KR101815935B1 - 고 내열성 면상 발열체 조성물 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 30
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 18
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- -1 silane compound Chemical class 0.000 claims description 15
- NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenyl]-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical group FC(F)(F)C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C(F)(F)F NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3-isocyanatopropyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C=O FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 4
- ZBBJLVPSARRDGH-UHFFFAOYSA-N 4-(silyloxymethyl)aniline Chemical compound NC1=CC=C(C=C1)CO[SiH3] ZBBJLVPSARRDGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 abstract 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- HDGLPTVARHLGMV-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl)phenol Chemical compound NC1=CC(C(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=CC=C1O HDGLPTVARHLGMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960002089 ferrous chloride Drugs 0.000 description 2
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHRKBGDIJSRWIP-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-2,3-bis(trifluoromethyl)aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(C(F)(F)F)=C1C(F)(F)F DHRKBGDIJSRWIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPZRPCNEISCANI-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C(F)(F)F JPZRPCNEISCANI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/146—Conductive polymers, e.g. polyethylene, thermoplastics
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/148—Silicon, e.g. silicon carbide, magnesium silicide, heating transistors or diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
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Abstract
본 발명은 고 내열성 면상 발열체 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스테인리스강으로 이루어지는 기재층 및 상기 기재층의 상부면 및 하부면에 형성되며, 실란 변성 폴리이미드로 이루어진 내열층으로 이루어지며, 스테인리스강의 표면을 염화철 용액으로 에칭하는 에칭단계, 상기 에칭단계를 통해 표면이 에칭된 스테인리스강의 상부면 및 하부면에 실란 변성 폴리이미드로 이루어진 내열성 코팅액을 도포하는 코팅액도포단계, 상기 코팅액도포단계를 통해 도포된 내열성 코팅액을 건조하는 건조단계 및 상기 건조단계를 통해 형성된 내열층을 가열하여 경화시키는 경화단계를 통해 제조된다.
상기의 과정을 통해 제조되는 고 내열성 면상 발열체 조성물은 고온에서도 우수한 내열성능을 나타내며, 침구류, 난방장치 및 레저용품 등에 폭넓게 사용이 가능하다.
상기의 과정을 통해 제조되는 고 내열성 면상 발열체 조성물은 고온에서도 우수한 내열성능을 나타내며, 침구류, 난방장치 및 레저용품 등에 폭넓게 사용이 가능하다.
Description
본 발명은 고 내열성 면상 발열체 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고온에서도 우수한 내열성능을 나타내기 때문에, 침구류, 난방장치 및 레저용품 등에 폭넓게 사용할 수 있는 고 내열성 면상 발열체 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발열체의 소재로는 금속발열체, 비금속 발열체, 기타발열체로 나눌 수 있다. 최근에는 우수한 내열성, 열전도도 및 내구성을 지니면서 열팽창계수가 낮은 카본계 발열체가 주로 사용되고 있다.
하지만, 금속 및 카본발열체의 경우 균일한 열전도성을 지니지 못한다는 단점을 지니고 있으며 이를 해결하기 위하여 최근 고분자 내에 전도성 필러를 분산시킨 전도성 고분자 발열소재에 대한 연구가 진행된 바 있으나, 금속 분말을 분산시킨 경우 산화막의 형성으로 인한 발열체의 전기전도도 및 발열 효율의 감소가 발생할 수 있다는 단점이 있다.
일본 특허등록 H05-023667호에는 한 쪽의 면에 열융착성 폴리이미드 표면층을 갖는 다층 폴리이미드 필름으로 이루어진 베이스부재 및 베이스부재의 열융착성 폴리이미드 표면층에 형성된 발열체 회로를 포함하는 플렉서블 히터에 관한 내용이 기재되어 있으나, 상기의 선행기술은 단순히 폴리이미드 만으로 표면층을 형성하기 때문에, 300℃의 고온에서 물성이 유지되지 못하는 문제점이 있었다.
