KR101808611B1 - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 단위 화소 영역이 정의된 베이스 기판, 각 서브 화소 영역을 단위로 상기 베이스 기판 상에 배치된 화소 전극, 상기 단위 화소 영역을 단위로 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 터널 구조의 공간을 가지는 구조물, 상기 구조물 상에 배치된 공통 전극, 및 상기 서브 화소 영역들 각각에 대응하는 상기 구조물 상에 배치된 컬러 필터를 포함한다. 표시 장치는 서로 다른 컬러를 갖는 인접한 컬러 필터들 사이에 배치된 차광 패턴을 더 포함할 수 있다. 상기 차광 패턴은 상기 컬러 필터 상에 배치될 수 있다. 상기 구조물은 단위 화소 영역 마다 배치함으로써 서브 화소 영역의 개구 영역을 상대적으로 증가시킬 수 있다. 이에 따라서, 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 원가 절감 및 제조 공정 단순화를 위한 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 표시 기판(Thin Film Transistor substrate)과 대향 기판(counter substrate) 사이에 주입된 액정층을 포함한다. 상기 표시 기판에는 게이트 라인들 및 게이트 라인들과 교차하는 소스 라인들이 형성되며, 게이트 라인과 소스 라인에 연결된 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 형성된다. 상기 박막 트랜지스터는 게이트 라인으로부터 연장된 게이트 전극, 게이트 전극과 오버랩된 채널, 소스 라인으로부터 연장되어 채널과 전기적으로 연결된 소스 전극 및 소스 전극과 이격되며 채널과 전기적으로 연결된 드레인 전극을 포함한다. 상기 대향 기판에는 상기 화소 전극과 전계를 형성하기 위한 공통 전극이 형성된다.
최근에는 상기 액정 표시 장치의 표시 품질은 그대로 유지하면, 액정 표시 패널의 두께 및 무게를 절감하기 위한 미래형 표시 장치가 요구되고 있다. 상기 미래형 표시장치의 일 예로서, 플랙서블(Flexible) 표시장치 등이 개발되고 있다.
이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 개구율 향상을 위한 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 단위 화소 영역이 정의된 베이스 기판, 각 서브 화소 영역을 단위로 상기 베이스 기판 상에 배치된 화소 전극, 상기 단위 화소 영역을 단위로 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 터널 구조의 공간을 가지는 구조물, 상기 구조물 상에 배치된 공통 전극, 및 상기 서브 화소 영역들 각각에 대응하는 상기 구조물 상에 배치된 컬러 필터를 포함한다.
본 실시예에서, 서로 다른 컬러를 갖는 인접한 컬러 필터들 사이에 배치된 차광 패턴을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 차광 패턴은 불투명한 유기 물질일 수 있다.
본 실시예에서, 상기 차광 패턴은 상기 컬러 필터 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 차광 패턴은 인접한 구조물들 사이에 배치되고, 상부에 배치된 상기 컬러 필터와 부분적으로 중첩하는 제1 차광 패턴, 및 상기 구조물 상에 배치되고, 하부에 배치된 상기 컬러 필터와 부분적으로 중첩하는 제2 차광 패턴을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 차광 패턴은 상기 구조물과 상기 베이스 기판 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 차광 패턴은 불투명한 금속 물질일 수 있다.
본 실시예에서, 상기 단위 화소 영역에 포함된 상기 서브 화소 영역들은 제1 방향으로 배열되고, 상기 공통 전극은 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제1 방향으로 인접한 구조물들은 서로 연결되고, 상기 제2 방향으로 인접한 구조물은 서로 이격될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 구조물의 상기 공간에 배치된 배향층 및 상기 배향층에 의해 배향되는 액정층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 액정층을 밀봉하는 보호층을 더 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 베이스 기판의 서브 화소 영역에 화소 전극을 형성하는 단계, 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 단위 화소 영역에 대응하는 폭을 가지고, 상기 폭과 교차하는 길이 방향으로 연장된 희생 패턴을 형성하는 단계, 상기 희생 패턴 상에 상기 희생 패턴의 폭 방향으로 연장되고, 상기 희생 패턴의 길이 방향으로 이격된 구조물 및 공통 전극을 형성하는 단계, 상기 희생 패턴을 제거하여 상기 구조물에 의해 정의된 터널 구조의 공간을 형성하는 단계, 상기 터널 구조의 공간에 액정층을 형성하는 단계, 및 상기 터널 구조의 공간에 수납된 상기 액정층을 밀봉하는 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 실시예에서, 상기 서브 화소 영역들 각각에 대응하는 상기 구조물 상에 컬러 필터를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 서로 다른 컬러를 갖는 인접한 컬러 필터들 사이에 차광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 차광 패턴은 불투명한 유기 물질일 수 있다.
본 실시예에서, 상기 차광 패턴은 상기 컬러 필터 상에 배치되고, 상기 컬러 필터와 부분적으로 중첩될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 차광 패턴을 형성하는 단계는 상기 컬러 필터를 형성하기 전에, 인접한 구조물들 사이에 배치된 제1 차광 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 컬러 필터를 형성한 후에, 상기 구조물 상에 배치된 제2 차광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 화소 전극을 형성하기 전에 상기 차광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 차광 패턴은 불투명한 금속 물질일 수 있다.
