KR101771185B1 - 매개층을 포함하는 물품 및 형성 방법 - Google Patents

매개층을 포함하는 물품 및 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 자기 구조물(magnetic structure); 매개층(intermediate layer); 및 오버코트 층을 포함하는 물품에 관한 것이며, 여기서 매개층은 자기 구조물 상에 포지셔닝되고, 매개층은 약 3Å 내지 약 50Å의 두께를 갖고, 매개층은 저부 인터페이스 층, 중간층(interlayer) 및 상부 인터페이스 층을 포함하며, 저부 인터페이스 층은 자기 구조물에 인접하게 포지셔닝되고, 저부 인터페이스 층은 자기 구조물의 원자들, 화합물들, 또는 이 둘 다에 결합된 금속의 원자들을 포함하고, 중간층은 저부 인터페이스 층 상에 포지셔닝되고, 중간층은 금속의 산화물들을 포함하며, 상부 인터페이스 층은 중간층에 인접하게 포지셔닝되고, 상부 인터페이스 층은 인접한 오버코트 층의 원자들 또는 화합물들에 결합된 금속의 원자들, 금속의 산화물들, 또는 이들의 일부 조합을 포함하며, 오버코트 층은 매개층의 상부 인터페이스 층 상에 포지셔닝된다.

Description

매개층을 포함하는 물품 및 형성 방법{ARTICLES INCLUDING INTERMEDIATE LAYER AND METHODS OF FORMING}
다양한 물품들은 종종 상이한 컴포넌트 층들을 포함할 수 있다. 서로 근접한 컴포넌트 층들은, 층들이 잘 부착되지 않은 경우, 물품의 구조적 완전성(structural integrity)에 기초하여, 일 층의 재료들이 다른 층으로 확산하는 것에 기초하여, 하나의 또는 다른 인접 층들을 형성하는데 이용된 제조 방법들에 기초하여, 또는 이들의 임의의 조합에 의해 우려를 불러일으킬 수 있다. 이러한 것들뿐만 아니라 다른 것들로 인해, 멀티층 또는 멀티-컴포넌트 물품들에 존재할 수 있는 우려들을 해결하기 위해 개재(intervening) 층들을 엔지니어링하는 필요성이 문제로 남아있다.
자기 구조물(magnetic structure); 매개층(intermediate layer); 및 오버코트 층을 포함하는 물품들이 본원에 개시되는데, 여기서 매개층은 자기 구조물 상에 포지셔닝되고, 매개층은 약 3Å 내지 약 50Å의 두께를 갖고, 매개층은 저부 인터페이스 층, 중간층(interlayer) 및 상부 인터페이스 층을 포함하며, 저부 인터페이스 층은 자기 구조물에 인접하게 포지셔닝되고, 저부 인터페이스 층은 자기 구조물의 원자들, 화합물들, 또는 이 둘 다에 결합된(bonded) 금속의 원자들을 포함하고, 중간층은 저부 인터페이스 층 상에 포지셔닝되고, 중간층은 금속의 산화물들을 포함하며, 상부 인터페이스 층은 중간층에 인접하게 포지셔닝되고, 상부 인터페이스 층은 인접한 오버코트 층의 원자들 또는 화합물들에 결합된 금속의 원자들, 금속의 산화물들, 또는 이들의 일부 조합을 포함하며, 오버코트 층은 매개층의 상부 인터페이스 층 상에 포지셔닝된다.
또한, 물품들을 형성하는 방법들이 개시되는데, 이 방법들은, 자기 구조물을 획득하는 단계; 자기 구조물의 적어도 일부 상에 금속층을 형성하는 단계 ― 금속층은 대략 모노층 내지 약 50Å의 두께를 가짐 ―; 금속층의 적어도 일부를 산화하는 단계; 및 오버코트 층을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 물품을 형성하는 방법들이 본원에 개시되는데, 이 방법들은, 자기 구조물을 획득하는 단계; 상기 자기 구조물 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 금속 산화물 층을 형성하기 위해, 금속 원자들을 형성하고, 상기 금속 원자들을 산화시키고 그리고 상기 금속층 상에 상기 산화된 금속 원자들을 증착함으로써, 상기 금속층 상에 금속 산화물 층을 형성하는 단계를 포함한다.
이러한 그리고 다양한 다른 특징들 및 이점들은, 후술하는 상세한 설명의 판독으로부터 명백하게 될 것이다.
도 1은, 본원에 개시된 물품의 단면도이다.
도 2는, 전체적으로 변형된(전체), 부분적으로 변형된(부분), 코너가 변형된(코너들) 또는 어떠한 변형도 없는(없음) 것으로서 설명된 페그(peg)들의 CDSEM(critical dimension scanning electron microscope) 이미지이다.
도 3a, 도 3b, 도 3c, 및 도 3d는, 어닐링 이후(300C/30분/에어 이후) 및 이전의 4개의 대표적인 비교예들의 CDSEM 이미지들을 나타낸다.
도 4a, 도 4b, 도 4c, 및 도 4d는, 어닐링 이후(300C/30분/에어 이후) 및 이전의 예시 1의 4개의 대표적인 복제들의 CDSEM 이미지들을 나타낸다.
도 5a, 도 5b, 도 5c, 및 도 5d는, 어닐링 이후(300C/30분/에어 이후) 및 이전의 예시 3의 4개의 대표적인 복제들의 CDSEM 이미지들을 나타낸다.
도면들은 반드시 실척에 맞는 것은 아니다. 도면들에서 이용된 동일한 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 그러나, 주어진 도면의 컴포넌트를 나타내기 위한 번호의 이용은, 동일한 번호로 라벨링된 다른 도면의 컴포넌트를 제한하는 것으로 의도되지 않는다는 것이 이해될 것이다.
다음의 설명에서, 본 명세서의 일부를 형성하고, 예시에 의해 몇몇 특정 실시예들이 도시되는 첨부된 도면들의 세트에 대한 참조가 이루어진다. 다른 실시예들이 고찰되며 본 개시물의 범위 또는 사상을 벗어나지 않고 구성될 수도 있음이 이해될 것이다. 이에 따라, 이하의 상세화된 설명은 제한적인 방식으로 취해지지 않는다.
