KR101728100B1 - Method for preparation of polyimide film using porous particles and polyimide film having low permittivity - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기공을 갖는 입자를 이용하여 폴리이미드 필름을 제조하는 방법, 및 상기 방법에 따라 제조된 저유전율의 폴리이미드 필름에 관한 것으로, 본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 평균 입경이 10 ㎛ 이하이고, 그 입자 고유 물질의 진밀도 대비 95% 이하의 진밀도를 갖는 기공을 갖는 입자를 포함함으로써 종래의 폴리이미드 필름보다 낮은 유전율을 발현할 수 있으므로 저유전율이 요구되는 인쇄 회로기판 등의 전기/전자 기기 및 부품의 제조에 유용하게 사용될 수 있다. The present invention relates to a method of producing a polyimide film using particles having pores and a low dielectric constant polyimide film produced by the method, wherein the polyimide film according to the present invention has an average particle size of 10 탆 or less , And particles having pores having a true density of less than 95% of the true density of the particle specific material can be exhibited, so that the dielectric constant can be lower than that of the conventional polyimide film. Therefore, electric / electronic And can be usefully used for manufacturing apparatus and parts.

Figure 112015006476980-pat00002
Figure 112015006476980-pat00002

Description

기공을 갖는 입자를 이용한 폴리이미드 필름의 제조방법 및 저유전율의 폴리이미드 필름{METHOD FOR PREPARATION OF POLYIMIDE FILM USING POROUS PARTICLES AND POLYIMIDE FILM HAVING LOW PERMITTIVITY} TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method for producing a polyimide film using particles having pores and a polyimide film having a low dielectric constant,

본 발명은 기공을 갖는 입자를 이용하여 폴리이미드 필름을 제조하는 방법, 및 상기 방법에 따라 제조된 저유전율의 폴리이미드 필름에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of producing a polyimide film using particles having pores and a low dielectric constant polyimide film produced by the method.

일반적으로 폴리이미드(PI) 수지라 함은 방향족 디안하이드라이드와 방향족 디아민 또는 방향족 디이소시아네이트를 용액 중합하여 폴리아믹산 유도체를 제조한 후, 고온에서 폐환 탈수시켜 이미드화하여 제조되는 고내열수지를 일컫는다. In general, polyimide (PI) resin refers to a high heat resistant resin prepared by solution polymerization of an aromatic dianhydride and an aromatic dianhydride or an aromatic diisocyanate to prepare a polyamic acid derivative, followed by ring-closing dehydration at a high temperature and imidization.

폴리이미드 수지는 불용, 불융의 초고내열성 수지로서 내열산화성, 내열특성, 내방사선성, 저온특성, 내약품성 등이 우수한 특성을 가지고 있어, 자동차 재료, 항공소재, 우주선 소재 등의 내열 첨단소재 및 절연코팅제, 절연막, 반도체, TFT-LCD의 전극 보호막 등 전자재료에 광범위한 분야에 사용되고 있다. Polyimide resin is an insoluble and infusible ultra-high temperature resistant resin. It has excellent heat resistant oxidizing property, heat resistance property, radiation resistance property, low temperature property and chemical resistance. It is a high heat resistant material such as automobile material, Coating materials, insulating films, semiconductors, and electrode protective films for TFT-LCDs.

최근에는, 고도 정보화 사회에 대응하는 대량의 정보를 축적하여, 이러한 정보를 고속으로 처리하고, 고속으로 전달하기 위한 전자기기에 있어서, 이들에 사용되는 폴리이미드 수지에도 고성능화, 특히 고주파화에 대응하는 전기적 특성으로서 저유전율화 및 저유전 정접(正接)화가 요구되고 있다. In recent years, in an electronic apparatus for accumulating a large amount of information corresponding to a highly information-oriented society and processing such information at a high speed and delivering it at a high speed, it has been desired to provide a polyimide resin, A low dielectric constant and a low dielectric constant tangent are required as electrical characteristics.

폴리이미드 수지의 저유전율화의 시도로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 제2000-44719호에서 유기 용매에 가용성인 폴리이미드 수지 전구체 중에 친수성 중합체를 분산시켜, 이러한 친수성 중합체를 소성 또는 용매 추출에 의해서 제거함으로써 다공질화하여, 다공질 폴리이미드 수지를 수득하는 것이 제안되어 있다. 그러나, 이와 같이 친수성 중합체를 제거하여 다공질화하는 경우에는 친수성 중합체가 폴리이미드 수지 전구체 중에 분산된 미세상 분리 구조의 형태가 그대로 유지되며 구멍이 형성되는 것이 이상적이지만, 친수성 중합체를 그대로 소성 또는 용매 추출에 의해서 제거한 후 이미드화하면, 구멍이 편평 또는 폐색되어 공공률(空孔率)이 이상값보다도 작아져서 유전율을 충분히 저하시킬 수 없는 문제를 발생시킨다. As an attempt to lower the dielectric constant of the polyimide resin, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-44719 discloses a method of dispersing a hydrophilic polymer in a polyimide resin precursor soluble in an organic solvent and then subjecting the hydrophilic polymer to firing or solvent extraction To thereby obtain a porous polyimide resin. However, when the hydrophilic polymer is removed and thus made porous, it is ideal that the microphase separation structure in which the hydrophilic polymer is dispersed in the polyimide resin precursor is maintained as it is and the pores are formed. However, The hole is flattened or clogged, and the porosity becomes smaller than the ideal value, so that the dielectric constant can not be sufficiently lowered.

대한민국 특허 제1299652호는 연성 금속 적층판을 제조함에 있어 불소 입자를 사용하는 구성에 대해서 개시하고 있으나, 그 방법이 불소입자 단분자의 적용에 대한 것이고, 상기 불소 입자는 잘 분산되지 않는다는 단점이 있다.Korean Patent No. 1299652 discloses a construction using fluorine particles in the production of a flexible metal laminate, but the method is based on the application of monomolecular fluorine particles, and the fluorine particles are not well dispersed.

