KR101774686B1 - Rf 스위치 - Google Patents

Rf 스위치 Download PDF

Info

Publication number
KR101774686B1
KR101774686B1 KR1020160017626A KR20160017626A KR101774686B1 KR 101774686 B1 KR101774686 B1 KR 101774686B1 KR 1020160017626 A KR1020160017626 A KR 1020160017626A KR 20160017626 A KR20160017626 A KR 20160017626A KR 101774686 B1 KR101774686 B1 KR 101774686B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
terminal
coupled
transistor
bipolar transistor
emitter
Prior art date
Application number
KR1020160017626A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160101677A (ko
Inventor
요한 피터 포스트너
우도 겔라흐
토마스 레이트너
Original Assignee
인피니언 테크놀로지스 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인피니언 테크놀로지스 아게 filed Critical 인피니언 테크놀로지스 아게
Publication of KR20160101677A publication Critical patent/KR20160101677A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101774686B1 publication Critical patent/KR101774686B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/04126—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/163—Soft switching
    • H03K17/164—Soft switching using parallel switching arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

무선 주파수 신호를 위한 바이폴라 트랜지스터 스위치가 개시된다. 실시예에서, 디바이스는 제 1 무선 주파수(RF) 단자, 제 2 RF 단자, 및 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 바이폴라 트랜지스터의 이미터 단자는 제 1 RF 단자에 결합되고, 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 단자는 제 2 RF 단자에 결합된다. 디바이스는 바이폴라 트랜지스터에 베이스 단자에 베이스 전류를 선택적으로 공급하도록 구성된 베이스 전류 공급 회로를 더 포함한다.

Description

RF 스위치{RF SWITCH}
본 발명은 무선 주파수(radio frequency: RF) 스위치 및 대응 디바이스에 관한 것이다.
무선 주파수(RF) 스위치는 때때로 또한 고주파수 신호라 칭하는 무선 주파수 신호를 위해 사용되는 전기 접속부를 선택적으로 개폐하는데 사용된다. 이러한 무선 주파수 신호는 예를 들어, 모바일 통신 용례에서, 100 MHz 초과, 예를 들어 600 MHz 내지 5 GHz의 범위의 주파수를 가질 수 있다.
RF 스위치로서, 다수의 용례에서 전계 효과 트랜지스터(field effect transistors: FETs)가 사용된다. 또한, PIN 다이오드가 때때로 사용된다. 다양한 이유로, RF 스위치로서 바이폴라 접합 트랜지스터(bipolar junction transistors: BJTs)를 또한 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 종래의 접근법은 예를 들어, 이러한 바이폴라 트랜지스터 기반 스위치를 위한 베이스 이미터 또는 베이스 컬렉터 결합을 사용하였는데, 즉 스위치를 거쳐 선택적으로 결합될 RF 신호 소스 및 RF 신호 목적지가 BJT의 베이스 및 이미터 또는 베이스 및 컬렉터에 각각 결합되었다. 그러나, 적어도 몇몇 용례에서, BJT의 베이스 이미터 다이오드 또는 베이스 컬렉터 다이오드를 거친 이러한 결합은 비교적 높은 댐핑 및/또는 비교적 낮은 선형성을 가질 수 있다.
이하, 다양한 실시예가 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명될 것이다. 이들 실시예는 단지 예시적인 목적으로 역할을 하고, 한정의 개념으로 취해져서는 안된다는 것이 주목되어야 한다. 예를 들어, 실시예는 복수의 특징 또는 요소를 포함하는 것으로서 설명될 수 있지만, 다른 실시예에서 이들 특징 또는 요소의 일부는 생략될 수 있고 그리고/또는 대안 특징 또는 요소로 대체될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 본 명세서에 명시적으로 설명되거나 도면에 도시된 것들에 추가하여 부가의 특징 또는 요소가 제공될 수 있다. 더욱이, 상이한 실시예로부터 특징 또는 요소는 다른 실시예를 형성하도록 조합될 수 있다. 실시예들 중 하나와 관련하여 설명된 변형 및 수정은 다른 실시예에 또한 적용가능할 수도 있다.
도면에 도시되거나 본 명세서에 설명된 요소들 또는 구성요소들 사이의 임의의 직접 접속 또는 결합, 즉 개입 요소가 없는 접속 또는 결합은, 예를 들어 특정 종류의 신호를 전송하기 위한 또는 특정 종류의 정보를 전송하기 위한 것과 같은, 접속 또는 결합의 일반적인 기능 및/또는 목적이 본질적으로 유지되는 한, 간접 접속 또는 결합, 즉 하나 이상의 부가의 개입 요소를 포함하는 접속 또는 결합에 의해 또한 구현될 수 있고, 그 반대도 마찬가지이다. "좌측", "우측" 등과 같은 도면을 설명할 때 이루어지는 임의의 방향 참조는 도면의 다양한 부분의 용이한 참조를 위해서만 제공된 것이고, 설명된 요소 또는 구성요소의 임의의 특정 공간적 배열을 암시하는 것으로서 해석되어서는 안된다.
몇몇 실시예에서, 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 컬렉터-이미터 결합은 100 MHz 초과, 예를 들어 600 MHz 내지 5 GHz의 주파수를 갖는 무선 주파수(RF) 신호와 같은 RF 신호를 스위칭하기 위해 사용된다.
몇몇 실시예에서, 스위치의 개폐는 바이폴라 접합 트랜지스터의 베이스 단자에 베이스 전류를 공급함으로써 제어될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 커패시턴스는 직류(DC) 성분을 차단하기 위해 컬렉터 단자 및 이미터 단자에 결합될 수 있다.
몇몇 실시예에서, BJT는 정역 포화 영역에서 동작될 수 있다.
일반적으로, 본 출원에 있어서 BJT는 본질적으로 그 컬렉터 단자와 이미터 단자 사이에 비도통 상태일 때 "개방"" 또는 "오프"로서 설명될 수 있고, 그 컬렉터 단자와 이미터 단자 사이에 RF 신호를 도통할 때 "폐쇄" 또는 "온"으로서 설명될 수 있다.
본 발명, 및 그 장점의 더 완전한 이해를 위해, 이제 첨부 도면과 관련하여 취한 이하의 상세한 설명을 참조한다.