달리 나타내지 않는 한, 상세한 설명 및 청구항들에 이용된 피쳐 크기들, 양들, 및 물리적 특성들을 나타내는 모든 수치들은, 용어 "약(about)"에 의해 모든 경우들에서 수정될 수 있는 것으로서 이해되어야 한다. 이에 따라, 반대의 경우로 나타내지 않는 한, 전술한 상세한 설명 및 첨부된 청구항들에 설명된 수치 파라미터들은, 본원에 개시된 교시들을 활용하는 당업자들에 의해 획득되는 것으로 발견되는 특성들에 따라 변할 수 있는 근사치들이다.
엔드포인트들에 의한 수치 범위들의 열거는, 그 범위(예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.80, 4, 및 5를 포함함) 안에 포함된 모든 수치들, 및 그 범위 내의 임의의 범위를 포함한다. 특정한 특성에 대해 본원에 언급된 모든 수치들은 또한, 그 특정한 특성에 대해 나열된 모든 다른 수치들과 함께 활용되어 범위들을 형성할 수 있다.
본 상세한 설명 및 첨부된 청구항들에 이용되는 바와 같이, 단수 형태들("a", "an", 및 "the")은, 문맥이 명료하게 그렇지 않은 것으로 나타내지 않는 한, 복수의 참조들을 갖는 실시예들을 포함한다. 본 상세한 설명 및 첨부된 청구항들에 이용되는 바와 같이, 용어 "또는(or)"은 일반적으로, 문맥이 명료하게 그렇지 않은 것으로 나타내지 않는 한, "및/또는(and/or)"을 포함하는 방식으로 일반적으로 사용된다.
"포함하다(include)", "포함하는(including)" 또는 유사한 용어들은, 포괄적이지만 제한하지 않는, 즉, 배타적이지 않고 포함하는 것을 의미한다. "상부(top)" 및 "저부(bottom)"(또는 "상위(upper)" 및 "하위(lower)"와 같은 다른 용어들)는 상대적인 설명들을 위해 엄격하게 활용되며 설명된 엘리먼트가 위치되는 물품의 어떠한 전반적인 배향도 함축하는 것은 아니라는 것이 주목되어야 한다.
매개층들을 포함하는 물품들이 본원에 개시된다. 개시된 매개층들은, 2개의 층들, 디바이스들, 또는 이들의 조합들의 상호작용을 엔지니어링하거나, 제어하거나, 또는 변형시키기 위해 임의의 층들, 디바이스들, 또는 이들의 조합들 사이에 포지셔닝될 수 있다. 개시된 매개층들은 또한 인접하는 층들, 디바이스들, 또는 이들의 조합들의 프로세싱 또는 제조를 엔지니어링하거나, 제어하거나, 또는 변형시키는데 활용될 수 있다.
개시된 매개층들은 다양한 이점들을 제공할 수 있다. 예시적인 이점들은, 예를 들어, 하나의 층의 다른 층으로의 접착(adherence)을 강화하는 것, 하나의 층(또는 디바이스)으로부터 다른 층으로 컴포넌트들의 확산을 줄이거나 제거하는 것, 이후의 프로세싱 기법들과 호환가능한 표면을 제공하는 것, 인접하는 층들(또는 디바이스들)의 기계적 특성들을 강화하는 표면을 제공하는 것, 본원에 논의되지 않은 다른 이점들, 및 이들의 조합을 포함할 수 있다.
개시된 매개층들은 다양한 애플리케이션에서 활용될 수 있다. 개시된 매개층들이 유용할 수 있는 애플리케이션의 일 예시는, 자기 구조물들을 포함하는 물품들 및 디바이스들을 포함할 수 있다. 자기 구조물들을 포함하는 디바이스들은 종종 오버코트들을 포함할 수 있다. 오버코트들은, 예를 들어, 손상(wear) 및 마모(tear), 환경적 영향들, 또는 이들의 조합들로부터 자기 구조물을 보호하기 위해 자기 구조물들과 함께 활용될 수 있다. 오버코트들은 그 명칭이 함축하는 바와 같이, 종종 자기 구조물 위에 코팅된다. 오버코트들을 형성하는 방법들, 오버코트들 자체들, 또는 이 둘 다는 기저 기판 표면의 속성에 민감할 수 있다. 자기 구조물들, 예를 들어, 자기 트랜스듀서들의 "상부" 표면은, 그 전체가 도전성일 수 있거나 절연성일 수 있는 수많은 상이한 재료들을 포함할 수 있다. 개시된 매개층들은, 접착을 촉진하는 특성, 표면 위에 일관성 있는 오버코트 특성들을 촉진하는 특성, 자기 구조물들 위에 비-전기적인 션팅 층(shunting layer)(필요한 경우)을 제공하는 특성, 또는 이들의 일부 조합과 같은 다양한 유리한 특성들을 제공할 수 있는 유비쿼터스 층(ubiquitous layer)을 제공할 수 있다. 개시된 매개층들은 구체적으로, 표면 서브-플랜테이션(surface sub-plantation) 프로세스 기술들이 추가적인 층들, 예를 들어, 오버코트 층의 증착에 활용될 경우에 유용할 수 있다. 이에 따라, 개시된 매개층들은 확산 배리어들, 접착 층들, 전기적으로 절연성 층들, 그 상부에 형성된 층들에 대한 셋-업 층들, 또는 이들의 조합들로서 기능할 수 있다.
도 1은 예시적인 개시된 물품의 단면을 도시한다. 물품(100)은 자기 구조물(105), 매개층(110), 및 오버코트 층(115)을 포함할 수 있다. 매개층은 일반적으로 자기 구조물에 인접하게, 자기 구조물 상에, 자기 구조물의 상부에, 또는 자기 구조물 위에 포지셔닝된다. 매개층이 자기 구조물의 일부 또는 전체 자기 구조물에 인접하게, 자기 구조물의 일부 또는 전체 자기 구조물 상에, 자기 구조물의 일부 또는 전체 자기 구조물의 상부에, 또는 자기 구조물의 일부 또는 전체 자기 구조물 위에 포지셔닝될 수 있다는 점에 주목해야 한다. 오버코트 층은 일반적으로 매개층의 적어도 일부에 인접하게, 매개층의 적어도 일부 상에, 매개층의 적어도 일부의 상부에, 또는 매개층의 적어도 일부 위에 포지셔닝된다.
