a horizontal state with the back side facing upward, and has a function of moving the wafers 1 accommodated by a built-in elevator mechanism one step at a time. is doing. The wafer 1 moved to the lowest stage by the elevator mechanism is placed on the transport belt 102 and is transported by the transport belt 102 until it hits the stopper 111.

ウェーハハンド１２０は、図７および図８に示すように、円盤状のベース１２１と、このベース１２１に設けられた複数のハンドピック１２２と、ベース１２１の上方に配された円盤状のギヤプレート１２３と、このギヤプレート１２３の中心に固定された上方に延びるハンドシャフト１２４とを備えている。ベース１２１の外周部には、Ｚ方向（鉛直方向）に延びる複数（この場合４つ）のピックシャフト１２５が、等間隔をおいて、回転自在、かつ軸方向には移動不能な状態に貫通して装着されている。これらピックシャフト１２５のベース１２１から下方へ突出した端部には、下方に向かうにつれて広がる比較的平たい円錐状の上記ハンドピック１２２が取り付けられている。 As shown in FIGS. 7 and 8, the wafer hand 120 includes a disk-shaped base 121, a plurality of hand picks 122 provided on the base 121, and a disk-shaped gear plate 123 disposed above the base 121. And an upwardly extending hand shaft 124 fixed to the center of the gear plate 123. In the outer periphery of the base 121, a plurality of (four in this case) pick shafts 125 extending in the Z direction (vertical direction) penetrate at a regular interval so as to be rotatable and immovable in the axial direction. Is installed. The above-mentioned hand pick 122 having a relatively flat conical shape that extends downward is attached to the end of the pick shaft 125 that protrudes downward from the base 121.

一方、ピックシャフト１２５のベース１２１から上方に突出した端部にはギヤ部１２５ａが形成されており、これらピックシャフト１２５のギヤ部１２５ａに、ギヤプレート１２３の外周面に形成されたギヤ部１２３ａが噛み合っている。ギヤプレート１２３およびピックシャフト１２５は、ハンドシャフト１２４と同心状に配され、ハンドシャフト１２４とともにギヤプレート１２３が一方向に回転すると、ギヤ部１２３ａ，１２５ａを介してその回転が各ピックシャフト１２５に伝わり、ハンドピック１２２が連動して回転するようになっている。 On the other hand, a gear portion 125 a is formed at an end portion protruding upward from the base 121 of the pick shaft 125, and a gear portion 123 a formed on the outer peripheral surface of the gear plate 123 is formed on the gear portion 125 a of the pick shaft 125. I'm engaged. The gear plate 123 and the pick shaft 125 are arranged concentrically with the hand shaft 124, and when the gear plate 123 rotates in one direction together with the hand shaft 124, the rotation is transmitted to each pick shaft 125 through the gear portions 123 a and 125 a. The hand pick 122 rotates in conjunction with it.

各ハンドピック１２２は平面視が涙滴形状であり、ある回転角度において鋭角状の先端部１２２ａが全てハンドシャフト１２４の回転軸線に向かうように、ピックシャフト１２５に取り付けられている。このように全てのピックシャフト１２５の先端部１２２ａがハンドシャフト１２４の回転軸線に向かうと、図８（ｃ）に示すように各ハンドピック１２２の先端部１２２ａ上にウェーハ１を受けることができるようになっている。そして、このピックアップ位置から、図８（ｂ）に示すようにハンドピック１２２が約１８０°回転すると、ハンドピック１２２ではウェーハ１を受けることができず、ウェーハ１は各ハンドピック１２２の内側を通過することが可能となっている。 Each hand pick 122 has a teardrop shape in plan view, and is attached to the pick shaft 125 so that the sharp tip portion 122a is directed to the rotation axis of the hand shaft 124 at a certain rotation angle. When the leading end portions 122a of all the pick shafts 125 are thus directed to the rotation axis of the hand shaft 124, the wafer 1 can be received on the leading end portions 122a of the respective hand picks 122 as shown in FIG. It has become. When the hand pick 122 rotates about 180 ° from this pickup position as shown in FIG. 8B, the hand pick 122 cannot receive the wafer 1, and the wafer 1 passes inside each hand pick 122. It is possible to do.

図５および図６に示すように、ウェーハハンド１２０のハンドシャフト１２４は、ウェーハハンド駆動機構１４０のＺ軸駆動機構１７０に、回転自在かつ昇降自在に支持されている。Ｚ軸駆動機構１７０内には、ハンドシャフト１２４を回転／昇降駆動する駆動機構が内蔵されている。ウェーハハンド駆動機構１４０は、上記ストッパ１１１のやや手前側の位置において搬送ベルト１０２上をＸ方向に横断して設けられたＸ軸駆動機構１６０と、このＸ軸駆動機構１６０にベースブロック１７１を介して係合された上記Ｚ軸駆動機構１７０とから構成されている。Ｘ軸駆動機構１６０はねじロッド式の駆動機構であって基台１１に立設された支柱１６１の上端に固定されており、Ｚ軸駆動機構１７０をＸ方向に移動させるように作動する。ウェーハハンド１２０は、これらＸ軸およびＺ軸の各駆動機構によってＸ・Ｚ方向に移動し、搬送ベルト１０２で搬送されてストッパ１１１で停止させられたウェーハ１を取り上げて、ウェーハ１をダイシングテープ貼着部２００に移すように作動する。 As shown in FIGS. 5 and 6, the hand shaft 124 of the wafer hand 120 is supported by the Z-axis drive mechanism 170 of the wafer hand drive mechanism 140 so as to be rotatable and movable up and down. A drive mechanism that rotates / lifts the hand shaft 124 is incorporated in the Z-axis drive mechanism 170. The wafer hand drive mechanism 140 includes an X-axis drive mechanism 160 provided across the transport belt 102 in the X direction at a position slightly on the front side of the stopper 111, and a base block 171 through the X-axis drive mechanism 160. And the Z-axis drive mechanism 170 engaged therewith. The X-axis drive mechanism 160 is a screw rod type drive mechanism, and is fixed to the upper end of a column 161 erected on the base 11 and operates to move the Z-axis drive mechanism 170 in the X direction. The wafer hand 120 is moved in the X and Z directions by these X-axis and Z-axis drive mechanisms, picks up the wafer 1 conveyed by the conveyance belt 102 and stopped by the stopper 111, and attaches the wafer 1 to the dicing tape. It operates to move to the landing part 200.

（ｂ）ダイシングテープ貼着部
搬送ベルト１０２で搬送されストッパ１１１で停止させられたウェーハ１の、図６でＹ方向に向かって左隣りに相当する位置が、ウェーハ着脱位置として設定されている。ダイシングテープ貼着部２００は、その着脱位置に配される円盤状のチャックテーブル２０１と、ウェーハ着脱位置にあるチャックテーブル２０１上をＹ方向に横断するように移動することにより図９に示すダイシングテープ３１をウェーハ１の裏面に押し付けて貼着する押し付けローラ２１０と、この押し付けローラ２１０をＹ・Ｚ方向に移動させるローラ駆動機構２２０とを備えている。 (B) Dicing Tape Adhering Portion A position corresponding to the left side in the Y direction in FIG. 6 of the wafer 1 conveyed by the conveyance belt 102 and stopped by the stopper 111 is set as a wafer attachment / detachment position. The dicing tape adhering unit 200 moves in such a manner as to traverse in the Y direction on the disk-shaped chuck table 201 disposed at the attaching / detaching position and the chuck table 201 at the wafer attaching / detaching position, thereby being shown in FIG. A pressing roller 210 that presses and sticks 31 to the back surface of the wafer 1 and a roller driving mechanism 220 that moves the pressing roller 210 in the Y and Z directions are provided.