도 1은 실시예에 따른 디바이스를 도시하는 블록도.
도 2는 실시예에 사용가능한 바이폴라 접합 트랜지스터를 도시하는 도면.
도 3 및 도 4는 몇몇 실시예의 동작을 도시하기 위한 바이폴라 접합 트랜지스터를 위한 특성 곡선을 도시하는 도면.
도 5는 오프 상태에서 바이폴라 접합 트랜지스터의 소신호 등가 회로를 도시하는 도면.
도 6은 온 상태에서 바이폴라 접합 트랜지스터의 소신호 등가 회로를 도시하는 도면.
도 7은 실시예에 따른 디바이스의 회로도를 도시하는 도면.
도 8은 실시예에 따른 디바이스의 회로도를 도시하는 도면.
도 9는 실시예에 따른 디바이스의 회로도를 도시하는 도면.
도 10은 실시예에 따른 디바이스의 회로도를 도시하는 도면.
도 11은 실시예에 따른 디바이스의 회로도를 도시하는 도면.
이제 도면을 참조하면, 도 1은 실시예에 따른 디바이스를 도시하고 있다. 도 1의 디바이스(10)는 바이폴라 스위치 디바이스(11)를 포함하고, 바이폴라 스위치 디바이스는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 및 선택적으로 BJT에 결합된 커패시터 또는 저항과 같은 부가의 요소를 포함한다.
RF 신호 소스(12)가 바이폴라 스위치 디바이스(11)의 BJT의 컬렉터(C) 또는 이미터(E) 단자 중 하나에 결합되고, RF 신호 목적지(13)가 바이폴라 스위치 디바이스(11)의 BJT의 컬렉터 및 이미터 중 다른 하나에 결합된다. RF 신호 소스(12)는 RF 신호를 발생하는 임의의 종류의 회로일 수 있다. 바이폴라 스위치 디바이스(11) 및 특히 그 BJT를 선택적으로 개폐함으로써, RF 신호는 RF 신호 목적지(13)에 선택적으로 제공될 수 있다. RF 신호 목적지(13)는 예를 들어, RF 신호를 수신하는 회로일 수 있지만, 또한 예를 들어 접지와 같은 고정 전위일 수도 있다. 후자의 경우에, 바이폴라 스위치 디바이스(11)는 단지 예를 들면, 접지로의 RF 신호를 선택적으로 션트하는 역할을 할 수 있다.
바이폴라 스위치 디바이스(11)는 제어기(14)에 의해 제어된다. 실시예에서, 제어기(14)는 바이폴라 스위치 디바이스(11)의 BJT의 베이스 단자(B)에 베이스 전류를 선택적으로 제공하기 위한 베이스 전류 공급 회로로서 역할을 할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 예를 사용하여 후술되는 바와 같이, 베이스 전류의 흐름을 가능하게 하기 위해, 바이폴라 스위치 디바이스(11)의 BJT의 이미터 단자는 저항 또는 다른 임피던스를 거쳐 접지와 같은 기준 전위에 결합될 수 있다.
몇몇 실시예에서 사용가능한 바이폴라 스위치 디바이스(11)의 예시적인 구현예가 도 7 내지 도 11을 참조하여 후술될 것이다. 더 양호한 이해를 위해, 다양한 예시적인 구현예를 상세히 설명하기 전에, 도 2 내지 도 6을 참조하여, 실시예에서 사용가능한 바이폴라 접합 트랜지스터의 다양한 특성이 설명될 것이다.
도 2는 이후에 다양한 실시예의 다양한 특징의 예시를 위해 사용된 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)(26)를 도시하고 있다. 도 2에 표현된 예에서 바이폴라 접합 트랜지스터(26)는 NPN 트랜지스터이다. 그러나, 본 명세서에 개시된 개념 및 기술은 또한 PNP 트랜지스터에도 적용될 수 있다. NPN 및 PNP는 또한 전이의 극성이라 칭할 수도 있다.
도 2의 실시예에서 BJT(26)는 컬렉터 단자(20), 베이스 단자(21) 및 이미터 단자(22)를 포함한다. 화살표(23)는 컬렉터-이미터 전압(VCE)을 표현하고, 화살표(25)는 베이스-이미터 전압(VBE)을 표현하고, 화살표(25)는 베이스 전류(IB)를 표현한다. 전압(VCE, VBE) 및 베이스 전류(IB)는 설명의 목적으로 이후에 사용될 것이다.
몇몇 실시예에서, RF 스위치로서 사용되기 위해, 도 2에 도시된 바이폴라 트랜지스터와 같은 바이폴라 트랜지스터는 순방향 포화 범위 또는 역방향 포화 범위에서 동작된다. 몇몇 실시예에서, 역방향 포화 범위에서 전류 소비는 순방향 포화 범위에서보다 낮을 수 있다. 후술되는 실시예의 이해를 향상시키기 위해, 이들 동작 모드가 후술될 것이다.
전술된 바와 같이, 실시예는 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이 스위칭을 위해 컬렉터-이미터 결합을 사용하는데, 여기서 RF 신호 소스는 컬렉터 단자 또는 이미터 단자 중 하나에 결합되고, RF 신호 목적지는 컬렉터 단자 및 이미터 단자 중 다른 하나에 결합된다. 베이스 전류가 결합을 제어하는데, 예를 들어 스위치를 개폐하는데 사용될 수 있다. 실시예에서, 이러한 컬렉터-이미터 결합을 사용하는 것은 바이폴라 기술에서 고도로 선형 및/또는 저손실 스위치의 실현을 가능하게 할 수 있다.
