KR101775495B1 - 감지용 크리스털 센서 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, (a) 복수 개의 수정바를 베이스패널에 접착시키는 단계; (b) 상기 베이스패널을 고정시키고 복수 개의 절단날이 구비되는 절단블록을 구동시켜 복수 개의 상기 수정바를 절단하여 설정 두께 이하로 이루어지는 복수 개의 웨이퍼를 제조하는 단계; (c) 복수 개의 상기 웨이퍼를 적층시켜 수정블록을 형성하고, 상기 수정블록을 절단하여 단위 크기의 블랭크를 제조하는 단계; (d) 상기 블랭크를 원형으로 절단하여 센서본체의 외경을 가공하는 단계; (e) 상기 센서본체의 상면 및 저면을 마찰시키며 상기 센서본체의 두께를 목표두께까지 절삭하는 래핑단계; (f) 상기 센서본체의 테두리에 모서리가 형성되도록 상기 센서본체의 테두리 상면 및 저면을 중앙부 측으로 가공하는 면취단계; (g) 면취된 상기 센서본체를 세척용액에 넣어 설정시간 동안 유동시키는 에칭단계; (h) 세척된 상기 센서본체의 상면 및 저면을 마찰시키며 상기 센서본체에 광택을 제공하는 폴리싱단계; 및 (i) 상기 센서본체에 코팅재를 증착시키는 코팅단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

감지용 크리스털 센서 및 이의 제조방법 {CRYSTAL SENSOR FOR MONITORING AND MAKING METHOD THEREOF}
본 발명은 감지용 크리스털 센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 렌즈, 엘이디 패널 및 반도체 등의 가공장치 또는 반도체 부품 코팅장치, 진공 증착기 등의 장치에 설치되고 고유진동수의 변화에 따라 측정대상물의 두께를 감지할 수 있고, 다양한 장치에서 요구되는 정밀한 두께의 센서를 제조할 수 있으며, 대량 생산을 이룰 수 있는 감지용 크리스털 센서 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 크리스털 센서는 교류 전류이 인가되면 고유진동수를 갖는 재료로 가공되어 이루어지고, 사용예로 증착장치에 크리스털 센서가 설치되어 기판에 형성되는 박막의 두께를 측정하므로 정밀한 수치의 박막을 제공할 수 있도록 한다.
기판에 박막을 형성하는 일반적인 방법으로는 진공 증착법, 이온 플래이팅법(ion-plating), 스퍼터링(sputtering)법, CVD법 등이 있고, 유기 전계 발광소자의 유기막 및 음극의 증착에는 진공 증착법이 주로 사용되고 있다.
일반적으로 유기 전계 발광소자는, 기판 상부에 소정패턴의 양극이 형성되어 있고, 양극층 상부에는 발광층이 적어도 형성되며, 발광층의 상부에는 소정 패턴의 음극이 형성되어 있다.
여기에서 발광층 외에 홀 수송층 및 전자 수송층 등을 더 구비할 수 있으며 이때 발광층, 홀 수송층 및 전자 수송층은 유기 화합물로 이루어진 유기 박막이다.
이러한 유기 발광소자를 제작함에 있어서, 기판 상에 유기 재료로서 내부 절연막, 양극, 음극 및 유기 발광층 등 여러 박막들을 형성하여야 하고, 박막층들은 통상 진공 챔버 내에 기판을 장착하고, 기판의 표면에 장착시키려는 증착재를 기화시켜, 기화된 증착재가 기판의 표면에서 응축해 장착되는 방식의 진공 증착법에 의해 형성된다.
상기와 같이 진공 증착법을 수행하는 증착장치는 일반적으로 증착되는 막 두께의 편차를 줄이기 위해 크리스털 센서를 사용하고, 크리스털 센서에 증착되어 장착되는 증착물로 인해 크리스털 센서의 진동수가 감소하는 것을 이용하여 막 두께를 측정한다.