이에 본 발명자들은 공기가 갖는 전기적인 특성을 기공을 갖는 입자를 통해 구현하여 기존의 폴리이미드 필름이 갖는 유전율보다 낮은 유전율을 구현하는 것은 물론, 제조공정에서 상기 기공을 갖는 입자의 분산성 및 가라앉음 현상을 개선한 폴리이미드 필름의 제조방법을 개발함으로써 본 발명을 완성하였다.
Accordingly, the present inventors have realized that the electrical properties of air can be realized through particles having pores, thereby realizing a dielectric constant lower than the dielectric constant of existing polyimide films, and in addition, dispersibility and sinking of particles having pores in the manufacturing process The present inventors have completed the present invention by developing a method for producing a polyimide film with improved development.

[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 제2000-44719호[Patent Document 1] JP-A-2000-44719

[특허문헌 2] 대한민국 특허 제1299652호
[Patent Document 2] Korean Patent No. 1299652

따라서, 본 발명의 목적은 기공을 갖는 입자를 이용하여 폴리이미드 필름을 제조하는 방법 및 상기 방법에 따라 제조된 저유전율의 폴리이미드 필름을 제공하는 것이다.
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for producing a polyimide film using particles having pores and a polyimide film having a low dielectric constant produced according to the method.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, In order to achieve the above object,

1) 폴리이미드 전구체를 제조하는 단계; 1) preparing a polyimide precursor;

2) 상기 폴리이미드 전구체에 기공을 갖는 입자를 포함하는 이미드화 변환액을 혼합하여 겔 필름을 제조하는 단계; 및2) mixing a polyimide precursor with an imidization conversion liquid containing particles having pores to prepare a gel film; And

3) 상기 겔 필름을 열처리하여 이미드화하는 단계를 포함하며, 3) heat treating the gel film to imidize the gel film,

이때 상기 기공을 갖는 입자가 평균 입경이 10 ㎛ 이하이고, 그 입자 고유 물질의 진밀도(particle density) 대비 95% 이하의 진밀도를 갖는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드 필름의 제조방법을 제공한다.Wherein the particles having pores have an average particle diameter of 10 mu m or less and a true density of 95% or less of a particle density of the particle specific material.

상기 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 기공을 갖는 입자를 포함하는 폴리이미드 필름으로서, 상기 기공을 갖는 입자가 평균 입경이 10 ㎛ 이하이고, 그 입자 고유 물질의 진밀도 대비 95% 이하의 진밀도를 갖는, 폴리이미드 필름을 제공한다.
In order to achieve the above other objects, the present invention provides a polyimide film comprising particles having pores, wherein the particles having pores have an average particle diameter of 10 mu m or less and a pore diameter of 95% or less Density polyimide film.

본 발명에 따르면, 기공을 갖는 입자를 이용함으로써 유전율을 최소화한 폴리이미드 필름을 제조할 수 있으므로 전자기기 등의 내부 절연체, 완충재, 회로기판 등에 유용하게 사용될 수 있다.
INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to produce a polyimide film having a minimum permittivity by using particles having pores, and therefore can be usefully used for an inner insulator, a buffer material, a circuit board, and the like for electronic devices.

도 1은 본 발명에 따른 폴리이미드 필름 단면의 주사전자현미경(SEM) 사진을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 폴리이미드 필름 표면에 기공을 갖는 입자가 분산된 상태를 보여주는 SEM 사진을 나타낸 것이고, 도 3은 이를 부분 확대한 입자 상태를 보여주는 SEM 사진을 나타낸 것이다.
1 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of a section of a polyimide film according to the present invention.
FIG. 2 is a SEM photograph showing a state in which particles having pores are dispersed on the surface of the polyimide film according to the present invention, and FIG. 3 is a SEM photograph showing the state of the particle partially enlarged.

본 발명은 1) 폴리이미드 전구체를 제조하는 단계; 2) 상기 폴리이미드 전구체에 기공을 갖는 입자를 포함하는 이미드화 변환액을 혼합하여 겔 필름을 제조하는 단계; 및 3) 상기 겔 필름을 열처리하여 이미드화하는 단계를 포함하며, 이때 상기 기공을 갖는 입자가 평균 입경이 10 ㎛ 이하이고, 그 입자 고유 물질의 진밀도 대비 95% 이하의 진밀도를 갖는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드 필름의 제조방법을 제공한다.
The present invention provides a method for producing a polyimide precursor, comprising: 1) preparing a polyimide precursor; 2) mixing a polyimide precursor with an imidization conversion liquid containing particles having pores to prepare a gel film; And 3) heat treating the gel film to imidize the particles. The pore-forming particles have an average particle diameter of 10 m or less and a true density of 95% or less of the true density of the particle-specific substance By weight based on the total weight of the polyimide film.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름의 제조방법은, 폴리이미드 전구체를 제조하는 단계를 포함한다. The method for producing a polyimide film according to the present invention includes a step of producing a polyimide precursor.

본 발명에 사용되는 폴리이미드 전구체는 이미드화에 의해 폴리이미드 수지가 될 수 있는 것이라면 무엇이든 사용할 수 있다. 예를 들어 통상적인 방법에 따라 산 이무수물 성분과 디아민 성분을 유기 용매의 존재 하에서 공중합하여 얻어진 폴리아믹산일 수 있다.The polyimide precursor used in the present invention may be any polyimide resin that can be made into a polyimide resin by imidization. For example, a polyamic acid obtained by copolymerizing an acid dianhydride component and a diamine component in the presence of an organic solvent according to a conventional method.

상기 산 이무수물 성분 및 상기 디아민 성분은 각각 폴리아믹산의 제조에 통상적으로 사용되는 것 중에서 적절히 선택될 수 있다. The acid dianhydride component and the diamine component may be appropriately selected from those conventionally used in the production of polyamic acid.