실시예에서, 사용된 BJT의 이미터 단자(예를 들어, 도 2의 이미터 단자(22))는 저항을 거쳐 기준 전위(예를 들어, 접지)와 결합될 수 있다. 선택적으로, 기준 전위로의 이러한 결합은 또한 컬렉터 단자를 위해 이루어질 수 있다. 다른 실시예에서, 결합은 외부 차단 코일과 같은 다른 차단 임피던스로 이루어질 수 있다. RF 신호는 DC 성분을 차단하는 커패시턴스를 거쳐 컬렉터 및/또는 이미터 단자에 결합될 수 있다. 이러한 경우에, 기준 전위로의 이미터의 전술된 결합은 베이스 전류가 베이스를 거쳐 기준 전위로 흐르는 것을 가능하게 할 수 있다. 사용된 베이스 전류(IB)에 따라, BJT(예를 들어, BJT(26))는 순방향 또는 역방향 포화 동작 모드로 설정될 수 있다. 이 관점에서 동작점은 바이폴라 트랜지스터에 결합된 외부 회로에 의존할 수 있다. 예를 들어, 컬렉터가 다른 회로에 결합되지 않는 경우에, 예를 들어 순방향 포화 동작 모드가 얻어질 수 있다. 컬렉터가 다른 회로에 결합되는 경우에, 역방향 포화 동작 모드가 얻어질 수 있는데, 여기서 베이스 이미터 및 베이스 컬렉터 다이오드는 바이어스된 다이오드 및 네거티브 컬렉터 전류 결과이다.
BJT(26)는 실리콘에 기초하여 구현될 수 있지만, 또한 다른 재료에 기초하여 그리고/또는 헤테로구조, 예를 들어 Si, SiGe, SiC 및 SiGeC의 그룹으로부터 선택된 적어도 2개의 재료를 포함하는 헤테로구조를 사용하여 구현될 수 있다. BJT(26)는 예를 들어, 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터(heterojunction bipolar transistor: HBT)로서 구현될 수 있다.
역방향 포화 동작 모드에서 BJT의 컬렉터 단자와 이미터 단자 사이의 저저항 접속, 즉 스위치의 폐쇄는 이하와 같이 실현될 수 있다:
특정 베이스 전류(IB)가 트랜지스터(예를 들어, 트랜지스터(26))의 베이스-이미터 다이오드에 제공된다. 이 베이스 전류는 소수 캐리어의, 즉 베이스로부터 이미터로 주입된 정공의 주입으로부터 그리고 이미터로부터 베이스로 주입된 전자로부터 발생한다. 이러한 베이스 전류는 예를 들어, 도 2의 화살표(24)에 의해 지시된 바와 같이, 특정 베이스-이미터 전압(VBE)을 인가함으로써 발생될 수 있다. 실시예에서, 트랜지스터의 베이스 영역(예를 들어, HBT의 경우에)은 너무 얇아서 주입된 전자가 베이스 내에서 재조합하기 전에 컬렉터-베이스 다이오드의 공간 전하 영역으로 확산할 수도 있다.
전술된 바와 같은 시나리오에서, 동작점으로서 실시예에서 10 mV 미만일 수 있는 컬렉터-이미터 전압(VCE)이 설정된다. 지금까지 설명된 포화도에서, 컬렉터 전류는 반드시 흐르는 것은 아니다. 그러나, 역방향 동작에서 0 미만의 직류가 발생한다.
실시예로서 RF 스위치로서 사용시에, 예를 들어, 교류(AC) 신호(예를 들어, RF 신호)가 컬렉터(예를 들어, 도 2의 컬렉터 단자(20))에 인가될 때, 컬렉터와 이미터 사이의 전위차에 기인하여, 전자가 컬렉터-베이스 공간 전하 영역으로부터 컬렉터로 제공된다. 이에 기인하여, 이미터는 컬렉터 전위를 따른다. 역방향 포화에서, 이미터에서의 AC 신호는 이 RC 신호를 따르는 컬렉터 전위(전압)를 유도한다. 따라서, RF 신호와 같은 AC 신호는 컬렉터로부터 이미터로 그리고 그 반대로 전송될 수 있다.
DC 전류인 베이스 전류(IB)는 컬렉터-이미터 결합의 특성을 결정한다. 트랜지스터가 더 많이 포화로 동작될수록(순방향 또는 역방향 동작에 무관하게), 컬렉터-이미터 결합이 더 저저항이다.
이 거동을 더 예시하기 위해, 도 3 및 도 4는 실시예에서 사용가능한 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터의 특성 곡선을 도시하고 있다. 도 3 및 도 4는 50 ㎂ 내지 200 ㎂의 범위의 상이한 베이스 전류에 있어서 mA 단위의 컬렉터 전류(IC) 대 V 단위의 컬렉터-이미터 전압(VCE)을 도시하고 있다. 도 4는 도 3의 부분, 특히 0 V/0 A 주위의 부분의 확대도를 도시한다.
볼 수 있는 바와 같이, 더 높은 베이스 전류는 더 저저항 컬렉터-이미터 결합(동일한 전압(VCE)에 대해 더 높은 전류(IC))을 유도한다. 순방향 포화에서의 거동은 제 1 사분면(포지티브 VCE, 포지티브 IC)에서 보여질 수 있는데; 포화는 베이스 전류에 따라 약 0.2 V 내지 0.5 V에서 시작한다. 역방향 포화는 역방향 파과(breakthrough)의 착수 전에, 약 -0.1 V 내지 -0.7 V로 보여질 수 있다.
요약하면, 실시예에서 사용될 수 있는 양 동작 모드(순방향 포화 및 역방향 포화)는 이하와 같이 설명될 수 있다: 베이스 이미터 및 베이스 컬렉터 다이오드는 순방향 바이어스에서 동작되는데, 컬렉터와 이미터 사이에는 저저항 결합이 존재한다.
다수의 용례에서, 컬렉터-이미터 전압(VCE)은 작을 수 있는데, 예를 들어 10 mV 미만이다. 이러한 경우에, 간단화의 목적으로, 근사로서 역방향 포화 모드를 위한 베이스-컬렉터 다이오드 및 베이스-이미터 다이오드의 병렬 결합이 가정될 수 있다.
이러한 것을 더 예시하기 위해, 도 5 및 도 6은 몇몇 실시예에서 사용가능한 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터와 같은 바이폴라 접합 트랜지스터의 소신호 등가 회로를 도시하고 있다.
