KR101789110B1 - 미세 파이프 제조방법 및 이에 의해 제조된 미세 파이프 - Google Patents

미세 파이프 제조방법 및 이에 의해 제조된 미세 파이프 Download PDF

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Abstract

본 발명은 미세 파이프 제조방법 및 이에 의해 제조된 미세 파이프에 관한 것으로서, (A) 미세 파이프의 구조를 갖게 하기 위한 베이스부재로서 금속재 또는 합성수지재의 선형 소재를 구비하는 단계; (B) 상기 소재의 오염원 제거 및 미세 파이프의 형성을 위한 도금 처리시 도금물질의 균일증착을 위해 표면을 세정하는 단계; (C) 상기 소재에 전기도금 또는 무전해도금을 실시하거나 무전해도금과 전기도금을 혼합 실시하는 공정을 통해 소재의 표면으로 금속 도금층을 형성하되, 단층도금 또는 다층도금을 실시하는 단계; (D) 상기 (C)단계를 거친 결과물을 소재용해용 분리수용액에 침적시켜 베이스부재인 소재만을 용해시킴에 의해 도금층을 분리해냄으로써 금속성의 미세 파이프를 제조하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 미세 제조방법과, 이러한 제조방법에 의해 단층도금 구조로 형성되거나 또는 다층도금 구조로 형성되는 파이프 형상의 몸체로서, 0.01mm ~ 1cm의 길이와 0.1㎛ ~ 1cm의 두께로 형성되는 미세 파이프를 특징으로 한다.

Description

미세 파이프 제조방법 및 이에 의해 제조된 미세 파이프{METHOD FOR MANUFACTURING MINUTE PIPE AND MINUTE PIPE MANUFACTURED BY THIS METHOD}
본 발명은 미세 파이프 제조방법 및 이에 의해 제조된 미세 파이프에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 미세한 규격의 금속 파이프를 도금공정을 이용하여 제조할 수 있도록 하고, 다양한 크기와 두께 및 다양한 금속 소재로 제조할 수 있도록 하며, 각종 산업분야에서 다양하게 사용할 수 있는 미세 파이프를 제조할 수 있도록 한 새로운 구성의 미세 파이프 제조방법 및 이에 의해 제조된 미세 파이프에 관한 것이다.
종래 금속 소재의 파이프를 제조하기 위한 방법에는 크게 3가지 방법이 사용되고 있는데, 회전하는 거푸집에 끓는 쇳물을 부어 주물을 만드는 원심 주조가 가장 많이 쓰이고 있으며, 연철 파이프는 이러한 원심 주조방식으로 제조된다.
이러한 종래 금속 소재의 파이프는 주로 강(steel) 소재로 이루어지고 있는데, 1970년대 이후에는 이음매가 없는 심레스(seamless) 파이프를 대체하여 용접을 이용한 용접 파이프가 만들어지고 있다.
보통 큰 지름(25cm 이상)의 파이프는 전기저항용접(ERW; Electric Resistance Welded) 방식과 전기융해용접(EFW; Electric Fusion Welded) 방식 및 서브머지드 아크용접(SAW; Submerged Arc Welded) 방식 등을 사용하여 제조하고 있으며, 이보다 더 큰 사이즈의 파이프 제조에는 LSAW(Longitudinal Submerged Arc Welded) 방식 및 SSAW(Spiral Submerged Arc Welded) 방식 등이 사용되고 있다.
하지만, 종래 금속 파이프의 제조에 있어서는 파이프를 구성하는 금속 성분에 제한이 있는 단점이 있었고, 파이프의 내경의 크기와 두께를 조절하는데 많은 어려움과 비용이 소요되고 있으며, 특히 파이프의 크기를 초소형으로 하여 제조하는 데에는 거의 불가능하다.
한편, 금속 소재의 파이프는 최근 전기전자분야에도 많이 활용되고 있는데, 일반적인 파이프 보다는 그 크기가 매우 작은 형태의 미세 파이프가 적용되고 있다.
예를 들면, 상기 미세 파이프는 회로기판의 패턴이나 반도체소자 등의 전기적 특성을 검사하기 위한 BBT(Bare Board Test) 검사기 등을 포함하는 테스트장치의 포고핀(Pogo Pin) 제조에 사용되고 있다.
도 1은 종래 포고핀의 구조를 설명하기 위해 나타낸 일 예시도로서, 반도체패키지의 외부단자와 PCB 상의 회로패턴 사이를 연결하는 수단으로 포고핀을 사용한 예를 나타내었으며, 도시한 바와 같이 포고핀(6)은 금속체의 파이프 구조로 된 관체 상의 케이싱(11)과; 상기 케이싱(11)의 상측에 결합되어 반도체패키지(3)의 외부단자(3a)에 접촉되는 금속체로 된 상부 핀(12)과; 상기 케이싱(11)의 하측에 결합되어 PCB(5)의 회로패턴(5a)에 접촉되는 금속체로 된 하부 핀(13)과; 상기 상부 핀(12)에 상단부가 접촉되고 하부 핀(13)에 하단부가 접촉되도록 상기 케이싱(11)의 내부에 배치되고 전기적 특성 검사시 상부 핀(12)이 반도체패키지(3)의 외부단자(3a)에 접촉되고 하부 핀(13)이 PCB(5)의 회로패턴(5a)에 접촉될 때 탄력적으로 접촉될 수 있도록 하기 위한 스프링(14);으로 구성된다.
이러한 구성의 포고핀(6)은 다수가 조밀한 간격으로 배열되고, 포고핀들은 변형이나 외부의 물리적인 충격으로부터 보호하기 위해 절연체(1)에 의해 지지되도록 구비되며, 회로기판이나 반도체소자 등의 전기적 특성을 검사하는데 사용된다.
하지만, 이와 같은 포고핀 등의 케이싱으로 사용되는 파이프 구조의 관체는 미세한 크기를 갖는 것으로서, 현재 초정밀 드릴링 가공을 통해 제조하여 사용하고 있으나 내경의 크기를 줄이는데 기술적 한계에 도달하고 있으며, 업계에서는 전자기기의 고성능 및 기능 확대와 초소형 및 슬림화를 구현하기 위한 노력들을 강구하고 있다.