크리스털 센서의 진동수가 감소할수록 막두께는 증대되는 것으로, 이러한 반비례 관계는 선형적으로 나타난다.
본 발명의 배경기술은 대한민국 등록특허공보 제10-0762701호(2007년 10월 01일 공고, 발명의 명칭 : 크리스탈 센서 및 이를 구비한 유기 발광소자 증착장치)에 개시되어 있다.
종래기술에 따른 크리스털 센서는, 수정바 내부에 형성되는 격자각과 절단면 사이의 각도를 다양하게 가변시켜 제조하고, 격자각과 절단면 사이의 각도에 의해 형성되는 센서의 고유진동수가 다양하게 결정되기 때문에 정밀 가공이 요구되어 양산을 행하기 어려운 문제점이 있다.
따라서 이를 개선할 필요성이 요청된다.
본 발명은 렌즈, 엘이디 패널 및 반도체 등의 가공장치 또는 반도체 부품 코팅장치, 진공 증착기 등의 장치에 설치되어 고유진동수의 변화에 따라 측정대상물의 두께를 감지할 수 있고, 다양한 장치에서 요구되는 정밀한 두께의 센서를 제조할 수 있으며, 대량 생산을 이룰 수 있는 감지용 크리스털 센서 및 이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은, (a) 복수 개의 수정바를 베이스패널에 접착시키는 단계; (b) 상기 베이스패널을 고정시키고 복수 개의 절단날이 구비되는 절단블록을 구동시켜 복수 개의 상기 수정바를 절단하여 설정 두께 이하로 이루어지는 복수 개의 웨이퍼를 제조하는 단계; (c) 복수 개의 상기 웨이퍼를 적층시켜 수정블록을 형성하고, 상기 수정블록을 절단하여 단위 크기의 블랭크를 제조하는 단계; (d) 상기 블랭크를 원형으로 절단하여 센서본체의 외경을 가공하는 단계; (e) 상기 센서본체의 상면 및 저면을 마찰시키며 상기 센서본체의 두께를 목표두께까지 절삭하는 래핑단계; (f) 상기 센서본체의 테두리에 모서리가 형성되도록 상기 센서본체의 테두리 상면 및 저면을 중앙부 측으로 가공하는 면취단계; (g) 면취된 상기 센서본체를 세척용액에 넣어 설정시간 동안 유동시키는 에칭단계; (h) 세척된 상기 센서본체의 상면 및 저면을 마찰시키며 상기 센서본체에 광택을 제공하는 폴리싱단계; 및 (i) 상기 센서본체에 코팅재를 증착시키는 코팅단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 래핑단계는, 상기 센서본체의 두께를 30~38μ(미크론 : micron)으로 절삭하는 제1래핑단계; 상기 센서본체의 두께를 16~20μ으로 절삭하는 제2래핑단계; 상기 센서본체의 두께를 6~10μ으로 절삭하는 제3래핑단계; 및 상기 센서본체의 두께를 2~6μ으로 절삭하는 제4래핑단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 에칭단계는, 물 100중량부에 대하여 불화암모늄 30~70중량부를 혼합하여 이루어지는 세척수에 상기 센서본체를 넣고 1~10분 동안 유동시켜 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 폴리싱단계는, 상기 센서본체의 두께를 1μ이하로 절삭하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, (a) 복수 개의 수정바를 베이스패널에 접착시키는 단계; (b) 상기 베이스패널을 고정시키고 복수 개의 절단날이 구비되는 절단블록을 구동시켜 복수 개의 상기 수정바를 절단하여 설정 두께 이하로 이루어지는 복수 개의 웨이퍼를 제조하는 단계; (c) 복수 개의 상기 웨이퍼를 적층시켜 수정블록을 형성하고, 상기 수정블록을 절단하여 단위 크기의 블랭크를 제조하는 단계; (d) 상기 블랭크를 원형으로 절단하여 센서본체의 외경을 가공하는 단계; (e) 상기 센서본체의 상면 및 저면을 마찰시키며 상기 센서본체의 두께를 목표두께까지 절삭하는 래핑단계; (f) 상기 센서본체의 테두리에 모서리가 형성되도록 상기 센서본체의 테두리 상면 및 저면을 중앙부 측으로 가공하는 면취단계; (g) 면취된 상기 센서본체를 세척용액에 넣어 