또한, 탄소계 면상발열체의 경우 저출력, 박막저온영역대의 신 개발품으로 주목받고 있으며 이외에도 카본사 수천가닥을 섬유와 함께 사출 성형하는 방법도 이용되고 있는데, 폭넓은 온도영역에서 적용될 수 있으며 가열온도를 고정밀도로 제어하여 높은 효율을 얻을 수 있다는 장점을 지니고 있으나 열선과 비교하여 가격경쟁력이 부족하며 고온에서 물성이 유지되지 못하는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 고온에서도 우수한 내열성능을 나타내기 때문에, 침구류, 난방장치 및 레저용품 등에 폭넓게 사용할 수 있는 고 내열성 면상 발열체 조성물 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 스테인리스강으로 이루어지는 기재층 및 상기 기재층의 상부면 및 하부면에 형성되며, 실란 변성 폴리이미드로 이루어진 내열층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고 내열성 면상 발열체 조성물을 제공함에 의해 달성된다.
본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 상기 기재층은 0.01 내지 1 밀리미터의 두께로 형성되는 것으로 한다.
본 발명의 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 내열층은 15 내지 100 마이크로미터의 두께로 형성되는 것으로 한다.
본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 상기 실란 변성 폴리이미드는 실란화합물 1 내지 50 중량% 및 폴리아믹산 50 내지 99 중량%가 반응하여 제조되는 것으로 한다.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 실란화합물은 p-aminophenylmethoxysilane, trimethoxyphenysilane, tetramethylorthosilicate, tetraethylorthosilicate 및 나노 실리카로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상으로 이루어지는 것으로 한다.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 폴리아믹산은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-다이아미노비페닐 (TFMB, 0.128mol)과 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판(BisApAf, 0.007mol)을 무수 DMAc 334g에 녹이고, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(BPDA, 0.136mol)을 첨가하여 45℃에서 2시간 교반한 후, 40℃에서 24시간 교반하되, 반응은 무수 조건 하에서 진행하여 제조된 BPDA-TFMB-BisApAf 용액을 50℃로 가열하고, BisApAf의 수산화기와 같은 당량인 이소시아네이토프로필트리에톡시실란(ICTEOS) 1.683g을 첨가하고 2시간 동안 교반하여 제조되는 것으로 한다.
또한, 본 발명의 목적은 스테인리스강의 표면을 염화철 용액으로 에칭하는 에칭단계, 상기 에칭단계를 통해 표면이 에칭된 스테인리스강의 상부면 및 하부면에 실란 변성 폴리이미드로 이루어진 내열성 코팅액을 도포하는 코팅액도포단계, 상기 코팅액도포단계를 통해 도포된 내열성 코팅액을 건조하는 건조단계 및 상기 건조단계를 통해 형성된 내열층을 가열하여 경화시키는 경화단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고 내열성 면상 발열체 조성물의 제조방법을 제공함에 의해서도 달성될 수 있다.
본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 상기 실란 변성 폴리이미드는 실란화합물, 폴리아믹산 및 염산을 교반하여 제조되는 것으로 한다.
본 발명의 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 건조단계는 80 내지 120℃의 온도로 20 내지 30시간 동안 이루어지는 것으로 한다.
본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 상기 경화단계는 150 내지 250℃의 온도로 30 내지 90분 동안 이루어지는 것으로 한다.
본 발명에 따른 고 내열성 면상 발열체 조성물 및 그 제조방법은 고온에서도 우수한 내열성능을 나타내기 때문에, 침구류, 난방장치 및 레저용품 등에 폭넓게 사용할 수 있는 고 내열성 면상 발열체 조성물을 제공하는 탁월한 효과를 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 고 내열성 면상 발열체 조성물을 나타낸 사이도이다.
도 2는 본 발명에 따른 고 내열성 면상 발열체 조성물의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 고 내열성 면상 발열체 조성물의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
이하에는, 본 발명의 바람직한 실시예와 각 성분의 물성을 상세하게 설명하되, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
본 발명에 따른 고 내열성 면상 발열체 조성물은 스테인리스강으로 이루어지는 기재층(10) 및 상기 기재층(10)의 상부면 및 하부면에 형성되며, 실란 변성 폴리이미드로 이루어진 내열층(20)으로 이루어진다.