チャックテーブル２０１は周知の真空チャック式であって、中心を回転軸として図示せぬ回転駆動機構により回転駆動されるもので、水平な上面に載置されたウェーハ１を真空作用で吸着、保持するとともに、回転させる。このチャックテーブル２０１は、Ｙ方向に往復移動するように駆動されるテーブルベース２０２に回転可能に支持されている。テーブルベース２０２の移動方向の両端部には、自身の移動路を塞いで研削屑等が侵入することを防ぐための蛇腹状のカバー２０３が伸縮自在に設けられている。 The chuck table 201 is a well-known vacuum chuck type, and is driven to rotate by a rotation driving mechanism (not shown) with the center as a rotation axis, and holds and holds the wafer 1 placed on a horizontal upper surface by a vacuum action. And rotate. The chuck table 201 is rotatably supported by a table base 202 that is driven so as to reciprocate in the Y direction. A bellows-like cover 203 is provided at both ends in the moving direction of the table base 202 so as to be able to expand and contract to block its own moving path and prevent intrusion of grinding scraps and the like.

チャックテーブル２０１は、テーブルベース２０２のＹ方向への移動によって、上記ウェーハ着脱位置と、ウェーハ研削部３００での補強部１ｂが研削、除去されるウェーハ研削位置との間を往復移動させられる。上記ストッパ１１１で停止させられたウェーハ１は、上記ウェーハハンド１２０によって、着脱位置にあるチャックテーブル２０１上に載置される。 As the table base 202 moves in the Y direction, the chuck table 201 is reciprocated between the wafer attaching / detaching position and the wafer grinding position where the reinforcing portion 1b of the wafer grinding unit 300 is ground and removed. The wafer 1 stopped by the stopper 111 is placed on the chuck table 201 at the attachment / detachment position by the wafer hand 120.

押し付けローラ２１０は、適度な弾性を有するゴム等の弾性体で表面が構成されたもので、ローラフレーム２１１が備えたＸ方向の回転軸に回転自在に支持されている。ローラフレーム２１１は、Ｚ方向に延びるシャフト２１２を介して、ローラ駆動機構２２０のＺ軸駆動機構２７０に昇降自在に支持されている。Ｚ軸駆動機構２７０内には、シャフト２１２とともに押し付けローラ２１０を昇降駆動する駆動機構が内蔵されている。 The pressing roller 210 has a surface made of an elastic body such as rubber having appropriate elasticity, and is rotatably supported on a rotation shaft in the X direction provided in the roller frame 211. The roller frame 211 is supported by a Z-axis drive mechanism 270 of the roller drive mechanism 220 through a shaft 212 extending in the Z direction so as to be movable up and down. The Z-axis drive mechanism 270 includes a drive mechanism that drives the pressing roller 210 up and down together with the shaft 212.

ローラ駆動機構２２０は、基台１１に立設された支柱２５１に片持ち状に支持されて着脱位置にあるチャックテーブル２０１上をＹ方向に横断して設けられたＹ軸駆動機構２５０と、このＹ軸駆動機構２５０に係合して設けられたＺ方向に延びる上記Ｚ軸駆動機構２７０とを備えている。Ｙ軸駆動機構２５０はねじロッド式の駆動機構であって、Ｚ軸駆動機構２７０をＹ方向に移動させるように作動する。押し付けローラ２１０は、Ｙ軸駆動機構２５０によって、着脱位置にあるチャックテーブル２０１上をＹ方向に往復移動し、また、Ｚ軸駆動機構２７０によって昇降させられる。 The roller driving mechanism 220 includes a Y-axis driving mechanism 250 that is supported in a cantilever manner on a support column 251 erected on the base 11 and that is provided across the chuck table 201 in the attaching / detaching position in the Y direction. The Z-axis drive mechanism 270 extending in the Z direction and provided to engage with the Y-axis drive mechanism 250 is provided. The Y-axis drive mechanism 250 is a screw rod type drive mechanism, and operates to move the Z-axis drive mechanism 270 in the Y direction. The pressing roller 210 reciprocates in the Y direction on the chuck table 201 at the attachment / detachment position by the Y-axis driving mechanism 250 and is moved up and down by the Z-axis driving mechanism 270.

（ｃ）ウェーハ研削部
ウェーハ研削部３００は、着脱位置にあるチャックテーブル２０１がテーブルベース２０２によってＹ方向奥側に移動させられた先の基台１１上に立設されたコラム３０１と、このコラム３０１の手前側の側面に装着された研削ユニット３１０とから構成されている。研削ユニット３１０は、コラム３０１の側面に、スライドプレート３０２およびガイドレール３０３を介してＺ方向に昇降自在に取り付けられており、昇降駆動機構３０４によって昇降させられる。 (C) Wafer Grinding Unit The wafer grinding unit 300 includes a column 301 erected on the base 11 where the chuck table 201 at the attachment / detachment position is moved to the back side in the Y direction by the table base 202, and this column. It is comprised from the grinding unit 310 with which the side surface of the near side of 301 was mounted | worn. The grinding unit 310 is attached to the side surface of the column 301 so as to be movable up and down in the Z direction via a slide plate 302 and a guide rail 303, and is lifted and lowered by a lifting drive mechanism 304.

研削ユニット３１０は、図１０および図１１に示すように、軸心がＺ方向と平行な状態にスライドプレートに固定された円筒状のスピンドルハウジング３１１と、このスピンドルハウジング３１１内に同軸状に組み込まれて、一端部がスピンドルハウジング３１１の下端部から突出し、モータ３１２によって回転駆動させられるスピンドル３１３と、このスピンドル３１３の突出端部にフランジ３１４を介して固定されたカップホイール３１５と、このカップホイール３１５の下面の外周部に全周にわたって環状に配列されて固定された多数の砥石３１６とから構成されている。カップホイール３１５の回転駆動軸であるスピンドル３１１は、Ｚ方向に延びていてチャックテーブル２０１の回転軸心と平行である。この研削ユニット３１０は、昇降駆動機構３０４によって徐々に下降して砥石３１６をワークに押圧させることにより、そのワークを研削する。この場合の砥石３１６の円形の研削軌跡の外径は、ワークである上記ウェーハ１の直径にほぼ等しい寸法とされている。 As shown in FIGS. 10 and 11, the grinding unit 310 includes a cylindrical spindle housing 311 that is fixed to the slide plate in a state where the axis is parallel to the Z direction, and is coaxially incorporated in the spindle housing 311. One end of the spindle 313 protrudes from the lower end of the spindle housing 311 and is driven to rotate by a motor 312, a cup wheel 315 fixed to the protruding end of the spindle 313 via a flange 314, and the cup wheel 315. And a large number of grindstones 316 that are arranged and fixed in an annular shape over the entire circumference on the outer peripheral portion of the lower surface. A spindle 311 that is a rotational drive shaft of the cup wheel 315 extends in the Z direction and is parallel to the rotational axis of the chuck table 201. The grinding unit 310 is gradually lowered by the lifting drive mechanism 304 and presses the grindstone 316 against the work, thereby grinding the work. In this case, the outer diameter of the circular grinding locus of the grindstone 316 is approximately equal to the diameter of the wafer 1 as a workpiece.