본 실시예에서, 상기 구조물의 상기 공간에 배치된 배향층을 형성하는 단계, 및 상기 배향층 상에 액정층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 구조물은 단위 화소 영역 마다 배치함으로써 서브 화소 영역의 개구 영역을 상대적으로 증가시킬 수 있다. 이에 따라서, 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 도 2에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a 및 도 4b는 비교예와 실시예 따른 표시 장치의 투과율을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 도 5에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 도 7에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 표시 장치는 베이스 기판(101)을 포함하고, 상기 베이스 기판(101) 상에 배치된 TFT 어레이층(120), 구조층(130), 컬러 필터층(140) 및 보호층(150)을 포함한다.
상기 TFT 어레이층(120)은 복수의 게이트 라인들(GL), 복수의 데이터 라인들(DL), 복수의 스위칭 소자들(TR) 및 복수의 화소 전극들(PE)을 포함할 수 있다.
상기 게이트 라인들(GL)은 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 배열된다. 상기 게이트 라인들(GL)은 상기 스위칭 소자들(TR)의 게이트 전극들(GE)과 연결된다.
상기 데이터 라인들(DL)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)으로 배열된다. 상기 데이터 라인들(DL)은 상기 스위칭 소자들(TR)의 소스 전극들(SE)과 연결된다.
상기 스위칭 소자들(TR)은 상기 게이트 라인(GL)과 연결된 상기 게이트 전극(GE), 상기 데이터 라인(DL)과 연결된 소스 전극(SE) 및 상기 소스 전극(SE)과 이격된 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 스위칭 소자들(TR)의 드레인 전극들(DE)은 상기 화소 전극들(PE)과 콘택홀(CH)을 통해서 연결된다.
상기 화소 전극들(PE) 각각은 각 서브 화소 영역에 배치되고, 상기 스위칭 소자들(TR)과 전기적으로 연결된다. 상기 베이스 기판(101)은 복수의 단위 화소 영역(PUA)을 포함하고, 각 단위 화소 영역(PUA)은 복수의 서브 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)을 포함한다. 상기 단위 화소 영역(PUA)은 적어도 3개의 서브 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 단위 화소 영역(PUA)은 제1 서브 화소 영역(PA1), 제2 서브 화소 영역(PA2) 및 제3 서브 화소 영역(PA3)을 포함하고, 상기 제1 서브 화소 영역(PA1)에는 제1 화소 전극(PE1)이 배치되고, 상기 제2 서브 화소 영역(PA2)에는 제2 화소 전극(PE2)이 배치되고, 상기 제3 서브 화소 영역(PA3)에는 제3 화소 전극(PE3)이 배치될 수 있다.
상기 서브 화소 영역은 복수의 열과 복수의 행을 가진 매트릭스 형태로 배열된다. 상기 서브 화소 영역(PA)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 단변과 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 장변을 도시 및 설명하고 있으나, 이에 한정하지 않는다. 상기 서브 화소 영역(PA)의 형상은 V 자 형상, Z 자 형상 등 다양하게 변형될 수 있다.
상기 표시 장치가 투과형인 경우, 상기 화소 전극들(PE)은 투명 도전 물질로 형성될 수 있고, 상기 표시 장치가 반사형인 경우, 상기 화소 전극들(PE)은 불투명 도전 물질로 형성될 수 있다. 또는 상기 반사형인 경우, 상기 화소 전극은 투명 도전 물질로 형성하고, 액정층 대신 반사형 전기 영동층으로 구현할 수 있다.
상기 TFT 어레이층(120)은 상기 제1 절연층(121), 제2 절연층(123) 및 제3 절연층(125)을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 절연층(121)은 제1 금속층으로 형성된 상기 게이트 라인들(GL)과 상기 게이트 전극들(GE)을 덮도록 상기 베이스 기판(101) 위에 배치되고, 상기 제2 절연층(123)은 제2 금속층으로 형성된 상기 데이터 라인들(DL), 상기 소스 전극들(SE) 및 상기 드레인 전극들(DE)을 덮도록 상기 베이스 기판(101) 위에 배치된다. 상기 제3 절연층(125)은 상기 화소 전극들(PE)을 덮도록 상기 베이스 기판(101) 위에 배치된다. 상기 제1, 제2 및 제3 절연층(121, 123, 125) 각각은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)으로 이루어진 단일층 구조로 형성될 수 있고, 또는 재질 및 형성 공정이 서로 다른 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 구조층(130)은 상기 TFT 어레이층(120) 위에 배치되는 복수의 구조물들(131), 배향층(132), 액정층(133) 및 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다.
