KR101788396B1

KR101788396B1 - 대역 부하가 감소된 다중 대역 디바이스

Info

Publication number: KR101788396B1
Application number: KR1020150131081A
Authority: KR
Inventors: 웨이민 선; 루스 알란 라이스너; 주니어 데이비드 비베이로스
Original assignee: 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드
Priority date: 2014-09-16
Filing date: 2015-09-16
Publication date: 2017-10-20
Also published as: CN105429605B; TW201616808A; US10623046B2; JP6216753B2; US9647703B2; TWI633753B; EP2999125A1; KR20160032704A; EP2999125B1; CN105429605A; HK1216463A1; JP2016063539A; TW201735532A; US10224977B2; US9531413B2; US20170230075A1; US20160080011A1; TWI623196B; US20190245577A1; US20160080012A1

Abstract

일 실시예에서, 장치는 제1 무선 주파수(RF) 신호 경로와 제2 RF 신호 경로를 포함한다. 제1 RF 신호 경로는 활성일 때 제1 RF 신호를 제공할 수 있고 제2 RF 신호 경로는 활성일 때 제2 RF 신호를 제공할 수 있다. 제2 RF 신호 경로는 제1 RF 신호 경로가 활성일 때 제1 RF 신호 경로와의 결합으로 인한 제2 RF 신호 경로에서의 공진을 방지하도록 구성된 부하 임피던스를 가진 정합 회로망을 포함할 수 있다.

Description

대역 부하가 감소된 다중 대역 디바이스{MULTI-BAND DEVICE WITH REDUCED BAND LOADING}

관련 출원에 대한 상호 참조

35 U.S.C.§119(e) 하에서 본 출원은 2014년 9월 16일자로 출원된 미국 가특허출원 제62/051,191호(발명의 명칭 "MULTI-BAND DEVICE WITH REDUCED BAND LOADING")의 우선권을 주장하며, 그 개시 내용은 해당 내용 전체가 참고로 본 명세서에 포함된다.

기술분야

본 개시 내용은 전자 시스템에 관한 것으로, 특히 무선 주파수(RF) 회로들에 관한 것이다.

다수의 이동 디바이스는 롱 텀 에볼루션(LTE, Long Term Evolution) 표준에 의해 정의된 주파수 대역들과 같은 다중 주파수 대역 내에서 통신을 지원하고 있다. 하나의 주파수 대역과 연관된 무선 주파수(RF) 신호 경로가 활성인데 반해, 다른 주파수 대역과 연관된 다른 RF 신호 경로는 비활성일 수 있다. 예를 들어, 각각의 신호 경로는 상이한 주파수 대역 내에 RF 신호를 제공하도록 구성된 전력 증폭기, 연관된 정합 회로망, 및 연관된 선택 스위치를 포함할 수 있다. 본 예에서, 제1 RF 신호 경로의 전력 증폭기가 활성일 때, 정합 회로망을 경유하여 비교적 큰 전력의 RF 신호를 선택 스위치에 제공할 수 있다. 이동 디바이스들에 대한 컴포넌트들이 소형화되고 있기 때문에, 상이한 RF 신호 경로들로부터의 신호들을 분리하는 것은 더 어렵게 될 수 있으며, 한 신호 경로에서 다른 신호 경로로의 결합은 활성 RF 신호 경로에 삽입 손실을 초래할 수 있다.

각각의 청구항들에서 설명되는 혁신은 여러 양상을 가지며, 이런 양상들 중 어떠한 단일의 양상도 바람직한 속성들을 단독으로 책임지는 것은 아니다. 청구항들의 범주를 제한함이 없이, 본 개시 내용의 일부 중요한 특징들이 이하 간략하게 설명될 것이다.

본 개시 내용의 일 양상은 제1 무선 주파수(RF) 신호 경로와 제2 RF 신호 경로를 포함하는 장치이다. RF 신호 경로는 활성일 때 제1 RF 신호를 제공하도록 구성된다. 제2 RF 신호 경로는 활성일 때 제2 RF 신호를 제공하도록 구성된다. 제2 RF 신호 경로는 제1 RF 신호 경로가 활성일 때 제1 RF 신호 경로와의 결합으로 인한 제2 RF 신호 경로에서의 공진을 방지하도록 구성된 부하 임피던스를 가진 정합 회로망을 포함한다.

정합 회로망의 부하 임피던스는 제2 RF 신호 경로가 비활성이고 제1 RF 신호 경로가 활성일 때 제1 RF 신호 경로와의 결합으로 인한 제2 RF 신호 경로에서의 공진을 방지할 수 있다. 공진은 정합 회로망의 LC 공진일 수 있다. 제1 RF 신호 및 제2 RF 신호는 상이한 주파수 대역들에 있을 수 있다.

제1 RF 신호 경로는 제1 RF 신호를 제공하도록 구성된 제1 전력 증폭기를 포함하고, 제2 RF 신호 경로는 제2 RF 신호를 제공하도록 구성된 제2 전력 증폭기를 포함한다.

제2 RF 신호 경로는 제2 RF 신호를 제2 RF 신호 경로의 출력에 선택적으로 제공하도록 구성된 선택 스위치를 포함할 수 있다. 선택 스위치는 멀티-스로 스위치일 수 있다. 이런 멀티-스로 스위치의 스로들 각각은 스위치 아암과 각각의 스위치 아암에 전기적으로 결합된 션트 아암을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 선택 스위치는 제2 RF 경로가 비활성이고 제1 RF 경로가 활성일 때 선택된 스위치 아암이 온이 되고 선택된 션트 아암이 온이 되게 할 수 있으며, 온이 되는 선택된 스위치 아암 및 선택된 션트 아암으로부터의 임피던스는 부하 임피던스에 기여할 수 있다. 일 실시예에서, 부하 임피던스는 선택 스위치의 입력과 접지 사이에 직렬로 입력 션트 아암과 수동 임피던스 소자를 포함할 수 있다. 수동 소자는 예를 들어, 저항기일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 부하 임피던스는 제1 단부와 제2 단부를 가진 션트 커패시터를 포함할 수 있으며, 제1 단부는 선택 스위치의 입력에 전기적으로 결합되고, 제2 단부는 접지 전위에 전기적으로 결합된다.

본 개시 내용의 다른 양상은 제1 전송 경로와 제2 전송 경로를 포함하는 장치이다. 제1 전송 경로는 제1 RF 신호를 제공하도록 구성된 제1 전력 증폭기, 제1 정합 회로망, 및 제1 정합 회로망을 경유하여 제1 RF 신호를 수신하도록 구성된 제1 멀티-스로 스위치를 포함할 수 있다. 제2 전송 경로는 제1 RF 신호와 다른 주파수 대역 내에 있는 제2 RF 신호를 제공하도록 구성된 제2 전력 증폭기, 제2 정합 회로망, 및 제2 정합 회로망을 경유하여 제2 RF 신호를 수신하도록 구성된 제2 멀티-스로 스위치를 포함할 수 있다. 제2 멀티-스로 스위치는 제1 전송 경로가 활성일 때 제1 전송 경로와의 결합으로 인한 제2 전송 경로에서의 공진을 방지하도록 구성된 입력 임피던스를 가진다.

제2 멀티-스로 스위치의 입력 임피던스는 입력 션트 아암과 직렬로 수동 임피던스 소자를 포함할 수 있다. 수동 임피던스 소자는 저항기를 포함할 수 있다.

제2 멀티-스로 스위치의 입력 임피던스는 션트 커패시터를 포함할 수 있다.

제2 멀티-스로 스위치는 제2 멀티-스로 스위치가 비활성 상태에 있을 때 선택된 스로에 대응하는 션트 아암과 스위치 아암 모두가 온이 되게 함으로써 입력 임피던스의 적어도 일부를 구현할 수 있다.

본 개시 내용의 또 다른 양상은 무선 주파수(RF) 신호를 증폭하도록 구성된 증폭기, 증폭기의 출력에 결합된 정합 회로망, 및 정합 회로망을 경유하여 증폭기와 통신하는 선택 스위치를 포함하는 장치이다. 선택 스위치는 활성 상태에서 선택 스위치의 입력을 선택된 출력 경로에 전기적으로 결합하도록 구성된다. 선택 스위치는 선택 스위치가 비활성 상태에 있고 증폭기가 비활성화될 때 또 다른 RF 신호 경로와의 결합으로 인한 정합 회로망에서의 공진이 발달하지 못하도록 비활성 상태에서 입력 임피던스를 가질 수 있다.

정합 회로망은 커패시터들과 인덕터들을 포함할 수 있다. 선택 스위치는 스로들 각각에 대응하는 스위치 아암과 션트 아암을 갖는 멀티-스로 스위치일 수 있다. 멀티-스로 스위치의 스로들 각각은 상이한 주파수 대역들과 연관될 수 있다. 선택 스위치는 선택 스위치가 비활성 상태에 있을 때 선택된 스로에 대응하는 션트 아암과 스위치 아암 양자가 온이 되게 할 수 있다. 스위치 제어 회로는 선택 스위치를 비활성 상태로 설정하기 위해 선택 스위치에 제어 신호들을 제공할 수 있다.

선택 스위치는 선택 스위치의 상기 입력에 입력 션트 아암을 포함하고, 입력 션트 아암은 선택 스위치가 비활성 상태에 있을 때 온이 되도록 구성된다. 수동 임피던스 소자는 선택 스위치의 상기 입력과 접지 전위 사이에 입력 션트 아암과 직렬로 있을 수 있다.

장치는 제1 단부와 제2 단부를 갖는 션트 커패시터를 포함할 수 있으며, 제1 단부는 선택 스위치의 입력에 결합되고, 제2 단부는 접지 전위에 결합된다.

증폭기는 전력 증폭기일 수 있다. 장치는 제1 정의된 주파수 대역에서 RF 신호를 제공하도록 구성된 제1 경로 및 제2 정의된 주파수 대역에서 RF 신호를 제공하도록 구성된 제2 경로를 포함하는 전력 증폭기 모듈로서 구성될 수 있으며, 제1 경로는 전력 증폭기, 정합 회로망 및 선택 스위치를 포함한다. 제1 경로는 제2 경로가 활성일 때 비활성일 수 있다. 제2 경로는 제2 전력 증폭기, 제2 증폭기의 출력에 결합된 제2 정합 회로망, 및 제2 정합 회로망을 경유하여 제2 전력 증폭기와 통신하는 제2 선택 스위치를 포함할 수 있다. 제2 선택 스위치는 제2 선택 스위치가 비활성 상태에 있을 때 제2 정재파가 발달하지 못하도록 제2 선택 스위치가 비활성 상태에 있을 때 제2 입력 임피던스를 가질 수 있다.

본 개시 내용의 또 다른 양상은 무선 주파수(RF) 신호를 증폭하도록 구성된 증폭기, 증폭기의 출력에 결합된 정합 회로망, 및 정합 회로망을 경유하여 증폭기와 통신하는 멀티-스로 스위치를 포함하는 장치이다. 멀티-스로 스위치는 비활성 상태에서 선택된 스로와 연관된 션트 아암과 스위치 아암 양자가 온이 되게 하도록 구성된다.

본 개시 내용의 또 다른 양상은 제1 전송 경로와 제2 전송 경로를 포함하는 장치이다. 제1 전송 경로는 제1 RF 신호를 제공하도록 구성된 제1 전력 증폭기, 제1 정합 회로망, 및 제1 정합 회로망을 경유하여 제1 RF 신호를 수신하도록 구성된 제1 멀티-스로 스위치를 포함한다. 제2 전송 경로는 제1 RF 신호와 다른 주파수 대역 내에 있는 제2 RF 신호를 제공하도록 구성된 제2 전력 증폭기, 제2 정합 회로망, 및 제2 정합 회로망을 경유하여 입력에서 제2 RF 신호를 수신하도록 구성된 제2 멀티-스로 스위치를 포함할 수 있다. 제2 멀티-스로 스위치는 멀티-스로 스위치의 입력과 접지 전위 사이에 입력 아암과 직렬로 수동 임피던스 소자를 가진다.

수동 임피던스 소자는 저항기를 포함할 수 있다. 션트 아암이 온일 때, 수동 임피던스 소자와 션트 아암의 결합된 임피던스는 제1 RF 신호의 기본 주파수에서 대략 50옴일 수 있다.

입력 션트 아암은 제2 전송 경로가 활성 상태에 있을 때 온일 수 있다. 입력 션트 아암은 제1 전송 경로가 활성 상태에 있을 때 온일 수 있다.

장치는 제1 및 제2 전송 경로들을 둘러싸는 패키지를 포함하는 모듈로서 구성될 수 있다. 이런 모듈은 전력 증폭기 모듈 및/또는 멀티-칩 모듈일 수 있다. 장치는 제1 및 제2 전송 경로들 및 안테나를 포함하는 이동 디바이스로서 구성될 수 있으며, 안테나는 제1 전송 경로가 활성 상태일 때 제1 RF 신호를 전송하도록 구성된다.