図６に示すように、研削ユニット３１０のＸ方向の位置は、スピンドル３１３の回転軸心とチャックテーブル２０１の回転軸心とを結ぶ線がＹ方向と平行になるように設定されており、またＹ方向の位置は、研削位置にあるチャックテーブル２０１よりも奥側（コラム３０１側）に偏心してオフセットされている。カップホイール３１５には、下方のワークの加工点に冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削水を供給する研削水供給口が設けられ、研削ユニット３１０には、その研削水供給口に研削水を供給する給水ラインが備えられている（いずれも図示略）。 As shown in FIG. 6, the position of the grinding unit 310 in the X direction is set so that the line connecting the rotation axis of the spindle 313 and the rotation axis of the chuck table 201 is parallel to the Y direction. The position in the Y direction is eccentrically offset to the back side (column 301 side) from the chuck table 201 in the grinding position. The cup wheel 315 is provided with a grinding water supply port for supplying grinding water for cooling or lubrication or discharging grinding scraps to a processing point of the workpiece below, and the grinding unit 310 is ground to the grinding water supply port. A water supply line for supplying water is provided (both not shown).

カップホイール３１５に固定される砥石３１６は、レジノイドやビトリファイドをボンド材とする砥粒径が５μｍ以下の砥石など、ウェーハ１の研削面をファイン仕上げ可能な粗さのものが好適に用いられる。これは、例えば♯３２０や♯６００といった比較的粗い砥石で研削すると研削面に形成される深いダメージによって撓みが生じ、その後の工程でその撓みがきっかけとなって損傷するなどの問題を招くためである。しかしながら、補強部１ｂの裏面にも金属膜が形成されている場合には、初期研削として♯３２０程度の粗めの砥石で金属膜を研削、除去してから、次に♯２０００〜＃８０００程度のファインメッシュ砥石で仕上げ研削する手法が好ましく採用される。その場合のファインメッシュ砥石の回転数は２０００〜５０００ｒｐｍ程度で、毎秒０．１〜０．５μｍの速度での研削が行われる。 As the grindstone 316 fixed to the cup wheel 315, a grindstone having a fine finish on the ground surface of the wafer 1 such as a grindstone having a resin particle size of 5 μm or less using resinoid or vitrified as a bonding material is preferably used. This is because, for example, when grinding with a relatively rough grindstone such as # 320 or # 600, bending occurs due to deep damage formed on the ground surface, and the subsequent bending causes the problem that the bending causes damage. is there. However, when a metal film is also formed on the back surface of the reinforcing portion 1b, the metal film is ground and removed with a rough grindstone of about # 320 as initial grinding, and then about # 2000 to # 8000. The method of finish grinding with a fine mesh grindstone is preferably employed. In this case, the rotation speed of the fine mesh grindstone is about 2000 to 5000 rpm, and grinding is performed at a speed of 0.1 to 0.5 μm per second.

ダイシングテープ貼着部２００とウェーハ研削部３００との境界部分には、チャックテーブル２０１上のウェーハ１に洗浄水を噴射する洗浄水シャワーノズル（洗浄手段）３２０と、洗浄水を被ったウェーハ１に高圧エアーを噴射して水分を除去するエアーノズル３２１（洗浄手段）とが並んで配設されている。これらノズル３２０，３２１は、Ｘ方向に延びる長尺な管状ノズルで、下向きの噴射口が長手方向に多数点在する構成であり、ウェーハ研削部３００側に洗浄水シャワーノズル３２０、ダイシングテープ貼着部２００側にエアーノズル３２１が配され、基台１１に立設された図示せぬ支柱を介してテーブルベース２０２の移動路上を横断するように設けられている。 At the boundary portion between the dicing tape adhering portion 200 and the wafer grinding portion 300, a cleaning water shower nozzle (cleaning means) 320 for injecting cleaning water onto the wafer 1 on the chuck table 201, and the wafer 1 covered with the cleaning water Air nozzles 321 (cleaning means) that eject high-pressure air to remove moisture are arranged side by side. These nozzles 320 and 321 are long tubular nozzles extending in the X direction, and have a structure in which a number of downward injection ports are dotted in the longitudinal direction. The cleaning water shower nozzle 320 and dicing tape are attached to the wafer grinding unit 300 side. An air nozzle 321 is disposed on the side of the unit 200, and is provided so as to cross the moving path of the table base 202 through a support column (not shown) standing on the base 11.

（ｄ）ダイシングテープ搬送部
ダイシングテープ搬送部４００は、図９に示すダイシングテープ３１を上記ダイシングテープ貼着部２００に搬送する機能を有する。ダイシングテープ３１は、例えば、厚さ１００μｍ程度のポリ塩化ビニルを基材とし、その片面に厚さ５μｍ程度でアクリル樹脂系の粘着剤が塗布されたものが用いられる。ダイシングテープ３１の粘着面には、ウェーハ１の直径よりも大きな内径を有する環状のダイシングフレーム３２が貼り付けられる。ダイシングフレーム３２は剛性を有する金属板等からなるもので、ウェーハ１はダイシングテープ３１に貼着され、ダイシングフレーム３２を保持することによって運搬等の取扱いがなされる。 (D) Dicing tape conveyance part The dicing tape conveyance part 400 has a function which conveys the dicing tape 31 shown in FIG. 9 to the said dicing tape sticking part 200. FIG. As the dicing tape 31, for example, a material in which polyvinyl chloride having a thickness of about 100 μm is used as a base material and an acrylic resin-based adhesive is applied to a thickness of about 5 μm on one side thereof is used. An annular dicing frame 32 having an inner diameter larger than the diameter of the wafer 1 is attached to the adhesive surface of the dicing tape 31. The dicing frame 32 is made of a rigid metal plate or the like, and the wafer 1 is adhered to the dicing tape 31 and is handled such as being transported by holding the dicing frame 32.

