KR101792803B1 - 가열 장치 및 이를 이용한 태양전지 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가열 장치 및 이를 이용한 태양전지 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 가열 장치는 인라인으로 연결된 와인딩 와이어와 상기 와인딩 와이어가 통과하고 내부로 주입된 가스로 상기 와인딩 와이어의 표면을 증착하는 튜브형 챔버, 상기 튜브형 챔버의 외관을 감아 상기 와인딩 와이어에 열을 인가하기 위한 코일 및 상기 코일과 연결된 전원공급원을 포함한다. 본 발명에 의한 태양전지 제조방법은 다수의 제1 전극을 준비하는 단계와 상기 제1 전극을 코일로 권선된 튜브형 챔버내로 로딩하는 단계, 상기 코일로 전원을 인가하여 실리콘층을 증착하는 단계, 상기 실리콘층이 형성된 제1 전극을 실버페이스트로 웰딩하는 단계, 상기 웰딩된 실버페이스트와 일부 접촉하며 상기 제1 전극과 교차하도록 제2 전극을 형성하는 단계 및 상기 제2 전극까지 형성된 태양전지를 봉지하는 단계를 포함한다. 또한, 실리콘 증착시 적은량의 가스가 투입되고, 온도와 증착비를 조절할 수 있어 빠른 시간 내에 원하는 두께를 얻을 수 있다. 또한, 튜브타입의 증착챔버를 이용함으로써 진공도에 제약이 적다. 이를 이용한 제조방법에 의하여 제조된 태양전지는 면상형태의 기판을 사용하지 않고, 와이어를 사용하여 반사 방지막 및 투명전극을 사용하지 않아도 되는 효과가 있다.

Description

가열 장치 및 이를 이용한 태양전지 제조 방법{HEATING DEVICE AND A SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 플라즈마 챔버에 관한 것으로, 와인딩 와이어를 이용한 태양전지를 제조하기 위한 가열장치 및 그를 이용한 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
태양전지 세계시장은 벌크실리콘 기반의 태양전지가 95% 이상을 차지하고 있으며, 주로 대규모 태양광 발전시설에 이용되고 있다. 하지만, 태양전지가 사용될 수 있는 제품의 범위는 대규모 태양광 발전에서부터 소형 전자기기에 이르기까지 매우 다양하기 때문에, 건물 외벽 또는 유리창호와 같은 건자재 용도 및 이동발전 용도 등에도 적합한 태양전지까지 용도 맞춤형 태양전지 기술개발이 필요하다.
태양 에너지와 같은 무공해 청정 에너지를 석탄, 석유 등의 화학 연료 대신 새로운 에너지원으로 이용하려는 연구는 전세계적으로 활발히 진행되고 있다. 이 중 태양전지는 태양 에너지를 직접 전기 에너지로 전환시키는 장치이다. 태양전지의 원리를 설명하자면, p형과 n형의 반도체를 접합시킨 구조를 갖는 pn접합형 반도체인 태양 전지를 광에 노출시키면 전자와 정공이 생성되고, 이렇게 생성된 전자와 정공이 전극으로 이동하며 기전력이 발생되어 광발전이 일어나게 된다. 이러한 태양전지는 그 소재에 따라 크게 실리콘계 태양전지 및 화합물 반도체계 태양전지로 나눌 수 있다.
실리콘계 태양전지는 주로 건식 태양전지라 불리우는 단결정 실리콘이 주로 사용되고 있는데, 가장 큰 장점은 박막형 태양전지로 제조될 수 있다는 것이다. 그러나 가격면에서 항공, 우주산업 같은 경우가 아니면 경쟁력을 갖추지 못한면이 있다. 따라서 상대적으로 제조원가가 저렴한 비정질 실리콘계 태양전지 또는 다결정질 실리콘계 태양전지의 사용이 증가하고 있는 실정이지만, 단결정 실리콘에 비하여 광전환효율이 낮은 단점이 있다. 또한, 장시간 빛에 노출되면 특성열화현상이 나타나서 시간이 갈수록 효율이 저하되며 고밀도 태양전지 모듈을 제조하는데 용이하지 않은 문제점이 있다.
