KR101729599B1 - Photosensitive resin composition and production method for pattern using same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 감도, 선폭 안정성, 해상성 및 직사각형성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공한다. (A1) 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 구성단위(a1)를 갖는 중합체를 포함하는 중합체 성분, (B) 광산발생제, (C) 지환식 에폭시 화합물, 및 (D1) 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물.[일반식(1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽은 알킬기 또는 아릴기이고; R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋고; R4는 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다]

Figure 112015023789728-pct00044
The present invention provides a photosensitive resin composition excellent in sensitivity, line width stability, resolution and rectangularity. (A1) a polymer component comprising a polymer having a structural unit (a1) represented by the following general formula (1), (B) a photoacid generator, (C) an alicyclic epoxy compound, and (D1) Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 1 and R 2 represents an alkyl group Or an aryl group; R 3 represents an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether; R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group]
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Description

감광성 수지 조성물, 이것을 사용한 패턴의 제조 방법{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PRODUCTION METHOD FOR PATTERN USING SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photosensitive resin composition,

본 발명은 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 이러한 패턴 제조 방법을 포함하는 유기 EL 표시 장치 또는 액정 표시 장치의 제조 방법, 및 패턴 제조 방법에 의해 제조된 패턴에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치 등의 전자 부품의 레지스트 에칭의 형성에 바람직한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 패턴의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition and a method for producing a pattern using the same. The present invention also relates to a method of manufacturing an organic EL display device or a liquid crystal display device including such a pattern manufacturing method, and a pattern produced by the pattern manufacturing method. More specifically, the present invention relates to a positive photosensitive resin composition suitable for forming resist etching of electronic components such as a liquid crystal display device, an organic EL display device and the like, and a method of producing a pattern using the positive photosensitive resin composition.

유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치 등에는 패턴 형성된 ITO막 등의 금속배선 패턴이 설치되어 있다. 이 ITO막 등의 패턴 형성에는 ITO막 상에서 감광성 수지 조성물을 도포 및 용제 제거, 노광, 현상하고, 형성된 패턴을 마스크로서 ITO막을 에칭하여 가공을 실시하는 방법이 널리 알려져 있다.In organic EL display devices, liquid crystal display devices, and the like, metal wiring patterns such as patterned ITO films are provided. For pattern formation of the ITO film or the like, it is widely known to apply a photosensitive resin composition on an ITO film, remove the solvent, expose and develop it, and etch the ITO film using the formed pattern as a mask.

또한, 최근은 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 고선명한 표시 특성으로 하기 위해서, ITO 가공의 고해상성이 요구되고 있다. ITO를 고선명으로 미세가공 하기 위해서는, 에칭시에 마스크로서 기능하는 감광성 수지 조성물의 고해상성이 요구되고 있다. 이 때문에, 고선명으로 미세한 패턴 형상이 얻어지는 감광성 수지 조성물이 검토되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 특허문헌 2 등).In addition, in recent years, high resolution of ITO processing has been required in order to make display characteristics of an organic EL display device and a liquid crystal display device high-definition. In order to finely process ITO with high definition, high resolution of a photosensitive resin composition which functions as a mask at the time of etching is required. For this reason, a photosensitive resin composition capable of obtaining a fine pattern shape with high definition has been studied (for example, Patent Document 1, Patent Document 2, etc.).

일본 특허 공개 평9-325473호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 9-325473 일본 특허 공개 평10-326015호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 10-326015

그러나, 최근의 기술 개발에 따라 감도, 선폭 안정성, 해상성 및 직사각형성에 대해서, 더욱 향상된 감광성 수지 조성물이 요구된다. 본원 발명은 이러한 요구를 해결하는 것을 목적으로 한 것이고, 감도, 선폭 안정성, 해상성 및 직사각형성에 대해서, 더욱 향상된 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.However, according to recent technology development, a further improved photosensitive resin composition is required for sensitivity, line width stability, resolution and rectangularity. The object of the present invention is to solve such a demand, and it is an object of the present invention to provide a further improved photosensitive resin composition with respect to sensitivity, line width stability, resolution and rectangularity.

이러한 상황 하에서, 본원 발명자가 예의 검토를 행한 결과, 소정의 중합체, 지환식 에폭시 화합물, 및 소정의 용제를 포함시킴으로써 감도, 선폭 안정성, 해상성 및 직사각형성이 향상시키는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.Under such circumstances, the inventors of the present invention have conducted intensive studies, and as a result, found that the inclusion of a predetermined polymer, an alicyclic epoxy compound, and a predetermined solvent improves sensitivity, line width stability, resolution and rectangularity, It came to the following.

구체적으로는, 하기 수단 <1>에 의해, 바람직하게는 <2>∼<13>에 의해, 상기 과제는 해결되었다.Specifically, the above problems are solved by the following means <1>, preferably by <2> - <13>.

<1> (A1) 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 구성단위(a1)를 갖는 중합체를 포함하는 중합체 성분,<1> (A1) A polymer composition comprising a polymer having a structural unit (a1) represented by the following general formula (1)

(B) 광산발생제,(B) a photoacid generator,

(C) 지환식 에폭시 화합물, 및(C) an alicyclic epoxy compound, and

(D1) 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.(D1) A photosensitive resin composition comprising a solvent containing two or more acetate structures in a molecule.

Figure 112015023789728-pct00001
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[일반식(1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽은 알킬기 또는 아릴기이고; R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋고; R4는 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다][In the general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group; R 3 represents an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether; R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group]

<2> <1>에 있어서, 상기 (C) 지환식 에폭시 화합물은 하기 일반식(I)으로 나타내어지는 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.<2> The photosensitive resin composition according to <1>, wherein the (C) alicyclic epoxy compound is a compound represented by the following general formula (I).

Figure 112015023789728-pct00002
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[일반식(I) 중, n은 1∼4의 정수를 나타낸다. R1은 탄소수 1∼15개의 유기기를 나타낸다][In the general formula (I), n represents an integer of 1 to 4; R 1 represents an organic group having 1 to 15 carbon atoms]

<3> <2>에 있어서, 상기 일반식(I)으로 나타내어지는 화합물 중의 n은 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.&Lt; 3 > The photosensitive resin composition according to < 2 >, wherein n in the compound represented by the general formula (I) is 1 or 2. [

<4> <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 있어서, (A2) 산분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a4)를 갖는 중합체 성분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.(4) The photosensitive resin composition according to any one of (1) to (3), further comprising (A2) a polymer component having a structural unit (a4) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group.

<5> <4>에 있어서, 상기 구성단위(a4)는 하기 일반식(A2')으로 나타내어지는 구성단위인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.<5> The photosensitive resin composition according to <4>, wherein the structural unit (a4) is a structural unit represented by the following general formula (A2 ').

Figure 112015023789728-pct00003
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[일반식(A2') 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽은 알킬기 또는 아릴기이고, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, X0은 단일 결합 또는 아릴렌기를 나타낸다]Wherein at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, , R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X 0 represents a single bond or an arylene group,

<6> <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 있어서, 상기 (C) 지환식 에폭시 화합물의 함유량은 전체 고형분량에 대하여 0.05∼5질량%인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.<6> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein the content of the (C) alicyclic epoxy compound is 0.05 to 5% by mass based on the total solid content.

<7> <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 있어서, 상기 (D1) 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제와, (D1) 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제와 다른 용제(D2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.&Lt; 7 > A liquid crystal display according to any one of < 1 > to < 6 >, wherein the solvent contains two or more acetate structures in the molecule (D1) (D2). &Lt; / RTI &gt;

<8> <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 있어서, 상기 (D1) 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제의 비점은 130℃ 이상 300℃ 미만인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.<8> A photosensitive resin composition according to any one of <1> to <7>, wherein the solvent having two or more acetate structures in the molecule (D1) has a boiling point of 130 ° C. or more and less than 300 ° C.

<9> <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 있어서, 상기 (D1) 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제의 함유량은 상기 감광성 수지 조성물의 1∼10질량%인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.<9> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <8>, wherein the content of the solvent containing two or more acetate structures in the molecule (D1) is 1 to 10% Resin composition.

<10> (1) 기판의 적어도 한쪽의 면에, <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 도포하는 공정,(1) a step of applying a photosensitive resin composition described in any one of <1> to <9> on at least one surface of a substrate,

(2) 건조에 의해 유기용제를 휘발시켜 감광성 수지 조성물층을 형성하는 공정,(2) a step of forming a photosensitive resin composition layer by volatilizing the organic solvent by drying,

(3) 상기 감광성 수지 조성물층을 노광하는 공정,(3) a step of exposing the photosensitive resin composition layer,

(4) 노광된 상기 감광성 수지 조성물층을 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법.(4) a step of developing the exposed photosensitive resin composition layer.

<11> <10>에 있어서, 형성된 패턴을 에칭용 레지스트로서 사용하여 에칭을 행하는 공정, 및 상기 패턴을 플라즈마 처리 또는 약품 처리에 의해 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법.<11> The method for producing a pattern according to <10>, which comprises a step of performing etching using a formed pattern as an etching resist, and a step of removing the pattern by a plasma treatment or a chemical treatment.

<12> <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 경화시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 경화막.<12> A cured film obtained by curing the photosensitive resin composition according to any one of <1> to <9>.

<13> <10> 또는 <11>에 기재된 패턴의 제조 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치 또는 액정 표시 장치의 제조 방법.&Lt; 13 > An organic EL display device or a method of manufacturing a liquid crystal display device, which comprises the method of producing a pattern according to < 10 >

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의해, 감도가 높고, 선폭 안정성, 해상성 및 직사각형성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공가능하게 되었다.According to the present invention, it becomes possible to provide a photosensitive resin composition having high sensitivity, excellent line width stability, resolution and rectangularity.

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적인 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 가지고 있다.
도 2는 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적인 단면도를 나타내고, 층간 절연막인 경화막(17)을 가지고 있다.
Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device, and has a planarizing film 4.
2 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display device. 1 is a schematic sectional view of an active matrix substrate in a liquid crystal display device and has a cured film 17 as an interlayer insulating film.

이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본원 명세서에 있어서 「∼」란 그 전후로 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로서 포함하는 의미로 사용된다. 또한, 본 발명에 있어서의 유기 EL 표시 장치란 유기 일렉트로루미네선스 표시 장치를 말한다. 본 발명에 있어서의 다분산도란 Mw/Mn의 값을 말한다.Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. In the present specification, &quot; &quot; is used to mean that the numerical values described before and after the lower limit and the upper limit are included. The organic EL display device in the present invention refers to an organic electroluminescence display device. The polydispersity in the present invention refers to the value of Mw / Mn.

또한, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않는 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 아울러 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, 「알킬기」란 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation which does not include substitution and non-substitution includes not only a substituent but also a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

또한, (메타)아크릴산이란 아크릴산 및/또는 메타크릴산을 의미한다.Further, (meth) acrylic acid means acrylic acid and / or methacrylic acid.

본 발명의 감광성 수지 조성물(이하, 「본 발명의 조성물」이라고 하는 경우가 있음)은The photosensitive resin composition of the present invention (hereinafter sometimes referred to as &quot; the composition of the present invention &

(A1) 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 구성단위(a1)를 갖는 중합체를 포함하는 중합체 성분,(A1) a polymer component comprising a polymer having a structural unit (a1) represented by the following general formula (1)

(B) 광산발생제,(B) a photoacid generator,

(C) 지환식 에폭시 화합물, 및(C) an alicyclic epoxy compound, and

(D1) 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.(D1) a solvent containing two or more acetate structures in the molecule.

Figure 112015023789728-pct00004
Figure 112015023789728-pct00004

[일반식(1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽은 알킬기 또는 아릴기이고; R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋고; R4는 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다][In the general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group; R 3 represents an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether; R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 화학증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물로서 바람직하게 사용된다.The photosensitive resin composition of the present invention is preferably used as a chemically amplified positive photosensitive resin composition.

이하, 본 발명의 조성물에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the composition of the present invention will be described in detail.

<중합체 성분><Polymer Component>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 중합체 성분(A)으로서, (A1) 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 구성단위(a1)를 갖는 중합체 성분을 포함한다. (A1) 중합체 성분은 일반식(1)으로 나타내어지는 구성단위(a1) 이외의 중합체를 포함하고 있어도 좋다. 또한, 중합체 성분은 (A2) 산분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a4)를 갖는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention comprises, as the polymer component (A), (A1) a polymer component having a structural unit (a1) represented by the following general formula (1) (A1) The polymer component may contain a polymer other than the structural unit (a1) represented by the general formula (1). It is also preferable that the polymer component (A2) has the structural unit (a4) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group.

이하, 이들 중합체 성분에 대해서 설명한다.Hereinafter, these polymer components will be described.

<<중합체 성분(A1)>>&Lt; Polymer component (A1) &gt;

본 발명에 있어서의 (A1) 중합체 성분은 일반식(1)으로 나타내어지는 구성단위(a1)를 갖는 중합체를 포함하는 중합체 성분이다. (A1) 성분이 구성단위(a1)를 가짐으로써 해상력 및 직사각형성이 우수한 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.The polymer component (A1) in the present invention is a polymer component comprising a polymer having the structural unit (a1) represented by the general formula (1). (A1) has the structural unit (a1), a photosensitive resin composition excellent in resolution and rectangularity can be obtained.

Figure 112015023789728-pct00005
Figure 112015023789728-pct00005

[일반식(1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽은 알킬기 또는 아릴기이고; R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋고; R4는 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다][In the general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group; R 3 represents an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether; R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group]

R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽은 알킬기 또는 아릴기이다.R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group.

알킬기로서는 탄소수 1∼10개의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼8개의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6개의 알킬기가 더욱 바람직하다. 알킬기는 치환기를 가지고 있어도 좋다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기, 환상 중 어느 하나이어도 좋지만, 직쇄의 알킬기가 바람직하다. 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기 등이 예시된다.The alkyl group is preferably an alkyl group having from 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having from 1 to 8 carbon atoms, and still more preferably an alkyl group having from 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group may have a substituent. The alkyl group may be any of linear, branched and cyclic, but a linear alkyl group is preferred. Examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, butyl, t-butyl, pentyl, hexyl and cyclohexyl.

아릴기로서는 탄소수 6∼20개의 아릴기가 바람직하고, 탄소수 6∼14개의 아릴기가 보다 바람직하고, 탄소수 6∼10개의 아릴기가 더욱 바람직하다. 아릴기는 치환기를 가지고 있어도 좋다. 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 등이 예시된다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and still more preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent. As the aryl group, for example, a phenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group are exemplified.

알킬기 및 아릴기가 가지고 있어도 좋은 치환기로서는 탄소수 1∼10개의 알킬기, 탄소수 1∼10개의 알콕시기, 탄소수 1∼10개의 티오알콕시기, 히드록실기, 시아노기, 할로겐 원자(불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자) 등을 들 수 있다. 이들 치환기는 치환기를 더 가지고 있어도 좋다.Examples of the substituent which the alkyl group and the aryl group may have include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a thioalkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyl group, a cyano group, a halogen atom (fluorine atom, Atom, iodine atom), and the like. These substituents may further have a substituent.

이들 중에서도, R1 및 R2는 수소원자, 알킬기인 것이 바람직하고, 수소원자, 메틸기인 것이 보다 바람직하고, R1 및 R2 중 한쪽은 메틸기이고, 다른쪽은 수소원자인 것이 특히 바람직하다.Among them, R 1 and R 2 are preferably a hydrogen atom or an alkyl group, more preferably a hydrogen atom or a methyl group, and particularly preferably one of R 1 and R 2 is a methyl group and the other is a hydrogen atom.

R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. R3이 나타내는 알킬기 및 아릴기는 R1 및 R2에 있어서의 알킬기 및 아릴기와 동일하다. R3은 메틸기, 에틸기, 프로필기인 것이 바람직하고, 에틸기, 프로필기가 보다 바람직하다.R 3 represents an alkyl group or an aryl group. The alkyl group and aryl group represented by R 3 are the same as the alkyl group and aryl group in R 1 and R 2 . R 3 is preferably a methyl group, an ethyl group or a propyl group, more preferably an ethyl group or a propyl group.

R3은 R1 또는 R2와 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다. R1 또는 R2와 연결하여 형성되는 환상 에테르로서는 3∼6원환의 환상 에테르가 바람직하고, 5∼6원환의 환상 에테르가 보다 바람직하다.R 3 may be linked with R 1 or R 2 to form a cyclic ether. The cyclic ether formed by linking with R 1 or R 2 is preferably a cyclic ether of 3 to 6 membered ring, more preferably a cyclic ether of 5 to 6 membered ring.

이하, 일반식(1)으로 나타내어지는 구성단위(a1)의 구체예로서는 하기 구조를 들 수 있지만, 본 발명은 하기 구조로 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the structural unit (a1) represented by the general formula (1) include the following structures, but the present invention is not limited to the following structures.

Figure 112015023789728-pct00006
Figure 112015023789728-pct00006

(A1) 중합체 성분은 구성단위(a1)의 이외에, 하기 일반식(2)으로 나타내어지는 구성단위(a2)를 갖는 중합체를 포함하는 것이 고감도의 관점에서 바람직하다.From the viewpoint of high sensitivity, it is preferable that the polymer component (A1) contains a polymer having the structural unit (a2) represented by the following general formula (2) in addition to the structural unit (a1).

Figure 112015023789728-pct00007
Figure 112015023789728-pct00007

[일반식(2) 중, R4는 수소원자 또는 메틸기이다][In the general formula (2), R 4 is a hydrogen atom or a methyl group]

R4는 수소원자가 바람직하다.R 4 is preferably a hydrogen atom.

OH기는 p-, m-, o- 중 어느 것이어도 좋지만, p위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.The OH group may be any of p-, m-, and o-, but is preferably bonded to the p-position.

일반식(2)으로 나타내어지는 구성단위는 (A1) 중합체 성분의 구성단위의 5.0∼30몰%가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10∼20몰%이다. 이보다 적으면 효과가 얻어지지 않고, 너무 많으면 고감도로 되어 노광 프로세스 마진이 좁아진다는 문제가 발생한다.The constituent unit represented by the general formula (2) is preferably from 5.0 to 30 mol%, more preferably from 10 to 20 mol%, of the constituent units of the (A1) polymer component. If the amount is smaller than the above range, the effect can not be obtained. If the amount is too large, the sensitivity becomes high and the exposure process margin becomes narrow.

(A1) 중합체를 구성하는 구성단위 중, 일반식(1)으로 나타내어지는 구성단위는 (A1) 중합체 성분의 구성단위의 5∼40몰%가 바람직하고, 10∼40몰%가 보다 바람직하고, 20∼35몰%가 보다 바람직하다.Among the constituent units constituting the polymer (A1), the constituent unit represented by the general formula (1) is preferably from 5 to 40 mol%, more preferably from 10 to 40 mol%, of the constituent units of the (A1) And more preferably 20 to 35 mol%.

(A1) 중합체의 보호율은 바람직하게는 1∼60%이고, 보다 바람직하게는 5∼50%이고, 더욱 바람직하게는 10∼40%이다. 이러한 범위로 함으로써, 화상 디스클리네이션과 감도, 해상성이 양호해진다. 보호율이란 (A1) 중합체 중의 전체 구성단위를 100몰%로서 보호된 기의 몰 비율을 말한다.The protection ratio of the (A1) polymer is preferably 1 to 60%, more preferably 5 to 50%, and still more preferably 10 to 40%. By setting this range, image discoloration, sensitivity, and resolution are improved. The protection ratio refers to (A1) the molar ratio of the protected groups in which 100 mol% of all the constituent units in the polymer are contained.

상기 (A1) 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 2000∼15000의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5000∼12000이고, 더욱 바람직하게는 7500∼12000이다. 2000 이상으로 함으로써, 형성된 화소가 포스트베이킹에 의한 가열 후도 직사각형성을 유지할 수 있다는 효과가 얻어지고, 15000 이하로 함으로써 감도, PED 특성이 향상한다는 효과가 얻어진다. 여기서, 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피의 폴리스티렌 환산값을 가지고 정의된다.The weight average molecular weight (Mw) of the (A1) polymer is preferably in the range of 2000 to 15000, more preferably in the range of 5000 to 12000, and still more preferably in the range of 7,500 to 12,000. 2000 or more, an effect that the formed pixel can maintain the rectangularity even after heating by post-baking is obtained, and when it is 15000 or less, the effect of improving the sensitivity and the PED characteristic can be obtained. Here, the weight average molecular weight is defined by a polystyrene conversion value of the gel permeation chromatography.

상기 (A1) 중합체의 다분산도(중량 평균 분자량(Mw)/수 평균 분자량(Mn))는 1.0∼4.0이 바람직하고, 1.5∼3.5가 보다 바람직하고, 2.0∼3.0이 더욱 바람직하다. 이러한 범위로 함으로써, 직사각형성이 양호화해진다.The polydispersity (weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)) of the (A1) polymer is preferably 1.0 to 4.0, more preferably 1.5 to 3.5, and still more preferably 2.0 to 3.0. By setting this range, the rectangularity is improved.

<<중합체 성분(A2)>>&Lt; Polymer component (A2) &gt;

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (A1) 중합체 성분 이외에 (A2) 중합체 성분을 포함하고 있어도 좋다. (A2) 산분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a4)를 갖는 중합체 성분이 바람직하다. 여기서, 산분해성기란 산의 존재 하에서 분해하는 것이 가능한 관능기를 의미한다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a polymer component (A2) in addition to the polymer component (A1). (A2) a polymer component having a structural unit (a4) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferable. Herein, the acid-decomposable group means a functional group capable of decomposing in the presence of an acid.

