KR101755422B1 - 착색 조성물, 경화막, 컬러 필터, 컬러 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치 - Google Patents

착색 조성물, 경화막, 컬러 필터, 컬러 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치 Download PDF

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Abstract

내열성 및 용제 용해성이 우수하고, 이염이 억제된 패턴을 형성할 수 있는 착색 조성물, 착색 조성물을 이용한, 경화막, 컬러 필터, 컬러 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치를 제공한다.
저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 폴리머 음이온과 양이온 구조를 갖는 색소를 포함하는 착색 조성물; 단, 저구핵성 음이온 구조란, 황산의 pKa보다 낮은 pKa를 갖는 유기산이 해리된 음이온 구조를 나타낸다.

Description

착색 조성물, 경화막, 컬러 필터, 컬러 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치{COLORED COMPOSITION, CURED FILM, COLOR FILTER, METHOD FOR PRODUCING COLOR FILTER, SOLID-STATE IMAGE SENSOR, AND IMAGE DISPLAY DEVICE}
본 발명은, 착색 조성물 및 이것을 이용한 경화막에 관한 것이다. 또, 경화막을 갖는 컬러 필터, 컬러 필터의 제조 방법, 컬러 필터를 갖는 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치나 고체 촬상 소자 등에 이용되는 컬러 필터를 제조하는 방법 중 하나로, 안료 분산법이 있고, 이 안료 분산법으로서는, 안료를 다양한 감광성 조성물에 분산시킨 착색 감광성 조성물을 이용하여, 포토리소그래피법에 의하여 컬러 필터를 제조하는 방법이 있다. 즉, 경화성 조성물을 기판 상에 스핀 코터나 롤 코터 등을 이용하여 도포하고, 건조시켜 도포막을 형성하며, 도포막을 패턴 노광하여 현상함으로써, 착색된 화소를 얻는다. 이 조작을 원하는 색상분(分)만큼 반복함으로써, 컬러 필터를 제작한다.
상기의 방법은, 안료를 이용하는 점에서 광이나 열에 대하여 안정적임과 함께, 포토리소그래피법에 의하여 패터닝을 행하는 점에서 위치 정밀도가 충분히 확보되어, 컬러 디스플레이용 컬러 필터 등의 제조에 적합한 방법으로서 널리 이용되어 왔다.
그런데, 컬러 필터의 제작에는, 염료나 안료를 포함하는 착색 감광성 조성물을 이용하는 것이 일반적이고, 저구핵성 음이온을 이용함으로써, 내열성이 우수한 착색 감광성 조성물이 제안되어 있거나, 저구핵성 음이온을 이용함으로써, 용해성이 우수한 착색 감광성 조성물 등이 제안되어 있다(특허문헌 1, 2).
한편, CCD 등의 고체 촬상 소자용의 컬러 필터의 형성에는, LCD용 컬러 필터에 존재하는 블랙 매트릭스 등의 가이드 패턴이 없기 때문에, 인접하는 패턴 간에 염료가 혼색되는 것이 알려져 있다. 이로 인하여, 이러한 혼색을 억제하기 위하여, 예를 들면 색소를 다량화함으로써, 염료 분자의 열확산, 용제로의 확산성을 저감하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 3).
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2012-173399호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2013-67776호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 2012-32754호
이러한 상황 하에서, 본원 발명자가 검토한 바, 상술한 바와 같이 양이온 염료는, 저확산성 음이온에 의하여 내열성 및 용제 용해성을 개량할 수 있지만, 착색 경화성 성분에는 음이온성을 갖는 소재를 함유하고 있기 때문에, 교환 반응이 일어나게 된다. 그리고, 비저구핵성 음이온이 착색 경화성 성분과 교환된 경우, 내열성이나 용해 용제성이 뒤떨어지는 경향이 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 염료의 다량화에 있어서도 양이온 염료를 다량화한 것만으로는, 다른 음이온종과의 교환 반응은 완전하게 억제할 수 없어, 상술한 비저구핵성 음이온과의 교환이 일어나, 내열성이나 용해 용제성이 뒤떨어지는 경향이 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 색소를 폴리머화하면 과도한 가열 프로세스에 있어서는, 색소가 분해되어, 다른 패턴으로의 이염이 발생하는 경우가 있는 것을 알 수 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하는 것으로서, 내열성 및 용제 용해성이 우수하고, 이염이 억제된 패턴을 형성할 수 있는 착색 조성물, 착색 조성물을 이용한, 경화막, 컬러 필터, 컬러 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명자들은 상세하게 검토한 결과, 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 폴리머 음이온과 색소 구조를 갖는 양이온을 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다.
구체적으로는, 하기 수단 <1>에 의하여, 바람직하게는, <2> 내지 <18>에 의하여, 상기 과제는 해결되었다.
<1> 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 폴리머 음이온과 색소 구조를 갖는 양이온을 포함하는 착색 조성물; 단, 저구핵성 음이온 구조란, 황산의 pKa보다 낮은 pKa를 갖는 유기산이 해리된 음이온 구조를 나타낸다.
<2> 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위가, 일반식 (1)로 나타나는, <1>에 따른 착색 조성물.
일반식 (1)
[화학식 1]
Figure 112016009345945-pct00001
(일반식 (1) 중, Q는 반복 단위의 주쇄를 나타내고, L은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, Z는 일반식 (2-1)로 나타나는 음이온 구조, 일반식 (2-2)로 나타나는 음이온 구조, 또는 하기 일반식 (2-3)으로 나타나는 음이온 구조이다.)
일반식 (2-1)
*-Y1-A1
(일반식 (2-1) 중, *는, 일반식 (1) 중의 L과의 결합 부위를 나타내고, Y1은 불소화 알킬렌기를 나타내며, A1은 SO3 -를 나타낸다.)
일반식 (2-2)
*-Y2-(A2)n
(일반식 (2-2) 중, *는, 일반식 (1) 중의 L과의 결합 부위를 나타내고, Y2는, 붕소 원자, 탄소 원자, 질소 원자, 또는 인 원자로 이루어지는 음이온을 나타낸다.
Y2가 붕소 원자인 경우, n은 3이며, A2는, 각각, 할로젠 원자, 사이아노기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기이고,
Y2가 탄소 원자인 경우, n은 2이며, A2는, 각각, 할로젠 원자, 사이아노기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 알킬설폰일기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 아릴설폰일기이며, 2개의 A2는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고,
Y2가 질소 원자인 경우, n은 1이며, A2는, 각각, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 알킬설폰일기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 아릴설폰일기이고,
Y2가 인 원자인 경우, n은 1 또는 3이며, A2는, 각각, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 알킬설폰일기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 아릴설폰일기이다.)
[화학식 2]
Figure 112016009345945-pct00002
(일반식 (2-3) 중, *는, 일반식 (1) 중의 L과의 결합 부위를 나타내고, R은, 각각 사이아노기, 또는 불소화 알킬기를 나타낸다.)
<3> 일반식 (1) 중의 Z가 일반식 (2-1)로 나타나는 경우, L이 탄소수 1~10의 불소화 알킬렌기를 갖고 있는, <2>에 따른 착색 조성물.
<4> 색소 구조를 갖는 양이온이, 중합성기를 갖는, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 따른 착색 조성물.
<5> 폴리머 음이온이, 산기를 갖는 반복 단위를 함유하는, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 따른 착색 조성물.
<6> 조성물이, (B) 중합성 화합물을 더 함유하는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 따른 착색 조성물.
<7> 조성물이, 색소 구조를 더 갖는 양이온 이외의 (C) 안료를 함유하는, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 따른 착색 조성물.
<8> 조성물이, (D) 광중합 개시제를 더 함유하는, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 따른 착색 조성물.
<9> (D) 광중합 개시제가, 옥심 화합물인, <8>에 따른 착색 조성물.
<10> 일반식 (1) 중의 Z가, 일반식 (2-1)로 나타나는 음이온 구조, 또는 불소화 알킬설폰이미드기 및 불소화 알킬설폰메타이드기로부터 선택되는 적어도 하나의 기가 해리된 음이온 구조인, <2> 내지 <9> 중 어느 하나에 따른 착색 조성물.
<11> 색소 구조를 갖는 양이온이, 다이피로메텐 색소, 트라이아릴메테인 색소, 잔텐 색소, 사이아닌 색소 및 스쿠아릴륨 색소로부터 선택되는 색소 구조를 갖는 <1> 내지 <10> 중 어느 하나에 따른 착색 조성물.
<12> 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 폴리머 음이온과 색소 구조를 갖는 양이온이 색소 다량체를 형성하고 있는, <1> 내지 <11> 중 어느 하나에 따른 착색 조성물.
<13> 컬러 필터의 착색층 형성에 이용하는 것을 특징으로 하는, <1> 내지 <12> 중 어느 하나에 따른 착색 조성물.
<14> <1> 내지 <13> 중 어느 하나에 따른 착색 조성물을 경화시켜 이루어지는 경화막.
<15> <14>에 따른 경화막을 갖는 컬러 필터.
<16> <1> 내지 <13> 중 어느 하나에 따른 착색 조성물을 지지체 상에 적용하여 착색 조성물층을 형성하는 공정과, 착색 조성물층을 패턴 형상으로 노광하는 공정과, 노광한 후에 미노광부를 현상하는 공정을 포함하는, 컬러 필터의 제조 방법.
<17> <15>에 따른 컬러 필터 또는 <16>에 따른 컬러 필터의 제조 방법에 의하여 얻어진 컬러 필터를 갖는 고체 촬상 소자.
<18> <15>에 따른 컬러 필터 또는 <16>에 따른 컬러 필터의 제조 방법에 의하여 얻어진 컬러 필터를 갖는 화상 표시 장치.
본 발명에 의하면, 내열성 및 용제 용해성이 우수하고, 이염이 억제된 패턴을 형성할 수 있는 착색 조성물, 착색 조성물을 이용한, 경화막, 컬러 필터, 컬러 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치를 제공 가능하게 되었다.
이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본원 명세서에 있어서 "~"란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로 하여 포함하는 의미로 사용된다. 또, 본 발명에 있어서의 유기 EL 소자란, 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 말한다.
본 명세서에 있어서, 전체 고형분이란, 착색 조성물의 전체 조성으로부터 용제를 제외한 성분의 총 질량을 말한다.
본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.
또, 본 명세서 중에 있어서의 "방사선"이란, 예를 들면, 수은등의 휘선 스펙트럼, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV광), X선, 전자선 등을 의미한다. 또, 본 발명에 있어서 광이란, 활성 광선 또는 방사선을 의미한다. 본 명세서 중에 있어서의 "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 수은등, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, X선, EUV광 등에 의한 노광뿐만 아니라, 전자선, 이온 빔 등의 입자선에 의한 묘화도 노광에 포함한다.
또, 본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트의 쌍방, 또는 어느 하나를 나타내고, "(메트)아크릴"은 아크릴 및 메타크릴의 쌍방, 또는 어느 하나를 나타내며, "(메트)아크릴로일"은 아크릴로일 및 메타크릴로일의 쌍방, 또는 어느 하나를 나타낸다.
또, 본 명세서에 있어서, "단량체"와 " 모노머"는 동의이다. 본 명세서에 있어서의 단량체는, 올리고머 및 폴리머와 구별되고, 중량 평균 분자량이 2,000 이하인 화합물을 말한다. 본 명세서에 있어서, 중합성 화합물이란, 중합성 관능기를 갖는 화합물인 것을 말하며, 단량체여도 되고, 폴리머여도 된다. 중합성 관능기란, 중합 반응에 관여하는 기를 말한다.
본 명세서에 있어서, 화학식 중의 Me는 메틸기를, Et는 에틸기를, Pr은 프로필기를, Bu는 뷰틸기를, Ph는 페닐기를 각각 나타낸다.
본 명세서에 있어서 "공정"이라는 말은, 독립적인 공정만이 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우이더라도 그 공정의 소기 작용이 달성되면, 본 용어에 포함된다.
본 발명은, 상기의 상황을 감안하여 이루어진 것이며, 색특성이 우수한 착색 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 착색 조성물(이하, 간단하게, "본 발명의 조성물"이라고 하는 경우가 있음)은, 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 폴리머 음이온과 색소 구조를 갖는 양이온을 함유하는 것을 특징으로 한다. 단, 저구핵성 음이온 구조란, 황산의 pKa보다 낮은 pKa를 갖는 유기산이 해리된 음이온 구조를 나타낸다.
이러한 구성으로 함으로써, 내열성, 용제 용해성이 우수하고, 또한 다른 패턴으로의 이염이 억제되어, 패턴 형성성이 우수한 패턴을 형성 가능하게 된다.
또, 종래, 색소 다량체를 배합한 착색 조성물에서는, 드라이 에칭법으로 패턴을 형성할 때, 포토레지스트의 현상액에 대한 내성이나, 박리액에 대한 내성이 나쁜 경우가 있었다. 이에 대하여, 본 발명에서는, 포토레지스트의 현상액에 대한 내성을 향상시키거나, 박리액에 대한 내성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
이로 인하여, 본 발명에 의하면, 색특성이 우수한 경화막 및 경화막을 갖는 컬러 필터를 제공할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 색특성이 우수한 착색 패턴을 형성할 수 있는 패턴 형성 방법 및 컬러 필터의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 색특성이 우수한 컬러 필터를 구비한 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치(액정 표시 장치나 유기 EL 표시 장치 등)를 제공할 수 있다.
본 발명의 작용 기구에 대해서는 아직 명확하지 않지만, 안정적인 염을 형성 가능한 저구핵성 음이온을 다량화함으로써, 국소적인 음이온 농도를 올릴 수 있고, 레지스트액과 같은 다른 음이온종이 존재하는 협잡계에 있어서 안정적인 염 형성을 가능하게 할 수 있었던 것에 의한 것으로 생각하고 있다.
또한, 본 발명의 착색 조성물에서는, 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 폴리머 음이온과 색소 구조를 갖는 양이온이, 따로 따로, 존재하고 있어도 되지만, 양이온이, 폴리머 음이온의 반대 양이온으로서 존재하고 있는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에서는, 폴리머 음이온과 양이온이 색소 다량체를 형성하고 있는 양태가 바람직하다. 최종 형태인 컬러 필터에서는, 적어도 일부는 색소 다량체를 형성하고 있다. 이하, 편의상, (A) 색소 다량체라고 기술하는 경우가 있는데, 폴리머 음이온과 색소 구조를 갖는 양이온이 조성물 중에 따로 따로 존재하고 있는 양태도 본 발명에 포함된다.
이하, 본 발명의 상세에 대하여 설명한다.
<(A) 색소 다량체>
본 발명의 착색 조성물은 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 폴리머 음이온과 색소 구조를 갖는 양이온을 각각 1종 이상씩 함유한다.
여기에서, 저구핵 음이온 구조란, 일반적으로 초산(super acid)이라 불리는 pKa가 낮은 산이 프로톤을 해리하여 이루어지는 음이온 구조이다. 초산의 정의는, 문헌에 따라서도 상이하지만 메테인설폰산보다 pKa가 낮은 산의 총칭이며, J. Org. Chem. 2011, 76, 391-395 Equilibrium Acidities of Super acids에 기재되는 구조가 알려져 있다. 본 발명에 있어서는, 저구핵 음이온 구조는, 황산의 pKa보다 낮은 pKa를 갖는 유기산이 해리된 음이온 구조이다. 또한, 황산의 pKa는, 문헌에 따라서도 상이하지만, 약 -2.5(1,2-다이클로로에테인 중에서의 pKa)이다.
저구핵 음이온 구조의 pKa는, -2.6~-18이 바람직하고, -4~-18이 보다 바람직하며, -5~-18이 더 바람직하다. 또한, pKa는, 예를 들면, J. Org. Chem. 2011, 76, 391-395에 기재된 방법에 의하여 측정할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서의 pKa값은, 특별한 설명이 없는 경우, 1,2-다이클로로에테인 중에서의 pKa이다.
<<저구핵 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 폴리머 음이온>>
저구핵 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 폴리머 음이온(이하, 간단하게, "폴리머 음이온"이라고 하는 경우가 있음)으로서는, 황산의 pKa보다 낮은 pKa를 갖는 유기산이 해리된 음이온 구조를 나타내고 있으면 특별히 정하는 것은 아니지만, 하기 일반식 (1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 것이 바람직하다. 일반식 (1)로 나타나는 반복 단위는, 폴리머 음이온 중에 1종류만 포함되어 있어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다. 또, 후술하는 바와 같이, 다른 반복 단위를 포함하고 있어도 된다.
일반식 (1)
[화학식 3]
Figure 112016009345945-pct00003
(일반식 (1) 중, Q는 반복 단위의 주쇄를 나타내고, L은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, Z는 일반식 (2-1)로 나타나는 음이온 구조, 일반식 (2-2)로 나타나는 음이온 구조, 또는 하기 일반식 (2-3)으로 나타나는 음이온 구조이다.)
Q는, 반복 단위의 주쇄를 나타내고, 통상, 중합에 의하여 형성되는 연결기를 나타낸다. 구체적으로는, 중합성기를 갖는 화합물을, 라디칼, 양이온, 음이온 중합을 함으로써 형성되는 반복 단위의 주쇄인 것이 바람직하다. 또, 중축합, 고분자 반응 등에 의하여 도입되는 것도 가능하다. 그 중에서도, 라디칼 중합 가능한 불포화 결합을 갖는 기를 포함하는 화합물을 중합하여 형성되는 구조가 바람직하다. 이러한 중합성기로서는, 예를 들면, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기, 환상 에터기(에폭시기, 옥세테인기), 메틸올기 등을 들 수 있는데, 특히 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기가 바람직하고, (메트)아크릴로일기가 보다 바람직하며, (메트)아크릴산 글리시딜 및 3,4-에폭시-사이클로헥실메틸(메트)아크릴레이트 유래의 (메트)아크릴로일기가 더 바람직하다.
또, Q로서는, 탄소수 1~20의 기가 바람직하고, 탄소수 2~10의 기가 보다 바람직하며, -CH2-CH(-*L)- 또는 -CH2-C(-*L)(CH3)-(*L은, 일반식 (1)에 있어서의 L과 결합하는 위치를 나타냄)인 것이 더 바람직하다.
구체적으로는, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산 에스터, 메타크릴산 에스터, 아크릴아마이드, 메타크릴아마이드, 알릴 구조를 갖는, 바이닐에터, 바이닐에스터 등으로부터 선택되는 부가 중합성 불포화 결합을 1개 갖는 구조를 갖는 기 등을 들 수 있다. 바람직하게는 아크릴산 에스터, 메타크릴산 에스터, 아크릴아마이드, 메타크릴아마이드, 알릴, 바이닐에스터 구조를 갖는 기이다.
L은, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, 탄화 수소기, -NH-, -CO-O-, 색소 구조를 포함하는 2가의 기 등이 예시되고, 탄소수 1~20의 알킬렌기(바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬렌기), 탄소수 6~20의 아릴렌기(바람직하게는 탄소수 6~10의 아릴렌기), 탄소수 4~20의 헤테로환기(바람직하게는 탄소수 5~10의 헤테로환기), 탄소수 1~20의 알킬설폰일기(바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬설폰일기), 탄소수 6~20의 아릴설폰일기(바람직하게는 탄소수 6~10의 아릴설폰일기), 탄소수 1~20의 알킬카보닐기(바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬카보닐기), 탄소수 6~20의 아릴카보닐기(바람직하게는 탄소수 6~11의 아릴카보닐기), 탄소수 1~20의 알킬아미노기(바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬아미노기), 탄소수 6~20의 아릴아미노기(바람직하게는 탄소수 6~10의 아릴아미노기), 탄소수 1~2의 알킬카보닐옥시기(바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬카보닐옥시기), 탄소수 6~20의 아릴카보닐옥시기(바람직하게는 탄소수 6~11의 아릴카보닐옥시기) 등을 들 수 있다. 이들 2가의 연결기는, 전자 흡인성기로 치환되어 있는 것이 바람직하고, 전자 흡인성기로서는, 할로젠 원자(불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자), 나이트로기, 사이아노기, 할로젠화 알킬기(예를 들면 트라이플루오로메틸기), 할로젠화 아릴기를 들 수 있다.
L은, 후술하는, 일반식 (1) 중의 Z가, 일반식 (2-1)로 나타나는 저구핵성 음이온 구조의 경우, 탄소수 1~10의 불소 원자로 치환된 알킬렌기(불소화 알킬렌기)인 것이 바람직하다.
Z는, 일반식 (2-1)로 나타나는 음이온 구조, 일반식 (2-2)로 나타나는 음이온 구조, 또는 하기 일반식 (2-3)으로 나타나는 음이온 구조이다.
일반식 (2-1)
*-Y1-A1
(일반식 (2-1) 중, *는, 일반식 (1) 중의 L과의 결합 부위를 나타내고, Y1은 불소화 알킬렌기를 나타내며, A1은 SO3 -를 나타낸다.)
일반식 (2-1) 중, Y1은 불소화 알킬렌기를 나타낸다. 불소화 알킬렌기로서는, 탄소수 1~20의 불소화 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 불소화 알킬렌기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~6의 불소화 알킬렌기가 더 바람직하다. 또, 퍼플루오로알킬렌기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (2-2)
*-Y2-(A2)n
(일반식 (2-2) 중, *는, 일반식 (1) 중의 L과의 결합 부위를 나타내고, Y2는, 붕소 원자, 탄소 원자, 질소 원자, 또는 인 원자로 이루어지는 음이온을 나타낸다.
Y2가 붕소 원자인 경우, n은 3이며, A2는, 각각, 할로젠 원자, 사이아노기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기이고,
Y2가 탄소 원자인 경우, n은 2이며, A2는, 각각, 할로젠 원자, 사이아노기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 알킬설폰일기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 아릴설폰일기이며, 2개의 A2는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고,
Y2가 질소 원자인 경우, n은 1이며, A2는, 각각, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 알킬설폰일기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 아릴설폰일기이고,
Y2가 인 원자인 경우, n은 1 또는 3이며, A2는, 각각, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 알킬설폰일기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 아릴설폰일기이다.)
Y2가 붕소 원자인 경우, A2는, 각각, 불소 원자, 탄소수 1~10의 불소화 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~6의 퍼플루오로알킬기), 탄소수 6~10의 불소화 아릴기(바람직하게는, 탄소수 6~9의 퍼플루오로아릴기), 탄소수 1~10의 불소화 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~6의 퍼플루오로알킬기)로 치환된 아릴기가 바람직하다.
Y2가 탄소 원자인 경우, A2는, 각각, 불소 원자, 사이아노기, 또는 하기 중 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기, 아릴기, 알킬설폰일기 혹은 아릴설폰일기가 바람직하다;
치환기; 불소 원자, 사이아노기, 불소화 알킬기(바람직하게는 퍼플루오로알킬기).
더 바람직하게는, 탄소수 1~10의 불소화 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~6의 불소화 알킬기), 탄소수 6~10의 불소화 아릴기(바람직하게는 플루오로페닐기, 다이플루오로페닐기, 테트라플루오로페닐기, 펜타플루오로페닐기), 탄소수 1~10의 무치환의 알킬설폰일기(바람직하게는 탄소수 1~6의 무치환의 알킬설폰일기), 탄소수 6~10의 무치환의 아릴설폰일기(바람직하게는 페닐설폰일기), 탄소수 1~10의 불소화 알킬설폰일기(바람직하게는 탄소수 1~6의 불소화 알킬설폰일기), 탄소수 6~10의 불소화 아릴설폰일기(바람직하게는 불소화 페닐설폰일기)가 바람직하고, 사이아노기, 불소화 알킬기 및 불소화 알킬설폰일기가 보다 바람직하며, 불소화 알킬설폰일기가 더 바람직하다.
또, 2개의 A2는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고, 탄소를 골격으로 하는 환에 사이아노기, 불소 원자, 불소화 알킬기가 치환되어 있는 구조도 바람직하다.
Y2가 질소 원자인 경우, 각각, 불소 원자, 사이아노기, 또는 하기 중 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기, 아릴기, 알킬설폰일기 혹은 아릴설폰일기가 바람직하다;
치환기; 불소 원자, 사이아노기, 불소화 알킬기(바람직하게는 퍼플루오로알킬기).
더 바람직하게는, 탄소수 1~10의 불소화 알킬설폰일기(바람직하게는 탄소수 1~6의 불소화 알킬설폰일기), 탄소수 6~10의 불소화 아릴설폰일기(바람직하게는 불소화 페닐설폰일기)이며, 그 중에서도, 불소화 알킬설폰일기가 바람직하다.
Y2가 인 원자인 경우, n은 1 또는 3이며, A2는, 각각, 불소 원자, 사이아노기, 또는 하기 중 어느 하나의 치환기로 치환된 알킬기, 아릴기, 알킬설폰일기 혹은 아릴설폰일기가 바람직하다;
치환기; 불소 원자, 사이아노기, 불소화 알킬기(바람직하게는 퍼플루오로알킬기).
더 바람직하게는, 탄소수 1~10의 불소화 알킬설폰일기(바람직하게는 탄소수 1~6의 불소화 알킬설폰일기), 탄소수 6~10의 불소화 아릴설폰일기(바람직하게는 불소화 페닐설폰일기)이며, 그 중에서도, 불소화 알킬설폰일기가 바람직하다.
n은 1 또는 3이며, 3이 바람직하다.
일반식 (2-1) 및 일반식 (2-2) 중의 Z에 불소 원자를 갖는 경우, Z를 구성하는 전체 원자수에 대하여 Z에 포함되는 불소 원자의 비율이 5~80%가 바람직하고, 10~70%가 보다 바람직하다.
이들 중에서도, Z로서는, 일반식 (2-1)로 나타나는 기, 불소화 알킬설폰이미드기(일반식 (2-2) 중, Y2가 질소 원자, A2가 불소화 알킬설폰일기를 나타냄), 또는 불소화 알킬설폰메타이드기(일반식 (2-2) 중, Y2가 탄소 원자, A2가 불소화 알킬설폰일기를 각각 나타냄)을 나타내는 것이 바람직하다.
일반식 (2-3)
[화학식 4]
Figure 112016009345945-pct00004
(일반식 (2-3) 중, *는, 일반식 (1) 중의 L과의 결합 부위를 나타내고, R은, 각각 사이아노기, 또는 불소화 알킬기를 나타낸다.)
R은, 각각 사이아노기, 또는 불소화 알킬기를 나타내며, 사이아노기가 바람직하다.
이하, 본 발명에서 이용되는 일반식 (1)로 나타나는 반복 단위의 구체예를 나타내지만 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 구체예는, 저구핵 음이온 구조가 해리되어 있지 않은 상태를 나타내고 있지만, 저구핵 음이온 구조가 해리되어 있는 상태도 본 발명의 범위 내인 것은 말할 필요도 없다.
[화학식 5]
Figure 112016009345945-pct00005
[화학식 6]
Figure 112016009345945-pct00006
[화학식 7]
Figure 112016009345945-pct00007
[화학식 8]
Figure 112016009345945-pct00008
[화학식 9]
Figure 112016009345945-pct00009
[화학식 10]
Figure 112016009345945-pct00010
(X-69) 중, a=3, b=1, c=4이다.
(X-1)~(X-13)으로 대표되는 불소화 알킬설폰산류의 pKa는, CF3SO3H의 pKa가 -11.4인 점에서, 황산보다 pKa가 낮은 것이 추측된다.
(X-40)~(X-44)로 대표되는 불소화 알킬설폰이미드류의 pKa는, CF3-SO2-NH-SO2-CF3의 pKa가 -11.9인 점에서, 황산보다 pKa가 낮은 것이 추측된다.
(X-59), (X-61)로 대표되는 불소화 알킬설폰메타이드류의 pKa는, (CF3SO2)3-CH의 pKa가 -16.4인 점에서, 황산보다 pKa가 낮은 것이 추측된다.
(X-14), (X-15)로 대표되는 테트라 불소화 아릴보레이트류의 pKa는, 황산 음이온이 반대염(對鹽)이 된 양이온 염료와 음이온 교환되는 점에서, 황산보다 pKa가 낮은 것이 추측된다.
J. Org. Chem. 2011, 76, 391-395에 기재가 없는 구조이더라도, (X-1)~(X-72)의 모든 음이온은, 황산 음이온이 반대염이 된 양이온 염료와 즉시 음이온 교환되는 점에서, 황산보다 pKa가 낮은 것이 추측된다.
<<색소 구조를 갖는 양이온>>
본 발명에서 이용하는 색소 구조를 갖는 양이온은, 통상, 그 분자 구조 중에, 최대 흡수 파장이 400nm~780nm의 범위에 존재하는 색소 구조(색소 구조)를 갖는다. 이 부분 구조는, 단량체, 다량체여도 되지만, 통상은, 단량체 또는 2량체, 3량체이며, 바람직하게는 단량체이다.
본 발명에서는, 색소 구조를 갖는 양이온 중에, 1종류의 양이온을 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상의 양이온을 포함하고 있어도 된다.
색소 구조
색소 구조로서는, 분자 내에 양이온 부위를 포함하는 구조라면 특별히 제한은 없고, 공지의 색소 구조를 포함하는 다양한 것을 적용할 수 있다. 구체적으로는, 다이피로메텐 색소, 카보늄 색소(다이페닐메테인 색소, 트라이아릴메테인 색소, 잔텐 색소, 아크리딘 색소 등), 폴리메타인 색소(옥소놀 색소, 메로사이아닌 색소, 아릴리덴 색소, 스타이릴 색소, 사이아닌 색소, 스쿠아릴륨 색소, 크로코늄 색소 등), 서브프탈로사이아닌 색소, 및 그들의 금속 착체 색소로부터 선택되는 색소에 유래하는 색소 구조 등을 들 수 있다.
이들 색소 구조 중에서도, 색특성의 관점에서, 다이피로메텐 색소, 카보늄 색소, 및 폴리메타인 색소로부터 선택되는 색소에 유래하는 색소 구조가 바람직하고, 트라이아릴메테인 색소, 잔텐 색소, 사이아닌 색소, 스쿠아릴륨 색소, 퀴노프탈론 색소, 프탈로사이아닌 색소, 및 서브프탈로사이아닌 색소로부터 선택되는 색소에 유래하는 색소 구조가 보다 바람직하며, 다이피로메텐 색소, 트라이아릴메테인 색소, 잔텐 색소, 사이아닌 색소 및 스쿠아릴륨 색소로부터 선택되는 색소에 유래하는 색소 구조가 더 바람직하고, 잔텐 색소로부터 선택되는 색소에 유래하는 색소 구조가 특히 바람직하다. 이러한 색소 구조를 갖는 양이온을 이용하면 내열성 및 내광성이 보다 향상되는 경향이 있다.
색소 구조를 형성할 수 있는 구체적인 색소 화합물에 대해서는 "신판 염료 편람"(유기 합성 화학 협회 편; 마루젠, 1970), "컬러 인덱스"(The Society of Dyers and colourists), "색소 핸드북"(오가와라 외 편; 고단샤, 1986) 등에 기재되어 있다.