설정시간 동안 유동시키는 에칭단계; (h) 세척된 상기 센서본체의 상면 및 저면을 마찰시키며 상기 센서본체에 광택을 제공하는 폴리싱단계; 및 (i) 상기 센서본체에 코팅재를 증착시키는 코팅단계를 포함하는 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 감지용 크리스털 센서 및 이의 제조방법은, 복수 개의 수정바를 베이스패널에 접착시키고 다수 개의 수정바를 동시에 절단하여 웨이퍼를 제작하므로 크리스털 센서의 대량 생산을 행할 수 있고, 다수 차례의 래핑공정을 연속하여 행하므로 크리스털 센서의 목표 두께까지 정밀가공을 행할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 감지용 크리스털 센서 제조방법의 절단단계 내지 래핑단계가 도시된 공정도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지용 크리스털 센서 제조방법의 에칭단계 내지 코팅단계가 도시된 공정도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 감지용 크리스털 센서 및 이의 제조방법의 일 실시예를 설명한다.
이러한 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.
또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로써, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다.
그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 감지용 크리스털 센서 제조방법의 절단단계 내지 래핑단계가 도시된 공정도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지용 크리스털 센서 제조방법의 에칭단계 내지 코팅단계가 도시된 공정도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 감지용 크리스털 센서의 제조방법은, 복수 개의 수정바(30)를 베이스패널(10)에 접착시키는 단계와, 베이스패널(10)을 고정시키고 복수 개의 절단날(36a)이 구비되는 절단블록(36)을 구동시켜 복수 개의 수정바(30)를 절단하여 설정 두께 이하로 이루어지는 복수 개의 웨이퍼(32)를 제조하는 단계와, 복수 개의 웨이퍼(32)를 적층시켜 수정블록(32a)을 형성하고, 수정블록(32a)을 절단하여 단위 크기의 블랭크(34)를 제조하는 단계와, 블랭크(34)를 원형으로 절단하여 센서본체(50)의 외경을 가공하는 단계와, 센서본체(50)의 상면 및 저면을 마찰시키며 센서본체(50)의 두께를 목표두께까지 절삭하는 래핑단계와, 센서본체(50)의 테두리에 모서리가 형성되도록 센서본체(50)의 테두리 상면 및 저면을 중앙부 측으로 가공하는 면취단계와, 면취된 센서본체(50)를 세척용액에 넣어 설정시간 동안 유동시키는 에칭단계와, 세척된 센서본체(50)의 상면 및 저면을 마찰시키며 센서본체(50)에 광택을 제공하는 폴리싱단계와, 센서본체(50)에 코팅재를 증착시키는 코팅단계를 포함한다.
본 실시예는, 다수 개의 수정바(30)를 베이스패널(10)에 접착시킨 후에 절단부(36)가 구비되는 커팅기에 베이스패널(10)을 수납하고, 다수 개의 절단날(36a)이 구비되는 절단부(36)를 베이스패널(10) 상면에 인접한 높이로 이동시키면서 수정바(30)를 절단하게 되므로 다수 개의 수정바(30)가 동시에 절단되면서 대향의 웨이퍼(32)를 생산할 수 있게 된다.
절단부(36)의 작동에 의해 생산되는 웨이퍼(32)는 직사각 모양으로 이루게 되고, 직사각 모양의 웨이퍼(32) 중앙부에는 인공 수정의 결정구조에 의해 이루어지는 격자각이 형성되므로 웨이퍼(32) 중앙부에 구비되는 격자각을 양분하도록 직사각 모양의 웨이퍼(32) 중앙부를 절단하여 정사각 모양의 블랭크(34)를 생산하게 된다.