본 개시 내용의 또 다른 양상은 제1 무선 주파수(RF) 신호 경로 및 제2 RF 신호 경로를 포함하는 장치이다. 제1 RF 신호 경로는 활성일 때 제1 RF 신호를 제공하도록 구성된다. 제2 RF 신호 경로는 활성일 때 제2 RF 신호를 제공하도록 구성된다. 제2 RF 신호 경로는 자신의 입력에 전기적으로 결합되는 입력 션트 아암을 가진 선택 스위치를 포함한다. 입력 션트 아암은 제1 RF 신호 경로가 활성이고 제2 RF 신호 경로가 비활성일 때 온이 되도록 구성된다.

입력 션트 아암은 선택 스위치의 입력과 접지 전위 사이에 수동 임피던스 소자와 직렬로 있을 수 있다. 수동 임피던스 소자는 저항기를 포함할 수 있다. 제2 RF 신호 경로는 제2 RF 신호 경로가 활성일 때 제2 RF 신호를 생성하도록 구성된 전력 증폭기, 및 선택 스위치에 제2 RF 신호를 제공하도록 구성된 정합 회로망을 포함할 수 있다. 제1 RF 신호 및 제2 RF 신호는 상이한 주파수 대역들에 있을 수 있다. 장치는 이동 디바이스에 대한 전자 컴포넌트로서 구성될 수 있다.

본 개시 내용의 또 다른 양상은 무선 주파수(RF) 신호를 증폭하도록 구성된 증폭기, 증폭기의 출력에 결합된 정합 회로망, 및 정합 회로망을 경유하여 증폭기와 통신하는 멀티-스로 스위치를 포함하는 장치이다. 멀티-스로 스위치는 멀티-스로 스위치의 입력에 전기적으로 결합되는 입력 션트 아암을 가진다. 입력 션트 아암은 멀티-스로 스위가 비활성 상태에 있을 때 온이 되도록 구성된다.

입력 션트 아암은 멀티-스로 스위치의 입력과 접지 전위 사이에 수동 임피던스 회로와 직렬로 있을 수 있다. 수동 임피던스 회로는 저항기일 수 있다. 수동 임피던스 소자는 입력 션트 아암과 멀티-스로 스위치의 입력 사이에 직렬로 있을 수 있다.

멀티-스로 스위치는 적어도 4개의 스로를 포함할 수 있다. 증폭기는 전력 증폭기일 수 있다.

장치는 제2 증폭기, 및 제2 정합 회로망을 경유하여 제2 증폭기로부터 제2 RF 신호를 수신하도록 구성된 제2 멀티-스로 스위치를 포함하는 또 다른 RF 신호 경로를 더 포함할 수 있으며, 또 다른 RF 신호 경로는 정합 회로망과 결합을 제공한다.

본 개시 내용의 또 다른 양상은 무선 주파수(RF) 신호를 증폭하도록 구성된 증폭기, 증폭기의 출력에 결합된 정합 회로망, 및 정합 회로망을 경유하여 증폭기와 통신하는 멀티-스로 스위치를 포함하는 장치이다. 멀티-스로 스위치는 멀티-스로 스위치의 입력에서 션트 커패시터를 가진다.

본 개시 내용의 또 다른 양상은 제1 무선 주파수(RF) 신호를 제공하도록 구성된 제1 경로, 제2 RF 신호를 제공하도록 구성된 제2 경로를 포함하는 장치이다. 제2 RF 신호는 제1 RF 신호와 다른 주파수 대역 내에 있다. 제2 경로는 제1 경로가 활성일 때 비활성화되도록 구성된다. 제2 경로는 제2 RF 신호를 출력에 선택적으로 제공하도록 구성된 선택 스위치를 포함한다. 선택 스위치는 제2 경로가 비활성이고 제1 경로가 활성일 때 정재파가 발달하지 못하도록 제2 경로가 비활성일 때 입력 임피던스를 가진다.

본 발명의 또 다른 양상은 무선 주파수(RF) 신호를 증폭하도록 구성된 증폭기, 증폭기의 출력에 결합된 정합 회로망 - 정합 회로망은 적어도 하나의 커패시터 및 적어도 하나의 인덕터를 포함함 -, 및 정합 회로망을 경유하여 증폭기와 통신하는 선택 스위치를 포함하는 장치이다. 선택 스위치는 선택 스위치가 비활성 상태에 있을 때 정합 회로망의 LC 공진을 감소시키도록 구성되는 입력 부하를 가진다.

본 개시 내용의 또 다른 양상은 무선 주파수(RF) 신호를 제공하도록 구성된 제1 경로 및 제1 경로가 활성일 때 비활성화되도록 구성된 제2 경로를 포함하는 장치이다. 제2 경로는 제2 경로가 비활성이고 제1 경로가 활성일 때 제1 경로와의 결합으로 인한 제2 경로에서의 공진을 방지하도록 구성된 부하 임피던스를 가진 정합 회로망을 포함한다.

본 개시 내용의 또 다른 양상은 제1 무선 주파수(RF) 신호를 제공하도록 구성된 제1 경로 및 제2 RF 신호를 제공하도록 구성된 제2 경로를 포함하는 장치이다. 제2 경로는 제2 경로와 제1 경로가 모두 활성일 때 제1 경로와의 결합에 의한 제2 경로에서의 공진을 방지하도록 구성된 부하 임피던스를 가진 정합 회로망을 포함한다.

정합 회로망은 LC 회로망일 수 있다. 공진은 정합 회로망의 LC 공진일 수 있다.

본 개시 내용을 요약하기 위해, 본 발명의 소정 양상들, 이점들 및 신규한 특징들이 본 명세서에서 설명되었다. 이러한 모든 이점들이 반드시 본 발명의 임의의 특정 실시예에 따라 달성되지는 않을 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 본 발명은, 본 명세서에 교시되거나 암시될 수 있는 다른 이점들을 반드시 달성할 필요없이 본 명세서에 교시된 바와 같은 하나의 이점 또는 이점들의 그룹을 달성하거나 최적화하는 방식으로 구현되거나 수행될 수 있다.

본 개시 내용의 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 비제한적인 예로써 설명될 것이다.
도 1은 복수의 주파수 대역에 대한 전송 경로들을 가진 전단 아키텍처의 개요 블록도이다.
도 2a는 정재파 공진을 가진 활성 대역 및 비활성 대역의 개요도이다. 도 2b는 대역 부하가 있는 도 2a의 활성 통과 대역, 및 대역 부하가 없는 동일한 활성 통과 대역에 대한 삽입 손실 곡선들을 나타내는 그래프이다.
도 2c는 일 실시예에 따르는, 대역 부하를 감소시킬 수 있는 무선 주파수(RF) 신호 경로의 개요도이다.
도 2d는 일 실시예에 따르는, 대역 부하를 감소시킬 수 있는 다른 RF 신호 경로의 개요도이다.
도 3a는 일 실시예에 따르는, 대역 부하를 감소시키도록 구성된 대역 선택 스위치를 가진 활성 대역 및 비활성 대역의 개요도이다. 도 3b는 도 3a의 실시예에 따르는 활성 통과 대역 및 대역 부하가 없는 활성 통과 대역에 대한 삽입 손실 곡선들을 나타내는 그래프이다.
도 4a는 일 실시예에 따르는, 대역 선택 스위치의 입력에서 션트 스위치를 가진 활성 대역 및 비활성 대역의 개요도이다. 도 4b는 도 4a의 실시예에 따르는 활성 통과 대역 및 대역 부하가 없는 활성 통과 대역에 대한 삽입 손실 곡선들을 나타내는 그래프이다.
도 5a는 일 실시예에 따르는, 대역 선택 스위치의 입력에서 션트 커패시터를 가진 활성 대역 및 비활성 대역의 개요도이다. 도 5b는 도 5a의 실시예에 따르는 활성 통과 대역 및 대역 부하가 없는 활성 통과 대역에 대한 삽입 손실 곡선들을 나타내는 그래프이다.
도 6a는 일 실시예에 따르는, 대역 선택 스위치의 입력에서 수동 임피던스 회로와 직렬로 션트 스위치와 션트된 활성 대역 및 비활성 대역의 개요도이다. 도 6b-6g는 도 6a의 예시적인 수동 임피던스 회로들을 도시한다.
도 7은 도 3a, 4a, 5a 및/또는 6a의 실시예들 중 어느 하나의 실시예에 따르는, 전송 경로들을 포함하는 예시적인 전력 증폭기 모듈의 개요 블록도이다.
도 8은 도 3a, 4a, 5a 및/또는 6a의 실시예들 중 어느 하나의 실시예에 따르는, 전송 경로들을 포함하는 예시적인 이동 디바이스의 개요 블록도이다.

소정의 실시예들의 다음의 상세한 설명은 특정한 실시예들의 다양한 설명을 제시한다. 그러나, 본 명세서에 설명되는 혁신들은 예를 들어, 청구항들에 의해 정의되고 커버되는 것과 같은, 많은 다른 방식들로 실시될 수 있다. 본 설명에서는, 유사한 참조 번호가 동일하거나 기능적으로 유사한 요소들을 표시할 수 있는 도면을 참조한다. 도면에 도시된 요소들은 반드시 크기에 맞게 도시되지 않음을 이해할 것이다. 또한, 소정의 실시예들은 도면에 도시된 것보다 많은 요소 및/또는 도면에 도시된 요소들의 서브세트를 포함할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 나아가, 일부 실시예는 2개 이상의 도면으로부터의 특징들의 임의의 적합한 조합을 통합시킬 수 있다.

롱 텀 에볼루션(LTE)과 같은 이동 통신 표준의 배치에서, 세계적으로 이동 디바이스들이 점점 더 많은 주파수 대역들에 걸쳐 통신을 지원하고자 하는 요구가 있어 왔다. 전단 모듈의 제한된 물리적 공간 내에, 대역 간 분리를 구현하기가 점점 더 어려워지고 있다. 소정의 전력 증폭기(PA) 전단 모듈들에서, 이중 대역 블록 설계들이 최소의 풋프린트로 비교적 쉬운 라우팅을 위해 채택되었다. 여러 주파수 대역에 걸쳐 통신을 지원하는 이동 디바이스들 내의 전단 모듈들은 제한된 가용한 물리적 공간 및 통합의 상대적인 용이성으로 인해 여러 이중 대역 블록들로부터 구축될 수 있다.

이러한 이중 대역 PA에서, 하나의 대역은 활성일 수 있고 비교적 높은 전력 신호를 전송하지만 다른 배역은 비활성일 수 있다(예를 들어, 스위치에 의해 셧 오프됨). 본 명세서에 사용된 바와 같이, "활성 대역"이란 활성 상태에 있고 정의된 주파수 대역 내에 RF 신호를 제공하는 RF 신호 경로의 회로를 지칭할 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, "비활성 대역"이란 비활성 상태에 있고 RF 신호를 제공하지 않는 RF 신호 경로의 회로를 지칭할 수 있다. 비활성 대역은 2개의 대역 간의 결합으로 인한 활성 대역으로부터 신호들을 픽업할 수 있다. 이러한 대역 간 결합은 또한 대역 부하라고 지칭할 수 있다. 대역 부하는 이중 대역 PA 설계와 같은, 다중 대역 PA 설계에서 문제로 되고 있다. 대역 부하는 서크 아웃된(suck out) 활성 대역과 같은, 활성 통과 대역에서 에너지 손실을 야기하는 활성 대역의 주파수에 상대적으로 가깝게 근접한 하나 이상의 비활성 대역의 존재와 관련될 수 있다. 예를 들어, 비활성 대역 PA 출력 경로가 정재파 공진을 형성할 수 있는 주파수에서 동작할 때, 활성 대역은 적지 않은 에너지를 비활성 대역에 결합시킬 수 있다. 이는 활성 대역에서 서크 아웃된 에너지를 초래할 수 있다. 따라서 대역 부하는 활성 대역의 삽입 손실에 영향을 줄 수 있다.

예시적인 예에서, PA 출력 정합 회로망은 대역 선택 스위치에 연결될 수 있다. 오프 상태라고도 불릴 수 있는 비활성 상태에 대한 대역 선택 스위치 입력 임피던스는 정재파가 이 비활성 대역 PA 출력 경로에 존재하게 할 수 있는 고 임피던스를 제공할 수 있다. 정재파가 형성될 때, 이는 활성 대역으로부터 에너지를 서크 아웃하고 활성 대역 상에 대역 부하를 야기할 수 있다.