이에, 입출력 정보라인 및 접속을 위한 핀 수도 급격히 증가하고 있고, 배선을 위한 회로패턴의 폭과 간격을 줄이는 등 미세화를 추진하고 있는 추세이므로 전기적 특성 검사를 위한 포고핀의 접촉핀이 더욱 가늘어질 수밖에 없으며, 이를 위해 케이싱의 내경을 축소하는 등 미세화를 구현해야 하는 문제점이 대두되고 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2004-0068842호
본 발명은 상술한 문제점 등을 개선 및 이를 감안하여 안출된 것으로서, 미세한 규격의 금속 파이프를 도금공정을 이용하여 제조할 수 있도록 하고, 다양한 크기와 두께 및 다양한 금속 소재로 제조할 수 있도록 하며, 각종 산업분야에서 다양하게 사용할 수 있는 미세 파이프를 제조할 수 있도록 한 새로운 구성의 미세 파이프 제조방법 및 이에 의해 제조된 미세 파이프를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 내외경의 크기와 두께를 조절하여 제조할 수 있도록 하되 회로패턴이나 반도체소자 등의 미세화에 따른 전기적 특성 검사에 적합한 금속 소재의 미세 파이프를 제조할 수 있도록 하며, 다양한 금속 성분을 갖는 미세 파이프의 제조를 통해 다양한 분야에 적용할 수 있도록 하는 등 응용분야를 확대할 수 있도록 한 미세 파이프 제조방법 및 이에 의해 제조된 미세 파이프를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 내경 평탄도를 높여 제조할 수 있도록 함으로써 제조품질과 내구성을 향상시킬 수 있도록 함은 물론 사용 수명을 연장시킬 수 있도록 한 미세 파이프 제조방법 및 이에 의해 제조된 미세 파이프를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 미세 파이프의 제조방법은, (A) 미세 파이프의 구조를 갖게 하기 위한 베이스부재로서 금속재 또는 합성수지재의 선형 소재를 구비하는 단계; (B) 상기 소재의 오염원 제거 및 미세 파이프의 형성을 위한 도금 처리시 도금물질의 균일증착을 위해 표면을 세정하는 단계; (C) 상기 소재에 전기도금 또는 무전해도금을 실시하거나 무전해도금과 전기도금을 혼합 실시하는 공정을 통해 소재의 표면으로 금속 도금층을 형성하되, 단층도금 또는 다층도금을 실시하는 단계; (D) 상기 (C)단계를 거친 결과물을 소재용해용 분리수용액에 침적시켜 베이스부재인 소재만을 용해시킴에 의해 소재를 분리하고 도금층만을 남김으로써 금속성의 미세 파이프를 제조하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 구성상의 기본 특징으로 한다.
여기에서, (B1) 상기 (B)단계와 (C)단계의 사이에 개재되어 실시될 수 있으며, 소재 표면에 금속촉매를 부여하여 도금효율을 높일 수 있도록 하기 위한 공정으로서, 소재의 표면에 금속촉매를 전처리 및 분포시킴으로써 활성화 처리하는 활성단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 (B1)단계에서는, 상기 소재에 대해 팔라듐(Pd2+)과 주석(Sn2+) 및 염소 이온에서 만들어진 콜로이드 분자를 산성용액에 혼합시킨 Pd/Sn 콜로이드 촉매부여액에 침적시킴에 의해 콜로이드 분자인 팔라듐(Pd)과 주석(Sn)을 소재 표면에 부착시킴으로써 금속촉매를 전처리하여 금속촉매에 의한 활성화 경향을 갖게 하기 위한 제1 활성화단계; 상기 제1 활성화단계를 거친 소재에 대해 염화팔라듐(PdCl2·2H2O) 용액을 산성용액에 혼합시킨 활성화용액에 침적시킴에 의해 소재 표면에 부착된 주석(Sn)의 환원작용으로 팔라듐(Pd) 금속을 석출 및 소재 표면에 분포시킴으로써 무전해도금이 가능하도록 금속촉매를 부여하기 위한 제2 활성화단계; 로 나누어 실시하는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 제1 활성화단계에서는, 상기 Pd/Sn 콜로이드 촉매부여액에 대해 산성용액에 팔라듐 10∼500ppm과 주석 1∼50g/L을 포함되게 조성하고, 이에 소재를 침적시키되 10∼50℃의 온도 조건에서 1~10분 동안 침적 처리하며; 상기 제2 활성화단계에서는, 상기 활성화용액에 대해 산성용액 1~5ml/L에 염화팔라듐(PdCl2·2H2O) 0.2~1.0g/L을 포함되게 조성하고, 이에 소재를 침적시키되 2.5~3.5 pH 조건과 20~30℃의 온도 조건에서 1~3분 동안 침적 처리하는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 (A)단계에서 구비되는 베이스부재로서의 소재는, 금속재인 경우, Mg, Al, Cr, Zn, Nb, Sn 중에서 선택된 어느 1종 또는 2가지 이상이 합금된 상태의 소재이며; 합성수지재인 경우, polycarbonate, polypropylene, nylon, polyacetal, polysulfone, noryl, ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene), PVC(poly vinyl chloride), SAN(styrene acrylonitrile copolymer), PMMA(polymethyl methacrylate), styrene계(PS, GPPS, HIPS), polyethylene, polyamide 중에서 선택된 어느 1종 또는 2가지 이상이 합성된 상태의 소재인 것을 특징으로 한다.
기타, 여러 가지 제조방법을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 미세 파이프는, 상기한 제조방법에 의해 단층도금 구조로 형성되거나 또는 다층도금 구조로 형성되는 파이프 형상의 몸체로서, 0.01mm ~ 1cm의 길이와 0.1㎛ ~ 1cm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 미세한 규격의 금속 파이프를 도금공정을 이용하여 용이하게 제조할 수 있고, 특히 다양한 크기와 두께 및 다양한 금속 소재로 파이프를 제조할 수 있어 아주 미세함을 요구하는 전기전자분야 및 반도체분야를 비롯하여 각종 산업분야에서 요구되는 미세 파이프를 제조하여 공급할 수 있는 유용한 효과를 달성할 수 있다.