각 구조물(131)은 터널 구조의 공간을 가지며, 상기 단위 화소 영역(PUA) 마다 배치된다. 상기 구조물(131)은 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 단일층 구조로 형성될 수 있고, 또는 재질 및 형성 공정이 서로 다른 다층 구조로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 구조물들(131)은 상기 제1 방향(D1)으로 연속적으로 배열되고, 상기 제2 방향(D2)으로 이격되어 배열된다. 상기 제1 방향(D1)으로 상기 구조물(131)의 폭이 정의되고, 상기 제2 방향(D2)으로 상기 구조물(131)의 길이가 정의될 수 있다. 상기 구조물(131)의 폭은 상기 제1, 제2 및 제3 서브 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)의 단변들의 합에 대응하고, 상기 구조물(131)의 길이는 상기 제1, 제2 및 제3 서브 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각의 장변의 길이에 대응할 수 있다. 상기 제2 방향(D2)으로 배열된 상기 구조물들(131) 사이사이의 이격 영역을 통해서 상기 구조물(131)의 상기 공간에 상기 배향층(132) 및 상기 액정층(133)이 형성될 수 있다.
상기 배향층(132)은 상기 구조물(131)의 내측 면 및 상기 단위 화소 영역(PUA)의 제1, 제2 및 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)이 형성된 상기 베이스 기판(101)의 상면에 배치된다. 상기 구조물(131)의 내측 면은 내측 상면 및 내측 측면을 포함한다.
상기 액정층(133)은 상기 구조물(131)에 의해 정의된 내부 공간에 배치된다. 상기 액정층(133)은 상기 배향층(132)에 의해 배향될 수 있다.
상기 공통 전극(CE)은 상기 구조물(131)의 외측 면에 배치되고, 상기 베이스 기판(101)의 전체 영역을 덮도록 배치될 수 있다. 상기 공통 전극(CE)은 상기 구조물(131)의 외측 면인 상기 구조물(131)의 외측 상면 및 외측 측면을 덮는다.
상기 컬러 필터층(140)은 상기 구조층(130) 위에 배치되는 복수의 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3), 차광 패턴(BP) 및 평탄층(144)을 포함할 수 있다.
제1, 제2 및 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 상기 단위 화소 영역(PUA)의 제1, 제2 및 제3 서브 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)에 대응하여 배치된다.
상기 차광 패턴(BP)은 광을 차단하고, 상기 제1, 제2 및 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 사이사이에 배치될 수 있다.
상기 평탄층(144)은 상기 표시 장치의 상면을 평탄화하기 위해 상기 제1, 제2 및 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 및 상기 차광 패턴(BP) 위에 배치된다.
상기 보호층(150)은 상기 표시 장치를 보호하고, 상기 구조물(131)의 상기 공간에 수납된 상기 액정층(133)을 밀봉한다. 상기 보호층(150)은 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 단일층 구조로 형성될 수 있고, 또는 재질 및 형성 공정이 서로 다른 다층 구조로 형성될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 구조물(131)은 상기 단위 화소 영역(PUA) 단위로 배열함으로써 상기 표시 장치의 개구율을 향상시킬 수 있다.
도 3a 내지 도 3e는 도 2에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1, 도 2 및 도 3a를 참조하면, 상기 베이스 기판(101) 위에 TFT 어레이층(120)을 형성한다.
예를 들면, 상기 베이스 기판(101) 위에 제1 금속층을 형성하고, 상기 제1 금속층을 패터닝하여 상기 게이트 라인들(GL) 및 상기 게이트 전극들(GE)을 포함하는 제1 금속 패턴을 형성한다. 상기 제1 금속층은 예를 들면, 크롬, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐, 구리, 은 등의 금속 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 금속층은 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 층으로 형성될 수 있다.
상기 제1 금속 패턴이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 제1 절연층(121)을 형성한다. 상기 제1 절연층(121)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)으로 이루어진 단일층 구조로 형성될 수 있고, 또는 재질 및 형성 공정이 서로 다른 이중층 구조로 형성될 수 있다.
상기 제1 절연층(121)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층을 패터닝하여 상기 스위칭 소자들(TR)의 액티브 패턴들을 형성한다.
상기 액티브 패턴들이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 제2 금속층을 형성하고, 상기 제2 금속층을 패터닝하여 상기 데이터 라인들(DL), 상기 소스 전극들(SE) 및 상기 드레인 전극들(DE)을 포함하는 제2 금속 패턴을 형성한다. 상기 제2 금속층은 예를 들면, 크롬, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐, 구리, 은 등의 금속 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 금속층은 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 층으로 형성될 수 있다.
또는, 상기 액티브 패턴들과 상기 제2 금속 패턴을 하나의 슬릿 마스크를 이용하여 형성할 수 있다.
상기 제2 금속 패턴이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 제2 절연층(123)을 형성한다. 상기 제2 절연층(123)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)으로 이루어진 단일층 구조로 형성될 수 있고, 또는 재질 및 형성 공정이 서로 다른 이중층 구조로 형성될 수 있다.
상기 제2 절연층(123)을 식각하여 상기 드레인 전극들(DE)을 노출하는 콘택홀(CH)을 형성한다.