자기 구조물(105)은 자기 컴포넌트 또는 층을 갖는 임의의 물품 또는 디바이스를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 자기 구조물은, 예를 들어, 자기 매체 또는 자기 트랜스듀서를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 자기 구조물은 자기 트랜스듀서를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 자기 구조물은 자기 판독기 및 자기 기록기 이 둘 다를 포함할 수 있다. 이러한 실시예들에서, 자기 판독기, 자기 기록기 또는 이 둘 다에 인접하게, 자기 판독기, 자기 기록기 또는 이 둘 다 상에, 자기 판독기, 자기 기록기 또는 이 둘 다의 상부에, 또는 자기 판독기, 자기 기록기 또는 이 둘 다의 위에 중간층(interlay)이 포지셔닝될 수 있다. 자기 구조물들은 또한 그 속성 또는 그 기능면에서 자기성이 아닌 컴포넌트들, 디바이스들, 또는 층들을 포함할 수 있다. 추가적인 컴포넌트들의 예시적인 유형들이, 예를 들어, 광 도파관들, 레이저들, NFT(near field transducer)들, 또는 이들의 조합들과 같은 광 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 예시적인 자기 구조물들은, 예를 들어, 가열 자기 기록(HAMR; heat assisted magnetic recording) 헤드들, 수직 기록 헤드들, 및 종방향 기록 헤드들을 포함할 수 있다.
자기 구조물들은 하나 또는 하나 초과의 유형의 재료를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 자기 구조물들은 하나 또는 하나 초과의 유형의 원자, 화합물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 자기 구조물이 자기 판독기 또는 자기 기록기 이 둘 다를 포함하는 일부 실시예들에서, 자기 구조물은 FeCo, NiFe, Cr, AlOx, TaOx, SiOx, Au, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
예시적인 개시된 물품들은 또한 도 1에서 볼 수 있는 것과 같은 매개층(110)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 개시된 매개층은 비교적 얇을 수 있다. 일부 실시예들에서, 개시된 매개층은 3Å 내지 50Å의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 개시된 매개층은 3Å 내지 20Å의 두께를 가질 수 있다. 매개층은 전체적으로 다양한 특성들을 가질 수 있다. 개시된 매개층들은, 본원에 논의된 특성들 및/또는 본원에 논의되지 않은 특성들 중 하나 또는 하나 초과를 가질 수 있고, 이들 중 어느 것도 가지지 않을 수 있다.
매개층은 확산 배리어(diffusion barrier)로서 기능할 수 있다. 확산 배리어로서 기능하는 매개층은 하나의 층으로부터 다른 층으로 원자들 또는 화합물들의 확산을 감소시키거나 또는 제거할 수 있다. 예를 들어, 확산 배리어로서 기능하는 매개층은, 자기 구조물로부터 오버코트 층으로 확산하는 원자들 또는 화합물들, 오버코트 층으로부터 자기 구조물로 확산하는 원자들 및 화합물들, 또는 이들의 조합을 감소시키거나 제거할 수 있다. 매개층 또는 이의 일부는 또한, 매개층 그 자체의 원자들 또는 화합물들이 인접한 구조물들, 예컨대, 자기 구조물, 오버코트 층 또는 이 둘 다로 확산하는 것을 감소시키거나 또는 제거하도록 기능할 수 있다.
매개층은 또한, 하나의 층 또는 구조물의 다른 층 또는 구조물로의 접착을 증가시키거나 또는 강화하도록 기능할 수 있다. 예를 들어, 매개층은 자기 구조물로의 오버코트의 접착을 그리고 이에 따라 기계적 강도 또는 완전성을 강화시킬 수 있다. 개시된 매개층들은, 심지어, 층, 구조물 또는 이 둘 다가 한 개 초과의 재료를 포함하는 상황들에서조차도 하나의 층 또는 구조물의 다른 층 또는 구조물의 접착을 증가시키거나 또는 강화하도록 기능할 수 있다. 예를 들어, 개시된 매개층들은 산화물 재료들, 금속성 재료들 또는 이 둘 다로의 접착을 증가시키거나 또는 강화하도록 기능할 수 있다. 일부 실시예들에서, 매개층의 상이한 컴포넌트들은 매개층 위의 그리고 아래의 층들 또는 구조물로의 접착을 증가시키거나 또는 강화하도록 기능할 수 있다.
매개층은 또한 다양한 유형들의 프로세스들과 호환가능하거나 또는 이들을 잘 받아들이는 표면을 제공하도록 기능할 수 있다. 예를 들어, 매개층은 상이한 종류들의 증착 기법들을 잘 받아들이는 표면을 제공할 수 있다. 개시된 매개층들이 유리한 표면들을 제공할 수 있는 특정한 예들의 증착 기법들은 표면 서브-플랜테이션 기법들이다. 예시적인 표면의 서브-플랜테이션 기법들은, 예를 들어, 미국 특허 출원 제13/440068호; 제13/440071호; 및 제13/440073호에서 발견될 수 있다.
매개층은 또한, 그 상부에 형성된 층들에 강화된 또는 유리한 특성들을 제공하도록 기능할 수 있다. 예를 들어, 층을 형성하기 위해 표면 서브-플랜테이션 기법들이 이용되고 있는 표면으로서 개시된 매개층들이 활용될 때, 그렇게 형성된 층은 유리한 특성들을 가질 수 있다. 유리한 특성들의 예시들은, 예를 들어, (종종, "크링킹(crinking)", "버클링(buckling)", 또는 "링클링(wrinkling)"로서 설명된) 기계적 디라미네이션(delamination)의 예방과 같은 기계적 특성들을 포함할 수 있다.