도 5는 트랜지스터의 오프 상태(개방 상태)를 위한 소신호 등가 회로를 도시하고 있다. 이 경우에, 단지 베이스 컬렉터 다이오드 및 베이스 이미터 다이오드 각각의 공핍층 커패시턴스(53, 54)가 본질적으로 고려되어야 한다. 도면 부호 50은 컬렉터 단자를 나타내고, 도면 부호 51은 이미터 단자를 나타내고, 도면 부호 52는 트랜지스터의 베이스 단자를 나타낸다. 다수의 용례에서, 베이스 컬렉터 다이오드를 표현하는 커패시턴스(53)의 커패시턴스(CBC0)는 베이스 이미터 다이오드(54)의 커패시턴스(CBE0)보다 작다. RF 용례에서 오프 상태에서 양호한 격리 특성을 위해, 낮은 커패시턴스가 바람직하다. 따라서, 실시예에서, 베이스 컬렉터 다이오드 및 그 커패시턴스(53)는 주로 실시예에서 오프 상태에서 격리 특성에 기여한다.
도 6은 온 상태(폐쇄된 상태)에서 바이폴라 접합 트랜지스터를 위한 소신호 등가 회로를 도시하고 있다. 60은 컬렉터 단자를 나타내고, 61은 이미터 단자를 나타내고, 62는 베이스 단자를 나타낸다.
베이스 컬렉터 다이오드는 폐쇄 상태에서 비선형 확산 커패시터(62)(CBCd), 공핍층 커패시터(63)(CBCi) 및 비선형 전류 소스(64)(ibc)에 의해 표현된다. 유사하게, 베이스-이미터 다이오드는 비선형 확산 커패시터(67)(CBEd), 공핍층 커패시터(66)(CBEi) 및 비선형 전류 소스(65)(ibe)에 의해 표현된다. 더욱이, 도 6의 등가 회로는 컬렉터 단자(60)와 이미터 단자(61) 사이에 결합된 저항(68)을 포함한다. 저항(68)의 컨덕턴스값(gce)은 도 3 및 도 4로부터 볼 수 있는 바와 같이, 베이스 전류(Ib)의 함수이다.
순방향 포화에서, 본질적으로 단지 베이스 이미터 다이오드만이 활성이다. 역방향 포화에서, 양 다이오드는 활성이다.
예를 들어, 도 5 및 도 6의 소신호 등가 회로에 기초하여, 몇몇 실시예에서, 낮은 손실을 갖는 RF 신호를 위한 고도의 선형 스위치가 실현될 수 있다. 이러한 스위치는 예를 들어, 비교적 낮은 전력을 갖는 RF 신호에 적응될 수 있다. 이러한 실시예에서, 바이폴라 접합 트랜지스터의 컬렉터-이미터 경로는, 예를 들어 도 1을 참조하여 도시된 바와 같이, 선택적 결합을 위해 사용된다. 도 6의 소신호 회로는 또한 컬렉터-이미터 결합의 동작을 도시하고 있는데, 예를 들어 이미터 단자(61)에서의 신호가 컬렉터 단자(60)에서의 신호를 따르고 그리고 그 반대도 마찬가지이다(예를 들어, 저항(68)에 기인하여).
실시예에서 이러한 트랜지스터의 컬렉터 단자는 나머지 회로가 최소 부하를 받는 위치에서 나머지 회로에 결합될 수 있다. 트랜지스터가 스위치 오프될 때, 도 5를 참조하면, 예를 들어 단지 커패시터(53)만이 나머지 회로로의 부하로서 작용하고, 커패시터(53)는 설명된 바와 같이 커패시터(54)보다 실시예에서 더 낮은 커패시턴스를 갖는다. 이는 예를 들어, 회로 상의 전체 부하를 감소시킬 수 있다.
도 7은 실시예에 따른 스위치 디바이스의 회로도를 도시한다. 도 7의 스위치 디바이스는 제 1 단자(70) 및 제 2 단자(76)를 포함한다. 도 7의 스위치 디바이스는 단자(70, 76) 사이의 무선 주파수 결합을 선택적으로 제공하도록 적용된다(즉, 무선 주파수 신호를 위한 저저항 경로 또는 무선 주파수 신호를 위한 본질적으로 격리성인 고저항 경로를 선택적으로 제공하도록). 이러한 스위칭을 제공하기 위해, 도 7의 스위치 디바이스는 바이폴라 접합 트랜지스터(74), 예를 들어 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터를 포함한다. 트랜지스터(74)의 이미터 단자가 커패시터(71)를 거쳐 단자(70)에 결합되고, 트랜지스터(74)의 컬렉터 단자가 커패시터(75)를 거쳐 단자(76)에 결합된다. 커패시터(71, 75)는 예를 들어 단자(70 또는 76)에서 신호의 DC 성분을 차단하는 역할을 한다. 따라서, DC 경우에, 트랜지스터(74)는 본질적으로 단자(70, 76) 사이에서 부동하고, 단자(70) 또는 단자(76)로부터 단지 AC 신호, 특히 RF 신호만을 수신한다.
더욱이, 트랜지스터(74)의 이미터 단자는 저항(72)을 거쳐 접지에 결합된다. 트랜지스터(74)의 베이스 단자는 저항(73) 및 스위치(77)를 거쳐 포지티브 공급 전압(78)에 결합된다. 저항(73) 및 스위치(77)는 베이스 전류 공급 회로의 예이다. 스위치(77)가 폐쇄될 때, 베이스 전류(Ibias)가 흘러 트랜지스터(74)를 온 상태(폐쇄된 상태)로 설정하고, 따라서 단자(70)로부터 단자(76)로의 또는 그 반대로의 RF 신호의 전송을 가능하게 한다. 스위치(77)가 개방될 때, 베이스 전류가 흐르지 않는데, 이는 단자(76)로부터 단자(70)를 효율적으로 결합해제한다.
저항(73, 72)은 동작점을 설정할 수 있는데, 특히 베이스 전류의 크기를 결정할 수 있다. 더욱이, 저항(72, 73)은 RF 신호의 상당한 부분이 접지에 결합되는 것을 방지하여, 따라서 실시예에서 스위치의 손실을 낮게 유지하는 차단 저항으로서 역할을 한다. 저항(72, 73)의 저항값은 각각 50 Ω 이하일 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
도시된 저항에 추가하여, 다른 실시예에서, 또한 트랜지스터(74)의 컬렉터 단자를 접지에 결합하는 다른 저항이 제공될 수 있다. 다른 실시예에서, 저항들 중 하나 이상 대신에, 차단 유도율과 같은 다른 임피던스가 사용될 수 있다.