상기 콘택홀(CH)이 형성된 상기 베이스 기판 위에 화소 전극층을 형성하고, 상기 화소 전극층을 패터닝하여 상기 서브 화소 영역들에 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 형성한다. 상기 화소 전극층은 상기 표시 장치가 투과형인 경우는 투명 도전 물질, 예컨대, ITO, IZO 등으로 형성될 수 있다. 또는 상기 표시 장치가 반사형인 경우는 불투명 도전 물질, 예컨대, 알루미늄 등으로 형성될 수 있다.
상기 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 상기 제3 절연층(125)을 형성한다. 상기 제3 절연층(125)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)으로 이루어진 단일층 구조로 형성될 수 있고, 또는 재질 및 형성 공정이 서로 다른 이중층 구조로 형성될 수 있다.
상기 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)이 완성됨에 따라서, 상기 표시 장치의 상기 TFT 어레이층(120)이 실질적으로 완성된다.
도 2 및 도 3b를 참조하면, 상기 TFT 어레이층(120)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 희생층을 형성한다. 상기 희생층은 유기 고분자 물질로 형성될 수 있고, 상기 유기 고분자 물질은 벤조사이클로부텐(BCB; benzocyclobutene)과 아크릴(acryl)계 수지를 포함한 유기물일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 희생층을 패터닝하여 복수의 희생 패턴들(SP)을 형성한다. 상기 희생 패턴들(SP)은 제2 방향(D2)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)으로 배열된다. 각 희생 패턴(SP)의 상기 제1 방향(D1)으로의 폭은 상기 단위 회소 영역(PUA)의 상기 제1 방향(D1)으로의 폭에 대응한다. 상기 희생 패턴(SP)의 폭은 상기 제1, 제2 및 제3 서브 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)의 단변들의 합에 대응할 수 있다.
상기 희생 패턴들(SP)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 구조 절연층(131a)을 형성한다. 상기 구조 절연층(131a)은 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 단일층 구조로 형성될 수 있고, 또는 재질 및 형성 공정이 서로 다른 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 구조 절연층(131a)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 투명 도전층(CEa)을 형성한다. 상기 투명 도전층(CEa)은 ITO나 IZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
도 2 및 도 3c를 참조하면, 상기 투명 도전층(CEa)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 제1 컬러 포토레지스트층을 형성하고, 상기 제1 컬러 포토레지스트층을 포토리소그래피를 이용하여 상기 단위 화소 영역(PUA)의 상기 제1 서브 화소 영역(PA1)에 섬(Island) 형상의 상기 제1 컬러 필터(CF1)를 형성한다.
같은 방식으로, 상기 제1 컬러 필터(CF1)가 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 제2 컬러 포토레지스트층을 형성하고, 상기 제2 컬러 포토레지스트층을 패터닝하여 상기 단위 화소 영역(PUA)의 상기 제2 서브 화소 영역(PA2)에 섬 형상의 상기 제2 컬러 필터(CF2)를 형성된다.
상기 제1 및 제2 컬러 필터들(CF1, CF2)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 제3 컬러 포토레지스트층을 형성하고, 상기 제3 컬러 포토레지스트층을 패터닝하여 상기 단위 화소 영역(PUA)의 상기 제3 서브 화소 영역(PA3)에 섬 형상의 기 제3 컬러 필터(CF3)를 형성된다.
상기 제1, 제2 및 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 각각은 상기 제2 방향(D2)으로 불연속적으로 형성되며, 상기 제1 방향(D1)으로는 인접한 부분적으로 중첩될 수 있다. 상기 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)의 형성 방법은 잉크젯 등의 방법으로 형성할 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.
상기 제1, 제2 및 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 차광층을 형성하고, 상기 차광층을 패터닝하여 상기 차광 패턴(BP)을 형성한다. 상기 차광층은 불투명 유기 물질일 수 있으며 포토리소그래피를 이용하여 패터닝할 수 있다. 상기 차광 패턴(BP)은 상기 제1, 제2 및 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 각각의 상기 제1 방향(D1) 측의 양단과 중첩되어 배치된다.
상기 차광 패턴(BP), 제1 컬러 필터(CF1), 제2 컬러 필터(CF2) 및 제3 컬러 필터(CF3)가 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 상기 평탄 절연층(144a)을 형성한다. 상기 평탄 절연층(144a)은 본 실시예에 따른 상기 표시 장치의 상면을 평탄화한다. 상기 평탄 절연층(144a)은 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 단일층 구조로 형성될 수 있고, 또는 재질 및 형성 공정이 서로 다른 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 평탄 절연층(144a)이 형성된 상기 베이스 기판(101)을 포토리소그래피를 이용하여 상기 평탄 절연층(144a), 상기 투명 전극층(CEa) 및 상기 구조 절연층(131a)을 식각하여 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 평탄층(144), 공통 전극(CE) 및 구조물(131)을 형성한다. 예를 들면, 상기 평탄층(144), 공통 전극(CE) 및 구조물(131)은 서브 화소 행 단위로 패터닝되어, 상기 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다.