대역 부하는 활성 대역의 회로와 비활성 대역의 회로 간에 비교적 큰 물리적 거리를 유지함으로써 감소될 수 있다. 대역 부하는 또한 다른 대역의 회로로부터 한 대역의 회로를 차폐함으로써 감소될 수 있다. 이러한 접근법들은 전형적으로 추가적인 물리적 공간을 소비한다. 이것은 바람직하지 않게 모듈의 크기 및/또는 풋프린트를 증가시킬 수 있다. 결국, 증가된 크기 및/또는 풋프린트는 보다 많은 대역을 위한 회로를 하나의 이동 디바이스에 통합시키는 것을 어렵게 하고/하거나 불가능하게 할 수 있다.

본 개시 내용의 양상들은 다른 PA 성능 파라미터들에 상당한 영향을 주지 않고 대역 부하를 감소 또는 제거하기 위해 비활성 대역 부하 임피던스를 제공하는 것에 관한 것이다. 비활성 대역 부하 측에서의 비개방 임피던스는 부하로부터의 반사를 감소하도록 제공될 수 있다. 이것은 비활성 대역에서 정재파 진폭을 감쇠시키고, 그로 인해 활성 대역에서 서크 아웃을 회피할 수 있다. 비개방 임피던스는 오프 상태 스위치 입력 임피던스, 전용 스위치 로직, 비활성 대역에서의 비교적 작은 션트 커패시터, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 방식으로 달성될 수 있다. 이러한 비활성 대역 부하 임피던스 제어는 매우 다양한 제품에 이용될 수 있다.

본 명세서에 개시된 실시예들은 비활성 대역 경로와 같은, 비활성 경로 내에 정재파를 방지(예를 들어, 감소 및/또는 제거)할 수 있는 선택 스위치 입력 임피던스를 제공하는 것에 관한 것이다. 비활성 대역 PA 출력 부하 또는 선택 스위치 입력 임피던스가 상대적으로 정합될 때, 정재파는 지속되지 않아야 하고 대역 부하가 해결되어야 한다. 비활성 대역에 대한 선택 스위치 입력 임피던스를 수정하기 위한 몇 가지 접근법이 본 명세서에 개시된다. 이들 접근법에서, 션트 경로는 선택 스위치 입력에 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 모두가 오프인 선택 스위치 논리 상태는 하나의 스위치 아암을 온으로 남겨 놓을 수 있고, 스위치 입력 임피던스는 부하 임피던스가 비활성 대역 PA 출력 경로에 정재파를 지속시키지 않도록 약 10옴 내지 30옴의 범위로부터 선택된 값과 같은 값에 있을 수 있다. 이런 실시예에 관한 보다 상세한 것은 도 3a를 참조하여 논의될 것이다. 일부 다른 실시예에서, 하나의 션트 아암은 선택 스위치 입력 측에 추가될 수 있다. 비활성의 모두 오프 상태에서, 추가된 션트 아암은 온일 수 있고 선택 스위치 입력 임피던스를, 비활성 PA 출력 경로 상에 정재파가 지속하지 못하는, 약 10옴 내지 30옴의 범위로부터 선택된 값과 같은 값으로 강제한다. 추가된 입력 션트 아암은 저항기 또는 수동 임피던스 회로와 직렬로 배열될 수 있다. 이들 실시예에 관한 보다 상세한 것은 도 4a 및 6a를 참조하여 논의될 것이다. 다른 실시예에서, 약 2pF 내지 8pF의 범위로부터 선택된 커패시턴스를 갖는 션트 커패시터와 같은, 비교적 소형 션트 커패시터가 선택 스위치의 입력에 포함될 수 있다. 추가된 션트 커패시터는 정재파 파장을 돌려서 서크 아웃된 노치를 활성 통과 대역으로부터 시프트시킨다. 이 실시예에 관한 보다 상세한 것은 도 5a를 참조하여 논의될 것이다.

본 명세서에 논의된 실시예들은 다른 대역들과 연관된 전송 경로들을 물리적으로 분리하거나 다른 대역들과 연관된 전송 경로들을 서로 차폐하기 위해 접지면을 사용하는 것 대신에 비활성 대역 PA 출력 부하 임피던스를 유리하게 수정할 수 있다. 본 명세서에 논의된 원리들 및 장점들에 따라 PA 출력 오프 상태 부하 임피던스를 수정하는 것은 소형 PA 모듈들에서 발생할 수 있는 대역 부하 문제들을 감소 및/또는 제거할 수 있다.

비활성 대역에서, 정재파 공진과 같은 공진을 방지하는 것이 예시의 목적을 위해 소정의 실시예들과 관련하여 본 명세서에 논의되지만, 본 명세서에 논의된 원리들 및 장점들은 활성 대역 경로와 같은, 활성 경로로부터의 결합을 경험할 수 있는 비활성 경로 내의 임의의 회로에서의 공진을 감소 또는 제거하기 위해 적용될 수 있는 것을 이해할 것이다. 비활성 경로를 위한 정합 회로망의 부하 임피던스를 수정하는 것은 이러한 공진들을 감소 또는 제거할 수 있다.

도 1은 복수의 주파수 대역에 대한 전송 경로들을 갖는 전단 아키텍처(10)의 개략 블록도이다. 이들 전송 경로는 RF 신호 경로들일 수 있다. 도시된 전단 아키텍처는 제1 전송 경로(12), 제2 전송 경로(14), 스위치 모듈(16), 및 안테나(18)를 포함한다. 전단 아키텍처(10)는 도 1에 도시된 것보다 많은 소자들을 포함할 수 있고/있거나 일부 실시예는 도시된 소자들의 서브세트를 포함할 수 있다. 전단 아키텍처(10)가 2개의 전송 경로들을 참조하여 설명될 수 있지만, 본 명세서에 논의된 원리들 및 장점들은 3개 이상의 전송 경로들을 갖는 전단 아키텍처들에 적용될 수 있다.

제1 전송 경로(12) 및 제2 전송 경로(14)는 상이하게 정의된 주파수 대역들 내에 무선 주파수(RF) 신호들을 제공하도록 구성될 수 있다. RF 신호는 롱 텀 에볼루션 시스템들에서 무선 주파수 신호들에 대한 약 450㎒ 내지 약 4㎓의 범위와 같은, 약 30㎑ 내지 300㎓의 범위 내의 주파수를 가질 수 있다. 다른 주파수 대역들은 LTE 표준에 의해 정의된 주파수 대역들일 수 있다. 다른 주파수 대역들은 주파수에서 중첩되지 않을 수 있다. 예시적인 예에서, 제1 전송 경로(12)는 고 대역 경로일 수 있고 제2 전송 경로(14)는 저 대역 경로일 수 있다. 제1 전송 경로(12)는 제1 전송 경로(12)의 정의된 주파수 대역의 정의된 부대역들 내에서 RF 신호들을 발생할 수 있다. 제2 전송 경로(14)는 제2 전송 경로(14)의 정의된 주파수 대역의 정의된 부대역들 내에서 RF 신호들을 발생할 수 있다. 제1 전송 경로(12) 및 제2 전송 경로(14) 중 하나는 다른 것이 비활성일 수 있는 동안 활성화될 수 있다.

스위치 모듈(16)은 제1 전송 경로(12) 또는 제2 전송 경로(14)로부터의 RF 신호를 안테나(18)에 선택적으로 전기적 결합할 수 있다. 스위치 모듈(16)은 또한 제1 전송 경로(12) 또는 제2 전송 경로(14)의 선택된 부대역으로부터의 RF 신호를 안테나(18)에 선택적으로 제공할 수 있다. 스위치 모듈(16)은 각각이 안테나(18)로의 전기적 경로에서 특정 주파수 대역을 통과하도록 구성되는 필터들을 포함할 수 있다. 이러한 필터들은 대역 통과 필터들일 수 있다. 스위치 모듈(16)은 선택된 주파수 대역과 연관된 필터가 제1 전송 경로(12) 또는 제2 전송 경로(14)와 안테나(18) 사이에 포함된 신호 경로를 생성할 수 있다. 스위치 모듈(16)은 또한 안테나(18)를 선택된 수신 경로(도시되지 않음)에 전기적으로 결합하는 역할을 할 수 있다. 이러한 예들에서, 전송 및 수신 필터들을 갖는 듀플렉서들이 스위치 모듈(16) 내에 포함될 수 있다.

도 2a는 정재파 공진을 가진 활성 대역 및 비활성 대역의 개략도이다. 도 2a는 비활성 대역에 대한 전송 경로(22) 및 활성 대역에 대한 다른 전송 경로(23)를 도시한다. 이들 전송 경로 둘 다는 RF 신호 경로들 내에 포함될 수 있다. 활성 대역 및 비활성 대역은 전송 경로들(22 및 23)을 포함하는 전자 디바이스의 동작 동안에 스위치될 수 있는 것을 이해할 것이다. 비활성 대역에 대한 전송 경로(22)는 전력 증폭기(24), 정합 회로망(25), 및 대역 선택 스위치(26)를 포함할 수 있다. 비활성 대역에 대한 전송 경로(22)는 도 1의 제1 전송 경로(12) 및 도 1의 스위치 모듈(16)의 부분에 대응할 수 있다. 활성 대역에 대한 전송 경로(23)는 전력 증폭기(27), 정합 회로망(28), 및 대역 선택 스위치(29)를 포함할 수 있다. 전력 증폭기(27)는 전력 증폭기(24)에 의해 제공된 RF 신호와 상이한 주파수 대역 내에 RF 신호를 제공할 수 있다. 또한, 정합 회로망(28)은 정합 회로망(25)과 상이한 주파수들에 대한 임피던스 정합을 제공할 수 있다. 따라서, 정합 회로망(28)의 하나 이상의 수동 임피던스 소자들은 정합 회로망(25) 내의 대응하는 수동 임피던스와 상이한 커패시턴스 또는 인덕턴스를 가질 수 있다. (도시되지 않은) 일부 다른 실시예에 따르면, 상이한 대역들을 위한 정합 회로망들은 상이한 회로 토폴로지들을 가질 수 있고/있거나 상이한 필터링 기능들을 제공할 수 있다. 활성 대역에 대한 전송 경로(24)는 도 1의 제2 전송 경로(14) 및 도 1의 스위치 모듈(16)의 부분에 대응할 수 있다.

도 1에 예시된 활성 대역에 대한 전송 경로(23)와 비활성 대역에 대한 전송 경로(22) 사이의 결합은 활성 대역이 RF 신호를 전송하는 동안 비활성 대역 상에 정재파 공진을 생성할 수 있다. 이러한 정재파 공진은 대역 부하를 초래할 수 있고 이에 따라 활성 대역에 대한 전송 경로(23)의 삽입 손실을 증가시킬 수 있다.

도 2b는 대역 부하가 있는 활성 통과 대역과 대역 부하가 없는 동일한 활성 통과 대역에 관한 삽입 손실 곡선을 나타내는 그래프이다. 도 2b에서, 제1 곡선(30)은 도 2a에 예시된 활성 대역에 대한 전송 경로(23)의 삽입 손실을 나타낸다. 노치(31)는 대역 부하의 결과로서 제1 곡선(30)에 존재한다. 노치(31)는 예를 들어, 도 2a에 예시된 바와 같이, 비활성 대역의 정재파 공진에 기인하여 발생할 수 있다. 정재파 공진은 활성 대역에서 서크 아웃을 초래할 수 있다. 도 2b에서, 제2 곡선(32)은 대역 부하가 없는 활성 통과 대역을 나타낸다. 제2 곡선(32)은 제1 곡선(30)에 비해 바람직한 삽입 손실 특성을 갖는다.

표면 전류 플롯들은, 도 2a에 예시된 바와 같은 정재파 공진으로 인해, 도 2a의 제1 곡선(30)의 노치(31)에 의해 나타난 바와 같이, 비활성 경로가 에너지를 소모하고 서크 아웃으로서 활성 대역에 나타나는 상당한 전류를 유지할 수 있음을 나타낸다. 다른 표면 전류 플롯들은, 비활성 대역의 전송 경로(22)의 대역 선택 스위치(26)의 입력 측에서, 50옴 부하와 같은 정합된 부하로 인해, 비활성 경로가 활성 대역에 대한 전송 경로(23)에서 상당한 서크 아웃을 야기하지 않아야 하는 최소 전류를 보여줌을 나타낸다.