색소 구조를 갖는 양이온에 있어서, 색소 구조를 형성할 수 있는 특히 바람직한 색소(색소 화합물)에 대하여 상세하게 설명한다.
<<<다이피로메텐 색소>>>
본 발명에 관한 색소 구조의 양태 중 하나는, 하기에 나타내는 다이피로메텐 색소 구조이다.
본 발명에 있어서의 다이피로메텐 색소로서는, 다이피로메텐 화합물, 및 다이피로메텐 화합물과 금속 또는 금속 화합물로부터 얻어지는 다이피로메텐 금속 착체 화합물이 바람직하다.
또한, 본 발명에서는, 다이피로메텐 구조를 포함하는 화합물을 다이피로메텐 화합물이라 칭하고, 다이피로메텐 구조를 포함하는 화합물이 금속 또는 금속 화합물에 배위한 착체를 다이피로메텐 금속 착체 화합물이라 칭한다.
다이피로메텐 금속 착체 화합물로서는, 하기 일반식 (M)으로 나타나는 다이피로메텐 화합물과 금속 또는 금속 화합물로부터 얻어지는 다이피로메텐 금속 착체 화합물 및 그 호변이성체가 바람직하고, 그 중에서도, 바람직한 양태로서 하기 일반식 (7)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물, 또는 하기 일반식 (8)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물을 들 수 있으며, 일반식 (8)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물이 보다 바람직하다.
일반식 (M)으로 나타나는 다이피로메텐 화합물과 금속 또는 금속 화합물로부터 얻어지는 다이피로메텐 금속 착체 화합물, 및 그 호변이성체
색소 구조의 바람직한 양태 중 하나는, 하기 일반식 (M)으로 나타나는 화합물(다이피로메텐 화합물) 또는 그 호변이성체가, 금속 또는 금속 화합물에 배위한 착체(이하, 적절히 "특정 착체"라고 칭함)를 포함하는 색소 구조이다. 본 발명에서는, 하기 화합물이 양이온 구조를 형성하는데, 예를 들면, 일반식 (M)의 질소 원자에 결합하고 있는 아연 등의 금속이 양이온 구조를 형성할 수 있다.
[화학식 11]
Figure 112016009345945-pct00011
(일반식 (M)에 있어서, R4~R10은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타낸다. 단, R4와 R9가 서로 결합하여 환을 형성하는 경우는 없다.)
일반식 (M)으로 나타나는 화합물을, 일반식 (1)로 나타나는 구조 단위에 도입하는 경우의 도입 부위는, 특별히 제한은 없지만, 합성 적합성의 점에서, R4~R9 중 어느 하나의 부위로 도입되는 것이 바람직하고, R4, R6, R7 및 R9 중 어느 하나에 있어서 도입되는 것이 보다 바람직하며, R4 및 R9 중 어느 하나에 있어서 도입되는 것이 더 바람직하다.
일반식 (M)에 있어서의 R4~R9가 1가의 치환기를 나타내는 경우의 1가의 치환기로서는, 후술하는 치환기군 A의 항에서 예로 든 치환기를 들 수 있다.
일반식 (M) 중의 R4~R9로 나타나는 1가의 치환기가, 추가로 치환 가능한 기인 경우에는, R4~R9로 설명한 치환기를 더 갖고 있어도 되고, 2개 이상의 치환기를 갖고 있는 경우에는, 그들 치환기는 동일해도 되고 상이해도 된다.
일반식 (M) 중의 R4와 R5, R5와 R6, R7과 R8, 및 R8과 R9는, 각각 독립적으로, 서로 결합하여 5원, 6원, 또는 7원의 포화환 또는 불포화환을 형성하고 있어도 된다. 단, R4와 R9가 서로 결합하여 환을 형성하는 경우는 없다. 형성되는 5원, 6원, 및 7원의 환이, 추가로 치환 가능한 기인 경우에는, R4~R9로 설명한 치환기로 치환되어 있어도 되고, 2개 이상의 치환기로 치환되어 있는 경우에는, 그들 치환기는 동일해도 되고 상이해도 된다.
일반식 (M) 중의 R4와 R5, R5와 R6, R7과 R8, 및 R8과 R9가, 각각 독립적으로, 서로 결합하여, 치환기를 갖지 않는 5원, 6원, 또는 7원의 포화환, 또는 불포화환을 형성하는 경우, 치환기를 갖지 않는 5원, 6원, 또는 7원의 포화환, 또는 불포화환으로서는, 예를 들면, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 피라졸환, 이미다졸환, 트라이아졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피롤리딘환, 피페리딘환, 사이클로펜텐환, 사이클로헥센환, 벤젠환, 피리딘환, 피라진환, 및 피리다진환을 들 수 있고, 바람직하게는 벤젠환 또는 피리딘환을 들 수 있다.
일반식 (M)에 있어서의 R10은, 바람직하게는, 수소 원자, 할로젠 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기를 나타낸다. 할로젠 원자, 알킬기, 아릴기, 및 헤테로환기로서는, 후술하는 치환기군 A의 할로젠 원자, 알킬기, 아릴기, 및 헤테로환기와 각각 동의이며, 그 바람직한 범위도 동일하다.
R10이 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기를 나타내는 경우의, 알킬기, 아릴기, 및 헤테로환기가, 추가로 치환 가능한 기인 경우에는, 후술하는 치환기군 A의 항에 있어서 설명한 치환기로 치환되어 있어도 되고, 2개 이상의 치환기로 치환되어 있는 경우에는, 그들 치환기는 동일해도 되고 상이해도 된다.
~금속 또는 금속 화합물~
본 발명에 있어서의 특정 착체는, 앞서 설명한 일반식 (M)으로 나타나는 다이피로메텐 화합물 또는 그 호변이성체가 금속 또는 금속 화합물에 배위한 착체이다.
여기에서, 금속 또는 금속 화합물로서는, 착체를 형성 가능한 금속 또는 금속 화합물이면 어느 것이어도 되고, 2가의 금속 원자, 2가의 금속 산화물, 2가의 금속 수산화물, 또는 2가의 금속 염화물이 포함된다. 금속 또는 금속 화합물로서는, 예를 들면, Zn, Mg, Si, Sn, Rh, Pt, Pd, Mo, Mn, Pb, Cu, Ni, Co, Fe 등의 금속 외에, AlCl, InCl, FeCl, TiCl2, SnCl2, SiCl2, GeCl2 등의 금속 염화물, TiO, VO 등의 금속 산화물, Si(OH)2 등의 금속 수산화물도 포함된다.
이들 중에서도, 착체의 안정성, 분광 특성, 내열, 내광성, 및 제조 적성 등의 관점에서, Fe, Zn, Mg, Si, Pt, Pd, Mo, Mn, Cu, Ni, Co, TiO, 또는 VO가 바람직하고, Zn, Mg, Si, Pt, Pd, Cu, Ni, Co, 또는 VO가 더 바람직하며, Zn이 특히 바람직하다.
다음으로, 일반식 (M)으로 나타나는 화합물의 본 발명에 있어서의 특정 착체의 더 바람직한 범위에 대하여 설명한다.
본 발명에 있어서의 특정 착체의 바람직한 범위는, 일반식 (M)에 있어서, R4 및 R9가, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기, 실릴기, 하이드록실기, 사이아노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실기, 알콕시카보닐기, 카바모일기, 아미노기, 아닐리노기, 헤테로환 아미노기, 카본아마이드기, 유레이드기, 이미드기, 알콕시카보닐아미노기, 아릴옥시카보닐아미노기, 설폰아마이드기, 아조기, 알킬싸이오기, 아릴싸이오기, 헤테로환 싸이오기, 알킬설폰일기, 아릴설폰일기, 또는 포스피노일아미노기이고; R5 및 R8이, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기, 하이드록실기, 사이아노기, 나이트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 카바모일기, 이미드기, 알콕시카보닐아미노기, 설폰아마이드기, 아조기, 알킬싸이오기, 아릴싸이오기, 헤테로환 싸이오기, 알킬설폰일기, 아릴설폰일기, 또는 설파모일기이며; R6 및 R7이, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기, 실릴기, 하이드록실기, 사이아노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실기, 알콕시카보닐기, 카바모일기, 아닐리노기, 카본아마이드기, 유레이드기, 이미드기, 알콕시카보닐아미노기, 설폰아마이드기, 아조기, 알킬싸이오기, 아릴싸이오기, 헤테로환 싸이오기, 알킬설폰일기, 아릴설폰일기, 설파모일기, 또는 포스피노일아미노기이고; R10이, 수소 원자, 할로젠 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기이며; 금속 또는 금속 화합물이, Zn, Mg, Si, Pt, Pd, Mo, Mn, Cu, Ni, Co, TiO, 또는 V=O인 범위이다.
본 발명에 있어서의 특정 착체의 보다 바람직한 범위는, 일반식 (M)에 있어서, R4 및 R9가, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기, 사이아노기, 아실기, 알콕시카보닐기, 카바모일기, 아미노기, 헤테로환 아미노기, 카본아마이드기, 유레이드기, 이미드기, 알콕시카보닐아미노기, 아릴옥시카보닐아미노기, 설폰아마이드기, 아조기, 알킬설폰일기, 아릴설폰일기, 또는 포스피노일아미노기이고; R5 및 R8이, 각각 독립적으로, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기, 사이아노기, 나이트로기, 아실기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 카바모일기, 이미드기, 알킬설폰일기, 아릴설폰일기, 또는 설파모일기이며; R6 및 R7이, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기, 사이아노기, 아실기, 알콕시카보닐기, 카바모일기, 카본아마이드기, 유레이드기, 이미드기, 알콕시카보닐아미노기, 설폰아마이드기, 알킬싸이오기, 아릴싸이오기, 헤테로환 싸이오기, 알킬설폰일기, 아릴설폰일기, 또는 설파모일기이고; R10이, 수소 원자, 할로젠 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기이며; 금속 또는 금속 화합물이, Zn, Mg, Si, Pt, Pd, Cu, Ni, Co, 또는 V=O인 범위이다.
본 발명에 있어서의 특정 착체의 특히 바람직한 범위는, 일반식 (M)에 있어서, R4 및 R9가, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 헤테로환기, 아미노기, 헤테로환 아미노기, 카본아마이드기, 유레이드기, 이미드기, 알콕시카보닐아미노기, 설폰아마이드기, 아조기, 알킬설폰일기, 아릴설폰일기, 또는 포스피노일아미노기이고; R5 및 R8이, 각각 독립적으로, 알킬기, 아릴기, 헤테로환기, 사이아노기, 아실기, 알콕시카보닐기, 카바모일기, 알킬설폰일기, 또는 아릴설폰일기이며; R6 및 R7이, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기이고; R10이, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기이며; 금속 또는 금속 화합물이, Zn, Cu, Co, 또는 V=O인 범위이다.
또한, 이하에 상세하게 설명하는 일반식 (7) 또는 일반식 (8)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물도, 다이피로메텐 색소의 특히 바람직한 양태이다.
일반식 (7)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물
색소 구조를 갖는 양이온에 있어서의 색소 구조의 적합한 양태 중 하나는, 하기 일반식 (7)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물에 유래하는 색소 구조이다. 본 발명에서는, 하기 화합물이 양이온 구조를 형성하는데, 예를 들면, 일반식 (7)의 Ma가 아연 등의 금속 양이온 구조를 형성할 수 있다.
[화학식 12]
Figure 112016009345945-pct00012
(일반식 (7) 중, R4~R9는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 1가의 치환기를 나타내고, R10은, 수소 원자, 할로젠 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기를 나타낸다. Ma는, 금속 원자, 또는 금속 화합물을 나타낸다. X1은, Ma에 결합 가능한 기를 나타내고, X2는, Ma의 전하를 중화시키는 기를 나타내며, X1과 X2는, 서로 결합하여 Ma와 함께 5원, 6원, 또는 7원의 환을 형성하고 있어도 된다. 단, R4와 R9가 서로 결합하여 환을 형성하는 경우는 없다.)
또한, 일반식 (7)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물은, 호변이성체를 포함한다.
일반식 (7)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물을, 일반식 (1)로 나타나는 구조 단위에 도입하는 경우의 도입 부위는, 특별히 제한은 없지만, 합성 적합성의 점에서, R4~R9 중 어느 하나의 부위로 도입되는 것이 바람직하고, R4, R6, R7 및 R9 중 어느 하나에 있어서 도입되는 것이 보다 바람직하고, R4 및 R9 중 어느 하나에 있어서 도입되는 것이 더 바람직하다.
색소 구조를 갖는 양이온이, 알칼리 가용성기를 갖는 경우에 있어서, 알칼리 가용성기를 도입하는 방법으로서는, 일반식 (7)에 있어서의 R4~R10, X1 및 X2 중 어느 1개 또는 2개 이상의 치환기에, 알칼리 가용성기를 갖게 하는 방법을 이용할 수 있다. 이들 치환기 중에서도, R4~R9 및 X1 중 어느 하나가 바람직하고, R4, R6, R7 및 R9 중 어느 하나가 보다 바람직하며, R4 및 R9 중 어느 하나가 더 바람직하다.
일반식 (7)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 알칼리 가용성기 이외의 관능기를 갖고 있어도 된다.
일반식 (7) 중의 R4~R9는, 일반식 (M)에 있어서의 R4~R9와 동의이며, 바람직한 양태도 동일하다.
일반식 (7) 중, Ma는, 금속 원자 또는 금속 화합물을 나타낸다. 금속 원자 또는 금속 화합물로서는, 착체를 형성 가능한 금속 원자 또는 금속 화합물이면 어느 것이어도 되고, 2가의 금속 원자, 2가의 금속 산화물, 2가의 금속 수산화물, 또는 2가의 금속 염화물이 포함된다.
예를 들면, Zn, Mg, Si, Sn, Rh, Pt, Pd, Mo, Mn, Pb, Cu, Ni, Co, Fe 등, 및 AlCl, InCl, FeCl, TiCl2, SnCl2, SiCl2, GeCl2 등의 금속 염화물, TiO, V=O 등의 금속 산화물, Si(OH)2 등의 금속 수산화물이 포함된다.
이들 중에서도, 착체의 안정성, 분광 특성, 내열, 내광성, 및 제조 적성 등의 관점에서, 금속 원자 또는 금속 화합물로서, Fe, Zn, Mg, Si, Pt, Pd, Mo, Mn, Cu, Ni, Co, TiO, 및 V=O가 바람직하고, Zn, Mg, Si, Pt, Pd, Cu, Ni, Co, 및 V=O가 보다 바람직하며, Zn, Co, V=O, 및 Cu가 더 바람직하고, Zn이 특히 바람직하다.
또, 일반식 (7) 중, R10은, 수소 원자, 할로젠 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자이다.
일반식 (7) 중, X1은, Ma에 결합 가능한 기이면 어느 것이어도 되고, 구체적으로는, 물, 알코올류(예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올) 등, 추가로 "금속 킬레이트"([1]사카구치 다케이치·우에노 게이헤이 저(1995년 난코도), [2](1996년), [3](1997년) 등)에 기재된 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 제조의 점에서, 물, 카복실산 화합물, 알코올류가 바람직하고, 물, 카복실산 화합물이 보다 바람직하다.
일반식 (7) 중, X2로 나타나는 "Ma의 전하를 중화시키는 기"로서는, 예를 들면, 할로젠 원자, 수산기, 카복실산기, 인산기, 설폰산기 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 제조의 점에서, 할로젠 원자, 수산기, 카복실산기, 설폰산기가 바람직하며, 수산기, 카복실산기가 보다 바람직하다.
일반식 (7) 중, X1과 X2는, 서로 결합하여, Ma와 함께 5원, 6원, 또는 7원의 환을 형성해도 된다. 형성되는 5원, 6원, 및 7원의 환은, 포화환이어도 되고 불포화환이어도 된다. 또, 5원, 6원, 및 7원의 환은, 탄소 원자만으로 구성되어 있어도 되고, 질소 원자, 산소 원자, 또는/및 황 원자로부터 선택되는 원자를 적어도 하나 갖는 헤테로환을 형성하고 있어도 된다.
일반식 (7)로 나타나는 화합물의 바람직한 양태로서는, R4~R9는 각각 독립적으로, R4~R9의 설명에서 기재한 바람직한 양태이고, R10은 R10의 설명에서 기재한 바람직한 양태이며, Ma는 Zn, Cu, Co, 또는 V=O이고, X1은 물, 또는 카복실산 화합물이며, X2는 수산기, 또는 카복실산기이고, X1과 X2가 서로 결합하여 5원 또는 6원환을 형성하고 있어도 된다.
일반식 (8)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물
색소 구조를 갖는 양이온에 있어서의 색소 구조의 적합한 양태 중 하나는, 하기의 일반식 (8)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물에 유래하는 색소 구조이다. 본 발명에서는, 하기 화합물이 양이온 구조를 형성하는데, 예를 들면, 일반식 (8)의 Ma가 아연 등의 금속 양이온 구조를 형성할 수 있다.
[화학식 13]
Figure 112016009345945-pct00013
(일반식 (8) 중, R11 및 R16은, 각각 독립적으로, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 또는 헤테로환 아미노기를 나타낸다. R12~R15는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환기를 나타낸다. R17은, 수소 원자, 할로젠 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기를 나타낸다. Ma는, 금속 원자, 또는 금속 화합물을 나타낸다. X2 및 X3은, 각각 독립적으로, NR(R은 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기, 아실기, 알킬설폰일기, 또는 아릴설폰일기를 나타냄), 질소 원자, 산소 원자, 또는 황 원자를 나타낸다. Y1 및 Y2는, 각각 독립적으로, NRc(Rc는 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기, 아실기, 알킬설폰일기, 또는 아릴설폰일기를 나타냄), 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다. R11과 Y1은, 서로 결합하여 5원, 6원, 또는 7원의 환을 형성하고 있어도 되고, R16과 Y2는, 서로 결합하여 5원, 6원, 또는 7원의 환을 형성하고 있어도 된다. X1은 Ma와 결합 가능한 기를 나타내고, a는 0, 1, 또는 2를 나타낸다.)
또한, 일반식 (8)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물은, 호변이성체를 포함한다.
일반식 (8)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물을 일반식 (1)로 나타나는 구조 단위에 도입하는 부위는, 본 발명의 효과를 저해시키지 않으면 특별히 한정되지 않지만, R11~R17, X1, Y1~Y2 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 합성 적합성의 점에서, R11~R16 및 X1 중 어느 하나에 있어서 도입되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, R11, R13, R14 및 R16 중 어느 하나에 있어서 도입되는 양태이며, 더 바람직하게는, R11 및 R16 중 어느 하나에 있어서 도입되는 양태이다.
색소 구조를 갖는 양이온이, 알칼리 가용성기를 갖는 경우, 일반식 (8)에 있어서의 R11~R17, X1, Y1~Y2 중 어느 1개 또는 2개 이상의 치환기에 알칼리 가용성기를 갖게 하는 방법을 이용할 수 있다. 이들 치환기 중에서도, R11~R16 및 X1 중 어느 하나가 바람직하고, R11, R13, R14 및 R16 중 어느 하나가 보다 바람직하며, R11 및 R16 중 어느 하나가 더 바람직하다.
일반식 (8)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 알칼리 가용성기 이외의 관능기를 갖고 있어도 된다.
일반식 (8)에 있어서, R12~R15는, 일반식 (M) 중의 R5~R8과 동의이며, 바람직한 양태도 동일하다. R17은, 일반식 (M) 중의 R10과 동의이며, 바람직한 양태도 동일하다. Ma는, 일반식 (7) 중의 Ma와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.
보다 상세하게는, 일반식 (8)에 있어서의 R12~R15 중, R12 및 R15로서는, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 카바모일기, 알킬설폰일기, 아릴설폰일기, 나이트릴기, 이미드기, 또는 카바모일설폰일기가 바람직하고, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 카바모일기, 알킬설폰일기, 나이트릴기, 이미드기, 카바모일설폰일기가 보다 바람직하며, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 카바모일기, 나이트릴기, 이미드기, 카바모일설폰일기가 더 바람직하고, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 카바모일기가 특히 바람직하다.
R13 및 R14로서는, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 치환 또는 무치환의 헤테로환기가 바람직하고, 더 바람직하게는 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기이다. 여기에서, 보다 바람직한 알킬기, 아릴기, 및 헤테로환기의 구체예는, 일반식 (M)의 R6 및 R7에 있어서 열기한 구체예를 동일하게 들 수 있다.
일반식 (8) 중, R11 및 R16은, 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~36, 보다 바람직하게는 탄소수 1~12의 직쇄, 분기쇄, 또는 환상의 알킬기이고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 도데실기, 사이클로프로필기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 1-아다만틸기), 알켄일기(바람직하게는 탄소수 2~24, 보다 바람직하게는 탄소수 2~12의 알켄일기이고, 예를 들면, 바이닐기, 알릴기, 3-뷰텐-1-일기), 아릴기(바람직하게는 탄소수 6~36, 보다 바람직하게는 탄소수 6~18의 아릴기이고, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기), 헤테로환기(바람직하게는 탄소수 1~24, 보다 바람직하게는 탄소수 1~12의 헤테로환기이고, 예를 들면, 2-싸이엔일기, 4-피리딜기, 2-퓨릴기, 2-피리미딘일기, 2-피리딜기, 2-벤조싸이아졸일기, 1-이미다졸일기, 1-피라졸일기, 벤조트라이아졸-1-일기), 알콕시기(바람직하게는 탄소수 1~36, 보다 바람직하게는 탄소수 1~18의 알콕시기이고, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 뷰톡시기, 헥실옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 도데실옥시기, 사이클로헥실옥시기), 아릴옥시기(바람직하게는 탄소수 6~24, 보다 바람직하게는 탄소수 1~18의 아릴옥시기이고, 예를 들면, 페녹시기, 나프틸옥시기), 알킬아미노기(바람직하게는 탄소수 1~36, 보다 바람직하게는 탄소수 1~18의 알킬아미노기이고, 예를 들면, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 프로필아미노기, 뷰틸아미노기, 헥실아미노기, 2-에틸헥실아미노기, 아이소프로필아미노기, tert-뷰틸아미노기, tert-옥틸아미노기, 사이클로헥실아미노기, N,N-다이에틸아미노기, N,N-다이프로필아미노기, N,N-다이뷰틸아미노기, N-메틸-N-에틸아미노기), 아릴아미노기(바람직하게는 탄소수 6~36, 보다 바람직하게는 탄소수 6~18의 아릴아미노기이고, 예를 들면, 페닐아미노기, 나프틸아미노기, N,N-다이페닐아미노기, N-에틸-N-페닐아미노기), 또는 헤테로환 아미노기(바람직하게는 탄소수 1~24, 보다 바람직하게는 탄소수 1~12의 헤테로환 아미노기이고, 예를 들면, 2-아미노피롤기, 3-아미노피라졸, 2-아미노피리딘기, 3-아미노피리딘기)를 나타낸다.
R11 및 R16으로서는, 상기 중에서도, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 헤테로환 아미노기가 바람직하고, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기가 보다 바람직하며, 알킬기, 알켄일기, 아릴기가 더 바람직하고, 알킬기가 특히 바람직하다.
일반식 (8) 중, R11 및 R16으로 나타나는 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로환기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 또는 헤테로환 아미노기가, 추가로 치환 가능한 기인 경우에는, 후술하는 치환기군 A의 항에서 설명한 치환기로 치환되어 있어도 되고, 2개 이상의 치환기로 치환되어 있는 경우에는, 그들 치환기는 동일해도 되고 상이해도 된다.
일반식 (8) 중, X2 및 X3은, 각각 독립적으로, NR, 질소 원자, 산소 원자, 또는 황 원자를 나타낸다. 여기에서, R은, 수소 원자, 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~36, 보다 바람직하게는 탄소수 1~12의 직쇄, 분기쇄, 또는 환상의 알킬기이고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 도데실기, 사이클로프로필기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 1-아다만틸기), 알켄일기(바람직하게는 탄소수 2~24, 보다 바람직하게는 탄소수 2~12의 알켄일기이고, 예를 들면, 바이닐기, 알릴기, 3-뷰텐-1-일기), 아릴기(바람직하게는 탄소수 6~36, 보다 바람직하게는 탄소수 6~18의 아릴기이고, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기), 헤테로환기(바람직하게는 탄소수 1~24, 보다 바람직하게는 탄소수 1~12의 헤테로환기이고, 예를 들면, 2-싸이엔일기, 4-피리딜기, 2-퓨릴기, 2-피리미딘일기, 1-피리딜기, 2-벤조싸이아졸일기, 1-이미다졸일기, 1-피라졸일기, 벤조트라이아졸-1-일기), 아실기(바람직하게는 탄소수 1~24, 보다 바람직하게는 탄소수 2~18의 아실기이고, 예를 들면, 아세틸기, 피발로일기, 2-에틸헥실기, 벤조일기, 사이클로헥산오일기), 알킬설폰일기(바람직하게는 탄소수 1~24, 보다 바람직하게는 탄소수 1~18의 알킬설폰일기이고, 예를 들면, 메틸설폰일기, 에틸설폰일기, 아이소프로필설폰일기, 사이클로헥실설폰일기), 아릴설폰일기(바람직하게는 탄소수 6~24, 보다 바람직하게는 탄소수 6~18의 아릴설폰일기이고, 예를 들면, 페닐설폰일기, 나프틸설폰일기)를 나타낸다.
일반식 (8) 중, Y1 및 Y2는, 각각 독립적으로, NRC, 질소 원자, 또는 탄소 원자를 나타내고, RC는, X2 및 X3의 R과 동의이며, 바람직한 양태도 동일하다.
일반식 (8) 중, R11과 Y1은, 서로 결합하여 탄소 원자와 함께 5원환(예를 들면, 사이클로펜테인환, 피롤리딘환, 테트라하이드로퓨란환, 다이옥솔레인환, 테트라하이드로싸이오펜환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 인돌환, 벤조퓨란환, 벤조싸이오펜환), 6원환(예를 들면, 사이클로헥세인환, 피페리딘환, 피페라진환, 모폴린환, 테트라하이드로피란환, 다이옥세인환, 펜타메틸렌설파이드환, 다이싸이안환, 벤젠환, 피리다진환, 퀴놀린환, 퀴나졸린환), 또는 7원환(예를 들면, 사이클로헵테인환, 헥사메틸렌이민환)을 형성해도 된다.
일반식 (8) 중, R16과 Y2는, 서로 결합하여 탄소 원자와 함께 5원환(예를 들면, 사이클로펜테인환, 피롤리딘환, 테트라하이드로퓨란환, 다이옥솔레인환, 테트라하이드로싸이오펜환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 인돌환, 벤조퓨란환, 벤조싸이오펜환), 6원환(예를 들면, 사이클로헥세인환, 피페리딘환, 피페라진환, 모폴린환, 테트라하이드로피란환, 다이옥세인환, 펜타메틸렌설파이드환, 다이싸이안환, 벤젠환, 피리다진환, 퀴놀린환, 퀴나졸린환), 또는 7원환(예를 들면, 사이클로헵테인환, 헥사메틸렌이민환)을 형성해도 된다.
일반식 (8) 중, R11과 Y1, 및 R16과 Y2가 결합하여 형성되는 5원, 6원, 및 7원의 환이, 치환 가능한 환인 경우에는, 후술하는 치환기군 A의 항에서 설명한 치환기로 치환되어 있어도 되고, 2개 이상의 치환기로 치환되어 있는 경우에는, 그들 치환기는 동일해도 되고 상이해도 된다.
일반식 (8) 중, R11 및 R16은, 각각 독립적으로, 입체 파라미터인 -Es'값이 1.5 이상인 1가의 치환기인 것이 바람직하고, 2.0 이상인 것이 보다 바람직하며, 3.5 이상인 것이 더 바람직하고, 5.0 이상인 것이 특히 바람직하다.
여기에서, 입체 파라미터 -Es'값은, 치환기의 입체적 벌키성을 나타내는 파라미터이며, 문헌(J. A. Macphee, et al, Tetrahedron, Vol. 34, pp3553~3562, 후지타 도시오 편 화학 증간 107 구조 활성 상관과 드러그 디자인, 1986년 2월 20일 발행(가가쿠도진))에 나타나 있는 -Es'값을 이용한다.
일반식 (8) 중, X1은 Ma와 결합 가능한 기를 나타내고, 구체적으로는, 일반식 (7)에 있어서의 X1과 동일한 기를 들 수 있으며, 바람직한 양태도 동일하다.
a는 0, 1, 또는 2를 나타낸다.
일반식 (8)로 나타나는 화합물의 바람직한 양태로서는, R12~R15는, 각각 독립적으로, 일반식 (M) 중의 R5~R8의 설명에서 기재한 바람직한 양태이고, R17은 일반식 (M) 중의 R10의 설명에서 기재한 바람직한 양태이며, Ma는 Zn, Cu, Co, 또는 V=O이고, X2는 NR(R은 수소 원자, 알킬기), 질소 원자, 또는 산소 원자이며, X3은 NR(R은 수소 원자, 알킬기), 또는 산소 원자이고, Y1은 NRC(RC는 수소 원자, 알킬기), 질소 원자, 또는 탄소 원자이며, Y2는 질소 원자, 또는 탄소 원자이고, R11 및 R16은 각각 독립적으로, 알킬기, 아릴기, 헤테로환기, 알콕시기, 또는 알킬아미노기이며, X1은 산소 원자를 통하여 결합하는 기이고, a는 0 또는 1이다. R11과 Y1이 서로 결합하여 5원 또는 6원환을 형성하거나, 또는 R16과 Y2가 서로 결합하여 5원, 6원환을 형성하고 있어도 된다.
일반식 (8)로 나타나는 화합물의 더 바람직한 양태로서는, R12~R15는 각각 독립적으로, 일반식 (M)으로 나타나는 화합물에 있어서의 R5~R8의 설명에서 기재한 바람직한 양태이고, R17은 일반식 (M) 중의 R10의 설명에서 기재한 바람직한 양태이며, Ma는 Zn이고, X2 및 X3은, 산소 원자이며, Y1은 NH이고, Y2는 질소 원자이며, R11 및 R16은 각각 독립적으로, 알킬기, 아릴기, 헤테로환기, 알콕시기, 또는 알킬아미노기이고, X1은 산소 원자를 통하여 결합하는 기이며, a는 0 또는 1이다. R11과 Y1이 서로 결합하여 5원 또는 6원환을 형성하거나, 또는 R16과 Y2가 서로 결합하여 5원, 6원환을 형성하고 있어도 된다.
일반식 (7) 및 일반식 (8)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물의 몰 흡광 계수는, 착색력의 관점에서, 가능한 한 높은 편이 바람직하다. 또, 최대 흡수 파장 λmax는, 색순도 향상의 관점에서, 520nm~580nm가 바람직하고, 530nm~570nm가 더 바람직하다. 이 영역에 있음으로써, 본 발명의 착색 조성물을 이용하여, 색재현성이 양호한 컬러 필터를 제작할 수 있다.