상기 서브 화소 행 단위로 패터닝된 평탄층(144), 공통 전극(CE) 및 구조물(131)에 의해 상기 제2 방향(D2)으로 연장되고 상기 제1 방향(D1)으로 배열된 상기 희생 패턴들(SP)은 서브 화소 영역에 대해 상기 제2 방향(D2)측의 단부에 대응하는 영역이 노출된다. 예를 들면, 상기 희생 패턴들(SP)은 상기 게이트 라인들(GL)이 형성된 영역에 대응하는 영역이 노출될 수 있다.
한편, 상기 평탄층(144)은 각 서브 화소 영역에 배치된 컬러 필터의 제2 방향(D2)으로의 양 단부를 감싸도록 형성된다. 이에 따라서, 상기 평탄층(144)은 후속 공정인 희생 패턴들(SP)을 제거 공정에서 상기 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)이 식각되지 않도록 보호할 수 있다.
도 2 및 도 3d를 참조하면, 플라즈마 공정을 이용하여 부분적으로 노출된 희생 패턴들(SP)을 제거한다. 비등방성 플라즈마 식각에 의해 상기 희생 패턴들(SP)의 노출 부분부터 순차적으로 식각되어 상기 희생 패턴들(SP)이 전체적으로 제거된다. 이에 따라서, 상기 구조물(131) 내부의 상기 희생 패턴들(SP)이 제거되어, 상기 구조물(131)에 의해 정의되는 터널 구조의 공간(CA)이 형성된다.
상기 플라즈마 공정은 유기 물질을 비등방적으로 제거하기 위한 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 마이크로웨이브 O2 플라즈마를 이용할 수 있다. 상기 마이크로웨이브 O2 플라즈마는 스테이지 온도, 챔버 압력, 사용 기체 등을 변경하여 유기 절연 물질만 식각하도록 식각 조건이 조절된다. 이에 따라, 무기 절연 물질로 형성되는 상기 제3 절연층(125), 상기 구조물(131) 및 상기 평탄층(144)은 식각되지 않을 수 있다. 상기 마이크로웨이브 O2 플라즈마를 이용한 상기 희생 패턴(SP) 식각 조건에 있어서, 상기 플라즈마 식각기 챔버의 스테이지 온도는 100 ℃ 내지 300 ℃, O2의 유량은 5000 sccm 내지 10000 sccm, N2H2의 유량은 100 sccm 내지 1000 sccm, 상기 챔버의 압력은 2 Torr이며, 인가된 전원은 100 W 내지 4000 W일 수 있다.
본 실시예에 따른 상기 구조물(131)은 단위 화소 영역에 대응하여 배치되고, 이에 따라 상기 터널 구조의 상기 공간(CA)은 단위 화소 영역에 형성될 수 있다.
도 2 및 도 3e를 참조하면, 상기 터널 구조의 공간(CA)이 형성된 상기 베이스 기판(101)에 상기 배향층(132)을 형성한다.
상기 배향층(132)은 상기 구조물(131)에 의해 정의된 상기 빈 터널 구조의 공간(CA)의 내측 면에 형성된다. 예를 들면, 상기 구조물(131)의 내측 상면 및 내측 측면에 형성되고, 상기 공간(CA)이 정의된 영역에 대응하는 상기 제3 절연층(125)의 위에 형성된다. 상기 배향층(132)은 배향액을 이용하여 형성된다. 상기 배향액은 폴리이미드와 같은 배향 물질을 적절한 용매에 혼합한 것이다. 상기 액상 배향 물질은 유체로 제공되므로 상기 공간(CA) 근처에 제공되면 모세관 현상에 의해 상기 공간(CA) 내로 이동한다. 상기 배향액은 마이크로피펫을 이용한 잉크젯을 이용하여 상기 공간(CA) 근처에 제공되거나, 진공 주입 장치를 이용하여 상기 공간(CA) 내로 제공될 수 있다. 그 다음 상기 용매를 제거한다. 상기 용매를 제거하기 위해서 상기 베이스 기판(101)을 실온에 두거나 열을 가할 수 있다.
상기 배향층(132)이 형성된 상기 베이스 기판(101)에 상기 액정층(133)을 형성한다. 상기 액정층(133)은 상기 공간(CA) 근처에 제공되며 모세관 현상에 의해 상기 공간(CA) 내로 이동한다. 상기 액정층(133)은 마이크로피펫을 이용한 잉크젯을 이용하여 상기 공간(CA) 근처에 제공할 수 있다. 또한, 상기 액정층은 진공 액정 주입 장치를 이용하여 상기 공간(CA) 내로 제공할 수 있다. 상기 진공 액정 주입 장치를 이용하는 경우, 상기 터널 구조의 공간(CA)이 형성된 상기 베이스 기판(101)의 일부를 챔버 내의 액정 재료가 든 용기에 침지하고 상기 챔버의 압력을 낮추면 모세관 현상에 의해 상기 공간(CA) 내로 액정이 공급된다.
이후, 상기 터널 구조의 상기 공간(CA) 이외의 액정이 제거되고 상기 구조물(131)에 충전된 상기 액정층(133)을 둘러싸는 상기 보호층(150)을 형성한다. 상기 보호층(150)은 상기 액정층(133)이 주입되었던 입구 부분을 막는다.