또한, 반도체 공정은 기본적으로 플라즈마 공정을 통해 이루어진다. 이러한 플라즈마 공정은 화학기상증착법과 같은 방법으로 반도체층을 형성하는 것으로, 진공챔버에서 이루어지므로 진공챔버의 크기에 따라 태양전지의 반도체층의 크기가 제약을 받고, 증착과 에칭을 통하여 태양전지 모듈을 형성하게 되므로 시간면에서나 공정면에서 복잡성을 갖는다. 이로 인하여 제조된 태양전지 모듈은 제조원가가 올라가게 된다. 공정상에 있어서도, P층과 N층의 실리콘을 제작시 사용되는 가스는 유독성이 있어 환경을 오염시킨다. 따라서 태양전지의 반도체층을 형성하는 공정에 있어서 유독성이 있는 가스의 사용량을 줄이고, 기판의 제약이 없으며, 제조라인이 단순화된 태양전지와 그 제조 장치가 필요하다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 태양전지 제작을 위한 실리콘 증착 챔버를 개선하여 적은 가스량으로 실리콘 증착이 가능하고, 유도가열 방식을 이용하여 온도 제어가 쉽고, 높은 증착비를 갖는 제조원가를 낮출 수 있다. 또한, 면상구조에 한정되지 않는 탄소섬유 태양전지를 제조함으로써 방향에 따른 광량의 제약과 상부전극을 투명전극으로 사용하는 제약을 극복할 수 있어 고효율의 태양전지를 제작할 수 있는 제조장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 가열제조장치에 관한 것이다. 본 발명의 가열 제조장치는 인라인으로 연결된 와인딩 와이어; 상기 와인딩 와이어가 통과하고 내부로 주입된 가스로 상기 와인딩 와이어의 표면을 증착하는 튜브형 챔버; 상기 튜브형 챔버의 외관을 감아 상기 와인딩 와이어에 열을 인가하기 위한 코일; 상기 코일과 연결된 전원공급원을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 가스가 주입되는 일측에 마련된 가스입구와; 상기 가스입구의 타측에 마련되며 상기 주입된 가스가 상기 튜브형 챔버의 내부에 오래 잔류할 수 있는 경로를 갖는 가스출구를 포함한다.
또한, 상기 전원공급원은 직류 또는 교류를 포함한다.
또한, 상기 주입된 가스로 증착을 실시한 후 형성된 공정부산물을 처리하기 위한 가스 재생장치를 포함한다.
또한, 상기 튜브형 챔버는 상기 와인딩 와이어가 통과하는 다수의 관로를 포함한다.
또한, 상기 튜브형 챔버는 직렬로 연결되어 상기 와인딩 와이어에 서로다른 증착을 실시한다.
본 발명의 가열 제조장치를 이용한 태양전지 제조방법은 다수의 제1 전극을 준비하는 단계; 상기 제1 전극을 코일로 권선된 튜브형 챔버내로 로딩하는 단계; 상기 코일로 전원을 인가하여 실리콘층을 증착하는 단계; 상기 실리콘층이 형성된 제1 전극을 실버페이스트로 웰딩하는 단계; 상기 웰딩된 실버페이스트와 일부 접촉하며 상기 제1 전극과 교차하도록 제2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제2 전극까지 형성된 태양전지를 봉지하는 단계를 포함한다.
그리고, 상기 전원을 인가하여 실리콘층을 증착하는 단계는 가열하는 단계를 더욱 포함한다.
또한, 상기 실리콘층은 인트린직 실리콘층 또는 도핑 실리콘층이다.
또한, 상기 제1 전극은 티타늄, 구리를 포함한다.
또한, 상기 전원은 교류 또는 직류인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 가열 장치는 실리콘 증착시 적은량의 가스가 투입되고, 온도와 증착비를 조절할 수 있어 빠른 시간 내에 원하는 두께를 얻을 수 있다. 또한, 튜브타입의 증착챔버를 이용함으로써 진공도에 제약이 적다. 이를 이용한 제조방법에 의하여 제조된 태양전지는 면상형태의 기판을 사용하지 않고, 와이어를 사용하여 반사 방지막 및 투명전극을 사용하지 않아도 되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유도가열 또는 직가열 제조장치를 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 유도가열 또는 직가열 제조장치의 가스 유입구를 변형한 변형예이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 변형 실시예에 따른 유도가열 또는 직가열 제조장치를 도시한 도면이다.