상기 산 이무수물 성분으로는 예를 들어, 비페닐테트라카르복실산 이무수물 또는 그 유도체, 피로멜리트산 이무수물(PMDA), 3,3'4,4'-벤조페논테트라카르복실산 무수물, p-페닐렌-비스 트리멜리트산 이무수물 등을 들 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the acid dianhydride component include biphenyltetracarboxylic dianhydride or derivative thereof, pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3'4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, p -Phenylene-bistrimellitic acid dianhydride, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 디아민 성분으로는 예를 들어, 파라-페닐렌디아민(pPDA), 디아미노페닐에테르, o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4-디아미노디페닐에테르(ODA), 3,4-디아미노디페닐에테르, 2,4-디아미노디페닐에테르 등을 들 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the diamine component include para-phenylenediamine (pPDA), diaminophenyl ether, o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4-diaminodiphenyl ether (ODA) 4-diaminodiphenyl ether, and 2,4-diaminodiphenyl ether. However, the present invention is not limited thereto.

산 이수물 성분 및 디아민 성분은 1: 0.9 내지 1: 1.1의 몰비로 혼합될 수 있다. The acid dihydrate component and the diamine component may be mixed in a molar ratio of 1: 0.9 to 1: 1.1.

상기 유기 용매로는 예를 들어 N,N'-디메틸포름아미드(DMF), N,N'-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-피롤리돈(NMP) 등을 들 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
Examples of the organic solvent include N, N'-dimethylformamide (DMF), N, N'-dimethylacetamide (DMAc) and N-methyl-pyrrolidone (NMP) But is not limited thereto.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름의 제조방법은, 상기 폴리이미드 전구체에 기공을 갖는 입자를 포함하는 이미드화 변환액을 혼합하여 겔 필름을 제조하는 단계를 포함한다. The method for producing a polyimide film according to the present invention includes a step of mixing a polyimide precursor with an imidization conversion liquid containing particles having pores to prepare a gel film.

먼저, 상기 폴리이미드 전구체, 즉 폴리아믹산에 이미드화 변환액을 균일하게 혼합하고, 여기에 기공을 갖는 입자를 균일하게 분산 및 혼합한 후 이미드화 수지를 제조한다. First, an imidization conversion liquid is uniformly mixed with the polyimide precursor, that is, polyamic acid, and particles having pores therein are uniformly dispersed and mixed to prepare an imidized resin.

상기 이미드화 변환액은 화학적 경화를 일으키기 위해 통상적으로 사용되는 물질이면 무엇이든 사용할 수 있다. 상기 이미드화 변환액은 예를 들어, 탈수제, 촉매, 극성 유기용제, 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 바람직하게는 탈수제, 촉매 및 극성 유기용제의 혼합 용액일 수 있다. The imidization conversion liquid may be any material conventionally used to cause chemical hardening. The imidization conversion liquid may be selected from the group consisting of, for example, a dehydrating agent, a catalyst, a polar organic solvent, and a mixture thereof, preferably a mixed solution of a dehydrating agent, a catalyst and a polar organic solvent.

보다 구체적으로, 상기 이미드화 변환액은 아세트산 무수물 등과 같은 탈수제; 피리딘, 베타피콜린, 이소퀴놀린 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 3급 아민류 등의 촉매; 및 N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 극성 유기용제를 포함하는 혼합 용액일 수 있다. More specifically, the imidization conversion liquid may be a dehydrating agent such as acetic anhydride or the like; Tertiary amines selected from the group consisting of pyridine, beta picoline, isoquinoline, and mixtures thereof; And a polar organic solvent selected from the group consisting of N-methylpyrrolidone, dimethylformamide, dimethylacetamide, and mixtures thereof.

상기 이미드화 변환액은 폴리이미드 전구체 100 중량부를 기준으로 30 내지 70 중량부, 바람직하게는 40 내지 55 중량부로 사용될 수 있으며, 폴리이미드 전구체의 종류 및 제조되는 폴리이미드 필름의 두께 등에 의하여 달라질 수 있다.The imidization conversion liquid may be used in an amount of 30 to 70 parts by weight, preferably 40 to 55 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyimide precursor, and may vary depending on the kind of the polyimide precursor and the thickness of the polyimide film to be produced .

상기 기공을 갖는 입자는 평균 입경이 10 ㎛ 이하, 바람직하게는, 1 내지 10 ㎛, 1 내지 7 ㎛ 또는 2 내지 5 ㎛일 수 있다. The particles having pores may have an average particle diameter of 10 mu m or less, preferably 1 to 10 mu m, 1 to 7 mu m, or 2 to 5 mu m.

또한, 상기 기공을 갖는 입자는, 기공을 포함하지 않는 그 입자 고유 물질의 진밀도와 비교하여 95% 이하, 바람직하게는 30% 내지 95%, 보다 바람직하게는 50 내지 90%의 진밀도를 가질 수 있다. The particles having pores have a true density of 95% or less, preferably 30% to 95%, more preferably 50 to 90%, as compared with the true density of the particle-specific material not containing pores .

본 발명에서 "진밀도"란 입자의 단위 용적당 무게를 의미하는 것으로서 입자 자체의 밀도를 의미하며, "입자 고유 물질"이란 입자에 기공이 존재하지 않는 물질을 의미한다. In the present invention, "true density " means the weight per unit volume of a particle, which means density of the particle itself, and" particle specific material "

상기 기공을 갖는 입자는 필름 총 중량 기준으로 2 내지 30 중량%, 바람직하게는 5 내지 20 중량%, 예를 들어 5 내지 10 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 상기 기공을 갖는 입자의 함량이 30 중량% 이하이면 폴리이미드 필름의 기계적 물성이 저하되지 않고 2 중량% 이상이면 폴리이미드 필름의 저유전율 효과를 구현할 수 있다. The particles having pores may be contained in an amount of 2 to 30% by weight, preferably 5 to 20% by weight, for example, 5 to 10% by weight, based on the total weight of the film. If the content of the particles having pores is 30 wt% or less, the mechanical properties of the polyimide film are not deteriorated, and if the content is 2 wt% or more, a low dielectric constant effect of the polyimide film can be realized.

상기 기공을 갖는 입자는 세공을 갖는 입자로서, 실리카, 알루미나, 티타니아, 제올라이트 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 중공형 또는 메조세공(mesoporous)형 입자일 수 있으며, 바람직하게는 중공형 실리카일 수 있다. The particles having pores may be hollow particles or mesoporous particles selected from the group consisting of silica, alumina, titania, zeolite, and mixtures thereof, and preferably hollow silica particles have.