도 2a에 예시된 대역 부하 문제는 비활성 대역 부하 임피던스를 수정함으로써 방지될 수 있다. 예를 들어, 비활성 대역 부하 임피던스는 스위치가 도 3a에 예시된 것과 같이 온 상태인 적어도 하나의 아암을 갖는 비활성 스위치 논리 상태에 의해 구현될 수 있다. 또 다른 예로서, 비활성 대역 부하 임피던스는 도 4a와 도 6a에 예시된 바와 같이 비활성 상태에서 수동 임피던스 소자와 직렬로 된 유한 스위치 입력 임피던스일 수 있다. 또 다른 예로서, 비활성 대역 부하는 도 5a에 예시된 것과 같이 완전히 개방된 부하를 회피하기 위해서 션트 리액턴스에 의해 구현될 수 있다. 이와 같이, 비활성 부하 임피던스는 상대적으로 작은 션트 리액턴스, 수동 임피던스 회로와 직렬로 되어 있을 수 있는 선택된 비활성 상태 입력 임피던스, 전용 스위치 비활성 상태, 또는 그들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.

도 2c는 일 실시예에 따르는 대역 부하를 감소시킬 수 있는 RF 신호 경로의 개략도이다. 예시된 바와 같이, RF 신호 경로는 전력 증폭기(24), 정합 회로망(25), 및 멀티-스로 스위치(36)를 포함할 수 있다. 예시된 멀티-스로 스위치(36)는 각 스로에 대한 스위치 아암과 션트 아암을 가진 다수의 스로를 구현할 수 있는 스위치 소자(37)를 포함한다. 스위치 소자(37)는 임의의 적절한 수의 스로들을 구현할 수 있다. RF 신호 경로는 활성 상태일 때 RF 신호를 제공할 수 있다. RF 신호 경로는 하나 이상의 다른 RF 신호 경로들에 상대적으로 가깝게 물리적으로 근접하여 위치할 수 있다.

정합 회로망(25)의 부하 임피던스는 다른 신호 경로가 활성 상태일 때 상대적으로 가깝게 물리적으로 근접한 또 다른 RF 신호 경로와의 결합에 의한 RF 신호 경로 상의 공진을 방지할 수 있다. 멀티-스로 스위치(36)의 입력 임피던스 Z는 정합 회로망(25)의 이런 부하 임피던스에 포함될 수 있다. 멀티-스로 스위치(36)의 입력 임피던스 Z가 없는 경우에, 정재파 공진은 다른 RF 신호 경로와의 결합에 의한 RF 신호 경로 상에서 발달할 수 있다. 입력 임피던스 Z는 예를 들어, 도 3a를 참고하여 논의될 원리와 장점들에 따라서, 스위치 소자(37)의 상태를 설정함으로써 구현될 수 있다. 일부 다른 구현들에서, 입력 임피던스 Z는 션트 커패시터에 의해 구현될 수 있다. 특정 구현들에 따라, 입력 임피던스 Z는 입력 션트 아암과 수동 임피던스 회로에 의해 구현될 수 있다.

도 2d는 일 실시예에 따르는 대역 부하를 감소시킬 수 있는 RF 신호 경로의 개략도이다. 도 2d의 RF 신호 경로는 멀티-스로 스위치(36')가 멀티-스로 스위치의 입력 임피던스를 구현하기 위해 수동 임피던스 회로(60)와 직렬로 션트 아암(40)을 포함하는 도 2c의 RF 신호 경로의 예이다. 션트 아암(40)은 RF 신호 경로가 비활성일 때 온일 수 있다. 따라서, RF 신호 경로가 비활성일 때, 수동 임피던스 회로(60)는 입력 션트 아암(40)을 경유하여 접지에 전기적으로 연결될 수 있다. 입력 션트 아암(40)은 RF 신호 경로가 활성일 때 오프일 수 있다. 수동 임피던스 회로(60)는 저항기, 임의의 다른 적절한 수동 임피던스 소자 또는 수동 임피던스 소자들의 임의의 다른 적절한 조합일 수 있다.

비활성 대역에 대한 전송 경로의 실시예들은 도 3a, 4a, 5a 및 6a에서 예시된다. 이들 실시예에서, 도 2a의 전송 경로(22)가 수정된다. 하나 이상의 다른 전송 경로가 또한 도 3a, 4a, 5a 및/또는 6a 중 어느 하나를 참고하여 논의된 원리와 장점들을 구현할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 하나 이상의 다른 전송 경로는 활성 대역에 대한 전송 경로를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 하나 이상의 다른 전송 경로는 예시된 비활성 대역이 비활성일 때 역시 비활성인 또 다른 비활성 대역에 대한 전송 경로를 포함할 수 있다. 더욱이, 도 3a, 4a, 5a 및 6a의 실시예들의 특징들의 임의의 조합은 서로 결합될 수 있다. 동작 중에, 상이한 전송 경로들은 선택적으로 활성화되고 비활성화될 수 있다. 각각의 전송 경로는 활성 상태 또는 비활성 상태에 있을 수 있다. 따라서, 비활성인 것으로서 본 명세서에서 설명되는 전송 경로는 또 다른 시점에서 활성일 수 있다. 유사하게, 활성인 것으로서 본 명세서에서 설명되는 전송 경로는 또 다른 시점에서는 비활성일 수 있다.

특정 실시예들이 하나의 활성 대역과 하나의 비활성 대역을 참고하여 설명되었지만, 본 명세서에서 논의된 원리와 장점들은 2 이상의 대역이 동시에 활성화될 수 있는 반송파 집성(carrier aggregation) 애플리케이션들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에서 논의된 원리와 장점들은 2개의 활성 대역 경로들이 비활성 대역 경로 상의 대역 부하를 야기할 때 적용될 수 있다. 또 다른 예로서, 본 명세서에서 논의된 원리와 장점들은 하나의 활성 대역에서 또 다른 활성 대역까지 추가 삽입 손실을 야기할 수 있는 2개의 활성 대역들 사이의 대역 부하를 방지하도록 적용될 수 있다. 하나의 활성 대역에서 또 다른 활성 대역까지 대역 부하를 감소 및/또는 제거하기 위해, 본 명세서에서 논의된 임의의 적절한 원리와 장점들은 또 다른 활성 대역과의 결합에 의한 활성 대역 상의 공진을 방지하도록 적용될 수 있다. 예를 들어, 정합 회로망의 출력 및/또는 대역 선택 스위치의 입력에서 션트 커패시터 및/또는 입력 션트 아암은 활성 경로 상에서 그러한 공진을 방지할 수 있다.

도 3a는 일 실시예에 따르는, 대역 부하를 감소시키도록 구성된 대역 선택 스위치를 가진 활성 대역과 비활성 대역의 개략도이다. 도 3a의 전송 경로(22')는 도 2a의 전송 경로(22)의 수정된 버전이다. 전송 경로(22')는 전력 증폭기(24), 정합 회로망(25), 및 대역 선택 스위치(26')를 포함한다. 도 3a의 전송 경로(23')는 도 2a의 전송 경로(23)의 수정된 버전이다. 전송 경로(23')는 전력 증폭기(27), 정합 회로망(28), 및 대역 선택 스위치(29')를 포함한다. 전송 경로들(22' 및 23')은 결합이 전송 경로들 사이에 발생할 수 있도록 서로 상대적으로 가깝게 물리적으로 근접할 수 있다. 본 명세서에서 논의된 임의의 전송 경로들의 임의의 경로의 실시예들은 예시된 것보다 많은 소자들 및/또는 예시된 소자들의 서브세트를 포함할 수 있다. 더욱이, 전송 경로는 본 명세서에 개시된 임의의 전송 경로들의 특징들의 임의의 적절한 조합을 포함할 수 있다.

전력 증폭기(24)는 RF 신호를 증폭하고 증폭된 RF 신호를 제공하도록 구성된다. 전력 증폭기(24)는 임의의 적절한 RF 전력 증폭기일 수 있다. 예를 들어, 전력 증폭기(24)는 단일 스테이지 전력 증폭기, 멀티-스테이지 전력 증폭기, 하나 이상의 바이폴라 트랜지스터에 의해 구현된 전력 증폭기, 또는 하나 이상의 전계 효과 트랜지스터에 의해 구현된 전력 증폭기 중 하나 이상일 수 있다. 전력 증폭기(24)는 전송 경로(22')가 비활성일 때 비활성화될 수 있다. 예를 들어, 전력 증폭기(24)에 제공된 바이어스는 전송 경로(22')가 비활성일 때 전력 증폭기(24)를 비활성시킬 수 있다.

정합 회로망(25)은 신호 반사 및/또는 다른 신호 왜곡을 감소시키는데 도움이 될 수 있다. 정합 회로망(25)은 하나 이상의 커패시터와 하나 이상의 인덕터를 포함할 수 있다. 정합 회로망(25)은 전력 증폭기(24)와 대역 선택 스위치(26') 사이의 신호 경로에서의 션트 커패시터, 션트 인덕터, 션트 직렬 LC 회로, 병렬 LC 회로, 신호 경로에서의 커패시터, 또는 신호 경로에서의 인덕터를 더 많이 포함할 수 있다. 정합 회로망(25)의 아크들에 의해 예시된 바와 같이, 정합 회로망(25)의 하나 이상의 인덕터는 본드 와이어에 의해 구현될 수 있다. 정합 회로망(25)이 예시적인 목적을 위해 제공되었지만, 본 명세서에서 논의된 원리와 장점들이 다른 임의의 적절한 정합 회로망과 관련하여 구현될 수 있다는 것을 이해할 것이다.

대역 선택 스위치(26')는 정합 회로망(25)을 경유하여 전력 증폭기(24)에 결합된다. 정합 회로망(25)의 출력은 대역 선택 스위치(26')의 입력에 제공될 수 있다. 활성 상태에서, 대역 선택 스위치(26')는 입력에서 수신된 RF 신호를 선택된 출력에 전기적으로 결합할 수 있다. 대역 선택 스위치(26')의 상이한 출력들은 상이한 정의된 주파수 대역들과 연관될 수 있다. 예를 들어, 대역 선택 스위치(26')의 2개의 상이한 출력은 전송 경로(22')의 정의된 주파수 대역의 2개의 상이한 한정된 부 대역들과 연관될 수 있다. 대역 선택 스위치(26')의 상이한 출력들은 상이한 정의된 부 대역들과 연관되는 상이한 전송 경로들에 전기적으로 결합될 수 있다. 상이한 전송 경로들은 각각의 정의된 부 대역 내에 전송을 위해 RF 신호를 처리하기 위한 필터 및/또는 다른 회로를 각각 포함할 수 있다.

본 명세서에 개시된 대역 선택 스위치(26')와 임의의 다른 예시된 대역 선택 스위치들은 실리콘-온-절연체 기술과 같은 반도체-온-절연체 기술로 구현될 수 있다. 예시된 대역 선택 스위치(26')는 멀티-스로 스위치이다. 대역 선택 스위치(26')가 예시적인 목적을 위해 단일 폴 멀티-스로 스위치로서 도시되지만, 본 명세서에서 논의된 원리와 장점들이 멀티 폴 멀티-스로 스위치들을 포함하는 RF 신호 경로들에 적용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.

대역 선택 스위치(26')의 각각의 스로는, 스위치 아암과 이 스위치 아암에 전기적으로 결합된 션트 아암을 포함한다. 스위치 아암은 스위치 아암이 온일 때 정합 회로망(25)으로부터 수신된 입력 신호를 대역 선택 스위치(26')의 출력에 제공할 수 있다. 스위치 아암은 예시된 바와 같이 전계 효과 트랜지스터에 의해 구현될 수 있다. 스위치 아암은 도 3a에서 예시된 제어 신호들 A, B, C 또는 D 중 하나와 같은, 스위치 아암에 대한 제어 신호에 기초하여 턴 온 및 턴 오프될 수 있다. 도 3a에 예시된 것과 같이, 제어 신호는 스위치 아암을 구현할 수 있는 전계 효과 트랜지스터의 게이트에 제공될 수 있다. 션트 아암은 션트 아암이 온일 때 접지에 경로를 제공할 수 있다. 션트 아암은 예시된 바와 같이 전계 효과 트랜지스터에 의해 구현될 수 있다. 션트 아암은 도 3a에 예시된 션트 제어 신호들 S_A, S_B, S_C, 또는 S_D 중 하나와 같은, 션트 아암에 대한 션트 제어 신호에 기초하여 턴 온 및 턴 오프될 수 있다. 도 3a에 예시된 것과 같이, 션트 제어 신호는 션트 아암을 구현하는 전계 효과 트랜지스터의 게이트에 제공될 수 있다. 특히, 대역 선택 스위치(26')가 실리콘-온-절연체 기술로 구현될 때, 션트 아암은 대역 선택 스위치(26')에서 적절한 대역 간 분리에 제공할 수 있다.

대역 선택 스위치(26')는 선택된 출력과 연관된 스위치 아암을 온시키고, 선택된 출력과 연관된 션트 아암을 오프시킴으로써 그의 입력을 선택된 출력에 전기적으로 결합할 수 있다. 입력이 선택된 출력에 전기적으로 결합되어 있는 동안, 대역 선택 스위치(26')의 다른 스위치 아암들은 오프 상태일 수 있으며, 대역 선택 스위치(26')의 다른 각각의 션트 아암은 온 상태일 수 있다. 이것은 대역 선택 스위치(26')의 입력을 선택되지 않은 출력들로부터 전기적으로 분리할 수 있다.