블랭크(34)를 생산하는 공정은, 다수 개의 웨이퍼(32)가 직사각 기둥 모양을 이루도록 적층시켜 수정블록(32a)을 이루고, 수정블록(32a)의 중앙부를 절단하여 직사각 모양의 웨이퍼(32)가 정사각 모양의 블랭크(34)를 이루도록 한다.
상기한 바와 같이 정사각 패널 모양으로 형성되는 블랭크(34) 중앙부를 레이저 또는 초음파 절단기로 원형 모양을 이루도록 절단하여 감지용 크리스털 센서의 외경을 형성하게 된다.
상기한 바와 같은 절단공정에 의해 원형 패널 모양의 센서본체(50)를 생산하게 되고, 센서본체(50)의 상면 및 저면을 마찰시키면서 센서본체(50)의 두께를 감소시키는 래핑공정이 진행된다.
래핑단계는, 센서본체(50)의 두께를 30~38μ(미크론 : micron)으로 절삭하는 제1래핑단계와, 센서본체(50)의 두께를 16~20μ으로 절삭하는 제2래핑단계와, 센서본체(50)의 두께를 6~10μ으로 절삭하는 제3래핑단계와, 센서본체(50)의 두께를 2~6μ으로 절삭하는 제4래핑단계를 포함한다.
랭핑단계를 행하는 래핑장치(70)는, 래핑본체 상면에 구비되고 둘레면에 선기어(72a)가 구비되는 중심축(72)과, 중심축(72)을 중심으로 링 모양을 이루며 내측으로 오목하게 형성되는 홈부 내벽에 구비되는 링기어(74)와, 선기어(72a)와 링기어(74) 사이에 기어연결되고 중심축(72)의 회전운동 및 래핑본체에 설치되는 커버의 회전운동에 의해 공전 및 자전되는 유성기어(76a)를 구비하는 유성패널(76)을 포함한다.
유성패널(76)은 중앙부에 회전홀부가 형성되며, 회전홀부의 테두리에 일정한 간격을 유지하며 센서본체(50)가 안착되는 다수 개의 안착홀부(76b)가 형성되고, 유성패널(76)의 테두리에는 유성기어(76a)가 형성된다.
따라서 안착홀부(76b)에 센서본체(50)를 안착시킨 후에 유성패널(76)을 선기어(72a)와 링기어(74)에 동시에 기어연결되도록 래핑장치(70)의 상면에 안착시키고, 중심축(72)을 회전시키면 선기어(72a)와 기어연결되는 유성기어(76a)가 회전되면서 유성패널(76)이 회전홀부를 중심으로 자전됨과 동시에 중심축(72)을 회전 중심으로 공전을 행하게 된다.
상기한 바와 같이 유성패널(76)이 자전 및 공전을 동시에 행하므로 유성패널(76)의 안착홀부(76b)에 거치되는 센서본체(50)는 래핑장치(70)의 홈부 바닥면에 구비되는 연마제 및 홈부에 설치되는 커버부재(84)에 구비되는 연마제에 의해 상면 및 저면이 동시에 마찰되면서 센서본체(50)의 두께를 감소시키고, 센서본체(50)의 상면 및 저면이 매끄럽게 절삭가공된다.
상기한 바와 같은 래핑단계는, 4단계에 걸쳐 단계적으로 진행되면서 제1래핑단계에서 센서본체(50)의 두께가 약34μ까지 절삭되고, 제2래핑단계에서 센서본체(50)의 두께가 약18μ까지 절삭되며, 제3래핑단계에서 센서본체(50)의 두께가 약8μ까지 절삭되고, 제4래핑단계에서 센서본체(50)의 두께가 약3~4μ까지 절삭된다.
상기한 바와 같이 4차에 걸친 래핑단계가 단계적으로 진행되면서 센서본체(50)의 두께는 약3~4μ까지 얇아지고, 센서본체(50)의 상면 및 저면이 매끈하게 절삭되어 센서본체(50)의 투과율이 향상되는 효과가 나타나게 된다.