도 6은 증착과 도핑을 처리하기 위한 본 발명의 변형 실시예에 따른 유도가열 태양전지 제조장치를 도시한 도면이다.
도 7 내지 도 8은 본 발명에 따른 유도가열 또는 직가열 제조장치를 통하여 제조하는 태양전지 제조방법을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 유도가열 또는 직가열 제조장치를 통하여 제조된 태양전지 기본셀을 도시한 도면이다.
도 10 내지 도 11은 유도가열 또는 직가열 제조장치를 통하여 제조된 태양전지 단면도이다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 구성은 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도가열 또는 직가열 제조장치를 도시한 개략도이다.
도시된 바와 같은 유도가열 또는 직가열장치(100)는 외측에 코일(104)이 감긴 증착을 하기 위한 튜브형 챔버(106)가 준비된다. 튜브형상의 챔버는 진공 리키지(leakage)가 적은 장점이 있다. 따라서 높은 진공도를 적은량의 펌프로도 유지할 수 있고, 적은량의 가스를 사용해도 증착 또는 식각이 가능하기 때문에 제조원가가 낮아지는 장점이 있다. 또한, 일반적인 챔버를 통하여 롤러에 감긴 와이어에 증착 또는 식각을 진행할 시 에어커튼을 사용하게 되는데, 본 발명에 따른 튜브형 챔버(106)는 에어커튼이 불필요하다. 따라서 공정 시스템을 단순화 할 수 있다. 롤러(102)에 감긴 코일(104)이 진행하는 방향을 따라 형성되며, 재질은 석영 또는 쿼츠(quartz)를 사용한다. 또한 서스(SUS) 또는 알루미늄 합금도 가능하다. 전원공급원(114)은 코일(104)과 연결되어 있으며, 도시된 바와 같이 교류전원을 사용하거나 직류전원을 사용할 수 있다. 교류전원을 사용하게 되면 유도가열 플라즈마를 형성하게 되고, 직류전원을 사용하면 RTA(Rapid Thermal Annealing)방식과 같이 직가열로 챔버 내부의 온도가 올라가서 열플라즈마가 형성된다. 롤러(102)에 감긴 전도성 와이어(112)가 내부를 통과하도록 형성된 튜브형 챔버(106)의 외관을 따라 코일(104)이 감기는데, 전도성 와이어(112)가 들어가는 튜브형 챔버(106)의 입구측에 가스입구(108)가 형성되고, 출구측이며 가스입구(108)와 반대방향으로 도시된 바와 같이 가스출구(110)가 위치된다. 이유는, 플라즈마를 형성하여 도전성 와이어(112)외측에 반도체층을 증착하게 되는데, 이 때 챔버 내부에 가스의 잔류시간을 높여 보다 효율적인 증착을 유지하도록 하기 위함이다. 도 2는 가스입구(108)를 튜브형 챔버(106) 상부 중앙에 위치시키고 가스출구(110)를 양측 하단에 배치시킴으로써, 상술한 바와 같이 챔버 내부에 가스의 잔류시간을 높이는 또 다른 변형된 실시예이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 변형 실시예에 따른 유도가열 또는 직가열 제조장치를 도시한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 다수의 튜브형 챔버(106)는 일렬횡대로 늘어서도록 배치되고 외관을 따라 코일(104)을 감고 전원공급원(114)에 연결된다. 각각 다수의 롤러에 감긴 전도성 와이어(112)가 튜브형 챔버(106) 내부로 진입하면 가스입구(108)를 통하여 공정가스가 유입된다. 가스는 보론 또는 인을 사용하여 태양전지의 P층과 N층을 형성시킨다. 또는 실란가스를 사용하여 인트린직 실리콘층을 형성할 수도 있다. 가스출구(110)는 챔버에서 가스입구(108)와 가장 먼 지리적 위치에 위치한다.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 튜브형챔버(106)의 변형된 실시예로서, 다수의 튜브형 챔버를 늘어서도록 하는 대신 다수의 전도성 와이어(112)가 동일한 챔버내부로 들어갈 수 있도록 형성된 것이다. 도시되지는 않았으나, 챔버는 하나의 공간으로 구성될 수 있으나 챔버 내부에 다수의 전도성와이어(112)가 통과하는 다수의 튜브형 챔버(106)가 형성될 수 도 있다. 가스 입구(108)는 상부 중앙에 위치하고 가스출구(110)는 양측 하부에 위치한다. 또는 도 5에 도시된 바와 같이, 가스입구(108)는 일측상부에 위치하고, 가스출구(110)는 타측하부에 위치하여 가스가 가능한 챔버 내부에 오래 머무를 수 있도록 구성할 수 도 있다. 또한, 도시된 그림에서는 가스 입구(108)의 수가 가스출구(110)의 수와 같거나 또는 적으나 가스의 종류나 공정조건에 따라 가스 입구(108)의 수가 가스출구(110)의 수보다 많은 것이 바람직할 수 있다.