본 발명의 조성물에 있어서의 중합체 성분은 알칼리 불용성인 것이 바람직하고, 또한 일반식(A2')으로 나타내어지는 구성단위의 산분해성기가 분해했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다. 카르복실기가 산분해성기로 보호되어 있는 보호 카르복실기를 갖는 구성단위는 산에 의해 보호기가 분해됨으로써, 카르복실기가 생성가능하다. 여기서, 본 발명에 있어서 「알칼리 가용성」이란 해당 화합물(수지)의 용액을 기판 상에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 상기 화합물(수지)의 도막(두께 3㎛)의 23℃에 있어서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해속도가 0.01㎛/초 이상인 것을 말하고, 「알칼리 불용성」이란 해당 화합물(수지)의 용액을 기판 상에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 상기 화합물(수지)의 도막(두께 3㎛)의 23℃에 있어서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해속도가 0.01㎛/초 미만인 것을 말한다.The polymer component in the composition of the present invention is preferably alkali-insoluble and is preferably a resin that becomes alkali-soluble when the acid-decomposable group of the structural unit represented by the general formula (A2 ') is decomposed. The constitutional unit having a protected carboxyl group in which the carboxyl group is protected by an acid-decomposable group decomposes the protecting group by an acid, so that a carboxyl group can be produced. Here, in the present invention, the term "alkali solubility" means that the solution of the compound (resin) is coated on a substrate and heated at 23 ° C. to a coating film (thickness 3 μm) of the compound (resin) formed by heating at 90 ° C. for 2 minutes Refers to a dissolution rate in a 0.4% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide in a solution of the compound (resin) in an aqueous solution of 0.01 m / sec or more. The term "alkali insoluble" means that the solution of the compound Means that the dissolution rate of the coating film (thickness 3 占 퐉) of the compound (resin) to be formed in an aqueous solution of 0.4% tetramethylammonium hydroxide at 23 占 폚 is less than 0.01 占 퐉 / second.

산분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위로서는 일본 특허 공개 2012-155288호 공보의 단락 [0021]∼[0055]에 기재된 산분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위, 일본 특허 공개 2012-133091호 공보의 단락 [0020]∼[0052]에 기재된 산분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위가 예시되어 있고, 그 내용은 본 명세서에 포함된다. 그 중에서도, (A2) 중합체 성분은 하기 일반식(A2')으로 나타내어지는 구조의 산성기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위(a4)를 갖는 중합체 성분이 바람직하다. 본 발명에 있어서의 산성기란 pKa가 7보다 작은 프로톤 해리성기를 의미한다. 산성기는 통상, 산성기를 형성할 수 있는 모노머를 사용하여 산성기를 포함하는 구성단위로서 중합체에 편입된다. 이러한 산성기를 포함하는 구성단위를 중합체 중에 포함시킴으로써, 알칼리성 현상액에 대하여 용해하기 쉬워지는 경향이 있다. (A2) 성분이 구성단위(a4)를 가짐으로써 매우 고감도한 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.Examples of the constituent unit having a protected carboxyl group protected by an acid-decomposable group include a constitutional unit having a protected carboxyl group protected by an acid-decomposable group described in paragraphs [0021] to [0055] of Japanese Patent Application Laid- A structural unit having a protected carboxyl group protected by an acid-decomposable group described in paragraphs [0020] to [0052] of the gazette is exemplified, and the contents thereof are included in this specification. Among them, the polymer component (A2) is preferably a polymer component having a structural unit (a4) in which the acid group of the structure represented by the following general formula (A2 ') has a group protected with an acid decomposable group. The acidic group in the present invention means a proton dissociable group having a pKa smaller than 7. The acid group is usually incorporated into the polymer as a constituent unit containing an acid group by using a monomer capable of forming an acid group. Including such a structural unit containing an acid group in the polymer tends to be easily dissolved in an alkaline developer. The component (A2) has the structural unit (a4), whereby a highly sensitive photosensitive resin composition can be obtained.

Figure 112015023789728-pct00008
Figure 112015023789728-pct00008

[일반식(A2') 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽은 알킬기 또는 아릴기이고, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, X0은 단일 결합 또는 아릴렌기를 나타낸다]Wherein at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, , R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X 0 represents a single bond or an arylene group,

R1 및 R2이 알킬기인 경우, 탄소수는 1∼10개의 알킬기가 바람직하다. R1 및 R2가 아릴기인 경우, 페닐기가 바람직하다. R1 및 R2는 각각 수소원자 또는 탄소수 1∼4개의 알킬기가 바람직하다.When R 1 and R 2 are alkyl groups, alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms are preferable. When R 1 and R 2 are aryl groups, a phenyl group is preferred. R 1 and R 2 are each preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 탄소수 1∼10개의 알킬기가 바람직하고, 1∼6개의 알킬기가 보다 바람직하다.R 3 represents an alkyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 alkyl groups.

X0은 단일 결합 또는 아릴렌기를 나타내고, 단일 결합이 바람직하다.X 0 represents a single bond or an arylene group, and a single bond is preferable.

일반식(A2')으로 나타내어지는 구성단위의 바람직한 구체예로서는 하기 구성단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다.Preferable specific examples of the structural unit represented by the general formula (A2 ') include the following structural units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 112015023789728-pct00009
Figure 112015023789728-pct00009

일반식(A2')으로 나타내어지는 구성단위는 (A2) 중합체 성분의 구성단위의 10∼80몰%가 바람직하고, 20∼80몰%가 보다 바람직하고, 30∼70몰%가 보다 바람직하다.The structural unit represented by the general formula (A2 ') is preferably from 10 to 80 mol%, more preferably from 20 to 80 mol%, and still more preferably from 30 to 70 mol% of the constituent units of the (A2) polymer component.

(A2) 중합체 성분을 구성하는 구성단위 중, 상기 다른 구성단위의 함유율은 60몰% 이하가 바람직하고, 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 40몰% 이하가 더욱 바람직하다. 하한치로서는 0몰%이어도 좋지만, 예를 들면 1몰% 이상으로 할 수 있고, 또한 5몰% 이상으로 할 수 있다. 상기 수치의 범위 내이면, 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 여러 특성이 양호해진다.The content of the other structural units in the structural unit constituting the polymer component (A2) is preferably 60 mol% or less, more preferably 50 mol% or less, and still more preferably 40 mol% or less. The lower limit may be 0 mol%, for example, 1 mol% or more and 5 mol% or more. Within the range of the above-mentioned numerical values, various properties of the cured film obtained from the photosensitive resin composition are improved.

(A2) 중합체 성분의 보호율은 바람직하게는 1∼60%이고, 보다 바람직하게는 5∼50%이고, 더욱 바람직하게는 10∼40%이다. 이러한 범위로 함으로써, 감도가 향상하고, 또한 노광부와 미노광부의 용해성의 차(discrimination)가 양호해진다. 보호율이란 (A2) 중합체 성분 중의 전체 구성단위를 100몰%로서, 보호된 기의 몰 비율을 말한다.The protection ratio of the polymer component (A2) is preferably 1 to 60%, more preferably 5 to 50%, and still more preferably 10 to 40%. By setting this range, the sensitivity is improved and the discrimination between the solubility of the exposed portion and the unexposed portion is improved. The protection ratio refers to the molar ratio of the protected group (A2) in which 100 mol% of all the structural units in the polymer component are contained.

상기 (A2) 중합체 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은 2000∼15000의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5000∼12000이고, 더욱 바람직하게는 7500∼12000이다. 2000 이상으로 함으로써, 형성된 화소가 포스트베이킹에 의한 가열 후도 직사각형성을 유지할 수 있다는 효과가 얻어지고, 15000 이하로 함으로써 감도, PED 특성이 향상한다는 효과가 얻어진다. 여기서, 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피의 폴리스티렌 환산값을 가지고 정의된다.The weight average molecular weight (Mw) of the polymer component (A2) is preferably in the range of 2,000 to 15,000, more preferably 5,000 to 12,000, and still more preferably 7,500 to 12,000. 2000 or more, an effect that the formed pixel can maintain the rectangularity even after heating by post-baking is obtained, and when it is 15000 or less, the effect of improving the sensitivity and the PED characteristic can be obtained. Here, the weight average molecular weight is defined by a polystyrene conversion value of the gel permeation chromatography.

상기 (A2) 중합체 성분의 다분산도(중량 평균 분자량(Mw)/수 평균 분자량(Mn))는 1.0∼4.0이 바람직하고, 1.5∼3.5가 보다 바람직하고, 2.0∼3.0이 더욱 바람직하다. 이러한 범위로 함으로써, 직사각형성은 우수하다.The polydispersity (weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)) of the polymer component (A2) is preferably 1.0 to 4.0, more preferably 1.5 to 3.5, still more preferably 2.0 to 3.0. By setting this range, the rectangularity is excellent.

-(A1) 성분과 (A2) 성분의 배합비-- mixing ratio of component (A1) to component (A2)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 중합체 성분으로서, (A1)과 (A2)를 포함하는 것이 바람직하다. 이들 질량비는 1:6∼6:1이 바람직하고, 2:5∼8:1이 더욱 바람직하다. 이러한 범위로 함으로써, 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘되는 경향이 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (A1) and (A2) as a polymer component. These mass ratios are preferably 1: 6 to 6: 1, more preferably 2: 5 to 8: 1. By setting this range, the effect of the present invention tends to be exerted more effectively.

<<중합체 성분>><< Polymer Component >>

본 발명에 있어서, (A) 성분은 상기 구성단위(a1), (a2) 및 (a4)에 추가하여, 이들 이외의 다른 구성단위(a3)를 가지고 있어도 좋다. 이들 구성단위는 상기 중합체 성분(A1) 및 (A2) 중 어느 하나를 포함하고 있어도 좋고, 양쪽을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 상기 중합체 성분(A1) 또는 (A2)와는 다르게, 실질적으로 (a1), (a2) 및 (a4)를 포함하지 않는 다른 구성단위(a3)를 갖는 중합체 성분(A3)을 가지고 있어도 좋다. 상기 중합체 성분(A1) 또는 (A2)와는 다르게, 실질적으로 (a1), (a2) 및 (a4)를 포함하지 않는 다른 구성단위(a3)를 갖는 중합체 성분을 포함하는 경우, 상기 중합체 성분의 배합량은 전체 중합체 성분 중 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.In the present invention, the component (A) may contain, in addition to the above structural units (a1), (a2) and (a4), the other structural unit (a3). These constituent units may include either or both of the polymer components (A1) and (A2). Unlike the polymer component (A1) or (A2), a polymer component (A3) having another structural unit (a3) which does not substantially contain (a1), (a2) and (a4) may be contained. (A3) other than (a1), (a2) and (a4) different from the polymer component (A1) or (A2), the amount of the polymer component Is preferably 60 mass% or less, more preferably 40 mass% or less, and even more preferably 20 mass% or less, of the total polymer components.

기타 구성단위(a3)로 이루어지는 구성단위(모노머)로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 스티렌류, (메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메타)아크릴산 아릴에스테르, 불포화 디카르복실산 디에스테르, 비시클로 불포화 화합물류, 말레이미드 화합물류, 불포화 방향족 화합물, 공역 디엔계 화합물, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 디카르복실산 무수물, 기타 불포화 화합물을 들 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 산성기를 갖는 구성단위를 가지고 있어도 좋다. 기타 구성단위(a3)로 이루어지는 모노머는 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.The structural unit (monomer) composed of the other structural unit (a3) is not particularly limited, and examples thereof include styrene, alkyl (meth) acrylate, cyclic alkyl (meth) acrylate, aryl (meth) acrylate, An unsaturated aromatic compound, a conjugated diene compound, an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid anhydride, and other unsaturated compounds can be used as the aromatic dicarboxylic acid diester, the dicarboxylic acid diester, the bicyclic unsaturated compounds, the maleimide compounds, have. Further, as described later, it may have a structural unit having an acidic group. Monomers comprising other structural unit (a3) may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 조성물은 중합체 성분을 전체 고형분에 대하여 조성물 중 60중량% 이상의 비율로 포함하는 것이 바람직하고, 80중량% 이상의 비율로 포함하는 것이 보다 바람직하다.The composition of the present invention preferably contains the polymer component in a proportion of at least 60% by weight based on the total solid content of the composition, more preferably at least 80% by weight.

본 발명의 조성물에 있어서의 전체 중합체 성분 중, pKa가 9 이상인 구성단위의 비율이 10∼80몰%인 것이 바람직하고, 20∼70몰%인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 조성물에 있어서의 전체 중합체 성분 중, pKa가 5 이하의 구성단위의 비율이 0∼20몰%인 것이 바람직하고, 5∼10몰%인 것이 바람직하다. 약산의 구성단위를 많이 포함함으로써, 비교적 강한 알칼리 현상액(예를 들면, 2.38%의 TMAH 수용액 pH13을 초과함)을 사용하여 현상해도, 폴리머가 현상액에 팽윤하기 어렵고 탈 막 현상되지 않아 적절한 속도로 용해 현상시킬 수 있다. 이 결과, 형성되는 패턴이 보다 양호해진다. 또한, 강산의 구성단위를 20% 이하의 소량 포함함으로 보다 고감도로 패턴 형성이 가능해진다.The proportion of the constituent unit having a pKa of 9 or more out of the whole polymer components in the composition of the present invention is preferably 10 to 80 mol%, more preferably 20 to 70 mol%. The proportion of the constituent unit having a pKa of 5 or less in the total polymer components in the composition of the present invention is preferably 0 to 20 mol%, more preferably 5 to 10 mol%. By incorporating a small amount of weak acid structural units, even when a relatively strong alkaline developer (for example, exceeding 2.38% TMAH aqueous solution pH 13) is used for development, the polymer hardly swells in the developer and does not undergo film- Can be developed. As a result, the pattern to be formed becomes better. Further, since the content of the constituent unit of the strong acid is 20% or less, pattern formation with higher sensitivity becomes possible.

<(B) 광산발생제>&Lt; (B) Photo acid generator >

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (B) 광산발생제를 함유한다. 본 발명에서 사용되는 광산발생제(「(B) 성분」이라고 함)로서는 파장 300nm 이상, 바람직하게는 파장 300∼450nm의 활성광선에 감응하여 산을 발생하는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조로 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300nm 이상의 활성광선에 직접 감응하지 않는 광산발생제에 대해서도, 증감제와 병용함으로써 파장 300nm 이상의 활성광선에 감응하여 산을 발생하는 화합물이면, 증감제와 조합시켜 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 광산발생제로서는 pKa가 4 이하인 산을 발생하는 광산발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하인 산을 발생하는 광산발생제가 보다 바람직하고, 2 이하의 산을 발생하는 광산발생제가 가장 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (B) a photoacid generator. As the photoacid generator (referred to as &quot; component (B) &quot;) used in the present invention, a compound which generates an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or longer, preferably 300-450 nm is preferable, It is not. Also, with respect to a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid in response to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by using in combination with a sensitizer can be preferably used in combination with a sensitizer. As the photoacid generator used in the present invention, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable, and a photoacid generator that generates an acid with 2 or less is the most preferable Do.

광산발생제의 예로서 트리클로로메틸-s-트리아진류, 술포늄염이나 요오드늄염, 제 4 차 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드술포네이트 화합물 및 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 절연성의 관점에서 옥심술포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산발생제는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜 사용할 수 있다. 트리클로로메틸-s-트리아진류, 디아릴요오드늄염류, 트리아릴술포늄염류, 제 4 차 암모늄염류 및 디아조메탄 유도체의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락번호 [0083]∼[0088]에 기재된 화합물을 예시할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imidosulfonate compounds and oxime sulfonate compounds. Among them, it is preferable to use an oxime sulfonate compound from the standpoint of insulation. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more. Specific examples of trichloromethyl-s-triazine, diaryl iodonium salts, triarylsulfonium salts, quaternary ammonium salts and diazomethane derivatives are disclosed in JP-A No. 2011-221494, paragraphs [0083] to [ 0088] can be exemplified.

옥심술포네이트 화합물, 즉 옥심술포네이트 구조를 갖는 화합물로서는 하기 일반식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물을 바람직하게 예시할 수 있다.As the oxime sulfonate compound, that is, the compound having an oxime sulfonate structure, a compound containing an oxime sulfonate structure represented by the following general formula (B1) can be preferably exemplified.

일반식(B1)In general formula (B1)

Figure 112015023789728-pct00010
Figure 112015023789728-pct00010

[일반식(B1) 중, R21은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 파선은 다른 기와의 결합을 나타낸다][In the formula (B1), R 21 represents an alkyl group or an aryl group. The dashed line indicates the combination with other tiles.

어느 하나의 기도 치환되어도 좋고, R21에 있어서의 알킬기는 직쇄상이어도 분기상이어도 환상이어도 좋다. 허용되는 치환기는 이하에 설명한다.The alkyl group in R &lt; 21 &gt; may be linear, branched or cyclic. The permissible substituents are described below.

R21의 알킬기로서는 탄소수 1∼10개의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. R21의 알킬기는 탄소수 6∼11개의 아릴기, 탄소수 1∼10개의 알콕시기 또는 시클로알킬기(7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교식(有橋式) 지환기를 포함하고, 바람직하게는 비시클로알킬기 등)로 치환되어도 좋다.As the alkyl group for R 21 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. The alkyl group of R 21 includes an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or a cycloalkyl group (including bridged alicyclic groups such as 7,7-dimethyl-2-oxononorbornyl group, Preferably a bicycloalkyl group or the like).

R21의 아릴기로서는 탄소수 6∼11개의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다. R21의 아릴기는 저급 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 좋다.As the aryl group for R 21, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group of R 21 may be substituted with a lower alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.

상기 일반식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 상기 화합물은 하기 일반식(B2)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것도 바람직하다.It is also preferable that the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the general formula (B1) is an oxime sulfonate compound represented by the following general formula (B2).

Figure 112015023789728-pct00011
Figure 112015023789728-pct00011

[식(B2) 중, R42는 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X는 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자를 나타내고, m4는 0∼3의 정수를 나타내고, m4가 2 또는 3일 때에 복수의 X는 같거나 달라도 좋다]Wherein (B2) in, R 42 is an alkyl group or aryl group, X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom, m4 is an integer of 0 to 3, a plurality of X when m4 is 2 or 3 is Same or different]

X로서 알킬기는 탄소수 1∼4개의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.The alkyl group as X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서 알콕시기는 탄소수 1∼4개의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.As the X, the alkoxy group is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 할로겐 원자는 염소원자 또는 불소원자가 바람직하다. m4는 0 또는 1이 바람직하다. 상기 일반식(B2) 중, m4가 1이고, X가 메틸기이고, X의 치환 위치가 오쏘 위치이고, R42가 탄소수 1∼10개의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기 또는 p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.The halogen atom as X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. m4 is preferably 0 or 1. In the above general formula (B2), and m4 are 1, X is a methyl group, the substitution position of X is the ortho position, R 42 is 1 to 10 carbon atoms of straight chain alkyl, 7,7-dimethyl-2-oxo-norbornyl A n-methyl group or a p-toluyl group is particularly preferable.

상기 일반식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물은 하기 일반식(B3)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것도 바람직하다.It is also preferable that the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the above general formula (B1) is an oxime sulfonate compound represented by the following general formula (B3).

Figure 112015023789728-pct00012
Figure 112015023789728-pct00012

[식(B3) 중, R43은 식(B2)에 있어서의 R42와 동일하고, X1은 할로겐 원자, 수산기, 탄소수 1∼4개의 알킬기, 탄소수 1∼4개의 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, n4는 0∼5의 정수를 나타낸다]Wherein R 43 is the same as R 42 in the formula (B2), X 1 is a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a cyano group, And n4 represents an integer of 0 to 5,

상기 일반식(B3)에 있어서의 R43으로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타풀루오로페닐기가 바람직하고, n-옥틸기가 특히 바람직하다.Examples of R 43 in the general formula (B3) include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-octyl, A perfluoro-n-butyl group, a p-tolyl group, a 4-chlorophenyl group or a pentafluorophenyl group is preferable, and an n-octyl group is particularly preferable.

X1로서는 탄소수 1∼5개의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기가 보다 바람직하다.X 1 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group.

n4로서는 0∼2가 바람직하고, 0∼1이 특히 바람직하다.n4 is preferably 0 to 2, and particularly preferably 0 to 1.

상기 일반식(B3)으로 나타내지는 화합물의 구체예로서는 α-(메틸술포닐옥시이미노)벤질시아나이드, α-(에틸술포닐옥시이미노)벤질시아나이드, α-(n-프로필술포닐옥시이미노)벤질시아나이드, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)벤질시아나이드, α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)벤질시아나이드, α-〔(메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴, α-〔(에틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴, α-〔(n-프로필술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴, α-〔(n-부틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴, α-〔(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the general formula (B3) include? - (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide,? - (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide,? - (n-propylsulfonyloxyimino) Benzyl cyanide,? - (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, α- (4-toluenesulfonyloxyimino) benzyl cyanide, α - [(methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl Acetonitrile, α - [(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α - [(n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, n-butylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, and? - [(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile.