매개층은 또한 원하는 전기적 특성들을 제공하도록 기능할 수 있다. 일부 실시예들에서, 매개층은 전기적으로 비-도전성일 수 있다. 일부 애플리케이션들의 경우, 전기적으로 비-도전성인 매개층을 갖는 것이 유리할 수 있다. 이러한 애플리케이션들은 자기 판독기들을 포함하는 자기 구조물들을 포함할 수 있다. 매개층이 적어도 자기 구조물의 자기 판독기를 커버하는 실시예들에서, 매개층은 전기적으로 도전성이 아닌 것이 유리할 수 있다. 매개층이 이러한 상황에서 전기적으로 도전성인 경우, 매개층은 자기 판독기의 션트(shunt) 또는 쇼트(short)로서의 역할을 할 수 있다. 자기 구조물로서 수직 자기 기록 헤드를 포함하는 일부 실시예들에서, 매개층은 전기적으로 비-도전성일 수 있다. 매개층이 전기적으로 비-도전성인 것이 유리한 실시예들에서, 전기적으로 비-도전성이라는 것은, 매개층이, 자기 구조물의 자기 컴포넌트(들)가 인에이블된 동작적 특성들을 갖기에 충분한 저항성이라는 것을 함축한다.
매개층(110)은, 저부 인터페이스 층(120), 중간층(125), 및 상부 인터페이스 층(130)을 포함할 수 있다. 도 1의 상이한 두께들의 표현은 단지 예시이며, 다양한 층들의 두께들의 표시로서 취해지지 않아야 한다는 점에 주목해야 한다. 저부 인터페이스 층은 일반적으로, 자기 구조물에 인접하게, 자기 구조물에 바로 인접하게, 또는 자기 구조물과 접촉하게 포지셔닝된다. 중간층은, 저부 인터페이스 층에 인접하게, 저부 인터페이스 층에 바로 인접하게, 저부 인터페이스 층과 접촉하게 또는 저부 인터페이스 층 상에 포지셔닝되고, 일반적으로는 저부 인터페이스 층과 상부 인터페이스 층 사이에 포지셔닝된다. 상부 인터페이스 층은 일반적으로 오버코트 층에 인접하게, 오버코트 층에 바로 인접하게, 오버코트 층과 접촉하게, 또는 오버코트 층 바로 아래에 포지셔닝된다. 매개층은 또한, 중간층이 저부 인터페이스 층과 상부 인터페이스 층 사이에 있는 샌드위치 구조(sandwich structure)로서 설명될 수 있다.
전체적으로, 매개층은 금속 또는 금속들의 원자들 및 금속 또는 금속들의 산화물들을 포함한다. 금속 또는 금속들의 원자들 및 금속 또는 금속들의 산화물들이 위치되는 매개층 내의 특정 위치들은, 매개층의 다양한 유리한 특성들을 제공할 수 있고, 본원에 논의될 것이다.
저부 인터페이스 층은 단일 또는 다수의 금속들의 원자들을 포함한다. 달리 말하자면, 저부 인터페이스 층은 금속 원자들을 포함한다. 저부 인터페이스 층의 금속 원자들은, 자기 구조물의 상부 부분 또는 상부 층에 결합된 것으로서 설명될 수 있다. 달리 말하자면, 저부 인터페이스 층의 금속 원자들은 자기 구조물의 원자들, 화합물들 또는 이 둘 다에 결합된 것으로서 설명될 수 있다. 자기 구조물이 금속 원자들(그리고 선택적으로 추가 금속들, 화합물들 또는 이 둘 다)을 포함하는 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층의 금속 원자들은 자기 구조물 내의 금속 원자들에 결합될 수 있다. 자기 구조물이 산화물들과 같은 화합물들(그리고 선택적으로는 추가적인 화합물들, 금속들 또는 이 둘 다)을 포함하는 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층의 금속 원자들은 자기 구조물 내의 산화물들에 결합될 수 있다.
저부 인터페이스 층이 다른 층 또는 구조물로의 하나의 층 또는 구조물의 접착을 증가시키거나 또는 강화시키기 위한 매개층의 능력의 성능에 강하게 기여하는 것으로 여겨지지만 이에 의존하지는 않는다. 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층은 자신을 전기적으로 비-도전성으로 만드는(render) 두께를 갖는다. 매개층이 전체적으로 전기적으로 비-도전성인 것이 바람직한 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층은 자신을 전기적으로 비-도전성으로 만드는 두께일 수 있다. 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층은 원자들의 일부 모노층 또는 전체 모노층처럼 얇은 두께를 갖는다. 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층은 원자들의 모노층 또는 부분적인 모노층처럼 얇은 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층은 2Å와 같은 얇은 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층은 3Å와 같은 얇은 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층은 5Å와 같은 얇은 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층은 30Å와 같은 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층은 20Å와 같은 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 저부 인터페이스 층은 15Å와 같은 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
개시된 매개층들은 또한 금속의 산화물들을 포함하는 중간층을 포함한다. 일부 실시예들에서, 금속의 산화물들 또는 금속 산화물들은 중간층에 걸쳐 원자들의 확산을 감소시키거나 또는 제거하도록 기능할 수 있다. 이에 따라, 중간층은 확산 배리어로서의 역할을 하는 매개층의 능력에 기여할 수 있다. 중간층의 금속 산화물들은, 자기 구조물, 오버코트, 또는 이 둘 다로부터의 원자들 또는 화합물들이 중간층을 통해서 확산하는 것, 매개층에서의 금속 원자들의 확산을 감소시키거나 또는 제거하도록 기능할 수 있다. 중간층 또는 중간층을 형성하는 금속 산화물들은 또한, 다른 화합물들에 비해 상대적으로 낮은 투자율(permeability)을 가질 수 있는데, 예를 들어, 이는 산소 또는 다른 기체 화합물들로의 낮은 투자율을 가질 수 있다.
개시된 매개층들은 또한 상부 인터페이스 층을 포함한다. 예시적인 상부 인터페이스 층들은, 금속(또는 선택적으로 금속들)의 원자들, 금속(또는 선택적으로 금속들)의 산화물들, 또는 이들의 일부 조합을 포함할 수 있다. 예시적인 상부 인터페이스 층들은 일반적으로 인접한 오버코트 층의 원자들 또는 화합물들에 결합된 금속 원자들 또는 금속 원자들의 산화물들을 포함한다. 이에 따라, 상부 인터페이스 층은, (이 경우에, 오버코트 층의 접착을 돕는) 다른 층 또는 구조물로의 하나의 층 또는 구조물의 접착을 강화하거나 또는 증가시키기 위한 역할을 하는 매개층의 능력에 기여할 수 있다. 추가적으로, 상부 인터페이스 층은, 확산 배리어로서 역할을 하는 매개층의 능력에 기여할 수 있지만, 이는 필요하지는 않을 수도 있다.
