KR101817384B1 - 원료 가스 공급 장치, 성막 장치 및 원료 가스 공급 방법 - Google Patents

원료 가스 공급 장치, 성막 장치 및 원료 가스 공급 방법 Download PDF

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Abstract

(과제) 간편한 수법으로 원료 가스에 포함되는 원료의 기화 유량을 정확하게 조절하는 것이 가능한 원료 가스 공급 장치 등을 제공한다.
(해결 수단) 기판(W)에의 성막을 행하는 성막 처리부에 원료를 공급하는 원료 가스 공급 장치에 있어서, 캐리어 가스 공급부(41)는, 원료(300)를 수용한 원료 용기(3)에, 유량 조절된 캐리어 가스를 공급하고, 유량 측정부(22)는, 기화한 원료를 포함하는 원료 가스의 유량을 측정한다. 제어부(5)는, 기판에의 성막을 행하지 않고, 원료 용기(3)에 유량을 변화시켜서 캐리어 가스를 공급하고, 기화한 원료의 유량과, 캐리어 가스 유량 설정값을 대응시킨 기화 유량 테이블(51)에 기억한다. 또한 제어부(5)는, 기화 유량 테이블(51)을 이용하여, 외부로부터 수신한 기화 유량 설정값에 대응하는 캐리어 가스 유량 설정값을 구하고, 이에 근거하여 원료 용기(3)에 캐리어 가스를 공급하여 원료 가스를 발생시키고, 성막 처리부에 공급한다.

Description

원료 가스 공급 장치, 성막 장치 및 원료 가스 공급 방법{SOURCE GAS SUPPLY UNIT, FILM FORMING APPARTUS AND SOURCE GAS SUPPLY METHOD}
본 발명은, 캐리어 가스 중에 원료를 기화시켜서, 성막 처리부에 공급되는 원료 가스 중의 원료의 기화 유량을 조절하는 기술에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 기판(이하 「웨이퍼」로 칭함)에 대하여 성막을 행하는 수법에는, 웨이퍼의 표면에 원료 가스를 공급하고, 웨이퍼를 가열하는 것 등에 의해 원료 가스를 반응시켜서 성막을 행하는 CVD(Chemical Vapor Deposition)법이나, 웨이퍼의 표면에 원료 가스의 원자층이나 분자층을 흡착시킨 후, 이 원료 가스를 산화, 환원시키는 반응 가스를 공급하여 반응 생성물을 생성하고, 이들 처리를 반복하여 반응 생성물의 층을 퇴적시키는 ALD(Atomic Layer Deposition)법 등이 있다. 이들 처리는, 웨이퍼를 수용하고, 진공 분위기가 형성된 반응 챔버(처리 용기)에 원료 가스를 공급하는 것에 의해 행해진다.
여기서, CVD나 ALD 등에서 이용되는 원료에는 증기압이 낮은 것이 많고, 이 경우에, 원료 가스는 액체나 고체의 원료를 수용한 원료 용기에 캐리어 가스를 공급하고, 이 캐리어 가스 중에 원료를 기화시키는 것에 의해 얻고 있다. 한편, 웨이퍼에 성막된 막의 두께나 막질 등을 제어하는 것에 있어서는, 원료 가스 중에 포함되는 원료의 양을 정확하게 조절할 필요가 있다.
예를 들면, 인용 문헌 1에는, 원료 용기에 캐리어 가스를 공급하여 원료 가스를 발생시키고, 처리 용기에 공급하는 것에 있어서, 기화한 원료와 캐리어 가스의 혼합 기체인 원료 가스의 유량 측정값으로부터, 캐리어 가스의 유량 설정값을 빼는 것에 의해, 원료의 기화 유량을 모니터하는 기술이 기재되어 있다.
(선행 기술 문헌)
(특허 문헌)
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 공보 제2006-52424호: 단락 0067, 도 15
그러나 상술의 수법에 있어서, 캐리어 가스의 유량이 일정해지도록 조절을 행했다고 해도, 원료 용기 내의 원료의 감소나, 이에 따르는 캐리어 가스의 체류 시간의 변화 등에 기인해서 원료의 기화 유량이 변화되어 버리는 일이 있다. 이러한 점에 대해서, 인용 문헌 1에는, 캐리어 가스의 유량 설정값을 어떻게 조절하면, 소망하는 양의 원료를 포함하는 원료 가스가 얻어지는지에 관한 기술적인 언급은 없다. 따라서, 원료의 기화 유량을 모니터하고 있다고 해도, 시행 착오에 의해 캐리어 가스의 유량 설정값을 조정할 수 밖에 없고, 정확한 기화 유량을 얻을 때까지 시간이 걸려 버린다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 행해진 것으로서, 그 목적은, 간편한 수법으로 원료 가스에 포함되는 원료의 기화 유량을 정확하게 조절하는 것이 가능한 원료 가스 공급 장치, 성막 장치 및 원료 가스 공급 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 원료 가스 공급 장치는, 기판에 대한 성막을 행하는 성막 처리부에 원료를 공급하는 원료 가스 공급 장치에 있어서, 고체 또는 액체의 원료를 수용한 원료 용기와, 캐리어 가스 유량 설정값에 근거하여 캐리어 가스의 유량을 조절하는 캐리어 가스 유량 조절부가 마련되어, 상기 원료 용기에 캐리어 가스를 공급하기 위한 캐리어 가스 공급부와, 상기 원료 용기로부터 유출하여, 기화한 원료를 포함하는 원료 가스의 유량 측정값을 출력하기 위한 유량 측정부와, 상기 원료 용기로부터, 상기 성막 처리부에 원료 가스를 공급하기 위한 원료 가스 공급로와, 기판에의 성막을 행하지 않고, 상기 원료 용기에 캐리어 가스의 유량을 변화시켜서 공급하고, 상기 유량 측정부의 유량 측정값과 상기 캐리어 가스 유량 설정값의 차분값으로부터 구한 상기 원료 가스 중에 포함되는 원료의 기화 유량을 구하고, 해당 기화 유량과 캐리어 가스 유량 설정값을 대응시킨 기화 유량 테이블을 기억부에 기억하는 스텝과, 상기 기화 유량 테이블을 이용하여, 지정된 기화 유량 설정값에 대응하는 캐리어 가스 유량 설정값을 구하는 스텝과, 상기 구해진 캐리어 가스 유량 설정값에 근거하여 상기 원료 용기에 캐리어 가스를 공급하여 원료 가스를 발생시키고, 성막 처리부에 공급하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 원료 가스 공급 장치는 이하의 특징을 구비하고 있어도 좋다.