본 발명은 드릴 등의 기계적 가공으로 제조할 수 없는 미세 규격의 파이프를 용이하게 제조할 수 있고, 내외경의 크기와 두께를 자유롭게 조절하여 제조할 수 있으며, 특히 회로패턴이나 반도체소자 등의 미세화에 따른 전기적 특성 검사에 적합한 금속 소재의 미세 파이프를 용이하게 제조할 수 있음은 물론 다양한 금속 성분을 갖는 미세 파이프의 제조를 통해 다양한 분야에 적용할 수 있게 하는 등 응용분야를 확대시킬 수 있는 유용한 효과를 달성할 수 있다.
본 발명은 BBT 검사기용 포고핀 등에 사용되는 관체 구조의 미세 파이프를 용이하게 제조할 수 있는 유용함을 달성할 수 있으며, 내경 평탄도를 높여 제조할 수 있어 제조품질과 내구성을 향상시킬 수 있음은 물론 사용 수명을 연장시킬 수 있는 유용함을 달성할 수 있다.
도 1은 미세 파이프가 적용되는 종래 포고핀의 구조를 나타낸 일 예시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 미세 파이프 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 미세 파이프 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 미세 파이프 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 미세 파이프 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 미세 파이프 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7은 본 발명에 따른 미세 파이프 제조방법을 설명하기 위해 나타낸 개략적 공정도이다.
도 8은 본 발명에 따른 릴투릴 설비를 이용한 미세 파이프 제조방법을 설명하기 위해 나타낸 개략적 설비 구성도이다.
도 9는 본 발명에 따른 릴투릴 설비를 이용한 미세 파이프 제조방법을 설명하기 위해 나타낸 도금조의 단면 구성도이다.
도 10은 본 발명에 따른 미세 파이프 제조방법에 의해 제조된 미세 파이프를 나타낸 현미경 사진이다.
본 발명에 대해 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같으며, 이와 같은 상세한 설명을 통해서 본 발명의 목적과 구성 및 그에 따른 특징들을 보다 잘 이해할 수 있게 될 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 미세 파이프(100)는 주로 회로기판의 패턴이나 반도체소자 등의 전기적 특성을 검사하기 위한 테스트장치의 포고핀(Pogo Pin)용 케이싱 몸체로 사용하기 위한 구성이나, 이러한 미세 규격의 관체가 요구되는 기타 다양한 분야에 적용할 수 있다 할 것이다.
이러한 미세 파이프(100)를 제조하기 위한 본 발명에 따른 미세 파이프 제조방법은 도 2 내지 도 7에 나타낸 바와 같이, 미세 파이프의 구조를 갖게 하기 위한 베이스부재로서 금속재 또는 합성수지재의 선형 소재를 구비한다(S10).
이때, 상기 베이스부재로 구비되는 소재는 도 7의 (a)에서 보여주는 바와 같이, 선형 소재(1)로서, 원형이 바람직하나 때로는 필요에 따라 사각형을 비롯한 다각형 몸체로 구비할 수 있다 할 것이다.
상기 소재는 금속재인 경우, Mg, Al, Cr, Zn, Nb, Sn 중에서 선택된 어느 1종 또는 2가지 이상이 합금된 금속재로 구성할 수 있다.
또한, 합성수지재인 경우에는, polycarbonate(PC), polypropylene(PP), nylon, polyacetal, polysulfone, noryl, ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene), PVC(poly vinyl chloride), SAN(styrene acrylonitrile copolymer), PMMA(polymethyl methacrylate), styrene계(PS, GPPS, HIPS), polyethylene(PE), polyamide(PA) 중에서 선택된 어느 1종 또는 2가지 이상이 합성된 합성수지재로 구성할 수 있다.
여기에서, 상기 베이스부재로 구비되는 금속재 또는 합성수지재 소재는 0.01mm ~ 1m의 길이와, 0.01mm ~ 1cm의 지름을 갖는 선형 소재로 구비할 수 있으며, 원하는 길이를 위해 도금층 형성 이후에 절단작업이 이루어질 수 있다.
여기에서, 상기 베이스부재로 구비되는 선형 소재는 그 길이에 따라 지그나 래크 등에 고정한 다음에 후공정들을 실시할 수 있다.
때로는, 도 8 및 도 9에 나타낸 예시에서와 같이, 릴투릴 설비를 이용하여 선형 소재를 릴에 감아 연속 공정으로 미세 파이프 제조를 위한 여러 공정들을 실시할 수도 있다 할 것이며, 이때에는 소재의 길이 제한 없이 공정을 실시할 수 있는 장점을 제공할 수 있다.
상기 금속재 또는 합성수지재 소재에 대해 오염원 제거 및 미세 파이프의 형성을 위한 도금 처리시 도금물질의 균일증착을 수행할 수 있도록 하기 위하여 소재 표면을 세정 처리한다(S20).
이때, 상기 세정단계는 탈지 처리하는 공정을 실시하는 것으로서, 구비하는 소재에 따라 초음파침적탈지만을 실시하거나 또는 초음파침적탈지와 전해탈지를 연속하여 혼합 실시하는 공정을 실시할 수 있다.
여기에서, 상기 초음파침적탈지는 가성나트륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 인산나트륨, 시안화나트륨, 계면활성제 중에서 어느 1종 또는 2가지 이상이 용해된 알칼리탈지액 35~65g/L에 소재를 침적하되 초음파 발진을 갖는 조건과 45~65℃의 온도 조건에서 1~5분 동안 탈지 처리함이 바람직하다.
이때, 상기 알칼리탈지액은 강한 탈지 작용을 위해 pH 수치를 크게 하는 것이 좋다 할 수 있으나 구비되는 소재에 따라 알칼리에 침식당할 수 있기 때문에 pH를 적절하게 조절하여 사용하는 것이 좋다 할 것이다.