상기 기공을 갖는 입자는 입자 그 자체로 투입될 수 있으며, 이미드화 수지 내에서 보다 균일하게 분산 및 혼합되는 것이 바람직하므로, 극성 유기용제에 분산한 분산액 상태 또는 콜로이드 상태로 투입될 수도 있다.
The particles having pores can be introduced into the particles themselves and are preferably dispersed and mixed more uniformly in the imidized resin, so that they may be put into a dispersion state or a colloid state dispersed in a polar organic solvent.

이어, 폴리아믹산에 이미드화 변환액을 균일하게 혼합하고, 여기에 기공을 갖는 입자를 균일하게 분산 및 혼합한 후 이미드화 수지는 겔 필름으로 제조될 수 있다. Then, the imidization conversion liquid can be uniformly mixed with the polyamic acid, and the particles having pores can be uniformly dispersed and mixed therein, and the imidized resin can be made into a gel film.

구체적으로, 상기 이미드화 수지는 지지체(예컨대, 스테인레스판, 유리판, 알루미늄박, 순환 스테인레스 벨트 또는 스테인레스 드럼 등)에 도포한 후 1차 열처리 및 건조하여 화학적으로 부분 이미드화된 겔 필름으로 제조될 수 있다. Specifically, the imidized resin may be applied to a support (for example, a stainless steel plate, a glass plate, an aluminum foil, a circulating stainless belt, a stainless steel drum, or the like), and then subjected to a first heat treatment and drying to form a chemically partially imaged gel film have.

상기 화학적으로 부분 이미드화하기 위한 1차 열처리 과정은, 100 내지 200℃에서 5 내지 15분 동안 수행할 수 있다.
The first heat treatment for chemically partially imidizing may be performed at 100 to 200 ° C for 5 to 15 minutes.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름의 제조방법은, 상기 겔 필름을 열처리하여 이미드화하는 단계를 포함한다. The method for producing a polyimide film according to the present invention includes a step of heat-treating the gel film to imidize the gel film.

상기에서 제조된 화학적으로 부분 이미드화된 겔 필름은 완전 이미드화를 위하여, 지지체로부터 분리하여 2차 열처리될 수 있다. The chemically partially imidized gel film prepared above may be subjected to a secondary heat treatment for complete imidization, separated from the support.

상기 완전 이미드화를 위한 2차 열처리 과정은, 250 내지 850℃에서 5 내지 25분 동안 수행할 수 있다. 2차 열처리 시에는 일정한 장력 하에서 열처리하는 것이 제막 과정에서 발생한 필름 내부의 잔류 응력을 제거할 수 있어 바람직하다.
The second heat treatment process for the complete imidization may be performed at 250 to 850 캜 for 5 to 25 minutes. In the secondary heat treatment, heat treatment under a certain tension is preferable because the residual stress in the film generated during the film-forming process can be removed.

본 발명의 일 실시양태에 따르면, 본 발명은 폴리이미드 전구체로서 폴리아믹산을 제조하는 단계; 상기 폴리아믹산에, 기공을 갖는 입자가 균일하게 분산된 이미드화 변환액을 혼합하여 이미드화 수지를 제조하는 단계; 상기 이미드화 수지를 지지체 상에 도포하고 1차 열처리 및 건조하여 겔 필름을 제조하는 단계; 및 상기 겔 필름을 2차 열처리하여 폴리이미드 필름을 제조하는 단계를 포함하며, 이때 상기 기공을 갖는 입자가 평균 입경이 10 ㎛ 이하이고, 그 입자 고유 물질의 진밀도 대비 95% 이하의 진밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름의 제조방법을 제공한다.
According to one embodiment of the present invention, the present invention provides a method for manufacturing a polyimide precursor, comprising: preparing a polyamic acid as a polyimide precursor; Mixing the polyamic acid with an imidization conversion liquid in which particles having pores are uniformly dispersed to prepare an imidized resin; Coating the imidized resin on a support, subjecting the imidized resin to a primary heat treatment and drying to prepare a gel film; And subjecting the gel film to a second heat treatment to produce a polyimide film, wherein the particles having pores have an average particle diameter of 10 mu m or less and a true density of less than 95% A polyimide film, and a polyimide film.

한편, 본 발명은 기공을 갖는 입자를 포함하는 폴리이미드 필름으로서, 상기 기공을 갖는 입자가 평균 입경이 10 ㎛ 이하이고, 그 입자 고유 물질의 진밀도 대비 95% 이하의 진밀도를 갖는, 폴리이미드 필름을 제공한다. On the other hand, the present invention is a polyimide film comprising particles having pores, wherein the particles having pores have an average particle diameter of 10 mu m or less and a true density of 95% or less of the true density of the particle- Film.

구체적으로, 상기 기공을 갖는 입자를 포함하는 폴리이미드 필름은, 폴리아믹산 및 기공을 갖는 입자를 포함하는 이미드화 변환액으로부터 합성한 폴리이미드화 수지로부터 수득되며, 상기 기공을 갖는 입자가 평균 입경이 10 ㎛ 이하이고, 그 입자 고유 물질의 진밀도 대비 95% 이하의 진밀도를 갖는, 폴리이미드 필름일 수 있다.Specifically, the polyimide film containing the particles having pores is obtained from a polyimidized resin synthesized from an imidization conversion liquid containing polyamic acid and particles having pores, and the particles having pores have an average particle diameter 10 탆 or less, and a true density of 95% or less of the true density of the particle specific material.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 5 내지 200 ㎛의 얇은 두께를 나타낸다. The polyimide film according to the present invention exhibits a thin thickness of 5 to 200 mu m.

또한, 본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 1 GHz에서 3.0 이하의 유전율, 바람직하게는 2.0 내지 2.9의 낮은 유전율을 나타내고, 유전정접이 0.002 미만, 바람직하게는 0.0005 내지 0.001을 나타내므로, 전자기기 등의 내부 절연체, 완충재, 회로기판 등에 유용하게 사용될 수 있다.
The polyimide film according to the present invention exhibits a dielectric constant of 3.0 or less, preferably 2.0 to 2.9 at 1 GHz, and a dielectric loss tangent of less than 0.002, preferably 0.0005 to 0.001, Internal insulators, cushioning materials, circuit boards, and the like.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 하기 실시예에 의하여 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the present invention.