ダイシングテープ搬送部４００は、基台１１上のＹ方向手前側に設置されたカセット４０５と、このカセット４０５のＹ方向奥側に配されて、カセット４０５内から１枚のダイシングテープ付きダイシングフレーム３２を引き出す引き出しクランプ４１０と、この引き出しクランプ４１０で把持したダイシングフレーム３２をダイシングテープ貼着部２００のウェーハ着脱位置に搬送する搬送クランプ部４２０と、この搬送クランプ部４２０をＸ・Ｚ方向に移動させるクランプ駆動機構４３０とを備えている。 The dicing tape transport unit 400 is disposed on the base 11 on the front side in the Y direction, and is disposed on the back side in the Y direction of the cassette 405 so that the dicing frame 32 with one dicing tape from the cassette 405 is disposed. Pull-out clamp 410 that pulls out the wafer, a dicing frame 32 gripped by the pull-out clamp 410, a transfer clamp unit 420 that transfers the wafer to the wafer attachment / detachment position of the dicing tape attaching unit 200, and the transfer clamp unit 420 are moved in the X and Z directions. And a clamp drive mechanism 430.

カセット４０５内には、ダイシングテープ付きの複数のダイシングフレーム３２が、ダイシングテープ３１の粘着面を下に向けた水平な状態で積層して収容される。クランプ駆動機構４３０は、上記ウェーハ供給部１００のＸ軸駆動機構１６０と同一構成のＸ軸駆動機構４６０と、Ｚ軸駆動シリンダ４７０とを備えている。カセット４０５は、上記ウェーハキャリア１０１と同様に、内蔵するエレベータ機構によってダイシングフレーム３２を１段ずつ上下方向に移動させる機能を有しており、所定の引き出し位置まで移動したダイシングフレーム３２が、引き出しクランプ４１０によってカセット４０５から引き出されるようになっている。 In the cassette 405, a plurality of dicing frames 32 with dicing tape are stacked and accommodated in a horizontal state with the adhesive surface of the dicing tape 31 facing downward. The clamp drive mechanism 430 includes an X-axis drive mechanism 460 having the same configuration as the X-axis drive mechanism 160 of the wafer supply unit 100 and a Z-axis drive cylinder 470. Similar to the wafer carrier 101, the cassette 405 has a function of moving the dicing frame 32 in the vertical direction one step at a time by a built-in elevator mechanism. 410 is pulled out from the cassette 405.

引き出しクランプ４１０は、カセット４０５内の１枚のダイシングフレーム３２を把持するもので、基台１１の上面に形成されたＹ方向に延びる溝４１１内に、この溝４１１に沿って移動自在に設けられており、図示せぬ駆動機構によってカセット４０５からＸ軸駆動機構４６０の間を往復移動するようになされている。カセット４０５内のダイシングフレーム３２を把持した引き出しクランプ４１０はＹ方向奥側に移動してダイシングフレーム３２をカセット４０５内から待機位置まで引き出す。その待機位置は、ウェーハ供給部１００でのストッパ１１１で停止させられたウェーハ１の停止位置、ダイシングテープ貼着部２００のチャックテーブル２０１の着脱位置を結ぶＸ方向の延長上にある。つまり、ウェーハ供給部１００のウェーハ１の停止位置、ダイシングテープ貼着部２００のチャックテーブル２０１の着脱位置、ダイシングテープ搬送部４００のダイシングフレーム３２の待機位置は、Ｘ方向に並んでいる。 The drawer clamp 410 grips one dicing frame 32 in the cassette 405, and is provided in a groove 411 formed on the upper surface of the base 11 and extending in the Y direction so as to be movable along the groove 411. It is configured to reciprocate between the cassette 405 and the X-axis drive mechanism 460 by a drive mechanism (not shown). The drawer clamp 410 that holds the dicing frame 32 in the cassette 405 moves to the back in the Y direction and pulls the dicing frame 32 from the cassette 405 to the standby position. The standby position is on the extension in the X direction connecting the stop position of the wafer 1 stopped by the stopper 111 in the wafer supply unit 100 and the attachment / detachment position of the chuck table 201 of the dicing tape attaching unit 200. That is, the stop position of the wafer 1 of the wafer supply unit 100, the attachment / detachment position of the chuck table 201 of the dicing tape attaching unit 200, and the standby position of the dicing frame 32 of the dicing tape transport unit 400 are aligned in the X direction.

Ｘ軸駆動機構４６０は、基台１１上に立設された支柱４６１に、溝４１１の奥側部分の上方をＸ方向に横断するよう片持ち状に支持されており、このＸ軸駆動機構４６０に、該Ｘ軸駆動機構４６０によってＸ方向に移動させられるＺ方向に延びるＺ軸駆動機構４７０が、ベースプレート４７１を介して係合されている。Ｚ軸駆動シリンダ４７０は、下方に対して伸縮するピストン４７３を有している（図１２参照）。搬送クランプ部４２０は、一端部がＺ軸駆動シリンダ４７０のピストン４７３の下端に固定され、ダイシングテープ貼着部２００方向に向かってＸ方向に延びるステー４２１と、このステー４２１のカセット４０５側の面に、Ｘ方向に所定間隔をあけて設けられた一対の搬送クランプ４２２とから構成されている。搬送クランプ４２２も、引き出しクランプ４１０と同様にダイシングフレーム３２を把持する機能を有している。搬送クランプ部４２０は、Ｘ軸駆動機構４６０によってＺ軸駆動シリンダ４７０とともにＸ方向に移動させられ、また、Ｚ軸駆動シリンダ４７０のピストン４７３によって上下方向（Ｚ方向）に移動させられる。 The X-axis drive mechanism 460 is supported in a cantilever manner so as to cross the upper portion of the groove 411 in the X direction on a support column 461 erected on the base 11, and this X-axis drive mechanism 460. Further, a Z-axis drive mechanism 470 extending in the Z direction that is moved in the X direction by the X-axis drive mechanism 460 is engaged via a base plate 471. The Z-axis drive cylinder 470 has a piston 473 that expands and contracts downward (see FIG. 12). One end of the conveyance clamp unit 420 is fixed to the lower end of the piston 473 of the Z-axis drive cylinder 470, and a stay 421 extending in the X direction toward the dicing tape attaching unit 200, and a surface of the stay 421 on the cassette 405 side. And a pair of transport clamps 422 provided at predetermined intervals in the X direction. The transport clamp 422 also has a function of gripping the dicing frame 32 similarly to the drawer clamp 410. The transport clamp unit 420 is moved in the X direction together with the Z axis drive cylinder 470 by the X axis drive mechanism 460, and is moved in the vertical direction (Z direction) by the piston 473 of the Z axis drive cylinder 470.

次に、上記構成の補強部除去装置１０の動作例を説明する。
ウェーハ供給部１００のウェーハキャリア１０１から、搬送ベルト１０２によって１枚のウェーハ１が引き出される。そのウェーハ１は、凹部１ａ側、すなわち裏面側が上を向いている。ウェーハ１が搬送ベルト１０２によってストッパ１１１に当たる停止位置まで搬送されたら、搬送ベルト１０２が停止する。次いで、ウェーハ１がウェーハハンド１２０でピックアップされる。 Next, an operation example of the reinforcing portion removing apparatus 10 having the above configuration will be described.
One wafer 1 is pulled out from the wafer carrier 101 of the wafer supply unit 100 by the transport belt 102. In the wafer 1, the recess 1 a side, that is, the back surface side faces upward. When the wafer 1 is transported to the stop position where it hits the stopper 111 by the transport belt 102, the transport belt 102 stops. Next, the wafer 1 is picked up by the wafer hand 120.