여기에서, 상기 전해탈지는 시안화나트륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 중탄산나트륨, 정규산나트륨, 제3인산나트륨, 계면활성제 중에서 어느 1종 또는 2가지 이상이 용해된 전해탈지액 0.1~150g/L에 소재를 침적하되, 전류밀도 2~10A/dm2와 40~60℃의 온도 조건에서 1~5분 동안 음극 또는 양극 전해하여 탈지 처리함이 바람직하다.
이때, 전류밀도에 대해서는 음극 탈지시 5~10A/dm2, 양극 탈지시 2~5A/dm2가 바람직하다 할 것이다.
또한, 상기 전해탈지액에 사용되는 각 성분들은 구비되는 소재 및 그 특성에 따라 조성되는 량을 달리하여 사용한다 할 것이다.
상기 세정단계를 거친 소재에 전기도금 또는 무전해도금을 실시하거나 또는 무전해도금과 전기도금을 혼합 실시하는 공정을 통해 소재의 표면으로 금속 도금층을 형성하되, 단층도금 또는 다층도금을 실시한다(S30).
여기에서, 무전해도금과 전기도금을 함께 할 경우에는 무전해도금을 먼저 실시하고 외부마감층 형성을 위해 전기도금을 수행함이 바람직한데, 이는 다량의 제품을 고정하여 다수 제품을 도금할 시 각 제품들의 고정된 위치에 따라 도금조 내에 흐르는 전류량 차이로 인해 도금 두께 규격이 일정하지 않게 되는 것을 방지하기 위함이며, 이를 위해 도금두께가 일정하게 되도록 무전해도금을 먼저 실시하고 표면거칠기에서 유리한 전기도금을 나중에 수행하여 표면을 마감처리 하도록 함이 바람직하다.
여기에서, 무전해도금으로만 실시할 경우에는 상술한 무전해도금과 전기도금을 함께하는 공정에 비해 공정수를 줄일 수 있고 다량 생산시에 도금 두께의 규격 균일도를 높일 수 있으며, 전기도금에 비해 약하기는 하나 유용한 도금 평탄도를 맞출 수 있다.
이때, 포고핀의 케이싱 등에 적용할 미세 파이프의 제조시에는 내부 스프링이 내입되는 부분의 매끈함을 위해 평탄도를 유지함이 바람직한데, 베이스부재가 갖는 소재의 평탄도와 도금 전처리 공정을 통해 유용한 수준의 도금 평탄도를 만들어낼 수 있다.
또한, 전기도금으로만 실시할 경우에는 한 번에 소량을 생산하는 경우나 도금조 내에서 도금 처리시 공정수를 줄일 수 있다.
나아가, 상기의 도금을 실시하는 경우에는 릴투릴 도금설비를 사용하여 도금 두께를 균일하게 하면서 연속적인 제조생산을 이끌어낼 수도 있다 할 것이다.
상술한 구성에서, 상기 도금단계에서는 상기 소재의 표면에 Cu, Ni, Cr, Sn, Zn, Au, Ag, Rh, Pt, Pd, Ti, Co, Cd, V, Nb, Mo, W, Hf 중에서 선택된 어느 1종을 석출하거나 2가지 이상을 동시 석출시켜 도금층을 형성할 수 있으며, 하나의 금속물질을 단층으로 도금하여 단층도금층을 형성할 수 있고, 때로는 필요에 따라 서로 다른 성분을 갖는 다수의 금속물질을 다층으로 연속 도금하여 다층도금층을 형성할 수 있다.
이때, 상기 도금층은 단층도금 또는 다층도금에 따라 0.1㎛ ~ 1cm의 두께로 형성할 수 있으며, 내경과 외경의 사이즈를 사용자 요구 및 필요에 따라 조절하여 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 도금층에 있어서는 Cu, Ni, Cr, Sn, Zn, Au, Ag, Rh, Pt, Pd, Ti, Co, Cd, V, Nb, Mo, W, Hf 중에서 선택된 어느 1종을 석출하거나 2가지 이상을 동시 석출시켜 소재의 표면에 단층도금층을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 도금층에 있어서는 소재의 표면에 금도금→제1니켈도금→동도금→제2니켈도금→금도금 또는 은도금의 순서로 다층 도금하여 다층도금층을 형성할 수 있으며, 사용자의 요구 또는 필요에 따라 2층 이상의 다층도금층을 다양하게 형성할 수 있다.
부연하여, 상기 도금층은 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 구비되는 소재(1)의 외표면에 단층(2)으로 형성할 수 있고, 다층(2)(3)(4) 구조로 형성할 수도 있다.
이에 따라, 본 발명에서는 적용분야에 아주 적합한 용도로 사용할 수 있는 다양한 두께 및 다양한 금속층으로 소재의 표면에 도금할 수 있으며, 또한 도금을 이용하여 파이프의 형상을 갖게 하므로 내외경의 크기를 원하는 형태로 조절하여 형성할 수 있는 등 많은 장점을 제공할 수 있다.
상기 도금단계까지 거친 결과물(소재에 도금층을 형성시킨 결과물)을 소재용해용 분리수용액에 침적시켜 베이스부재인 소재만을 용해 또는 산화, 부식 등의 알려진 방법으로 분해시킴에 의해 소재를 분리하고 도금층만을 남김으로써 금속성의 미세 파이프를 제조한다(S40).
여기에서, 상기 소재 분리단계(S40)에서는 상기 소재가 금속재인 경우, NaOH이 1~500g/L 용해된 용액, HCl 1~100% 용액, H2SO4 1~100% 용액 중에서 어느 1종을 선택하여 소재용해용 분리수용액으로 사용함이 바람직하며, 상기 소재용해용 분리수용액에 소재를 침적 처리함에 의해 소재만을 녹여 도금층을 분리해낸다.
이때에는 초음파 발진을 통해 소재용해용 분리수용액의 침투효과를 높일 수 있도록 하며, 20~90℃의 온도 조건에서 소재가 녹을 때까지 실시한다.
예를 들어, 소재가 알루미늄(Al)인 경우에는 NaOH 용액을 사용하고, 아연(Zn)인 경우에는 HCl 용액 또는 H2SO4 용액을 사용할 수 있다.