또한, 다이피로메텐 색소에 유래하는 색소 구조를 갖는 색소는, 450nm에 있어서의 흡광도에 대하여, 최대 흡수 파장(λmax)의 흡광도가 1,000배 이상인 것이 바람직하고, 10,000배 이상인 것이 보다 바람직하며, 100,000배 이상인 것이 더 바람직하다. 이 비율이 이 범위에 있음으로써, 본 발명의 착색 조성물을 이용하여, 특히 청색 컬러 필터를 제작하는 경우에, 보다 투과율이 높은 컬러 필터를 형성할 수 있다. 또한, 최대 흡수 파장, 및 몰 흡광 계수는, 분광 광도계 cary5(배리언사제)에 의하여 측정되는 것이다.
일반식 (7) 및 일반식 (8)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물의 융점은, 용해성의 관점에서, 너무 높지 않은 편이 좋다.
일반식 (7) 및 일반식 (8)로 나타나는 다이피로메텐 금속 착체 화합물은, 미국 특허공보 제4,774,339호, 동 제5,433,896호, 일본 공개특허공보 2001-240761호, 동 2002-155052호, 일본 특허공보 제3614586호, Aust. J. Chem, 1965, 11, 1835-1845, J. H. Boger et al, Heteroatom Chemistry, Vol. 1, No. 5, 389(1990) 등에 기재된 방법으로 합성할 수 있다. 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2008-292970호의 단락 0131~0157에 기재된 방법을 적용할 수 있다.
이하에 다이피로메텐 색소의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 식 중, X는, 저구핵 음이온을 나타낸다.
[화학식 14]
Figure 112016009345945-pct00014
상기 구체예 중, 색특성 및 내열성의 관점에서, 특히 (PM-8) 및 (PM-10)이 바람직하다.
<<<카보늄 색소>>>
카보늄 색소 중에서도, 트라이아릴메테인 색소, 잔텐 색소가 바람직하다.
트라이아릴메테인 색소
본 발명에 관한 색소 구조를 갖는 양이온의 양태 중 하나는, 트라이아릴메테인 색소(트라이아릴메테인 화합물)에 유래하는 부분 구조를 갖는 것이다. 색소로서는, 하기 일반식 (TP)로 나타나는 화합물(트라이아릴메테인 화합물)에 유래하는 부분 구조를, 색소 구조로서 갖는다. 본 발명에 있어서 트라이아릴메테인 화합물이란, 분자 내에 트라이아릴메테인 골격을 포함하는 색소 구조를 갖는 화합물을 총칭하는 것이다.
일반식 (TP)
[화학식 15]
Figure 112016009345945-pct00015
(일반식 (TP) 중, Rtp1~Rtp4는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Rtp5는, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 NRtp9Rtp10(Rtp9 및 Rtp10은 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타냄)을 나타낸다. Rtp6, Rtp7 및 Rtp8은, 치환기를 나타낸다. a, b 및 c는, 0~4의 정수를 나타낸다. a, b 및 c가 2 이상인 경우, Rtp6, Rtp7 및 Rtp8은, 각각 연결하여 환을 형성해도 된다. X-는 음이온 구조를 나타낸다.)
Rtp1~Rtp6으로서, 바람직하게는 수소 원자, 탄소수 1~5의 직쇄 또는 분기의 알킬기 및 페닐기가 바람직하다. Rtp5는 수소 원자 또는 NRtp9Rtp10이 바람직하고, NRtp9Rtp10인 것이 특히 바람직하다. Rtp9 및 Rtp10은 수소 원자, 탄소수 1~5의 직쇄 혹은 분기의 알킬기 또는 페닐기가 바람직하다. Rtp6, Rtp7 및 Rtp8이 나타내는 치환기는, 후술하는 치환기군 A의 항에서 예로 든 치환기를 이용할 수 있는데, 특히, 탄소수 1~5의 직쇄 혹은 분기의 알킬기, 탄소수 1~5의 알켄일기, 탄소수 6~15의 아릴기, 카복실기 또는 설포기가 바람직하고, 탄소수 1~5의 직쇄 혹은 분기의 알킬기, 탄소수 1~5의 알켄일기, 페닐기 또는 카복실기가 더 바람직하다. 특히, Rtp6, Rtp8은, 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하고, Rtp7은 알켄일기(특히 인접한 2개의 알켄일기가 연결된 페닐기가 바람직함), 페닐기 또는 카복실기가 바람직하다.
a, b 또는 c는, 각각 독립적으로 0~4의 정수를 나타낸다. 특히 a 및 b는, 각각, 0 또는 1이 바람직하고, c는 0~2의 정수가 바람직하다.
하기에 일반식 (TP)로 나타나는 화합물의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. X는, 저구핵 음이온을 나타낸다(이하, 특별히 설명하지 않는 한 동일).
[화학식 16]
Figure 112016009345945-pct00016
[화학식 17]
Figure 112016009345945-pct00017
상기 구체예 중, 색특성 및 내열성의 관점에서, 특히 (tp-4), (tp-5), (tp-6) 및 (tp-8)이 바람직하다.
잔텐 색소
본 발명에 있어서의 색소 구조를 갖는 양이온의 바람직한 양태는, 잔텐 색소(잔텐 화합물)에 유래하는 부분 구조를 갖는 것이다. 색소로서는, 하기 일반식 (J)로 나타나는 잔텐 화합물에 유래하는 부분 구조를, 색소 구조로서 갖는다.
[화학식 18]
Figure 112016009345945-pct00018
(일반식 (J) 중, R81, R82, R83 및 R84는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고, R85는, 각각 독립적으로 1가의 치환기를 나타내며, m은, 0~5의 정수를 나타낸다. X-는, 음이온 구조를 나타낸다.)
일반식 (J)에 있어서의 R81~R84 및 R85가 취할 수 있는 치환기는, 후술하는 치환기군 A의 항에서 예로 든 치환기와 동일하다.
일반식 (J) 중의 R81과 R82, R83과 R84, 및 m이 2 이상인 경우의 R85끼리는, 각각 독립적으로, 서로 결합하여 5원, 6원 혹은 7원의 포화환, 또는 5원, 6원 혹은 7원의 불포화환을 형성하고 있어도 된다. 형성되는 5원, 6원 또는 7원의 환이, 추가로 치환 가능한 기인 경우에는, R81~R85로 설명한 치환기로 치환되어 있어도 되고, 2개 이상의 치환기로 치환되어 있는 경우에는, 그들 치환기는 동일해도 되고 상이해도 된다.
상기 일반식 (J) 중의 R81과 R82, R83과 R84, 및 m이 2 이상인 경우의 R85끼리는, 각각 독립적으로, 서로 결합하여, 치환기를 갖지 않는 5원, 6원 및 7원의 포화환 또는 5원, 6원 및 7원의 불포화환을 형성하는 경우, 치환기를 갖지 않는 5원, 6원 및 7원의 포화환 또는 5원, 6원 및 7원의 불포화환으로서는, 예를 들면, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 피라졸환, 이미다졸환, 트라이아졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피롤리딘환, 피페리딘환, 사이클로펜텐환, 사이클로헥센환, 벤젠환, 피리딘환, 피라진환, 피리다진환을 들 수 있고, 바람직하게는, 벤젠환, 피리딘환을 들 수 있다.
특히, R82 및 R83은 수소 원자 또는 치환 또는 무치환의 알킬기이고, R81 및 R84는 치환 또는 무치환의 알킬기 또는 페닐기인 것이 바람직하다. 또, R85는 할로젠 원자, 탄소수 1~5의 직쇄 또는 분기의 알킬기, 설포기, 설폰아마이드기, 카복실기, 아마이드기인 것이 바람직하고, 설포기, 설폰아마이드기, 카복실기, 아마이드기인 것이 더 바람직하다. R85는 잔텐환과 연결된 탄소의 인접부에 결합하는 것이 바람직하다. R81 및 R84의 페닐기가 갖는 치환기는, 수소 원자, 할로젠 원자, 탄소수 1~5의 직쇄 또는 분기의 알킬기, 설포기, 설폰아마이드기, 카복실기인 것이 특히 바람직하다.
일반식 (J)로 나타나는 잔텐 골격을 갖는 화합물은, 문헌에 기재된 방법으로 합성할 수 있다. 구체적으로는, 테트라헤드론 레터스, 2003년, vol. 44, No. 23, 4355~4360페이지, 테트라헤드론, 2005년, vol. 61, No. 12, 3097~3106페이지 등에 기재된 방법을 적용할 수 있다.
이하에 잔텐 화합물의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 19]
Figure 112016009345945-pct00019
[화학식 20]
Figure 112016009345945-pct00020
<<<사이아닌 색소>>>
본 발명에 관한 색소 구조를 갖는 양이온의 양태 중 하나는, 사이아닌 색소(사이아닌 화합물)에 유래하는 부분 구조를 갖는 것이다. 색소로서는, 하기 일반식 (PM)으로 나타나는 화합물(사이아닌 화합물)에 유래하는 부분 구조를, 색소 구조로서 갖는 색소가 포함된다. 본 발명에 있어서 사이아닌 화합물이란, 분자 내에 사이아닌 골격을 포함하는 색소 구조를 갖는 화합물을 총칭하는 것이다.
[화학식 21]
Figure 112016009345945-pct00021
(일반식 (PM) 중, 환 Z1 및 환 Z2는, 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 복소환을 나타낸다. l은 0 이상 3 이하의 정수를 나타낸다. X-는 음이온 구조를 나타낸다.)
환 Z1 및 환 Z2는, 각각 독립적으로, 옥사졸, 벤조옥사졸, 옥사졸린, 싸이아졸, 싸이아졸린, 벤조싸이아졸, 인돌레닌, 벤조인돌레닌, 1,3-싸이아다이아진 등을 들 수 있다.
환 Z1 및 환 Z2가 취할 수 있는 치환기는, 후술하는 치환기군 A의 항에서 예로 든 치환기와 동일하다. X-는 비구핵성의 저구핵 음이온을 나타낸다.
일반식 (PM)으로 나타나는 화합물은, 하기 일반식 (PM-2)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.
일반식 (PM-2)
[화학식 22]
Figure 112016009345945-pct00022
(일반식 (PM-2) 중, 환 Z5 및 환 Z6은, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 벤젠환 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 나프탈렌환을 나타낸다.)
X-는, 저구핵 음이온 구조를 나타낸다.
n은, 0 이상 3 이하의 정수를 나타낸다.
A1 및 A2는, 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자, 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다.
R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 1가의 탄소수 1~20의 지방족 탄화 수소기를 나타낸다.
R3 및 R4는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 탄소수 1~6의 지방족 탄화 수소기를 나타내거나, 1개의 R3과 1개의 R4가 함께 형성된 2가의 탄소수 2~6의 지방족 탄화 수소기를 나타낸다.
a 및 b는, 각각 독립적으로, 0 이상 2 이하의 정수를 나타낸다.
이하에, 사이아닌 화합물의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. X는, 저구핵 음이온을 나타낸다.
[화학식 23]
Figure 112016009345945-pct00023
상기 구체예 중, (pm-1)~(pm-6) 및 (pm-9)로 나타나는 구조가 바람직하고, 그 중에서도, 색특성 및 내열성의 관점에서, (pm-1) 및 (pm-2)로 나타나는 색소 구조가 특히 바람직하다.
<<<서브프탈로사이아닌 색소>>>
본 발명에 관한 색소 구조를 갖는 양이온의 양태 중 하나는, 서브프탈로사이아닌 색소 구조를 갖는 것이다. 색소로서는, 하기 일반식 (SP)로 나타나는 서브프탈로사이아닌 색소 구조를, 색소 구조로서 갖는 색소가 포함된다. 본 발명에 있어서 서브프탈로사이아닌 색소란, 분자 내에 서브프탈로사이아닌 골격을 포함하는 색소 구조를 갖는 화합물을 총칭하는 것이다. 본 발명에서는, 하기 화합물이 양이온 구조를 형성하는데, 예를 들면, 일반식 (SP)의 붕소 원자가 양이온 구조를 형성할 수 있다.
[화학식 24]
Figure 112016009345945-pct00024
(일반식 (SP) 중, Z1~Z12는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 하이드록시기, 머캅토기, 아미노기, 알콕시기, 아릴옥시기, 싸이오에터기를 나타낸다. X는 비구핵성의 저구핵 음이온이다.)
일반식 (SP)를 상세하게 설명한다.
일반식 (SP) 중의 Z1~Z12가 갖고 있어도 되는 알킬기는 직쇄 또는 분기의 치환 또는 무치환의 알킬기를 나타낸다. Z1~Z12로서는, 특히, 탄소수 1~20이 바람직하고, 탄소수 1~10이 더 바람직하다. Z1~Z12가 갖고 있어도 되는 치환기로서는 후술하는 치환기군 A의 항에서 예로 든 치환기를 들 수 있는데, 특히 불소 원자, 하이드록시기 및 머캅토기가 바람직하다.
이하에 서브프탈로사이아닌 색소의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 25]
Figure 112016009345945-pct00025
상기 구체예 중, 색특성 및 내열성의 관점에서, 특히 (SP-2), (SP-3), (SP-4), (SP-5), (SP-6) 및 (SP-7)이 바람직하다.
본 발명에 관한 색소 구조를 갖는 양이온은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 색소 구조 중의 수소 원자가 하기 치환기군 A로부터 선택된 치환기에 의하여 치환되어 있어도 된다.
<<스쿠아릴륨 색소>>
본 발명에서 이용하는 색소 구조를 갖는 양이온은, 스쿠아릴륨 색소 구조를 갖고 있어도 된다. 스쿠아릴륨 색소로서는, 하기 일반식 (K)로 나타나는 색소가 바람직하다.
[화학식 26]
Figure 112016009345945-pct00026
(식 중, A 및 D는, 각각 독립적으로 아릴기 또는 헤테로환기를 나타내고, R은, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. X-는 저구핵 음이온 구조를 나타낸다.)
일반식 (K) 중, A 및 D는, 각각 독립적으로, 아릴기 또는 헤테로환기를 나타내고, D는, 양이온 구조로 되어 있다. 아릴기로서는, 바람직하게는 탄소수 6~48, 보다 바람직하게는 6~24의 아릴기이고, 예를 들면, 페닐, 나프틸 등을 들 수 있다. 헤테로환기로서는 5원환 또는 6원환의 헤테로환기가 바람직하고, 예를 들면 피로일, 이미다조일, 피라조일, 싸이엔일, 피리딜, 피리미딜, 피리다질, 트라이아졸-1-일, 싸이엔일, 퓨릴, 싸이아다이아조일 등을 들 수 있다. A 및 B는, 아릴기와 헤테로환기의 축합환이어도 된다.
R은, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 알킬기로서는, 바람직하게는 탄소수 1~36, 보다 바람직하게는 탄소수 1~12의 직쇄, 분기쇄, 또는 환상의 알킬기이고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 도데실기, 사이클로프로필기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 1-아다만틸기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는, 바람직하게는 탄소수 6~36, 보다 바람직하게는 탄소수 6~18의 아릴기이고, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.
일반식 (K)로 나타나는 화합물로서는, 특히 하기 일반식 (K-1), 또는 일반식 (K-2)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.
일반식 (K-1)
[화학식 27]
Figure 112016009345945-pct00027
(일반식 (K-1) 중, M1, M2, M3 및 M4는, 각각 독립적으로 산소 원자, 황 원자, 또는 질소 원자를 나타내고, R, R1, 및 R2는, 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. X-는 저구핵 음이온 구조를 나타낸다.)
일반식 (K-1) 중, M1, M2, M3 및 M4는, 각각 독립적으로 산소 원자, 황 원자, 또는 질소 원자를 나타내고, 황 원자, 질소 원자가 바람직하다. M1 및 M3은 동일한 원자인 것이 바람직하고, M2 및 M4는 동일한 원자인 것이 바람직하다.
일반식 (K-1) 중의 R, R1, 및 R2는, 일반식 (K) 중의 R과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (K-2)
[화학식 28]
Figure 112016009345945-pct00028
(일반식 (K-2) 중, M5 및 M6은, 각각 독립적으로 산소 원자, 황 원자, 또는 질소 원자를 나타내고, R, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은, 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. X-는 저구핵 음이온 구조를 나타낸다.)
일반식 (K-2) 중, M5 및 M6은, 일반식 (K-1) 중의 M1~M4와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다. M5 및 M6은 동일한 원자인 것이 바람직하다.
일반식 (K-2) 중의 R, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은, 일반식 (K) 중의 R과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (K-1)로 나타나는 화합물로서는, 하기 일반식 (K-3)으로 나타나는 화합물인 것이 바람직하고, 일반식 (K-2)로 나타나는 화합물로서는, 일반식 (K-4)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.
일반식 (K-3)
[화학식 29]
Figure 112016009345945-pct00029
(일반식 (K-3) 중, R, R1, 및 R2는, 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. X-는 저구핵 음이온 구조를 나타낸다.)
일반식 (K-3) 중의 R, R1, 및 R2는, 일반식 (K) 중의 R과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (K-4)
[화학식 30]
Figure 112016009345945-pct00030
(일반식 (K-4) 중, R, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은, 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. X-는 저구핵 음이온 구조를 나타낸다.)
일반식 (K-4) 중의 R, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은, 일반식 (K) 중의 R과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.
하기에 일반식 (K)로 나타나는 스쿠아릴륨 화합물의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. X-는 저구핵 음이온 구조를 나타낸다.
[화학식 31]
Figure 112016009345945-pct00031
본 발명에 관한 색소는, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 색소 구조 중의 수소 원자가 하기 치환기군 A로부터 선택된 치환기에 의하여 치환되어 있어도 된다.
치환기군 A:
색소가 가져도 되는 치환기로서는, 할로젠 원자, 알킬기, 사이클로알킬기, 알켄일기, 사이클로알켄일기, 알카인일기, 아릴기, 헤테로환기, 사이아노기, 하이드록실기, 나이트로기, 카복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카바모일옥시기, 아미노기(알킬아미노기, 아닐리노기를 포함함), 아실아미노기, 아미노카보닐아미노기, 알콕시카보닐아미노기, 아릴옥시카보닐아미노기, 설파모일아미노기, 알킬 또는 아릴설폰일아미노기, 머캅토기, 알킬싸이오기, 아릴싸이오기, 헤테로환 싸이오기, 설파모일기, 설포기, 알킬 또는 아릴설핀일기, 알킬 또는 아릴설폰일기, 아실기, 아릴옥시카보닐기, 알콕시카보닐기, 카바모일기, 아릴 또는 헤테로환 아조기, 이미드기, 포스피노기, 포스핀일기, 포스핀일옥시기, 포스핀일아미노기, 실릴기 등을 들 수 있다. 이하 상세하게 설명한다.
할로젠 원자(예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자), 직쇄 혹은 분기의 알킬기(직쇄 또는 분기의 치환 혹은 무치환의 알킬기이고, 바람직하게는 탄소수 1~30의 알킬기이며, 예를 들면 메틸, 에틸, n-프로필, 아이소프로필, tert-뷰틸, n-옥틸, 2-클로로에틸, 2-사이아노에틸, 2-에틸헥실), 사이클로알킬기(바람직하게는, 탄소수 3~30의 치환 또는 무치환의 사이클로알킬기, 예를 들면, 사이클로헥실, 사이클로펜틸을 들 수 있고, 다사이클로알킬기, 예를 들면, 바이사이클로알킬기(바람직하게는, 탄소수 5~30의 치환 혹은 무치환의 바이사이클로알킬기이고, 예를 들면, 바이사이클로[1,2,2]헵테인-2-일, 바이사이클로[2,2,2]옥테인-3-일)나 트라이사이클로알킬기 등의 다환 구조의 기를 들 수 있다. 보다 바람직하게는 단환의 사이클로알킬기, 바이사이클로알킬기이며, 단환의 사이클로알킬기가 특히 바람직하다.),
직쇄 혹은 분기의 알켄일기(직쇄 또는 분기의 치환 혹은 무치환의 알켄일기이고, 바람직하게는 탄소수 2~30의 알켄일기이며, 예를 들면, 바이닐, 알릴, 프레닐, 제라닐, 올레일), 사이클로알켄일기(바람직하게는, 탄소수 3~30의 치환 혹은 무치환의 사이클로알켄일기이고, 예를 들면, 2-사이클로펜텐-1-일, 2-사이클로헥센-1-일을 들 수 있으며, 다사이클로알켄일기, 예를 들면, 바이사이클로알켄일기(바람직하게는, 탄소수 5~30의 치환 혹은 무치환의 바이사이클로알켄일기이고, 예를 들면, 바이사이클로[2,2,1]헵토-2-엔-1-일, 바이사이클로[2,2,2]옥토-2-엔-4-일)나 트라이사이클로알켄일기이며, 단환의 사이클로알켄일기가 특히 바람직함), 알카인일기(바람직하게는, 탄소수 2~30의 치환 또는 무치환의 알카인일기, 예를 들면, 에타인일, 프로파길, 트라이메틸실릴에타인일기),
아릴기(바람직하게는 탄소수 6~30의 치환 혹은 무치환의 아릴기이고, 예를 들면 페닐, p-톨릴, 나프틸, m-클로로페닐, o-헥사데칸오일아미노페닐), 헤테로환기(바람직하게는 5~7원의 치환 혹은 무치환, 포화 혹은 불포화, 방향족 혹은 비방향족, 단환 혹은 축환의 헤테로환기이고, 보다 바람직하게는, 환 구성 원자가 탄소 원자, 질소 원자 및 황 원자로부터 선택되며, 또한 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자 중 어느 하나의 헤테로 원자를 적어도 하나 갖는 헤테로환기이고, 더 바람직하게는, 탄소수 3~30의 5 혹은 6원의 방향족의 헤테로환기이다. 예를 들면, 2-퓨릴, 2-싸이엔일, 2-피리딜, 4-피리딜, 2-피리미딘일, 2-벤조싸이아졸일), 사이아노기, 하이드록실기, 나이트로기, 카복실기,
알콕시기(바람직하게는, 탄소수 1~30의 치환 혹은 무치환의 알콕시기이고, 예를 들면, 메톡시, 에톡시, 아이소프로폭시, tert-뷰톡시, n-옥틸옥시, 2-메톡시에톡시), 아릴옥시기(바람직하게는, 탄소수 6~30의 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기이고, 예를 들면, 페녹시, 2-메틸페녹시, 2,4-다이-tert-아밀페녹시, 4-tert-뷰틸페녹시, 3-나이트로페녹시, 2-테트라데칸오일아미노페녹시), 실릴옥시기(바람직하게는, 탄소수 3~20의 실릴옥시기이고, 예를 들면, 트라이메틸실릴옥시, tert-뷰틸다이메틸실릴옥시), 헤테로환 옥시기(바람직하게는, 탄소수 2~30의 치환 혹은 무치환의 헤테로환 옥시기이고, 헤테로환부는 상술한 헤테로환기로 설명된 헤테로환부가 바람직하며, 예를 들면, 1-페닐테트라졸-5-옥시, 2-테트라하이드로피란일옥시),
아실옥시기(바람직하게는 폼일옥시기, 탄소수 2~30의 치환 혹은 무치환의 알킬카보닐옥시기, 탄소수 6~30의 치환 혹은 무치환의 아릴카보닐옥시기이며, 예를 들면, 폼일옥시, 아세틸옥시, 피발로일옥시, 스테아로일옥시, 벤조일옥시, p-메톡시페닐카보닐옥시), 카바모일옥시기(바람직하게는, 탄소수 1~30의 치환 혹은 무치환의 카바모일옥시기이고, 예를 들면, N,N-다이메틸카바모일옥시, N,N-다이에틸카바모일옥시, 모폴리노카보닐옥시, N,N-다이-n-옥틸아미노카보닐옥시, N-n-옥틸카바모일옥시), 알콕시카보닐옥시기(바람직하게는, 탄소수 2~30의 치환 혹은 무치환 알콕시카보닐옥시기이고, 예를 들면 메톡시카보닐옥시, 에톡시카보닐옥시, tert-뷰톡시카보닐옥시, n-옥틸카보닐옥시), 아릴옥시카보닐옥시기(바람직하게는, 탄소수 7~30의 치환 혹은 무치환의 아릴옥시카보닐옥시기이고, 예를 들면, 페녹시카보닐옥시, p-메톡시페녹시카보닐옥시, p-n-헥사데실옥시페녹시카보닐옥시),
아미노기(바람직하게는, 아미노기, 탄소수 1~30의 치환 혹은 무치환의 알킬아미노기, 탄소수 6~30의 치환 혹은 무치환의 아릴아미노기, 탄소수 0~30의 헤테로환 아미노기이며, 예를 들면, 아미노, 메틸아미노, 다이메틸아미노, 아닐리노, N-메틸-아닐리노, 다이페닐아미노, N-1,3,5-트라이아진-2-일아미노), 아실아미노기(바람직하게는, 폼일아미노기, 탄소수 1~30의 치환 혹은 무치환의 알킬카보닐아미노기, 탄소수 6~30의 치환 혹은 무치환의 아릴카보닐아미노기이며, 예를 들면, 폼일아미노, 아세틸아미노, 피발로일아미노, 라우로일아미노, 벤조일아미노, 3,4,5-트라이-n-옥틸옥시페닐카보닐아미노), 아미노카보닐아미노기(바람직하게는, 탄소수 1~30의 치환 혹은 무치환의 아미노카보닐아미노기, 예를 들면, 카바모일아미노, N,N-다이메틸아미노카보닐아미노, N,N-다이에틸아미노카보닐아미노, 모폴리노카보닐아미노), 알콕시카보닐아미노기(바람직하게는 탄소수 2~30의 치환 혹은 무치환 알콕시카보닐아미노기이고, 예를 들면, 메톡시카보닐아미노, 에톡시카보닐아미노, tert-뷰톡시카보닐아미노, n-옥타데실옥시카보닐아미노, N-메틸-메톡시카보닐아미노),
아릴옥시카보닐아미노기(바람직하게는, 탄소수 7~30의 치환 혹은 무치환의 아릴옥시카보닐아미노기이고, 예를 들면, 페녹시카보닐아미노, p-클로로페녹시카보닐아미노, m-n-옥틸옥시페녹시카보닐아미노), 설파모일아미노기(바람직하게는, 탄소수 0~30의 치환 혹은 무치환의 설파모일아미노기이고, 예를 들면, 설파모일아미노, N,N-다이메틸아미노설폰일아미노, N-n-옥틸아미노설폰일아미노), 알킬 또는 아릴설폰일아미노기(바람직하게는 탄소수 1~30의 치환 혹은 무치환의 알킬설폰일아미노기, 탄소수 6~30의 치환 혹은 무치환의 아릴설폰일아미노기이며, 예를 들면, 메틸설폰일아미노, 뷰틸설폰일아미노, 페닐설폰일아미노, 2,3,5-트라이클로로페닐설폰일아미노, p-메틸페닐설폰일아미노), 머캅토기,
알킬싸이오기(바람직하게는, 탄소수 1~30의 치환 혹은 무치환의 알킬싸이오기이고, 예를 들면 메틸싸이오, 에틸싸이오, n-헥사데실싸이오), 아릴싸이오기(바람직하게는 탄소수 6~30의 치환 혹은 무치환의 아릴싸이오기이고, 예를 들면, 페닐싸이오, p-클로로페닐싸이오, m-메톡시페닐싸이오), 헤테로환 싸이오기(바람직하게는 탄소수 2~30의 치환 또는 무치환의 헤테로환 싸이오기이고, 헤테로환부는 상술한 헤테로환기로 설명된 헤테로환부가 바람직하며, 예를 들면, 2-벤조싸이아졸일싸이오, 1-페닐테트라졸-5-일싸이오), 설파모일기(바람직하게는 탄소수 0~30의 치환 혹은 무치환의 설파모일기이고, 예를 들면, N-에틸설파모일, N-(3-도데실옥시프로필)설파모일, N,N-다이메틸설파모일, N-아세틸설파모일, N-벤조일설파모일, N-(N'-페닐카바모일)설파모일), 설포기,
알킬 또는 아릴설핀일기(바람직하게는, 탄소수 1~30의 치환 또는 무치환의 알킬설핀일기, 6~30의 치환 또는 무치환의 아릴설핀일기이며, 예를 들면, 메틸설핀일, 에틸설핀일, 페닐설핀일, p-메틸페닐설핀일), 알킬 또는 아릴설폰일기(바람직하게는, 탄소수 1~30의 치환 또는 무치환의 알킬설폰일기, 6~30의 치환 또는 무치환의 아릴설폰일기이며, 예를 들면, 메틸설폰일, 에틸설폰일, 페닐설폰일, p-메틸페닐설폰일), 아실기(바람직하게는 폼일기, 탄소수 2~30의 치환 또는 무치환의 알킬카보닐기, 탄소수 7~30의 치환 혹은 무치환의 아릴카보닐기이며, 예를 들면, 아세틸, 피발로일, 2-클로로아세틸, 스테아로일, 벤조일, p-n-옥틸옥시페닐카보닐), 아릴옥시카보닐기(바람직하게는, 탄소수 7~30의 치환 혹은 무치환의 아릴옥시카보닐기이고, 예를 들면, 페녹시카보닐, o-클로로페녹시카보닐, m-나이트로페녹시카보닐, p-tert-뷰틸페녹시카보닐),
알콕시카보닐기(바람직하게는, 탄소수 2~30의 치환 혹은 무치환 알콕시카보닐기이고, 예를 들면, 메톡시카보닐, 에톡시카보닐, tert-뷰톡시카보닐, n-옥타데실옥시카보닐), 카바모일기(바람직하게는, 탄소수 1~30의 치환 혹은 무치환의 카바모일, 예를 들면, 카바모일, N-메틸카바모일, N,N-다이메틸카바모일, N,N-다이-n-옥틸카바모일, N-(메틸설폰일)카바모일), 아릴 또는 헤테로환 아조기(바람직하게는 탄소수 6~30의 치환 혹은 무치환의 아릴아조기, 탄소수 3~30의 치환 혹은 무치환의 헤테로환 아조기(헤테로환부는 상술한 헤테로환기로 설명된 헤테로환부가 바람직함), 예를 들면, 페닐아조, p-클로로페닐아조, 5-에틸싸이오-1,3,4-싸이아다이아졸-2-일아조), 이미드기(바람직하게는, 탄소수 2~30의 치환 혹은 무치환의 이미드기이고, 예를 들면 N-석신이미드, N-프탈이미드), 포스피노기(바람직하게는, 탄소수 2~30의 치환 혹은 무치환의 포스피노기, 예를 들면, 다이메틸포스피노, 다이페닐포스피노, 메틸페녹시포스피노), 포스핀일기(바람직하게는, 탄소수 2~30의 치환 혹은 무치환의 포스핀일기이고, 예를 들면, 포스핀일, 다이옥틸옥시포스핀일, 다이에톡시포스핀일),
포스핀일옥시기(바람직하게는, 탄소수 2~30의 치환 혹은 무치환의 포스핀일옥시기이고, 예를 들면, 다이페녹시포스핀일옥시, 다이옥틸옥시포스핀일옥시), 포스핀일아미노기(바람직하게는, 탄소수 2~30의 치환 혹은 무치환의 포스핀일아미노기이고, 예를 들면, 다이메톡시포스핀일아미노, 다이메틸아미노포스핀일아미노), 실릴기(바람직하게는, 탄소수 3~30의 치환 혹은 무치환의 실릴기이고, 예를 들면, 트라이메틸실릴, tert-뷰틸다이메틸실릴, 페닐다이메틸실릴)를 들 수 있다.