図８（ａ）に示すように、ウェーハハンド１２０は、ハンドピック１２２が先端部１２２ａを外向きにされた状態で、ウェーハハンド駆動機構１４０によってウェーハ１の直上に移動し、さらに図８（ｂ）に示すようにＺ軸駆動機構１７０によってハンドピック１２２の下面がウェーハ１の下面よりも下に位置するまで下降する。次いで、ハンドシャフト１２４が回転することによってギヤプレート１２３が回転し、これに連動して各ピックシャフト１２５とともにハンドピック１２２が約１８０°回転し、図８（ｃ）に示すようにハンドピック１２２の先端部１２２ａがウェーハ１の下面に入り込む。この状態を保持して、図８（ｄ）に示すようにウェーハハンド１２０を上昇させウェーハ１を持ち上げる。ウェーハ１は、表面の補強部１ｂに対応する外周部がハンドピック１２２で受けられるので、ウェーハ１には余計な応力がかかることなく搬送することができる。 As shown in FIG. 8A, the wafer hand 120 is moved immediately above the wafer 1 by the wafer hand driving mechanism 140 with the hand pick 122 turned to the front end portion 122a, and further, FIG. ), The Z-axis drive mechanism 170 lowers the lower surface of the hand pick 122 until it is positioned below the lower surface of the wafer 1. Next, as the hand shaft 124 rotates, the gear plate 123 rotates. In conjunction with this, the hand pick 122 rotates about 180 ° together with each of the pick shafts 125. As shown in FIG. The leading end 122 a enters the lower surface of the wafer 1. While maintaining this state, the wafer hand 120 is raised as shown in FIG. Since the outer peripheral portion corresponding to the reinforcing portion 1 b on the surface is received by the hand pick 122, the wafer 1 can be transferred without applying extra stress to the wafer 1.

次に、ウェーハハンド１２０がウェーハハンド駆動機構１４０のＸ軸駆動機構１６０によってダイシングテープ貼着部２００側に搬送され、さらにＺ軸駆動機構１７０によって下降させられることにより、予め着脱位置に移動させられ、かつ真空運転されていたダイシングテープ貼着部２００のチャックテーブル２０１上に、ウェーハ１が載置される。ウェーハ１はチャックテーブル２０１上に吸着、保持され、ウェーハハンド１２０は上方に退避し、次のウェーハ１を搬送するためにウェーハキャリア１０１の前まで戻る。ウェーハ１は、チャックテーブル２０１の回転中心と同心状に載置されることが望ましい。 Next, the wafer hand 120 is transported to the dicing tape adhering unit 200 side by the X-axis drive mechanism 160 of the wafer hand drive mechanism 140 and further moved down to the attachment / detachment position by being lowered by the Z-axis drive mechanism 170. In addition, the wafer 1 is placed on the chuck table 201 of the dicing tape attaching unit 200 that has been operated in vacuum. The wafer 1 is sucked and held on the chuck table 201, and the wafer hand 120 is retracted upward and returns to the front of the wafer carrier 101 to transport the next wafer 1. The wafer 1 is preferably placed concentrically with the center of rotation of the chuck table 201.

次に、ウェーハ１を保持したチャックテーブル２１０を、テーブルベース２０２をＹ方向奥側に移動させることによって研削位置に配置する。そして、図６に示すように、ウェーハ１をチャックテーブル２０１ごと回転させ、研削ユニット３１０のカップホイール３１５を高速回転させながら砥石３１６を補強部１ｂの上面に押圧し、この砥石３１６により少なくとも補強部１ｂを削り取って除去する。この場合、回転する砥石３１６の回転軌跡の最外周縁を、半導体ウェーハ１のデバイス領域４と補強部１ｂとの境界に一致させ、補強部１ｂのみを除去する。また、必要に応じてテーブルベース２０２をＹ方向に往復移動させ、砥石３１６がＹ方向に相対的に揺動するように動かし、補強部１ｂを研削する。なお、少なくとも補強部１ｂを除去できればよいものであるが、さらに補強部１ｂをデバイス領域４よりも薄くなるまで研削、除去してもよい。 Next, the chuck table 210 holding the wafer 1 is placed at the grinding position by moving the table base 202 to the back side in the Y direction. Then, as shown in FIG. 6, the wafer 1 is rotated together with the chuck table 201, and the grindstone 316 is pressed against the upper surface of the reinforcing portion 1 b while rotating the cup wheel 315 of the grinding unit 310 at a high speed. 1b is scraped off and removed. In this case, the outermost peripheral edge of the rotation trajectory of the rotating grindstone 316 is made to coincide with the boundary between the device region 4 of the semiconductor wafer 1 and the reinforcing portion 1b, and only the reinforcing portion 1b is removed. Further, if necessary, the table base 202 is reciprocated in the Y direction and moved so that the grindstone 316 swings relatively in the Y direction to grind the reinforcing portion 1b. Although it is sufficient that at least the reinforcing portion 1 b can be removed, the reinforcing portion 1 b may be further ground and removed until it becomes thinner than the device region 4.

このようにして補強部１ｂを加工したら、研削ユニット３１０の運転を停止して上方に退避させ、次いで、テーブルベース２０２をＹ方向手前側に移動させてウェーハ１を着脱位置に配置させる。その移動の途中においては、洗浄水シャワーノズル３２０からウェーハ１に洗浄水を噴射して研削屑等をウェーハ１から洗い流して洗浄し、次いでエアーノズル３２１から高圧エアーを噴射してウェーハ１に付着する水分を除去する。 After processing the reinforcing portion 1b in this way, the operation of the grinding unit 310 is stopped and retracted upward, and then the table base 202 is moved to the front side in the Y direction to place the wafer 1 at the attachment / detachment position. In the middle of the movement, cleaning water is sprayed from the cleaning water shower nozzle 320 to the wafer 1 to wash away grinding waste and the like from the wafer 1, and then high-pressure air is sprayed from the air nozzle 321 to adhere to the wafer 1. Remove moisture.

ウェーハ研削部３００でウェーハ１の補強部１ｂが加工され、次いでそのウェーハ１がダイシングテープ貼着部２００の着脱位置に搬送される間に、ダイシングテープ搬送部４００では、ダイシングテープ３１が装着された１枚のダイシングフレーム３２をカセット４０５から引き出し、そのダイシングフレーム３２をダイシングテープ貼着部２００に搬送する動作が行われる。 While the reinforcing part 1b of the wafer 1 is processed in the wafer grinding part 300 and then the wafer 1 is transported to the attaching / detaching position of the dicing tape attaching part 200, the dicing tape 31 is mounted in the dicing tape transport part 400. One dicing frame 32 is pulled out from the cassette 405, and the dicing frame 32 is transported to the dicing tape attaching unit 200.