앞서 논의된 바와 같이, 매개층은 금속(또는 금속들)의 원자들 및 금속 또는 금속들의 산화물들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 매개층은 오직 하나의 종류의 금속 원자들, 이에 따라 오직 하나의 종류의 금속 산화물들을 포함한다(상이한 산화 상태들을 가지고 이에 따라 금속 산화물 내에서 상이한 수의 산소 원자들을 가지는 능력을 무시한다). 일부 실시예들에서, 매개층은 하나 초과의 종류의 금속 원자들, 이에 따라 하나 초과의 종류의 금속 산화물들(뿐만 아니라, 금속 산화물 내에서 상이한 산화 상태들, 이에 따라 산소 원자들의 상이한 수를 가지는 능력)을 포함한다.
개시된 매개층들에 활용되는 특정 금속은, 매개층의 원하는 특성들에 적어도 부분적으로 기초하여 선택될 수 있다. 일부 실시예들에서, 특정 금속은 산소에 대한 자신의 친화도(affinity)에 기초하여 선택된다. 일부 실시예들에서, 매개층 내에서 사용하기 위해 선택된 금속은 산소에 비해 비교적 낮은 친화도를 가져야만 한다. 이러한 금속은, 산화, 산화물 성장의 정도에 대하여 자기-제한을 가질 수 있지만, 이를 가져야만 할 필요는 없다. 자기-제한 효과를 야기하는 적절한 레벨의 산소 친화도는, 매개층의 멀티층 구조물의 형성을 허용할 수 있거나, 또는 더욱 구체적으로는 저부 인터페이스 층의 산화되지 않은 금속을 유지하며, 이는 접착을 강화하는 동시에 확산을 예방하기 위한 매개층의 능력에 기여한다.
일부 실시예들에서, 산소의 투자율을 중단시키거나 제한하기 위한 금속의 산화물(또는 산화물들)의 능력에 적어도 부분적으로 기초하여 특정 금속이 선택된다. 이러한 특성은, 매개층의 멀티층 구조의 형성을 허용하는데 유용할 수 있고, 또는 더욱 구체적으로는 저부 인터페이스의 산화되지 않은 금속을 유지하며, 이는 접착력을 강화하는 동시에 확산을 예방하기 위한 매개층의 능력에 기여한다.
일부 실시예들에서, 기저 자기 구조물에 존재하는 원자들 또는 화합물과, 저부 인터페이스 층을 통해 접착하는, 또는 공유결합으로(covalently) 결합하는 자신의 능력에 적어도 부분적으로 기초하여 특정 금속이 선택된다. 자기 구조물 내의 관련 재료들은, 자기 구조물의 아이덴티티 및 기능에 적어도 부분적으로 의존할 수 있다. 자기 구조물이 자기 트랜스듀서인 일부 실시예들에서, 자기 구조물은 FeCo, NiFe, Cr, AlOx, TaOx, SiOx, Au, 또는 이들의 조합들을 포함할 수 있다. 이러한 실시예들에서 그후, 이러한 재료들 중 하나 또는 그 초과에 결합시키는 능력에 기초하여 특정 금속이 선택될 수 있다.
일부 실시예들에서, 물품 상에서 발생하고 있을 수 있는 추가적인 프로세싱에 대해 기판으로서의 자신의 효율성에 적어도 부분적으로 기초하여 특정 금속이 선택된다. 예를 들어, 이 특정 금속은, 오버코트 층을 증착하기 위한 기판으로서 자신의 효율성에 적어도 부분적으로 기초하여 선택될 수 있다. 일부 실시예들에서, 오버코트 층(또는 다른 층들)이, 예를 들어, 표면 서브-플랜테이션 기법들을 이용하여 형성될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 선택된 특정 금속은 유리하게, 표면 서브-플랜테이션 기법들을 이용하여 오버코트 층을 형성할 유효 표면을 제공하는 재료일 수 있다.
일부 실시예들에서, 그 위에 형성되거나 그 상에 있는 층의 적어도 하나의 특성에 유리하게 영향을 주는 그 능력에 적어도 부분적으로 기초하여 특정 금속이 선택될 수 있다. 예를 들어, 이 특정 금속은, 그 상부에 증착된 오버코트 층에 긍정적으로 영향을 주는 자신의 능력에 적어도 부분적으로 기초하여 선택될 수 있다. 일부 실시예들에서, 오버코트 층(또는 다른 층들)은, 예를 들어, 표면 서브-플랜테이션 기법들을 이용하여 형성될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 선택된 특정 금속은 유리하게, 그 상부에 형성된 오버코트 층의 기계적 속성들에 긍정적으로 영향을 주는 능력을 갖는 재료일 수 있다. 유리한 특성들의 예시들은, 예를 들어, 위에 놓이는(overlying) 오버코트 층의 기계적 디라미네이션(종종, "크링킹(crinking)", "버클링(buckling)", 또는 "링클링(wrinkling)"로서 설명됨)의 예방과 같은 기계적 특성들을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 매개층은, (예를 들어, 아마도 다수의 층들 또는 합금 내에서) 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 매개층은 크롬을 포함할 수 있다. 이러한 실시예에서, 저부 인터페이스 층은, 크롬(Cr) 원자들을 포함할 것이고, 중간층은 크롬 산화물(CrOx)을 포함할 것이며, 상부 인터페이스 층은 Cr, CrOx, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 크롬은, 이것이 산소에 대해 비교적 낮은 친화도를 갖고, 구체적으로는 금(Au)을 포함하는 다양한 원자들 및/또는 화합물들에 잘 접착되기 때문에 매개층 내에 포함하는 유리한 금속일 수 있으며, CrOx는 산소에 대한 비교적 낮은 투자율을 가져서 이에 의해 산화 자기-제한을 형성하며, 표면 서브-플랜테이션 기법들을 활용할 양호한 기판을 제공하고, 그리고 위에 놓이는 오버코트들에서의 유리한 특성들, 예컨대, 안티-링클(anti- wrinkling) 거동을 입증한다.