상기의 관능기 중에서, 수소 원자를 갖는 것은, 관능기 중의 수소 원자의 부분이, 상기 중 어느 하나의 기로 치환되어 있어도 된다. 치환기로서 도입 가능한 관능기의 예로서는, 알킬카보닐아미노설폰일기, 아릴카보닐아미노설폰일기, 알킬설폰일아미노카보닐기, 아릴설폰일아미노카보닐기를 들 수 있고, 구체적으로는, 메틸설폰일아미노카보닐, p-메틸페닐설폰일아미노카보닐, 아세틸아미노설폰일, 벤조일아미노설폰일기를 들 수 있다.
<<다른 관능기 또는 다른 반복 단위>>
본 발명에 있어서의 색소 다량체는, 상기 이외의 다른 관능기나 다른 반복 단위를 갖고 있어도 된다.
구체적으로는, 색소 구조를 갖는 양이온의 색소 구조가, 다른 관능기를 갖고 있어도 되고, 폴리머 음이온의 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 부위가, 다른 반복 단위를 포함하고 있어도 된다.
다른 관능기로서는, 중합성기, 산기 및 알칼리 가용성기 등이 예시된다. 또한, 다른 반복 단위로서는, 중합성기, 산기 및 알칼리 가용성기 중 적어도 1종을 포함하는 반복 단위가 예시된다.
이하, 이들의 상세에 대하여 설명한다.
<<<폴리머 음이온 및/또는 색소 구조를 갖는 양이온이 갖는 중합성기>>>
본 발명에 있어서의 폴리머 음이온 및/또는 색소 구조를 갖는 양이온은, 중합성기를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는, 색소 구조를 갖는 양이온이 중합성기를 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써 내열성이 향상되는 경향이 있다. 중합성기는 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다.
중합성기로서는, 라디칼, 산, 열에 의하여 가교 가능한 공지의 중합성기를 이용할 수 있고, 예를 들면, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기, 환상 에터기(에폭시기, 옥세테인기), 메틸올기 등을 들 수 있는데, 특히 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기가 바람직하며, (메트)아크릴로일기가 더 바람직하고, (메트)아크릴산 글리시딜 및 3,4-에폭시-사이클로헥실메틸(메트)아크릴레이트 유래의 (메트)아크릴로일기가 더 바람직하다.
중합성기는, 또한, 폴리머 음이온 중에, 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위 외에, 중합성기를 갖는 반복 단위로서 도입되는 것도 바람직하다. 보다 바람직하게는, 폴리머 음이온이 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위와 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 반복 단위를 함유하는 양태이다.
중합성기의 도입 방법으로서는, (1) 폴리머 음이온 및/또는 색소 구조를 갖는 양이온을 중합성기 함유 화합물로 변성하여 도입하는 방법, (2) 저구핵성 음이온 구조를 갖는 중합성 화합물(또는 저구핵성 음이온 구조의 전구체가 되는 구조를 갖는 중합성 화합물)과, 중합성기 함유 화합물을 공중합하여 도입하는 방법 등이 있다.
색소 구조가 갖는 중합성기량은, 색소 구조 1g에 대하여 0.1~2.0mmol인 것이 바람직하고, 0.2~1.5mmol인 것이 더 바람직하며, 0.3~1.0mmol인 것이 특히 바람직하다.
또, 폴리머 음이온이 중합성기를 갖는 반복 단위를 함유하는 경우, 그 양은, 전체 반복 단위 100몰에 대하여, 예를 들면, 1~40몰이 바람직하고, 5~30몰이 보다 바람직하다.
중합성기를 갖는 반복 단위로서는, 이하와 같은 구체예를 들 수 있다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 32]
Figure 112016009345945-pct00032
[화학식 33]
Figure 112016009345945-pct00033
[화학식 34]
Figure 112016009345945-pct00034
<<<폴리머 음이온 및/또는 색소 구조를 갖는 양이온이 갖는 산기 및 알칼리 가용성기>>>
본 발명에 있어서의 폴리머 음이온 및/또는 색소 구조를 갖는 양이온이 갖고 있어도 되는 산기로서는, 카복실산기, 설폰산기, 인산기가 예시된다. 또, 알칼리 가용성기로서는, 페놀성 수산기, 카복실산이 예시된다.
본 발명에서는 산기 및/또는 알칼리 가용성기는, 산기 및/또는 알칼리 가용성기를 갖는 반복 단위로서, 폴리머 음이온 중에 포함되는 것이 바람직하다.
산기를 갖는 반복 단위의 산가로서는, 5mgKOH/g~200mgKOH/g인 것이 바람직하고, 10mgKOH/g~180mgKOH/g인 것이 보다 바람직하며, 20mgKOH/g~170mgKOH/g인 것이 더 바람직하다.
본 발명에 있어서, 폴리머 음이온의 산가는, 예를 들면, 폴리머 음이온 중에 있어서의 산기의 평균 함유량으로부터 산출할 수 있다. 또, 폴리머 음이온을 구성하는 산기를 함유하는 모노머 단위의 함유량을 변화시킴으로써 원하는 산가를 갖는 수지를 얻을 수 있다.
색소 구조를 갖는 양이온으로의 알칼리 가용성기의 도입 방법으로서는, 색소 단량체에 미리 알칼리 가용성기를 도입하여 두는 방법을 들 수 있다. 폴리머 음이온으로의 알칼리 가용성기의 도입 방법으로서는, 알칼리 가용성기를 갖는 색소 단량체 이외의 모노머((메트)아크릴산, 아크릴산의 카프로락톤 변성물, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸의 무수 석신산 변성물, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸의 무수 프탈산 변성물, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸의 1,2-사이클로헥세인다이카복실산 무수물 변성물, 스타이렌카복실산, 이타콘산, 말레산, 노보넨카복실산 등의 카복실산 함유 모노머, 애시드 포스폭시에틸메타크릴레이트, 바이닐포스폰산 등의 인산 함유 모노머, 바이닐설폰산, 2-아크릴아마이드-2-메틸설폰산 등의 설폰산 함유 모노머)를 공중합하는 방법을 들 수 있다.
색소 다량체가 갖는 알칼리 가용성기량은, 색소 다량체 1g에 대하여 0.3mmol~2.0mmol인 것이 바람직하고, 0.4mmol~1.5mmol인 것이 더 바람직하며, 0.5mmol~1.0mmol인 것이 특히 바람직하다.
또한, 폴리머 음이온이, 저구핵성 음이온 구조를 갖는 반복 단위와 산기를 갖는 반복 단위를 함유하는 경우, 산기를 갖는 반복 단위를 함유하는 반복 단위의 비율은, 폴리머 음이온을 포함하는 반복 단위 100몰에 대하여, 예를 들면, 1~60몰이 바람직하고, 10~50몰이 보다 바람직하다.
폴리머 음이온 및/또는 색소 구조를 갖는 양이온이 갖는 그 외의 관능기로서, 락톤, 산무수물, 아마이드, -COCH2CO-, 사이아노기 등의 현상 촉진기, 장쇄 및 환상 알킬기, 아랄킬기, 아릴기, 폴리알킬렌옥사이드기, 하이드록실기, 말레이미드기, 아미노기 등의 친소수성 조정기 등을 들 수 있고, 적절히 도입할 수 있다.
도입 방법으로서, 색소 구조를 갖는 양이온에 미리 도입하여 두는 방법, 및 상기 관능기를 갖는 모노머를 공중합하는 방법을 들 수 있다.
다른 반복 단위의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 35]
Figure 112016009345945-pct00035
또한, 본 발명에 있어서의 색소 다량체는, 최대 흡수 파장이 400~650nm인 것이 바람직하고, 450~600nm인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서의 색소 다량체의 산가는, 5~200mgKOH/g인 것이 바람직하고, 10~180mgKOH/g인 것이 보다 바람직하다.
저구핵 음이온 구조를 반복 단위에 갖는 부분은, 저구핵 음이온 구조를 포함하는 반복 단위와 중합성기를 갖는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하고, 저구핵 음이온 구조를 포함하는 반복 단위와 중합성기를 갖는 반복 단위와 산기를 갖는 반복 단위를 포함하는 것이 더 바람직하다.
색소 다량체의 중량 평균 분자량은, 2,000~20,000인 것이 바람직하고, 3,000~15,000인 것이 더 바람직하며, 4,000~10,000인 것이 특히 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량은, GPC 측정에 의한 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면, HLC-8220(도소(주)제)을 이용하고, 칼럼으로서 TSKgel Super AWM-H(도소(주)제, 6.0mmID×15.0cm)를, 용리액으로서 10mmol/L 리튬 브로마이드 NMP(N-메틸피롤리딘온) 용액을 이용함으로써 구할 수 있다.
또, 색소 다량체의 중량 평균 분자량(Mw)과, 수평균 분자량(Mn)의 비〔(Mw)/(Mn)〕는 1.0~3.0인 것이 바람직하고, 1.6~2.5인 것이 더 바람직하며, 1.6~2.0인 것이 특히 바람직하다.
본 발명에 관한 색소 다량체의 유리 전이 온도(Tg)는, 50℃ 이상인 것이 바람직하고, 100℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 열중량 분석(TGA 측정)에 의한 5% 중량 감소 온도가, 120℃ 이상인 것이 바람직하고, 150℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 200℃ 이상인 것이 더 바람직하다. 이 영역에 있음으로써, 본 발명의 착색 조성물을 컬러 필터 등의 제작에 적용할 때에, 가열 프로세스에 기인하는 농도 변화를 저감할 수 있게 된다.
또, 본 발명에 관한 색소 다량체의 단위 중량당 흡광 계수(이후 ε'으로 기재한다. ε'=ε/평균 분자량, 단위: L/g·cm)가, 30 이상인 것이 바람직하고, 60 이상인 것이 보다 바람직하며, 100 이상인 것이 더 바람직하다. 이 범위에 있음으로써, 본 발명의 착색 조성물을 적용하여 컬러 필터를 제작하는 경우에 있어서, 색재현성이 양호한 컬러 필터를 제작할 수 있다.
본 발명의 착색 조성물에 이용하는 색소 다량체의 몰 흡광 계수는, 착색력의 관점에서, 가능한 한 높은 편이 바람직하다.
본 발명에 관한 색소 다량체는, 이하의 유기 용제에 용해되는 화합물인 것이 바람직하다.
유기 용제로서는, 에스터류(예를 들면, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 락트산 에틸, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸 등), 에터류(예를 들면 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트 등), 케톤류(메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 3-헵탄온 등), 방향족 탄화 수소류(예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등)를 들 수 있고, 이들 용제에 대하여, 1질량% 이상 50질량% 이하 용해되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 5질량% 이상 40질량% 이하, 더 바람직하게는 10질량% 이상 30질량% 이하이다. 이 영역에 있음으로써, 본 발명의 착색 조성물을 컬러 필터 등의 제작에 적용할 때에, 적합한 도포면 형상이나, 다른 색 도포 후의 용출에 의한 농도 저하를 저감시킬 수 있게 된다.
본 발명의 착색 조성물에 있어서는, 색소 다량체를 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상 병용해도 된다. 2종 이상 이용하는 경우, 그 합계량이 후술하는 함유량에 상당하는 것이 바람직하다.
본 발명의 착색 조성물 중에 있어서의 색소 다량체의 함유량은, 후술하는 안료와의 함유 비율을 고려한 후에 설정된다.
안료에 대한 색소 구조를 갖는 양이온의 질량비(색소 구조를 갖는 양이온/안료)로서는, 0.1~5가 바람직하고, 0.2~2가 보다 바람직하며, 0.3~1이 더 바람직하다.
본 발명의 착색 조성물은, (A) 일반식 (I)로 나타나는 색소 이외의 공지의 염료를 포함하고 있어도 된다. 예를 들면 일본 공개특허공보 소64-90403호, 일본 공개특허공보 소64-91102호, 일본 공개특허공보 평1-94301호, 일본 공개특허공보 평6-11614호, 일본 특허 2592207호, 미국 특허공보 4808501호, 미국 특허공보 5667920호, 미국 특허공보 505950호, 미국 특허공보 5667920호, 일본 공개특허공보 평5-333207호, 일본 공개특허공보 평6-35183호, 일본 공개특허공보 평6-51115호, 일본 공개특허공보 평6-194828호 등에 개시되어 있는 색소를 사용할 수 있다. 화학 구조로서는, 피라졸아조계, 피로메텐계, 아닐리노아조계, 트라이페닐메테인계, 안트라퀴논계, 벤질리덴계, 옥소놀계, 피라졸로트라이아졸아조계, 피리돈아조계, 사이아닌계, 페노싸이아진계, 피롤로피라졸아조메타인계 등의 염료를 사용할 수 있다.
본 발명의 착색 조성물은, 컬러 필터의 착색층의 형성에 이용된다. 본 발명에서 이용하는 착색 조성물은, 바람직하게는, 상기 (A) 색소 다량체에 더하여, (B) 경화성 화합물 및 (C) 안료를 포함한다. (B) 경화성 화합물로서는, 중합성 화합물이나 알칼리 가용성 수지(중합성기를 포함하는 알칼리 가용성 수지를 포함함)가 예시되며, 용도나 제조 방법에 따라 적절히 선택된다. 또한, 본 발명의 착색 조성물은, (D) 광중합 개시제를 포함하고 있는 것이 바람직하다.
예를 들면, 포토레지스트에 의하여, 착색층을 형성하는 경우, 본 발명의 착색 조성물은, 본 발명에 있어서의 (A) 색소 다량체, 경화성 화합물로서의 알칼리 가용성 수지, (C) 안료 및 (D) 광중합 개시제를 포함하는 조성물이 바람직하다. 또한, 계면활성제, 용제 등의 성분을 포함하고 있어도 된다.
또, 드라이 에칭에 의하여, 착색층을 형성하는 경우, 본 발명에 있어서의 (A) 색소 다량체, 경화성 화합물로서의 중합성 화합물, (C) 안료 및 (D) 광중합 개시제를 포함하는 조성물이 바람직하다. 또한, 계면활성제, 용제 등의 성분을 포함하고 있어도 된다.
이하, 이들의 상세에 대하여 설명한다.
<(B) 중합성 화합물>
본 발명의 착색 조성물은, 중합성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.
라디칼, 산, 열에 의하여 가교 가능한 공지의 중합성 화합물을 이용할 수 있고, 예를 들면, 에틸렌성 불포화 결합, 환상 에터(에폭시, 옥세테인), 메틸올 등을 포함하는 중합성 화합물을 들 수 있다. 중합성 화합물은, 감도의 관점에서, 말단 에틸렌성 불포화 결합을 적어도 1개, 바람직하게는 2개 이상 갖는 화합물로부터 적합하게 선택된다. 그 중에서도, 4관능 이상의 다관능 중합성 화합물이 바람직하고, 5관능 이상의 다관능 중합성 화합물이 더 바람직하다.
이러한 화합물군은 당해 산업분야에 있어서 널리 알려져 있는 것이며, 본 발명에 있어서는 이들을 특별히 한정 없이 이용할 수 있다. 이들은, 예를 들면, 모노머, 프리폴리머, 즉 2량체, 3량체 및 올리고머 또는 그들의 혼합물 및 그들의 다량체 등의 화학적 형태 중 어느 것이어도 된다. 본 발명에 있어서의 중합성 화합물은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
보다 구체적으로는, 모노머 및 그 프리폴리머의 예로서는, 불포화 카복실산(예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 아이소크로톤산, 말레산 등)이나 그 에스터류, 아마이드류, 및 이들의 다량체를 들 수 있고, 바람직하게는, 불포화 카복실산과 지방족 다가 알코올 화합물의 에스터, 및 불포화 카복실산과 지방족 다가 아민 화합물의 아마이드류, 및 이들의 다량체이다. 또, 하이드록실기나 아미노기, 머캅토기 등의 구핵성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능 아이소사이아네이트류 혹은 에폭시류와의 부가 반응물이나, 단관능 혹은 다관능의 카복실산과의 탈수 축합 반응물 등도 적합하게 사용된다. 또, 아이소사이아네이트기나 에폭시기 등의 친전자성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류와의 부가 반응물, 할로젠기나 토실옥시기 등의 탈리성 치환기를 더 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류와의 치환 반응물도 적합하다. 또, 다른 예로서, 상기의 불포화 카복실산 대신에, 불포화 포스폰산, 스타이렌 등의 바이닐벤젠 유도체, 바이닐에터, 알릴에터 등에 치환한 화합물군을 사용하는 것도 가능하다.
이들의 구체적인 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2009-288705호의 단락 번호 〔0095〕~〔0108〕에 기재되어 있는 화합물을 본 발명에 있어서도 적합하게 이용할 수 있다.
또, 중합성 화합물로서는, 적어도 하나의 부가 중합 가능한 에틸렌기를 갖는, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖는 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물도 바람직하다. 그 예로서는, 폴리에틸렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트 등의 단관능의 아크릴레이트나 메타아크릴레이트; 폴리에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올에테인트라이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 헥세인다이올(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인트라이(아크릴로일옥시프로필)에터, 트라이(아크릴로일옥시에틸)아이소사이아누레이트, 글리세린이나 트라이메틸올에테인 등의 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후 (메트)아크릴레이트화한 것, 일본 공고특허공보 소48-41708호, 일본 공고특허공보 소50-6034호, 일본 공개특허공보 소51-37193호에 기재되어 있는 바와 같은 유레테인(메트)아크릴레이트류, 일본 공개특허공보 소48-64183호, 일본 공고특허공보 소49-43191호, 일본 공고특허공보 소52-30490호에 기재되어 있는 폴리에스터아크릴레이트류, 에폭시 수지와 (메트)아크릴산의 반응 생성물인 에폭시아크릴레이트류 등의 다관능의 아크릴레이트나 메타아크릴레이트 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
다관능 카복실산에 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 환상 에터기와 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메트)아크릴레이트 등도 들 수 있다.
또, 그 외의 바람직한 중합성 화합물로서, 일본 공개특허공보 2010-160418호, 일본 공개특허공보 2010-129825호, 일본 특허공보 제4364216호 등에 기재되는, 플루오렌환을 갖고, 에틸렌성 불포화기를 2관능 이상 갖는 화합물, 카도 수지도 사용하는 것이 가능하다.
또, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖고, 적어도 하나의 부가 중합 가능한 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2008-292970호의 단락 번호 [0254]~[0257]에 기재된 화합물도 적합하다.
상기 외에, 하기 일반식 (MO-1)~(MO-5)로 나타나는, 라디칼 중합성 모노머도 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 식 중, T가 옥시알킬렌기인 경우에는, 탄소 원자측의 말단이 R에 결합한다.
[화학식 36]
Figure 112016009345945-pct00036
[화학식 37]
Figure 112016009345945-pct00037
일반식에 있어서, n은 0~14이며, m은 1~8이다. 1분자 내에 복수 존재하는 R, T는, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
일반식 (MO-1)~(MO-5)로 나타나는 중합성 화합물의 각각에 있어서, 복수 존재하는 R 중 적어도 하나는, -OC(=O)CH=CH2, 또는 -OC(=O)C(CH3)=CH2로 나타나는 기를 나타낸다.
일반식 (MO-1)~(MO-5)로 나타나는 중합성 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2007-269779호의 단락 번호 0248~단락 번호 0251에 기재되어 있는 화합물을 본 발명에 있어서도 적합하게 이용할 수 있다.
또, 일본 공개특허공보 평10-62986호에 있어서 일반식 (1) 및 (2)로서 그 구체예와 함께 기재된 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후에 (메트)아크릴레이트화한 화합물도, 중합성 화합물로서 이용할 수 있다.
그 중에서도, 중합성 화합물로서는, 다이펜타에리트리톨트라이아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-330; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제), 다이펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-320; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제), 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-310; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제), 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD DPHA; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제), 및 이들의 (메트)아크릴로일기가 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜 잔기를 개재하고 있는 구조가 바람직하다. 이들의 올리고머 타입도 사용할 수 있다.
중합성 화합물로서는, 다관능 모노머로서, 카복실기, 설폰산기, 인산기 등의 산기를 갖고 있어도 된다. 에틸렌성 화합물이, 상기와 같이 혼합물인 경우와 같이 미반응의 카복실기를 갖는 것이면, 이것을 그대로 이용할 수 있지만, 필요에 따라서, 상술한 에틸렌성 화합물의 하이드록실기에 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 도입해도 된다. 이 경우, 사용되는 비방향족 카복실산 무수물의 구체예로서는, 무수 테트라하이드로프탈산, 알킬화 무수 테트라하이드로프탈산, 무수 헥사하이드로프탈산, 알킬화 무수 헥사하이드로프탈산, 무수 석신산, 무수 말레산을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 산기를 갖는 모노머로서는, 지방족 폴리하이드록시 화합물과 불포화 카복실산의 에스터이며, 지방족 폴리하이드록시 화합물의 미반응의 하이드록실기에 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 갖게 한 다관능 모노머가 바람직하고, 특히 바람직하게는, 이 에스터에 있어서, 지방족 폴리하이드록시 화합물이 펜타에리트리톨 및/또는 다이펜타에리트리톨인 것이다. 시판품으로서는, 예를 들면, 도아 고세이 가부시키가이샤제의 다염기산 변성 아크릴올리고머로서, M-510, M-520 등을 들 수 있다.
이들 모노머는 1종을 단독으로 이용해도 되지만, 제조상, 단일의 화합물을 이용하는 것은 어려운 점에서, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다. 또, 필요에 따라 모노머로서 산기를 갖지 않는 다관능 모노머와 산기를 갖는 다관능 모노머를 병용해도 된다.
산기를 갖는 다관능 모노머의 바람직한 산가로서는, 0.1mgKOH/g~40mgKOH/g이며, 특히 바람직하게는 5mgKOH/g~30mgKOH/g이다. 다관능 모노머의 산가가 너무 낮으면 현상 용해 특성이 떨어지고, 너무 높으면 제조나 취급이 곤란하게 되어 광중합 성능이 떨어져, 화소의 표면 평활성 등의 경화성이 뒤떨어지는 것이 된다. 따라서, 상이한 산기의 다관능 모노머를 2종 이상 병용하는 경우, 혹은 산기를 갖지 않는 다관능 모노머를 병용하는 경우, 전체의 다관능 모노머로서의 산기가 상기 범위에 들어가도록 조정하는 것이 바람직하다.
또, 중합성 화합물로서, 카프로락톤 구조를 갖는 다관능성 단량체를 함유하는 것도 바람직한 양태이다.
카프로락톤 구조를 갖는 다관능성 단량체로서는, 그 분자 내에 카프로락톤 구조를 갖는 한 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 트라이메틸올에테인, 다이트라이메틸올에테인, 트라이메틸올프로페인, 다이트라이메틸올프로페인, 펜타에리트리톨, 다이펜타에리트리톨, 트라이펜타에리트리톨, 글리세린, 다이글리세롤, 트라이메틸올멜라민 등의 다가 알코올과, (메트)아크릴산 및 ε-카프로락톤을 에스터화함으로써 얻어지는, ε-카프로락톤 변성 다관능 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 그 중에서도 하기 일반식 (Z-1)로 나타나는 카프로락톤 구조를 갖는 다관능성 단량체가 바람직하다.
[화학식 38]
Figure 112016009345945-pct00038
일반식 (Z-1) 중, 6개의 R은 모두 하기 일반식 (Z-2)로 나타나는 기이거나, 또는 6개의 R 중 1~5개가 하기 일반식 (Z-2)로 나타나는 기이며, 잔여가 하기 일반식 (Z-3)으로 나타나는 기이다.
[화학식 39]
Figure 112016009345945-pct00039
일반식 (Z-2) 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, m은 1 또는 2의 수를 나타내며, "*"는 결합손인 것을 나타낸다.
[화학식 40]
Figure 112016009345945-pct00040
일반식 (Z-3) 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, "*"는 결합손인 것을 나타낸다.
이러한 카프로락톤 구조를 갖는 다관능성 단량체는, 예를 들면, 닛폰 가야쿠(주)로부터 KAYARAD DPCA 시리즈로서 시판되고 있고, DPCA-20(상기 식 (1)~(3)에 있어서 m=1, 식 (2)로 나타나는 기의 수=2, R1이 모두 수소 원자인 화합물), DPCA-30(동일 식, m=1, 식 (2)로 나타나는 기의 수=3, R1이 모두 수소 원자인 화합물), DPCA-60(동일 식, m=1, 식 (2)로 나타나는 기의 수=6, R1이 모두 수소 원자인 화합물), DPCA-120(동일 식에 있어서 m=2, 식 (2)로 나타나는 기의 수=6, R1이 모두 수소 원자인 화합물) 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 카프로락톤 구조를 갖는 다관능성 단량체는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
또, 본 발명에 있어서의 특정 모노머로서는, 하기 일반식 (Z-4) 또는 (Z-5)로 나타나는 화합물의 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것도 바람직하다.
[화학식 41]
Figure 112016009345945-pct00041
일반식 (Z-4) 및 (Z-5) 중, E는, 각각 독립적으로, -((CH2)yCH2O)-, 또는 -((CH2)yCH(CH3)O)-를 나타내고, y는, 각각 독립적으로 0~10의 정수를 나타내며, X는, 각각 독립적으로, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 수소 원자, 또는 카복실기를 나타낸다.
일반식 (Z-4) 중, 아크릴로일기 및 메타크릴로일기의 합계는 3개 또는 4개이며, m은 각각 독립적으로 0~10의 정수를 나타내고, 각 m의 합계는 0~40의 정수이다. 단, 각 m의 합계가 0인 경우, X 중 어느 하나는 카복실기이다.
일반식 (Z-5) 중, 아크릴로일기 및 메타크릴로일기의 합계는 5개 또는 6개이며, n은 각각 독립적으로 0~10의 정수를 나타내고, 각 n의 합계는 0~60의 정수이다. 단, 각 n의 합계가 0인 경우, X 중 어느 하나는 카복실기이다.
일반식 (Z-4) 중, m은, 0~6의 정수가 바람직하고, 0~4의 정수가 보다 바람직하다. 또, 각 m의 합계는, 2~40의 정수가 바람직하고, 2~16의 정수가 보다 바람직하며, 4~8의 정수가 특히 바람직하다.
일반식 (Z-5) 중, n은, 0~6의 정수가 바람직하고, 0~4의 정수가 보다 바람직하다.
또, 각 n의 합계는, 3~60의 정수가 바람직하고, 3~24의 정수가 보다 바람직하며, 6~12의 정수가 특히 바람직하다.
또, 일반식 (Z-4) 또는 일반식 (Z-5) 중의 -((CH2)yCH2O)- 또는 -((CH2)yCH(CH3)O)-는, 산소 원자측의 말단이 X에 결합하는 형태가 바람직하다.
일반식 (Z-4) 또는 일반식 (Z-5)로 나타나는 화합물은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상 병용해도 된다. 특히, 일반식 (Z-5)에 있어서, 6개의 X 모두가 아크릴로일기인 형태가 바람직하다.
또, 일반식 (Z-4) 또는 일반식 (Z-5)로 나타나는 화합물의 중합성 화합물 중에 있어서의 전체 함유량으로서는, 20질량% 이상이 바람직하고, 50질량% 이상이 보다 바람직하다.
일반식 (Z-4) 또는 일반식 (Z-5)로 나타나는 화합물은, 종래 공지의 공정인, 펜타에리트리톨 또는 다이펜타에리트리톨에 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드를 개환 부가 반응에 의하여 개환 골격을 결합하는 공정과, 개환 골격의 말단 수산기에, 예를 들면 (메트)아크릴로일 클로라이드를 반응시켜 (메트)아크릴로일기를 도입하는 공정으로부터 합성할 수 있다. 각 공정은 잘 알려진 공정이며, 당업자는 용이하게 일반식 (Z-4) 또는 (Z-5)로 나타나는 화합물을 합성할 수 있다.
일반식 (Z-4) 또는 일반식 (Z-5)로 나타나는 화합물 중에서도, 펜타에리트리톨 유도체 및/또는 다이펜타에리트리톨 유도체가 보다 바람직하다.
구체적으로는, 하기 식 (a)~(f)로 나타나는 화합물(이하, "예시 화합물 (a)~(f)"라고도 함)을 들 수 있고, 그 중에서도, 예시 화합물 (a), (b), (e), (f)가 바람직하다.
[화학식 42]
Figure 112016009345945-pct00042
[화학식 43]
Figure 112016009345945-pct00043
일반식 (Z-4), (Z-5)로 나타나는 중합성 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면 사토머사제의 에틸렌옥시쇄를 4개 갖는 4관능 아크릴레이트인 SR-494, 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제의 펜틸렌옥시쇄를 6개 갖는 6관능 아크릴레이트인 DPCA-60, 아이소뷰틸렌옥시쇄를 3개 갖는 3관능 아크릴레이트인 TPA-330 등을 들 수 있다.
또, 중합성 화합물로서는, 일본 공고특허공보 소48-41708호, 일본 공개특허공보 소51-37193호, 일본 공고특허공보 평2-32293호, 일본 공고특허공보 평2-16765호에 기재되어 있는 유레테인아크릴레이트류나, 일본 공고특허공보 소58-49860호, 일본 공고특허공보 소56-17654호, 일본 공고특허공보 소62-39417호, 일본 공고특허공보 소62-39418호에 기재된 에틸렌옥사이드계 골격을 갖는 유레테인 화합물류도 적합하다. 또한, 중합성 화합물로서, 일본 공개특허공보 소63-277653호, 일본 공개특허공보 소63-260909호, 일본 공개특허공보 평1-105238호에 기재되는, 분자 내에 아미노 구조나 설파이드 구조를 갖는 부가 중합성 화합물류를 이용함으로써, 매우 감광 스피드가 우수한 경화성 조성물을 얻을 수 있다.
중합성 화합물의 시판품으로서는, 유레테인올리고머 UAS-10, UAB-140(산요 고쿠사쿠 펄프사제), UA-7200(신나카무라 가가쿠사제), DPHA-40H(닛폰 가야쿠사제), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600(교에이샤제) 등을 들 수 있다.
환상 에터(에폭시, 옥세테인)로서는, 예를 들면, 에폭시기를 갖는 것으로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지로서, JER-827, JER-828, JER-834, JER-1001, JER-1002, JER-1003, JER-1055, JER-1007, JER-1009, JER-1010(이상, 재팬 에폭시 레진(주)제), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055(이상, DIC(주)제) 등이고, 비스페놀 F형 에폭시 수지로서, JER-806, JER-807, JER-4004, JER-4005, JER-4007, JER-4010(이상, 재팬 에폭시 레진(주)제), EPICLON830, EPICLON835(이상, DIC(주)제), LCE-21, RE-602S(이상, 닛폰 가야쿠(주)제) 등이며, 페놀 노볼락형 에폭시 수지로서, JER-152, JER-154, JER-157S70, JER-157S65, (이상, 재팬 에폭시 레진(주)제), EPICLON N-740, EPICLON N-770, EPICLON N-775(이상, DIC(주)제) 등이며, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지로서, EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695(이상, DIC(주)제), EOCN-1020(이상, 닛폰 가야쿠(주)제), 지방족 에폭시 수지로서, ADEKA RESIN EP-4080S, 동 EP-4085S, 동 EP-4088S(이상, (주)ADEKA제) 셀록사이드 2021P, 셀록사이드 2081, 셀록사이드 2083, 셀록사이드 2085, EHPE-3150(2,2-비스(하이드록시메틸)-1-뷰탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시란일)사이클로헥세인 부가물), EPOLEAD PB 3600, 동 PB 4700(이상, 다이셀 가가쿠 고교(주)제), 데나콜 EX-211L, EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L, EX-850L(이상, 나가세 켐텍스(주)제), ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S(이상, (주)ADEKA제), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, (주)ADEKA제), JER-1031S(재팬 에폭시 레진(주)제) 등을 들 수 있다. 이러한 중합성 화합물은, 드라이 에칭법으로 패턴을 형성하는 경우에 적합하다.
이러한 중합성 화합물에 대하여, 그 구조, 단독 사용인지 병용인지 여부, 첨가량 등의 사용 방법의 상세는, 착색 조성물의 최종적인 성능 설계에 맞추어 임의로 설정할 수 있다. 예를 들면, 감도의 관점에서는, 1분자당 불포화기 함량이 많은 구조가 바람직하고, 대부분의 경우는 2관능 이상이 바람직하다. 또한, 착색 조성물에 의하여 형성된 경화막의 강도를 높이는 관점에서는, 3관능 이상의 것이 양호하고, 추가로 상이한 관능기 수·상이한 중합성기(예를 들면 아크릴산 에스터, 메타크릴산 에스터, 스타이렌계 화합물, 바이닐에터계 화합물)의 것을 병용함으로써, 감도와 강도의 양쪽 모두를 조절하는 방법도 유효하다. 또한, 3관능 이상의 것으로 에틸렌옥사이드쇄장이 상이한 중합성 화합물을 병용하는 것이, 착색 조성물의 현상성을 조절할 수 있고, 우수한 패턴 형성능이 얻어진다는 점에서 바람직하다.
또한, 착색 조성물에 함유되는 다른 성분(예를 들면, 광중합 개시제, 피분산체, 알칼리 가용성 수지 등)과의 상용성, 분산성에 대해서도, 중합성 화합물의 선택·사용법은 중요한 요인이며, 예를 들면, 저순도 화합물의 사용이나 2종 이상의 병용에 의하여 상용성을 향상시킬 수 있는 경우가 있다. 또한, 지지체 등의 경질 표면과의 밀착성을 향상시키는 관점에서 특정 구조를 선택하는 경우도 있을 수 있다.
본 발명의 착색 조성물 중에 중합성 화합물을 배합하는 경우, 중합성 화합물의 함유량은, 착색 조성물 중의 전체 고형분에 대하여 0.1질량%~90질량%가 바람직하고, 1.0질량%~60질량%가 더 바람직하며, 2.0질량%~40질량%가 특히 바람직하다.
본 발명의 조성물은, 중합성 화합물을, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<(C) 안료>
본 발명의 착색 조성물은, (C) 안료를 더 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 안료로서는, 종래 공지의 다양한 무기 안료 또는 유기 안료를 이용할 수 있고, 유기 안료를 이용하는 것이 바람직하다. 안료로서는, 고투과율인 것이 바람직하다.
무기 안료로서는, 금속 산화물, 금속 착염 등으로 나타나는 금속 화합물을 들 수 있고, 구체적으로는, 철, 코발트, 알루미늄, 카드뮴, 납, 구리, 타이타늄, 마그네슘, 크로뮴, 아연, 안티모니 등의 금속 산화물, 및 금속의 복합 산화물을 들 수 있다.
유기 안료로서는, 예를 들면,
C. I. 피그먼트 옐로 11, 24, 31, 53, 83, 93, 99, 108, 109, 110, 138, 139, 147, 150, 151, 154, 155, 167, 180, 185, 199;
C. I. 피그먼트 오렌지 36, 38, 43, 71;
C. I. 피그먼트 레드 81, 105, 122, 149, 150, 155, 171, 175, 176, 177, 209, 220, 224, 242, 254, 255, 264, 270;
C. I. 피그먼트 바이올렛 19, 23, 32, 39;
C. I. 피그먼트 블루 1, 2, 15, 15:1, 15:3, 15:6, 16, 22, 60, 66;
C. I. 피그먼트 그린 7, 36, 37, 58;
C. I. 피그먼트 브라운 25, 28;
C. I. 피그먼트 블랙 1, 7;
등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서 바람직하게 이용할 수 있는 안료로서, 이하의 것을 들 수 있다. 단 본 발명은, 이들에 한정되는 것은 아니다.
C. I. 피그먼트 옐로 11, 24, 108, 109, 110, 138, 139, 150, 151, 154, 167, 180, 185,
C. I. 피그먼트 오렌지 36, 71,
C. I. 피그먼트 레드 122, 150, 171, 175, 177, 209, 224, 242, 254, 255, 264,
C. I. 피그먼트 바이올렛 19, 23, 32,
C. I. 피그먼트 블루 15:1, 15:3, 15:6, 16, 22, 60, 66,
C. I. 피그먼트 그린 7, 36, 37, 58,
C. I. 피그먼트 블랙 1, 7
이들 유기 안료는, 단독 혹은, 분광의 조정이나 색순도를 높이기 위하여 다양하게 조합하여 이용할 수 있다. 상기 조합의 구체예를 이하에 나타낸다. 예를 들면, 적색의 안료로서, 안트라퀴논계 안료, 페릴렌계 안료, 다이케토피롤로피롤계 안료 단독 또는 그들의 적어도 1종과, 디스아조계 황색 안료, 아이소인돌린계 황색 안료, 퀴노프탈론계 황색 안료 또는 페릴렌계 적색 안료와의 혼합 등을 이용할 수 있다. 예를 들면, 안트라퀴논계 안료로서는, C. I. 피그먼트 레드 177을 들 수 있고, 페릴렌계 안료로서는, C. I. 피그먼트 레드 155, C. I. 피그먼트 레드 224를 들 수 있으며, 다이케토피롤로피롤계 안료로서는, C. I. 피그먼트 레드 254를 들 수 있고, 색분해성의 점에서 C. I. 피그먼트 옐로 139와의 혼합이 바람직하다. 또한, 적색 안료와 황색 안료의 질량비는, 100:5~100:50이 바람직하다. 100:4 이하에서는 400nm에서 500nm의 광투과율을 억제하는 것이 곤란하고, 또한 100:51 이상에서는 주파장이 단파장에 가까워져, 색분해능을 높일 수 없는 경우가 있다. 특히, 상기 질량비로서는, 100:10~100:30의 범위가 최적이다. 또한, 적색 안료끼리의 조합의 경우는, 구하는 분광에 맞추어 조정할 수 있다.
또한, 녹색의 안료로서는, 할로젠화 프탈로사이아닌계 안료를 단독으로, 또는 이것과 디스아조계 황색 안료, 퀴노프탈론계 황색 안료, 아조메타인계 황색 안료 혹은 아이소인돌린계 황색 안료와의 혼합을 이용할 수 있다. 예를 들면, 이러한 예로서는, C. I. 피그먼트 그린 7, 36, 37과 C. I. 피그먼트 옐로 83, C. I. 피그먼트 옐로 138, C. I. 피그먼트 옐로 139, C. I. 피그먼트 옐로 150, C. I. 피그먼트 옐로 180 또는 C. I. 피그먼트 옐로 185와의 혼합이 바람직하다. 녹색 안료와 황색 안료의 질량비는, 100:5~100:150이 바람직하다. 상기 질량비로서는 100:30~100:120의 범위가 특히 바람직하다.
청색의 안료로서는, 프탈로사이아닌계 안료를 단독으로, 혹은 이것과 다이옥사진계 자색 안료의 혼합을 이용할 수 있다. 예를 들면 C. I. 피그먼트 블루 15:6과 C. I. 피그먼트 바이올렛 23의 혼합이 바람직하다. 청색 안료와 자색 안료의 질량비는, 100:0~100:100이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100:10 이하이다.
또한, 블랙 매트릭스용의 안료로서는, 카본, 타이타늄 블랙, 산화 철, 산화 타이타늄 단독 또는 혼합이 이용되고, 카본과 타이타늄 블랙의 조합이 바람직하다. 또한, 카본과 타이타늄 블랙의 질량비는, 100:0~100:60의 범위가 바람직하다.
본 발명의 착색 조성물은, 흑색 이외의 안료를 배합하는 것이 바람직하고, 청색의 안료에 적합하다.
안료의 1차 입자 사이즈는, 컬러 필터용으로서 이용하는 경우에는, 색 불균일이나 콘트라스트의 관점에서, 100nm 이하인 것이 바람직하고, 또한, 분산 안정성의 관점에서 5nm 이상인 것이 바람직하다. 안료의 1차 입자 사이즈로서 보다 바람직하게는, 5~75nm이고, 더 바람직하게는 5~55nm이며, 특히 바람직하게는 5~35nm이다.
안료의 1차 입자 사이즈는, 전자 현미경 등의 공지의 방법으로 측정할 수 있다.
그 중에서도, 안료로서는, 안트라퀴논 안료, 다이케토피롤로피롤 안료, 프탈로사이아닌 안료, 퀴노프탈론 안료, 아이소인돌린 안료, 아조메타인 안료, 및 다이옥사진 안료로부터 선택되는 안료인 것이 바람직하다. 특히, C. I. 피그먼트 레드 177(안트라퀴논 안료), C. I. 피그먼트 레드 254(다이케토피롤로피롤 안료), C. I. 피그먼트 그린 7, 36, 58, C. I. 피그먼트 블루 15:6(프탈로사이아닌 안료), C. I. 피그먼트 옐로 138(퀴노프탈론 안료), C. I. 피그먼트 옐로 139, 185(아이소인돌린 안료), C. I. 피그먼트 옐로 150(아조메타인 안료), C. I. 피그먼트 바이올렛 23(다이옥사진 안료)이 특히 바람직하다.
본 발명의 조성물에 안료를 배합하는 경우, 안료의 함유량은, 착색 조성물에 함유되는 용제를 제외한 전체 성분에 대하여, 10질량%~70질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20질량%~60질량%이며, 더 바람직하게는 25질량%~50질량%이다.
본 발명의 조성물은, 안료를, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<(D) 광중합 개시제>
본 발명의 착색 조성물은, 광중합 개시제를 함유하는 것이, 추가적인 감도 향상의 관점에서 바람직하다.
광중합 개시제로서는, 중합성 화합물의 중합을 개시하는 능력을 갖는 한, 특별히 제한은 없고, 공지의 광중합 개시제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 자외선 영역으로부터 가시의 광선에 대하여 감광성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 광여기된 증감제와 어떠한 작용을 발생시켜, 활성 라디칼을 생성하는 활성제여도 되고, 모노머의 종류에 따라 양이온 중합을 개시시키는 개시제여도 된다.
또한, 광중합 개시제는, 약 300nm~800nm(330nm~500nm가 보다 바람직함)의 범위 내에 적어도 약 50의 분자 흡광 계수를 갖는 화합물을, 적어도 1종 함유하고 있는 것이 바람직하다.
광중합 개시제로서는, 예를 들면, 할로젠화 탄화 수소 유도체(예를 들면, 트라이아진 골격을 갖는 것, 옥사다이아졸 골격을 갖는 것 등), 아실포스핀옥사이드 등의 아실포스핀 화합물, 헥사아릴바이이미다졸, 옥심 유도체 등의 옥심 화합물, 유기 과산화물, 싸이오 화합물, 케톤 화합물, 방향족 오늄염, 케톡심에터, 아미노아세토페논 화합물, 하이드록시아세토페논 등을 들 수 있고, 옥심 화합물이 바람직하다.
또한, 노광 감도의 관점에서, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, 벤질다이메틸케탈 화합물, α-하이드록시케톤 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀 화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 메탈로센 화합물, 옥심 화합물, 트라이알릴이미다졸 다이머, 오늄 화합물, 벤조싸이아졸 화합물, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물 및 그 유도체, 사이클로펜타다이엔-벤젠-철 착체 및 그 염, 할로메틸옥사다이아졸 화합물, 3-아릴 치환 쿠마린 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물이 바람직하다.
더 바람직하게는, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀 화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 옥심 화합물, 트라이알릴이미다졸 다이머, 트라이아릴이미다졸 화합물, 벤조이미다졸 화합물, 오늄 화합물, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물이며, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-아미노케톤 화합물, 옥심 화합물, 트라이알릴이미다졸 화합물, 벤조페논 화합물, 트라이아릴이미다졸 화합물, 벤조이미다졸 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이 특히 바람직하다. 또한, 트라이아릴이미다졸 화합물은, 벤조이미다졸과의 혼합물이어도 된다.
구체적으로는, 트라이할로메틸트라이아진 화합물로서는, 이하의 화합물이 예시된다. 또한, Ph는 페닐기이다.
[화학식 44]
Figure 112016009345945-pct00044
트라이아릴이미다졸 화합물, 벤조이미다졸 화합물로서는, 이하의 화합물이 예시된다.
[화학식 45]
Figure 112016009345945-pct00045
트라이할로메틸트라이아진 화합물로서는, 시판품도 사용할 수 있고, 예를 들면, TAZ-107(미도리 가가쿠사제)을 이용할 수도 있다.
특히, 본 발명의 착색 조성물을 고체 촬상 소자가 구비하는 컬러 필터의 제작에 사용하는 경우에는, 미세한 패턴을 샤프한 형상으로 형성할 필요가 있기 때문에, 경화성과 함께 미노광부에 잔사가 없이 현상되는 것이 중요하다. 이러한 관점에서는, 중합 개시제로서는 옥심 화합물을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 특히, 고체 촬상 소자에 있어서 미세한 패턴을 형성하는 경우, 경화용 노광에 스테퍼 노광을 이용하는데, 이 노광기는 할로젠에 의하여 손상되는 경우가 있고, 중합 개시제의 첨가량도 낮게 억제할 필요가 있기 때문에, 이러한 점을 고려하면, 고체 촬상 소자와 같은 미세 패턴을 형성하기 위해서는 (D) 광중합 개시제로서는, 옥심 화합물을 이용하는 것이 특히 바람직하다.
트라이아진 골격을 갖는 할로젠화 탄화 수소 화합물로서는, 예를 들면, 와카바야시 등 저, Bull. Chem. Soc. Japan, 42, 2924(1969)에 기재된 화합물, 영국 특허공보 제1388492호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 소53-133428호에 기재된 화합물, 독일 특허공보 제3337024호에 기재된 화합물, F. C. Schaefer 등에 의한 J. Org. Chem.; 29, 1527(1964)에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 소62-58241호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 평5-281728호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 평5-34920호에 기재된 화합물, 미국 특허공보 제4212976호에 기재되어 있는 화합물, 특히, 일본 공개특허공보 2013-077009호의 단락 번호 0075에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 상기 이외의 광중합 개시제로서, 아크리딘 유도체가 예시된다. 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2013-077009호의 단락 번호 0076에 기재된 화합물 등을 들 수 있고 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
케톤 화합물로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2013-077009호의 단락 번호 0077에 기재된 화합물 등을 들 수 있고 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
광중합 개시제로서는, 하이드록시아세토페논 화합물, 아미노아세토페논 화합물, 및 아실포스핀 화합물도 적합하게 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 평10-291969호에 기재된 아미노아세토페논계 개시제, 일본 특허공보 제4225898호에 기재된 아실포스핀옥사이드계 개시제도 이용할 수 있다.
하이드록시아세토페논계 개시제로서는, IRGACURE-184, DAROCUR-1173, IRGACURE-500, IRGACURE-2959, IRGACURE-127(상품명: 모두 BASF사제)을 이용할 수 있다. 아미노아세토페논계 개시제로서는, 시판품인 IRGACURE-907, IRGACURE-369, 및 IRGACURE-379(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다. 아미노아세토페논계 개시제로서, 365nm 또는 405nm 등의 장파 광원에 흡수 파장이 매칭된 일본 공개특허공보 2009-191179호에 기재된 화합물도 이용할 수 있다. 또한, 아실포스핀계 개시제로서는 시판품인 IRGACURE-819나 DAROCUR-TPO(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.
광중합 개시제로서, 보다 바람직하게는 옥심 화합물을 들 수 있다. 옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2001-233842호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2000-80068호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2006-342166호에 기재된 화합물을 이용할 수 있다.
본 발명에 있어서의 광중합 개시제로서 적합하게 이용되는 옥심 유도체 등의 옥심 화합물로서는, 예를 들면, 3-벤조일옥시이미노뷰테인-2-온, 3-아세톡시이미노뷰테인-2-온, 3-프로피온일옥시이미노뷰테인-2-온, 2-아세톡시이미노펜테인-3-온, 2-아세톡시이미노-1-페닐프로페인-1-온, 2-벤조일옥시이미노-1-페닐프로페인-1-온, 3-(4-톨루엔설폰일옥시)이미노뷰테인-2-온, 및 2-에톡시카보닐옥시이미노-1-페닐프로페인-1-온 등을 들 수 있다.
옥심 화합물로서는, J. C. S. Perkin II(1979년) pp.1653-1660, J. C. S. Perkin II(1979년) pp.156-162, Journal of Photopolymer Science and Technology(1995년) pp.202-232, 일본 공개특허공보 2000-66385호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2000-80068호, 일본 공표특허공보 2004-534797호, 일본 공개특허공보 2006-342166호의 각 공보에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.
시판품에서는 IRGACURE-OXE 01(BASF사제), IRGACURE-OXE02(BASF사제)도 적합하게 이용된다.
또 상기 기재 이외의 옥심 화합물로서, 카바졸 N위에 옥심이 연결된 일본 공표특허공보 2009-519904호에 기재된 화합물, 벤조페논 부위에 헤테로 치환기가 도입된 미국 특허공보 제7626957호에 기재된 화합물, 색소 구조에 나이트로기가 도입된 일본 공개특허공보 2010-15025호 및 미국 특허공개공보 2009-292039호에 기재된 화합물, 국제 공개특허공보 2009-131189호에 기재된 케톡심 화합물, 트라이아진 골격과 옥심 골격을 동일 분자 내에 함유하는 미국 특허공보 7556910호에 기재된 화합물, 405nm에 흡수 극대를 갖고 g선 광원에 대하여 양호한 감도를 갖는 일본 공개특허공보 2009-221114호에 기재된 화합물 등을 이용해도 된다.
바람직하게는 또한, 일본 공개특허공보 2007-231000호, 및 일본 공개특허공보 2007-322744호에 기재되는 환상 옥심 화합물에 대해서도 적합하게 이용할 수 있다. 환상 옥심 화합물 중에서도, 특히 일본 공개특허공보 2010-32985호, 일본 공개특허공보 2010-185072호에 기재되는 카바졸 색소로 축환한 환상 옥심 화합물은, 높은 광흡수성을 가져 고감도화의 관점에서 바람직하다.
또한, 옥심 화합물의 특정 부위에 불포화 결합을 갖는 일본 공개특허공보 2009-242469호에 기재된 화합물도, 중합 불활성 라디칼로부터 활성 라디칼을 재생함으로써 고감도화를 달성할 수 있어 적합하게 사용할 수 있다.
특히 바람직하게는, 일본 공개특허공보 2007-269779호에 나타나는 특정 치환기를 갖는 옥심 화합물이나, 일본 공개특허공보 2009-191061호에 나타나는 싸이오아릴기를 갖는 옥심 화합물을 들 수 있다.
구체적으로는, 광중합 개시제인 옥심 화합물로서는, 하기 일반식 (OX-1)로 나타나는 화합물이 바람직하다. 또한, 옥심의 N-O 결합이 (E)체의 옥심 화합물이어도 되고, (Z)체의 옥심 화합물이어도 되며, (E)체와 (Z)체의 혼합물이어도 된다.
[화학식 46]
Figure 112016009345945-pct00046
일반식 (OX-1) 중, R 및 B는 각각 독립적으로 1가의 치환기를 나타내고, A는 2가의 유기기를 나타내며, Ar은 아릴기를 나타낸다.
일반식 (OX-1) 중, R로 나타나는 1가의 치환기로서는, 1가의 비금속 원자단인 것이 바람직하다.
1가의 비금속 원자단으로서는, 알킬기, 아릴기, 아실기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 복소환기, 알킬싸이오카보닐기, 아릴싸이오카보닐기 등을 들 수 있다. 또한, 이들 기는, 1 이상의 치환기를 갖고 있어도 된다. 또한, 상술한 치환기는, 또 다른 치환기로 치환되어 있어도 된다.
치환기로서는 할로젠 원자, 아릴옥시기, 알콕시카보닐기 또는 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬기, 아릴기 등을 들 수 있다.
알킬기로서는, 탄소수 1~30의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 헥실기, 옥틸기, 데실기, 도데실기, 옥타데실기, 아이소프로필기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 1-에틸펜틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 트라이플루오로메틸기, 2-에틸헥실기, 페나실기, 1-나프토일메틸기, 2-나프토일메틸기, 4-메틸설판일페나실기, 4-페닐설판일페나실기, 4-다이메틸아미노페나실기, 4-사이아노페나실기, 4-메틸페나실기, 2-메틸페나실기, 3-플루오로페나실기, 3-트라이플루오로메틸페나실기, 및 3-나이트로페나실기를 예시할 수 있다.
아릴기로서는, 탄소수 6~30의 아릴기가 바람직하고, 구체적으로는, 페닐기, 바이페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 9-안트릴기, 9-페난트릴기, 1-피렌일기, 5-나프타센일기, 1-인덴일기, 2-아줄렌일기, 9-플루오렌일기, 터페닐기, 쿼터페닐기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, 자일릴기, o-큐멘일기, m-큐멘일기 및 p-큐멘일기, 메시틸기, 펜탈렌일기, 바이나프탈렌일기, 터나프탈렌일기, 쿼터나프탈렌일기, 헵탈렌일기, 바이페닐렌일기, 인다센일기, 플루오란텐일기, 아세나프틸렌일기, 아세안트릴렌일기, 페날렌일기, 플루오렌일기, 안트릴기, 바이안트라센일기, 터안트라센일기, 쿼터안트라센일기, 안트라퀴놀일기, 페난트릴기, 트라이페닐렌일기, 피렌일기, 크리센일기, 나프타센일기, 플레이아덴일기, 피센일기, 페릴렌일기, 펜타페닐기, 펜타센일기, 테트라페닐렌일기, 헥사페닐기, 헥사센일기, 루비센일기, 코로넨일기, 트라이나프틸렌일기, 헵타페닐기, 헵타센일기, 피란트렌일기, 및 오발렌일기를 예시할 수 있다.
아실기로서는, 탄소수 2~20의 아실기가 바람직하고, 구체적으로는, 아세틸기, 프로판오일기, 뷰탄오일기, 트라이플루오로아세틸기, 펜탄오일기, 벤조일기, 1-나프토일기, 2-나프토일기, 4-메틸설판일벤조일기, 4-페닐설판일벤조일기, 4-다이메틸아미노벤조일기, 4-다이에틸아미노벤조일기, 2-클로로벤조일기, 2-메틸벤조일기, 2-메톡시벤조일기, 2-뷰톡시벤조일기, 3-클로로벤조일기, 3-트라이플루오로메틸벤조일기, 3-사이아노벤조일기, 3-나이트로벤조일기, 4-플루오로벤조일기, 4-사이아노벤조일기, 및 4-메톡시벤조일기를 예시할 수 있다.
알콕시카보닐기로서는, 탄소수 2~20의 알콕시카보닐기가 바람직하고, 구체적으로는, 메톡시카보닐기, 에톡시카보닐, 프로폭시카보닐기, 뷰톡시카보닐기, 헥실옥시카보닐기, 옥틸옥시카보닐기, 데실옥시카보닐기, 옥타데실옥시카보닐기, 및 트라이플루오로메틸옥시카보닐기를 예시할 수 있다.
아릴옥시카보닐기로서 구체적으로는, 페녹시카보닐기, 1-나프틸옥시카보닐기, 2-나프틸옥시카보닐기, 4-메틸설판일페닐옥시카보닐기, 4-페닐설판일페닐옥시카보닐기, 4-다이메틸아미노페닐옥시카보닐기, 4-다이에틸아미노페닐옥시카보닐기, 2-클로로페닐옥시카보닐기, 2-메틸페닐옥시카보닐기, 2-메톡시페닐옥시카보닐기, 2-뷰톡시페닐옥시카보닐기, 3-클로로페닐옥시카보닐기, 3-트라이플루오로메틸페닐옥시카보닐기, 3-사이아노페닐옥시카보닐기, 3-나이트로페닐옥시카보닐기, 4-플루오로페닐옥시카보닐기, 4-사이아노페닐옥시카보닐기, 및 4-메톡시페닐옥시카보닐기를 예시할 수 있다.
복소환기로서는, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 혹은 인 원자를 포함하는, 방향족 또는 지방족의 복소환이 바람직하다.
구체적으로는, 싸이엔일기, 벤조[b]싸이엔일기, 나프토[2,3-b]싸이엔일기, 싸이안트렌일기, 퓨릴기, 피란일기, 아이소벤조퓨란일기, 크로멘일기, 잔텐일기, 페녹사싸이인일기, 2H-피롤일기, 피롤일기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 피리딜기, 피라진일기, 피리미딘일기, 피리다진일기, 인돌리진일기, 아이소인돌일기, 3H-인돌일기, 인돌일기, 1H-인다졸일기, 퓨린일기, 4H-퀴놀리진일기, 아이소퀴놀일기, 퀴놀일기, 프탈라진일기, 나프티리딘일기, 퀴녹살린일기, 퀴나졸린일기, 신놀린일기, 프테리딘일기, 4aH-카바졸일기, 카바졸일기, β-카볼린일기, 페난트리딘일기, 아크리딘일기, 페리미딘일기, 페난트롤린일기, 페나진일기, 페나르사진일기, 아이소싸이아졸일기, 페노싸이아진일기, 아이소옥사졸일기, 퓨라잔일기, 페녹사진일기, 아이소크로만일기, 크로만일기, 피롤리딘일기, 피롤린일기, 이미다졸리딘일기, 이미다졸린일기, 피라졸리딘일기, 피라졸린일기, 피페리딜기, 피페라진일기, 인돌린일기, 아이소인돌린일기, 퀴누클리딘일기, 모폴린일기, 및 싸이옥세인톨릴기를 예시할 수 있다.
알킬싸이오카보닐기로서 구체적으로는, 메틸싸이오카보닐기, 프로필싸이오카보닐기, 뷰틸싸이오카보닐기, 헥실싸이오카보닐기, 옥틸싸이오카보닐기, 데실싸이오카보닐기, 옥타데실싸이오카보닐기, 및 트라이플루오로메틸싸이오카보닐기를 예시할 수 있다.
아릴싸이오카보닐기로서 구체적으로는, 1-나프틸싸이오카보닐기, 2-나프틸싸이오카보닐기, 4-메틸설판일페닐싸이오카보닐기, 4-페닐설판일페닐싸이오카보닐기, 4-다이메틸아미노페닐싸이오카보닐기, 4-다이에틸아미노페닐싸이오카보닐기, 2-클로로페닐싸이오카보닐기, 2-메틸페닐싸이오카보닐기, 2-메톡시페닐싸이오카보닐기, 2-뷰톡시페닐싸이오카보닐기, 3-클로로페닐싸이오카보닐기, 3-트라이플루오로메틸페닐싸이오카보닐기, 3-사이아노페닐싸이오카보닐기, 3-나이트로페닐싸이오카보닐기, 4-플루오로페닐싸이오카보닐기, 4-사이아노페닐싸이오카보닐기, 및 4-메톡시페닐싸이오카보닐기를 들 수 있다.
일반식 (OX-1) 중, B로 나타나는 1가의 치환기로서는, 아릴기, 복소환기, 아릴카보닐기, 또는 복소환 카보닐기를 나타낸다. 또한, 이들 기는 1 이상의 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 상술한 치환기를 예시할 수 있다. 또한, 상술한 치환기는, 또 다른 치환기로 치환되어 있어도 된다.
그 중에서도, 특히 바람직하게는 이하에 나타내는 구조이다.
하기의 구조 중, Y, X, 및 n은, 각각, 후술하는 일반식 (OX-2)에 있어서의 Y, X, 및 n과 동의이며, 바람직한 예도 동일하다.
[화학식 47]
Figure 112016009345945-pct00047
식 (OX-1) 중, A로 나타나는 2가의 유기기로서는, 탄소수 1~12의 알킬렌기, 사이클로알킬렌기, 알카인일렌기를 들 수 있다. 또한, 이들 기는 1 이상의 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 상술한 치환기를 예시할 수 있다. 또한, 상술한 치환기는, 또 다른 치환기로 치환되어 있어도 된다.
그 중에서도, 식 (OX-1)에 있어서의 A로서는, 감도를 높이고, 가열 경시에 따른 착색을 억제하는 점에서, 무치환의 알킬렌기, 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, tert-뷰틸기, 도데실기)로 치환된 알킬렌기, 알켄일기(예를 들면, 바이닐기, 알릴기)로 치환된 알킬렌기, 아릴기(예를 들면, 페닐기, p-톨릴기, 자일릴기, 큐멘일기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 스타이릴기)로 치환된 알킬렌기가 바람직하다.
식 (OX-1) 중, Ar로 나타나는 아릴기로서는, 탄소수 6~30의 아릴기가 바람직하고, 또한, 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 앞서 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기의 구체예로서 든 치환 아릴기에 도입된 치환기와 동일한 것을 예시할 수 있다.
그 중에서도, 감도를 높이고, 가열 경시에 따른 착색을 억제하는 점에서, 치환 또는 무치환의 페닐기가 바람직하다.
식 (OX-1)에 있어서는, 식 (OX-1) 중의 Ar과 그에 인접하는 S로 형성되는 "SAr"의 구조가, 이하에 나타내는 구조인 것이 감도의 점에서 바람직하다. 또한, Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타낸다.
[화학식 48]
Figure 112016009345945-pct00048
옥심 화합물은, 하기 일반식 (OX-2)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 49]
Figure 112016009345945-pct00049
일반식 (OX-2) 중, R 및 X는 각각 독립적으로 1가의 치환기를 나타내고, A 및 Y는 각각 독립적으로 2가의 유기기를 나타내며, Ar은 아릴기를 나타내고, n은 0~5의 정수이다. 일반식 (OX-2)에 있어서의 R, A, 및 Ar은, 일반식 (OX-1)에 있어서의 R, A, 및 Ar과 동의이며, 바람직한 예도 동일하다.
일반식 (OX-2) 중, X로 나타나는 1가의 치환기로서는, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실옥시기, 아실기, 알콕시카보닐기, 아미노기, 복소환기, 할로젠 원자를 들 수 있다. 또한, 이들 기는 1 이상의 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 상술한 치환기를 예시할 수 있다. 또한, 상술한 치환기는, 또 다른 치환기로 치환되어 있어도 된다.
이들 중에서도, 일반식 (OX-2)에 있어서의 X로서는, 용제 용해성과 장파장 영역의 흡수 효율 향상의 점에서, 알킬기가 바람직하다.
또한, 식 (2)에 있어서의 n은, 0~5의 정수를 나타내고, 0~2의 정수가 바람직하다.
일반식 (OX-2) 중, Y로 나타나는 2가의 유기기로서는, 이하에 나타내는 구조를 들 수 있다. 또한, 이하에 나타나는 기에 있어서, "*"는, 식 (OX-2)에 있어서, Y와 인접하는 탄소 원자와의 결합 위치를 나타낸다.
[화학식 50]
Figure 112016009345945-pct00050
그 중에서도, 고감도화의 관점에서, 하기에 나타내는 구조가 바람직하다.
[화학식 51]
Figure 112016009345945-pct00051
또한 옥심 화합물은, 하기 일반식 (OX-3) 또는 (OX-4)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 52]
Figure 112016009345945-pct00052
일반식 (OX-3) 또는 (OX-4) 중, R 및 X는 각각 독립적으로 1가의 치환기를 나타내고, A는 2가의 유기기를 나타내며, Ar은 아릴기를 나타내고, n은 0~5의 정수이다.
일반식 (OX-3) 또는 (OX-4)에 있어서의 R, X, A, Ar, 및 n은, 일반식 (OX-2)에 있어서의 R, X, A, Ar, 및 n과 각각 동의이며, 바람직한 예도 동일하다.
이하 적합하게 이용되는 옥심 화합물의 구체예 (C-4)~(C-13)을 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 53]
Figure 112016009345945-pct00053
옥심 화합물은, 350nm~500nm의 파장 영역에 극대 흡수 파장을 갖는 것이며, 360nm~480nm의 파장 영역에 흡수 파장을 갖는 것인 것이 바람직하고, 365nm 및 455nm의 흡광도가 높은 것이 특히 바람직하다.
옥심 화합물은, 365nm 또는 405nm에 있어서의 몰 흡광 계수는, 감도의 관점에서, 1,000~300,000인 것이 바람직하고, 2,000~300,000인 것이 보다 바람직하며, 5,000~200,000인 것이 특히 바람직하다.
화합물의 몰 흡광 계수는, 공지의 방법을 이용할 수 있지만, 구체적으로는, 예를 들면, 자외 가시 분광 광도계(Varian사제 Cary-5 spectrophotometer)로, 아세트산 에틸 용매를 이용하여, 0.01g/L의 농도로 측정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 착색 조성물에 (D) 광중합 개시제가 함유되는 경우, 광중합 개시제의 함유량은, 착색 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1질량% 이상 50질량% 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상 30질량% 이하, 더 바람직하게는 1질량% 이상 20질량% 이하이다. 이 범위에서, 보다 양호한 감도와 패턴 형성성이 얻어진다.
본 발명의 조성물은, 광중합 개시제를, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<안료 분산제>
본 발명의 착색 조성물이 안료를 갖는 경우는, 안료 분산제를, 목적에 따라 병용할 수 있다.
본 발명에 이용할 수 있는 안료 분산제로서는, 고분자 분산제〔예를 들면, 폴리아마이드아민과 그 염, 폴리카복실산과 그 염, 고분자량 불포화산 에스터, 변성 폴리유레테인, 변성 폴리에스터, 변성 폴리(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴계 공중합체, 나프탈렌설폰산 포말린 축합물〕, 및 폴리옥시에틸렌알킬 인산 에스터, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 알칸올아민 등의 계면활성제, 및 안료 유도체 등을 들 수 있다.
고분자 분산제는, 그 구조로부터 추가로 직쇄상 고분자, 말단 변성형 고분자, 그래프트형 고분자, 블록형 고분자로 분류할 수 있다.
안료 표면으로의 앵커 부위를 갖는 말단 변성형 고분자로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 평3-112992호, 일본 공표특허공보 2003-533455호 등에 기재된 말단에 인산기를 갖는 고분자, 일본 공개특허공보 2002-273191호 등에 기재된 말단에 설폰산기를 갖는 고분자, 일본 공개특허공보 평9-77994호 등에 기재된 유기 색소의 부분 골격이나 복소환을 갖는 고분자 등을 들 수 있다. 또한, 일본 공개특허공보 2007-277514호에 기재된 고분자 말단에 2개 이상의 안료 표면으로의 앵커 부위(산기, 염기성기, 유기 색소의 부분 골격이나 헤테로환 등)를 도입한 고분자도 분산 안정성이 우수하여 바람직하다.
안료 표면으로의 앵커 부위를 갖는 그래프트형 고분자로서는, 예를 들면, 폴리에스터계 분산제 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 일본 공개특허공보 소54-37082호, 일본 공표특허공보 평8-507960호, 일본 공개특허공보 2009-258668호 등에 기재된 폴리(저급 알킬렌이민)와 폴리에스터의 반응 생성물, 일본 공개특허공보 평9-169821호 등에 기재된 폴리알릴아민과 폴리에스터의 반응 생성물, 일본 공개특허공보 평10-339949호, 일본 공개특허공보 2004-37986호, 국제 공개 팸플릿 WO2010/110491 등에 기재된 매크로모노머와, 질소 원자 모노머와의 공중합체, 일본 공개특허공보 2003-238837호, 일본 공개특허공보 2008-9426호, 일본 공개특허공보 2008-81732호 등에 기재된 유기 색소의 부분 골격이나 복소환을 갖는 그래프트형 고분자, 일본 공개특허공보 2010-106268호 등에 기재된 매크로모노머와 산기 함유 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다. 특히, 일본 공개특허공보 2009-203462호에 기재된 염기성기와 산성기를 갖는 양성 분산 수지는, 안료 분산물의 분산성, 분산 안정성, 및 안료 분산물을 이용한 착색 조성물이 나타내는 현상성의 관점에서 특히 바람직하다.
안료 표면으로의 앵커 부위를 갖는 그래프트형 고분자를 라디칼 중합으로 제조할 때에 이용하는 매크로모노머로서는, 공지의 매크로모노머를 이용할 수 있고, 도아 고세이(주)제의 매크로모노머 AA-6(말단기가 메타크릴로일기인 폴리메타크릴산 메틸), AS-6(말단기가 메타크릴로일기인 폴리스타이렌), AN-6S(말단기가 메타크릴로일기인 스타이렌과 아크릴로나이트릴의 공중합체), AB-6(말단기가 메타크릴로일기인 폴리아크릴산 뷰틸), 다이셀 가가쿠 고교(주)제의 플락셀 FM5(메타크릴산 2-하이드록시에틸의 ε-카프로락톤 5몰당량 부가품), FA10L(아크릴산 2-하이드록시에틸의 ε-카프로락톤 10몰당량 부가품), 및 일본 공개특허공보 평2-272009호에 기재된 폴리에스터계 매크로모노머 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 특히 유연성 또한 친용제성이 우수한 폴리에스터계 매크로모노머가, 안료 분산물의 분산성, 분산 안정성, 및 안료 분산물을 이용한 착색 조성물이 나타내는 현상성의 관점에서 특히 바람직하고, 또한, 일본 공개특허공보 평2-272009호에 기재된 폴리에스터계 매크로모노머로 나타나는 폴리에스터계 매크로모노머가 특히 바람직하다.
안료 표면으로의 앵커 부위를 갖는 블록형 고분자로서는, 일본 공개특허공보 2003-49110호, 일본 공개특허공보 2009-52010호 등에 기재된 블록형 고분자가 바람직하다.
본 발명에 이용할 수 있는 안료 분산제는, 시판품으로서도 입수 가능하고, 그러한 구체예로서는, 구스모토 가세이 가부시키가이샤제 "DA-7301", BYKChemie사제 "Disperbyk-101(폴리아마이드아민 인산염), 107(카복실산 에스터), 110, 111(산기를 포함하는 공중합물), 130(폴리아마이드), 161, 162, 163, 164, 165, 166, 170(고분자 공중합물)", "BYK-P104, P105(고분자량 불포화 폴리카복실산)", EFKA사제 "EFKA4047, 4050~4010~4165(폴리유레테인계), EFKA4330~4340(블록 공중합체), 4400~4402(변성 폴리아크릴레이트), 5010(폴리에스터아마이드), 5765(고분자량 폴리카복실산염), 6220(지방산 폴리에스터), 6745(프탈로사이아닌 유도체), 6750(아조 안료 유도체)", 아지노모토 파인 테크노사제 "아지스퍼 PB821, PB822, PB880, PB881", 교에이샤 가가쿠사제 "플로렌 TG-710(유레테인올리고머)", "폴리플로 No. 50E, No. 300(아크릴계 공중합체)", 구스모토 가세이사제 "디스파론 KS-860, 873SN, 874, #2150(지방족 다가 카복실산), #7004(폴리에터에스터), DA-703-50, DA-705, DA-725", 가오사제 "데몰 RN, N(나프탈렌설폰산 포말린 중축합물), MS, C, SN-B(방향족 설폰산 포말린 중축합물)", "호모게놀 L-18(고분자 폴리카복실산)", "에멀겐 920, 930, 935, 985(폴리옥시에틸렌노닐페닐에터)", "아세타민 86(스테아릴아민아세테이트)", 니혼 루브리졸(주)제 "솔스퍼스 5000(프탈로사이아닌 유도체), 22000(아조 안료 유도체), 13240(폴리에스터아민), 3000, 17000, 27000(말단부에 기능부를 갖는 고분자), 24000, 28000, 32000, 38500(그래프트형 고분자)", 닛코 케미컬즈사제 "닛콜 T106(폴리옥시에틸렌소비탄모노올레이트), MYS-IEX(폴리옥시에틸렌모노스테아레이트)", 가와켄 파인 케미컬(주)제 "히노액트 T-8000E" 등, 신에쓰 가가쿠 고교(주)제 "오가노실록세인 폴리머 KP341", 유쇼(주)제 "W001: 양이온계 계면활성제", 폴리옥시에틸렌라우릴에터, 폴리옥시에틸렌스테아릴에터, 폴리옥시에틸렌올레일에터, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에터, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에터, 폴리에틸렌글라이콜다이라우레이트, 폴리에틸렌글라이콜다이스테아레이트, 소비탄 지방산 에스터 등의 비이온계 계면활성제, "W004, W005, W017" 등의 음이온계 계면활성제, 모리시타 산교(주)제 "EFKA-46, EFKA-47, EFKA-47EA, EFKA 폴리머 100, EFKA 폴리머 400, EFKA 폴리머 401, EFKA 폴리머 450", 산노프코(주)제 "디스퍼스에이드 6, 디스퍼스에이드 8, 디스퍼스에이드 15, 디스퍼스에이드 9100" 등의 고분자 분산제, (주)ADEKA제 "아데카 플루로닉 L31, F38, L42, L44, L61, L64, F68, L72, P95, F77, P84, F87, P94, L101, P103, F108, L121, P-123", 및 산요 가세이(주)제 "이오넷(상품명) S-20" 등을 들 수 있다.
이들 안료 분산제는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 본 발명에 있어서는, 특히, 안료 유도체와 고분자 분산제를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 안료 분산제는, 안료 표면으로의 앵커 부위를 갖는 말단 변성형 고분자, 그래프트형 고분자, 블록형 고분자와 함께, 알칼리 가용성 수지와 병용하여 이용해도 된다. 알칼리 가용성 수지로서는, (메트)아크릴산 공중합체, 이타콘산 공중합체, 크로톤산 공중합체, 말레산 공중합체, 부분 에스터화 말레산 공중합체 등, 및 측쇄에 카복실산을 갖는 산성 셀룰로스 유도체를 들 수 있는데, 특히 (메트)아크릴산 공중합체가 바람직하다. 또한, 일본 공개특허공보 평10-300922호에 기재된 N위 치환 말레이미드 모노머 공중합체, 일본 공개특허공보 2004-300204호에 기재된 에터 다이머 공중합체, 일본 공개특허공보 평7-319161호에 기재된 중합성기를 함유하는 알칼리 가용성 수지도 바람직하다.
착색 조성물에 있어서, 안료 분산제를 함유하는 경우, 안료 분산제의 총 함유량으로서는, 안료 100질량부에 대하여, 1질량부~80질량부인 것이 바람직하고, 5질량부~70질량부가 보다 바람직하며, 10질량부~60질량부인 것이 더 바람직하다. 본 발명의 조성물은 안료 분산제를, 각각, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 고분자 분산제를 이용하는 경우라면, 그 사용량으로서는, 안료 100질량부에 대하여, 질량 환산으로 5질량부~100질량부의 범위가 바람직하고, 10질량부~80질량부의 범위인 것이 보다 바람직하다.
또한, 안료 유도체를 병용하는 경우, 안료 유도체의 사용량으로서는, 안료 100질량부에 대하여, 질량 환산으로 1질량부~30질량부의 범위에 있는 것이 바람직하고, 3질량부~20질량부의 범위에 있는 것이 보다 바람직하며, 5질량부~15질량부의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다.
착색 조성물에 있어서, 경화 감도, 색농도의 관점에서, 색소 및 분산제 성분의 함유량의 총합이, 착색 조성물을 구성하는 전체 고형분에 대하여 50질량% 이상 90질량% 이하인 것이 바람직하고, 55질량% 이상 85질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 60질량% 이상 80질량% 이하인 것이 더 바람직하다.
<(F) 알칼리 가용성 수지>
본 발명의 착색 조성물은, 알칼리 가용성 수지를 더 함유하는 것이 바람직하다.
알칼리 가용성 수지의 분자량으로서는, 특별히 정하는 것은 아니지만, Mw가 5000~100,000인 것이 바람직하다. 또한, Mn은 1000~20,000인 것이 바람직하다.
알칼리 가용성 수지로서는, 선상 유기 고분자 중합체로서, 분자(바람직하게는, 아크릴계 공중합체, 스타이렌계 공중합체를 주쇄로 하는 분자) 중에 적어도 하나의 알칼리 가용성을 촉진하는 기를 갖는 알칼리 가용성 수지 중에서 적절히 선택할 수 있다. 내열성의 관점에서는, 폴리하이드록시스타이렌계 수지, 폴리실록세인계 수지, 아크릴계 수지, 아크릴아마이드계 수지, 아크릴/아크릴아마이드 공중합체 수지가 바람직하고, 현상성 제어의 관점에서는, 아크릴계 수지, 아크릴아마이드계 수지, 아크릴/아크릴아마이드 공중합체 수지가 바람직하다.
알칼리 가용성을 촉진하는 기(이하, 산기라고도 함)로서는, 예를 들면, 카복실기, 인산기, 설폰산기, 페놀성 수산기 등을 들 수 있는데, 유기 용제에 가용이고 약알칼리 수용액에 의하여 현상 가능한 것이 바람직하고, (메트)아크릴산을 특히 바람직한 것으로서 들 수 있다. 이들 산기는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
중합 후에 산기를 부여할 수 있는 모노머로서는, 예를 들면, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트 등의 수산기를 갖는 모노머, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기를 갖는 모노머, 2-아이소사이아네이토에틸(메트)아크릴레이트 등의 아이소사이아네이트기를 갖는 모노머 등을 들 수 있다. 이들 산기를 도입하기 위한 단량체는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 알칼리 가용성 수지에 산기를 도입하기 위해서는, 예를 들면, 산기를 갖는 모노머 및/또는 중합 후에 산기를 부여할 수 있는 모노머(이하 "산기를 도입하기 위한 단량체"라고 칭하는 경우도 있음)를, 단량체 성분으로 하여 중합하도록 하면 된다.
또한, 중합 후에 산기를 부여할 수 있는 모노머를 단량체 성분으로 하여 산기를 도입하는 경우에는, 중합 후에 예를 들면 후술하는 바와 같은 산기를 부여하기 위한 처리가 필요하다.
알칼리 가용성 수지의 제조에는, 예를 들면, 공지의 라디칼 중합법에 의한 방법을 적용할 수 있다. 라디칼 중합법으로 알칼리 가용성 수지를 제조할 때의 온도, 압력, 라디칼 개시제의 종류 및 그 양, 용매의 종류 등의 중합 조건은, 당업자에 있어서 용이하게 설정 가능하고, 실험적으로 조건을 정하도록 할 수도 있다.
알칼리 가용성 수지로서 이용되는 선상 유기 고분자 중합체로서는, 측쇄에 카복실산을 갖는 폴리머가 바람직하고, 메타크릴산 공중합체, 아크릴산 공중합체, 이타콘산 공중합체, 크로톤산 공중합체, 말레산 공중합체, 부분 에스터화 말레산 공중합체, 노볼락형 수지 등의 알칼리 가용성 페놀 수지 등, 및 측쇄에 카복실산을 갖는 산성 셀룰로스 유도체, 수산기를 갖는 폴리머에 산무수물을 부가시킨 것을 들 수 있다. 특히, (메트)아크릴산과, 이와 공중합 가능한 다른 단량체와의 공중합체가, 알칼리 가용성 수지로서 적합하다. (메트)아크릴산과 공중합 가능한 다른 단량체로서는, 알킬(메트)아크릴레이트, 아릴(메트)아크릴레이트, 바이닐 화합물 등을 들 수 있다. 알킬(메트)아크릴레이트 및 아릴(메트)아크릴레이트로서는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 뷰틸(메트)아크릴레이트, 아이소뷰틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 페닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 톨릴(메트)아크릴레이트, 나프틸(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트 등, 바이닐 화합물로서는, 스타이렌, α-메틸스타이렌, 바이닐톨루엔, 글리시딜메타크릴레이트, 아크릴로나이트릴, 바이닐아세테이트, N-바이닐피롤리돈, 테트라하이드로퓨퓨릴메타크릴레이트, 폴리스타이렌 매크로모노머, 폴리메틸메타크릴레이트 매크로모노머 등, 일본 공개특허공보 평10-300922호에 기재된 N위 치환 말레이미드 모노머로서, N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드 등을 들 수 있다. 또한, 이들 (메트)아크릴산과 공중합 가능한 다른 단량체는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
알칼리 가용성 수지로서는, 하기 일반식 (ED)로 나타나는 화합물(이하 "에터 다이머"라고 칭하는 경우도 있음)을 필수로 하는 단량체 성분을 중합하여 이루어지는 폴리머 (a)를 포함하는 것도 바람직하다.
[화학식 54]
Figure 112016009345945-pct00054
일반식 (ED) 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~25의 탄화 수소기를 나타낸다.
이로써, 본 발명의 착색 조성물은, 내열성과 함께 투명성도 매우 우수한 경화 도막을 형성할 수 있다. 에터 다이머를 나타내는 일반식 (ED) 중, R1 및 R2로 나타나는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~25의 탄화 수소기로서는, 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 아이소프로필, n-뷰틸, 아이소뷰틸, tert-뷰틸, tert-아밀, 스테아릴, 라우릴, 2-에틸헥실 등의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기; 페닐 등의 아릴기; 사이클로헥실, tert-뷰틸사이클로헥실, 다이사이클로펜타다이엔일, 트라이사이클로데칸일, 아이소보닐, 아다만틸, 2-메틸-2-아다만틸 등의 지환식 기; 1-메톡시에틸, 1-에톡시에틸 등의 알콕시로 치환된 알킬기; 벤질 등의 아릴기로 치환된 알킬기; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 메틸, 에틸, 사이클로헥실, 벤질 등과 같은 산이나 열로 탈리시키기 어려운 1급 또는 2급 탄소의 치환기가 내열성의 점에서 바람직하다.
에터 다이머의 구체예로서는, 예를 들면, 다이메틸-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이에틸-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(n-프로필)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(아이소프로필)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(n-뷰틸)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(아이소뷰틸)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(tert-뷰틸)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(tert-아밀)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(스테아릴)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(라우릴)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(2-에틸헥실)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(1-메톡시에틸)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(1-에톡시에틸)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이벤질-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이페닐-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이사이클로헥실-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(tert-뷰틸사이클로헥실)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(다이사이클로펜타다이엔일)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(트라이사이클로데칸일)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(아이소보닐)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이아다만틸-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이(2-메틸-2-아다만틸)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 다이메틸-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이에틸-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이사이클로헥실-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 다이벤질-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트가 바람직하다. 이들 에터 다이머는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 일반식 (ED)로 나타나는 화합물 유래의 구조체는, 그 외의 단량체를 공중합시켜도 된다.
또한, 본 발명에 있어서의 착색 조성물의 가교 효율을 향상시키기 위하여, 중합성기를 갖는 알칼리 가용성 수지를 사용해도 된다. 중합성기를 갖는 알칼리 가용성 수지로서는, 알릴기, (메트)아크릴기, 알릴옥시알킬기 등을 측쇄에 함유한 알칼리 가용성 수지 등이 유용하다. 상술한 중합성기를 함유하는 폴리머의 예로서는, 다이아날 NR 시리즈(미쓰비시 레이온 가부시키가이샤제), Photomer6173(COOH 함유 polyurethane acrylic oligomer. Diamond Shamrock Co., Ltd.제), 비스코트 R-264, KS 레지스트 106(모두 오사카 유키 가가쿠 고교 가부시키가이샤제), 사이클로머 P 시리즈, 플락셀 CF200 시리즈(모두 다이셀 가가쿠 고교 가부시키가이샤제), Ebecryl3800(다이셀 유씨비 가부시키가이샤제) 등을 들 수 있다. 이들 중합성기를 함유하는 알칼리 가용성 수지로서는, 미리 아이소사이아네이트기와 OH기를 반응시켜, 미반응의 아이소사이아네이트기를 1개 남기고, 또한 (메트)아크릴로일기를 포함하는 화합물과 카복실기를 포함하는 아크릴 수지와의 반응에 의하여 얻어지는 유레테인 변성된 중합성 이중 결합 함유 아크릴 수지, 카복실기를 포함하는 아크릴 수지와 분자 내에 에폭시기 및 중합성 이중 결합을 함께 갖는 화합물과의 반응에 의하여 얻어지는 불포화기 함유 아크릴 수지, 산 펜던트형 에폭시아크릴레이트 수지, OH기를 포함하는 아크릴 수지와 중합성 이중 결합을 갖는 2염기 산무수물을 반응시킨 중합성 이중 결합 함유 아크릴 수지, OH기를 포함하는 아크릴 수지와 아이소사이아네이트와 중합성기를 갖는 화합물을 반응시킨 수지, 일본 공개특허공보 2002-229207호 및 일본 공개특허공보 2003-335814호에 기재되는 α위 또는 β위에 할로젠 원자 혹은 설포네이트기 등의 탈리기를 갖는 에스터기를 측쇄에 갖는 수지를, 염기성 처리함으로써 얻어지는 수지 등이 바람직하다.
알칼리 가용성 수지로서는, 특히, (메트)아크릴산 벤질/(메트)아크릴산 공중합체나 (메트)아크릴산 벤질/(메트)아크릴산/다른 모노머로 이루어지는 다원 공중합체가 적합하다. 이 외에, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트를 공중합한 (메트)아크릴산 벤질/(메트)아크릴산/(메트)아크릴산-2-하이드록시에틸 공중합체, 일본 공개특허공보 평7-140654호에 기재된 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트/폴리스타이렌 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트/폴리메틸메타크릴레이트 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트/폴리스타이렌 매크로모노머/메틸메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트/폴리스타이렌 매크로모노머/벤질메타크레이트/메타크릴산 공중합체 등을 들 수 있고, 특히 바람직하게는 메타크릴산 벤질/메타크릴산의 공중합체 등을 들 수 있다.
알칼리 가용성 수지로서는, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0558~0571(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0685]~[0700]) 이후의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
또한, 일본 공개특허공보 2012-32767호에 기재된 단락 번호 0029~0063에 기재된 공중합체 (B) 및 실시예에서 이용되고 있는 알칼리 가용성 수지, 일본 공개특허공보 2012-208474호의 단락 번호 0088~0098에 기재된 바인더 수지 및 실시예에서 이용되고 있는 바인더 수지, 일본 공개특허공보 2012-137531호의 단락 번호 0022~0032에 기재된 바인더 수지 및 실시예에서 이용되고 있는 바인더 수지, 일본 공개특허공보 2013-024934호의 단락 번호 0132~0143에 기재된 바인더 수지 및 실시예에서 이용되고 있는 바인더 수지, 일본 공개특허공보 2011-242752호의 단락 번호 0092~0098 및 실시예에서 이용되고 있는 바인더 수지, 일본 공개특허공보 2012-032770호의 단락 번호 0030~0072의 기재된 바인더 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다. 보다 구체적으로는, 하기의 수지가 바람직하다.
[화학식 55]
Figure 112016009345945-pct00055
알칼리 가용성 수지의 산가로서는 바람직하게는 30mgKOH/g~200mgKOH/g, 보다 바람직하게는 50mgKOH/g~150mgKOH/g인 것이 바람직하고, 70mgKOH/g~120mgKOH/g인 것이 특히 바람직하다.
또한, 알칼리 가용성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 2,000~50,000이 바람직하고, 5,000~30,000이 더 바람직하며, 7,000~20,000이 특히 바람직하다.
착색 조성물 중에 알칼리 가용성 수지를 함유하는 경우, 알칼리 가용성 수지의 함유량으로서는, 착색 조성물의 전체 고형분에 대하여, 1질량%~15질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는, 2질량%~12질량%이며, 특히 바람직하게는, 3질량%~10질량%이다.
본 발명의 조성물은, 알칼리 가용성 수지를, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<다른 성분>
본 발명의 착색 조성물은, 상술한 각 성분에 더하여, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 유기 용제, 가교제, 중합 금지제, 계면활성제, 유기 카복실산, 유기 카복실산 무수물 등의 다른 성분을 더 포함하고 있어도 된다.
<<유기 용제>>
본 발명의 착색 조성물은, 유기 용제를 함유해도 된다.
유기 용제는, 각 성분의 용해성이나 착색 조성물의 도포성을 만족시키면 기본적으로는 특별히 제한은 없지만, 특히 자외선 흡수제, 알칼리 가용성 수지나 분산제 등의 용해성, 도포성, 안전성을 고려하여 선택되는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서의 착색 조성물을 조제할 때에는, 적어도 2종류의 유기 용제를 포함하는 것이 바람직하다.
유기 용제로서는, 에스터류로서, 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 옥시아세트산 알킬(예: 옥시아세트산 메틸, 옥시아세트산 에틸, 옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-옥시프로피온산 메틸, 3-옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-옥시프로피온산 메틸, 2-옥시프로피온산 에틸, 2-옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등, 및 에터류로서 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등, 및 케톤류로서 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 3-헵탄온 등, 및 방향족 탄화 수소류로서, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등을 적합하게 들 수 있다.
이들 유기 용제는, 자외선 흡수제 및 알칼리 가용성 수지의 용해성, 도포면 형상의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합하는 것도 바람직하다. 이 경우, 특히 바람직하게는, 상기의 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트로부터 선택되는 2종 이상으로 구성되는 혼합 용액이다.
유기 용제의 착색 조성물 중에 있어서의 함유량은, 도포성의 관점에서, 조성물의 전체 고형분 농도가 5질량%~80질량%가 되는 양으로 하는 것이 바람직하고, 5질량%~60질량%가 더 바람직하며, 10질량%~50질량%가 특히 바람직하다.
본 발명의 조성물은, 유기 용제를, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<<가교제>>
본 발명의 착색 조성물에 보충적으로 가교제를 이용하여, 착색 조성물을 경화시켜 이루어지는 경화막의 경도를 보다 높일 수도 있다.
가교제로서는, 가교 반응에 의하여 막경화를 행할 수 있는 것이면, 특별히 한정은 없고, 예를 들면, (a) 에폭시 수지, (b) 메틸올기, 알콕시메틸기, 및 아실옥시메틸기로부터 선택되는 적어도 하나의 치환기로 치환된, 멜라민 화합물, 구아나민 화합물, 글라이콜우릴 화합물 또는 유레아 화합물, (c) 메틸올기, 알콕시메틸기, 및 아실옥시메틸기로부터 선택되는 적어도 하나의 치환기로 치환된, 페놀 화합물, 나프톨 화합물 또는 하이드록시안트라센 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 다관능 에폭시 수지가 바람직하다.
가교제의 구체예 등의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2004-295116호의 단락 0134~0147의 기재를 참조할 수 있다.
본 발명의 착색 조성물 중에 가교제를 함유하는 경우, 가교제의 배합량은, 특별히 정하는 것은 아니지만, 조성물의 전체 고형분의 2~30질량%가 바람직하고, 3~20질량%가 보다 바람직하다.
본 발명의 조성물은, 가교제를, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<<중합 금지제>>
본 발명의 착색 조성물에 있어서는, 착색 조성물의 제조 중 또는 보존 중에 있어서, 중합성 화합물의 불필요한 열중합을 저지하기 위하여, 소량의 중합 금지제를 첨가하는 것이 바람직하다.
본 발명에 이용할 수 있는 중합 금지제로서는, 하이드로퀴논, p-메톡시페놀, 다이-tert-뷰틸-p-크레졸, 파이로갈롤, tert-뷰틸카테콜, 벤조퀴논, 4,4'-싸이오비스(3-메틸-6-tert-뷰틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-뷰틸페놀), N-나이트로소페닐하이드록시아민 제1 세륨염 등을 들 수 있다.
본 발명의 착색 조성물 중에 중합 금지제를 함유하는 경우, 중합 금지제의 첨가량은, 전체 조성물의 질량에 대하여, 약 0.01질량%~약 5질량%가 바람직하다.
본 발명의 조성물은, 중합 금지제를, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<<계면활성제>>
본 발명의 착색 조성물에는, 도포성을 보다 향상시키는 관점에서, 각종 계면활성제를 첨가해도 된다. 계면활성제로서는, 불소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 다양한 계면활성제를 사용할 수 있다.
특히, 본 발명의 착색 조성물은, 불소계 계면활성제를 함유함으로써, 도포액으로서 조제했을 때의 액특성(특히, 유동성)이 보다 향상되는 점에서, 도포 두께의 균일성이나 성액성(省液性)을 보다 개선할 수 있다.
즉, 불소계 계면활성제를 함유하는 착색 조성물을 적용한 도포액을 이용하여 막형성하는 경우에 있어서는, 피도포면과 도포액의 계면장력을 저하시킴으로써, 피도포면에 대한 습윤성이 개선되어, 피도포면에 대한 도포성이 향상된다. 이로 인하여, 소량의 액량으로 수 μm 정도의 박막을 형성한 경우이더라도, 두께 편차가 작은 균일 두께의 막형성을 보다 적합하게 행할 수 있는 점에서 유효하다.
불소계 계면활성제 중의 불소 함유율은, 3질량%~40질량%가 적합하고, 보다 바람직하게는 5질량%~30질량%이며, 특히 바람직하게는 7질량%~25질량%이다. 불소 함유율이 이 범위 내인 불소계 계면활성제는, 도포막의 두께의 균일성이나 성액성의 점에서 효과적이며, 착색 조성물 중에 있어서의 용해성도 양호하다.
불소계 계면활성제로서는, 예를 들면, 메가팍 F171, 동 F172, 동 F173, 동 F176, 동 F177, 동 F141, 동 F142, 동 F143, 동 F144, 동 R30, 동 F437, 동 F475, 동 F479, 동 F482, 동 F554, 동 F780, 동 F781(이상, DIC(주)제), 플루오라드 FC430, 동 FC431, 동 FC171(이상, 스미토모 3M(주)제), 서프론 S-382, 동 SC-101, 동 SC-103, 동 SC-104, 동 SC-105, 동 SC1068, 동 SC-381, 동 SC-383, 동 S393, 동 KH-40(이상, 아사히 가라스(주)제) 등을 들 수 있다.
비이온계 계면활성제로서 구체적으로는, 글리세롤, 트라이메틸올프로페인, 트라이메틸올에테인 및 그들의 에톡실레이트 및 프로폭실레이트(예를 들면, 글리세롤프로폭실레이트, 글리세린에톡실레이트 등), 폴리옥시에틸렌라우릴에터, 폴리옥시에틸렌스테아릴에터, 폴리옥시에틸렌올레일에터, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에터, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에터, 폴리에틸렌글라이콜다이라우레이트, 폴리에틸렌글라이콜다이스테아레이트, 소비탄 지방산 에스터(BASF사제의 플루로닉 L10, L31, L61, L62, 10R5, 17R2, 25R2, 테트로닉 304, 701, 704, 901, 904, 150R1), 솔스퍼스 20000(니혼 루브리졸(주)) 등을 들 수 있다.
양이온계 계면활성제로서 구체적으로는, 프탈로사이아닌 유도체(상품명: EFKA-745, 모리시타 산교(주)제), 오가노실록세인 폴리머 KP341(신에쓰 가가쿠 고교(주)제), (메트)아크릴산계 (공)중합체 폴리플로 No. 75, No. 90, No. 95(교에이샤 가가쿠(주)제), W001(유쇼(주)제) 등을 들 수 있다.
음이온계 계면활성제로서 구체적으로는, W004, W005, W017(유쇼(주)사제) 등을 들 수 있다.
실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면, 도레이·다우코닝(주)제 "도레이실리콘 DC3PA", "도레이실리콘 SH7PA", "도레이실리콘 DC11PA", "도레이실리콘 SH21PA", "도레이실리콘 SH28PA", "도레이실리콘 SH29PA", "도레이실리콘 SH30PA", "도레이실리콘 SH8400", 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈사제 "TSF-4440", "TSF-4300", "TSF-4445", "TSF-4460", "TSF-4452", 신에쓰 실리콘 가부시키가이샤제 "KP341", "KF6001", "KF6002", 빅케미사제 "BYK307", "BYK323", "BYK330" 등을 들 수 있다.
본 발명의 착색 조성물에 계면활성제를 함유하는 경우, 계면활성제의 첨가량은, 착색 조성물의 전체 질량에 대하여, 0.001질량%~2.0질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005질량%~1.0질량%이다.
본 발명의 조성물은, 계면활성제를, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<<유기 카복실산, 유기 카복실산 무수물>>
본 발명의 착색 조성물은, 분자량 1000 이하의 유기 카복실산, 및/또는 유기 카복실산 무수물을 함유하고 있어도 된다.
유기 카복실산 화합물로서는, 구체적으로는, 지방족 카복실산 또는 방향족 카복실산을 들 수 있다. 지방족 카복실산으로서는, 예를 들면, 폼산, 아세트산, 프로피온산, 뷰티르산, 발레르산, 피발산, 카프로산, 글라이콜산, 아크릴산, 메타크릴산 등의 모노카복실산, 옥살산, 말론산, 석신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 사이클로헥세인다이카복실산, 사이클로헥센다이카복실산, 이타콘산, 시트라콘산, 말레산, 푸마르산 등의 다이카복실산, 트라이카발릴산, 아코니트산 등의 트라이카복실산 등을 들 수 있다. 또한, 방향족 카복실산으로서는, 예를 들면, 벤조산, 프탈산 등의 페닐기에 직접 카복실기가 결합한 카복실산, 및 페닐기로부터 탄소 결합을 통하여 카복실기가 결합한 카복실산류를 들 수 있다. 이들 중에서는, 특히 분자량 600 이하, 특히 분자량 50~500인 것, 구체적으로는, 예를 들면, 말레산, 말론산, 석신산, 이타콘산이 바람직하다.
유기 카복실산 무수물로서는, 예를 들면, 지방족 카복실산 무수물, 방향족 카복실산 무수물을 들 수 있고, 구체적으로는, 예를 들면, 무수 아세트산, 무수 트라이클로로아세트산, 무수 트라이플루오로아세트산, 무수 테트라하이드로프탈산, 무수 석신산, 무수 말레산, 무수 시트라콘산, 무수 이타콘산, 무수 글루타르산, 무수 1,2-사이클로헥센다이카복실산, 무수 n-옥타데실석신산, 무수 5-노보넨-2,3-다이카복실산 등의 지방족 카복실산 무수물을 들 수 있다. 방향족 카복실산 무수물로서는, 예를 들면, 무수 프탈산, 트라이멜리트산 무수물, 파이로멜리트산 무수물, 무수 나프탈산 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 특히 분자량 600 이하, 특히 분자량 50~500인 것, 구체적으로는, 예를 들면, 무수 말레산, 무수 석신산, 무수 시트라콘산, 무수 이타콘산이 바람직하다.
본 발명의 착색 조성물에 유기 카복실산, 유기 카복실산 무수물을 함유하는 경우, 유기 카복실산 및/또는 유기 카복실산 무수물의 첨가량은, 통상, 전체 고형분 중 0.01~10중량%, 바람직하게는 0.03~5중량%, 보다 바람직하게는 0.05~3중량%의 범위이다.
본 발명의 조성물은, 유기 카복실산 및/또는 유기 카복실산 무수물을, 각각, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
이들 분자량 1000 이하의 유기 카복실산, 및/또는 유기 카복실산 무수물을 첨가함으로써, 높은 패턴 밀착성을 유지하면서, 착색 조성물의 미용해물의 잔존을 보다 더 저감하는 것이 가능하다.
상기 외에, 착색 조성물에는, 필요에 따라, 다양한 첨가물, 예를 들면, 충전제, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가물로서는, 일본 공개특허공보 2004-295116호의 단락 0155~0156에 기재된 것을 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
본 발명의 착색 조성물에 있어서는, 일본 공개특허공보 2004-295116호의 단락 0078에 기재된 증감제나 광안정제, 동 공보의 단락 0081에 기재된 열중합 방지제를 함유할 수 있다.
본 발명의 조성물은, 상기 성분을, 각각, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<착색 조성물의 조제 방법>
본 발명의 착색 조성물은, 상술한 성분을 혼합함으로써 조제된다.
또한, 착색 조성물의 조제 시에는, 착색 조성물을 구성하는 각 성분을 일괄 배합해도 되고, 각 성분을 용제에 용해·분산한 후에 축차 배합해도 된다. 또한, 배합할 때의 투입 순서나 작업 조건은 특별히 제약을 받지 않는다. 예를 들면, 전체 성분을 동시에 용제에 용해·분산하여 조성물을 조제해도 되고, 필요에 따라서는, 각 성분을 적절히 2개 이상의 용액·분산액으로 해 두고, 사용 시(도포 시)에 이들을 혼합하여 조성물로서 조제해도 된다.
상기와 같이 하여 조제된 착색 조성물은, 바람직하게는, 구멍 직경 0.01μm~3.0μm, 보다 바람직하게는 구멍 직경 0.05μm~0.5μm 정도의 필터 등을 이용하여 여과 분리한 후, 사용에 제공할 수 있다.
본 발명의 착색 조성물은, 컬러 필터의 착색층 형성용으로서 바람직하게 이용된다. 보다 구체적으로는, 본 발명의 착색 조성물은, 내열성 및 색특성이 우수한 경화막을 형성할 수 있기 때문에, 컬러 필터의 착색 패턴(착색층)을 형성하기 위하여 적합하게 이용된다. 또한, 본 발명의 착색 조성물은, 고체 촬상 소자(예를 들면, CCD, CMOS 등)나, 액정 표시 장치(LCD) 등의 화상 표시 장치에 이용되는 컬러 필터 등의 착색 패턴 형성용으로서 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 인쇄 잉크, 잉크젯 잉크 및 도료 등의 제작 용도로서도 적합하게 이용할 수 있다. 그 중에서도, CCD 및 CMOS 등의 고체 촬상 소자용의 컬러 필터를 제작 용도로서 적합하게 이용할 수 있다.
<경화막, 패턴 형성 방법, 컬러 필터 및 컬러 필터의 제조 방법>
다음으로, 본 발명에 있어서의 경화막, 패턴 형성 방법 및 컬러 필터에 대하여, 그 제조 방법을 통하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 경화막은, 본 발명의 착색 조성물을 경화하여 이루어진다. 이러한 경화막은 컬러 필터에 바람직하게 이용된다.
본 발명의 패턴 형성 방법은, 본 발명의 착색 조성물을 지지체 상에 적용하여 착색 조성물층을 형성하고, 불필요 부분을 제거하여, 착색 패턴을 형성한다.
본 발명의 패턴 형성 방법은, 컬러 필터가 갖는 착색 패턴(화소)의 형성에 적합하게 적용할 수 있다.
본 발명의 조성물은, 이른바 포토리소그래피법으로 패턴 형성에 의하여, 컬러 필터를 제조해도 되고, 드라이 에칭법에 의하여 패턴을 형성해도 된다.
즉, 본 발명의 컬러 필터의 제1 제조 방법으로서, 착색 조성물을 지지체 상에 적용하여 착색 조성물층을 형성하는 공정과, 착색 조성물층을 패턴 형상으로 노광하는 공정과, 미노광부를 현상 제거하여 착색 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 컬러 필터의 제조 방법이 예시된다.
또한, 본 발명의 컬러 필터의 제2 제조 방법으로서, 착색 조성물을 지지체 상에 적용하여 착색 조성물층을 형성하고, 경화하여 착색층을 형성하는 공정, 착색층 상에 포토레지스트층을 형성하는 공정, 노광 및 현상함으로써 포토레지스트층을 패터닝하여 레지스트 패턴을 얻는 공정, 및 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하여 착색층을 드라이 에칭하는 공정을 포함하는, 컬러 필터의 제조 방법이 예시된다.
본 발명에서는, 포토리소그래피법으로 제조하는 것이 보다 바람직하다.
이하 이들의 상세를 설명한다.
이하, 본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서의 각 공정에 대해서는, 고체 촬상 소자용 컬러 필터의 제조 방법을 통하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이 방법에 한정되는 것은 아니다. 이하, 고체 촬상 소자용 컬러 필터를 간단하게 "컬러 필터"라고 하는 경우가 있다.
<<착색 조성물층을 형성하는 공정>>
착색 조성물층을 형성하는 공정에서는, 지지체 상에, 본 발명의 착색 조성물을 적용하여 착색 조성물층을 형성한다.
본 공정에 이용할 수 있는 지지체로서는, 예를 들면, 기판(예를 들면, 실리콘 기판) 상에 CCD(Charge Coupled Device)나 CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 등의 촬상 소자(수광 소자)가 마련된 고체 촬상 소자용 기판을 이용할 수 있다.
본 발명에 있어서의 착색 패턴은, 고체 촬상 소자용 기판의 촬상 소자 형성면측(표면)에 형성되어도 되고, 촬상 소자 비형성면측(이면)에 형성되어도 된다.
고체 촬상 소자에 있어서의 착색 패턴의 사이나, 고체 촬상 소자용 기판의 이면에는, 차광막이 마련되어 있어도 된다.
또한, 지지체 상에는, 필요에 따라, 상부의 층과의 밀착 개량, 물질의 확산 방지 혹은 기판 표면의 평탄화를 위하여 언더코팅층을 마련해도 된다. 언더코팅층에는, 용제, 알칼리 가용성 수지, 중합성 화합물, 중합 금지제, 계면활성제, 광중합 개시제 등을 배합할 수 있고, 이들 각 성분은, 상술한 본 발명의 조성물에 배합하는 성분으로부터 적절히 선택되는 것이 바람직하다.
지지체 상으로의 본 발명의 착색 조성물의 부여 방법으로서는, 슬릿 도포, 잉크젯법, 회전 도포, 유연 도포, 롤 도포, 스크린 인쇄법 등의 각종 도포 방법을 적용할 수 있다.
지지체 상에 도포된 착색 조성물층의 건조(프리베이크)는, 핫플레이트, 오븐 등으로 50℃~140℃의 온도에서 10초~300초로 행할 수 있다.
<포토리소그래피법으로 패턴 형성하는 공정>
<<노광하는 공정>>
노광 공정에서는, 착색 조성물층 형성 공정에 있어서 형성된 착색 조성물층을, 예를 들면, 스테퍼 등의 노광 장치를 이용하여, 소정의 마스크 패턴을 갖는 마스크를 통하여 패턴 노광한다. 이로써, 경화막이 얻어진다.
노광 시에 이용할 수 있는 방사선(광)으로서는, 특히, g선, i선 등의 자외선이 바람직하게(특히 바람직하게는 i선) 이용된다. 조사량(노광량)은 30mJ/cm2~1500mJ/cm2가 바람직하고 50mJ/cm2~1000mJ/cm2가 보다 바람직하며, 80mJ/cm2~500mJ/cm2가 특히 바람직하다.
경화막(착색막)의 막두께는 1.0μm 이하인 것이 바람직하고, 0.1μm~0.9μm인 것이 보다 바람직하며, 0.2μm~0.8μm인 것이 더 바람직하다.
막두께를, 1.0μm 이하로 함으로써, 고해상성, 고밀착성을 얻을 수 있기 때문에, 바람직하다.
또한, 본 공정에 있어서는, 0.7μm 이하의 얇은 막두께를 갖는 경화막도 적합하게 형성할 수 있고, 얻어진 경화막을, 후술하는 패턴 형성 공정에서 현상 처리함으로써, 박막이면서도, 현상성, 표면 거칠어짐 억제, 및 패턴 형상이 우수한 착색 패턴을 얻을 수 있다.
<<현상 공정>>
이어서 알칼리 현상 처리를 행함으로써, 노광 공정에 있어서의 광 미조사 부분의 착색 조성물층이 알칼리 수용액에 용출하여, 광경화된 부분만이 남는다.
현상액으로서는, 하지(下地)의 촬상 소자나 회로 등에 데미지를 일으키지 않는, 유기 알칼리 현상액이 바람직하다. 현상 온도로서는 통상 20℃~30℃이며, 현상 시간은, 종래 20초~90초였다. 보다 잔사를 제거하기 위하여, 최근에는 120초~180초 실시하는 경우도 있다. 나아가서는, 보다 잔사 제거성을 향상시키기 위하여, 현상액을 60초마다 털어 내고, 추가로 새로이 현상액을 공급하는 공정을 수회 반복하는 경우도 있다.
현상액에 이용하는 알칼리제로서는, 예를 들면, 암모니아수, 에틸아민, 다이에틸아민, 다이메틸에탄올아민, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라프로필암모늄하이드록사이드, 테트라뷰틸암모늄하이드록사이드, 벤질트라이메틸암모늄하이드록사이드, 콜린, 피롤, 피페리딘, 1,8-다이아자바이사이클로-[5,4,0]-7-운데센 등의 유기 알칼리성 화합물을 들 수 있고, 이들 알칼리제를 농도가 0.001질량%~10질량%, 바람직하게는 0.01질량%~1질량%가 되도록 순수로 희석한 알칼리성 수용액이 현상액으로서 바람직하게 사용된다.
또한, 현상액으로는 무기 알칼리를 이용해도 되고, 무기 알칼리로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 탄산 수소 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 등이 바람직하다.
또한, 이러한 알칼리성 수용액으로 이루어지는 현상액을 사용한 경우에는, 일반적으로 현상 후 순수로 세정(린스)한다.
다음으로, 건조를 실시한 후에 가열 처리(포스트베이크)를 행하는 것이 바람직하다. 다색의 착색 패턴을 형성하는 것이면, 색마다 상기 공정을 순서대로 반복하여 경화 피막을 제조할 수 있다. 이로써 컬러 필터가 얻어진다.
포스트베이크는, 경화를 완전한 것으로 하기 위한 현상 후의 가열 처리이며, 통상 100℃~240℃, 바람직하게는 200℃~240℃의 열경화 처리를 행한다.
이 포스트베이크 처리는, 현상 후의 도포막을, 상기 조건이 되도록 핫플레이트나 컨벡션 오븐(열풍 순환식 건조기), 고주파 가열기 등의 가열 수단을 이용하여, 연속식 혹은 배치(batch)식으로 행할 수 있다.
<드라이 에칭법으로 패턴 형성하는 경우>
드라이 에칭은, 착색층을, 패터닝된 포토레지스트층을 마스크로 하여 에칭 가스를 이용하여 행할 수 있다. 구체적으로는, 착색층 상에 포지티브형 또는 네거티브형의 감방사선성 조성물을 도포하고, 이를 건조시킴으로써 포토레지스트층을 형성한다. 포토레지스트층의 형성에 있어서는, 추가로 프리베이크 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 특히, 포토레지스트의 형성 프로세스로서는, 노광 후의 가열 처리(PEB), 현상 후의 가열 처리(포스트베이크 처리)를 실시하는 형태가 바람직하다.
포토레지스트로서는, 예를 들면, 포지티브형의 감방사선성 조성물이 이용된다. 이 포지티브형의 감방사선성 조성물로서는, 자외선(g선, h선, i선), 엑시머·레이저 등을 포함하는 원자외선, 전자선, 이온 빔 및 X선 등의 방사선에 감응하는 포지티브형 포토레지스트용으로 적합한 포지티브형 레지스트 조성물을 사용할 수 있다. 방사선 중, g선, h선, i선이 바람직하고, 그 중에서도 i선이 바람직하다.
구체적으로는, 포지티브형의 감방사선성 조성물로서, 퀴논다이아자이드 화합물 및 알칼리 가용성 수지를 함유하는 조성물이 바람직하다. 퀴논다이아자이드 화합물 및 알칼리 가용성 수지를 함유하는 포지티브형의 감방사선성 조성물은, 500nm 이하의 파장의 광조사에 의하여 퀴논다이아자이드기가 분해되어 카복실기를 발생시키고, 결과적으로 알칼리 불용 상태로부터 알칼리 가용성이 되는 것을 이용하는 것이다. 이 포지티브형 포토레지스트는 해상력이 현저하게 우수하므로, IC나 LSI 등의 집적회로의 제작에 이용되고 있다. 퀴논다이아자이드 화합물로서는, 나프토퀴논다이아자이드 화합물을 들 수 있다. 시판품으로서는 예를 들면 "FHi622BC"(후지필름 일렉트로닉 머티리얼즈사제) 등을 들 수 있다.
포토레지스트층의 두께로서는, 0.1~3μm가 바람직하고, 0.2~2.5μm가 보다 바람직하며, 0.3~2μm가 더 바람직하다. 또한, 포토레지스트층의 도포는, 앞서 설명한 착색층에 있어서의 도포 방법을 이용하여 적합하게 행할 수 있다.
다음으로, 포토레지스트층을 노광, 현상함으로써, 레지스트 관통공군이 마련된 레지스트 패턴(패터닝된 포토레지스트층)을 형성한다. 레지스트 패턴의 형성은, 특별히 제한 없이, 종래 공지의 포토리소그래피의 기술을 적절히 최적화하여 행할 수 있다. 노광, 현상에 의하여 포토레지스트층에, 레지스트 관통공군이 마련됨으로써, 다음의 에칭에서 이용되는 에칭 마스크로서의 레지스트 패턴이, 착색층 상에 마련된다.
포토레지스트층의 노광은, 소정의 마스크 패턴을 통하여, 포지티브형 또는 네거티브형의 감방사선성 조성물에, g선, h선, i선 등, 바람직하게는 i선으로 노광을 실시함으로써 행할 수 있다. 노광 후에는, 현상액으로 현상 처리함으로써, 착색 패턴을 형성하고자 하는 영역에 맞추어 포토레지스트가 제거된다.
현상액으로서는, 색소를 포함하는 착색층에는 영향을 미치지 않고, 포지티브 레지스트의 노광부 및 네거티브 레지스트의 미경화부를 용해하는 것이면 모두 사용 가능하며, 예를 들면, 다양한 유기 용제의 조합이나 알칼리성의 수용액을 이용할 수 있다. 알칼리성의 수용액으로서는, 알칼리성 화합물을 농도가 0.001~10질량%, 바람직하게는 0.01~5질량%가 되도록 용해하여 조제된 알칼리성 수용액이 적합하다. 알칼리성 화합물은, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아수, 에틸아민, 다이에틸아민, 다이메틸에탄올아민, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 콜린, 피롤, 피페리딘, 1,8-다이아자바이사이클로[5.4.0]-7-운데센 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리성 수용액을 현상액으로서 이용한 경우는, 일반적으로 현상 후에 물로 세정 처리가 실시된다.
다음으로, 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하여, 착색층에 관통공군이 형성되도록 드라이 에칭에 의하여 패터닝한다. 이로써, 착색 패턴이 형성된다. 관통공군은, 착색층에, 체커보드 형상으로 마련되어 있다. 따라서, 착색층에 관통공군이 마련되어 이루어지는 제1 착색 패턴은, 복수의 사각형상의 제1 착색 화소를 체커보드 형상으로 갖고 있다.
구체적으로는, 드라이 에칭은, 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하여, 착색층을 드라이 에칭한다. 드라이 에칭의 대표적인 예로서는, 일본 공개특허공보 소59-126506호, 일본 공개특허공보 소59-46628호, 동 58-9108호, 동 58-2809호, 동 57-148706호, 동 61-41102호 등의 각 공보에 기재된 방법이 있다.
드라이 에칭으로서는, 패턴 단면을 보다 직사각형에 가깝게 형성하는 관점이나 지지체로의 데미지를 보다 저감하는 관점에서, 이하의 형태로 행하는 것이 바람직하다.
불소계 가스와 산소 가스(O2)의 혼합 가스를 이용하여, 지지체가 노출되지 않은 영역(깊이)까지 에칭을 행하는 제1 단계 에칭과, 이 제1 단계 에칭 후에, 질소 가스(N2)와 산소 가스(O2)의 혼합 가스를 이용하여, 바람직하게는 지지체가 노출되는 영역(깊이) 부근까지 에칭을 행하는 제2 단계 에칭과, 지지체가 노출된 후에 행하는 오버 에칭을 포함하는 형태가 바람직하다. 이하, 드라이 에칭의 구체적 수법, 및 제1 단계 에칭, 제2 단계 에칭, 및 오버 에칭에 대하여 설명한다.
드라이 에칭은, 하기 수법에 의하여 사전에 에칭 조건을 구하여 행한다.
(1) 제1 단계 에칭에 있어서의 에칭 레이트(nm/min)와, 제2 단계 에칭에 있어서의 에칭 레이트(nm/min)를 각각 산출한다. (2) 제1 단계 에칭에서 원하는 두께를 에칭하는 시간과, 제2 단계 에칭에서 원하는 두께를 에칭하는 시간을 각각 산출한다. (3) 상기 (2)에서 산출한 에칭 시간에 따라 제1 단계 에칭을 실시한다. (4) 상기 (2)에서 산출한 에칭 시간에 따라 제2 단계 에칭을 실시한다. 혹은 엔드 포인트 검출로 에칭 시간을 결정하고, 결정한 에칭 시간에 따라 제2 단계 에칭을 실시해도 된다. (5) 상기 (3), (4)의 합계 시간에 대하여 오버 에칭 시간을 산출하여, 오버 에칭을 실시한다.
제1 단계 에칭 공정에서 이용하는 혼합 가스로서는, 피에칭막인 유기 재료를 직사각형으로 가공하는 관점에서, 불소계 가스 및 산소 가스(O2)를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 제1 단계 에칭 공정은, 지지체가 노출되지 않은 영역까지 에칭하는 형태로 함으로써, 지지체의 데미지를 회피할 수 있다. 또한, 제2 단계 에칭 공정 및 오버 에칭 공정은, 제1 단계 에칭 공정에서 불소계 가스 및 산소 가스의 혼합 가스에 의하여 지지체가 노출되지 않은 영역까지 에칭을 실시한 후, 지지체의 데미지 회피의 관점에서, 질소 가스 및 산소 가스의 혼합 가스를 이용하여 에칭 처리를 행하는 것이 바람직하다.
제1 단계 에칭 공정에서의 에칭량과, 제2 단계 에칭 공정에서의 에칭량의 비율은, 제1 단계 에칭 공정에서의 에칭 처리에 의한 직사각형성을 저해하지 않도록 결정하는 것이 중요하다. 또한, 전체 에칭량(제1 단계 에칭 공정에서의 에칭량과 제2 단계 에칭 공정에서의 에칭량의 총합) 중에 있어서의 후자의 비율은, 0%보다 크고 50% 이하인 범위가 바람직하고, 10~20%가 보다 바람직하다. 에칭량이란, 피에칭막이 잔존하는 막두께와 에칭 전의 막두께의 차로 산출되는 양을 말한다.
또한, 에칭은, 오버 에칭 처리를 포함하는 것이 바람직하다. 오버 에칭 처리는, 오버 에칭 비율을 설정하여 행하는 것이 바람직하다. 또한, 오버 에칭 비율은, 처음에 행하는 에칭 처리 시간으로부터 산출하는 것이 바람직하다. 오버 에칭 비율은 임의로 설정할 수 있는데, 포토레지스트의 에칭 내성과 피에칭 패턴의 직사각형성 유지의 점에서, 에칭 공정에 있어서의 에칭 처리 시간의 30% 이하인 것이 바람직하고, 5~25%인 것이 보다 바람직하며, 10~15%인 것이 특히 바람직하다.
다음으로, 에칭 후에 잔존하는 레지스트 패턴(즉 에칭 마스크)을 제거한다. 레지스트 패턴의 제거는, 레지스트 패턴 상에 박리액 또는 용제를 부여하여, 레지스트 패턴을 제거 가능한 상태로 하는 공정과, 레지스트 패턴을 세정수를 이용하여 제거하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
레지스트 패턴 상에 박리액 또는 용제를 부여하여, 레지스트 패턴을 제거 가능한 상태로 하는 공정으로서는, 예를 들면, 박리액 또는 용제를 적어도 레지스트 패턴 상에 부여하고, 소정 시간 정체시켜 패들 현상하는 공정을 들 수 있다. 박리액 또는 용제를 정체시키는 시간으로서는, 특별히 제한은 없지만, 수십 초에서 수 분인 것이 바람직하다.
또한, 레지스트 패턴을 세정수를 이용하여 제거하는 공정으로서는, 예를 들면, 스프레이식 또는 샤워식의 분사 노즐로부터 레지스트 패턴에 세정수를 분사하여, 레지스트 패턴을 제거하는 공정을 들 수 있다. 세정수로서는, 순수를 바람직하게 이용할 수 있다. 또한, 분사 노즐로서는, 그 분사 범위 내에 지지체 전체가 포함되는 분사 노즐이나, 가동식의 분사 노즐로서 그 가동 범위가 지지체 전체를 포함하는 분사 노즐을 들 수 있다. 분사 노즐이 가동식인 경우, 레지스트 패턴을 제거하는 공정 중에 지지체 중심부로부터 지지체 단부까지를 2회 이상 이동하여 세정수를 분사함으로써, 보다 효과적으로 레지스트 패턴을 제거할 수 있다.
박리액은, 일반적으로는 유기 용제를 함유하지만, 무기 용매를 더 함유해도 된다. 유기 용제로서는, 예를 들면, 1) 탄화 수소계 화합물, 2) 할로젠화 탄화 수소계 화합물, 3) 알코올계 화합물, 4) 에터 또는 아세탈계 화합물, 5) 케톤 또는 알데하이드계 화합물, 6) 에스터계 화합물, 7) 다가 알코올계 화합물, 8) 카복실산 또는 그 산무수물계 화합물, 9) 페놀계 화합물, 10) 함질소 화합물, 11) 함황 화합물, 12) 함불소 화합물을 들 수 있다. 박리액으로서는, 함질소 화합물을 함유하는 것이 바람직하고, 비환상 함질소 화합물과 환상 함질소 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하다.
비환상 함질소 화합물로서는, 수산기를 갖는 비환상 함질소 화합물인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, 모노아이소프로판올아민, 다이아이소프로판올아민, 트라이아이소프로판올아민, N-에틸에탄올아민, N,N-다이뷰틸에탄올아민, N-뷰틸에탄올아민, 모노에탄올아민, 다이에탄올아민, 트라이에탄올아민 등을 들 수 있고, 바람직하게는 모노에탄올아민, 다이에탄올아민, 트라이에탄올아민이며, 보다 바람직하게는 모노에탄올아민(H2NCH2CH2OH)이다. 또한, 환상 함질소 화합물로서는, 아이소퀴놀린, 이미다졸, N-에틸모폴린, ε-카프로락탐, 퀴놀린, 1,3-다이메틸-2-이미다졸리딘온, α-피콜린, β-피콜린, γ-피콜린, 2-피페콜린, 3-피페콜린, 4-피페콜린, 피페라진, 피페리딘, 피라진, 피리딘, 피롤리딘, N-메틸-2-피롤리돈, N-페닐모폴린, 2,4-루티딘, 2,6-루티딘 등을 들 수 있고, 바람직하게는, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸모폴린이며, 보다 바람직하게는 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)이다.
박리액은, 비환상 함질소 화합물과 환상 함질소 화합물을 포함하는 것이 바람직한데, 그 중에서도, 비환상 함질소 화합물로서, 모노에탄올아민, 다이에탄올아민, 및 트라이에탄올아민으로부터 선택되는 적어도 1종과, 환상 함질소 화합물로서, N-메틸-2-피롤리돈 및 N-에틸모폴린으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 모노에탄올아민과 N-메틸-2-피롤리돈을 포함하는 것이 더 바람직하다.
박리액으로 제거할 때에는, 제1 착색 패턴 상에 형성된 레지스트 패턴이 제거되어 있으면 되고, 제1 착색 패턴의 측벽에 에칭 생성물인 퇴적물이 부착되어 있는 경우에도, 퇴적물이 완전하게 제거되어 있지 않아도 된다. 퇴적물이란, 에칭 생성물이 착색층의 측벽에 부착하여 퇴적한 것을 말한다.
박리액으로서는, 비환상 함질소 화합물의 함유량이, 박리액 100질량부에 대하여 9질량부 이상 11질량부 이하이며, 환상 함질소 화합물의 함유량이, 박리액 100질량부에 대하여 65질량부 이상 70질량부 이하인 것이 바람직하다. 또한, 박리액은, 비환상 함질소 화합물과 환상 함질소 화합물의 혼합물을 순수로 희석한 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 제조 방법은, 필요에 따라 상기 이외의 공정으로서, 고체 촬상 소자용 컬러 필터의 제조 방법으로서 공지의 공정을 갖고 있어도 된다. 예를 들면, 상술한, 착색 조성물층 형성 공정, 노광 공정 및 패턴 형성 공정을 행한 후에, 필요에 따라, 형성된 착색 패턴을 가열 및/또는 노광에 의하여 경화하는 경화 공정을 포함하고 있어도 된다.
또한, 본 발명에 관한 착색 조성물을 이용하는 경우, 예를 들면, 도포 장치 토출부의 노즐이나 배관부의 막힘이나 도포기 내로의 착색 조성물이나 안료의 부착·침강·건조에 의한 오염 등이 발생하는 경우가 있다. 따라서, 본 발명의 착색 조성물에 의하여 초래된 오염을 효율적으로 세정하기 위해서는, 상기에 기재한 본 구성물에 관한 용제를 세정액으로서 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 일본 공개특허공보 평7-128867호, 일본 공개특허공보 평7-146562호, 일본 공개특허공보 평8-278637호, 일본 공개특허공보 2000-273370호, 일본 공개특허공보 2006-85140호, 일본 공개특허공보 2006-291191호, 일본 공개특허공보 2007-2101호, 일본 공개특허공보 2007-2102호, 일본 공개특허공보 2007-281523호 등에 기재된 세정액도 본 발명에 관한 착색 조성물의 세정 제거에 적합하게 이용할 수 있다.
상기 중, 알킬렌글라이콜모노알킬에터카복실레이트 및 알킬렌글라이콜모노알킬에터가 바람직하다.
이들 용매는, 단독으로 이용해도 되고 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다. 2종 이상을 혼합하는 경우, 수산기를 갖는 용제와 수산기를 갖지 않는 용제를 혼합하는 것이 바람직하다. 수산기를 갖는 용제와 수산기를 갖지 않는 용제의 질량비는, 1/99~99/1, 바람직하게는 10/90~90/10, 더 바람직하게는 20/80~80/20이다. 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트(PGMEA)와 프로필렌글라이콜모노메틸에터(PGME)의 혼합 용제이고, 그 비율이 60/40인 것이 특히 바람직하다. 또한, 오염물에 대한 세정액의 침투성을 향상시키기 위하여, 세정액에는 상기에 기재한 본 구성물에 관한 계면활성제를 첨가해도 된다.
본 발명의 컬러 필터는, 본 발명의 착색 조성물을 이용하고 있기 때문에, 노광 마진이 우수한 노광을 할 수 있음과 함께, 형성된 착색 패턴(착색 화소)은, 패턴 형상이 우수하여, 패턴 표면의 거칠어짐이나 현상부에 있어서의 잔사가 억제되어 있는 점에서, 색특성이 우수한 것이 된다.
본 발명의 컬러 필터는, CCD, CMOS 등의 고체 촬상 소자에 적합하게 이용할 수 있고, 특히 100만 화소를 넘는 고해상도의 CCD나 CMOS 등에 적합하다. 본 발명의 고체 촬상 소자용 컬러 필터는, 예를 들면, CCD 또는 CMOS를 구성하는 각 화소의 수광부와, 집광하기 위한 마이크로 렌즈의 사이에 배치되는 컬러 필터로서 이용할 수 있다.
또한, 본 발명의 컬러 필터에 있어서의 착색 패턴(착색 화소)의 막두께로서는, 2.0μm 이하가 바람직하고, 1.0μm 이하가 보다 바람직하며, 0.7μm 이하가 더 바람직하다.
또한, 착색 패턴(착색 화소)의 사이즈(패턴폭)로서는, 2.5μm 이하가 바람직하고, 2.0μm 이하가 보다 바람직하며, 1.7μm 이하가 특히 바람직하다.
<고체 촬상 소자>
본 발명의 고체 촬상 소자는, 앞서 설명한 본 발명의 컬러 필터를 구비한다. 본 발명의 고체 촬상 소자의 구성으로서는, 본 발명에 있어서의 컬러 필터가 구비된 구성이며, 고체 촬상 소자로서 기능하는 구성이면 특별히 한정은 없지만, 예를 들면, 이하와 같은 구성을 들 수 있다.
지지체 상에, 고체 촬상 소자(CCD 이미지 센서, CMOS 이미지 센서 등)의 수광 에리어를 구성하는 복수의 포토다이오드 및 폴리실리콘 등으로 이루어지는 전송 전극을 갖고, 포토다이오드 및 전송 전극 상에 포토다이오드의 수광부만 개구한 텅스텐 등으로 이루어지는 차광막을 가지며, 차광막 상에 차광막 전체면 및 포토다이오드 수광부를 덮도록 형성된 질화 실리콘 등으로 이루어지는 디바이스 보호막을 갖고, 디바이스 보호막 상에, 본 발명의 고체 촬상 소자용 컬러 필터를 갖는 구성이다.
또한, 디바이스 보호층 상이고 컬러 필터 아래(지지체에 가까운 측)에 집광 수단(예를 들면, 마이크로 렌즈 등. 이하 동일)을 갖는 구성이나, 컬러 필터 상에 집광 수단을 갖는 구성 등이어도 된다.
<화상 표시 장치>
본 발명의 컬러 필터는, 고체 촬상 소자뿐만 아니라, 액정 표시 장치나 유기 EL 표시 장치 등의 화상 표시 장치에 이용할 수 있고, 특히 액정 표시 장치의 용도에 적합하다. 본 발명의 컬러 필터를 구비한 액정 표시 장치는, 표시 화상의 색조가 양호하여 표시 특성이 우수한 고화질 화상을 표시할 수 있다.
표시 장치의 정의나 각 표시 장치의 상세에 대해서는, 예를 들면 "전자 디스플레이 디바이스(사사키 아키오 저, (주)고교 초사카이 1990년 발행)", "디스플레이 디바이스(이부키 스미아키 저, 산교 도쇼(주) 헤이세이 원년 발행)" 등에 기재되어 있다. 또한, 액정 표시 장치에 대해서는, 예를 들면 "차세대 액정 디스플레이 기술(우치다 다쓰오 편집, (주)고교 초사카이 1994년 발행)"에 기재되어 있다. 본 발명을 적용할 수 있는 액정 표시 장치에 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 상기의 "차세대 액정 디스플레이 기술"에 기재되어 있는 다양한 방식의 액정 표시 장치에 적용할 수 있다.
본 발명의 컬러 필터는, 컬러 TFT 방식의 액정 표시 장치에 이용해도 된다. 컬러 TFT 방식의 액정 표시 장치에 대해서는, 예를 들면 "컬러 TFT 액정 디스플레이(교리쓰 슛판(주) 1996년 발행)"에 기재되어 있다. 또한, 본 발명은 IPS 등의 횡전계 구동 방식, MVA 등의 화소 분할 방식 등의 시야각이 확대된 액정 표시 장치나, STN, TN, VA, OCS, FFS, 및 R-OCB 등에도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서의 컬러 필터는, 밝고 고정세(高精細)인 COA(Color-filter On Array) 방식에도 이용하는 것이 가능하다. COA 방식의 액정 표시 장치에 있어서는, 컬러 필터층에 대한 요구 특성은, 상술한 바와 같은 통상의 요구 특성에 더하여, 층간 절연막에 대한 요구 특성, 즉 저유전율 및 박리액 내성을 필요로 하는 경우가 있다. 본 발명의 컬러 필터에 있어서는, 색상이 우수한 색소를 이용하는 점에서, 색순도, 광투과성 등이 양호하여 착색 패턴(화소)의 색조가 우수하므로, 해상도가 높고 장기 내구성이 우수한 COA 방식의 액정 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한, 저유전율의 요구 특성을 만족시키기 위해서는, 컬러 필터층 위에 수지 피막을 마련해도 된다.
이들 화상 표시 방식에 대해서는, 예를 들면, "EL, PDP, LCD 디스플레이-기술과 시장의 최신 동향-(도레이 리서치 센터 조사 연구 부문 2001년 발행)"의 43페이지 등에 기재되어 있다.
본 발명에 있어서의 컬러 필터를 구비한 액정 표시 장치는, 본 발명에 있어서의 컬러 필터 이외에, 전극 기판, 편광 필름, 위상차 필름, 백 라이트, 스페이서, 시야각 보상 필름 등 다양한 부재로 구성된다. 본 발명의 컬러 필터는, 이들 공지의 부재로 구성되는 액정 표시 장치에 적용할 수 있다. 이들 부재에 대해서는, 예를 들면, "'94 액정 디스플레이 주변 재료·케미컬즈의 시장(시마 겐타로 (주)씨엠씨 1994년 발행)", "2003 액정 관련 시장의 현상과 장래 전망(하권)(오모테 료키치 (주)후지 키메라 소켄, 2003년 발행)"에 기재되어 있다.
백 라이트에 관해서는, SID meeting Digest 1380(2005)(A. Konno et. al)이나, 월간 디스플레이 2005년 12월호의 18~24페이지(시마 야스히로), 동 25~30페이지(야기 다카아키) 등에 기재되어 있다.
본 발명에 있어서의 컬러 필터를 액정 표시 장치에 이용하면, 종래 공지의 냉음극관의 삼파장관과 조합했을 때에 높은 콘트라스트를 실현할 수 있는데, 추가로 적색, 녹색, 청색의 LED 광원(RGB-LED)을 백 라이트로 함으로써 휘도가 높고, 또한, 색순도가 높은 색재현성이 양호한 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의하여 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 취지를 벗어나지 않는 한 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 설명이 없는 한, "%" 및 "부"는 질량 기준이다.
[합성예 1]
((A) 색소 다량체 (S-1)의 합성)
모노머 1의 합성
[화학식 56]
Figure 112016009345945-pct00056
4-아세톡시스타이렌 100부를 아세트산 에틸 300부에 용해시키고, 그 용액에 대하여 나트륨메톡사이드메탄올 용액 28% 50부를 빙욕하에서 적하하여, 3시간 실온에서 교반했다. 그 후, 반응액을 1규정 염산 수용액 200부로 3회 분액 세정을 행하고, 포화 식염수 200부로 추가로 분액 세정을 행한 후, 황산 마그네슘으로 건조, 여과하여, 여액을 얻었다. 이 여액에 대하여, EF-3000(미쓰비시 머티리얼사제) 207부, 트라이에틸아민 99.5부를 첨가하고 5℃ 이하를 유지하여 1시간 교반을 행했다. 그 후, 트라이플루오로메테인설폰아마이드 102부, 트라이에틸아민 331부를 첨가하여 2시간 교반했다. 반응액을 1규정 염산 수용액 300부로 3회 분액 세정하여, 포화 식염수 300부로 3회 분액 세정을 행하고, 황산 나트륨으로 건조시켜, 여과하여, 여액을 감압 농축했다. 잔사를 칼럼 크로마토그래피로 정제한 후, 10% 수산화 나트륨 수용액 200부로 분액하고, 추가로 포화 식염수 300부로 분액 세정하여, 황산 나트륨으로 건조 후, 여액을 농축하여, X-57 전구체 60부(수율:17.1%)를 얻었다.
그 후, X-57 전구체 60부와 RhodamineB(도쿄 가세이사제) 55.3부를 아세트산 에틸 300부, 물 300부 중에서 염 교환시키고, 아세트산 에틸층을 분리하여, 황산 나트륨으로 건조 후, 감압 농축하여, 모노머 1 110부(수율:95%)를 얻었다.
[화학식 57]
Figure 112016009345945-pct00057
상기 모노머 1 7.5부, 메타크릴산 0.23부, 도데케인싸이올 0.09부를 PGMEA 3부에 용해시켰다. 그 용액의 절반을 3구 플라스크에 넣고 80도에서 교반시켜, 나머지 절반의 용액에 광중합 개시제 V-601(와코 준야쿠사제) 0.21부를 첨가하여 1시간 동안 3구 플라스크 내에 적하했다. 그 후 80도에서 3시간 교반하여, 실온으로 되돌린 후, 헥세인 100부에 반응액을 적하하여 정석하고, 여과 분리하여, 송풍 건조 8시간을 거쳐 중합체 6.5부(Mw8200)를 얻었다.
[합성예 2~40]
합성예 1에 있어서, 하기 표에 나타낸 저구핵 음이온 구조, 색소로 한 것 이외에는 합성예 1과 동일하게 하여, 화합물 (S-2)~(S-40)을 합성했다.
[표 1]
Figure 112016009345945-pct00058
[실시예 1~실시예 40 및 비교예 1~비교예 4]
1. 레지스트액의 조제
하기 조성의 성분을 혼합하고 용해하여, 언더코팅층용 레지스트액을 조제했다.
<언더코팅층용 레지스트액의 조성>
·용제: 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트 19.20부
·용제: 락트산 에틸 36.67부
·알칼리 가용성 수지: 메타크릴산 벤질/메타크릴산/메타크릴산-2-하이드록시에틸 공중합체(몰비=60/22/18, 중량 평균 분자량 15,000, 수평균 분자량 9,000)의 40% PGMEA 용액
30.51부
·에틸렌성 불포화 이중 결합 함유 화합물: 다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 12.20부
·중합 금지제: p-메톡시페놀 0.0061부
·불소계 계면활성제: F-475, DIC(주)제 0.83부
·광중합 개시제: 트라이할로메틸트라이아진계의 광중합 개시제 0.586부
(TAZ-107, 미도리 가가쿠사제)
2. 언더코팅층 부착 실리콘 웨이퍼 기판의 제작
6inch 실리콘 웨이퍼를 오븐 안에서 200℃ 하에서 30분 가열 처리했다. 다음으로, 이 실리콘 웨이퍼 상에, 레지스트액을 건조 막두께가 1.5μm가 되도록 도포하고, 추가로 220℃의 오븐 안에서 1시간 가열 건조시켜 언더코팅층을 형성하여, 언더코팅층 부착 실리콘 웨이퍼 기판을 얻었다.
3. 착색 조성물의 조제
3-1. 청색 안료 분산액의 조제
청색 안료 분산액 1을, 이하와 같이 하여 조제했다.
C. I. Pigment Blue 15:6을 13.0부(청색 안료, 평균 입자경 55nm), 및 안료 분산제인 Disperbyk111을 5.0부, PGMEA 82.0부로 이루어지는 혼합액을, 비즈 밀(beads mill)(지르코니아 비즈 0.3mm 직경)에 의하여 3시간 혼합·분산하여, 안료 분산액을 조제했다. 그 후 추가로, 감압 기구 부착 고압 분산기 NANO-3000-10(니혼 비이이(주)제)을 이용하여, 2000kg/cm3의 압력하에서 유량 500g/min로 하여 분산 처리를 행했다. 이 분산 처리를 10회 반복하여, 실시예 또는 비교예의 착색 조성물에 이용하는 청색 안료 분산액 1(C. I. Pigment Blue 15:6 분산액, 안료 농도 13%)을 얻었다.
얻어진 청색 안료 분산액에 대하여, 안료의 입자경을 동적 광산란법(Microtrac Nanotrac UPA-EX150(닛키소사(Nikkiso Co., Ltd.)제))에 의하여 측정한 바, 24nm였다.
"3-1. 청색 안료 분산액의 조제"에 있어서, 청색 안료 분산액 1에 청색 안료로서 이용한 C. I. Pigment Blue 15:6과 수지 분산제 Disperbyk111의 조합 대신에, 하기 표에 나타내는 안료와 수지 분산제 Disperbyk111의 조합으로 한 것 이외에는, 청색 안료 분산액 1의 조제와 동일하게 하여, 적색 안료 분산액, 녹색 안료 분산액, 및 황색 안료 분산액을 조제했다.
·C. I. 피그먼트 레드 254(PR254)
·C. I. 피그먼트 옐로(PY139)
3-2. 착색 조성물의 조제
(1) 실시예 1~40, 비교예 1~4의 착색 조성물
하기의 각 성분을 혼합하고 분산, 용해하여, 실시예 1~40, 비교예 1~4의 각 착색 조성물을 얻었다.
·사이클로헥산온 1.133부
·알칼리 가용성 수지(하기 J1 또는 J2: 하기 표에 기재된 화합물)
0.030부
·솔스퍼스 20000(1% 사이클로헥세인 용액, 니혼 루브리졸(주)제)
0.125부
·광중합 개시제(하기 구조의 화합물: 하기 표에 기재된 화합물) 0.012부
·(A) 색소 다량체 (하기 표에 기재된 화합물. 단, 비교예 1~4는 소정의 색소를 이용했음) 고형분으로서 0.040부
·하기 표에 기재된 안료 분산액(안료 농도 13.0%) 0.615부
·다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 0.070부
·글리세롤프로폭실레이트(1% 사이클로헥세인 용액) 0.048부
[화학식 58]
Figure 112016009490777-pct00066
[화학식 59]
Figure 112016009345945-pct00060
비교예 1~4는, 색소 다량체로서 이하의 화합물을 이용했다. 비교예 4는, 조염 생성물이다.
[화학식 60]
Figure 112016009345945-pct00061
4. 착색 조성물에 의한 컬러 필터의 제작
<패턴 형성>
상기와 같이 조제한 실시예 및 비교예의 착색 조성물의 각각을, 2.에서 얻어진 언더코팅층 부착 실리콘 웨이퍼 기판의 언더코팅층 상에 도포하고, 착색 조성물층(도포막)을 형성했다. 그리고, 이 도포막의 건조 막두께가 0.6μm가 되도록, 100℃의 핫플레이트를 이용하여 120초간 가열 처리(프리베이크)를 행했다.
다음으로, i선 스테퍼 노광 장치 FPA-3000i5+(Canon(주)제)를 사용하여 365nm의 파장에서 패턴이 평방 1.0μm인 Island 패턴 마스크를 통하여 50~1200mJ/cm2의 다양한 노광량으로 노광했다.
그 후, 조사된 도포막이 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼 기판을 스핀·샤워 현상기(DW-30형, (주)케미트로닉스제)의 수평 회전 테이블 상에 재치하고, CD-2000(후지필름 일렉트로닉 머티리얼즈(주)제)을 이용하여, 23℃에서 60초간 패들 현상을 행하여, 실리콘 웨이퍼 기판에 착색 패턴을 형성했다.
착색 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼를, 진공 척 방식으로 수평 회전 테이블에 고정하고, 회전 장치에 의하여 실리콘 웨이퍼 기판을 회전수 50r.p.m.으로 회전시키면서, 그 회전 중심의 상방으로부터 순수를 분출 노즐로부터 샤워 형상으로 공급하여 린스 처리를 행하고, 그 후 스프레이 건조했다.
이상과 같이 하여, 실시예 또는 비교예의 착색 조성물에 의하여 형성된 착색 패턴을 갖는 단색의 컬러 필터를 제작했다.
그 후, 측장 SEM "S-9260A"(히타치 하이테크놀로지즈(주)제)를 이용하여, 착색 패턴의 사이즈를 측정했다. 패턴 사이즈가 1.0μm가 되는 노광량을 최적 노광량으로 했다.
5. 성능 평가
5-1. 내열성
상기에서 얻은 착색 조성물이 도포된 유리 기판을, 기판면에서 접하도록 200℃의 핫플레이트에 재치하여 1시간 가열한 후, 색도계 MCPD-1000(오쓰카 덴시(주)제)으로, 가열 전후에서의 색차(ΔE*ab값)를 측정하여 열견뢰성을 평가하는 지표로 하고, 하기 판정 기준에 따라 평가했다. ΔE*ab값은, 값이 작은 편이, 내열성이 양호한 것을 나타낸다. 또한, ΔE*ab값은, CIE1976(L*, a*, b*) 공간 표색계에 의한 이하의 색차 공식으로 구해지는 값이다(일본 색체학회 편 신편 색채 과학 핸드북(쇼와 60년) p.266).
ΔE*ab={(ΔL*)2+(Δa*)2+(Δb*)2}1/2
5-2. PGMEA 용해성
화합물 (S-1)~(S-42)의 PGMEA에 대한 용제 용해성을 이하의 기준으로 평가했다.
A: 20질량% 이상 용해성을 나타낸 경우
B: 10질량% 이상, 20질량% 미만의 경우
C: 5질량% 이상, 10질량% 미만의 경우
D: 5질량% 미만의 경우
5-3. 이염 평가
각 컬러 필터에 있어서의 착색 패턴의 흡광도를, MCPD-3000(오쓰카 덴시(주)제)으로 측정했다(흡광도 A).
컬러 필터의 착색 패턴 형성면에, 건조 막두께가 1μm가 되도록 CT-2000L 용액(후지필름 일렉트로닉 머티리얼즈(주)제; 투명 하지제)을 도포하고, 건조시켜, 투명막을 형성한 후, 280℃에서 5분간 가열 처리를 행했다.
가열 종료 후, 착색 패턴에 인접하는 투명막의 흡광도를, MCPD-3000(오쓰카 덴시(주)제)으로 측정했다(흡광도 B).
얻어진 투명막의 흡광도 B의 값에 대하여, 가열 전에 측정한 착색 패턴의 흡광도 A의 값에 대한 비율[%]을 산출했다〔하기 (식 A)〕. 이를 인접 픽셀로의 이염을 평가하는 지표로 했다.
(식 A) 이염(%)=흡광도 B/흡광도 A×100
[표 2]
Figure 112016009345945-pct00062
6. 드라이 에칭법을 적용한 패턴 형성
6-1. 착색 조성물의 조제
하기 성분을 혼합·용해하여 착색 조성물을 조제했다.
하기의 각 성분을 혼합하고 분산, 용해하여, 실시예 41~80, 비교예 5~8의 각 착색 조성물을 얻었다.
·사이클로헥산온 1.133부
·광중합 개시제(상기 구조의 화합물: 하기 표에 기재된 화합물) 0.012부
·(A) 색소 다량체(하기 표에 기재된 화합물) 고형분으로서 0.040부
·하기 표에 기재된 안료 분산액(안료 농도 13.0%) 0.615부
·중합성 화합물(EHPE-3150(다이셀 가가쿠사제 2,2-비스(하이드록시메틸)-1-뷰탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시란일)사이클로헥세인 부가물)) 0.070부
·글리세롤프로폭실레이트(1% 사이클로헥세인 용액) 0.048부
7. 성능 평가
7-1. 내알칼리 현상액성(현상액 내성)
유리 기판 상에, 착색 조성물을 막두께가 0.6μm가 되도록 스핀 코터를 이용하여 도포하고, 100℃의 핫플레이트를 이용하여 120초간 가열 처리(프리베이크)를 행했다. 다음으로, 220℃의 핫플레이트를 이용하여 300초간 가열 처리(포스트베이크)를 행하여, 경화막을 제작했다.
이와 같이 하여 얻어진 컬러 필터를, 자외 가시 근적외 분광 광도계 UV3600(시마즈 세이사쿠쇼제)의 분광 광도계(레퍼런스: 유리 기판)로 300nm~800nm의 파장역에서 투과율을 측정했다. 또한, OLYMPUS제 광학 현미경 BX60을 이용하여, 반사 관측(배율 50배)으로 미분 간섭상을 관찰했다.
다음으로, 알칼리 현상액 FHD-5(후지필름 일렉트로닉 머티리얼즈(주)제) 중에 5분간 침지하고, 건조시킨 후에 재차 분광 측정을 실시하여, 용제 침지 전후의 투과율 변동(용제 침지 전의 상기 투과율을 T0, 용제 침지 후의 상기 투과율을 T1로 한 경우에, 식 |T0-T1|로 나타나는 값)을 이하와 같이 평가했다.
AA: 양호 300nm~800nm의 전체 영역에 있어서, 용제 침지 전후의 투과율 변동이 2% 미만
A: 약간 양호 300nm~800nm의 전체 영역에 있어서, 용제 침지 전후의 투과율 변동이 2% 이상 5% 미만
B: 충분 300nm~800nm의 전체 영역에 있어서, 용제 침지 전후의 투과율 변동이 5% 이상 10% 미만
C: 불충분 300nm~800nm의 전체 영역에 있어서, 용제 침지 전후의 투과율 변동이 10% 이상
7-2. 박리액 내성
7-1에서 제작한 착색막 상에 포지티브형 포토레지스트 "FHi622BC"(후지필름 일렉트로닉 머티리얼즈사제)를 도포하고, 프리베이크를 실시하여, 막두께 0.8μm의 포토레지스트층을 형성했다. 계속해서, 포토레지스트층을, i선 스테퍼(캐논(주)제)를 이용하여, 350mJ/cm2의 노광량으로 패턴 노광하고, 포토레지스트층의 온도 또는 분위기 온도가 90℃가 되는 온도에서 1분간, 가열 처리를 행했다. 그 후, 포토레지스트 박리액 "MS230C"(후지필름 일렉트로닉 머티리얼즈사제)를 사용하여 120초간, 박리 처리를 실시하여 레지스트 패턴을 제거하고, 추가로 순수에 의한 세정, 스핀 건조를 실시했다. 그 후, 100℃에서 2분간의 탈수 베이크 처리를 행했다.
얻어진 착색막을 분광 측정하여, 박리 후의 투과율 변동(용제 침지 전의 상기 투과율을 T0, 용제 침지 후의 상기 투과율을 T2로 한 경우에, 식 |T0-T2|로 나타나는 값)을 평가했다.
AA: 양호 300nm~800nm의 전체 영역에 있어서, 용제 침지 전후의 투과율 변동이 2% 미만
A: 약간 양호 300nm~800nm의 전체 영역에 있어서, 용제 침지 전후의 투과율 변동이 2% 이상 5% 미만
B: 충분 300nm~800nm의 전체 영역에 있어서, 용제 침지 전후의 투과율 변동이 5% 이상 10% 미만
C: 불충분 300nm~800nm의 전체 영역에 있어서, 용제 침지 전후의 투과율 변동이 10% 이상
[표 3]
Figure 112016009345945-pct00063
실시예 41~80의 착색 조성물을 이용하여 에칭 레지스트에 의하여 컬러 필터를 제작한 경우, 현상액 내성 및 박리액 내성이 우수한 것을 알 수 있었던 한편, 비교예 5~8의 착색 조성물은, 이들이 뒤떨어졌다.

Claims (19)

  1. 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 폴리머 음이온과 색소 구조를 갖는 양이온을 포함하는 착색 조성물로서, 저구핵성 음이온 구조란, 황산의 pKa보다 낮은 pKa를 갖는 유기산이 해리된 음이온 구조를 나타내고,
    상기 폴리머 음이온이, 산기를 갖는 반복 단위를 함유하고,
    상기 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위가, 일반식 (1)로 나타내어지고,
    상기 색소 구조를 갖는 양이온이, 다이피로메텐 색소, 트라이아릴메테인 색소, 잔텐 색소, 사이아닌 색소 및 스쿠아릴륨 색소로부터 선택되는 색소 구조를 갖는 착색 조성물.
    일반식 (1)
    [화학식 1]
    Figure 112017036599307-pct00064

    (일반식 (1) 중, Q는 라디칼 중합 가능한 불포화 결합을 갖는 기를 포함하는 화합물 유래의 구조이며, L은 단결합 또는 2가의 연결기이며, Z는 일반식 (2-1)로 나타나는 음이온 구조, 일반식 (2-2)로 나타나는 음이온 구조, 또는 일반식 (2-3)으로 나타나는 음이온 구조이다.)
    일반식 (2-1)
    *-Y1-A1
    (일반식 (2-1) 중, *는, 일반식 (1) 중의 L과의 결합 부위를 나타내고, Y1은 불소화 알킬렌기를 나타내며, A1은 SO3 -를 나타낸다.)
    일반식 (2-2)
    *-Y2-(A2)n
    (일반식 (2-2) 중, *는, 일반식 (1) 중의 L과의 결합 부위를 나타내고, Y2는, 붕소 원자, 탄소 원자, 질소 원자, 또는 인 원자로 이루어지는 음이온을 나타낸다.
    Y2가 붕소 원자인 경우, n은 3이며, A2는, 각각, 할로젠 원자, 사이아노기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기이며,
    Y2가 탄소 원자인 경우, n은 2이고, A2는, 각각, 할로젠 원자, 사이아노기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 알킬설폰일기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 아릴설폰일기이며, 2개의 A2는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고,
    Y2가 질소 원자인 경우, n은 1이며, A2는, 각각, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 알킬설폰일기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 아릴설폰일기이고,
    Y2가 인 원자인 경우, n은 1 또는 3이며, A2는, 각각, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 알킬기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하는 아릴기, 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 알킬설폰일기, 또는 불소 원자 및 사이아노기 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 아릴설폰일기이다.)
    [화학식 2]
    Figure 112017036599307-pct00065

    (일반식 (2-3) 중, *는, 일반식 (1) 중의 L과의 결합 부위를 나타내고, R은, 각각 사이아노기, 또는 불소화 알킬기를 나타낸다.)
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 일반식 (1) 중의 Z가 일반식 (2-1)로 나타나는 경우, L이 탄소수 1~10의 불소화 알킬렌기를 갖고 있는 착색 조성물.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 색소 구조를 갖는 양이온이, 중합성기를 갖는 착색 조성물.
  4. 삭제
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 조성물이, (B) 중합성 화합물을 더 함유하는 착색 조성물.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 조성물이, 상기 색소 구조를 갖는 양이온 이외의 (C) 안료를 더 함유하는 착색 조성물.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 조성물이, (D) 광중합 개시제를 더 함유하는 착색 조성물.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 (D) 광중합 개시제가, 옥심 화합물인 착색 조성물.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 일반식 (1) 중의 Z가, 일반식 (2-1)로 나타나는 음이온 구조, 또는 불소화 알킬설폰이미드기 및 불소화 알킬설폰메타이드기로부터 선택되는 적어도 하나의 기가 해리된 음이온 구조인 착색 조성물.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 저구핵성 음이온 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 폴리머 음이온과 색소 구조를 갖는 양이온이 색소 다량체를 형성하고 있는 착색 조성물.
  11. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    컬러 필터의 착색층 형성에 이용하는 것을 특징으로 하는 착색 조성물.
  12. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 착색 조성물을 경화시켜 이루어지는 경화막.
  13. 청구항 12에 기재된 경화막을 갖는 컬러 필터.
  14. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 착색 조성물을 지지체 상에 적용하여 착색 조성물층을 형성하는 공정과, 상기 착색 조성물층을 패턴 형상으로 노광하는 공정과, 상기 노광한 후에 미노광부를 현상하는 공정을 포함하는, 컬러 필터의 제조 방법.
  15. 청구항 13에 기재된 컬러 필터를 갖는 고체 촬상 소자.
  16. 청구항 13에 기재된 컬러 필터를 갖는 화상 표시 장치.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 산기가 카복실산기인 착색 조성물.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 산기를 갖는 반복 단위는 (메트)아크릴산 유래의 반복 단위인 착색 조성물.
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 색소 구조를 갖는 양이온이, 다이피로메텐 색소, 잔텐 색소, 사이아닌 색소 및 스쿠아릴륨 색소로부터 선택되는 색소 구조를 갖는 착색 조성물.
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