비록 도시되지는 않았으나, 상기 보호층(150)이 형성된 다음, 상기 베이스 기판(101)의 하면과 상기 보호층(150)의 상면에 상기 액정층(133)을 투과하는 광을 편광하기 위한 제1 편광판 및 상기 제1 편광판과 직교하는 투과축을 가지는 제2 편광판을 배치할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 비교예와 실시예 따른 표시 장치의 투과율을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 4a는 비교예에 따른 표시 장치 및 투과율을 설명하기 위한 개념도이고, 도 4b는 실시예에 따른 표시 장치 및 투과율을 설명하기 위한 개념도이다.
도 4a를 참조하면, 비교예에 따른 표시 장치는 터널 구조를 갖는 구조물이 서브 화소 영역 마다 배치된다. 도시된 바와 같이, 제1 서브 화소 영역(PA1)에 제1 구조물(231)이 배치되고, 제2 서브 화소 영역(PA2)에 제2 구조물(232)이 배치되고, 제3 서브 화소 영역(PA3)에 제3 구조물(233)이 배치된다.
차광 패턴(BP)은 상기 제1, 제2 및 제3 서브 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)의 장변측에 대응하는 상기 제1, 제2 및 제3 구조물들(231, 232, 233) 사이사이에 배치된다.
이에 따라서, 비교예에 따른 표시 장치는 상기 제1 및 제2 구조물들(231, 232) 간의 이격 영역(C)에 의해 제1 및 제2 서브 화소 영역들(PA1, PA2) 사이의 제1 차광 영역(A)은 상대적으로 증가하고, 상기 증가된 제1 차광 영역(A)에 의해 상기 제2 서브 화소 영역(PA2)의 제1 개구 영역(B)은 상대적으로 감소한다.
도 4b를 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치는 터널 구조를 갖는 구조물이 단위 화소 영역 마다 배치된다. 도시된 바와 같이, 단위 화소 영역은 제1, 제2 및 제3 서브 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)을 포함하고, 상기 구조물(131)은 상기 단위 화소 영역(PUA)에 배치된다.
차광 패턴(BP)은 상기 제1, 제2 및 제3 서브 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)의 장변측 사이사이에 배치된다. 실시예에 따른 차광 패턴(BP)은, 하나의 구조물(131) 위의 제1 및 제2 서브 화소 영역들(PA1, PA2) 이격 영역 및 상기 제2 및 제3 서브 화소 영역들(PA2, PA3) 이격 영역에 배치된다.
이에 따라서, 실시예에 따른 인접한 제1 및 제2 서브 화소 영역들(PA1, PA2) 사이의 제2 차광 영역(A')은 비교예의 상기 제1 차광 영역(A) 보다 상대적으로 감소하고, 상기 감소된 제2 차광 영역(A')에 의해 상기 제2 서브 화소 영역(PA2)의 제2 개구 영역(B')은 상대적으로 증가한다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 상기 구조물(131)은 단위 화소 영역 마다 배치함으로써 서브 화소 영역의 개구 영역을 상대적으로 증가시킬 수 있다. 이에 따라서, 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 이하에서는 이전 실시예와 동일한 구성 요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 1 및 도 5를 참조하면, 상기 표시 장치는 이전 실시예에 따른 표시 장치와 비교할 때 제1 차광 패턴(BP1) 및 제2 차광 패턴(BP2)을 제외하고는 나머지 구성 요소는 실질적으로 동일하다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 기판(101)을 포함하고, 상기 베이스 기판(101) 상에 배치된 TFT 어레이층(120), 구조층(130), 컬러 필터층(140) 및 보호층(150)을 포함한다. 상기 TFT 어레이층(120), 구조층(130) 및 보호층(150)은 이전 실시예와 실질적으로 동일하므로 반복되는 설명은 생략한다.
상기 컬러 필터층(140)은 상기 구조층(130) 위에 배치되는, 제1 차광 패턴(BP1), 복수의 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3), 제2 차광 패턴(BP2) 및 평탄층(144)을 포함할 수 있다. 상기 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 및 상기 평탄층(144)은 이전 실시예와 실질적으로 동일하므로 반복되는 설명은 생략한다.
상기 제1 차광 패턴(BP1)은 단위 화소 영역(PUA)을 단위로 배치된 구조물(131)들의 이격 영역에 배치된다. 예를 들면, 상기 제1 차광 패턴(BP1)은 제1 단위 화소 영역(PUA1)의 제1 서브 화소 영역(PA1) 및 상기 제1 단위 화소 영역(PUA1)과 인접한 제2 단위 화소 영역(PUA2)의 제3 서브 화소 영역(PA3) 사이에 배치된다.
상기 제2 차광 패턴(BP2)은 상기 구조물(131) 위에 배치되고, 상기 단위 화소 영역내의 상기 서브 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 사이사이에 배치된다. 예를 들면, 상기 제2 차광 패턴(BP2)은 상기 제1 단위 화소 영역(PUA1)의 제1 및 제2 서브 화소 영역들(PA1, PA2) 사이 및 상기 제2 및 제3 서브 화소 영역들(PA2, PA3) 사이에 배치된다.