도 6은 증착과 도핑을 처리하기 위한 본 발명의 변형 실시예에 따른 유도가열 또는 직가열 제조장치를 도시한 도면이다.
전도성와이어를 이용한 태양전지는 제 1 전극으로 전도성와이어(112)를 사용하고 외곽을 따라 P타입 실리콘층, N타입 실리콘층을 차례로 적층시킨다. 이렇게 P타입 실리콘층과 N타입 실리콘층이 적층된 전도성와이어(112)를 원하는 형상으로 배열한 다음 N타입 실리콘층 상부에 전도성와이어 또는 실버페이스트 등과 같은 메탈 전극인 제 2 전극을 구성하면 태양전지가 제조된다. 상술한 바와 같은 태양전지를 제조하기 위하여 도시된 바와 같이, 먼저 롤러(102)에 감긴 전도성와이어(112)를 준비한다. 전도성와이어(112) 상부에 P타입과 N타입의 반도체층을 적층하기 위하여 도시된 바와 같이 서로 다른 튜브형챔버(106)를 준비한다. 이는 서로 다른 가스를 사용함으로써 인라인으로 태양전지를 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 서로 다른 가스를 사용함에 따라 각각 다른 공정후 부산물이 나오게 되는데, 이를 각각의 가스재생장치(116)에서 유해한 물질을 분해하여 배출하게 된다. 유도가열 또는 직가열을 통하여 증착하는 제조장치는 튜브형챔버(106)의 외관을 코일(104)이 감싸고 전원장치(114)와 연결된다. 유도가열을 통한 플라즈마를 형성할 시에는 전원장치는 교류로, 직가열 방식으로 전도성와이어(112)의 온도를 올릴 시에는 직류전원을 사용할 수 있다. 튜브형 챔버(106) 내부의 전도성 와이어(112)에 온도가 올라가고 내부에 가스입구(108)를 통하여 반응가스가 주입되면 플라즈마가 형성되어 반도체층을 적층하게 된다. 도 6에는 P타입 반도체층을 증착한 다음, N타입 반도체층을 증착하는 인라인 방식의 반도체층 적층 제조장치가 도시되어 있지만, PIN타입의 반도체층을 증착하는 3단계를 거치는 인라인 방식도 가능하다.
도 7 내지 도 8은 본 발명에 따른 유도가열 또는 직가열 제조장치를 통하여 제조하는 태양전지 제조방법을 도시한 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제1 전극을 준비하는 단계(S100)는 전도성와이어를 제 1 전극으로 사용하기 위하여 롤러에 감긴 전도성와이어를 튜브형 챔버에 로딩하는 단계를 포함한다. 다음으로, 튜브형 챔버에 삽입된 롤러에 감긴 전도성 와이어를 가열하는 단계(S110), 튜브형 챔버의 외관을 둘러싼 코일에 전원을 인가하는 단계(S120)를 거치게 되면 제1 전극의 상부에 증착이 된다. 도면에서는 실리콘을 증착하는 단계(S130)와 도핑하는 단계(S140)가 나뉘어 있으나 증착시에 도핑실리콘으로 증착할 수 도 있다. 다음으로 원하는 길이와 면적을 갖는 태양전지의 사이즈에 맞추어 제1 전극 상부에 형성된 반도체층을 일렬횡대로 늘어놓고, 실버페이스트로 각각의 분리된 반도체층이 적층된 전도성와이어를 웰딩하는 실버페이스트 웰딩하는 단계(S150)를 거친다. 이러한 단계를 거치게 되면 전도성와이어는 선형이지만, 면상구조를 갖는 태양전지의 형태를 제작할 수 있게 되는데, 마지막으로 태양전지의 제2 전극을 형성하는 단계(S160)를 거치고 봉지하는 단계(S170)까지 거치게 되면 태양전지가 제조된다. 제2 전극은 실버페이스트와 접촉하며, 제1 전극의 방향과 직교 또는 일방향이지 않은 것을 특징으로 한다. 봉지하는 것은 PET 필름을 고주파실링 방법으로 할 수 있다.