도 7의 베이스 전류(Ibias)의 크기는 5 mA 이하, 예를 들어 100 ㎂ 이하일 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 도 7은 NPN 트랜지스터(74)를 사용하는 스위치 디바이스를 도시하고 있지만, 다른 실시예에서 PNP 트랜지스터가 예를 들어 수반된 극성을 역전함으로써 사용될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 스위치 디바이스의 전송 거동을 향상시키기 위해, 용량성 베이스-이미터 결합이 사용될 수 있다. 이러한 용량성 베이스-이미터 결합을 위한 예가 도 9와 관련하여 이후에 예시될 것이다.
예를 들어 스위치 디바이스의 오프 상태에서 격리를 증가시키기 위한 바이어싱 또는 클램핑과 같은 도 7에 명시적으로 도시되지 않은 다른 요소가 또한 사용될 수 있다.
다음에, 도 8 내지 도 11을 참조하면, 적어도 부분적으로 도 7의 실시예에 비교하여 부가의 요소 또는 특징을 갖는 다른 스위치 디바이스가 사용될 것이다.
도 8은 예를 들어, 바이패스 스위치로서 사용될 수 있는 다른 실시예에 따른 스위치 디바이스를 도시한다. 바이패스 스위치는 일반적으로 회로의 2개의 노드를 선택적으로 결합하고, 따라서 스위치가 폐쇄될 때 2개의 노드 사이에 제공된 회로를 바이패스하는 스위치로서 이해되어야 한다.
도 8의 스위치 디바이스는 제 1 단자(80) 및 제 2 단자(81)를 포함하고, 이들 단자는 스위치 디바이스에 의해 서로 선택적으로 결합된다. 스위칭 소자로서, 도 8의 스위치 디바이스는 2개의 바이폴라 트랜지스터(83, 84)를 포함한다. 트랜지스터(83, 84)의 베이스 단자는 저항(82)을 거쳐 베이스 전류(Ibias)가 제공될 수 있고, 저항(82)은 본질적으로 도 7의 저항(73)과 동일한 기능을 갖는다. 트랜지스터(83)의 컬렉터 단자는 단자(80)와 결합되고, 트랜지스터(84)의 컬렉터는 단자(81)와 결합된다. 트랜지스터(83, 84)의 이미터 단자는 서로 결합된다. 더욱이, 트랜지스터(83, 84)의 이미터 단자는 본질적으로 도 7의 저항(72)과 동일한 기능을 갖는 저항(87)을 거쳐 접지에 결합된다.
더욱이, 트랜지스터(83)의 컬렉터 단자는 저항(85)을 거쳐 접지에 결합되고, 트랜지스터(84)의 컬렉터 단자는 저항(86)을 거쳐 접지에 결합된다. 저항(85, 86)은 저항(87)에 유사하게 치수설정될 수 있고, 도 8의 저항(73, 73)에 대해 설명된 바와 같이 유사하게, 동작점을 조정하기 위해 그리고 차단 저항으로서 역할을 한다.
2개의 트랜지스터(83, 84)를 제공함으로써, 스위치 디바이스에 의해 도입된 댐핑은 하나의 전이가 사용되는 경우에 비교하여 증가될 수 있다. 다른 한편으로, 도시된 바와 같이 결합을 갖는 2개의 트랜지스터(83, 84)를 제공함으로써, 몇몇 실시예에서 선형성이 증가될 수 있다. 예를 들어, 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터와 같은 몇몇 바이폴라 트랜지스터는 비대칭성 구조를 가질 수 있어, 따라서 컬렉터로부터 이미터로 그리고 이미터로부터 컬렉터로 상이한 전송 거동을 유도한다. 도 8에 도시된 바와 같은 결합에 의해, 대칭성이 증가된다. 더욱이, 몇몇 실시예에서, 트랜지스터(82, 84)의 컬렉터 단자를 단자(80, 81)에 결합함으로써, 스위치 디바이스에 접속된 회로로의 부하가 감소될 수 있고, 전술된 바와 같이, 오프 상태에서 베이스-컬렉터 다이오드의 커패시턴스가 베이스-이미터 다이오드의 커패시턴스보다 낮을 수 있다.
도 8에는 명시적으로 도시되지 않았지만, 도 7의 실시예에 유사하게, 커패시터는 트랜지스터(83)의 컬렉터 단자와 단자(80) 사이에 그리고/또는 트랜지스터(84)의 컬렉터 단자와 단자(81) 사이에 제공될 수 있다.
도 9는 스위치 디바이스의 다른 실시예를 도시한다. 도 9의 스위치 디바이스는 2개의 입력 단자(90, 99) 및 출력 단자(911)를 포함한다. 바이폴라 트랜지스터(913, 914)를 거쳐, 입력 단자(90, 99)는 RF 신호를 전송하기 위해 출력 단자(911)에 선택적으로 결합될 수 있다.
트랜지스터(913)의 이미터 단자가 커패시터(91)를 거쳐 단자(90)에 결합되는데, 커패시터(91)는 DC 성분을 차단하는 역할을 한다(도 7의 커패시터(71, 75)와 유사함). 트랜지스터(914)의 이미터 단자가 커패시터(98)를 거쳐 단자(99)에 결합되어, 또한 DC 성분을 차단한다. 트랜지스터(913, 914)의 컬렉터 단자는 출력 단자(911)에 결합된다.
트랜지스터(913)의 베이스 단자는 도 7의 저항(73) 및 스위치(77)와 각각 동일한 기능을 갖는 저항(93) 및 스위치(94)를 거쳐 공급 전압(VCC)에 결합되는데, 즉 베이스 전류를 저항(913)에 선택적으로 공급하여 트랜지스터(913)를 스위칭 온 오프한다. 마찬가지로, 트랜지스터(914)의 베이스 단자는 저항(96) 및 스위치(95)를 거쳐 공급 전압(VCC)에 결합되어 베이스 전류를 트랜지스터(914)에 선택적으로 공급하여, 트랜지스터(914)를 선택적으로 스위칭 온 오프한다.