본원에 개시된 물품들은 또한 오버코트 층(115)을 포함한다. 오버코트 층은, 매개층, 또는 더욱 구체적으로는 매개층의 상부 인터페이스 층에 인접하게, 매개층, 또는 더욱 구체적으로는 매개층의 상부 인터페이스 층에 바로 인접하게, 매개층, 또는 더욱 구체적으로는 매개층의 상부 인터페이스 층 상에 또는 매개층, 또는 더욱 구체적으로는 매개층의 상부 인터페이스 층의 바로 위에 포지셔닝된다. 오버코트 층은 일반적으로 물품에 대한 보호를 제공하는 재료를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 오버코트 층은 탄소를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 탄소와 같은 오버코트 층은, 예를 들어, 표면 서브-플랜테이션 기법들을 포함하는 다양한 기법들을 이용하여 매개층의 상부 인터페이스 층 상에 형성될 수 있다. 오버코트 층을 형성하는 방법들은, 펄스형 FCA(pFCA; pulsed Filtered Cathodic Arc) 방법들을 포함하는 FCA 기법들 및 표면 서브-플랜테이션을 포함한다. 예시적인 표면 서브-플랜테이션 기법들은, 예를 들어, 미국 특허 출원 제13/440068호; 제13/440071호; 및 제13/440073호에서 발견될 수 있다.
본원에 개시된 물품들은, 다양한 애플리케이션들에서 활용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 자기 매체 상의 데이터의 기록 및 판독을 위한 개시된 물품들이 활용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 자기 매체로서 개시된 물품들이 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 예를 들어, HAMR(heat assisted magnetic recording), 및 수직 기록 헤드 디바이스들을 이용하여 자기 매체 상의 데이터의 판독 및 기록을 위해 개시된 물품들이 활용될 수 있다.
물품들을 형성하는 방법들이 본원에 또한 개시된다. 예시적인 방법들은 다양한 순서들로 행해진 다양한 단계들을 포함할 수 있다. 개시된 방법들의 일부 실시예에서의 제 1 단계는 자기 구조물을 획득하는 단계를 포함할 수 있다. 획득된 자기 구조물은, 앞서 논의된 것과 같은 특성들을 가질 수 있다. 자기 구조물을 획득하는 단계는, 자기 구조물을 형성함으로써 또는 구매 또는 다른 방식을 통해 이미 형성된 자기 구조물을 획득함으로써 달성될 수 있다.
개시된 방법들의 실시예들은 또한, 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. 금속층은 일반적으로 자기 구조물의 적어도 일부 상에 형성될 수 있다. 이 금속은, 특징들을 가질 수 있고 그리고/또는 매개층의 금속에 대하여 앞서 논의된 것과 같이 선택될 수 있다. 일부 실시예들에서, 금속층은 모노층 또는 그 약간 미만 내지 50Å의 범위의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 금속층은 모노층 내지 30Å의 범위의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 금속층은 모노층 내지 20Å의 범위의 두께를 가질 수 있다.
개시된 방법의 실시예들은 또한, 금속층의 적어도 일부를 산화하는 단계 및 오버코트 층을 증착시키는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 금속층의 일부를 산화하는 단계는 오버코트 층이 증착되기 전에 행해지고, 그리고 일부 실시예들에서는 금속층의 일부를 산화하는 단계는 오버코트 층이 증착된 후에 행해진다. 오버코트 층이 증착되기 전에 금속층의 일부가 산화되는 방법들은, 본원에서 엑스-시츄(ex-situ)로 지칭된다. 금속층의 일부가 산화되기 전에 오버코트 층이 증착되는 방법들은, 본원에서 인-시츄(in-situ)로 지칭된다.
인-시츄 방법들은, 자기 구조물 상에 금속층을 형성하고, 오버코트 층을 증착한 후, 금속층의 적어도 일부가 산화된다. 금속층의 일부는 오버코트 층이 증착되기 전이나 또는 오버코트 층이 증착되고 있는 동안 산화되고 있을 수 있지만, 이러한 산화는 사실상 수동적이라는 점에 주목해야 한다. 인-시츄 방법들은, 금속층의 일부를 산화하기 위해, 증착된 오버코트를 통한 또는 기저층, 예를 들어, 기저 산화물 층을 통한 산소 확산을 활용하거나 또는 이에 의존한다. 그러나, 산소가 기저층으로부터 확산한다고 하더라도, 자기 구조물로부터의 기저 원자들, 화합물들, 또는 이 둘 다에 결합된 금속 원자들은 결합된 채로 남겨지고, 이에 의해 저부 인터페이스 층이 형성되고 유지된다는 점에 주목해야 한다.
오버코트 층의 형성 또는 증착은 다양한 증착 기법들을 이용하여 달성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 오버코트 층은 표면 서브-플랜테이션 기법들을 이용하여 증착될 수 있다. 예시적인 표면 서브-플랜테이션 기법들은, 예를 들어, 미국 특허 출원 제13/440068호; 제13/440071호; 및 제13/440073호에서 발견될 수 있고, 이들의 개시물들은 인용에 의해 본원에 통합된다.