도 9는 본 발명에 따른 실버페이스트 웰딩 태양전지 기본셀을 도시한 사시도이다.
롤러에 감긴 메탈 와이어를 제 1 전극(112)으로 사용한 태양전지 기본셀은 다수의 메탈와이어로 이루어진다. 메탈와이어는 구리(Cu) 또는 티타늄(Ti)을 사용할 수 있다. 다음으로, 제 1 전극(112)의 표면에 증착된 다수의 반도체층이 형성된다. 다수의 반도체층은 도시된 바와 같이 P타입 실리콘층(120), N타입 실리콘층(124)으로 적층될 수 있고, 도시되지는 않았으나 P타입 실리콘층(120), 인트린직 실리콘층(122), N타입 실리콘층(124)이 차례로 적층될 수 도 있다. 다음으로, 각각의 반도체층이 적층된 메탈와이어를 이어붙여 태양전지 기본셀을 형성하는데, 각각의 N타입 실리콘층(124)은 실버페이스트(126)로 용접한다. 용접된 실버페이스트(126)는 제 1 전극(122)과 평행하며, 이러한 실버페이스트(126)와 접촉되고 제 1 전극(122)과 수직인 방향으로 제 2 전극(128)이 적층된다.
도 10내지 도 11은 본 발명에 따른 실버페이스트 웰딩 태양전지 단면도이다.
도시된 바와 같이, 전도성 물질이며, 와이어 형태의 제 1 전극(112)은 P타입 실리콘층(120)과 접촉하며 P타입 실리콘층(120)은 상부에 인트린직 실리콘층(122)을 포함하거나 또는 바로 N타입 실리콘층(124)을 적층할 수 있다. N타입 실리콘층(124)은 제 2 전극(128)과 접촉한다. 도시된 바와 같이 각각의 제 1 전극(112)의 둘레를 따라 적층된 N타입 실리콘층(124)은 각각 실버페이스트(126)로 용접된다. 따라서 사용되는 환경에 제약 없이 원하는 태양전지 사이즈를 제작할 수 있는 장점이 있다. 다음으로, 제 1 전극(112)의 방향을 가로지르는 방향으로 실버페이스트(126) 및 실버페이스트(126)로 각각 접합된 N타입 실리콘층(124)과 접촉하는 제 2 전극(128)이 상부에 적층된다. 제 1 전극(112)과 제 2 전극(128)이 서로 가로지르는 형상이므로, 본 발명에 따른 와이어 형상의 태양전지 집합체를 고정하는 역할을 함과 동시에 태양광을 흡수하는 개구부를 넓힐 수 있는 장점도 있다. 제 2 전극(128)은 전도성 물질로 제 1 전극(112)과 동일한 메탈와이어를 사용할 수 있으며, 또는 스크린 프린팅 방법으로 적층된 메탈층일 수도 있다. 상술한 바와 같이 제 2 전극(128)을 메탈와이어로 사용할 시에는 N타입 실리콘층(124)에 접촉하도록 실버페이스트(126) 웰딩하는 방법을 이용할 수 있다. 또는 실버페이스트(126)도 도전성을 갖기 때문에, 제 2 전극(128)을 실버페이스트(126)로 사용할 수 도 있다.