제조예 1 : 폴리아믹산 용액의 제조Production Example 1: Preparation of polyamic acid solution

0.5L 반응기에 디메틸포름아미드(DMF) 320g을 넣고 온도를 20℃로 설정한 다음, 디아미노페닐에테르(ODA) 27.59g을 투입하여 용해시킨 뒤에 피로멜리트산 이무수물(PMDA)을 20.03g씩 2회 투입 후 용해하였다. 용해가 끝나면, 여기에 파라-페닐렌디아민(pPDA) 3.97g을 투입하여 30분간 반응시킨 후에 용액을 샘플링하여 분자량을 측정하였다. 이 후 반응이 끝나면 반응기의 온도를 30℃로 승온한 뒤에 pPDA 1.00g을 투입하여 [디아민]/[산 이무수물]의 몰비를 1:1로 조절하였다. 원료 투입을 완료하면 40℃에서 2시간 동안 충분히 반응시켜 폴리아믹산 용액을 얻었다.
320 g of dimethylformamide (DMF) was placed in a 0.5 L reactor and the temperature was adjusted to 20 ° C. Then, 27.59 g of diaminophenyl ether (ODA) was added to dissolve and then 20.03 g of pyromellitic dianhydride (PMDA) And then dissolved. After the dissolution, 3.97 g of para-phenylenediamine (pPDA) was added thereto and reacted for 30 minutes. The solution was sampled to measure the molecular weight. After the reaction was completed, the temperature of the reactor was raised to 30 ° C, and 1.00 g of pPDA was added to adjust the molar ratio of [diamine] / [dianhydride] to 1: 1. After the addition of the raw material was completed, the reaction was sufficiently carried out at 40 ° C for 2 hours to obtain a polyamic acid solution.

제조예 2 : 기공을 갖는 입자가 첨가된 이미드화 변환액의 제조 (1)Production Example 2: Preparation of imidization conversion liquid added with particles having pores (1)

이미드화 변환액에 사용되는 경화용 촉매로서 베타피콜린(끓는점 144℃) 2.8g, 탈수제로서 아세트산 무수물 21.2g, 및 극성 유기용제로서 디메틸포름아미드(DMF) 13.4g의 혼합 용액에, 중공 실리카(Hollow silica)의 분산액 13.4g (중공 실리카(백산철강 VHSN-1000, 입자의 평균 입경: 3μm, 입자의 평균 기공: 200nm) 고형분 6% 함유 DMF 혼합액)을 첨가한 후 교반하여 기공을 갖는 입자가 첨가된 이미드화 변환액 50.8g을 얻었다.
To a mixed solution of 2.8 g of beta-picoline (boiling point 144 DEG C), 21.2 g of acetic anhydride as a dehydrating agent and 13.4 g of dimethylformamide (DMF) as a polar organic solvent as a curing catalyst used in the imidization conversion liquid, (DMF mixed solution containing hollow silica (VHSN-1000, average particle diameter of particles: 3 μm, average pore size of particles: 200 nm) and solid content of 6%) was added and stirred to obtain particles having pores 50.8 g of the imidized conversion solution was obtained.

제조예 3 : 기공을 갖는 입자가 첨가된 이미드화 변환액의 제조 (2)Production Example 3: Preparation of imidization conversion liquid added with pore-forming particles (2)

이미드화 변환액에 사용되는 경화용 촉매로서 베타피콜린(끓는점 144℃) 2.8g, 탈수제로서 아세트산 무수물 21.2g, 및 극성 유기용제로서 DMF 0.9g의 혼합 용액에, 중공 실리카의 분산액 26.7g (중공 실리카(백산철강 VHSN-1000, 입자의 평균 입경: 6μm, 입자의 평균 기공: 200nm) 고형분 6% 함유 DMF 혼합액)을 첨가한 후 교반하여 기공을 갖는 입자가 첨가된 이미드화 변환액 51.6g을 얻었다.
To a mixed solution of 2.8 g of beta-picoline (boiling point 144 DEG C) as a curing catalyst used in the imidation conversion liquid, 21.2 g of acetic anhydride as a dehydrating agent and 0.9 g of DMF as a polar organic solvent, 26.7 g of hollow silica dispersion (DMF mixed solution containing 6% solid content of silica) (silica white steel VHSN-1000, average particle diameter of particles: 6 탆, average particle size of particles: 200 nm) was added and stirred to obtain 51.6 g of an imidization conversion liquid added with particles having pores .

제조예 4 : 기공을 갖지 않는 실리카 입자가 첨가된 이미드화 변환액의 제조 (1)Preparation Example 4: Preparation of an imidization conversion liquid added with silica particles having no pores (1)

이미드화 변환액에 사용되는 경화용 촉매로서 베타피콜린(끓는점 144℃) 2.8g, 탈수제로서 아세트산 무수물 21.2g, 및 극성 유기용제로서 DMF 13.4g의 혼합 용액에, 구상 실리카의 분산액 13.3g (구상 실리카(일본촉매 KEP-250, 입자의 평균 입경: 3μm, 기공없음) 고형분 6% 함유 DMF 혼합액)을 첨가한 후 교반하여 구상 실리카 입자가 첨가된 이미드화 변환액 50.8g을 얻었다.
To a mixed solution of 2.8 g of beta-picoline (boiling point 144 DEG C) as a curing catalyst used in the imidation conversion solution, 21.2 g of acetic anhydride as a dehydrating agent and 13.4 g of DMF as a polar organic solvent, 13.3 g of a dispersion of spherical silica DMF mixed solution containing silica (Nippon Catalyst KEP-250, average particle diameter of particles: 3 mu m, porosity: 6%) was added and stirred to obtain 50.8 g of an imidation conversion liquid to which spherical silica particles were added.