대역 선택 스위치(29')는 대역 선택 스위치(26')를 참고하여 설명된 임의의 특징을 구현할 수 있다. 대역 선택 스위치(29')는 활성 상태에 있는 것으로 도시되지만, 비활성 상태에서 대역 선택 스위치(29')는 대역 선택 스위치(26')의 예시된 상태와 유사한 상태에서 동작할 수 있다. 스위치 제어 회로(35)는 전송 경로(22')의 스위치 제어 회로(34)와 유사하게 동작할 수 있다.

도 2a, 3a, 4a, 5a 및 6a에 예시된 대역 선택 스위치들은 각각의 스로에 대한 직렬 전계 효과 트랜지스터 및 션트 전계 효과 트랜지스터를 포함하지만, 일부 다른 실시예들에서 대역 선택 스위치는 스로들의 일부 또는 전부에 대한 직렬 전계 효과 트랜지스터 및 션트 전계 효과 트랜지스터를 포함할 수 있다는 것을 이해할 것이다.

전송 경로(22')의 전력 증폭기(24)는 대역 선택 스위치(26')를 비활성 상태로 설정함으로써 도 1의 안테나(18)와 같은 안테나로부터 전기적으로 분리될 수 있다. 비활성 상태는 오프 상태로도 지칭될 수 있다. 대역 선택 스위치(26')의 비활성 상태에서, 대역 선택 스위치(26')는 정합 회로망(25)의 출력을 대역 선택 스위치(26')의 모든 출력들로부터 전기적으로 분리한다.

도 3a에 도시된 실시예에서, 대역 선택 스위치(26')의 비활성 상태에서, 스위치 아암들 중 하나는 온이고, 나머지 스위치 아암들은 오프이다. 온인 스위치 아암과 연관된 션트 아암도 비활성 상태에서 온이다. 하나의 스위치 아암을 온으로 하고 연관된 션트 아암을 온으로 하는 것은 정합 회로망(25)의 부하 측에 임피던스를 제공하여, 부하로부터의 반사를 줄이며, 따라서 비활성 전송 경로(22')에서의 임의의 정재파 진폭을 감쇠시킬 수 있다. 따라서, 활성 상태 시의 전송 경로(23') 상의 대역 부하가 감소 및/또는 제거될 수 있다. (도 3a에 도시되지 않은) 일부 다른 실시예들에서는, 둘 이상의 스위치 아암 및 그들에 대응하는 션트 아암이 온일 수 있으며, 따라서 정합 회로망(25)의 부하 측에 임피던스를 제공하여 활성 대역과의 결합으로 인한 공진을 방지할 수 있다.

스위치 제어 회로(34)는 제어 신호들(A, B, C, D, S_A, S_B, S_C, S_D)을 대역 선택 스위치(26')에 제공할 수 있다. 스위치 제어 회로(34)는 제어 신호들을 제공함으로써 대역 선택 스위치(26')의 상태를 제어할 수 있다. 제어 신호들은 전송 경로(22')가 비활성일 때 대역 선택 스위치(26')의 상태를 비활성 상태로 설정할 수 있다. 제어 신호들은 전송 경로(22)가 활성일 때 대역 선택 스위치(26')의 상태를 대역 선택 스위치(26')의 입력이 대역 선택 스위치(26')의 선택된 출력에 제공되는 활성 상태로 설정할 수 있다. 스위치 제어 회로(34)는 임의의 적절한 회로에 의해 구현될 수 있다.

도 3b는 도 3a의 실시예에 따른 활성 통과 대역 및 대역 부하를 갖지 않는 활성 통과 대역에 대한 삽입 손실 곡선들을 나타내는 그래프이다. 곡선(38)은 도 3a의 실시예와 연관되며, 곡선(39)은 활성 대역 상에 대역 부하가 없는 것과 연관된다. 도 3b의 곡선들(38, 39)에 의해 표시되는 바와 같이, 도 3a의 실시예는 대역 부하를 방지하도록 양호하게 동작한다.

도 4a는 일 실시예에 따른, 대역 선택 스위치의 입력에 션트 스위치 아암을 갖는 활성 대역 및 비활성 대역의 개략도이다. 도 4a에 도시된 전송 경로(22")는 도 3a를 참고하여 설명된 특징들의 임의 조합을 구현할 수 있는 전력 증폭기(24) 및 정합 회로망(25)을 포함한다. 도 4a의 전송 경로(22")는 도 3a의 전송 경로(22')와 다른 대역 선택 스위치를 포함한다. 게다가, 도 3a의 스위치 제어 회로(34)에 비해, 도 4a의 스위치 제어 회로(34')는 추가적인 제어 신호를 제공할 수 있고/있거나, 대역 선택 스위치(26')가 비활성 상태에 있을 때 대역 선택 스위치(26')에 제공되는 일부 신호들의 다른 값들을 제공할 수 있다.

전송 경로(23")는 전송 경로(22")의 특징들의 임의 조합을 구현할 수 있다. 전송 경로(23")는 전송 경로(22")가 비활성 상태에 있는 동안 활성 상태에 있을 수 있다. 전송 경로들(22", 23")은 전송 경로들 사이에 결합이 일어날 수 있도록 서로 상대적으로 가깝게 물리적으로 근접할 수 있다.

도 4a의 대역 선택 스위치(26")는 대역 선택 스위치(26")의 입력에서 입력 션트 아암(40)을 포함한다. 입력 션트 아암(40)은 전송 경로(22")가 비활성 상태일 때 온일 수 있고, 전송 경로(23")가 활성 상태일 때 오프일 수 있다. 입력 션트 아암(40)은 온일 때 션트 경로를 제공할 수 있다. 입력 션트 아암(40) 및 저항기(42)는 대역 선택 스위치(26")의 입력과 접지 사이에 직렬로 있을 수 있다. 입력 션트 아암(40)이 온일 때, 입력 션트 아암(40) 및 저항기(42)는 함께 약 50옴과 같은 원하는 정합 임피던스를 제공할 수 있다. 일례로서, 저항기(42)는 약 44옴의 저항을 가질 수 있으며, 따라서 션트 아암(40)이 온일 때, 저항기(42)와 션트 아암(40)의 직렬 저항은 약 50옴이 된다.

입력 션트 아암(40)은 도 4a에 도시된 바와 같이 전계 효과 트랜지스터에 의해 구현될 수 있다. 전계 효과 트랜지스터는 도시된 바와 같이 N형 트랜지스터일 수 있다. 전계 효과 트랜지스터의 소스는 접지에 접속될 수 있고, 전계 효과 트랜지스터의 드레인은 대역 선택 스위치(26")의 입력에 연결될 수 있으며, 전계 효과 트랜지스터의 게이트는 오프 상태 제어 신호(S_OFF)를 수신할 수 있다. 도 4a의 스위치 제어 회로(34')는 전송 경로(22")가 비활성 상태일 때 입력 션트 아암(40)이 온이 되고 전송 경로(22")가 활성 상태일 때 입력 션트 아암(40)이 오프가 되도록 오프 상태 제어 신호(S_OFF)를 제어할 수 있다. 대안으로서, 도 4a의 스위치 제어 회로(34')는 전송 경로(23")가 활성 상태일 때 입력 션트 아암(40)이 온이 되고 전송 경로(23")가 비활성 상태일 때 입력 션트 아암(40)이 오프가 되도록 전송 경로(22")의 입력 션트 아암(40)을 제어할 수 있다.

대역 선택 스위치(26")의 입력 션트 아암(40)은 정합 회로망(25)의 부하 측에 임피던스를 제공하여, 부하로부터의 반사를 줄이고, 따라서 비활성 전송 경로(22")에서의 임의의 정재파 진폭을 감쇠시킬 수 있다. 따라서, 활성 전송 경로(23") 상의 대역 부하가 감소 및/또는 제거될 수 있다.

대역 선택 스위치(29")는 저항기(42')와 직렬인 입력 션트 아암(40')을 포함한다. 대역 선택 스위치(29")는 활성 상태에 있는 것으로 도시되지만, 비활성 상태에서 대역 선택 스위치(29")는 대역 선택 스위치(26")의 도시된 상태와 유사한 상태에서 동작할 수 있다. 따라서, 대역 선택 스위치(29")는 대역 선택 스위치(26")를 참고하여 설명된 임의의 특징을 구현하여, 전송 경로(23") 상의 원하지 않는 공진을 방지할 수 있다. 이것은 (도시되지 않은) 활성 상태에서의 전송 경로(22") 상의 대역 부하가 감소 및/또는 제거되게 할 수 있다.

도 4b는 도 4a의 실시예에 따른 활성 통과 대역 및 대역 부하를 갖지 않는 활성 통과 대역에 대한 삽입 손실 곡선들을 나타내는 그래프이다. 곡선(41)은 도 4a의 실시예와 연관되며, 곡선(42)은 활성 대역 상에 대역 부하가 없는 것과 연관된다. 도 4b의 곡선들(41, 42)에 의해 표시되는 바와 같이, 도 4a의 실시예는 대역 부하를 방지하도록 양호하게 동작한다.

도 5a는 일 실시예에 따른, 대역 선택 스위치의 입력에서 션트 커패시터를 갖는 활성 대역 및 비활성 대역의 개략도이다. 도 5a에 도시된 전송 경로(22''')는 도 3a 및/또는 4a을 참고하여 설명된 특징들의 임의 조합을 구현할 수 있는 전력 증폭기(24) 및 정합 회로망(25)을 포함한다. 도 5a의 전송 경로(22''')는 도 3a의 전송 경로(22') 및 도 4a의 전송 경로(22")와 다른 대역 선택 스위치를 포함한다.

전송 경로(23''')는 전송 경로(22''')의 특징들의 임의 조합을 구현할 수 있다. 전송 경로(23''')는 전송 경로(22''')가 비활성 상태에 있는 동안 활성 상태에 있을 수 있다. 전송 경로들(22''', 23''')은 전송 경로들 사이에 결합이 일어날 수 있도록 상대적으로 가깝게 물리적으로 근접할 수 있다.

도 5a의 대역 선택 스위치(26''')는 대역 선택 스위치(26''')의 입력에서 션트 커패시터(50)를 포함한다. 션트 커패시터(50)는 개별적으로 구현되는 경우에도 대역 선택 스위치(26''')의 일부로서 간주될 수 있다. 션트 커패시터(50)는 수 피코패럿(pF) 정도의 커패시턴스와 같은 비교적 작은 커패시턴스를 가질 수 있다. 션트 커패시터(50)의 커패시턴스는 션트 커패시터(50)의 임피던스가 활성 대역의 주파수에서 선택된 임피던스와 정합되도록 선택될 수 있다. 일례에서, 션트 커패시터는 소정 응용들에서 50옴 임피던스와 정합되도록 약 2pF 내지 3pF 범위 내의 커패시턴스를 가질 수 있다. 션트 커패시터(50)는 비활성 경로(22''') 상에서의 정재파 공진을 방지할 수 있다.

도시된 바와 같이, 전송 경로(23''')의 대역 선택 스위치(29''')는 션트 커패시터(50)와 동일하거나 유사한 기능을 제공할 수 있는 션트 커패시터(50')를 포함한다. 션트 커패시터들(50, 50')은 소정 애플리케이션들에서 대략 동일한 커패시턴스들을 가질 수 있다. 다른 애플리케이션들에서, 션트 커패시터들(50, 50')은 상이한 커패시턴스들을 가질 수 있다.

스위치 제어 회로들(34", 35")은 다른 스위치 제어 회로들(34, 35)과 동일하거나 유사한 기능을 각각 제공할 수 있다.

도 5b는 도 5a의 실시예에 따른 활성 통과 대역 및 대역 부하를 갖지 않는 활성 통과 대역에 대한 삽입 손실 곡선들을 나타내는 그래프이다. 곡선(51)은 도 5a의 실시예와 연관되고, 곡선(52)은 활성 대역 상에 대역 부하가 없는 것과 연관된다. 도 5b의 곡선들(51, 52)에 의해 표시된 바와 같이, 도 5a의 실시예는 대역 부하를 방지하도록 양호하게 동작한다. 도 5b의 곡선(51)은 약 0.60 GHz와 0.65 GHz 사이에서 삽입 손실 곡선 내에 노치를 갖는다. 이 노치는 활성 대역 내의 신호 경로 내에 존재하는 션트 커패시터에 의해 생성될 수 있다.