더욱이, 트랜지스터(913)의 이미터 단자는 저항(910)을 거쳐 접지에 결합되고, 트랜지스터(914)의 이미터 단자는 저항(912)을 거쳐 접지에 결합된다. 저항(910, 912)은 본질적으로 도 7의 저항(72)에 대해 전술된 바와 동일한 기능을 담당하고, 유사한 방식으로 치수설정될 수 있는데, 예를 들어 이들 저항은 50 Ω 초과의 저항값을 갖는다. 선택적으로(도 9에는 도시되지 않음), 트랜지스터(913, 914)의 컬렉터 단자는 다른 저항(도 8의 저항(85, 86)과 같은)을 거쳐 접지에 결합될 수 있다.
부가적으로, 도 9의 실시예에서, 트랜지스터(913)의 베이스 단자 및 이미터 단자는 커패시터(92)에 의해 결합되고, 트랜지스터(914)의 베이스 단자 및 이미터 단자는 커패시터(97)를 거쳐 결합된다. 커패시터(92, 97)는 몇몇 실시예에서, 각각의 트랜지스터의 전송 거동을 최적화하는, 예를 들어 비선형성을 감소시키는 역할을 할 수 있다. 특히, 커패시터(92, 97)는 스위치 디바이스의 대신호 거동을 향상시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 커패시터(92, 97)는 생략될 수도 있다.
도 10은 스위치 디바이스의 다른 실시예를 도시한다. 도 10의 스위치 디바이스는 단자(100, 108) 사이에 결합을 선택적으로 제공한다. 스위칭 소자로서, 도시된 바와 같이 역병렬 결합을 갖는 2개의 바이폴라 트랜지스터(105, 106)가 제공된다. 트랜지스터(105)의 이미터 단자 및 트랜지스터(106)의 컬렉터 단자는 커패시터(101)를 거쳐 단자(100)에 결합되고, 트랜지스터(105)의 컬렉터 단자 및 트랜지스터(106)의 이미터 단자는 커패시터(107)를 거쳐 단자(108)에 결합된다. 커패시터(101, 107)는 도 7의 커패시터(71, 75)와 유사하게, DC 성분을 차단하는 역할을 한다.
더욱이, 트랜지스터(105)의 이미터 단자 및 트랜지스터(106)의 컬렉터 단자는 저항(109)을 거쳐 접지에 결합되고, 트랜지스터(105)의 컬렉터 단자 및 트랜지스터(106)의 이미터 단자는 저항(1010)을 거쳐 접지에 결합된다. 저항(109, 1010)은 본질적으로 도 7의 저항(72)과 동일한 기능을 담당하고, 100 Ω 초과의 저항값을 가질 수 있다.
트랜지스터(105)의 베이스 단자는 저항(103) 및 스위치(102)를 거쳐 공급 전압(VCC)에 결합되고, 트랜지스터(106)의 베이스 단자는 저항(104) 및 스위치(102)를 거쳐 포지티브 공급 전압(VCC)에 결합된다.
스위치(102)를 폐쇄함으로써, 트랜지스터(105, 106)는 저항(103, 104)을 거쳐 베이스 전류(Ibias)를 각각 공급받고, 따라서 트랜지스터(105, 106)를 스위칭 온한다. 저항(103, 104)은 본질적으로 도 7의 저항(73)과 동일한 기능을 담당한다. 2개의 저항(103, 104)이 도 10에 도시되어 있지만, 다른 실시예에서, 트랜지스터(105, 106)는 동일한 저항을 거쳐 바이어스 전류를 수신할 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 역병렬 결합을 갖는 2개의 트랜지스터(105, 106)를 제공함으로써, 실시예에서, 본질적으로 트랜지스터의 각각이 반파의 전송을 "담당하기" 때문에, 대신호 거동 및 대칭성이 향상될 수 있다. 예를 들어, 비대칭적으로 구현된 트랜지스터(몇몇 HBT와 같은)의 경우에 2개의 트랜지스터를 제공함으로써, 이러한 비대칭성이 보상될 수 있다.
도 11은 전송 게이트로서 사용가능한 스위치 디바이스를 도시한다. 도 11의 실시예는 제 1 단자(110) 및 제 2 단자(118)를 포함한다. 스위칭 소자로서, NPN 바이폴라 접합 트랜지스터(114) 및 PNP 바이폴라 접합 트랜지스터(115)가 제공된다. 트랜지스터(114, 115)의 이미터 단자는 커패시터(111)를 거쳐 단자(110)에 결합된다. 트랜지스터(114, 115)의 컬렉터 단자는 커패시터(117)를 거쳐 단자(118)에 결합된다. 커패시터(111, 117)는 DC 성분을 차단하는 역할을 할 수 있다.
더욱이, 트랜지스터(114)의 베이스 단자는 저항(113) 및 스위치(112)를 거쳐 포지티브 공급 전압(VCC)에 결합된다. 트랜지스터(115)의 베이스 단자는 저항(116)을 거쳐 접지에 결합된다. 스위치(112)가 폐쇄될 때, 베이스 전류(Ibias)가 저항(113)을 거쳐 NPN 트랜지스터(114)의 베이스 단자로 그리고 저항(115)의 베이스 단자로부터 저항(116)을 거쳐 접지로 흐르고, 따라서 트랜지스터(114, 115)를 온 상태로 스위칭하여, 단자(110)로부터 단자(118)로의 그리고 그 반대로의 RF 신호 전송을 가능하게 한다.
PMP 트랜지스터(115)의 전송 주파수에 따라, 도 11의 디바이스의 동작 주파수가 제한될 수 있다는 것이 주목되어야 한다. 도 11의 실시예는 예를 들어, 높은 선형성과 같은 양호한 대신호 거동을 가질 수 있다. 트랜지스터(114, 115)는 2개의 트랜지스터를 적층함으로써 구현될 수 있는데, 이는 예를 들어, 2개의 베이스 이미터 다이오드의 적층을 유도할 수 있다.
전술된 스위치 디바이스의 다수의 변형 및 수정의 견지에서, 본 명세서에 개시된 기술은 임의의 특정 실시예에 한정되는 것은 아니고, 예시된 실시예는 단지 예로서만 제공된 것이라는 것이 명백하다.