바람직한 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 하기 화합물(i)∼(viii) 등을 들 수 있고, 1종 단독으로 사용 또는 2종류 이상을 병용할 수 있다. 화합물(i)∼(viii)은 시판품으로서 입수할 수 있다. 또한, 다른 종류의 (B) 광산발생제와 조합시켜 사용할 수도 있다.Specific examples of the preferable oxime sulfonate compound include the following compounds (i) to (viii), and they may be used singly or in combination of two or more. The compounds (i) to (viii) are commercially available. It may also be used in combination with other types of photo acid generators (B).

Figure 112015023789728-pct00013
Figure 112015023789728-pct00013

상기 일반식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물로서는 하기 일반식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물인 것도 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate structure represented by the above general formula (B1) is also preferably a compound represented by the following general formula (OS-1).

Figure 112015023789728-pct00014
Figure 112015023789728-pct00014

상기 일반식(OS-1) 중, R101은 수소원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포기, 시아노기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. R102는 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.In the general formula (OS-1), R 101 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, an aryl group or a heteroaryl group . R 102 represents an alkyl group or an aryl group.

X101은 -O-, -S-, -NH-, -NR105-, -CH2-, -CR106H- 또는 -CR105R107-을 나타내고, R105∼R107은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 101 X is -O-, -S-, -NH-, -NR 105 -, -CH 2 -, -CR 106 H- or -CR 105 R 107 - represents a, R 105 ~R 107 is an alkyl group or an aryl group .

R121∼R124는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 술포기, 시아노기 또는 아릴기를 나타낸다. R121∼R124 중 2개는 각각 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다.R 121 to R 124 independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group or an aryl group. Two of R 121 to R 124 may be bonded to each other to form a ring.

R121∼R124로서는 수소원자, 할로겐 원자 및 알킬기가 바람직하고, 또한 R121∼R124 중 적어도 2개가 서로 결합하여 아릴기를 형성하는 형태도 더욱 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도, R121∼R124가 모두 수소원자인 형태가 감도의 관점에서 바람직하다. As R 121 to R 124 , a hydrogen atom, a halogen atom and an alkyl group are preferable, and at least two of R 121 to R 124 are bonded to each other to form an aryl group. Among them, a form in which all of R 121 to R 124 are hydrogen atoms is preferable from the viewpoint of sensitivity.

상술의 관능기는 모두 치환기를 더 가지고 있어도 좋다.All of the functional groups described above may further have a substituent.

상기 일반식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물은 하기 일반식(OS-2)으로 나타내어지는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound represented by the above general formula (OS-1) is more preferably a compound represented by the following general formula (OS-2).

Figure 112015023789728-pct00015
Figure 112015023789728-pct00015

상기 일반식(OS-2) 중, R101, R102, R121∼R124는 각각 식(OS-1)에 있어서의 것과 동일하고, 바람직한 예도 또한 동일하다.In the general formula (OS-2), R 101 , R 102 and R 121 to R 124 are the same as those in the formula (OS-1), and preferred examples are also the same.

이들 중에서도, 상기 일반식(OS-1) 및 상기 일반식(OS-2)에 있어서의 R101이 시아노기 또는 아릴기인 형태가 보다 바람직하고, 상기 일반식(OS-2)으로 나타내어지고, R101이 시아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 형태가 가장 바람직하다.Of these, R 101 in the general formulas (OS-1) and (OS-2) is preferably a cyano group or an aryl group, more preferably a form represented by the general formula (OS-2) 101 is a cyano group, a phenyl group or a naphthyl group is most preferable.

또한, 상기 옥심술포네이트 화합물에 있어서 옥심이나 벤조티아졸환의 입체 구조(E, Z 등)의 대해서는 각각 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 좋다.Further, in the oxime sulfonate compound, the stereostructure (E, Z, etc.) of oxime or benzothiazole ring may be either one or both of them.

본 발명에 적합하게 사용할 수 있는 상기 일반식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락번호 [0128]∼[0132]에 기재된 화합물(예시 화합물 b-1∼b-34)을 들 수 있지만, 본 발명은 이들로 한정되지 않는다.Specific examples of the compounds represented by the above general formula (OS-1) which can be suitably used in the present invention include compounds (exemplified compounds b-1 to b-1) described in paragraphs [0128] to [0132] To b-34), but the present invention is not limited to these.

본 발명에서는 상기 일반식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물로서는 하기 일반식(OS-3), 하기 일반식(OS-4) 또는 하기 일반식(OS-5)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것이 바람직하다.In the present invention, the compound having an oxime sulfonate structure represented by the general formula (B1) is represented by the following general formula (OS-3), the following general formula (OS-4) It is preferable that the luminescent oxime sulfonate compound is a luminescent oxime sulfonate compound.

Figure 112015023789728-pct00016
Figure 112015023789728-pct00016

[일반식(OS-3)∼일반식(OS-5) 중, R22, R25 및 R28은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R23, R26 및 R29는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R24, R27 및 R30은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X1∼X3은 각각 독립적으로 산소원자 또는 황원자를 나타내고, n1∼n3은 각각 독립적으로 1 또는 2를 나타내고, m1∼m3은 각각 독립적으로 0∼6의 정수를 나타낸다]In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 22 , R 25 and R 28 each independently represent an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, and R 23 , R 26 and R 29 each represent An alkyl group, an aryl group or a halogen atom; R 24 , R 27 and R 30 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group; X 1 to X 3 each independently represents an oxygen atom or a sulfur atom, n 1 to n 3 each independently represents 1 or 2, and m 1 to m 3 each independently represent an integer of 0 to 6,

상기 일반식(OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 치환기를 가지고 있어도 좋다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group, aryl group or heteroaryl group in R 22 , R 25 and R 28 may have a substituent.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 알킬기로서는 치환기를 가지고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30개의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 22 , R 25 and R 28 is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

또한, 상기 일반식(OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 아릴기로서는 치환기를 가지고 있어도 좋은 총 탄소수 6∼30개의 아릴기가 바람직하다.Of the above general formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group for R 22 , R 25 and R 28 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

또한, 상기 일반식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 헤테로아릴기로서는 치환기를 가지고 있어도 좋은 총 탄소수 4∼30개의 헤테로아릴기가 바람직하다.Of the above general formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 1 is preferably a heteroaryl group having 4 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

상기 일반식(OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 헤테로아릴기는 적어도 1개의 환이 복소방향환이면 좋고, 예를 들면 복소방향환과 벤젠환이 축환하고 있어도 좋다.Of the above-mentioned general formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group in R 22 , R 25 and R 28 may be at least one of the rings is a heteroaromatic ring, and examples thereof include a heteroaromatic ring and a benzene ring There may be.

상기 일반식(OS-3)∼(OS-5) 중, R23, R26 및 R29는 수소원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 23 , R 26 and R 29 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 일반식(OS-3)∼(OS-5) 중, 화합물 중에 2개 이상 존재하는 R23, R26 및 R29 중 1개 또는 2개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 1개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 1개가 알킬기이고 또한 나머지가 수소원자인 것이 특히 바람직하다.Of the above general formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 23 , R 26 and R 29 in which at least two of R 23 , R 26 and R 29 are present in the compound are preferably an alkyl group, More preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and it is particularly preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

R23, R26 및 R29에 있어서의 알킬기로서는 치환기를 가지고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼12개의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가지고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼6개의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group for R 23 , R 26 and R 29 is preferably an alkyl group having a total of 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent and more preferably an alkyl group having 1 to 6 total carbon atoms which may have a substituent.

R23, R26 및 R29에 있어서의 아릴기로서는 치환기를 가지고 있어도 좋은 총 탄소수 6∼30개의 아릴기인 것이 바람직하다.The aryl group for R 23 , R 26 and R 29 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

상기 일반식(OS-3)∼(OS-5)중, X1∼X3은 각각 독립적으로 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), X 1 to X 3 each independently represents O or S, and is preferably O.

상기 일반식(OS-3)∼(OS-5)에 있어서, X1∼X3을 환원으로서 포함하는 환은 5원환 또는 6원환이다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X 1 to X 3 as a reduction is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 일반식(OS-3)∼(OS-5) 중, n1∼n3은 각각 독립적으로 1 또는 2를 나타내고, X1∼X3이 O인 경우에 n1∼n3은 각각 독립적으로 1인 것이 바람직하고, 또한 X1∼X3이 S인 경우에 n1∼n3은 각각 독립적으로 2인 것이 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), n 1 to n 3 each independently represent 1 or 2, and when X 1 to X 3 are O, n 1 to n 3 are each independently When X 1 to X 3 are S, it is preferable that n 1 to n 3 are each independently 2.

상기 일반식(OS-3)∼(OS-5) 중, R24, R27 및 R30은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타낸다. 그 중에서도, R24, R27 및 R30은 각각 독립적으로 알킬기 또는 알킬옥시기인 것이 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 24 , R 27 and R 30 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group. Among them, it is preferable that R 24 , R 27 and R 30 are each independently an alkyl group or an alkyloxy group.

R24, R27 및 R30에 있어서의 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 및 알콕시술포닐기는 치환기를 가지고 있어도 좋다.The alkyl group, alkyloxy group, sulfonic acid group, aminosulfonyl group and alkoxysulfonyl group in R 24 , R 27 and R 30 may have a substituent.

상기 일반식(OS-3)∼(OS-5) 중, R24, R27 및 R30에 있어서의 알킬기로서는 치환기를 가지고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30개의 알킬기인 것이 바람직하다.Among the above-mentioned general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 24 , R 27 and R 30 is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

상기 일반식(OS-3)∼(OS-5) 중, R24, R27 및 R30에 있어서의 알킬옥시기로서는 치환기를 가지고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30개의 알킬옥시기인 것이 바람직하다.Of the above general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyloxy group for R 24 , R 27 and R 30 is preferably an alkyloxy group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

또한, 상기 일반식(OS-3)∼(OS-5) 중, m1∼m3은 각각 독립적으로 0∼6의 정수를 나타내고, 0∼2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하고, 0인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), m 1 to m 3 each independently represent an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1 , And particularly preferably 0.

또한, 상기 (OS-3)∼(OS-5)의 각각의 치환기에 대해서, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락번호 [0092]∼[0109]에 기재된 (OS-3)∼(OS-5)의 치환기의 바람직한 범위도 마찬가지로 바람직하다.(OS-3) to (OS-5) described in paragraphs [0092] to [0109] of JP-A No. 2011-221494, The preferable range of the substituent of 5) is also preferable.

또한, 상기 일반식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물은 하기 일반식(OS-6)∼(OS-11) 중 어느 하나로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것이 특히 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate structure represented by the general formula (B1) is particularly preferably an oxime sulfonate compound represented by any one of the following general formulas (OS-6) to (OS-11) .

Figure 112015023789728-pct00017
Figure 112015023789728-pct00017

[식(OS-6)∼(OS-11) 중, R301∼R306은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R307은 수소원자 또는 브롬원자를 나타내고, R308∼R310, R313, R316 및 R318은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1∼8개의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R311 및 R314는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, R312, R315, R317 및 R319는 각각 독립적으로는 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다]Equation (OS-6) ~ (OS -11) of, R 301 ~R 306 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 307 represents a hydrogen atom or a bromine atom, R 308 ~R 310, R 313 , R 316 and R 318 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, R 311 and R 314 A halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and R 312 , R 315 , R 317 and R 319 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group,

상기 일반식(OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 바람직한 범위는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락번호 [0110]∼[0112]에 기재된 (OS-6)∼(OS-11)의 바람직한 범위와 동일하다.(OS-6) to (OS-11) described in paragraphs [0110] to [0112] of JP-A No. 2011-221494 ). &Lt; / RTI &gt;

상기 일반식(OS-3)∼상기 일반식(OS-5)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락번호 [0114]∼[0120]에 기재된 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the oxime sulfonate compound represented by the above general formulas (OS-3) to (OS-5) include compounds described in paragraphs [0114] to [0120] of Japanese Patent Laid- However, the present invention is not limited to these.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, (B) 광산발생제는 감광성 수지 조성물 중의 전체 수지 성분(바람직하게는 고형분, 보다 바람직하게는 공중합체의 합계) 100질량부에 대하여 0.1∼10질량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5∼10질량부 사용하는 것이 보다 바람직하다. 2종 이상을 병용할 수도 있다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the photoacid generator (B) is used in an amount of 0.1 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the total resin component (preferably the solid content, more preferably the total amount of the copolymer) in the photosensitive resin composition More preferably 0.5 to 10 parts by mass. Two or more species may be used in combination.

<(C) 지환식 에폭시 화합물><(C) Alicyclic epoxy compound>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 가교제로서 지환식 에폭시 화합물을 함유한다. 지환식 에폭시 화합물은 산발생제에 의한 산을 재빨리 트랩하기 위해서, 이러한 화합물을 배합함으로써 감도, 선폭 안정성, 해상성 및 직사각형성이 우수한 감광성 수지 조성물이 된다고 생각된다.The photosensitive resin composition of the present invention contains an alicyclic epoxy compound as a crosslinking agent. It is considered that the alicyclic epoxy compound is a photosensitive resin composition which is excellent in sensitivity, line width stability, resolution and rectangularity by incorporating such a compound in order to quickly trap an acid by an acid generator.

본 발명에서 사용하는 지환식 에폭시 화합물이 갖는 지환식 에폭시기로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 환상 지방족 탄화수소에 직접 부가한 지환식 에폭시기 등이 예시되고, 환상 지방족 탄화수소로서는 3∼10원환이 바람직하고, 5∼6원환이 보다 바람직하다. 그 중에서도, 바람직하게는 하기에 나타내어지는 지환식 에폭시기이다.The alicyclic epoxy group contained in the alicyclic epoxy compound used in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include alicyclic epoxy groups directly added to cyclic aliphatic hydrocarbons, and cyclic aliphatic hydrocarbons are preferably 3 to 10 member rings, And a 5- to 6-membered ring is more preferable. Among them, the alicyclic epoxy group is preferably the following alicyclic epoxy group.

Figure 112015023789728-pct00018
Figure 112015023789728-pct00018

지환식 에폭시 화합물은 하기 식(I)으로 나타내어지는 것이 바람직하다.The alicyclic epoxy compound is preferably represented by the following formula (I).

Figure 112015023789728-pct00019
Figure 112015023789728-pct00019

[식(I) 중, n은 1∼4의 정수를 나타낸다. R1은 탄소수 1∼15개의 유기기를 나타낸다][In the formula (I), n represents an integer of 1 to 4; R 1 represents an organic group having 1 to 15 carbon atoms]

R1은 탄소수 1∼15개의 유기기를 나타내고, 분기되어 있어도 불포화 결합을 가지고 있어도 좋고, 지방족환 또는 방향환의 환상 구조를 가져도 좋다. 또한, 이들 기는 산소, 황, 질소, 인, 붕소, 할로겐 원자를 가지고 있어도 좋다. 또한, 치환기를 가지고 있어도 좋고, 치환기끼리가 서로 결합을 형성하고 있어도 좋다. 또한, R1은 n가의 연결기이다.R 1 represents an organic group having 1 to 15 carbon atoms, which may be branched or unsaturated, and may have a cyclic structure of an aliphatic or aromatic ring. These groups may have oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, or halogen atoms. The substituent may have a substituent, or the substituents may bond to each other. Also, R 1 is an n-valent linking group.

R1의 유기기의 탄소수는 1∼8개가 바람직하고, 1∼6개가 보다 바람직하다. 유기기는 탄화수소기, 또는 탄화수소기와 실릴기, -O-, -CO-, -S- 및 -NR-(R은 수소원자 또는 탄소수 1∼7개의 알킬기를 나타냄) 중 적어도 1개를 조합시켜 이루어지는 기가 바람직하고, 탄화수소기, 또는 탄화수소기와 -O- 및/또는 -CO-을 조합시켜 이루어지는 기가 보다 바람직하다. 탄화수소기는 직쇄 또는 분기의 기가 바람직하고, 직쇄의 기가 보다 바람직하다. 탄화수소기의 탄소수는 1∼4개가 바람직하다. 1개의 유기기에 2개 이상의 탄화수소기가 포함되어 있어도 좋다.The number of carbon atoms of the organic group represented by R 1 is preferably 1 to 8, and more preferably 1 to 6. The organic group is a hydrocarbon group or a group formed by combining at least one of a hydrocarbon group and a silyl group, -O-, -CO-, -S- and -NR- (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms) And a group formed by combining a hydrocarbon group or a hydrocarbon group with -O- and / or -CO- is more preferable. The hydrocarbon group is preferably a straight chain or branched group, and more preferably a straight chain group. The number of carbon atoms of the hydrocarbon group is preferably 1 to 4. Two or more hydrocarbon groups may be contained in one organic group.

지환식 에폭시 화합물에 있어서의 에폭시기가 개환하면, 산발생제에 의해 산이 발생했을 때에 개환한 에폭시기가 폴리머가 갖는 관능기 등과 결합하고, 지환식 에폭시 화합물의 자유도가 손실되는 경우가 있다. 이 때문에, 에폭시기의 수는 적은 쪽이 바람직하다. n은 1∼4의 정수를 나타내고, 1∼3의 정수가 바람직하고, 1 또는 2가 보다 바람직하다.When the epoxy group in the alicyclic epoxy compound is opened, an epoxy group opened when an acid is generated by the acid generator may bond with a functional group or the like of the polymer, and the degree of freedom of the alicyclic epoxy compound may be lost. Therefore, it is preferable that the number of epoxy groups is small. n represents an integer of 1 to 4, preferably an integer of 1 to 3, more preferably 1 or 2.

지환식 에폭시 화합물의 바람직한 형태로서는 하기 식(II)으로 나타내어지는 화합물이 예시된다.As a preferable form of the alicyclic epoxy compound, a compound represented by the following formula (II) is exemplified.

Figure 112015023789728-pct00020
Figure 112015023789728-pct00020

[식(II) 중, R2는 탄소수 1∼15개의 유기기를 나타낸다][In the formula (II), R 2 represents an organic group having 1 to 15 carbon atoms]

R2는 탄소수 1∼15개의 유기기를 나타내고, 분기되어 있어도 불포화 결합을 가지고 있어도 좋고, 지방족환 또는 방향환의 환상 구조를 가져도 좋다. 또한, 이들 기는 산소, 황, 질소, 인, 붕소, 할로겐 원자를 가지고 있어도 좋다. 또한, 치환기를 가지고 있어도 좋고, 치환기끼리가 서로 결합을 형성하고 있어도 좋다. 또한, R2는 2가의 연결기이다.R 2 represents an organic group having 1 to 15 carbon atoms, which may be branched or unsaturated, and may have a cyclic structure of an aliphatic or aromatic ring. These groups may have oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, or halogen atoms. The substituent may have a substituent, or the substituents may bond to each other. Also, R 2 is a divalent linking group.

R2의 유기기의 탄소수는 1∼8개가 바람직하고, 1∼6개가 보다 바람직하다. 유기기는 탄화수소기, 또는 탄화수소기와 -O-, -CO-, -S- 및 -NR-(R은 수소원자 또는 탄소수 1∼7개의 알킬기를 나타냄) 중 적어도 1개를 조합시켜 이루어지는 기가 바람직하고, 탄화수소기, 또는 탄화수소기와 -O- 및/또는 -CO-을 조합시켜 이루어지는 기가 보다 바람직하다. 탄화수소기는 직쇄 또는 분기의 기가 바람직하고, 직쇄의 기가 보다 바람직하다. 탄화수소기의 탄소수는 1∼4개가 바람직하다. 1개의 유기기에 2개 이상의 탄화수소기가 포함되어 있어도 좋다. 탄화수소기는 알킬렌기가 바람직하다.The number of carbon atoms of the organic group of R 2 is preferably 1 to 8, and more preferably 1 to 6. The organic group is preferably a hydrocarbon group or a group formed by combining at least one of a hydrocarbon group and -O-, -CO-, -S- and -NR- (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms) A group formed by combining a hydrocarbon group or a hydrocarbon group with -O- and / or -CO- is more preferable. The hydrocarbon group is preferably a straight chain or branched group, and more preferably a straight chain group. The number of carbon atoms of the hydrocarbon group is preferably 1 to 4. Two or more hydrocarbon groups may be contained in one organic group. The hydrocarbon group is preferably an alkylene group.

지환식 에폭시 화합물의 바람직한 형태로서는 하기 식(III)으로 나타내어지는 화합물도 예시된다.The preferred form of the alicyclic epoxy compound is also a compound represented by the following formula (III).

Figure 112015023789728-pct00021
Figure 112015023789728-pct00021

[식(III) 중, R3은 탄소수 1∼15개의 유기기를 나타낸다][In the formula (III), R 3 represents an organic group having 1 to 15 carbon atoms]

R3은 탄소수 1∼15개의 유기기를 나타내고, 분기되어 있어도 불포화 결합을 가지고 있어도 좋고, 지방족환 또는 방향환의 환상 구조를 가져도 좋다. 또한, 이들 기는 산소, 황, 질소, 인, 붕소, 할로겐 원자를 가지고 있어도 좋다. 또한, 치환기를 가지고 있어도 좋고, 치환기끼리가 서로 결합을 형성하고 있어도 좋다. 또한, R3은 2가의 연결기이다.R 3 represents an organic group having 1 to 15 carbon atoms, which may be branched or unsaturated, and may have a cyclic structure of an aliphatic or aromatic ring. These groups may have oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, or halogen atoms. The substituent may have a substituent, or the substituents may bond to each other. R 3 is a divalent linking group.