도 6a는 일 실시예에 따른, 대역 선택 스위치의 입력에 션트 스위치 아암을 갖는 활성 대역 및 비활성 대역의 개략도이다. 도 6a에 도시된 전송 경로(22'''')는 수동 임피던스 회로(60)가 저항기(42) 대신 도시된 것 외에는 도 4a의 전송 경로(22")와 유사하다. 따라서, 임의의 적절한 수동 임피던스 회로가 대역 선택 스위치의 입력 션트 아암(40)과 직렬로 구현되어, 활성 대역과의 결합으로 인한 비활성 대역 상의 정재파 공진을 방지(예로서, 감소 또는 제거)하기 위한 임피던스를 제공할 수 있다.

수동 임피던스 회로(60)는 임의의 적절한 수동 임피던스 소자(들)에 의해 구현될 수 있다. 도 4a의 저항기(42)는 적절한 수동 임피던스 회로(60)의 일례이다. 도 6b 내지 6g는 도 6a의 수동 임피던스 회로(60)의 다른 예들을 도시한다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 커패시터가 수동 임피던스 회로(60")를 구현할 수 있다. 다른 예로서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 인덕터가 수동 임피던스 회로(60''')를 구현할 수 있다. 적절한 수동 임피던스 회로들은 예를 들어, 도 6d 내지 6g에 도시된 바와 같이 수동 임피던스 소자들의 직렬 및/또는 병렬 조합들을 포함할 수 있다. 도 6d에 도시된 바와 같이, 직렬 LC 회로가 수동 임피던스 회로(60'''')를 구현할 수 있다. 도 6e에 도시된 바와 같이, 병렬 LC 회로가 수동 임피던스 회로(60''''')를 구현할 수 있다. 도 6f는 직렬 RLC 수동 임피던스 회로(60'''''')를 도시한다. 하나의 추가 예로서, 도 6g에 도시된 바와 같이, 병렬 LC 회로와 직렬인 저항기가 수동 임피던스 회로(60''''''')를 구현할 수 있다.

도 6a를 다시 참조하면, 전송 경로(23'''')는 전송 경로(22'''')의 특징들의 임의의 조합을 구현할 수 있다. 전송 경로(22'''')가 비활성 상태에 있는 동안 전송 경로(23'''')는 활성 상태에 있을 수 있다. 전송 경로들(22'''', 23'''')은 그 전송 경로들 사이에 결합이 발생할 수 있도록 서로 상대적으로 가깝게 물리적으로 근접할 수 있다.

저항기(42) 대신에 수동 임피던스 회로(60)가 도시된 것을 제외하고는 도 6a의 대역 선택 스위치(26''')는 도 4a의 대역 선택 스위치(26'')와 유사하다. 저항기(42') 대신에 수동 임피던스 회로(60')가 도시된 것을 제외하고는 도 6a의 대역 선택 스위치(29''')는 도 4a의 대역 선택 스위치(29'')와 유사하다. 전송 경로(23''')의 수동 임피던스 회로(60')는 수동 임피던스 회로(60)와 동일한 또는 유사한 기능을 제공할 수 있다. 수동 임피던스 회로들(60, 60')은 소정 애플리케이션들에서 동일한 회로 토폴로지를 가질 수 있다. 다른 애플리케이션들에서, 수동 임피던스 회로들(60, 60')은 상이한 회로 토폴로지들을 가질 수 있다.

스위치 제어 회로들(34''', 35''')은 다른 스위치 제어 회로들(34', 35')과 동일한 또는 유사한 기능을 각각 제공할 수 있다.

도 3a, 도 4a, 도 5a, 및 도 6a가 비활성 전송 경로의 출력 정합 회로망의 LC 공진 및/또는 정재파 공진을 감소시킬 수 있는 대역 선택 스위치의 입력에서의 부하들의 예들을 도시하지만, 다른 적절한 부하들이 커패시터들 및 인덕터들을 포함하는 정합 회로망에서 정재파 공진들을 방지하기 위해 제공될 수 있다는 것을 이해할 것이다.

도 7은 본 명세서에서 논의되는 실시예들 중 임의의 것, 예컨대 도 3a, 도 4a, 도 5a, 및/또는 도 6a를 참조하여 논의되는 실시예들 중 임의의 것 등에 따른 전송 경로들을 포함하는 예시적인 전력 증폭기 모듈(70)의 개략적인 블록도이다. 예시된 전력 증폭기 모듈(70)은 전력 증폭기 다이(72), 정합 회로망(74), 및 스위치 다이(76)를 포함한다. 전력 증폭기 모듈(70)은 전력 증폭기 다이(72), 정합 회로망(74), 및 스위치 다이(76)를 캡슐화하는 패키지를 포함하는 패키징된 모듈일 수 있다. 전력 증폭기 다이(72), 정합 회로망(74), 및 스위치 다이(76)는 공통 기판에 장착되고/되거나 공통 기판상에 구현될 수 있다. 공통 기판은 적층 기판 또는 다른 적절한 패키징 기판일 수 있다. 일부 다른 실시예(도 7에 도시되지 않음)에서, 전력 증폭기와 대역 선택 스위치는 단일 다이 상에 구현될 수 있다.

전력 증폭기 다이(72)는 예를 들어, 전력 증폭기들(24 및/또는 27)과 같은, 본 명세서에서 논의되는 전력 증폭기들 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 전력 증폭기 다이(72)는 소정 구현들에서 갈륨비소(GaAs) 다이, CMOS 다이, 또는 실리콘 게르마늄(SiGe) 다이일 수 있다. 전력 증폭기 다이(72)는 예를 들어, 이종접합 바이폴라 트랜지스터들 및/또는 하나 이상의 전계 효과 바이폴라 트랜지스터들 등과 같은, 하나 이상의 바이폴라 전력 증폭기 트랜지스터를 포함할 수 있다.

정합 회로망(74)은 정합 회로망들(25 및/또는 28)과 같은, 본 명세서에서 논의되는 정합 회로망들의 회로 요소들 중 일부 또는 전부를 포함할 수 있다. 정합 회로망(74)은 하나 이상의 표면 장착 커패시터, 하나 이상의 표면 장착 인덕터, 패키징 기판상의 및/또는 패키징 기판 내의 나선형 트레이스에 의해 구현된 하나 이상의 인덕터, 별도의 다이 또는 인쇄 회로 기판상에 구현된 하나 이상의 커패시터, 별도의 다이 또는 인쇄 회로 기판상에 구현된 하나 이상의 인덕터, 하나 이상의 본드 와이어 류, 또는 그들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일 예로서, 정합 회로망(74)은 기판상에 구현된 나선형 인덕터들, 표면 장착 커패시터들, 통합된 수동 디바이스(IPD, Integrated Passive Device) 다이, 및 인덕터들을 구현하는 본드 와이어들을 포함할 수 있다. 일 실시예(도 7에 도시되지 않음)에서, 예를 들어, 하나 이상의 커패시터들과 같은 정합 회로망의 일부는 전력 증폭기 다이(72) 상에 구현될 수 있다.

스위치 다이(76)는 예를 들어, 도 3a, 도 4a, 도 5a, 및/또는 도 6a의 대역 선택 스위치들과 같은, 본 명세서에 논의되는 대역 선택 스위치들 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 스위치 다이(76)는 예를 들어, 도 3a 및/또는 도 4a를 참조하여 논의된 스위치 선택 로직 등과 같은 스위치 선택 로직을 포함할 수 있다. 스위치 다이(76)는 전력 증폭기 다이(72)와는 상이한 프로세스 기술로 제조될 수 있다. 소정 구현들에서, 스위치 다이(76)는 예를 들어, 실리콘-온-절연체 다이와 같은, 반도체-온-절연체(SOI, Semiconductor-On-Insulator) 다이 또는 CMOS 다이일 수 있다.

도 7이 예시적 목적을 위해 전력 증폭기 모듈과 관련되지만, 본 명세서에서 논의되는 실시예들 중 임의의 것에 따른 전송 경로들은 다양한 모듈들 내에 구현될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에서 논의되는 원리들 및 장점들 중 임의의 것은 멀티-칩 모듈 및/또는 전단 모듈에 구현될 수 있다. 그러한 모듈들은 제1 전송 경로들과 동일한 패키지 내에 둘러싸인 추가 회로들 및/또는 다이(들)을 포함할 수 있다. 모듈들은 스마트폰들과 같은 이동 디바이스들을 위한 컴포넌트들일 수 있다.

도 8은 하나 이상의 전력 증폭기들 및 안테나 스위치 모듈을 포함할 수 있는 무선 또는 이동 디바이스(81)의 일례의 개략적인 블록도이다. 무선 디바이스(81)는 본 개시 내용의 하나 이상의 특징들을 구현하는 하나 이상의 전송 경로(85)를 가질 수 있다. 예를 들어, 무선 디바이스(81)의 전송 경로들(85)은 도 1, 도 3a, 도 4a, 도 5a, 또는 도 6a 중 임의의 것과 함께 논의된 원리들 및 장점들 중 임의의 것에 따른 전송 경로들을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 본 명세서에서 논의되는 대역 선택 스위치들 및/또는 선택 스위치들 중 임의의 것이 도 8의 스위치 모듈(16)에 포함될 수 있다. 유사하게, 도 8의 스위치 모듈(16)과 안테나(18)는 도 1의 스위치 모듈(16)과 안테나(18)에 각각 대응할 수 있다. 본 명세서에서 논의되는 정합 회로망들 중 임의의 것과 같은 추가 요소들은 도 8의 스위치 모듈(16)과 전력 증폭기들(87) 중 임의의 것의 출력 사이에 배치될 수 있다.

도 8에 도시된 예시적인 무선 디바이스(81)는 다중 대역/다중 모드 이동 전화와 같은 다중 대역 및/또는 다중 모드 디바이스를 나타낼 수 있다. 예로서, 무선 디바이스(81)는 롱 텀 에볼루션(LTE)에 따라 통신할 수 있다. 이 예에서, 무선 디바이스는 LTE 표준에 의해 정의된 하나 이상의 주파수 대역에서 동작하도록 구성될 수 있다. 무선 디바이스(81)는 대안적으로 또는 부가적으로 Wi-Fi 표준, 3G 표준, 4G 표준, 또는 어드밴스드 LTE 표준 중 하나 이상을 포함하지만 그에 한정되지는 않는 하나 이상의 다른 통신 표준에 따라 통신하도록 구성될 수 있다. 본 개시 내용의 전송 경로들은 예를 들어, 전술한 예시적인 통신 표준들 중 임의의 조합을 구현하는 이동 디바이스 내에 구현될 수 있다.

도시된 바와 같이, 무선 디바이스(81)는 스위치 모듈(16), 송수신기(83), 안테나(18), 전력 증폭기들(87), 정합 회로망들(25, 28), 제어 컴포넌트(88), 컴퓨터 판독가능 저장 매체(89), 프로세서(90), 및 배터리(91)를 포함할 수 있다.

송수신기(83)는 안테나(18)를 통한 전송을 위한 RF 신호들을 생성할 수 있다. 또한, 송수신기(83)는 안테나(18)로부터 들어오는 RF 신호들을 수신할 수 있다. RF 신호들의 전송 및 수신과 연관된 다양한 기능들은, 송수신기(83)로서 도 8에 집합적으로 나타낸 하나 이상의 컴포넌트에 의해 달성될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 단일 컴포넌트는 전송 및 수신 둘 다의 기능들을 제공하도록 구성될 수 있다. 다른 예에서, 전송 및 수신 기능들은 별도의 컴포넌트들에 의해 제공될 수 있다.

도 8에서, 송수신기(83)로부터의 하나 이상의 출력 신호는 하나 이상의 전송 경로(85)를 통해 안테나(18)에 제공되는 것으로서 묘사된다. 도시된 예에서, 상이한 전송 경로들(85)은 상이한 대역들(예를 들어, 고 대역 및 저 대역) 및/또는 상이한 전력 출력들과 연관되는 출력 경로들을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 도시된 두 개의 상이한 경로들이 도 1, 도 3a, 도 4a, 도 5a, 및/또는 도 6a를 참조하여 논의된 전단 아키텍처들 중 임의의 것의 상이한 전송 경로들 중 두 개를 나타낼 수 있다. 전송 경로들(85)은 상이한 전송 모드들과 연관될 수 있다. 전술한 바와 같이, 예를 들어, 하나 이상의 다른 전송 경로(85)가 비활성인 동안 예시된 전송 경로들(85) 중 하나는 활성일 수 있다. 대안적으로, 두 개 이상의 전송 경로들(85)은 반송파 집성 애플리케이션들에서 활성일 수 있다. 다른 전송 경로들(85)은 상이한 전력 모드들(예를 들어, 고 전력 모드 및 저 전력 모드) 및/또는 상이한 전송 주파수 대역들과 연관된 경로들과 연관될 수 있다. 전송 경로들(85)은 상대적으로 낮은 전력을 갖는 RF 신호를 전송에 적합한 더 높은 전력으로 부스팅하는 것을 보조하기 위한 하나 이상의 전력 증폭기(87)를 포함할 수 있다. 예시된 바와 같이, 전력 증폭기들(87)은 위에 논의된 전력 증폭기들(24, 27)을 포함할 수 있다. 도 8이 두 개의 전송 경로들(85)을 이용하는 구성을 도시하지만, 무선 디바이스(81)는 두 개 초과의 전송 경로들(85)을 포함하도록 적응될 수 있다.