엑스-시츄 방법들은, 자기 구조물 상에 금속층을 형성하고, 금속 층의 적어도 일부를 산화한 후, 오버코트 층을 증착 또는 형성한다. 금속층의 적어도 일부의 산화는, 다양한 기법들을 이용하여 달성될 수 있다. 금속층의 일부가 산화될 수 있는 예시적인 방식들은, 산소 포함 고온 조건들에서 어닐링함으로써; 열중성자화된(thermalized) 산소 원자 빔 또는 산소 이온 빔(또는 산소 이온들을 포함하는 이온 빔)으로 노출함으로써; 또는 이들의 조합들에 의해, 산소 포함 주위 실온 조건들 내에서의 수동적 산화(passive oxidation)를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 비교적 얇은, 즉 적어도 모노층 두께의 금속층이 형성될 수 있고; 그후 금속층의 적어도 일부가 산화될 수 있다. 그러나, 매우 얇은 금속층(예를 들어, 모노층 유형의 두께)의 일부가 산화된다고 할지라도, 자기 구조물로부터의 기저 원자들, 화합물들, 또는 이 둘 다에 결합된 금속 원자들은 결합된 채로 남겨지고, 이에 의해 저부 인터페이스 층이 형성되고 유지된다는 점에 주목해야 한다. 일부 실시예들에서, 금속층을 형성하는 단계 및 금속층의 적어도 일부를 산화하는 단계들은 반복될 수 있다. 일부 실시예들에서, 비교적 얇은 금속층(예를 들어, 모노층 유형의 두께)이 형성되고 그 금속층의 적어도 일부가 산화되며, 다른 금속층(모노층 유형의 두께 또는 더 큰 두께 중 하나)이 형성되고 그 금속층의 적어도 일부가 산화된다. 일부 실시예들에서, 구조물들(예를 들어, 앞서 논의된 바와 같이 저부 인터페이스 층 및 중간층을 포함하는 구조물)은 아주 얇은(ultrathin) 금속층들의 순차적 금속층 형성을 통해서 생성된 멀티층들로부터 구성될 수 있으며(built up), 이 아주 얇은 금속층들을 이후에 자가-제한 산화 효과에 의해 산화될 수 있다(이들은 예를 들어 주변의 실온 환경에 존재하는 산소에 의해 산화될 수 있다). 멀티층은, 원하는 두께에 도달될 때까지, 이러한 방식으로 생성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 최종 금속층은 최종 산화 단계 없이 증착될 수 있다. 이러한 최종 금속 층은, 적어도 일부의 금속 원자들 또는 금속 산화물들이 오버코트 층 내의 원자들 또는 화합물들에 결합되는 상부 인터페이스 층을 형성하기 위해, 오버코트 층을 형성하는 단계와 함께 (예를 들어, 표면 서브-플랜테이션 기법들을 통해) 활용될 수 있다.
물품들을 형성하는 추가적인 방법들이 본원에 또한 개시된다. 이러한 방법들은, 앞서 논의되었던 바와 같이, 자기 구조물을 획득하는 단계들을 포함할 수 있다. 이는, 자기 구조물 상에 금속층을 형성하는 단계에 의해 후속될 수 있다. 금속은, 특징들을 가질 수 있고, 그리고/또는 매개층 내의 금속에 대하여 앞서 논의된 바와 같이 선택될 수 있다. 일부 실시예들에서, 금속층은 모노층 또는 약간 미만 내지 3Å의 범위의 두께를 가질 수 있다. 이 금속층은, 앞서 논의되었던 바와 같은 매개층의 저부 인터페이스 층을 궁극적으로 형성할 수 있다.
이러한 방법에서의 다음 단계는, 금속 원자들이 형성되고 산화된 다음 금속 산화물들이 이전에 형성된 금속층 상에 증착되는 금속 산화물 층을 형성하는 병행 단계를 포함한다.
이러한 방식에서 매개층을 증착하는 방법들은, IBD(Ion Beam sputter Deposition), PVD(예를 들어, 마그네트론 스퍼터링, 증발), 저 에너지 SSP(low energy surface sub-plantation), ALD(atomic layer deposition) 등을 포함할 수 있지만, 이 역시 제약되지는 않는다. 더 구체적인 예시로서, IBD에서, 매개층을 형성하는 파티클들은 이온빔에 의해 타겟으로부터 스퍼터링될 수 있고, 이온 건(ion gun) 및 타겟 어셈블리의 기하학적 구조는 스퍼터링된 파티클들이 증착의 평면을 향하여 지향될 수 있도록 배열될 수 있다. 초기 금속층, 즉, 순수 금속 필름을 증착하기 위해, 불활성 가스 원자들의 빔이 순수 금속 타겟의 스퍼터링 프로세스에 이용될 수 있다. 산화물 재료의 후속 증착은, 저부 인터페이스 층의 증착 이후에 산화물 타겟으로부터의 스퍼터링 또는 이온 빔으로의 산소의 혼합(incorporation)에 의해 생성될 수 있다. 저부 인터페이스 층의 증착 이후에 산화를 생성하기 위해 특별히 유리한 방법은, 증착의 평면에 입사하는 낮은 에너지 또는 열중성자화된 산소 원자 빔의 이용을 통해서 이루어질 수 있다. 이러한 접근방식은, 산화물 층을 생성하기 위해 금속 층착 후에 또는 입사 금속 플럭스와 동시에 이용될 수 있다. 상부 인터페이스 층을 형성하기 위한 유사한 방법들이 또한 활용될 수 있다. 증착 파라미터들의 주의 깊은 제어는, 인터페이셜(interfacial) 영역들에서의 원자들의 혼합을 최소화하거나 또는 회피하는데 활용될 수 있다. 대안적으로, 산화는, 실온에서 또는 열 어닐링을 통해서 산소 포함 주위 환경에 대한 노출에 의해 달성될 수 있다. 매개층 구조물을 생성하기 위해 순차적 금속 증착 및 산화 단계들이 또한 이용될 수 있다.
전술한 방법들의 개시된 유형들 중 임의의 유형은 또한, 고려되고 있는 방법에 따라, 매개층이 형성되기 전에 또는 후에, 오버코트 층을 형성하는 단계 또는 단계들을 포함할 수 있다. 오버코트 층을 형성하는 방법들은, 본원에 개시된 방법들 중 임의의 유형에서, 예를 들어, 펄스형 FCA(pFCA; pulsed Filtered Cathodic Arc) 방법들을 포함하는 FCA 기법들 및 표면 서브-플랜테이션을 포함할 수 있다. 예시적인 표면 서브-플랜테이션 기법들은, 예를 들어, 미국 특허 출원 제13/440068호; 제13/440071호; 및 제13/440073호에서 발견될 수 있다.
본 개시물은 이하의 예시들에 의해 설명된다. 특정 예시들, 추정들, 모델링, 및 절차들이 본원에 설명된 바와 같이 본 개시물의 범위 및 사상에 따라 광범위하게 해석될 수 있다는 점이 이해되어야 한다.