(a) 원료 가스 공급로로부터 분기함과 함께 상기 유량 측정부가 마련되어, 상기 성막 처리부를 거치지 않고 외부에 원료 가스를 배출하는 분기로와, 상기 성막 처리부와 분기로의 사이에서 상기 원료 가스 공급로로부터의 원료 가스의 유출처를 전환하는 전환부를 구비하고, 상기 제어부는, 캐리어 가스의 유량에 대응하는 기화 유량을 구하는 스텝에 있어서는, 상기 분기로에 원료 가스를 흘리도록 상기 전환부에 제어 신호를 출력하는 것.
(b) 희석 가스 유량 설정값에 근거하여 희석 가스의 유량을 조절하는 희석 가스 유량 조절부가 마련되어, 상기 성막 처리부에 희석 가스를 공급하기 위한 희석 가스 공급부를 구비하고, 상기 제어부는, 미리 설정된 캐리어 가스와 희석 가스의 총 유량으로부터, 상기 성막 처리부에 원료 가스를 공급할 때의 캐리어 가스 유량 설정값을 빼서 구한 희석 가스 유량 설정값에 근거하여, 상기 성막 처리부에 희석 가스를 공급하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 것.
(c) 상기 원료 용기에 공급하는 캐리어 가스의 유량을 변화시켜서, 대응하는 기화 유량을 구하고, 상기 기화 유량 테이블에 기억하는 스텝은, 상기 성막 처리부에의 원료 가스의 공급 전에 행하는 것.
또한, 다른 발명에 따른 성막 장치는, 원료 가스 공급 장치와, 이 원료 가스 공급 장치의 하류측에 마련되어, 해당 원료 가스 공급 장치로부터 공급된 원료 가스를 이용하여 기판에 성막 처리를 행하는 성막 처리부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 기판에의 공급을 행하지 않고 원료 가스를 발생시켜서, 원료 가스 중에 포함되는 원료의 유량인 기화 유량과, 캐리어 가스의 유량을 대응시킨 기화 유량 테이블을 작성한다. 그리고 사용자로부터 기화 유량, 즉, 원료의 실공급량의 설정을 직접 수신하여 캐리어 가스의 유량 설정값을 결정하므로, 캐리어 가스의 공급량에 대한 기화 유량이 변화되어도, 간편하게 소망하는 양의 원료를 성막 처리부에 공급할 수 있다.
도 1은 본 발명의 원료 가스 공급 장치를 구비한 성막 장치의 전체 구성도이다.
도 2는 상기 원료 가스 공급 장치에 기억되어 있는 기화 유량 테이블의 설명도이다.
도 3은 상기 원료 가스 공급 장치의 동작의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 상기 기화 유량 테이블을 작성하는 동작의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
이하, 도 1을 참조하여, 본 발명의 원료 가스 공급 장치를 구비한 성막 장치의 구성예에 대해서 설명한다. 성막 장치는, 기판인 웨이퍼(W) 대하여 CVD법에 의한 성막 처리를 행하기 위한 성막 처리부와, 이 성막 처리부에 원료 가스를 공급하기 위한 원료 가스 공급 장치를 구비하고 있다.
성막 처리부는, 매엽식의 성막 장치의 본체로서 구성되고, 예를 들면 진공 용기를 이루는 처리 용기(11) 내에, 웨이퍼(W)를 수평 유지함과 함께, 도시하지 않은 히터를 구비한 탑재대(12)와, 원료 가스 등을 처리 용기(11)내에 도입하는 가스 도입부(13)를 구비한다. 처리 용기(11)내는, 진공 배기되고, 이 내부에 원료 가스 공급 장치로부터 원료 가스가 도입되는 것에 의해, 가열된 웨이퍼(W)의 표면에서 성막이 진행한다.
CVD법에 의해 Ni(니켈)막을 성막하는 경우의 일례를 들면, 성막 처리는, Ni(II)N, N'-디-터셔리부틸아미디네이트(N'-di-tertiary-butylamidinate)(Ni(II)(tBu-AMD)2, 이하 「Ni(AMD)2」로 기재함)와 같은 Ni 유기 금속 화합물을 암모니아 가스 등의 환원 가스로 환원하여 웨이퍼(W)의 표면에 Ni막을 퇴적시키는 것에 의해 진행한다. 도 1에는, 이들의 원료 가스 중에서, 상온에서 고체의 Ni(AMD)2을 가열하여 기화시키고, 캐리어 가스와 함께 성막 처리부에 공급하는 원료 가스 공급 장치의 구성예를 나타내고 있다.