도 8에서, 안테나(18)로부터의 하나 이상의 검출 신호가 하나 이상의 수신 경로(86)를 통해 송수신기(83)에 제공되는 것으로서 묘사된다. 도시된 예에서, 상이한 수신 경로들(86)은 상이한 시그널링 모드들 및/또는 상이한 수신 주파수 대역들과 연관된 경로들을 나타낼 수 있다. 도 8이 4개의 수신 경로(86)를 이용하는 구성을 예시하지만, 무선 디바이스(81)는 더 많거나 적은 수신 경로들(86)을 포함하도록 적응될 수 있다.

수신 및/또는 전송 경로들 간의 스위칭을 용이하게 하기 위해, 안테나 스위치 모듈(16)이 포함될 수 있고 안테나(18)를 선택된 전송 또는 수신 경로에 선택적으로 전기적으로 연결하는 데 이용될 수 있다. 그러므로, 안테나 스위치 모듈(16)은 무선 디바이스(81)의 동작과 연관되는 다수의 스위칭 기능을 제공할 수 있다. 안테나 스위치 모듈(16)은 예를 들어, 상이한 대역들 간의 스위칭, 상이한 모드들 간의 스위칭, 전송 모드와 수신 모드 간의 스위칭, 또는 이들의 임의의 조합과 연관된 기능들을 제공하도록 구성된 멀티-스로 스위치를 포함할 수 있다. 스위치 모듈(16)은 본 명세서에서 논의되는 대역 선택 스위치들 중 임의의 것을 포함할 수 있다.

도 8은 소정 실시예들에서, 안테나 스위치 모듈(16) 및/또는 다른 동작 컴포넌트(들)의 동작들과 연관된 다양한 제어 기능들을 제어하기 위한 제어 컴포넌트(88)가 제공될 수 있다는 것을 나타낸다. 예를 들어, 제어 컴포넌트(88)는 특정 전송 또는 수신 경로를 선택하기 위해 안테나 스위치 모듈(16)에 제어 신호들을 제공하는 것을 도울 수 있다.

소정 실시예들에서, 프로세서(90)는 무선 디바이스(81) 상에서 다양한 프로세스들의 구현을 용이하게 하도록 구성될 수 있다. 프로세서(90)는 예를 들어, 범용 프로세서 또는 특수 목적 프로세서일 수 있다. 소정 구현들에서, 무선 디바이스(81)는 프로세서(90)에 제공될 수 있고 그에 의해 실행될 수 있는 컴퓨터 프로그램 명령어들을 저장할 수 있는 메모리와 같은, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체(89)를 포함할 수 있다.

배터리(91)는 예를 들어, 리튬이온 배터리를 포함하는 무선 디바이스(81)에 사용하기 적합한 임의의 배터리일 수 있다.

전술한 실시예들 중 일부는 전력 증폭기들 및/또는 이동 디바이스들과 관련하여 예들을 제공했다. 그러나, 실시예들의 원리들과 장점들은 본 명세서에서 기술되는 회로들 중 임의의 것으로부터 이득을 얻을 수 있을 임의의 업 링크 셀룰러 디바이스와 같은, 임의의 다른 시스템들 또는 장치에 사용될 수 있다. 본 명세서의 교시는 예를 들어, 다중 대역 및/또는 다중-모드 전력 증폭기 시스템들을 포함하는, 다수의 전력 증폭기들을 가진 시스템들을 포함하는 다양한 전력 증폭기 시스템들에 적용될 수 있다. 본 명세서에서 논의되는 전력 증폭기 트랜지스터들은 예를 들어, 갈륨비소(GaAs), CMOS, 또는 실리콘 게르마늄(SiGe) 트랜지스터들일 수 있다. 본 명세서에서 논의되는 전력 증폭기들은 이종접합 바이폴라 트랜지스터들과 같은 바이폴라 트랜지스터들 및/또는 전계 효과 트랜지스터들에 의해 구현될 수 있다.

본 개시 내용의 양상들은 다양한 전자 디바이스에서 구현될 수 있다. 전자 디바이스의 예들은, 가전제품들, 가전제품들의 부품들, 전자 테스트 장비, 기지국과 같은 셀룰러 통신 기반 구조 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 전자 디바이스들의 예들은, 스마트폰과 같은 이동 전화, 전화, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 컴퓨터, 핸드헬드 컴퓨터, 랩톱 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 스마트 시계와 같은 웨어러블(wearable) 컴퓨팅 디바이스, 개인 휴대 단말기(PDA, personal digital assistant), 마이크로웨이브, 냉장고, 자동차 전자 시스템과 같은 차량 전자 시스템, 스테레오 시스템, DVD 플레이어, CD 플레이어, MP3 플레이어와 같은 디지털 음악 플레이어, 라디오, 캠코더, 카메라, 디지털 카메라, 휴대용 메모리 칩, 세척기, 건조기, 세척/건조기, 복사기, 팩스 머신, 스캐너, 다기능 주변 디바이스, 손목시계, 탁상시계 등이 포함되지만, 이것으로 제한되는 것은 아니다. 또한, 전자 디바이스는 미완성 제품들을 포함할 수 있다.

상세한 설명 및 청구항들을 통틀어 문맥상 명확하게 달리 요구하지 않는 한, 단어 "포함한다(comprise)", "포함하는(comprising)", "내포한다(include)", "내포하는(including)" 등은 배타적(exclusive) 또는 완전한(exhaustive) 의미가 아니라 포함적 의미로 해석되어야 한다; 즉, "포함하지만, 이들로 제한되는 것은 아니다"라는 의미이다. "결합된(coupled)"이라는 단어는, 일반적으로 본 명세서에서 이용될 때, 직접 연결되거나 또는 하나 이상의 중간 요소를 경유하여 연결될 수 있는 2개 이상의 요소를 지칭한다. 마찬가지로, 단어 "연결된"이란, 일반적으로 본원에서 사용될 때, 직접 연결되거나, 하나 이상의 중간 요소를 통해 연결될 수 있는 2개 이상의 요소를 말한다. 부가적으로, "본 명세서에(herein)", "위에(above)", "아래에(below)"라는 단어들 및 유사한 의미의 단어들은, 본 출원에서 이용될 때, 본 출원의 임의의 특정 부분들이 아닌 전체적으로 본 출원을 참조해야 한다. 문맥상 허용되는 경우, 단수 또는 복수의 개수를 사용하여 전술한 바람직한 실시예의 상세한 설명의 단어들은 또한, 각각 복수 또는 단수의 개수를 포함할 수 있다. 문맥상 허용되는 경우, 2 이상 항목들의 리스트에 관한 단어 "또는(or)"은 단어의 다음과 같은 단어의 해석들 모두를 커버하도록 의도된다: 리스트의 항목들 중 임의의 항목, 리스트의 항목들 모두, 및 리스트의 항목들의 임의의 조합.

또한, 예를 들어, 특히 "~할 수 있다", "~할 수 있을 것이다", "~일지도 모른다", "~일 수 있다", "예컨대", "예를 들어", "~ 등과 같은" 등과 같은 본 명세서에서 사용되는 조건적 언어는, 구체적으로 달리 언급하지 않는 한 또는 사용되는 문맥 내에서 달리 이해되지 않는 한, 일반적으로 소정 실시예들이 소정 특징들, 요소들 및/또는 상태들을 포함하지만, 다른 실시예들이 이들을 포함하지 않는다는 것을 전달하기 위한 것이다. 따라서, 이러한 조건적 언어는, 특징들, 요소들 및/또는 상태들이 하나 이상의 실시예에 대해 임의의 방식으로 요구되거나, 하나 이상의 실시예가 이들 특징, 요소 및/또는 상태가 포함될지의 여부 또는 임의의 특정 실시예에서 수행될지의 여부를 저자(author) 입력이나 촉구 없이 결정하기 위한 로직을 반드시 포함한다는 것을 암시하기 위한 것은 아니다.

소정 실시예들이 설명되었지만, 이들 실시예는 단지 예로서 제시된 것이고, 본 발명의 범위를 제한하는 것을 의도하지는 않는다. 사실상, 본 명세서에서 설명된 신규한 장치, 방법 및 시스템은 다양한 다른 형태로 구현될 수 있다: 또한, 본 개시 내용의 사상으로부터 벗어나지 않고 본 명세서에 설명된 방법들 및 시스템들의 형태에서 다양한 생략, 대체, 및 변경이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 블록들이 주어진 배열에 제공된다 할지라도, 대안적인 실시예들은 상이한 컴포넌트들 및/또는 회로 토폴로지들을 갖는 유사한 기능들을 수행할 수 있고, 일부 블록들은 삭제, 이동, 추가, 세분화, 결합, 및/또는 수정될 수 있다. 이들 블록 각각은 다양한 상이한 방식으로 구현될 수 있다. 상술한 다양한 실시예들의 요소들 및 행동들의 임의의 적당한 조합은 추가 실시예들을 제공하기 위해 결합될 수 있다. 첨부된 청구항들 및 그 등가물들은 본 개시 내용의 범위 및 사상 내에 있는 이러한 형태들 또는 수정들을 커버하는 것으로 의도된다.