제조예 5 : 기공을 갖지 않는 실리카 입자가 첨가된 이미드화 변환액의 제조 (2)Preparation Example 5: Preparation of imidization conversion liquid added with silica particles having no pores (2)

이미드화 변환액에 사용되는 경화용 촉매로서 베타피콜린(끓는점 144℃) 2.8g, 탈수제로서 아세트산 무수물 21.2g, 및 극성 유기용제로서 DMF 0.9g의 혼합 용액에, 구상 실리카 분산액 26.7g(구상 실리카(일본촉매 KEP-250, 입자의 평균 입경: 3μm, 기공없음) 고형분 6% 함유 DMF 혼합액)을 첨가한 후 교반하여 구상 실리카 입자가 첨가된 이미드화 변환액 51.6g을 얻었다.
To a mixed solution of 2.8 g of beta-picoline (boiling point 144 DEG C) as a curing catalyst used in the imidization conversion solution, 21.2 g of acetic anhydride as a dehydrating agent and 0.9 g of DMF as a polar organic solvent, 26.7 g of a spherical silica dispersion (DMF mixed solution containing 6% solid content of particles of the catalyst KEP-250 (average particle diameter of the particles: 3 탆, no pores)) was added and stirred to obtain 51.6 g of an imidization conversion liquid to which spherical silica particles were added.

제조예 6 : 기공을 갖지 않는 불소 입자가 첨가된 이미드화 변환액의 제조Preparation Example 6: Preparation of imidization conversion liquid added with fluorine particles having no pores

이미드화 변환액에 사용되는 경화용 촉매로서 이소퀴놀린(끓는점 242℃) 2.8g, 탈수제로서 아세트산 무수물 21.2g, 및 극성 유기용제로서 DMF 0.9g의 혼합 용액에, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)의 분산액 26.7g(DAIKIN사 제품, 불소 입자(평균 입경 22㎛, 기공없음) 고형분 6% 함유 DMF 혼합액)을 첨가한 후 교반하여 불소 입자가 첨가된 이미드화 변환액 51.6g을 얻었다.
(PTFE) was added to a mixed solution of 2.8 g of isoquinoline (boiling point 242 占 폚) as a curing catalyst used in the imidization conversion solution, 21.2 g of acetic anhydride as a dehydrating agent, and 0.9 g of DMF as a polar organic solvent 26.7 g of a dispersion (DMF mixed liquid containing 6% of fluorine particles (average particle diameter of 22 탆, porosity) solid content, manufactured by DAIKIN) was added and stirred to obtain 51.6 g of an imidization conversion liquid to which fluorine particles were added.

제조예 7 : 입자를 첨가하지 않은 이미드화 변환액의 제조Production Example 7: Preparation of imidization conversion liquid without adding particles

이미드화 변환액에 사용되는 경화용 촉매로서 베타피콜린(끓는점 144℃) 3.3g, 탈수제로서 아세트산 무수물 21.5g, 및 극성 유기용제로서 DMF 25.2g을 섞어 교반하여 이미드화 변환액 50g을 얻었다.
3.3 g of betapicholine (boiling point 144 캜) as a curing catalyst used in the imidization conversion solution, 21.5 g of acetic anhydride as a dehydrating agent, and 25.2 g of DMF as a polar organic solvent were mixed and stirred to obtain 50 g of an imidization conversion liquid.

실시예Example 1 : 기공을 갖는 입자 적용 폴리이미드 필름 제조 (1) 1: Preparation of porous polyimide film with pores (1)

제조예 1에서 얻은 폴리아믹산 중합 용액 100g에 제조예 2에서 얻은 이미드화 변환액 50.8g을 섞은 후 스테인레스 판에 도포하고, 120℃ 오븐에서 열풍으로 3분간 건조한 후 겔 필름을 제조하였다. 50.8 g of the imidization conversion solution obtained in Preparation Example 2 was mixed with 100 g of the polyamic acid polymer solution obtained in Preparation Example 1, and the resulting mixture was coated on a stainless steel plate and dried in a 120 ° C oven for 3 minutes with hot air to prepare a gel film.

이렇게 제조된 겔 필름을 스테인레스 판으로부터 떼어내어 프레임 핀으로 고정하고, 겔 필름이 고정된 프레임을 450℃에서 7분간 열처리한 후에 필름을 떼어내어 평균 두께 25㎛의 폴리이미드 필름을 얻었다. The thus-prepared gel film was peeled off from the stainless plate and fixed with a frame pin. After the frame having the gel film fixed thereon was heat-treated at 450 캜 for 7 minutes, the film was peeled off to obtain a polyimide film having an average thickness of 25 탆.

이렇게 제조된 폴리이미드 필름 단면의 주사전자현미경(SEM) 사진을 도 1에 나타내었다.
A scanning electron microscope (SEM) photograph of the section of the polyimide film thus produced is shown in Fig.

실시예Example 2 : 기공을 갖는 입자 적용 폴리이미드 필름 제조 (2) 2: Preparation of porous polyimide film with pores (2)

제조예 2에서 얻은 이미드화 변환액 대신 제조예 3에서 얻은 이미드화 변환액 51.6g을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 공정을 수행하여 평균 두께 25㎛의 폴리이미드 필름을 얻었다.
Except that 51.6 g of the imidization conversion liquid obtained in Production Example 3 was used in place of the imidization conversion liquid obtained in Production Example 2 to obtain a polyimide film having an average thickness of 25 탆.

비교예 1 : 기공을 갖지 않는 입자 적용 폴리이미드 필름 제조 (1)Comparative Example 1: Preparation of polyimide film-coated particles having no pores (1)

제조예 2에서 얻은 이미드화 변환액 대신 제조예 4에서 얻은 이미드화 변환액 50.8g을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 공정을 수행하여 평균 두께 25㎛의 폴리이미드 필름을 얻었다.
Except that 50.8 g of the imidization conversion liquid obtained in Production Example 4 was used in place of the imidization conversion liquid obtained in Production Example 2 to obtain a polyimide film having an average thickness of 25 m.