상기 기재층(10)은 본 발명에 따른 고 내열성 면상 발열체 조성물의 기재가 되는 층으로, 0.01 내지 1 밀리미터의 두께의 스테인리스강(SUS, stainless steel)으로 이루어지는데, 상기 기재층(10)의 두께가 0.01 밀리미터 미만이면 고 내열성 면상 발열체 조성물의 내열성이 저하될 뿐만 아니라, 기계적 물성이 저하되어 외력에 의해 면상 발열체가 쉽게 변형될 수 있으며, 상기 기재층(10)의 두께가 1 밀리미터를 초과하게 되면 고 내열성 면상 발열체 조성물의 발열성능은 크게 향상되지 않으면서 제조비용과 중량을 증가시키기 때문에 바람직하지 못하다.
상기 내열층(20)은 상기 기재층(10)의 상부면 및 하부면에 형성되며, 실란 변성 폴리이미드로 이루어지는데, 상기 기재층(10)의 상부면 및 하부면에 15 내지 100 마이크로미터의 두께로 형성되며, 상기 실란 변성 폴리이미드는 실란화합물 1 내지 50 중량% 및 폴리아믹산 50 내지 99 중량%로 이루어진다.
상기와 같이 실란화합물과 폴리아믹산이 반응하여 제조된 실란 변성 폴리이미드는 300℃의 고온에서도 물성의 변화가 없이 유지되는데, 일반적으로 전자제품의 경우, 장시간 이용되기 때문에 일정한 고열이나 압력, 그리고 습도가 높은 대기중에 노출되도 물성이 감소되거나 변하지 않아야 한다.
또한, 산소나 수분 등의 가스가 투과되면 회로의 파손 및 오작동의 원인이 되며 수명을 단축시킬 수 있기 때문에, 고분자 소재가 전자제품에 응용되기 위해서는 까다로운 기준을 통과해야만 한다.
일반적으로, 전자제품으로 사용 가능한 고분자 재료의 응용 가능 목표치는 사용가능 온도가 300℃이상, 열팽창계수(CTE)가 20ppm/℃이하, 인장강도(Mpa)가 0.5 이상, 열내구성이 12시간 이상 및 과전압이 1시간 이상을 만족해야한다.
이때, 상기 실란화합물은 p-aminophenylmethoxysilane, trimethoxyphenysilane, tetramethylorthosilicate, tetraethylorthosilicate 및 나노 실리카로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상으로 이루어진다.
또한, 상기 폴리아믹산의 제조방법은 이에 한정되는 것은 아니지만, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-다이아미노비페닐 (TFMB, 0.128mol)과 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판(BisApAf, 0.007mol)을 무수 DMAc 334g에 녹이고, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(BPDA, 0.136mol)을 첨가하여 45℃에서 2시간 교반한 후, 40℃에서 24시간 교반하였다. 다이아민의 몰(mol) 비율은 TFMB: BisApAf = 95:5로 조절하였으며, 반응은 무수 조건 하에서 진행하였다. 결과로 제조된 BPDA-TFMB-BisApAf 용액을 50℃로 가열하고, BisApAf의 수산화기와 같은 당량인 이소시아네이토프로필트리에톡시실란(ICTEOS) 1.683g을 첨가하여 2시간 동안 교반하는 과정을 통해 이루어지는 것이 바람직하다.
상기의 과정을 통해 제조된 폴리아믹산을 55 내지 65℃로 가열한 상태에서 실란화합물과 염산을 혼합하고 3 내지 5시간 동안 교반하게 되면 실란 변성 폴리이미드가 제조되는데, 더욱 바람직하게는 상기의 과정을 통해 제조된 폴리아믹산에 테트라에틸오르쏘실리케이트(TEOS) 13.045g과 0.1N HCl 8.342g을 넣어 4시간 동안 교반하는 과정으로 이루어진다.
상기의 과정을 통해 제조된 실란 변성 폴리이미드는 산화규소(SiO2)의 함량이 전체 고형분 중 약 5 중량%를 나타낸다.
또한, 상기 내열층(20)의 두께가 15 마이크로미터 미만이면 본 발명에 따른 고 내열성 면상 발열체 조성물의 내열성이 저하되며, 상기 내열층(20)의 두께가 100 마이크로미터를 초과하게 되면 본 발명에 따른 고 내열성 면상 발열체 조성물의 내열성능은 크게 향상되지 않으면서 제품의 중량, 부피 및 제조비용을 증가시켜 바람직하지 못하다.