또한, 상기 소재 분리단계(S40)에서는 상기 소재가 합성수지재인 경우, 20~50% 농도의 KOH 또는 NaOH 용액, 20~50% NaOH에 5~50% 에탄올을 혼합한 용액, 개미산(formic acid) 10~100% 용액 중에서 어느 1종을 선택하여 소재용해용 분리수용액으로 사용함이 바람직하며, 상기 소재용해용 분리수용액에 소재를 침적 처리함에 의해 소재만을 녹여 도금층을 분리해낸다.
이때에는 초음파 발진을 통해 소재용해용 분리수용액의 침투효과를 높일 수 있도록 하며, 20~90℃의 온도 조건에서 소재가 녹을 때까지 실시한다.
예를 들어, 소재가 Polycarbonate, Polyethylene인 경우에는 KOH 용액이나 NaOH 용액 또는 NaOH와 에탄올을 혼합한 용액을 사용할 수 있으며, Polyamide인 경우에는 개미산(formic acid)을 사용할 수 있다.
즉, 상기 소재 분리단계(S40)를 통해서는 도 7의 (c)에 나타낸 바와 같이, 단층 또는 다층에 의한 두께를 갖되 내외경의 두께를 조절하여 형성할 수 있는 관체의 미세 파이프(100)를 제조할 수 있다.
여기에서, 상기 베이스부재인 소재만을 용해시킴에 의해 소재를 분리하고 도금층만을 남긴 다음에 소재 길이에 따라 절단공정을 거쳐 필요 길이를 맞춤으로써 금속성의 미세 파이프를 제조할 수 있다 할 것이다.
나아가, 본 발명에서는 구비되는 소재의 종류 및 성분에 따라 상기 도금단계(S30)에 있어서의 도금효율을 높일 수 있도록 하기 위한 공정으로서, 상기 세정단계(S20)와 상기 도금단계(S30)와의 사이에 소재의 표면을 활성화 처리하는 활성단계(S22)를 실시할 수 있으며, 소재의 표면 전체에 걸쳐 균일한 금속층을 형성시킬 수 있어 제조되는 미세 파이프의 내경 평탄도를 높일 수 있고 이를 통해 미세 파이프의 제조품질 및 내구성을 향상시킬 수 있다.
여기에서, 상기 활성단계(S22)는 상기 세정단계(S20)와 상기 도금단계(S30)와의 사이에 개재하여 실시할 수 있는 공정으로서, 제1 활성화단계(S22A)와 제2 활성화단계(S22B)로 나누어 실시할 수 있다.
여기에서, 상기 제1 활성화단계(S22A)는 상기 소재에 대해 팔라듐(Pd2+)과 주석(Sn2+) 및 염소 이온에서 만들어진 콜로이드 분자를 염산을 비롯한 산성용액에 혼합시킨 Pd/Sn 콜로이드 촉매부여액에 침적시킴에 의해 콜로이드 분자인 팔라듐(Pd)과 주석(Sn)을 소재 표면에 부착시킴으로써 금속촉매를 전처리하여 금속촉매에 의한 활성화 경향을 갖게 하기 위한 공정이다.
여기에서, 상기 산성용액은 염산뿐만 아니라 황산, 질산, 아세트산, 타르타르산 등이 사용될 수 있다.
이때, 상기 제1 활성화단계에서는 상기 Pd/Sn 콜로이드 촉매부여액에 대해 염산 등의 산성용액에 팔라듐 10∼500ppm과 주석 1∼50g/L을 포함되게 조성하고, 이에 소재를 침적시키되 10∼50℃의 온도 조건에서 1~10분 동안 침적 처리함이 바람직하다.
더욱 바람직하게는 팔라듐 150~300ppm과 주석 10~30g/L을 포함되게 조성하고, 25∼45℃의 온도 조건에서 2~5분 동안 처리하는 좋다.
여기에서, 상기 제2 활성화단계(S22B)는 상기 제1 활성화단계를 거친 소재에 대해 염화팔라듐(PdCl2·2H2O) 용액을 염산을 비롯한 산성용액에 혼합시킨 활성화용액에 침적시킴에 의해 소재 표면에 부착된 주석(Sn)의 환원작용으로 팔라듐(Pd) 금속을 석출 및 소재 표면에 분포시킴으로써 무전해도금이 가능하도록 금속촉매를 부여하기 위한 공정이다.
여기에서도, 상기 산성용액은 염산뿐만 아니라 황산, 질산, 아세트산, 타르타르산 등이 사용될 수 있다.
이때, 상기 제2 활성화단계에서는 상기 활성화용액에 대해 염산 등의 산성용액 1~5ml/L에 염화팔라듐(PdCl2·2H2O) 0.2~1.0g/L을 포함되게 조성하고, 이에 소재를 침적시키되 2.5~3.5 pH 조건과 20~30℃의 온도 조건에서 1~3분 동안 침적 처리하는 것이 바람직하다.
나아가, 본 발명에서는 구비되는 소재의 종류 및 성분에 따라 상기 도금단계(S30)에 있어서의 도금효율을 높일 수 있도록 하기 위한 공정으로서, 상기 베이스부재로서 구비되는 소재가 알루미늄(Al)인 경우, 상기 세정단계(S20)와 상기 도금단계(S30)와의 사이에 에칭(Etching) 공정과 징케이트(Zincate) 공정을 연속하여 실시하는 도금전처리단계(S24)를 수행할 수 있으며, 상기 세정단계(S20)와 상기 도금단계(S30)와의 사이에 개재하여 실시할 수 있다.
여기에서, 상기 도금전처리단계(S24)의 에칭 공정은 알루미늄(Al) 소재의 표면을 부식시켜 소재와 징케이트 처리에 의해 형성되는 산화피막 사이의 밀착성을 향상시키기 위한 공정이다.
이때, 상기 에칭 공정은 NaOH 5~100g/L에 알루미늄(Al) 소재를 침적시키되, 20~60℃의 온도 조건에서 30초~1분 동안 처리함으로써 알루미늄(Al) 소재 표면을 부식시킴이 바람직하다.