두께가 3~4μ까지 얇게 절삭된 센서본체(50)는 상면 및 저면을 중앙부로부터 테두리로 갈수록 단면적이 좁아지는 곡면부를 가공하는 면취단계가 진행되므로 센서본체(50)의 단면 형상이 레즈와 유사한 타원 모양을 이루게 된다.
면취단계가 진행된 센서본체(50)는, 외벽에 잔존하는 이물질을 제거하는 에칭단계가 진행되는데, 에칭단계는, 물 100중량부에 대하여 불화암모늄 30~70중량부를 혼합하여 이루어지는 세척수에 센서본체(50)를 넣고 1~10분 동안 유동시켜 이루어진다.
에칭단계를 행하는 에칭장치(80)는, 세척수가 담수되고 상면에 투입홀부(82a)가 형성되는 수조(82)와, 수조(82)의 상부를 감싸고 통과홀부(84a)가 형성되는 커버부재(84)와, 다수 개의 센서본체(50)를 수납하여 통과홀부(84a) 및 투입홀부(82a)를 통해 수조(82) 내부로 투입되고 센서본체(50)에 진동을 제공하는 수납망부재(86)와, 수납망부재(86)가 세척수에 담겨진 후에 경과되는 시간을 감지하여 설정시간이 경과되면 인출신홀르 송신하는 타이머(86a)를 포함한다.
작업자가 수납망부재(86)에 다수 개의 센서본체(50)를 수납한 후에 수납망부재(86)를 이동시켜 수조(82) 내부에 위치시키면 망사 모양으로 형성되는 수납망부재(86)의 저면을 통해 세척수가 수납망부재(86) 내부로 유입되고, 센서본체(50)는 세척수와 접촉되면서 외벽에 잔잔하는 이물질이 제거되는 에칭공정이 진행된다.
이때, 수납망부재(86)에는 진동이 전달되므로 수납망부재(86)에 담겨진 다수 개의 센서본체(50)는 유동되면서 세척수와 접촉되면서 이물질의 제거가 효과적으로 이루어지게 된다.
상기한 바와 같은 에칭공정이 개시된 후에 설정시간이 경과되면 타이머(86a)로부터 인출신호가 송신되고, 수납망부재(86)가 수조(82) 및 커버부재(84) 외측으로 배출되어 수납망부재(86)로부터 인축되는 센서본체(50)를 폴리싱장치(170)에 공급하게 된다.
폴리싱장치(170)는, 장치본체 상면에 구비되고 둘레면에 선기어(172a)가 구비되는 중심축(172)과, 중심축(172)을 중심으로 링 모양을 이루며 내측으로 오목하게 형성되는 홈부 내벽에 구비되는 링기어(174)와, 선기어(172a)와 링기어(174) 사이에 기어연결되고 중심축(172)의 회전운동 및 장치본체에 설치되는 커버의 회전운동에 의해 공전 및 자전되는 유성기어(176a)를 구비하는 유성패널(176)을 포함한다.
폴리싱장치(170)는, 래핑장치(70)와 기술구성이 동일하거나 유사하며, 폴리싱단계는, 센서본체(50)의 두께를 1μ이하로 절삭하여 이루어지며, 센서본체(50)의 상면 및 저면에 광택을 공급하게 되므로 경면화공정이라고도 한다.
폴리싱단계가 종료되어 두께가 1μ까지 얇아지고, 상면 및 저면에 광택이 발생되는 센서본체(50)는, 투과율이 95%까지 향상될 수 있고, 경도는 7정도를 이루기 때문에 다양한 전자장치의 주파수 발진기로 사용될 수 있고, 증착기에 설치되어 증착대상물에 코팅되는 코팅층(52)의 두께를 감지하여 정밀한 두께의 코팅공정을 행할 수 있도록 한다.