본 발명은 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었지만, 이 설명은 한정의 개념으로서 해석되도록 의도된 것은 아니다. 예시적인 실시예의 다양한 수정 및 조합, 뿐만 아니라 본 발명의 다른 실시예가 설명을 참조할 때 당 기술 분야의 숙련자들에게 명백할 것이다. 따라서, 첨부된 청구범위는 임의의 이러한 수정 또는 실시예를 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 제 1 무선 주파수(RF) 단자와,
    제 2 RF 단자와,
    바이폴라 트랜지스터 - 상기 바이폴라 트랜지스터의 이미터 단자는 상기 제 1 RF 단자에 결합되고, 상기 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 단자는 상기 제 2 RF 단자에 결합됨 - 와,
    상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스 단자에 베이스 전류를 선택적으로 공급하도록 구성된 베이스 전류 공급 회로를 포함하고,
    상기 이미터 단자는 제 1 임피던스를 통해 접지와 직접 결합되고, 상기 컬렉터 단자는 제 2 임피던스를 통해 접지와 직접 결합되는
    디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 바이폴라 트랜지스터는 상기 베이스 전류 공급 회로가 베이스 전류를 공급할 때 순방향 포화 또는 역방향 포화 중 하나로 동작하도록 구성되는
    디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 단자와 상기 이미터 단자 사이에 결합된 커패시터 또는 상기 제 2 RF 단자와 상기 컬렉터 단자 사이에 결합된 커패시터를 더 포함하는
    디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 전류 공급 회로는 공급 전압과 상기 베이스 단자 사이에 직렬로 결합된 저항 및 스위치를 포함하는
    디바이스.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 임피던스는 적어도 50 Ω의 저항값을 갖는 저항을 포함하는
    디바이스.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 임피던스는 적어도 50 Ω의 저항값을 갖는 저항을 포함하는
    디바이스.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 트랜지스터의 베이스 단자와 상기 트랜지스터의 이미터 단자 사이에 결합된 커패시터를 더 포함하는
    디바이스.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 단자와 상기 제 2 RF 단자 사이에 결합된 다른 바이폴라 트랜지스터를 더 포함하는
    디바이스.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 다른 바이폴라 트랜지스터는 상기 트랜지스터에 직렬로 결합되는
    디바이스.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 트랜지스터의 이미터 단자는 상기 다른 바이폴라 트랜지스터의 이미터 단자에 결합되는
    디바이스.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 트랜지스터의 컬렉터 단자는 상기 다른 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 단자에 결합되고, 상기 제 1 RF 단자 및 상기 제 2 RF 단자는 입력 단자이고, RF 출력 단자가 상기 트랜지스터의 컬렉터 단자와 상기 다른 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 단자 사이의 노드에 결합되는
    디바이스.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 다른 바이폴라 트랜지스터는 상기 트랜지스터에 병렬로 결합되는
    디바이스.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 트랜지스터의 컬렉터 단자는 상기 다른 바이폴라 트랜지스터의 이미터 단자에 결합되고, 상기 트랜지스터의 이미터 단자는 상기 다른 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 단자에 결합되는
    디바이스.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 트랜지스터와 상기 다른 바이폴라 트랜지스터 중 하나는 NPN 트랜지스터이고, 상기 트랜지스터와 상기 다른 바이폴라 트랜지스터 중 다른 하나는 PNP 트랜지스터이고, 상기 트랜지스터의 이미터 단자는 상기 다른 바이폴라 트랜지스터의 이미터 단자에 결합되고, 상기 트랜지스터의 컬렉터 단자는 상기 다른 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 단자에 결합되는
    디바이스.
  17. 무선 주파수(RF) 스위치 디바이스로서,
    제 1 단자와,
    제 2 단자와,
    제 1 바이폴라 트랜지스터 - 상기 제 1 바이폴라 트랜지스터의 이미터 단자는 상기 제 1 단자에 결합되고, 상기 제 1 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 단자는 상기 제 2 단자에 결합됨 - 와,
    상기 제 1 바이폴라 트랜지스터에 병렬로 결합된 제 2 바이폴라 트랜지스터 - 상기 제 2 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 단자는 상기 제 1 바이폴라 트랜지스터의 이미터 단자에 결합되고, 상기 제 2 바이폴라 트랜지스터의 이미터 단자는 상기 제 1 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 단자에 결합됨 - 와,
    상기 제 1 바이폴라 트랜지스터의 이미터 단자와 상기 제 1 단자 사이에 결합된 제 1 커패시터와,
    상기 제 1 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 단자와 상기 제 2 단자 사이에 결합된 제 2 커패시터와,
    상기 제 1 바이폴라 트랜지스터의 이미터 단자와 접지 사이에 직접 결합된 제 1 임피던스와,
    상기 제 1 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 단자와 접지 사이에 직접 결합된 제 2 임피던스와,
    상기 제 1 바이폴라 트랜지스터의 베이스 단자와 포지티브 공급 전압 사이에 결합된 스위치를 포함하는
    RF 스위치 디바이스.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 베이스 단자와 상기 포지티브 공급 전압 사이에 결합된 저항을 더 포함하는
    RF 스위치 디바이스.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 바이폴라 트랜지스터에 직렬로 또는 병렬로 결합된 다른 바이폴라 트랜지스터를 더 포함하는
    RF 스위치 디바이스.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 베이스 단자와 상기 이미터 단자 사이에 결합된 커패시터를 더 포함하는
    RF 스위치 디바이스.