도 6a 및 도 6b는 도 5에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 이하에서는 이전 실시예와 동일한 구성 요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 1, 도 5 및 도 6a를 참조하면, 도 3a에서 설명된 바와 같이, 상기 베이스 기판(101) 위에 TFT 어레이층(120)을 형성한다.
도 3b에서 설명된 바와 같이, 상기 TFT 어레이층(120) 위에 희생 패턴들(SP), 구조 절연층(131a) 및 투명 도전층(CEa)을 형성한다.
상기 투명 도전층(CEa)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 제1 차광층을 형성하고, 상기 제1 차광층을 패터닝하여 상기 제1 차광 패턴(BP1)을 형성한다. 상기 제1 차광층은 불투명한 유기 물질일 수 있으며, 포토리소그래피를 이용하여 패터닝될 수 있다. 상기 제1 차광 패턴(BP1)은 단위 화소 영역(PUA)을 단위로 배치된 구조물들(131)의 이격 영역에 배치된다. 예를 들면, 상기 제1 차광 패턴(BP1)은 제1 단위 화소 영역(PUA1)의 제1 서브 화소 영역(PA1) 및 상기 제1 단위 화소 영역(PUA1)과 인접한 제2 단위 화소 영역(PUA2)의 제3 서브 화소 영역(PA3) 사이에 배치된다.
도 5 및 도 6b를 참조하면, 상기 제1 차광 패턴(BP1)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 도 3c에서 설명된 바와 같이, 제1 서브 화소 영역(PA1)에 제1 컬러 필터(CF1)를 형성하고, 제2 서브 화소 영역(PA2)에 제2 컬러 필터(CF2)를 형성하고, 제3 서브 화소 영역(PA3)에 제3 컬러 필터(CF3)를 형성한다.
상기 제1, 제2 및 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 제2 차광층을 형성하고, 상기 제2 차광층을 패터닝하여 제2 차광 패턴(BP2)을 형성한다. 상기 제2 차광층은 불투명한 유기 물질일 수 있고, 포토리소그래피를 이용하여 패터닝될 수 있다.
상기 제2 차광 패턴(BP2)은 상기 구조 절연층(131a) 위에 배치되고, 상기 단위 화소 영역내의 상기 서브 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)의 이격 영역에 배치된다.
상기 제2 차광 패턴(BP2)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 평탄 절연층(144a)을 형성한다.
이후, 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 이전 실시예에서 도 3d 및 도 3e를 참조하여 설명된 바와 실질적으로 동일하므로 반복되는 설명은 생략한다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 상기 구조물(131)은 단위 화소 영역을 단위로 배치됨으로써 서브 화소 영역의 개구 영역을 상대적으로 증가시킬 수 있다. 이에 따라서, 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 이하에서는 이전 실시예와 동일한 구성 요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
상기 표시 장치는 이전 실시예에 따른 표시 장치와 비교할 때 차광 패턴(BP)을 제외하고는 나머지 구성 요소는 실질적으로 동일하다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 기판(101)을 포함하고, 상기 베이스 기판(101) 상에 배치된 TFT 어레이층(120), 구조층(130), 컬러 필터층(140) 및 보호층(150)을 포함한다.
상기 TFT 어레이층(120)은 복수의 게이트 라인들(GL), 복수의 데이터 라인들(DL), 복수의 스위칭 소자들(TR), 복수의 화소 전극들(PE) 및 차광 패턴(BP)을 포함한다. 상기 복수의 게이트 라인들(GL), 복수의 데이터 라인들(DL), 복수의 스위칭 소자들(TR), 복수의 화소 전극들(PE)은 이전 실시예와 실질적으로 동일하므로 반복되는 설명은 생략한다.
상기 차광 패턴(BP)은 상기 화소 전극들(PE)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 배치되고, 상기 화소 전극들(PE) 간의 이격 영역에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 데이터 라인들(DL) 및 상기 게이트 라인들(GL)이 형성된 영역에 배치되어, 상기 데이터 라인들(DL) 및 상기 게이트 라인들(GL)과 중첩될 수 있다.
상기 차광 패턴(BP)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 상기 구조층(130), 컬러 필터층(140) 및 보호층(150)이 이전 실시예와 실질적으로 동일한 구조로 배치될 수 있다.
본 실시예에 따른 구조층(130), 컬러 필터층(140) 및 보호층(150)은 이전 실시예와 실질적으로 동일하므로 반복되는 설명은 생략한다.
도 8a 내지 도 8c는 도 7에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 이하에서는 이전 실시예와 동일한 구성 요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 1, 도 7 및 도 8a를 참조하면, 상기 베이스 기판(101) 위에 TFT 어레이층(120)을 형성한다.