その動作は、まず、引き出しクランプ４１０がカセット４０５内の１枚のダイシングフレーム３２を把持し、次いでＹ方向奥側に移動してダイシングフレーム３２を待機位置まで引き出す。次に、搬送クランプ部４２０を、待機位置にあるダイシングフレーム３２のＹ方向奥側の近傍に配し、ピストン４７３を下降させ、搬送クランプ４２２によってダイシングフレーム３２を把持するとともに、引き出しクランプ４１０による把持を解除して、ダイシングフレーム３２を搬送クランプ４２２に受け渡す。続いてピストン４７３を上昇させてダイシングフレーム３２を持ち上げ、搬送クランプ部４２０をダイシングテープ貼着部２００の着脱位置に移動させて、搬送クランプ４２２で把持したダイシングフレーム３２に装着されたダイシングテープ３１を、ダイシングテープ貼着部２００に配置されたウェーハ１（このウェーハは既に補強部１ｂが加工されている）の直上に移動させる。ダイシングテープ３１は、ウェーハ１の上に数ｍｍ程度の間隔に近付けて配置されることが望ましい。 In the operation, first, the drawer clamp 410 grips one dicing frame 32 in the cassette 405, and then moves to the back in the Y direction to pull out the dicing frame 32 to the standby position. Next, the conveyance clamp unit 420 is disposed in the vicinity of the back side of the dicing frame 32 in the Y direction in the standby position, the piston 473 is lowered, and the dicing frame 32 is grasped by the conveyance clamp 422 and grasped by the drawer clamp 410. Is released, and the dicing frame 32 is transferred to the conveyance clamp 422. Subsequently, the piston 473 is raised to lift the dicing frame 32, the transport clamp unit 420 is moved to the attaching / detaching position of the dicing tape attaching unit 200, and the dicing tape 31 attached to the dicing frame 32 gripped by the transport clamp 422 is removed. The wafer 1 arranged on the dicing tape adhering portion 200 is moved immediately above the wafer 1 (the reinforcing portion 1b is already processed in this wafer). It is desirable that the dicing tape 31 is disposed on the wafer 1 so as to be close to an interval of about several mm.

次に、押し付けローラ２１０によってダイシングテープ３１をウェーハ１の裏面に貼り付ける。押し付けローラ２１０は、図１２に示すように予めＹ軸駆動機構２５０のＹ方向手前側で待機しており、まず、Ｙ軸駆動機構２５０によってダイシングテープ３１上に移動する。そして、押し付けローラ２１０は図１２（ａ）に示すようにＺ軸駆動機構２７０によってダイシングテープ３１の表面に当たるまで下降してから、さらに下降して、ダイシングテープ３１の端部をウェーハ１の裏面に押圧する。続いて図１２（ｂ）〜（ｃ）に示すように、押し付けローラ２１０は、ダイシングテープ３１を押圧しながら搬送クランプ４２２方向に向かって転動する。これによってダイシングテープ３１はウェーハ１の裏面に押し付けられ、貼着される。このように押し付けローラ２１０によってウェーハ１の裏面にダイシングテープ３１を一端側から他端側に向かって押し付けていくことにより、ウェーハ１とダイシングテープ３１との間に空気が入ることなく、ダイシングテープ３１を貼着することができる。 Next, the dicing tape 31 is attached to the back surface of the wafer 1 by the pressing roller 210. As shown in FIG. 12, the pressing roller 210 is waiting in advance on the Y-direction front side of the Y-axis drive mechanism 250 and first moves onto the dicing tape 31 by the Y-axis drive mechanism 250. Then, as shown in FIG. 12A, the pressing roller 210 is lowered by the Z-axis drive mechanism 270 until it hits the surface of the dicing tape 31 and then further lowered, and the end of the dicing tape 31 is brought to the back surface of the wafer 1. Press. Subsequently, as shown in FIGS. 12B to 12C, the pressing roller 210 rolls in the direction of the conveyance clamp 422 while pressing the dicing tape 31. As a result, the dicing tape 31 is pressed against and attached to the back surface of the wafer 1. By pressing the dicing tape 31 against the back surface of the wafer 1 from the one end side to the other end side by the pressing roller 210 in this way, air does not enter between the wafer 1 and the dicing tape 31, and the dicing tape 31. Can be attached.

ダイシングテープ３１０の貼着が完了したら、チャックテーブル２０１の真空運転を停止してチャックテーブル２０１上でのウェーハ１の吸着、保持の状態を解除する。続いて、ダイシングテープ搬送部４００が上記と逆動作することにより、ウェーハ１は、貼着されたダイシングテープ３１およびダイシングフレーム３２ごと、カセット４０５内に収容される。なお、上記のような補強部除去装置１０以外に、切断ブレードを補強部１ｂとデバイス領域４の境界に切り込んで補強部１ｂを切除する方法や、厚めの切断ブレードを補強部１ｂの上面から切り込んで研削除去する方法も用いることができる。 When the attachment of the dicing tape 310 is completed, the vacuum operation of the chuck table 201 is stopped, and the wafer 1 adsorption / holding state on the chuck table 201 is released. Subsequently, the dicing tape transport unit 400 operates in reverse to the above, whereby the wafer 1 is accommodated in the cassette 405 together with the attached dicing tape 31 and dicing frame 32. In addition to the reinforcing part removing device 10 as described above, a cutting blade is cut at the boundary between the reinforcing part 1b and the device region 4 to cut the reinforcing part 1b, or a thick cutting blade is cut from the upper surface of the reinforcing part 1b. It is also possible to use a grinding removal method.

［５］個片化工程
上記のようにして補強部１ｂが除去されたウェーハ１は、ダイシングテープ３１に貼着されたまま図１３に示すダイシング装置４０により分割予定ライン２に沿って切断され、複数の半導体チップ３に個片化される。以下、ダイシング装置４０について説明する [5] Separation Step The wafer 1 from which the reinforcing portion 1b has been removed as described above is cut along the planned division line 2 by the dicing apparatus 40 shown in FIG. 13 while being adhered to the dicing tape 31. The semiconductor chips 3 are separated into individual pieces. Hereinafter, the dicing apparatus 40 will be described.

ダイシング装置４０は略直方体状の基台４１を有している。この基台４１の水平な上面には位置決め機構４２が設けられ、この位置決め機構４２の周囲には時計回りにカセット４３、ダイシング機構４４、洗浄ユニット４５が配置されている。さらに、位置決め機構４２の上方には、ウェーハ１の表面を撮影して、切断すべき分割予定ライン２を認識する画像認識カメラ４６が設置されている。カセット４３内には、上記のようにしてダイシングテープ３１にウェーハ１が貼り付けられた複数のダイシングフレーム３２が、ウェーハ１を上に配し、ウェーハ１の表面を上に向けた状態で積層して収容される。 The dicing apparatus 40 has a substantially rectangular parallelepiped base 41. A positioning mechanism 42 is provided on the horizontal upper surface of the base 41, and a cassette 43, a dicing mechanism 44, and a cleaning unit 45 are arranged around the positioning mechanism 42 in a clockwise direction. Further, an image recognition camera 46 is provided above the positioning mechanism 42 for photographing the surface of the wafer 1 and recognizing the division line 2 to be cut. In the cassette 43, a plurality of dicing frames 32 each having the wafer 1 attached to the dicing tape 31 as described above are stacked with the wafer 1 facing upward and the surface of the wafer 1 facing upward. Is contained.