본 예의 원료 가스 공급 장치는, 원료의 Ni(AMD)2를 수용한 원료 용기(3)와, 이 원료 용기(3)에 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급원(41)을 구비하고 있다.
원료 용기(3)는, 상온에서는 고체의 Ni(AMD)2을 가열하여 액화시킨 액체 원료(300)를 수용한 용기이며, 저항 발열체를 구비한 자켓 형상의 가열부(31)로 덮여져 있다. 원료 용기(3)는, 온도 검출부(34)에서 검출한 원료 용기(3)내의 기상부(vapor phase part)의 온도에 근거하여, 급전부(36)로부터 공급되는 급전량을 증감하는 것에 의해, 원료 용기(3)내의 온도를 조절할 수 있다. 가열부(31)의 설정 온도는, 액체 원료(300)가 액화하고, 또한 Ni(AMD)2가 분해하지 않는 범위의 온도, 예를 들면 150℃로 설정된다.
원료 용기(3)내에 있어서의 액체 원료(300)의 상방측의 기상부에는, 캐리어 가스 유로(410)로부터 원료 용기(3)내에 캐리어 가스를 도입하는 캐리어 가스 노즐(32)과, 원료 용기(3)로부터 원료 가스 공급로(210)를 향하여 원료 가스를 추출하는 추출 노즐(33)이 삽입되어 있다.
캐리어 가스 노즐(32)은, 개폐 밸브(V3), MFC(매스플로우 컨트롤러)(42)가 사이에 마련된 캐리어 가스 유로(410)에 접속되어 있고, 캐리어 가스 유로(410)의 상류측에는 캐리어 가스 공급원(41)이 마련되어 있다. 캐리어 가스는, 예를 들면 Ar(아르곤) 가스 등의 불활성 가스가 이용된다. 캐리어 가스 공급원(41), MFC(42), 캐리어 가스 유로(410)는, 본 예의 캐리어 가스 공급부를 구성하고, MFC(42)는 캐리어 가스 유량 조절부로서의 역할을 한다.
한편, 추출 노즐(33)은 개폐 밸브(V2)가 개설된 원료 가스 공급로(210)에 접속되어 있다. 원료 용기(3)로부터 추출된 원료 가스는, 이 원료 가스 공급로(210)를 거쳐서 성막 처리부에 공급된다. 처리 용기(11)의 내부는, 진공 펌프 등으로 이루어지는 진공 배기부(14)에 의해, 배기 라인(110)을 거쳐서 진공 배기되어, 진공 분위기로 유지되어 있다.
또한 원료 가스 공급로(210)는, 처리 용기(11)의 바로 앞에서 분기하고, 처리 용기(11)를 거치지 않고 진공 배기부(14)에 접속된 분기로인 바이패스 유로(220)와 접속되어 있다. 바이패스 유로(220)에는, MFM(매스플로우 미터)(22)가 개설되어 있고, 원료 용기(3)로부터 유출한 원료 가스(기화한 원료와 캐리어 가스를 포함하고 있음)의 유량을 측정할 수 있다. MFM(22)은, 본 예의 유량 측정부에 상당한다.
MFM(22)은 압력 손실이 큰 경우가 있기 때문에, 성막 처리부에의 원료 가스 공급을 행하는 원료 가스 공급로(210)와는 다른 바이패스 유로(220)에 MFM(22)을 마련하는 것에 의해, 성막시에 성막 처리부에 공급되는 원료 가스의 유량 저하를 억제할 수 있다.
원료 가스 공급로(210)와 바이패스 유로(220)의 사이에서의 유로(210, 220)의 전환은, 각 유로(210, 220)에 개설된 개폐 밸브(V1, V5, V6)의 개폐에 의해 실시된다. 이 관점에 있어서, 이들 개폐 밸브(V1, V5, V6)는, 원료 가스 공급로(210)로부터의 원료 가스의 유출처를 성막 처리부(처리 용기(11))와 바이패스 유로(220)에서 전환하는, 전환부로서의 역할을 하고 있다.
또한 원료 가스 공급로(210)에는, 처리 용기(11)내의 가스 도입부(13)와의 접속부에, 원료 가스와 혼합되는 희석 가스를 공급하는 희석 가스 유로(420)가 합류하고 있다. 희석 가스 유로(420)에는, 개폐 밸브(V4)와 MFC(44)가 개설되고, 그 상류측에는, 희석 가스인 Ar 가스(불활성 가스)를 공급하기 위한 희석 가스 공급원(43)이 마련되어 있다. 희석 가스 공급원(43), MFC(44), 희석 가스 유로(420)는, 본 예의 희석 가스 공급부를 구성하고, MFC(44)는 희석 가스 유량 조절부로서의 역할을 한다.
이상으로 설명한 구성을 구비한 성막 장치(성막 처리부 및 원료 가스 공급 장치)는, 제어부(5)와 접속되어 있다. 제어부(5)는, 예를 들면 도시하지 않은 CPU와 기억부를 구비한 컴퓨터로부터 이루어지고, 기억부에는 성막 장치의 작용, 즉 탑재대(12) 상에 웨이퍼(W)를 탑재하고, 처리 용기(11)내를 진공 배기 후, 원료 가스 공급 장치로부터 원료 가스를 공급하여 성막을 행하고, 이 후에 원료 가스의 공급을 정지하고 나서 웨이퍼(W)를 반출할 때까지의 동작에 관한 제어에 대한 스텝(명령)군이 조합된 프로그램이 기록되어 있다. 이 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되고, 여기에서 컴퓨터에 인스톨된다.