R3의 유기기의 탄소수는 1∼8개가 바람직하고, 1∼6개가 보다 바람직하다. 유기기는 탄화수소기, 또는 탄화수소기와 -O-, -CO-, -S- 및 -NR-(R은 수소원자 또는 탄소수 1∼7개의 알킬기를 나타냄) 중 적어도 1개를 조합시켜 이루어지는 기가 바람직하고, 탄화수소기, 또는 탄화수소기와 -O- 및/또는 -CO-을 조합시켜 이루어지는 기가 보다 바람직하다. 탄화수소기는 직쇄 또는 분기의 기가 바람직하고, 직쇄의 기가 보다 바람직하다. 탄화수소기의 탄소수는 1∼4개가 바람직하다. 1개의 유기기에 2개 이상의 탄화수소기가 포함되어 있어도 좋다. 탄화수소기는 알킬렌기가 바람직하다.The number of carbon atoms of the organic group of R 3 is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 6. The organic group is preferably a hydrocarbon group or a group formed by combining at least one of a hydrocarbon group and -O-, -CO-, -S- and -NR- (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms) A group formed by combining a hydrocarbon group or a hydrocarbon group with -O- and / or -CO- is more preferable. The hydrocarbon group is preferably a straight chain or branched group, and more preferably a straight chain group. The number of carbon atoms of the hydrocarbon group is preferably 1 to 4. Two or more hydrocarbon groups may be contained in one organic group. The hydrocarbon group is preferably an alkylene group.

상기 식(I)∼(III)의 구체예로서는 이하와 같은 화합물을 들 수 있지만, 본 발명에서는 특별히 이들로 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the above formulas (I) to (III) include the following compounds, but the present invention is not particularly limited thereto.

Figure 112015023789728-pct00022
Figure 112015023789728-pct00022

본 발명에서 사용하는 지환식 에폭시 화합물은 그 제법은 묻지 않지만, 예를 들면 Maruzen K. K. 출판, 제 4 판 실험 화학 강좌 20 유기 합성 II, 213∼, 1992년 Alfred Hasfner 편찬, The chemistry of heterocyclic compounds-Small Ring Heterocycles part3 oxiranes, John & Wiley and Sons, An Interscience Publication, New York, 1985, 요시무라, 접착, 29권 12호, 32, 1985, 요시무라, 접착, 30권 5호, 42, 1986, 요시무라, 접착, 30권 7호, 42, 1986, 일본 특허 평1-100378호, 일본 특허 제2906245호, 일본 특허 제2926262호의 각 공보 등의 문헌을 참고로 하여 합성할 수 있다.The alicyclic epoxy compound to be used in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include Maruzen KK Publishing, 4th edition, Experimental Chemistry Lecture 20 Organic Synthesis II, 213 ~, 1992 Alfred Hasfner, The chemistry of heterocyclic compounds-Small Yoshimura, Adhesion, 29, No. 12, 32, 1985, Yoshimura, Adhesion, Vol. 30, No. 5, 42, 1986, Yoshimura, Adhesion, 30, No. 7, 42, 1986, Japanese Patent Publication No. 1-100378, Japanese Patent No. 2906245, and Japanese Patent No. 2926262, which are incorporated herein by reference.

본 발명에서 사용하는 지환식 에폭시 화합물의 분자량은 1000 미만이고, 500 미만인 것이 바람직하다. 이러한 범위로 함으로써, 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘되는 경향이 있다. 하한값에 대해서는 특별히 정해진 것은 아니지만 통상, 100 이상이다.The molecular weight of the alicyclic epoxy compound used in the present invention is preferably less than 1000, and less than 500. By setting this range, the effect of the present invention tends to be exerted more effectively. The lower limit value is not particularly specified, but is usually 100 or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 지환식 에폭시 화합물의 첨가량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0.05∼5질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼3질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.1∼1.5질량부인 것이 더욱 바람직하다. 지환식 에폭시 화합물은 복수를 병용할 수도 있고, 그 경우는 지환식 에폭시 화합물을 모두 합산하여 함유량을 계산한다.The amount of the alicyclic epoxy compound to be added in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.05 to 5 parts by mass, more preferably 0.1 to 3 parts by mass, more preferably 0.1 to 1.5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total solid content of the photosensitive resin composition It is more desirable to be negative. The plural alicyclic epoxy compounds may be used in combination, and in that case, the content of the alicyclic epoxy compounds is totaled.

<(D) 용제>&Lt; (D) Solvent >

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (D) 용제로서 (D1) 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제를 함유한다. 메커니즘은 확실하지는 않지만, 이러한 용매를 배합함으로써 적당한 도막의 가소제가 되고, 또한 ?처(quencher)와 지환 에폭시 화합물에 의한 산의 적당한 포착을 촉진함으로써, 감도, 선폭 안정성, 해상성 및 직사각형성을 향상시키는 것이 가능하게 된다고 추정된다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은 본 발명의 필수 성분과, 또한 후술의 임의의 성분을 (D1) 용제에 용해한 용액으로서 조제되는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention (D) contains, as a solvent, a solvent containing two or more acetate structures in the molecule (D1). Although the mechanism is not clear, by improving the sensitivity, line width stability, resolution, and rectangularity, it is possible to improve the sensitivity, line width stability, resolution and rectangularity by promoting proper capture of acid by quencher and alicyclic epoxy compound It is presumed that it becomes possible. The photosensitive resin composition of the present invention is preferably prepared as a solution in which the essential component of the present invention and any of the components described below are dissolved in the (D1) solvent.

(D1) 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제로서는 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하고 있으면 특별히 한정되지 않지만, 분자 내의 아세테이트 구조의 수는 2∼4개가 바람직하고, 2개가 더욱 바람직하다.(D1) The solvent containing two or more acetate structures in the molecule is not particularly limited as long as it contains two or more acetate structures in the molecule, but the number of acetate structures in the molecule is preferably 2 to 4, more preferably 2 .

또한, (D1) 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제는 비점이 130℃ 이상 300℃ 미만인 용제가 바람직하고, 180℃ 이상 270℃ 미만인 용제가 바람직하고, 200℃ 이상 270℃ 미만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 비점은 특별히 언급되지 않는 한, 1기압에 있어서의 비점이다. 또한, 용제를 2종류 이상 포함하는 용매 혼합인 경우, 비점은 전체 용매에 대한 각 용매의 비점을 각각의 중량 비율로 가중 평균한 것으로 한다.The solvent having two or more acetate structures in the molecule (D1) is preferably a solvent having a boiling point of 130 占 폚 or more and less than 300 占 폚, more preferably 180 占 폚 or more and less than 270 占 폚, more preferably 200 占 폚 or more and less than 270 占 폚 Do. The boiling point is the boiling point at 1 atm unless otherwise noted. In the case of a solvent mixture containing two or more solvents, the boiling point is a weighted average of the boiling points of the respective solvents with respect to the total solvent by weight ratios.

(D1) 용제로서는, 예를 들면 1,2-에틸렌디올디아세테이트, 1,2-프로판디올디아세테이트, 1,3-프로판디올디아세테이트, 1,2-부탄디올디아세테이트, 1,3-부탄디올디아세테이트, 1,4-부탄디올디아세테이트, 1,6-헥산디올디아세테이트, 트리아세틴 등이 예시된다. (D1) 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.(D1) As the solvent, for example, 1,2-ethylene diol diacetate, 1,2-propanediol diacetate, 1,3-propanediol diacetate, 1,2-butanediol diacetate, Acetate, 1,4-butanediol diacetate, 1,6-hexanediol diacetate, triacetin, and the like. (D1) The solvents may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (D1) 용제의 함유량은 감광성 수지 조성물 100질량부당 1∼10질량%인 것이 바람직하고, 1∼5질량%인 것이 더욱 바람직하다.The content of the (D1) solvent in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 1 to 10% by mass, more preferably 1 to 5% by mass, per 100 parts by mass of the photosensitive resin composition.

또한, (D1) 용제에 더욱 필요에 따라서 (D2) 다른 용제를 첨가하여 혼합 용제로 할 수도 있다. 상기 혼합 용제의 경우에는 전체 용매에 대한 각 용매의 비점을 각각의 중량 비율로 가중 평균한 것이 130℃ 이상 300℃ 미만이 되도록 (D2) 다른 용제를 선택할 수 있다. (D2) 다른 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Further, another solvent (D2) may be further added to the solvent (D1) to prepare a mixed solvent. In the case of the mixed solvent, other solvent may be selected so that the weighted average of the boiling points of the respective solvents with respect to the total solvent is 130 ° C. or more and less than 300 ° C. (D2). (D2) Other solvents may be used alone or in combination of two or more.

(D2) 다른 용제로서는 비점 130℃ 이상 160℃ 미만의 용제, 비점 160℃ 이상의 용제인 것이 바람직하고, 구체적으로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(비점 146℃), 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(비점 158℃) 등의 분자 내에 아세테이트 구조를 1개 함유하는 용제; 프로필렌글리콜메틸-n-부틸에테르(비점 155℃), 프로필렌글리콜메틸-n-프로필에테르(비점 131℃)를 예시할 수 있다.(D2) The other solvent is preferably a solvent having a boiling point of 130 DEG C or more and less than 160 DEG C and a solvent having a boiling point of 160 DEG C or more. Specifically, propylene glycol monomethyl ether acetate (boiling point 146 DEG C), propylene glycol monoethyl ether acetate Lt; 0 &gt; C), and the like; Propyleneglycol methyl-n-butyl ether (boiling point 155 캜), and propylene glycol methyl-n-propyl ether (boiling point 131 캜).

비점 160℃ 이상의 용제로서는 3-에톡시프로피온산 에틸(비점 170℃), 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르(비점 176℃), 프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트(비점160℃), 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(비점 213℃), 3-메톡시부틸에테르아세테이트(비점 171℃), 디에틸렌글리콜디에틸에테르(비점 189℃), 디에틸렌글리콜디메틸에테르(비점 162℃), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(비점 220℃), 디프로필렌글리콜디메틸에테르(비점 175℃)를 예시할 수 있다.As the solvent having a boiling point of 160 캜 or more, ethyl 3-ethoxypropionate (boiling point: 170 캜), diethylene glycol methyl ethyl ether (boiling point: 176 캜), propylene glycol monomethyl ether propionate (boiling point: 160 캜), dipropylene glycol methyl ether acetate (Boiling point 213 占 폚), 3-methoxybutyl ether acetate (boiling point 171 占 폚), diethylene glycol diethyl ether (boiling point 189 占 폚), diethylene glycol dimethyl ether (boiling point 162 占 폚), diethylene glycol monoethyl ether acetate A boiling point of 220 占 폚), and dipropylene glycol dimethyl ether (boiling point of 175 占 폚).

상기 다른 용제 이외에도, 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (D2) 용제의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락번호 [0174]∼[0178]에 기재된 용제도 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 편입된다.In addition to the above-mentioned other solvents, known solvents may be used, and ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene Glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters Ketones, amides, lactones, and the like. Specific examples of the solvent (D2) used in the photosensitive resin composition of the present invention include the solvents described in paragraphs [0174] to [0178] of JP-A No. 2011-221494, the contents of which are incorporated herein by reference .

또한, 더욱 필요에 따라서 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노날, 벤질알콜, 아니솔, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌 등의 용제를 첨가할 수도 있다. 이들 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 본 발명에 사용할 수 있는 용제는 1종 단독 또는 2종을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류 또는 디알킬에테르류, 디아세테이트류와 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 또는 에스테르류와 부틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류를 병용하는 것이 더욱 바람직하다.Further, if necessary, it may be further added with an organic solvent such as benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, A solvent such as 1-nonyl, benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate and propylene carbonate may be added. These solvents may be used alone or in combination of two or more. The solvent which can be used in the present invention is preferably used alone or in combination of two or more, more preferably two kinds of solvents, more preferably propylene glycol monoalkyl ether acetates or dialkyl ethers, diacetates and diethylene It is more preferable to use the glycol dialkyl ethers or the esters in combination with the butylene glycol alkyl ether acetates.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (D2) 용제의 함유량은 감광성 수지 조성물 100질량부당 70∼95질량%인 것이 바람직하고, 80∼90질량%인 것이 더욱 바람직하다.The content of the solvent (D2) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 70 to 95 mass%, more preferably 80 to 90 mass%, per 100 mass parts of the photosensitive resin composition.

<기타 성분><Other ingredients>

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 상기 성분에 추가하여, 필요에 따라서 (E) 알콕시실란 화합물, (F) 가교제, (G) 증감제, (H) 염기성 화합물, (I) 계면활성제, (J) 산화방지제를 바람직하게 첨가할 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는 산증식제, 현상촉진제, 가소제, 열라디칼발생제, 열산발생제, 자외선흡수제, 증점제, 및 유기 또는 무기의 침전방지제 등의 공지의 첨가제를 첨가할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may further comprise (E) an alkoxysilane compound, (F) a crosslinking agent, (G) a sensitizer, (H) a basic compound, (I) An inhibitor may be preferably added. The photosensitive resin composition of the present invention may contain known additives such as an acid generator, a development accelerator, a plasticizer, a heat radical generator, a thermal acid generator, an ultraviolet absorber, a thickener, and an organic or inorganic precipitation inhibitor.

(E) 알콕시실란 화합물(E) alkoxysilane compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (E) 알콕시실란 화합물(「(E)성분」이라고 함)을 함유하는 것을 특징으로 한다. 알콕시실란 화합물을 사용하면, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 막과 기판의 밀착성을 향상시킬 수 있거나, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 막의 성질을 조정할 수 있다. 알콕시실란 화합물로서는 디알콕시실란 화합물 또는 트리알콕시실란 화합물이 바람직하고, 트리알콕시실란 화합물이 보다 바람직하다. 알콕시실란 화합물이 갖는 알콕시기의 탄소수는 1∼5개가 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is characterized by containing (E) an alkoxysilane compound (referred to as &quot; component (E) &quot;). When the alkoxysilane compound is used, the adhesion between the film formed by the photosensitive resin composition of the present invention and the substrate can be improved, or the properties of the film formed by the photosensitive resin composition of the present invention can be adjusted. As the alkoxysilane compound, a dialkoxysilane compound or a trialkoxysilane compound is preferable, and a trialkoxysilane compound is more preferable. The alkoxy group of the alkoxysilane compound preferably has 1 to 5 carbon atoms.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 (E) 알콕시실란 화합물은 기재가 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화실리콘, 질화실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 몰리브덴, 티타늄, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물인 것이 바람직하다. 구체적으로는 공지의 실란커플링제 등도 유효하다.The (E) alkoxysilane compound that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention is an alkoxysilane compound that can be used as an inorganic substance such as a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, a metal such as gold, copper, molybdenum, And is preferably a compound that improves the adhesion of the insulating film. Specifically, known silane coupling agents and the like are also effective.

실란커플링제로서는, 예를 들면 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다. 이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이나 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하고, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란이 보다 더욱 바람직하다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.Examples of the silane coupling agent include γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ- Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? - Silane, and vinyltrialkoxysilane. Among these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is even more preferable, and 3-glycidoxypropyltrimethoxy Silane is even more preferred. These may be used alone or in combination of two or more.

또한, 하기 화합물도 바람직하게 채용할 수 있다.
The following compounds can also be preferably employed.

Figure 112015023789728-pct00023
Figure 112015023789728-pct00023

Figure 112015023789728-pct00024
Figure 112015023789728-pct00024

상기에 있어서, Ph는 페닐기이다.In the above, Ph is a phenyl group.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (E) 알콕시실란 화합물은 특별히 이들로 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다.The (E) alkoxysilane compound in the photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited to these, and known ones can be used.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (E) 알콕시실란 화합물의 함유량은 감광성 조성물 중의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0.1∼30질량부가 바람직하고, 0.5∼20질량부가 보다 바람직하다.The content of the (E) alkoxysilane compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 0.5 to 20 parts by mass, per 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive composition.

(F) 가교제(F) Crosslinking agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 필요에 따라, 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 가교제를 첨가함으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 얻어지는 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a crosslinking agent, if necessary. By adding a crosslinking agent, the cured film obtained by the photosensitive resin composition of the present invention can be made into a stronger film.

가교제로서는 열에 의해 가교 반응이 일어나는 것이면 제한은 없다(A 성분을 제외함). 예를 들면, 이하에서 말하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 또는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 등을 첨가할 수 있다.The crosslinking agent is not limited as long as it is crosslinked by heat (except for component A). For example, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond, a block isocyanate compound and the like may be added in the following description.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 가교제의 첨가량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼30질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼20질량부인 것이 더욱 바람직하다. 이 범위로 첨가함으로써, 기계적 강도 및 내용제성이 우수한 경화막이 얻어진다. 가교제는 복수를 병용할 수도 있고, 그 경우는 가교제를 모두 합산하여 함유량을 계산한다.The addition amount of the crosslinking agent in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 0.5 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total solid content of the photosensitive resin composition desirable. When added in this range, a cured film excellent in mechanical strength and solvent resistance can be obtained. The crosslinking agent may be used in combination with a plurality of the crosslinking agents, in which case the crosslinking agents are all added to calculate the content.

<분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물>&Lt; Compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule &

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, aliphatic epoxy resin and the like.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면, JER157S70, JER157S65(Mitsubishi Chemical Holdings Corporation 제작) 등 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락번호 [0189]에 기재된 시판품 등을 들 수 있다.These are available as commercial products. For example, commercially available products such as JER157S70 and JER157S65 (manufactured by Mitsubishi Chemical Holdings Corporation), such as those described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-221494, paragraph [0189].

그 밖에도, ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S(이상, Adeka Corporation 제작), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, Adeka Corporation 제작), DENACOL EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-411, EX-421, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-810, EX-811, EX-850, EX-851, EX-821, EX-830, EX-832, EX-841, EX-911, EX-941, EX-920, EX-931, EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L, EX-850L, DLC-201, DLC-203, DLC-204, DLC-205, DLC-206, DLC-301, DLC-402(이상, Nagase ChemteX Corporation 제작), YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324, YH-325(이상, Nippon Steel Chemical Co., Ltd. 제작), CELLOXIDE 2021P, 2081, 3000, EHPE3150, EPOLEADGT400, SERUBINASU B0134, B0177(Daicel Corporation 제작) 등을 들 수 있다.In addition, ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S and EP-4011S (manufactured by Adeka Corporation), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD- , EX-412, EX-421, EX (manufactured by Adeka Corporation), DENACOL EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX- EX-821, EX-821, EX-821, EX-821, EX-821, DLC-203, DLC-204, DLC-202, EX-911, EX-941, EX-920, EX-931, EX-212L, EX-214L, EX- (Produced by Nagase ChemteX Corporation), YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324 and YH-325 CELLOXIDE 2021P, 2081, 3000, EHPE3150, EPOLEADGT400, SERUBINASU B0134, B0177 (manufactured by Daicel Corporation), and the like.

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.These may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서도, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지 및 지방족 에폭시, 지방족 에폭시 수지를 보다 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀A형 에폭시 수지를 특히 바람직하게 들 수 있다.Among them, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, aliphatic epoxy and aliphatic epoxy resin are more preferable, and bisphenol A type epoxy resin is particularly preferable.

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서는 ARON OXETANE OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, Toagosei CO., LTD. 제작)를 사용할 수 있다.As specific examples of the compound having two or more oxetanyl groups in the molecule, ARON OXETANE OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (manufactured by Toagosei Co., Ltd.) can be used.

또한, 옥세타닐기를 포함하는 화합물은 단독으로 또는 에폭시기를 포함하는 화합물과 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.Further, the compound containing an oxetanyl group is preferably used alone or in combination with a compound containing an epoxy group.

또한, 기타 가교제로서는 일본 특허 공개 2012-8223호 공보의 단락번호 [0107]∼[0108]에 기재된 알콕시메틸기 함유 가교제, 및 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 등도 바람직하게 사용할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 편입된다. 알콕시메틸기 함유 가교제로서는 알콕시메틸화 글리콜우릴이 바람직하다.As the other crosslinking agent, there can be preferably used an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent and at least one compound having an ethylenically unsaturated double bond described in paragraphs [0107] to [0108] of Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2012-8223 The contents of which are incorporated herein by reference. As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated glycoluril is preferable.

<블록 이소시아네이트 화합물>&Lt; Block isocyanate compound >

본 발명의 감광성 수지 조성물에서는 가교제로서 블록 이소시아네이트계 화합물도 바람직하게 채용할 수 있다. 블록 이소시아네이트 화합물은 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물이면 특별히 제한은 없지만, 경화성의 관점에서 1분자 내에 2개 이상의 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, a block isocyanate compound may also be preferably employed as a crosslinking agent. The block isocyanate compound is not particularly limited as long as it is a compound having a block isocyanate group, but is preferably a compound having two or more block isocyanate groups in one molecule from the viewpoint of curability.