예시들
AlTiC 웨이퍼 상에, 하기 구조물이 물리적 기상 증착을 통해 증착되었다: 5Å Zr 시드층, 25nm 높이x45nm 폭(wide) 금 페그, 및 5Å Zr 캡 층. 그후, 유전체 오버코트 층이 후속되었다. 이 웨이퍼는 그후 0nm 내지 100nm의 페그 길이로 랩핑되었다(lapped). 랩핑 이후에, ABS에 오버코트 층이 증착되었다. 비교 예시는, 35Å 이온 빔 증착된(IBD) TaOx 필름 다음에 22Å 필터링된 캐소딕 아크 탄소 필름을 가졌다. 예시 1은, 8Å IBD Cr 필름 다음에 22Å IBD 탄소 필름을 가졌다. 예시 2는, 16Å IBD Cr 필름 다음에 22Å IBD 탄소 필름을 가졌다. 예시 3은, (각각, 1시간 동안 공기중에서의 증착-후 산화를 통해) 4Å IBD Cr 필름의 2개의 연속 증착물들 다음에 22Å IBD 탄소 필름을 가졌다. 예시 4는, (각각, 1시간 동안 공기중에서의 증착-후 산화를 통해) 4Å IBD Cr 필름의 4개의 연속 증착물들 다음에 22Å IBD 탄소 필름을 가졌다.
그후, 샘플들에는 공기중에서 약 30분 동안 약 300℃에서의 어닐링이 포함된 열 응력 테스트가 행해졌다. 도 2는, 전체적으로 변형된(전체), 부분적으로 변형된(부분), 코너가 변형된(코너들) 또는 어떠한 변형도 없는(없음) 것으로서 설명된 페그(peg)들의 CDSEM(critical dimension scanning electron microscope) 이미지이다. 전체적으로 변형된 또는 리세스된 페그들은, 이들이 주변 구조물에 블렌딩되어, 오직 이들이 존재했던 보이드에만 남겨지기 때문에, CDSEM 이미지들에 대한 뷰에서 보이지 않게 될 수 있다는 점에 주목해야 한다. 앞서 논의된 바와 같이 제작된, 다양한 양들의 비교예, 예시 1, 예시 2, 예시 3, 및 예시 4에 이 테스트가 행해졌다.
도 3a, 도 3b, 도 3c, 및 도 3d는, 어닐링 이후(300C/30분/에어 이후) 및 이전의 4개의 대표적인 비교 예시들의 CDSEM 이미지들을 나타낸다. 도 3a에 보여진 비교예는 상당한 라운딩의 페그를 나타냈고; 도 3b, 도 3c 및 도 3d는 완벽한 리세션의 페그를 나타냈다.
도 4a, 도 4b, 도 4c, 및 도 4d는, 어닐링 이후(300C/30분/에어 이후) 및 이전의 예시 1의 4개의 대표적인 복제들의 CDSEM 이미지들을 나타낸다. 여기에서 보여지는 예시 1 페그들의 4개 전부는 어떠한 변형도 나타내지 않았다.
도 5a, 도 5b, 도 5c, 및 도 5d는, 어닐링 이후(300C/30분/에어 이후) 및 이전의 예시 3의 4개의 대표적인 복제들의 CDSEM 이미지들을 나타낸다. 여기에서 보여지는 예시 1 페그들의 4개 전부는 어떠한 변형도 나타내지 않았다.
이하의 표 I는, 비교예 및 예시들 1 - 4에 대한 변형 데이터의 개요를 나타낸다.
표 I
Figure 112015046005623-pct00001
따라서, 매개층을 포함하는 물품들 및 그 형성 방법들의 실시예들이 개시된다. 앞서 설명된 구현들 및 다른 구현들은 후술하는 청구항들의 범위 내에 있다. 당업자는, 본 개시물이 개시된 것들 이외의 실시예들에 따라 실행될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 개시된 실시예들은, 한정이 아닌 예시의 목적으로 제시된다.

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  11. 물품을 형성하는 방법으로서,
    상기 방법은:
    자기 기록기 및 NFT(near field transducer)를 포함하는 자기 구조물을 획득하는 단계;
    상기 자기 구조물 중 적어도 상기 NFT 및 상기 자기 기록기 부분 상에 금속층을 형성하는 단계 ― 상기 금속층은 모노층 내지 50Å의 두께를 가짐 ―;
    상기 금속층의 적어도 일부를 산화하는 단계; 및
    오버코트 층을 형성하는 단계를 포함하는,
    물품을 형성하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 오버코트 층은, 상기 금속층의 일부가 산화되기 전에 상기 금속층 상에 형성되는,
    물품을 형성하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 금속층의 일부는, 상기 오버코트 층을 통해서 확산하는 산소, 기저층(underlying layer)에 존재하는 산소, 또는 이들의 일부 조합에 의해 산화되는,
    물품을 형성하는 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 금속층은 크롬인,
    물품을 형성하는 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 오버코트 층은, 상기 금속층의 일부가 산화된 후에 형성되는,
    물품을 형성하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 금속층을 형성하는 단계 및 상기 금속층을 산화하는 단계는, 적어도 2회 반복되는,
    물품을 형성하는 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 금속층의 일부는, 산소 포함 주변 실온 조건들에서의 수동적 산화(passive oxidation)에 의해; 산소 포함 고온 조건에서의 어닐링에 의해; 열중성자화된(thermalized) 산소 원자 빔 또는 산소 이온 빔으로의 노출에 의해; 또는 이들의 조합들에 의해 산화되는,
    물품을 형성하는 방법.
  18. 물품을 형성하는 방법으로서,
    상기 방법은:
    자기 구조물을 획득하는 단계 ― 상기 자기 구조물은 자기 기록기 및 NFT(near field transducer)를 포함함 ―;
    상기 자기 구조물 중 적어도 상기 NFT 및 상기 자기 기록기 상에 금속층을 형성하는 단계; 및
    금속 산화물 층을 형성하기 위해, 금속 원자들을 형성하고, 상기 금속 원자들을 산화하고, 그리고 상기 금속층 상에 상기 산화된 금속 원자들을 증착시킴으로써, 상기 금속층 상에 상기 금속 산화물 층을 형성하는 단계를 포함하는,
    물품을 형성하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 금속 산화물 층을 형성하는 단계는, 이온 빔 증착을 활용하는,
    물품을 형성하는 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 금속층은 크롬 금속층이고,
    상기 금속 산화물 층은 크롬 산화물 층인,
    물품을 형성하는 방법.
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