여기서 본 예의 제어부(5)는, 캐리어 가스의 유량 설정값에 대한 Ni(AMD)2의 기화 유량의 대응 관계를 나타내는 기화 유량 테이블(51)을 상술의 기억부 내에 저장하고 있다. 예를 들면 도 2에 도시하는 바와 같이 기화 유량 테이블(51)에는, MFC(42)의 유량 조절 범위(50 ~ 300sccm(0℃, 1기압의 표준 상태 기준))를 20등분하여 얻어지는 21점을 측정점으로 하여, 이들 측정점의 캐리어 가스 유량 설정값에 대응시켜서 기화 유량이 기억되어 있다.
또한, 본 예의 원료 가스 공급 장치는, 원료 용기(3)에 공급하는 캐리어 가스 유량을 일정하게 하여 원료 가스를 발생시켰을 때, 액체 원료(300)의 감소에 따라 Ni(AMD)2의 단위 시간당의 기화량(기화 유량)이 변화되는 현상에 대응하기 위해서, 상기 기화 유량 테이블(51)을 작성, 갱신하는 기능을 구비하고 있다.
기화 유량 테이블(51)의 작성에 있어서, 제어부(5)는 원료 가스 공급로(210)를 흐르는 원료 가스의 유출처를 바이패스 유로(220)로 전환하고, MFM(22)을 이용해서 원료 가스(캐리어 가스 및 기화한 원료를 포함하고 있음)의 총 유량의 유량 측정값(A)을 얻는다. 그리고, 이 유량 측정값(A)과, MFC(42)의 유량 설정값(B)의 차분값 A-B을 산출하는 것에 의해, 원료 가스 중에 포함되는 원료의 유량, 즉 기화 유량을 얻는다. 캐리어 가스의 유량을 순차적으로 변화시켜서 얻어진 각 기화 유량은, 해당 캐리어 가스의 유량 설정값과 대응시켜서 기화 유량 테이블(51)에 기억된다(도 2).
또한 제어부(5)는, 터치 패널 등의 외부와의 인터페이스(52)를 거쳐서 사용자로부터 기화 유량 설정값의 지정을 수신할 수 있다. 그리고, 기화 유량 테이블(51)을 이용하여 상기 기화 유량 설정값으로부터 캐리어 가스 유량 설정값을 산출하고, 이 결과에 근거하여 MFC(42)의 유량 설정을 행한다. 캐리어 가스 유량 설정값의 산출 방법으로서, 지정된 기화 유량 설정값이 기화 유량 테이블(51)의 각 측정점과 일치하고 있는 경우에는, 기화 유량 테이블(51)에 기억되어 있는 캐리어 가스 유량 설정값을 채용하면 좋다.
한편, 지정된 기화 유량 설정값이 기화 유량 테이블(51)의 측정점간의 중간의 값인 경우에는, 이웃하는 측정점간의 대응 관계를 직선 근사하여 캐리어 가스 유량 설정값을 특정하는 수법 등이 생각된다. 예를 들면 기화 유량 설정값으로서 12sccm이 지정된 때에는, 이웃하는 2개의 측정점 9.75, 14.5sccm에 있어서의 캐리어 가스 유량 설정값 62.5, 75sccm으로부터, 62.5+(75-62.5)*{(12-9.75)/(14.5-9.75)} = 68.4sccm이 산출된다.
또한 상술한 바와 같이 원료 용기(3)내의 액체 원료(300)의 상태에 따라서 캐리어 가스 유량 설정값이 변화하므로, 제어부(5)는, 캐리어 가스의 유량의 변화에 따라 희석 가스의 공급량을 조절하는 기능도 구비하고 있다. 즉, 제어부(5)는, 원료 가스중의 캐리어 가스와, 희석 가스의 총 유량이 일정해지도록 희석 가스의 유량을 증감한다.
구체적으로는, 캐리어 가스와 희석 가스의 총 유량(C)으로부터, MFC(42)의 유량 설정값(B)을 뺀 차분값 C-B가 MFC(44)의 유량 설정값(희석 가스 유량 설정값)이 된다.
예를 들면 캐리어 가스와 희석 가스의 총 유량이 200sccm로 설정되어 있을 때, 기화 유량 테이블(51)에 근거해서 상술의 캐리어 가스 유량 설정값 68.4sccm이 산출된 것으로 한다. 이 때 희석 가스 유량 설정값은 200-68.4 = 131.6sccm이 된다.
이하, 도 3, 도 4을 참조하여 본 예의 원료 가스 공급 장치 및 성막 장치의 작용에 대해서 설명한다.
예를 들면, 정지되어 있었던 성막 장치를 가동시키는 타이밍에서(도 3의 스타트), 원료 가스의 공급을 개시하기 전에 기화 유량 테이블(51)의 작성(갱신)을 행한다(동일 도면의 스텝 S101).