또한, 본 발명에 있어서의 블록 이소시아네이트기란 열에 의해 이소시아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기이고, 예를 들면 블록제와 이소시아네이트기를 반응시켜 이소시아네이트기를 보호한 기를 바람직하게 예시할 수 있다. 또한, 상기 블록 이소시아네이트기는 90℃∼250℃의 열에 의해 이소시아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기인 것이 바람직하다.The block isocyanate group in the present invention is a group capable of forming an isocyanate group by heat, and for example, a group in which an isocyanate group is protected by reacting a blocking agent with an isocyanate group can be preferably exemplified. The block isocyanate group is preferably a group capable of generating an isocyanate group by heat at 90 to 250 캜.

또한, 블록 이소시아네이트 화합물로서는 그 골격은 특별히 한정되는 것은 아니고, 1분자 중에 이소시아네이트기를 2개 갖는 것이면 어느 것이어도 좋고, 지방족, 지환족 또는 방향족의 폴리 이소시아네이트이어도 좋지만, 예를 들면 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,3-트리메틸렌디이소시아네이트, 1,4-테트라메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,9-노나메틸렌디이소시아네이트, 1,10-데카메틸렌디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 2,2'-디에틸에테르디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, o-크실렌디이소시아네이트, m-크실렌디이소시아네이트, p-크실렌디이소시아네이트, 메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트), 시클로헥산-1,3-디메틸렌디이소시아네이트, 시클로헥산-1,4-디메틸렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 3,3'-메틸렌디톨릴렌-4,4'-디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 테트라클로로페닐렌디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 수소화 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 수소화 1,4-크실릴렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물 및 이들 화합물로부터 파생하는 프리폴리머형 골격의 화합물을 적합하게 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 톨릴렌디이소시아네이트(TDI)나 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌 디이소시아네이트(HDI), 이소포론 디이소시아네이트(IPDI)가 특히 바람직하다.The skeleton of the block isocyanate compound is not particularly limited and may be any of those having two isocyanate groups in one molecule and may be an aliphatic, alicyclic or aromatic polyisocyanate. For example, 2,4- Isocyanate, isocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 1,6-hexamethylene diisocyanate, 1,3-trimethylene diisocyanate, 1,4-tetramethylene diisocyanate, 2,2,4- Methylene diisocyanate, 2,4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 1,9-nonamethylene diisocyanate, 1,10-decamethylene diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, 2,2'-diethyl Ether diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, o-xylene diisocyanate, m-xylene diisocyanate, p-xylene di 1,3-dimethylene diisocyanate, cyclohexane-1,4-dimethylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, p-phenylenediisocyanate, 3, 3'-methylene ditolylene-4,4'-diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, tetrachlorophenylenediisocyanate, norbornadiisocyanate, hydrogenated 1,3-xylylene diisocyanate, And isocyanate compounds such as 4-xylylene diisocyanate and compounds of a prepolymer type skeleton derived from these compounds can be suitably used. Of these, tolylene diisocyanate (TDI), diphenylmethane diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI) and isophorone diisocyanate (IPDI) are particularly preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 블록 이소시아네이트 화합물의 모 구조로서는 뷰렛형, 이소시아누레이트형, 어덕트형, 2관능 프리폴리머형 등을 들 수 있다.Examples of the parent structure of the block isocyanate compound in the photosensitive resin composition of the present invention include a burette type, an isocyanurate type, an adduct type, and a bifunctional prepolymer type.

상기 블록 이소시아네이트 화합물의 블록 구조를 형성하는 블록제로서는 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물, 메르캅탄 화합물, 이미다졸계 화합물, 이미드계 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물로부터 선택되는 블록제가 특히 바람직하다.Examples of the block agent forming the block structure of the block isocyanate compound include an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, an amine compound, an active methylene compound, a pyrazole compound, a mercaptan compound, an imidazole compound, . Among them, a block agent selected from an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, an amine compound, an active methylene compound, and a pyrazole compound is particularly preferable.

상기 옥심 화합물로서는 옥심 및 케톡심을 들 수 있고, 구체적으로는 아세톡심, 포름알독심, 시클로헥산옥심, 메틸에틸케톤옥심, 시클로헥산온옥심, 벤조페논옥심, 아세톡심 등을 예시할 수 있다.Examples of the oxime compounds include oxime and ketoxime. Specific examples thereof include acetoxime, formaldehyde, cyclohexane oxime, methyl ethyl ketone oxime, cyclohexanone oxime, benzophenone oxime, and acetoxime.

상기 락탐 화합물로서는 ε-카프로락탐, γ-부티로락탐 등을 예시할 수 있다.Examples of the lactam compound include ε-caprolactam, γ-butyrolactam, and the like.

상기 페놀 화합물로서는 페놀, 나프톨, 크레졸, 크실레놀, 할로겐 치환 페놀 등을 예시할 수 있다.Examples of the phenol compound include phenol, naphthol, cresol, xylenol, halogen-substituted phenol, and the like.

상기 알콜 화합물로서는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 락트산 알킬 등을 예시할 수 있다.Examples of the alcohol compound include methanol, ethanol, propanol, butanol, cyclohexanol, ethylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, and alkyl lactate.

상기 아민 화합물로서는 1급 아민 및 2급 아민을 들 수 있고, 방향족 아민, 지방족 아민, 지환족 아민 중 어느 하나이어도 좋고, 아닐린, 디페닐아민, 에틸렌이민, 폴리에틸렌이민 등을 예시할 수 있다.Examples of the amine compound include a primary amine and a secondary amine, and may be an aromatic amine, an aliphatic amine, or an alicyclic amine, and examples thereof include aniline, diphenylamine, ethyleneimine, and polyethyleneimine.

상기 활성 메틸렌 화합물로서는 말론산 디에틸, 말론산 디메틸, 아세토아세트산 에틸, 아세토아세트산 메틸 등을 예시할 수 있다.Examples of the active methylene compound include diethyl malonate, dimethyl malonate, ethyl acetoacetate, and methyl acetoacetate.

상기 피라졸 화합물로서는 피라졸, 메틸피라졸, 디메틸피라졸 등을 예시할 수 있다.Examples of the pyrazole compound include pyrazole, methylpyrazole, dimethylpyrazole, and the like.

상기 메르캅탄 화합물로서는 알킬메르캅탄, 아릴메르캅탄 등을 예시할 수 있다.Examples of the mercaptan compound include alkyl mercaptans, aryl mercaptans, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 블록 이소시아네이트 화합물은 시판품으로서 입수가능하고, 예를 들면 CORONATE AP STABLE M, CORONATE 2503, 2515, 2507, 2513, 2555, MILLIONATE MS-50(이상, Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd. 제작), TAKENATE B-830, B-815N, B-820NSU, B-842N, B-846N, B-870N, B-874N, B-882N(이상, Mitsui Chemicals, Inc. 제작), DURANATE 17B-60PX, 17B-60P, TPA-B80X, TPA-B80E, MF-B60X, MF-B60B, MF-K60X, MF-K60B, E402-B80B, SBN-70D, SBB-70P, K6000(이상, Asahi Kasei Chemicals Corporation 제작), DESMODUR BL1100, BL1265 MPA/X, BL3575/1, BL3272MPA, BL3370MPA, BL3475BA/SN, BL5375MPA, VPLS2078/2, BL4265SN, PL340, PL350, SUMIDUR BL3175(이상, Sumika Bayer Urethane Co., Ltd. 제작) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.The block isocyanate compound which can be used in the photosensitive resin composition of the present invention is commercially available as, for example, CORONATE AP STABLE M, CORONATE 2503, 2515, 2507, 2513, 2555, MILLIONATE MS- (Manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.), TAKENATE B-830, B-815N, B-820NSU, B-842N, B-846N, B- MF6060, MF-K60B, E402-B80B, SBN-70D, SBB-70P, K6000 (Above, Asahi (Manufactured by Kasei Chemicals Corporation), DESMODUR BL1100, BL1265 MPA / X, BL3575 / 1, BL3272MPA, BL3370MPA, BL3475BA / SN, BL5375MPA, VPLS2078 / 2, BL4265SN, PL340, PL350, SUMIDUR BL3175 .) Can be preferably used.

(G) 증감제(G) Thinner

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (B) 광산발생제와의 조합에 있어서, 그 분해를 촉진시키기 위해서 증감제를 함유하는 것이 바람직하다. 증감제는 활성광선 또는 방사선을 흡수하여 전자여기 상태가 된다. 전자여기 상태가 된 증감제는 광산발생제와 접촉하여 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이에 따라, 광산발생제는 화학 변화를 일으켜서 분해되어 산을 생성한다. 바람직한 증감제의 예로서는 이하의 화합물류에 속하고 있고, 또한 350nm∼450nm의 파장 영역 중 어느 하나에서 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a sensitizer in combination with the photoacid generator (B) in order to accelerate the decomposition thereof. The sensitizer absorbs an actinic ray or radiation to become an electron-excited state. The sensitizer in the electron excited state comes into contact with the photoacid generator to generate electron transfer, energy transfer, heat generation, and the like. Accordingly, the photoacid generator decomposes by chemical change to generate an acid. Examples of preferred sensitizers include compounds having an absorption wavelength in any one of the wavelength ranges of 350 nm to 450 nm belonging to the following compounds.

다핵 방향족류(예를 들면, 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센 ,3,7-디메톡시안트라센, 9,10-디프로필옥시안트라센), 크산텐류(예를 들면, 플루오레세인, 에오신, 에리스로신, 로다민B, 로즈벵갈), 크산톤류(예를 들면, 크산톤, 티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티옥산톤), 시아닌류(예를 들면, 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 메로시아닌류(예를 들면, 메로시아닌, 카르보메로시아닌), 로더시아닌류, 옥소놀류, 티아진류(예를 들면, 티오닌, 메틸렌 블루, 톨루이딘 블루), 아크리딘류(예를 들면, 아크리딘 오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류(예를 들면, 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈, 10-부틸아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면, 안트라퀴논), 스쿠아릴리움류(예를 들면, 스쿠아릴리움), 스티릴류, 베이스 스티릴류(예를 들면, 2-[2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐]벤조옥사졸), 쿠마린류(예를 들면, 7-디에틸아미노4-메틸쿠마린, 7-히드록시4-메틸쿠마린, 2,3,6,7-테트라히드로-9-메틸-1H,5H,11H[1]벤조피라노[6,7,8-ij]퀴놀리진-11-논).Polynuclear aromatic compounds such as pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, 9,10- Anthracene, xanthone, xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone (for example, xanthone, Tonnes), cyanines (e.g., thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), merocyanines (e.g., merocyanine, carbomerocyanine), loadersocyanates, (Such as acridine orange, chloroflavin, acriflavine), acridones (such as acridone, acridine, acridine), acridine (for example, thionine, methylene blue, toluidine blue) Butyl-2-chloroacridone, 10-butylacridone), anthraquinones (for example, anthraquinone), squaryliums (for example, (For example, 2- [2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl] benzoxazole), coumarins (for example, 7-diethylamino 4- Methylcoumarin, 7-hydroxy4-methylcoumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H [1] benzopyrano [6,7,8-ij] quinolizine Lt; / RTI &gt;

이들 증감제 중에서도, 다핵 방향족류, 아크리돈류, 스티릴류, 베이스 스티릴류, 쿠마린류가 바람직하고, 다핵 방향족류가 보다 바람직하다. 다핵 방향족류 중에서도, 안트라센 유도체가 가장 바람직하다.Among these sensitizers, polynuclear aromatic compounds, acridones, styryls, base styryls and coumarins are preferable, and polynuclear aromatic compounds are more preferable. Among the polynuclear aromatic compounds, an anthracene derivative is most preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 증감제의 첨가량은 감광성 수지 조성물의 광산발생제 100질량부에 대하여 0∼1000질량부인 것이 바람직하고, 10∼500질량부인 것이 보다 바람직하고, 50∼200질량부인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the sensitizer added in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0 to 1000 parts by mass, more preferably 10 to 500 parts by mass, more preferably 50 to 200 parts by mass, per 100 parts by mass of the photoacid generator of the photosensitive resin composition Is more preferable.

2종 이상을 병용할 수도 있다.Two or more species may be used in combination.

(H) 염기성 화합물(H) Basic compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (H) 염기성 화합물을 함유해도 좋다. (H) 염기성 화합물로서는 화학증폭 레지스터로 사용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제 4 급 암모늄히드록시드, 카르복실산의 제 4 급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이들 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락번호 [0204]∼[0207]에 기재된 화합물을 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 편입된다. 또한, N-시클로헥실-N'-2-(4-모르폴리닐)에틸]티오요소 등의 티오요소류를 사용해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (H) a basic compound. (H) As the basic compound, any of those used as chemical amplification resistors can be selected and used. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, quaternary ammonium salts of carboxylic acids, and the like. Specific examples thereof include compounds described in paragraphs [0204] to [0207] of JP-A No. 2011-221494, the contents of which are incorporated herein by reference. N-cyclohexyl-N'-2- (4-morpholinyl) ethyl] thiourea may also be used.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 좋다.The basic compounds usable in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (H) 다른 염기성 화합물의 함유량은 다른 염기성 화합물을 포함하는 경우, 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0.001∼3질량부인 것이 바람직하고, 0.005∼1질량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the other basic compound (H) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 3 parts by mass, more preferably 0.005 to 1 part by mass relative to 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition, It is more desirable to be negative.

(I) 계면활성제(I) Surfactant

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (I) 계면활성제를 함유해도 좋다. (I) 계면활성제로서는 음이온계, 양이온계, 비이온계, 또는 양쪽성 중 어느 것이어도 사용할 수 있지만, 바람직한 계면활성제는 비이온 계면활성제이다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (I) a surfactant. As the (I) surfactant, any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants may be used, but preferred surfactants are nonionic surfactants.

비이온계 계면활성제의 예로서는 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산 디에스테르류, 실리콘계, 불소계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 이하 상품명으로 KP(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작), POLYFLOW(Kyoeisha Chemical Co., Ltd. 제작), F TOP(JEMCO Corporation 제작), Megafac(DIC Corporation 제작), FLUORAD(Sumitomo 3M Ltd. 제작), AsahiGuard, Surflon(Asahi Glass Co., Ltd. 제작), POLYFOX(OMNOVA사 제품), SH-8400(Toray· Dow Corning Silicone) 등의 각 시리즈를 들 수 있다.Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicones, and fluorine surfactants. (Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), POLYFLOW (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), F TOP (manufactured by JEMCO Corporation), Megafac (manufactured by DIC Corporation), FLUORAD Ltd.), AsahiGuard, Surflon (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), POLYFOX (manufactured by OMNOVA), and SH-8400 (Toray and Dow Corning Silicone).

또한, 계면활성제로서 하기 일반식(I-1)으로 나타내어지는 구성단위 A 및 구성단위 B를 포함하고, 테트라히드로푸란(THF)을 용제로 했을 경우에 겔 투과 크로마토그래피에서 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.In addition, when the surfactant contains the constituent unit A and the constituent unit B represented by the following general formula (I-1) and is tetrahydrofuran (THF) as a solvent, the weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography A preferred example is a copolymer having an average molecular weight (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less.

일반식(I-1)In general formula (I-1)

Figure 112015023789728-pct00025
Figure 112015023789728-pct00025

[식(I-1) 중, R401 및 R403은 각각 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R402는 탄소수 1개 이상 4개 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R404는 수소원자 또는 탄소수 1개 이상 4개 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3개 이상 6개 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 질량 백분률이고, p는 10질량% 이상 80질량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20질량% 이상 90질량% 이하의 수치를 나타내고, R은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, s는 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다]R 401 and R 403 each represent a hydrogen atom or a methyl group, R 402 represents a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 404 represents a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 or more carbon atoms P represents an integer of not less than 4, and L represents an alkylene group of not less than 3 but not more than 6 carbon atoms, p and q are mass percentages indicating a polymerization ratio, p is a value of 10 mass% or more and 80 mass% , q represents a numerical value of 20 mass% or more and 90 mass% or less, R represents an integer of 1 or more and 18 or less, and s represents an integer of 1 or more and 10 or less,

상기 L은 하기 일반식(I-2)으로 나타내어지는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 일반식(I-2)에 있어서의 R405는 탄소수 1개 이상 4개 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 흡습성의 점에서 탄소수 1개 이상 3개 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2개 또는 3개의 알킬기가 보다 바람직하다. p와 q의 합(p+q)은 p+q=100, 즉 100질량%인 것이 바람직하다.It is preferable that L is a branched alkylene group represented by the following general formula (I-2). R 405 in the general formula (I-2) represents an alkyl group of 1 to 4 carbon atoms and is preferably an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms from the viewpoint of compatibility and hygroscopicity against the surface to be coated, More preferably three or three alkyl groups. The sum (p + q) of p and q is preferably p + q = 100, that is, 100% by mass.

일반식(I-2)In general formula (I-2)

Figure 112015023789728-pct00026
Figure 112015023789728-pct00026

상기 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably from 1,500 to 5,000.

이들 계면활성제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These surfactants may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (I) 계면활성제의 첨가량은 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형분 100질량부에 대하여 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.001∼10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01∼3질량부인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the surfactant (I) added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 0.001 parts by mass to 10 parts by mass, more preferably 0.01 parts by mass to 3 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition It is more desirable to be negative.

(J) 산화방지제(J) Antioxidant

본 발명의 감광성 수지 조성물은 산화방지제를 함유해도 좋다. 산화방지제로서는 공지의 산화방지제를 함유할 수 있다. 산화방지제를 첨가함으로써 경화막의 착색을 방지할 수 있고, 또는 분해에 의한 막 두께 감소를 저감시킬 수 있고, 또한 내열 투명성이 우수하다는 이점이 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain an antioxidant. As the antioxidant, a known antioxidant may be contained. The addition of an antioxidant can prevent coloration of the cured film or reduce the film thickness reduction due to decomposition and has an advantage of excellent heat-resistant transparency.

이러한 산화방지제로서는, 예를 들면 인계 산화방지제, 아미드류, 히드라지드류, 힌다드아민계 산화방지제, 황계 산화방지제, 페놀계 산화방지제, 아스코르브산류, 황산아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록실아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 경화막의 착색, 막 두께 감소의 관점에서 특히 페놀계 산화방지제, 아미드계 산화방지제, 히드라지드계 산화방지제, 황계 산화방지제가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해도 좋다.Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, amides, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrites, sulfites, thiosulfates, And hydroxylamine derivatives. Among them, a phenol-based antioxidant, an amide-based antioxidant, a hydrazide-based antioxidant and a sulfur-based antioxidant are particularly preferable from the viewpoint of coloring of the cured film and reduction of the film thickness. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

페놀계 산화방지제의 시판품으로서는, 예를 들면 ADK STAB AO-15, ADK STAB AO-18, ADK STAB AO-20, ADK STAB AO-23, ADK STAB AO-30, ADK STAB AO-37, ADK STAB AO-40, ADK STAB AO-50, ADK STAB AO-51, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-70, ADK STAB AO-80, ADK STAB AO-330, ADK STAB AO-412S, ADK STAB AO-503, ADK STAB A-611, ADK STAB A-612, ADK STAB A-613, ADK STAB PEP-4C, ADK STAB PEP-8, ADK STAB PEP-8W, ADK STAB PEP-24G, ADK STAB PEP-36, ADK STAB PEP-36Z, ADK STAB HP-10, ADK STAB 2112, ADK STAB 260, ADK STAB 522A, ADK STAB 1178, ADK STAB 1500, ADK STAB C, ADK STAB 135A, ADK STAB 3010, ADK STAB TPP, ADK STAB CDA-1, ADK STAB CDA-6, ADK STAB ZS-27, ADK STAB ZS-90, ADK STAB ZS-91(이상, Adeka Corporation 제작), IRGANOX 245FF, IRGANOX 1010FF, IRGANOX 1010, IRGANOX MD1024, IRGANOX 1035FF, IRGANOX 1035, IRGANOX 1098, IRGANOX 1330, IRGANOX 1520L, IRGANOX 3114, IRGANOX 1726, IRGAFOS 168, IRGAMOD 295(BASF Ltd. 제작) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-80, IRGANOX 1726, IRGANOX 1035, IRGANOX 1098을 적합하게 사용할 수 있다.Examples of commercially available phenolic antioxidants include ADK STAB AO-15, ADK STAB AO-18, ADK STAB AO-20, ADK STAB AO-23, ADK STAB AO-30, ADK STAB AO- -40, ADK STAB AO-50, ADK STAB AO-51, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-70, ADK STAB AO-80, ADK STAB AO- , ADK STAB PEP-24, ADK STAB PEP-36, ADK STABA-611, ADK STABA-612, ADK STABA-613, ADK STAB PEP-4C, ADK STAB PEP-8, ADK STAB PEP- STAB PAB-36Z, ADK STAB HP-10, ADK STAB 2112, ADK STAB 260, ADK STAB 522A, ADK STAB 1178, ADK STAB 1500, ADK STAB C, ADK STAB 135A, ADK STAB 3010, ADK STAB TPP, ADK STAB CDA IRGANOX 1010FF, IRGANOX 1010, IRGANOX MD1024, IRGANOX 1035FF, IRGANOX (produced by Adeka Corporation), IRGANOX 245FF, IRGANOX 1010FF, IRGANOX 1035FF, IRGANOX 1035FF, 1035, IRGANOX 1098, IRGANOX 1330, IRGANOX 1520L, IRGANOX 3114, IRGANOX 1726, IRGAFOS 168 and IRGAMOD 295 (manufactured by BASF Ltd.). Among them, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-80, IRGANOX 1726, IRGANOX 1035 and IRGANOX 1098 can be suitably used.