비교예 2 : 기공을 갖지 않는 입자 적용 폴리이미드 필름 제조 (2)Comparative Example 2: Production of polyimide film-coated particles having no pores (2)

제조예 2에서 얻은 이미드화 변환액 대신 제조예 5에서 얻은 이미드화 변환액 51.6g을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 공정을 수행하여 평균 두께 25㎛의 폴리이미드 필름을 얻었다.
Except that 51.6 g of the imidization conversion solution obtained in Production Example 5 was used instead of the imidization conversion solution obtained in Production Example 2 to obtain a polyimide film having an average thickness of 25 탆.

비교예Comparative Example 3 : 기공을 갖지 않는 불소 입자 적용 폴리이미드 필름 제조 3: Manufacture of polyimide film with fluorine particles without porosity

제조예 2에서 얻은 이미드화 변환액 대신 제조예 6에서 얻은 이미드화 변환액 51.6g을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 공정을 수행하여 평균 두께 25㎛의 폴리이미드 필름을 얻었다.
Except that 51.6 g of the imidization conversion solution obtained in Production Example 6 was used in place of the imidization conversion solution obtained in Production Example 2 to obtain a polyimide film having an average thickness of 25 탆.

비교예 4 : 입자를 첨가하지 않은 폴리이미드 필름 제조Comparative Example 4: Production of polyimide film without added particles

제조예 2에서 얻은 이미드화 변환액 대신 제조예 7에서 얻은 이미드화 변환액 50.0g을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 공정을 수행하여 평균 두께 25㎛의 폴리이미드 필름을 얻었다.
A polyimide film having an average thickness of 25 탆 was obtained by carrying out the same processes as in Example 1 except that 50.0 g of the imidization conversion solution obtained in Production Example 7 was used in place of the imidization conversion solution obtained in Production Example 2.

시험예 1: 밀도 비율의 측정Test Example 1: Measurement of density ratio

본 발명에서 폴리이미드 필름의 제조 시 첨가한 입자(A) 및 이들 입자 고유 물질(B)의 진밀도를 각각 규격(KS M 6020:2010)에 의해 측정하였다. 이때 실시예 1 및 2에서 사용된 중공실리카 및 비교예 1 및 2에서 사용된 구상 실리카의 고유 물질인 천연 실리카는 일본촉매(모델명: KEP-250)로부터 구매한 것을 이용하여 측정하였다. In the present invention, the true density of the particles (A) added to the polyimide film during the production of the polyimide film and the intrinsic material (B) thereof were measured according to the respective standards (KS M 6020: 2010). At this time, the hollow silica used in Examples 1 and 2 and the natural silica, which is the intrinsic material of the spherical silica used in Comparative Examples 1 and 2, were measured using a product purchased from Japan Catalyst (Model: KEP-250).

이어, 하기 계산식 1에 따라 입자 고유 물질 대비 기공을 갖는 입자의 진밀도 비율(%)을 계산하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. Then, the true density ratio (%) of the particles having pores with respect to the particle specific substance was calculated according to the following equation 1, and the results are shown in Table 1 below.

[계산식 1] [Equation 1]

Figure 112015006476980-pat00001

Figure 112015006476980-pat00001

시험예 2: 기공을 갖는 입자의 평균 입경 측정Test Example 2: Measurement of average particle diameter of particles having pores

본 발명에서 사용한 기공을 갖는 입자의 평균 입경을 레이저 회절 입자크기 측정기(Laser Diffraction Particle Size Analyzer, SHIMADZU사, 모델명 SALD-2201)를 사용하여 측정하였으며, 기공을 갖는 입자의 평균 입경값을 하기 표 1에 나타내었다.
The average particle diameter of the pores having pores used in the present invention was measured using a laser diffraction particle size analyzer (SHIMADZU, model name: SALD-2201) Respectively.

시험예 3 : 필름의 입자 함량 측정Test Example 3: Measurement of particle content of film

실시예 1 및 2, 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 폴리이미드 필름의 입자 함량을 ASH 법으로 측정하였다. ASH 법은 도가니에 필름을 담아 900℃에서 3시간 태운 후 도가니에 남은 잔량의 무게를 측정하여 함유율 측정하는 방식으로 수행되었다. 측정된 입자 함량 (중량%)을 하기 표 1에 나타내었다.
The particle contents of the polyimide films prepared in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4 were measured by the ASH method. The ASH method was carried out by placing the film in a crucible and burning it at 900 ° C for 3 hours, measuring the weight of the remaining amount in the crucible, and measuring the content. The measured particle content (% by weight) is shown in Table 1 below.

시험예 4: 기공을 갖는 입자의 평균 필름내 분포 상태 확인Test Example 4: Average distribution of particles having pores in the film

본 발명의 실시예 1에 따른 폴리이미드 필름 내의 기공을 갖는 입자 분포 상태를 주사전자현미경 FE-SEM(JEOL(제올), 모델명 JSM-6700F)으로 관찰하여 SEM 이미지로 나타냈다. The state of the particles having pores in the polyimide film according to Example 1 of the present invention was observed with a scanning electron microscope FE-SEM (JEOL, model name JSM-6700F), and it was shown by SEM image.

본 발명의 실시예 1에 따른 폴리이미드 필름 단면의 주사전자현미경(SEM) 사진을 도 1에 나타내었다. A scanning electron microscope (SEM) photograph of a cross section of a polyimide film according to Example 1 of the present invention is shown in Fig.

또한, 상기 필름의 표면에 기공을 갖는 입자가 분산된 상태를 도 2에 나타내고, 이를 부분 확대하여 입자 상태를 나타낸 사진을 도 3에 나타내었다. FIG. 2 shows a state in which particles having pores are dispersed on the surface of the film, and FIG. 3 shows a photograph showing the state of particles by enlarging the particles.

도 2에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 폴리이미드 필름에 사용되는 기공을 갖는 입자는 필름 전체에 고르게 분포되는 것이 확인되어 양호한 분산 상태를 나타냄을 알 수 있었다.
As shown in FIG. 2, it was found that the particles having pores used in the polyimide film according to the present invention were uniformly distributed throughout the film, and thus it was found that they exhibited a good dispersion state.