또한, 상기 기재층(10)의 상부면 및 하부면에 상기 내열층(20)을 코팅하는 과정은 상기의 기재층(10)의 상부면 및 하부면에 내열층(20)을 15 내지 100 마이크로미터의 두께로 균일하게 도포할 수 있는 방법이면 특별히 한정되지 않고 어떠한 코팅방법이든 사용가능하나, 스핀코팅방법을 이용하는 것이 가장 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 고 내열성 면상 발열체 조성물의 제조방법은 스테인리스강의 표면을 염화철 용액으로 에칭하는 에칭단계(S101), 상기 에칭단계(S101)를 통해 표면이 에칭된 스테인리스강의 상부면 및 하부면에 실란 변성 폴리이미드로 이루어진 내열성 코팅액을 도포하는 코팅액도포단계(S103), 상기 코팅액도포단계(S103)를 통해 도포된 내열성 코팅액을 건조하는 건조단계(S105) 및 상기 건조단계(S105)를 통해 형성된 내열층(20)을 가열하여 경화시키는 경화단계(S107)로 이루어진다.
상기 에칭단계(S101)는 스테인리스강의 표면을 염화철 용액으로 에칭하는 단계로, 스테인리스 강의 표면을 염화제1철로 에칭하여 이루어지는데, 염화제1철로 에칭된 스테인리스 강의 표면은 이물질이 제거될 뿐만 아니라, 표면 거칠기가 증가하여 상기 코팅액도포단계(S103)를 통해 도포되는 내열성 코팅액이 견고하게 고착될 수 있다.
상기 코팅액도포단계(S103)는 상기 에칭단계(S101)를 통해 표면이 에칭된 스테인리스강의 상부면 및 하부면에 실란 변성 폴리이미드로 이루어진 내열성 코팅액을 도포하는 단계로, 스핀코팅기를 이용하여 상기 에칭단계(S101)를 통해 표면이 에칭된 스테인리스강의 상부면 및 하부면에 실란 변성 폴리이미드로 이루어진 내열성 코팅액을 15 내지 100 마이크로미터의 두께로 도포하는 단계다.
이때, 상기 내열성 코팅액은 실란 변성 폴리이미드는로 이루어지는데, 상기 실란 변성 폴리이미드는 실란화합물, 폴리아믹산 및 염산 혼합하고 교반하여 제조되는데, 상기 실란 변성 폴리이미드의 제조과정의 상세한 설명은 상기 고 내열성 면상 발열체 조성물에 기재된 내용과 동일하므로, 이에 대한 내용은 생략하기로 한다.
상기 건조단계(S105)는 상기 코팅액도포단계(S103)를 통해 도포된 내열성 코팅액을 건조하는 단계로, 상기 코팅액도포단계(S103)를 통해 도포된 내열성 코팅액을 80 내지 120℃의 온도로 20 내지 30시간 동안 건조시키는 과정으로 이루어진다.
상기의 건조과정을 통해 상기 내열성 코팅액에 잔존하던 염산 성분은 휘발되며, 염산이 휘발되고 남은 실란 변성 폴리이미드는 건조되어 상기 기재층(10)의 표면에 내열층(20)으로 견고하게 고착된다.
상기 경화단계(S107)는 상기 건조단계(S105)를 통해 형성된 내열층(20)을 가열하여 경화시키는 단계로, 상기 건조단계(S105)를 통해 형성된 내열층(20)을 150 내지 250℃의 온도로 30 내지 90분 동안 가열하여 이루어지는데, 상기의 경화단계(S107)를 거치면 상기 건조단계(S105)를 통해 형성된 내열층(20)이 경화되어 고내열성을 나타낼 뿐만 아니라, 기계적 물성이 우수한 내열층(20)으로 형성된다.
이하에서는, 본 발명에 따른 고 내열성 면상 발열체 조성물의 제조방법 및 그 제조방법을 통해 제조된 고 내열성 면상 발열체 조성물의 물성을 실시예를 들어 설명하기로 한다.