폴리싱단계가 종료되는 센서본체(50)는, 진공압을 제공하는 케이스(92) 내부에 거치대(98)에 의해 안착되고, 케이스(92)에 연결되는 공급관(94) 및 노즐(96)을 통해 공급되는 코팅액이 케이스(92) 내부에 가열된 후 비산되어 센서본체(50)에 증착되면서 코팅층(52)을 형성하게 된다.
여기서, 센서본체(50)에 코팅되는 물질은 크롬 또는 금(gold)를 포함하여 이루어진다.
이로써, 렌즈, 엘이디 패널 및 반도체 등의 가공장치 또는 반도체 부품 코팅장치, 진공 증착기 등의 장치에 설치되고 고유진동수의 변화에 따라 측정대상물의 두께를 감지할 수 있고, 다양한 장치에서 요구되는 정밀한 두께의 센서를 제조할 수 있으며, 대량 생산을 이룰 수 있는 감지용 크리스털 센서 및 이의 제조방법을 제공할 수 있게 된다.
본 발명은 도면에 도시되는 일 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
또한, 감지용 크리스털 센서 및 이의 제조방법을 예로 들어 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 감지용 크리스털 센서 및 이의 제조방법이 아닌 다른 제품에도 본 발명의 센서 및 이의 제조방법이 사용될 수 있다.
따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
10 : 베이스패널 30 : 수정바
32 : 웨이퍼 32a : 수정블록
34 : 블랭크 36 : 절단부
36a : 절단날 50 : 센서본체
70 : 래핑장치 72, 172 : 중심축
72a, 172a : 선기어 74, 174 : 링기어
76, 176 : 유성패널 76a, 176a : 유성기어
76b, 176b : 안착홀부 80 : 에칭장치
82 : 수조 82a : 투입홀부
84 : 커버부재 84a : 통과홀부
86 : 수납망부재 86a : 타이머
90 : 코팅장치 92 : 케이스
94 : 공급관 96 : 노즐
98 : 거치대 170 : 폴리싱장치

Claims (5)

  1. (a) 복수 개의 수정바를 베이스패널에 접착시키는 단계;
    (b) 상기 베이스패널을 고정시키고 복수 개의 절단날이 구비되는 절단블록을 구동시켜 복수 개의 상기 수정바를 절단하여 설정 두께 이하로 이루어지는 복수 개의 웨이퍼를 제조하는 단계;
    (c) 복수 개의 상기 웨이퍼를 적층시켜 수정블록을 형성하고, 상기 수정블록을 절단하여 단위 크기의 블랭크를 제조하는 단계;
    (d) 상기 블랭크를 원형으로 절단하여 센서본체의 외경을 가공하는 단계;
    (e) 상기 센서본체의 상면 및 저면을 마찰시키며 상기 센서본체의 두께를 목표두께까지 절삭하는 래핑단계;
    (f) 상기 센서본체의 테두리에 모서리가 형성되도록 상기 센서본체의 테두리 상면 및 저면을 중앙부 측으로 가공하는 면취단계;
    (g) 면취된 상기 센서본체를 세척용액에 넣어 설정시간 동안 유동시키는 에칭단계;
    (h) 세척된 상기 센서본체의 상면 및 저면을 마찰시키며 상기 센서본체에 광택을 제공하는 폴리싱단계; 및
    (i) 상기 센서본체에 코팅재를 증착시키는 코팅단계를 포함하고,
    상기 래핑단계는,
    상기 센서본체의 두께를 30~38μ(미크론 : micron)으로 절삭하는 제1래핑단계;
    상기 센서본체의 두께를 16~20μ으로 절삭하는 제2래핑단계;
    상기 센서본체의 두께를 6~10μ으로 절삭하는 제3래핑단계; 및
    상기 센서본체의 두께를 2~6μ으로 절삭하는 제4래핑단계를 포함하고,
    상기 래핑단계는,
    래핑본체 상면에 구비되고 둘레면에 선기어가 구비되는 중심축;
    상기 중심축을 중심으로 링 모양을 이루며 내측으로 오목하게 형성되는 홈부 내벽에 구비되는 링기어;