또한, 상기 징케이트 공정은 상기 에칭공정 후 알루미늄(Al) 소재를 징케이트 처리액에 침적시켜 소재의 표면에 산화피막을 형성하기 위한 공정으로서, 알루미늄 표면에 형성되는 산화막을 용해하여 아연 등의 산화피막을 형성시켜 밀착 저해요인을 제거하기 위한 공정이다.
이때, 징케이트 공정은 ATOTECH社의 Alumseal W-2000을 550ml/L 용량으로 물과 희석하여 사용하되 상온(20~30℃)에서 30초~90초 동안 처리함이 바람직하다.
나아가, 본 발명에서는 구비되는 소재의 종류 및 성분에 따라 상기 도금단계(S30)에 있어서의 도금효율을 높일 수 있도록 하기 위한 공정으로서, 상기 베이스부재로서 구비되는 소재가 아연(Zn)인 경우 상기 세정단계(S20)와 상기 도금단계(S30)와의 사이에 동도금을 형성하는 동도금단계(S26)를 실시할 수 있다.
여기에서, 상기 동도금단계(S26)는 상기 세정단계(S20)와 상기 도금단계(S30)와의 사이에 개재되어 실시될 수 있으며, 아연(Zn) 소재의 표면에 동도금을 형성하는 공정이다.
더불어, 본 발명에서는 구비되는 소재의 종류에 따라 상기 도금단계(S30)에 있어서의 도금효율은 물론 제조되는 미세 파이프의 내경 평탄도를 높일 수 있도록 하기 위한 공정으로서, 상기 세정단계(S20)와 상기 도금단계(S30)와의 사이에 개재하여 실시할 수 있으며, 소재의 표면에 물리기상증착(PVD) 또는 화학기상증착(CVD)에 의한 금속 증착을 실시하는 증착단계(S28)를 실시할 수 있다.
여기에서, 상기 증착단계(S28)는 도금 전처리 단계로서 소재의 표면 전체에 걸쳐 균일한 증착층을 형성시킬 수 있어 제조되는 미세 파이프의 내경 평탄도를 높일 수 있으며, 이는 제조되는 미세 파이프의 제조품질 및 내구성을 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 활성단계(S22), 에칭과 징케이트를 실시하는 도금 전처리단계(S24), 동도금단계(S26), 증착단계(S28) 등을 선택적으로 실시함으로써 도금단계(S30)에서의 도금효율을 높일 수 있으며, 제조되는 미세 파이프의 내경 평탄도를 높이는 작업을 실시할 수 있는데, 이러한 단계가 접목되어 제조되는 미세 파이프에 대해 회로기판의 패턴이나 반도체소자 등의 전기적 특성을 검사하기 위한 BBT(Bare Board Test) 검사기 등을 포함하는 테스트장치의 포고핀(Pogo Pin)용 케이싱(금속 관체)으로 사용하면 우수한 내경 평탄도에 의해 핀 동작에 관여하는 스프링의 탄성작용력을 저해하지 않게 되므로 전체적으로 검사효율을 높일 수 있으면서 포고핀의 사용 수명을 높일 수 있는 장점을 제공할 수 있다.
나아가, 본 발명에서는 릴투릴 설비를 이용한 연속 공정으로 상술한 제조방법의 공정들을 실시할 수 있는데, 소재 구비단계(S10), 세정단계(S20), 활성단계(S22), 도금 전처리단계(S24), 동도금단계(S26), 도금단계(S30), 소재 분리단계(S40)를 구비되는 소재의 종류에 따라 선택적으로 실시 및 연속 공정으로 실시할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 미세 파이프 제조방법에 있어 실시예를 들어 설명하면 다음과 같다.
(실시예 1)
소재를 알루미늄으로 구비하고 이에 무전해도금을 이용하여 단층도금을 실시하는 경우, 아래의 단계를 거쳐 미세 파이프를 제조할 수 있다.
알루미늄 소재 구비단계→세정단계(초음파침적탈지)→도금전처리단계(에칭과 징케이트)→도금단계(무전해도금, 단층도금)→소재 분리단계로 순차 처리한다.
(실시예 2)
소재를 아연으로 구비하고 이에 전기도금을 이용하여 단층도금을 실시하는 경우, 아래의 단계를 거쳐 미세 파이프를 제조할 수 있다.
아연 소재 구비단계→세정단계(초음파침적탈지와 전해탈지)→동도금단계→도금단계(전기도금, 단층도금)→소재 분리단계로 순차 처리한다.
(실시예 3)
합성수지재를 소재로 구비하고, 이에 무전해도금을 이용하여 단층도금을 실시하는 경우, 아래의 단계를 거쳐 미세 파이프를 제조할 수 있다.
합성수지 소재 구비단계→세정단계(초음파침적탈지)→활성단계(제1활성화단계와 제2활성화단계)→도금단계(무전해도금, 단층도금)→소재 분리단계로 순차 처리한다.
(실시예 4)
소재를 알루미늄으로 구비하고 이에 전기도금을 이용하여 다층도금을 실시하는 경우, 아래의 단계를 거쳐 미세 파이프를 제조할 수 있다.
알루미늄 소재 구비단계→세정단계(초음파침적탈지)→도금전처리단계(에칭과 징케이트)→도금단계(전기도금, 다층도금)→소재 분리단계로 순차 처리한다.
(실시예 5)
소재를 아연으로 구비하고 이에 전기도금을 이용하여 다층도금을 실시하는 경우, 아래의 단계를 거쳐 미세 파이프를 제조할 수 있다.
아연 소재 구비단계→세정단계(초음파침적탈지와 전해탈지)→동도금단계→도금단계(전기도금, 다층도금)→소재 분리단계로 순차 처리한다.
(실시예 6)
합성수지재를 소재로 구비하고, 이에 전기도금을 이용하여 다층도금을 실시하는 경우, 아래의 단계를 거쳐 미세 파이프를 제조할 수 있다.
합성수지 소재 구비단계→세정단계(초음파침적탈지)→활성단계(제1활성화단계와 제2활성화단계)→도금단계(무전해도금과 다층 전기도금)→소재 분리단계로 순차 처리한다.