기화 유량 테이블(51)의 작성에 있어서는, 도 4에 도시하는 바와 같이 기화 유량 테이블(51) 작성을 위한 캐리어 가스 유량 설정값의 결정을 행한다(스텝 S201). 본 예에서는 MFC(42)의 유량 조정 범위 및 기화 유량 테이블(51)의 사양에 근거하여, 도 2에 도시하는 바와 같이 측정점의 캐리어 가스 유량 설정값이 고정되어 있다. 이 때, 사용자로부터 MFC(42)의 유량 조절 범위나 측정 점수의 설정을 수신하고, 이들의 값을 변경할 수 있게 해도 좋다.
이어서, 원료 가스 공급로(210)의 접속처를 바이패스 유로(220)측으로 전환함과 함께(스텝 S202), 원료 용기(3)측에 있어서는 가열부(31)에 전력을 공급하여 Ni(AMD)2을 용융시켜서, 액체 원료(300)를 준비한다.
원료 용기(3)내가 설정 온도가 되고, 원료 가스를 발생시킬 준비가 되면, 측정 회수의 카운터를 리셋(측정 회수 n=1)하여(스텝 S203), 개폐 밸브(V2, V3)를 열고, 1점째의 캐리어 가스 유량 설정값(도 2의 예에서는 50sccm)으로 MFC(42)에 의해 유량 조절된 캐리어 가스를 원료 용기(3)에 공급한다.
이 상태에서 미리 설정된 시간만큼 대기하고, 원료 용기(3)로부터 유출하는 원료 가스의 유량이 안정되면, 바이패스 유로(220)에 마련된 MFM(22)에서 원료 가스 유량을 측정한다(도 4의 스텝 S204). 이어서. MFM(22)으로부터 얻어진 원료 가스의 유량 측정값(A)으로부터, 캐리어 가스 유량 설정값(B)을 빼고, 원료의 기화 유량 A-B을 산출한다(스텝 S205).
산출한 기화 유량은, 캐리어 가스 유량 설정값과 대응시켜서 기화 유량 테이블(51)에 기억하고(스텝 S206), 카운터를 증가시키고(스텝 S207), 필요한 측정수(본 예에서는 21)와의 비교를 행한다(스텝 S208). 모든 측정점의 측정이 완료되지 않은 경우에는(스텝 S208; NO), 스텝 S204 ~ 207의 동작을 반복하고, 각 측정점에 있어서의 기화 유량을 기화 유량 테이블(51)에 기억한다.
측정이 완료된 경우에는(스텝 S208; YES), 원료 용기(3)에의 캐리어 가스의 공급을 정지하고(개폐 밸브(V2, V3)를 닫고), 원료 가스 공급로(210)의 접속처를 성막 처리부(처리 용기(11))측으로 전환하여(스텝 S209), 기화 유량 테이블(51)의 작성에 관한 동작을 종료한다(엔드).
여기서 원료 가스의 유량의 안정 등을 고려하면, 각 측정점의 기화 유량 취득 동작(스텝 S204 ~ 206)에는, 수 분정도 걸리는 경우가 있다. 여기서 이러한 시간이 없을 경우에 대비하여, 인터페이스(52)를 거쳐서 사용자로부터 기화 유량 테이블(51)의 작성 동작의 중지 명령을 수신하는, 어보트(abort) 기능을 마련해도 좋다. 이 경우에는, 캐리어 가스 유량 설정값의 산출에 있어서, 이전 회에 작성한 기화 유량 테이블(51)이 이용된다.
또한, 21개의 측정점 중, 미리 설정한 일부의 측정점의 기화 유량을 산출한 단계에서, 이들의 기화 유량이 이전 회에 작성한 기화 유량 테이블(51)의 동일한 캐리어 가스 유량 설정값에 대응하는 기화 유량에 대하여 허용차 범위(예를 들면 3% 이내)에 있을 때에는, 자동적으로 기화 유량 테이블(51)의 갱신을 스킵해도 좋다. 또한, 이전 회에 작성한 기화 유량 테이블(51)을 이용한다고 해도, 기화 유량의 변화가 작은 것을 사용자에게 통지하여 어보트 기능의 활용을 촉진해도 좋다.
이상으로 설명한 동작에 의해, 기화 유량 테이블(51)을 작성하면, 사용자로부터 기화 유량 설정값의 지정을 수신하고(도 3의 스텝 S102), 기화 유량 테이블(51)을 이용해서 캐리어 가스 유량 설정값을 산출한다(스텝 S103). 또한, 이에 맞춰서 희석 가스 유량 설정값의 산출도 행한다(스텝 S104).
한편, 성막 처리부에 있어서는 탑재대(12) 상에 웨이퍼(W)를 탑재하고, 처리 용기(11)내를 진공 배기하여 웨이퍼(W)의 가열을 행한다. 이렇게 해서 성막을 행할 준비가 되면, 원료 용기(3)의 개폐 밸브(V2, V3)를 열고, 스텝 S103에서 산출한 캐리어 가스 유량 설정값에 근거하여 유량 조절된 캐리어 가스를 원료 용기(3)에 공급하고, 원료 가스를 발생시켜서 성막 처리부에 공급한다(스텝 S105). 또한, 희석 가스 유로(420)의 개폐 밸브(V4)를 열고, 스텝 S104에서 산출한 희석 가스 유량 설정값에 근거하여 MFC(44)에 의해 유량 조절된 희석 가스를 원료 가스에 혼합한다(마찬가지로 스텝 S105). 이상에서 설명한 동작에 근거하여, 기화 유량 테이블(51)의 작성이나 캐리어 가스, 희석 가스의 유량 설정값의 설정을 행하고, 성막 처리부에 있어서의 성막 처리의 진행에 따라 원료 가스나 희석 가스의 공급 중단을 행한다(엔드).