산화방지제의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1∼10질량%인 것이 바람직하고, 0.2∼5질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼4질량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써 형성된 막의 충분한 투명성이 얻어지고, 또한 패턴 형성시의 감도도 양호해진다.The content of the antioxidant is preferably from 0.1 to 10 mass%, more preferably from 0.2 to 5 mass%, and particularly preferably from 0.5 to 4 mass%, based on the total solid content of the photosensitive resin composition. With this range, sufficient transparency of the film formed can be obtained, and sensitivity at the time of pattern formation becomes good.

또한, 산화방지제 이외의 첨가제로서 "고분자 첨가제의 새전개((주)일간공업신문사)"에 기재된 각종 자외선흡수제나 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 좋다.Various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in "New developments of polymer additive " (Nikkan Kogyo Shimbun) can be added to the photosensitive resin composition of the present invention as additives other than the antioxidant.

〔산증식제〕[Acid growth agent]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 감도 향상을 목적으로, 산증식제를 사용할 수 있다.For the purpose of improving the sensitivity, the photosensitive resin composition of the present invention can use an acid growth agent.

본 발명에 사용할 수 있는 산증식제는 산촉매 반응에 의해 더욱 산을 발생하여 반응계 내의 산 농도를 상승시킬 수 있는 화합물이고, 산이 존재하지 않는 상태에서는 안정하게 존재하는 화합물이다. 이러한 화합물은 1회 반응에서 1개 이상의 산이 증가하기 때문에 반응의 진행에 따라 가속적으로 반응이 진행되지만, 발생한 산자체가 자기분해를 야기하기 때문에, 여기서 발생하는 산의 강도는 산해리 정수, pKa로서 3 이하인 것이 바람직하고, 특히 2 이하인 것이 바람직하다.The acid-proliferating agent usable in the present invention is a compound capable of generating an acid by an acid catalytic reaction to raise the concentration of an acid in the reaction system and stably exists in a state in which no acid exists. Such a compound accelerates the reaction in accordance with the progress of the reaction because at least one acid increases in a single reaction, but since the resulting acid itself causes self-decomposition, the strength of the acid generated here is the acid dissociation constant, pKa 3 or less, and particularly preferably 2 or less.

산증식제의 구체예로서는 일본 특허 공개 평10-1508호 공보의 단락번호 [0203]∼[0223], 일본 특허 공개 평10-282642호 공보의 단락번호 [0016]∼[0055] 및 일본 특허 공표 평9-512498호 공보 제39쪽 12줄째∼제47쪽 2줄째에 기재된 화합물을 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 편입된다.Specific examples of the acid proliferating agent include those described in paragraphs [0203] to [0223] of Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-1508, paragraphs [0016] to [0055] of Japanese Patent Application Laid- 9-512498, page 39, line 12 to page 47, line 2, the contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명에서 사용할 수 있는 산증식제로서는 산발생제로부터 발생한 산에 의해 분해되고, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 메탄 술폰산, 벤젠 술폰산, 트리플루오로메탄 술폰산, 페닐포스폰산 등의 pKa가 3 이하의 산을 발생시키는 화합물을 들 수 있다.Examples of the acid growth agent that can be used in the present invention include acids decomposed by an acid generated from an acid generator and having a pKa of 3 or less such as dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, Compounds which generate an acid can be mentioned.

구체적으로는Specifically,

Figure 112015023789728-pct00027
Figure 112015023789728-pct00027

등을 들 수 있다.And the like.

산증식제의 감광성 조성물에의 함유량은 광산발생제 100질량부에 대하여 10∼1,000질량부로 하는 것이 노광부와 미노광부의 용해 콘트라스트의 관점에서 바람직하고, 20∼500질량부로 하는 것이 더욱 바람직하다.The content of the acid proliferating agent in the photosensitive composition is preferably from 10 to 1,000 parts by mass based on 100 parts by mass of the photoacid generator from the viewpoint of dissolution contrast between the exposed portion and the unexposed portion, more preferably from 20 to 500 parts by mass.

〔현상촉진제〕[Development promoter]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 현상촉진제를 함유할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a development accelerator.

현상촉진제로서는 일본 특허 공개 2012-042837호 공보의 단락번호 [0171]∼[0172]의 기재를 참작할 수 있고, 이러한 내용은 본원 명세서에 편입된다.As the phenomenon promoter, mention may be made of paragraphs [0171] to [0172] of Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2012-042837, the contents of which are incorporated herein by reference.

현상촉진제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.The development accelerator may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 현상촉진제의 첨가량은 감도와 잔막율의 관점에서, 감광성 조성물의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0∼30질량부가 바람직하고, 0.1∼20질량부가 보다 바람직하고, 0.5∼10질량부인 것이 가장 바람직하다.The addition amount of the development accelerator in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 0 to 30 parts by mass, more preferably from 0.1 to 20 parts by mass, and still more preferably from 0.5 to 5 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total solid content of the photosensitive composition, from the viewpoints of sensitivity and residual film- Most preferably 10 to 10 parts by mass.

또한, 기타 첨가제로서는 일본 특허 공개 2012-8223호 공보의 단락번호 [0120]∼[0121]에 기재된 열라디칼 발생제, WO2011/136074A1에 기재된 질소 함유 화합물 및 열산발생제도 사용할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 편입된다.As other additives, a thermal radical generator described in paragraphs [0120] to [0121] of Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2012-8223, a nitrogen containing compound described in WO2011 / 136074A1, and a thermal acid generation system, Are incorporated into the specification.

<감광성 수지 조성물의 조제 방법>&Lt; Preparation method of photosensitive resin composition >

각 성분을 소정의 비율로 임의의 방법으로 더 혼합하고, 교반 용해하여 감광성 수지 조성물을 조제한다. 예를 들면, 성분을 각각 미리 용제에 용해시킨 용액으로 한 후, 이들을 소정의 비율로 혼합하여 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 조성물 용액은 구멍지름 0.2㎛의 필터 등을 이용하여 여과한 후에, 사용에 제공할 수도 있다.Each component is further mixed in a predetermined ratio by an arbitrary method, and the mixture is stirred and dissolved to prepare a photosensitive resin composition. For example, it is also possible to prepare a solution in which the components are respectively dissolved in a solvent, and then mix them in a predetermined ratio to prepare a resin composition. The composition solution prepared as described above may be provided for use after filtration using a filter having a pore diameter of 0.2 mu m or the like.

[패턴의 제조 방법][Method of manufacturing pattern]

이어서, 본 발명의 패턴의 제조 방법을 설명한다.Next, a method for producing the pattern of the present invention will be described.

본 발명의 경화막의 제조 방법은 이하의 (1)∼(5)의 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing the cured film of the present invention preferably includes the following steps (1) to (5).

(1) 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 공정;(1) a step of applying the photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate;

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정;(2) removing the solvent from the applied photosensitive resin composition;

(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성광선에 의해 노광하는 공정;(3) exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by an actinic ray;

(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 공정;(4) developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developing solution;

(5) 형성된 레지스트 패턴을 마스크로서 상기 기판을 에칭하는 공정.(5) A step of etching the substrate using the formed resist pattern as a mask.

이하에 각 공정을 순차적으로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1)의 도포 공정에서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하여 용제를 포함하는 습윤막으로 하는 것이 바람직하다. 감광성 수지 조성물을 기판에 도포하기 전에 알칼리 세정이나 플라즈마 세정으로 한 기판의 세정을 행하는 것이 바람직하고, 또한 기판 세정 후에 헥사메틸디실라잔으로 기판 표면을 처리하는 것이 보다 바람직하다. 이 처리를 행함으로써, 감광성 수지 조성물의 기판에의 밀착성이 향상하는 경향이 있다. 헥사메틸디실라잔으로 기판 표면을 처리하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 헥사메틸디실라잔 증기에 기판을 노출시키는 방법 등을 들 수 있다.(1), it is preferable to apply the photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate to form a wet film containing a solvent. It is preferable to clean the substrate subjected to alkali cleaning or plasma cleaning before applying the photosensitive resin composition to the substrate, and it is more preferable to treat the substrate surface with hexamethyldisilazane after the substrate cleaning. By carrying out this treatment, the adhesion of the photosensitive resin composition to the substrate tends to be improved. The method of treating the surface of the substrate with hexamethyldisilazane is not particularly limited, and for example, a method of exposing the substrate to hexamethyldisilazane vapor may be mentioned.

상기 기판으로서는 무기 기판, 수지, 수지 복합 재료 등을 들 수 있고, 예를 들면 크롬막, 몰리브덴막, 몰리브덴 합금막, 탄탈막, 탄탈 합금막, 산화주석을 도프한 산화인듐(ITO)막이나 산화주석막, Ni, Cu, Fe, Al 등의 메탈 기판; 석영, 유리, 질화규소막, 실리콘, 질화실리콘, 폴리실리콘, 산화실리콘, 어모퍼스 실리콘 막, SOG, 반도체 소자 제조용 실리콘 웨이퍼, 액정 소자 제조용 유리 각기판 등의 실리콘 기판; 종이, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 유기 EL 표시 장치에 사용할 수 있는 기타 폴리머 기판 등의 폴리머 기판; 세라믹 재료, Ti 기판, Al 기판 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 본 발명에서는 ITO 기판, 몰리브덴 기판, 실리콘 기판, Cu 기판 또는 Al 기판인 것이 바람직하고, ITO 기판, 몰리브덴 기판 또는 실리콘 기판인 것이 보다 바람직하고, ITO 기판인 것이 더욱 바람직하다.Examples of the substrate include an inorganic substrate, a resin, and a resin composite material. Examples of the substrate include a chromium film, a molybdenum film, a molybdenum alloy film, a tantalum film, a tantalum alloy film, an indium oxide (ITO) film doped with tin oxide, A metal substrate such as a tin film, Ni, Cu, Fe, or Al; Silicon substrates such as quartz, glass, silicon nitride film, silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, amorphous silicon film, SOG, silicon wafers for manufacturing semiconductor devices, glass substrates for manufacturing liquid crystal devices; A polymer substrate such as paper, a polyester film, a polycarbonate film, a polyimide film, and other polymer substrates that can be used in an organic EL display device; A ceramic material, a Ti substrate, an Al substrate, or the like can be used. Among them, an ITO substrate, a molybdenum substrate, a silicon substrate, a Cu substrate, or an Al substrate is preferable in the present invention, more preferably an ITO substrate, a molybdenum substrate, or a silicon substrate.

기판의 형상은 판상이어도 좋고, 롤상이어도 좋다.The shape of the substrate may be a plate shape or a roll shape.

기판에의 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 슬릿코팅법, 스프레이법, 롤코팅법, 회전도포법, 유연(流延)도포법, 스릿 앤드 스핀법 등의 방법을 사용할 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 2009-145395호 공보에 기재되어 있는 것과 같은, 소위 프리웨팅법을 적용하는 것도 가능하다.The coating method on the substrate is not particularly limited and methods such as a slit coating method, a spraying method, a roll coating method, a rotation coating method, a casting method, a slit-and-spin method and the like can be used. It is also possible to apply the so-called prewetting method as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-145395.

도포했을 때의 웨팅막 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 용도에 따른 막 두께로 도포할 수 있지만, 통상은 0.5∼10㎛의 범위에서 사용된다.The thickness of the wetting film when applied is not particularly limited, and it can be applied with a film thickness according to the application, but it is usually used in the range of 0.5 to 10 mu m.

(2)의 용제 제거 공정에서는 도포된 상기 막으로부터, 감압(베큠) 및/또는 가열에 의해 용제를 제거하여 기판 상에 건조 도막을 형성시킨다. 용제 제거 공정의 가열 조건은 바람직하게는 70∼130℃에서 30∼300초간 정도이다. 온도와 시간이 상기 범위인 경우, 패턴의 밀착성이 보다 양호하고, 또한 잔사도 보다 저감시킬 수 있는 경향이 있다.In the solvent removing step of (2), the solvent is removed from the coated film by depressurization and / or heating to form a dried coating film on the substrate. The heating condition of the solvent removing step is preferably about 70 to 130 占 폚 for 30 to 300 seconds. When the temperature and the time are in the above range, the pattern adhesion tends to be better and the residue tends to be lowered.

(3)의 노광 공정에서는 도막을 설치한 기판에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통하여 활성광선을 조사한다. 이 공정에서는 광산발생제가 분해하여 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의해, 도막 성분 중에 포함되는 산분해성기가 가수분해 되어 카르복실기 또는 페놀성 수산기가 생성한다.In the exposure step of the step (3), the substrate provided with the coating film is irradiated with an actinic ray through a mask having a predetermined pattern. In this step, the photoacid generator is decomposed to generate acid. By the catalytic action of the generated acid, the acid-decomposable group contained in the coating film component is hydrolyzed to produce a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.

활성광선에 의한 노광 광원으로서는 저압수은등, 고압수은등, 초고압수은등, 케미컬 램프, LED 광원, 엑시머 레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있고, g선(436nm), i선(365nm), h선(405nm) 등의 파장 300nm 이상 450nm 이하의 파장을 갖는 활성광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라서 장파장 컷오프 필터, 단파장 컷오프 필터, 밴드 패스 필터와 같은 분광 필터를 통과시켜 조사광을 조정할 수도 있다.(436 nm), an i-ray (365 nm), an h-ray (405 nm), and the like can be used as an exposure light source by an active light beam, such as a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, Of an active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. If necessary, the irradiation light may be adjusted by passing through a spectral filter such as a long wavelength cutoff filter, a short wavelength cutoff filter, or a bandpass filter.

노광 장치로서는 미러 프로젝션 얼라이, 스텝퍼, 스캐너, 프록시미티, 콘택트, 마이크로렌즈 어레이, 레이저 노광 등 각종 방식의 노광기를 사용할 수 있다.As the exposure apparatus, various types of exposure apparatus such as a mirror projection apparatus, a stepper, a scanner, a proximity, a contact, a microlens array, and a laser exposure can be used.

산촉매의 생성한 영역에 있어서, 상기 가수분해 반응을 가속시키기 위해서 노광 후 가열 처리: Post Exposure Bake(이하, 「PEB」라고 함)을 행할 수 있다. PEB에 의해, 산분해성기로부터 카르복실기 또는 페놀성 수산기의 생성을 촉진시킬 수 있다. PEB를 행하는 경우의 온도는 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하고, 50℃ 이상 100℃ 이하가 특히 바람직하다.Post-exposure heat treatment: Post Exposure Bake (hereinafter referred to as &quot; PEB &quot;) can be performed to accelerate the hydrolysis reaction in the acid-generated region. PEB can promote the generation of a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group from an acid-decomposable group. The temperature for PEB is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 100 占 폚.

단, 본 발명에 있어서의 산분해성기는 산분해의 활성화 에너지가 낮아 노광에 의한 산발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해하고, 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 발생하기 위해서 반드시 PEB를 행하지 않고 현상에 의해 포지티브형 화상을 형성할 수도 있다.However, the acid decomposable group in the present invention has a low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator due to exposure. In order to generate a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, A positive type image may be formed.

(4)의 공정에서 사용하는 현상액에는 염기성 화합물이 포함되는 것이 바람직하다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산나트륨, 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.It is preferable that the developer used in the step (4) contains a basic compound. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH는 바람직하게는 10.0∼14.0이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은 바람직하게는 30∼180초간이고, 또한 현상의 방법은 액침법, 디핑법 등 중 어느 것이어도 좋다. 현상 후는 유수 세정을 30∼90초간 행하여 소망의 패턴을 형성시킬 수 있다.The development time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of immersion, dipping, and the like. After the development, washing with water for 30 to 90 seconds is carried out to form a desired pattern.

(5)의 공정에서, 레지스트 패턴을 마스크로서 상기 기판을 에칭하는 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 공지의 방법을 사용할 수 있다.In the step (5), a method of etching the substrate using the resist pattern as a mask is not particularly limited, and a known method can be used.

본 발명의 패턴의 제조 방법은 (6) 상기 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 상기 레지스트 패턴을 박리 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 공지의 방법을 사용할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 또는 약품 처리에 의해 레지스트 패턴을 제거해도 좋다.The method for producing a pattern of the present invention may include (6) a step of peeling off the resist pattern. The method of peeling the resist pattern is not particularly limited, and a known method can be used. Further, the resist pattern may be removed by a plasma treatment or a chemical treatment.

[경화막][Coating film]

본 발명에서는 (4) 현상하는 공정 후 현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대해서, 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 이용하여 소정의 온도, 예를 들면 180∼250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫플레이트 상이라면 5∼60분간, 오븐이면 30∼90분간 가열 처리를 함으로써 내열성, 경도 등이 우수한 보호막이나 층간 절연막 등의 경화막을 형성할 수 있다.In the present invention, (4) the pattern corresponding to the unexposed area obtained by the development after the developing process is heated at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 DEG C for a predetermined time , For example, a cured film such as a protective film or an interlayer insulating film excellent in heat resistance and hardness can be formed by heat treatment for 5 to 60 minutes in the case of a hot plate and 30 to 90 minutes in the case of an oven.

또한, 가열 처리를 행할 때는 질소 분위기 하에서 함으로써, 경화막의 투명성을 향상시킬 수도 있다.When the heat treatment is carried out, the transparency of the cured film can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

또한, 가열 처리에 앞서서, 경화막이 패턴상으로 형성한 기판에 활성광선에 의해 재노광한 후 가열하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to heat the substrate after re-exposure to the substrate formed with the patterned cured film by an actinic ray prior to the heat treatment.

즉, 본 발명의 경화막을 형성하기 위해서는 현상하는 공정과 열경화하는 공정 사이에, 활성광선에 의해 재노광하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.That is, in order to form the cured film of the present invention, it is preferable to include a step of re-exposure by an actinic ray between the step of developing and the step of thermosetting.

재노광하는 공정에 있어서의 노광은 상기 노광하는 공정과 동일한 수단에 의해 행하면 좋지만, 상기 재노광하는 공정에서는 기판의 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 막이 형성된 측에 대하여 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다. 재노광하는 공정의 바람직한 노광량으로서는 100∼1,000mJ/㎠이다.The exposure in the step of re-exposure may be performed by the same means as the step of exposing, but in the step of re-exposure, it is preferable to perform the whole surface exposure on the side of the substrate where the film is formed by the photosensitive resin composition of the present invention. A preferable exposure amount of the step for re-exposure is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

[패턴][pattern]

본 발명의 패턴은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻어진 레지스트 패턴을 마스크로서 사용하고, 상기 기판을 에칭하여 얻어진 패턴이다. 본 발명의 패턴은 ITO 패턴, 몰리브덴 패턴 또는 실리콘 패턴으로서 바람직하게 사용할 수 있고, ITO 패턴으로서 보다 바람직하게 사용할 수 있다.The pattern of the present invention is a pattern obtained by using the resist pattern obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention as a mask and etching the substrate. The pattern of the present invention can be preferably used as an ITO pattern, a molybdenum pattern, or a silicon pattern, and can be more preferably used as an ITO pattern.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 감도, 해상성 및 노광 마진이 우수하기 때문에, 직사각형성이 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 본 발명의 패턴은 상기 레지스트 패턴을 사용하는 본 발명의 패턴의 제조 방법으로 얻을 수 있기 때문에 미세 가공할 수 있고, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 고화질한 표시 특성으로 할 수 있다.Since the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in sensitivity, resolution and exposure margin, a resist pattern excellent in rectangularity can be obtained. Since the pattern of the present invention can be obtained by the method for producing a pattern of the present invention using the resist pattern, it is possible to perform microfabrication, and the organic EL display device and the liquid crystal display device can have high-quality display characteristics.

[액정 표시 장치][Liquid crystal display device]

본 발명의 액정 표시 장치는 본 발명의 경화막을 구비하는 것을 특징으로 한다.The liquid crystal display device of the present invention is characterized by including the cured film of the present invention.

본 발명의 액정 표시 장치로서는 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막을 갖는 것 이외에는 특별히 제한되지 않고, 다양한 구조를 갖는 공지의 액정 표시 장치를 들 수 있다.As the liquid crystal display of the present invention, there is no particular limitation but a well-known liquid crystal display device having various structures other than those having a planarizing film or an interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention.

예를 들면, 본 발명의 액정 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는 어모퍼스 실리콘-TFT, 저온 폴리실리콘-TFT, 산화물 반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성이 우수하기 때문에, 이들 TFT에 조합시켜 바람직하게 사용할 수 있다.For example, specific examples of a TFT (Thin-Film Transistor) included in the liquid crystal display device of the present invention include an amorphous silicon TFT, a low-temperature polysilicon TFT, and an oxide semiconductor TFT. Since the cured film of the present invention is excellent in electric characteristics, it can be preferably used in combination with these TFTs.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 취할 수 있는 액정 구동 방식으로서는 TN(TwistedNematic) 방식, VA(Virtical Alignment) 방식, IPS(In-Place-Switching) 방식, FFS(Frings Field Switching) 방식, OCB(Optical Compensated Bend) 방식 등을 들 수 있다.As a liquid crystal driving method that can be adopted by the liquid crystal display of the present invention, twisted nematic (VA), VA (virtual alignment), IPS (in-place switching), FFS Compensated Bend) method.