<실시예 1>
2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-다이아미노비페닐 (TFMB, 0.128mol)과 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판(BisApAf, 0.007mol)을 무수 DMAc 334g에 녹이고, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(BPDA, 0.136mol)을 첨가하여 45℃에서 2시간 교반한 후, 40℃에서 24시간 교반하되, 다이아민의 몰(mol) 비율은 TFMB: BisApAf = 95:5로 조절하였으며, 반응은 무수 조건 하에서 진행하여 제조된 BPDA-TFMB-BisApAf 용액을 50℃로 가열하고, BisApAf의 수산화기와 같은 당량인 이소시아네이토프로필트리에톡시실란(ICTEOS) 1.683g을 첨가하고 2시간 동안 교반하여 제조된 폴리아믹산 용액을 60℃로 가열한 후, 테트라에틸오르쏘실리케이트(TEOS) 13.045g과 0.1N HCl 8.342g을 넣어 4시간 동안 교반하여 실란 변성 폴리이미드(SiO2의 총 함량은 전체 고형분의 5 중량%로 조절)를 제조하고, 제조된 실란 변성 폴리이미드 용액을 염화 제1철용액으로 에칭된 스텐인리스(stainless steel ; 200mm×200mm)의 표면에 두께 20um 이하로 스핀코팅한 후에 100℃의 온도에서 24시간 동안 건조시키고 250℃의 온도에서 1시간 동안 경화시켜 고 내열성 면상 발열체 조성물을 제조하였다.
<실시예 2>
실시예 1과 동일하게 진행하되, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-다이아미노비페닐 (TFMB, 0.48mol)과 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판(BisApAf, 0.003mol)을 무수 DMAc 97g에 녹이고, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(BPDA, 0.051mol)을 첨가하여 45℃에서 2시간 교반한 후, 40℃에서 24시간 교반하되, 다이아민의 몰(mol) 비율은 TFMB: BisApAf = 95:5로 조절하였으며, 반응은 무수 조건 하에서 진행하여 제조된 BPDA-TFMB-BisApAf 용액을 50℃로 가열하고, BisApAf의 수산화기와 같은 당량인 이소시아네이토프로필트리에톡시실란(ICTEOS) 1.683g을 첨가하고 2시간 동안 교반하여 제조된 폴리아믹산 용액을 사용하여 고 내열성 면상 발열체 조성물을 제조하였다.
<실시예 3>
실시예 1과 동일하게 진행하되, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-다이아미노비페닐 (TFMB, 0.037mol)과 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판(BisApAf, 0.002mol)을 무수 DMAc 102g에 녹이고, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(BPDA, 0.027mol)을 첨가하여 45℃에서 2시간 교반한 후, 40℃에서 24시간 교반하되, 다이아민의 몰(mol) 비율은 TFMB: BisApAf = 95:5로 조절하였으며, 반응은 무수 조건 하에서 진행하여 제조된 BPDA-TFMB-BisApAf 용액을 50℃로 가열하고, BisApAf의 수산화기와 같은 당량인 이소시아네이토프로필트리에톡시실란(ICTEOS) 1.683g을 첨가하고 2시간 동안 교반하여 제조된 폴리아믹산 용액을 사용하여 고 내열성 면상 발열체 조성물을 제조하였다.
<실시예 4>
2,2’-비스(트리플루오로메틸)-4,4’-다이아미노비페닐 (TFMB, 0.064mol)을 DMAc 100g에 녹이고, 4,4-옥시다이프탈릭 언하이드라이드(ODPA, 0.064mol)를 첨가하고 DMAc 73g에 투입하여 50℃에서 3시간 교반한 후에 실온에서 24시간 동안 교반하여 폴리아믹산 용액을 제조하고, 제조된 폴리아믹산 용액에 DMAc에 20wt% 분산된 실리카 나노입자(SiO2, 20nm)를 폴리아믹산 고형분 대비 20wt% 첨가하고 4시간 동안 교반하여 실란 변성 폴리이미드 용액을 제조하고, 제조된 실란 변성 폴리이미드 용액을 염화제1철 용액으로 에칭된 스텐인리스(stainless steel ; 200mm×200mm)의 상부면 및 하부면에 20㎛ 이하로 스핀코팅 후 100℃에서 24시간 동안 건조하고, 250℃의 온도에서 1시간 동안 경화시켜 고 내열성 면상 발열체 조성물을 제조하였다.