성막 처리부에서는, 원료 가스 공급 장치에 의한 원료 가스(Ni(AMD)2)의 공급과 병행하여, 도시하지 않은 암모니아 가스의 공급 라인으로부터 성막 처리부에 소정량의 암모니아 가스가 공급된다. 이 결과, 처리 용기(11) 내로 Ni(AMD)2의 환원 반응이 진행하고, 웨이퍼(W)의 표면에 Ni막이 성막된다.
이 후, 소정 시간 성막을 행하면 원료 가스 및 암모니아 가스의 공급을 정지하고, 처리 용기(11)로부터 웨이퍼(W)를 반출하고, 다음 웨이퍼(W)의 반입을 기다린다.
본 실시형태에 따른 원료 가스 공급 장치에 의하면 이하의 효과가 있다. 성막 처리부에의 원료 가스의 공급 개시 전에, 원료 가스 중에 포함되는 원료(Ni(AMD)2)의 기화 유량과, 캐리어 가스의 유량을 대응시키는 기화 유량 테이블(51)을 작성한다. 그리고 사용자로부터 기화 유량, 즉 원료의 실공급량의 설정을 직접 수신하여 캐리어 가스의 유량 설정값을 결정하므로, 캐리어 가스의 공급량에 대한 기화 유량이 변화되어도, 간편하게 소망하는 양의 원료를 성막 처리부에 공급할 수 있다.
예를 들면, 제어부(5)는, 원료 가스의 총 유량(A)과 MFC(42)의 유량 설정값(B)의 차분값 A-B로 하여 원료의 기화 유량을 파악하고 있으므로, 이 차분값과 미리 설정한 원료의 기화 유량의 목표값을 비교하고, 차분값이 목표값과 일치하도록 캐리어 가스의 유량 설정값을 증감하는 제어 수법도 생각된다. 그러나, 원료 용기(3)가 크다는 등의 이유에 의해, 캐리어 가스의 유량 설정값을 변경하고 나서, 원료의 기화 유량이 안정될 때까지의 응답 시간이 긴 경우에는, 신속한 기화 유량 조절을 행할 수 없고, 헌팅(hunting)이 발생해 버릴 우려가 있다. 이 점에서, 미리 작성해 둔 기화 유량 테이블(51)에 근거하여 캐리어 가스의 유량을 설정하고, 필요에 따라서 이 기화 유량 테이블(51)을 갱신하는 것에 의해, 신속, 또한 안정적인 제어를 행할 수 있다.
여기서 상술의 실시형태에 있어서는, 성막 장치의 가동 개시시 등의 원료 가스의 공급을 개시하기 전의 타이밍에서 기화 유량 테이블(51)을 작성하는 예를 나타냈지만, 기화 유량 테이블(51)의 작성은, 성막 장치가 가동하고 있을 때에 행해도 좋다. 예를 들면, 소정의 시간 간격마다, 소정의 수의 로트를 처리할 때마다, 또는 소정 매수의 웨이퍼(W)를 성막할 때마다 원료 가스의 유출처를 바이패스 유로(220)로 전환하고, 기화 유량 테이블(51)에 근거하여 산출된 원료 가스의 유량(캐리어 가스 유량 및 원료의 기화 유량의 총 유량)과 MFM(22)에 있어서의 실제의 원료 가스의 유량 측정값과의 비교를 행해도 좋다. 그리고 이들의 유량의 차분값이, 미리 설정된 임계값을 넘고 있는 경우에는, 새로운 기화 유량 테이블(51)의 작성을 촉진하도록, 사용자에의 통지를 행해도 좋다.
또한, 원료 가스의 유량 측정을 행하는 MFM(22)의 압력 손실 등의 영향이 작은 경우에는, 바이패스 유로(220)를 이용하지 않고 원료 가스 공급로(210) 상에 MFM(22)을 마련하여 성막 장치의 구성을 간소화해도 좋다. 또한 이 경우는, 상술의 기화 유량 테이블(51)에 근거하여 산출한 캐리어 가스 유량 설정값의 근거가 되는 기화 유량 설정값과, MFM(22)에 의한 유량 측정값과 캐리어 가스 유량 설정값으로부터 구한 실제의 원료 가스 유량의 차분값을 실시간으로 감시하는 것도 가능해진다. 여기서, 이 차분값이 미리 설정한 임계값을 넘으면, 성막 처리부에서 성막을 행하지 않고 있는 타이밍에 기화 유량 테이블(51)의 갱신을 행하면 좋다.
그리고, 사용자로부터 수신하는 유량의 지정은, 표준 상태의 환산 유량(예를 들면 sccm)으로 설정하는 경우에 한하지 않고, 질량 유량(예를 들면 g/min)의 지정을 수신해도 좋다. 이 경우는, 사용자로부터 수신한 질량 유량의 설정값을 기화 유량으로 환산하여 기화 유량 테이블(51)로부터 캐리어 가스 유량 설정값을 특정해도 좋고, 기화 유량의 단위를 질량 유량으로 한 기화 유량 테이블(51)을 작성해도 좋다.