カセット４３からは１枚のダイシングフレーム３２（ウェーハ１が貼着されたダイシングテープ３１が装着されている）が取り出され、そのダイシングフレーム３２は位置決め機構４２を経由してダイシング機構４４に移され、このダイシング機構４４によってウェーハ１が切断、分割され、複数の半導体チップ３に個片化される。カセット４３から位置決め機構４２に移されたウェーハ１は、位置決め機構４２が具備する一対のガイドバー４２ａに挟まれて定位置に保持され、そこで画像認識カメラ４６により表面が撮影されて分割予定ライン２の位置確認がなされる。この画像認識カメラ４６で撮影された画像データに基づき、ダイシング機構４４が制御されるようになっている。 From the cassette 43, one dicing frame 32 (with the dicing tape 31 to which the wafer 1 is attached) is taken out, and the dicing frame 32 is moved to the dicing mechanism 44 via the positioning mechanism 42. The wafer 1 is cut and divided by the dicing mechanism 44 and separated into a plurality of semiconductor chips 3 . The wafer 1 transferred from the cassette 43 to the positioning mechanism 42 is sandwiched between a pair of guide bars 42a included in the positioning mechanism 42 and held at a fixed position. Is confirmed. The dicing mechanism 44 is controlled based on image data photographed by the image recognition camera 46.

ダイシング機構４４で個片化された複数の半導体チップ３はダイシングテープ３１に貼り付いたままでウェーハ１の形態は保たれており、この後、ダイシングフレーム３２が位置決め機構４２を経由して洗浄ユニット４５に移され、この洗浄ユニット４５で、複数の半導体チップ３に分割された状態のウェーハ１が洗浄される。洗浄されたウェーハ１はもう一度位置決め機構４２を経由してカセット４３に戻される。基台１１上には、このようにウェーハ１を移送する移送ロボットが設けられている（図示略）。 The plurality of semiconductor chips 3 separated by the dicing mechanism 44 are kept attached to the dicing tape 31 and the shape of the wafer 1 is maintained. Thereafter, the dicing frame 32 is moved to the cleaning unit 45 via the positioning mechanism 42. In this cleaning unit 45, the wafer 1 that has been divided into a plurality of semiconductor chips 3 is cleaned. The cleaned wafer 1 is once again returned to the cassette 43 via the positioning mechanism 42. On the base 11, a transfer robot for transferring the wafer 1 is provided (not shown).

図１３に示すように、ダイシング機構４４は、矩形状のテーブルベース５１上に回転自在に設けられた円盤状のチャックテーブル５２と、このチャックテーブル５２の上方に、Ｘ方向に並列状態に配された２つの切削ユニット５５とを備えている。テーブルベース５１は、基台４１上に図示せぬガイドレールを介してＸ方向に移動自在に設けられ、図示せぬ往復駆動機構によって往復移動させられる。チャックテーブル５２は、上面が水平で、Ｚ方向（鉛直方向）を軸線として回転自在にテーブルベース５１上に支持されており、図示せぬ回転駆動機構によって時計方向または反時計方向に回転させられる。 As shown in FIG. 13, the dicing mechanism 44 is arranged in a parallel state in the X direction above a disk-shaped chuck table 52 that is rotatably provided on a rectangular table base 51. And two cutting units 55. The table base 51 is provided on the base 41 so as to be movable in the X direction via a guide rail (not shown), and is reciprocated by a reciprocating drive mechanism (not shown). The chuck table 52 has a horizontal upper surface and is supported on the table base 51 so as to be rotatable about the Z direction (vertical direction) as an axis, and is rotated clockwise or counterclockwise by a rotation driving mechanism (not shown).

チャックテーブル５２は周知の真空チャック式であり、ウェーハ１は、ダイシングテープ３１を介してチャックテーブル５２の上面に吸着、保持される。テーブルベース５１には、ダイシングフレーム３２を着脱自在に保持するクランプ５３が設けられている。また、テーブルベース５１の移動方向の両端部には、テーブルベース５１の移動路を塞いで塵埃等が侵入することを防ぐための蛇腹状のカバー５４が伸縮自在に設けられている。 The chuck table 52 is a well-known vacuum chuck type, and the wafer 1 is attracted and held on the upper surface of the chuck table 52 via the dicing tape 31. The table base 51 is provided with a clamp 53 that detachably holds the dicing frame 32. Further, bellows-like covers 54 are provided at both ends in the moving direction of the table base 51 so as to extend and contract so as to block the moving path of the table base 51 and prevent dust and the like from entering.

切削ユニット５５は、軸方向がＹ方向と平行な状態に保持された円筒状のスピンドルハウジング５６と、このスピンドルハウジング５６内に設けられた図示せぬスピンドルに取り付けられた切削ブレード５７とを備えている。スピンドルハウジング５６はスピンドルを回転駆動させる駆動部を内蔵しており（図示略）、基台４１上に設けられた図示せぬフレームに、軸方向がＹ方向と平行な状態を保持したままで、Ｙ方向に往復移動し、かつＺ方向に上下動するように支持されている。そのフレームには、切削ユニット５５をそれらの方向に移動させる図示せぬ駆動機構が設けられている。スピンドルハウジング５６の切削ブレード５７が装着された側の端部には、ブレードカバー５８が取り付けられている。このブレードカバー５８には、切削時の潤滑、冷却、清浄化等のための切削水をウェーハ１の加工点に向けて供給する切削水ノズル５９Ａ，５９Ｂが取り付けられている。 The cutting unit 55 includes a cylindrical spindle housing 56 in which the axial direction is held parallel to the Y direction, and a cutting blade 57 attached to a spindle (not shown) provided in the spindle housing 56. Yes. The spindle housing 56 has a built-in drive unit (not shown) for rotationally driving the spindle, and a frame (not shown) provided on the base 41 holds the axial direction parallel to the Y direction. It is supported so as to reciprocate in the Y direction and move up and down in the Z direction. The frame is provided with a drive mechanism (not shown) that moves the cutting unit 55 in those directions. A blade cover 58 is attached to the end of the spindle housing 56 on the side where the cutting blade 57 is mounted. The blade cover 58 is attached with cutting water nozzles 59A and 59B that supply cutting water for lubrication, cooling, cleaning, and the like during cutting toward the processing point of the wafer 1.

上記構成のダイシング装置４０により、ウェーハ１を個片化するに際しては、まず、ウェーハ１表面の保護テープ６を剥離する。その際、保護テープ６に剥離テープを粘着させ、剥離テープを引っ張って保護テープ６をウェーハ１から剥離することができる。また、紫外線照射等によって保護テープ６の粘着力を低下させてから剥離することもできる。いずれにしても、粘着剤６ａがウェーハ１の外周余剰領域５（補強部１ｂ）にしか配設されていないため、剥離はいたって容易かつ安全で、ウェーハ１のデバイス領域４に剥離応力が加わることはないため安全に保護テープ６をウェーハ１の表面から剥離することが可能である。 When the wafer 1 is separated into pieces by the dicing apparatus 40 having the above configuration, first, the protective tape 6 on the surface of the wafer 1 is peeled off. At that time, the protective tape 6 can be adhered to the protective tape 6, and the protective tape 6 can be peeled from the wafer 1 by pulling the release tape. Moreover, it can also peel, after reducing the adhesive force of the protective tape 6 by ultraviolet irradiation etc. In any case, since the adhesive 6a is disposed only in the outer peripheral surplus region 5 (reinforcement portion 1b) of the wafer 1, peeling is easy and safe, and peeling stress is applied to the device region 4 of the wafer 1. Therefore, it is possible to safely peel off the protective tape 6 from the surface of the wafer 1.