이에 따라, 본 발명에서는 상술한 단계들을 거치는 제조방법에 의해 단층도금 구조로 형성되거나 또는 다층도금 구조로 형성되는 파이프 형상의 몸체로서, 0.01mm ~ 1cm의 길이와 0.1㎛ ~ 1cm의 두께로 형성되는 미세 파이프(100)를 도금공정을 이용하는 방식을 통해 용이하게 제조할 수 있다.
한편, 도 10은 본 발명의 미세 파이프 제조방법에 의해 제조된 단층도금 몸체를 갖는 제품의 현미경 사진이다.
이상에서 설명한 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 이러한 실시예에 극히 한정되지 않는다 할 것이며, 본 발명의 기술적 사상과 청구범위 내에서 이 기술분야의 당업자에 의하여 이루어지는 다양한 수정과 변형 또는 치환은 본 발명의 기술적 범주 내에 해당한다 할 것이다.
S10: 소재 구비단계
S20: 세정단계
S22: 활성단계
S24: 도금전처리단계
S26: 동도금단계
S28: 증착단계
S30: 도금단계
S40: 소재 분리단계

Claims (14)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 미세 파이프를 제조하기 위한 제조방법에 있어서,
    (A) 미세 파이프의 구조를 갖게 하기 위한 베이스부재로서 금속재 또는 합성수지재의 선형 소재를 구비하는 단계;
    (B) 상기 소재의 오염원 제거 및 미세 파이프의 형성을 위한 도금 처리시 도금물질의 균일증착을 위해 표면을 세정하는 단계;
    (B1) 소재 표면에 금속촉매를 부여하여 도금효율을 높일 수 있도록 하기 위한 공정으로서, 소재의 표면에 금속촉매를 전처리 및 분포시킴으로써 활성화 처리하는 활성단계;
    (C) 상기 소재에 전기도금 또는 무전해도금을 실시하거나 무전해도금과 전기도금을 혼합 실시하는 공정을 통해 소재의 표면으로 금속 도금층을 형성하되, 단층도금 또는 다층도금을 실시하는 단계;
    (D) 상기 (C)단계를 거친 결과물을 소재용해용 분리수용액에 침적시켜 베이스부재인 소재만을 용해시킴에 의해 소재를 분리하고 도금층만을 남김으로써 금속성의 미세 파이프를 제조하는 단계; 를 포함하여 행하고,
    상기 (B1)단계에서는, 상기 소재에 대해 팔라듐(Pd2+)과 주석(Sn2+) 및 염소 이온에서 만들어진 콜로이드 분자를 산성용액에 혼합시킨 Pd/Sn 콜로이드 촉매부여액에 침적시킴에 의해 콜로이드 분자인 팔라듐(Pd)과 주석(Sn)을 소재 표면에 부착시킴으로써 금속촉매를 전처리하여 금속촉매에 의한 활성화 경향을 갖게 하기 위한 제1 활성화단계; 상기 제1 활성화단계를 거친 소재에 대해 염화팔라듐(PdCl2·2H2O) 용액을 산성용액에 혼합시킨 활성화용액에 침적시킴에 의해 소재 표면에 부착된 주석(Sn)의 환원작용으로 팔라듐(Pd) 금속을 석출 및 소재 표면에 분포시킴으로써 무전해도금이 가능하도록 금속촉매를 부여하기 위한 제2 활성화단계; 로 나누어 실시하며,
    상기 제1 활성화단계에서는, 상기 Pd/Sn 콜로이드 촉매부여액에 대해 산성용액에 팔라듐 10∼500ppm과 주석 1∼50g/L을 포함되게 조성하고, 이에 소재를 침적시키되 10∼50℃의 온도 조건에서 1~10분 동안 침적 처리하며;
    상기 제2 활성화단계에서는, 상기 활성화용액에 대해 산성용액 1~5ml/L에 염화팔라듐(PdCl2·2H2O) 0.2~1.0g/L을 포함되게 조성하고, 이에 소재를 침적시키되 2.5~3.5 pH 조건과 20~30℃의 온도 조건에서 1~3분 동안 침적 처리하는 것을 특징으로 하는 미세 파이프 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    (B2) 상기 (A)단계에서 구비되는 소재가 금속재로서 알루미늄(Al)인 경우, 상기 (B)단계와 (C)단계의 사이에 개재되어 실시될 수 있으며, 도금효율을 높일 수 있도록 하기 위한 공정으로서,
    알루미늄(Al) 소재의 표면을 부식시켜 소재와 징케이트 처리에 의해 형성되는 산화피막 사이의 밀착성을 향상시키기 위한 에칭(Etching) 공정과, 상기 에칭공정 후 알루미늄(Al) 소재를 징케이트 처리액에 침적시켜 소재의 표면에 산화피막을 형성하기 위한 징케이트(Zincate) 공정을 연속 실시하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 파이프 제조방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 (B)단계에서는,
    가성나트륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 인산나트륨, 시안화나트륨, 계면활성제 중에서 어느 1종 또는 2가지 이상이 용해된 알칼리탈지액 35~65g/L에 소재를 침적하되 초음파 발진 및 45~65℃의 온도 조건에서 1~5분 동안 탈지 처리하는 초음파침적탈지를 실시하거나;
    또는 상기 초음파침적탈지 공정과 전해탈지 공정을 연속 실시하되, 상기 전해탈지는 시안화나트륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 중탄산나트륨, 정규산나트륨, 제3인산나트륨, 계면활성제 중에서 어느 1종 또는 2가지 이상이 용해된 전해탈지액 0.1~150g/L에 소재를 침적하되, 전류밀도 2~10A/dm2와 40~60℃의 온도 조건에서 1~5분 동안 음극 또는 양극 전해하여 탈지 처리하는 것을 특징으로 하는 미세 파이프 제조방법.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 (C)단계에서는,
    상기 소재의 표면에 Cu, Ni, Cr, Sn, Zn, Au, Ag, Rh, Pt, Pd, Ti, Co, Cd, V, Nb, Mo, W, Hf 중에서 선택된 어느 1종을 석출하거나 2가지 이상을 동시 석출시켜 도금층을 형성하되, 단층도금층 또는 다층도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 파이프 제조방법.