이상에서 설명된 본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
100 : 유도가열 또는 직가열장치 102 : 롤러
104 : 코일 106 : 튜브형 챔버
108 : 가스입구 110 : 가스출구
112 : 전도성와이어 114 : 전원공급원
116 : 가스 재생장치 120 : P 타입 실리콘층
122 : 인트린직 실리콘층 124 : N 타입 실리콘층
126 : 실버 페이스트 128 : 제 2 전극

Claims (11)

  1. 인라인으로 연결된 와인딩 와이어;
    상기 와인딩 와이어가 통과하고, 내부로 주입된 제 1 가스로 상기 와인딩 와이어 표면에 P타입 실리콘층을 증착하는 제 1 튜브형 챔버;
    상기 제 1 튜브형 챔버와 직렬로 연결되어, 상기 P타입 실리콘층이 증착된 와인딩 와이어가 통과하고, 내부로 주입된 제 2 가스로 상기 P타입 실리콘층이 증착된 와인딩 와이어 표면에 N타입 실리콘층을 증착하는 제 2 튜브형 챔버;
    상기 제 1 튜브형 챔버 및 상기 제 2 튜브형 챔버 일측에 각각 구비된 제 1 가스입구 및 제 2 가스입구;
    상기 제 1 튜브형 챔버 및 상기 제 2 튜브형 챔버 타측에 각각 구비되어, 상기 제 1 가스입구 및 상기 제 2 가스입구와 가장 먼 지리적 위치에 위치하는 제 1 가스출구 및 제 2 가스출구;
    상기 제 1 튜브형 챔버 및 상기 제 2 튜브형 챔버의 외관에 각각 권선되어, 상기 와인딩 와이어에 열을 인가하는 제 1 코일 및 제 2 코일; 및
    상기 제 1 코일 및 상기 제 2 코일에 전기적 에너지를 공급하는 전원공급원을 포함하는 것을 특징으로 하는 가열 제조장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제 1 튜브형 챔버와 상기 제 2 튜브형 챔버 사이에 직렬로 연결되어, 인트란직 실리콘층을 증착하는 제 3 튜브형 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가열 제조장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 전원공급원은 직류 또는 교류를 포함하는 것을 특징으로 하는 가열 제조장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 가스로 증착을 실시한 후 형성된 공정부산물을 처리하기 위한 제 1 가스 재생장치; 및
    상기 제 2 가스로 증착을 실시한 후 형성된 공정부산물을 처리하기 위한 제 2 가스 재생장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가열 제조장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제 1 튜브형 챔버 및 상기 제 2 튜브형 챔버는,
    상기 와인딩 와이어가 통과하는 다수의 관로를 포함하는 것을 특징으로 하는 가열 제조장치.
  6. 삭제
  7. 다수의 제1 전극을 준비하는 단계;
    제 1 코일 및 제 2 코일로 각각 권선되고, 서로 직렬로 연결된 제 1 튜브형 챔버와 제 2 튜브형 챔버 내로 상기 제 1 전극을 로딩하는 단계;
    상기 제 1 코일에 전원을 인가하여 상기 제 1 튜브형 챔버를 통해 상기 제 1 전극 표면에 P타입 실리콘층을 증착하고, 상기 제 2 코일에 전원을 인가하여 상기 제 2 튜브형 챔버를 통해 상기 P타입 실리콘층이 증착된 제 1 전극 표면에 N타입 실리콘층을 증착하는 단계;
    상기 P타입 실리콘층과 상기 N타입 실리콘층이 순차적으로 형성된 제1 전극을 실버페이스트로 웰딩하는 단계;
    상기 웰딩된 실버페이스트와 일부 접촉하며 상기 제1 전극과 교차하도록 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 전극까지 형성된 태양전지를 봉지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가열 제조장치를 이용한 태양전지 제조방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 전원을 인가하여 실리콘층을 증착하는 단계는 가열하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 가열 제조장치를 이용한 태양전지 제조방법.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 실리콘층은 인트린직 실리콘층 또는 도핑 실리콘층인 것을 특징으로 하는 가열 제조장치를 이용한 태양전지 제조방법.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 티타늄, 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 가열 제조장치를 이용한 태양전지 제조방법.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 전원은 교류 또는 직류인 것을 특징으로 하는 가열 제조장치를 이용한 태양전지 제조방법.
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