上記ダイシング装置４０では、チャックテーブル５２上にダイシングテープ３１を介してウェーハ１が保持され、チャックテーブル５２を回転させて分割予定ライン２を切削ブレード５７に合わせてから、切削ブレード５７を下降させ、次いでテーブルベース５１をＸ方向に移動させることにより、切削ブレード５７が分割予定ライン２に切り込んでいき、１本の分割予定ライン２に沿ってウェーハ１が切断される。 In the dicing apparatus 40, the wafer 1 is held on the chuck table 52 via the dicing tape 31, and the chuck table 52 is rotated to align the division line 2 with the cutting blade 57, and then the cutting blade 57 is lowered. Next, by moving the table base 51 in the X direction, the cutting blade 57 cuts into the division line 2 and the wafer 1 is cut along one division line 2.

ダイシング機構４４においては、２つの切削ユニット５５のＹ方向およびＺ方向の移動と、テーブルベース５１のＸ方向の移動が適宜に組み合わされて、全ての分割予定ライン２が切断される。切削ブレード５７の切り込み深さは、ウェーハ１を切断して、かつ、ダイシングテープ３１に適宜切り込む程度に設定される。この場合、切削ユニット５５が２つあることにより、例えばこれら切削ユニット５５の切削ブレード５７の軸方向（Ｙ方向）を分割予定ライン２の間隔分ずらして配置してウェーハ１を２つの切削ブレード５７にわたって移動させると、１回のＸ方向への移動で２本の分割予定ライン２を切断することができる。 In the dicing mechanism 44, the movement of the two cutting units 55 in the Y direction and the Z direction and the movement of the table base 51 in the X direction are appropriately combined, and all the planned division lines 2 are cut. The cutting depth of the cutting blade 57 is set to such an extent that the wafer 1 is cut and appropriately cut into the dicing tape 31. In this case, since there are two cutting units 55, for example, the axial direction (Y direction) of the cutting blades 57 of these cutting units 55 is shifted by the interval of the division line 2, and the wafer 1 is placed in the two cutting blades 57. The two scheduled division lines 2 can be cut by one movement in the X direction.

上記実施形態のウェーハ加工方法では、保護テープ６の粘着剤６ａがデバイス領域４に溶融固化したり保護テープ６をウェーハ１から剥離する際にデバイス領域４が損傷を受けるといった不都合が生じることがないので、ウェーハ１の加工を円滑に行うことができるとともに、不良品の発生を低減して生産コストを向上させることができる。 In the wafer processing method of the above embodiment, there is no inconvenience that the adhesive 6a of the protective tape 6 is melted and solidified in the device region 4 or the device region 4 is damaged when the protective tape 6 is peeled off from the wafer 1. Therefore, the wafer 1 can be processed smoothly, and the production cost can be improved by reducing the occurrence of defective products.

本発明の一実施形態で半導体チップに製造されるウェーハの（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。It is the (a) perspective view and (b) side view of the wafer manufactured to a semiconductor chip by one embodiment of the present invention. 凹状加工工程で用いる研削装置の斜視図である。It is a perspective view of a grinding device used in a concave machining process. 同研削装置の側面図である。It is a side view of the grinding device. 裏面に凹部が形成されたウェーハの（ａ）斜視図、（ｂ）断面図である。It is (a) perspective view of the wafer in which the recessed part was formed in the back surface, (b) It is sectional drawing. 補強部除去装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a reinforcement part removal apparatus. 同補強部除去装置の平面図である。It is a top view of the reinforcement part removal apparatus. ウェーハ処理装置のウェーハ供給部が具備するウェーハハンドの平面図である。U U E Doha supply unit E Doha processor is a plan view of a window E Hahando comprising. ウェーハハンドの動作を（ａ）〜（ｄ）の順に示す側面図である。Is a side view showing the operation of the window E Hahando in the order of (a) ~ (d). ダイシングテープおよびダイシングフレームを示す斜視図である。It is a perspective view which shows a dicing tape and a dicing frame. ウェーハ研削部の研削ユニットでウェーハの補強部を研削している状態を示す斜視図である。C is a perspective view showing a state in which the grinding unit U is grinding the reinforcing portion of the E over Ha E Doha grinding unit. 図１０の側面図である。It is a side view of FIG. 押し付けローラでダイシングテープをウェーハ裏面に貼着する過程を（ａ）〜（ｃ）の順に示す側面図である。Process of attaching pressing the dicing tape with a roller to U E Doha backside is a side view showing the order of the (a) ~ (c). ダイシング装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a dicing apparatus.

Explanation of symbols

１…ウェーハ
１ａ…凹部
１ｂ…補強部
３…半導体チップ
４…デバイス領域
５…外周余剰領域
６…保護テープ
６ａ…粘着剤
１０…研削装置
４０…ダイシング装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer 1a ... Recessed part 1b ... Reinforcement part 3 ... Semiconductor chip 4 ... Device area | region 5 ... Outer periphery area | region 6 ... Protective tape
6a ... Adhesive 10 ... Grinding device 40 ... Dicing device

Claims

The back surface of the wafer on which the device region in which a plurality of devices are formed and the outer peripheral surplus region surrounding the device region are formed on the front surface is ground, and the rear surface region corresponding to the device region is ground into a concave shape and the outer peripheral surplus region. A wafer processing method for forming a ring-shaped reinforcing portion in a corresponding back surface region,
On the wafer surface, a protective tape adhering step of adhering a protective tape having an adhesive only in an area corresponding to the outer peripheral surplus area,
After this protective tape sticking step, a concave processing step of grinding a back surface region corresponding to the device region of the wafer to form a thickened reinforcing portion than the device region,
After this concave processing step, an additional step of performing a process for increasing the temperature of the wafer on the wafer,
After this additional step, a reinforcing portion removing step for removing the reinforcing portion,
After this reinforcing portion removing step, the wafer from which the reinforcing portion has been removed is attached to a dicing tape, and a protective tape peeling step for peeling the protective tape,
With
Before performing the additional step, the protective tape adhered in the protective tape attaching step is peeled off from the wafer surface and then the additional step is performed. After the additional step, the outer peripheral area is formed on the wafer surface. A wafer processing method, wherein a protective tape having an adhesive only in a corresponding region is attached again, and then the reinforcing portion removing step is performed.

The adding step is any one of an etching step for plasma etching the back surface of the wafer, a metal film providing step for providing a metal film on the back surface of the wafer, and an ion implantation step for implanting metal ions into the back surface of the wafer. The wafer processing method according to claim 1.