  8. 미세 파이프를 제조하기 위한 제조방법에 있어서,
    (A) 미세 파이프의 구조를 갖게 하기 위한 베이스부재로서 금속재 또는 합성수지재의 선형 소재를 구비하는 단계;
    (B) 상기 소재의 오염원 제거 및 미세 파이프의 형성을 위한 도금 처리시 도금물질의 균일증착을 위해 표면을 세정하는 단계;
    (C) 상기 소재에 전기도금 또는 무전해도금을 실시하거나 무전해도금과 전기도금을 혼합 실시하는 공정을 통해 소재의 표면으로 금속 도금층을 형성하되, 단층도금 또는 다층도금을 실시하는 단계;
    (D) 상기 (C)단계를 거친 결과물을 소재용해용 분리수용액에 침적시켜 베이스부재인 소재만을 용해시킴에 의해 소재를 분리하고 도금층만을 남김으로써 금속성의 미세 파이프를 제조하는 단계; 를 포함하여 이루어지되,
    상기 (D)단계에서는,
    상기 소재가 금속재인 경우,
    상기 소재용해용 분리수용액은 NaOH이 1~500g/L 용해된 용액, HCl 1~100% 농도의 용액, H2SO4 1~100% 농도의 용액 중에서 어느 1종을 선택 사용하여 소재만을 녹여 도금층을 분리해내되, 초음파 발진 및 20~90℃의 온도 조건에서 소재가 녹을 때까지 실시하며;
    상기 소재가 합성수지재인 경우,
    상기 소재용해용 분리수용액은 20~50% 농도의 KOH 또는 NaOH 용액, 20~50% 농도의 NaOH에 5~50% 농도의 에탄올을 혼합한 용액, 개미산(formic acid) 10~100% 농도의 용액 중에서 어느 1종을 선택 사용하여 소재만을 녹여 도금층을 분리해내되, 초음파발진 및 20~90℃의 온도 조건에서 소재가 녹을 때까지 실시하는 것을 특징으로 하는 미세 파이프 제조방법.
  9. 미세 파이프를 제조하기 위한 제조방법에 있어서,
    (A) 미세 파이프의 구조를 갖게 하기 위한 베이스부재로서 금속재 또는 합성수지재의 선형 소재를 구비하는 단계;
    (B) 상기 소재의 오염원 제거 및 미세 파이프의 형성을 위한 도금 처리시 도금물질의 균일증착을 위해 표면을 세정하는 단계;
    (C) 상기 소재에 전기도금 또는 무전해도금을 실시하거나 무전해도금과 전기도금을 혼합 실시하는 공정을 통해 소재의 표면으로 금속 도금층을 형성하되, 단층도금 또는 다층도금을 실시하는 단계;
    (D) 상기 (C)단계를 거친 결과물을 소재용해용 분리수용액에 침적시켜 베이스부재인 소재만을 용해시킴에 의해 소재를 분리하고 도금층만을 남김으로써 금속성의 미세 파이프를 제조하는 단계; 를 포함하여 이루어지되,
    (B3) 상기 (B)단계와 (C)단계의 사이에 개재되어 실시하는 도금 전처리단계로서, (A)단계에서 구비되는 소재가 금속재로서 아연(Zn)인 경우, 도금효율을 높일 수 있도록 하기 위하여 소재의 표면에 동도금을 실시하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 파이프 제조방법.
  10. 미세 파이프를 제조하기 위한 제조방법에 있어서,
    (A) 미세 파이프의 구조를 갖게 하기 위한 베이스부재로서 금속재 또는 합성수지재의 선형 소재를 구비하는 단계;
    (B) 상기 소재의 오염원 제거 및 미세 파이프의 형성을 위한 도금 처리시 도금물질의 균일증착을 위해 표면을 세정하는 단계;
    (C) 상기 소재에 전기도금 또는 무전해도금을 실시하거나 무전해도금과 전기도금을 혼합 실시하는 공정을 통해 소재의 표면으로 금속 도금층을 형성하되, 단층도금 또는 다층도금을 실시하는 단계;
    (D) 상기 (C)단계를 거친 결과물을 소재용해용 분리수용액에 침적시켜 베이스부재인 소재만을 용해시킴에 의해 소재를 분리하고 도금층만을 남김으로써 금속성의 미세 파이프를 제조하는 단계; 를 포함하여 이루어지되,
    (B4) 상기 (B)단계와 (C)단계의 사이에 개재되어 실시될 수 있는 도금 전처리단계로서, 도금효율 및 제조되는 미세 파이프의 내경 평탄도를 높일 수 있도록 하기 위하여 소재의 표면에 물리기상증착 또는 화학기상증착에 의한 금속 증착을 실시하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 파이프 제조방법.
  11. 제 4항, 제 9항, 제 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (A)단계에서 구비되는 베이스부재로서의 소재는,
    금속재인 경우,
    Mg, Al, Cr, Zn, Nb, Sn 중에서 선택된 어느 1종 또는 2가지 이상이 합금된 상태의 소재이며;
    합성수지재인 경우,
    polycarbonate, polypropylene, nylon, polyacetal, polysulfone, noryl, ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene), PVC(poly vinyl chloride), SAN(styrene acrylonitrile copolymer), PMMA(polymethyl methacrylate), styrene계(PS, GPPS, HIPS), polyethylene, polyamide 중에서 선택된 어느 1종 또는 2가지 이상이 합성된 상태의 소재인 것을 특징으로 하는 미세 파이프 제조방법.
  12. 제 4항 또는 제 7항에 있어서,
    상기 도금층은, 0.1㎛ ~ 1cm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 파이프 제조방법.
  13. 청구항 제4항 내지 청구항 10항 중 어느 한 항에 의한 제조방법을 릴투릴 설비를 이용하여 연속 공정으로 실시하는 것을 특징으로 하는 미세 파이프 제조방법.
  14. 삭제
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