KR1020160017626A 2015-02-17 2016-02-16 Rf 스위치 KR101774686B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/624,389 2015-02-17
US14/624,389 US20160241231A1 (en) 2015-02-17 2015-02-17 RF Switch

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160101677A KR20160101677A (ko) 2016-08-25
KR101774686B1 true KR101774686B1 (ko) 2017-09-19

Family

ID=56552008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160017626A KR101774686B1 (ko) 2015-02-17 2016-02-16 Rf 스위치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160241231A1 (ko)
KR (1) KR101774686B1 (ko)
CN (1) CN105897231A (ko)
DE (1) DE102016102686A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160277017A1 (en) * 2011-09-13 2016-09-22 Fsp Technology Inc. Snubber circuit
US10084441B2 (en) * 2016-12-15 2018-09-25 Infineon Technologies Dresden Gmbh Electronic switching and reverse polarity protection circuit
DE102017222639A1 (de) 2017-01-31 2018-08-02 Continental Teves Ag & Co. Ohg Festsattelkraftfahrzeugteilbelagscheibenbremse mit einer Stahlblechbügellüftspielfeder

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4845446A (en) 1985-04-12 1989-07-04 Ii Morrow, Inc. Dynamically variable attenuator
JP2004146916A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Fdk Corp 高周波スイッチ回路および高周波スイッチモジュール
JP3791393B2 (ja) 2001-10-23 2006-06-28 富士電機デバイステクノロジー株式会社 インバータ回路
US7646251B2 (en) 2007-02-07 2010-01-12 Sunplus Technology Co., Ltd. Radio frequency application circuit

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2816238A (en) * 1955-08-18 1957-12-10 Gen Dynamics Corp Electronic switches
US3015737A (en) * 1958-03-31 1962-01-02 Gen Dynamics Corp Transistorized phase discriminator
DE1229156B (de) * 1965-04-22 1966-11-24 Siemens Ag Abtasteinrichtung fuer Zeitmultiplexsysteme
US3476956A (en) * 1966-02-11 1969-11-04 Bell Telephone Labor Inc Bilateral transistor gate circuit
US3588538A (en) * 1968-01-26 1971-06-28 Us Army Electronic switch
AU416965B2 (en) * 1968-06-17 1971-09-10 Philips Industries Limited An improved switching device
US3604950A (en) * 1969-05-07 1971-09-14 Gen Electric Switching circuit
JPS4881450A (ko) * 1972-02-01 1973-10-31
US3872325A (en) * 1973-10-17 1975-03-18 Rca Corp R-F switching circuit
NL188612C (nl) * 1977-09-24 1992-08-03 Clarion Co Ltd Poortketen.
US4151473A (en) * 1977-11-18 1979-04-24 Harris Corporation Phase detector circuit
IL68659A0 (en) * 1983-05-11 1983-09-30 Tadiran Israel Elect Ind Ltd Rf power switches
US4894720A (en) * 1987-07-31 1990-01-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit for selectively outputting high frequency signals
WO1992016998A1 (en) * 1991-03-18 1992-10-01 Quality Semiconductor, Inc. Fast transmission gate switch
US6208195B1 (en) * 1991-03-18 2001-03-27 Integrated Device Technology, Inc. Fast transmission gate switch
JPH09251651A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Toshiba Corp 位相差電圧生成回路
US5832305A (en) * 1996-12-02 1998-11-03 Ncr Corporation Multiple stage analog bi-directional selector utilizing coupled pairs of bi-polar junction transistors connected to pull-up resistors
US20030112053A1 (en) * 2001-11-08 2003-06-19 Rolf Reber Semiconductor circuit technology
WO2004086623A1 (en) * 2003-03-28 2004-10-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronically controllable rf switch
US7479827B2 (en) * 2006-03-21 2009-01-20 Fairchild Semiconductor Corporation Multi-mode power amplifier with high efficiency under backoff operation
JP5086992B2 (ja) * 2006-04-27 2012-11-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 増幅回路
CN101102091A (zh) * 2006-07-04 2008-01-09 联发科技股份有限公司 振荡器、负电阻电路及其振荡方法
US8405467B2 (en) * 2007-11-27 2013-03-26 Qualcomm Incorporated Methods and apparatuses for inductor tuning in radio frequency integrated circuits
US8193775B2 (en) * 2010-03-31 2012-06-05 Kookmin University Industry Academy Cooperation Foundation Hysteresis switch and electricity charging module using the same
US8416008B2 (en) * 2011-01-20 2013-04-09 Advanced Energy Industries, Inc. Impedance-matching network using BJT switches in variable-reactance circuits
US20130293283A1 (en) * 2012-05-04 2013-11-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Radio frequency switch comprising heterojunction biopolar transistors
JP6325379B2 (ja) * 2014-07-16 2018-05-16 エイブリック株式会社 スイッチ回路および半導体集積回路装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4845446A (en) 1985-04-12 1989-07-04 Ii Morrow, Inc. Dynamically variable attenuator
JP3791393B2 (ja) 2001-10-23 2006-06-28 富士電機デバイステクノロジー株式会社 インバータ回路
JP2004146916A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Fdk Corp 高周波スイッチ回路および高周波スイッチモジュール
US7646251B2 (en) 2007-02-07 2010-01-12 Sunplus Technology Co., Ltd. Radio frequency application circuit

Also Published As

Publication number Publication date
CN105897231A (zh) 2016-08-24
DE102016102686A1 (de) 2016-08-18
US20160241231A1 (en) 2016-08-18
KR20160101677A (ko) 2016-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105515539B (zh) 改善射频功率放大器线性度的方法、补偿电路及通信终端
US7071784B2 (en) High linearity digital variable gain amplifier
JP2009526504A (ja) 過電圧保護を持つ差動増幅器および方法
KR101774686B1 (ko) Rf 스위치
US10910999B2 (en) Bias circuit
US8502567B2 (en) Apparatus and method for protecting a semiconductor junction
US4220877A (en) Temperature compensated switching circuit
US6664842B1 (en) FET active load and current source
US3124758A (en) Transistor switching circuit responsive in push-pull
JP2006279316A (ja) スイッチ回路装置
JP2012019500A (ja) バイアス回路および無線通信機
KR101618971B1 (ko) 인버터 형태의 전력 증폭기
JP2013098800A (ja) スイッチ
US4220873A (en) Temperature compensated switching circuit
US7965152B2 (en) Attenuator with a control circuit
JP5448044B2 (ja) 高周波増幅回路および通信機器
JPH05218799A (ja) インピーダンス乗算器
US8248166B2 (en) Triplet transconductor
JP3233107B2 (ja) バイアス発生回路およびミキサ
US12028065B2 (en) Push-pull buffer circuit
JP4037752B2 (ja) 追尾回路
US8766725B2 (en) Apparatus and methods for frequency compensation of an amplifier
US7466206B2 (en) Amplifier circuit
US20080068088A1 (en) Amplifier circuit
US20120319301A1 (en) Monolithic Darlington with Intermediate Base Contact

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant