KR101747648B1 - Gas supply unit and thin film deposition apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스공급부 및 이를 구비한 박막증착장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 가스공급부는 퍼지가스 또는 반응가스가 공급되며 제1 공급구와 연결되는 제1 공급유로, 상기 제1 공급유로에서 공급된 상기 퍼지가스가 상기 원료가스와 혼합되어 혼합가스를 형성하는 믹싱존(mixing zone)을 제공하는 혼합유로, 원료가스가 공급되는 제2 공급유로, 상기 제2 공급유로와 연결되어 상기 믹싱존을 향해 상기 원료가스를 분사하며 상기 믹싱존을 중심으로 상기 제1 공급구와 서로 마주보도록 배치되는 제2 공급구와, 상기 원료가스와 상기 퍼지가스의 혼합가스 또는 상기 반응가스가 공급되는 제3 공급구를 구비한 가스공급모듈 및 상기 가스공급모듈에서 공급된 상기 혼합가스 또는 상기 반응가스를 상기 기판을 향해 공급하는 샤워헤드를 구비하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a gas supply unit and a thin film deposition apparatus having the gas supply unit. The gas supply unit according to the present invention includes a first supply passage supplied with a purge gas or a reactive gas and connected to a first supply port, a purge gas supplied from the first supply passage is mixed with the source gas to form a mixed gas A second supply passage for supplying a raw material gas; a second supply passage for supplying the raw material gas to the mixing zone, connected to the second supply passage, for spraying the raw material gas toward the mixing zone, And a third supply port through which a mixed gas of the source gas and the purge gas or the reactive gas is supplied; and a gas supply module provided with the mixed gas or the mixed gas supplied from the gas supply module And a showerhead for supplying the reaction gas toward the substrate.

Description

가스공급부 및 이를 구비한 박막증착장치 {Gas supply unit and thin film deposition apparatus having the same}[0001] The present invention relates to a gas supply unit and a thin film deposition apparatus having the gas supply unit,

본 발명은 가스공급부 및 이를 구비한 박막증착장치에 대한 것이다.The present invention relates to a gas supply unit and a thin film deposition apparatus having the gas supply unit.

반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, '기판'이라 한다) 상에 박막을 형성하기 위한 증착법으로 화학기상증착법(CVD, chemical vapor deposition), 플라즈마 화학기상증착법(PECVD, plasma enhanced chemical vapor deposition), 원자층증착법(ALD, atomic layer deposition) 등의 기술이 사용되고 있다.(CVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and atomic layer deposition (MOCVD) as a deposition method for forming a thin film on a substrate such as a semiconductor wafer A technique such as ALD (atomic layer deposition) is used.

도 9는 기판 증착법 중 원자층증착법에 관한 기본 개념을 도시하는 개략도이다. 도 9를 참조하면, 원자층증착법은 기판상에 트리메틸알루미늄(TMA, trimethyl aluminium) 같은 원료를 포함하는 원료가스를 분사한 후 아르곤(Ar) 등의 불활성 퍼지 가스를 분사하여 잔존가스 및 미반응 물질을 배기하여 기판상에 단일 분자층을 흡착시킨다. 그리고, 원료와 반응하는 오존(O3) 같은 반응물을 포함하는 반응가스를 분사한 후 불활성 퍼지 가스를 분사하여 미반응 가스 및 부산물을 배기하고 기판상에 단일 원자층(Al-O)을 형성하게 된다.9 is a schematic diagram showing the basic concept of the atomic layer deposition method in the substrate deposition method. 9, in the atomic layer deposition method, a raw material gas containing a raw material such as trimethyl aluminum (TMA) is sprayed on a substrate, an inert purge gas such as argon (Ar) is sprayed to form a residual gas and an unreacted material Is evacuated to adsorb a single molecular layer on the substrate. Then, a reactive gas including a reactant such as ozone (O 3 ) reacting with the raw material is injected, and an inert purge gas is injected to discharge unreacted gas and by-products to form a single atomic layer (Al-O) on the substrate do.

그런데, 종래 원자층증착법에 의해 박막을 형성하는 박막증착장치를 살펴보면, 기판이 안착되는 공간을 제공하는 챔버에 원료가스, 반응가스 또는 퍼지가스를 공급하는 가스공급부를 구비한다. 이때, 원료가스가 챔버 내부의 불필요한 영역으로 확산되는 것을 방지하기 위하여 퍼지가스가 원료가스와 함께 공급될 수 있다. 이 경우, 종래에는 퍼지가스와 원료가스가 동일 방향을 향해 공급됨과 동시에 혼합됨으로써 원료가스와 퍼지가스가 적절히 섞이지 않으며, 나아가 퍼지가스의 흐름에 의해 원료가스와 퍼지가스가 혼합된 혼합가스가 기판의 중앙부에 집중되어 공급되어 기판의 박막의 품질을 떨어뜨리는 요인으로 작용하였다.The conventional thin film deposition apparatus for forming a thin film by atomic layer deposition has a gas supply unit for supplying a source gas, a reactive gas, or a purge gas to a chamber for providing a space for mounting a substrate. At this time, a purge gas may be supplied together with the raw material gas to prevent the source gas from diffusing into an unnecessary region inside the chamber. In this case, conventionally, the purge gas and the raw material gas are fed in the same direction and mixed at the same time, so that the raw material gas and the purge gas are not mixed properly, and further, a mixed gas in which the raw material gas and the purge gas are mixed by the flow of the purge gas, And concentrated at the central portion, thereby degrading the quality of the thin film of the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 퍼지가스와 원료가스를 혼합하여 공급하는 경우에 퍼지가스와 원료가스의 혼합도를 향상시키면서 나아가 상기 퍼지가스와 원료가스가 혼합된 혼합가스를 챔버 내부에 균일하게 공급하기 위한 가스공급부를 제공하는데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to improve the mixing degree of the purge gas and the source gas in the case of mixing and supplying the purge gas and the source gas, And a gas supply unit for supplying the gas supply unit uniformly.

상기와 같은 본 발명의 목적은 퍼지가스 또는 반응가스가 공급되며 제1 공급구와 연결되는 제1 공급유로, 상기 제1 공급유로에서 공급된 상기 퍼지가스가 원료가스와 혼합되어 혼합가스를 형성하는 믹싱존(mixing zone)을 제공하는 혼합유로, 원료가스가 공급되는 제2 공급유로, 상기 제2 공급유로와 연결되어 상기 믹싱존을 향해 상기 원료가스를 분사하며 상기 믹싱존을 중심으로 상기 제1 공급구와 서로 마주보도록 배치되는 제2 공급구와, 상기 원료가스와 상기 퍼지가스의 혼합가스 또는 상기 반응가스가 공급되는 제3 공급구를 구비한 가스공급모듈 및 상기 가스공급모듈에서 공급된 상기 혼합가스 또는 상기 반응가스를 상기 기판을 향해 공급하는 샤워헤드를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스공급부에 의해 달성된다.It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for supplying a purge gas or a reactive gas and a purge gas which is supplied to a first supply port and is connected to a first supply port, A second supply passage for supplying a raw material gas; a second supply passage for supplying the raw material gas to the mixing zone, connected to the second supply passage, for spraying the raw material gas toward the mixing zone, And a third supply port through which a mixed gas of the source gas and the purge gas or the reactive gas is supplied; and a gas supply module provided with the mixed gas or the mixed gas supplied from the gas supply module And a shower head for supplying the reaction gas toward the substrate.

여기서, 상기 가스공급모듈은 상기 제2 공급유로와 상기 제2 공급구를 서로 연결시키는 원료가스 연결유로와, 상기 혼합유로와 상기 제3 공급구를 연결시켜 상기 혼합가스 또는 반응가스를 공급하는 혼합가스 연결유로를 구비한다.Here, the gas supply module may include: a source gas connection passage for connecting the second supply passage and the second supply port to each other; and a mixer for supplying the mixed gas or the reaction gas by connecting the mixing passage and the third supply hole, And a gas connection channel.

한편, 상기 가스공급모듈은 상기 제2 공급유로와 연결되는 원료가스 유입구와, 상기 원료가스 유입구와 연결되는 제1 원료가스 연결유로를 구비하고, 중앙부에 오목부가 형성된 몸체부 및 상기 오목부의 내측에 구비되어 상기 제2 공급구가 형성되고, 상기 제1 원료가스 연결유로와 상기 제2 공급구를 연결시키는 제2 원료가스 연결유로를 구비한 공급부를 구비한다.The gas supply module includes a body portion having a material gas inlet connected to the second supply passage and a first material gas connecting passage connected to the material gas inlet, the body having a concave portion formed at a central portion thereof, And a supply portion having a second supply port and forming a second supply port for connecting the first supply port and the second supply port.

이때, 상기 공급부와 상기 오목부의 내벽 사이의 공간이 상기 혼합가스 연결유로를 형성한다.At this time, a space between the supply portion and the inner wall of the concave portion forms the mixed gas connecting flow path.

한편, 상기 오목부는 상기 제3 공급구와 상기 혼합가스 연결유로를 연결시키는 개구부를 더 구비한다.The concavity further includes an opening for connecting the third supply port and the mixed gas connecting flow path.

또한, 상기 공급부는 상기 제2 공급구가 상면에 형성된 중앙부와, 상기 중앙부에서 방사상으로 연장된 복수의 연장부를 구비하고, 상기 오목부의 내벽과 상기 복수의 연장부 사이의 공간이 상기 혼합가스 연결유로를 형성한다.The supply portion includes a central portion formed on the upper surface of the second supply port and a plurality of extending portions radially extending from the central portion, and a space between the inner wall of the recess and the plurality of extending portions is connected to the mixed- .

한편, 상기 제2 공급구와 상기 제1 공급구는 그 중심이 서로 일치하도록 배치될 수 있다.Meanwhile, the second supply port and the first supply port may be arranged so that the centers thereof coincide with each other.

또한, 상기 제2 공급구와 상기 제1 공급구 중에 적어도 하나는 복수개로 구성되며, 그 중심이 서로 일치하지 않을 수 있다.At least one of the second supply port and the first supply port may have a plurality of centers, and the centers thereof may not coincide with each other.

이 경우, 상기 공급부에서 상부의 상기 믹싱존을 향해 연장 형성된 연장부를 구비하고, 상기 연장부의 측면에 상기 제2 공급구가 형성될 수 있다.In this case, the supply portion may include an extension extending toward the mixing zone at the upper portion, and the second supply port may be formed at the side of the extension portion.

한편, 상기 제2 공급구는 상기 제1 공급구와 수직한 방향으로 배치될 수 있다.The second supply port may be disposed in a direction perpendicular to the first supply port.

나아가, 상기와 같은 본 발명의 목적은 전술한 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치에 의해 달성된다.Furthermore, the above object of the present invention is achieved by a thin film deposition apparatus characterized by comprising the gas supply unit described above.

전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면 퍼지가스와 원료가스를 혼합하는 경우에 퍼지가스의 공급유로와 원료가스의 공급유로가 서로 마주보도록 하여 공급함으로써 원료가스와 퍼지가스의 혼합도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention having the above-described constitution, when the purge gas and the raw material gas are mixed, the supply flow path of the purge gas and the supply flow path of the raw gas are provided so as to face each other, whereby the mixing degree of the raw material gas and the purge gas can be improved .

나아가, 전술한 바와 같이 혼합된 혼합가스를 기판을 향해 공급하는 경우에 혼합가스의 집중 현상을 방지하고 기판을 향해 고루 분사하여 공급할 수 있다.Furthermore, when the mixed gas is supplied toward the substrate as described above, the concentration of the mixed gas can be prevented and the mixed gas can be uniformly injected toward the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급부의 단면도,
도 2는 가스공급모듈의 사시도,
도 3은 도 2의 'Ⅲ-Ⅲ'선에 따른 단면 사시도,
도 4는 도 3에서 일부 확대 단면도,
도 5 내지 도 8은 다른 실시예에 따른 가스공급모듈의 구성을 도시한 단면사시도,
도 9는 종래 ALD 방법을 개략적으로 도시한 개략도이다.1 is a cross-sectional view of a gas supply unit according to an embodiment of the present invention,
2 is a perspective view of the gas supply module,
3 is a cross-sectional perspective view taken along line III-III in FIG. 2,
FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of FIG. 3,
5 to 8 are cross-sectional perspective views showing the configuration of a gas supply module according to another embodiment,
9 is a schematic view schematically showing a conventional ALD method.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 가스공급부 및 이를 구비한 박막증착장치에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, a gas supply unit and a thin film deposition apparatus having the gas supply unit according to various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급부(1000)가 박막증착장치(2000)의 챔버의 상부에 구비된 상태를 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a state in which a gas supply unit 1000 according to an embodiment of the present invention is provided on a chamber of a thin film deposition apparatus 2000.

도 1을 참조하면, 상기 박막증착장치(2000)는 기판(W)이 처리되는 처리공간(18)을 제공하는 챔버(12)와, 상기 챔버(12)의 내부에 구비되어 상기 기판(W)을 지지하는 기판지지부(16)와, 상기 기판(W)을 향해 원료가스, 반응가스 또는 퍼지가스를 공급하는 가스공급부(1000)를 구비한다.1, the thin film deposition apparatus 2000 includes a chamber 12 for providing a processing space 18 in which a substrate W is processed, a chamber 12 provided inside the chamber 12, And a gas supply unit 1000 for supplying a source gas, a reactive gas, or a purge gas toward the substrate W. The substrate support unit 16 supports the substrate W,

상기 챔버(12)는 내부에 소정의 처리공간(18)을 구비하여 기판(W)이 수용되어 처리되는 공간을 제공하며 상부가 개구된 챔버몸체(10)와, 상기 챔버몸체(10)의 개구된 상부를 밀폐하는 챔버리드(11)를 포함할 수 있다.The chamber 12 includes a chamber body 10 having a predetermined processing space 18 therein and providing a space for receiving and processing the substrate W and having an upper portion opened, And a chamber lid 11 for sealing the upper portion of the chamber.

상기 챔버몸체(10)는 양측 또는 적어도 일측에 상기 기판(W)이 출입하는 개구부(미도시)를 구비할 수 있다. 상기 챔버몸체(10)의 내부에서 상기 기판(W)은 기판지지부(16)에 안착된다.The chamber body 10 may include openings (not shown) through which the substrate W is introduced into and / or removed from both sides or at least one side of the chamber body 10. Inside the chamber body 10, the substrate W is seated on the substrate support 16.

상기 기판지지부(16)의 상면에 상기 기판(W)이 안착되며, 상기 기판지지부(16)는 상기 기판(W)의 인입 또는 인출 시에 작업을 용이하게 하기 위하여 상하로 이동 가능하게 구비될 수 있다.The substrate W is mounted on the upper surface of the substrate supporting part 16. The substrate supporting part 16 can be vertically movable to facilitate the operation when the substrate W is drawn in or drawn out have.

한편, 상기 가스공급부(1000)는 상기 기판(W)을 향해 각종 공정가스를 공급하게 된다. 예를 들어, 상기 가스공급부(1000)는 퍼지가스 또는 반응가스가 공급되는 제1 공급유로(300), 상기 제1 공급유로(300)에서 공급된 상기 퍼지가스가 상기 원료가스와 혼합되어 혼합가스를 형성하는 믹싱존(mixing zone)(312)을 제공하는 혼합유로(310), 원료가스가 공급되는 제2 공급유로(200), 상기 제2 공급유로(200)와 연결되어 상기 믹싱존(312)을 향해 상기 원료가스를 분사하는 제2 공급구(524)(도 2 참조)와 상기 원료가스와 상기 퍼지가스의 혼합가스 또는 상기 반응가스가 공급되는 제3 공급구(110)를 구비한 가스공급모듈(500) 및 상기 가스공급모듈(500)에서 공급된 상기 혼합가스 또는 상기 반응가스를 상기 기판을 향해 공급하는 샤워헤드(100)를 구비할 수 있다.Meanwhile, the gas supply unit 1000 supplies various process gases to the substrate W. For example, the gas supply unit 1000 may include a first supply channel 300 to which purge gas or reaction gas is supplied, a purge gas supplied from the first supply channel 300 to be mixed with the source gas, A mixing channel 310 providing a mixing zone 312 for forming a mixing zone 312 for forming a mixing zone 312 and a second supply channel 200 for supplying a source gas, (See FIG. 2) for injecting the raw material gas toward the first gas supply port (see FIG. 2) and a third supply port 110 through which the mixed gas of the source gas and the purge gas or the reactive gas is supplied And a showerhead 100 for supplying the mixed gas supplied from the gas supply module 500 or the reaction gas toward the substrate.

상기 제1 공급유로(300)는 상기 챔버(12)의 상부, 즉 상기 챔버리드(11)를 통해 상기 혼합유로(310)와 연결되며, 상기 제1 공급유로(300)의 단부에 제1 공급구(302)를 구비한다. 상기 제1 공급유로(300)는 반응가스 공급원(미도시) 또는 퍼지가스 공급원(미도시)과 선택적으로 연결되어 반응가스 또는 퍼지가스를 상기 혼합유로(310)의 내측으로 공급하게 된다.The first supply channel 300 is connected to the mixing channel 310 via the chamber lead 11 or the upper portion of the chamber 12 and the first supply channel 300 is connected to the first supply channel 300. [ (302). The first supply passage 300 is selectively connected to a reaction gas supply source (not shown) or a purge gas supply source (not shown) to supply a reaction gas or purge gas to the inside of the mixing passage 310.

이 경우, 상기 퍼지가스는 상기 제1 공급유로(300) 및 제1 공급구(302)를 통해 혼합유로(310)의 내측으로 공급된다. 상기 혼합유로(310)는 상기 제1 공급유로(300)와 후술하는 가스공급모듈(500)을 서로 연결시키는 역할을 하며, 나아가 상기 퍼지가스와 원료가스가 혼합되는 믹싱존(mixing zone)(312)을 제공한다. 구체적으로, 상기 제1 공급유로(300)와 연결되며 상기 챔버리드(11)를 관통하여 구비되는 유로연결부(305)를 구비하며, 상기 유로연결부(305)의 내측에 상기 혼합유로(310) 및 믹싱존(312)이 형성된다.In this case, the purge gas is supplied to the inside of the mixing passage 310 through the first supply passage 300 and the first supply port 302. The mixing channel 310 serves to connect the first supply channel 300 and the gas supply module 500 to be described later and further includes a mixing zone 312 in which the purge gas and the source gas are mixed ). And a channel connection part 305 connected to the first supply channel 300 and penetrating the chamber lid 11. The mixing channel 310 and the channel connection part 305 are formed inside the channel connection part 305, A mixing zone 312 is formed.

상기 혼합유로(310)의 내측으로 공급된 퍼지가스는 가스공급모듈(500)에서 공급된 원료가스와 혼합되어 혼합가스를 형성하여 상기 혼합가스가 상기 가스공급모듈(500)을 통해 샤워헤드(100)로 공급된다. 상기 혼합유로(310)는 상기 퍼지가스와 원료가스가 혼합되기에 적절한 소정크기의 믹싱존(312)을 내부에 가지도록 형성될 수 있다.The purge gas supplied to the inside of the mixing channel 310 is mixed with the source gas supplied from the gas supply module 500 to form a mixed gas so that the mixed gas is supplied to the shower head 100 ). The mixing channel 310 may be formed to have a mixing zone 312 having a predetermined size suitable for mixing the purge gas and the source gas.

한편, 원료가스는 챔버(12)의 벽을 따라 형성된 제2 공급유로(200)를 통해 상기 가스공급모듈(500)로 공급된다. On the other hand, the raw material gas is supplied to the gas supply module 500 through the second supply passage 200 formed along the wall of the chamber 12.

도 2는 가스공급모듈의 사시도이고, 도 3은 도 2의 'Ⅲ-Ⅲ'선에 따른 단면 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view of the gas supply module, and FIG. 3 is a cross-sectional perspective view taken along line III-III in FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 가스공급모듈(500)은 상기 제2 공급유로(200)를 통해 공급된 원료가스를 상기 믹싱존(312)을 향해 공급하여 상기 퍼지가스와 혼합하게 되며, 나아가 상기 퍼지가스와 원료가스가 혼합된 혼합가스를 하부의 샤워헤드(100)를 향해 다시 공급하는 역할을 하게 된다. 이 때, 상기 가스공급모듈(500)에서 공급되는 원료가스와 상기 제1 공급유로(300)를 통해 공급된 퍼지가스는 서로 정반대의 방향에서 공급되면서 상기 믹싱존(312)에서 만나게 된다.2 and 3, the gas supply module 500 supplies the source gas supplied through the second supply channel 200 to the mixing zone 312 to mix with the purge gas, And further serves to supply the mixed gas in which the purge gas and the source gas are mixed toward the showerhead 100 at the lower part. At this time, the source gas supplied from the gas supply module 500 and the purge gas supplied through the first supply channel 300 are supplied in the opposite directions from each other, and are met in the mixing zone 312.

즉, 종래와 같이 상기 원료가스와 퍼지가스가 동일한 방향으로 공급되면서 섞이는 것이 아니라 본 실시예에서 원료가스와 퍼지가스는 서로 반대방향에서 상기 믹싱존(312)으로 공급되어 혼합된다. 따라서, 서로 동일한 방향으로 이동 중에 혼합되는 종래 방법에 비해 본 실시예에서는 서로 반대방향에서 공급되어 혼합되므로, 원료가스와 퍼지가스를 보다 균일하게 혼합할 수 있다. 또한, 종래 방법에서는 상기 원료가스에 비해 상대적으로 양이 많은 상기 퍼지가스의 흐름에 의해 상기 혼합가스가 일부 영역으로 집중되어 공급되었다. 하지만, 본 실시예의 경우 상기 원료가스와 퍼지가스가 서로 반대방향에서 공급되어 먼저 혼합되고 이어서 하부를 향해 공급됨으로써 종래에 비해 더 넓은 영역으로 상기 혼합가스를 균일하게 공급할 수 있다.That is, the raw material gas and the purge gas are not mixed while being supplied in the same direction as in the conventional method, but the raw material gas and the purge gas are supplied and mixed in the mixing zone 312 in the opposite direction in this embodiment. Therefore, in the present embodiment, the raw material gas and the purge gas can be mixed more uniformly because they are mixed and supplied in opposite directions to each other as compared with the conventional method in which they are mixed while moving in the same direction. In addition, in the conventional method, the mixed gas is concentrated and supplied to a partial region by the flow of the purge gas, which is relatively larger than the source gas. However, in the case of the present embodiment, the source gas and the purge gas are supplied in the opposite direction to each other and then mixed and then supplied to the lower portion, thereby uniformly supplying the mixed gas to a wider region than in the prior art.

이하, 상기 가스공급모듈(500)의 구성에 대해서 보다 구체적으로 살펴보기로 한다. 상기 가스공급모듈(500)은 상기 제2 공급유로(200)와 연결되어 상기 믹싱존(312)을 향해 상기 원료가스를 분사하는 제2 공급구(524)와 상기 원료가스와 상기 퍼지가스의 혼합가스 또는 상기 반응가스가 공급되는 제3 공급구(110)를 구비할 수 있다. Hereinafter, the configuration of the gas supply module 500 will be described in more detail. The gas supply module 500 includes a second supply port 524 connected to the second supply channel 200 and injecting the source gas toward the mixing zone 312 and a second supply port 524 for mixing the source gas and the purge gas Or a third supply port 110 through which the reaction gas is supplied.

이 경우, 전술한 바와 같이 상기 원료가스와 상기 퍼지가스가 상기 믹싱존(312)을 향해 서로 반대방향에서 공급되기 위해서 상기 제2 공급구(524)와 상기 제1 공급유로의 단부에 구비된 제1 공급구(302)는 상기 믹싱존(312)을 중심으로 서로 마주보도록 배치될 수 있으며, 나아가 상기 제2 공급구(524)와 상기 제1 공급구(302)는 그 중심이 서로 일치하도록 배치될 수 있다. 상기 제1 공급구(302)와 제2 공급구(524)가 상기 믹싱존(312)을 중심으로 서로 마주보도록 배치되며, 나아가 그 중심이 서로 일치하도록 배치됨으로써, 상기 제1 공급구(302)와 제2 공급구(524)를 통해 각각 공급되는 상기 퍼지가스와 원료가스는 상기 믹싱존(312)에서 서로 반대방향에서 만나게 되어 균일하게 섞일 수 있다.In this case, as described above, in order for the raw material gas and the purge gas to be supplied to the mixing zone 312 from opposite directions, the second supply port 524 and the second supply port 1 supply port 302 may be arranged to face each other with respect to the mixing zone 312 and the second supply port 524 and the first supply port 302 may be arranged so that the centers thereof are aligned with each other . The first supply port 302 and the second supply port 524 are arranged to face each other with respect to the mixing zone 312 and are arranged such that the centers of the first supply port 302 and the second supply port 524 coincide with each other, The purge gas and the raw material gas supplied through the second supply port 524 are mixed with each other in the mixing zone 312 in opposite directions and can be uniformly mixed.

한편, 상기 가스공급모듈(500)은 상기 원료가스와 퍼지가스가 혼합된 혼합가스를 공급하거나, 또는 상기 제1 공급유로(300)를 통해 반응가스를 공급하는 경우에 상기 반응가스를 하부의 샤워헤드(100)를 향해 공급하는 제3 공급구(110)를 구비한다.Meanwhile, when the gas supply module 500 supplies the mixed gas in which the source gas and the purge gas are mixed, or when the reaction gas is supplied through the first supply channel 300, And a third supply port (110) for supplying the gas toward the head (100).

이때, 도 3을 참조하면 상기 가스공급모듈(500)은 상기 제2 공급유로(200)와 상기 제2 공급구(524)를 서로 연결시키는 원료가스 연결유로(512)와, 상기 혼합유로(310)와 상기 제3 공급구(110)를 연결시켜 상기 혼합가스 또는 반응가스를 공급하는 혼합가스 연결유로(508)를 구비할 수 있다.3, the gas supply module 500 includes a source gas connection passage 512 for connecting the second supply passage 200 and the second supply port 524 to each other, And a third gas supply port 110 to supply the mixed gas or the reaction gas.

따라서, 상기 제2 공급유로(200)를 통해 공급된 원료가스는 상기 가스공급모듈(500)의 상기 원료가스 연결유로(512) 및 상기 제2 공급구(524)를 통해 상기 믹싱존(312)으로 공급된다. 또한, 상기 가스공급모듈(500)에는 상기 제3 공급구(110)와 상기 혼합유로(310)를 서로 연결시키는 혼합가스 연결유로(508)가 형성된다. 상기 혼합가스 연결유로(508)를 통해 상기 혼합유로(310)의 내측의 혼합가스 또는 반응가스가 상기 제3 공급구(110)로 이동 가능하게 된다.The raw material gas supplied through the second supply passage 200 is supplied to the mixing zone 312 through the raw gas connection passage 512 and the second supply port 524 of the gas supply module 500, . The gas supply module 500 is further provided with a mixed gas connection flow path 508 for connecting the third supply port 110 and the mixing flow path 310 to each other. The mixed gas or reaction gas inside the mixing channel 310 can be moved to the third supply port 110 through the mixed gas connecting channel 508.

구체적으로, 상기 가스공급모듈(500)은 몸체부(502)를 구비한다. 상기 몸체부(502)에는 상기 제2 공급유로(200)와 연결되는 원료가스 유입구(510)와, 상기 원료가스 유입구(510)와 연결되는 제1 원료가스 연결유로(513)를 구비하고, 중앙부에 오목부(504)가 형성다.Specifically, the gas supply module 500 includes a body portion 502. The body 502 has a raw material gas inlet 510 connected to the second supply passage 200 and a first raw material gas connecting passage 513 connected to the raw material gas inlet 510, A concave portion 504 is formed.

한편, 상기 오목부(504)의 내측에 공급부(520)를 구비하는데, 상기 공급부(520)에는 상기 제2 공급구(524)가 형성되고, 상기 제1 원료가스 연결유로(513)와 상기 제2 공급구(524)를 연결시키는 제2 원료가스 연결유로(514)를 구비한다.The second supply port 524 is formed in the supply part 520 and the first raw material gas connecting path 513 and the second raw material gas connecting path 513 are formed in the concave part 504, And a second feed gas connecting passage 514 connecting the first feed port 524 and the second feed port 524.

상기 몸체부(502)는 상기 가스공급모듈(500)의 외관을 형성하며, 미리 결정된 높이를 가지는 대략 원기둥 형상으로 형성될 수 있으며, 중앙부에 오목부(504)가 형성될 수 있다. 상기 몸체부(502)의 측면에는 상기 제2 공급유로(200)와 연결되어 상기 원료가스가 유입되는 원료가스 유입구(510)가 형성된다. 상기 원료가스 유입구(510)를 통해 상기 몸체부(502)의 내부로 유입된 원료가스는 상기 제1 원료가스 연결유로(513)를 통해 이동하게 된다. The body 502 forms an outer appearance of the gas supply module 500 and may have a substantially cylindrical shape with a predetermined height and a recess 504 at a central portion thereof. A raw material gas inlet 510 through which the raw material gas flows is formed on the side surface of the body 502 in connection with the second supply passage 200. The raw material gas flowing into the body 502 through the raw material gas inlet 510 moves through the first raw material gas connecting passage 513.

한편, 상기 오목부(504)의 내측에는 상기 공급부(520)가 구비된다. 상기 공급부(520)에는 상기 원료가스를 상기 믹싱존(312)을 향해 공급하는 상기 제2 공급구(524)가 형성되며, 상기 공급부(520)의 내부를 따라 상기 제2 공급구(524)와 상기 제1 원료가스 연결유로(513)를 연결하는 제2 원료가스 연결유로(514)가 형성된다. 따라서, 상기 몸체부(502)의 상기 제1 원료가스 연결유로(513)를 통해 이동된 상기 원료가스는 상기 공급부(520)의 상기 제2 원료가스 연결유로(514)를 통해 상기 제2 공급구(524)로 이동하고, 상기 제2 공급구(524)를 통해 상기 믹싱존(312)으로 공급된다.On the other hand, the supply part 520 is provided inside the concave part 504. The second supply port 524 for supplying the source gas toward the mixing zone 312 is formed in the supply unit 520 and the second supply port 524 and the second supply port 524 are formed along the inside of the supply unit 520. [ A second source gas connecting passage 514 for connecting the first source gas connecting passage 513 is formed. The raw material gas moved through the first raw material gas connecting passage 513 of the body portion 502 flows through the second raw material gas connecting passage 514 of the supplying portion 520, (524), and is supplied to the mixing zone (312) through the second supply port (524).

이때, 상기 몸체부(502)의 하부에 전술한 제3 공급구(110)가 구비되며, 상기 공급부(520)와 상기 오목부(504)의 내벽 사이의 공간이 전술한 혼합가스 연결유로(508)를 형성하며, 상기 오목부(504)는 상기 제3 공급구(110)와 상기 혼합가스 연결유로(508)를 연결시키는 개구부(509)를 그 하단에 구비한다.The third supply port 110 is provided at a lower portion of the body 502 and a space between the supply port 520 and the inner wall of the recess 504 is connected to the above- And the concave portion 504 has an opening 509 at the lower end thereof for connecting the third supply port 110 and the mixed gas connection flow path 508.

즉, 상기 제2 공급구(524)를 통해 상방의 상기 믹싱존(312)을 향해 공급된 원료가스는 상기 제1 공급구(302)를 통해 상기 믹싱존(312)으로 공급된 퍼지가스와 서로 혼합되어 혼합가스를 형성한다. 상기 혼합가스는 하방을 향하는 상기 퍼지가스의 흐름에 의해 하부로 이동하여 상기 가스공급모듈(500)의 상기 공급부(520)와 상기 오목부(504)의 내벽 사이의 공간, 즉 혼합가스 연결유로(508)를 통해 상기 오목부(504)의 하단을 향해 이동하게 된다. 상기 오목부(504)의 하단으로 이동한 상기 혼합가스는 상기 오목부(504)의 하단에 형성된 상기 개구부(509)를 통해 상기 제3 공급구(110)로 연결되어, 상기 제3 공급구(110)를 통해 하부의 샤워헤드(100)를 향해 공급된다.That is, the raw material gas supplied to the mixing zone 312 through the second supply port 524 is mixed with the purge gas supplied to the mixing zone 312 through the first supply port 302 And mixed to form a mixed gas. The mixed gas moves downward by the flow of the purge gas directed downward and flows into the space between the supply part 520 of the gas supply module 500 and the inner wall of the concave part 504, 508 to move toward the lower end of the concave portion 504. The mixed gas moved to the lower end of the concave portion 504 is connected to the third supply port 110 through the opening 509 formed at the lower end of the concave portion 504, 110 toward the lower shower head 100. [

이때, 상기 공급부(520)는 상기 제2 공급구(524)가 상면에 형성된 중앙부(521)와, 상기 중앙부(521)에서 방사상으로 연장된 복수의 연장부(522)를 구비할 수 있다. 상기 중앙부(521)의 상면에 상기 제2 원료가스 연결유로(514)와 연결된 상기 제2 공급구(524)가 형성된다.The supply unit 520 may include a central portion 521 formed on the upper surface of the second supply port 524 and a plurality of extension portions 522 extending radially from the central portion 521. The second supply port 524 connected to the second source gas connection passage 514 is formed on the upper surface of the central portion 521.

상기 중앙부(521)를 중심으로 하여 외측을 향해 연장 형성된 복수의 연장부(522)를 구비할 수 있다. 본 실시예에서 상기 연장부(522)는 4개로 도시되지만, 이에 한정되지 않으며 적절한 개수로 조절될 수 있다. 상기 연장부(522)는 상기 공급부(520)를 상기 오목부(504)의 내측에 고정시키는 체결수단(미도시)이 체결되는 체결구(523)를 구비할 수 있다. 이때, 상기 오목부(504)의 내벽과 상기 복수의 연장부(522) 사이의 공간이 상기 혼합가스 연결유로(508)를 형성하게 된다.And a plurality of extending portions 522 extending outward with the central portion 521 as a center. In the present embodiment, the extension portions 522 are shown as four, but are not limited thereto and can be adjusted to an appropriate number. The extension 522 may include a fastener 523 for fastening fastening means (not shown) for fastening the supply part 520 to the inside of the recess 504. [ At this time, a space between the inner wall of the recess 504 and the plurality of extending portions 522 forms the mixed gas connecting passage 508.

이 경우, 상기 연장부(522)의 개수가 증가할수록 상기 연장부(522) 사이의 상기 혼합가스 연결유로(508)의 개수가 증가하게 되어 전술한 혼합가스를 보다 균일하게 공급하는 것이 가능해진다. 하지만, 이와 같이 상기 연장부(522)의 개수가 증가하는 경우에 상기 연장부(522)의 두께로 인해 상기 혼합가스가 통과하는 상기 혼합가스 연결유로(508)의 전체 단면적은 줄어들게 된다. 따라서, 상기 원료가스와 퍼지가스의 필요한 양, 종류 등을 고려하여 상기 연장부(522)의 개수 및 상기 혼합가스 연결유로(508)의 단면적 크기 등이 결정될 수 있다.In this case, as the number of the extension portions 522 increases, the number of the mixed gas connecting flow paths 508 between the extending portions 522 increases, and it becomes possible to supply the above-described mixed gas more uniformly. However, when the number of the extension portions 522 is increased, the total cross-sectional area of the mixed gas connection passage 508 through which the mixed gas passes is reduced due to the thickness of the extension portion 522. Accordingly, the number of the extensions 522 and the cross-sectional area size of the mixed gas connecting passage 508 can be determined in consideration of the required amount and kind of the raw material gas and the purge gas.

도 4는 도 3에서 일부 확대 단면도이다. 4 is a partially enlarged cross-sectional view of FIG.

도 1, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 실시예에 따른 박막증착장치(2000)에서 원료가스 또는 반응가스의 공급과정을 살펴보면 다음과 같다.Referring to FIGS. 1, 3 and 4, the process of supplying the source gas or the reactive gas in the thin film deposition apparatus 2000 according to the present embodiment will be described below.

먼저, 원료가스를 공급하는 경우에 상기 원료가스는 상기 제2 공급유로(200)를 통해 상기 가스공급모듈(500)로 공급되며, 상기 가스공급모듈(500)의 내부에서 원료가스 연결유로(512)를 통해 제2 공급구(524)를 통해 화살표 'A'를 따라 상기 믹싱존(312)으로 공급된다. 한편, 상기 퍼지가스는 상기 제1 공급유로(300)의 상기 제1 공급구(302)를 통해 화살표 'B'를 따라 상기 믹싱존(312)으로 공급된다. 이 때, 상기 믹싱존(312)으로 공급되는 상기 원료가스와 퍼지가스는 서로 반대방향에서 공급되어 상기 믹싱존(312)에서 화살표 'C'와 같이 섞여 혼합가스를 이루게 된다.First, when the source gas is supplied, the source gas is supplied to the gas supply module 500 through the second supply channel 200. In the gas supply module 500, the source gas connection channel 512 Through the second supply port 524 to the mixing zone 312 along the arrow 'A'. Meanwhile, the purge gas is supplied to the mixing zone 312 along the arrow 'B' through the first supply port 302 of the first supply passage 300. At this time, the raw material gas and the purge gas supplied to the mixing zone 312 are supplied from opposite directions and mixed in the mixing zone 312 as indicated by an arrow 'C' to form a mixed gas.

상기 믹싱존(312)에서 상기 혼합가스는 하방으로 이동하여 상기 가스공급모듈(500)의 상기 공급부(520)와 상기 오목부(504)의 내벽 사이의 공간, 즉 상기 혼합가스 연결유로(508)를 통해 상기 오목부(504)의 하단으로 이동한다. 상기 혼합가스는 상기 오목부(504)의 하단에서 개구부(509)를 통해 화살표 'E'를 따라 상기 제3 공급구(110)로 공급되며, 상기 제3 공급구(110)를 통해 화살표 'D'를 따라 하단의 샤워헤드(100)로 공급된다.The mixed gas moves downward in the mixing zone 312 so that the space between the supply part 520 of the gas supply module 500 and the inner wall of the concave part 504, To the lower end of the recess 504. The mixed gas is supplied to the third supply port 110 along the arrow 'E' through the opening 509 at the lower end of the recess 504 and flows through the third supply port 110 in the direction of the arrow 'D 'To the showerhead 100 at the bottom.

상기 샤워헤드(100)에서 상기 혼합가스는 하방의 기판(W)을 향해 균일하게 공급된다.In the showerhead 100, the mixed gas is uniformly supplied toward the lower substrate W.

한편, 반응가스를 공급하는 경우에 상기 반응가스는 상기 제1 공급유로(300)를 통해 상기 믹싱존(312)으로 공급된다. 이 경우, 상기 반응가스는 상기 믹싱존(312)을 거쳐 상기 가스공급모듈(500)로 공급되며, 상기 가스공급모듈(500)에서 전술한 바와 같이 혼합가스 연결유로(508), 개구부(509) 및 제3 공급구(110)를 통해 하부의 샤워헤드(100)로 공급된다.On the other hand, when the reaction gas is supplied, the reaction gas is supplied to the mixing zone 312 through the first supply channel 300. In this case, the reaction gas is supplied to the gas supply module 500 through the mixing zone 312, and the mixed gas connecting passage 508, the opening 509, And the third supply port 110 to the showerhead 100 at the lower part.

한편, 도 5 내지 도 8은 다른 실시예에 따른 가스공급모듈(500) 및 유로연결부(305)의 구조를 도시한다. 이하 설명하는 가스공급모듈(500) 및 유로연결부(305)는 상기 제2 공급구와 상기 제1 공급구 중에 적어도 하나는 복수개로 구성되며, 그 중심이 서로 일치하지 않게 구성될 수 있다. 이하, 도면을 참조하여 살펴보기로 한다.5 to 8 show structures of the gas supply module 500 and the flow path connection portion 305 according to another embodiment. At least one of the gas supply module 500 and the flow path connection part 305, which will be described below, is provided in the second supply port and the first supply port, and the centers thereof may not be coincident with each other. Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 가스공급모듈(500) 및 유로연결부(305)에서는 반응가스 또는 퍼지가스가 공급되는 제1 공급부(1302)가 복수개로 구비될 수 있다. 도면에서는 3개만이 도시되지만 이에 한정되지 않으며 적절한 개수로 조절될 수 있다.5, in the gas supply module 500 and the flow path connection unit 305 according to the present embodiment, a plurality of first supply units 1302 through which the reactive gas or purge gas is supplied may be provided. In the drawing, only three are shown, but the present invention is not limited thereto and can be adjusted to an appropriate number.

이 경우, 가스공급모듈(500)에 구비된 제2 공급구(524)는 상기 공급부(520)의 대략 중앙부에 형성된다. 따라서, 상기 제1 공급구(1302)와 상기 제2 공급구(524)는 그 중심이 정확히 일치하지 않게 된다. 하지만, 상기 제1 공급부(1302)와 제2 공급구(524)는 상기 믹싱존(312)을 중심으로 대략 반대편에 위치하게 되므로, 상기 제1 공급구(1302)를 통해 공급된 퍼지가스와 상기 제2 공급구(524)를 통해 공급된 원료가스는 균일하게 혼합되어 하부의 가스공급모듈(500)을 향해 공급되어, 혼합가스가 제3 공급구(110)를 통해 하부의 샤워헤드(100)로 공급될 수 있다.In this case, the second supply port 524 provided in the gas supply module 500 is formed at the substantially central portion of the supply portion 520. Therefore, the centers of the first supply port 1302 and the second supply port 524 do not exactly coincide with each other. However, since the first supply unit 1302 and the second supply port 524 are positioned substantially opposite to each other with respect to the mixing zone 312, the purge gas supplied through the first supply port 1302, The raw material gas supplied through the second supply port 524 is uniformly mixed and supplied toward the lower gas supply module 500 so that the mixed gas is supplied to the lower showerhead 100 through the third supply port 110, .

한편, 도 6은 전술한 도 5의 실시예와 달리 제2 공급구(1500)를 복수개 구비한 실시예를 도시한다.6 shows an embodiment in which a plurality of second supply ports 1500 are provided unlike the embodiment of FIG. 5 described above.

도 6을 참조하면, 상기 제2 공급구(1500)는 상기 공급부(520)의 상면에 이격되어 다수개가 구비될 수 있다. 이때, 상기 몸체부(502)의 원료가스 유입구(510)를 통해 공급된 원료가스는 상기 제1 원료가스 연결유로(513)를 따라 이동한다. 이어, 상기 원료가스는 상기 공급부(520)의 제2 원료가스 연결유로(514)를 따라 이동한다. 이때, 상기 제2 원료가스 연결유로(514)는 상기 제2 공급구(1500)의 개수에 대응하도록 다수의 하부유로(1514)로 분기되어 상기 제2 공급부(1500)와 연결된다. 따라서, 상기 제2 원료가스 연결유로(514)를 따라 이동한 원료가스는 상기 하부유로(1514) 및 제2 공급구(1500)를 통해 상기 믹싱존(312)으로 공급된다.Referring to FIG. 6, the second supply port 1500 may be spaced apart from the upper surface of the supply unit 520. At this time, the raw material gas supplied through the raw material gas inlet 510 of the body portion 502 moves along the first raw material gas connecting passage 513. Then, the source gas moves along the second source gas connecting passage 514 of the supplying unit 520. At this time, the second source gas connecting passage 514 branches to a plurality of lower flow paths 1514 corresponding to the number of the second supply openings 1500 and is connected to the second supply unit 1500. The raw material gas moved along the second source gas connecting passage 514 is supplied to the mixing zone 312 through the lower flow path 1514 and the second supply port 1500.

이 경우에도 가스공급모듈(500)에 구비된 복수개의 제2 공급구(1500)와 제1 공급구(302)는 그 중심이 정확히 일치하지 않게 된다. 하지만, 상기 제1 공급부(302)와 제2 공급구(1500)는 상기 믹싱존(312)을 중심으로 대략 반대편에 위치하게 되므로, 상기 제1 공급구(302)를 통해 공급된 퍼지가스와 상기 제2 공급구(1500)를 통해 공급된 원료가스는 균일하게 혼합되어 전술한 실시예들과 동일한 효과를 발휘할 수 있다.Also in this case, the centers of the plurality of second supply ports 1500 and the first supply port 302 provided in the gas supply module 500 do not exactly coincide with each other. However, since the first supply part 302 and the second supply part 1500 are positioned substantially opposite to each other with respect to the mixing zone 312, the purge gas supplied through the first supply port 302 and the purge gas The raw material gas supplied through the second supply port 1500 is uniformly mixed and can exhibit the same effect as the above-described embodiments.

한편, 도 7은 제1 공급부(1302) 및 제2 공급구(1500)를 모두 복수개 구비한 경우를 도시한다. 도 7에 따른 가스공급모듈(500) 및 유로연결부(305)의 구조에 대한 설명은 전술한 도 5 및 도 6의 실시예와 유사하므로 반복적인 설명은 생략한다.On the other hand, FIG. 7 shows a case where a plurality of the first supply part 1302 and the second supply part 1500 are provided. The description of the structure of the gas supply module 500 and the flow path connection portion 305 according to FIG. 7 is similar to the embodiments of FIGS. 5 and 6 described above, and therefore, a repetitive description thereof will be omitted.

한편, 도 8은 또 다른 실시예에 따른 가스공급모듈(500) 및 유로연결부(305)의 구성을 도시한다.8 shows a configuration of the gas supply module 500 and the flow path connection portion 305 according to yet another embodiment.

도 8을 참조하면, 본 실시예에서 상기 제2 공급구(3500)는 상기 제1 공급구(3302)와 수직한 방향으로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 8, the second supply port 3500 may be disposed in a direction perpendicular to the first supply port 3302 in this embodiment.

구체적으로, 상기 공급부(520)에서 상부의 상기 믹싱존(312)을 향해 연장 형성된 연장부(600)를 구비하고, 상기 연장부(600)의 측면에 상기 제2 공급구(3500)가 형성될 수 있다. 즉, 도면에 도시된 바와 같이 상기 연장부(600)의 측면을 따라 상기 제2 공급구(3500)가 형성되므로, 상기 제2 공급구(3500)와 상기 제1 공급구(3302)의 방향은 수직으로 배치된다.Specifically, the supply unit 520 includes an extension part 600 extending toward the mixing zone 312 at the upper part, and the second supply port 3500 is formed at the side of the extension part 600 . That is, as shown in the drawing, the second supply port 3500 is formed along the side surface of the extension part 600, so that the directions of the second supply port 3500 and the first supply port 3302 are Vertically.

상기 연장부(600)가 상기 가스공급모듈(500)에서 상기 믹싱존(312)을 향해 소정 길이로 상승하여 구비되므로, 상기 연장부(600)의 제2 공급구(3500)에서 공급되는 원료가스와 상기 제1 공급구(3302)를 통해 공급되는 퍼지가스는 수직한 방향으로 만나게 되어 혼합되면서 하부의 가스공급모듈(500)을 향해 공급된다.Since the extension part 600 is lifted up from the gas supply module 500 toward the mixing zone 312 by a predetermined length, the material gas supplied from the second supply port 3500 of the extension part 600 And the purge gas supplied through the first supply port 3302 are supplied toward the lower gas supply module 500 while being mixed in a vertical direction.

본 실시예의 경우, 상기 제1 공급구(3302)를 통해 공급된 퍼지가스와 상기 제2 공급구(3500)를 통해 공급된 원료가스가 상기 믹싱존(312)에서 수직한 방향에서 서로 만나게 되어 균일하게 혼합됨으로써 전술한 실시예들과 동일한 효과를 발휘할 수 있다.In this embodiment, the purge gas supplied through the first supply port 3302 and the source gas supplied through the second supply port 3500 are mutually aligned in the vertical direction in the mixing zone 312, The same effects as those of the above-described embodiments can be obtained.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. You can do it. It is therefore to be understood that the modified embodiments are included in the technical scope of the present invention if they basically include elements of the claims of the present invention.

12...챔버
16...기판지지부
18...처리공간
100…샤워헤드
200…제2 공급유로
300…제3 공급유로
312…믹싱존
500…가스공급모듈
1000…가스공급부
2000…박막증착장치12 ... chamber
16: substrate support
18 ... processing space
100 ... Shower head
200 ... The second supply passage
300 ... The third supply passage
312 ... Mixing zone
500 ... Gas supply module
1000 ... Gas supply portion
2000 ... Thin film deposition apparatus

Claims (11)

퍼지가스 또는 반응가스가 공급되며 제1 공급구와 연결되는 제1 공급유로;
상기 제1 공급유로를 통해 위에서 아래를 향해 공급된 상기 퍼지가스가 아래에서 위를 향해 공급된 원료가스와 혼합되어 혼합가스를 형성하는 믹싱존(mixing zone)을 제공하는 혼합유로;
원료가스가 공급되는 제2 공급유로;
상기 제2 공급유로와 연결되어 상기 믹싱존을 향해 아래에서 위를 향해 상기 원료가스를 분사하며 상기 믹싱존을 중심으로 상기 제1 공급구와 수직한 방향을 따라 서로 마주보도록 배치되는 제2 공급구와, 상기 원료가스와 상기 퍼지가스의 혼합가스 또는 상기 반응가스가 아래를 향해 공급되는 제3 공급구를 구비한 가스공급모듈; 및
상기 가스공급모듈에서 공급된 상기 혼합가스 또는 상기 반응가스를 기판을 향해 공급하는 샤워헤드;를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스공급부.A first supply passage supplied with purge gas or reaction gas and connected to the first supply port;
Wherein the purge gas supplied from the upper side to the lower side through the first supply passage is mixed with the raw material gas supplied from the lower side to the upper side to provide a mixing zone for forming a mixed gas;
A second supply passage through which the source gas is supplied;
A second supply port connected to the second supply passage and arranged to face the mixing chamber in a direction perpendicular to the first supply port with the raw material gas sprayed from below to upstream toward the mixing zone, A gas supply module including a mixed gas of the source gas and the purge gas or a third supply port for supplying the reaction gas downward; And
And a shower head for supplying the mixed gas or the reactive gas supplied from the gas supply module toward the substrate. 제1항에 있어서,
상기 가스공급모듈은
상기 제2 공급유로와 상기 제2 공급구를 서로 연결시키는 원료가스 연결유로와, 상기 혼합유로와 상기 제3 공급구를 연결시켜 상기 혼합가스 또는 반응가스를 공급하는 혼합가스 연결유로를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스공급부.The method according to claim 1,
The gas supply module
And a mixed gas connecting flow path for connecting the mixing flow path and the third supply port to supply the mixed gas or reaction gas, Characterized by a gas supply. 제2항에 있어서,
상기 가스공급모듈은
상기 제2 공급유로와 연결되는 원료가스 유입구와, 상기 원료가스 유입구와 연결되는 제1 원료가스 연결유로를 구비하고, 중앙부에 오목부가 형성된 몸체부; 및
상기 오목부의 내측에 구비되어 상기 제2 공급구가 형성되고, 상기 제1 원료가스 연결유로와 상기 제2 공급구를 연결시키는 제2 원료가스 연결유로를 구비한 공급부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스공급부.3. The method of claim 2,
The gas supply module
A main body gas inlet connected to the second supply channel, and a first raw gas connecting channel connected to the raw gas inlet, the body having a concave portion formed at a central portion thereof; And
And a supply part provided on the inner side of the recess to form the second supply port and having a second source gas connecting flow path for connecting the first source gas connecting flow path and the second supply port Gas supply. 제3항에 있어서,
상기 공급부와 상기 오목부의 내벽 사이의 공간이 상기 혼합가스 연결유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 가스공급부.The method of claim 3,
And a space between the supply portion and the inner wall of the concave portion forms the mixed gas connecting flow path. 제4항에 있어서,
상기 오목부는 상기 제3 공급구와 상기 혼합가스 연결유로를 연결시키는 개구부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 가스공급부.5. The method of claim 4,
Wherein the recess further comprises an opening for connecting the third supply port and the mixed gas connection flow path. 제5항에 있어서,
상기 공급부는 상기 제2 공급구가 상면에 형성된 중앙부와, 상기 중앙부에서 방사상으로 연장된 복수의 연장부를 구비하고, 상기 오목부의 내벽과 상기 복수의 연장부 사이의 공간이 상기 혼합가스 연결유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 가스공급부.6. The method of claim 5,
Wherein the supply portion includes a central portion formed on the upper surface of the second supply port and a plurality of extended portions radially extending from the central portion, and a space between the inner wall of the recess and the plurality of extended portions forms the mixed gas connection flow path And a gas supply unit for supplying gas to the gas supply unit. 제1항 내지 제6항 중에 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 공급구와 상기 제1 공급구는 그 중심이 서로 일치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 가스공급부.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And the second supply port and the first supply port are arranged so that the centers thereof coincide with each other. 제1항 내지 제6항 중에 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 공급구와 상기 제1 공급구 중에 적어도 하나는 복수개로 구성되며, 그 중심이 서로 일치하지 않는 것을 특징으로 하는 가스공급부. 7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein at least one of the second supply port and the first supply port is constituted by a plurality of parts, and the centers thereof do not coincide with each other . 제8항에 있어서,
상기 공급부에서 상부의 상기 믹싱존을 향해 연장 형성된 연장부를 구비하고, 상기 연장부의 측면에 상기 제2 공급구가 형성되는 것을 특징으로 하는 가스공급부.9. The method of claim 8,
And an extension portion extending from the supply portion toward the mixing zone at the upper portion, wherein the second supply port is formed at a side surface of the extension portion. 제9항에 있어서,
상기 제2 공급구는 상기 제1 공급구와 수직한 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스공급부.10. The method of claim 9,
And the second supply port is disposed in a direction perpendicular to the first supply port. 제1항 또는 제6항 중에 선택된 어느 한 항에 따른 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.


A thin film deposition apparatus comprising: a gas supply unit according to any one of claims 1 to 6.


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