    상기 선기어와 상기 링기어 사이에 기어연결되고 상기 중심축의 회전운동 및 상기 래핑본체에 설치되는 커버의 회전운동에 의해 공전 및 자전되는 유성기어를 구비하는 유성패널을 포함하는 래핑장치에 의해 이루어지고,
    상기 유성패널은 중앙부에 회전홀부가 형성되며, 상기 회전홀부의 테두리에 일정한 간격을 유지하며 상기 센서본체가 안착되는 다수 개의 안착홀부가 형성되고, 상기 유성패널의 테두리에는 유성기어가 형성되는 것을 특징으로 하는 감지용 크리스털 센서의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 에칭단계는, 물 100중량부에 대하여 불화암모늄 30~70중량부를 혼합하여 이루어지는 세척수에 상기 센서본체를 넣고 1~10분 동안 유동시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 감지용 크리스털 센서의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 폴리싱단계는, 상기 센서본체의 두께를 1μ이하로 절삭하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 감지용 크리스털 센서의 제조방법.
  5. (a) 복수 개의 수정바를 베이스패널에 접착시키는 단계;
    (b) 상기 베이스패널을 고정시키고 복수 개의 절단날이 구비되는 절단블록을 구동시켜 복수 개의 상기 수정바를 절단하여 설정 두께 이하로 이루어지는 복수 개의 웨이퍼를 제조하는 단계;
    (c) 복수 개의 상기 웨이퍼를 적층시켜 수정블록을 형성하고, 상기 수정블록을 절단하여 단위 크기의 블랭크를 제조하는 단계;
    (d) 상기 블랭크를 원형으로 절단하여 센서본체의 외경을 가공하는 단계;
    (e) 상기 센서본체의 상면 및 저면을 마찰시키며 상기 센서본체의 두께를 목표두께까지 절삭하는 래핑단계;
    (f) 상기 센서본체의 테두리에 모서리가 형성되도록 상기 센서본체의 테두리 상면 및 저면을 중앙부 측으로 가공하는 면취단계;
    (g) 면취된 상기 센서본체를 세척용액에 넣어 설정시간 동안 유동시키는 에칭단계;
    (h) 세척된 상기 센서본체의 상면 및 저면을 마찰시키며 상기 센서본체에 광택을 제공하는 폴리싱단계; 및
    (i) 상기 센서본체에 코팅재를 증착시키는 코팅단계를 포함하고,
    상기 래핑단계는,
    상기 센서본체의 두께를 30~38μ(미크론 : micron)으로 절삭하는 제1래핑단계;
    상기 센서본체의 두께를 16~20μ으로 절삭하는 제2래핑단계;
    상기 센서본체의 두께를 6~10μ으로 절삭하는 제3래핑단계; 및
    상기 센서본체의 두께를 2~6μ으로 절삭하는 제4래핑단계를 포함하고,
    상기 래핑단계는,
    래핑본체 상면에 구비되고 둘레면에 선기어가 구비되는 중심축;
    상기 중심축을 중심으로 링 모양을 이루며 내측으로 오목하게 형성되는 홈부 내벽에 구비되는 링기어; 및
    상기 선기어와 상기 링기어 사이에 기어연결되고 상기 중심축의 회전운동 및 상기 래핑본체에 설치되는 커버의 회전운동에 의해 공전 및 자전되는 유성기어를 구비하는 유성패널을 포함하는 래핑장치에 의해 이루어지고,
    상기 유성패널은 중앙부에 회전홀부가 형성되며, 상기 회전홀부의 테두리에 일정한 간격을 유지하며 상기 센서본체가 안착되는 다수 개의 안착홀부가 형성되고, 상기 유성패널의 테두리에는 유성기어가 형성되는 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 감지용 크리스털 센서.
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