또한, 원료 용기(3)내에 수용되어 있는 원료는 액체 원료(300)에 한정되지 않고, 고체 원료를 직접 기화(승화)시켜서 원료 가스를 발생시켜도 좋다. 또한 성막 처리부의 구성에 대해서도, 탑재대(12)에 1매씩 웨이퍼(W)를 탑재하여 성막 처리를 행하는 매엽식의 경우 외에, 복수매의 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 보트에 웨이퍼(W)를 유지하여 성막을 행하는 뱃치(batch)식의 성막 처리부에의 원료 가스의 공급에, 본 발명의 원료 가스 공급 장치를 적용해도 좋다.
또한, 성막의 수법에 대해서도, 도 1에 나타낸 성막 처리부의 예에 나타낸 열 CVD법 외에, 원료 가스와 반응 가스를 플라즈마의 존재 하에서 활성화하여 반응시켜서 연속적인 성막을 행하는 플라즈마 CVD법 등의 각종 CVD법이나, 원료 가스를 흡착시킨 웨이퍼(W)의 표면에서 반응 가스와의 반응을 시켜서 반응 생성물을 퇴적시키는 ALD법 등에 있어서의 원료 가스의 공급에도 본 발명을 적용할 수 있다.
이에 더하여, 본 발명의 원료 가스 공급 장치를 이용하여 공급 가능한 원료 가스는, 상술의 Ni 이외에, 예를 들면 주기표의 제 3 주기의 원소인 Al, Si 등, 주기표의 제 4 주기의 원소인 Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Zn, Ge 등, 주기표의 제 5 주기의 원소인 Zr, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag 등, 주기표의 제 6 주기의 원소인 Ba, Hf, Ta, W, Re, Lr, Pt 등의 원소를 포함하는 원료 가스라도 좋다. 또한, 복수의 원료 가스 공급 장치를 마련하고, 성막 처리부에 대하여 2종류 이상의 원료 가스를 공급하여 합금이나 복합 금속 산화물 등의 성막에 적용해도 좋다.
이들의 원료 가스는 유기 금속 화합물이나 무기 금속 화합물 등을 이용하는 경우를 들 수 있다. 원료 가스와 반응시키는 반응 가스는, O2, O3, H2O 등을 이용한 산화 반응, NH3, H2, HCOOH, CH3COOH 등의 유기산, CH3OH, C2H5OH 등의 알코올류 등을 이용한 환원 반응, CH4, C2H6, C2H4, C2H2 등을 이용한 탄화 반응, NH3, NH2NH2, N2 등을 이용한 질화 반응 등의 다양한 종류의 반응을 이용할 수 있다.
W 웨이퍼
11 처리 용기
22 MFM(매스플로우 미터)
210 원료 가스 공급로
220 바이패스 유로
3 원료 용기
300 액체 원료
41 캐리어 가스 공급원
42 MFC(매스플로우 컨트롤러)
43 희석 가스 공급원
44 MFC
410 캐리어 가스 유로
420 희석 가스 유로
5 제어부
51 기화 유량 테이블
52 인터페이스

Claims (6)

  1. 기판에 대한 성막을 행하는 성막 처리부에 원료를 공급하는 원료 가스 공급 장치에 있어서,
    고체 또는 액체의 원료를 수용한 원료 용기와,
    캐리어 가스 유량 설정값에 근거하여 캐리어 가스의 유량을 조절하는 캐리어 가스 유량 조절부가 마련되어, 상기 원료 용기에 캐리어 가스를 공급하기 위한 캐리어 가스 공급부와,
    상기 원료 용기로부터 유출하여, 기화한 원료를 포함하는 원료 가스의 유량 측정값을 출력하기 위한 유량 측정부와,
    상기 원료 용기로부터, 상기 성막 처리부에 원료 가스를 공급하기 위한 원료 가스 공급로와,
    원료 가스 공급로로부터 분기함과 함께 상기 유량 측정부가 마련되고, 상기 성막 처리부를 거치지 않고 외부에 원료 가스를 배출하는 분기로와,
    상기 성막 처리부와 분기로의 사이에서 상기 원료 가스 공급로로부터의 원료 가스의 유출처를 전환하는 전환부와,
    기판에의 성막을 행하지 않고, 상기 원료 용기에 캐리어 가스의 유량을 변화시켜서 공급하고, 상기 유량 측정부의 유량 측정값과 상기 캐리어 가스 유량 설정값의 차분값으로부터 구한 상기 원료 가스 중에 포함되는 원료의 기화 유량을 구하고, 해당 기화 유량과 캐리어 가스 유량 설정값을 대응시킨 기화 유량 테이블을 기억부에 기억하는 제 1 스텝과, 상기 기화 유량 테이블을 이용하여, 지정된 기화 유량 설정값에 대응하는 캐리어 가스 유량 설정값을 구하는 제 2 스텝과, 상기 구해진 캐리어 가스 유량 설정값에 근거하여 상기 원료 용기에 캐리어 가스를 공급하여 원료 가스를 발생시키고, 성막 처리부에 공급하는 제 3 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 캐리어 가스의 유량에 대응하는 기화 유량을 구하는 상기 제 1 스텝에 있어서는, 상기 분기로에 원료 가스를 흘리도록 상기 전환부에 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 원료 가스 공급 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    희석 가스 유량 설정값에 근거하여 희석 가스의 유량을 조절하는 희석 가스 유량 조절부가 마련되어, 상기 성막 처리부에 희석 가스를 공급하기 위한 희석 가스 공급부를 구비하고,
    상기 제어부는, 미리 설정된 캐리어 가스와 희석 가스의 총 유량으로부터, 상기 성막 처리부에 원료 가스를 공급할 때의 캐리어 가스 유량 설정값을 빼서 구한 희석 가스 유량 설정값에 근거하여, 상기 성막 처리부에 희석 가스를 공급하는 제 4 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 원료 가스 공급 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 원료 용기에 공급하는 캐리어 가스의 유량을 변화시켜서, 대응하는 기화 유량을 구하고, 상기 기화 유량 테이블에 기억하는 상기 제 1 스텝은, 상기 성막 처리부에의 원료 가스의 공급 전에 행하는 것을 특징으로 하는 원료 가스 공급 장치.