Claims

무선 주파수 회로로서,
활성일 때 제1 무선 주파수 신호를 제공하도록 구성된 제1 무선 주파수 신호 경로; 및
활성일 때 제2 무선 주파수 신호를 제공하도록 구성된 제2 무선 주파수 신호 경로
를 포함하고,
상기 제2 무선 주파수 신호 경로는 상기 제1 무선 주파수 신호 경로가 활성일 때 상기 제1 무선 주파수 신호 경로와의 결합으로 인한 상기 제2 무선 주파수 신호 경로에서의 정재파 공진(standing wave resonance)이 발달하는 것(developing)을 방지하도록 구성된 부하 임피던스를 갖는 정합 회로망을 포함하고, 상기 정합 회로망은 증폭기와 스위치 사이에 결합되어 있는, 무선 주파수 회로.
제1항에 있어서, 상기 정합 회로망의 상기 부하 임피던스는 상기 제2 무선 주파수 신호 경로가 비활성이고 상기 제1 무선 주파수 신호 경로가 활성일 때, 상기 제1 무선 주파수 신호 경로와의 결합으로 인한 상기 제2 무선 주파수 신호 경로에서의 공진을 방지하도록 구성되는, 무선 주파수 회로.
제1항에 있어서, 상기 제1 무선 주파수 신호 경로는 상기 제1 무선 주파수 신호를 제공하도록 구성된 제1 전력 증폭기를 포함하고, 상기 제2 무선 주파수 신호 경로는 상기 제2 무선 주파수 신호를 제공하도록 구성된 제2 전력 증폭기를 포함하는, 무선 주파수 회로.
제1항에 있어서, 선택 스위치가 상기 제2 무선 주파수 신호를 상기 선택 스위치의 안테나 측의 출력에 선택적으로 제공하도록 구성된, 무선 주파수 회로.
제4항에 있어서, 상기 선택 스위치는 각각이 상기 제2 무선 주파수 신호를 수신하도록 구성된 상기 선택 스위치의 비-안테나측의 복수의 스로(throw)를 포함하는 멀티-스로(multi-throw) 스위치인, 무선 주파수 회로.
제5항에 있어서, 상기 멀티-스로 스위치의 스로들 각각은 스위치 아암과 각각의 스위치 아암에 전기적으로 결합된 션트 아암을 포함하고, 상기 선택 스위치는 상기 제2 무선 주파수 신호 경로가 비활성이고 상기 제1 무선 주파수 신호 경로가 활성일 때 선택된 스위치 아암이 온이 되고 선택된 션트 아암이 온이 되게 하도록 구성되고, 상기 선택된 스위치 아암과 상기 선택된 션트 아암이 상기 부하 임피던스에 기여하는, 무선 주파수 회로.
제4항에 있어서, 상기 부하 임피던스는 선택 스위치의 입력과 접지 사이에서 직렬인 입력 션트 아암과 수동 임피던스 소자를 포함하는, 무선 주파수 회로.
제7항에 있어서, 상기 수동 임피던스 소자는 저항기인, 무선 주파수 회로.
제4항에 있어서, 상기 부하 임피던스는 제1 단부(end)와 제2 단부를 갖는 션트 커패시터를 포함하고, 상기 제1 단부는 상기 선택 스위치의 입력에 전기적으로 결합되고, 상기 제2 단부는 접지 전위에 전기적으로 결합되는, 무선 주파수 회로.
제1항에 있어서, 상기 제1 무선 주파수 신호와 상기 제2 무선 주파수 신호는 상이한 주파수 대역들에 있는, 무선 주파수 회로.
무선 주파수 신호들의 전송을 위한 전자 시스템으로서,
제1 무선 주파수 신호를 제공하도록 구성된 제1 전력 증폭기, 제1 정합 회로망, 및 상기 제1 정합 회로망을 경유하여 각각이 상기 제1 무선 주파수 신호를 수신하도록 구성된 제1 복수의 스로를 포함하는 제1 멀티-스로 스위치를 포함하는 제1 전송 경로; 및
상기 제1 무선 주파수 신호와 상이한 주파수 대역 내에 있는 제2 무선 주파수 신호를 제공하도록 구성된 제2 전력 증폭기를 포함하고, 또한 상기 제2 전력 증폭기의 출력과 제2 멀티-스로 스위치 사이에 전기적으로 결합된 제2 정합 회로망을 포함하는 제2 전송 경로
를 포함하고,
상기 제2 멀티-스로 스위치는 각각이 상기 제2 정합 회로망을 경유하여 상기 제2 무선 주파수 신호를 수신하도록 구성된 제2 복수의 스로를 포함하며, 상기 제2 멀티-스로 스위치는 상기 제1 전송 경로가 활성일 때 상기 제1 전송 경로와의 결합으로 인한 상기 제2 전송 경로에서의 공진이 발달하는 것을 방지하도록 구성된 입력 임피던스를 갖는, 무선 주파수 신호들의 전송을 위한 전자 시스템.
제11항에 있어서, 상기 제2 멀티-스로 스위치의 상기 입력 임피던스는 입력 션트 아암과 직렬인 수동 임피던스 소자를 포함하는, 무선 주파수 신호들의 전송을 위한 전자 시스템.
제12항에 있어서, 상기 수동 임피던스 소자는 저항기를 포함하는, 무선 주파수 신호들의 전송을 위한 전자 시스템.
제11항에 있어서, 상기 제2 멀티-스로 스위치의 상기 입력 임피던스는 션트 커패시터를 포함하는, 무선 주파수 신호들의 전송을 위한 전자 시스템.
제11항에 있어서, 상기 제2 멀티-스로 스위치는 상기 제2 멀티-스로 스위치가 비활성 상태에 있을 때 선택된 스로에 대응하는 션트 아암과 스위치 아암 양자가 온이 되게 함으로써 상기 입력 임피던스의 적어도 일부를 구현하도록 구성되는, 무선 주파수 신호들의 전송을 위한 전자 시스템.
제11항에 있어서, 상기 제1 복수의 스로의 각각의 스로는 상기 제1 전송 경로의 정의된 주파수 대역의 서로 다른 부대역(sub-band)과 연관되어 있는, 무선 주파수 신호들의 전송을 위한 전자 시스템.
무선 주파수 신호 증폭을 갖는 전자 디바이스로서,
무선 주파수 신호를 증폭하도록 구성된 증폭기;
상기 증폭기의 출력에 결합된 정합 회로망; 및
상기 정합 회로망을 경유하여 상기 증폭기와 통신하는 선택 스위치
를 포함하고,
상기 선택 스위치는 활성 상태에서 상기 선택 스위치의 입력을 선택된 출력 경로에 전기적으로 결합하도록 구성되고, 상기 선택 스위치는 상기 선택 스위치가 비활성 상태(non-activated state)에 있고 상기 증폭기가 비활성화될 때(deactivated) 또 다른 무선 주파수 신호 경로와의 결합으로 인한 상기 정합 회로망에서의 정재파 공진이 발달하는 것을 방지하도록 비활성 상태에서 입력 임피던스를 갖는, 무선 주파수 신호 증폭을 갖는 전자 디바이스.
제17항에 있어서, 상기 선택 스위치는 스로들 각각에 대응하는 스위치 아암과 션트 아암을 갖는 멀티-스로 스위치이고, 상기 선택 스위치는 상기 선택 스위치가 상기 비활성 상태에 있을 때 선택된 스로에 대응하는 상기 션트 아암과 상기 스위치 아암 양자가 온이 되게 하도록 구성되는, 무선 주파수 신호 증폭을 갖는 전자 디바이스.
제18항에 있어서, 상기 선택 스위치를 상기 비활성 상태로 설정하기 위해 상기 선택 스위치에 제어 신호들을 제공하도록 구성된 스위치 제어 회로를 더 포함하는, 무선 주파수 신호 증폭을 갖는 전자 디바이스.
제17항에 있어서, 상기 선택 스위치는 상기 선택 스위치의 상기 입력에 입력 션트 아암을 포함하고, 상기 입력 션트 아암은 상기 선택 스위치가 상기 비활성 상태에 있을 때 온이 되도록 구성되는, 무선 주파수 신호 증폭을 갖는 전자 디바이스.
제20항에 있어서, 상기 선택 스위치의 상기 입력과 접지 전위 사이에서 수동 임피던스 소자가 상기 입력 션트 아암과 직렬로 되어 있는, 무선 주파수 신호 증폭을 갖는 전자 디바이스.
제17항에 있어서, 션트 커패시터가 제1 단부와 제2 단부를 갖고, 상기 제1 단부는 상기 선택 스위치의 상기 입력에 결합되고, 상기 제2 단부는 접지 전위에 결합되는, 무선 주파수 신호 증폭을 갖는 전자 디바이스.
제17항에 있어서, 상기 정합 회로망은 커패시터들과 인덕터들을 포함하는, 무선 주파수 신호 증폭을 갖는 전자 디바이스.
감소된 대역 부하(reduced band loading)를 갖는 무선 주파수 전단(radio frequency front end)으로서,
제1 무선 주파수 신호를 제공하도록 구성된 제1 전력 증폭기, 제1 정합 회로망, 및 상기 제1 정합 회로망을 경유하여 상기 제1 무선 주파수 신호를 수신하도록 구성된 제1 멀티-스로 스위치를 포함하는 제1 전송 경로; 및
상기 제1 무선 주파수 신호와 상이한 주파수 대역 내에 있는 제2 무선 주파수 신호를 제공하도록 구성된 제2 전력 증폭기, 제2 정합 회로망, 및 상기 제2 정합 회로망을 경유하여 입력에서 상기 제2 무선 주파수 신호를 수신하도록 구성된 제2 멀티-스로 스위치를 포함하는 제2 전송 경로
를 포함하고,
상기 제2 멀티-스로 스위치는 수동 임피던스 소자에 결합된 복수의 스로를 갖고, 상기 수동 임피던스 소자는 상기 멀티-스로 스위치의 입력과 접지 전위 사이에서 입력 션트 아암과 직렬로 되어 있는, 감소된 대역 부하를 갖는 무선 주파수 전단.
제24항에 있어서, 상기 수동 임피던스 소자는 저항기를 포함하는, 감소된 대역 부하를 갖는 무선 주파수 전단.
제25항에 있어서, 상기 저항기는 상기 멀티-스로 스위치의 상기 입력과 상기 입력 션트 아암 사이에서 직렬로 결합되는, 감소된 대역 부하를 갖는 무선 주파수 전단.
제24항에 있어서, 상기 입력 션트 아암은 상기 제2 전송 경로가 비활성 상태에 있을 때 온이 되도록 구성되는, 감소된 대역 부하를 갖는 무선 주파수 전단.
제24항에 있어서, 상기 입력 션트 아암은 상기 제1 전송 경로가 활성 상태에 있을 때 온이 되도록 구성되는, 감소된 대역 부하를 갖는 무선 주파수 전단.
제24항에 있어서, 션트 아암이 온일 때, 상기 수동 임피던스 소자와 상기 션트 아암의 결합된 임피던스는 상기 제1 무선 주파수 신호의 기본 주파수(fundamental frequency)에서 50옴인, 감소된 대역 부하를 갖는 무선 주파수 전단.
제24항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전송 경로들을 둘러싸는 패키지를 포함하는 모듈로서 구성되는, 감소된 대역 부하를 갖는 무선 주파수 전단.
제24항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전송 경로들 및 안테나를 포함하는 이동 디바이스로서 구성되며, 상기 안테나는 상기 제1 전송 경로가 활성 상태일 때 상기 제1 무선 주파수 신호를 전송하도록 구성되는, 감소된 대역 부하를 갖는 무선 주파수 전단.
제24항에 있어서, 상기 멀티-스로 스위치의 상기 입력과 상기 접지 전위 사이에서 상기 입력 션트 아암과 직렬로 되어 있는 상기 수동 임피던스 소자는 상기 제1 전송 경로가 활성일 때 상기 제1 전송 경로와의 결합으로 인한 상기 제2 전송 경로에서의 정재파가 발달하는 것을 방지하도록 구성되는, 감소된 대역 부하를 갖는 무선 주파수 전단.
감소된 대역 부하를 갖는 전자 시스템으로서,
활성일 때 제1 무선 주파수 신호를 제공하도록 구성된 제1 무선 주파수 신호 경로; 및
활성일 때 제2 무선 주파수 신호를 제공하도록 구성된 제2 무선 주파수 신호 경로
를 포함하고,
상기 제2 무선 주파수 신호 경로는 선택 스위치의 멀티-스로에 전기적으로 결합된 입력 션트 아암을 갖는 선택 스위치를 포함하고, 상기 입력 션트 아암은 상기 제1 무선 주파수 신호 경로가 활성이고 상기 제2 무선 주파수 신호 경로가 비활성일 때 온이 되도록 구성되는, 감소된 대역 부하를 갖는 전자 시스템.
제33항에 있어서, 상기 입력 션트 아암은 상기 선택 스위치의 입력과 접지 전위 사이에서 수동 임피던스 소자와 직렬로 되어 있는, 감소된 대역 부하를 갖는 전자 시스템.
제34항에 있어서, 상기 수동 임피던스 소자는 저항기를 포함하는, 감소된 대역 부하를 갖는 전자 시스템.
제33항에 있어서, 상기 제2 무선 주파수 신호 경로는 상기 제2 무선 주파수 신호 경로가 활성일 때 상기 제2 무선 주파수 신호를 생성하도록 구성된 전력 증폭기 및 상기 제2 무선 주파수 신호를 상기 선택 스위치에 제공하도록 구성된 정합 회로망을 포함하는, 감소된 대역 부하를 갖는 전자 시스템.
제33항에 있어서, 상기 제1 무선 주파수 신호 및 상기 제2 무선 주파수 신호는 상이한 주파수 대역들에 있는, 감소된 대역 부하를 갖는 전자 시스템.
제33항에 있어서, 이동 디바이스를 위한 전자 부품(electronic component)으로서 구성되는, 감소된 대역 부하를 갖는 전자 시스템.
무선 주파수 회로로서,
무선 주파수 신호를 증폭하도록 구성된 증폭기;
상기 증폭기의 출력에 결합된 정합 회로망; 및
상기 정합 회로망을 경유하여 상기 증폭기로부터 상기 무선 주파수 신호를 수신하도록 구성된 입력을 갖는 멀티-스로 스위치
를 포함하고,
상기 멀티-스로 스위치는 상기 증폭기와 상기 멀티-스로 스위치의 복수의 스로 각각 사이의 노드에 전기적으로 결합된 입력 션트 아암을 갖고, 상기 입력 션트 아암은 상기 멀티-스로 스위치가 비활성 상태일 때 온이 되도록 구성되는, 무선 주파수 회로.
제39항에 있어서, 상기 멀티-스로 스위치의 입력과 접지 전위 사이에서 상기 입력 션트 아암과 직렬로 되어 있는 수동 임피던스 소자를 더 포함하는, 무선 주파수 회로.
제40항에 있어서, 상기 수동 임피던스 소자는 저항기인, 무선 주파수 회로.
제40항에 있어서, 상기 수동 임피던스 소자는 상기 입력 션트 아암과 상기 멀티-스로 스위치의 상기 입력 사이에서 직렬로 되어 있는, 무선 주파수 회로.
제39항에 있어서, 상기 멀티-스로 스위치는 적어도 4개의 스로를 포함하는, 무선 주파수 회로.
제39항에 있어서, 상기 증폭기는 전력 증폭기인, 무선 주파수 회로.
제39항에 있어서, 제2 증폭기 및 제2 정합 회로망을 경유하여 상기 제2 증폭기로부터 제2 무선 주파수 신호를 수신하도록 구성된 제2 멀티-스로 스위치를 포함하는 다른 무선 주파수 신호 경로를 더 포함하고, 상기 다른 무선 주파수 신호 경로는 상기 정합 회로망에의 결합을 제공하는, 무선 주파수 회로.