예를 들면, 상기 베이스 기판(101) 위에 상기 게이트 라인들(GL) 및 상기 게이트 전극들(GE)을 포함하는 제1 금속 패턴을 형성한다. 상기 제1 금속 패턴이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 제1 절연층(121)을 형성한다. 상기 제1 절연층(121)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 상기 스위칭 소자들(TR)의 액티브 패턴들을 형성한다. 상기 액티브 패턴들이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 상기 데이터 라인들(DL), 상기 소스 전극들(SE) 및 상기 드레인 전극들(DE)을 포함하는 제2 금속 패턴을 형성한다. 상기 제2 금속 패턴이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 콘택홀(CH)을 포함하는 제2 절연층(123)을 형성한다. 상기 콘택홀(CH)이 형성된 상기 베이스 기판 위의 제1, 제2 및 제3 서브 화소 영역들에 제1, 제2 및 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 형성한다.
상기 제1, 제2 및 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 위에 차광층을 형성한다. 상기 차광층을 불투명 금속 물질일 수 있고. 포토리소그래피를 이용하여 패터닝될 수 있다. 상기 차광층을 패터닝하여 상기 제1, 제2 및 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 사이의 이격 영역들에 차광 패턴(BP)을 형성한다. 상기 차광 패턴(BP)은 제1 방향(D1) 측으로 인접한 화소 전극들의 이격 영역에 형성될 수 있다. 또는, 상기 차광 패턴(BP)은 상기 제2 방향(D2) 측으로 인접한 화소 전극들의 이격 영역에 더 형성될 수 있다.
상기 차광 패턴(BP)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 제3 절연층(125)을 형성한다. 상기 제3 절연층(125)이 형성됨으로써 본 실시예에 따른 상기 TFT 어레이층(120)이 완성될 수 있다.
도 7 및 도 8b를 참조하면, 도 3b에서 설명된 바와 같이, 상기 TFT 어레이층(120)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 희생 패턴들(SP), 구조 절연층(131a) 및 투명 도전층(CEa)을 형성한다.
도 7 및 도 8c를 참조하면, 상기 투명 도전층(CEa)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 도 3c에서 설명된 바와 같이, 제1 서브 화소 영역(PA1)에 제1 컬러 필터(CF1)를 형성하고, 제2 서브 화소 영역(PA2)에 제2 컬러 필터(CF2)를 형성하고, 제3 서브 화소 영역(PA3)에 제3 컬러 필터(CF3)를 형성한다.
상기 제1, 제2 및 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)이 형성된 상기 베이스 기판(101) 위에 평탄 절연층(144a)을 형성한다.
이후, 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 이전 실시예에서 도 3d 및 도 3e를 참조하여 설명된 바와 실질적으로 동일하므로 반복되는 설명은 생략한다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 상기 구조물은 단위 화소 영역 마다 배치함으로써 서브 화소 영역의 개구 영역을 상대적으로 증가시킬 수 있다. 이에 따라서, 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다.
이상 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
101 : 베이스 기판 120 : TFT 어레이층
130 : 구조층 131 : 구조물
132 : 배향층 133 : 액정층
PUA : 단위 화소 영역 PA : 서브 화소 영역
BP : 차광 패턴 140 : 컬러 필터층
144 : 평탄층 150 : 보호층
121, 123, 125 : 제1, 제2 및 제3 절연층
CF1, CF2, CF3 :제1, 제2 및 제3 컬러 필터

Claims (11)

  1. 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 단위 화소 영역이 정의된 베이스 기판;
    각 서브 화소 영역을 단위로 상기 베이스 기판 상에 배치된 화소 전극;
    상기 단위 화소 영역을 단위로 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 측면 및 상면을 포함하며, 상기 측면 및 상기 상면에 의해 형성되는 터널 구조의 공간을 가지는 구조물;
    상기 구조물 상에 배치된 공통 전극; 및
    상기 서브 화소 영역들 각각에 대응하는 상기 구조물 상에 배치된 컬러 필터를 포함하고,
    상기 구조물의 상기 측면 및 상기 상면은 일체로 형성되고,
    상기 구조물의 상기 측면 및 상기 상면은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 서로 다른 컬러를 갖는 인접한 컬러 필터들 사이에 배치된 차광 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 차광 패턴은 불투명한 유기 물질인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 차광 패턴은 상기 컬러 필터 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 차광 패턴은
    인접한 구조물들 사이에 배치되고, 상부에 배치된 상기 컬러 필터와 부분적으로 중첩하는 제1 차광 패턴; 및
    상기 구조물 상에 배치되고, 하부에 배치된 상기 컬러 필터와 부분적으로 중첩하는 제2 차광 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 차광 패턴은 상기 구조물과 상기 베이스 기판 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 차광 패턴은 불투명한 금속 물질인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 단위 화소 영역에 포함된 상기 서브 화소 영역들은 제1 방향으로 배열되고,
    상기 공통 전극은 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 방향으로 인접한 구조물들은 서로 연결되고, 상기 제2 방향으로 인접한 구조물은 서로 이격된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제2항에 있어서, 상기 구조물의 상기 공간에 배치된 배향층; 및
    상기 배향층에 의해 배향되는 액정층을 더 포함하는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 액정층을 밀봉하는 보호층을 더 포함하는 표시 장치.
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