시험예 5 : 유전율 및 유전정접 측정Test Example 5: Measurement of dielectric constant and dielectric tangent

실시예 1 및 2, 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 폴리이미드 필름의 1 GHz에서의 유전율 및 유전정접을 Keysight사의 SPDR 측정기를 이용하여 측정하였다. 측정된 유전율 및 유전정접 값을 하기 표 1에 나타내었다.The dielectric constant and dielectric loss tangent of the polyimide films prepared in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4 at 1 GHz were measured using an SPDR meter of Keysight. The measured dielectric constant and dielectric loss tangent are shown in Table 1 below.

실시예1Example 1 실시예2Example 2 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 비교예4Comparative Example 4 폴리아믹산 용액Polyamic acid solution 제조예1Production Example 1 이미드화 변환액Imidization conversion amount 제조예2Production Example 2 제조예3Production Example 3 제조예4Production Example 4 제조예5Production Example 5 제조예6Production Example 6 제조예7Production Example 7 입자 종류Particle type 중공실리카Hollow silica 중공실리카Hollow silica 구상실리카Spherical silica 구상실리카Spherical silica 불소입자Fluorine particle -- 고유 물질Unique substance 실리카Silica 실리카Silica 실리카Silica 실리카Silica PTFEPTFE 입자 함량(중량%)Particle content (% by weight) 5.05.0 9.69.6 5.05.0 9.69.6 9.69.6 입자의 평균입경 Average particle diameter of the particles 3 ㎛3 ㎛ 3 ㎛3 ㎛ 3 ㎛3 ㎛ 3 ㎛3 ㎛ 22 ㎛22 탆 -- 밀도 비율(%)Density ratio (%) 88.488.4 88.488.4 100100 100100 100100 -- 유전율 (1GHz)Dielectric constant (1 GHz) 2.892.89 2.512.51 3.423.42 3.513.51 3.413.41 3.393.39 유전정접 (1GHz)Dielectric tangent (1 GHz) 0.0010.001 0.0010.001 0.0020.002 0.0020.002 0.0020.002 0.0030.003 필름 평균두께 (㎛)Film average thickness (탆) 2525 2525 2525 2525 2525 2525

상기 표 1에서 보는 바와 같이, 기공을 갖는 중공 실리카 입자를 포함하는 실시예 1 및 2에 따른 폴리이미드 필름은 3 이하의 낮은 유전율을 나타내었다. As shown in Table 1, the polyimide films according to Examples 1 and 2 including hollow silica particles having pores showed a low dielectric constant of 3 or less.

또한, 실시예 1 및 2에 따른 폴리이미드 필름은 밀도 비율이 95%를 초과하거나, 불소 입자를 포함하거나, 또는 아예 입자를 포함하지 않는 비교예 1 내지 4와 비교하여서도 유전율 및 유전정접이 낮게 나타나 전기적 특성이 우수함을 알 수 있었다. 따라서, 저유전율이 요구되는 인쇄 회로기판 등의 전기/전자 기기 및 부품의 제조에 유용하게 사용될 수 있다. In addition, the polyimide films according to Examples 1 and 2 had lower dielectric constant and dielectric loss tangent than those of Comparative Examples 1 to 4 in which the density ratio exceeded 95%, the fluorine particles were contained, or the particles were not contained at all And the electrical characteristics were excellent. Therefore, it can be usefully used for manufacturing electric / electronic devices and parts such as a printed circuit board in which a low dielectric constant is required.

Claims (6)

1) 폴리이미드 전구체를 제조하는 단계;
2) 상기 폴리이미드 전구체에 기공을 갖는 입자를 포함하는 이미드화 변환액을 혼합하여 겔 필름을 제조하는 단계; 및
3) 상기 겔 필름을 열처리하여 이미드화하는 단계를 포함하는 폴리이미드 필름의 제조방법으로서,
이때 상기 기공을 갖는 입자가 평균 입경이 10 ㎛ 이하의 중공형 실리카이고, 그 입자 고유 물질의 진밀도(particle density) 대비 50~90%의 진밀도를 가지며, 상기 폴리이미드 필름이 1 GHz에서 3.0 이하의 유전율을 나타내는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드 필름의 제조방법.
1) preparing a polyimide precursor;
2) mixing a polyimide precursor with an imidization conversion solution containing particles having pores to prepare a gel film; And
3) heat-treating the gel film to imidize the polyimide film,
Wherein the pore-forming particles are hollow silica particles having an average particle diameter of 10 m or less and have a true density of 50 to 90% of a particle density of the particle-specific material, and the polyimide film has a density of 3.0 Wherein the polyimide film exhibits the following dielectric constant.
제1항에 있어서,
상기 기공을 갖는 입자가 평균 입경이 1 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the particles having pores have an average particle diameter of 1 to 10 mu m.
제1항에 있어서,
상기 기공을 갖는 입자가 필름 총 중량 기준으로 2 내지 30 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the particles having the pores are contained in an amount of 2 to 30% by weight based on the total weight of the film.
제1항에 있어서,
상기 기공을 갖는 입자가 필름 총 중량 기준으로 5 내지 30 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the particles having pores are contained in an amount of 5 to 30% by weight based on the total weight of the film.
기공을 갖는 입자를 포함하는 폴리이미드 필름으로서,
상기 기공을 갖는 입자가 평균 입경이 10㎛ 이하의 중공형 실리카이고, 그 입자 고유 물질의 진밀도 대비 50~90%의 진밀도를 가지며,
상기 폴리이미드 필름이 1 GHz에서 3.0 이하의 유전율을 나타내는, 폴리이미드 필름.
A polyimide film comprising particles having pores,
Wherein the particles having pores are hollow silica particles having an average particle diameter of 10 탆 or less and have a true density of 50 to 90%
Wherein the polyimide film exhibits a dielectric constant of 3.0 or less at 1 GHz.
제5항에 있어서,
상기 기공을 갖는 입자가 필름 총 중량 기준으로 9.6 내지 30 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.
6. The method of claim 5,
And the particles having the pores are contained in an amount of 9.6 to 30 wt% based on the total weight of the film.
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