  5. 청구항 1에 기재된 원료 가스 공급 장치와,
    이 원료 가스 공급 장치의 하류측에 마련되어, 해당 원료 가스 공급 장치로부터 공급된 원료 가스를 이용하여 기판에 성막 처리를 행하는 성막 처리부를 구비한
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  6. 기판에 대한 성막을 행하는 성막 처리부에 원료를 공급하는 원료 가스 공급 방법에 있어서,
    고체 또는 액체의 원료를 수용한 원료 용기에, 미리 설정된 캐리어 가스 유량 설정값에 근거하여 유량 조절된 캐리어 가스를, 상기 유량 설정값을 변화시키면서 공급하고, 기화한 원료를 포함하는 원료 가스를 발생시키고, 기판에의 성막을 행하지 않고 해당 원료 가스가 상기 성막 처리부를 우회하도록 한 상태에서 해당 원료 가스의 유량을 측정하는 공정과,
    이어서, 상기 원료 가스의 유량 측정값과 상기 캐리어 가스 유량 설정값의 차분값으로부터 구한 원료 가스 중에 포함되는 원료의 기화 유량과, 해당 캐리어 가스 유량 설정값을 대응시켜서 기화 유량 테이블로서 기억부에 기억하는 공정과,
    이어서, 상기 기화 유량 테이블을 이용하여, 지정된 기화 유량 설정값에 대응하는 캐리어 가스 유량 설정값을 구하는 공정과,
    이어서, 상기 구해진 캐리어 가스 유량 설정값에 근거하여 상기 원료 용기에 캐리어 가스를 공급하여 원료 가스를 발생시키고, 상기 성막 처리부에 공급하는 공정을 포함하는
    것을 특징으로 하는 원료 가스 공급 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2526539B (en) * 2014-05-23 2016-11-02 Penlon Ltd Vaporizer
KR101642021B1 (ko) * 2014-08-22 2016-07-22 주식회사 테라텍 진공시스템에서의 액체증기 정량 공급장치 및 이를 이용하는 방법
JP6444698B2 (ja) * 2014-11-17 2018-12-26 東芝メモリ株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6477075B2 (ja) * 2015-03-17 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置及び成膜装置
JP6693106B2 (ja) * 2015-03-27 2020-05-13 東京エレクトロン株式会社 原料供給装置、原料供給方法及び記憶媒体
JP6627474B2 (ja) * 2015-09-30 2020-01-08 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体
US10256101B2 (en) 2015-09-30 2019-04-09 Tokyo Electron Limited Raw material gas supply apparatus, raw material gas supply method and storage medium
JP6565645B2 (ja) * 2015-12-02 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体
JP6573559B2 (ja) * 2016-03-03 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置
JP6914063B2 (ja) * 2017-03-10 2021-08-04 株式会社堀場エステック ガス制御システム、該ガス制御システムを備えた成膜装置、該ガス制御システムに用いるプログラム及びガス制御方法。
DE102017126126A1 (de) * 2017-11-08 2019-05-09 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes durch die Verwendung von in einem Regelmodus gewonnenen Steuerdaten
JP7027151B2 (ja) 2017-12-13 2022-03-01 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、ガス制御システム、成膜装置、濃度制御方法、及び濃度制御装置用プログラム
JP7094172B2 (ja) * 2018-07-20 2022-07-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、原料供給装置及び成膜方法
JP7182988B2 (ja) 2018-10-12 2022-12-05 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、成膜装置及び原料ガス供給方法
JP7281285B2 (ja) 2019-01-28 2023-05-25 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006052424A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
WO2006100862A1 (ja) * 2005-03-22 2006-09-28 Tokyo Electron Limited 基板処理方法および記録媒体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4341107A (en) * 1980-10-14 1982-07-27 Tylan Corporation Calibratable system for measuring fluid flow
US5575854A (en) * 1993-12-30 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Semiconductor treatment apparatus
JPH10144683A (ja) * 1996-10-25 1998-05-29 Applied Materials Inc Ｆｓｇ膜のギャップ充填能及び膜安定性向上のための装置及び方法
US5858464A (en) * 1997-02-13 1999-01-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for minimizing excess aluminum accumulation in CVD chambers
US6035803A (en) * 1997-09-29 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling the deposition of a fluorinated carbon film
JP3973605B2 (ja) * 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
US8435351B2 (en) * 2004-11-29 2013-05-07 Tokyo Electron Limited Method and system for measuring a flow rate in a solid precursor delivery system
US20080141937A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling a vapor delivery system
JP5103983B2 (ja) * 2007-03-28 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 ガス供給方法、ガス供給装置、半導体製造装置及び記憶媒体
DE102011051931A1 (de) * 2011-07-19 2013-01-24 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen des Dampfdrucks eines in einem Trägergasstrom verdampften Ausgangsstoffes

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006052424A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
WO2006100862A1 (ja) * 2005-03-22 2006-09-28 Tokyo Electron Limited 基板処理方法および記録媒体

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