패널 구성에 있어서는 COA(Color Filter on Allay) 방식의 액정 표시 장치에서도 본 발명의 경화막을 사용할 수 있고, 예를 들면 일본 특허 공개 2005-284291호 공보의 유기 절연막(115)이나, 일본 특허 공개 2005-346054호 공보의 유기 절연막(212)으로서 사용할 수 있다.In the panel structure, the cured film of the present invention can also be used in a COA (Color Filter on All) type liquid crystal display device. For example, the organic insulating film 115 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-284291, And can be used as the organic insulating film 212 of JP-A-346054.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 취할 수 있는 액정 배향막의 구체적인 배향 방식으로서는 러빙 배향법, 광 배향법 등을 들 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 2003-149647호 공보나 일본 특허 공개 2011-257734호 공보에 기재된 PSA(Polymer Sustained Alignment) 기술에 의해 폴리머 배향 지지되어 있어도 좋다.Specific examples of the alignment method of the liquid crystal alignment film that the liquid crystal display device of the present invention can take include a rubbing alignment method and a photo alignment method. It may also be polymer-oriented supported by the PSA (Polymer Sustained Alignment) technique described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2003-149647 and 2011-257734.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은 상기 용도에 한정되지 않고 다양한 용도에 사용할 수 있다. 예를 들면, 평탄화막이나 층간 절연막 이외에도, 컬러필터의 보호막이나 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러필터 상에 설치되는 마이크로렌즈 등에 적합하게 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition of the present invention and the cured film of the present invention are not limited to the above-mentioned applications and can be used for various purposes. For example, in addition to a planarizing film and an interlayer insulating film, a protective film for a color filter or a spacer for keeping the thickness of a liquid crystal layer in a liquid crystal display device constant, a microlens provided on a color filter in a solid- Can be used.

도 1은 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널이고, 액정 패널은 편광 필름이 부착된 2매의 유리 기판(14, 15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 상에 형성된 각 소자에는 경화막(17) 중에 형성된 컨택트홀(18)을 통하여 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명 전극(19) 상에는 액정(20)층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러필터(22)가 설치되어 있다.Fig. 1 is a conceptual cross-sectional view showing an example of an active matrix type liquid crystal display device 10. Fig. This color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface and the liquid crystal panel has TFTs corresponding to all the pixels disposed between two glass substrates 14, (16) are disposed on the substrate. An ITO transparent electrode 19 for forming a pixel electrode is wired through a contact hole 18 formed in the cured film 17 in each element formed on the glass substrate. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a liquid crystal layer 20 and a black matrix are arranged is provided.

백라이트의 광원으로서는 특별히 한정되지 않고 공지의 광원을 사용할 수 있다. 예를 들면, 백색 LED, 청색·적색·녹색 등의 다색 LED, 형광등(냉음극관), 유기 EL 등을 들 수 있다.The light source of the backlight is not particularly limited and a known light source can be used. For example, white LEDs, multicolor LEDs such as blue, red, and green, fluorescent lamps (cold cathode tubes), and organic ELs.

또한, 액정 표시 장치는 3D(입체시)형의 것으로 하거나, 터치패널형의 것으로 하는 것도 가능하다. 또한, 플렉시블형으로 하는 것도 가능하고, 일본 특허 공개 2011-145686호 공보의 제 2 상간 절연막(48)이나, 일본 특허 공개 2009-258758호 공보의 상간 절연막(520)으로서 사용할 수 있다.The liquid crystal display device may be a 3D (stereoscopic) type or a touch panel type. It can also be used as a flexible type, and can be used as a second interlayer insulating film 48 of JP-A-2011-145686 or an inter-phase insulating film 520 of JP-A-2009-258758.

[유기 EL 표시 장치][Organic EL display device]

본 발명의 유기 EL 표시 장치는 본 발명의 경화막을 구비하는 것을 특징으로 한다.The organic EL display device of the present invention is characterized by including the cured film of the present invention.

본 발명의 유기 EL 표시 장치로서는 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막을 갖는 것 이외에는 특별히 제한되지 않고, 다양한 구조를 갖는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device of the present invention is not particularly limited, except that it has a planarizing film or an interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention, and various known organic EL display devices and liquid crystal display devices having various structures .

예를 들면, 본 발명의 유기 EL 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는 어모퍼스 실리콘-TFT, 저온 폴리실리콘-TFT, 산화물 반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성이 우수하기 때문에, 이들 TFT에 조합시켜 바람직하게 사용할 수 있다.For example, specific examples of a TFT (Thin-Film Transistor) included in the organic EL display device of the present invention include an amorphous silicon TFT, a low-temperature polysilicon TFT, and an oxide semiconductor TFT. Since the cured film of the present invention is excellent in electric characteristics, it can be preferably used in combination with these TFTs.

도 2는 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도이다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적인 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.2 is a conceptual diagram showing an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device and has a planarization film 4.

유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태에서 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에, 여기에서는 도시를 생략한 컨택트홀을 형성한 후, 이 컨택트홀을 통하여 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)이 절연막(3) 상에 형성되어 있다. 배선(2)은 TFT(1)간 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed in a state of covering the TFT 1. A contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3 and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 . The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed in the TFT 1 or in a subsequent step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 매입한 상태에서 절연막(3) 상에 평탄화층(4)이 형성되어 있다.The flattening layer 4 is formed on the insulating film 3 in a state in which the irregularities by the wiring 2 are buried in order to planarize the irregularities due to the formation of the wiring 2. [

평탄화막(4) 상에는 보텀 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 상에, ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)이 컨택트홀(7)을 통하여 배선(2)에 접속시켜 형성되어 있다. 또한, 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 해당한다.On the planarizing film 4, a bottom-emission organic EL element is formed. That is, a first electrode 5 made of ITO is formed on the planarization film 4 by being connected to the wiring 2 through the contact hole 7. Also, the first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

제 1 전극(5)의 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되고 있고, 이 절연막(8)을 설치함으로써 제 1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.An insulating film 8 is formed so as to cover the edge of the first electrode 5. By providing this insulating film 8, a short circuit is prevented between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent step can do.

또한, 도 2에는 도시하지 않는 소망의 패턴 마스크를 통하여 정공수송층, 유기발광층, 전자수송층을 순차적으로 증착하여 설치하고, 이어서 기판 상방의 전면에 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 접합시킴으로써 밀봉하고, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.Further, a hole transport layer, an organic luminescent layer, and an electron transport layer are sequentially deposited through a desired pattern mask (not shown in Fig. 2), then a second electrode made of Al is formed on the entire upper surface of the substrate, An organic EL display device of an active matrix type in which an ultraviolet curing type epoxy resin is used to seal by bonding and the TFT 1 for driving each organic EL element is connected is obtained.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 경화성 및 경화막 특성이 우수하기 때문에, MEMS 디바이스의 구조 부재로서 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 레지스트 패턴을 분리벽으로 하거나, 기계 구동 부품의 일부로서 편입하여 사용된다. 이러한 MEMS용 디바이스로서는, 예를 들면 SAW 필터, BAW 필터, 자이로 센서, 디스플레이용 마이크로 셔터, 이미지 센서, 전자 페이퍼, 잉크젯 헤드, 바이오칩, 밀봉제 등의 부품을 들 수 있다. 보다 구체적인 예는, 일본 특허 공표 2007-522531호 공보, 일본 특허 공개 2008-250200호 공보, 일본 특허 공개 2009-263544호 공보 등에 예시되어 있다.Since the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in curability and cured film properties, the resist pattern formed by using the photosensitive resin composition of the present invention as a structural member of the MEMS device can be used as a separating wall, do. Examples of such MEMS devices include SAW filters, BAW filters, gyro sensors, micro-shutters for displays, image sensors, electronic paper, inkjet heads, biochips, and sealants. More specific examples are exemplified in Japanese Patent Publication Nos. 2007-522531, 2008-250200, and 2009-263544.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 평탄성이나 투명성이 우수하기 때문에, 예를 들면 일본 특허 공개 2011-107476호 공보의 도 2에 기재된 뱅크층(16) 및 평탄화막(57), 일본 특허 공개 2010-9793호 공보의 도 4(a)에 기재된 분리벽(12) 및 평탄화막(102), 일본 특허 공개 2010-27591호 공보의 도 10에 기재된 뱅크층(221) 및 제 3 층간 절연막(216b), 일본 특허 공개 2009-128577호 공보의 도 4(a)에 기재된 제 2 층간 절연막(125) 및 제 3 층간 절연막(126), 일본 특허 공개 2010-182638호 공보의 도 3에 기재된 평탄화막(12) 및 화소 분리 절연막(14) 등의 형성에 사용할 수도 있다.Since the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in flatness and transparency, for example, the bank layer 16 and the planarization film 57 shown in Fig. 2 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-107476, Japanese Patent Application Laid- The bank layer 221 and the third interlayer insulating film 216b shown in Fig. 10 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-27591, the Japanese Patent Laid-Open No. 2000-27591, the separating wall 12 and the planarizing film 102 described in Fig. 4 (a) The second interlayer insulating film 125 and the third interlayer insulating film 126 shown in FIG. 4A of JP 2009-128577 A, the planarization film 12 described in FIG. 3 of JP 2010-182638 A, The isolation insulating film 14 and the like.

(실시예)(Example)

이하에 실시예를 들어서 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타낸 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한, 적당하게 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타낸 구체예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. The materials, the amounts used, the ratios, the processing contents, the processing procedures, and the like shown in the following examples can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the following specific examples.

이하의 합성예에 있어서, 이하의 부호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.In the following Synthesis Examples, the following symbols respectively represent the following compounds.

MAEVE: 메타크릴산 1-에톡시에틸MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate

MATHF: 메타크릴산 테트라히드로-2H-푸란-2-일MATHF: tetrahydro-2H-furan-2-yl methacrylate

PHS: 파라히드록시스티렌PHS: Parahydroxy styrene

MAA: 메타크릴산(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)MAA: methacrylic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

HEMA: 히드록시에틸메타크릴레이트(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)HEMA: hydroxyethyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

EDM: (디에틸렌글리콜에틸메틸에테르)(Toho Chemical Industry Co., Ltd. 제작)EDM: (diethylene glycol ethyl methyl ether) (manufactured by Toho Chemical Industry Co., Ltd.)

BzMA: (벤질메타크릴레이트)(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)BzMA: (benzyl methacrylate) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

(합성예 1: 중합체 1의 합성)(Synthesis Example 1: Synthesis of Polymer 1)

알칼리 가용성 수지(VP-8000 Nippon Soda Co., Ltd. 제작) 20g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 320g을 플라스크 중에서 용해하고, 감압 증류를 행하여 물과 PGMEA를 공비 증류제거했다. 함수가 충분히 낮아진 것을 확인한 후, 에틸비닐에테르 24g 및 p-톨루엔술폰산 0.35g을 첨가하고, 실온에서 1시간 교반했다. 거기에 트리에틸아민을 0.28g 첨가하여 반응을 정지했다. 반응액에 아세트산 에틸을 첨가 더욱 수세한 후, 감압 증류제거에 의해 아세트산 에틸, 물, 공비분의 PGMEA를 증류제거하여 산분해성기로 보호된 알칼리 가용성 수지인 중합체 1을 얻었다. 얻어진 수지의 중량 평균 분자량은 11,000이었다. 또한, 다분산도는 1.13이었다.20 g of an alkali-soluble resin (VP-8000, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) and 320 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) were dissolved in a flask and subjected to vacuum distillation to remove water and PGMEA by azeotropic distillation. After confirming that the function was sufficiently lowered, 24 g of ethyl vinyl ether and 0.35 g of p-toluenesulfonic acid were added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. Thereto was added 0.28 g of triethylamine to terminate the reaction. Ethyl acetate was added to the reaction mixture, and the mixture was further washed with water. The ethyl acetate, water and azeotropic distillation of PGMEA were distilled off under reduced pressure to obtain Polymer 1 as an alkali-soluble resin protected with an acid-decomposable group. The weight average molecular weight of the obtained resin was 11,000. The polydispersity was 1.13.

중합체 1의 구조는 p-히드록시스티렌의 1-에톡시에틸 보호체/p-히드록시스티렌 공중합체(30몰%/70몰%)이었다.The structure of Polymer 1 was a 1-ethoxyethyl protected product of p-hydroxystyrene / p-hydroxystyrene copolymer (30 mol% / 70 mol%).

Figure 112015023789728-pct00028
Figure 112015023789728-pct00028

(합성예 2: 중합체 2의 합성)(Synthesis Example 2: Synthesis of Polymer 2)

알칼리 가용성 수지(VP-8000 Nippon Soda Co., Ltd. 제작) 15.6g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 100g을 플라스크 중에서 용해하고, 감압증류를 행하여 물과 PGMEA를 공비 증류제거했다. 함수가 충분히 낮아진 것을 확인한 후, 2,3-디히드로푸란 2.7g 및 p-톨루엔술폰산 0.015g을 첨가하고, 실온에서 2시간 교반했다. 거기에 트리에틸아민을 0.090g 첨가하여 반응을 정지했다. 반응액에 아세트산 에틸을 첨가 더 수세한 후, 감압 증류제거에 의해 아세트산 에틸, 물을 증류제거하여 보호율 25몰%의 가용성 수지인 중합체 2를 얻었다. 얻어진 수지의 중량 평균 분자량은 12,000이었다. 또한, 다분산도는 1.13이었다.15.6 g of an alkali-soluble resin (VP-8000, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) and 100 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) were dissolved in a flask and distilled under reduced pressure to azeotropically remove water and PGMEA. After confirming that the function was sufficiently lowered, 2.7 g of 2,3-dihydrofuran and 0.015 g of p-toluenesulfonic acid were added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. Thereto, 0.090 g of triethylamine was added to terminate the reaction. Ethyl acetate was added to the reaction solution, which was then washed with water, and ethyl acetate and water were distilled off by distillation under reduced pressure to obtain Polymer 2 as a soluble resin with a protection ratio of 25 mol%. The weight average molecular weight of the obtained resin was 12,000. The polydispersity was 1.13.

중합체 2의 구조는 p-히드록시스티렌의 2-테트라히드로푸라닐 보호체/p-히드록시스티렌 공중합체(30몰%/70몰%)이었다.The structure of Polymer 2 was a 2-tetrahydrofuranyl protected product of p-hydroxystyrene / p-hydroxystyrene copolymer (30 mol% / 70 mol%).

Figure 112015023789728-pct00029
Figure 112015023789728-pct00029

<중합체 3의 합성>&Lt; Synthesis of Polymer 3 >

중합체 3을 이하처럼 합성했다.Polymer 3 was synthesized as follows.

에틸비닐에테르 144.2부(2mol 당량)에 페노티아진 0.5부를 첨가하고, 반응계 중을 10℃ 이하로 냉각하면서 메타크릴산 86.1부(1mol 당량)을 적하 후, 실온(25도)에서 4시간 교반했다. p-톨루엔술폰산 피리디늄 5.0부를 첨가 후, 실온에서 2시간 교반하고 하룻밤 실온방치했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5부 및 황산나트륨 5부를 첨가하여 실온에서 1시간 교반하고, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하고 잔사의 황색 유상물을 감압 증류하여 비점(bp.) 43∼45℃/7mmHg 유분의 메타크릴산 1-에톡시에틸(MAEVE) 134.0부를 무색 유상물로서 얻었다.And 0.5 parts of phenothiazine was added to 144.2 parts (2 mol equivalents) of ethyl vinyl ether. While the reaction system was cooled to 10 DEG C or lower, 86.1 parts (1 mol equivalent) of methacrylic acid was added dropwise and the mixture was stirred at room temperature (25 DEG C) for 4 hours . After 5.0 parts of pyridinium p-toluenesulfonate was added, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and allowed to stand at room temperature overnight. 5 parts of sodium hydrogencarbonate and 5 parts of sodium sulfate were added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. After insolubles were filtered off, the mixture was concentrated under reduced pressure at 40 ° C or lower. The yellow oil was distilled under reduced pressure to obtain a boiling point占 폚 / 7 mmHg fraction of 1-ethoxyethyl methacrylate (MAEVE) (134.0 parts) as a colorless oil.

얻어진 메타크릴산 1-에톡시에틸(63.28부(0.4mol 당량)), BzMA(52.83부(0.3mol 당량)), MAA(8.61부(0.1mol 당량)), HEMA(26.03부(0.2mol 당량)) 및 EDM(110.8부)의 혼합 용액을 질소 기류 하 70℃에서 가열했다. 이 혼합 용액을 교반하면서, 라디칼 중합개시제 V-65(상품명, Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작, 4부) 및 EDM(100.0부)의 혼합 용액을 2.5시간 걸쳐서 적하했다. 적하가 종료되고 나서, 70℃에서 4시간 반응시킴으로써 중합체의 EDM 용액(고형분 농도: 40%)을 얻었다.(52.83 parts (0.3 mol equivalent), MAA (8.61 parts (0.1 mol equivalent)) and HEMA (26.03 parts (0.2 mol equivalent)) of the obtained methacrylic acid 1-ethoxyethyl (63.28 parts ) And EDM (110.8 parts) was heated at 70 캜 under a nitrogen stream. While stirring this mixed solution, a mixed solution of radical polymerization initiator V-65 (trade name, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 4 parts) and EDM (100.0 parts) was added dropwise over 2.5 hours. After completion of the dropwise addition, the polymer was reacted at 70 DEG C for 4 hours to obtain an EDM solution (solid concentration: 40%) of the polymer.

얻어진 중합체 3의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량 평균 분자량은 15,000이었다.The polymer 3 thus obtained had a weight average molecular weight of 15,000 as determined by gel permeation chromatography (GPC).

Figure 112015023789728-pct00030
Figure 112015023789728-pct00030

중합체 3의 합성과 동일한 방법으로 중합체 4도 합성했다.Polymer 4 was also synthesized in the same manner as in the synthesis of Polymer 3.

Figure 112015023789728-pct00031
Figure 112015023789728-pct00031

(광산발생제)(Photo acid generator)

PAG-1: 일본 특허 공표 2002-528451호 공보의 단락 [0108]에 기재된 방법에 따라서 합성했다.PAG-1: Synthesized according to the method described in paragraph [0108] of Japanese Patent Publication No. 2002-528451.

Figure 112015023789728-pct00032
Figure 112015023789728-pct00032

Ts 부분은 토실기를 나타낸다.The Ts portion represents a tosyl group.

(지환식 에폭시 화합물)(Alicyclic epoxy compound)

C1: 하기 화합물(제조원: Daicel Chemical Industries, Ltd. 제작, 품번: CELLOXIDE 2021P)C1: The following compound (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., product number: CELLOXIDE 2021P)

Figure 112015023789728-pct00033
Figure 112015023789728-pct00033

C2: 하기 화합물(제조원: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작, 품번: KBM-303)C2: The following compound (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product number: KBM-303)

Figure 112015023789728-pct00034
Figure 112015023789728-pct00034

C3: 하기 화합물(제조원: Daicel Chemical Industries, Ltd. 제작, 품번: CELLOXIDE 2081)C3: The following compound (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., product number: CELLOXIDE 2081)

Figure 112015023789728-pct00035
Figure 112015023789728-pct00035

C4:하기 화합물(제조원: Daicel Chemical Industries, Ltd. 제작, 품번: EPOLEAD GT-401)C4: The following compound (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., product number: EPOLEAD GT-401)

Figure 112015023789728-pct00036
Figure 112015023789728-pct00036

C5: 157S65(제조원: Mitsubishi Chemical Corporation 제작)C5: 157S65 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

C6: 하기 화합물(Nagase ChemteX Corporation 제작, 품번: EX-321L)C6: The following compound (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, product number: EX-321L)

Figure 112015023789728-pct00037
Figure 112015023789728-pct00037

(용제)(solvent)

PGMEA: 메톡시프로필아세테이트(Showa Denko K. K. 제작)PGMEA: Methoxypropyl acetate (manufactured by Showa Denko K. K.)

PGDA: 1,2-프로판디올디아세테이트(비점 190℃, 제조원: Daicel Corporation 제작, 품번: PGDA)PGDA: 1,2-propanediol diacetate (boiling point 190 占 폚, manufactured by Daicel Corporation, part number: PGDA)

1,3-BGDA: 1,3-부탄디올디아세테이트(비점 232℃, 제조원: Daicel Corporation 제작, 품번: 1,3-BGDA)1,3-BGDA: 1,3-butanediol diacetate (boiling point 232 占 폚, manufactured by Daicel Corporation, part number: 1,3-BGDA)

1,6-HDDA: 1,6-헥산디올디아세테이트(비점 260℃, 제조원: Daicel Corporation 제작, 품번: 1,6-HDDA)1,6-HDDA: 1,6-hexanediol diacetate (boiling point: 260 占 폚, manufactured by Daicel Corporation, part number: 1,6-HDDA)

DRA-150: 트리아세틴(비점 260℃, 제조원: Daicel Corporation 제작, 품번: DRA-150)DRA-150: triacetin (boiling point: 260 占 폚, manufactured by Daicel Corporation, product number: DRA-150)

DPNB: 디프로필렌글리콜-n-부틸에테르(비점 229℃, 제조원: Daicel Corporation 제작, 품번: DPNB)DPNB: dipropylene glycol-n-butyl ether (boiling point 229 캜, manufactured by Daicel Corporation, product number: DPNB)

BDGAC: 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트(비점 247℃, 제조원: Daicel Corporation 제작, 품번: DPNB)BDGAC: diethylene glycol monobutyl ether acetate (boiling point: 247 캜, manufactured by Daicel Corporation, product number: DPNB)

(증감제)(Sensitizer)

G-1(제조원: Kawasaki Kasei Chemicals Ltd. 제작, 품번: 9,10-디부톡시안트라센)G-1 (manufactured by Kawasaki Kasei Chemicals Ltd., product number: 9,10-dibutoxyanthracene)

Figure 112015023789728-pct00038
Figure 112015023789728-pct00038

(염기성 화합물)(Basic compound)

H-1: (제조원: Toyokasei Co., Ltd. 제작, 품번: CMTU)H-1: (manufactured by Toyokasei Co., Ltd., product number: CMTU)

Figure 112015023789728-pct00039
Figure 112015023789728-pct00039

(감광성 수지 조성물의 조정)(Adjustment of photosensitive resin composition)

하기 표에 나타낸 조성이 되도록 각 성분을 용해 혼합하고, 구멍지름 0.2㎛의 폴리테트라플루오르에틸렌제 필터로 여과하여 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 얻었다. 또한, 배합비는 하기 표와 같이 했다.Each component was dissolved and mixed so as to have the composition shown in the following table, and filtered with a filter made of polytetrafluoroethylene having a pore diameter of 0.2 m to obtain photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples. The mixing ratio was as shown in the following table.