상기 실시예 1 내지 4를 통해 제조된 고 내열성 면상 발열체 조성물의 사용온도, 온도균일도, 인장강도, 과전압, 열 내구성, 열팽창계수 및 탄성율을 측정하여 시험규격과 시험결과를 아래 표 1 내지 2에 나타내었다.
<표 1> 시험방법 및 시험규격
<표 2> 시험결과
위에 표 1에 나타낸 것처럼, 본 발명의 실시예 1 내지 4를 통해 제조된 고 내열성 면상 발열체 조성물은 우수한 물성을 나타내는 것을 알 수 있으며, 특히, 본 발명의 실시예 1을 통해 제조된 고 내열성 면상 발열체 조성물의 물성이 가장 우수한 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 고 내열성 면상 발열체 조성물 및 그 제조방법은 고온에서도 우수한 내열성능을 나타내기 때문에, 침구류, 난방장치 및 레저용품 등에 폭넓게 사용할 수 있는 고 내열성 면상 발열체 조성물을 제공한다.
10 ; 기재층
20 ; 내열층
S101 ; 에칭단계
S103 ; 코팅액도포단계
S105 ; 건조단계
S107 ; 경화단계
20 ; 내열층
S101 ; 에칭단계
S103 ; 코팅액도포단계
S105 ; 건조단계
S107 ; 경화단계
Claims (10)
- 스테인리스강으로 이루어지는 기재층; 및
상기 기재층의 상부면 및 하부면에 형성되며, 실란 변성 폴리이미드로 이루어진 내열층으로 이루어지며,
상기 실란 변성 폴리이미드는 실란화합물 1 내지 50 중량% 및 폴리아믹산 50 내지 99 중량%가 반응하여 제조되고,
상기 폴리아믹산은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-다이아미노비페닐 (TFMB, 0.128mol)과 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판(BisApAf, 0.007mol)을 무수 DMAc 334g에 녹이고, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(BPDA, 0.136mol)을 첨가하여 45℃에서 2시간 교반한 후, 40℃에서 24시간 교반하되, 반응은 무수 조건 하에서 진행하여 제조된 BPDA-TFMB-BisApAf 용액을 50℃로 가열하고, BisApAf의 수산화기와 같은 당량인 이소시아네이토프로필트리에톡시실란(ICTEOS) 1.683g을 첨가하고 2시간 동안 교반하여 제조되는 것을 특징으로 하는 고 내열성 면상 발열체 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 기재층은 0.01 내지 1 밀리미터의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 고 내열성 면상 발열체 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 내열층은 15 내지 100 마이크로미터의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 고 내열성 면상 발열체 조성물.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 실란화합물은 p-aminophenylmethoxysilane, trimethoxyphenysilane, tetramethylorthosilicate, tetraethylorthosilicate 및 나노 실리카로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고 내열성 면상 발열체 조성물.
- 삭제
- 스테인리스강의 표면을 염화철 용액으로 에칭하는 에칭단계;
상기 에칭단계를 통해 표면이 에칭된 스테인리스강의 상부면 및 하부면에 실란 변성 폴리이미드로 이루어진 내열성 코팅액을 도포하는 코팅액도포단계;
상기 코팅액도포단계를 통해 도포된 내열성 코팅액을 건조하는 건조단계; 및
상기 건조단계를 통해 형성된 내열층을 가열하여 경화시키는 경화단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고 내열성 면상 발열체 조성물의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 실란 변성 폴리이미드 실란화합물, 폴리아믹산 및 염산을 교반하여 제조되는 것을 특징으로 하는 고 내열성 면상 발열체 조성물의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 건조단계는 80 내지 120℃의 온도로 20 내지 30시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 고 내열성 면상 발열체 조성물의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 경화단계는 150 내지 250℃의 온도로 30 내지 90분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 고 내열성 면상 발열체 조성물의 제조방법.
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KR1020160125577A KR101815935B1 (ko) | 2016-09-29 | 2016-09-29 | 고 내열성 면상 발열체 조성물 및 그 제조방법 |
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WO2012133617A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 日本ゼオン株式会社 | 樹脂組成物および半導体素子基板 |
-
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- 2016-09-29 KR KR1020160125577A patent/KR101815935B1/ko active IP Right Grant
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