·(A) 중합체 표에 나타내는 비율(중량비)로, (A1)과 (A2)를 블랜딩했다.(A1) and (A2) were blended in the ratio (weight ratio) shown in the polymer table (A).

·(B) 광산발생제 (A) 중합체 100중량부에 대하여, 3.0중량%(B) Photoacid generator (A) The photoacid generator (A) is added in an amount of 3.0 wt%

·지환식 에폭시 화합물 (A) 중합체 100중량부에 대하여, 하기 표에 기재된 대로 양을 배합했다.· 100 parts by weight of the alicyclic epoxy compound (A) polymer was blended as described in the following table.

·(D1) 용제 전체 용제에 대하여, 하기 표에 기재된 대로 양을 배합했다.(D1) Solvent The total amount of the solvent was mixed as shown in the following table.

·(D2) 용제 불휘발분이 조성물에 대하여 20중량%가 되도록 조제했다.(D2) The solvent was prepared so that the non-volatile content thereof was 20% by weight based on the composition.

·염기성 화합물 (A) 중합체 100중량부에 대하여, 0.2중량%- Basic compound (A): 0.2 wt%

·증감제 (A) 중합체 100중량부에 대하여, 3.0중량%Amount (A): The amount of the sensitizer (A) relative to 100 parts by weight of the polymer is 3.0%

이상에 의해 얻어지는 각 실시예, 각 비교예의 감광성 수지 조성물에 대해서, 이하에 나타내는 각 평가를 행했다.The following evaluations were performed on the photosensitive resin compositions of the respective examples and comparative examples obtained as described above.

<감도의 평가>&Lt; Evaluation of sensitivity &

세정, HMDS 처리한 유리 기판에 1.3㎛의 막 두께로 도포하고, 마스크를 통하여 노광 현상하여 10㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 정확히 10㎛가 되는 노광량을 최적 노광량으로서 감도를 평가했다. 3 이상이 실용 레벨이다.Coated on a glass substrate subjected to cleaning and HMDS treatment to a film thickness of 1.3 mu m and exposed and developed through a mask to evaluate the sensitivity at an exposure amount at which a line and space pattern of 10 mu m was exactly 10 mu m as an optimum exposure amount. 3 or more is a practical level.

1: 100mJ/㎠ 이상의 노광량이 필요1: Requires exposure of 100 mJ / cm2 or more

2: 50mJ/㎠ 이상 100mJ/㎠ 미만의 노광량이 필요2: Requires exposure of less than 50 mJ / cm 2 and less than 100 mJ / cm 2

3: 20mJ/㎠ 이상 50mJ/㎠ 미만의 노광량이 필요3: Exposure amount of less than 20mJ / cm2 and less than 50mJ / cm2 is required

4: 10mJ/㎠ 이상 20mJ 미만의 노광량4: Exposure amount of not less than 10 mJ / cm 2 and not more than 20 mJ

5: 10mJ/㎠ 미만의 노광량5: exposure amount less than 10 mJ / cm &lt; 2 &gt;

<선폭 안정성의 평가>&Lt; Evaluation of line width stability &

세정, HMDS 처리한 유리 기판에 1.3㎛의 막 두께로 도포하고, 마스크를 통하여 10㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 정확히 10㎛가 되는 노광량으로 노광, 현상하고, 이러한 라인 앤드 스페이스 패턴 부착 기판을 10매 준비하고, 기판 1매마다 10점, 광학식 계측기 ZYGO New View 7200(ZYGO Corp. 제작)으로 10㎛의 라인 폭을 측정하고, 계 100점의 실측 선폭의 표준편차(σ)를 계산했다. 평가 기준은 하기와 같고, 3 이상이 실용 레벨이다.Washed and HMDS-treated glass substrate to a film thickness of 1.3 mu m, and exposed and developed at an exposure amount such that a line-and-space pattern of 10 mu m was exactly 10 mu m through the mask. The substrate with the line- The line width of 10 mu m was measured with an optical measuring instrument ZYGO New View 7200 (manufactured by ZYGO Corp.) at 10 points per substrate, and the standard deviation (?) Of the actual line width of 100 lines was calculated. The evaluation criteria are as follows, and three or more are practical levels.

1: 표준편차(σ)가 0.4㎛ 이상1: standard deviation (sigma) of 0.4 mu m or more

2: 표준편차(σ)가 0.2㎛ 이상, 0.4㎛ 미만2: a standard deviation (sigma) of not less than 0.2 mu m and not more than 0.4 mu m

3: 표준편차(σ)가 0.15㎛ 이상, 0.25㎛ 미만3: a standard deviation (sigma) of not less than 0.15 mu m and not more than 0.25 mu m

4: 표준편차(σ)가 0.1㎛ 이상, 0.15㎛ 미만4: a standard deviation (sigma) of not less than 0.1 mu m and not more than 0.15 mu m

5: 표준편차(σ)가 0.1㎛ 미만5: Standard deviation (sigma) of less than 0.1 mu m

<해상도의 평가><Evaluation of resolution>

세정, HMDS 처리한 유리 기판에 1.3㎛의 막 두께로 도포하고, 마스크를 통하여 노광 현상하고, 라인 앤드 스페이스 패턴 중 해상할 수 있는 가장 작은 패턴을 해상도로 했다. 3이 상이 실용 레벨이다.Coated on a glass substrate subjected to cleaning and HMDS treatment to a film thickness of 1.3 mu m and exposed and developed through a mask to obtain a resolution which is the smallest resolution of the line and space pattern. 3 or more is a practical level.

1: 해상도가 5㎛ 이상1: Resolution of 5 탆 or more

2: 3.0㎛는 해상하지만 2.5㎛는 해상하지 않음2: 3.0 μm resolved but 2.5 μm not resolved

3: 2.5㎛는 해상하지만 2.0㎛는 해상하지 않음3: 2.5 ㎛ resolved but 2.0 ㎛ resolved

4: 2.0㎛이 해상 하지만 1.5㎛은 해상하지 않음4: 2.0 μm resolved but 1.5 μm not resolved

5: 1.5㎛는 해상함5: 1.5 ㎛ resolved

<직사각형성의 평가>&Lt; Evaluation of rectangularity &

세정, HMDS 처리한 유리 기판에 1.3㎛의 막 두께로 도포하고, 마스크를 통하여 10㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 정확히 10㎛가 되는 노광량으로 노광, 현상하여 형성한 기판을 핫플레이트를 사용하여, 140℃의 온도에서 3분간 Post Bake하고 3㎛의 L&S 화소의 테이퍼 각도를 측정하여 이것을 직사각형성으로 했다. 3 이상이 실용 레벨이다.Washed and HMDS-treated glass substrate with a film thickness of 1.3 mu m, and exposed and developed with an exposure amount such that a line-and-space pattern of 10 mu m was exactly 10 mu m through the mask, Temperature bake for 3 minutes and measuring the taper angle of the L & S pixel of 3 mu m to make it rectangular. 3 or more is a practical level.

1: 테이퍼 각도가 30°미만1: Taper angle less than 30 °

2: 테이퍼 각도가 30°이상 45°미만2: Taper angle is 30 ° or more and less than 45 °

3: 테이퍼 각도가 45°이상 60°미만3: Taper angle is more than 45 ° and less than 60 °

4: 테이퍼 각도가 60°이상 75°미만4: Taper angle is 60 ° or more and less than 75 °

5: 테이퍼 각도가 75°이상5: Taper angle is more than 75 °

Figure 112015023789728-pct00040
Figure 112015023789728-pct00040

상기 표에 나타낸 바와 같이, 각 실시예의 감광성 수지 조성물은 각 비교예의 감광성 수지 조성물과 대비에 있어서, 감도, 해상성 및 직사각형성 중 어느 하나의 평가에 대해서도 우수한 결과가 얻어지는 것을 알았다.As shown in the above table, it was found that the photosensitive resin compositions of the respective Examples had excellent results in evaluation of sensitivity, resolution, and rectangularity in comparison with the photosensitive resin compositions of the respective comparative examples.

(실시예 16)(Example 16)

<유기 EL 표시 장치><Organic EL Display Device>

ITO 패턴을 구비하는 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1 참조).An organic EL display device having an ITO pattern was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태에서 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 이어서 이 절연막(3)에, 여기에서는 도시를 생략한 컨택트홀을 형성한 후, 이 컨택트홀를 통하여 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 상에 형성했다. 이 배선(2)은 TFT(1)간 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 was formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed in a state of covering the TFT 1. Subsequently, a contact hole (not shown) was formed in the insulating film 3, and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole was formed on the insulating film 3 . This wiring 2 is for connecting the organic EL element formed in the TFT 1 or in a subsequent step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 매입하는 상태에서 절연막(3) 상에 평탄화막(4)을 형성했다. 절연막(3) 상의 평탄화막(4)의 형성은 일본 특허 공개 2009-98616호 공보의 실시예 1에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 스핀 도포하고 핫플레이트 상에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후, 마스크 상에서 고압수은등을 사용하여 i선(365nm)을 45mJ/㎠(조도 20mW /㎠) 조사한 후, 알카리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다.In order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2, the flattening film 4 was formed on the insulating film 3 in the state of embedding the irregularities by the wirings 2. The formation of the planarization film 4 on the insulating film 3 is carried out by spin-coating the photosensitive resin composition described in Example 1 of JP-A No. 2009-98616 on a substrate and pre-baking (90 占 폚 for 2 minutes) on a hot plate After irradiating i-line (365 nm) with 45 mJ / cm 2 (illuminance of 20 mW / cm 2) using a high-pressure mercury lamp on a mask, the pattern was formed by developing with an aqueous alkali solution and heat treatment was conducted at 230 ° C for 60 minutes.

감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하여 노광, 현상, 소성 후에 얻어지는 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500nm, 제작한 평탄화막(4)의 막 두께는 2,000nm이었다.The coating properties at the time of applying the photosensitive resin composition were good, and no wrinkles or cracks were observed in the cured films obtained after exposure, development and firing. The average step of the wiring 2 was 500 nm, and the thickness of the planarization film 4 was 2,000 nm.

이어서, 얻어진 평탄화막(4) 상에 보텀 에미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 우선, 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)을 컨택트홀(7)을 통하여 배선(2)에 접속시켜 형성했다. 그 후, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 ITO 기판 상에 스핀 도포하고 핫플레이트 상에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후, 마스크 상에서 고압수은등을 사용하여 i선(365nm)을 20mJ/㎠(조도 20mW /㎠) 조사한 후, 알카리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성했다. 그 후, 에칭 공정 전에 140℃에서 3분간 포스트베이킹 가열 처리를 행했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로서, ITO 에천트(3% 옥살산 수용액)에 40℃/1분 침지시킴으로써 웨트 에칭에 의해 ITO의 패턴 가공을 행했다. 그 후, 레지스트 박리액(MS2001, Fujifilm Electronic Materials Co., Ltd. 제작)에 70℃/7분 침지시켜 상기 레지스트 패턴을 박리했다. 이와 같이 하여 얻어진 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 해당한다.Subsequently, a bottom-emission type organic EL device was formed on the obtained planarization film 4. First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by connecting it to the wiring 2 through the contact hole 7. [ Thereafter, the photosensitive resin composition of Example 1 was spin-coated on an ITO substrate and pre-baked (90 占 폚 for 2 minutes) on a hot plate. Then, an i-line (365 nm) was irradiated on the mask with a high pressure mercury lamp at 20 mJ / Irradiated at an illuminance of 20 mW / cm 2), and then developed with an aqueous alkaline solution to form a pattern. Thereafter, post-baking heat treatment was performed at 140 캜 for 3 minutes before the etching step. ITO patterning was carried out by wet etching by immersing the resist pattern in a ITO etchant (3% oxalic acid aqueous solution) at 40 DEG C for 1 minute using the resist pattern as a mask. Subsequently, the resist pattern was peeled by immersing the resist in a resist stripping solution (MS2001, manufactured by Fujifilm Electronic Materials Co., Ltd.) at 70 DEG C for 7 minutes. The first electrode 5 thus obtained corresponds to the anode of the organic EL element.

이어서, 제 1 전극(5)의 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막(8)에는 일본 특허 공개 2009-98616호 공보의 실시예 1에 기재된 감광성 수지 조성물을 사용하고, 상기와 동일한 방법으로 절연막(8)을 형성했다. 이 절연막(8)을 설치함으로써, 제 1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Then, an insulating film 8 having a shape covering the edge of the first electrode 5 was formed. As the insulating film 8, the insulating film 8 was formed in the same manner as above using the photosensitive resin composition described in Example 1 of JP-A-2009-98616. By providing this insulating film 8, it is possible to prevent a short circuit between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent step.

또한, 진공 증착 장치 내에서 소망의 패턴 마스크를 통하여 정공수송층, 유기발광층, 전자수송층을 순차적으로 증착하여 설치했다. 이어서, 기판 상방의 전면에 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성했다. 얻어지는 상기 기판을 증착기로부터 취출하고 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 접합함으로써 밀봉했다.Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially evaporated through a desired pattern mask in a vacuum evaporation apparatus. Then, a second electrode made of Al was formed on the entire upper surface of the substrate. The obtained substrate was taken out from the evaporator, and sealed by using a sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속하여 이루어지는 매트릭스형의 ITO 패턴을 구비하는 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동 회로를 통하여 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알았다.As described above, an organic EL display device having a matrix-type ITO pattern in which TFTs 1 for driving the organic EL elements were connected to each organic EL element was obtained. It was found that the organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable when a voltage is applied through a driving circuit.

(실시예 17)(Example 17)

<액정 표시 장치><Liquid Crystal Display Device>

ITO 패턴을 구비하는 액정 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다.A liquid crystal display device having an ITO pattern was produced by the following method.

특허 제3321003호 공보의 도 1에 기재된 액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치에 있어서, 화소 전극(4)을 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 마스크로서 사용하여 형성하고, 실시예 17의 액정 표시 장치를 얻었다.In the active matrix type liquid crystal display device shown in Fig. 1 of Japanese Patent No. 3321003, the pixel electrode 4 was formed using the photosensitive resin composition of Example 1 as a mask, and a liquid crystal display device of Example 17 was obtained .

즉, 상기 실시예 16에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제 1 전극(5)의 형성 방법과 동일한 방법으로 화소 전극(4)을 형성했다.That is, the pixel electrode 4 was formed in the same manner as in the method of forming the first electrode 5 of the organic EL display device in Example 16.

얻어진 ITO 패턴을 구비하는 액정 표시 장치에 대하여 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알았다.It was found that when a driving voltage was applied to a liquid crystal display device having the obtained ITO pattern, the liquid crystal display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

1: TFT(박막 트랜지스터) 2: 배선
3: 절연막 4: 평탄화막
5: 제 1 전극 6: 유리 기판
7: 컨택트홀 8: 절연막
10: 액정 표시 장치 12: 백라이트 유닛
14, 15: 유리 기판 16: TFT
17: 경화막 18: 컨택트홀
19: ITO 투명 전극 20: 액정
22: 컬러필터
1: TFT (thin film transistor) 2: wiring
3: insulating film 4: planarization film
5: first electrode 6: glass substrate
7: Contact hole 8: Insulating film
10: liquid crystal display device 12: backlight unit
14, 15: glass substrate 16: TFT
17: curing film 18: contact hole
19: ITO transparent electrode 20: liquid crystal
22: Color filter

Claims (14)

하기 일반식 1로 나타내어지는 구성단위 a1을 갖는 중합체를 포함하는 중합체 성분 A1,
광산발생제 B,
지환식 에폭시 화합물 C, 및
분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제 D1을 함유하고,
상기 지환식 에폭시 화합물 C는 하기 일반식 I로 나타내어지는 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물;
Figure 112016111426411-pct00047

[일반식 1 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽은 알킬기 또는 아릴기이고; R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋고; R4는 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다.]
Figure 112016111426411-pct00048

[일반식 I 중, n은 1∼4의 정수를 나타낸다.
R1은 탄소수 1∼15개의 유기기를 나타내며, 상기 유기기는 탄화수소기, 또는 탄화수소기와 -O-, -CO-, -S- 및 -NR- 중 적어도 1개를 조합시켜 이루어지는 기이고, 상기 R은 수소원자 또는 탄소수 1∼7개의 알킬기를 나타낸다.]
A polymer component A1 comprising a polymer having a structural unit a1 represented by the following general formula 1,
Photoacid generator B,
Alicyclic epoxy compound C, and
A solvent D1 containing two or more acetate structures in the molecule,
Wherein the alicyclic epoxy compound (C) is a compound represented by the following general formula (I);
Figure 112016111426411-pct00047

Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group; R 3 represents an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether; And R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group.
Figure 112016111426411-pct00048

[In the general formula (I), n represents an integer of 1 to 4;
R 1 represents an organic group having 1 to 15 carbon atoms, and the organic group is a hydrocarbon group or a group formed by combining at least one of hydrocarbon group, -O-, -CO-, -S-, and -NR-, A hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 일반식 I로 나타내어지는 화합물 중의 n은 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein n in the compound represented by the general formula (I) is 1 or 2. 2. The photosensitive resin composition according to claim 1,
제 1 항에 있어서,
산분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위 a4를 갖는 중합체 성분 A2를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Further comprising a polymer component A2 having a constituent unit a4 having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group.
제 4 항에 있어서,
상기 구성단위 a4는 하기 일반식 A2'로 나타내어지는 구성단위인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물;
Figure 112015023916191-pct00043

일반식 A2' 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽은 알킬기 또는 아릴기이고, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, X0은 단일 결합 또는 아릴렌기를 나타낸다.
5. The method of claim 4,
Wherein the structural unit a4 is a structural unit represented by the following general formula A2 ';
Figure 112015023916191-pct00043

Wherein at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group, R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X 0 represents a single bond or an arylene group.
제 1 항에 있어서,
상기 지환식 에폭시 화합물 C의 함유량은 전체 고형분량에 대하여 0.05∼5질량%인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the content of the alicyclic epoxy compound (C) is 0.05 to 5% by mass relative to the total solid content.
제 1 항에 있어서,
상기 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제 D1과, 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제 D1과 다른 용제 D2를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
A solvent D1 containing two or more acetate structures in the molecule and a solvent D1 containing two or more acetate structures in the molecule and a solvent D2 different from the solvent D1.
제 1 항에 있어서,
상기 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제 D1의 비점은 130℃ 이상 300℃ 미만인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the solvent D1 containing two or more acetate structures in the molecule has a boiling point of 130 占 폚 or more and less than 300 占 폚.
제 1 항에 있어서,
상기 분자 내에 아세테이트 구조를 2개 이상 함유하는 용제 D1의 함유량은 상기 감광성 수지 조성물의 1∼10질량%인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the content of the solvent D1 containing two or more acetate structures in the molecule is 1 to 10% by mass of the photosensitive resin composition.
기판의 적어도 한쪽의 면에, 제 1 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 도포하는 공정,
건조에 의해 유기용제를 휘발시켜 감광성 수지 조성물층을 형성하는 공정,
상기 감광성 수지 조성물층을 노광하는 공정,
노광된 상기 감광성 수지 조성물층을 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법.
A step of applying the photosensitive resin composition described in claim 1 on at least one surface of a substrate,
A step of volatilizing the organic solvent by drying to form a photosensitive resin composition layer,
A step of exposing the photosensitive resin composition layer,
And a step of developing the exposed photosensitive resin composition layer.
제 10 항에 있어서,
형성된 패턴을 에칭용 레지스트로서 사용하여 에칭을 행하는 공정, 및 상기 패턴을 플라즈마 처리 또는 약품 처리에 의해 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
A step of performing etching using the formed pattern as an etching resist, and a step of removing the pattern by a plasma treatment or a chemical treatment.
제 1 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 경화시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 경화막.A cured film characterized by being formed by curing the photosensitive resin composition according to claim 1. 제 10 항에 기재된 패턴의 제조 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.A manufacturing method of an organic EL display device, characterized by comprising the method of manufacturing a pattern according to claim 10. 제 10 항에 기재된 패턴의 제조 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.A manufacturing method of a liquid crystal display device, which comprises the manufacturing method of a pattern according to claim 10.
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